JP2023105274A

JP2023105274A - 半導体発光装置

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Publication number: JP2023105274A
Application number: JP2023096377A
Authority: JP
Inventors: 智一郎外山; Tomoichiro Toyama; 秀晃安斉; Hideaki Anzai; 健矢橋本; Kenya Hashimoto; 亮谷田貝; Ryo Yatagai
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2017-12-18
Filing date: 2023-06-12
Publication date: 2023-07-28
Anticipated expiration: 2038-11-15
Also published as: CN109935676B; US10763414B2; US20190189878A1; CN109935676A; US11239401B2; JP7507288B2; US20200350478A1

Abstract

【課題】樹脂部形状のばらつきを抑制することが可能な半導体発光装置を提供すること。【解決手段】半導体発光装置Ａ１は、基材１１、導体層１２、および絶縁層１３を有する基板１と、半導体発光素子２と、樹脂部３と、を備え、基材１１は、一対の基材第１側面１１３と、一対の基材第３側面１１５と、を有し、導体層１２は、表面部１２１および側面部１２３を有し、表面部１２１は、表面第１部１２１１を有し、絶縁層１３は、絶縁層第１部１３１と、絶縁層第２部１３２とを有し、第１距離Ｄ１は、第２距離Ｄ２よりも大きい。【選択図】図４

Description

本開示は、半導体発光装置に関する。

特許文献１には、従来の半導体発光装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体発光装置は、基板、半導体発光素子および樹脂部を備えている。樹脂部は、半導体発光素子からの光を透過させる。

特開２０１７－１２６７４３号公報

半導体発光装置からの発光状況は、樹脂部の形状等に影響を受ける。樹脂部の形状等によっては、半導体発光装置から発せられる光の色合いにばらつきが生じる。また、樹脂部の形状にばらつきが生じることは好ましくない。

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、色合いのばらつきを抑制することが可能な半導体発光装置を提供することをその課題とする。また、本開示は、樹脂部形状のばらつきを抑制することが可能な半導体発光装置を提供することをその課題とする。

本開示によって提供される半導体発光装置は、厚さ方向一方側を向く基材表面および前記厚さ方向他方側を向く基材裏面を有する絶縁性の基材、前記基材に形成された導体層、および前記導体層の一部を覆う絶縁層を有する基板と、前記基板の前記基材表面側に搭載された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆い且つ前記半導体発光素子からの光を透過させる樹脂部と、を備える半導体発光装置であって、前記基板の前記基材は、各々が前記基材表面および前記基材裏面を繋ぎ、且つ第１方向に離間した一対の基材第１側面と、各々が前記基材表面および前記基材裏面を繋ぎ、且つ前記厚さ方向視において前記基材第１側面よりも前記半導体発光素子側に凹む一対の基材第３側面と、を有し、前記導体層は、前記基材表面に形成された表面部および前記基材第３側面に形成された側面部を有し、前記表面部は、前記基材第３側面に対して前記半導体発光素子側に隣接し且つ前記側面部に繋がる表面第１部を有し、前記絶縁層は、前記厚さ方向視において前記基材第３側面に対して前記半導体発光素子とは反対側に位置する絶縁層第１部と、前記厚さ方向視において前記導体層の前記表面第１部に重なる絶縁層第２部とを有し、前記樹脂部は、前記絶縁層の前記絶縁層第１部および前記絶縁層第２部を覆っており、前記絶縁層第１部のうち前記樹脂部と接する絶縁層第１面に含まれる絶縁層第１領域と、前記樹脂部の樹脂表面のうち前記厚さ方向視において前記絶縁層第１領域に重なる樹脂第１領域と、の距離である第１距離は、前記絶縁層第２部のうち前記樹脂部と接する絶縁層第２面に含まれる絶縁層第２領域と、前記樹脂部の前記樹脂表面のうち前記厚さ方向視において前記絶縁層第２領域に重なる樹脂第２領域と、の距離である第２距離よりも大きい。

本開示の半導体発光装置によれば、色合いのばらつきを抑制することができる。

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す要部平面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す底面図である。図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す要部拡大断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す正面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す要部拡大正面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す側面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す要部拡大側面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の基板を示す要部平面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部平面図である。図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う要部断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部平面図である。図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う要部断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部平面図である。図１６のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う要部断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部平面図である。図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う要部断面図である。開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の使用例を示す要部断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第１変形例を示す要部拡大断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第２変形例を示す要部拡大断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第３変形例を示す要部拡大断面図である。本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の第４変形例を示す要部平面図である。本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示す要部平面図である。図２５のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ線に沿う断面図である。本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示す要部平面図である。図２７のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す要部平面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す底面図である。図２９のＸＸＸＩＩ－ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す要部拡大断面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す正面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す要部拡大正面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す側面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す要部拡大側面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置の基板を示す要部平面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部平面図である。図３９のＸＬ－ＸＬ線に沿う断面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部平面図である。図４１のＸＬＩＩ－ＸＬＩＩ線に沿う断面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部断面図である。本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置の製造方法の一例を示す要部断面図である。本開示の第５実施形態に係る半導体発光装置を示す要部拡大断面図である。本開示の第６実施形態に係る半導体発光装置を示す要部平面図である。図４６のＸＬＶＩＩ－ＸＬＶＩＩ線に沿う断面図である。

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルを付して用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。

＜第１実施形態＞
図１～図１０は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ１は、基板１、半導体発光素子２および樹脂部３を備えている。これらの図において、ｘ方向は、第１方向に相当し、ｙ方向は、第２方向に相当し、ｚ方向は、厚さ方向に相当する。ｘ方向、ｙ方向およびｚ方向は、互いに直角である。半導体発光装置Ａ１の形状や大きさは特に限定されず、本実施形態においては、ｘ方向寸法が０．７～２．５ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．４～１．０ｍｍ程度、ｚ方向寸法が０．１５～０．３ｍｍ程度とされ、ｚ方向視矩形状である。

図１は、半導体発光装置Ａ１を示す平面図である。図２は、半導体発光装置Ａ１を示す要部平面図である。図３は、半導体発光装置Ａ１を示す底面図である。図４は、図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、半導体発光装置Ａ１を示す要部拡大断面図である。図６は、半導体発光装置Ａ１を示す正面図である。図７は、半導体発光装置Ａ１を示す要部拡大正面図である。図８は、半導体発光装置Ａ１を示す側面図である。図９は、半導体発光装置Ａ１を示す要部拡大側面図である。図１０は、半導体発光装置Ａ１の基板１を示す要部平面図である。図１のＩＶ－ＩＶ線から理解されるように、図４の図中横方向は、概ねｘ方向に沿うものの、ｘ方向と厳密に一致しない部分を含む。これは、図５も同様である。

基板１は、半導体発光素子２を支持するとともに、半導体発光素子２への導通経路を構成擦るものである。基板１は、基材１１、導体層１２および絶縁層１３を有する。

基材１１は、基板１の土台となる部位であり、たとえばガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料からなる。基材１１は、基材表面１１１、基材裏面１１２、一対の基材第１側面１１３、一対の基材第２側面１１４および複数の基材第３側面１１５を有する。

基材表面１１１は、ｚ方向一方側を向く面である。基材裏面１１２は、ｚ方向において基材表面１１１とは反対側の他方側を向く面である。図示された例においては、基材表面１１１は、平坦な面である。

一対の基材第１側面１１３は、ｘ方向に互いに離間しており、ｘ方向に対して直角である。基材第１側面１１３は、基材表面１１１と基材裏面１１２とを繋いでいる。図示された例においては、基材裏面１１２は、平坦な面である。

一対の基材第２側面１１４は、ｙ方向に互いに離間しており、ｙ方向に対して直角である。基材第２側面１１４は、基材表面１１１と基材裏面１１２とを繋いでいる。

基材第３側面１１５は、基材表面１１１および基材裏面１１２を繋いでおり、ｚ方向視において基材第１側面１１３よりも内方に凹む面である。本実施形態においては、基材第３側面１１５は、基材第１側面１１３に対してｘ方向内方に凹んでいる。また、本実施形態においては、基材第３側面１１５は、隣り合う基材第１側面１１３と基材第２側面１１４との間に介在している。また、基材第３側面１１５は、ｚ方向視において基材第２側面１１４よりも内方に凹む面であり、本実施形態においては、基材第２側面１１４に対してｙ方向内方に凹んでいる。本実施形態においては、複数の基材第３側面１１５の個数は、４である。４つの基材第３側面１１５は、一対の基材第３側面１１５を含ものである。基材第３側面１１５は、ｚ方向視において略四半円形状である。

導体層１２は、半導体発光素子２への導通経路を構成するものであり、基材１１に形成されている。導体層１２は、たとえば、めっきによって形成されたＣｕ層等を有する。また、導体層１２のうち絶縁層１３から露出した部位には、たとえばめっきにより形成されたＡｕ層が設けられていてもよい。導体層１２は、表面部１２１、裏面部１２２および４つの側面部１２３を有する。

表面部１２１は、基材１１の基材表面１１１に形成された部位である。本実施形態においては、表面部１２１は、４つの表面第１部１２１１、表面第２部１２１２、一対の表面第３部１２１３、複数の連結部１２１４および連結部１２１５を有する。なお、図１０における二点鎖線（想像線）は、４つの表面第１部１２１１、表面第２部１２１２、一対の表面第３部１２１３、複数の連結部１２１４および連結部１２１５の境界を便宜上示している。

表面第１部１２１１は、基材１１の基材第３側面１１５に隣接して設けられた部位であり、本実施形態においては、ｚ方向視において略四半円環形状である。また、表面第１部１２１１は、基材第１側面１１３および基材第２側面１１４の双方に到達している。本実施形態においては、４つの基材第３側面１１５に対応して、４つの表面第１部１２１１が形成されている。

表面第２部１２１２は、基材表面１１１の略中央に設けられており、半導体発光素子２を搭載するための部位である。なお、半導体発光素子２を基材１１に直接搭載する場合、表面部１２１は、表面第２部１２１２を有さない構成であってもよい。図示された例においては、表面第２部１２１２は、ｚ方向視において略矩形状である。

一対の表面第３部１２１３は、表面第２部１２１２を挟んでｘ方向に離間して配置されている。表面第３部１２１３は、表面部１２１と半導体発光素子２とを導通させるために用いられる部位である。図示された例においては、表面第３部１２１３は、略矩形状である。また、図示された例においては、表面第３部１２１３は、基材１１の基材第１側面１１３から離間している。

複数の連結部１２１４は、隣り合う表面第１部１２１１と表面第３部１２１３とを連結する部位である。図示された例においては、複数の連結部１２１４の個数は、４であり、各々がｙ方向に延びる帯状である。また、図示された例においては、連結部１２１４は、基材１１の基材第１側面１１３から離間している。

連結部１２１５は、表面第２部１２１２と連結部１２１４とを連結している。図示された例においては、連結部１２１５は、ｘ方向に長く延びている。図示された例においては、連結部１２１５は、基材１１の基材第２側面１１４から離間している。

裏面部１２２は、基材１１の基材裏面１１２に形成された部位である。本実施形態においては、裏面部１２２は、４つの裏面第１部１２２１および一対の裏面第２部１２２２を有する。なお、図３における二点鎖線（想像線）は、４つの裏面第１部１２２１および一対の裏面第２部１２２２の境界を便宜上示している。

裏面第１部１２２１は、基材１１の基材第３側面１１５に隣接して設けられた部位であり、本実施形態においては、ｚ方向視において略四半円環形状である。また、裏面第１部１２２１は、基材第１側面１１３および基材第２側面１１４の双方に到達している。本実施形態においては、４つの基材第３側面１１５に対応して、４つの裏面第１部１２２１が形成されている。

一対の裏面第２部１２２２は、ｘ方向に互いに離間して設けられている。裏面第２部１２２２は、ｙ方向に隣り合う裏面第１部１２２１に繋がっている。一対の裏面第２部１２２２は、たとえば半導体発光装置Ａ１を回路基板（図示略）等に実装する際に、電極として用いられる。

４つの側面部１２３は、４つの基材第３側面１１５に形成されており、４つの基材第３側面１１５を各々が覆っている。本実施形態においては、側面部１２３は、基材第３側面１１５の略全体を覆っている。また、側面部１２３は、表面部１２１の表面第１部１２１１と裏面部１２２の裏面第１部１２２１とに繋がっている。

絶縁層１３は、絶縁性材料からなる層であり、導体層１２の一部を覆い、その余の部分を露出させている。絶縁層１３の材質等は特に限定されず、本実施形態においては、たとえばソルダーレジストである。また、図示された例においては、シート状（フィルム状）のソルダーレジストを基材１１に圧着することにより絶縁層１３が形成されている。絶縁層１３は、４つの絶縁層第１部１３１、４つの絶縁層第２部１３２、複数の絶縁層第３部１３３および一対の連結部１３５を有する。なお、図２、図５、図７および図９における二点鎖線（想像線）は、４つの絶縁層第１部１３１、４つの絶縁層第２部１３２、複数の絶縁層第３部１３３および一対の連結部１３５の境界を便宜上示している。

なお、本実施形態においては、基材１１の基材裏面１１２に裏面絶縁層１３７が設けられている。裏面絶縁層１３７は、一対の裏面第２部１２２２の間に設けられており、たとえば半導体発光装置Ａ１の極性を視認するために設けられている。裏面絶縁層１３７は、絶縁層１３と同様の手法で形成されてもよいし、異なる手法で形成されてもよい。

４つの絶縁層第１部１３１は、４つの基材第３側面１１５に対応して設けられている。絶縁層第１部１３１は、ｚ方向視において基材第３側面１１５に対して外方に位置している。図示された例においては、絶縁層第１部１３１は、ｚ方向視において四半円形状である。

４つの絶縁層第２部１３２は、４つの基材第３側面１１５に対応して設けられている。絶縁層第２部１３２は、導体層１２の表面部１２１の表面第１部１２１１に形成されており、ｚ方向視において表面第１部１２１１に重なる部位であり、表面第１部１２１１を覆っている。図示された例においては、絶縁層第２部１３２は、ｚ方向視において四半円環形状である。また、図示された例においては、絶縁層第２部１３２の厚さは、絶縁層第１部１３１の厚さよりも薄い。また、絶縁層第２部１３２の厚さは、導体層１２の表面第１部１２１１の厚さよりも厚い。

絶縁層第３部１３３は、絶縁層第２部１３２に隣接しており、基材１１の基材表面１１１に接している。言い換えると、絶縁層第３部１３３と基材１１の基材表面１１１との間には、導体層１２は介在していない。

連結部１３５は、ｙ方向に隣り合う絶縁層第３部１３３どうしを連結している。図示された例においては、連結部１３５は、ｙ方向に延びる帯状である。また、図示された例においては、連結部１３５は、基材１１の基材第１側面１１３に到達している。

絶縁層１３は、１対の絶縁層第１側面１７１および二対の絶縁層第２側面１７２を有する。１対の絶縁層第１側面１７１は、ｘ方向に互いに離間しており、ｘ方向に直角である。１対の絶縁層第１側面１７１は、基材１１の一対の基材第１側面１１３と面一である。二対の絶縁層第２側面１７２は、ｙ方向に互いに離間しており、ｙ方向に直角である。二対の絶縁層第２側面１７２は、基材１１の一対の基材第２側面１１４と面一である。

図５、図７および図９に示すように、絶縁層１３は、絶縁層第１面１４１、絶縁層第２面１４２、絶縁層第３面１４３、絶縁層第４面１４４、絶縁層第５面１４５、絶縁層第６面１４６、絶縁層第７面１４７、絶縁層第８面１４８および絶縁層第９面１４９を有する。

絶縁層第１面１４１は、絶縁層第１部１３１のうちｚ方向一方側（図中上側）に位置する面である。図示された例においては、絶縁層第１面１４１は、ｚ方向視において基材第３側面１１５から離間するほどｚ方向他方側に位置する凹曲面である。絶縁層第２面１４２は、絶縁層第２部１３２のうちｚ方向一方側（図中上側）に位置する面である。図示された例においては、絶縁層第２面１４２は、ｘｙ平面に沿う略平坦な面である。

絶縁層第３面１４３は、絶縁層第３部１３３のうちｚ方向一方側に位置する面である。図示された例においては、絶縁層第３面１４３は、ｚ方向視において絶縁層第２面１４２から離間するほどｚ方向他方側に位置するように緩やかに湾曲した曲面である。絶縁層第５面１４５は、絶縁層第３部１３３のうちｚ方向と直角である方向において絶縁層第２部１３２から離間する側を向く面であり、ｚ方向に沿っている。絶縁層第４面１４４は、絶縁層第３面１４３と絶縁層第５面１４５との間に介在しており、凸曲面によって構成されている。絶縁層第６面１４６は、絶縁層第５面１４５と基材表面１１１との間に介在しており、基材表面１１１に接している。絶縁層第５面１４５は、斜め下方に凸である凸曲面によって構成されている。絶縁層第５面１４５と基材表面１１１との境界は、ｚ方向視において絶縁層第５面１４５よりも基材第３側面１１５側に位置している。

絶縁層第７面１４７および絶縁層第８面１４８は、絶縁層第１部１３１のうちｚ方向他方側（図中下側）に位置する面である。絶縁層第７面１４７は、ｚ方向視において基材第３側面１１５から離間しており、絶縁層第１側面１７１と絶縁層第２側面１７２との境界に接している。図示された例においては、絶縁層第１側面１７１は、基材裏面１１２よりもｚ方向一方側に位置している。絶縁層第８面１４８は、絶縁層第７面１４７と基材第３側面１１５との間に介在している。図示された例においては、絶縁層第７面１４７は、絶縁層第８面１４８に対してｚ方向他方側に位置している。また、絶縁層第８面１４８は、絶縁層第７面１４７よりも曲率が小さい凸曲面である。絶縁層第８面１４８と基材第３側面１１５との境界は、絶縁層第７面１４７と絶縁層第８面１４８との境界よりもｚ方向一方側に位置している。

図９に示すように、絶縁層第９面１４９は、連結部１３５のうちｚ方向一方側（図中上側）に位置する面である。絶縁層第９面１４９は、絶縁層第３面１４３に繋がっている。絶縁層第９面１４９は、絶縁層第３面１４３と比べてｘｙ平面に沿う平坦な面である。

図２、図４～図９に示すように、基板１は、４つの絶縁層第１領域１６１、４つの絶縁層第２領域１６２、一対の絶縁層第３領域１６３および一対の絶縁層第４領域１６４を有する。

絶縁層第１領域１６１は、絶縁層１３の絶縁層第１面１４１に含まれる領域であり、本実施形態においては、絶縁層第１側面１７１、絶縁層第２側面１７２および絶縁層第１面１４１が交わる領域である。図示された例においては、絶縁層第１領域１６１は、ｚ方向視において四半円形状の絶縁層第１部１３１（絶縁層第１面１４１）の半径が交わる中心に位置している。

絶縁層第２領域１６２は、絶縁層第２面１４２に含まれる領域である。図示された例においては、絶縁層第２領域１６２は、ｚ方向視において基材第３側面１１５と重なる領域であり、ｚ方向視において四半円形状である。

絶縁層第３領域１６３は、基材表面１１１と基材第２側面１１４との境界において、ｙ方向視において半導体発光素子２と重なる領域である。図示された例においては、絶縁層第３領域１６３は、基材表面１１１と基材第２側面１１４との境界のｘ方向中央に位置している。

絶縁層第４領域１６４は、絶縁層第１側面１７１のｚ方向一方側端縁において、ｘ方向視において半導体発光素子２と重なる領域である。図示された例においては、絶縁層第４領域１６４は、絶縁層第１側面１７１のｚ方向一方側端縁のｙ方向中央に位置している。

図５、図７および図９に示すように、絶縁層第１領域１６１は、絶縁層第２領域１６２よりもｚ方向他方側に位置している。図示された例においては、絶縁層第１領域１６１は、導体層１２の表面第１部１２１１の導体層第１面１２４よりもｚ方向他方側に位置している。また、図示された例においては、絶縁層第１領域１６１は、基材１１の基材表面１１１よりもｚ方向他方側に位置している。

半導体発光素子２は、半導体発光装置Ａ１の光源であり、本実施形態においては、素子本体２１、第１電極２２および第２電極２３を有する。素子本体２１は、たとえばＩｎＧａｎ系半導体等からなる半導体層を有する。第１電極２２は、たとえばカソード電極であり、第２電極２３は、たとえばアノード電極である。

本実施形態においては、半導体発光素子２は、導体層１２の表面部１２１の表面第２部１２１２にたとえば接合材２５によって接合されている。接合材２５は、たとえばＡｇペーストやはんだである。

第１電極２２は、ワイヤ２８によって一方の表面第３部１２１３に接続されている。ワイヤ２８は、たとえばＡｕからなり、ファーストボンディング部２８１およびセカンドボンディング部２８２を有する。ファーストボンディング部２８１は、ワイヤ２８のうち表面第３部１２１３に接合された部位である。セカンドボンディング部２８２は、ワイヤ２８のうち第１電極２２に接合された部位である。

第２電極２３は、ワイヤ２９によって他方の表面第３部１２１３に接続されている。ワイヤ２９は、たとえばＡｕからなり、ファーストボンディング部２９１およびセカンドボンディング部２９２を有する。ファーストボンディング部２９１は、ワイヤ２９のうち表面第３部１２１３に接合された部位である。セカンドボンディング部２９２は、ワイヤ２９のうち第２電極２３に接合された部位である。

樹脂部３は、半導体発光素子２を覆っており、半導体発光素子２からの光を透過させる材質からなる。本実施形態においては、樹脂部３は、基板１の基材表面１１１側（ｚ方向一方側）に形成されており、基材表面１１１、導体層１２の表面部１２１および絶縁層１３を覆っている。

樹脂部３の材質は、特に限定されず、半導体発光素子２からの光を透過させる材質であればよく、たとえば透明なエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等が適宜選択される。また、本実施形態においては、樹脂部３は、蛍光材料を含む。この蛍光材料は、半導体発光素子２からの光によって励起されることにより、半導体発光素子２からの光とは異なる波長の光を発する。たとえば、半導体発光素子２が青色光を発する場合、蛍光材料は、黄色光を発する。これにより、半導体発光装置Ａ１は、たとえば白色光を発する。

図１、図４～図９に示すように、本実施形態においては、樹脂部３は、樹脂表面３１、一対の樹脂第１側面３２および一対の樹脂第２側面３３を有する。

樹脂表面３１は、ｚ方向一方側を向く面である。一対の樹脂第１側面３２は、互いにｘ方向に離間しており、本実施形態においては、ｘ方向に直角である面である。図示された例においては、樹脂第１側面３２は、基材１１の基材第１側面１１３および絶縁層１３の絶縁層第１側面１７１と面一である。一対の樹脂第２側面３３は、互いにｙ方向に離間しており、本実施形態においては、ｙ方向に直角である面である。図示された例においては、樹脂第２側面３３は、基材１１の基材第２側面１１４および絶縁層１３の絶縁層第２側面１７２と面一である。

樹脂部３は、４つの樹脂第１領域３６１、４つの樹脂第２領域３６２、樹脂第３領域３６３、一対の樹脂第４領域３６４および一対の樹脂第５領域３６５を有する。

樹脂第１領域３６１は、樹脂表面３１のうちｚ方向視において絶縁層第１領域１６１と重なる領域である。樹脂第２領域３６２は、樹脂表面３１のうちｚ方向視において絶縁層第２領域１６２と重なる領域である。絶縁層第１領域１６１の個数が４であることに対応して、樹脂第１領域３６１の個数は４である。また、絶縁層第２領域１６２の個数が４であることに対応して、樹脂第２領域３６２の個数は４である。

樹脂第３領域３６３は、樹脂表面３１のうちｚ方向視において半導体発光素子２と重なる領域である。図示された例においては、樹脂第３領域３６３は、樹脂表面３１の中央に位置している。

一対の樹脂第４領域３６４は、樹脂表面３１のうちｚ方向視において一対の絶縁層第３領域１６３と重なる領域である。図示された例においては、樹脂第４領域３６４は、樹脂表面３１と樹脂第２側面３３との境界にあり、ｘ方向略中央に位置している。一対の樹脂第５領域３６５は、樹脂表面３１のうちｚ方向視において一対の絶縁層第４領域１６４と重なる領域である。図示された例においては、樹脂第５領域３６５は、樹脂表面３１と樹脂第１側面３２との境界にあり、ｙ方向略中央に位置している。

図４～図９に示すように、絶縁層第１領域１６１と樹脂第１領域３６１とのｚ方向における距離である第１距離Ｄ１は、絶縁層第２領域１６２と樹脂第２領域３６２とのｚ方向における距離である第２距離Ｄ２よりも大きい。絶縁層第３領域１６３と樹脂第４領域３６４との距離である第３距離Ｄ３は、第１距離Ｄ１よりも小さく、第２距離Ｄ２よりも大きい。絶縁層第４領域１６４と樹脂第５領域３６５との距離である第４距離Ｄ４は、第１距離Ｄ１よりも小さく、第２距離Ｄ２よりも大きい。

図４～図９に示すように、本実施形態においては、樹脂第１領域３６１は樹脂第２領域３６２よりもｚ方向一方側（ｚ方向上側）に位置している。また、樹脂第１領域３６１および樹脂第２領域３６２は、樹脂第３領域３６３よりもｚ方向一方側（ｚ方向上側）に位置している。これにより、図４に表れる樹脂表面３１の断面形状（線形状）は、ｚ方向他方側（ｚ方向下側）に緩やかに凹む曲線である。

また、樹脂第１領域３６１および樹脂第２領域３６２は、樹脂第４領域３６４よりもｚ方向一方側（ｚ方向上側）に位置している。これにより、図６に示すように、樹脂第２側面３３の上端縁は、ｚ方向他方側（ｚ方向下側）に緩やかに凹む曲線である。

また、樹脂第１領域３６１および樹脂第２領域３６２は、樹脂第５領域３６５よりもｚ方向一方側（ｚ方向上側）に位置している。これにより、図８に示すように、樹脂第１側面３２の上端縁は、ｚ方向他方側（ｚ方向下側）に緩やかに凹む曲線である。

このように、本実施形態の樹脂表面３１は、４つの樹脂第１領域３６１がｚ方向一方側に最も位置しており、樹脂第３領域３６３、一対の樹脂第４領域３６４および一対の樹脂第５領域３６５が４つの樹脂第１領域３６１に対してｚ方向他方側に位置する曲面である。また、４つの樹脂第２領域３６２は、ｚ方向において、４つの樹脂第１領域３６１と樹脂第３領域３６３、一対の樹脂第４領域３６４および一対の樹脂第５領域３６５との間に位置している。

次に、半導体発光装置Ａ１の製造方法の一例について、図１１～図１９を参照しつつ以下に説明する。

まず、図１１および図１２に示す基板材料１１０を用意する。基板材料１１０は、複数の基材１１となるものであり、複数の基材１１がｘ方向およびｙ方向にマトリクス状に配置されたものと略同等である。基板材料１１０には、複数の貫通孔１１５０が形成されている。貫通孔１１５０は、基板材料１１０が切断されることにより、基材第３側面１１５となる部位である。

基板材料１１０には、導体層１２０および絶縁層１３０が形成されている。導体層１２０は、上述した導体層１２の各部となるべき部位を有している。絶縁層１３０は、上述した絶縁層１３の各部となるべき部位を有している。導体層１２０は、たとえばメッキによって形成される。絶縁層１３０は、たとえばシート状（フィルム状）のソルダーレジストを基板材料１１０に圧着することにより形成されている。

図１２に示すように、絶縁層１３０の絶縁層第１部１３１は、貫通孔１１５０を塞いでいる。上述の圧着により、絶縁層第２部１３２は、絶縁層第１部１３１よりも薄い部位となっている。絶縁層第１部１３１は、厚さが概ね一定であり、ｘｙ平面に沿った平板形状である。

次に、図１３および図１４に示すように、複数の半導体発光素子２をボンディングする。このボンディングは、半導体発光素子２の素子本体２１を導体層１２０の表面第２部１２１２に接合材２５によって接合することにより行う。また、素子本体２１の第１電極２２よび第２電極２３と一対の表面第３部１２１３とをワイヤ２８およびワイヤ２９によって接続する。

次いで、図１４に示すように、金型７１をセットする。金型７１は、基板材料１１０の基材表面１１１との間に樹脂成形のためのキャビティを構成するためのものである。

次いで、図１５に示すように、金型７１のキャビティに樹脂材料を充填する。この際、比較的高温である樹脂材料によって絶縁層１３０が熱せられ軟化する。そして樹脂材料の充填圧が軟化した絶縁層１３０に作用する。これにより、絶縁層１３０の絶縁層第１部１３１がｚ方向他方側（ｚ方向下側）に膨出するように変形される。これにより、絶縁層第１部１３１と金型７１とが離間する。同図においては、絶縁層第１部１３１のうち金型７１と最も離間した部位と金型７１とのｚ方向における距離である距離Ｄ０は、上述した第２距離Ｄ２よりも大である。また、図示された例においては、絶縁層第１部１３１は、上面の一部が基材表面１１１よりもｚ方向他方側に位置する程度に変形している。樹脂材料が硬化することにより、樹脂材料３０が形成される。

樹脂材料の充填が終了すると、図１６および図１７に示すように、金型７１を取り除く。図１７は、金型７１を取り除いた直後の状態に相当する。この状態では、樹脂材料３０および絶縁層１３０は、常温等の環境温度に対して相対的に高い温度である。樹脂材料３０の樹脂表面３１は、金型７１の形状を引き継いでおり、ｘｙ平面に広がる平坦な面である。

この状態から、樹脂材料３０および絶縁層１３０が冷却されるにつれて、絶縁層１３０の硬度が復帰し始める。この再硬化により、ｚ方向他方側に膨出する形状に変形していた絶縁層第１部１３１が、ｘｙ平面に沿う平坦な形状に復帰する挙動を示す。これにより、樹脂材料３０のうちｚ方向視において絶縁層第１部１３１に重なる部位およびその周辺部位が、ｚ方向一方側（上側）に押し上げられる。この結果、樹脂材料３０の樹脂表面３１は、ｚ方向視において絶縁層第１部１３１（基材第３側面１１５１）と重なる部位が周辺部位よりもｚ方向一方側に膨らんだ、曲面形状となる。

この後は、たとえば、図中の切断線Ｃｘおよび切断線Ｃｙに沿って、基板材料１１０、導体層１２０、絶縁層１３０および樹脂材料３０を切断する。これにより、複数の半導体発光装置Ａ１が得られる。

次に、半導体発光装置Ａ１の作用について説明する。

本実施形態によれば、図４～図９に示すように、第１距離Ｄ１が第２距離Ｄ２よりも大きい構成となっている。この種の半導体発光装置の発光試験の結果、第１距離Ｄ１を有する部分が半導体発光素子２に対して第２距離Ｄ２よりも遠い位置にあると、半導体発光装置Ａ１のｚ方向視における中央部分と端部分とにおける光Ｌの色合いが、より均一化されるという現象を見出した。したがって、半導体発光装置Ａ１によれば、色合いのばらつきを抑制することができる。

樹脂部３には、蛍光材料が含まれており、半導体発光素子２からの光を拡散させつつ透過させる。樹脂部３のうち第１距離Ｄ１である部分は、半導体発光素子２に対してｚ方向視において端側に配置されている。半導体発光素子２からこの部分に進行してきた光は、ｚ方向に対して大きく傾くか、ｚ方向に対して直角に近い角度で進行してくる。樹脂部３の端側に第１距離Ｄ１である部分が設けられていることにより、このような光を拡散させ、ｚ方向一方側へと向かわせる効果が期待できる。これは、半導体発光装置Ａ１の高輝度化に好ましい。

本実施形態においては、樹脂第１領域３６１は、樹脂第３領域３６３よりもｚ方向一方側に位置している。これにより、樹脂表面３１は、基材第３側面１１５が設けられた部分に対して半導体発光素子２が位置する中央寄り部分が凹んだ形状となる。これにより、図４および図５に示すように、樹脂部３から出射する光Ｌを樹脂表面３１によって屈折させ、ｚ方向一方側への指向性を高めることができる。

図２０は、半導体発光装置Ａ１の使用例を示している。本例においては、回路基板等への半導体発光装置Ａ１の搭載に備えて、収容体８を用いて複数の半導体発光装置Ａ１が搬送や保管される。収容体８は、ケース８１およびシート８２を有する。ケース８１は、複数の凹部８１１を有している。凹部８１１は、半導体発光装置Ａ１を収容可能な大きさおよび形状とされている。シート８２は、ケース８１に剥離可能に取り付けられており、複数の凹部８１１を塞いでいる。

収容体８によって複数の半導体発光装置Ａ１を運送や保管する場合、図中において最も左側に例示された半導体発光装置Ａ１のように、凹部８１１の底部に接した状態をとったり、図中中央に例示された半導体発光装置Ａ１のように、シート８２に近接した状態をとったりする。仮に、樹脂部３の樹脂表面３１が平坦な形状であると、シート８２に近接した際に、シート８２に樹脂表面３１が密着する可能性がある。半導体発光装置Ａ１を取り出す際には、図中において最も右側に例示された半導体発光装置Ａ１のように、シート８２が剥離され、凹部８１１が開封される。この際、半導体発光装置Ａ１がシート８２に張り付いていると、半導体発光装置Ａ１の取り出しを適切に行うことが困難となる。特に、半導体発光装置Ａ１を装置等によって自動的に取り出す場合、動作エラーの原因となる。

本実施形態によれば、樹脂部３の樹脂表面３１は、樹脂第３領域３６３に対して樹脂第１領域３６１が上方に位置する形状である。また、図６および図８に示すように、樹脂第１領域３６１に対して樹脂第４領域３６４および樹脂第５領域３６５が下方に位置する形状である。このため、樹脂第３領域３６３、一対の樹脂第４領域３６４および一対の樹脂第５領域３６５とシート８２との間に空間が形成される。この空間は密閉構造とはならないため、樹脂表面３１がシート８２に密着することを回避することが可能である。したがって、半導体発光装置Ａ１の取り出しを適切に行うことができる。

本実施形態においては、ｚ方向視における四隅に基材第３側面１１５が設けられており、対応する四隅に樹脂第１領域３６１が設けられている。このような構成は、色合いのばらつき抑制や適切な取り出しに好ましい。

樹脂部３の一対の樹脂第１側面３２および一対の樹脂第２側面３３は、基材１１の一対の基材第１側面１１３および一対の基材第２側面１１４と面一である。すなわち、樹脂部３は、ｚ方向視において基材１１のすべてと重なる構成である。これにより、樹脂部３の体積を増大させることが可能であり、基材１１の大きさに対してより大きなサイズの半導体発光素子２を設けることができる。本実施形態においては、半導体発光素子２には、ワイヤ２８およびワイヤ２９が接続されている。ｘ方向において互いに反対側に延出するワイヤ２８およびワイヤ２９を樹脂部３によって適切に覆いつつ、半導体発光装置Ａ１の小型化を図ることができる。

図５に示すように、絶縁層第１領域１６１が基材表面１１１よりもｚ方向他方側に位置することにより、第１距離Ｄ１をより大きく確保しつつ、半導体発光装置Ａ１のｚ方向寸法が過大になることを抑制することができる。

絶縁層第１部１３１は、基材１１によって支持されていない部分である。絶縁層第１部１３１の厚さは、絶縁層第２部１３２の厚さよりも厚い。このため、基材１１によって支持されていなくても、半導体発光装置Ａ１の製造過程等において絶縁層第１部１３１が誤って破損することを防止することができる。また、絶縁層第２部１３２の厚さが薄いことにより、半導体発光装置Ａ１のｚ方向寸法を縮小しつつ、半導体発光素子２から絶縁層第２領域１６２および樹脂第２領域３６２を超えて絶縁層第１領域１６１および樹脂第１領域３６１へと光Ｌを向かわせることができる。

絶縁層１３は、絶縁層第３部１３３を有している。絶縁層第３部１３３は、基材１１の基材表面１１１に直接接合されている。一般的に、樹脂等からなる絶縁層１３は、金属からなる導体層１２よりも樹脂等の絶縁性材料からなる基材１１との接合強度が高い。このため、絶縁層第３部１３３によって、絶縁層１３が基材１１から剥離することを抑制することができる。

絶縁層第６面１４６は、基材１１の基材表面１１１に向かうほど内方に回り込むような形状の曲面である。このため、絶縁層第６面１４６と基材表面１１１との間には、樹脂部３の一部が入り込む。これにより、樹脂部３が基材１１の基材表面１１１から離間する挙動を抑制することができる。特に、絶縁層第３部１３３は、基材１１への接合強度が高い部位であるため、樹脂部３の離間を抑制するのに適している。

絶縁層第８面１４８は、基材第３側面１１５に向かうほどｚ方向一方側に位置する曲面である。これにより、基材第３側面１１５のより大きい領域を絶縁層１３から露出させることができる。これにより、半導体発光装置Ａ１を回路基板等に実装する際に、はんだを裏面第１部１２２１に加えて基材第３側面１１５のより大きい領域に付着させることが可能であり、実装強度を高めることができる。

表面第１部１２１１の厚さは、絶縁層第２部１３２の厚さよりも薄い。これにより、半導体発光装置Ａ１のｚ方向寸法を縮小することができる。また、絶縁層第２部１３２があまりに薄いと、意図せず表面第１部１２１１を露出させるおそれがある。本実施形態によればこのような事態を回避することができる。

図１１～図１９に示した製造方法によれば、平坦な形状を有する金型７１を用いて、樹脂第１領域３６１、樹脂第２領域３６２、樹脂第３領域３６３、樹脂第４領域３６４および樹脂第５領域３６５を有する曲面の樹脂表面３１を形成することが可能である。このため、樹脂表面３１に対応した曲面形状の金型７１を用意する必要がない。また、樹脂表面３１を曲面に形成するための機械加工等を行う必要がない。これは、半導体発光装置Ａ１の製造効率を高めるのに適している。なお、本実施形態とはことなり、機械加工等によって樹脂表面３１を曲面に仕上げてもよい。また、図１７に示す状態で硬化した場合、樹脂表面３１は、本実施形態とは異なり平坦な形状となる。このような構成であっても、第１距離Ｄ１が第２距離Ｄ２よりも大きいことにより、色合いのばらつきを抑制する効果が期待できる。

図２１～図２８は、本開示の変形例および他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

＜第１実施形態第１変形例＞
図２１は、半導体発光装置Ａ１の第１変形例を示している。本変形例の半導体発光装置Ａ１１は、絶縁層第１領域１６１のｚ方向における相対位置が、上述した例と異なっている。

本変形例においては、絶縁層第１領域１６１は、基材１１の基材表面１１１よりもｚ方向一方側に位置しており、ｚ方向において基材表面１１１と表面第１部１２１１の導体層第１面１２４との間に位置している。また、これに対応して、本例の樹脂第１領域３６１は、上述した例よりも基材表面１１１からｚ方向一方側にさらに離間している。

本変形例によれば、上述した例における効果に加えて、樹脂第１領域３６１を樹脂第３領域３６３に対してよりｚ方向一方側に位置させつつ、半導体発光装置Ａ１のｚ方向寸法が大きくなり過ぎることを抑制することができる。

＜第１実施形態第２変形例＞
図２２は、半導体発光装置Ａ１の第２変形例を示している。本変形例の半導体発光装置Ａ１２は、絶縁層第１領域１６１のｚ方向における相対位置が、上述した例と異なっている。

本変形例においては、絶縁層第１領域１６１は、表面第１部１２１１の導体層第１面１２４よりもｚ方向一方側に位置している。また、絶縁層第１領域１６１は、ｚ方向において導体層第１面１２４と絶縁層第２領域１６２との間に位置している。また、これに対応して、本例の樹脂第１領域３６１は、上述した例よりも基材表面１１１からｚ方向一方側にさらに離間している。

本変形例によれば、上述した例における効果に加えて、樹脂第１領域３６１を樹脂第３領域３６３に対してよりｚ方向一方側へと位置させることが可能であり、光Ｌの指向性を高めるのに好ましい。

＜第１実施形態第３変形例＞
図２３は、半導体発光装置Ａ１の第３変形例を示している。本変形例の半導体発光装置Ａ１３は、絶縁層第１領域１６１のｚ方向における相対位置が、上述した例と異なっている。

本変形例においては、絶縁層第１領域１６１は、絶縁層第２領域１６２よりもｚ方向一方側に位置している。また、これに対応して、本例の樹脂第１領域３６１は、上述した例よりも基材表面１１１からｚ方向一方側にさらに離間している。

本変形例によれば、上述した例における効果に加えて、樹脂第１領域３６１を樹脂第３領域３６３に対してさらにｚ方向一方側へと位置させることが可能であり、光Ｌの指向性を高めるのに好適である。

＜第１実施形態第４変形例＞
図２４は、半導体発光装置Ａ１の第４変形例を示している。本変形例の半導体発光装置Ａ１４は、絶縁層１３の構成が、上述した例と異なっている。

本変形例においては、絶縁層１３に上述した例の連結部１３５が設けられていない。このため、ｙ方向両側に位置する２つの絶縁層第３部１３３は、連結されておらず、互いに離れている。

本変形例によっても、上述した例における効果と同様の効果を奏することができる。

＜第２実施形態＞
図２５および図２６は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ２は、主に、基材第３側面１１５の個数、位置および形状が、上述した実施形態と異なっている。図２５においては、理解の便宜上、樹脂部３を省略している。

本実施形態においては、基材第３側面１１５の個数は、２である。すなわち、一対の基材第３側面１１５が、ｘ方向に互いに離間して設けられている。基材第３側面１１５は、基材１１のｙ方向略中央に形成されている。基材第３側面１１５のｚ方向視形状は、略半円形状である。

基材第３側面１１５の位置および形状に対応して、絶縁層１３の絶縁層第１部１３１および絶縁層第２部１３２は、基材１１のｙ方向略中央に位置している。また、絶縁層第１部１３１のｚ方向視形状は、略半円形状であり、絶縁層第２部１３２のｚ方向視形状は、略半円環形状である。

一対の絶縁層第１領域１６１は、基板１のｘ方向両端にあり、ｙ方向略中央に位置している。絶縁層第２領域１６２は、ｚ方向視において半円形状である。

半導体発光素子２は、第１電極２２と第２電極２３とが、素子本体２１のｚ方向上下面に分かれて設けられている。第１電極２２は、導電性の接合材２５によって表面部１２１に接合されている。第２電極２３には、ワイヤ２９が接続されている。

本実施形態における第１距離Ｄ１、第２距離Ｄ２、第３距離Ｄ３および第４距離Ｄ４の大小関係は、半導体発光装置Ａ１と同様である。また、一対の樹脂第１領域３６１、一対の樹脂第２領域３６２および樹脂第３領域３６３のｚ方向における相対位置は、半導体発光装置Ａ１と同様である。

本実施形態によっても、色合いのばらつきを抑制することができる。また、本実施形態から理解されるように、基材１１における基材第３側面１１５の位置や個数は特に限定されない。

＜第３実施形態＞
図２７および図２８は、本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ３は、ｚ方向視において樹脂部３が基材第３側面１１５と重ならない構成とされている。図２７においては、理解の便宜上、樹脂部３を想像線で示している。

本実施形態の基材１１は、半導体発光装置Ａ１の基材１１と略同じ構成である。樹脂部３の一対の樹脂第１側面３２は、基材１１の一対の基材第１側面１１３および４つの基材第３側面１１５に対してｘ方向内方に位置している。一対の樹脂第１側面３２は、ｚ方向一方側に向かうほど互いの距離が小さくなるようにｚ方向に対して傾いている。一対の樹脂第２側面３３は、基材１１の一対の基材第２側面１１４と面一である。

半導体発光素子２は、たとえば半導体発光装置Ａ２と同様の構成である。表面第２部１２１２と１つの表面第１部１２１１とが、連結部１２１５によって連結されている。連結部１２１４は、隣り合う表面第１部１２１１どうしを連結している。表面第３部１２１３は、連結部１２１５によって１つの表面第１部１２１１に連結されている。

本実施形態においては、基板１は、一対の絶縁層第７領域１６７および絶縁層第８領域１６８を有する。一対の絶縁層第７領域１６７は、基材表面１１１のうち樹脂部３の一対の樹脂第１側面３２が接する領域であり、ｙ方向に長く延びる線状の領域である。絶縁層第８領域１６８は、ｘ方向において一対の絶縁層第７領域１６７の間に位置しており、ｙ方向に長く延びる線状の領域である。図示された例においては、絶縁層第８領域１６８は、Ａ３のｘ方向略中央に位置している。

樹脂部３は、一対の樹脂第７領域３６７および樹脂第８領域３６８を有する。一対の樹脂第７領域３６７は、樹脂表面３１と一対の樹脂第１側面３２との境界を含む領域であり、ｙ方向に長く延びる線状の領域である。樹脂第８領域３６８は、ｚ方向視において絶縁層第８領域１６８と重なる領域であり、ｙ方向に長く延びる線状の領域である。本実施形態においては、絶縁層第７領域１６７と樹脂第７領域３６７とのｚ方向における距離である第７距離Ｄ７は、絶縁層第８領域１６８と樹脂第８領域３６８とのｚ方向における距離である第８距離Ｄ８よりも大きい。また、一対の樹脂第７領域３６７は、樹脂第８領域３６８よりもｚ方向一方側に位置している。樹脂部３のｙ方向に直角である断面形状は一定である。すなわち、樹脂表面３１は、ｙ方向に延びる比較的浅い溝曲面である。

本実施形態によれば、樹脂表面３１が溝曲面形状であることにより、図２０を参照して説明した使用例において、半導体発光装置Ａ３がシート８２に密着してしまうことを回避可能であり、半導体発光装置Ａ３適切に取り出すことができる。

本開示に係る半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

〔付記Ａ１〕
厚さ方向一方側を向く基材表面および前記厚さ方向他方側を向く基材裏面を有する絶縁性の基材、前記基材に形成された導体層、および前記導体層の一部を覆う絶縁層を有する基板と、
前記基板の前記基材表面側に搭載された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を覆い且つ前記半導体発光素子からの光を透過させる樹脂部と、を備え、
前記基板の前記基材は、各々が前記基材表面および前記基材裏面を繋ぎ、且つ第１方向に離間した一対の基材第１側面と、各々が前記基材表面および前記基材裏面を繋ぎ、且つ前記厚さ方向視において前記基材第１側面よりも前記半導体発光素子側に凹む一対の基材第３側面と、を有し、
前記導体層は、前記基材表面に形成された表面部および前記基材第３側面に形成された側面部を有し、
前記表面部は、前記基材第３側面に対して前記半導体発光素子側に隣接し且つ前記側面部に繋がる表面第１部を有し、
前記絶縁層は、前記厚さ方向視において前記基材第３側面に対して前記半導体発光素子とは反対側に位置する絶縁層第１部と、前記厚さ方向視において前記導体層の前記表面第１部に重なる絶縁層第２部とを有し、
前記樹脂部は、前記絶縁層の前記絶縁層第１部および前記絶縁層第２部を覆っており、
前記絶縁層第１部のうち前記樹脂部と接する絶縁層第１面に含まれる絶縁層第１領域と、前記樹脂部の樹脂表面のうち前記厚さ方向視において前記絶縁層第１領域に重なる樹脂第１領域と、の距離である第１距離は、前記絶縁層第２部のうち前記樹脂部と接する絶縁層第２面に含まれる絶縁層第２領域と、前記樹脂部の前記樹脂表面のうち前記厚さ方向視において前記絶縁層第２領域に重なる樹脂第２領域と、の距離である第２距離よりも大きい、半導体発光装置。
〔付記Ａ２〕
前記樹脂部の前記樹脂表面は、前記厚さ方向視において前記半導体発光素子と重なる樹脂第３領域を有しており、
前記樹脂第１領域は、前記厚さ方向において前記樹脂第３領域よりも前記厚さ方向一方側に位置している、付記Ａ１に記載の半導体発光装置。
〔付記Ａ３〕
前記樹脂第１領域は、前記厚さ方向において前記樹脂第２領域よりも前記厚さ方向一方側に位置している、付記Ａ２に記載の半導体発光装置。
〔付記Ａ４〕
前記基板の前記基材は、各々が前記基材表面および前記基材裏面を繋ぎ、且つ第１方向および前記厚さ方向に直角である第２方向に離間した一対の基材第２側面と、４つの前記基材第３側面を有し、
前記基材第３側面は、前記基材第１側面と前記基材第２側面との間に介在している、付記Ａ１ないしＡ３のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記Ａ５〕
前記樹脂部は、前記一対の基材第１側面と面一である一対の樹脂第１側面と、前記一対の基材第２側面と面一である一対の樹脂第２側面と、を有する、付記Ａ４に記載の半導体発光装置。
〔付記Ａ６〕
前記絶縁層は、前記基材第１側面と面一である絶縁層第１側面と、前記基材第２側面と面一である絶縁層第２側面と、を有する、付記Ａ５に記載の半導体発光装置。
〔付記Ａ７〕
前記絶縁層第１領域は、前記絶縁層第１側面、前記絶縁層第２側面および前記絶縁層第１面が交わる領域であり、
前記絶縁層第２領域は、前記厚さ方向視において前記基材第３側面と重なる、付記Ａ６に記載の半導体発光装置。
〔付記Ａ８〕
前記樹脂部の前記樹脂表面は、前記樹脂第２側面との境界であって前記第１方向において前記半導体発光素子と重なる樹脂第４領域を有しており、
前記樹脂第１領域は、前記厚さ方向において前記樹脂第４領域よりも前記厚さ方向一方側に位置している、付記Ａ７に記載の半導体発光装置。
〔付記Ａ９〕
前記樹脂部の前記樹脂表面は、前記樹脂第１側面との境界であって前記第２方向において前記半導体発光素子と重なる樹脂第５領域を有しており、
前記樹脂第１領域は、前記厚さ方向において前記樹脂第５領域よりも前記厚さ方向一方側に位置している、付記Ａ７またはＡ８に記載の半導体発光装置。
〔付記Ａ１０〕
前記絶縁層第１領域は、前記絶縁層第２領域よりも前記厚さ方向他方側に位置する、付記Ａ７ないしＡ９のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記Ａ１１〕
前記絶縁層第１領域は、前記基材表面よりも前記厚さ方向他方側に位置する、付記Ａ１０に記載の半導体発光装置。
〔付記Ａ１２〕
前記絶縁層第１領域は、前記厚さ方向において前記基材表面と前記表面第１部の導体層第１面との間に位置する、付記Ａ１０に記載の半導体発光装置。
〔付記Ａ１３〕
前記絶縁層第１領域は、前記基材表面と前記表面第１部の導体層第１面よりも前記厚さ方向一方側に位置する、付記Ａ１０に記載の半導体発光装置。
〔付記Ａ１４〕
前記絶縁層第１領域は、前記絶縁層第２領域よりも前記厚さ方向一方側に位置する、付記Ａ７ないしＡ９のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記Ａ１５〕
前記絶縁層は、前記絶縁層第２部に隣接し、且つ前記基材表面に接する絶縁層第３部を有する、付記Ａ１ないしＡ１４のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記Ａ１６〕
前記絶縁層第３部の厚さは、前記絶縁層第２部の厚さよりも厚い、付記Ａ１５に記載の半導体発光装置。
〔付記Ａ１７〕
前記絶縁層第２部の厚さは、前記導体層の前記表面部の前記表面第１部の厚さよりも厚い、付記Ａ１６に記載の半導体発光装置。

＜第４実施形態＞
図２９～図３８は、本開示の第４実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ４は、基板１、半導体発光素子２および樹脂部３を備えている。これらの図において、ｘ方向は、第１方向に相当し、ｙ方向は、第２方向に相当し、ｚ方向は、厚さ方向に相当する。ｘ方向、ｙ方向およびｚ方向は、互いに直角である。半導体発光装置Ａ４の形状や大きさは特に限定されず、本実施形態においては、ｘ方向寸法が０．７～２．５ｍｍ程度、ｙ方向寸法が０．４～１．０ｍｍ程度、ｚ方向寸法が０．１５～０．３ｍｍ程度とされ、ｚ方向視矩形状である。

図２９は、半導体発光装置Ａ４を示す平面図である。図３０は、半導体発光装置Ａ４を示す要部平面図である。図３１は、半導体発光装置Ａ４を示す底面図である。図３２は、図２９のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図３３は、半導体発光装置Ａ４を示す要部拡大断面図である。図３４は、半導体発光装置Ａ４を示す正面図である。図３５は、半導体発光装置Ａ４を示す要部拡大正面図である。図３６は、半導体発光装置Ａ４を示す側面図である。図３７は、半導体発光装置Ａ４を示す要部拡大側面図である。図３８は、半導体発光装置Ａ４の基板１を示す要部平面図である。図２９のＩＶ－ＩＶ線から理解されるように、図３２の図中横方向は、概ねｘ方向に沿うものの、ｘ方向と厳密に一致しない部分を含む。これは、図３３も同様である。

基材第３側面１１５は、基材表面１１１および基材裏面１１２を繋いでおり、ｚ方向視において基材第１側面１１３よりも内方に凹む面である。本実施形態においては、基材第３側面１１５は、基材第１側面１１３に対してｘ方向内方に凹んでいる。また、本実施形態においては、基材第３側面１１５は、隣り合う基材第１側面１１３と基材第２側面１１４との間に介在している。また、基材第３側面１１５は、ｚ方向視において基材第２側面１１４よりも内方に凹む面であり、本実施形態においては、基材第２側面１１４に対してｙ方向内方に凹んでいる。本実施形態においては、複数の基材第３側面１１５の個数は、４である。４つの基材第３側面１１５は、一対の基材第３側面１１５を含むものである。基材第３側面１１５は、ｚ方向視において略四半円形状である。

表面部１２１は、基材１１の基材表面１１１に形成された部位である。本実施形態においては、表面部１２１は、４つの表面第１部１２１１、表面第２部１２１２、一対の表面第３部１２１３、複数の連結部１２１４および連結部１２１５を有する。なお、図３８における二点鎖線（想像線）は、４つの表面第１部１２１１、表面第２部１２１２、一対の表面第３部１２１３、複数の連結部１２１４および連結部１２１５の境界を便宜上示している。

裏面部１２２は、基材１１の基材裏面１１２に形成された部位である。本実施形態においては、裏面部１２２は、４つの裏面第１部１２２１および一対の裏面第２部１２２２を有する。なお、図３１における二点鎖線（想像線）は、４つの裏面第１部１２２１および一対の裏面第２部１２２２の境界を便宜上示している。

一対の裏面第２部１２２２は、ｘ方向に互いに離間して設けられている。裏面第２部１２２２は、ｙ方向に隣り合う裏面第１部１２２１に繋がっている。一対の裏面第２部１２２２は、たとえば半導体発光装置Ａ４を回路基板（図示略）等に実装する際に、電極として用いられる。

絶縁層１３は、絶縁性材料からなる層であり、導体層１２の一部を覆い、その余の部分を露出させている。絶縁層１３の材質等は特に限定されない。本実施形態においては、絶縁層１３は、第１絶縁層１３Ａおよび第２絶縁層１３Ｂを有する。なお、絶縁層１３は、第１絶縁層１３Ａおよび第２絶縁層１３Ｂ以外の他の層をさらに備えることにより、３層以上によって構成されていてもよい。

第１絶縁層１３Ａは、基材１１の基材表面１１１に接している。第１絶縁層１３Ａの形成例としては、たとえば、シート状（フィルム状）のソルダーレジストを基材１１に圧着することが挙げられる。

第２絶縁層１３Ｂは、第１絶縁層１３Ａに対してｚ方向一方側に積層されている。図示された例においては、第２絶縁層１３Ｂは、第１絶縁層１３Ａに接している。第１絶縁層１３Ａと第２絶縁層１３Ｂとの間に、さらに他の層が介在する構成であってもよい。第２絶縁層１３Ｂは、たとえばソルダーレジストの樹脂材料を第１絶縁層１３Ａに塗布し、これを硬化させることにより形成されている。

図示された例においては、図３３に示すように、第１絶縁層１３Ａの厚さｔａは、第２絶縁層１３Ｂの厚さｔｂよりも厚い。

第１絶縁層１３Ａは、１対の絶縁層第１側面１７１および二対の絶縁層第２側面１７２を有する。１対の絶縁層第１側面１７１は、ｘ方向に互いに離間しており、ｘ方向に直角である。１対の絶縁層第１側面１７１は、基材１１の一対の基材第１側面１１３と面一である。二対の絶縁層第２側面１７２は、ｙ方向に互いに離間しており、ｙ方向に直角である。二対の絶縁層第２側面１７２は、基材１１の一対の基材第２側面１１４と面一である。

第２絶縁層１３Ｂは、二対の絶縁層第３側面１９１および二対の絶縁層第４側面１９２を有する。二対の絶縁層第３側面１９１は、ｘ方向に互いに離間しており、ｘ方向に直角である。二対の絶縁層第３側面１９１は、第１絶縁層１３Ａの一対の絶縁層第１側面１７１および基材１１の一対の基材第１側面１１３と面一である。二対の絶縁層第４側面１９２は、ｙ方向に互いに離間しており、ｙ方向に直角である。二対の絶縁層第４側面１９２は、第１絶縁層１３Ａの二対の絶縁層第２側面１７２および基材１１の一対の基材第２側面１１４と面一である。

図３０および図３３に示すように、本実施形態においては、第２絶縁層１３Ｂの端縁１９９は、ｚ方向視において基材１１の基材第３側面１１５と導体層１２の表面部１２１の表面第１部１２１１の端縁１２１９との間に位置している。すなわち、端縁１９９は、ｚ方向視において表面部１２１と重なっており、基材表面１１１のうち表面部１２１から露出した部分とは重なっていない。

本実施形態においては、絶縁層１３は、４つの絶縁層第１部１３１、４つの絶縁層第２部１３２、複数の絶縁層第３部１３３、複数の絶縁層第４部１３４および一対の連結部１３５を有する。なお、図３０、図３３、図３５および図３７における二点鎖線（想像線）は、４つの絶縁層第１部１３１、４つの絶縁層第２部１３２、複数の絶縁層第３部１３３および一対の連結部１３５の境界を便宜上示している。

なお、本実施形態においては、基材１１の基材裏面１１２に裏面絶縁層１３７が設けられている。裏面絶縁層１３７は、一対の裏面第２部１２２２の間に設けられており、たとえば半導体発光装置Ａ４の極性を視認するために設けられている。裏面絶縁層１３７は、絶縁層１３と同様の手法で形成されてもよいし、異なる手法で形成されてもよい。

４つの絶縁層第１部１３１は、４つの基材第３側面１１５に対応して設けられている。絶縁層第１部１３１は、ｚ方向視において基材第３側面１１５に対して外方に位置している。図示された例においては、絶縁層第１部１３１は、ｚ方向視において四半円形状である。本実施形態においては、絶縁層第１部１３１は、第１絶縁層１３Ａおよび第２絶縁層１３Ｂの一部ずつによって構成されている。

４つの絶縁層第２部１３２は、４つの基材第３側面１１５に対応して設けられている。絶縁層第２部１３２は、導体層１２の表面部１２１の表面第１部１２１１に形成されており、ｚ方向視において表面第１部１２１１に重なる部位である。また、本実施形態においては、絶縁層第２部１３２は、第１絶縁層１３Ａおよび第２絶縁層１３Ｂの一部ずつによって構成されている。図示された例においては、絶縁層第２部１３２は、ｚ方向視において四半円環形状である。絶縁層第１部１３１の厚さである第１厚さｔ１は、絶縁層第２部１３２の厚さである第２厚さｔ２よりも厚い。また、絶縁層第２部１３２の第２厚さｔ２は、導体層１２の表面第１部１２１１の厚さよりも厚い。

絶縁層第３部１３３は、表面第１部１２１１に隣接しており、基材１１の基材表面１１１に接している。言い換えると、絶縁層第３部１３３と基材１１の基材表面１１１との間には、導体層１２は介在していない。本実施形態においては、絶縁層第３部１３３は、第１絶縁層１３Ａの一部のみによって構成されている。

絶縁層第４部１３４は、表面部１２１（表面第１部１２１１）上において絶縁層第２部１３２と絶縁層第３部１３３との間に介在する部位である。絶縁層第４部１３４は、第１絶縁層１３Ａの一部のみによって構成されている。絶縁層第４部１３４の厚さである第４厚さｔ４は、絶縁層第２部１３２の第２厚さｔ２よりも薄い。また、絶縁層第４部１３４の第４厚さｔ４は、絶縁層第３部１３３の厚さである第３厚さｔ３よりも薄い。

連結部１３５は、ｙ方向に隣り合う絶縁層第３部１３３どうしを連結している。図示された例においては、連結部１３５は、ｙ方向に延びる帯状である。また、図示された例においては、連結部１３５は、基材１１の基材第１側面１１３に到達している。図示された例においては、連結部１３５は、第１絶縁層１３Ａの一部のみによって構成されている。

図３３、図３５および図３７に示すように、絶縁層１３は、絶縁層第１面１４１、絶縁層第２面１４２、絶縁層第３面１４３、絶縁層第４面１４４、絶縁層第５面１４５、絶縁層第６面１４６、絶縁層第７面１４７、絶縁層第８面１４８および絶縁層第９面１４９を有する。

絶縁層第１面１４１は、絶縁層第１部１３１のうちｚ方向一方側（図中上側）に位置する面である。図示された例においては、絶縁層第１面１４１は、おおむねｘｙ平面に沿った平坦な面である。絶縁層第２面１４２は、絶縁層第２部１３２のうちｚ方向一方側（図中上側）に位置する面である。図示された例においては、絶縁層第２面１４２は、ｘｙ平面に沿う略平坦な面である。

絶縁層第３面１４３は、絶縁層第３部１３３および絶縁層第４部１３４のうちｚ方向一方側に位置する面である。図示された例においては、絶縁層第３面１４３は、ｚ方向視において絶縁層第２面１４２から離間するほどｚ方向他方側に位置するように緩やかに湾曲した曲面である。絶縁層第５面１４５は、絶縁層第３部１３３のうちｚ方向と直角である方向において絶縁層第２部１３２から離間する側を向く面であり、ｚ方向に沿っている。絶縁層第４面１４４は、絶縁層第３面１４３と絶縁層第５面１４５との間に介在しており、凸曲面によって構成されている。絶縁層第６面１４６は、絶縁層第５面１４５と基材表面１１１との間に介在しており、基材表面１１１に接している。絶縁層第５面１４５は、斜め下方に凸である凸曲面によって構成されている。絶縁層第５面１４５と基材表面１１１との境界は、ｚ方向視において絶縁層第５面１４５よりも基材第３側面１１５側に位置している。

絶縁層第７面１４７および絶縁層第８面１４８は、絶縁層第１部１３１のうちｚ方向他方側（図中下側）に位置する面である。絶縁層第７面１４７は、ｚ方向視において基材第３側面１１５から離間しており、絶縁層第１側面１７１と絶縁層第２側面１７２との境界に接している。図示された例においては、絶縁層第１側面１７１は、基材表面１１１よりもｚ方向他方側に位置しており、基材裏面１１２よりもｚ方向一方側に位置している。絶縁層第７面１４７は、おおむねｘｙ平面に沿った平坦な面である。絶縁層第８面１４８は、絶縁層第７面１４７と基材第３側面１１５との間に介在している。図示された例においては、絶縁層第７面１４７は、絶縁層第８面１４８に対してｚ方向他方側に位置している。また、絶縁層第８面１４８は、緩やかに湾曲した凸曲面である。絶縁層第８面１４８と基材第３側面１１５との境界は、絶縁層第７面１４７と絶縁層第８面１４８との境界よりもｚ方向一方側に位置している。

図３７に示すように、絶縁層第９面１４９は、連結部１３５のうちｚ方向一方側（図中上側）に位置する面である。絶縁層第９面１４９は、絶縁層第３面１４３に繋がっている。絶縁層第９面１４９は、絶縁層第３面１４３と比べてｘｙ平面に沿う平坦な面である。

図３３、図３５および図３７に示すように、基材表面１１１と絶縁層第１面１４１とのｚ方向における距離に相当する第５厚さｔ５は、絶縁層第２部１３２の第２厚さｔ２および絶縁層第３部１３３の第３厚さｔ３および絶縁層第４部１３４の第４厚さｔ４よりも厚い

半導体発光素子２は、半導体発光装置Ａ４の光源であり、本実施形態においては、素子本体２１、第１電極２２および第２電極２３を有する。素子本体２１は、たとえばＩｎＧａｎ系半導体等からなる半導体層を有する。第１電極２２は、たとえばカソード電極であり、第２電極２３は、たとえばアノード電極である。

樹脂部３の材質は、特に限定されず、半導体発光素子２からの光を透過させる材質であればよく、たとえば透明なエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等が適宜選択される。また、本実施形態においては、樹脂部３は、蛍光材料を含む。この蛍光材料は、半導体発光素子２からの光によって励起されることにより、半導体発光素子２からの光とは異なる波長の光を発する。たとえば、半導体発光素子２が青色光を発する場合、蛍光材料は、黄色光を発する。これにより、半導体発光装置Ａ４は、たとえば白色光を発する。

図２９、図３２～図３７に示すように、本実施形態においては、樹脂部３は、樹脂表面３１、一対の樹脂第１側面３２および一対の樹脂第２側面３３を有する。

樹脂表面３１は、ｚ方向一方側を向く面である。本実施形態においては、樹脂表面３１は、おおむねｘｙ平面に沿った平坦な面である。一対の樹脂第１側面３２は、互いにｘ方向に離間しており、本実施形態においては、ｘ方向に直角である面である。図示された例においては、樹脂第１側面３２は、基材１１の基材第１側面１１３、第１絶縁層１３Ａの絶縁層第１側面１７１および第２絶縁層１３Ｂの絶縁層第３側面１９１と面一である。一対の樹脂第２側面３３は、互いにｙ方向に離間しており、本実施形態においては、ｙ方向に直角である面である。図示された例においては、樹脂第２側面３３は、基材１１の基材第２側面１１４、第１絶縁層１３Ａの絶縁層第２側面１７２および第２絶縁層１３Ｂの絶縁層第４側面１９２と面一である。

図３２～図３７に示すように、樹脂表面３１および樹脂第１側面３２の境界における絶縁層第１面１４１と樹脂表面３１とのｚ方向における距離（樹脂部３の厚さ）である第１距離Ｄ１は、絶縁層第２面１４２と樹脂表面３１とのｚ方向における距離（樹脂部３の厚さ）である第２距離Ｄ２と略同じである。また、絶縁層第３面１４３と樹脂表面３１とのｚ方向における距離（樹脂部３の厚さ）である第３距離Ｄ３は、第１距離Ｄ１および第２距離Ｄ２よりも大きい。基材表面１１１と樹脂表面３１とのｚ方向における距離（樹脂部３の厚さ）である第４距離Ｄ４は、第１距離Ｄ１、第２距離Ｄ２および第３距離Ｄ３よりも大きい。

次に、半導体発光装置Ａ４の製造方法の一例について、図３９～図４４を参照しつつ以下に説明する。

まず、図３９および図４０に示す基板材料１１０を用意する。基板材料１１０は、複数の基材１１となるものであり、複数の基材１１がｘ方向およびｙ方向にマトリクス状に配置されたものと略同等である。基板材料１１０には、複数の貫通孔１１５０が形成されている。貫通孔１１５０は、基板材料１１０が切断されることにより、基材第３側面１１５となる部位である。

基板材料１１０には、導体層１２０および第１絶縁層１３０Ａが形成されている。導体層１２０は、上述した導体層１２の各部となるべき部位を有している。第１絶縁層１３０Ａは、上述した第１絶縁層１３Ａの各部となるべき部位を有している。導体層１２０は、たとえばメッキによって形成される。第１絶縁層１３０Ａは、たとえばシート状（フィルム状）のソルダーレジストを基板材料１１０に圧着することにより形成されている。

図４０に示すように、第１絶縁層１３０Ａは、貫通孔１１５０を塞いでいる。上述の圧着により、第１絶縁層１３０Ａは、表面第１部１２１１上の部分が、貫通孔１１５０を塞ぐ部分よりも薄い部位となっている。第１絶縁層１３０Ａのうち貫通孔１１５０を塞ぐ部分は、厚さが概ね一定であり、ｘｙ平面に沿った平板形状である。

次に、図４１および図４２に示すように、第２絶縁層１３０Ｂを形成する。第２絶縁層１３０Ｂは、たとえば第１絶縁層１３０Ａ上にソルダーレジストの樹脂材料を塗布し、これを硬化させることにより行う。本実施形態においては、ｚ方向視において貫通孔１１５０に内包される複数の円形要素を有するように、第２絶縁層１３０Ｂが形成されている。これにより、上述した絶縁層第１部１３１、絶縁層第２部１３２、絶縁層第３部１３３および絶縁層第４部１３４となる部位が形成される。

次に、複数の半導体発光素子２をボンディングする。このボンディングは、半導体発光素子２の素子本体２１を導体層１２０の表面第２部１２１２に接合材２５によって接合することにより行う。また、素子本体２１の第１電極２２よび第２電極２３と一対の表面第３部１２１３とをワイヤ２８およびワイヤ２９によって接続する。

次いで、金型７１をセットする。金型７１は、基板材料１１０の基材表面１１１との間に樹脂成形のためのキャビティを構成するためのものである。

次いで、図４３に示すように、金型７１のキャビティに樹脂材料を充填する。この際、基材第３側面１１５を塞ぐ絶縁層第１部１３１は、第１厚さｔ１が第２厚さｔ２よりも厚く、剛性が高められている。このため、樹脂材料の充填圧が作用しても絶縁層第１部１３１は、平坦な形状を維持する。そして、樹脂材料が硬化することにより、樹脂材料３０が形成される。

樹脂材料の充填が終了すると、図４４に示すように、金型７１を取り除く。この後は、たとえば、図中のｙ方向に沿った切断線Ｃｙおよび図示しないｘ方向に沿った切断線に沿って、基板材料１１０、導体層１２０、第１絶縁層１３０Ａ、第２絶縁層１３０Ｂおよび樹脂材料３０を切断する。これにより、複数の半導体発光装置Ａ４が得られる。

次に、半導体発光装置Ａ４の作用について説明する。

本実施形態によれば、図３２～図３７に示すように、絶縁層第１部１３１の第１厚さｔ１が、絶縁層第２部１３２の第２厚さｔ２よりも厚い。このため、絶縁層第１部１３１の剛性が高められている。これにより、たとえば、半導体発光装置Ａ４の製造において、図４３に示す樹脂材料を充填する際に、絶縁層第１部１３１がｚ方向他方側に撓んでしまうことや絶縁層第１部１３１が破損してしまうことを抑制することが可能である。したがって、半導体発光装置Ａ４によれば、樹脂部３の形状のばらつきを抑制することができる。この結果、半導体発光装置Ａ４は、本実施形態の樹脂部３が平坦な面である樹脂表面３１を有する構成が実現されている。

本実施形態の絶縁層１３は、第１絶縁層１３Ａおよび第２絶縁層１３Ｂからなる。第１絶縁層１３Ａに第２絶縁層１３Ｂを積層させることによって絶縁層第１部１３１を形成することにより、絶縁層第１部１３１の剛性を容易且つ確実に高めることが可能である。これは、樹脂部３の形状のばらつきを抑制するのに好ましい。

第１絶縁層１３Ａの厚さが第２絶縁層１３Ｂよりも厚いことにより、第２絶縁層１３Ｂの製造時に、第１絶縁層１３Ａが誤って破損してしまうことなどを回避することができる。

また、絶縁層第２部１３２が第１絶縁層１３Ａおよび第２絶縁層１３Ｂを含んでいる。これにより、絶縁層第１部１３１に対して絶縁層第２部１３２の剛性が極端に低くなることを抑制できる。これは、絶縁層第２部１３２が破損することにより、絶縁層第１部１３１がｚ方向他方側に脱落してしまうことを防止するのに好ましい。

第２絶縁層１３Ｂの端縁１９９は、ｚ方向視において基材第３側面１１５と表面第１部１２１１の端縁１２１９との間に位置しており、ｚ方向視において表面第１部１２１１からはみ出さない構成となっている。これにより、たとえばワイヤ２８のファーストボンディング部２８１やワイヤ２９のファーストボンディング部２９１を形成するためのキャピラリが、第２絶縁層１３Ｂに干渉することを回避することが可能である。これは、半導体発光装置Ａ４の小型化に好ましい。

絶縁層第８面１４８は、基材第３側面１１５に向かうほどｚ方向一方側に位置する曲面である。これにより、基材第３側面１１５のより大きい領域を絶縁層１３から露出させることができる。これにより、半導体発光装置Ａ４を回路基板等に実装する際に、はんだを裏面第１部１２２１に加えて基材第３側面１１５のより大きい領域に付着させることが可能であり、実装強度を高めることができる。

樹脂部３の一対の樹脂第１側面３２および一対の樹脂第２側面３３は、基材１１の一対の基材第１側面１１３および一対の基材第２側面１１４と面一である。すなわち、樹脂部３は、ｚ方向視において基材１１のすべてと重なる構成である。これにより、樹脂部３の体積を増大させることが可能であり、基材１１の大きさに対してより大きなサイズの半導体発光素子２を設けることができる。本実施形態においては、半導体発光素子２には、ワイヤ２８およびワイヤ２９が接続されている。ｘ方向において互いに反対側に延出するワイヤ２８およびワイヤ２９を樹脂部３によって適切に覆いつつ、半導体発光装置Ａ４の小型化を図ることができる。

図３３に示すように、第５厚さｔ５は、第２厚さｔ２と表面第１部１２１１の厚さとの合計と略同程度である。そして、第１厚さｔ１は、第５厚さｔ５よりも厚い。このような第１厚さｔ１を有する絶縁層第１部１３１は、剛性を十分に高められており、樹脂部３の形状のばらつきを抑制するのに有利である。

表面第１部１２１１の厚さは、絶縁層第２部１３２の第２厚さｔ２さよりも薄い。これにより、半導体発光装置Ａ４のｚ方向寸法を縮小することができる。また、絶縁層第２部１３２の第２厚さｔ２があまりに薄いと、意図せず表面第１部１２１１を露出させるおそれがある。本実施形態によればこのような事態を回避することができる。

図４５～図４７は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

＜第５実施形態＞
図４５は、本開示の第５実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ５は、絶縁層１３の構成が上述した実施形態と異なっている。

本実施形態においては、絶縁層１３は、明瞭に区別される複数の層を有しておらず、全体が単一の層によって構成されている。ただし、絶縁層１３が、絶縁層第１部１３１および絶縁層第２部１３２を有し、第１厚さｔ１が第２厚さｔ２よりも厚い点は、上述した実施形態と同様である。また、図示された例においては、絶縁層１３の各部の形状は、上述した実施形態と同様とされているが、細部の構成が上述した実施形態と異なっていてもよい。

このような絶縁層１３は、たとえば厚さが異なる複数の領域が予め形成されたシート状（フィルム状）ソルダーレジストを基材１１に接合することによって形成することができる。あるいは、貫通孔１１５０を覆うように形成した絶縁層に、樹脂材料を塗布し、絶縁層と一体化させることにより、完成後において明瞭に区別される複数の層を有さない、単一の層からなると認められる構成を形成してもよい。

本実施形態によっても、樹脂部３の形状のばらつきを抑制することをはじめ上述した実施形態の効果を奏することができる。また、本実施形態から理解されるように、絶縁層１３の形成手法は特に限定されない。

＜第６実施形態＞
図４６および図４７は、本開示の第６実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ６は、主に、基材第３側面１１５の個数、位置および形状が、上述した実施形態と異なっている。図４６においては、理解の便宜上、樹脂部３を省略している。

本実施形態における第１厚さｔ１、第２厚さｔ２、第３厚さｔ３、第４厚さｔ４、第５厚さｔ５、第１距離Ｄ１、第２距離Ｄ２および第３距離Ｄ３および第４距離Ｄ４の大小関係は、半導体発光装置Ａ４，Ａ５と同様である。

本実施形態によっても、樹脂部３の形状のばらつきを抑制することをはじめ上述した実施形態の効果を奏することができる。また、本実施形態から理解されるように、基材１１における基材第３側面１１５の位置や個数は特に限定されない。

〔付記Ｂ１〕
厚さ方向一方側を向く基材表面および前記厚さ方向他方側を向く基材裏面を有する絶縁性の基材、前記基材に形成された導体層、および前記導体層の一部を覆う絶縁層を有する基板と、
前記基板の前記基材表面側に搭載された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を覆い且つ前記半導体発光素子からの光を透過させる樹脂部と、を備え、
前記基板の前記基材は、各々が前記基材表面および前記基材裏面を繋ぎ、且つ第１方向に離間した一対の基材第１側面と、各々が前記基材表面および前記基材裏面を繋ぎ、且つ前記厚さ方向視において前記基材第１側面よりも前記半導体発光素子側に凹む基材第３側面と、を有し、
前記導体層は、前記基材表面に形成された表面部および前記基材第３側面に形成された側面部を有し、
前記表面部は、前記基材第３側面に対して前記半導体発光素子側に隣接し且つ前記側面部に繋がる表面第１部を有し、
前記絶縁層は、前記厚さ方向視において前記基材第３側面に対して前記半導体発光素子とは反対側に位置する絶縁層第１部と、前記厚さ方向視において前記導体層の前記表面第１部に重なる絶縁層第２部とを有し、
前記樹脂部は、前記絶縁層の前記絶縁層第１部および前記絶縁層第２部を覆っており、
前記絶縁層第１部の厚さである第１厚さは、前記絶縁層第２部の厚さである第２厚さよりも厚い、半導体発光装置。
〔付記Ｂ２〕
前記絶縁層は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層に対して前記厚さ方向一方側に積層された第２絶縁層と、を有し、
前記絶縁層第１部は、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を含む、付記Ｂ１に記載の半導体発光装置。
〔付記Ｂ３〕
前記第１絶縁層の厚さは、前記第２絶縁層の厚さよりも厚い、付記Ｂ２に記載の半導体発光装置。
〔付記Ｂ４〕
前記絶縁層第２部は、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を含む、付記Ｂ２またはＢ３に記載の半導体発光装置。
〔付記Ｂ５〕
前記第２絶縁層の端縁は、前記厚さ方向視において前記基材第３側面と前記表面第１部の端縁との間に位置する、付記Ｂ３に記載の半導体発光装置。
〔付記Ｂ６〕
前記絶縁層は、前記表面第１部に隣接し、且つ前記基材表面に接する絶縁層第３部を有する、付記Ｂ２ないしＢ４のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記Ｂ７〕
前記絶縁層第１部と前記樹脂部の表面との距離である第１距離は、前記絶縁層第３部と前記樹脂部の表面との距離である第３距離よりも小さい、付記Ｂ６に記載の半導体発光装置。
〔付記Ｂ８〕
前記絶縁層第２部と前記樹脂部の表面との距離である第２距離は、前記第３距離よりも小さい、付記Ｂ７に記載の半導体発光装置。
〔付記Ｂ９〕
前記絶縁層は、前記表面第１部上において前記絶縁層第２部と前記絶縁層第３部との間に介在し、且つ前記第２絶縁層からなる絶縁層第４部を有する、付記Ｂ６ないしＢ８のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記Ｂ１０〕
前記絶縁層第４部の厚さである第４厚さは、前記絶縁層第３部の厚さである第３厚さよりも薄い、付記Ｂ９に記載の半導体発光装置。
〔付記Ｂ１１〕
前記第２厚さは、前記導体層の前記表面部の前記表面第１部の厚さよりも厚い、付記Ｂ１０に記載の半導体発光装置。
〔付記Ｂ１２〕
前記第４厚さは、前記導体層の前記表面部の前記表面第１部の厚さよりも厚い、付記Ｂ１１に記載の半導体発光装置。
〔付記Ｂ１３〕
前記基板の前記基材は、各々が前記基材表面および前記基材裏面を繋ぎ、且つ第１方向および前記厚さ方向に直角である第２方向に離間した一対の基材第２側面と、４つの前記基材第３側面を有し、
前記基材第３側面は、前記基材第１側面と前記基材第２側面との間に介在している、付記Ｂ２ないしＢ１２のいずれかに記載の半導体発光装置。
〔付記Ｂ１４〕
前記樹脂部は、前記一対の基材第１側面と面一である一対の樹脂第１側面と、前記一対の基材第２側面と面一である一対の樹脂第２側面と、を有する、付記Ｂ１３に記載の半導体発光装置。
〔付記Ｂ１５〕
前記第１絶縁層は、前記基材第１側面と面一である絶縁層第１側面と、前記基材第２側面と面一である絶縁層第２側面と、を有する、付記Ｂ１４に記載の半導体発光装置。
〔付記Ｂ１６〕
前記第２絶縁層は、前記基材第１側面および絶縁層第１側面と面一である絶縁層第３側面と、前記基材第２側面および絶縁層第２側面と面一である絶縁層第４側面と、を有する、付記Ｂ１５に記載の半導体発光装置。
〔付記Ｂ１７〕
前記基材表面と前記絶縁層第１部の前記厚さ方向一方側に位置する絶縁層第１面との距離に相当する第５厚さは、前記第２厚さよりも厚い、付記Ｂ１ないしＢ１６のいずれかに記載の半導体発光装置。

Ａ１，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５，Ａ６：半導体発光装置
１：基板
２：半導体発光素子
３：樹脂部
８：収容体
１１：基材
１２：導体層
１３：絶縁層
１３Ａ：第１絶縁層
１３Ｂ：第２絶縁層
２１：素子本体
２２：第１電極
２３：第２電極
２５：接合材
２８：ワイヤ
２９：ワイヤ
３０：樹脂材料
３１：樹脂表面
３２：樹脂第１側面
３３：樹脂第２側面
７１：金型
８１：ケース
８２：シート
１１０：基板材料
１１１：基材表面
１１２：基材裏面
１１３：基材第１側面
１１４：基材第２側面
１１５：基材第３側面
１２０：導体層
１２１：表面部
１２２：裏面部
１２３：側面部
１２４：導体層第１面
１３０：絶縁層
１３０Ａ：第１絶縁層
１３０Ｂ：第２絶縁層
１３１：絶縁層第１部
１３２：絶縁層第２部
１３３：絶縁層第３部
１３４：絶縁層第４部
１３５：連結部
１３７：裏面絶縁層
１４１：絶縁層第１面
１４２：絶縁層第２面
１４３：絶縁層第３面
１４４：絶縁層第４面
１４５：絶縁層第５面
１４６：絶縁層第６面
１４７：絶縁層第７面
１４８：絶縁層第８面
１４９：絶縁層第９面
１６１：絶縁層第１領域
１６２：絶縁層第２領域
１６３：絶縁層第３領域
１６４：絶縁層第４領域
１６７：絶縁層第７領域
１６８：絶縁層第８領域
１７１：絶縁層第１側面
１７２：絶縁層第２側面
１９１：絶縁層第３側面
１９２：絶縁層第４側面
１９９：端縁
２８１：ファーストボンディング部
２８２：セカンドボンディング部
２９１：ファーストボンディング部
２９２：セカンドボンディング部
３６１：樹脂第１領域
３６２：樹脂第２領域
３６３：樹脂第３領域
３６４：樹脂第４領域
３６５：樹脂第５領域
３６７：樹脂第７領域
３６８：樹脂第８領域
８１１：凹部
１１５０：貫通孔
１１５１：基材第３側面
１２１１：表面第１部
１２１２：表面第２部
１２１３：表面第３部
１２１４：連結部
１２１５：連結部
１２１９：端縁
１２２１：裏面第１部
１２２２：裏面第２部
Ｃｘ：切断線
Ｃｙ：切断線
Ｄ０：距離
Ｄ１：第１距離
Ｄ２：第２距離
Ｄ３：第３距離
Ｄ４：第４距離
Ｄ７：第７距離
Ｄ８：第８距離
Ｌ：光

Claims

厚さ方向一方側を向く基材表面および前記厚さ方向他方側を向く基材裏面を有する絶縁性の基材、前記基材に形成された導体層、および前記導体層の一部を覆う絶縁層を有する基板と、
前記基板の前記基材表面側に搭載された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を覆い且つ前記半導体発光素子からの光を透過させる樹脂部と、を備え、
前記基板の前記基材は、各々が前記基材表面および前記基材裏面を繋ぎ、且つ第１方向に離間した一対の基材第１側面と、各々が前記基材表面および前記基材裏面を繋ぎ、且つ前記厚さ方向視において前記基材第１側面よりも前記半導体発光素子側に凹む一対の基材第３側面と、を有し、
前記導体層は、前記基材表面に形成された表面部および前記基材第３側面に形成された側面部を有し、
前記表面部は、前記基材第３側面に対して前記半導体発光素子側に隣接し且つ前記側面部に繋がる表面第１部を有し、
前記絶縁層は、前記厚さ方向視において前記基材第３側面に対して前記半導体発光素子とは反対側に位置する絶縁層第１部と、前記厚さ方向視において前記導体層の前記表面第１部に重なる絶縁層第２部とを有し、
前記樹脂部は、前記絶縁層の前記絶縁層第１部および前記絶縁層第２部を覆っており、
前記絶縁層第１部のうち前記樹脂部と接する絶縁層第１面に含まれる絶縁層第１領域と、前記樹脂部の樹脂表面のうち前記厚さ方向視において前記絶縁層第１領域に重なる樹脂第１領域と、の距離である第１距離は、前記絶縁層第２部のうち前記樹脂部と接する絶縁層第２面に含まれる絶縁層第２領域と、前記樹脂部の前記樹脂表面のうち前記厚さ方向視において前記絶縁層第２領域に重なる樹脂第２領域と、の距離である第２距離よりも大きい、半導体発光装置。
前記樹脂部の前記樹脂表面は、前記厚さ方向視において前記半導体発光素子と重なる樹脂第３領域を有しており、
前記樹脂第１領域は、前記厚さ方向において前記樹脂第３領域よりも前記厚さ方向一方側に位置している、請求項１に記載の半導体発光装置。
前記樹脂第１領域は、前記厚さ方向において前記樹脂第２領域よりも前記厚さ方向一方側に位置している、請求項２に記載の半導体発光装置。
前記基板の前記基材は、各々が前記基材表面および前記基材裏面を繋ぎ、且つ第１方向および前記厚さ方向に直角である第２方向に離間した一対の基材第２側面と、４つの前記基材第３側面を有し、
前記基材第３側面は、前記基材第１側面と前記基材第２側面との間に介在している、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体発光装置。
前記樹脂部は、前記一対の基材第１側面と面一である一対の樹脂第１側面と、前記一対の基材第２側面と面一である一対の樹脂第２側面と、を有する、請求項４に記載の半導体発光装置。
前記絶縁層は、前記基材第１側面と面一である絶縁層第１側面と、前記基材第２側面と面一である絶縁層第２側面と、を有する、請求項５に記載の半導体発光装置。
前記絶縁層第１領域は、前記絶縁層第１側面、前記絶縁層第２側面および前記絶縁層第１面が交わる領域であり、
前記絶縁層第２領域は、前記厚さ方向視において前記基材第３側面と重なる、請求項６に記載の半導体発光装置。
前記樹脂部の前記樹脂表面は、前記樹脂第２側面との境界であって前記第１方向において前記半導体発光素子と重なる樹脂第４領域を有しており、
前記樹脂第１領域は、前記厚さ方向において前記樹脂第４領域よりも前記厚さ方向一方側に位置している、請求項７に記載の半導体発光装置。
前記樹脂部の前記樹脂表面は、前記樹脂第１側面との境界であって前記第２方向において前記半導体発光素子と重なる樹脂第５領域を有しており、
前記樹脂第１領域は、前記厚さ方向において前記樹脂第５領域よりも前記厚さ方向一方側に位置している、請求項７または８に記載の半導体発光装置。
前記絶縁層第１領域は、前記絶縁層第２領域よりも前記厚さ方向他方側に位置する、請求項７ないし９のいずれかに記載の半導体発光装置。
前記絶縁層第１領域は、前記基材表面よりも前記厚さ方向他方側に位置する、請求項１０に記載の半導体発光装置。
前記絶縁層第１領域は、前記厚さ方向において前記基材表面と前記表面第１部の導体層第１面との間に位置する、請求項１０に記載の半導体発光装置。
前記絶縁層第１領域は、前記基材表面と前記表面第１部の導体層第１面よりも前記厚さ方向一方側に位置する、請求項１０に記載の半導体発光装置。
前記絶縁層第１領域は、前記絶縁層第２領域よりも前記厚さ方向一方側に位置する、請求項７ないし９のいずれかに記載の半導体発光装置。
前記絶縁層は、前記絶縁層第２部に隣接し、且つ前記基材表面に接する絶縁層第３部を有する、請求項１ないし１４のいずれかに記載の半導体発光装置。
前記絶縁層第３部の厚さは、前記絶縁層第２部の厚さよりも厚い、請求項１５に記載の半導体発光装置。
前記絶縁層第２部の厚さは、前記導体層の前記表面部の前記表面第１部の厚さよりも厚い、請求項１６に記載の半導体発光装置。