CN109935676B - 半导体发光器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半导体发光器件，其能够抑制树脂部形状的偏差。半导体发光器件(A1)包括：具有基材(11)、导体层(12)以及绝缘层(13)的衬底(1)；半导体发光元件(2)；和树脂部(3)，基材(11)具有一对基材第一侧面(113)和一对基材第三侧面(115)，导体层(12)具有正面部(121)和侧面部(123)，正面部(121)具有正面第一部(1211)，绝缘层(13)具有绝缘层第一部(131)和绝缘层第二部(132)，树脂部(3)覆盖绝缘层(13)的绝缘层第一部(131)和绝缘层第二部(132)，绝缘层第一部(131)的厚度即第一厚度(t1)大于绝缘层第二部(132)的厚度即第二厚度(t2)。

Description

半导体发光器件

技术领域

本发明涉及半导体发光器件。

背景技术

专利文献1公开有现有的半导体发光器件之一例。该文献中公开的半导体发光器件具有衬底、半导体发光元件和树脂部。树脂部能够使来自半导体发光元件的光透过。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2017－126743号公报

发明内容

发明所要解决的课题

来自半导体发光器件的发光状况会受到树脂部的形状等的影响。因树脂部的形状等，会在由半导体发光器件发出的光的色调上产生偏差。另外，不优选在树脂部的形状中产生偏差。

本发明是鉴于上述的情况而完成的，其目的在于，提供一种能够抑制色调的偏差的半导体发光器件。另外，本发明的目的在于，提供一种能够抑制树脂部形状的偏差的半导体发光器件。

用于解决课题的技术方案

本发明提供的半导体发光器件包括：衬底，其包括：具有朝向厚度方向一侧的基材正面和朝向所述厚度方向另一侧的基材背面的绝缘性基材、形成于所述基材的导体层、以及覆盖所述导体层的一部分的绝缘层；搭载于所述衬底的所述基材正面侧的半导体发光元件；和覆盖所述半导体发光元件的树脂部，其能够使来自所述半导体发光元件的光透过，其中，所述衬底的所述基材具有：一对基材第一侧面，其分别连接所述基材正面与所述基材背面，且在第一方向上隔开间隔；和在所述厚度方向上看时比所述基材第一侧面向所述半导体发光元件侧凹进的一对基材第三侧面，该一对基材第三侧面分别连接所述基材正面与所述基材背面，所述导体层具有形成于所述基材正面的正面部和形成于所述基材第三侧面的侧面部，所述正面部具有在所述半导体发光元件侧与所述基材第三侧面邻接、并且与所述侧面部相连的正面第一部，所述绝缘层具有：在所述厚度方向上看时相对于所述基材第三侧面位于与所述半导体发光元件相反侧的绝缘层第一部；在所述厚度方向上看时与所述导体层的所述正面第一部重叠的绝缘层第二部，所述树脂部覆盖所述绝缘层的所述绝缘层第一部和所述绝缘层第二部，上述绝缘层第一部中与上述树脂部相接触的绝缘层第一面中所包含的绝缘层第一区域、与上述树脂部的树脂正面中在上述厚度方向上看时与上述绝缘层第一区域重叠的树脂第一区域之间的距离即第一距离，比上述绝缘层第二部中与上述树脂部相接触的绝缘层第二面中所包含的绝缘层第二区域、与上述树脂部的上述树脂正面中在上述厚度方向上看时与上述绝缘层第二区域重叠的树脂第二区域之间的距离即第二距离大。

发明效果

根据本发明的半导体发光器件，能够抑制色调不均。

本发明的其他特征及优点通过以下参照附图进行的详细说明即可明白。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的俯视图。

图2是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的主要部分俯视图。

图3是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的仰视图。

图4是沿着图1的IV－IV线的截面图。

图5是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的主要部分放大截面图。

图6是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的主视图。

图7是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的主要部分放大主视图。

图8是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的侧视图。

图9是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的主要部分放大侧视图。

图10是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的衬底的主要部分俯视图。

图11是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的制造方法之一例的主要部分俯视图。

图12是沿着图11的XII－XII线的主要部分截面图。

图13是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的制造方法之一例的主要部分俯视图。

图14是沿着图13的XIV－XIV线的主要部分截面图。

图15是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的制造方法之一例的主要部分截面图。

图16是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的制造方法之一例的主要部分俯视图。

图17是沿着图16的XVII－XVII线的主要部分截面图。

图18是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的制造方法之一例的主要部分俯视图。

图19是沿着图18的XIX－XIX线的主要部分截面图。

图20是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的使用例的主要部分截面图。

图21是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的第一变形例的主要部分放大截面图。

图22是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的第二变形例的主要部分放大截面图。

图23是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的第三变形例的主要部分放大截面图。

图24是表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件的第四变形例的主要部分俯视图。

图25是表示本发明的第二实施方式的半导体发光器件的主要部分俯视图。

图26是沿着图25的XXVI－XXVI线的截面图。

图27是表示本发明的第三实施方式的半导体发光器件的主要部分俯视图。

图28是沿着图27的XXVIII－XXVIII线的截面图。

图29是表示本发明的第四实施方式的半导体发光器件的俯视图。

图30是表示本发明的第四实施方式的半导体发光器件的主要部分俯视图。

图31是表示本发明的第四实施方式的半导体发光器件的仰视图。

图32是沿着图29的XXXII－XXXII线的截面图。

图33是表示本发明的第四实施方式的半导体发光器件的主要部分放大截面图。

图34是表示本发明的第四实施方式的半导体发光器件的主视图。

图35是表示本发明的第四实施方式的半导体发光器件的主要部分放大主视图。

图36是表示本发明的第四实施方式的半导体发光器件的侧视图。

图37是表示本发明的第四实施方式的半导体发光器件的主要部分放大侧视图。

图38是表示本发明的第四实施方式的半导体发光器件的衬底的主要部分俯视图。

图39是表示本发明的第四实施方式的半导体发光器件的制造方法之一例的主要部分俯视图。

图40是沿着图39的XL－XL线的截面图。

图41是表示本发明的第四实施方式的半导体发光器件的制造方法之一例的主要部分俯视图。

图42是沿着图41的XLII－XLII线的截面图。

图43是表示本发明的第四实施方式的半导体发光器件的制造方法之一例的主要部分截面图。

图44是表示本发明的第四实施方式的半导体发光器件的制造方法之一例的主要部分截面图。

图45是表示本发明的第五实施方式的半导体发光器件的主要部分放大截面图。

图46是表示本发明的第六实施方式的半导体发光器件的主要部分俯视图。

图47是沿着图46的XLVII－XLVII线的截面图。

符号说明

A1、A11、A12、A13、A2、A3、A4、A5、A6：半导体发光器件

1：衬底

2：半导体发光元件

3：树脂部

8：收纳体

11：基材

12：导体层

13：绝缘层

13A：第一绝缘层

13B：第二绝缘层

21：元件主体

22：第一电极

23：第二电极

25：接合材料

28：引线

29：引线

30：树脂材料

31：树脂正面

32：树脂第一侧面

33：树脂第二侧面

71：模具

81：壳体

82：片

110：衬底材料

111：基材正面

112：基材背面

113：基材第一侧面

114：基材第二侧面

115：基材第三侧面

120：导体层

121：正面部

122：背面部

123：侧面部

124：导体层第一面

130：绝缘层

130A：第一绝缘层

130B：第二绝缘层

131：绝缘层第一部

132：绝缘层第二部

133：绝缘层第三部

134：绝缘层第四部

135：连结部

137：背面绝缘层

141：绝缘层第一面

142：绝缘层第二面

143：绝缘层第三面

144：绝缘层第四面

145：绝缘层第五面

146：绝缘层第六面

147：绝缘层第七面

148：绝缘层第八面

149：绝缘层第九面

161：绝缘层第一区域

162：绝缘层第二区域

163：绝缘层第三区域

164：绝缘层第四区域

167：绝缘层第七区域

168：绝缘层第八区域

171：绝缘层第一侧面

172：绝缘层第二侧面

191：绝缘层第三侧面

192：绝缘层第四侧面

199：端缘

281：第一接合部

282：第二接合部

291：第一接合部

292：第二接合部

361：树脂第一区域

362：树脂第二区域

363：树脂第三区域

364：树脂第四区域

365：树脂第五区域

367：树脂第七区域

368：树脂第八区域

811：凹部

1150：贯通孔

1151：基材第三侧面

1211：正面第一部

1212：正面第二部

1213：正面第三部

1214：连结部

1215：连结部

1219：端缘

1221：背面第一部

1222：背面第二部

Cx：切割线

Cy：切割线

D0：距离

D1：第一距离

D2：第二距离

D3：第三距离

D4：第四距离

D7：第七距离

D8：第八距离

L：光

具体实施方式

下面，参照附图对本发明优选的实施方式进行具体说明。

本发明的“第一”、“第二”、“第三”等术语只是赋予标签来使用而已，意图不一定是表示这些对象物的顺序。

＜第一实施方式＞

图1～图10表示本发明的第一实施方式的半导体发光器件。本实施方式的半导体发光器件A1包括衬底1、半导体发光元件2和树脂部3。在这些图中，x方向对应于第一方向，y方向对应于第二方向，z方向对应于厚度方向。x方向、y方向和z方向彼此垂直。半导体发光器件A1的形状和大小没有特别限定，在本实施方式中，x方向尺寸设为0.7～2.5mm程度，y方向尺寸设为0.4～1.0mm程度，z方向尺寸设为0.15～0.3mm程度，在z方向上看时为矩形形状。

图1是表示半导体发光器件A1的俯视图。图2是表示半导体发光器件A1的主要部分俯视图。图3是表示半导体发光器件A1的仰视图。图4是沿着图1的IV－IV线的截面图。图5是表示半导体发光器件A1的主要部分放大截面图。图6是表示半导体发光器件A1的主视图。图7是表示半导体发光器件A1的主要部分放大主视图。图8是表示半导体发光器件A1的侧视图。图9是表示半导体发光器件A1的主要部分放大侧视图。图10是表示半导体发光器件A1的衬底1的主要部分俯视图。由图1的IV－IV线可知，图4的图中横向虽然大致沿着x方向，但包含不与x方向严格一致的部分。这在图5中也是同样的。

衬底1支承半导体发光元件2，并且构成与半导体发光元件2的导通路径。衬底1具有基材11、导体层12和绝缘层13。

基材11是成为衬底1的基底的部位，例如由玻璃环氧树脂等绝缘材料构成。基材11具有：基材正面111、基材背面112、一对基材第一侧面113、一对基材第二侧面114和多个基材第三侧面115。

基材正面111是朝向z方向一侧的面。基材背面112是在z方向上朝向与基材正面111相反侧的另一侧的面。在图示的例子中，基材正面111为平坦面。

一对基材第一侧面113在x方向上彼此隔开间隔，相对于x方向垂直。基材第一侧面113连接基材正面111和基材背面112。在图示的例子中，基材背面112为平坦面。

一对基材第二侧面114在y方向上彼此隔开间隔，相对于y方向垂直。基材第二侧面114连接基材正面111和基材背面112。

基材第三侧面115连接基材正面111和基材背面112，在z方向上看时，是比基材第一侧面113向内方凹的面。在本实施方式中，基材第三侧面115相对于基材第一侧面113向x方向内方凹。另外，在本实施方式中，基材第三侧面115存在于相邻的基材第一侧面113和基材第二侧面114之间。另外，在z方向上看时，基材第三侧面115是比基材第二侧面114向内方凹的面，在本实施方式中，相对于基材第二侧面114向y方向内方凹。在本实施方式中，多个基材第三侧面115的个数为4。四个基材第三侧面115包含一对基材第三侧面115。在z方向上看时，基材第三侧面115为大致四分之一圆形状。

导体层12是构成与半导体发光元件2的导通路径的层，形成于基材11。导体层12例如具有通过镀覆形成的Cu层等。另外，在导体层12中的从绝缘层13露出的部位，也可以设置例如通过镀覆形成的Au层。导体层12具有正面部121、背面部122和四个侧面部123。

正面部121是形成于基材11的基材正面111的部位。在本实施方式中，正面部121具有：四个正面第一部1211、正面第二部1212、一对正面第三部1213、多个连结部1214和连结部1215。此外，为方便起见，图10的双点划线(假想线)表示四个正面第一部1211、正面第二部1212、一对正面第三部1213、多个连结部1214和连结部1215的交界。

正面第一部1211是与基材11的基材第三侧面115相邻地设置的部位，在本实施方式中，在z方向上看时，为大致四分之一圆环形状。另外，正面第一部1211到达基材第一侧面113和基材第二侧面114两者。在本实施方式中，与四个基材第三侧面115相对应地形成有四个正面第一部1211。

正面第二部1212设置于基材正面111的大致中央，是用于搭载半导体发光元件2的部位。此外，在将半导体发光元件2直接搭载于基材11的情况下，正面部121也可以为不具有正面第二部1212的结构。在图示的例子中，在z方向上看时，正面第二部1212为大致矩形形状。

一对正面第三部1213以隔着正面第二部1212在x方向上隔开间隔的方式配置。正面第三部1213是用于使正面部121与半导体发光元件2导通的部位。在图示的例子中，正面第三部1213为大致矩形形状。另外，在图示的例子中，正面第三部1213与基材11的基材第一侧面113隔开间隔。

多个连结部1214是连结相邻的正面第一部1211和正面第三部1213的部位。在图示的例子中，多个连结部1214的个数为4，分别是沿y方向延伸的带状。另外，在图示的例子中，连结部1214与基材11的基材第一侧面113隔开间隔。

连结部1215连结正面第二部1212与连结部1214。在图示的例子中，连结部1215在x方向上较长地延伸。在图示的例子中，连结部1215与基材11的基材第二侧面114隔开间隔。

背面部122是形成于基材11的基材背面112的部位。在本实施方式中，背面部122具有四个背面第一部1221和一对背面第二部1222。此外，为方便起见，图3的双点划线(假想线)表示四个背面第一部1221和一对背面第二部1222的交界。

背面第一部1221是与基材11的基材第三侧面115邻接地设置的部位，在本实施方式中，在z方向上看时为大致四分之一圆环形状。另外，背面第一部1221到达基材第一侧面113和基材第二侧面114两者。在本实施方式中，与四个基材第三侧面115相对应地形成有四个背面第一部1221。

一对背面第二部1222在x方向上彼此隔开间隔地设置。背面第二部1222与在y方向上相邻的背面第一部1221相连。一对背面第二部1222例如在将半导体发光器件A1安装于电路板(图示略)等时作为电极来使用。

四个侧面部123形成于四个基材第三侧面115，分别覆盖四个基材第三侧面115。在本实施方式中，侧面部123覆盖基材第三侧面115的大致整体。另外，侧面部123与正面部121的正面第一部1211和背面部122的背面第一部1221相连。

绝缘层13是由绝缘性材料构成的层，覆盖导体层12的一部分，使其余部分露出。绝缘层13的材质等没有特别限定，在本实施方式中，例如为阻焊剂。另外，在图示的例子中，通过将片状(膜状)的阻焊剂压接于基材11而形成绝缘层13。绝缘层13具有：四个绝缘层第一部131、四个绝缘层第二部132、多个绝缘层第三部133和一对连结部135。此外，为方便起见，图2、图5、图7和图9的双点划线(假想线)表示出四个绝缘层第一部131、四个绝缘层第二部132、多个绝缘层第三部133和一对连结部135的交界。

此外，在本实施方式中，在基材11的基材背面112设有背面绝缘层137。背面绝缘层137设置于一对背面第二部1222之间，例如是为辨认半导体发光器件A1的极性而设置。背面绝缘层137可以通过与绝缘层13同样的方法来形成，也可以通过不同的方法来形成。

四个绝缘层第一部131与四个基材第三侧面115对应地设置。在z方向上看时，绝缘层第一部131相对于基材第三侧面115位于外方。在图示的例子中，在z方向上看时，绝缘层第一部131为四分之一圆形状。

四个绝缘层第二部132与四个基材第三侧面115对应地设置。绝缘层第二部132形成于导体层12的正面部121的正面第一部1211，在z方向上看时，是与正面第一部1211重叠的部位，覆盖正面第一部1211。在图示的例子中，在z方向上看时，绝缘层第二部132为四分之一圆环形状。另外，在图示的例子中，绝缘层第二部132的厚度比绝缘层第一部131的厚度薄。另外，绝缘层第二部132的厚度比导体层12的正面第一部1211的厚度厚。

绝缘层第三部133与绝缘层第二部132邻接，与基材11的基材正面111相接触。换句话说，导体层12不存在于绝缘层第三部133与基材11的基材正面111之间。

连结部135将在y方向上相邻的绝缘层第三部133彼此连结。在图示的例子中，连结部135是沿y方向延伸的带状。另外，在图示的例子中，连结部135到达基材11的基材第一侧面113。

绝缘层13具有一对绝缘层第一侧面171和二对绝缘层第二侧面172。一对绝缘层第一侧面171在x方向上彼此隔开间隔，与x方向垂直。一对绝缘层第一侧面171与基材11的一对基材第一侧面113成同一平面。二对绝缘层第二侧面172在y方向上彼此隔开间隔，与y方向垂直。二对绝缘层第二侧面172与基材11的一对基材第二侧面114成同一平面。

如图5、图7和图9所示，绝缘层13具有：绝缘层第一面141、绝缘层第二面142、绝缘层第三面143、绝缘层第四面144、绝缘层第五面145、绝缘层第六面146、绝缘层第七面147、绝缘层第八面148和绝缘层第九面149。

绝缘层第一面141是绝缘层第一部131中位于z方向一侧(图中上侧)的面。在图示的例子中，在z方向上看时，绝缘层第一面141是越远离基材第三侧面115越位于z方向另一侧的凹曲面。绝缘层第二面142是绝缘层第二部132中位于z方向一侧(图中上侧)的面。在图示的例子中，绝缘层第二面142是沿着xy平面的大致平坦面。

绝缘层第三面143是绝缘层第三部133中位于z方向一侧的面。在图示的例子中，在z方向上看时，绝缘层第三面143是以越远离绝缘层第二面142越位于z方向另一侧的方式缓缓弯曲的曲面。绝缘层第五面145是绝缘层第三部133中在垂直于z方向的方向上朝向远离绝缘层第二部132一侧的面，是沿着z方向的面。绝缘层第四面144存在于绝缘层第三面143与绝缘层第五面145之间，由凸曲面构成。绝缘层第六面146存在于绝缘层第五面145与基材正面111之间，与基材正面111相接触。绝缘层第五面145由向斜下方凸的凸曲面构成。在z方向上看时，绝缘层第五面145与基材正面111的交界位于比绝缘层第五面145靠基材第三侧面115侧。

绝缘层第七面147和绝缘层第八面148是绝缘层第一部131中位于z方向另一侧(图中下侧)的面。在z方向上看时，绝缘层第七面147远离基材第三侧面115，与绝缘层第一侧面171和绝缘层第二侧面172的交界相接触。在图示的例子中，绝缘层第一侧面171位于比基材背面112靠z方向一侧。绝缘层第八面148存在于绝缘层第七面147与基材第三侧面115之间。在图示的例子中，绝缘层第七面147相对于绝缘层第八面148位于z方向另一侧。另外，绝缘层第八面148是曲率小于绝缘层第七面147的凸曲面。绝缘层第八面148与基材第三侧面115的交界位于比绝缘层第七面147与绝缘层第八面148的交界靠z方向一侧。

如图9所示，绝缘层第九面149是连结部135中位于z方向一侧(图中上侧)的面。绝缘层第九面149与绝缘层第三面143相连。与绝缘层第三面143相比，绝缘层第九面149是沿着xy平面的平坦面。

如图2、图4～图9所示，衬底1具有：四个绝缘层第一区域161、四个绝缘层第二区域162、一对绝缘层第三区域163和一对绝缘层第四区域164。

绝缘层第一区域161是包含在绝缘层13的绝缘层第一面141中的区域，在本实施方式中，是绝缘层第一侧面171、绝缘层第二侧面172和绝缘层第一面141相交的区域。在图示的例子中，在z方向上看时，绝缘层第一区域161位于四分之一圆形状的绝缘层第一部131(绝缘层第一面141)的半径相交的中心。

绝缘层第二区域162是包含在绝缘层第二面142中的区域。在图示的例子中，在z方向上看时，绝缘层第二区域162是与基材第三侧面115重叠的区域，在z方向上看时，为四分之一圆形状。

在y方向上看时，绝缘层第三区域163是在基材正面111与基材第二侧面114的交界上与半导体发光元件2重叠的区域。在图示的例子中，绝缘层第三区域163位于基材正面111与基材第二侧面114的交界的x方向中央。

在x方向上看时，绝缘层第四区域164是在绝缘层第一侧面171的z方向一侧端缘与半导体发光元件2重叠的区域。在图示的例子中，绝缘层第四区域164位于绝缘层第一侧面171的z方向一侧端缘的y方向中央。

如图5、图7和图9所示，绝缘层第一区域161位于比绝缘层第二区域162靠z方向另一侧。在图示的例子中，绝缘层第一区域161位于比导体层12的正面第一部1211的导体层第一面124靠z方向另一侧。另外，在图示的例子中，绝缘层第一区域161位于比基材11的基材正面111靠z方向另一侧。

半导体发光元件2是半导体发光器件A1的光源，在本实施方式中，具有：元件主体21、第一电极22和第二电极23。元件主体21例如具有由InGan类半导体等构成的半导体层。第一电极22例如为阴极，第二电极23例如为阳极。

在本实施方式中，半导体发光元件2通过例如接合材料25与导体层12的正面部121的正面第二部1212接合。接合材料25例如为Ag膏或焊料。

第一电极22通过引线28与一个正面第三部1213连接。引线28例如由Au构成，具有第一接合部281和第二接合部282。第一接合部281是引线28中的与正面第三部1213接合的部位。第二接合部282是引线28中的与第一电极22接合的部位。

第二电极23通过引线29与另一个正面第三部1213连接。引线29例如由Au构成，具有第一接合部291和第二接合部292。第一接合部291是引线29中的与正面第三部1213接合的部位。第二接合部292是引线29中的与第二电极23接合的部位。

树脂部3覆盖半导体发光元件2，由使来自半导体发光元件2的光透过的材质构成。在本实施方式中，树脂部3形成于衬底1的基材正面111侧(z方向一侧)，覆盖基材正面111、导体层12的正面部121和绝缘层13。

树脂部3的材质没有特别限定，只要是使来自半导体发光元件2的光透过的材质即可，例如能够适当选择透明的环氧树脂或硅树脂等。另外，在本实施方式中，树脂部3含有荧光材料。该荧光材料由来自半导体发光元件2的光激励，从而发出与来自半导体发光元件2的光不同的波长的光。例如，在半导体发光元件2发蓝色光的情况下，荧光材料发黄色光。由此，半导体发光器件A1例如发白色光。

如图1、图4～图9所示，在本实施方式中，树脂部3具有：树脂正面31、一对树脂第一侧面32和一对树脂第二侧面33。

树脂正面31是朝向z方向一侧的面。一对树脂第一侧面32在x方向上彼此隔开间隔，在本实施方式中，是垂直于x方向的面。在图示的例子中，树脂第一侧面32与基材11的基材第一侧面113和绝缘层13的绝缘层第一侧面171成同一平面。一对树脂第二侧面33在y方向上彼此隔开间隔，在本实施方式中，是垂直于y方向的面。在图示的例子中，树脂第二侧面33与基材11的基材第二侧面114和绝缘层13的绝缘层第二侧面172成同一平面。

树脂部3具有：四个树脂第一区域361、四个树脂第二区域362、树脂第三区域363、一对树脂第四区域364和一对树脂第五区域365。

在z方向上看时，树脂第一区域361是树脂正面31中与绝缘层第一区域161重叠的区域。在z方向上看时，树脂第二区域362是树脂正面31中与绝缘层第二区域162重叠的区域。绝缘层第一区域161的个数为4，与此相对应地，树脂第一区域361的个数为4。另外，绝缘层第二区域162的个数为4，与此相对应地，树脂第二区域362的个数为4。

在z方向上看时，树脂第三区域363是树脂正面31中的与半导体发光元件2重叠的区域。在图示的例子中，树脂第三区域363位于树脂正面31的中央。

在z方向上看时，一对树脂第四区域364是树脂正面31中的与一对绝缘层第三区域163重叠的区域。在图示的例子中，树脂第四区域364位于树脂正面31与树脂第二侧面33的交界，且位于x方向大致中央。在z方向上看时，一对树脂第五区域365是树脂正面31中的与一对绝缘层第四区域164重叠的区域。在图示的例子中，树脂第五区域365位于树脂正面31与树脂第一侧面32的交界，且位于y方向大致中央。

如图4～图9所示，绝缘层第一区域161与树脂第一区域361的在z方向上的距离即第一距离D1，比绝缘层第二区域162与树脂第二区域362的在z方向上的距离即第二距离D2大。绝缘层第三区域163与树脂第四区域364的距离即第三距离D3比第一距离D1小，且比第二距离D2大。绝缘层第四区域164与树脂第五区域365的距离即第四距离D4比第一距离D1小，且比第二距离D2大。

如图4～图9所示，在本实施方式中，树脂第一区域361位于比树脂第二区域362靠z方向一侧(z方向上侧)。另外，树脂第一区域361和树脂第二区域362位于比树脂第三区域363靠z方向一侧(z方向上侧)。由此，图4所示的树脂正面31的截面形状(线形状)是向z方向另一侧(z方向下侧)缓缓地凹陷的曲线。

另外，树脂第一区域361和树脂第二区域362位于比树脂第四区域364靠z方向一侧(z方向上侧)。由此，如图6所示，树脂第二侧面33的上端缘是向z方向另一侧(z方向下侧)缓缓地凹陷的曲线。

另外，树脂第一区域361和树脂第二区域362位于比树脂第五区域365靠z方向一侧(z方向上侧)。由此，如图8所示，树脂第一侧面32的上端缘是向z方向另一侧(z方向下侧)缓缓地凹陷的曲线。

这样，本实施方式的树脂正面31为四个树脂第一区域361位于最靠z方向一侧，且树脂第三区域363、一对树脂第四区域364和一对树脂第五区域365相对于四个树脂第一区域361位于z方向另一侧的曲面。另外，四个树脂第二区域362在z方向上位于四个树脂第一区域361与树脂第三区域363、一对树脂第四区域364和一对树脂第五区域365之间。

接着，参照图11～图19对半导体发光器件A1的制造方法之一例进行说明。

首先，准备图11和图12所示的衬底材料110。衬底材料110是成为多个基材11的材料，与多个基材11在x方向和y方向上配置为矩阵状的结构大致等同。在衬底材料110中形成有多个贯通孔1150。贯通孔1150是通过切割衬底材料110而成为基材第三侧面115的部位。

在衬底材料110中形成有导体层120和绝缘层130。导体层120具有要成为上述的导体层12的各部的部位。绝缘层130具有要成为上述的绝缘层13的各部的部位。导体层120例如通过镀覆而形成。绝缘层130通过将例如片状(膜状)的阻焊剂压接于衬底材料110而形成。

如图12所示，绝缘层130的绝缘层第一部131堵塞贯通孔1150。通过上述的压接，绝缘层第二部132成为比绝缘层第一部131薄的部位。绝缘层第一部131是厚度大致恒定的、沿着xy平面的平板形状。

接着，如图13和图14所示，接合(键合)多个半导体发光元件2。该接合通过利用接合材料25将半导体发光元件2的元件主体21与导体层120的正面第二部1212接合来进行。另外，通过引线28和引线29，将元件主体21的第一电极22和第二电极23与一对正面第三部1213连接。

接下来，如图14所示，设置模具71。模具71是用于在与衬底材料110的基材正面111之间构成用于树脂成型的空腔的模具。

接下来，如图15所示，在模具71的空腔内填充树脂材料。这时，通过比较高温的树脂材料使绝缘层130受热软化。然后，树脂材料的填充压作用于软化了的绝缘层130。由此，绝缘层130的绝缘层第一部131以向z方向另一侧(z方向下侧)膨出的方式变形。由此，绝缘层第一部131与模具71远离。在该图中，绝缘层第一部131中的与模具71最远离的部位和模具71的在z方向上的距离即距离D0比上述的第二距离D2大。另外，在图示的例子中，绝缘层第一部131变形成上表面的一部分位于比基材正面111靠z方向另一侧的程度。树脂材料进行固化，由此形成树脂材料30。

当树脂材料的填充结束时，如图16和图17所示，去掉模具71。图17对应于紧接着去掉模具71之后的状态。在该状态下，树脂材料30和绝缘层130相对于常温等环境温度为相对较高的温度。树脂材料30的树脂正面31继承模具71的形状，为沿着xy平面扩展的平坦面。

从该状态开始，随着树脂材料30和绝缘层130冷却，绝缘层130的硬度开始恢复。通过该再固化，变成了向z方向另一侧膨出的形状的绝缘层第一部131呈现恢复为沿着xy平面的平坦形状的动作。由此，在z方向上看时，树脂材料30中的与绝缘层第一部131重叠的部位及其周边部位被推到z方向一侧(上侧)。该结果是，在z方向上看时，树脂材料30的树脂正面31的与绝缘层第一部131(基材第三侧面1151)重叠的部位比周边部位向z方向一侧膨出，成为曲面形状。

此后，例如沿着图中的切割线Cx和切割线Cy，将衬底材料110、导体层120、绝缘层130和树脂材料30切割。由此，得到多个半导体发光器件A1。

接着，对半导体发光器件A1的作用进行说明。

根据本实施方式，如图4～图9所示，成为第一距离D1比第二距离D2大的结构。这种半导体发光器件的发光试验的结果是，当具有第一距离D1的部分相对于半导体发光元件2位于比第二距离D2远的位置时，就会出现半导体发光器件A1的在z向看的中央部分与端部分的光L的色调更加均匀化这样的现象。因此，根据半导体发光器件A1，能够抑制色调不均。

树脂部3含有荧光材料，可使来自半导体发光元件2的光扩散并且透过。在z方向上看时，树脂部3中的第一距离D1的部分相对于半导体发光元件2而言配置于端侧。从半导体发光元件2向该部分行进的光以相对于z方向较大地倾斜或以相对于z方向接近垂直的角度行进。通过在树脂部3的端侧设有第一距离D1的部分，能够期待使这样的光扩散去向z方向一侧的效果。这在半导体发光器件A1的高亮度化方面优选。

在本实施方式中，树脂第一区域361位于比树脂第三区域363靠z方向一侧。由此，树脂正面31成为半导体发光元件2所位于的靠中央部分比设有基材第三侧面115的部分凹陷的形状。由此，如图4和图5所示，能够使从树脂部3出射的光L通过树脂正面31而折射，提高向z方向一侧的指向性。

图20表示半导体发光器件A1的使用例。在本例中，为半导体发光器件A1向电路板等的搭载作准备，使用收纳体8，来运送或保管多个半导体发光器件A1。收纳体8具有壳体81和片82。壳体81具有多个凹部811。凹部811形成为能够收纳半导体发光器件A1的大小和形状。片82可剥离地安装于壳体81，封闭多个凹部811。

在通过收纳体8来运送或保管多个半导体发光器件A1的情况下，如图中最左侧例示的半导体发光器件A1那样，成为与凹部811的底部接触的状态，或者如图中中央例示的半导体发光器件A1那样，成为接近片82的状态。假如树脂部3的树脂正面31为平坦形状，则在接近片82时，树脂正面31就有可能与片82紧贴。在取出半导体发光器件A1时，如图中最右侧例示的半导体发光器件A1那样，片82被剥离，凹部811被开封。这时，当半导体发光器件A1贴在片82上时，就难以适当地进行半导体发光器件A1的取出。特别是在通过装置等自动地取出半导体发光器件A1的情况下，会成为工作错误的原因。

根据本实施方式，树脂部3的树脂正面31是树脂第一区域361相对于树脂第三区域363位于上方的形状。另外，如图6和图8所示，树脂部3的树脂正面31是树脂第四区域364和树脂第五区域365相对于树脂第一区域361位于下方的形状。因此，在树脂第三区域363、一对树脂第四区域364和一对树脂第五区域365与片82之间形成空间。因为该空间而不会形成密闭结构，所以能够避免树脂正面31与片82紧贴。因此，能够适当地进行半导体发光器件A1的取出。

在本实施方式中，在z方向上看的四个角部设有基材第三侧面115，且在对应的四个角部设有树脂第一区域361。这样的结构在抑制色调不均和适当取出方面优选。

树脂部3的一对树脂第一侧面32和一对树脂第二侧面33与基材11的一对基材第一侧面113和一对基材第二侧面114成同一平面。即，在z方向上看时，树脂部3为与基材11全部重叠的结构。由此，能够增大树脂部3的体积，能够相对于基材11的大小设置更大尺寸的半导体发光元件2。在本实施方式中，在半导体发光元件2连接有引线28和引线29。能够通过树脂部3适当地覆盖在x方向上彼此向相反侧延伸的引线28和引线29，并且能够实现半导体发光器件A1的小型化。

如图5所示，通过绝缘层第一区域161位于比基材正面111更靠z方向另一侧，能够更大地确保第一距离D1，并且能够抑制半导体发光器件A1的z方向尺寸过大。

绝缘层第一部131是没有被基材11支承的部分。绝缘层第一部131的厚度比绝缘层第二部132的厚度厚。因此，即使没有被基材11支承，在半导体发光器件A1的制造过程等中，也能够防止绝缘层第一部131被误损坏。另外，通过绝缘层第二部132的厚度较薄，能够缩小半导体发光器件A1的z方向尺寸，并且能够使光L从半导体发光元件2越过绝缘层第二区域162和树脂第二区域362而射向绝缘层第一区域161和树脂第一区域361。

绝缘层13具有绝缘层第三部133。绝缘层第三部133与基材11的基材正面111直接接合。通常，由树脂等构成的绝缘层13相比于由金属构成的导体层12与由树脂等绝缘性材料构成的基材11的接合强度更高。因此，通过绝缘层第三部133，能够抑制绝缘层13与基材11剥离。

绝缘层第六面146是越向基材11的基材正面111去而越向内方绕进的形状的曲面。因此，树脂部3的一部分进入绝缘层第六面146与基材正面111之间。由此，能够抑制树脂部3脱离基材11的基材正面111的动作。特别是因为绝缘层第三部133是与基材11接合的接合强度较高的部位，所以适合抑制树脂部3的脱离。

绝缘层第八面148是越向基材第三侧面115去越位于z方向一侧的曲面。由此，能够使基材第三侧面115的更大的区域从绝缘层13露出。由此，在将半导体发光器件A1安装于电路板等时，使焊料不仅附着于背面第一部1221，还能够使其附着于基材第三侧面115的更大的区域，能够提高安装强度。

正面第一部1211的厚度比绝缘层第二部132的厚度薄。由此，能够缩小半导体发光器件A1的z方向尺寸。另外，当绝缘层第二部132太薄时，就有可能无意间使正面第一部1211露出。根据本实施方式，能够避免这种状况。

根据图11～图19所示的制造方法，使用具有平坦形状的模具71，能够形成具有树脂第一区域361、树脂第二区域362、树脂第三区域363、树脂第四区域364和树脂第五区域365的曲面的树脂正面31。因此，不需要准备与树脂正面31相对应的曲面形状的模具71。另外，不需要进行用于将树脂正面31形成为曲面的机械加工等。这适合于提高半导体发光器件A1的制造效率。此外，也可以与本实施方式不同地，通过机械加工等将树脂正面31加工成曲面。另外，在以图17所示的状态固化了的情况下，与本实施方式不同，树脂正面31成为平坦形状。即使是这样的结构，也能够通过第一距离D1比第二距离D2大，能够期待抑制色调不均的效果。

图21～图28表示本发明的变形例和其他实施方式。此外，在这些图中，对于与上述实施方式相同或类似的要素标注了与上述实施方式相同的附图标记。

＜第一实施方式第一变形例＞

图21表示半导体发光器件A1的第一变形例。本变形例的半导体发光器件A11与上述的例子不同在于绝缘层第一区域161的在z方向的相对位置方面。

在本变形例中，绝缘层第一区域161位于比基材11的基材正面111靠z方向一侧，在z方向上，位于基材正面111与正面第一部1211的导体层第一面124之间。另外，与此相对应，本例的树脂第一区域361比上述例子进一步向z方向一侧远离基材正面111。

根据本变形例，除上述例子的效果以外，还具有如下效果，即，能够使树脂第一区域361相对于树脂第三区域363位于更靠z方向一侧，并且能够抑制半导体发光器件A1的z方向尺寸变得过大。

＜第一实施方式第二变形例＞

图22表示半导体发光器件A1的第二变形例。本变形例的半导体发光器件A12与上述例子不同在于绝缘层第一区域161的在z方向的相对位置方面。

在本变形例中，绝缘层第一区域161位于比正面第一部1211的导体层第一面124靠z方向一侧。另外，绝缘层第一区域161在z方向上位于导体层第一面124与绝缘层第二区域162之间。另外，与此相对应，本例的树脂第一区域361比上述例更向z方向一侧远离基材正面111。

根据本变形例，除上述例子的效果以外，还具有如下效果，即，能够使树脂第一区域361相对于树脂第三区域363位于更靠z方向一侧，在提高光L的指向性方面优选。

＜第一实施方式第三变形例＞

图23表示半导体发光器件A1的第三变形例。本变形例的半导体发光器件A13与上述例子不同在于绝缘层第一区域161的在z方向的相对位置方面。

在本变形例中，绝缘层第一区域161位于比绝缘层第二区域162靠z方向一侧。另外，与此相对应，本例的树脂第一区域361比上述例子更向z方向一侧远离基材正面111。

根据本变形例，除上述例子的效果以外，还具有如下效果，即，能够使树脂第一区域361相对于树脂第三区域363位于更靠z方向一侧，适合提高光L的指向性。

＜第一实施方式第四变形例＞

图24表示半导体发光器件A1的第四变形例。本变形例的半导体发光器件A14与上述例子不同在于绝缘层13的结构方面。

在本变形例中，在绝缘层13没有设置上述例子的连结部135。因此，位于y方向两侧的两个绝缘层第三部133没有被连结，而是彼此隔开间隔。

通过本变形例，也能够实现与上述例子的效果同样的效果。

＜第二实施方式＞

图25和图26表示本发明的第二实施方式的半导体发光器件。本实施方式的半导体发光器件A2与上述的实施方式不同主要在于基材第三侧面115的个数、位置和形状方面。在图25中，为方便理解，省略了树脂部3。

在本实施方式中，基材第三侧面115的个数为2。即，一对基材第三侧面115以在x方向上彼此隔开间隔的方式设置。基材第三侧面115形成于基材11的y方向大致中央。基材第三侧面115的在z向上看的形状为大致半圆形。

与基材第三侧面115的位置和形状相对应，绝缘层13的绝缘层第一部131和绝缘层第二部132位于基材11的y方向大致中央。另外，绝缘层第一部131的在z方向上看的形状为大致半圆形，绝缘层第二部132的在z方向上看的形状为大致半圆环形。

一对绝缘层第一区域161位于衬底1的x方向两端，且位于y方向大致中央。在z方向上看时，绝缘层第二区域162为半圆形状。

半导体发光元件2的第一电极22和第二电极23分开设置于元件主体21的z方向上下面。第一电极22通过导电性的接合材料25与正面部121接合。在第二电极23连接有引线29。

本实施方式的第一距离D1、第二距离D2、第三距离D3和第四距离D4的大小关系与半导体发光器件A1相同。另外，一对树脂第一区域361、一对树脂第二区域362和树脂第三区域363的在z方向的相对位置与半导体发光器件A1相同。

根据本实施方式，也能够抑制色调不均。另外，由本实施方式可知，基材11的基材第三侧面115的位置和个数没有特别限定。

＜第三实施方式＞

图27和图28表示本发明的第三实施方式的半导体发光器件。在z方向上看时，本实施方式的半导体发光器件A3构成为树脂部3不与基材第三侧面115重叠的结构。在图27中，为方便理解，用假想线表示树脂部3。

本实施方式的基材11是与半导体发光器件A1的基材11大致相同的结构。树脂部3的一对树脂第一侧面32相对于基材11的一对基材第一侧面113和四个基材第三侧面115位于x方向内方。一对树脂第一侧面32以彼此的距离越向z方向一侧去越小的方式相对于z方向倾斜。一对树脂第二侧面33与基材11的一对基材第二侧面114成同一平面。

半导体发光元件2例如是与半导体发光器件A2同样的结构。正面第二部1212与一个正面第一部1211通过连结部1215连结。连结部1214将相邻的正面第一部1211彼此连结。正面第三部1213通过连结部1215与一个正面第一部1211连结。

在本实施方式中，衬底1具有一对绝缘层第七区域167和绝缘层第八区域168。一对绝缘层第七区域167是基材正面111中的接触树脂部3的一对树脂第一侧面32的区域，且是在y方向长较长地延伸的线状区域。绝缘层第八区域168在x方向上位于一对绝缘层第七区域167之间，是在y方向长较长地延伸的线状区域。在图示的例子中，绝缘层第八区域168位于A3的x方向大致中央。

树脂部3具有一对树脂第七区域367和树脂第八区域368。一对树脂第七区域367是包含树脂正面31与一对树脂第一侧面32的交界的区域，且是在y方向长较长地延伸的线状区域。在z方向上看时，树脂第八区域368是与绝缘层第八区域168重叠的区域，且是在y方向长较长地延伸的线状区域。在本实施方式中，绝缘层第七区域167与树脂第七区域367的在z方向的距离即第七距离D7，比绝缘层第八区域168与树脂第八区域368的在z方向的距离即第八距离D8大。另外，一对树脂第七区域367位于比树脂第八区域368靠z方向一侧。树脂部3的垂直于y方向的截面形状是一定的。即，树脂正面31是在y方向上延伸的比较浅的槽曲面。

根据本实施方式，通过树脂正面31为槽曲面形状，在参照图20进行了说明的使用例中，可避免半导体发光器件A3与片82紧贴，能够适当地取出半导体发光器件A3。

本发明的半导体发光器件不局限于上述的实施方式。本发明的半导体发光器件的各部的具体结构是能够自由地进行各种设计变更的。

〔附注A1〕

一种半导体发光器件，其包括：

衬底，其包括：具有朝向厚度方向一侧的基材正面和朝向上述厚度方向另一侧的基材背面的绝缘性基材、形成于上述基材的导体层、以及覆盖上述导体层的一部分的绝缘层；

搭载于上述衬底的上述基材正面侧的半导体发光元件；和

覆盖上述半导体发光元件的树脂部，其能够使来自上述半导体发光元件的光透过，

上述衬底的上述基材具有：一对基材第一侧面，其分别连接上述基材正面与上述基材背面，且在第一方向上隔开间隔；和在上述厚度方向上看时比上述基材第一侧面向上述半导体发光元件侧凹进的一对基材第三侧面，该一对基材第三侧面分别连接上述基材正面与上述基材背面，

上述导体层具有形成于上述基材正面的正面部和形成于上述基材第三侧面的侧面部，

上述正面部具有在上述半导体发光元件侧与上述基材第三侧面邻接、并且与上述侧面部相连的正面第一部，

上述绝缘层具有：在上述厚度方向上看时相对于上述基材第三侧面位于与上述半导体发光元件相反侧的绝缘层第一部；在上述厚度方向上看时与上述导体层的上述正面第一部重叠的绝缘层第二部，

上述树脂部覆盖上述绝缘层的上述绝缘层第一部和上述绝缘层第二部，

上述绝缘层第一部中与上述树脂部相接触的绝缘层第一面中所包含的绝缘层第一区域、与上述树脂部的树脂正面中在上述厚度方向上看时与上述绝缘层第一区域重叠的树脂第一区域之间的距离即第一距离，比上述绝缘层第二部中与上述树脂部相接触的绝缘层第二面中所包含的绝缘层第二区域、与上述树脂部的上述树脂正面中在上述厚度方向上看时与上述绝缘层第二区域重叠的树脂第二区域之间的距离即第二距离大。

〔附注A2〕

如附注A1所述的半导体发光器件，其中，

在上述厚度方向上看时，上述树脂部的上述树脂正面具有与上述半导体发光元件重叠的树脂第三区域，

上述树脂第一区域在上述厚度方向上位于比上述树脂第三区域靠上述厚度方向一侧。

〔附注A3〕

如附注A2所述的半导体发光器件，其中，

上述树脂第一区域在上述厚度方向上位于比上述树脂第二区域靠上述厚度方向一侧。

〔附注A4〕

如附注A1～A3中任一项所述的半导体发光器件，其中，

上述衬底的上述基材具有：一对基材第二侧面和四个上述基材第三侧面，上述一对基材第二侧面分别连接上述基材正面与上述基材背面、且在垂直于第一方向和上述厚度方向的第二方向上隔开间隔，

上述基材第三侧面存在于上述基材第一侧面与上述基材第二侧面之间。

〔附注A5〕

如附注A4所述的半导体发光器件，其中，

上述树脂部具有：与上述一对基材第一侧面成同一平面的一对树脂第一侧面；和与上述一对基材第二侧面成同一平面的一对树脂第二侧面。

〔附注A6〕

如附注A5所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层具有：与上述基材第一侧面成同一平面的绝缘层第一侧面；和与上述基材第二侧面成同一平面的绝缘层第二侧面。

〔附注A7〕

如附注A6所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层第一区域是上述绝缘层第一侧面、上述绝缘层第二侧面和上述绝缘层第一面相交的区域，

在上述厚度方向上看时，上述绝缘层第二区域与上述基材第三侧面重叠。

〔附注A8〕

如附注A7所述的半导体发光器件，其中，

上述树脂部的上述树脂正面在与上述树脂第二侧面的交界且在上述第一方向上具有与上述半导体发光元件重叠的树脂第四区域，

上述树脂第一区域在上述厚度方向上位于比上述树脂第四区域靠上述厚度方向一侧。

〔附注A9〕

如附注A7或A8所述的半导体发光器件，其中，

上述树脂部的上述树脂正面在与上述树脂第一侧面的交界且在上述第二方向上具有与上述半导体发光元件重叠的树脂第五区域，

上述树脂第一区域在上述厚度方向上位于比上述树脂第五区域靠上述厚度方向一侧。

〔附注A10〕

如附注A7～A9中任一项所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层第一区域位于比上述绝缘层第二区域靠上述厚度方向另一侧。

〔附注A11〕

如附注A10所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层第一区域位于比上述基材正面靠上述厚度方向另一侧。

〔附注A12〕

如附注A10所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层第一区域在上述厚度方向上位于上述基材正面与上述正面第一部的导体层第一面之间。

〔附注A13〕

如附注A10所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层第一区域位于比上述基材正面和上述正面第一部的导体层第一面靠上述厚度方向一侧。

〔附注A14〕

如附注A7～A9中任一项所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层第一区域位于比上述绝缘层第二区域靠上述厚度方向一侧。

〔附注A15〕

如附注A1～A14中任一项所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层具有与上述绝缘层第二部邻接且与上述基材正面相接触的绝缘层第三部。

〔附注A16〕

如附注A15所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层第三部的厚度比上述绝缘层第二部的厚度厚。

〔附注A17〕

如附注A16所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层第二部的厚度比上述导体层的上述正面部的上述正面第一部的厚度厚。

＜第四实施方式＞

图29～图38表示本发明的第四实施方式的半导体发光器件。本实施方式的半导体发光器件A4包括衬底1、半导体发光元件2和树脂部3。在这些图中，x方向对应于第一方向，y方向对应于第二方向，z方向对应于厚度方向。x方向、y方向和z方向彼此垂直。半导体发光器件A4的形状和大小没有特别限定，在本实施方式中，x方向尺寸设为0.7～2.5mm程度，y方向尺寸设为0.4～1.0mm程度，z方向尺寸设为0.15～0.3mm程度，在z方向上看时为矩形形状。

图29是表示半导体发光器件A4的俯视图。图30是表示半导体发光器件A4的主要部分俯视图。图31是表示半导体发光器件A4的仰视图。图32是沿着图29的IV－IV线的截面图。图33是表示半导体发光器件A4的主要部分放大截面图。图34是表示半导体发光器件A4的主视图。图35是表示半导体发光器件A4的主要部分放大主视图。图36是表示半导体发光器件A4的侧视图。图37是表示半导体发光器件A4的主要部分放大侧视图。图38是表示半导体发光器件A4的衬底1的主要部分俯视图。由图29的IV－IV线可以理解，图32的图中横向虽然大致沿着x方向，但包含不与x方向严格一致的部分。这在图33中也同样。

衬底1支承半导体发光元件2，并且构成与半导体发光元件2的导通路径。衬底1具有基材11、导体层12和绝缘层13。

基材11是成为衬底1的基底的部位，例如由玻璃环氧树脂等绝缘材料构成。基材11具有：基材正面111、基材背面112、一对基材第一侧面113、一对基材第二侧面114和多个基材第三侧面115。

基材正面111是朝向z方向一侧的面。基材背面112是在z方向上朝向与基材正面111相反侧的另一侧的面。在图示的例子中，基材正面111为平坦面。

一对基材第一侧面113在x方向上彼此隔开间隔，相对于x方向垂直。基材第一侧面113连接基材正面111和基材背面112。在图示的例子中，基材背面112为平坦面。

一对基材第二侧面114在y方向上彼此隔开间隔，相对于y方向垂直。基材第二侧面114连接基材正面111和基材背面112。

基材第三侧面115连接基材正面111和基材背面112，在z方向上看时，是比基材第一侧面113更向内方凹进的面。在本实施方式中，基材第三侧面115相对于基材第一侧面113向x方向内方凹进。另外，在本实施方式中，基材第三侧面115存在于相邻的基材第一侧面113与基材第二侧面114之间。另外，在z方向上看时，基材第三侧面115是比基材第二侧面114更向内方凹进的面，在本实施方式中，相对于基材第二侧面114向y方向内方凹进。在本实施方式中，多个基材第三侧面115的个数为4。四个基材第三侧面115包含一对基材第三侧面115。在z方向上看时，基材第三侧面115为大致四分之一圆形状。

导体层12是构成与半导体发光元件2的导通路径的层，形成于基材11。导体层12例如包括通过镀覆而形成的Cu层等。另外，在导体层12中的从绝缘层13露出的部位，也可以设置例如通过镀覆而形成的Au层。导体层12具有正面部121、背面部122和四个侧面部123。

正面部121是形成于基材11的基材正面111的部位。在本实施方式中，正面部121具有：四个正面第一部1211、正面第二部1212、一对正面第三部1213、多个连结部1214和连结部1215。此外，为方便起见，图38的双点划线(假想线)表示四个正面第一部1211、正面第二部1212、一对正面第三部1213、多个连结部1214和连结部1215的交界。

正面第一部1211是与基材11的基材第三侧面115邻接地设置的部位，在本实施方式中，在z方向上看时，为大致四分之一圆环形状。另外，正面第一部1211到达基材第一侧面113和基材第二侧面114两者。在本实施方式中，与四个基材第三侧面115相对应地形成有四个正面第一部1211。

正面第二部1212设置于基材正面111的大致中央，是用于搭载半导体发光元件2的部位。此外，在将半导体发光元件2直接搭载于基材11的情况下，正面部121也可以为不具有正面第二部1212的结构。在图示的例子中，在z方向上看时，正面第二部1212为大致矩形形状。

一对正面第三部1213以隔着正面第二部1212在x方向上隔开间隔的方式配置。正面第三部1213是用于使正面部121与半导体发光元件2导通的部位。在图示的例子中，正面第三部1213为大致矩形形状。另外，在图示的例子中，正面第三部1213与基材11的基材第一侧面113隔开间隔。

多个连结部1214是连结相邻的正面第一部1211和正面第三部1213的部位。在图示的例子中，多个连结部1214的个数为4，分别是在y方向上延伸的带状。另外，在图示的例子中，连结部1214与基材11的基材第一侧面113隔开间隔。

连结部1215连结正面第二部1212与连结部1214。在图示的例子中，连结部1215在x方向上较长地延伸。在图示的例子中，连结部1215与基材11的基材第二侧面114隔开间隔。

背面部122是形成于基材11的基材背面112的部位。在本实施方式中，背面部122具有四个背面第一部1221和一对背面第二部1222。此外，为方便起见，图31的双点划线(假想线)表示四个背面第一部1221和一对背面第二部1222的交界。

背面第一部1221是与基材11的基材第三侧面115邻接地设置的部位，在本实施方式中，在z方向上看时，为大致四分之一圆环形状。另外，背面第一部1221到达基材第一侧面113和基材第二侧面114两者。在本实施方式中，与四个基材第三侧面115相对应地形成有四个背面第一部1221。

一对背面第二部1222以在x方向上彼此隔开间隔的方式设置。背面第二部1222与在y方向上相邻的背面第一部1221相连。一对背面第二部1222例如在将半导体发光器件A4安装于电路板(图示略)等时作为电极来使用。

四个侧面部123形成于四个基材第三侧面115，分别覆盖四个基材第三侧面115。在本实施方式中，侧面部123覆盖基材第三侧面115的大致整体。另外，侧面部123与正面部121的正面第一部1211和背面部122的背面第一部1221相连。

绝缘层13是由绝缘性材料构成的层，覆盖导体层12的一部分，使其余部分露出。绝缘层13的材质等没有特别限定。在本实施方式中，绝缘层13具有第一绝缘层13A和第二绝缘层13B。此外，绝缘层13也可以还包括第一绝缘层13A和第二绝缘层13B以外的其他层，从而由三层以上构成。

第一绝缘层13A与基材11的基材正面111相接触。作为第一绝缘层13A的形成例，例如可以举例将片状(膜状)的阻焊剂压接于基材11的例子。

第二绝缘层13B相对于第一绝缘层13A层叠于z方向一侧。在图示的例子中，第二绝缘层13B与第一绝缘层13A相接触。也可以为在第一绝缘层13A与第二绝缘层13B之间还存在有其他层的结构。第二绝缘层13B例如通过将阻焊剂的树脂材料涂敷于第一绝缘层13A，然后使其固化来形成。

在图示的例子中，如图33所示，第一绝缘层13A的厚度ta比第二绝缘层13B的厚度tb厚。

第一绝缘层13A具有一对绝缘层第一侧面171和二对绝缘层第二侧面172。一对绝缘层第一侧面171在x方向上彼此隔开间隔，且垂直于x方向。一对绝缘层第一侧面171与基材11的一对基材第一侧面113成同一平面。二对绝缘层第二侧面172在y方向上彼此隔开间隔，且垂直于y方向。二对绝缘层第二侧面172与基材11的一对基材第二侧面114成同一平面。

第二绝缘层13B具有二对绝缘层第三侧面191和二对绝缘层第四侧面192。二对绝缘层第三侧面191在x方向上彼此隔开间隔，且垂直于x方向。二对绝缘层第三侧面191与第一绝缘层13A的一对绝缘层第一侧面171和基材11的一对基材第一侧面113成同一平面。二对绝缘层第四侧面192在y方向上彼此隔开间隔，且垂直于y方向。二对绝缘层第四侧面192与第一绝缘层13A的二对绝缘层第二侧面172和基材11的一对基材第二侧面114成同一平面。

如图30和图33所示，在本实施方式中，在z方向上看时，第二绝缘层13B的端缘199位于基材11的基材第三侧面115与导体层12的正面部121的正面第一部1211的端缘1219之间。即，在z方向上看时，端缘199与正面部121重叠，与基材正面111中的从正面部121露出的部分不重叠。

在本实施方式中，绝缘层13具有：四个绝缘层第一部131、四个绝缘层第二部132、多个绝缘层第三部133、多个绝缘层第四部134和一对连结部135。此外，为方便起见，图30、图33、图35和图37的双点划线(假想线)表示出四个绝缘层第一部131、四个绝缘层第二部132、多个绝缘层第三部133和一对连结部135的交界。

此外，在本实施方式中，在基材11的基材背面112设有背面绝缘层137。背面绝缘层137设置于一对背面第二部1222之间，例如是为辨认半导体发光器件A4的极性而设置。背面绝缘层137可以用与绝缘层13同样的方法来形成，也可以用不同的方法来形成。

四个绝缘层第一部131与四个基材第三侧面115对应地设置。在z方向上看时，绝缘层第一部131相对于基材第三侧面115位于外方。在图示的例子中，在z方向上看时，绝缘层第一部131为四分之一圆形状。在本实施方式中，绝缘层第一部131由第一绝缘层13A和第二绝缘层13B的各一部分构成。

四个绝缘层第二部132与四个基材第三侧面115对应地设置。绝缘层第二部132形成于导体层12的正面部121的正面第一部1211，在z方向上看时，是与正面第一部1211重叠的部位。另外，在本实施方式中，绝缘层第二部132由第一绝缘层13A和第二绝缘层13B的各一部分构成。在图示的例子中，在z方向上看时，绝缘层第二部132为四分之一圆环形状。绝缘层第一部131的厚度即第一厚度t1比绝缘层第二部132的厚度即第二厚度t2厚。另外，绝缘层第二部132的第二厚度t2比导体层12的正面第一部1211的厚度厚。

绝缘层第三部133与正面第一部1211邻接，与基材11的基材正面111相接触。换句话说，在绝缘层第三部133与基材11的基材正面111之间不存在导体层12。在本实施方式中，绝缘层第三部133仅由第一绝缘层13A的一部分构成。

绝缘层第四部134是在正面部121(正面第一部1211)上存在于绝缘层第二部132与绝缘层第三部133之间的部位。绝缘层第四部134仅由第一绝缘层13A的一部分构成。绝缘层第四部134的厚度即第四厚度t4比绝缘层第二部132的第二厚度t2薄。另外，绝缘层第四部134的第四厚度t4比绝缘层第三部133的厚度即第三厚度t3薄。

连结部135将在y方向上相邻的绝缘层第三部133彼此连结。在图示的例子中，连结部135是在y方向上延伸的带状。另外，在图示的例子中，连结部135到达基材11的基材第一侧面113。在图示的例子中，连结部135仅由第一绝缘层13A的一部分构成。

如图33、图35和图37所示，绝缘层13具有：绝缘层第一面141、绝缘层第二面142、绝缘层第三面143、绝缘层第四面144、绝缘层第五面145、绝缘层第六面146、绝缘层第七面147、绝缘层第八面148和绝缘层第九面149。

绝缘层第一面141是绝缘层第一部131中位于z方向一侧(图中上侧)的面。在图示的例子中，绝缘层第一面141是大致沿着xy平面的平坦面。绝缘层第二面142是绝缘层第二部132中位于z方向一侧(图中上侧)的面。在图示的例子中，绝缘层第二面142是沿着xy平面的大致平坦面。

绝缘层第三面143是绝缘层第三部133和绝缘层第四部134中位于z方向一侧的面。在图示的例子中，在z方向上看时，绝缘层第三面143是以越远离绝缘层第二面142越位于z方向另一侧的方式缓缓地弯曲的曲面。绝缘层第五面145是绝缘层第三部133中在垂直于z方向的方向上朝向远离绝缘层第二部132一侧的面，是沿着z方向的面。绝缘层第四面144存在于绝缘层第三面143与绝缘层第五面145之间，由凸曲面构成。绝缘层第六面146存在于绝缘层第五面145与基材正面111之间，与基材正面111向接触。绝缘层第五面145由向斜下方凸的凸曲面构成。在z方向上看时，绝缘层第五面145与基材正面111的交界位于比绝缘层第五面145靠基材第三侧面115侧。

绝缘层第七面147和绝缘层第八面148是绝缘层第一部131中位于z方向另一侧(图中下侧)的面。在z方向上看时，绝缘层第七面147远离基材第三侧面115，与绝缘层第一侧面171和绝缘层第二侧面172的交界相接触。在图示的例子中，绝缘层第一侧面171位于比基材正面111靠z方向另一侧，且位于比基材背面112靠z方向一侧。绝缘层第七面147是大致沿着xy平面的平坦面。绝缘层第八面148存在于绝缘层第七面147与基材第三侧面115之间。在图示的例子中，绝缘层第七面147相对于绝缘层第八面148位于z方向另一侧。另外，绝缘层第八面148是缓缓地弯曲的凸曲面。绝缘层第八面148与基材第三侧面115的交界比绝缘层第七面147与绝缘层第八面148的交界靠z方向一侧。

如图37所示，绝缘层第九面149是连结部135中的位于z方向一侧(图中上侧)的面。绝缘层第九面149与绝缘层第三面143相连。绝缘层第九面149相比于绝缘层第三面143是沿着xy平面的平坦面。

如图33、图35和图37所示，对应于基材正面111与绝缘层第一面141的在z方向的距离的第五厚度t5，比绝缘层第二部132的第二厚度t2和绝缘层第三部133的第三厚度t3以及绝缘层第四部134的第四厚度t4厚。

半导体发光元件2是半导体发光器件A4的光源，在本实施方式中，具有：元件主体21、第一电极22和第二电极23。元件主体21例如具有由InGan类半导体等构成的半导体层。第一电极22例如为阴极，第二电极23例如为阳极。

在本实施方式中，半导体发光元件2通过例如接合材料25与导体层12的正面部121的正面第二部1212接合。接合材料25例如为Ag膏或焊料。

第一电极22通过引线28与一个正面第三部1213连接。引线28例如由Au构成，具有第一接合部281和第二接合部282。第一接合部281是引线28中的与正面第三部1213接合的部位。第二接合部282是引线28中的与第一电极22接合的部位。

第二电极23通过引线29与另一个正面第三部1213连接。引线29例如由Au构成，具有第一接合部291和第二接合部292。第一接合部291是引线29中与正面第三部1213接合的部位。第二接合部292是引线29中与第二电极23接合的部位。

树脂部3覆盖半导体发光元件2，由使来自半导体发光元件2的光透过的材质构成。在本实施方式中，树脂部3形成于衬底1的基材正面111侧(z方向一侧)，覆盖基材正面111、导体层12的正面部121和绝缘层13。

树脂部3的材质没有特别限定，只要是使来自半导体发光元件2的光透过的材质即可，例如能够适当选择透明的环氧树脂或硅树脂等。另外，在本实施方式中，树脂部3含有荧光材料。该荧光材料由来自半导体发光元件2的光激励，由此发出与来自半导体发光元件2的光不同的波长的光。例如，在半导体发光元件2发蓝色光的情况下，荧光材料发黄色光。由此，半导体发光器件A4例如发白色光。

如图29、图32～图37所示，在本实施方式中，树脂部3具有树脂正面31、一对树脂第一侧面32和一对树脂第二侧面33。

树脂正面31是朝向z方向一侧的面。在本实施方式中，树脂正面31是大致沿着xy平面的平坦面。一对树脂第一侧面32在x方向上彼此隔开间隔，在本实施方式中，是垂直于x方向的面。在图示的例子中，树脂第一侧面32与基材11的基材第一侧面113、第一绝缘层13A的绝缘层第一侧面171和第二绝缘层13B的绝缘层第三侧面191成同一平面。一对树脂第二侧面33在y方向上彼此隔开间隔，在本实施方式中，是垂直于y方向的面。在图示的例子中，树脂第二侧面33与基材11的基材第二侧面114、第一绝缘层13A的绝缘层第二侧面172和第二绝缘层13B的绝缘层第四侧面192成同一平面。

如图32～图37所示，在树脂正面31和树脂第一侧面32的交界的绝缘层第一面141与树脂正面31的在z方向的距离(树脂部3的厚度)即第一距离D1，与绝缘层第二面142和树脂正面31的在z方向的距离(树脂部3的厚度)即第二距离D2大致相同。另外，绝缘层第三面143和树脂正面31的在z方向的距离(树脂部3的厚度)即第三距离D3，比第一距离D1和第二距离D2大。基材正面111和树脂正面31的在z方向的距离(树脂部3的厚度)即第四距离D4，比第一距离D1、第二距离D2和第三距离D3大。

接着，参照图39～图44对半导体发光器件A4的制造方法之一例进行说明。

首先，准备图39和图40所示的衬底材料110。衬底材料110是成为多个基材11的材料，与多个基材11在x方向和y方向上配置为矩阵状的材料大致相同。在衬底材料110中形成有多个贯通孔1150。贯通孔1150是通过切割衬底材料110而成为基材第三侧面115的部位。

在衬底材料110形成有导体层120和第一绝缘层130A。导体层120具有要成为上述导体层12的各部的部位。第一绝缘层130A具有要成为上述第一绝缘层13A的各部的部位。导体层120例如通过镀覆而形成。第一绝缘层130A例如通过将片状(膜状)的阻焊剂压接于衬底材料110而形成。

如图40所示，第一绝缘层130A堵塞贯通孔1150。通过上述的压接，第一绝缘层130A成为正面第一部1211上的部分比堵塞贯通孔1150的部分薄的部位。第一绝缘层130A中堵塞贯通孔1150的部分是厚度大致恒定的、且沿着xy平面的平板形状。

接着，如图41和图42所示，形成第二绝缘层130B。第二绝缘层130B例如通过在第一绝缘层130A上涂敷阻焊剂的树脂材料，然后使其固化来进行。在本实施方式中，在z方向上看时，以具有内包于贯通孔1150的多个圆形要素的方式形成第二绝缘层130B。由此，形成成为上述的绝缘层第一部131、绝缘层第二部132、绝缘层第三部133和绝缘层第四部134的部位。

接着，将多个半导体发光元件2接合。该接合通过利用接合材料25将半导体发光元件2的元件主体21与导体层120的正面第二部1212接合来进行。另外，通过引线28和引线29，将元件主体21的第一电极22以及第二电极23与一对正面第三部1213连接。

接下来，设置模具71。模具71是用于在与衬底材料110的基材正面111之间构成用于树脂成型的空腔的模具。

接下来，如图43所示，向模具71的空腔内填充树脂材料。这时，堵塞基材第三侧面115的绝缘层第一部131因第一厚度t1比第二厚度t2厚而提高了刚性。因此，即使树脂材料的填充压发挥作用，绝缘层第一部131也维持平坦形状。然后，通过树脂材料进行固化，形成树脂材料30。

当树脂材料的填充结束了时，如图44所示，去掉模具71。其后，例如按照图中的沿y方向的切割线Cy和未图示的沿x方向的切割线，切割衬底材料110、导体层120、第一绝缘层130A、第二绝缘层130B和树脂材料30。由此，得到多个半导体发光器件A4。

接着，对半导体发光器件A4的作用进行说明。

根据本实施方式，如图32～图37所示，绝缘层第一部131的第一厚度t1比绝缘层第二部132的第二厚度t2厚。因此，可提高绝缘层第一部131的刚性。由此，例如在半导体发光器件A4的制造中，在图43所示的填充树脂材料时，能够抑制绝缘层第一部131向z方向另一侧挠曲或绝缘层第一部131损坏。因此，根据半导体发光器件A4，能够抑制树脂部3的形状不均(不一致)。该结果是，半导体发光器件A4可实现本实施方式的树脂部3具有平坦面的树脂正面31的结构。

本实施方式的绝缘层13由第一绝缘层13A和第二绝缘层13B构成。通过在第一绝缘层13A层叠第二绝缘层13B来形成绝缘层第一部131，由此能够容易且可靠地提高绝缘层第一部131的刚性。这在抑制树脂部3的形状不均(不一致)方面优选。

通过第一绝缘层13A的厚度比第二绝缘层13B厚，在第二绝缘层13B的制造时，能够避免无意间损坏第一绝缘层13A等。

另外，绝缘层第二部132包含第一绝缘层13A和第二绝缘层13B。由此，能够抑制绝缘层第二部132的刚性相对于绝缘层第一部131的刚性变得极低的状况。这在防止由于绝缘层第二部132损坏，而导致绝缘层第一部131向z方向另一侧脱落方面优选。

在z方向上看时，第二绝缘层13B的端缘199位于基材第三侧面115与正面第一部1211和端缘1219之间，在z方向上看时，成为没有从正面第一部1211突出的结构。由此，例如能够避免用于形成引线28的第一接合部281和引线29的第一接合部291的毛细管(Capillary)与第二绝缘层13B发生干扰。这在半导体发光器件A4的小型化方面优选。

绝缘层13具有绝缘层第三部133。绝缘层第三部133与基材11的基材正面111直接接合。通常，由树脂等构成的绝缘层13相比于由金属构成的导体层12与由树脂等绝缘性材料构成的基材11的接合强度较高。因此，通过绝缘层第三部133，能够抑制绝缘层13从基材11剥离。

绝缘层第六面146是越向基材11的基材正面111去越向内方绕进那样的形状的曲面。因此，树脂部3的一部分进入到绝缘层第六面146与基材正面111之间。由此，能够抑制树脂部3脱离基材11的基材正面111的动作。特别是因为绝缘层第三部133是与基材11接合的接合强度高的部位，所以适合于抑制树脂部3的脱离。

绝缘层第八面148是越向基材第三侧面115去越位于z方向一侧的曲面。由此，能够使基材第三侧面115的更大的区域从绝缘层13露出。由此，在将半导体发光器件A4安装于电路板等时，使焊料不仅附着于背面第一部1221，还能够使其附着于基材第三侧面115的更大的区域，能够提高安装强度。

树脂部3的一对树脂第一侧面32和一对树脂第二侧面33与基材11的一对基材第一侧面113和一对基材第二侧面114成同一平面。即，在z方向上看时，树脂部3为与基材11全部重叠的结构。由此，能够增大树脂部3的体积，能够相对于基材11的大小设置更大尺寸的半导体发光元件2。在本实施方式中，在半导体发光元件2连接有引线28和引线29。能够通过树脂部3适当地覆盖在x方向上彼此向相反侧延伸的引线28和引线29，并且能够实现半导体发光器件A4的小型化。

如图33所示，第五厚度t5与第二厚度t2和正面第一部1211的厚度的总和大致同程度。并且，第一厚度t1比第五厚度t5厚。这样的具有第一厚度t1的绝缘层第一部131能够充分提高刚性，且抑制树脂部3的形状不均方面是有利的。

正面第一部1211的厚度比绝缘层第二部132的第二厚度t2薄。由此，能够缩小半导体发光器件A4的z方向尺寸。另外，当绝缘层第二部132的第二厚度t2太薄时，有可能无意间使正面第一部1211露出。根据本实施方式，能够避免这种状况。

图45～图47表示本发明的其他实施方式。此外，在这些图中，对于与上述实施方式相同或类似的要素标注与上述实施方式相同的附图标记。

＜第五实施方式＞

图45表示本发明的第五实施方式的半导体发光器件。本实施方式的半导体发光器件A5与上述的实施方式不同在于绝缘层13的结构方面。

在本实施方式中，绝缘层13不具有明确地被区别开的多个层，整体由单一层构成。其中，绝缘层13在具有绝缘层第一部131和绝缘层第二部132、且第一厚度t1比第二厚度t2厚方面与上述的实施方式相同。另外，在图示的例子中，绝缘层13的各部的形状与上述的实施方式相同，但细节部分的结构可以与上述的实施方式不同。

这样的绝缘层13例如能够通过将预先形成了厚度不同的多个区域的片状(膜状)阻焊剂接合于基材11来形成。或者，也可以在以覆盖贯通孔1150的方式形成的绝缘层涂敷树脂材料，通过与绝缘层一体化，在完成后，形成为不具有明确地被区別开的多个层的、看上去是由单一层构成的结构。

通过本实施方式，也能够实现以抑制树脂部3的形状不均为主的上述实施方式的效果。另外，由本实施方式可知，绝缘层13的形成方法没有特别限定。

＜第六实施方式＞

图46和图47表示本发明的第六实施方式的半导体发光器件。本实施方式的半导体发光器件A6与上述的实施方式不同主要在于基材第三侧面115的个数、位置和形状方面。在图46中，为方便理解，省略了树脂部3。

在本实施方式中，基材第三侧面115的个数为2。即，一对基材第三侧面115以在x方向上彼此隔开间隔的方式设置。基材第三侧面115形成于基材11的y方向大致中央。基材第三侧面115的在z方向上看的形状为大致半圆形状。

与基材第三侧面115的位置和形状相对应，绝缘层13的绝缘层第一部131和绝缘层第二部132位于基材11的y方向大致中央。另外，绝缘层第一部131的在z方向上看的形状为大致半圆形状，绝缘层第二部132的在z方向上看的形状为大致半圆环形。

半导体发光元件2的第一电极22和第二电极23分开设置于元件主体21的z方向上下面。第一电极22通过导电性的接合材料25与正面部121接合。在第二电极23连接有引线29。

本实施方式的第一厚度t1、第二厚度t2、第三厚度t3、第四厚度t4、第五厚度t5、第一距离D1、第二距离D2和第三距离D3以及第四距离D4的大小关系与半导体发光器件A4、A5相同。

通过本实施方式，也能够起到以抑制树脂部3的形状不均为主的上述实施方式的效果。另外，由本实施方式可知，基材11的基材第三侧面115的位置和个数没有特别限定。

本发明的半导体发光器件不局限于上述的实施方式。本发明的半导体发光器件的各部的具体结构是能够自由地进行各种设计变更的。

〔附注B1〕

一种半导体发光器件，其包括：

衬底，其包括：具有朝向厚度方向一侧的基材正面和朝向上述厚度方向另一侧的基材背面的绝缘性基材、形成于上述基材的导体层、以及覆盖上述导体层的一部分的绝缘层；

搭载于上述衬底的上述基材正面侧的半导体发光元件；和

覆盖上述半导体发光元件的树脂部，其能够使来自上述半导体发光元件的光透过，

上述衬底的上述基材具有：一对基材第一侧面，其分别连接上述基材正面与上述基材背面，且在第一方向上隔开间隔；和在上述厚度方向上看时比上述基材第一侧面向上述半导体发光元件侧凹进的基材第三侧面，该基材第三侧面分别连接上述基材正面与上述基材背面，

上述导体层具有形成于上述基材正面的正面部和形成于上述基材第三侧面的侧面部，

上述正面部具有在上述半导体发光元件侧与上述基材第三侧面邻接、并且与上述侧面部相连的正面第一部，

上述绝缘层具有：在上述厚度方向上看时相对于上述基材第三侧面位于与上述半导体发光元件相反侧的绝缘层第一部；在上述厚度方向上看时与上述导体层的上述正面第一部重叠的绝缘层第二部，

上述树脂部覆盖上述绝缘层的上述绝缘层第一部和上述绝缘层第二部，

上述绝缘层第一部的厚度即第一厚度比上述绝缘层第二部的厚度即第二厚度厚。

〔附注B2〕

如附注B1所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层具有第一绝缘层、和相对于上述第一绝缘层层叠于上述厚度方向一侧的第二绝缘层，

上述绝缘层第一部包括上述第一绝缘层和上述第二绝缘层。

〔附注B3〕

如附注B2所述的半导体发光器件，其中，

上述第一绝缘层的厚度比上述第二绝缘层的厚度厚。

〔附注B4〕

如附注B2或B3所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层第二部包括上述第一绝缘层和上述第二绝缘层。

〔附注B5〕

如附注B3所述的半导体发光器件，其中，

上述第二绝缘层的端缘在上述厚度方向上看时，位于上述基材第三侧面与上述正面第一部的端缘之间。

〔附注B6〕

如附注B2～B4中任一项所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层具有与上述正面第一部邻接的、且与上述基材正面相接触的绝缘层第三部。

〔附注B7〕

如附注B6所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层第一部与上述树脂部的正面之间的距离即第一距离，比上述绝缘层第三部与上述树脂部的正面之间的距离即第三距离小。

〔附注B8〕

如附注B7所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层第二部与上述树脂部的正面之间的距离即第二距离比上述第三距离小。

〔附注B9〕

如附注B6～B8中任一项所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层具有由上述第二绝缘层构成的绝缘层第四部，上述绝缘层第四部在上述正面第一部上存在于上述绝缘层第二部与上述绝缘层第三部之间。

〔附注B10〕

如附注B9所述的半导体发光器件，其中，

上述绝缘层第四部的厚度即第四厚度比上述绝缘层第三部的厚度即第三厚度薄。

〔附注B11〕

如附注B10所述的半导体发光器件，其中，

上述第二厚度比上述导体层的上述正面部的上述正面第一部的厚度厚。

〔附注B12〕

如附注B11所述的半导体发光器件，其中，

上述第四厚度比上述导体层的上述正面部的上述正面第一部的厚度厚。

〔附注B13〕

如附注B2～B12中任一项所述的半导体发光器件，其中，

上述衬底的上述基材具有一对基材第二侧面和四个上述基材第三侧面，上述一对基材第二侧面分别连接上述基材正面与上述基材背面、且在垂直于第一方向和上述厚度方向的第二方向上隔开间隔，

上述基材第三侧面存在于上述基材第一侧面与上述基材第二侧面之间。

〔附注B14〕

如附注B13所述的半导体发光器件，其中，

上述树脂部具有：与上述一对基材第一侧面成同一平面的一对树脂第一侧面；和与上述一对基材第二侧面成同一平面的一对树脂第二侧面。

〔附注B15〕

如附注B14所述的半导体发光器件，其中，

上述第一绝缘层具有：与上述基材第一侧面成同一平面的绝缘层第一侧面；和与上述基材第二侧面成同一平面的绝缘层第二侧面。

〔附注B16〕

如附注B15所述的半导体发光器件，其中，

上述第二绝缘层具有：与上述基材第一侧面和绝缘层第一侧面成同一平面的绝缘层第三侧面；和与上述基材第二侧面和绝缘层第二侧面成同一平面的绝缘层第四侧面。

〔附注B17〕

如附注B1～B16中任一项所述的半导体发光器件，其中，

对应于上述基材正面与上述绝缘层第一部的位于上述厚度方向一侧的绝缘层第一面之间的距离为第五厚度，该第五厚度比上述第二厚度厚。

Claims (17)

1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：

衬底，其包括：具有朝向厚度方向一侧的基材正面和朝向所述厚度方向另一侧的基材背面的绝缘性基材、形成于所述基材的导体层、以及覆盖所述导体层的一部分的绝缘层；

搭载于所述衬底的所述基材正面侧的半导体发光元件；和

覆盖所述半导体发光元件的树脂部，其能够使来自所述半导体发光元件的光透过，

所述衬底的所述基材具有：在第一方向上隔开间隔的一对基材第一侧面，其分别连接所述基材正面与所述基材背面；和在所述厚度方向上看时比所述基材第一侧面向所述半导体发光元件侧凹进的基材第三侧面，该基材第三侧面分别连接所述基材正面与所述基材背面，

所述导体层具有形成于所述基材正面的正面部和形成于所述基材第三侧面的侧面部，

所述正面部具有在所述半导体发光元件侧与所述基材第三侧面邻接、并且与所述侧面部相连的正面第一部，

所述绝缘层具有：在所述厚度方向上看时相对于所述基材第三侧面位于与所述半导体发光元件相反的一侧的绝缘层第一部；和在所述厚度方向上看时与所述导体层的所述正面第一部重叠的绝缘层第二部，

所述树脂部覆盖所述绝缘层的所述绝缘层第一部和所述绝缘层第二部，

所述绝缘层第一部的厚度即第一厚度大于所述绝缘层第二部的厚度即第二厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述绝缘层具有第一绝缘层和在所述厚度方向一侧层叠于所述第一绝缘层的第二绝缘层，

所述绝缘层第一部包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。

3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。

4.根据权利要求2或3所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述绝缘层第二部包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。

5.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述第二绝缘层的端缘在所述厚度方向上看时，位于所述基材第三侧面与所述正面第一部的端缘之间。

6.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述绝缘层具有与所述正面第一部邻接且与所述基材正面相接触的绝缘层第三部。

7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述绝缘层第一部与所述树脂部的正面之间的距离即第一距离，小于所述绝缘层第三部与所述树脂部的正面之间的距离即第三距离。

8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述绝缘层第二部与所述树脂部的正面之间的距离即第二距离小于所述第三距离。

9.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述绝缘层具有由所述第一绝缘层构成的绝缘层第四部，所述绝缘层第四部在所述正面第一部上存在于所述绝缘层第二部与所述绝缘层第三部之间。

10.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述绝缘层第四部的厚度即第四厚度小于所述绝缘层第三部的厚度即第三厚度。

11.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述第二厚度大于所述导体层的所述正面部的所述正面第一部的厚度。

12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述第四厚度大于所述导体层的所述正面部的所述正面第一部的厚度。

13.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述衬底的所述基材具有一对基材第二侧面和四个所述基材第三侧面，所述一对基材第二侧面分别连接所述基材正面与所述基材背面、且在与第一方向和所述厚度方向垂直的第二方向上隔开间隔，

所述基材第三侧面存在于所述基材第一侧面与所述基材第二侧面之间。

14.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述树脂部具有：与所述一对基材第一侧面成同一平面的一对树脂第一侧面；和与所述一对基材第二侧面成同一平面的一对树脂第二侧面。

15.根据权利要求14所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述第一绝缘层具有：与所述基材第一侧面成同一平面的绝缘层第一侧面；和与所述基材第二侧面成同一平面的绝缘层第二侧面。

16.根据权利要求15所述的半导体发光器件，其特征在于：

所述第二绝缘层具有：与所述基材第一侧面和绝缘层第一侧面成同一平面的绝缘层第三侧面；和与所述基材第二侧面和绝缘层第二侧面成同一平面的绝缘层第四侧面。

17.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于：

设所述基材正面与所述绝缘层第一部的位于所述厚度方向一侧的绝缘层第一面之间的距离为第五厚度时，该第五厚度大于所述第二厚度。

Images