CN107004752A - 发光装置用基板以及发光装置用基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的发光装置用基板(电路基板(320))中的形成在陶瓷层(2)上的电极图案(13)具有第1金属层(5)、第2金属层(7)和电极端子部(10)，所述电极图案(13)中的未形成所述电极端子部(10)的部分的厚度为至少35μm以上。由此，能够将热阻抑制得较低。

Description

发光装置用基板以及发光装置用基板的制造方法
技术领域
本发明涉及在金属基体上形成有陶瓷层以及电极图案的发光装置用基板，特别是照明装置中所使用的、将发光元件直接搭载于所述电极图案的发光装置用基板的基板构造、使用了所述发光装置用基板的发光装置、照明装置以及所述发光装置用基板的制造方法。
背景技术
在绝缘性的基板上形成电极图案的情况下，例如，对于印刷基板来说，一般是在将铜箔经由粘接层粘贴于基体之后，通过蚀刻来形成电极图案。此外，对于陶瓷基板来说，一般是在利用导电性糊剂来印刷了成为电极的基底的导电性图案之后，通过电镀来形成电极图案。
进而，对于在铝基体上形成了耐酸铝层作为绝缘层的基板来说，例如在专利文献1、2中公开了如下方法，即：在该基板上，通过溅射法形成了Ni、Ti、Co、Cr等高熔点金属的薄膜之后，进而，通过溅射法形成铜的薄膜，将该金属薄膜作为种子金属，在种子金属上通过电镀来形成Cu的厚膜，由此形成电极图案。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本国公开专利公报“特开2011-96743号公报(2011年5月12日公开)”
专利文献2：日本国公开专利公报“特开2013-102046号公报(2013年5月23日公开)”
发明内容
发明要解决的课题
另外，对于在金属基体上形成陶瓷层以及电极图案，并将发光元件直接搭载于电极图案那样的照明装置中所使用的基板来说，从发光元件经过电极图案、陶瓷层、金属基体而到达散热片的路径成为主要的散热路径。在这样的基板中，若以现有的技术形成电极图案，则粘接材料或者导电性糊剂的热传导率较低的层会存在于陶瓷层与电极图案之间。即，形成电极图案的部分因为位于主要的散热路径并存在于发光元件的附近，所以对基板热阻的贡献率较高，存在基板整体的热阻增大这样的课题。结果，会产生发光元件或为了将发光元件与电极端子进行连接而使用的焊料接合部的温度升高的问题。
在将产生这样的问题的基板用于高亮度发光装置的情况下，由于灯具的实际使用环境下的温度较高，因此发光元件附近处的热传导率的高低、散热性的好坏直接影响到发光装置的寿命。
此外，在铝基体上形成耐酸铝层，并将其作为绝缘层来使用的情况下，例如若经过超过200℃的高温的制造工序，则由于在耐酸铝层会产生裂缝，因此绝缘耐压性下降，变得无法作为绝缘层而发挥功能。在广泛用于倒装芯片型发光元件，使用焊料接合部即使成为高温也很稳定的AuSn共晶焊料在电极图案上安装发光元件的情况下，需要在回流焊工序中通过高温的炉，基板温度会超过300℃。因此，对于将通过阳极氧化法而得到的耐酸铝作为绝缘层的基板来说，不适于安装倒装芯片型发光元件。
本来通过阳极氧化法而得到的耐酸铝，一般薄为10μm以下，即使较厚也薄为几十μm以下，难以确保超过例如4kV那样的高亮度照明用基板所需要的高电绝缘耐压性能。
此外，在耐酸铝上直接用铜形成电极图案的情况下，铜与耐酸铝的密合性较低，特别是进行封孔处理后的耐酸铝与铜的密合性较低。由于耐酸铝无法直接作为绝缘层而发挥功能，因此为了作为绝缘层来使用，封孔处理是不可缺少的，但在这样的绝缘层上形成的铜的电极图案必然容易发生剥离。
由于耐酸铝本来是多孔质膜，因此若在耐酸铝层上直接形成电极图案，则基体的铝与电极图案会发生电接触而导通。为了避免这样的与金属基体的短路，所述需要在通过封孔处理将耐酸铝层的孔进行堵塞之后，形成电极图案。对于封孔处理后的耐酸铝来说，堵塞了孔的结果是平坦性增加，而对于在其上形成的电极图案，无法期待凹凸面所引起的锚固效应，容易发生剥离。
例如，在专利文献2等中为了确保铜与耐酸铝的密合性，通过溅射法插入了Ni、Ti、Co、Cr等高熔点金属的薄膜。这可以认为是，通过溅射而形成的Ni、Ti、Co、Cr等的层通过形成耐酸铝和金属化层，并存在于铜与耐酸铝之间，从而提高了铜与耐酸铝的密接强度。
可是，溅射是需要真空装置的工序，对于生产节拍较低、高亮度照明用的大型基板的制造而言，成为成本上升的主要原因。例如，对于需要将5个或10个、特别是100个以上的多个发光元件进行集成搭载的高亮度照明用基板来说，电极图案的面积变大，每一块的基板尺寸较大，由一次的生产节拍能够处理的基板的块数减少，生产效率低。
进而，若对作为溅射用的原材料的金属靶的利用效率，进而成膜时实际作为膜而取入的比例也进行了考虑的实际效果的靶利用效率加以考虑，则使用了溅射的电极形成在高亮度照明用的发光元件集成型基板、大型基板的制造的情况下成本高，不适于该用途下的商用生产。
本发明鉴于上述课题而作，其目的在于，提供一种通过在金属基体上的电绝缘耐压性良好的厚膜的陶瓷层上形成厚膜的电极图案，从而能够将作为发光装置用基板整体的热阻抑制得较低的发光装置用基板。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题，本发明的一方式所涉及的发光装置用基板具备：金属基体、形成在所述金属基体上的具有高热传导性的第1电绝缘层、和形成在所述第1电绝缘层上的电极图案，所述发光装置用基板的特征在于，所述电极图案具有：形成在所述第1电绝缘层上的由第1金属层构成的基底层、形成在所述基底层上的由第2金属层构成的布线部、和形成在所述布线部之上的电极端子部，所述电极图案中的未形成所述电极端子部的部分的厚度为至少35μm以上(配合所述第1电绝缘层的热阻来设定)。
发明效果
根据本发明的一方式，能够取得能够将发光装置用基板整体的热阻抑制得较低这样的效果。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1所涉及的发光装置的制造工序的图。
图2是表示本发明的实施方式1所涉及的电路基板的制造工序的图。
图3是表示本发明的实施方式1所涉及的电路基板的制造工序的图。
图4是表示本发明的实施方式1所涉及的电路基板的制造工序的图。
图5是表示本发明的实施方式1所涉及的电路基板的制造工序的图。
图6是表示本发明的实施方式2所涉及的电路基板的制造工序的图。
图7是表示本发明的实施方式2所涉及的电路基板的制造工序的图。
图8是表示本发明的实施方式2所涉及的电路基板的制造工序的图。
图9是表示本发明的实施方式2所涉及的电路基板的制造工序的图。
图10是本发明的实施方式2所涉及的电路基板的概略构成剖面图。
图11是本发明的实施方式3所涉及的发光装置的概略构成剖面图。
图12是本发明的实施方式4所涉及的照明装置的示意结构图。
图13是表示构成图12所示的照明装置的发光装置和散热片的外观的立体图。
图14是表示构成图12所示的照明装置的发光装置的构成的俯视图。
图15是图14所示的发光装置的概略剖面图。
图16是热阻计算用的第1示意图。
图17是热阻计算用的第2示意图。
图18是表示布线图案的厚度与热阻的关系的曲线图。
图19是表示布线图案的厚度与温度的关系的曲线图。
具体实施方式
〔实施方式1〕
以下，对本发明的实施方式详细进行说明。
图1～图5是表示本实施方式所涉及的发光装置301的制造工序的图。
如图5(b)所示，本实施方式所涉及的发光装置为如下结构：包含发光元件12，发光元件12与在层叠有由铝构成的金属基体1和由氧化铝构成的陶瓷层(第1电绝缘层)2的电路基板(发光装置用基板)320中形成在陶瓷层2上的电极图案的电极端子部10连接。上述电极图案为如下结构：包含在陶瓷层2上形成的比较薄的第1金属层5(基底层)、在第1金属层5上形成的比该第1金属层5厚的第2金属层7、和在第2金属层7上形成的银层8，并在银层8上形成有电极端子部10。在此，布线部为如下的多层结构：第2金属层7由铜层构成，在该铜层上层叠有银层8。
特别地，电极图案中的未形成电极端子部10的部分的厚度，即，将第1金属层5和第2金属层7加在一起的厚度，根据陶瓷层2的热阻来设定。关于这一点的详细内容在后面叙述。
以下，对本实施方式所涉及的发光装置的制造进行说明。
<电极形成方法1>
(使用了金属基体的绝缘基板的基底准备)
首先，如图1(a)所示，准备金属基体1。接下来，在金属基体1上，如图1(b)所示，形成陶瓷层2。
作为金属基体1，尤其优选铝、铜等热传导率高且散热性优异的金属。此外，作为金属基体1，也可以是不锈钢基体或者由包含铁作为材料的金属构成的基体。在该情况下，由于机械强度较强，所以能够减薄基体，作为结果能够确保高散热性。因此仍然优选采用高散热基体。在此，使用了轻量且加工性优异的铝。
作为陶瓷层2，只要是散热性和电绝缘性、耐热性优异的任意的无机固形物即可，但广泛使用的氧化铝对于材质的可靠性较高，并且量产性优异，故而最优选。由200μm-300μm的厚度能够实现大约4.5kV以上的绝缘耐压性。
通常，对铝基板进行阳极氧化处理而形成的耐酸铝的厚度为10μm，即使较厚也为50μm，所以即便是在实施了封孔处理之后，也难以实现超过1kV的绝缘耐压性。此外，在通过即使在高温下可靠性也较高的AuSn共晶焊料将发光元件与基板端子进行接合的情况下，需要进行基板温度超过300℃的高温热处理，但在这样的高温处理中在所述耐酸铝层会产生裂纹，绝缘耐压性会显著下降。
因此，在本发明中，使用绝缘耐压性优异的厚膜的陶瓷层而并非使用具有上述缺点的阳极氧化法而形成的耐酸铝层。作为该厚膜陶瓷层的形成方法，例如像热喷涂、AD法(气溶胶沉积法)等那样，以高速将陶瓷粒子朝向基体进行喷射而使其堆积的方法能够高效地形成陶瓷层，故而优选。在AD法中由于使用压力差来使陶瓷粒子加速，因而需要真空装置，但因为目的是陶瓷微粒子的加速，而并非像溅射那样，要求真空的质，所以只要进行加速所需的最低限度的减压便足够。据此，与在电极形成等时所使用的溅射法中的真空装置不同，在AD法中使用的真空装置不会限制生产性。
在这样形成陶瓷层时，为了提高金属基体与陶瓷层的密合性，优选对基体表面预先进行喷砂处理，进而，优选为了减小金属基体与陶瓷层的线膨胀率差而插入缓冲层。在作为金属基体而使用铝、作为陶瓷层而使用氧化铝的情况下，使用镍与铝的合金作为缓冲层为宜。
作为形成陶瓷层的其他方法，也可以将以树脂为粘结剂包含陶瓷粒子的涂料涂敷于金属基体之后，进行烧成而形成陶瓷粒子与树脂的混合层，或者，对将玻璃原料和陶瓷粒子混合而成的涂料进行涂敷后进行烧结而形成陶瓷粒子与玻璃的混合层。
接下来，如图1(c)所示，在金属基体1的与陶瓷层2相反侧形成保护层3d。作为保护层3，也可以粘贴保护片，但在使用铝作为金属基体1的情况下，通过阳极氧化处理来形成耐酸铝层很简便，在制造工序结束后也能够维持原样作为稳定的保护膜来使用。耐酸铝层若通过热水等来进行封孔处理，则从在层上产生的表面到达金属基体1的贯通孔关闭，成为更加稳定的保护层。
通过以上过程，从而使用了铝作为金属基体1的绝缘基板的基底准备完成。
(电极形成：第1方法)
在此，对在通过上述过程而准备好的绝缘基板的基底上形成电极层的方法进行说明。
首先，如图2(b)所示，在陶瓷层2上形成厚度较薄的第1金属层5。由于陶瓷层2由电绝缘性物质形成，所以不能通过电镀法直接在陶瓷层2上形成电导电层。因此，如图2(a)所示，预先由催化剂层4对陶瓷层2表面进行包覆。例如能够对作为催化剂层4而由钯催化剂包覆的陶瓷层2，通过无电解镀覆法而置换为铜较薄的无电解镀覆层，这样，在陶瓷层2上形成第1金属层5作为电导电层。该第1金属层5的厚度通常只要是1μm以下即可，但也可以是0.1μm以下的极薄的层。这样准备的厚度较薄的第1金属层5由催化剂中使用的钯的一部分掺入到铜中的铜与钯的合金构成。能够在该第1金属层5上使用电镀法将金属堆积得较厚。
在此，在通过热喷涂而形成的陶瓷层2的表面，存在具有例如5μm～20μm程度的深度的凹凸形状、更微细的气孔等，对于第1金属层5获得锚固效应，上述2个层(陶瓷层2和第1金属层5)实现良好的密合性。
此外，在通过AD法形成的陶瓷层2的情况下，相比于通过热喷涂形成来说，会成为致密且平坦性良好的陶瓷层。因此，出于改善陶瓷层2与第1金属层5的密合性的目的，也可以在通过对陶瓷层2的表面轻微进行喷砂处理从而在表面有意地形成了凹凸形状之后，形成第1金属层5。出于提高绝缘耐压性的目的，本实施方式中的陶瓷层2的膜厚为200-300μm，采用了厚膜。因此，即使对陶瓷层2的表面轻微进行了喷砂处理，也不会产生陶瓷层2因冲击而发生剥离或者示出实际使用上成为问题的绝缘耐压性能的下降那样的不良状况。
像这样，即使在本发明中的陶瓷层2上使用钯催化剂作为催化剂层4来通过无电解镀覆直接形成铜的第1金属层5，并将该厚度较薄的第1金属层5作为种子金属而形成厚度较厚的第2金属层7(图3)，也能够在陶瓷层2与第1金属层5之间确保充分的密合性。
然而，这并不妨碍为了提高陶瓷层2与第1金属层5的密合性而使用Ni、Ti、Co、Cr等高熔点金属作为由第1金属层5构成的种子金属的一部分。例如，也可以在使用催化剂形成了镍的薄层之后，仍然使用催化剂来形成铜的薄层，作为第1金属层5。
但是，与用氯化铁能够容易去除的铜不同，为了去除Ni、Ti、Co、Cr等，需要使用氢氟酸或有氧化作用的稀硝酸这样的强酸。因此，作为第1金属层5，若除了铜以外还使用Ni、Ti、Co、Cr这样的金属，则在蚀刻处理中会增加额外的制造工序，还另外需要用于使用氢氟酸等的防爆设备。
相对于此，在陶瓷层2上使用钯催化剂作为催化剂层4来通过无电解镀覆直接形成铜的第1金属层5，并将该厚度较薄的第1金属层5作为种子金属而形成厚度较厚的第2金属层7(图3)的情况下，由第1金属层5构成的种子金属能够通过使用氯化铁而容易地电切断，能够完成而作为电极图案。除此以外，也充分地取得了电极图案与陶瓷层2的密合性。因此第1金属层5优选只使用铜。
为了最终去除钯催化剂的残留物，只要浸渍于氰系化合物，例如氰化钾水溶液中即可。氰系化合物也是剧药，但在镀覆处理工序内能够作为常用物质来使用。
为了在这样准备的第1金属层5上形成电极图案，期望反复进行具有与所需的电极图案相应的开口部的掩模形成和电镀处理(图2(c)-图4(c))。
本实施方式中的包含端子部分在内的电极图案的最大厚度超过50μm～100μm。与通常的电极图案小于10μm的情况对比可知，这是非常厚的。这样将电极图案设得较厚是因为，在金属基体上形成陶瓷层并赋予了绝缘耐压性的基板中，在电极图案上搭载倒装芯片型发光元件的情况下，通过使电极图案的厚度较厚，使电极面积取得较大，从而能够降低基板的热阻。这是发光元件处的发热沿基板垂直方向通过电极图案的期间向水平方向也进行扩散，在到达热传导率比电极图案低的陶瓷层之前在水平方向上充分传开而得到的效果。
在这样形成厚膜的电极的情况下，若通过本实施方式中公开的下述方法来形成电极图案，则只要使电极形成所需的最小限量的金属进行堆积即可，能够高效地利用电极材料，可以减少损耗。
对于在掩模形成中所使用的掩模而言，使用电绝缘性的掩模。可以使用光致抗蚀剂来形成光掩模，也可以使用绝缘性的粘合片(干膜)来形成掩模。
如图2(c)所示，若形成第1掩模6使得与在陶瓷层2上形成的第1金属层5接触，则能够将第1金属层5作为电极进行电镀处理，因此能够在第1金属层5上从镀覆液中析出金属。结果，如图3(a)所示，形成厚度较厚的第2金属层7。此时，优选使电传导性、热传导性优异的金属析出，例如铜等。为了抑制由铜构成的电极图案处的光的吸收并提高反射率，也可以盖在较厚的电极层上通过电镀等来形成银层8(图3(b))。
进而，在出于搭载发光元件或者与外部电源等进行连接的目的而形成电极端子的情况下，也可以如图3(c)所示，使用第2掩模9，如图4(a)所示，形成电极端子部10。在电极端子部10，只要使用像铜那样电传导性、热传导性优异的金属即可。电极端子部10表面可以依然使用铜，但也可以利用Au等其他金属来进行保护。为了用Ni/Pd/Au包覆电极端子部，既可以在电极端子部10的形成之后接着进行镀覆处理，此外，也可以在后述的图5(a)所示的光反射层11形成后进行所述镀覆处理。
在此，由于金属基体1被保护层3、掩模等覆盖，因此在进行镀覆处理的情况下，不用担心该金属基体1被镀覆液侵蚀。特别是，通过被基于耐酸铝的保护层3进行了覆盖从而稳定地受到保护。
在形成电极端子部10后，去除第1掩模6和第2掩模9，如图4(b)所示，使导电层(第1金属层5)露出之后，通过蚀刻来去除所露出的第1金属层5而使金属层彼此分离，如图4(c)所示，形成电极图案。因为第1金属层5的厚度非常薄，为1μm以下，所以能够利用蚀刻液来容易地去除。在本实施方式中作为第1金属层5的材料而使用了铜，所以能够利用氯化铁(III)(别名：三氯化铁)水溶液来容易地去除。另外，为了去除钯催化剂的残留物，只要浸渍于氰系化合物，例如氰化钾水溶液中即可。氰系化合物也是剧药，但在镀覆处理工序内其是经常使用到的物质。另外不使用氰系化合物的由非氰系化合物构成的钯催化剂的残留物去除剂在市场上也有售，也可以使用这种去除剂。
在本实施方式中，为了确保陶瓷层2与铜的粘接性，无需插入Ni、Ti、Co、Cr等高熔点金属的薄膜，因此无需像专利文献1(JP特开2013-102046号公报)那样为了去除由Ni、Ti、Co、Cr构成的种子金属来形成电极图案而使用作为剧药的氢氟酸。
之所以能够实现这一点，是因为通过热喷涂或AD法这种以高速朝向金属基体1喷射陶瓷粒子并使其堆积的方法而形成的陶瓷层的表面适度地进行了粗糙化，所以即使其间不存在Ni、Ti、Co、Cr等金属层而直接将铜形成为第1金属层5，也能够充分地确保陶瓷层2与第1金属层5的密合性。作为结果，无需再为了形成电极图案而使用Ni、Ti、Co、Cr那样的金属作为基底金属，也无需再使用作为去除这些金属所不可缺少的剧药的氢氟酸。
另外，在通过热喷涂、AD法而形成的陶瓷层中，在其原有状态下，存在微细的气孔。在制造工序中使用氢氟酸的情况下，从微细的气孔浸入的氢氟酸到达金属基体1，侵蚀金属基体1与陶瓷层2的接合面，使陶瓷层发生剥离。因此，必须避免在第1金属层5的蚀刻工序中使用氢氟酸的情况、以及原本将Ni、Ti、Co、Cr那样的金属用于第1金属层5的情况。
即使在使硅酮系的树脂、水玻璃或者溶胶凝胶玻璃等渗透到陶瓷层2中之后使其固化，将陶瓷层2中存在的微细的气孔堵塞，也因为无论在哪种材料中均是由(-O-Si-O-)表示的结构成为主要的结构，所以仍然会被氢氟酸侵蚀。
这样，像本实施方式这样，通过使用以热喷涂或AD法这种以高速朝向基体喷射陶瓷粒子并使其堆积的方法而形成的陶瓷层2，从而使得即使其间不存在Ni、Ti、Co、Cr那样的金属，也能够通过由铜构成的厚度较薄的第1金属层5在陶瓷层2上形成电极图案，这是很重要的。
在电极图案的完成后，使电极端子部10露出并由光反射层11包覆电极图案。光反射层11使用包含光反射性材料的树脂、玻璃。作为光反射性材料，大多使用高反射率陶瓷等白色材料。作为典型的制造例，将氧化钛或氧化铝、二氧化硅等陶瓷混合到树脂中的涂料、将氧化锆与玻璃原料混合而成的涂料等印刷在电极图案上。只要使用丝网印刷，便能够使电极端子部10露出来进行印刷。然后通过干燥、烧成等来进行固化，由此能够形成光反射层11。
在使用喷涂以上述涂料对电极图案整体进行了涂敷的情况下，因为电极端子部10也被涂料覆盖，所以需要在使所述涂料固化后，通过研磨等来使电极端子部10露出。
作为用于光反射层11的材料，除了使用包含光反射性材料的树脂、玻璃的上述方法以外，例如，还存在直接使用陶瓷粒子等光反射性材料的情况。为了使用这样的材料形成光反射层11，例如，存在朝向电极图案以高速喷射陶瓷粒子并使其堆积的方法等。作为这样的方法的代表例，可以列举热喷涂、AD法(气溶胶沉积法)等，按照生成高速粒子流的方法等进一步加以分类。在这样的方法中，由于在刚使由陶瓷构成的光反射层进行堆积之后由光反射层覆盖至电极端子部10，因此仍然需要通过研磨等来使电极端子部10露出。
这样，能够准备图5(a)所示的电路基板(高亮度发光装置用基板)320。进而，在图5(a)所示的电路基板320上搭载发光元件12，从而完成为图5(b)所示那样的发光装置。在此情况下，只要使用焊料将发光元件12连接于电极端子部10即可。作为所使用的焊料，只要根据发光装置的使用环境、使用条件来适当地选择AuSn的共晶焊料、Sn-Ag-Cu系的焊料等即可。
另外，本发明中反复提及的陶瓷，并不限定于金属氧化物，是氮化铝、氮化硅、碳化硅等也包含在内的广义的陶瓷，即，包含所有无机固体材料。也可以是这些无机固体材料当中考虑了耐热性、热传导性、绝缘耐压性或者光反射性等特性的基础上适于其使用目的的任意的物质。
(变形例1)
作为本实施方式的变形例1，对形成厚度较薄的第1金属层5的其他方法(热喷涂、AD法)进行说明。
在上述实施方式1中，作为在陶瓷层2上形成第1金属层5的方法，对在由催化剂包覆的陶瓷层表面通过无电解镀覆法来形成铜的薄镀覆层的方法进行了说明，但在陶瓷层2上形成第1金属层5作为电导电层的方法并不限定于此。
作为其他方法，也可以是以高速喷射并堆积金属粒子的方法。作为这样的方法的代表例，可以列举热喷涂、AD法(气溶胶沉积法)等。在AD法中，能够使第1金属层5的厚度成为1μm以下的厚度。相对于此，在热喷涂中比该厚度厚而成为20-30μm程度。能够在由这样准备的第1金属层5构成的种子金属上使用电镀法将金属堆积得较厚。在这之后，按照已经在上述实施方式1中说明的过程形成电极图案即可。
〔实施方式2〕
对本发明的其他实施方式说明如下。另外，为了便于说明，对与上述实施方式中已经说明过的构件具有相同功能的构件，赋予相同符号并省略其说明。
图6～图10是表示本实施方式所涉及的发光装置的制造工序的图。
本实施方式所涉及的发光装置是与上述实施方式1的图5(b)所示的发光装置大致相同的构成，但如图10所示，在电极端子部10与第2金属层7一体地形成这一点上不同。即，在图10所示的发光装置中，电极端子部10和第2金属层7一体地形成，相对于此，在上述实施方式1的发光装置中，如图5(b)所示，在电极端子部10与第2金属层7之间形成有银层8。
以下，对本实施方式所涉及的发光装置的制造进行说明。
<电极形成方法2>
(使用了金属基体的绝缘基板的基底准备)
在本实施方式中，对使用了铝作为金属基体1的绝缘基板的基底进行准备的方法沿用上述实施方式1中图1(a)至图1(c)所示的方法，在此省略说明。本实施方式对应的图6(a)～图6(c)示出了与上述实施方式1对应的图1(a)～图1(c)同样的图。
(电极形成：第2方法)
在此，对在通过上述过程而准备好的绝缘基板的基底上形成电极层的方法进行说明。
首先，如图7(b)所示，在陶瓷层2上形成厚度较薄的第1金属层5。至此为止的处理沿用上述实施方式1的图2(b)为止的处理。与上述实施方式1同样地，第1金属层5的形成方法既可以是使用了催化剂的无电解镀覆法，也可以是变形例1所示的方法，即，热喷涂、AD法等其他方法。能够在这样准备的第1金属层5上使用电镀法将金属堆积得较厚。即，将第1金属层5作为电极，在该第1金属层5上从镀覆液析出金属，如图7(c)所示那样，在第1金属层5上一面形成厚度较厚的第2金属层7。
通过由这样准备的第1金属层5和第2金属层7构成的金属层，使用蚀刻来形成电极图案。此时，期望通过反复进行具有与所需的电极图案相应的开口部的掩模形成和蚀刻，来形成电极图案(图8(a)一图9(b))。
既可以使用光致抗蚀剂来形成光掩模，也可以使用绝缘性的粘合片来形成掩模。
如图8(a)所示那样，形成第1掩模6A使得与第2金属层7接触，并进行蚀刻处理。保留最终作为电极端子部以及电极图案来利用的部分，通过蚀刻将较厚的金属层7雕刻至中途为止(图8(b))。
去除第1掩模6A后，如图8(c)所示，在残留的较厚的第2金属层7上形成了第2掩模9A之后，进一步地，按照第2金属层7、第1金属层5的顺序依次进行雕刻，并进行蚀刻直到到达陶瓷层2为止(图9(a))，从金属层(第1金属层5、第2金属层7)雕刻出电极图案13(图9(b))。
若第1金属层5以及第2金属层7全都由铜形成，则能够与实施方式1同样地使用氯化铁(III)(别名：三氯化铁)水溶液，从金属层形成电极图案13。在本实施方式2中也基于与上述实施方式1同样的理由，在厚度较薄的第1金属层5可以不使用Ni、Ti、Co、Cr等，所以出于同样的理由，不必使用氢氟酸作为蚀刻液。因此，也不会产生由于受到氢氟酸侵蚀而导致陶瓷层2从金属基体1剥离的问题。
另外，在第1金属层5的形成中使用钯催化剂的情况下，为了去除钯催化剂的残留物，只要使用市售的钯催化剂残留物去除剂即可。作为代表性的上述去除剂，可以列举氰系化合物，例如氰化钾水溶液。由非氰系化合物构成的钯催化剂的残留物去除剂在市场上也有售，也可以使用这种去除剂来去除。氰系化合物虽是剧药，但因为是镀覆处理中常用的物质，所以只要在通常的镀覆处理设施内便能够比较容易地使用。
电极图案13完成后，如图9(c)所示，使电极端子部10露出并由光反射层11包覆电极图案13。
关于用于光反射层11的光反射性材料、形成方法，只要沿用上述实施方式1的电极形成方法1中所记载的方法即可，在此为了避免重复而省略说明。无论是在选择了哪一种形成方法的情况下，都需要从光反射层11使电极端子部10露出。在电极端子部10，只要使用像铜那样电传导性、热传导性优异的金属即可。电极端子部10表面可以依然使用铜，但也可以利用Au等其他金属来进行保护，例如，也可以接着光反射层11的形成对电极端子部10的表面实施镀覆处理，用Ni/Pd/Au来包覆电极端子部10。
在此，由于金属基体1被保护层3、光反射层11覆盖，因此在进行镀覆处理的情况下，不用担心该金属基体1被镀覆液侵蚀。特别是，通过被基于耐酸铝的保护层3进行了覆盖从而能够稳定地保护其不受镀覆液影响。
这样，能够准备图9(c)所示的电路基板(高亮度发光装置用基板)320A。进而，在图9(c)所示的电路基板320A搭载发光元件12，从而完成为图10所示那样的发光装置。在此情况下，只要使用焊料将发光元件12连接于电极端子部10即可。与上述实施方式1的电极形成方法1同样，作为所使用的焊料，只要根据发光装置的使用环境、使用条件来适当地选择AuSn的共晶焊料、Sn-Ag-Cu系的焊料等即可。
〔实施方式3〕
对本发明的其他实施方式说明如下。另外，为了便于说明，对于上述各实施方式中已经说明过的构件具有相同功能的构件，赋予相同符号并省略其说明。
图11是表示本实施方式所涉及的发光装置的概略构成的图。本实施方式所涉及的发光装置具备与上述的实施方式1、2的电路基板不同结构的电路基板320B。
在本实施方式所涉及的发光装置中，为了使发光元件12稳定地搭载于电极端子部10，并作为发光装置而实现长寿命，需要在电极端子部10表面得到良好的平坦性。为了实现这一点，如图11所示，在电路基板320B中，优选在陶瓷层2与厚度较薄的第1金属层5之间存在平坦化层15。在此，构成电路基板320B的金属基体1的厚度设为3mm，陶瓷层2设为300μm。
通过这样，从而利用电镀形成了厚度较厚的第2金属层7的情况下的表面也能够保持为平坦。因此，能够无需为了使电极端子部10平坦而另外进行研磨等作业，也能够减轻电极材料的损耗。
作为平坦化层15，可以是使用树脂、溶胶凝胶反应形成玻璃质的物质，但这些物质的热传导率小，存在由于利用这些物质来形成平坦化层从而基板的热阻升高的情况。作为避免该情况的措施，期望将适当尺寸的陶瓷粒子混合到形成平坦化层的物质中，提高热传导率来进行使用。
这样的平坦化层15特别有效的是通过热喷涂来形成了陶瓷层2的情况。热喷涂所使用的陶瓷粒子的粒径在使用氧化铝的情况下，通常较大为10μm～40μm，在陶瓷层2的表面形成的凹凸也成为该程度的相当大的凹凸。在此状态下通过无电解镀覆来堆积厚度较薄的第1金属层5，并通过电镀来堆积厚度较厚的第2金属层7，即使将金属层的合计的厚度设为100μm以上，金属层的表面也不会被平坦化，仍会受到在陶瓷层2的表面形成的凹凸的影响。
为了对造成这样的不良影响的陶瓷层2的凹凸表面进行填埋来使其成为平坦化层，例如只要将以10μm以下的粒径筛选出的无机材料，例如，二氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛等所代表的陶瓷，混合到前面说明的使用树脂、溶胶凝胶反应形成玻璃质的物质中之后，涂敷于陶瓷层2，并进行干燥、固化、烧成等即可。
或者，因为与热喷涂相比，AD法(气溶胶沉积法)中使用的陶瓷粒子的代表性粒径的尺寸较小为2μm以下，而且，该粒子被喷射到基板，粉碎并层叠，所以对通过AD法而形成的陶瓷层2进行构成的陶瓷粒子的粒径的代表性尺寸也更小为100nm程度。因此，例如，也可以在形成了由氧化铝构成的陶瓷层2之后，通过AD法来形成以氧化铝为代表的陶瓷的堆积层，作为平坦化层15来使用。
若利用平坦化层15使陶瓷层2完全地平坦化，则存在产生第1金属层5的密合性下降的不良状况的情况。在产生这样的不良状况的情况下，也可以再次对平坦化层15的表面轻微进行喷砂处理，使其轻度地粗糙化。
通过使用精细的磨粒来进行喷砂处理，从而会在平坦化层15的表面形成例如5μm以下，较为理想是2μm以下的较小的凹凸形状。在上述实施方式1中，在通过热喷涂而形成的陶瓷层2的表面，存在具有例如5-20μm程度的深度的较大的凹凸形状，但在利用平坦化层15将上述凹凸暂且进行了填埋之后，像这样使用精细的磨粒来进行了喷砂处理的情况下，对于陶瓷层2的原始表面，上述平坦化层15实质上作为平坦面而发挥功能。这是因为，实质上消除起初在陶瓷层2的表面存在的超过例如5μm那样较大的凹凸结构，在大致整个面置换为5μm以下，较为理想是2μm以下的较小的凹凸形状的表面的缘故。
这样得到的平坦化层15由于在表面存在较小的凹凸，因此能够对第1金属层5产生锚固效应，从而获得充分的密合性。在此基础上，在所述第1金属层5上通过电镀来形成第2金属层7的情况下，第1金属层5实质上作为平坦化层而发挥功能。这是因为，通过夹设所述平坦化层15，从而能够消除在陶瓷层2的表面看到的超过例如5μm那样较大的凹凸，将凹凸控制为5μm以下，较为理想是2μm以下，因此能够使形成了第2金属层7的情况下的表面成为平坦面。
据此，能够无需为了使电极端子部10平坦而另外进行研磨等作业，也能够减轻电极材料的损耗。
〔实施方式4〕
对本发明的其他实施方式说明如下。另外，为了便于说明，对与上述各实施方式中已经说明过的构件具有相同功能的构件，赋予相同符号并省略其说明。
在本实施方式中，对在上述实施方式1～3中已经说明的电路基板上，搭载发光元件而形成发光装置，进而，具备该发光装置的照明装置进行说明。
(照明装置101的构成)
图12(a)是表示实施方式4所涉及的照明装置101的外观的立体图，图12(b)是照明装置101的剖面图。照明装置101具备：发光装置301、用于对从发光装置301产生的热进行散热的散热片102、和对从发光装置301射出的光进行反射的反射器103。关于发光装置301的构成，由于是与上述实施方式1～3中已经说明的发光装置相同的构成，故而省略详细内容。
图13是表示发光装置301和散热片102的外观的立体图。发光装置301也可以安装于散热片102来使用。
如图14以及图15所图示的那样，发光装置301具备电路基板320C和发光元件304。电路基板320C具备：金属基体302、中间层(第1电绝缘层)311(图15中图示)、电极图案(布线图案)303、和反射层(第2电绝缘层)312(图15中图示)。
在此，电路基板320C以通过上述实施方式1～3中记载的方法而准备的电路基板为代表来进行例示，发光装置301以在上述实施方式1～3中公开的电路基板上搭载了发光元件304的情况为代表来进行了例示。因此，构成电路基板320C的中间层311与上述实施方式1～3的陶瓷层2相当，电极图案303与上述实施方式1～3的电极图案相当。即，电极图案303通过蚀刻等将层叠在中间层311上的厚度较薄的第1金属层5和厚度较厚的第2金属层7形成为规定图案。
发光元件304与电极图案303电连接，在图14中，图示了配置为3行3列的9个发光元件(LED芯片)304。9个发光元件304为如下的连接结构：通过电极图案303而并联连接为3列，并在该3列的每一列具有3个发光元件304的串联电路(即，3串联、3并联)。当然，发光元件304的个数并不限定于9个，也可以不具有3串联、3并联的连接结构。
进而，发光装置301具备：光反射树脂框305、含荧光体密封树脂306、阳极电极(阳极焊盘或者阳极连接器)307、阴极电极(阴极焊盘或者阴极连接器)308、阳极标记309和阴极标记310。
光反射树脂框305是设置在电极图案303以及反射层312上的、由含氧化铝填料的硅酮树脂构成的圆环状(圆弧状)的框。光反射树脂框305的材质并不限定于此，只要是具有光反射性的绝缘性树脂即可。其形状也不限定于圆环状(圆弧状)，能够设为任意的形状。
含荧光体密封树脂306是由透光性树脂构成的密封树脂层。含荧光体密封树脂306填充到由光反射树脂框305包围的区域，对发光元件304和反射层312进行了密封。此外，含荧光体密封树脂306含有荧光体。作为荧光体，使用通过从发光元件304发出的1次光进行激励而发射比1次光更长的波长的光的荧光体。
另外，荧光体的构成并无特别限定，能够根据所希望的白色的色度等适当进行选择。例如，作为日光白色、白炽灯色的组合，能够使用YAG黄色荧光体与(Sr，Ca)AlSiN3：Eu红色荧光体的组合、YAG黄色荧光体与CaAlSiN3：Eu红色荧光体的组合等。此外，作为高显色的组合，能够使用(Sr，Ca)AlSiN3：Eu红色荧光体与Ca3(Sc，Mg)2Si3O12：Ce绿色荧光体或者与Lu3Al5O12：Ce绿色荧光体的组合等。此外，也可以使用其他荧光体的组合，作为伪白色也可以使用只包含YAG黄色荧光体的构成。
阳极电极307以及阴极电极308是将用于驱动发光元件304的电流提供给发光元件304的电极，以焊盘的形态进行了设置。也可以对该焊盘部设置连接器而以连接器的形态来提供阳极电极307以及阴极电极308。阳极电极(阳极焊盘或者阳极连接器)307以及阴极电极(阴极焊盘或者阴极连接器)308是发光装置301中能够与未图示的外部电源进行连接的电极。而且，阳极电极(阳极焊盘或者阳极连接器)307以及阴极电极(阴极焊盘或者阴极连接器)308经由电极图案303，与发光元件304连接。
然后，阳极标记309以及阴极标记310分别是成为用于进行对阳极电极(阳极焊盘或者阳极连接器)307以及阴极电极(阴极焊盘或者阴极连接器)308的定位的基准的对准标记。此外，阳极标记309以及阴极标记310分别具有表示阳极电极(阳极焊盘或者阳极连接器)307以及阴极电极(阴极焊盘或者阴极连接器)308的极性的功能。
另外，位于阳极电极(阳极焊盘或者阳极连接器)307以及阴极电极(阴极焊盘或者阴极连接器)308的正下方的电极图案303的部分的厚度，大于位于该正下方以外的位置的电极图案303的部分的厚度(对应于图15的电极图案303中的被反射层312覆盖的部分)。
(热阻降低效果)
在此，对上述实施方式1～4中所说明的电路基板的热阻降低效果在下面进行说明。
图16表示热阻计算用的发光装置的示意图的一例，(a)是发光装置的剖面图，(b)是发光装置的俯视图。另外，在图16(b)中，为了便于说明，示出了剥下反射层后的状态的发光装置的平面。
在此，在发光装置中，由发光元件所产生的热，如图16(a)所示，从发光元件通过布线图案朝向金属基体扩展到45°方向的同时进行扩散。
但是，在图16(a)(b)中，由于在发光元件的正下方存在热传导性绝缘层，因而来自发光元件的热源成为2处(电极端子的阳极侧和负极侧)，热阻计算有点复杂。因此，为了进一步简化热阻计算，使用图17(a)(b)所示的发光装置的示意图。
图17表示与图16相比进行了简化的热阻计算用的发光装置的示意图的一例，(a)是发光装置的剖面图，(b)是发光装置的俯视图。另外，在图18(b)中，也为了便于说明，示出了剥下反射层后的状态的发光装置的平面。
在图17(a)(b)所示的发光装置中，由于能够使来自发光元件的热源成为1处(将电极端子的阳极和负极集中为一个)，因而能够简化热阻计算。
因此，在此，计算图17(a)(b)所示的发光装置中的电路基板整体的热阻。
在此，发光元件是1边为500μm的正方形形状，发光元件下表面的面积中的70％设为与电极的上表面的面积相同。此外，将导电层中搭载发光元件的电极端子部的面积设为与发光元件的电极面积相同，来估算热阻。
若如以下的表1～表3所示赋予各层的厚度和热传导率，则对应的各层中的热阻估算为从右侧起第2栏那样。对于每1个发光元件，输入0.40W的功率，其中的50％作为热而损耗的情况下的各层处的温度上升ΔT，估算为右端栏那样。
[表1]
[表2]
[表3]
布线图案的层厚在表1中为0.5mm(500μm)，在表2中为0.05mm(50μm)，在表3中为0.005mm(5μm)。
从表1～表3可知，全都是热传导性绝缘层的热阻占据了基板整体的热阻的大部分。即，可知基板整体的热阻的主要原因起因于热传导性绝缘膜。进而还可知，布线图案的厚度影响到热传导性绝缘层的热阻的值。
与表3所示的0.005mm(5μm)的厚度的布线图案相比可知，在厚出一位的、表2所示的0.05mm(50μm)的布线图案中，通过热的扩展，从而在基板整体观察的热阻减少了23％，作为温度降低了6℃以上。进而可知，在厚出二位的表1所示的0.5mm(500μm)的布线图案中，在基板整体观察的热阻减少了80％以上，作为温度降低了21℃。
即使在这样的简单的估算中，也能够明确地示出，布线图案的厚度(导电层下部：第1金属层5+第2金属层7的厚度)是决定热传导性绝缘层(陶瓷层2)的热阻的支配性因素。
进而，在上述的估算的条件下，进一步详细地求出布线图案的厚度与处于正下方的热传导性绝缘层的热阻的关系。图18是表示此时求出的布线图案的厚度与热阻的关系的曲线图。
此外，详细求出通过发光元件的发热，在热传导性绝缘层中温度上升多少的关系。图19是表示此时求出的布线图案的厚度与温度上升的关系的曲线图。
根据以上，考虑到制造发光装置时的制造成本的情况下，使布线图案的厚度成为0.5mm(500μm)并不现实，但只要至少使布线图案的厚度为0.035(35μm)或者0.05mm(50μm)以上，更有选为100μm以上，则能够获得几℃以上的温度改善效果，根据情况，能够获得十几℃的温度改善效果。在此处的估算中，根据图19所示的曲线图，只要布线图案的厚度为35μm，与假设为0μm的情况相比，在热传导性绝缘层，能够预料5℃程度的温度下降。
因此可知，只要在布线图案中的无电极端子的较薄的部分(第1金属层5和第2金属层7重叠的部分)，至少为35μm～100μm或者更厚，则能够取得上述效果。
此外，在本申请发明中，为了取得上述效果(作为基板整体的温度改善效果)，布线图案的厚度很重要，因此构成了布线图案的第1金属层5和第2金属层7可以不必一定以清楚的边界加以区别。
〔总结〕
本发明的方式1所涉及的发光装置用基板(以下称为电路基板)是电路基板320，具备：金属基体1；第1电绝缘层(陶瓷层2)，形成在所述金属基体1上，具有热传导性；和电极图案13，形成在所述第1电绝缘层(陶瓷层2)上，所述电路基板的特征在于，所述电极图案13具有：基底层，形成在所述第1电绝缘层(陶瓷层2)上，由第1金属层5构成；布线部，形成在所述基底层上，由第2金属层7构成；和电极端子部10，形成在所述布线部之上，所述电极图案13中的未形成所述电极端子部10的部分的厚度至少为35μm以上。
在此，在金属基体上形成的第1电绝缘层的热传导率虽是由材质决定的常数，但热阻能够根据构成在该第1电绝缘层上形成的电极图案的基底层、布线部的厚度来任意地改变。
这取决于下述情况。电极图案由热传导率高的金属形成，例如铜。因此，即使基底层、布线部的厚度变厚，在热沿基板垂直方向在电极图案中扩散的期间受到的热阻非常低，若与沿基板垂直方向通过第1电绝缘层的情况相比则是能够忽视的水平。在热沿基板垂直方向扩散的期间中，热也在沿基板水平方向扩散。基于同样的理由，沿基板水平方向扩散的热受到的热阻也是能够忽视的水平。
这样，若使构成在该第1电绝缘层上形成的电极图案的基底层、布线部的厚度增厚，则能够在热沿基板垂直方向通过电极图案的期间中，使热沿基板水平方向扩展，这期间，在电极图案层实质上不会受到热阻的影响。结果，在电极图案层实质上不会受到热阻的影响，能够降低沿基板垂直方向通过第1电绝缘层的时间点处的热通量。若热通量降低，则即使热传导率相同，热阻也降低，因而能够减小该第1电绝缘层的热阻。在此，所谓热通量，由通过单位面积的剖面的每单位时间的热量来定义，其单位是由W/m2(瓦特每平方米)表示的量。
反之，若基底层、布线部的厚度变薄，则热沿基板垂直方向通过电极图案的期间中，沿基板水平方向的热扩散不充分，通过第1电绝缘层的时间点处的热通量依然较高。结果，即使该第1电绝缘层的热传导率是与前例相同的值，该第1电绝缘层的热阻也较高。
此外，在包含金属基体、第1电绝缘层、电极图案的电路基板中，由于第1电绝缘层的热阻会严重影响电路基板整体的热阻的大小，因此若第1电绝缘层的热阻较大，则电路基板整体的热阻也较大，若第1电绝缘层的热阻较小，则电路基板整体的热阻也较小。
因此，在上述的构成中，通过电极图案中的未形成所述电极端子部的部分的厚度，即将基底层和布线部合在一起的厚度设定为第1电绝缘层的热阻成为所希望的热阻，从而能够决定电路基板整体的热阻。即，通过电极图案中的未形成上述电极端子部的部分的厚度，能够改变电路基板整体的热阻。例如，只要将上述厚度设得较薄，则能够增大电路基板整体的热阻，只要将上述厚度设得较厚，则能够减小电路基板整体的热阻。
由此，只要将电极图案中的未形成所述电极端子部的部分的厚度设为规定厚度以上，即，至少为35μm以上，便能够将电路基板整体的热阻抑制得较低。
本发明的方式2所涉及的电路基板优选为，在上述方式1中，所述第1金属层5是通过使用了催化剂的无电解镀覆法而形成的金属层，所述第2金属层7是通过电镀法而形成、且比所述第1金属层5厚的金属层。
本发明的方式3所涉及的电路基板优选为，在上述方式1中，所述第1金属层5是通过以高速喷射金属粒子的方法而形成的金属层，所述第2金属层7是通过电镀法而形成、且比所述1金属层5厚的金属层。
本发明的方式4所涉及的电路基板优选为，在上述方式1～3的任意一方式中，具备具有光反射性的第2电绝缘层(光反射层11)，所述第2电绝缘层包覆所述电极图案13和所述第1电绝缘层(陶瓷层2)使得该电极图案13的电极端子部10露出，所述第1电绝缘层(陶瓷层2)与所述第2电绝缘层(光反射层11)相比，具有至少同等或者更高的热传导性，所述第2电绝缘层(光反射层11)与所述第1电绝缘层(陶瓷层2)相比，具有至少同等或者更高的光反射性。
本发明的方式5所涉及的电路基板优选为，在上述方式4中，包覆所述电极图案的部分处的所述第2电绝缘层(光反射层11)的厚度为30μm以上。换言之，也可以说在所述电极图案的上部形成的所述第2电绝缘层(光反射层11)的厚度优选为30μm以上。
通过采用这样的电路基板，从而能够减少从发光元件产生的光透过具有光反射性的第2电绝缘层的比例。在本方式中，包覆电极图案13的部分处的所述第2电绝缘层(光反射层11)的厚度为30μm以上。因此，即使在由像铜那样光吸收率比较高的金属构成的电极图案13的情况下，也能够减少透过具有光反射性的第2电绝缘层而到达电极图案13的光的比例，所以能够提供具有更高的反射率的适于高亮度照明的电路基板，即发光装置用基板。
本发明的方式6所涉及的电路基板优选为，在上述方式1～5的任意一项中，所述电极图案13中的未形成所述电极端子部10的部分的厚度为35μm～100μm的范围的厚度。
本发明的方式7所涉及的电路基板优选为，在上述方式1～6的任意一项中，所述布线部(第2金属层7)由铜或银形成。
本发明的方式8所涉及的电路基板优选为，在上述方式1～7的任意一项中，所述布线部由多层构成，在铜层(第2金属层7)之上形成有银层8。
根据上述构成，所述银层的一部分存在为被所述电极端子部和所述铜层夹着。
本发明的方式9所涉及的电路基板优选为，在上述方式1～8的任意一项中，所述第1电绝缘层(陶瓷层2)由通过朝向基体以高速喷射陶瓷粒子的方法而形成的陶瓷的堆积层构成。
本发明的方式10所涉及的电路基板优选为，在上述方式9中，所述第1电绝缘层(陶瓷层2)由使用热喷涂或者气溶胶沉积法(AD法)而形成的陶瓷的堆积层构成。
本发明的方式11所涉及的电路基板优选为，在上述方式1～10的任意一项中，所述第1电绝缘层(陶瓷层2)由氧化铝构成。
本发明的方式12所涉及的电路基板优选为，在上述方式1～8的任意一项中，所述第1电绝缘层(陶瓷层2)由陶瓷与玻璃的混合层构成。
本发明的方式13所涉及的电路基板优选为，在上述方式4～12的任意一项中，所述第2电绝缘层(光反射层11)由陶瓷层、陶瓷与玻璃的混合层、或者陶瓷与树脂的混合层构成。
本发明的方式14所涉及的电路基板优选为，在上述方式1～13的任意一项中，所述金属基体1是铝、包含铝的合金、铜、包含铜的合金。
本发明的方式15所涉及的发光装置的特征在于，具备与方式1～14的任意一方式所记载的电路基板中的所述电极端子部10电连接的发光元件12。
本发明的方式16所涉及的照明装置的特征在于，具备方式15所记载的发光装置301作为光源。
本发明的方式17所涉及的电路基板的制造方法是具备金属基体1的电路基板的制造方法，其特征在于，包括：在所述金属基体1的一侧的面形成陶瓷层2的工序；在所述陶瓷层2上，使用催化剂通过无电解镀覆法在所述陶瓷层上析出金属而形成成为基底层的第1金属层5的工序；在所述第1金属层5上形成掩模层(第1掩模6)，并在掩模开口部通过电镀法来形成厚度比该第1金属层5厚的成为布线部的第2金属层7的工序；和去除所述掩模层(第1掩模6)后，通过蚀刻来去除被该掩模层覆盖过的第1金属层5，形成所希望的电极图案13的工序。
根据上述构成，由于在陶瓷层上使用催化剂通过无电解镀覆法而形成了第1金属层，因而能够在第1金属层上通过电镀法来形成第2金属层。由此，能够在陶瓷层上将金属堆积得较厚。即，能够在陶瓷层上，形成厚度较厚的金属层(第1金属层+第2金属层)。
此外，第2金属层由于通过电镀法而形成，所以容易调整厚度，因此能够容易地控制在陶瓷层上形成的金属层的厚度。
进而，通过上述构成，能够取得与所述方式1所记载的电路基板同样的效果。
本发明的方式18所涉及的电路基板的制造方法是具备金属基体1的电路基板的制造方法，其特征在于，包括：在所述金属基体1的一侧的面形成陶瓷层2的工序；在所述陶瓷层2上，使用催化剂通过无电解镀覆法在所述陶瓷层2上析出金属而形成成为基底层的第1金属层5的工序；在所述第1金属层5上通过电镀法来形成厚度比该第1金属层5厚的成为布线部的第2金属层7的工序；和通过在所述第2金属层上形成掩模层并对掩模开口部进行蚀刻，从而由所述第1金属层5和所述第2金属层7形成电极图案13的工序。
根据上述构成，由于在陶瓷层上使用催化剂通过无电解镀覆法而形成了第1金属层，因而能够在第1金属层上通过电镀法来形成第2金属层。由此，能够在陶瓷层上将金属堆积得较厚。即，能够在陶瓷层上，形成厚度较厚的金属层(第1金属层+第2金属层)。
此外，第2金属层由于通过电镀法来形成，所以容易调整厚度，因此能够容易地控制在陶瓷层上形成的金属层的厚度。
而且，由于在第2金属层的形成后进行蚀刻来形成了电极图案，因此能够成为第1金属层和第2金属层一体化的电极图案(第1金属层与第2金属层的边界不清楚的电极图案)。
本发明的方式19所涉及的电路基板的制造方法优选为，在所述方式17或18中，在形成所述第1金属层5的工序中，作为催化剂而使用钯催化剂来通过无电解镀覆法在所述陶瓷层2上析出金属而形成5μm以下的厚度的由铜构成的第1金属层5，在形成所述第2金属层7的工序中，在由铜构成的所述第1金属层5上通过电镀法来形成由铜构成的第2金属层7。
本发明的方式20所涉及的电路基板的制造方法是具备金属基体1的电路基板的制造方法，其特征在于，包括：在所述金属基体1的一侧的面形成陶瓷层2的工序；在所述陶瓷层2上，以高速喷射金属粒子并使金属堆积来形成成为基底层的第1金属层5的工序；在所述第1金属层5上形成掩模层(第1掩模6)并对掩模开口部通过电镀法来形成厚度比该第1金属层5厚的成为布线部的第2金属层7的工序；和去除所述掩模层(第1掩模6)后，通过蚀刻来去除被该掩模层覆盖过的第1金属层5，形成所希望的电极图案13的工序。
根据上述构成，能够在陶瓷层上将金属堆积得较厚。即，能够在陶瓷层上，形成厚度较厚的金属层(第1金属层+第2金属层)。
此外，第2金属层由于通过电镀法来形成，所以容易调整厚度，因此能够容易地控制在陶瓷层上形成的金属层的厚度。
本发明的方式21所涉及的电路基板的制造方法是具备金属基体1的电路基板的制造方法，其特征在于，包括：在所述金属基体1的一侧的面形成陶瓷层2的工序；在所述陶瓷层2上，以高速喷射金属粒子使金属堆积来形成成为基底层的第1金属层5的工序；在所述第1金属层5上通过电镀法来形成厚度比该第1金属层5厚的成为布线部的第2金属层7的工序；和通过在所述第2金属层上形成掩模层并对掩模开口部进行蚀刻，从而由所述第1金属层5和所述第2金属层7形成电极图案13的工序。
根据上述构成，能够在陶瓷层上将金属堆积得较厚。即，能够在陶瓷层上，形成厚度较厚的金属层(第1金属层+第2金属层)。
此外，第2金属层由于通过电镀法来形成，所以容易调整厚度，因此能够容易地控制在陶瓷层上形成的金属层的厚度。
而且，由于在第2金属层的形成后进行蚀刻来形成了电极图案，因此能够成为第1金属层和第2金属层一体化的电极图案(第1金属层与第2金属层的边界不清楚的电极图案)。
本发明的方式22所涉及的电路基板的制造方法优选为，在所述方式20或21中，在形成所述第1金属层5的工序中，作为以高速喷射金属粒子来使金属堆积的方法，使用热喷涂或者气溶胶沉积法(AD法)。
本发明的方式23所涉及的电路基板的制造方法优选为，在方式20～22的任一方式中，在形成所述第1金属层5的工序中，以高速喷射所述铜粒子而在所述陶瓷层2上使铜堆积来形成2μm以上且40μm以下的厚度的由铜构成的第1金属层5，在形成所述第2金属层7的工序中，在由铜构成的所述第1金属层5上通过电镀法来形成由铜构成的第2金属层7。
本发明的方式24所涉及的电路基板的制造方法优选为，在所述方式17或20中，在形成所述电极图案13的工序中，在去除所述掩模层之前，在所述第2金属层7表面通过所述掩模开口部，来形成了银的层(银层8)之后，在所述银的层(银层8)上再形成另外的掩模层，在所述另外形成的掩模开口部形成由铜构成的电极端子部10。
本发明的方式25所涉及的电路基板的制造方法是具备由铝构成的基体(金属基体1)的电路基板320的制造方法，其特征在于，所述金属基体1是由铝构成的金属基体，并在所述金属基体1的一侧的面形成陶瓷层2的工序与在所述陶瓷层上形成第1金属层的工序之间，还具备在所述金属基体1的另一侧的面形成保护层3的工序，在形成所述保护层3的工序中，在通过阳极氧化处理以由耐酸铝构成的阳极氧化皮膜来覆盖了由所述陶瓷层2覆盖的部分以外的金属基体1之后，实施封孔处理，由此形成在耐酸铝层形成为多孔质状的孔被堵住的保护层3。
本发明的方式26所涉及的电路基板的制造方法优选为，在方式25中，在形成所述保护层3的工序之前，用绝缘性物质对在所述陶瓷层2形成的贯通孔进行填埋来进行封孔处理。
本发明的方式27所涉及的电路基板的制造方法优选为，在方式26中，作为填埋所述贯通孔的绝缘性物质，使用树脂、玻璃或者将树脂、玻璃用作粘结剂的微小的陶瓷粒子。
本发明并不限定于上述的各实施方式，在权利要求所示的范围内能够进行各种变更，关于将在不同的实施方式中分别公开的技术手段适当进行组合而得到的实施方式，也包含在本发明的技术范围中。进而，通过将在各实施方式中分别公开的技术手段进行组合，能够形成新的技术特征。
工业实用性
本发明能够适用于用于高亮度发光装置的电路基板。
符号说明
1 金属基体
2 陶瓷层(第1电绝缘层)
3 保护层
4 催化剂层
5 第1金属层
6 第1掩模
6A 第1掩模
7 第2金属层(布线部)
8 银层(布线部)
9 第2掩模
9A 第2掩模
10 电极端子部
11 光反射层(第2电绝缘层)
12 发光元件
13 电极图案
15 平坦化层
101 照明装置
102 散热片
103 反射器
301 发光装置
302 金属基体
303 电极图案
304 发光元件
305 光反射树脂框
306 含荧光体密封树脂
307 阳极电极
308 阴极电极
309 阳极标记
310 阴极标记
311 中间层
312 反射层
320 电路基板
320A 电路基板
320B 电路基板
320C 电路基板

Claims (7)

1.一种发光装置用基板，具备：
金属基体；
第1电绝缘层，其形成在所述金属基体上，并具有热传导性；和
电极图案，其形成在所述第1电绝缘层上，
所述发光装置用基板的特征在于，
所述电极图案具有：
基底层，其形成在所述第1电绝缘层上，并由第1金属层构成；
布线部，其形成在所述基底层上，并由第2金属层构成；和
电极端子部，其形成在所述布线部之上，
所述电极图案中的未形成所述电极端子部的部分的厚度为至少35μm以上。
2.根据权利要求1所述的发光装置用基板，其特征在于，
所述第1金属层是通过使用了催化剂的无电解镀覆法而形成的金属层，
所述第2金属层是通过电镀法而形成的、且比所述第1金属层厚的金属层。
3.根据权利要求1所述的发光装置用基板，其特征在于，
所述第1金属层是通过以高速喷射金属粒子的方法而形成的金属层，
所述第2金属层是通过电镀法而形成的、且比所述第1金属层厚的金属层。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置用基板，其特征在于，
具备具有光反射性的第2电绝缘层，所述第2电绝缘层包覆所述电极图案和所述第1电绝缘层，使得该电极图案的电极端子部露出，
所述第1电绝缘层具有与所述第2电绝缘层同等或者比所述第2电绝缘层更高的热传导性，
所述第2电绝缘层具有与所述第1电绝缘层同等或者比所述第1电绝缘层更高的光反射性。
5.根据权利要求4所述的发光装置用基板，其特征在于，
包覆所述电极图案的部分处的所述第2电绝缘层的厚度为30μm以上。
6.一种发光装置用基板的制造方法，所述发光装置用基板具备金属基体，所述制造方法的特征在于，包括：
在所述金属基体的一侧的面形成陶瓷层的工序；
在所述陶瓷层上，使用催化剂通过无电解镀覆法在所述陶瓷层上析出金属来形成成为基底层的第1金属层的工序；
在所述第1金属层上形成掩模层并在掩模开口部通过电镀法来形成厚度比该第1金属层厚的成为布线部的第2金属层的工序；和
去除所述掩模层后，通过蚀刻来去除被该掩模层覆盖的第1金属层，形成所希望的电极图案的工序。
7.一种发光装置用基板的制造方法，所述发光装置用基板具备金属基体，所述制造方法的特征在于，包括：
在所述金属基体的一侧的面形成陶瓷层的工序；
在所述陶瓷层上，使用催化剂通过无电解镀覆法在所述陶瓷层上析出金属来形成成为基底层的第1金属层的工序；
在所述第1金属层上通过电镀法来形成厚度比该第1金属层厚的成为布线部的第2金属层的工序；和
通过在所述第2金属层上形成掩模层并对掩模开口部进行蚀刻，从而由所述第1金属层和所述第2金属层形成电极图案的工序。
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