JP2023095084A - 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第1の実施形態について説明する。
図1Aおよび図1Bは、本実施形態に係る発光モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
図2は、図1Bの中間体を示す下面図である。
図3A~図7は、本実施形態に係る発光モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
図8は、本実施形態に係る発光モジュールを示す断面図である。
配線基板110は、絶縁性の基材111、複数の金属層112、および絶縁膜113を有する。配線基板110は、例えば、ASIC(Application Specific Integrated Circuit:特定用途向け集積回路)基板である。基材111の上面および下面は、略平坦であり、X-Y平面に概ね平行である。
レジスト層120は、例えば、フォトリソグラフィ法により形成する。レジスト層120は、例えば絶縁膜113上であって少なくとも平面視で隣り合う第1金属層112aと第2金属層112bとの間に形成される。レジスト層120の上面は、略平坦であり、X-Y平面に概ね平行である。ただしレジスト層を形成する位置は、レジスト層が発光素子を支持可能であり、後述する第1接合部材および第2接合部材の形成を妨げない位置である限り、上記に限定されない。
中間体130は、発光素子131、第1被覆層132a、および第2被覆層132bを含む。
本実施形態に係る発光モジュール100の製造方法においては、上面に第1金属層112aを有する配線基板110を準備する。配線基板110上に、第1金属層112aが露出するようにレジスト層120を形成する。発光面131c2と、発光面131c2の反対側に位置し、第1電極131aが一部に配置される電極面131s1と、を有する発光素子131と、第1電極131aの周囲に位置する電極面131s1を覆う第1被覆層132aと、を有する中間体130を、第1電極131aが第1金属層112aと対向するように、レジスト層120上に配置する。めっき法により、第1金属層112aを起点として第1接合部材141を成長させて第1電極131aおよび第1被覆層132aに接する第1接合部材141を形成する。レジスト層120および第1被覆層132aを除去する。めっき法により、第1接合部材141の表面に第1めっき層150aを形成する。そして、第1めっき層150aは、発光素子131の電極面131s1と第1接合部材141との間に配置される。第1めっき層150aが、第1接合部材141の表面を覆うため、第1接合部材141の腐食を抑制できる。
次に、第2の実施形態について説明する。
図9は、本実施形態に係る発光モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
図10は、図9の中間体を示す下面図である。
本実施形態に係る発光モジュール100の製造方法は、1つの被覆層232が、電極面131s1において第1電極131aの周囲に位置する部分および第2電極131bの周囲に位置する部分の両方を覆う点で、第1の実施形態に係る発光モジュール100の製造方法と相違する。
以下の説明においては、第1の実施形態との相違点を主に説明する。以下に説明する事項以外は、第1の実施形態と同様に構成できる。後述する他の実施形態についても同様である。
次に、第3の実施形態について説明する。
図11および図12は、本実施形態に係る発光モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
本実施形態に係る発光モジュール300の製造方法は、第1被覆層332aが、第1電極131aの下面の一部を覆う点で、第1の実施形態に係る発光モジュール100の製造方法と相違する。
本実施形態に係る発光モジュール300の製造方法において、第1被覆層332aは、第1電極131aの下面の一部を覆う。そのため、第1めっき層350aは、第1電極131aの下面の一部を覆う。これにより、第1めっき層350aにより、第1接合部材341と第1電極131aとの接合部をより確実に被覆できる。これにより、第1接合部材341の腐食を好適に抑制できる。
110 :配線基板
111 :基材
112 :金属層
112a :第1金属層
112b :第2金属層
113 :絶縁膜
113a :第1開口
113b :第2開口
120 :レジスト層
130 :中間体
131 :発光素子
131a :第1電極
131b :第2電極
131c :半導体構造体
131c1 :下面
131c2 :上面(発光面)
131c3 :側面
131s1 :電極面
132a、332a:第1被覆層
132a1 :第1部分
132a2 :第2部分
132b :第2被覆層
132b1 :第1部分
132b2 :第2部分
141、341:第1接合部材
141a :基部
141b :延在部
142 :第2接合部材
142a :基部
142b :延在部
150a、350a:第1めっき層
150b :第2めっき層
151 :第1層
152 :第2層
153 :第3層
232 :被覆層
232a :第1部分
232b :第2部分
232c :第3部分
232d :第4部分
232e :第5部分
S1、S2、S3、S4:隙間
t1、t2、t22、t3、t32、t4、t5、t6、t7:最大厚み
W1、W2、W3、W4:最大幅
Claims (14)
- 上面に金属層を有する配線基板を準備する工程と、
前記配線基板上に、前記金属層が露出するようにレジスト層を形成する工程と、
発光面と、前記発光面の反対側に位置し、電極が一部に配置される電極面と、を有する発光素子と、前記電極の周囲に位置する前記電極面を覆う被覆層と、を有する中間体を、前記電極が前記金属層と対向するように、前記レジスト層上に配置する工程と、
めっき法により、前記金属層を起点として接合部材を成長させて前記電極および前記被覆層に接する前記接合部材を形成する工程と、
前記レジスト層および前記被覆層を除去する工程と、
めっき法により、前記接合部材の表面にめっき層を形成する工程と、
を備え、
前記めっき層は、前記発光素子の前記電極面と前記接合部材との間に配置される、発光モジュールの製造方法。 - 前記接合部材を形成する工程において、前記接合部材は、前記金属層から前記電極に向かう方向と交差する方向にも成長する、請求項1に記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記発光素子は、前記発光面と前記電極面との間に位置する側面を有し、
前記被覆層は、前記電極面を覆う第1部分と、前記第1部分から連続して前記側面を覆う第2部分と、を有し、
前記接合部材を形成する工程において、前記接合部材は、前記被覆層の前記第1部分および前記第2部分に接するように形成される、請求項1または2に記載の発光モジュールの製造方法。 - 前記被覆層は、前記電極の下面の一部を覆う、請求項1~3のいずれか1つに記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記被覆層の最大厚みは、前記電極の最大厚みよりも厚い、請求項1~4のいずれか1つに記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記めっき層は、パラジウム、ロジウム、プラチナ、ルテニウム、イジリウムから選択される少なくとも1種の金属または合金を含む、請求項1~5のいずれか1つに記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記接合部材は、銅を含む、請求項1~6のいずれか1つに記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記接合部材は、湿式めっき法により形成され、
前記被覆層は、めっき液に対して耐性を有する、請求項1~7のいずれか1つに記載の発光モジュールの製造方法。 - 前記被覆層は、金属、酸化物、またはレジストのいずれかを含む、請求項8に記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記接合部材は、電解めっき法により形成される、請求項1~9のいずれか1つに記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記めっき層は、無電解めっき法により形成される、請求項1~10のいずれか1つに記載の発光モジュールの製造方法。
- 上面に金属層を有する配線基板と、
発光面と、前記発光面の反対側に位置して電極が配置される電極面と、前記発光面と前記電極面との間に位置する側面と、を有する発光素子であって、前記電極が前記金属層と対向するように前記配線基板の上方に配置される前記発光素子と、
前記金属層と前記電極とを接合する接合部材と、
前記接合部材の表面を覆うめっき層と、
を備え、
前記接合部材は、前記金属層と前記電極との間に位置する基部と、前記基部から上方に延在し、前記側面から離隔するとともに前記側面と対向する延在部と、を有し、
前記めっき層は、前記延在部と前記側面との間に配置される、発光モジュール。 - 前記接合部材と前記電極との接合部の最大幅は、前記接合部材と前記金属層との接合部の最大幅よりも大きい、請求項12に記載の発光モジュール。
- 前記めっき層は、前記電極の下面の一部を覆う、請求項12または13に記載の発光モジュール。
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