JP2023054285A - 回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁層の盛り上がりを抑制すると共にクラックの発生を抑制しながら、実現可能にする回路基板の樹脂モールド回路体を得る。
【解決手段】回路パターンに応じて配置された回路３と、回路３の周側面３ｃを覆う樹脂モールド部５とを備え、回路３は、表裏の回路面３ａ、３ｂが前記樹脂モールド部５の樹脂面５ａ、５ｂから露出し、回路面３ａ、３ｂ及び樹脂面５ａ、５ｂにより絶縁層２７へ接合させるための接合面１ｂを形成し、かかる樹脂モールド回路体１は、金属基板２５上の絶縁層２７に接合面１ｂの回路面３ｂ及び樹脂面５ｂを面合わせで備えていることを特徴とする。
【選択図】図７

Description

本発明は、金属ベース回路基板などの回路基板に用いる樹脂モールド回路体、樹脂モールド回路体を成形する金型、樹脂モールド回路体の製造方法、及び樹脂モールド回路体を用いた回路基板に関する。

従来の金属ベース回路基板１０１としては、図２０のように加圧、加熱して完成させている。例えば、金属基板１０３の未硬化の絶縁層１０５上に各回路１０７・・・を回路パターン１０７に応じて貼り付けたものがフラット押し具１０９を介して加圧／加熱板１１１、１１３により加圧／加熱処理され、絶縁層１０５が加熱硬化される。

しかし、図２１、図２２のように、回路１０７・・・の絶縁層１０５からの立ち上がり部分で絶縁層１０５にクラックＣｒが発生すると共に回路１０７・・・間の絶縁層１０５の盛り上がり１０５ａが発生し、且つ絶縁層１０５内にボイドＶを招くという問題があった。

加えて、回路１０７・・・の位置ズレ等による隙間ＧＡを生ずる問題もあった。

また、精密打ち抜きの上下抜きで回路を銅板材から打ち抜くと、図２３の回路１０７・・・のように角にダレＤｕを生じており、このダレＤｕにより絶縁層１０５の加圧加熱硬化後に隙間ＧＡが発生するという問題もあった。

特に、パワーデバイス用の金属ベース回路基板における絶縁信頼性の向上を図るために、耐電圧に影響を及ぼす絶縁層１０５に対する回路１０７・・・の接着条件の向上が重要となっている。

反面、図２０の製造方法では、加圧力を低減すると絶縁層１０５に内在するボイドが圧縮されずに残留するといった理由から接着条件の向上範囲は狭く、ロバスト性の改善が不可欠であった。

かかる課題に対し、特許文献１に記載の図２４の回路基板の製造方法が提案されている。

この回路基板の製造方法は、回路１０７・・・を金属基板の絶縁層１０５上に配置する工程と、回路１０７・・・間の空間の形状に対応する凸部１１５ａを有する型１１５を、前記凸部１１５ａが前記空間に配置されるように配置する工程と、前記型１１５を加圧加熱する工程と、前記型１１５を除去する工程とを備えている。

かかる方法では、型１１５の凸部１１５ａが回路１０７・・・間に配置されている状態で加圧するため、回路１０７・・・の位置ズレが小さく、且つ回路１０７・・・間での絶縁層１０５の盛り上がりが型１１５の凸部１１５ａによって抑制され、クラックの発生も抑制されることが考えられる、としている。

しかし、この方法では、回路１０７・・・が型１１５の凹部１１５ｂ・・・内に収容される形態であるため、加圧によって型１１５の凹部１１５ｂ・・・内が密閉され、型１１５を回路１０７・・・から引き抜くことが困難であり、実現性に問題があった。

２０１８－１８２０１０号公報

解決しようとする問題点は、絶縁層の盛り上がりやクラック等の問題を抑制できる可能性はあるものの、型のセットや除去が困難となり、実現性に問題があった点である。

本発明は、回路間での絶縁層の盛り上がりを抑制すると共に絶縁層でのクラックの発生を抑制しながら、実現可能にすることを目的とする。

かかる目的を達成するために、本発明に係る樹脂モールド回路体は、回路パターンに応じて配置された回路と、前記回路の周側面を覆う樹脂モールド部とを備え、前記回路は、表裏の回路面の少なくとも一部が前記樹脂モールド部の樹脂面から露出し、前記表裏の回路面及び樹脂面の一方は、絶縁層へ接合させるための接合面としたことを特徴とする。

本発明の樹脂モールド回路体の製造に用いる金型は、回路パターンに応じて配置された回路と前記回路の周側面を覆う樹脂モールド部とを備え絶縁層へ接合させる樹脂モールド回路体をトランスファー成形する金型であって、前記樹脂モールド回路体を成形するためのキャビティの一側を形成する第１の分割金型を含み、前記樹脂モールド回路体の外周面に応じた大きさで又は前記樹脂モールド回路体の外周面よりも拡大した大きさで前記キャビティの側周囲を有し、前記第１の分割金型は、前記回路を前記キャビティ内で位置決めるための位置決め部を備えたことを特徴とする。

本発明の樹脂モールド回路体の製造方法は、前記第１の分割金型の位置決め部に、前記回路を位置決めて配置し、前記第１の分割金型を含めて前記キャビティを構成し、予熱により流動する樹脂を前記キャビティに圧入してから硬化させることを特徴とする。

本発明の回路基板は、前記樹脂モールド回路体が、基板上の絶縁層に前記接合面の回路面及び樹脂面を面合わせで備えたことを特徴とする。

本発明の樹脂モールド回路体によれば、回路パターンに応じて位置決めされた回路を樹脂モールド回路体として一体に取り扱うことができ、計画的な生産活動へと展開することで安定生産の実現に寄与することができる。

回路の正確な回路パターンを維持した樹脂モールド回路体をそのまま在庫化できる。

樹脂モールド回路体は平板状にすることもでき、在庫化するときスペース効率よく行わせることができる。また、樹脂モールド回路体は平板状に一体的にすることもでき、搬入、搬出時の取り扱いも容易にすることができる。

樹脂モールド回路体は、樹脂モールド部により回路パターンを維持するから、回路パターンに浮島形状の回路が存在しても対応できる。

大電流化ニーズに応じた、例えば厚みが０．５ｍｍを上回る厚い回路でも、回路を精密打ち抜きにより打ち抜くこともでき、加工スピードを向上でき、コスト低減ニーズへの対応を向上させることができる。この場合、回路の即周面にダレを有するが、樹脂モールド部によりほぼ平坦に成形された接合面を得ることができる。 本発明の金型を用いることにより、金型から樹脂モールド回路体を取り出し又は金型から取り出した半製品から樹脂モールド回路体を切り出し、回路パターン通りに配置された回路を備えた樹脂モールド回路体を容易に得ることができる。

本発明の樹脂モールド回路体の製造方法は、前記金型を用いて回路パターン通りに位置決め配置された回路を樹脂モールド部によりモールドし、表裏に回路面が露出し、表裏の回路面及び樹脂面の一方により平坦な接合面を備えた樹脂モールド回路体を容易に得ることができる。

本発明の樹脂モールド回路体を用いた回路基板は、樹脂モールド回路体が回路を含めて加圧されているため、回路に働いた加圧による応力を樹脂モールド部全体に分散させて絶縁層に伝達され、回路周囲での絶縁層の盛り上がりを抑制すると共にクラックの発生を抑制し、絶縁信頼性を向上することができる。樹脂モールド回路体は、樹脂モールド部がそのまま回路基板に残っているため、加圧後でも回路の位置精度を容易に維持させることができる。

また、回路基板として、回路周囲に樹脂が存在することになり、回路の絶縁性を高めることができる。回路周囲の樹脂により絶縁性が高く、複数回路であっても回路密度を高めることもでき、回路基板の小型化を図ることもできる。回路に接続された回路素子等の発熱は、回路周囲の樹脂によっても効率よく熱伝導が行われ、放熱性能を向上させることができる

樹脂モールド回路体の断面図である。（実施例１） 樹脂モールド回路体の平面図である。（実施例１） 樹脂モールド回路体の斜視図である。（実施例１） 回路と樹脂モールド部との関係を示す要部拡大断面図である。（実施例１） 樹脂モールド回路体の製造方法に用いる金型の断面図である。（実施例１） 樹脂モールド回路体を用いた金属ベース回路基板の加圧／加熱工程の概念図である。（実施例１） 金属ベース回路基板の断面図である。（実施例１） 樹脂モールド回路体を用いた実施例の金属ベース回路基板の断面図において拡大箇所を指示する説明図である。（実施例１） 図１１で指示する拡大箇所の拡大写真である。（実施例１） 樹脂モールド部の無い比較例の金属ベース回路基板の断面図において拡大箇所を指示する説明図である。（比較例） （Ａ）は、図１３で指示する拡大箇所において更に拡大する箇所を指示する説明写真である。（Ｂ）は、（Ａ）で指示する拡大箇所の拡大写真である。（比較例） （Ａ）は、金属ベース回路基板２９の平面図において耐電圧の測定箇所を示す説明図である。（Ｂ）は、測定箇所における耐電圧を示す図表である。（実施例１） 回路の変形例を採用した金属ベース回路基板２９の要部拡大断面図である。（実施例１） 図５に対応し、樹脂モールド回路体の製造方法に用いる金型の断面図である。（実施例２） 図１に対応し、樹脂モールド回路体の断面図である。（実施例２） 図５に対応し、樹脂モールド回路体の製造方法に用いる金型の断面図である。（実施例３） 図１に対応し、樹脂モールド回路体の断面図である。（実施例３） 図５に対応し、樹脂モールド回路体の製造方法に用いる金型の断面図である。（実施例４） 図１に対応し、樹脂モールド回路体の断面図である。（実施例４） 図５に対応し、樹脂モールド回路体の製造方法に用いる金型の断面図である。（実施例５） 図１に対応し、樹脂モールド回路体の図２２におけるＸＸＩ－ＸＸＩ矢視断面図である。（実施例５） ブリッジ状にクロスした回路を備える樹脂モールド回路体の平面図である。（実施例５） は、ブリッジ状にクロスした回路を備える樹脂モールド回路体の裏面図である。（実施例５） 従来の金属ベース回路基板の加圧／加熱工程を示す概念説明図である。（従来例） 樹脂モールド部を有しない回路と絶縁層との関係を示す断面図である。（従来例） 樹脂モールド部を有しない回路と絶縁層との関係を示す断面図である。（従来例） 樹脂モールド部を有しない回路と絶縁層との関係を示す断面図である。（従来例） 型を用いた回路パターンの加圧工程を示す断面図である。（従来例）

絶縁層の盛り上がりを抑制すると共に絶縁層でのクラックの発生を抑制しながら、実現可能にするという目的を、以下のように実現した。

本発明に係る樹脂モールド回路体は、回路パターンに応じて配置された回路と、前記回路の周側面を覆う樹脂モールド部とを備え、前記回路は、表裏の回路面の少なくとも一部が前記樹脂モールド部の樹脂面から露出し、前記表裏の回路面及び樹脂面の一方は、絶縁層へ接合させるための接合面とした。

前記回路は、表裏の少なくとも一方の回路面が前記樹脂モールド部から突出している。

前記回路は、均一な高さで複数備えられた又は異なる高さで複数備えられた。

本発明は、回路パターンに応じて配置された回路と前記回路の周側面を覆う樹脂モールド部とを備え絶縁層へ接合させる樹脂モールド回路体をトランスファー成形する金型であって、前記樹脂モールド回路体を成形するためのキャビティの一側を形成する第１の分割金型を含み、前記樹脂モールド回路体の外周面に応じた大きさで又は前記樹脂モールド回路体の外周面よりも拡大した大きさで前記キャビティの側周囲を有し、前記第１の分割金型は、前記回路を前記キャビティ内で位置決めるための位置決め部を備えた。

前記位置決め部は、前記キャビティの一側で前記第１の分割金型に備えた粘着層、又は位置決めピン、若しくはザグリである。

本発明に係る樹脂モールド回路体の製造方法は、前記第１の分割金型の位置決め部に、前記回路を位置決めて配置し、前記第１の分割金型を含めて前記キャビティを構成し、予熱により流動する樹脂を前記キャビティに圧入してから硬化させる。

本発明に係る回路基板は、前記樹脂モールド回路体を、基板上の絶縁層に接合面の回路面及び樹脂面を面合わせで備えた。

［樹脂モールド回路体］
図１は、樹脂モールド回路体の断面図である。図２は、樹脂モールド回路体の平面図である。図３は、樹脂モールド回路体の斜視図である。

図１～図３のように、樹脂モールド回路体１は、例えば矩形平板状に形成され、回路３と樹脂モールド部５とを備えている。樹脂モールド回路体１は、基板の平面形状に合わせるなどして矩形以外の円形等、その形状選定は自由である。

また、樹脂モールド回路体１からリード端子等を一体に引き出した形状等に構成することもできる。

前記回路３は、回路パターンに応じて配置されている。前記回路パターンは、本実施例において電気的に独立した複数の回路３・・・を備えている。複数の回路３・・・の構成は、回路パターンの要求特性に応じて形成される。実施例1では、中央に浮島形状部を有した回路パターンとしている。浮島形状部を有さない回路パターンにすることもできる。回路３を単一として回路パターンを構成することもできる。

前記回路３・・・は、例えば銅で形成されている。回路３・・・は、厚みが０．５ｍｍを超える厚銅パターンの回路用銅材料で形成されている。回路３の厚みは、種々選択でき、厚みが０．５ｍｍを下回るものでもよい。

前記回路３は、表裏の回路面３ａ、３ｂが平坦に形成されている。この場合、後述する絶縁層へ接合させる側が裏の回路面３ｂ、回路素子を接合させる反絶縁層側が表の回路面３ａとする。この表裏は便宜上の表現であり、絶縁層へ接合させる側を表、回路素子を接合させる反絶縁層側を裏としてもよい。

前記回路面３ｂ・・・は、複数回路３間で共通の平面を構成する。従って、本実施例において回路面が平坦であるとは、複数回路３間で回路面３ｂ・・・の個々の面が平坦であることと回路面３ｂ・・・が共通の平面を構成することの双方を意味する。但し、回路３が単一である形態では、単一の回路面３ｂが平面を構成することを意味する。

本実施例１では、前記表の回路面３ａ・・・についても同様である。

但し、回路３は、少なくとも後述する絶縁層へ接合させる裏側の回路面３ｂ・・・が平坦であればよい。従って、絶縁層へ接合させる裏側の回路面３ｂ・・・は、複数回路３間で共通の平面を構成するが、反絶縁層側の回路面３ａ・・・は、後述するように複数回路３間で高さ違いに設定することもできる。

つまり、回路３・・・は、実施例１のように均一な高さで複数備えられる構成の他、後述のように異なる高さで複数備えられてもよい。

前記回路３は、周側面３ｃがワイヤーカット、エッチング、精密せん断によるシェービング等により成形処理され、表裏の両回路面３ａ、３ｂと周側面３ｃとが直交し、両回路面３ａ、３ｂと周側面３ｂとの間の角部が直角に形成されている。但し、後述のように、角にダレを有する形態を適用することもできる。

前記樹脂モールド部５は、前記回路３・・・の各周側面３ｂを覆い、樹脂モールド回路体１の全体的な矩形形状を形成している。

前記樹脂モールド部５に用いる樹脂材は、加熱して流動性のある樹脂であり、後述のトランスファーモールド成形の充填に用いることができれば良い。本実施例１では、後述する金属基板上の絶縁層と同材質の例えばエポキシ樹脂を用い、絶縁層との接着性を向上させている。

その他、前記樹脂モールド部５に用いる樹脂材としては、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、アミドイミド樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。

充填に用いる樹脂は、１種のみで構成することができ、２種以上の組合せで構成してもよい。電気絶縁性と接着性の観点からは、充填に用いる樹脂はエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アミドイミド樹脂及びウレタン樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、耐湿性の観点からはエポキシ樹脂、アクリル樹脂及びアミドイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。

また、充填に用いる樹脂は、必要に応じてフィラー（粉末、繊維等）などの樹脂以外の成分を含んでもよい。本実施例では、熱膨張率や流動性の制御のためにエポキシ樹脂にシリカ無機フィラーを８０～８５wt％程度含ませ、銅の回路３・・・と同程度の熱膨張率としている。

同様に、その他のフィラーとしては、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミ、炭素繊維、ガラス繊維などの無機材料を含ませることもできる。

これらのフィラーは、１種のみ含ませることができ、２種以上の組合せを含ませてもよい。

さらに、増量用、補強用、熱伝導性、吸湿性向上用としてのフィラーを追加して含ませることもできる。増量用としては、炭酸カルシウム、タルク、シリカ、クレー等がある。補強用としては、ウォラストナイト、チタン酸カリウム、ゾノトライト、石膏繊維、アルミボレート、ＭＯＳ、アラミド繊維、各種ファイバー系、カーボンファイバー（炭素繊維）、グラスファイバー（ガラス繊維）、タルク、マイカ、ガラスフレーク、ポリオキシベンゾイルウイスカー等がある。熱伝導性としては、Al2O3（アルミナ）、AlN、BN、BeO等がある。吸湿性としては、吸水用の高分子ゲル、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等がある。

これらのフィラーは、１種のみを追加して含ませることができ、２種以上の組合せを追加して含ませてもよい。

なお、樹脂モールド部５に用いる樹脂材としては、上述したマトリックス樹脂及び無機充填材以外に、例えば、カップリング剤、分散剤等を更に含有してもよい。

樹脂モールド部５は、絶縁層へ接合させる平坦な樹脂面５ｂが絶縁層へ接合させる平坦な回路面３ｂ・・・にほぼ沿って備えられている。反絶縁層側となる平坦な樹脂面５ａについても反絶縁層側となる平坦な回路面３ａ・・・に沿って備えられている。これらの構成により樹脂モールド回路体１が全体として平板状に形成されている。

但し、前記回路３及び樹脂モールド部５は、少なくとも絶縁層へ接合させる平坦な回路面３ｂ・・・及び樹脂面５ｂが相互にほぼ沿って備えられればよい。回路３・・・が、異なる高さで複数備えられ形態では、高さの異なる回路３間で、各回路面３ａ周囲の樹脂面５ａが後述のように段差を備えてもよい。

この平板状の樹脂モールド回路体１において、回路３・・・は、表裏の回路面３ａ・・・、３ｂ・・・が前記樹脂モールド部５から共に露出している。

前記樹脂モールド回路体１は、前記裏側の回路面３ｂ・・・及び樹脂面５ｂにより後述の絶縁層へ接合させるための接合面１ｂを形成し、表側の回路面３ａ・・・を回路素子等の接合面とした。

本実施例１の樹脂モールド回路体１は、表裏が対称に何れもほぼ平坦に形成されているため、表裏何れも絶縁層への接合面とし、接合時に任意に選択させることで、金属基板への組み付け時に誤組付けを防止できる。

例えば、表側の回路面３ａ・・・及び樹脂面５ａを絶縁層へ接合させるための接合面とし、裏側の回路面３ｂ・・・を回路素子等の接合面にする形態も可能である。

但し、樹脂モールド回路体１は、表裏を非対称に形成し、表裏の一方を接合面１ｂとして特定し、他方を回路素子等の接合面として特定することもできる。

図４は、回路と樹脂モールド部との関係を示す要部拡大断面図である。

図４のように、本実施例では、前記回路３・・・は、表裏両面の平坦な回路面３ａ・・・、回路面３ｂ・・・が樹脂モールド部５の表裏両面の平坦な樹脂面５ａ、樹脂面５ｂから突出している。突出量は、例えばＰｒ＝２０～６０μｍである。

かかる表裏両面の回路面３ａ・・・、回路面３ｂ・・・の突出は、成形後の樹脂モールド部５の僅かな引けを見込んで形成している。かかる突出において樹脂モールド回路体１の表裏両面は、回路面３ａ・・・、回路面３ｂ・・・及び樹脂面５ａ、樹脂面５ｂを含んでほぼ平坦としている。

樹脂モールド回路体１の表裏両面の少なくとも一方が平坦であることは、絶縁層への接着維持のための構成である。従って、接着が維持できる限り、絶縁層への接合面を構成する回路面３ａ・・・又は回路面３ｂ・・・が樹脂面５ａ又は樹脂面５ｂから僅かに凹んでいてもよい。但し、好ましくは、前記のように回路面３ａ・・・又は回路面３ｂ・・・が樹脂面５ａ又は樹脂面５ｂから突出するか両者面一に形成するのがよい。

前記回路面３ａ・・・又は回路面３ｂ・・・の少なくとも一方の突出は、後述のように金型にザグリを形成することで行なわせ、回路面３ａ・・・又は回路面３ｂ・・・の少なくとも一方を平坦な樹脂面５ａ又は樹脂面５ｂから突出させて平坦ではない形態にすることもできる。

つまり回路３・・・は、回路面３ａ・・・のみ、或いは回路面３ｂ・・・のみを樹脂面５ａ又は樹脂面５ｂからザグリにより突出させることができる。回路面３ａ・・・、回路面３ｂ・・・の双方を樹脂面５ａ、樹脂面５ｂからザグリにより突出させることもできる。さらには、複数の表裏の回路面３ａ・・・、回路面３ｂ・・・の一部３ａ又は３ｂを樹脂面５ａ又は樹脂面５ｂから選択的に突出させることもできる。

［金型］
図５は、樹脂モールド回路体の製造方法に用いる金型の断面図である。

図５のように、金型７は、絶縁層へ接合させる樹脂モールド回路体をトランスファー成形するためのものである。前記図１のように樹脂モールド回路体１は、回路パターンに応じて配置された回路３・・・と回路３・・・の周側面３ｃを覆う樹脂モールド部５とを備えている。

実施例1において、金型７は、４個の第１、第２、第３、第４の分割金型９、１１、１３、１５の組合せで構成されている。前記第１、第２、第３の分割金型９、１１、１３は、前記樹脂モールド回路体１を成形するためのキャビティ１７を形成する。前記第４の分割金型１５は、トランスファー室１９を形成する。

前記第１の分割金型９は、前記樹脂モールド回路体１の一側面に応じて前記キャビティ１７の一側を構成する。また、第１の分割金型９は、前記回路３を前記キャビティ１７内に位置決めるための位置決め部として粘着層２１を備えている。位置決め部は、粘着層２１に代えて後述のように位置決めピン、若しくはザグリ等を採用することもできる。

位置決め部は、第２の分割金型１１に備える構成にすることができる。位置決め部が、粘着層２１、ザグリ等のように樹脂モールド回路体１の接合面１ｂとしての機能に大きな影響を与えない場合、第１、第２の分割金型９、１１の双方に備える構成にすることもできる。

位置決め部としての実施例の粘着層２１は、第１の分割金型９のキャビティ１７内の面に備えたが、第１の分割金型９のキャビティ１７内の面を含めて上面全体を覆うように備え、粘着層２１の周縁部が第１、第３の分割金型９、１１の層間に介在してもよい。粘着層２１を第２の分割金型１１に備える場合も同様である。但し、第２の分割金型１１に粘着層２１を備える場合は、ゲート１１ａを塞がないように形成する。

粘着層２１は、第１の分割金型９等に固定的に備える形態、着脱自在に備える形態の何れでもよい。

前記第１の分割金型９のキャビティ１７側の面は、全体が平面で形成されている。前記粘着層２１としては、耐熱性のあるシリコーン系、アクリル系、ウレタン系粘着剤が使用された両面もしくは片面粘着テープが使用される。粘着テープの基材はＰＥＴ系フィルム、イミド系フィルム、金属箔（銅、アルミ）等が良い。

前記第２の分割金型１１は、前記樹脂モールド回路体１の他側面に応じて前記キャビティ１７の他側を構成する。また、第２の分割金型１１は、キャビティ１７内で前記回路３の回路面に当接し且つ樹脂の通路となるゲート１１ａを備えている。

前記第２の分割金型１１のキャビティ１７側の面は、全体が平面で形成されている。但し、樹脂モールド回路体１の仕様によっては、第２の分割金型１１のキャビティ１７側の面を凹凸形状にすることもできる。なお、第１、第２の分割金型９、１１で形成されるキャビティ１７の間隔は、ゲート１１ａにおいて相対的に狭く形成し、キャビティ１７全体への樹脂の流動性を高めることもできる。

前記第３の分割金型１３は、上下面が平坦に形成され、下面が第１の分割金型９の上面に位置決めて配置結合され、上面に第２の分割金型１１の下面が位置決めて配置結合され、キャビティ１７が構成される。第３の分割金型１３の厚みは、実施例１において回路３とほぼ同一であり、キャビティ１７の粘着層２１上の上下寸法が回路３とほぼ同一となる。

こうして、第３の分割金型１３は、第１、第２の分割金型９、１１間に介設されて前記樹脂モールド回路体１の外周面に応じた大きさで前記キャビティ１７の側周囲１７ａを構成する。この場合、キャビティ１７から取り出されたものが樹脂モールド回路体１（図１）となる。

但し、第３の分割金型１３は、樹脂モールド回路体１の外周面よりも拡大した大きさでキャビティ１７の側周囲を構成してもよい。樹脂モールド回路体１の外周面よりも拡大したキャビティ１７の側周囲は、樹脂モールド回路体１の半製品を樹脂モールド回路体１の部分を含めて一回り大きく形成するものである。この場合、樹脂モールド回路体１は、半製品から切り出すことになる。

前記第４の分割金型１５は、前記第２の分割金型１１の外面に接合されて前記トランスファー室１９を構成する。トランスファー室１９は、前記ゲート１１ａに連通させている。

なお、金型７は、樹脂モールド回路体１をトランスファー成形できればよく、樹脂モールド回路体１を成形するためのキャビティ１７の一側を形成する第１の分割金型９が含まれればよい。従って第１～第４の分割金型９、１１、１３，１５を備えるものには限らず、第２～第４の分割金型１１、１３，１５を一体に形成し、第１の分割金型９との２分割構成などにすることもできる。

［樹脂モールド回路体の製造方法］
樹脂モールド回路体１の製造に際しては、第１の分割金型９の分割状態において、粘着層２１上に回路３・・・を回路パターンに応じ位置決めて配置する。

この回路３・・・の配置は、画像処理による自動化等でも行うことはできるが、例えば、本出願人が既に提案した回路基板用半製品板材を用いることもできる。また、エッチング加工法で回路３・・・を形成しても良い。エッチング加工法とはキャリアフィルム上に粘着剤などで固定された銅板をケミカルエッチングで回路形成し、そのままトランスファーモールドに使用することができる。先に挙げた別の粘着フィルムに転写して本製造方法に使用することもできる。

前記回路基板用半製品板材の場合は、回路パターンに対応して位置決められた複数の回路を有して平板状となっている。

つまり、複数の回路に対応した箇所が材料の銅板材に対して半抜きされ、半抜き後に複数の回路に対応した箇所がスクラップ内の半抜き位置に戻され、スクラップに複数の回路が嵌合して位置決められて全体が平板状となり、ほぼ元の銅板材の形状となっているものである。

この回路基板用半製品板材が第１の分割金型９に対して位置決め配置され、プレス装置等により押し抜かれて粘着層２１上に転写される。

次いで、前記第１、第２、第３、第４の分割金型９，１１、１３、１５を組み合わせて金型７を組み立て、前記キャビティ１７及びトランスファー室１９を構成する。このとき、接着層２１の弾性を利用し、回路３・・・を第１、第２の分割金型９、１１間で押圧保持させることもできる。

次いで、トランスファー室１９にタブレット状にした樹脂を収容する。このタブレット状の樹脂は、トランスファー室１９で樹脂が流動するまで予熱される。このとき金型７は、例えば１８０℃に加熱されている。

前記予熱により流動する樹脂２３をプランジャにより矢印のように７Ｍｐａ程度の圧力で押圧し、樹脂２３を前記キャビティ１７に圧入させる。

なお、圧入条件において、使用する樹脂の材質や粘度により、予熱は、５０～４００℃、圧力は、１～２０ＭＰａの範囲で設定することができる。

圧入された樹脂２３は、ゲート１１ａを通る際にさらに加熱されながら低粘度化する。

ゲート１１ａを通過した樹脂２３は、キャビティ１７内を流動し、回路３の周囲の空間に行き渡る。この場合、キャビティ１７内の空間に樹脂２３が行き渡るように空気抜き孔、或いは樹脂を流入させる余裕空間等が金型７に備えられている。

その後３分程度硬化反応させて樹脂２３が硬化すると金型７が適宜分割され、樹脂モールド回路体１の半製品が取り出される。なお、反応時間は、樹脂組成（エポキシ樹脂、硬化剤、触媒、硬化促進剤など）や成形条件により３分よりも早くすることもできる。

本実施例において、前記キャビティ１７の側周囲１７ａが前記樹脂モールド回路体１の外周面に応じた大きさで構成されるため、キャビティ１７から取り出されたものが樹脂モールド回路体１となる。

前記キャビティ１７の側周囲１７ａが前記樹脂モールド回路体１の外周面よりも拡大して構成される場合は、キャビティ１７から取り出されたものは樹脂モールド回路体１の部分を含めて一回り大きく形成された半製品となる。この半製品は、例えば平面形状でほぼ円形等に形成され、成形時に樹脂が流動し易い形状となっている。

この場合、半製品をカットして前記図１～図３の矩形形状の樹脂モールド回路体１を得ることができる。

得られた樹脂モールド回路体１では、樹脂モールド回路体１の樹脂モールド部５の樹脂の僅かな引けにより、前記図４のように回路面３ａ・・・、３ｂ・・・が樹脂面５ａ、５ｂから突出する。

但し、樹脂モールド部５に対するフィラーの含有状態の調節等により回路面３ａ・・・、３ｂ・・・と樹脂面５ａ、５ｂとをほぼ面一に設定することもできる。

［金属ベース回路基板］
図６は、樹脂モールド回路体を用いた金属ベース回路基板の加圧／加熱工程の概念図である。

図６のように、加圧／加熱工程では、加圧／加熱処理が行なわれ、樹脂モールド回路体１を金属基板２５上の絶縁層２７に接着させる。この加圧／加熱処理では、加圧／加熱板及びフラット押し具（図２４参照）が用いられる。

加圧／加熱板が下降すると、フラット押し具により樹脂モールド回路体１の上面が加圧され、樹脂モールド回路体１の下面が絶縁層２７に加圧される。このとき、加圧力は回路・・・のみならず樹脂モールド部５全体に分散される。

この加圧により金属基板２５、絶縁層２７、樹脂モールド回路体１が加圧／加熱板間で加圧され、同時に加熱されて絶縁層２７が硬化する。

図７は、金属ベース回路基板の断面図である。

図７の金属ベース回路基板２９は、回路基板の一例である。この金属ベース回路基板２９には、樹脂モールド回路体１が用いられている。金属ベース回路基板２９は、前記製造方法により矩形平板状の金属基板２５に絶縁層２７を介して前記樹脂モールド回路体１が固定されている。

つまり、樹脂モールド回路体１は、金属基板２５上の絶縁層２７に接合面１ｂの回路面３ｂ・・・及び樹脂面５ｂを面合わせで備えている。

前記金属基板２５は、例えば、単体金属又は合金からなる。金属基板２５の材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅、アルミニウム合金、又はステンレスを使用することができる。金属基板２５は、炭素などの非金属を更に含んでいてもよい。例えば、金属基板２５は、炭素と複合化したアルミニウムを含んでいてもよい。また、金属基板２５は、単層構造、又は多層構造を有していてもよい。

金属基板２５は、高い熱伝導率を有している。例えば、銅材では、３７０～４００Ｗ・ｍ－１・Ｋ－１、アルミ材では、１９０～２２０Ｗ・ｍ－１・Ｋ－１、鉄材では、６０～８０Ｗ・ｍ－１・Ｋ－１の熱伝導率を有している。

金属基板２５は、可撓性を有していてもよく、可撓性を有していなくてもよい。金属基板２５の厚さは、例えば、０．２～５．０ｍｍの範囲内にある。実施例では２．０ｍｍとした。

金属基板２５は、回路基板に用いる基板の一例を示すものであり、その形態は種々選択することができる。従って、基板として複数のフィンを備えたヒートシンク形状等を採用することもできる。

前記絶縁層２７は、厚みが１２０μｍに設定されている。但し、絶縁層２７の厚みは、金属ベース回路基板２９の仕様により種々設定することができる。

前記絶縁層２７は、回路３を金属基板２５から電気的に絶縁する役割を果たしていることに加え、それらを互いに張り合わせる接着剤としての役割も果たしている。そのため、絶縁層２７には一般に樹脂が使用される。さらに、絶縁層２７は、回路３に実装される素子の高い発熱性に対する高い耐熱性と、この発熱を金属基板２５に伝達する高い熱伝達性とが必要とされるため、絶縁層２７は無機充填材を更に含有することが好ましい。

絶縁層２７のマトリクス樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、トリアジン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂；ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ノボラック型シアネート樹脂等のシアネート樹脂等を単独又は２種以上を混合して用いることができる。

絶縁層２７が含有する無機充填材としては、電気絶縁性に優れかつ熱伝導率の高いものが好ましく、例えば、アルミナ、シリカ、窒化アルミ、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化マグネシウム等が挙げられ、これらの中から選ばれる１種又は２種以上を用いることが好ましい。

絶縁層２７における無機充填材の充填率は、無機充填剤の種類に応じて適宜設定することができる。例えば、絶縁層２７に含有されるマトリクス樹脂の全体積を基準として８５体積％以下であることが好ましく、３０～８５体積％がより好ましい。

絶縁層２７は、上述したマトリックス樹脂及び無機充填材以外に、例えば、カップリング剤、分散剤等を更に含有してもよい。

なお、絶縁層２７として半硬化状態の絶縁シートを用いることもできる。

前記樹脂モールド回路体１の詳細は、前記の通りである。

図８は、樹脂モールド回路体１を用いた実施例の金属ベース回路基板２９の断面図において拡大する箇所ＩＡを指示する説明図である。図９は、図８で指示する拡大箇所の拡大写真である。図１０は、樹脂モールド部の無い比較例の金属ベース回路基板３１の断面図において拡大する箇所ＩＢ１を指示する説明図である。図１１（Ａ）は、図１３で指示する拡大箇所ＩＢ１の写真において更に拡大する箇所ＩＢ２を指示する説明写真である。図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）で指示する拡大する箇所ＩＢ２の拡大写真である。

図８、図９のように、樹脂モールド回路体１を用い前記加圧／加熱処理により製造した金属ベース回路基板２９（回路封止あり）では、回路３・・・に働く応力の分散があり、回路３の絶縁層２７からの立ち上がり部分で絶縁層２７にクラックの発生がなかった。

一方、図１０、図１１のように、樹脂モールド部５でモールドされない回路３の加圧／加熱処理により製造した金属ベース回路基板３１（回路封止なし）では、回路３・・・に応力が集中し、絶縁層２７からの立ち上がり部分で絶縁層２７にクラックＣｒの発生があった。図１１において、白い粒子が絶縁層２７内のフィラーであり、図１１（Ａ）の箇所ＩＢ２、図１１（Ｂ）の拡大写真においてフィラーが移っていない部分がクラックＣｒとなっている。

なお、図９の金属ベース回路基板２９の拡大写真では、回路３の回路面３ｂと樹脂モールド部５（写真では封止樹脂）の樹脂面５ｂとが面一となって絶縁層２７に接している。この完成形態であっても、前記図４のように回路面３ａ・・・、３ｂ・・・が樹脂面５ａ、５ｂから突出した樹脂モールド回路体１が用いられており、前記加圧／加熱処理による結果として回路面３ｂと樹脂面５ｂとが面一となったものである。

これは、加圧時に回路３・・・の回路面３ｂ・・・が絶縁層２７に当接してから樹脂モールド部５がさらに加熱加圧されたことによるものと考えられる。

［耐電圧］
図１２（Ａ）は、金属ベース回路基板２９の平面図において耐電圧の測定箇所を示す説明図である。図１２（Ｂ）は、測定箇所における耐電圧を示す図表である。

図１２（Ａ）のように、実施例の樹脂モールド回路体１を用いた金属ベース回路基板２９では、回路番号１、２、３、４、５において、耐電圧を測定したところ、図１２（Ｂ）のように回路番号１は、９．３ｋｖ、回路番号２は、９．９ｋｖ、回路番号３は、８．７ｋｖ、回路番号４は、６．９ｋｖ、回路番号５は、９．１ｋｖであった。

これに対し、図１０のように樹脂モールド部５でモールドされない回路３の加圧／加熱処理により製造した金属ベース回路基板３１では、回路３の耐電圧が０．５ｋｖ程度であった。

この比較から明らかなように、本実施例の金属ベース回路基板２９では、耐電圧の向上を図ることができた。

［回路の変形例］
図１３は、回路３の変形例を採用した金属ベース回路基板２９の要部拡大断面図である。

この変形例の回路３は、精密打ち抜きにより打ちぬかれ、周側面をワイヤーカット、エッチング等による処理は施していない。従って、回路３の周側面３ｃは、図４などのようにシャープではなく、図１３のＥ部において上下回路面３ａ、３ｂの縁部Ｓｉの角にダレＤｕを有している。

かかるダレＤｕを生じた回路３においても、ダレＤｕの部分において回路３と絶縁層２７との間に樹脂モールド部５の樹脂が入り込んだ形態となり、樹脂モールド回路体１としては接合面１ｂがほぼ平坦となる。これにより絶縁層２７への接合後は、回路３と絶縁層２７との間の隙間発生を抑制できた。

［実施例１の作用効果］
本発明の実施例１では、回路パターンに応じて配置された回路３・・・と、回路３・・・の周側面３ｃ・・・を覆う樹脂モールド部５とを備え、回路３・・・は、表裏の回路面３ａ・・・、３ｂ・・・が樹脂モールド部５の樹脂面５ａ、５ｂから露出し、表裏の回路面３ａ・・・、３ｂ・・・及び樹脂面５ａ、５ｂの一方は、絶縁層２７へ接合させるための接合面１ｂとした。

従って、回路パターンに応じて位置決めされた回路３・・・を樹脂モールド回路体１として一体に取り扱うことができ、計画的な生産活動へと展開することで安定生産の実現に寄与することができる。

回路３・・・の正確な回路パターンを維持した樹脂モールド回路体１をそのまま在庫化できる。

樹脂モールド回路体１を平板状にすることができ、平板状にしたときには、在庫化するときスペース効率よく行わせることができる。また、樹脂モールド回路体１は平板状で一体的にすることで搬入、搬出時の取り扱いも容易となる。

樹脂モールド回路体１は、樹脂モールド部５により回路３・・・の回路パターンを維持するから、回路パターンに浮島形状部が存在しても対応できる。

前記回路３・・・は、表裏の回路面３ａ・・・、３ｂ・・・が樹脂モールド部５から突出するように形成できる。

従って、フラット押し具等を介して樹脂モールド回路体１を金属基板２５上の絶縁層２７に加圧／加熱処理により接着するとき、回路３・・・に優先的に加圧力を付与することができる。このため、回路面３ｂ・・・の絶縁層２７に対する押し付け力は相対的に高くなり、ピール強度向上に寄与させることが可能となる。

前記回路３・・・は、均一な高さで複数備えられた又は異なる高さで複数備えられた。

回路３・・・が、均一な高さで複数備えられれば、金属ベース回路基板１を平板状にすることができ、回路３・・・が異なる高さで複数備えられれば、金属ベース回路基板１のバリエーションに容易に答えることができる。

精密打ち抜きによりにより回路３の上下回路面３ａ、３ｂの縁部の角にダレが発生しても、ダレの部分をも樹脂モールド部５の樹脂で覆い、表裏を平坦な面にすることができる。

従って、回路３の上下回路面３ａ、３ｂの縁部の角にダレが発生しても、表裏に回路面３ａ・・・、回路面３ｂ・・・と樹脂面５ａ、樹脂面５ｂとを有し、裏面にほぼ平坦な接合面１ｂを有する樹脂モールド回路体１を正確に形成することができる。

勿論、回路３・・・の角が直角に形成された場合には、樹脂モールド部５が回路３・・・の側周面３ｃをモールドし、且つ側周面３ｃを樹脂２３で均一に覆い回路面３ａ・・・、回路面３ｂ・・・と樹脂面５ａ、５ｂとを有してほぼ平坦な接合面１ｂを有する樹脂モールド回路体１を正確に形成することができる。

従って、大電流化ニーズに応じた、例えば厚みが０．５ｍｍを上回る厚い回路３・・・でも、回路３・・・を、精密打ち抜きを用いるなどして得ることができ、加工スピードを向上でき、コスト低減ニーズへの対応を向上させることができる。

ここで、回路３・・・をエッチングで加工すると回路３・・・の相互間隔は回路３・・・の厚み以下に狭くすることは難しくなる。

これに対し、精密打ち抜き等の場合には回路３・・・の相互間隔を回路３・・・の厚み以下に狭くすることができ、回路密度を上げて金属ベース回路基板２９の小型化をも可能にする。

勿論厚みが０．５ｍｍを下回る回路においても同様に精密打ち抜き等を用いることはできる。

前記樹脂モールド回路体１をトランスファー成形する金型は、前記樹脂モールド回路体１を成形する前記キャビティ１７を形成するための第１、第２、第３の分割金型９、１１、１３及びトランスファー室１９を形成するための第４の分割金型１５を備え、前記第１の分割金型９は、前記樹脂モールド回路体１の一側面に応じて前記キャビティ１７の一側を構成すると共に前記回路３・・・を前記キャビティ１７内で位置決めるための位置決め部として粘着層２１を備え、前記第２の分割金型１１は、前記樹脂モールド回路体１の他側面に応じて前記キャビティ１７の他側を構成すると共に前記回路３・・・に当接し且つ樹脂の通路となるゲート１１ａを備え、前記第３の分割金型１３は、第１、第２の分割金型９、１１間に介設され前記樹脂モールド回路体１の外周面に応じた大きさで又は前記樹脂モールド回路体１の外周面よりも拡大した大きさで前記キャビティ１７の側周囲１７ａを構成し、前記第４の分割金型１５は、前記第２の分割金型１１に接合されて前記トランスファー室１９を前記ゲート１１ａに連通させた。

従って、第１の分割金型９の分割状態において、画像処理による自動化や前記回路基板用半製品板材を用いること等により第１の分割金型９に露出する粘着層２１上に回路３を回路パターンに応じて位置決めて配置する。

次いで、前記第１、第２、第３、第４の分割金型９，１１、１３、１５を組み合わせて金型７を組み合わせ、前記キャビティ１７及びトランスファー室１９を構成し、予熱により流動する樹脂２３をキャビティ１７に圧入し、樹脂２３が硬化すると樹脂モールド回路体１又は樹脂モールド回路体１の半製品として取り出すことができる。

このため、樹脂モールド回路体１を金型から取り出し、又は金型から取り出した半製品から樹脂モールド回路体１切り出し、回路パターン通りに配置された回路３・・・を備えた樹脂モールド回路体１を容易に得ることができる。

前記回路３・・・の位置決め配置に際しては、第１の分割金型９を分割した状態で接着層２１に対し容易に行わせることができる。

前記第３の分割金型１３の厚みは、回路３と同一又はほぼ同一であり、キャビティ１７の上下寸法を回路３と同一又はほぼ同一にすることができ、樹脂モールド回路体１の表裏両面に回路面３ａ・・・、３ｂ・・・を的確に露出させることができる。

第３の分割金型１３は、樹脂モールド回路体１の外周面よりも拡大した大きさでキャビティ１７の側周囲１７ａを構成した場合は、ゲート１１ａから流入する樹脂の位置を樹脂モールド回路体１の半製品における製品外とするこができ、樹脂モールド回路体１の品質向上を図ることができる。

前記位置決め部は、前記キャビティ１７の一側で前記第１の分割金型９に備える粘着層２１とした。

このため、回路３・・・を第１の分割金型９の粘着層２１へ画像処理による自動化や回路基板用半製品板材を用いること等により簡易に位置決め配置させることができる。

本実施例１の樹脂モールド回路体１の製造方法は、前記第１の分割金型９の位置決め部である粘着層２１に、前記回路３・・・を位置決めて配置し、前記第１の分割金型９を含め第１、第２、第３、第４の分割金型９、１１、１３，１５を組み合わせて前記キャビティ１７及びトランスファー室１９を構成し、前記金型７を加熱し、前記トランスファー室１９にタブレット状にした樹脂を収容する。このタブレット状の樹脂は、トランスファー室１９で樹脂が流動するまで予熱される。

予熱により流動するまで軟化した樹脂２３をプランジャにより前記ゲート１１ａを通じて前記キャビティ１７に圧入してから硬化させることができる。

この場合、回路３・・・は、粘着層２１の弾性を介して第１、第２の分割金型９、１１間に挟持されるため、粘着層２１の粘着と相俟ってキャビティ１７内での位置決めを確実に行わせることができる。

このため、回路パターン通りに位置決め配置された回路３・・・を樹脂モールド部５によりモールドし、表裏に回路面３ａ・・・、３ｂ・・・の露出した樹脂モールド回路体１を容易に得ることができる。

なお、回路３・・・相互が部分的にブリッジ等で結合される場合、表裏の回路面３ａ・・・、３ｂ・・・が前記樹脂モールド部５の樹脂面から露出するも、ブリッジ等は樹脂モールド部５で覆われてもよい。ブリッジ等は、回路の一部を構成し、ブリッジ等の表裏は回路面を構成する。これらブリッジ等が樹脂モールド部５で覆われることで回路は、表裏の回路面の少なくとも一部が前記樹脂モールド部５の樹脂面５ａ、５ｂから露出した構成となる。具体的には、後述の実施例５で説明する。

前記キャビティ１７が前記樹脂モールド回路体１の外周面よりも拡大した大きさで前記側周囲１７ａを有する場合は、前記キャビティ１７内で樹脂モールド回路体１の半製品が形成され、前記キャビティ１７から前記樹脂モールド回路体１の半製品を取り出しカットして前記樹脂モールド回路体１を得ることができる。

前記樹脂モールド回路体１は、金属基板２５上の絶縁層２７に接合面１ｂの回路面３ｂ・・・及び樹脂面５ｂを面合わせで備えた。

このため、樹脂モールド回路体１を、樹脂モールド部５を含めて絶縁層２７に対して加圧することができ、回路・・・に働く加圧力を樹脂モールド部５全体に分散させることができる。このため、回路３・・・間での絶縁層２７の盛り上がりを抑制すると共に回路３・・・の絶縁層２７からの立ち上がり部分でのクラックの発生を抑制し、絶縁信頼性を向上することができる。

回路３が単一の場合でも、回路３周囲での絶縁層２７の盛り上がりを抑制すると共に回路３の絶縁層２７からの立ち上がり部分でのクラックの発生を抑制し、同様に絶縁信頼性を向上することができる。

樹脂モールド回路体１は、樹脂モールド部５がそのまま金属ベース回路基板２９に残るため、加圧後でも回路３の位置精度を容易に維持させることができる。

また、金属ベース回路基板２９として、回路３・・・間に樹脂２３が介在することになり、回路３・・・相互間の絶縁性を高めることができ、回路密度を高めることもできる。この回路密度を高めることにより金属ベース回路基板２９の小型化を図ることもできる。

さらに、回路３・・・に接続された回路素子等の発熱は、回路３・・・間の樹脂によっても効率よく熱伝導が行われ、全体として放熱性能を向上させることができる。

この放熱性能の向上により絶縁層２７と樹脂モールド部５と回路３・・・との間の熱膨張差を小さくすることができる。

樹脂モールド部５により回路３・・・での吸湿対策を図ることもできる。

図１４、図１５は、実施例２を示す。図１４は、図５に対応し、樹脂モールド回路体の製造方法に用いる金型の断面図である。図１５は、図１に対応し、樹脂モールド回路体の断面図である。

本実施例２は、金型７に対する回路３の位置決め部として、位置決め位置決めピン３３を採用した。

つまり、本実施例２の第１の分割金型９は、図５における回路３の位置決め部としの粘着層２１を位置決めピン３３に代えた。位置決め位置決めピン３３は、第１の分割金型９からキャビティ１７内に突出している。この位置決めピン３３は、回路３３毎に備えられている。第１の分割金型９に対し回路３の周側面３ｃに係合し、回路３を第１の分割金型９に対しＸＹ方向に位置決める。

かかる位置決めピン３３による位置決め部を採用すると、図１５のように、樹脂モールド回路体１の表の樹脂面５ａに位置決めピン３３が抜かれた孔３３ａを生ずるが、樹脂モールド回路体１の裏の樹脂面５ｂに孔は発生せず、前記絶縁層２７に対して平坦な接合面１ｂで接着させることができる。

また、位置決め位置決めピン３３を採用したことにより回路３・・・をキャビティ１７内に確実に位置決め配置することができる。

位置決めピン３３の位置を変更できる形態にすることもできる。例えば、第１の分割金型９に変更用の孔を形成し、位置決めピン３３を差し替えて使用する。使用されない孔は、ダミーのピンを嵌め込んでおけばよい。

その他、本実施例２においても、実施例１と同様な作用効果を奏することができる。

図１６、図１７は、実施例３を示す。図１６は、図５に対応し、樹脂モールド回路体の製造方法に用いる金型の断面図である。図１７は、図１に対応し、樹脂モールド回路体の断面図である。

本実施例３は、金型７に対する回路３の位置決め部として、ザグリ３５を採用した。

つまり、本実施例３の第１の分割金型９は、図５における回路３の位置決め部としの粘着層２１をザグリ３５に代えた。ザグリ３５は、第１の分割金型９のキャビティ１７内の面に形成されている。このザグリ３５は、回路３３毎に備えられ、第１の分割金型９に対し回路３の回路面３ｂ側が嵌め込まれ、回路３を第１の分割金型９に対しＸＹ方向に位置決める。

第３の分割金型１３の厚みは、回路３に対して相対的に厚みが小さく形成され、キャビティ１７の上下寸法は回路３の厚みよりもザグリ３５の深さ寸法だけ小さくなる。

かかるザグリ３５による位置決め部を採用すると、図１７のように、樹脂モールド回路体１の回路面３ｂの突出量を設定することができる。

この実施例では、回路面３ａ側は、図４の樹脂モールド部５の樹脂の僅かな引けによる突出量とし、絶縁層２７に接着する回路面３ｂ側は、加圧／加熱処理後も回路面３ｂが樹脂モールド部５から突出し、突出した回路面３ｂが、絶縁層２７に突入する形態にすることができる。

回路面３ｂが、絶縁層２７（符号は図７参照）に突入した金属ベース回路基板２９（符号は図７参照）では、回路３・・・と絶縁層２７との結合強度を増大させ、ピール強度を高めることができる。

なお、ザグリ３５は、深さを増減設定することができる。また、ザグリ３５は、第１、第２の分割金型９、１１の双方に設定する形態にすることができ、第２の分割金型１１にのみ設定する形態にすることもできる。

また、ザグリ３５を採用したことにより回路３・・・をキャビティ１７内に確実に位置決め配置することができる。ザグリ３５の深さ設定により、回路面３ｂ・・・の樹脂モールド部５の樹脂面５ｂからの突出量を任意に設定することができる。この設定によりピール強度を向上させ、その調節も可能となる。

本実施例３においても、実施例１と同様な作用効果を奏することができる。

図１８、図１９は、実施例４を示す。図１８は、図５に対応し、樹脂モールド回路体の製造方法に用いる金型の断面図である。図１９は、図１に対応し、樹脂モールド回路体の断面図である。

本実施例４は、図１８のように、金型７の第２の分割金型１１のキャビティ１７側の面に回路３・・・の高さの相違に応じて凹凸形状を設定した。

回路３・・・の高さの選択は自由である。実施例５では、図において中央の回路３の高さに対しそれ以外の回路３の高さを相対的に低く設定した。

中央の回路３に対応する第２の分割金型１１の内面部１１ｂは、実施例１の図５等と同一に設定され、第２の分割金型１１の他の内面部１１ｃは、中央の内面部１１ｂよりも突出して設定されている。従って、第２の分割金型１１の他の内面部１１ｃは、第３の分割金型１３内に嵌合している。中央の内面部１１ｂと他の内面部１１ｃとの間は、回路３・・・間で段差となっている。

かかる第２の分割金型１１の内面部の凹凸形状により、図１９の樹脂モールド回路体１を得ることができる。

図１９の樹脂モールド回路体１において、中央の回路３周辺の樹脂面５ａは、図において中央の回路３の回路面３ａの高さに応じた高さとなり、他の周辺の回路３では、樹脂面５ａが他の回路３の回路面３ａの高さに応じて低くなる。

従って、実施例４では、中央の回路３と両側の回路３との間の中間で樹脂面５ａが段付き状となる。

回路３の高さを高くすると、取り付けられる回路素子等の発熱量の増大に応ずることができる。

なお、回路３・・・の高さの設定は自由であり、対応する第２の分割金型１１のキャビティ１７側の凹凸形状も回路３・・・の高さの設定に応じて種々変更できる。

本実施例４においても、実施例１と同様な作用効果を奏することができる。

図２０～図２３は、実施例５を示す。図２０は、図５に対応し、樹脂モールド回路体の製造方法に用いる金型の断面図である。図２１は、図１に対応し、樹脂モールド回路体の図２２におけるＸＸＩ－ＸＸＩ矢視断面図である。図２２は、ブリッジ状にクロスした回路を備える樹脂モールド回路体の平面図である。図２３は、ブリッジ状にクロスした回路を備える樹脂モールド回路体の裏面図である。

本実施例５は、図２０～図２３のように、表裏一対の回路３・・・相互が部分的にブリッジ状にクロスした部分を備えている。双方共に両側の回路部分がブリッジ部３ｄで結合された構成となっている。

一対の回路3のブリッジ部３ｄは、向かい合わせで対向配置され、互いに相手を跨ぐようにクロスしている。

双方の回路３は、表裏で直線的な回路面３ａ、３ｂを有している。各回路は、ブリッジ部３ｄの両側において、表裏に島状の回路面３ａ、３ｂを有している。

各回路面３ａ、３ｂは樹脂モールド部５の樹脂面５ａ、５ｂからそれぞれ露出している。

このように、本実施例５の回路３は、表裏の回路面３ａ、３ｂの少なくとも一部が樹脂モールド部５の樹脂面５ａ、５ｂから露出した構成となる。

なお、表裏の回路面３ａ、３ｂの少なくとも一部が樹脂モールド部の樹脂面から露出する構成は、ブリッジ部におけるものに限らず、その他の回路構成においても適用できる。

図２０のように、本実施例５の位置決め部は、粘着層２１とした。第１の分割金型９の位置決め部は、実施例１同様に、前記キャビティ１７の一側で前記第１の分割金型９に前記粘着層２１を備えている。

本実施例５の樹脂モールド回路体１の製造方法は、前記第１の分割金型９の位置決め部である粘着層２１に、一方の回路３がブリッジ部３ｄの回路面３ａを含めて粘着され、位置決め配置される。他方の回路３は、ブリッジ部３ｄを跨いで両側の回路面３ｂが粘着され、位置決め配置される。

なお、双方の回路３の粘着層２１に対する上下配置は任意である。

樹脂の流動は、上記実施例と同様であり、ゲート１１ａを通じてキャビティ１７に圧入され、樹脂が回路３のブリッジ部３ｄ間を含めて流動し、硬化させることで図２１～図２３の樹脂モールド回路体１が得られる。

本実施例においても、上記実施例と同様の作用効果を奏することができる。

１ 樹脂モールド回路体
１ｂ 接合面
３ 回路
３ａ、３ｂ 回路面
３ｃ 周側面
５ 樹脂モールド部
５ａ、５ｂ 樹脂面
７ 金型
９ 第１の分割金型
１１ 第２の分割金型
１１ａ ゲート
１１ｂ、１１ｃ 内面部
１３ 第３の分割金型
１５ 第４の分割金型
１７ キャビティ
１９ トランスファー室
２１ 粘着層（位置決め部）
２３ 樹脂
２５ 金属基板（基板）
２７ 絶縁層
２９ 金属ベース回路基板（回路基板）
３３ 位置決めピン（位置決め部）
３５ ザグリ（位置決め部）
Ｄｕ ダレ

Claims (11)

1. 回路パターンに応じて配置された回路の側周面に樹脂を充填して樹脂モールド回路体を生成する工程と、
   前記樹脂モールド回路体と絶縁層と金属基板とを積層して接着させる工程と、を備える、
   回路基板の製造方法。
2. 前記金属基板は、複数のフィンを含むヒートシンク形状を備える、
   請求項１に記載の回路基板の製造方法。
3. 前記回路上に回路素子を実装する工程をさらに備える、
   請求項１又は請求項２に記載の回路基板の製造方法。
4. 前記回路の厚みが０．５ｍｍ以上である、
   請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
5. 前記絶縁層は、無機充填剤が３０～８５体積％充填されている、
   請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
6. 前記樹脂モールド回路体の前記絶縁層へ接合される面が平坦面である、
   請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
7. 前記樹脂の熱膨張率と前記回路の熱膨張率は、同程度に調整される、
   請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
8. 前記樹脂が熱硬化性樹脂を含む、
   請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
9. 前記絶縁層は、エポキシ樹脂及びシアネート樹脂を単独又は２種以上を混合して構成される樹脂を含む、
   請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
10. 前記絶縁層は、アルミナ、シリカ、窒化アルミ、窒化ホウ素、窒化ケイ素及び酸化マグネシウムの中から選ばれる１種又は２種以上を含む、
    請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
11. 前記絶縁層は、カップリング剤を含む、
    請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。

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