JP3560585B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3560585B2 JP3560585B2 JP2001382214A JP2001382214A JP3560585B2 JP 3560585 B2 JP3560585 B2 JP 3560585B2 JP 2001382214 A JP2001382214 A JP 2001382214A JP 2001382214 A JP2001382214 A JP 2001382214A JP 3560585 B2 JP3560585 B2 JP 3560585B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- substrate
- mold
- ceramic multilayer
- multilayer substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 131
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 124
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 124
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 45
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 41
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 39
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 23
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 7
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はセラミック多層基板に半導体素子およびその周辺回路が載置された半導体装置の製造方法に関し、特にパッケージを樹脂封止した半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、コストダウンと組み立て工程の共通化を目的として、セラミック多層基板に半導体素子とチップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタ等の周辺回路部品を実装し、エポキシ樹脂封止した後、ブレイキングまたはダイシングにより個片に分割する工法が増えてきた。一般的には印刷マスクを使って液状エポキシ樹脂を基板上に印刷する工法が多いが、印刷工法は工法が簡単である反面、この方法には下記の問題があった。
(1)製品の樹脂厚みのバラツキが大きい。
(2)樹脂印刷周辺部では樹脂垂れがおこるため、捨てしろが必要になる。
(3)樹脂中にボイドが残りやすい。
(4)チップ部品と基板間の隙間が埋まらない。
【0003】
従来の半導体装置の樹脂封止例について、図7を用いて説明する。図7において、半導体素子1は、セラミック多層基板2の一方の面に搭載されており、他方の面にはチップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタ等のチップ部品3が搭載されている。半導体素子1は金属ワイヤー4によって他の導通手段を介してスルホール(図示せず)からチップ部品3などに接続されている。半導体素子1はポッティング樹脂5によって封止されており、チップ部品もエポキシ樹脂6によって封止されている。セラミック多層基板2は、表面上に半導体素子やチップ部品と搭載するための部品実装用ランドと電極配線パターンを縦横に繰り返し並べたマトリックス基板になっている。半導体チップ1はセラミック多層基板2裏面側のキャビティー7にダイスボンドされ、キャビティー7内に形成された電極配線パターンと金属ワイヤー4で接続され、ポッティング樹脂5で封止されている。一方、セラミック多層基板2の表面にはチップ部品3が実装されている。印刷樹脂封止工法は、前記セラミック多層基板2に所望する形状の開口部を開けたメタルマスク16をある間隙をあけて位置合わせし、スキージ17で液状エポキシ樹脂6を塗布する。
【0004】
また、図8には部品実装されたセラミック多層基板2をトランスファーモールドにより封止した例を示す。樹脂封止金型の上型91と下型92との間にチップ部品3が実装されたセラミック多層基板2を置き、基板2の周辺部を挟んで位置規制を行う。その後、上金型91内にあるキャビティー10にエポキシ樹脂を注入する。この工法は、金型を使用するため寸法バラツキが小さく、樹脂に圧力をかけて封止するためボイドが少なく、チップ部品3とセラミック多層基板2間の隙間も埋まりやすい等の特徴を有し、また量産性にも優れた工法である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、セラミック多層基板のトランスファーモールドにおいては、高温焼成の歪みのために基板が三次元的に反っており、その反り方も一様ではないこと、またこの基板の周辺部を、平面出しされた樹脂封止の上下金型で挟みこむため、基板周辺部に割れが発生し、時には割れは基板中央部まで到達することもあること等の理由により、樹脂封止が困難であった。
【0006】
本発明は前記従来の問題を解決するため、半導体素子およびその周辺回路のチップ部品が実装されたセラミック多層基板を、トランスファーモールドにより基板が割れないように樹脂封止する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、セラミック多層基板に半導体素子を含む能動部品と、抵抗、コンデンサ及びインダクタから選ばれる少なくとも一つの受動部品を載置し、前記セラミック多層基板の部品載置面をエポキシ樹脂により表面を平坦に封止した半導体装置の製造方法であって、前記セラミック多層基板の片面を粘着剤付き樹脂フィルムに貼り付け、所望する位置にキャビティーを有する樹脂封止金型に前記樹脂フィルムを載置し、前記封止金型の一部領域で前記樹脂フィルムの一部領域を押圧して前記基板を位置規制し、その後に前記キャビティー内にエポキシ樹脂を注入して封止する際、
前記セラミック多層基板を前記樹脂フィルムで金属製の枠体に所定の間隙をおいて貼り付け、さらに樹脂封止金型の上型に、キャビティーを取り囲むように連続した突起部分を形成し、前記金属枠体を下型に固定して上下金型を締めた際に、前記上型の突起部分が前記金属枠体と前記セラミック多層基板の間に入り込み、フィルムを押圧することを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明によれば、エポキシ樹脂が基板裏面と平坦でかつ周囲を取り囲むように形成されているため、セラミック基板が外部から衝撃を受けた場合などの耐機械的強度が向上し、基板が割れにくくなる。工程中での基板割れ等が減ることで、歩留まりが向上する。また耐機械的強度の向上に伴い、基板の搬送時の梱包が簡略化できるため、輸送にかかるコストを安くすることもできる。さらに樹脂封止された基板をダイシングにより個片に分割する場合、ダイシングブレードが最初に基板周囲に形成されたエポキシ樹脂から切りはじめるため、最初にセラミック基板から切りはじめる場合と比べて、ブレードを破損する頻度が大幅に低減する。
【0010】
本発明方法によれば、半導体素子およびチップ部品の載置されたセラミック基板を粘着剤付き付きの樹脂フィルムに貼り付けて位置規制するため、トランスファーモールドで樹脂封止する際に金型で基板を挟んで位置規制する必要性がなく、基板の割れをなくすことができる。また金型で、基板ではなく樹脂フィルムを挟むため、金型の上下の型締め圧力を上げることができ、そのため、キャビティー内へのエポキシ樹脂の注入圧力を高めることが可能になり、樹脂未充填箇所の皆無化、ボイドの低減、チップ部品とセラミック多層基板の隙間の埋まり性の向上など、成型面全体の向上を図ることができる。また、金型を使った樹脂封止工法のため、セラミック多層基板全面での樹脂厚みバラツキも印刷工法などと比べて小さく、さらに封止の金型面数を増やすことで同じタクトで生産性を数倍に増やすことが容易であるなど、生産性の面においても優れている。
【0011】
本発明方法においては、前記セラミック多層基板を前記樹脂フィルムで金属製の枠体に所定の間隙をおいて貼り付け、さらに樹脂封止金型の上型に、キャビティーを取り囲むように連続した突起部分を形成し、前記金属枠体を下型に固定して上下金型を締めた際に、前記上型の突起部分が前記金属枠体と前記セラミック多層基板の間に入り込み、フィルムを押圧することが好ましい。これにより、樹脂封止の際に、上側金型の突起部分が金属枠体とセラミック多層基板の間隙にセラミック多層基板を取り囲むように入り込み、樹脂フィルムを押圧する。そのため、セラミック多層基板を押さえずに樹脂封止でき、さらに樹脂外形がセラミック多層基板の大きさよりわずかに大きくなるだけなので、前記した方法よりも樹脂量を削減することができる。セラミック多層基板を押さえないため、基板の割れも発生しない。樹脂注入圧力も高めることができ、成型性の向上が図られる。また、金属枠体とセラミック多層基板が樹脂シートを介して一体になっているため、封止金型への脱着が容易に行える。
【0012】
また、前記金属枠体に貼られた樹脂フィルムのセラミック多層基板部位の下側にゴム弾性を有するシートを敷き、樹脂封止することが好ましい。これにより、焼成歪みによるセラミック多層基板の反り量が著しく大きい場合であっても、基板下面にシリコーン樹脂等のゴム状弾性を有するシートを敷くと、応力を吸収し、分散する効果により基板の割れは発生しなくなる。前記ゴム弾性を有するシートがシリコーンゴムであると、耐熱性が高く好ましい。
【0013】
また、前記下金型内のゴムシートを敷く部分を、底部が平坦になった凹構造とすることが好ましい。これにより、ゴムシートが滑らないよう位置規制できる。また基板の反り程度によりゴムシートの厚みを変える場合にも、凹構造深さを調整することでキャビティー側には一切手を加えず、エポキシ樹脂厚みの均一な封止をすることができる。
【0014】
また、前記ゴムシートと前記金属枠体の樹脂フィルムの間に、第2の樹脂シートを介して樹脂封止したことが好ましい。これにより、樹脂封止の際に発生する樹脂バリが直接ゴムシートに付着するのを防ぐことができる。ゴムシートは表面に細かい凹凸があるためゴミが付着しやすく、また一回付着したゴミはエアーブロー程度では除去できない。ゴムシート上にゴミが付着したままで樹脂封止すると、セラミック多層基板とゴムシートの間に硬度の違う異物を挟んだままで圧力がかかることになり、新たな基板の割れの原因にもなりかねない。しかし、樹脂シートの表面は滑らかなため、ゴムシート上に樹脂シートを敷くことにより、ゴミをエアーブロー等で除去でき、ゴミを挟むことによる基板割れの可能性をなくすことができる。
【0015】
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態を図1により説明する。図1は半導体装置の概略断面図である。この半導体装置は、アルミナセラミックの多層基板2に、半導体素子およびその周辺回路となる抵抗、コンデンサ、インダクタ等のチップ部品3を実装し、トランスファーモールドによりセラミック基板の片面を平坦に樹脂封止したものである。
【0016】
アルミナセラミック多層基板2は、基板裏面に半導体素子1を実装するためのキャビティと外部接続用の電極が配置され、表面には周辺回路を形成するチップ部品の配線パターンが形成され、個々の配線パターンとキャビティー、電極を縦横に繰り返し並べたマトリックス基板を形成している。アルミナセラミック多層基板2の外形は、縦70mm、横70mm、厚み0.7mmで、その中に15mm角の個片が縦4列横4列並んでいる。その15mm角の個片毎に、裏面にはキャビティと外部接続用の電極、表面にはチップ部品のパターン配線が形成されている。半導体素子1はキャビティー7内にダイスボンドされ、キャビティ7内にあらかじめ形成された配線パターンと金属ワイヤー4で接続され、エポキシポッティング樹脂5で封止されている。基板の表面には抵抗、コンデンサ等のチップ部品3が実装されている。この基板を、部品実装面側は表面が平坦になるよう、電極面側は、電極面と平坦、かつ基板周囲を取り囲むようにエポキシ樹脂6で封止されている。樹脂封止後の外形サイズは、縦74mm、横74mm、厚み1.6mmで、基板の周囲全体が幅2mmの樹脂で囲まれた形状を有する。
【0017】
エポキシ樹脂6が基板周囲をはちまきの様に取り囲む形状をしているため、基板周囲が露出した形状と比べて、外部から衝撃を受けた場合などの耐機械的強度が向上し、基板が割れにくくなっている。組み立て工程中での取り扱いも容易になり、誤って落下して基板を割る等の問題も減少する。また樹脂封止後に基板を輸送する場合、基板の搬送時の梱包が簡略化できるため、輸送にかかるコストを安くすることもできる。
【0018】
前記アルミナセラミック多層基板2は、1枚の基板に縦4列、横4列の16個の個片が内蔵されており、通常はダイシングにより個片に分割する。前記樹脂封止された基板を切る場合、ダイシングブレードが最初に基板周囲に形成されたエポキシ樹脂から切りはじめるため、緩衝作用により、最初にセラミック基板から切りはじめる場合と比べて、ブレードを破損する頻度が大幅に低減する。
【0019】
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態を図2により説明する。図2は半導体装置の樹脂封止工程の概略図であり、8は粘着剤付き樹脂フィルム、10は上側金型のキャビティーである。この半導体装置は、前記第1の実施の形態と同じく、半導体素子と周辺回路のチップ部品をセラミック多層基板上に実装し、トランスファーモールドでセラミック基板の片面を平坦に樹脂封止したものである。基板および部品の説明は前記第1の実施形態と同じである。
【0020】
樹脂封止の金型は、上型に樹脂を注入するためのキャビティが掘られており、下型は樹脂シートの位置規制をする金属ピンが4本あり、あとは平坦な構造を有する。キャビティーの大きさは縦74mm、横74mm、深さは0.9mmである。
【0021】
製造方法として、まず基板の樹脂封止しない面、すなわち基板裏面側に粘着剤付き樹脂フィルム8を所定の位置に貼り付け、基板が動かないように位置規制をする。粘着剤付き樹脂シート8は、一例として基材PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムの上に粘着剤を塗布したもので、150mm角、厚みは40μmを用いている。樹脂シート四隅には金型内での位置規制を行うための穴が開けられている。樹脂シートに粘着剤付きのポリイミドシートを用いても同様の効果が得られる。基板を貼る位置は、封止の上側金型91と下側金型92を締めた時に基板を挟まないよう、上金型91,92に掘られたキャビティー10の内側に入っていなければならない。また樹脂フィルム8に基板を貼る際に、基板裏面と樹脂フィルム8の間に空気が残らないよう、樹脂フィルム8に張力をかけ、空気を押し出しながら行うとよい。
【0022】
次に、前記樹脂フィルム8の四隅の穴を封止下金型91,92の金属ピンに通して位置規制を行うのが好ましい。金属ピンに樹脂フィルムを通す際、フィルムにしわが入らないようにフィルムを引っ張りながら取り付ける。
【0023】
その後、封止金型を締めエポキシ樹脂封止を行う。金型で基板を挟まないため型締め圧力を上げることができ、一例として30トンで型締めしている。金型設定温度は170℃、樹脂注入圧力は7MPaである。
【0024】
この例によれば、金型で基板ではなく樹脂フィルムを挟んで位置規制する方法のため、基板の割れをなくすことができる。また型締め圧力を上げられるため、それに伴って樹脂注入圧力を上げることが可能になり、樹脂未充填箇所をなくし、ボイドの低減、および印刷封止工法では困難であったチップ部品と基板間の隙間の埋まり性が向上するなど、成型面全体の歩留まり、品質向上を図ることができる。
【0025】
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態を図3により説明する。図3は半導体装置の樹脂封止工程の概略図であり、8は粘着剤付き樹脂フィルム、10は上側金型のキャビティー、11は上側金型の突起部分、15は金属製の枠体である。この半導体装置は、前記第1の実施の形態と同じく、半導体素子と周辺回路のチップ部品をセラミック多層基板上に実装し、トランスファーモールドでセラミック基板の片面を平坦に樹脂封止したものである。基板および部品の説明は前記第1の実施の形態と同じである。樹脂封止の金型構造も前記第2の実施の形態と同じである。
【0026】
製造方法として、まず基板と金属製の枠体を所定の間隙をあけて設置し、粘着剤付き樹脂フィルム8で両方を貼り付ける。金属枠は150mm角のステンレス製で中央部に基板の入る開口部が設けられている。金属枠の幅は30mm、板厚1mm、中央には90mm角の開口部がある。樹脂フィルムは第1の実施形態と同じである。樹脂フィルムの貼り付けは治具を使って行い、樹脂フィルムにしわができないよう張力をかけた状態で行う。
【0027】
次に、基板が貼り付けられた金属枠体15を下側金型に固定した後、上下金型91,92を締める。
【0028】
上側金型のキャビティー部分には、型締め時に金属枠体とセラミック多層基板の間隙に入り込み、基板を取り囲むような構造の突起部分11が形成されている。型締め時には前記突起部分11が樹脂フィルムを押さえ込み基板を位置規制する。この後、キャビティ10にエポキシ樹脂を注入してエポキシ樹脂封止を行う。型締め圧力、金型温度、樹脂注入圧力等の成型条件は第2の実施の形態と同じである。
【0029】
樹脂封止の際に、上側金型の突起部分が、直接樹脂フィルムを押圧して基板の位置規制を行うため、樹脂封止の際の基板の割れがなくなる。また第3の実施の形態で特徴的なのは、金属枠体15とセラミック多層基板が樹脂シート8を介して一体になっているため、封止金型への脱着が簡単に行えることである。この方式によれば、一度に複数の基板を同時に樹脂封止することが可能となり、作業性が大幅に向上する。さらに樹脂外形がセラミック多層基板の大きさよりわずかに大きくなるだけなので、第2の実施の形態よりも樹脂外形が小さくなり、樹脂使用量を削減することができる。樹脂注入圧力も高めることができ、樹脂未充填箇所の皆無化、ボイドの低減、および印刷封止工法では困難であったチップ部品と基板間の隙間の埋まり性が向上するなど、成型面全体の歩留まり、品質向上を図ることができる。
【0030】
(第4の実施形態)
本発明の第4の実施形態を図4により説明する。図4は半導体装置の樹脂封止工程の概略図であり、8は粘着剤付き樹脂フィルム、10は上側金型のキャビティー、11は上側金型の突起部分、12はゴムシート、15は金属製の枠体である。この半導体装置は、前記第1の実施の形態と同じく、半導体素子と周辺回路のチップ部品をセラミック多層基板上に実装し、トランスファーモールドでセラミック基板の片面を平坦に樹脂封止したものである。基板および部品の説明は前記第1の実施の形態と同じである。樹脂封止の金型構造も前記第2の実施の形態と同じである。
【0031】
製造方法として、まず基板と金属製の枠体15を所定の間隙をあけて設置し、粘着剤付き樹脂フィルム8で両方を貼り付ける。金属枠15および樹脂フィルム8は第3の実施の形態と同じである。樹脂フィルムの貼り付けは治具を使って行い、樹脂フィルムにしわができないよう張力をかけた状態で行う。
【0032】
次に、封止の下側金型の基板が固定される部位に、基板と同一サイズ、または一回り大きめのシリコーン樹脂等のゴム弾性を有するシート12を敷き、その上に基板が貼り付けられた金属枠体を固定する。ゴムシート12は金型の高温と樹脂注入の高圧に耐えられる特性が必要であり、シリコーン樹脂のシートを用いている。シリコーン樹脂シートは75mm角で厚み0.5mmである。
【0033】
基本的には第2の実施形態、第3実施の形態で基板を割ることなしにエポキシ樹脂封止封止が可能である。しかし焼成歪みによる基板の反りが0.5mmを越える大きい場合、または反りの変化が部分的に急変する端折れの様な場合には、第4の実施の形態のように基板下面にゴムシート12を敷くことにより、樹脂注入時の基板にかかる圧力をゴムシートが吸収、分散、緩和する効果が発生し、基板を割ることなく封止することができる。
【0034】
(第5の実施形態)
本発明の第5の実施形態を図5により説明する。図5は半導体装置の樹脂封止工程の概略図であり、11は上側金型の突起部分、12はゴムシート、13は下側金型の凹部、15は金属製の枠体である。この半導体装置は、前記第4の実施の変形形態で、封止の下側金型のゴムシート12を敷く部分をへこませて段差を設け、低部を平坦にして中にゴムシート12が入る構造にしたものである。段差の大きさはゴムシートよりも一回り大きく、深さはゴムシートの半分にしている。ゴムシートは75mm角、厚み0.5mmであり、段差は77mm□、深さ0.25mmにしている。この構造はゴムシートが滑らないよう位置規制できるとともに、基板の反り程度によりゴムシートの厚みを変える場合にも、段差を調整することで上側金型のキャビティーには一切手を加えることなく、エポキシ樹脂厚みの均一な封止をすることができる。
【0035】
(第6の実施形態)
本発明の第6の実施の形態を図6により説明する。図6は半導体装置の樹脂封止工程の概略図であり、8は粘着剤付き樹脂フィルム、10は上側金型のキャビティー、11は上側金型の突起部分、12はゴムシート、13は下側金型の凹部、14は第2の樹脂フィルム、15は金属製の枠体である。この半導体装置は、前記第5の実施の変形形態で、封止の下側金型上に敷かれたゴムシート12と金属枠体15の樹脂フィルム8の間に、第2の樹脂フィルム14を挟んで樹脂封止を行ったものである。第2の樹脂フィルムは表面が非粘着性のPET(ポリエチレンテレフタレート)で、大きさは150mm角、フィルム厚みは25μmである。
【0036】
前記PETフィルムを2枚の金属枠で挟み込んで固定し、下側金型のゴムシートを覆うように載せて固定する。金属枠は150mm角のステンレス製で中央部にゴムシートの入る開口部が設けられている。金属枠の幅は30mm、板厚は0.5mmの2枚重ねで1mm、中央には90mm角の開口部がある。さらにこの上に樹脂フィルムで基板を固定した金属枠体を載せて固定し、上下金型91,92を型締め後にエポキシ樹脂封止する。
【0037】
前記製造方法によれば、シリコーン樹脂等のゴムシートの上にPETフィルムトを敷くことにより、樹脂封止の際に発生する樹脂バリが直接ゴムシートに付着するのを防ぐことができる。ゴムシートは表面に細かい凹凸があるためゴミが付着しやすく、また一回付着したゴミはエアーブロー程度では除去できない。ゴムシート上にゴミが付着したままで樹脂封止すると、基板とゴムシートの間に硬度の違う異物を挟んだままで圧力がかかることになり、新たな基板の割れの原因にもなりかねないが、樹脂シートの表面は滑らかなため、ゴムシート上に樹脂シートを敷くことにより、ゴミをエアーブロー等で除去でき、ゴミを挟むことによる基板割れの可能性をなくすことができる。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、エポキシ樹脂が基板裏面と平坦でかつ周囲を取り囲むように形成されているため、セラミック基板が外部から衝撃を受けた場合などの耐機械的強度が向上し、基板が割れにくくなる。工程中での基板割れ等が減ることで、歩留まりが向上する。また耐機械的強度の向上に伴い、基板の搬送時の梱包が簡略化できるため、輸送にかかるコストを安くすることもできる。さらに樹脂封止された基板をダイシングにより個片に分割する場合、ダイシングブレードが最初に基板周囲に形成されたエポキシ樹脂から切りはじめるため、最初にセラミック基板から切りはじめる場合と比べて、ブレードを破損する頻度が大幅に低減する。
【0039】
また本発明方法によれば、半導体素子およびチップ部品の載置されたセラミック基板を粘着剤付き付きの樹脂フィルムに貼り付けて位置規制するため、トランスファーモールドで樹脂封止する際に金型で基板を挟んで位置規制する必要性がなく、基板の割れをなくすことができる。また金型で、基板ではなく樹脂フィルムを挟むため、金型の上下の型締め圧力を上げることができ、そのため、キャビティー内へのエポキシ樹脂の注入圧力を高めることが可能になり、樹脂未充填箇所の皆無化、ボイドの低減、チップ部品とセラミック多層基板の隙間の埋まり性の向上など、成型面全体の向上を図ることができる。また、金型を使った樹脂封止工法のため、セラミック多層基板全面での樹脂厚みバラツキも印刷工法などと比べて小さく、さらに封止の金型面数を増やすことで同じタクトで生産性を数倍に増やすことが容易であるなど、生産性向上効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態における半導体装置の断面図。
【図2】本発明の第2の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図3】本発明の第3の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図4】本発明の第4の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図5】本発明の第5の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図6】本発明の第6の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図7】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図8】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
1 半導体素子
2 セラミック多層基板
3 チップ部品
4 金属ワイヤー
5 ポッティング樹脂
6 エポキシ樹脂
7 キャビティー
8 粘着剤付き樹脂フィルム
10 上側金型のキャビティー
11 上側金型の突起部分
12 ゴムシート
13 下側金型の凹部
14 第2の樹脂フィルム
15 金属製の枠体
16 メタルマスク
91 樹脂封止上型(上側金型)
92 樹脂封止下型(下側金型)
Claims (5)
- セラミック多層基板に半導体素子を含む能動部品と、抵抗、コンデンサ及びインダクタから選ばれる少なくとも一つの受動部品を載置し、前記セラミック多層基板の部品載置面をエポキシ樹脂により表面を平坦に封止した半導体装置の製造方法であって、
前記セラミック多層基板の片面を粘着剤付き樹脂フィルムに貼り付け、
所望する位置にキャビティーを有する樹脂封止金型に前記樹脂フィルムを載置し、
前記封止金型の一部領域で前記樹脂フィルムの一部領域を押圧して前記基板を位置規制し、
その後に前記キャビティー内にエポキシ樹脂を注入して封止する際、
前記セラミック多層基板を前記樹脂フィルムで金属製の枠体に所定の間隙をおいて貼り付け、さらに樹脂封止金型の上型に、キャビティーを取り囲むように連続した突起部分を形成し、前記金属枠体を下型に固定して上下金型を締めた際に、前記上型の突起部分が前記金属枠体と前記セラミック多層基板の間に入り込み、フィルムを押圧することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記金属枠体に貼られた樹脂フィルムのセラミック多層基板部位の下側にゴム弾性を有するシートを敷き、樹脂封止する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- ゴム弾性を有するシートがシリコーンゴムである請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記下金型内のゴムシートを敷く部分を、底部が平坦になった凹構造とする請求項2または3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ゴム弾性を有するシートと前記金属枠体の樹脂フィルムの間に、第2の樹脂シートを介して樹脂封止した請求項2〜4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001382214A JP3560585B2 (ja) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
US10/208,628 US6890800B2 (en) | 2001-12-14 | 2002-07-29 | Method of manufacturing semiconductor device with ceramic multilayer board |
TW091116837A TW554499B (en) | 2001-12-14 | 2002-07-29 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR10-2002-0051409A KR100495644B1 (ko) | 2001-12-14 | 2002-08-29 | 반도체 장치의 제조방법 |
CNB02132123XA CN1248307C (zh) | 2001-12-14 | 2002-08-30 | 半导体器件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001382214A JP3560585B2 (ja) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003188200A JP2003188200A (ja) | 2003-07-04 |
JP3560585B2 true JP3560585B2 (ja) | 2004-09-02 |
Family
ID=19187426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001382214A Expired - Fee Related JP3560585B2 (ja) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6890800B2 (ja) |
JP (1) | JP3560585B2 (ja) |
KR (1) | KR100495644B1 (ja) |
CN (1) | CN1248307C (ja) |
TW (1) | TW554499B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4094515B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2008-06-04 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
JP4397728B2 (ja) * | 2004-04-21 | 2010-01-13 | 日東電工株式会社 | 直下型バックライト |
KR20060102445A (ko) * | 2005-03-23 | 2006-09-27 | 박태영 | 셋톱박스 수신제한 칩 보호장치 |
JP2009004406A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | 基板の加工方法 |
JP5313047B2 (ja) * | 2009-05-28 | 2013-10-09 | Towa株式会社 | 電子部品の樹脂封止用の成形型及び樹脂封止方法 |
JP2015046573A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-03-12 | 日東電工株式会社 | 貼着治具および電子装置の製造方法 |
JP6242763B2 (ja) * | 2014-07-18 | 2017-12-06 | Towa株式会社 | 電子部品パッケージの製造方法 |
JP7374613B2 (ja) * | 2019-05-21 | 2023-11-07 | 日本発條株式会社 | 樹脂モールド回路体、金型、製造方法、及び回路基板 |
CN112476713B (zh) * | 2019-09-12 | 2022-03-01 | 东莞湧德电子科技有限公司 | 电子烟雾化器中的陶瓷加热器制造方法 |
US11729915B1 (en) | 2022-03-22 | 2023-08-15 | Tactotek Oy | Method for manufacturing a number of electrical nodes, electrical node module, electrical node, and multilayer structure |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5200362A (en) | 1989-09-06 | 1993-04-06 | Motorola, Inc. | Method of attaching conductive traces to an encapsulated semiconductor die using a removable transfer film |
US5851845A (en) * | 1995-12-18 | 1998-12-22 | Micron Technology, Inc. | Process for packaging a semiconductor die using dicing and testing |
US5776798A (en) | 1996-09-04 | 1998-07-07 | Motorola, Inc. | Semiconductor package and method thereof |
JPH10135377A (ja) | 1996-11-01 | 1998-05-22 | Hitachi Ltd | モールド型半導体装置 |
JPH11102985A (ja) | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
JP3203228B2 (ja) | 1998-03-17 | 2001-08-27 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
US6326701B1 (en) | 1999-02-24 | 2001-12-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Chip size package and manufacturing method thereof |
JP3793679B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2006-07-05 | Towa株式会社 | 電子部品の製造方法及び製造装置 |
JP3456462B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2003-10-14 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001244376A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2002009097A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
-
2001
- 2001-12-14 JP JP2001382214A patent/JP3560585B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-07-29 US US10/208,628 patent/US6890800B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-29 TW TW091116837A patent/TW554499B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-08-29 KR KR10-2002-0051409A patent/KR100495644B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-08-30 CN CNB02132123XA patent/CN1248307C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100495644B1 (ko) | 2005-06-14 |
KR20030051175A (ko) | 2003-06-25 |
US20030111725A1 (en) | 2003-06-19 |
JP2003188200A (ja) | 2003-07-04 |
CN1426105A (zh) | 2003-06-25 |
US6890800B2 (en) | 2005-05-10 |
TW554499B (en) | 2003-09-21 |
CN1248307C (zh) | 2006-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7183124B2 (en) | Surface mount saw device manufacturing method | |
US6350631B1 (en) | Electronic device, method of manufacturing the same, and apparatus for manufacturing the same | |
JP3560585B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20060086499A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
KR101168861B1 (ko) | 반도체 장치 및 이의 제조방법 | |
JP2007066932A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
WO2008027968A1 (en) | Method and apparatus for making semiconductor packages | |
JP2001203227A (ja) | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
JP2004134591A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
KR20030012808A (ko) | 반도체 실장체 제조 방법 및 장치 | |
JP5251845B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3912324B2 (ja) | 弾性表面波デバイスの製造方法 | |
JP3561209B2 (ja) | フリップチップ実装用バインダー及びこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
US9646907B2 (en) | Mold package and manufacturing method thereof | |
JP2004007051A (ja) | 封止用部材およびこれを用いた表面弾性波装置の製造方法 | |
JP2004090580A (ja) | 樹脂モールド金型および樹脂モールド装置 | |
JP3565204B2 (ja) | 電子装置 | |
JP2002151531A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7530772B2 (ja) | 樹脂漏れ防止用部材、樹脂漏れ防止用部材供給機構、樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法 | |
JPH10209194A (ja) | 半導体装置、その製造方法およびそれに用いる樹脂モールド工程装置 | |
KR100439188B1 (ko) | 반도체 패키지 몰딩장치 | |
JP2004158755A (ja) | 樹脂封止金型 | |
JP2010073781A (ja) | 電子装置の製造方法 | |
JP2003249600A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0532903B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040217 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040414 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040525 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090604 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110604 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120604 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120604 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130604 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |