JP2023036707A - 多層回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】導体回路の寸法安定性に優れ、高周波信号の伝送においても伝送損失の低減が可能な接着層を備えた多層回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】金属張積層板１００において、回路基板ユニット１０２は、一対の回路基板１０１を準備し、一方の回路基板の接着層３０と他方の回路基板の接着層とを貼り合わせて作製する。多層回路基板２０１は、一つ目の金属張積層板の接着層が回路基板ユニットの上面側の導体回路層に対向するように配置し、さらに回路基板ユニットの下面側の導体回路層５０に、二つ目の金属張積層板の接着層が対向するように配置し、一括して圧着して製造する。接着層は、ジアミン残基の全量１００モル部に対して、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が１級のアミノメチル基又はアミノ基に置換されるダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を５０モル部以上含有する接着性ポリイミドである。【選択図】図６

Description

本発明は、金属張積層板及び回路基板並びに複数層に積層された導体回路層を有する多層回路基板及びその製造方法に関するものである。

近年，電子機器の高密度化、高機能化の進展に伴い、更なる寸法安定性や優れた高周波特性を有する回路基板材料が求められている。特に、高速信号処理に必要な有機層間絶縁材料の特性には、低誘電率化、低誘電損失化が重要である。高周波化に対応するために、低誘電率、低誘電正接を特徴とした液晶ポリマー（ＬＣＰ）を誘電体層とした多層配線板が提案されている（例えば、特許文献１）。液晶ポリマーを絶縁層とした多層配線板は、熱可塑性樹脂である液晶ポリマー基材の融点付近まで加熱した状態で加熱圧着することにより製造されるため、液晶ポリマー基材の熱変形により、回路導体の位置ズレがおきやすく、インピーダンスの不整合など電気特性に悪影響が出ることが懸念されている。また、液晶ポリマーを基材層とする多層配線板は、多層接着界面が平滑であるとアンカー効果が発現せず層間接着力が不十分となるため、回路導体と液晶ポリマー基材のそれぞれの表面に粗化処理を必要とし、製造工程が煩雑であるという問題点もあった。

ところで、ポリイミドを主成分とする接着層に関する技術として、ダイマー酸などの脂肪族ジアミンから誘導されるジアミン化合物を原料とするポリイミドと、少なくとも２つの第１級アミノ基を官能基として有するアミノ化合物と、を反応させて得られる架橋ポリイミド樹脂を、カバーレイフィルムの接着剤層に適用することが提案されている（例えば、特許文献２）。特許文献２の架橋ポリイミド樹脂は、環状シロキサン化合物からなる揮発成分を発生させず、優れた半田耐熱性を有し、繰り返し高温にさらされる使用環境でも、配線層とカバーレイフィルムとの接着力を低下させない、という利点を有するものである。しかしながら、特許文献２では、高周波信号伝送への適用可能性については検討されていない。

特開２００５－３１７９５３号公報 特開２０１３－１７３０号公報

今後、多層回路基板において高周波信号伝送への対応を図るための一つの方向性として、導体回路の寸法安定性を維持しながら、絶縁樹脂層や接着層の合計厚みを増大させることによって誘電特性の改善を図ることが考えられる。そのためには、多層回路基板の材料となる金属張積層板や回路基板において、それらの材質だけでなく、構造においても、従来の多層回路基板とは異なる設計思想が求められてきている。

従って、本発明の目的は、導体回路の寸法安定性に優れ、高周波信号の伝送においても伝送損失の低減が可能な新規な構造を有する多層回路基板を提供することである。

本発明者らは、鋭意研究の結果、多層回路基板の材料として、特定構造の金属張積層板を用いることによって、優れた接着性を維持しつつ、導体回路の寸法安定性を維持しながら、高周波信号の伝送への対応が可能となることを見出し、本発明を完成した。

すなわち、本発明の金属張積層板は、絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の一方の面に積層された金属層と、前記絶縁樹脂層のもう一方の面に積層された接着層と、を備えている。
また、本発明の回路基板は、絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の一方の面に形成された導体回路層と、前記絶縁樹脂層のもう一方の面に積層された接着層と、を備えている。
そして、本発明の金属張積層板又は回路基板は、前記接着層を構成する樹脂が、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂であり、下記の条件（i）～（iii）；
(i)５０℃での貯蔵弾性率が１８００ＭＰａ以下であること；
（ii）１８０℃から２６０℃の温度領域での貯蔵弾性率の最大値が８００ＭＰａ以下であること；
(iii)ガラス転移温度（Ｔｇ）が１８０℃以下であること；
を満たすものである。

本発明の金属張積層板又は回路基板は、前記熱可塑性樹脂が、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含有する接着性ポリイミドであってもよい。この場合、前記接着性ポリイミドは、前記ジアミン残基の全量１００モル部に対して、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が１級のアミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を５０モル部以上含有するものであってもよい。

本発明の金属張積層板は、前記金属層を配線に加工してなる回路基板の材料であってもよい。

本発明の金属張積層板又は回路基板において、前記接着性ポリイミドは、前記テトラカルボン酸残基の全量１００モル部に対して、下記の一般式（１）及び／又は（２）で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を合計で９０モル部以上含有するものであってもよい。

一般式（１）中、Ｘは、単結合、または、下式から選ばれる２価の基を示し、一般式（２）中、Ｙで表される環状部分は、４員環、５員環、６員環、７員環又は８員環から選ばれる環状飽和炭化水素基を形成していることを表す。

上記式において、Ｚは－Ｃ_６Ｈ_４－、－(ＣＨ_２)ｎ－又は－ＣＨ_２－ＣＨ(－Ｏ－Ｃ(＝Ｏ)－ＣＨ_３)－ＣＨ_２－を示すが、ｎは１～２０の整数を示す。

本発明の金属張積層板又は回路基板において、前記接着性ポリイミドは、前記ジアミン残基の全量１００モル部に対して、前記ダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を５０モル部以上９９モル部以下の範囲内で含有するものであってもよく、また、下記の一般式（Ｂ１）～（Ｂ７）で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも１種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を１モル部以上５０モル部以下の範囲内で含有するものであってもよい。

式（Ｂ１）～（Ｂ７）において、Ｒ_１は独立に炭素数１～６の１価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、連結基Ａは独立に－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－、－ＣＯＯ－、－ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－ＮＨ－若しくは－ＣＯＮＨ－から選ばれる２価の基を示し、ｎ_１は独立に０～４の整数を示す。ただし、式（Ｂ３）中から式（Ｂ２）と重複するものは除き、式（Ｂ５）中から式（Ｂ４）と重複するものは除くものとする。

本発明の多層回路基板は、複数の回路基板を積層したものであって、
前記回路基板として、上記いずれかの回路基板を、少なくとも１つ以上含むことを特徴とする。

本発明の第1の観点における多層回路基板の製造方法は、
絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の一方の面に形成された導体回路層と、前記絶縁樹脂層のもう一方の面に積層された接着層と、を備えた回路基板を複数準備する工程、及び、
一つの前記回路基板の前記導体回路層と、他の一つの前記回路基板の前記接着層とが対向するように重ねて圧着する工程、
を含むものであってもよい。

本発明の第２の観点における多層回路基板の製造方法は、
絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の一方の面に形成された導体回路層と、前記絶縁樹脂層のもう一方の面に積層された接着層と、を備えた回路基板を複数準備する工程、及び、
一つの前記回路基板の前記接着層と、他の一つの前記回路基板の前記接着層とが対向するように重ねて圧着する工程、
を含むものであってもよい。

本発明の金属張積層板は、絶縁樹脂層の片側に金属層、他の片面に接着層を有する構造であるため、積層することによって多層回路基板を容易に製造することが可能であり、多層回路基板の材料として有用である。また、金属張積層板を使用して多層回路基板を製造した場合に、導体回路の寸法安定性を維持しながら、導体回路層への被覆性と密着性の確保、さらに樹脂層全体の厚みの確保が可能である。そのため、本発明の金属張積層板を用いることによって、良好な層間接続を有し、且つ信頼性の高い多層回路基板が得られる。
また、本発明の多層回路基板により、高周波信号の伝送においても伝送損失の低減が可能であり、電子部品の高密度集積化や、高密度実装化を可能とすることができる。また、本発明の多層回路基板は、耐熱性にも優れているため、発熱量の大きな半導体チップを搭載することも可能である。

本発明の一実施の形態にかかる金属張積層板の構造を示す断面図である。 本発明の一実施の形態にかかる回路基板の構造を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態にかかる多層回路基板の構造を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態にかかる多層回路基板の製造工程を示す説明図である。 本発明の第２の実施の形態にかかる多層回路基板の構造を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態にかかる多層回路基板の製造工程を示す説明図である。

本発明の実施の形態について詳細に説明する。

［金属張積層板］
図１は、本発明の一実施の形態の金属張積層板の構造を示す断面図である。本実施の形態の金属張積層板１００は、絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層１０の一方の面に積層された金属層２０と、絶縁樹脂層１０のもう一方の面に積層された接着層３０と、を備えている。つまり、金属張積層板１００は、金属層２０／絶縁樹脂層１０／接着層３０が、この順に積層された構造である。別の表現を用いると、金属張積層板１００は、絶縁樹脂層１０と金属層２０とが積層されてなる片面金属張積層板４０の裏面側（絶縁樹脂層１０側）に、さらに接着層３０が付加された構造を有している。なお、接着層３０は、絶縁樹脂層１０の片側の全面に形成されていてもよく、一部分のみに形成されていてもよい。

＜片面金属張積層板＞
片面金属張積層板４０の構成は、特に限定されず、ＦＰＣ材料として一般的なものを使用可能であり、例えば、市販の銅張積層板などであってもよい。例えば、市販の銅張積層板としては、パナソニック社製のＲ－Ｆ７０５Ｔ（商品名）、日鉄ケミカル＆マテリアル社製のエスパネックス（商品名）などを用いることができる。

（金属層）
金属層２０の材質としては、特に制限はないが、例えば、銅、ステンレス、鉄、ニッケル、ベリリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、銀、金、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉛、マグネシウム、マンガン及びこれらの合金等が挙げられる。これらの中でも、特に銅又は銅合金が好ましい。なお、後述する本実施の形態の回路基板における配線層の材質も金属層２０と同様である。

金属層２０の厚みは特に限定されるものではないが、例えば銅箔等の金属箔を用いる場合、好ましくは３５μｍ以下であり、より好ましくは５～２５μｍの範囲内がよい。生産安定性及びハンドリング性の観点から金属箔の厚みの下限値は５μｍとすることが好ましい。なお、銅箔を用いる場合は、圧延銅箔でも電解銅箔でもよい。また、銅箔としては、市販されている銅箔を用いることができる。

また、金属箔は、例えば、防錆処理や、接着力の向上を目的として、例えばサイディング、アルミニウムアルコラート、アルミニウムキレート、シランカップリング剤等による表面処理を施してもよい。

（絶縁樹脂層）
絶縁樹脂層１０としては、電気的絶縁性を有する樹脂により構成されるものであれば特に限定はなく、例えばポリイミド、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、シリコーン、ＥＴＦＥ、ＢＴレジンなどを挙げることができるが、ポリイミドによって構成されることが好ましい。なお、本発明でポリイミドという場合、ポリイミドの他、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリシロキサンイミド、ポリベンズイミダゾールイミドなど、分子構造中にイミド基を有するポリマーを意味する。

また、絶縁樹脂層１０は、単層に限らず、複数の樹脂層が積層されたものであってもよい。また、絶縁樹脂層１０は、非熱可塑性ポリイミドによる非熱可塑性ポリイミド層を含むことが好ましい。なお、「非熱可塑性ポリイミド」とは、一般に加熱しても軟化、接着性を示さないポリイミドのことであるが、本発明では、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）を用いて測定した、３０℃における貯蔵弾性率が１．０×１０^９Ｐａ以上であり、３００℃における貯蔵弾性率が３．０×１０^８Ｐａ以上であるポリイミドをいう。

絶縁樹脂層１０は、例えば、市販のポリイミドフィルム、市販の液晶ポリマーフィルム又は市販の金属張積層板に絶縁性基材として用いられる樹脂の中から選択して用いることができる。ポリイミドフィルムとしては、宇部興産社製のユーピレックス（商品名）、東レ・デュポン社製のカプトン（商品名）、カネカ社製のアピカル（商品名）、同ピクシオ（商品名）、液晶ポリマーフィルムとしてはクラレ社製のベクスター（商品名）、プライマテック社製のＢＩＡＣ Ｆｉｌｍ（商品名）などを用いることができる。

絶縁樹脂層１０の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、特に限定されるものではないが、１０ｐｐｍ／Ｋ以上がよく、好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以上３０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内、より好ましくは１５ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内である。ＣＴＥが１０ｐｐｍ／Ｋ未満であるか、又は３０ｐｐｍ／Ｋを超えると、反りが発生したり、寸法安定性が低下したりする。使用する原料の組合せ、厚み、乾燥・硬化条件を適宜変更することで所望のＣＴＥに制御できる。

なお、絶縁樹脂層１０及び接着層３０を含む樹脂層の全体の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、特に限定されるものではないが、好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以上３０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内、より好ましくは１５ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内である。これらの樹脂層全体のＣＴＥが１０ｐｐｍ／Ｋ未満であるか、又は３０ｐｐｍ／Ｋを超えると、反りが発生したり、寸法安定性が低下したりする。

絶縁樹脂層１０は、例えば多層回路基板に適用する場合において、誘電損失の悪化を抑制するために、１０ＧＨｚにおける誘電正接（Ｔａｎδ）は、好ましくは０．０２以下、より好ましくは０．０００５以上０．０１以下の範囲内、更に好ましくは０．００１以上０．００８以下の範囲内がよい。絶縁樹脂層１０の１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．０２を超えると、多層回路基板に適用した際に、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。一方、絶縁樹脂層１０の１０ＧＨｚにおける誘電正接の下限値は特に制限されないが、多層回路基板の絶縁樹脂層としての物性制御を考慮している。

絶縁樹脂層１０は、例えば多層回路基板の絶縁樹脂層として適用する場合において、インピーダンス整合性を確保するために、１０ＧＨｚにおける誘電率（ε）が４．０以下であることが好ましい。絶縁樹脂層１０の１０ＧＨｚにおける誘電率が４．０を超えると、多層回路基板に適用した際に、絶縁樹脂層１０の誘電損失の悪化に繋がり、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。

＜接着層＞
接着層３０は、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂で構成され、以下の条件；
（i）５０℃での貯蔵弾性率が１８００ＭＰａ以下であること、
（ii）１８０℃から２６０℃の貯蔵弾性率の最大値が８００ＭＰａ以下であること、
及び
（iii）ガラス転移温度（Ｔｇ）が１８０℃以下であること、
を満たすものである。このような樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、スチレン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、スチレン－マレイミド共重合体、マレイミド－ビニル化合物共重合体、又は（メタ）アクリル共重合体、エポキシ樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂及びシアネートエステル樹脂等の樹脂が挙げられ、これらの中から、条件(i)～(iii)を満たすものを選択したり、あるいは、条件(i)～(iii)を満たすように設計したりして、接着層３０に使用することができる。

接着層３０が熱硬化性樹脂である場合、有機過酸化物、硬化剤、硬化促進剤等を含有してもよく、必要に応じて、硬化剤と硬化促進剤、又は触媒と助触媒を併用してもよい。上記条件（i）～（iii）の確保できる範囲で、硬化剤、硬化促進剤、触媒、助触媒、及び有機過酸化物の添加量、及び添加の有無を判断すればよい。

接着層３０は、条件(i)、(ii)に示すとおり、５０℃での貯蔵弾性率が１８００ＭＰａ以下であり、１８０℃から２６０℃の温度領域での貯蔵弾性率の最大値が８００ＭＰａ以下である。このような接着層３０の特性が、熱圧着時の内部応力を緩和し、回路加工後の寸法安定性を保持する要因であると考えられる。また、接着層３０は、前記温度領域の上限温度（２６０℃）での貯蔵弾性率が、８００ＭＰａ以下であることが好ましく、５００ＭＰａ以下の範囲内であることがより好ましい。このような貯蔵弾性率とすることによって、回路加工後の半田リフロー工程を経由した後においても、反りが生じにくい。

接着層３０は、条件(iii)に示すとおり、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１８０℃以下であり、好ましくは１６０℃以下の範囲内であることがよい。接着層３０のガラス転移温度を１８０℃以下とすることによって、低温での熱圧着が可能になるため、積層時に発生する内部応力を緩和し、寸法変化を抑制できる。接着層３０のＴｇが１８０℃を超えると、絶縁樹脂層１０と任意の回路基板との間に介在させて接着する際の温度が高くなり、寸法安定性を損なう恐れがある。

（接着層のＣＴＥ）
接着層３０を構成する熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂は、高熱膨張性であるが低弾性であり、ガラス転移温度が低いため、ＣＴＥが３０ｐｐｍ／Ｋを超えても、積層時に発生する内部応力を緩和することができる。従って、接着層３０のＣＴＥは、好ましくは３５ｐｐｍ／Ｋ以上、より好ましくは３５ｐｐｍ／Ｋ以上２００ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内、更に好ましくは３５ｐｐｍ／Ｋ以上１５０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内である。使用する原料の組合せ、厚み、乾燥・硬化条件を適宜変更することで所望のＣＴＥを有する接着層３０とすることができる。

（接着層の誘電正接）
接着層３０は、例えば多層回路基板に適用する場合において、誘電損失の悪化を抑制するために、１０ＧＨｚにおける誘電正接（Ｔａｎδ）が、好ましくは０．００４以下、より好ましくは０．００３以下、更に好ましくは０．００２以下がよい。接着層３０の１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００４を超えると、多層回路基板に適用した際に、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。一方、接着層３０の１０ＧＨｚにおける誘電正接の下限値は特に制限されない。

（接着層の誘電率）
接着層３０は、例えば多層回路基板に適用する場合において、インピーダンス整合性を確保するために、１０ＧＨｚにおける誘電率が４．０以下であることが好ましい。接着層３０の１０ＧＨｚにおける誘電率が４．０を超えると、多層回路基板に適用した際に、接着層３０の誘電損失の悪化に繋がり、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。

（フィラー）
接着層３０は、必要に応じて、フィラーを含有してもよい。フィラーとしては、例えば二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウム、有機ホスフィン酸の金属塩等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を混合して用いることができる。

（接着性ポリイミド）
次に、接着層３０を構成する樹脂が、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含有する接着性の熱可塑性ポリイミド（以下、「接着性ポリイミド」と記すことがある）である場合を例に挙げ、接着層３０の具体的構成例を説明する。接着性ポリイミドは、特定の酸無水物とジアミン化合物とを反応させて得られる前駆体のポリアミド酸をイミド化して製造されるので、酸無水物とジアミン化合物を説明することにより、接着性ポリイミドの具体例が理解される。なお、本発明において、テトラカルボン酸残基とは、テトラカルボン酸二無水物から誘導された４価の基のことを意味し、ジアミン残基とは、ジアミン化合物から誘導された２価の基のことを意味する。また、「熱可塑性ポリイミド」とは、一般にガラス転移温度（Ｔｇ）が明確に確認できるポリイミドのことであるが、本発明では、ＤＭＡを用いて測定した、３０℃における貯蔵弾性率が１．０×１０^８Ｐａ以上であり、３００℃における貯蔵弾性率が３．０×１０^７Ｐａ未満であるポリイミドをいう。

（テトラカルボン酸残基）
接着性ポリイミドは、全テトラカルボン酸残基の１００モル部に対して、下記の一般式（１）及び／又は（２）で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基（以下、「テトラカルボン酸残基（１）」、「テトラカルボン酸残基（２）」と記すことがある）を、合計で９０モル部以上含有することが好ましい。本発明では、テトラカルボン酸残基（１）及び／又は（２）を、全テトラカルボン酸残基の１００モル部に対して合計で９０モル部以上含有させることによって、接着性ポリイミドに溶剤可溶性を付与するとともに、接着性ポリイミドの柔軟性と耐熱性の両立が図りやすくより好ましい。テトラカルボン酸残基（１）及び／又は（２）の合計が９０モル部未満では、接着性ポリイミドの溶剤溶解性が低下する傾向になる。

一般式（１）中、Ｘは、単結合、または、下式から選ばれる２価の基を示し、一般式（２）中、Ｙで表される環状部分は、４員環、５員環、６員環、７員環又は８員環から選ばれる環状飽和炭化水素基を形成していることを示す。

上記式において、Ｚは－Ｃ_６Ｈ_４－、－(ＣＨ_２)ｎ－又は－ＣＨ_２－ＣＨ(－Ｏ－Ｃ(＝Ｏ)－ＣＨ_３)－ＣＨ_２－を示すが、ｎは１～２０の整数を示す。

テトラカルボン酸残基（１）を誘導するためのテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、３,３',４,４'－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３,３’,４,４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）、４,４’－オキシジフタル酸無水物（ＯＤＰＡ）、４,４’－（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸無水物（６ＦＤＡ）、２，２－ビス〔４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパン二無水物（ＢＰＡＤＡ）、ｐ-フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）（ＴＡＨＱ）、エチレングリコール ビスアンヒドロトリメリテート（ＴＭＥＧ）などを挙げることができる。

また、テトラカルボン酸残基（２）を誘導するためのテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４－シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、 １，２，４，５－シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５－シクロヘプタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６－シクロオクタンテトラカルボン酸二無水物などを挙げることができる。

接着性ポリイミドは、発明の効果を損なわない範囲で、上記一般式（１）又は（２）で表されるテトラカルボン酸無水物以外の酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を含有することができる。

（ジアミン残基）
接着性ポリイミドは、全ジアミン残基の１００モル部に対して、ダイマー酸型ジアミンから誘導されるダイマー酸型ジアミン残基を５０モル部以上、例えば５０モル部以上９９モル部以下の範囲内、好ましくは８０モル部以上、例えば８０モル部以上９９モル部以下の範囲内で含有する。ダイマー酸型ジアミン残基を上記の量で含有することによって、接着層３０の誘電特性を改善させるとともに、接着層３０のガラス転移温度の低温化による熱圧着特性の改善及び低弾性率化による内部応力を緩和することができる。また、ダイマー酸型ジアミン残基を５０モル部以上とすることで、溶剤可溶性と熱可塑性を付与し、接着層３０の吸水性を低下させ、例えばエッチングによる寸法変化を小さくすることができる。全ジアミン残基の１００モル部に対して、ダイマー酸型ジアミン残基が５０モル部未満であると、接着性ポリイミドとしての溶剤可溶性が低下する。

ここで、ダイマー酸型ジアミンとは、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基（－ＣＯＯＨ）が、１級のアミノメチル基（－ＣＨ_２－ＮＨ_２）又はアミノ基（－ＮＨ_２）に置換されてなるジアミンを意味する。ダイマー酸は、不飽和脂肪酸の分子間重合反応によって得られる既知の二塩基酸であり、その工業的製造プロセスは業界でほぼ標準化されており、炭素数が１１～２２の不飽和脂肪酸を粘土触媒等にて二量化して得られる。工業的に得られるダイマー酸は、オレイン酸やリノール酸などの炭素数１８の不飽和脂肪酸を二量化することによって得られる炭素数３６の二塩基酸が主成分であるが、精製の度合いに応じ、任意量のモノマー酸（炭素数１８）、トリマー酸（炭素数５４）、炭素数２０～５４の他の重合脂肪酸を含有する。本発明では、ダイマー酸は分子蒸留によってダイマー酸含有量を９０重量％以上にまで高めたものを使用することが好ましい。また、ダイマー化反応後には二重結合が残存するが、本発明では、更に水素添加反応して不飽和度を低下させたものもダイマー酸に含めるものとする。

ダイマー酸型ジアミンの特徴として、ダイマー酸の骨格に由来する特性をポリイミドに付与することができる。すなわち、ダイマー酸型ジアミンは、分子量約５６０～６２０の巨大分子の脂肪族であるので、分子のモル体積を大きくし、ポリイミドの極性基を相対的に減らすことができる。このようなダイマー酸型ジアミンの特徴は、ポリイミドの耐熱性の低下を抑制しつつ、誘電率と誘電正接を小さくして誘電特性を向上させることに寄与すると考えられる。また、２つの自由に動く炭素数７～９の疎水鎖と、炭素数１８に近い長さを持つ２つの鎖状の脂肪族アミノ基とを有するので、ポリイミドに柔軟性を与えるのみならず、ポリイミドを非対象的な化学構造や非平面的な化学構造とすることができるので、ポリイミドの低誘電率化及び低誘電正接化を図ることができると考えられる。

ダイマー酸型ジアミンは、市販品が入手可能であり、例えばクローダジャパン社製のＰＲＩＡＭＩＮＥ１０７３（商品名）、同ＰＲＩＡＭＩＮＥ１０７４（商品名）、同ＰＲＩＡＭＩＮＥ１０７５（商品名）、ＢＡＳＦジャパン社製のバーサミン５５１（商品名）、同バーサミン５５２（商品名）等が挙げられる。

また、接着性ポリイミドは、下記の一般式（Ｂ１）～（Ｂ７）で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも１種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を、全ジアミン残基１００モル部に対して、合計で１モル部以上５０モル部以下の範囲内で含有することが好ましく、１モル部以上２０モル部以下の範囲内で含有することがより好ましい。一般式（Ｂ１）～（Ｂ７）で表されるジアミン化合物は、屈曲性を有する分子構造を持つため、これらから選ばれる少なくとも一種のジアミン化合物を上記範囲内の量で使用することによって、ポリイミド分子鎖の柔軟性を向上させ、溶剤可溶性と熱可塑性を付与することができる。また、一般式（Ｂ１）～（Ｂ７）で表されるジアミン化合物を用いることによって、例えば接着層３０にレーザー加工によりビアホール（貫通孔）を形成する場合でも、ポリイミド分子構造中の芳香環の割合が高くなることで、例えば紫外線領域の吸収性を高めることができる他、接着層３０のガラス転移温度を高めることができ、これによってレーザー光の入熱によるボトム金属の温度上昇に対する耐熱性を向上させることができるため、レーザー加工性をより向上させることができる。下記の一般式（Ｂ１）～（Ｂ７）で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも１種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基の合計量が、全ジアミン残基の１００モル部に対して５０モル部を超えると、接着性ポリイミドの柔軟性が不足し、またガラス転移温度が上昇するため、熱圧着による残留応力が増加しエッチング後寸法変化率が悪化する傾向になる。

式（Ｂ１）～（Ｂ７）において、Ｒ_１は独立に炭素数１～６の１価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、連結基Ａは独立に－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－、－ＣＯＯ－、－ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－ＮＨ－若しくは－ＣＯＮＨ－から選ばれる２価の基を示し、ｎ_１は独立に０～４の整数を示す。ただし、式（Ｂ３）中から式（Ｂ２）と重複するものは除き、式（Ｂ５）中から式（Ｂ４）と重複するものは除くものとする。
なお、「独立に」とは、上記式（Ｂ１）～（Ｂ７）の内の一つにおいて、または二つ以上において、複数の連結基Ａ、複数のＲ_１若しくは複数のｎ_１が、同一でもよいし、異なっていてもよいことを意味する。また、式（Ｂ１）～（Ｂ７）において、末端の二つのアミノ基における水素原子は置換されていてもよく、例えば－ＮＲ_２Ｒ_３（ここで、Ｒ_２，Ｒ_３は、独立してアルキル基などの任意の置換基を意味する）であってもよい。

式（Ｂ１）で表されるジアミン（以下、「ジアミン（Ｂ１）」と記すことがある）は、２つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン（Ｂ１）は、少なくとも１つのベンゼン環に直結したアミノ基と２価の連結基Ａとがメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン（Ｂ１）を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Ａとしては、－Ｏ－、－ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－ＣＯ－、－ＳＯ_２－、－Ｓ－、－ＣＯＯ－が好ましい。

ジアミン（Ｂ１）としては、例えば、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルプロパン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルプロパン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノベンゾフェノン、(3,3’-ビスアミノ)ジフェニルアミン等を挙げることができる。

式（Ｂ２）で表されるジアミン（以下、「ジアミン（Ｂ２）」と記すことがある）は、３つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン（Ｂ２）は、少なくとも１つのベンゼン環に直結したアミノ基と２価の連結基Ａとがメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン（Ｂ２）を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Ａとしては、－Ｏ－が好ましい。

ジアミン（Ｂ２）としては、例えば1,4-ビス（3-アミノフェノキシ）ベンゼン、3-[4-（4-アミノフェノキシ）フェノキシ]ベンゼンアミン、3-[3-（4-アミノフェノキシ）フェノキシ]ベンゼンアミン等を挙げることができる。

式（Ｂ３）で表されるジアミン（以下、「ジアミン（Ｂ３）」と記すことがある）は、３つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン（Ｂ３）は、１つのベンゼン環に直結した、２つの２価の連結基Ａが互いにメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン（Ｂ３）を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Ａとしては、－Ｏ－が好ましい。

ジアミン（Ｂ３）としては、例えば1,3-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ－Ｒ）、1,3-ビス（3-アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）、4,4'-[2-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[4-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[5-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン等を挙げることができる。

式（Ｂ４）で表されるジアミン（以下、「ジアミン（Ｂ４）」と記すことがある）は、４つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン（Ｂ４）は、少なくとも１つのベンゼン環に直結したアミノ基と２価の連結基Ａとがメタ位にあることで高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン（Ｂ４）を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Ａとしては、－Ｏ－、－ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－ＳＯ_２－、－ＣＯ－、－ＣＯＮＨ－が好ましい。

ジアミン（Ｂ４）としては、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）］ベンゾフェノン、ビス［4,4'-（3-アミノフェノキシ）］ベンズアニリド等を挙げることができる。

式（Ｂ５）で表されるジアミン（以下、「ジアミン（Ｂ５）」と記すことがある）は、４つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン（Ｂ５）は、少なくとも１つのベンゼン環に直結した、２つの２価の連結基Ａが互いにメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン（Ｂ５）を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Ａとしては、－Ｏ－が好ましい。

ジアミン（Ｂ５）としては、4-[3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]フェノキシ]アニリン、4,4’-[オキシビス（3,1-フェニレンオキシ）]ビスアニリン等を挙げることができる。

式（Ｂ６）で表されるジアミン（以下、「ジアミン（Ｂ６）」と記すことがある）は、４つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン（Ｂ６）は、少なくとも２つのエーテル結合を有することで高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン（Ｂ６）を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Ａとしては、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｏ－、－ＳＯ_２－、－ＣＯ－が好ましい。

ジアミン（Ｂ６）としては、例えば、2,2-ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）、ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］エーテル（ＢＡＰＥ）、ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（ＢＡＰＳ）、ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］ケトン（ＢＡＰＫ）等を挙げることができる。

式（Ｂ７）で表されるジアミン（以下、「ジアミン（Ｂ７）」と記すことがある）は、４つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン（Ｂ７）は、ジフェニル骨格の両側に、それぞれ屈曲性の高い２価の連結基Ａを有するため、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン（Ｂ７）を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Ａとしては、－Ｏ－が好ましい。

ジアミン（Ｂ７）としては、例えば、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）］ビフェニル、ビス［4-（4-アミノフェノキシ）］ビフェニル等を挙げることができる。

接着性ポリイミドは、発明の効果を損なわない範囲で、上記ダイマー酸型ジアミン及びジアミン（Ｂ１）～（Ｂ７）以外のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を含むことができる。

また、接着性ポリイミドは、上記テトラカルボン酸残基及びジアミン残基の種類や、２種以上のテトラカルボン酸残基又はジアミン残基を含有する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張係数、引張弾性率、ガラス転移温度等を制御することができる。また、ポリイミドの構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、ランダムに存在することが好ましい。

接着性ポリイミドのイミド基濃度は、２０重量％以下であることが好ましい。ここで、「イミド基濃度」は、ポリイミド中のイミド基部（－（ＣＯ）_２－Ｎ－）の分子量を、ポリイミドの構造全体の分子量で除した値を意味する。イミド基濃度が２０重量％を超えると、樹脂自体の分子量が小さくなるとともに、極性基の増加によって低吸湿性も悪化し、弾性率が上昇する。

接着性ポリイミドの重量平均分子量は、例えば１０,０００～４００,０００の範囲内が好ましく、２０,０００～３５０,０００の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が１０,０００未満であると、接着層３０の強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が４００,０００を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際に接着層３０の厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。

接着性ポリイミドは、多層回路基板を形成する場合に、任意の回路基板の導体回路層を被覆するものであることから、銅の拡散を抑制するために完全にイミド化された構造が最も好ましい。但し、ポリイミドの一部がアミド酸となっていてもよい。そのイミド化率は、フーリエ変換赤外分光光度計（市販品：日本分光製ＦＴ／ＩＲ６２０）を用い、１回反射ＡＴＲ法にてポリイミド薄膜の赤外線吸収スペクトルを測定することによって、１０１５ｃｍ^－１付近のベンゼン環吸収体を基準とし、１７８０ｃｍ^－１のイミド基に由来するＣ＝Ｏ伸縮の吸光度から算出することができる。

（架橋形成）
接着性ポリイミドがケトン基を有する場合に、該ケトン基と、少なくとも２つの第１級のアミノ基を官能基として有するアミノ化合物のアミノ基を反応させてＣ＝Ｎ結合を形成させることによって、架橋構造を形成することができる。架橋構造の形成によって、接着性ポリイミドの耐熱性を向上させることができる。ケトン基を有するポリイミドを形成するために好ましいテトラカルボン酸無水物としては、例えば３,３’,４,４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(ＢＴＤＡ)を、ジアミン化合物としては、例えば、４,４’―ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゾフェノン（ＢＡＢＰ）、１,３－ビス［４－（３－アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン（ＢＡＢＢ）等の芳香族ジアミンを挙げることができる。

接着性ポリイミドの架橋形成に使用可能なアミノ化合物としては、ジヒドラジド化合物、芳香族ジアミン、脂肪族アミン等を例示することができる。これらの中でも、ジヒドラジド化合物が好ましい。ジヒドラジド化合物以外の脂肪族アミンは、室温でも架橋構造を形成しやすく、ワニスの保存安定性の懸念があり、一方、芳香族ジアミンは、架橋構造の形成のために高温にする必要がある。ジヒドラジド化合物を使用した場合は、ワニスの保存安定性と硬化時間の短縮化を両立させることができる。ジヒドラジド化合物としては、例えば、シュウ酸ジヒドラジド、マロン酸ジヒドラジド、コハク酸ジヒドラジド、グルタル酸ジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、ピメリン酸ジヒドラジド、スベリン酸ジヒドラジド、アゼライン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、ドデカン二酸ジヒドラジド、マレイン酸ジヒドラジド、フマル酸ジヒドラジド、ジグリコール酸ジヒドラジド、酒石酸ジヒドラジド、リンゴ酸ジヒドラジド、フタル酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、テレフタル酸ジヒドラジド、２，６－ナフトエ二酸ジヒドラジド、４，４－ビスベンゼンジヒドラジド、１，４－ナフトエ酸ジヒドラジド、２，６－ピリジン二酸ジヒドラジド、イタコン酸ジヒドラジド等のジヒドラジド化合物が好ましい。以上のジヒドラジド化合物は、単独でもよいし、２種類以上混合して用いることもできる。

接着性ポリイミドは、上記のテトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物を溶媒中で反応させ、ポリアミド酸を生成したのち加熱閉環させることにより製造できる。例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物をほぼ等モルで有機溶媒中に溶解させて、０～１００℃の範囲内の温度で３０分～２４時間撹拌し重合反応させることで接着性ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が得られる。反応にあたっては、生成する前駆体が有機溶媒中に５～５０重量％の範囲内、好ましくは１０～４０重量％の範囲内となるように反応成分を溶解する。重合反応に用いる有機溶媒としては、例えば、Ｎ,Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ,Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ,Ｎ－ジエチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、２－ブタノン、ジメチルスホキシド（ＤＭＳＯ）、ヘキサメチルホスホルアミド、Ｎ－メチルカプロラクタム、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム、クレゾール等が挙げられる。これらの溶媒を２種以上併用して使用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。また、このような有機溶媒の使用量としては特に制限されるものではないが、重合反応によって得られるポリアミド酸溶液の濃度が５～５０重量％程度になるような使用量に調整して用いることが好ましい。

合成されたポリアミド酸は、通常、反応溶媒溶液として使用することが有利であるが、必要により濃縮、希釈又は他の有機溶媒に置換することができる。また、ポリアミド酸は一般に溶媒可溶性に優れるので、有利に使用される。ポリアミド酸の溶液の粘度は、５００ｃｐｓ～１００,０００ｃｐｓの範囲内であることが好ましい。この範囲を外れると、コーター等による塗工作業の際にフィルムに厚みムラ、スジ等の不良が発生し易くなる。

ポリアミド酸をイミド化させてポリイミドを形成させる方法は、特に制限されず、例えば前記溶媒中で、８０～４００℃の範囲内の温度条件で１～２４時間かけて加熱するといった熱処理が好適に採用される。

以上のようにして得られた接着性ポリイミドを架橋形成させる場合は、ケトン基を有するポリイミドを含む樹脂溶液に、上記アミノ化合物を加えて、接着性ポリイミド中のケトン基とアミノ化合物の第１級アミノ基とを縮合反応させる。この縮合反応により、樹脂溶液は硬化して硬化物となる。この場合、アミノ化合物の添加量は、ケトン基１モルに対し、第１級アミノ基が合計で０．００４モル～１．５モルがよく、好ましくは０．００５モル～１．２モル、より好ましくは０．０３モル～０．９モル、最も好ましくは０．０４モル～０．５モルとなるようにアミノ化合物を添加することができる。ケトン基１モルに対して第１級アミノ基が合計で０．００４モル未満となるようなアミノ化合物の添加量では、アミノ化合物によるポリイミド鎖の架橋が十分ではないため、硬化させた後の接着層３０において耐熱性が発現しにくい傾向となり、アミノ化合物の添加量が１．５モルを超えると未反応のアミノ化合物が熱可塑剤として作用し、接着層３０の耐熱性を低下させる傾向がある。

架橋形成のための縮合反応の条件は、接着性ポリイミドにおけるケトン基とアミノ化合物の第１級アミノ基が反応してイミン結合（Ｃ＝Ｎ結合）を形成する条件であれば、特に制限されない。加熱縮合の温度は、縮合によって生成する水を系外へ放出させるため、又は接着性ポリイミドの合成後に引き続いて加熱縮合反応を行なう場合に当該縮合工程を簡略化するため等の理由で、例えば１２０～２２０℃の範囲内が好ましく、１４０～２００℃の範囲内がより好ましい。反応時間は、３０分～２４時間程度が好ましく、反応の終点は、例えばフーリエ変換赤外分光光度計（市販品：日本分光製ＦＴ／ＩＲ６２０）を用い、赤外線吸収スペクトルを測定することによって、１６７０ｃｍ^－１付近のポリイミド樹脂におけるケトン基に由来する吸収ピークの減少又は消失、及び１６３５ｃｍ^－１付近のイミン基に由来する吸収ピークの出現により確認することができる。

接着性ポリイミドのケトン基とアミノ化合物の第１級のアミノ基との加熱縮合は、例えば、（ａ）接着性ポリイミドの合成（イミド化）に引き続き、アミノ化合物を添加して加熱する方法、（ｂ）ジアミン成分として予め過剰量のアミノ化合物を仕込んでおき、接着性ポリイミドの合成（イミド化）に引き続き、イミド化若しくはアミド化に関与しない残りのアミノ化合物とともに接着性ポリイミドを加熱する方法、又は、（ｃ）アミノ化合物を添加した接着性ポリイミドの組成物を所定の形状に加工した後（例えば任意の基材に塗布した後やフィルム状に形成した後）に加熱する方法、等によって行うことができる。

接着層３０の耐熱性付与のため、接着性ポリイミドにおける架橋構造の形成でイミン結合の形成を説明したが、これに限定されるものではなく、接着層３０の硬化方法として、例えばエポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤等を配合し硬化することも可能である。

＜樹脂層の厚み＞
金属張積層板１００は、絶縁樹脂層１０の厚みＴ３と接着層３０の厚みＴ２との合計厚みをＴ１としたとき、該合計厚みＴ１が５０～２５０μｍの範囲内であり、７０～１５０μｍの範囲内であることが好ましい。合計厚みＴ１が５０μｍ未満では、金属張積層板１００を用いて多層回路基板を製造した際の伝送損失を低下させる効果が不十分となり、２５０μｍを超えると、生産性低下の恐れがある。

また、接着層３０の厚みＴ２は、例えば２０～２００μｍの範囲内にあることが好ましく、２０～１００μｍの範囲内がより好ましい。接着層３０の厚みＴ２が上記下限値に満たないと、高周波基板として伝送損失が大きくなることがある。一方、接着層３０の厚みＴ２が上記上限値を超えると、寸法安定性が低下するなどの不具合が生じることがある。

また、合計厚みＴ１に対する接着層３０の厚みＴ２の比率（Ｔ２／Ｔ１）は、０．５～０．８の範囲内であり、０．５～０．７の範囲内であることが好ましい。比率（Ｔ２／Ｔ１）が０．５未満では、合計厚みＴ１を５０μｍ以上にすることが困難となり、０．８を超えると寸法安定性が低下するなどの不具合が生じる。

絶縁樹脂層１０の厚みＴ３は、例えば、１２～１００μｍの範囲内にあることが好ましく、１２～５０μｍの範囲内がより好ましい。絶縁樹脂層１０の厚みＴ３が上記の下限値に満たないと、金属張積層板１００の反りなどの問題が生じることがある。絶縁樹脂層１０の厚みＴ３が上記の上限値を超えると、生産性が低下するなどの不具合が生じる。

本実施の形態の金属張積層板１００では、樹脂層全体の低誘電正接化を図り、高周波伝送への対応を可能にするため、接着層３０の厚みＴ２自体を大きくしている。しかし、一般に弾性率が低い材料は高い熱膨張係数を示すため、層厚を大きくすることは、寸法安定性の低下を招く恐れがある。ここで、金属張積層板１００を回路加工して多層回路化する場合に発生する寸法変化は、主に、下記のａ）～ｃ）のメカニズムによって発生し、ｂ）とｃ）の合計量がエッチング後の寸法法変化となって発現する、と考えられる。
ａ）金属張積層板１００の製造時に、樹脂層に内部応力が蓄積される。
ｂ）回路加工時に、金属層２０をエッチングすることによって、ａ）で蓄積した内部応力が開放され、樹脂層が膨張もしくは収縮する。
ｃ）回路加工時に、金属層２０をエッチングすることによって、露出した樹脂が吸湿し、膨張する。

上記ａ）の内部応力の要因は、ア）金属層２０と樹脂層との熱膨張係数の差、イ）フィルム化によって生じる樹脂内部歪み、である。ここで、ア）に起因する内部応力の大きさは、熱膨張係数の差だけでなく、多層回路化の際の接着時の温度（加熱温度）から冷却固化の温度までの温度差ΔＴも影響する。つまり、内部応力は、温度差ΔＴに比例して大きくなるため、金属層２０と樹脂層との熱膨張係数の差が小さくても、接着に高温が必要な樹脂であるほど、内部応力は大きくなる。本実施の形態の金属張積層板１００では、接着層３０として、上記条件(i)～(iii)を満たすものを採用することによって、内部応力を小さくして寸法安定性を確保している。また、接着層３０は、絶縁樹脂層１０に積層されているので、多層回路基板を形成した場合に中間層としての機能を果たし、反りと寸法変化を抑制する。

［金属張積層板の製造方法］
金属張積層板１００は、例えば以下の方法１、又は、方法２で製造できる。
［方法１］
接着層３０となる樹脂組成物をフィルム状に成形して接着フィルムとし、該接着フィルムを、片面金属張積層板４０の絶縁樹脂層１０に対向するように配置して貼り合わせ、熱圧着させる方法。
［方法２］
接着層３０となる樹脂組成物の溶液を、片面金属張積層板４０の絶縁樹脂層１０上に、所定の厚みで塗布・乾燥する方法。この場合、必要に応じて硬化反応や架橋反応のための加熱等の処理を行ってもよい。

方法１で用いる接着フィルムは、例えば、任意の支持基材に、接着層３０となる樹脂組成物の溶液を塗布・乾燥した後、支持基材から剥離することによって製造できる。接着フィルムとして、上述の接着性ポリイミドをフィルム状に形成してなる接着性ポリイミドフィルムを使用してもよい。接着性ポリイミドフィルムの製造方法の態様として、例えば、［１］支持基材に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥し、熱処理してイミド化した後、支持基材から剥がして接着フィルムを製造する方法、［２］支持基材に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥した後、ポリアミド酸のゲルフィルムを支持基材から剥がし、熱処理してイミド化して接着フィルムを製造する方法、［３］支持基材に、接着性ポリイミドの溶液を塗布・乾燥した後、支持基材から剥がして接着フィルムを製造する方法、を挙げることができる。上記［１］～［３］の中でも、ポリアミド酸溶液中でイミド化を完結させた接着性ポリイミドの溶液を支持基材上に塗布・乾燥する［３］の方法によって形成することが好ましい。接着性ポリイミドは溶剤可溶性であるので、ポリアミド酸を溶液の状態でイミド化し、接着性ポリイミドの塗布液としてそのまま使用できるので有利である。なお、接着フィルムを構成する接着性ポリイミドについて、上記方法で架橋形成をさせてもよい。

上記方法１、方法２において、接着層３０となる樹脂組成物の溶液を支持基材や絶縁樹脂層１０上に塗布する方法としては、特に制限されず、例えばコンマ、ダイ、ナイフ、リップ等のコーターにて塗布することが可能である。接着層３０の形成工程では、形成される接着層３０の表面を平坦状に形成することが好ましい。また、接着層３０の厚みも均一に形成することが好ましい。接着層３０の表面を平坦状に形成し、厚みを均一にすることにより、多層回路基板の製造工程における接着性が向上する。

以上のようにして得られる本実施の形態の金属張積層板１００は、金属層２０を配線回路加工することによって、片面ＦＰＣや両面ＦＰＣを製造できるほか、さらに、接着層３０の接着性を利用したり、任意のボンディングシートを利用するなどして、片面ＦＰＣや両面ＦＰＣを複数積層することによって、多層回路基板を製造することができる。

［回路基板］
図２は、本発明の一実施の形態の回路基板の構造を示す断面図である。この回路基板１０１は、絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層１０の一方の面に積層された導体回路層５０と、絶縁樹脂層１０のもう一方の面に積層された接着層３０と、を備えている。つまり、回路基板１０１は、導体回路層５０／絶縁樹脂層１０／接着層３０が、この順に積層された構造である。本実施の形態の回路基板１０１は、金属張積層板１００の金属層２０を配線回路加工することによって得られる。

（導体回路層）
導体回路層５０は、絶縁樹脂層１０の片面に所定のパターンで導体回路が形成された層である。例えば、金属張積層板１００の金属層２０上に感光性レジストを塗布し、露光、現像を行い、所定のマスクパターンを形成し、マスクパターンを介して金属層２０のエッチングを行った後、マスクパターンを除去することによって、所定パターンの導体回路層５０を形成することができる。なお「導体回路層」とは、絶縁樹脂層１０の面方向に形成された面内接続電極（ランド電極）を意味し、層間接続電極（ビア電極）と区別している。

導体回路層５０は、高周波伝送における伝送損失を低減する観点から、絶縁樹脂層１０と接する面の最大高さ粗さ（Ｒｚ）が１．０μｍ以下であることが好ましい。伝送損失は、導体損失と誘電損失の和からなるが、導体回路層５０のＲｚが大きいと導体損失が大きくなって、伝送損失に悪影響を及ぼすため、Ｒｚを制御することが好ましい。

本実施の形態の回路基板１０１における絶縁樹脂層１０及び接着層３０の構成は、金属張積層板１００において説明したとおりである。

［多層回路基板］
次に、図３～図６を参照しながら、本発明の実施の形態にかかる多層回路基板について説明する。一般に、多層回路基板は、複数の絶縁樹脂層を含む積層体と、該積層体の内部に埋め込まれた２層以上の導体回路層とを有するものであり、好ましくは、少なくとも２層以上の絶縁樹脂層及び少なくも２層以上の導体回路層を有するものである。ここでは、多層回路基板について、２つの好ましい実施の形態を挙げて説明する。本実施の形態の多層回路基板２００，２０１は、上記回路基板１０１を少なくとも１つ以上を含んでいる。また、本実施の形態の多層回路基板２００，２０１は、上記回路基板１０１に積層される、回路基板１０１以外の任意の回路基板を１つ以上含むことができる。

＜第１の実施形態＞
図３は、本発明の第１の実施の形態の多層回路基板２００の構造を示す積層方向における断面図である。第１の実施の形態の多層回路基板２００は、複数の回路基板１０１と、任意の回路基板１１０を同じ向きに重ねて積層した構造である。
すなわち、図３中の上から下へ、一つ目の回路基板１０１の接着層３０が、二つ目の回路基板１０１の導体回路層５０を覆うように接して積層され、さらに、二つ目の回路基板１０１の接着層３０が、接着層３０を有しない任意の回路基板１１０の導体回路層５０を覆うように接して積層されている。ここで、任意の回路基板１１０の構造や材質は限定されるものではなく、例えばパターン化された金属層２０によって導体回路層５０が形成されているものでもよいし、ダマシン構造の導体回路層５０を有するものでもよい。また、任意の回路基板１１０における導体回路層５０は、絶縁樹脂層１０にインクジェット、スパッタ、メッキ等によって形成されたものであってもよい。さらに、任意の回路基板１１０における導体回路層５０や絶縁樹脂層１０の厚み、材質、物性なども特に限定されるものではない。

図３では、２つの回路基板１０１と１つの任意の回路基板１１０との積層構造を図示しているが、３つ以上の回路基板１０１が積層されていてもよい。また、接着層３０は、隣接する回路基板１０１もしくは任意の回路基板１１０の導体回路層５０の全部を被覆してもよいし、一部分を被覆していてもよい。さらに、多層回路基板２００は、最上部の回路基板１０１の表面に導体回路層５０が露出しているが、最上部の導体回路層５０を覆う任意の保護膜を設けてもよい。また、図３では、任意の回路基板１１０として、絶縁樹脂層１０の片面に導体回路層５０が形成されている場合を例示しているが、絶縁樹脂層１０の両面にそれぞれ導体回路層５０が形成されているものでもよい。

図４は、第１の実施の形態に係る多層回路基板２００の製造工程図である。まず、複数の回路基板１０１と、任意の回路基板１１０を準備する。そして、一つ目の回路基板１０１の接着層３０が、二つ目の回路基板１０１の導体回路層５０に対向し、二つ目の回路基板１０１の接着層３０が、接着層３０を有しない任意の回路基板１１０の導体回路層５０に対向するように重ねて配置し、これらを一括して圧着することによって製造することができる（圧着工程）。なお、図４では、２つの回路基板１０１を積層する例を示したが、３つ以上の回路基板１０１を一度に積層することもできる。また、任意の回路基板１１０も、１つに限らず、複数を積層することが可能である。

回路基板１０１の接着層３０は、その表面が平坦化されているため、圧着工程で接着層３０に空隙等が生じることなく、接着性樹脂が導体回路層５０における導体回路間に充填された状態で積層することが可能となる。また、必要に応じて、積層して得られた多層回路基板２００を、両側から加圧ローラやプレス装置等によって加圧することにより、上記接着層３０の厚みを調整する厚み調整工程を行うこともできる。厚み調整工程により、接着層３０及び多層回路基板２００全体の厚みの精度を向上させることができる。さらに、圧着時には、例えば６０～２２０℃の温度で加熱する加熱処理を行うこともできる。これにより、複数の回路基板が一体的に積層された多層回路基板２００が製造される。この加熱処理の際、接着層３０において、例えば接着性ポリイミドの加熱縮合によるイミン結合の架橋構造を形成させることもできる。

本実施の形態において、各回路基板１０１の接着層３０は、回路基板どうしを接着させるボンディングシートとしての機能と、導体回路を保護する保護膜としての機能を有する。そのため、別途、ボンディングシートや導体回路用保護層を準備して回路基板間に介在させる必要がなく、多層回路形成のためのプロセス及び設備の簡略化と、材料の簡素化及びコスト削減を図ることが可能になる。

以上のようにして得られる多層回路基板２００は、導体回路層５０及び絶縁樹脂層１０の間に、絶縁性、柔軟性及び低誘電特性を確保するために十分な厚みを有する接着層３０を設けた構成を備えている。なお、本実施の形態の多層回路基板２００には、必要に応じて、保護層としてカバーレイフィルム若しくはソルダーレジストなどの層を設けてもよい。また、図示は省略するが、本実施の形態の多層回路基板２００の内部には、例えばＩＣチップやチップコンデンサ、チップコイル、チップ抵抗等のチップ型の電子部品を内蔵することもできる。また、本実施の形態の多層回路基板２００には、図示しない層間接続電極（ビア電極）が形成されていてもよい。層間接続電極は、絶縁樹脂層１０にレーザー加工やドリル加工によりビアホールを形成した後、印刷等により導電性ペーストを充填することにより形成することができる。導電性ペーストは、例えば錫を主成分とする導電性粉末に、有機溶剤やエポキシ樹脂等が混合されたものを用いることができる。また、層間接続電極は、ビアホールを形成した後、ビアホールの内面、及び導体回路層５０の表面の一部にメッキ部を形成してもよい。

＜第２の実施形態＞
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る多層回路基板２０１の構造を示す積層方向における断面図である。第２の実施の形態の多層回路基板２０１では、一対の回路基板１０１を、それらの接着層３０どうしが対向するようにして貼り合わせた構造を一つの回路基板ユニット１０２とし、該回路基板ユニット１０２を少なくとも1つ以上含んでいる。
すなわち、図５における上から下へ、一つ目の金属張積層板１００、回路基板ユニット１０２、二つ目の金属張積層板１００（ただし、一つ目の金属張積層板１００とは逆向き）の順に配置されており、二つの金属張積層板１００の接着層３０の間に上記回路基板ユニット１０２が挟み込まれる形で積層されている。一つ目の金属張積層板１００の接着層３０は、回路基板ユニット１０２の片面側（図中、上側）の導体回路層５０に接するように積層され、さらに、回路基板ユニット１０２のもう片面側（図中、下側）の導体回路層５０に、二つ目の金属張積層板１００の接着層３０が接するように積層されている。なお、図５では、回路基板ユニット１０２を１つだけ含む積層構造を図示しているが、さらにボンディングシートや回路基板１０１もしくは任意の回路基板１１０を介在させることによって、複数の回路基板ユニット１０２を含む積層構造としてもよい。また、上下二つの金属張積層板１００の片方又は両方として、上記回路基板１０１を用いてもよい。

図６は、第２の実施の形態に係る多層回路基板２０１の製造工程図である。まず、一つの回路基板ユニット１０２と、二つの金属張積層板１００を準備する。ここで、回路基板ユニット１０２は、一対の回路基板１０１を準備し、一方の回路基板１０１の接着層３０と、他方の回路基板１０１の接着層３０とを貼り合わせることによって作製できる。そして、多層回路基板２０１は、一つ目の金属張積層板１００の接着層３０が、回路基板ユニット１０２の上面側の導体回路層５０に対向するように配置し、さらに、回路基板ユニット１０２の下面側の導体回路層５０に、二つ目の金属張積層板１００の接着層３０が対向するように配置して、これらを一括して圧着することによって製造することができる（圧着工程）。

なお、回路基板ユニット１０２を作製せずに、一つ目の金属張積層板１００の接着層３０が、上側の回路基板１０１の導体回路層５０に対向するように配置し、上側の回路基板１０１の接着層３０と下側の回路基板１０１の接着層３０が対向するように配置し、さらに、下側の回路基板１０１の導体回路層５０に、二つ目の金属張積層板１００の接着層３０が対向するように配置して、これらを一括して圧着することもできる。

必要に応じて、積層して得られた多層回路基板２０１を、両側から加圧ローラやプレス装置等によって加圧することにより、接着層３０の厚みを調整する厚み調整工程を行うこともできる。厚み調整工程により、接着層３０及び多層回路基板２０１全体の厚みの精度を向上させることができる。さらに、圧着時には、例えば６０～２２０℃の温度で加熱する加熱処理を行うこともできる。これにより、複数の回路基板が一体的に積層された多層回路基板２０１が製造される。この加熱処理の際、接着層３０において、例えば接着性ポリイミドの加熱縮合によるイミン結合の架橋構造を形成させることもできる。

本実施の形態においても、各回路基板１０１の接着層３０は、回路基板どうしを接着させるボンディングシートとしての機能を有する。そのため、別途、ボンディングシートを準備して回路基板間に介在させる必要がなく、多層回路形成のためのプロセス及び設備の簡略化と、材料の簡素化及びコスト削減を図ることが可能になる。

本実施の形態の多層回路基板２０１の他の構成及び効果は、第１の実施の形態の多層回路基板２００と同様である。

以下に実施例を示し、本発明の特徴をより具体的に説明する。ただし、本発明の範囲は、実施例に限定されない。なお、以下の実施例において、特にことわりのない限り各種測定、評価は下記によるものである。

［寸法変化率の測定］
寸法変化率の測定は、以下の手順で行った。まず、１５０ｍｍ角の試験片を用い、１００ｍｍ間隔にてドライフィルムレジストを露光、現像することによって、位置測定用ターゲットを形成する。温度２３±２℃、相対湿度５０±５％の雰囲気中にてエッチング前(常態)の寸法を測定した後に、試験片のターゲット以外の銅をエッチング(液温４０℃以下、時間１０分以内)により除去する。温度２３±２℃、相対湿度５０±５％の雰囲気中に２４±４時間静置後、エッチング後の寸法を測定する。ＭＤ方向（長手方向）及びＴＤ方向（幅方向）の各３箇所の常態に対する寸法変化率を算出し、各々の平均値をもってエッチング後の寸法変化率とする。エッチング後寸法変化率は下記数式により算出した。

エッチング後寸法変化率（％）＝（Ｂ－Ａ）/Ａ×１００
Ａ；エッチング前のターゲット間距離
Ｂ；エッチング後のターゲット間距離

次に、本試験片を２５０℃のオーブンで１時間加熱処理し、その後の位置ターゲット間の距離を測定する。ＭＤ方向（長手方向）及びＴＤ方向（幅方向）の各３箇所のエッチング後に対する寸法変化率を算出し、各々の平均値をもって加熱処理後の寸法変化率とする。加熱寸法変化率は下記数式により算出した。

加熱後寸法変化率（％）＝(Ｃ―Ｂ)／Ｂ×１００
Ｂ；エッチング後のターゲット間距離
Ｃ；加熱後のターゲット間距

［粘度の測定］
Ｅ型粘度計（ブルックフィールド社製、商品名；ＤＶ－ＩＩ＋Ｐｒｏ）を用いて、２５℃における粘度を測定した。トルクが１０％～９０％になるよう回転数を設定し、測定を開始してから２分経過後、粘度が安定した時の値を読み取った。

［熱膨張係数（ＣＴＥ）の測定］
３ｍｍ×２０ｍｍのサイズのポリイミドフィルムを、サーモメカニカルアナライザー（Ｂｒｕｋｅｒ社製、商品名；４０００ＳＡ）を用い、５．０ｇの荷重を加えながら一定の昇温速度で３０℃から３００℃まで昇温させ、更にその温度で１０分保持した後、５℃／分の速度で冷却し、２５０℃から１００℃までの平均熱膨張係数（熱膨張係数）を求めた。

［貯蔵弾性率及びガラス転移温度（Ｔｇ）の測定］
５ｍｍ×２０ｍｍのサイズの樹脂シートを、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ：ユー・ビー・エム社製、商品名；Ｅ４０００Ｆ）を用いて、３０℃から４００℃まで昇温速度４℃／分、周波数１１Ｈｚで測定を行った。また、弾性率変化（ｔａｎδ）が最大となる温度をガラス転移温度とした。

[誘電率および誘電正接の測定]
ベクトルネットワークアナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製、商品名Ｅ８３６３Ｃ）ならびにＳＰＤＲ共振器を用いて、１０ＧＨｚにおける樹脂シートの誘電率および誘電正接を測定した。なお、測定に使用した材料は、温度；２４～２６℃、湿度４５℃～５５％ＲＨの条件下で、２４時間放置したものである。

［銅箔の表面粗度の測定］
ＡＦＭ（ブルカー・エイエックスエス社製、商品名：Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｉｃｏｎ型ＳＰＭ）、プローブ（ブルカー・エイエックスエス社製、商品名：ＴＥＳＰＡ（ＮＣＨＶ）、先端曲率半径１０ｎｍ、ばね定数４２Ｎ／ｍ)を用いて、タッピングモードで、銅箔表面の８０μｍ×８０μｍの範囲について測定し、十点平均粗さ（Ｒｚｊｉｓ）を求めた。

合成例に用いた略号は、以下の化合物を示す。
〇ＢＰＤＡ：３,３',４,４'‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
〇ＢＰＡＤＡ：２，２－ビス［４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物
〇ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物
〇ＢＴＤＡ：３,３',４,４'－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
〇ｍ‐ＴＢ：２,２'‐ジメチル‐４,４'‐ジアミノビフェニル
〇ＴＰＥ－Ｒ：１,３-ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゼン
〇ビスアニリン-Ｍ：１,３-ビス[２-(４-アミノフェニル)-２-プロピル]ベンゼン
〇ＢＡＰＰ：２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
〇ＤＤＡ：炭素数３６の脂肪族ジアミン（クローダジャパン株式会社製、商品名；ＰＲＩＡＭＩＮＥ１０７４、アミン価；２０５ｍｇＫＯＨ／ｇ、環状構造及び鎖状構造のダイマージアミンの混合物、ダイマー成分の含有量；９５重量％以上）
〇ＤＭＡｃ：Ｎ,Ｎ‐ジメチルアセトアミド
〇ＮＭＰ：Ｎ－メチル－２－ピロリドン
〇Ｎ－１２：ドデカン二酸ジヒドラジド
〇ＯＰ９３５：有機ホスフィン酸アルミニウム塩（クラリアントジャパン社製、商品名；Ｅｘｏｌｉｔ ＯＰ９３５）
〇Ｒ７１０：（商品名、（株）プリンテック製、ビスフェノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量１７０、常温で液状、重量平均分子量：約３４０）
〇ＶＧ３１０１Ｌ：（商品名、（株）プリンテック製、多官能エポキシ樹脂、エポキシ当量：２１０、軟化点３９～４６℃）
〇ＳＲ３５Ｋ：（商品名、株式会社プリンテック製、エポキシ樹脂、エポキシ当量：９３０～９４０、軟化点：８６～９８℃）
〇ＹＤＣＮ－７００－１０：（商品名、日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０、軟化点７５～８５℃）
〇ミレックスＸＬＣ－ＬＬ：（商品名、三井化学（株）製、フェノール樹脂、水酸基当量：１７５、軟化点：７７℃、吸水率：１質量％、加熱質量減少率：４質量％）
〇ＨＥ２００Ｃ－１０：（商品名、エア・ウォーター（株）製、フェノール樹脂、水酸基当量：２００、軟化点：６５～７６℃、吸水率：１質量％、加熱質量減少率：４質量％）
〇ＨＥ９１０－１０：（商品名、エア・ウォーター（株）製、フェノール樹脂、水酸基当量：１０１、軟化点：８３℃、吸水率：１質量％、加熱質量減少率：３質量％）
〇ＳＣ１０３０－ＨＪＡ：（商品名、アドマテックス（株）製、シリカフィラー分散液、平均粒径：０．２５μｍ）
〇アエロジルＲ９７２：（商品名、日本アエロジル（株）製、シリカ、平均粒子径：０．０１６μｍ）
〇アクリルゴムＨＴＲ－８６０Ｐ－３０Ｂ－ＣＨＮ：（サンプル名、帝国化学産業（株）製、重量平均分子量：２３万、グリシジル官能基モノマー比率：８％、Ｔｇ：－７℃）
〇アクリルゴムＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ：（サンプル名、帝国化学産業（株）製、重量平均分子量：８０万、グリシジル官能基モノマー比率：３％、Ｔｇ：－７℃）
〇Ａ－１１６０：（商品名、ＧＥ東芝（株）製、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン）
〇Ａ－１８９：（商品名、ＧＥ東芝（株）製、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）
〇キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ：（商品名、四国化成工業（株）製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）
〇ＲＥ－８１０ＮＭ：（商品名、日本化薬株式会社製、ジアリルビスフェノールＡジグリシジルエーテル（性状：液状））
〇フォレットＳＣＳ：（商品名、綜研化学株式会社製、スチリル基含有アクリルポリマー（Ｔｇ：７０℃，重量平均分子量：１５０００））
〇ＢＭＩ－１：（商品名、東京化成株式会社製、４，４’－ビスマレイミドジフェニルメタン）
〇ＴＰＰＫ：（商品名、東京化成株式会社製、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート）
〇ＨＰ－Ｐ１：（商品名、水島合金鉄株式会社製、窒化ホウ素フィラー）

（合成例１）
＜接着層用の樹脂溶液Ａの調製＞
表１に品名及び組成比（単位：質量部）の（ａ）熱硬化性樹脂としての
エポキシ樹脂及びフェノール樹脂、（ｃ）無機フィラーからなる組成物にシクロヘキサノンを加え、撹拌混合した。これに、表１に示す、（ｂ）高分子量成分としてのアクリルゴムを加えて撹拌し、更に表１に示す（ｅ）カップリング剤及び（ｄ）硬化促進剤を加えて各成分が均一になるまで撹拌して接着層用の樹脂溶液Ａを得た。

（合成例２）
＜ポリイミド樹脂（ＰＩ－１）の合成および接着層用の樹脂溶液Ｂの調製＞
温度計、攪拌機、冷却管、及び窒素流入管を装着した３００ｍＬフラスコ中に、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（信越化学工業株式会社製、商品名：ＬＰ－７１００）１５．５３ｇ、ポリオキシプロピレンジアミン（ＢＡＳＦ株式会社製、商品名：Ｄ４００、分子量：４５０）２８．１３ｇ、及び、ＮＭＰ１００．０ｇを仕込んで攪拌して、反応液を調製した。ジアミンが溶解した後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、予め無水酢酸からの再結晶により精製した４，４’－オキシジフタル酸二無水物３２．３０ｇを反応液に少量ずつ添加した。常温（２５℃）で８時間反応させた後、キ
シレン６７．０ｇを加え、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃で加熱することにより、水と共にキシレンを共沸除去した。その反応液を大量の水中に注ぎ、沈澱した樹脂を濾過により採取し、乾燥してポリイミド樹脂（ＰＩ－１）を得た。得られたポリイミド樹脂（ＰＩ－１）の分子量をＧＰＣにて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量Ｍｎ＝２２４００、重量平均分子量Ｍｗ＝７０２００であった。
上記で得たポリイミド樹脂（ＰＩ－１）を用いて、表２に示す組成比（単位：質量部）で各成分を配合して、接着層用の樹脂溶液Ｂを得た。

（合成例３）
＜接着層用の樹脂溶液Ｃの調製＞
窒素導入管、攪拌機、熱電対、ディーンスタークトラップ、冷却管を付した５００ｍＬの４ッ口フラスコに、４４．９２ｇのＢＴＤＡ（０．１３９モル）、７５．０８ｇのＤＤＡ（０．１４１モル）、１６８ｇのＮＭＰ及び１１２ｇのキシレンを装入し、４０℃で３０分間混合して、ポリアミド酸溶液を調製した。このポリアミド酸溶液を１９０℃に昇温し、４時間加熱、攪拌し、留出する水及びキシレンを系外に除去した。その後、１００℃まで冷却し、１１２ｇのキシレンを加え撹拌し、更に３０℃まで冷却することでイミド化を完結し、接着層用の樹脂溶液Ｃ（固形分；２９．５重量％、重量平均分子量；７５，７００）を得た。

（合成例４）
＜接着層用の樹脂溶液Ｄの調製＞
４２．５１ｇのＢＰＡＤＡ（０．０８２モル）、３４．３０ｇのＤＤＡ（０．０６６モル）、６．５６ｇのＢＡＰＰ（０．０１６モル）、２０８ｇのＮＭＰ及び１１２ｇのキシレンを原料組成とした以外は、合成例３と同様にしてポリアミド酸溶液を調製した。このポリアミド酸溶液を合成例３と同様にして処理し、接着層用の樹脂溶液Ｄ（固形分；３０．０重量％、重量平均分子量；６５，０００）を得た。

（合成例５）
＜絶縁樹脂層用のポリアミド酸溶液１の調製＞
窒素気流下で、反応槽に、６４．２０ｇのｍ－ＴＢ（０．３０２モル）及び５．４８ｇのビスアニリン－Ｍ（０．０１６モル）並びに重合後の固形分濃度が１５重量％となる量のＤＭＡｃを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、３４．２０ｇのＰＭＤＡ（０．１５７モル）及び４６．１３ｇのＢＰＤＡ（０．１５７モル）を添加した後、室温で３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸溶液１（粘度；２６，５００ｃｐｓ）を調製した。

（合成例６）
＜絶縁樹脂層用のポリアミド酸溶液２の調製＞
６９．５６ｇのｍ－ＴＢ（０．３２８モル）、５４２．７５ｇのＴＰＥ－Ｒ（１．８５７モル）、重合後の固形分濃度が１２重量％となる量のＤＭＡｃ、１９４．３９ｇのＰＭＤＡ（０．８９１モル）及び３９３．３１ｇのＢＰＤＡ（１．３３７モル）を原料組成とした以外は、合成例３と同様にしてポリアミド酸溶液２（粘度；２,６５０ｃｐｓ）を調製した。

（作製例１）
＜接着層用の樹脂シートＡの調製＞
接着層用の樹脂溶液Ａを乾燥後の厚みが５０μｍとなるように離型基材（縦×横×厚さ＝３２０ｍｍ×２４０ｍｍ×２５μｍ）のシリコーン処理面に塗工した後、８０℃で１５分間加熱乾燥し、さらに１２０℃で１５分乾燥を行った後、離型基材上から剥離することで樹脂シートＡを調製した。また、樹脂シートＡについて、硬化後の物性を評価するため１２０℃のオーブンで２時間、１７０℃で３時間加熱した。その際、硬化後樹脂シートＡは、Ｔｇ９５℃であり、５０℃での貯蔵弾性率が９６０ＭＰａ、１８０℃から２６０℃での貯蔵弾性率の最大値が７ＭＰａであった。

（作製例２）
＜接着層用の樹脂シートＢの調製＞
接着層用の樹脂溶液Ｂを乾燥後の厚みが５０μｍとなるように離型基材（縦×横×厚さ＝３２０ｍｍ×２４０ｍｍ×２５μｍ）のシリコーン処理面に塗工した後、８０℃で１５分間加熱乾燥し、さらに１２０℃で１５分乾燥を行った後、離型基材上から剥離することで樹脂シートＢを調製した。また、樹脂シートＢについて、硬化後の物性を評価するため１２０℃のオーブンで２時間、１７０℃で３時間加熱した。その際、硬化後樹脂シートＢは、Ｔｇ１００℃以下であり、５０℃での貯蔵弾性率が１８００ＭＰａ以下、１８０℃から２６０℃での貯蔵弾性率の最大値が７０ＭＰａであった。

（作製例３）
＜接着層用の樹脂シートＣの調製＞
接着層用の樹脂溶液Ｃの１６９．４９ｇ（固形分として５０ｇ）に１．８ｇのＮ－１２（０．００３６モル）及び１２．５ｇのＯＰ９３５を配合し、６．４８５ｇのＮＭＰと１９．３４５ｇのキシレンを加えて希釈して、ポリイミドワニス１を調製した。

ポリイミドワニス１を乾燥後の厚みが５０μｍとなるように離型基材（縦×横×厚さ＝３２０ｍｍ×２４０ｍｍ×２５μｍ）のシリコーン処理面に塗工した後、８０℃で１５分間加熱乾燥し、離型基材上から剥離することで樹脂シートＣを調製した。樹脂シートＣのＴｇは７８℃であり、５０℃での貯蔵弾性率が８００ＭＰａ、１８０℃から２６０℃での貯蔵弾性率の最大値が１０ＭＰａであった。また、誘電率（Ｄｋ）及び誘電正接（Ｄｆ）はそれぞれ、２．６８、０．００２８であった。

（作製例４）
＜接着層用の樹脂シートＤの調製＞
接着層用の樹脂溶液Ｄを乾燥後の厚みが５０μｍとなるように離型基材（縦×横×厚さ＝３２０ｍｍ×２４０ｍｍ×２５μｍ）のシリコーン処理面に塗工した後、８０℃で１５分間加熱乾燥し、離型基材上から剥離することで樹脂シートＤを調製した。樹脂シートＤのＴｇは８２℃であり、５０℃での貯蔵弾性率が１８００ＭＰａ以下、１８０℃から２６０℃での貯蔵弾性率の最大値が２ＭＰａ以下であった。また、誘電率（Ｄｋ）及び誘電正接（Ｄｆ）はそれぞれ、２．８０、０．００２６であった。

（作製例５）
＜片面金属張積層板の調製＞
銅箔１（電解銅箔、厚さ；１２μｍ、樹脂層側の表面粗度Ｒｚ；０．６μｍ）の上に、ポリアミド酸溶液２を硬化後の厚みが約２～３μｍとなるように均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。次にその上にポリアミド酸溶液１を硬化後の厚みが、約２１μｍとなるように均一に塗布し、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、その上にポリアミド酸溶液２を硬化後の厚みが約２～３μｍとなるように均一に塗布した後、１２０℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、１２０℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結して、片面金属張積層板１を調製した。片面金属張積層板１の寸法変化率は、次のとおりである。
ＭＤ方向（長手方向）のエッチング後寸法変化率；０．０１％
ＴＤ方向（幅方向）のエッチング後寸法変化率；－０．０４％
ＭＤ方向（長手方向）の加熱後寸法変化率；－０．０３％
ＴＤ方向（幅方向）の加熱後寸法変化率；－０．０１％
また、塩化第二鉄水溶液を用いて片面金属張積層板１の銅箔１をエッチング除去して調製したポリイミドフィルム１（厚み；２５μｍ）におけるＣＴＥは２０．０ｐｐｍ／Ｋであり、誘電率（Ｄｋ）及び誘電正接（Ｄｆ）はそれぞれ、３．４０、０．００２９であった。

［実施例１］
接着層用の樹脂溶液Ａを乾燥後の厚みが５０μｍとなるように片面金属張積層板１の樹脂面に塗工した後、８０℃で１５分間加熱乾燥し、さらに１２０℃で１５分乾燥を行うことで、接着層付片面金属張積層板１を調製した。また、接着層付片面金属張積層板１について、接着層硬化後の物性を評価するため１２０℃のオーブンで２時間、１７０℃で３時間加熱した。加熱後の接着層付片面金属張積層板１の評価結果は、次のとおりである。
ＭＤ方向のエッチング後寸法変化率；－０．０５％
ＴＤ方向のエッチング後寸法変化率；－０．０２％
ＭＤ方向の加熱後寸法変化率；－０．０１％
ＴＤ方向の加熱後寸法変化率；－０．０３％
加熱後の接着層付片面金属張積層板１の寸法変化は問題がなかった。また、加熱後の接着層付片面金属張積層板１における銅箔１をエッチング除去して調製した樹脂積層体１（厚み；７５μｍ）におけるＣＴＥは２６．２ｐｐｍ／Ｋであった。

［実施例２］
接着層用の樹脂溶液Ｂを乾燥後の厚みが５０μｍとなるように片面金属張積層板１の樹脂面に塗工した後、８０℃で１５分間加熱乾燥し、さらに１２０℃で１５分乾燥を行うことで、接着層付片面金属張積層板２を調製した。また、接着層付片面金属張積層板２について、接着層硬化後の物性を評価するため１２０℃のオーブンで２時間、１７０℃で３時間加熱した。加熱後の接着層付片面金属張積層板２の評価結果は、次のとおりである。
ＭＤ方向のエッチング後寸法変化率；－０．０８％
ＴＤ方向のエッチング後寸法変化率；－０．０６％
ＭＤ方向の加熱後寸法変化率；－０．０３％
ＴＤ方向の加熱後寸法変化率；－０．０６％
加熱後の接着層付片面金属張積層板２の寸法変化は問題がなかった。また、加熱後の接着層付片面金属張積層板２における銅箔１をエッチング除去して調製した樹脂積層体２（厚み；７５μｍ）におけるＣＴＥは２５．０ｐｐｍ／Ｋであった。

［実施例３］
ポリイミドワニス１を乾燥後の厚みが５０μｍとなるように片面金属張積層板１の樹脂面に塗工した後、８０℃で１５分間加熱乾燥することで、接着層付片面金属張積層板３を調製した。また、接着層付片面金属張積層板３について、１８０℃のオーブンで１分間、１５０℃で３０分間加熱した後、評価した結果は、次のとおりである。
ＭＤ方向のエッチング後寸法変化率；－０．０５％
ＴＤ方向のエッチング後寸法変化率；－０．０４％
ＭＤ方向の加熱後寸法変化率；０．０５％
ＴＤ方向の加熱後寸法変化率；０．０１％
加熱後の接着層付片面金属張積層板３の寸法変化は問題がなかった。また、加熱後の接着層付片面金属張積層板３における銅箔１をエッチング除去して調製した樹脂積層体３（厚み；７５μｍ）におけるＣＴＥは２５．６ｐｐｍ／Ｋであり、誘電率（Ｄｋ）及び誘電正接（Ｄｆ）はそれぞれ、２．９２、０．００２８であった。

［実施例４］
接着層用の樹脂溶液Ｄを乾燥後の厚みが５０μｍとなるように片面金属張積層板１の樹脂面に塗工した後、８０℃で１５分間加熱乾燥することで、接着層付片面金属張積層板４を調製した。また、接着層付片面金属張積層板４について、１８０℃のオーブンで１分間、１５０℃で３０分間加熱した後に評価したところ、寸法変化は問題がなく、誘電率（Ｄｋ）及び誘電正接（Ｄｆ）はそれぞれ、３．００、０．００２７であった。

［実施例５］
液晶ポリマーフィルム（クラレ社製、商品名；ＣＴ－Ｚ、厚さ；２５μｍ、ＣＴＥ；１８ｐｐｍ／Ｋ、熱変形温度；３００℃、Ｄｋ；３．４０、Ｄｆ；０．００２２）を絶縁基材とし、その両面に銅箔１が設けられた両面金属張積層板１を準備した。両面金属張積層板１の片面の銅箔１をエッチング除去し、片面金属張積層板２を調製した。

ポリイミドワニス１を乾燥後の厚みが５０μｍとなるように片面金属張積層板２の樹脂面に塗工した後、８０℃で１５分間加熱乾燥することで、接着層付片面金属張積層板５を調製した。また、接着層付片面金属張積層板５について、１８０℃のオーブンで１分間、１５０℃で３０分間加熱した後に評価したところ、寸法変化は問題がなく、誘電率（Ｄｋ）及び誘電正接（Ｄｆ）はそれぞれ、２．９２、０．００２６であった。

［実施例６］
接着層用の樹脂溶液Ｄを乾燥後の厚みが５０μｍとなるように片面金属張積層板２の樹脂面に塗工した後、８０℃で１５分間加熱乾燥することで、接着層付片面金属張積層板６を調製した。また、接着層付片面金属張積層板６について、１８０℃のオーブンで１分間、１５０℃で３０分間加熱した後に評価したところ、寸法変化は問題がなく、誘電率（Ｄｋ）及び誘電正接（Ｄｆ）はそれぞれ、３．００、０．００２５であった。

［実施例７］
片面金属張積層板１の銅箔１に、サブトラクティブ法による回路加工を施し、導体回路層が形成された片面配線基板１を調製した。併せて、２枚の接着層付片面金属張積層板３の銅箔１に、サブトラクティブ法による回路加工を施し、導体回路層が形成された２枚の接着層付片面配線基板１を調製した。

片面配線基板１の導体回路層と一つの接着層付片面配線基板１の接着層、一つの接着層付片面配線基板１の導体回路層ともう一つの接着層付片面配線基板１の接着層がそれぞれ対向するように重ね合わせた後、１６０℃、４ＭＰａの条件で、６０分間熱圧着する事で、多層回路基板１を調製した。多層回路基板１の圧着面では、導体回路層に接着剤が十分に充填されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。

［実施例８］
２枚の接着層付片面配線基板１を準備し、一つの接着層付片面配線基板１の接着層ともう一つの接着層付片面配線基板１の接着層が対向するように重ね合わせた後、１６０℃、４ＭＰａの条件で、６０分間熱圧着する事で、両面回路基板１を調製した。両面回路基板１の圧着面では、接着層同士が十分に接着されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。

［実施例９］
２枚の接着層付片面金属張積層板４の銅箔１に、サブトラクティブ法による回路加工を施し、導体回路層が形成された２枚の接着層付片面配線基板２を調製した。

片面配線基板１の導体回路層と一つの接着層付片面配線基板２の接着層、一つの接着層付片面配線基板２の導体回路層ともう一つの接着層付片面配線基板２の接着層がそれぞれ対向するように重ね合わせた後、１６０℃、４ＭＰａの条件で、６０分間熱圧着する事で、多層回路基板２を調製した。多層回路基板２の圧着面では、導体回路層に接着剤が十分に充填されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。

［実施例１０］
２枚の接着層付片面配線基板２を準備し、一つの接着層付片面配線基板２の接着層ともう一つの接着層付片面配線基板２の接着層が対向するように重ね合わせた後、１６０℃、４ＭＰａの条件で、６０分間熱圧着する事で、両面回路基板２を調製した。両面回路基板２の圧着面では、接着層同士が十分に接着されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。

［実施例１１］
片面金属張積層板２の銅箔１に、サブトラクティブ法による回路加工を施し、導体回路層が形成された片面配線基板２を調製した。併せて、２枚の接着層付片面金属張積層板５の銅箔１に、サブトラクティブ法による回路加工を施し、導体回路層が形成された２枚の接着層付片面配線基板３を調製した。

片面配線基板２の導体回路層と一つの接着層付片面配線基板３の接着層、一つの接着層付片面配線基板３の導体回路層ともう一つの接着層付片面配線基板３の接着層がそれぞれ対向するように重ね合わせた後、１６０℃、４ＭＰａの条件で、６０分間熱圧着する事で、多層回路基板３を調製した。多層回路基板３の圧着面では、導体回路層に接着剤が十分に充填されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。

［実施例１２］
２枚の接着層付片面配線基板３を準備し、一つの接着層付片面配線基板３の接着層ともう一つの接着層付片面配線基板３の接着層が対向するように重ね合わせた後、１６０℃、４ＭＰａの条件で、６０分間熱圧着する事で、両面回路基板３を調製した。両面回路基板３の圧着面では、接着層同士が十分に接着されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。

［実施例１３］
２枚の接着層付片面金属張積層板６の銅箔１に、サブトラクティブ法による回路加工を施し、導体回路層が形成された２枚の接着層付片面配線基板４を調製した。

片面配線基板２の導体回路層と一つの接着層付片面配線基板４の接着層、一つの接着層付片面配線基板４の導体回路層ともう一つの接着層付片面配線基板４の接着層がそれぞれ対向するように重ね合わせた後、１６０℃、４ＭＰａの条件で、６０分間熱圧着する事で、多層回路基板４を調製した。多層回路基板４の圧着面では、導体回路層に接着剤が十分に充填されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。

［実施例１４］
２枚の接着層付片面配線基板４を準備し、一つの接着層付片面配線基板４の接着層ともう一つの接着層付片面配線基板４の接着層が対向するように重ね合わせた後、１６０℃、４ＭＰａの条件で、６０分間熱圧着する事で、両面回路基板４を調製した。両面回路基板４の圧着面では、接着層同士が十分に接着されており、熱圧着工程に起因する導体回路の乱れも生じていなかった。

以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。

１０…絶縁樹脂層、２０…金属層、３０…接着層、４０…片面金属張積層板、５０…導体回路層、１００…金属張積層板、１０１…回路基板、１０２…回路基板ユニット、１１０…任意の回路基板、２００，２０１…多層回路基板

Claims (4)

1. 絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の一方の面に形成された導体回路層と、前記絶縁樹脂層のもう一方の面に積層された接着層と、を備えた回路基板を複数準備する工程、及び、
   一つの前記回路基板の前記接着層と、他の一つの前記回路基板の前記接着層とが対向するように重ねて圧着する工程、
   を含む多層回路基板の製造方法。
2. 前記接着層を構成する樹脂が、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含有する接着性ポリイミドであり、
   前記接着性ポリイミドは、前記ジアミン残基の全量１００モル部に対して、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が１級のアミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を５０モル部以上含有する請求項１に記載の多層回路基板の製造方法。
3. 前記接着性ポリイミドは、前記テトラカルボン酸残基の全量１００モル部に対して、下記の一般式（１）及び／又は（２）で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を合計で９０モル部以上含有する請求項２に記載の多層回路基板の製造方法。
   

   

   ［一般式（１）中、Ｘは、単結合、または、下式から選ばれる２価の基を示し、一般式（２）中、Ｙで表される環状部分は、４員環、５員環、６員環、７員環又は８員環から選ばれる環状飽和炭化水素基を形成していることを表す。］
   

   

   [上記式において、Ｚは－Ｃ_６Ｈ_４－、－(ＣＨ_２)ｎ－又は－ＣＨ_２－ＣＨ(－Ｏ－Ｃ(＝Ｏ)－ＣＨ_３)－ＣＨ_２－を示すが、ｎは１～２０の整数を示す。]
4. 前記接着性ポリイミドは、前記ジアミン残基の全量１００モル部に対して、前記ダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を５０モル部以上９９モル部以下の範囲内で含有し、
   下記の一般式（Ｂ１）～（Ｂ７）で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも１種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を１モル部以上５０モル部以下の範囲内で含有する請求項２に記載の多層回路基板の製造方法。
   

   

   ［式（Ｂ１）～（Ｂ７）において、Ｒ_１は独立に炭素数１～６の１価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、連結基Ａは独立に－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－、－ＣＯＯ－、－ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－ＮＨ－若しくは－ＣＯＮＨ－から選ばれる２価の基を示し、ｎ_１は独立に０～４の整数を示す。ただし、式（Ｂ３）中から式（Ｂ２）と重複するものは除き、式（Ｂ５）中から式（Ｂ４）と重複するものは除くものとする。］
   
   

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