JP2023022327A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 280
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 135
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 134
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 41
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
2 SiCウエハ(SiC層)
2A 表面
2B 裏面
2C 端面
3 素子領域
4 ダイシング領域
5 基板
6 エピタキシャル層
7 電圧緩和層
8 絶縁層
81 第1層
82 第2層
83 外周縁
86 凸部
9 アノード電極
93 接続部分
95 パッドエリア
14 空乏層
15 終端構造
16 チャネル領域
17 ソース領域
19 ゲート絶縁膜
20 ゲート電極
22 ソース電極
221 パッドエリア
222 接続部分
102 半導体装置
103 半導体装置
104 半導体装置
105 半導体装置
106 半導体装置
107 半導体装置
108 半導体装置
109 半導体装置
Claims (11)
- 表面および裏面、ならびに当該表面および裏面に繋がる端面を有し、前記表面側に半導体素子構造が形成された第1導電型のSiC半導体層と、
前記SiC半導体層の前記表面側に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の一部を貫通して前記SiC半導体層の前記表面に接続された下端部と
、前記第1絶縁層の上方に突出し前記第1絶縁層上を横方向に延びる引き出し部とを有する表面電極と、
前記SiC半導体層の前記裏面に形成された裏面電極と、
前記表面電極の一部を露出させる開口を有するように前記表面電極の一部を覆う第2絶縁層とを含み、
前記表面電極が前記SiC層との間にショットキー障壁を形成する材料からなることによって形成されたショットキーバリアダイオード構造を有し、
前記第2絶縁層は前記SiC半導体層の前記端面まで延びており、当該端面と面一であり、
前記第2絶縁層は、前記SiC半導体層の端面付近の上面が平坦面である、半導体装置。 - 前記表面電極はアノード電極であり、前記表面電極はカソード電極である、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1絶縁層は酸化シリコン(SiO2)からなり、前記第2絶縁層はポリイミドからなる、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記酸化シリコン(SiO2)は1μm以上の厚さを有し、前記ポリイミドは0.2μm以上の厚さを有する、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記表面電極は、前記ショットキー障壁を形成する材料としてのTi(チタン)およびAl(アルミニウム)のいずれかを含む、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記SiC半導体層は、SiC基板上に形成された5μm以上の厚さのSiCエピタキシャル層を有している、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記SiCエピタキシャル層に含まれる第1導電型の不純物濃度は、1×1016cm-3以下である、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記SiC基板に含まれる第1導電型の不純物濃度は、前記SiCエピタキシャル層に含まれる第1導電型の不純物濃度よりも相対的に高い、請求項6または7に記載の半導体装置。
- 前記表面電極における前記SiC層との接続部分の端から前記SiC層の前記端面までの距離X2が、前記半導体素子構造に最大印加電圧(BV)を印加したときに前記接続部分から前記SiC層の前記表面に沿って横方向に広がる空乏層の幅よりも長い、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記表面電極の下端部の端から前記SiC半導体層の端面までの距離X1が100μm以上である、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、平面視正方形のチップ形状であり、チップサイズは0.5mm角~20mm角である、請求項1に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022197776A JP2023022327A (ja) | 2021-03-18 | 2022-12-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021044312A JP7105335B2 (ja) | 2021-03-18 | 2021-03-18 | 半導体装置 |
JP2022111417A JP7194855B2 (ja) | 2021-03-18 | 2022-07-11 | 半導体装置 |
JP2022197776A JP2023022327A (ja) | 2021-03-18 | 2022-12-12 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022111417A Division JP7194855B2 (ja) | 2021-03-18 | 2022-07-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023022327A true JP2023022327A (ja) | 2023-02-14 |
Family
ID=87852466
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022111417A Active JP7194855B2 (ja) | 2021-03-18 | 2022-07-11 | 半導体装置 |
JP2022197776A Pending JP2023022327A (ja) | 2021-03-18 | 2022-12-12 | 半導体装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022111417A Active JP7194855B2 (ja) | 2021-03-18 | 2022-07-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7194855B2 (ja) |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS588963U (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-20 | 日本電気株式会社 | シヨツトキバリアダイオ−ド |
JPH06283727A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Fuji Electric Co Ltd | 電力用半導体素子 |
JP2000164665A (ja) | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP4585772B2 (ja) | 2004-02-06 | 2010-11-24 | 関西電力株式会社 | 高耐圧ワイドギャップ半導体装置及び電力装置 |
JP4058007B2 (ja) | 2004-03-03 | 2008-03-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP3914226B2 (ja) | 2004-09-29 | 2007-05-16 | 株式会社東芝 | 高耐圧半導体装置 |
TWI278090B (en) | 2004-10-21 | 2007-04-01 | Int Rectifier Corp | Solderable top metal for SiC device |
JP2006319079A (ja) | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4955222B2 (ja) | 2005-05-20 | 2012-06-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2007142138A (ja) | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
DE102006013076A1 (de) | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleiterbauelement mit Passivierungsschicht und zugehöriges Herstellungsverfahren |
JP5177151B2 (ja) | 2008-02-12 | 2013-04-03 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JP4535151B2 (ja) | 2008-03-19 | 2010-09-01 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2008252143A (ja) | 2008-07-17 | 2008-10-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US20100258899A1 (en) | 2009-04-08 | 2010-10-14 | Chih-Tsung Huang | Schottky diode device with an extended guard ring and fabrication method thereof |
US8575729B2 (en) | 2010-05-18 | 2013-11-05 | Panasonic Corporation | Semiconductor chip with linear expansion coefficients in direction parallel to sides of hexagonal semiconductor substrate and manufacturing method |
-
2022
- 2022-07-11 JP JP2022111417A patent/JP7194855B2/ja active Active
- 2022-12-12 JP JP2022197776A patent/JP2023022327A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7194855B2 (ja) | 2022-12-22 |
JP2022130747A (ja) | 2022-09-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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