JP2008252143A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008252143A JP2008252143A JP2008185860A JP2008185860A JP2008252143A JP 2008252143 A JP2008252143 A JP 2008252143A JP 2008185860 A JP2008185860 A JP 2008185860A JP 2008185860 A JP2008185860 A JP 2008185860A JP 2008252143 A JP2008252143 A JP 2008252143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- edge
- impurity
- jte
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体装置は、SiC基板1に形成されたn型のSiCドリフト層2にショットキ接続するアノード電極3とその外周部に形成されたp型のJTE領域6を有する。
JTE領域の不純物面濃度は、エッジから外側に向けて連続的に低くなっており、エッジ下の部分の不純物面濃度は、1.8×1013〜4×1013cm-2であり、当該エッジから15μmの部分で1×1013〜2.5×1013cm-2であるものである。
【選択図】図6
Description
図1は本発明の実施の形態1に係る半導体装置の構造を示す断面図である。当該半導体装置は、SiC基板1に形成されたショットキ障壁ダイオードを備えている。即ち、n型のSiC基板1に同じくn型のSiCドリフト層2が形成され、その上面には、当該ドリフト層2とショットキ接続するアノード電極3(ショットキ電極)が形成される。ドリフト層2は、当該ダイオードが1000V程度の耐圧を実現できるよう、不純物濃度(ドーピング濃度)は2×1015〜12×1015cm-3に、厚さは5〜15μmに設定されている。ドリフト層2の上面の、アノード電極3が接しない領域には絶縁膜4が形成される。また、SiC基板の底面には当該ダイオードのカソード電極5が設けられる。
実施の形態1では、図1に示したように第1のp型領域6aと第2のp型領域6bとを、同じ厚さに形成した。そしてそれら各々の不純物濃度を調整することにより、第1のp型領域6aの不純物面濃度を1.8×1013〜4×1013cm-2に、第2のp型領域6bの不純物面濃度を1×1013〜2.5×1013cm-2に設定した。
先に述べたように、従来のJTE構造では、JTE領域を構成する複数のp型領域の境界、即ち、JTE領域内でチャージレベルが急激に変化する部分で電界集中が生じていた。本実施の形態では、JTE領域内部での電界集中の発生を抑制できるJTE構造を示す。
図7は、実施の形態4に係る半導体装置の構造を示す断面図である。同図においても、図1に示したものと同様の要素には、同一符号を付してある。
Claims (3)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成されたn型SiCドリフト層と、
前記半導体基板上に形成され、前記n型SiCドリフト層にショットキ接続する電極と、
前記n型SiCドリフト層上部に形成され、前記電極の前記半導体基板に接する部分のエッジの下を含む領域に配設されたp型のJTE(Junction Termination Extension)領域とを備える半導体装置であって、
前記JTE領域の不純物面濃度は、前記エッジから外側に向けて連続的に低くなっており、
前記JTE領域において、
前記エッジ下の部分の不純物面濃度は、1.8×1013〜4×1013cm-2であり、
前記エッジから15μm外側の部分の不純物面濃度は、1×1013〜2.5×1013cm-2である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置であって、
前記JTE領域は、厚さが一定であり、単位体積あたりの不純物濃度が前記エッジから外側に向けて連続的に低くなっている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置であって、
前記JTE領域は、単位体積あたりの不純物濃度が一定であり、厚さが前記エッジから外側に向けて連続的に小さくなっている
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008185860A JP2008252143A (ja) | 2008-07-17 | 2008-07-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008185860A JP2008252143A (ja) | 2008-07-17 | 2008-07-17 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004353757A Division JP4186919B2 (ja) | 2004-12-07 | 2004-12-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008252143A true JP2008252143A (ja) | 2008-10-16 |
Family
ID=39976643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008185860A Pending JP2008252143A (ja) | 2008-07-17 | 2008-07-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008252143A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012178454A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2014175377A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2015220438A (ja) * | 2014-05-21 | 2015-12-07 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
US9324806B2 (en) | 2014-04-30 | 2016-04-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Silicon carbide semiconductor device |
JP2022130747A (ja) * | 2021-03-18 | 2022-09-06 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2022130748A (ja) * | 2021-03-18 | 2022-09-06 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US11862672B2 (en) | 2012-03-12 | 2024-01-02 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000516767A (ja) * | 1996-07-16 | 2000-12-12 | エービービー リサーチ リミテッド | 電圧吸収エッジを有するpn接合を含むSiC半導体装置 |
JP2001508950A (ja) * | 1997-01-21 | 2001-07-03 | エービービー リサーチ リミテッド | 炭化珪素ショットキーダイオードの接合止端 |
JP2003303956A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素半導体素子およびその製造方法 |
-
2008
- 2008-07-17 JP JP2008185860A patent/JP2008252143A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000516767A (ja) * | 1996-07-16 | 2000-12-12 | エービービー リサーチ リミテッド | 電圧吸収エッジを有するpn接合を含むSiC半導体装置 |
JP2001508950A (ja) * | 1997-01-21 | 2001-07-03 | エービービー リサーチ リミテッド | 炭化珪素ショットキーダイオードの接合止端 |
JP2003303956A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素半導体素子およびその製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012178454A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US11862672B2 (en) | 2012-03-12 | 2024-01-02 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
JP2014175377A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US9324806B2 (en) | 2014-04-30 | 2016-04-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Silicon carbide semiconductor device |
JP2015220438A (ja) * | 2014-05-21 | 2015-12-07 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JP2022130747A (ja) * | 2021-03-18 | 2022-09-06 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2022130748A (ja) * | 2021-03-18 | 2022-09-06 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP7194855B2 (ja) | 2021-03-18 | 2022-12-22 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP7194856B2 (ja) | 2021-03-18 | 2022-12-22 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7564072B2 (en) | Semiconductor device having junction termination extension | |
JP6407920B2 (ja) | 負べベルにより終端された高阻止電圧を有するSiCデバイス | |
JP5196766B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6181597B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6214680B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
JP5136578B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8362586B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2008252143A (ja) | 半導体装置 | |
JP2009105200A (ja) | ジャンクションバリアショットキーダイオード | |
JP6064547B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9853141B2 (en) | Semiconductor device with front and rear surface electrodes on a substrate having element and circumferential regions, an insulating gate type switching element in the element region being configured to switch between the front and rear surface electrodes | |
JP2010135677A (ja) | 半導体装置 | |
JP6146097B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014060376A (ja) | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 | |
JP4889645B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006041123A (ja) | 半導体装置 | |
JP2014192433A (ja) | 半導体装置 | |
JP6930113B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US9184247B2 (en) | Power semiconductor device capable of maintaining a withstand voltage | |
CN106158943A (zh) | N沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法 | |
JP6658560B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007242765A (ja) | ダイオードと、製造方法と、逆回復電流の抑制方法 | |
JP2009043924A (ja) | ダイオード | |
JP5655052B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2018156987A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080717 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20110513 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110524 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110713 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120306 |