JP2022504609A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102748192B1 (ko) * 2023-02-07 2024-12-31 에스케이실트론 주식회사 실리콘 단결정 잉곳 및 그 성장 방법
FI4495297T3 (fi) 2023-07-18 2026-03-23 Siltronic Ag Menetelmä piistä seostetun yksikiteisen kiteen kasvattamiseksi
US20250293073A1 (en) 2024-03-18 2025-09-18 Globalwafers Co., Ltd. Reclaimable donor substrates for use in preparing multiple silicon-on-insulator structures

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3049376A1 (de) 1980-12-29 1982-07-29 Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur herstellung vertikaler pn-uebergaenge beim ziehen von siliciumscheiben aus einer siliciumschmelze
US6312517B1 (en) * 2000-05-11 2001-11-06 Memc Electronic Materials, Inc. Multi-stage arsenic doping process to achieve low resistivity in silicon crystal grown by czochralski method
WO2003021011A1 (en) * 2001-08-29 2003-03-13 Memc Electronic Materials, Inc. Process for eliminating neck dislocations during czochralski crystal growth
US7132091B2 (en) * 2001-09-28 2006-11-07 Memc Electronic Materials, Inc. Single crystal silicon ingot having a high arsenic concentration
KR100764394B1 (ko) * 2002-11-12 2007-10-05 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크. 도가니 회전을 이용하여 온도 구배를 제어하는 단결정 실리콘의 제조 방법
US7635414B2 (en) 2003-11-03 2009-12-22 Solaicx, Inc. System for continuous growing of monocrystalline silicon
JP2008088045A (ja) * 2006-09-05 2008-04-17 Sumco Corp シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法
JP5176101B2 (ja) * 2007-04-24 2013-04-03 Sumco Techxiv株式会社 シリコン単結晶の製造方法および装置並びにシリコン単結晶インゴット
JP5003283B2 (ja) * 2007-05-23 2012-08-15 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の引上げ方法
FR2929960B1 (fr) 2008-04-11 2011-05-13 Apollon Solar Procede de fabrication de silicium cristallin de qualite photovoltaique par ajout d'impuretes dopantes
US9074298B2 (en) * 2008-08-18 2015-07-07 Sumco Techxiv Corporation Processes for production of silicon ingot, silicon wafer and epitaxial wafer, and silicon ingot
US8535439B2 (en) * 2009-01-14 2013-09-17 Sumco Techxiv Corporation Manufacturing method for silicon single crystal
JP2010202414A (ja) * 2009-02-27 2010-09-16 Sumco Corp シリコン単結晶の育成方法及びシリコンウェーハの製造方法
JP5399212B2 (ja) * 2009-11-16 2014-01-29 Sumco Techxiv株式会社 シリコン単結晶の製造方法
CN103249875B (zh) 2010-09-03 2016-10-12 Gtatip控股有限责任公司 镓、铟、或铝掺杂单晶硅
US8512470B2 (en) * 2011-04-08 2013-08-20 China Crystal Technologies Co. Ltd System and methods for growing high-resistance single crystals
WO2012142463A2 (en) 2011-04-14 2012-10-18 GT Advanced CZ, LLC Silicon ingot having uniform multiple dopants and method and apparatus for producing same
CN102260900B (zh) 2011-07-14 2013-11-27 西安华晶电子技术股份有限公司 提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置及其处理工艺
KR101330408B1 (ko) * 2011-08-12 2013-11-15 주식회사 엘지실트론 잉곳 성장 장치 및 잉곳 제조 방법
JP5470349B2 (ja) 2011-10-17 2014-04-16 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト p型シリコン単結晶およびその製造方法
CN102560646B (zh) * 2012-03-20 2015-05-20 浙江大学 一种掺杂电阻率均匀的n型铸造硅单晶及其制备方法
JP5831436B2 (ja) * 2012-12-11 2015-12-09 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法
US10060045B2 (en) 2012-12-31 2018-08-28 Corner Star Limited Fabrication of indium-doped silicon by the czochralski method
JP6015634B2 (ja) * 2013-11-22 2016-10-26 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JP6222013B2 (ja) 2014-08-29 2017-11-01 信越半導体株式会社 抵抗率制御方法
JP5892232B1 (ja) * 2014-12-24 2016-03-23 株式会社Sumco 単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法
KR101680215B1 (ko) * 2015-01-07 2016-11-28 주식회사 엘지실트론 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 실리콘 단결정 잉곳
US20180291524A1 (en) * 2015-05-01 2018-10-11 Corner Star Limited Methods for producing single crystal ingots doped with volatile dopants
WO2016179022A1 (en) * 2015-05-01 2016-11-10 Sunedison, Inc. Methods for producing single crystal ingots doped with volatile dopants
JP6987057B2 (ja) * 2015-12-04 2021-12-22 グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドGlobalWafers Co., Ltd. 低酸素含有シリコンを生産するシステム及び方法
DE102015226399A1 (de) * 2015-12-22 2017-06-22 Siltronic Ag Siliciumscheibe mit homogener radialer Sauerstoffvariation
CN105887194A (zh) 2016-05-30 2016-08-24 上海超硅半导体有限公司 一种n型单晶硅的生长方法

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