JP2022170441A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022170441A JP2022170441A JP2021076563A JP2021076563A JP2022170441A JP 2022170441 A JP2022170441 A JP 2022170441A JP 2021076563 A JP2021076563 A JP 2021076563A JP 2021076563 A JP2021076563 A JP 2021076563A JP 2022170441 A JP2022170441 A JP 2022170441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- row address
- unit
- row
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 281
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 45
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 213
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 47
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 62
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 58
- 230000004044 response Effects 0.000 description 40
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 36
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 19
- 102100032752 C-reactive protein Human genes 0.000 description 18
- 101000942118 Homo sapiens C-reactive protein Proteins 0.000 description 18
- 101000920800 Homo sapiens Endoplasmic reticulum-Golgi intermediate compartment protein 2 Proteins 0.000 description 18
- 101000583156 Homo sapiens Pituitary homeobox 1 Proteins 0.000 description 18
- KJWMGLBVDNMNQW-VWTMXFPPSA-N Pectenotoxin 1 Chemical compound O[C@@H]1[C@H](C)CCO[C@]1(O)[C@H]1O[C@@H]2/C=C/C(/C)=C/[C@H](C)C[C@](C)(O3)CC[C@@H]3[C@](O3)(O4)CC[C@@]3(CO)C[C@@H]4[C@@H](O3)C(=O)C[C@]3(C)[C@@H](O)[C@@H](O3)CC[C@@]3(O3)CCC[C@H]3[C@@H](C)C(=O)O[C@@H]2C1 KJWMGLBVDNMNQW-VWTMXFPPSA-N 0.000 description 18
- 208000009989 Posterior Leukoencephalopathy Syndrome Diseases 0.000 description 16
- 101000622137 Homo sapiens P-selectin Proteins 0.000 description 14
- 102100023472 P-selectin Human genes 0.000 description 14
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001092910 Homo sapiens Serum amyloid P-component Proteins 0.000 description 1
- 102100036202 Serum amyloid P-component Human genes 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000009416 shuttering Methods 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
- H04N25/531—Control of the integration time by controlling rolling shutters in CMOS SSIS
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/768—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors for time delay and integration [TDI]
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/767—Horizontal readout lines, multiplexers or registers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/772—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/779—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/7795—Circuitry for generating timing or clock signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】浮遊拡散部を共有して使用する複数の光電変換部を有する画素を備えた光電変換装置において、露光時間の設定の自由度を向上するための技術を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、複数の光電変換部と、複数の光電変換部の電荷が転送される浮遊拡散部と、を有する複数の画素と、複数の画素に対し、読み出す読み出し処理とリセット処理とを処理の対象となる光電変換部及び処理の対象となる浮遊拡散部を切り替えながら実行する垂直走査部と、垂直走査部を制御する制御部と、を有する。制御部は、処理対象の行アドレスを生成する読み出し行アドレス生成部及びリセット行アドレス生成部を有する。処理の対象となる光電変換部を切り替える第1の周期は処理対象となる浮遊拡散部を切り替える第2の周期よりも短く、行アドレスの更新周期は第2の周期に等しく、行アドレスの更新タイミングの設定単位は第1の周期の1周期の長さに等しい。
【選択図】図5
【解決手段】光電変換装置は、複数の光電変換部と、複数の光電変換部の電荷が転送される浮遊拡散部と、を有する複数の画素と、複数の画素に対し、読み出す読み出し処理とリセット処理とを処理の対象となる光電変換部及び処理の対象となる浮遊拡散部を切り替えながら実行する垂直走査部と、垂直走査部を制御する制御部と、を有する。制御部は、処理対象の行アドレスを生成する読み出し行アドレス生成部及びリセット行アドレス生成部を有する。処理の対象となる光電変換部を切り替える第1の周期は処理対象となる浮遊拡散部を切り替える第2の周期よりも短く、行アドレスの更新周期は第2の周期に等しく、行アドレスの更新タイミングの設定単位は第1の周期の1周期の長さに等しい。
【選択図】図5
Description
本発明は、光電変換装置に関する。
特許文献1には、複数の光電変換部が1つの浮遊拡散部を共有して使用する画素を有するイメージセンサが記載されている。また、特許文献2には、一般的な撮像素子において、光電変換部からの電荷の読み出しや光電変換部のリセットを行う方法として、各処理の対象となる画素を1行ずつ指定し、各処理を行う方法が記載されている。
特許文献2に記載の技術を特許文献1に適用する場合、複数の水平期間に渡って1つの浮遊拡散部を選択しながら、浮遊拡散部を共有している複数の光電変換部を順次選択し、読み出し処理及びリセット処理を行単位で順次行うことになる。そのため、光電変換部の露光時間の設定の自由度は必ずしも高いとは言えなかった。
本発明の目的は、浮遊拡散部を共有して使用する複数の光電変換部を有する画素を備えた光電変換装置において、露光時間の設定の自由度を向上するための技術を提供することにある。
本明細書の一開示によれば、3つ以上の複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部の電荷が転送される浮遊拡散部と、前記浮遊拡散部の電圧に応じた信号を出力する出力部と、を各々が有する複数の画素が複数の行及び複数の列をなすように配された画素部と、前記画素部に配された前記複数の画素に対し、前記画素の信号を読み出す読み出し処理と、前記画素をリセットするリセット処理と、を処理の対象となる光電変換部及び処理の対象となる浮遊拡散部を切り替えながら実行する垂直走査部と、前記垂直走査部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記読み出し処理の際に信号を読み出す画素の行アドレスを生成して前記垂直走査部に出力する読み出し行アドレス生成部と、前記リセット処理の際にリセットする画素の行アドレスを生成して前記垂直走査部に出力するリセット行アドレス生成部と、を有し、前記読み出し処理及び前記リセット処理の際に前記処理の対象となる光電変換部を切り替える周期である第1の周期は、前記読み出し処理及び前記リセット処理の際に前記処理の対象となる浮遊拡散部を切り替える周期である第2の周期よりも短く、前記読み出し行アドレス生成部及び前記リセット行アドレス生成部における前記行アドレスの更新周期は、前記第2の周期に等しく、前記読み出し行アドレス生成部及び前記リセット行アドレス生成部における前記行アドレスの更新タイミングの設定単位は、前記第1の周期の1周期の長さに等しい光電変換装置が提供される。
本発明によれば、浮遊拡散部を共有する複数の光電変換部を有する画素を備えた光電変換装置において、露光時間の設定の自由度を向上することができる。
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態による光電変換装置の概略構成について、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態による光電変換装置の概略構成を示すブロック図である。
本発明の第1実施形態による光電変換装置の概略構成について、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態による光電変換装置の概略構成を示すブロック図である。
本実施形態による光電変換装置100は、例えば図1に示すように、処理装置(プロセッサ)1と、制御部2と、垂直走査部3と、画素部4と、列回路部5と、水平走査部6と、信号出力部7と、により構成され得る。画素部4には、垂直走査部3と、列回路部5と、が接続されている。列回路部5には、水平走査部6が接続されている。水平走査部6には、信号出力部7が接続されている。垂直走査部3、列回路部5、水平走査部6及び信号出力部7には、制御部2が接続されている。制御部2には、処理装置1が接続されている。
処理装置1は、例えばCPU(Central Processing Unit)であり、光電変換装置100の全体の動作を制御する。処理装置1は、制御部2に対し、同期信号などの制御信号や動作モードなどの設定信号を出力する。なお、処理装置1は、光電変換装置100が搭載されるシステム内、すなわち光電変換装置100の外部に設けられていてもよい。
制御部2は、処理装置1から同期信号などの制御信号や動作モードなどの設定信号を受け、垂直走査部3、列回路部5、水平走査部6及び信号出力部7に、これらの動作やタイミングを制御するための制御信号を出力する制御回路である。
画素部4には、各々が光電変換部を含む複数の画素Pが複数の行及び複数の列をなすように2次元状に配列されている。複数の画素Pの各々は、光電変換部に入射した光の量に応じた画素信号を出力するように構成されている。図1には、M列×N行の行列状に配列された画素Pで構成される画素部4を示している。一部の画素Pには、画素の符号Pに(m,n)で表される座標を付記している。ここで、mは1~Mの整数で表される列番号であり、nは1~Nの整数で表される行番号である。なお、本明細書では、各行の延在する方向(行方向)を水平方向、各列の延在する方向(列方向)を垂直方向と定義するものとする。また、先頭行の行番号は第1行であり、先頭列の列番号は第1列であるものとする。
画素部4の各列には、2本の垂直出力線Vline1,Vline2が配されている。図1の一部の垂直出力線Vline1,Vline2の符号には、列番号mを表す番号を括弧書きで付記している。なお、図1には垂直出力線Vlineを各列に2本ずつ配置した例を示しているが、各列に配置する垂直出力線Vlineの数は1本であってもよいし、3本以上であってもよい。
垂直走査部3は、制御部2からの信号を受けて動作し、画素部4を構成する複数の画素Pを行単位で駆動する制御回路である。画素部4を構成する複数の画素Pに対して垂直走査部3が実行する動作には、リセット走査と読み出し走査とが含まれる。リセット走査とは、画素部4の一部の行の画素P又は全部の行の画素Pに対して、行単位で順次、光電変換部のリセット状態を解除して電荷蓄積状態にすることで露光を開始する動作をいう。読み出し走査とは、画素部4の一部の行の画素P又は全部の行の画素Pから、行単位で順次、光電変換部に蓄積された電荷に基づく信号を出力する動作をいう。垂直走査部3は、画素部4の各行に配された不図示の制御線を介して行単位で画素Pに制御信号を供給する。垂直走査部3は、シフトレジスタやアドレスデコーダを用いて構成され得る。
列回路部5は、画素部4の画素Pから出力される画素信号に対して所定の処理を行う回路ブロックであり、垂直出力線Vlineの各々に対応して、例えば、増幅回路と、アナログデジタル変換(AD変換)回路と、メモリと、を備え得る。この場合、列回路部5は、画素部4の各列の画素Pから垂直出力線Vlineを介して出力されるアナログ信号である画素信号に対して増幅処理及びAD変換処理を行い、画素信号をデジタルデータとしてメモリに保持する。
水平走査部6は、制御部2からの信号を受けて動作し、列回路部5のメモリに保持されたデジタルデータを、列毎に順次、信号出力部7へと転送する制御回路である。水平走査部6は、シフトレジスタやアドレスデコーダを用いて構成され得る。
信号出力部7は、水平走査部6から転送される信号をデジタル処理し、シリアルデータとして光電変換装置100の外部に出力する出力回路である。信号出力部7は、デジタル処理部と、パラレル・シリアル変換回路と、LVDS(Low Voltage Differential Signaling)などの出力回路と、を含んで構成され得る。
なお、列回路部5がAD変換の機能を有することは必須ではなく、例えば、光電変換装置100の外部でAD変換処理を行うように構成されていてもよい。この場合、水平走査部6及び信号出力部7の構成も、アナログ信号の処理に適合するように適宜変更される。
次に、本実施形態による光電変換装置における画素Pの構成例について、図2を用いて説明する。図2は、本実施形態による光電変換装置における画素Pの構成例を示す回路図である。図2には、画素部4を構成する画素Pのうち第m列第n行に配された画素P(m,n)の構成のみを示しているが、他の画素Pについても同様である。
各々の画素Pは、例えば図2に示すように、8個の光電変換部PD1~PD8と、8個の転送トランジスタM1~M8と、リセットトランジスタM9と、増幅トランジスタM10と、選択トランジスタM11と、により構成され得る。なお、各々の画素Pが有する光電変換部PDの数は、必ずしも8個である必要はない。
光電変換部PD1~PD8は、例えばフォトダイオードやフォトゲートなどの光電変換素子により構成され得る。ここでは光電変換部PD1~PD8がフォトダイオードにより構成されている場合を想定する。光電変換部PD1を構成するフォトダイオードは、アノードが接地ノードに接続され、カソードが転送トランジスタM1のソースに接続されている。光電変換部PD2~PD8を構成するフォトダイオードについても光電変換部PD1を構成するフォトダイオードと同様、アノードが接地ノードに接続され、カソードがそれぞれに対応する転送トランジスタM2~M8のソースに接続されている。
転送トランジスタM1~M8のドレインは、リセットトランジスタM9のソース及び増幅トランジスタM10のゲートに接続されている。転送トランジスタM1~M8のドレインと、リセットトランジスタM9のソースと、増幅トランジスタM10のゲートとの接続ノードは、いわゆる浮遊拡散部FDである。リセットトランジスタM9のドレイン及び増幅トランジスタM10のドレインは、電源電圧ノード(電圧VCC)に接続されている。増幅トランジスタM10のソースは、選択トランジスタM11のドレインに接続されている。選択トランジスタM11のソースは、垂直出力線Vline1(m)に接続されている。画素Pが接続される垂直出力線は、行毎に異なっている。例えば、奇数行の画素Pの選択トランジスタM11のソースを垂直出力線Vline1(m)に接続し、偶数行の画素Pの選択トランジスタM11のソースを垂直出力線Vline2(m)に接続することができる。なお、垂直出力線Vline1,Vline2への接続は、必ずしも1行毎に変更する必要はなく、複数行毎に変更してもよい。各列に配された垂直出力線Vlineが3本以上の場合も同様である。
図2に示す画素構成の場合、画素部4の各行に配される制御線の各々は、転送トランジスタM1~M8の各々に対応する8本の転送ゲート信号線と、リセット信号線と、選択信号線と、を含む。第n行の8本の転送ゲート信号線の各々は、転送トランジスタM1~M8のうちの対応する転送トランジスタのゲートに、垂直走査部3から出力される制御信号PTX1(n)~PTX8(n)のうちの対応する制御信号を供給する。例えば、第n行の画素Pの転送トランジスタM1に対応する転送ゲート信号線は、第n行の画素Pの転送トランジスタM1のゲートに、制御信号PTX1(n)を供給する。第n行の画素Pの転送トランジスタM2~M8に対応する転送ゲート信号線についても同様である。第n行のリセット信号線は、第n行の画素PのリセットトランジスタM9のゲートに、垂直走査部3から出力される制御信号PRES(n)を供給する。第n行の選択信号線は、第n行の画素Pの選択トランジスタM11のゲートに、垂直走査部3から出力される制御信号PSEL(n)を供給する。同一行の画素Pに対しては、共通の制御信号が垂直走査部3から供給される。
光電変換部PD1~PD8は、入射光をその光量に応じた量の電荷に変換(光電変換)するとともに、生じた電荷を蓄積する。転送トランジスタM1~M8は、オン(導通状態)になることにより、対応する光電変換部PD1~PD8が保持する電荷を浮遊拡散部FDに転送する。すなわち、光電変換部PD1~PD8は、1つの浮遊拡散部FDを共有している。浮遊拡散部FDは容量成分を有し、光電変換部PD1~PD8から転送された電荷を保持するとともに、その容量による電荷電圧変換によって浮遊拡散部FDを電荷の量に応じた電位に設定する。増幅トランジスタM10は、ドレインに電圧VCCが供給されソースに垂直出力線Vline1(m)及び選択トランジスタM11を介して不図示の電流源からバイアス電流が供給される構成となっており、ゲートを入力とするソースフォロワ回路を構成する。これにより増幅トランジスタM10は、浮遊拡散部FDの電位に基づく信号を、選択トランジスタM11を介して垂直出力線Vline1(m)に出力する。リセットトランジスタM9は、オン(導通状態)になることにより浮遊拡散部FDを電源電圧に応じた電位にリセットする。また、リセットトランジスタM9と同時に転送トランジスタM1~M8をオン(導通状態)にすることで、光電変換部PD1~PD8を電圧VCCに応じた電位にリセットすることができる。選択トランジスタM11は、増幅トランジスタM10と垂直出力線Vline1(m)との間の接続の切り替えを行う。
光電変換部PD1~PD8は、転送トランジスタM1~M8がオフ(非導通状態)のとき、光電変換によって生じた電荷を蓄積する蓄積状態となる。転送トランジスタM1~M8及びリセットトランジスタM9がオン(導通状態)のとき、光電変換部PD1~PD8に電荷は蓄積されず、非蓄積状態、すなわちリセット状態となる。リセットトランジスタM9がオフ(非導通状態)のときに転送トランジスタM1~M8がオン(導通状態)になり光電変換部PD1~PD8に蓄積された電荷が浮遊拡散部FDへと転送されることで、画素Pは読み出し状態となる。なお、光電変換部PD1~PD8のリセットは、光電変換部PD1~PD8のカソードを電源電圧に接続する別のトランジスタ(図示せず)によって制御されてもよい。
各トランジスタがNチャネルトランジスタで構成される場合、垂直走査部3からハイレベルの制御信号が供給されると対応するトランジスタがオンになり、垂直走査部3からローレベルの制御信号が供給されると対応するトランジスタがオフになる。ここでは、ハイレベルが論理値「1」に対応し、ローレベルが論理値「0」に対応するものとする。なお、画素Pを構成する各トランジスタは、Nチャネルトランジスタにより構成され得るが、Pチャネルトランジスタにより構成されていてもよい。
次に、本実施形態による光電変換装置における制御部2の構成例について、図3を用いて説明する。図3は、本実施形態による光電変換装置における制御部2の構成例を示すブロック図である。
制御部2は、図3に示すように、同期信号生成部21と、読み出し行・リセット行アドレス生成部22と、垂直走査タイミング制御部23と、列回路タイミング制御部24と、水平走査タイミング制御部25と、を有する。
同期信号生成部21は、処理装置1からの制御信号に従い、読み出し処理用の垂直同期信号V_RDと、リセット処理用の垂直同期信号V_SHA,V_SHBと、水平同期信号Hpdと、を生成する。水平同期信号Hpdの生成周期は、光電変換部PD1~PD8の選択を切り替える周期pdである。リセット処理用の垂直同期信号の数は、読み出し行・リセット行アドレス生成部22の構成に応じて適宜変更することができ、1つであってもよいし3つ以上であってもよい。
読み出し行・リセット行アドレス生成部22は、同期信号生成部21からの同期信号に従い、読み出し行アドレス信号、リセットA行アドレス信号及びリセットB行アドレス信号を生成し、垂直走査部3に出力する。読み出し行アドレス(行アドレス信号addr_rd)は、読み出し処理の対象となる画素Pが配された行の位置を示す。リセットA行アドレス(行アドレス信号addr_sha)及びリセットB行アドレス(行アドレス信号addr_shb)は、リセット処理の対象となる画素Pが配された行の位置を示す。リセット行アドレスの数は、1つであってもよいし3つ以上であってもよい。
また、読み出し行・リセット行アドレス生成部22は、読み出し処理用のカウント信号(cnt_hpd_rd)と、リセット処理用のカウント信号(cnt_hpd_sha,cnt_hpd_shb)と、を生成し、垂直走査タイミング制御部23に出力する。なお、リセット処理用のカウント信号の数は、1つであってもよいし3つ以上であってもよい。
垂直走査タイミング制御部23は、同期信号生成部21からの同期信号及び読み出し行・リセット行アドレス生成部22からのカウント信号に従い、垂直走査部3の駆動タイミングを制御する信号を生成し、垂直走査部3に出力する。
列回路タイミング制御部24は、同期信号生成部21からの同期信号に従い、列回路部5の駆動タイミングを制御する信号を生成し、列回路部5に出力する。
水平走査タイミング制御部25は、同期信号生成部21からの同期信号に従い、水平走査部6の駆動タイミングを制御する信号を生成し、水平走査部6に出力する。
次に、本実施形態による光電変換装置における読み出し行・リセット行アドレス生成部22の構成例について、図4を用いて説明する。図4は、本実施形態による光電変換装置における読み出し行・リセット行アドレス生成部の構成例を示すブロック図である。
読み出し行・リセット行アドレス生成部22は、図4に示すように、読み出し行アドレス用水平同期信号生成部221と、読み出し行アドレス生成部222と、を有する。また、読み出し行・リセット行アドレス生成部22は、リセットA行アドレス用水平同期信号生成部223と、リセットA行アドレス生成部224と、リセットB行アドレス用水平同期信号生成部225と、リセットB行アドレス生成部226と、を更に有する。リセット行アドレス用の水平同期信号生成部及びリセット行アドレス生成部の各々の数は、1つであってもよいし3つ以上であってもよい。
読み出し行アドレス用水平同期信号生成部221は、同期信号生成部21から供給される垂直同期信号V_RD及び水平同期信号Hpdを受け、水平同期信号Hfd_RDと、カウント信号cnt_hpd_rdと、を生成する。水平同期信号Hfd_RDは、浮遊拡散部FDの選択を切り替える周期fdで生成される信号であり、読み出し行アドレス生成部222に出力される。なお、光電変換部PD1~PD8の選択を切り替える周期pdは、浮遊拡散部FDの選択を切り替える周期fdよりも短い。カウント信号cnt_hpd_rdは、水平同期信号Hpdをカウントする読み出し用カウンタの出力信号であり、垂直走査タイミング制御部23に出力される。
読み出し行アドレス生成部222は、読み出し行アドレス用水平同期信号生成部221から供給される水平同期信号Hfd_RDを受け、読み出し処理の対象となる行のアドレス(行アドレス信号addr_rd)を生成し、垂直走査部3に出力する。
リセットA行アドレス用水平同期信号生成部223は、同期信号生成部21から供給される垂直同期信号V_SHA及び水平同期信号Hpdを受け、水平同期信号Hfd_SHAと、カウント信号cnt_hpd_shaと、を生成する。水平同期信号Hfd_SHAは、浮遊拡散部FDの選択を切り替える周期fdで生成される信号であり、リセットA行アドレス生成部224に出力される。カウント信号cnt_hpd_shaは、水平同期信号Hpdをカウントするリセット用カウンタの出力信号であり、垂直走査タイミング制御部23に出力される。
リセットA行アドレス生成部224は、リセットA行アドレス用水平同期信号生成部223から供給される水平同期信号Hfd_SHAを受け、リセットA処理の対象となる行のアドレス(行アドレス信号addr_sha)を生成し、垂直走査部3に出力する。
リセットB行アドレス用水平同期信号生成部225は、同期信号生成部21から供給される垂直同期信号V_SHB及び水平同期信号Hpdを受け、水平同期信号Hfd_SHBと、カウント信号cnt_hpd_shbと、を生成する。水平同期信号Hfd_SHBは、浮遊拡散部FDの選択を切り替える周期fdで生成される信号であり、リセットB行アドレス生成部226に出力される。カウント信号cnt_hpd_shbは、水平同期信号Hpdをカウントするリセット用カウンタの出力信号であり、垂直走査タイミング制御部23に出力される。
リセットB行アドレス生成部226は、リセットB行アドレス用水平同期信号生成部225から供給される水平同期信号Hfd_SHBを受け、リセットB処理の対象となる行のアドレス(行アドレス信号addr_shb)を生成し、垂直走査部3に出力する。
次に、本実施形態による光電変換装置における読み出し行・リセット行アドレス生成部22の動作例について、図5を用いて説明する。図5は、本実施形態による光電変換装置における読み出し行・リセット行アドレス生成部22の動作例を示すタイミング図である。
まず、読み出し行アドレス(行アドレス信号addr_rd)の生成動作について、図5を用いて説明する。
時刻t100_rdにおいて、同期信号生成部21から供給される垂直同期信号V_RDがローレベルからハイレベルに遷移する。そして、垂直同期信号V_RDがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値が値0に初期化される。
続く時刻t101_rdにおいて、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値が値0に初期化されたことを受け、水平同期信号Hfd_RDがローレベルからハイレベルに遷移する。なお、水平同期信号Hfd_RDがローレベルからハイレベルに遷移するタイミングは、必ずしもカウント信号cnt_hpd_rdの値0に応じたタイミングである必要はなく、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
同じく時刻t101_rdにおいて、水平同期信号Hfd_RDがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、行アドレス信号addr_rdが値0に遷移する。値0は予め定められた設定値であり、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
続く時刻t102_rdにおいて、同期信号生成部21から供給される水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移する。そして、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値がカウントアップし、値0から値1に遷移する。以後、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値は、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移するたびにカウントアップする。
続く時刻t103_rdにおいて、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移する。時刻t103_rdにおいてカウント信号cnt_hpd_rdのカウント値が値7であったものとすると、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値が値0に初期化される。なお、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値が値0に初期化されるタイミングは、必ずしもカウント信号cnt_hpd_rdの値7に応じたタイミングである必要はなく、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
続く時刻t104_rdにおいて、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値が値0に初期化されたことを受け、水平同期信号Hfd_RDがローレベルからハイレベルに遷移する。
同じく時刻t104_rdにおいて、水平同期信号Hfd_RDがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、行アドレス信号addr_rdの値がカウントアップし、値0から値1に遷移する。なお、カウントアップの幅は必ずしも+1である必要はなく、また、カウントアップせずに特定の値に遷移するように構成してもよい。或いは、行アドレス信号addr_rdの値をレジスタなどで制御できる構成としてもよい。以後、行アドレス信号addr_rdの値は、水平同期信号Hfd_RDがローレベルからハイレベルに遷移するたびにカウントアップする。つまり、行アドレス信号addr_rdの値の更新周期は、周期fdである。
このように、本駆動例では、カウント信号cnt_hpd_rdの値7に応じたタイミングが、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値の初期化のタイミングであり、行アドレス信号addr_rdの更新タイミングである。値7は、行アドレス信号addr_rdの更新タイミングを規定する設定値である。
次に、リセットA行アドレス(行アドレス信号addr_sha)の生成動作について、図5を用いて説明する。
時刻t100_shaにおいて、同期信号生成部21から供給される垂直同期信号V_SHAがローレベルからハイレベルに遷移する。そして、垂直同期信号V_SHAがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値が値0に初期化される。
続く時刻t101_shaにおいて、カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値が値0に初期化されたことを受け、水平同期信号Hfd_SHAがローレベルからハイレベルに遷移する。なお、水平同期信号Hfd_SHAがローレベルからハイレベルに遷移するタイミングは、必ずしもカウント信号cnt_hpd_shaの値0に応じたタイミングである必要はなく、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
同じく時刻t101_shaにおいて、水平同期信号Hfd_SHAがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、行アドレス信号addr_shaが値0に遷移する。値0は予め定められた設定値であり、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
続く時刻t102_shaにおいて、同期信号生成部21から供給される水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移する。そして、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値がカウントアップし、値0から値1に遷移する。以後、カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値は、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移するたびにカウントアップする。
続く時刻t103_shaにおいて、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移する。時刻t103_shaにおいてカウント信号cnt_hpd_shaのカウント値が値7であったものとすると、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値が値0に初期化される。なお、カウント信号cnt_hpd_shaが値0に初期化されるタイミングは、必ずしもカウント信号cnt_hpd_shaの値7に応じたタイミングである必要はなく、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
続く時刻t104_shaにおいて、カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値が値0に初期化されたことを受け、水平同期信号Hfd_SHAがローレベルからハイレベルに遷移する。
同じく時刻t104_shaにおいて、水平同期信号Hfd_SHAがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、行アドレス信号addr_shaの値がカウントアップし、値0から値1に遷移する。なお、カウントアップの幅は必ずしも+1である必要はなく、また、カウントアップせずに特定の値に遷移するように構成してもよい。或いは、行アドレス信号addr_shaの値をレジスタなどで制御できる構成としてもよい。以後、行アドレス信号addr_shaの値は、水平同期信号Hfd_SHAがローレベルからハイレベルに遷移するたびにカウントアップする。つまり、行アドレス信号addr_shaの値の更新周期は、周期fdである。
このように、本駆動例では、カウント信号cnt_hpd_shaの値7に応じたタイミングが、カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値の初期化のタイミングであり、行アドレス信号addr_shaの更新タイミングである。値7は、行アドレス信号addr_shaの更新タイミングを規定する設定値である。
次に、リセットB行アドレス(行アドレス信号addr_shb)の生成動作について、図5を用いて説明する。
時刻t100_shbにおいて、同期信号生成部21から供給される垂直同期信号V_SHBがローレベルからハイレベルに遷移する。そして、垂直同期信号V_SHBがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、カウント信号cnt_hpd_shbのカウント値が値0に初期化される。
続く時刻t101_shbにおいて、カウント信号cnt_hpd_shbのカウント値が値0に初期化されたことを受け、水平同期信号Hfd_SHBがローレベルからハイレベルに遷移する。なお、水平同期信号Hfd_SHBがローレベルからハイレベルに遷移するタイミングは、必ずしもカウント信号cnt_hpd_shbの値0に応じたタイミングである必要はなく、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
同じく時刻t101_shbにおいて、水平同期信号Hfd_SHBがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、行アドレス信号addr_shbが値0に遷移する。値0は予め定められた設定値であり、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
続く時刻t102_shbにおいて、同期信号生成部21から供給される水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移する。そして、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、カウント信号cnt_hpd_shbのカウント値がカウントアップし、値0から値1に遷移する。以後、カウント信号cnt_hpd_shbのカウント値は、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移するたびにカウントアップする。
続く時刻t103_shbにおいて、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移する。時刻t103_shbにおいてカウント信号cnt_hpd_shbのカウント値が値7であったものとすると、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、カウント信号cnt_hpd_shbのカウント値が値0に初期化される。なお、カウント信号cnt_hpd_shbのカウント値が値0に初期化されるタイミングは、必ずしもカウント信号cnt_hpd_shbの値7に応じたタイミングである必要はなく、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
続く時刻t104_shbにおいて、カウント信号cnt_hpd_shbのカウント値が値0に初期化されたことを受け、水平同期信号Hfd_SHBがローレベルからハイレベルに遷移する。
同じく時刻t104_shbにおいて、水平同期信号Hfd_SHBがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、行アドレス信号addr_shbの値がカウントアップし、値0から値1に遷移する。なお、カウントアップの幅は必ずしも+1である必要はなく、また、カウントアップせずに特定の値に遷移するように構成してもよい。或いは、行アドレス信号addr_shbの値をレジスタなどで制御できる構成としてもよい。以後、行アドレス信号addr_shbの値は、水平同期信号Hfd_SHBがローレベルからハイレベルに遷移するたびにカウントアップする。つまり、行アドレス信号addr_shbの値の更新周期は、周期fdである。
このように、本駆動例では、カウント信号cnt_hpd_shbの値7に応じたタイミングが、カウント信号cnt_hpd_shbのカウント値の初期化のタイミングであり、行アドレス信号addr_shbの更新タイミングである。値7は、行アドレス信号addr_shbの更新タイミングを規定する設定値である。
次に、本実施形態による光電変換装置における垂直走査タイミング制御部23の動作例について、図6を用いて説明する。図6は、本実施形態による光電変換装置における垂直走査タイミング制御部23の動作例を示すタイミング図である。
垂直走査タイミング制御部23は、制御信号psel、pres_b,ptx1_rd~ptx8_rd,ptx1_sha~ptx8_sha,ptx1_shb~ptx8_shbを生成し、垂直走査部3に出力する。また、垂直走査タイミング制御部23は、読み出し行用記憶部制御信号、リセット行用記憶部制御信号、非蓄積行用記憶部制御信号を生成し、垂直走査部3に出力する。これら信号は、垂直走査部3の駆動タイミングを制御する信号である。
制御信号psel及び制御信号pres_bは、水平同期信号Hpdがハイレベルに遷移してから次にハイレベルに遷移するまでの1Hpd期間の間に、ハイレベルに遷移し、ローレベルに遷移する。ここでの1Hpd期間は、光電変換部PD1~PD8の選択を切り替える周期pdである。制御信号psel及び制御信号pres_bのレベルが遷移するタイミングは、予め定められた設定値に従う。なお、この設定値はレジスタなどで制御できる構成としてもよい。
制御信号ptx1_rd~ptx8_rdは、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値が値0に遷移してから次に値0に遷移するまでの8Hpd期間の中のある1Hpd期間の間に、ハイレベルに遷移し、ローレベルに遷移する。ここでの8Hpd期間は、浮遊拡散部FDの選択を切り替える周期fdである。制御信号ptx1_rd~ptx8_rdのレベルが遷移するタイミングは、予め定められた設定値に従う。なお、この設定値はレジスタなどで制御できる構成としてもよい。
カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値が値0のとき、制御信号ptx1_rdは、時刻t200_rdにおいてハイレベルに遷移し、続く時刻t201_rdにおいてローレベルに遷移する。カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値が値0でないとき、制御信号ptx1_rdはローレベルを維持する。
同様に、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値が値1のとき、制御信号ptx2_rdは、時刻t202_rdにおいてハイレベルに遷移し、続く時刻t203_rdにおいてローレベルに遷移する。カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値が値1でないとき、制御信号ptx2_rdはローレベルを維持する。
制御信号ptx3_rd~ptx8_rdについても、順次同様の動作をする。なお、制御信号ptx1_rdのレベルが遷移する際のカウント信号cnt_hpd_rdのカウント値は値0である必要はなく、制御信号ptx1_rdのレベルが遷移するタイミングをレジスタなどで制御する構成としてもよい。制御信号ptx2_rd~ptx8_rdについても同様である。また、制御信号ptx1_rd~ptx8_rdのレベルが互いに異なる1Hpd期間中に遷移する必要はなく、同じ1Hpd期間中に複数の制御信号ptx#_rd(#は1~8の整数)のレベルが遷移してもよい。
制御信号ptx1_sha~ptx8_shaは、カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値が値0に遷移してから次に値0に遷移する8Hpd期間の中のある1Hpd期間の間に、ハイレベルに遷移し、ローレベルに遷移する。1Hpd期間中の動作は、制御信号ptx1_rd~ptx8_rdの動作と同様である。
制御信号ptx1_shb~ptx8_shbは、カウント信号cnt_hpd_shbのカウント値が値0に遷移してから次に値0に遷移する8Hpd期間の中のある1Hpd期間の間に、ハイレベルに遷移し、ローレベルに遷移する。1Hpd期間中の動作は、制御信号ptx1_rd~ptx8_rdの動作と同様である。
次に、本実施形態による光電変換装置における垂直走査部3の構成例について、図7を用いて説明する。図7は、本実施形態による光電変換装置における垂直走査部3の構成例を示すブロック図である。
垂直走査部3は、図7に示すように、アドレスデコーダ部31と、N/2個の行駆動部32と、を有する。なお、図7の構成例では1つの行駆動部32が2行を駆動する構成としているが、1つの行駆動部32が1行又は3行以上を駆動する構成としてもよい。
アドレスデコーダ部31は、図7に示すように、RD用アドレスデコーダ部31aと、SHA用アドレスデコーダ部31bと、SHB用アドレスデコーダ部31cと、を有する。
RD用アドレスデコーダ部31aは、制御部2で生成された行アドレス信号addr_rdをデコードしてデコード信号vaddr_rd(1)~vaddr_rd(N/2)を生成し、対応する行駆動部32に出力する。行アドレス信号addr_rdは、画素部4において駆動される行番号を示す信号であり、デコード信号vaddr_rd(1)~vaddr_rd(N/2)は画素部4の駆動される行に対応する行駆動部32を選択するための信号である。
同様に、SHA用アドレスデコーダ部31bは、行アドレス信号addr_shaをデコードしてデコード信号vaddr_sha(1)~vaddr_sha(N/2)を生成し、対応する行駆動部32に出力する。行アドレス信号addr_shaは、画素部4において駆動される行番号を示す信号であり、デコード信号vaddr_sha(1)~vaddr_sha(N/2)は画素部4の駆動される行に対応する行駆動部32を選択するための信号である。
また、SHB用アドレスデコーダ部31cは、行アドレス信号addr_shbをデコードしてデコード信号vaddr_shb(1)~vaddr_shb(N/2)を生成し、対応する行駆動部32に出力する。行アドレス信号addr_shbは、画素部4において駆動される行番号を示す信号であり、デコード信号vaddr_shb(1)~vaddr_shb(N/2)は画素部4の駆動される行に対応する行駆動部32を選択するための信号である。
行駆動部32の各々は、図7に示すように、読み出し行用記憶部321と、リセット行用記憶部322と、非蓄積行用記憶部323と、画素制御信号生成部324と、を有する。垂直走査部3には、制御部2において生成された前述の各種制御信号が供給される。これら制御信号は、N/2個の行駆動部32に共通の信号である。
以下の説明では主として1行目及び2行目に対応する行駆動部32の構成について説明するが、他の行に対応する行駆動部32の構成についても同様である。
アドレスデコーダ部31から出力されたデコード信号vaddr_rd(1)は、読み出し行用記憶部321に入力される。読み出し行用記憶部321は、読み出し行用記憶部制御信号によって制御され、デコード信号vaddr_rd(1)のレベルを記憶する。読み出し行用記憶部321の出力信号は、対応する行の画素Pに電荷の読み出し処理を行わせるための信号である。
アドレスデコーダ部31から出力されたデコード信号vaddr_sha(1)及びデコード信号vaddr_shb(1)は、リセット行用記憶部322に入力される。リセット行用記憶部322は、リセット行用記憶部制御信号によって制御され、デコード信号vaddr_sha(1)のレベル及びデコード信号vaddr_shb(1)のレベルを記憶する。リセット行用記憶部322の出力信号は、対応する行の画素Pに電荷のリセット処理を行わせるための信号である。
非蓄積行用記憶部323は、非蓄積行用記憶部制御信号によって制御され、読み出し行用記憶部321の出力及びリセット行用記憶部322の出力に応じて、蓄積中でない画素Pに電荷のリセット処理を行わせるための信号を出力する。
画素制御信号生成部324は、読み出し行用記憶部321、リセット行用記憶部322及び非蓄積行用記憶部323から出力される信号を受け、対象の行の画素Pにおいて、読み出し処理を行うか、リセット処理を行うか、非蓄積処理を行うか、を判断する。また、画素制御信号生成部324は、制御信号psel,pres_b,ptx1_rd~ptx8_rd,ptx1_sha~ptx8_sha,ptx1_shb~ptx8_shbに応じて、対象の行の画素Pに画素制御信号を出力する。画素制御信号生成部324から出力される画素制御信号は、制御信号PRES(1),PSEL(1),PTX1(1)~PTX8(1),PRES(2),PSEL(2),PTX1(2)~PTX8(2)である。
次に、本実施形態による光電変換装置における画素制御信号生成部324及び画素部4の動作例について、図8A乃至図8Cを用いて説明する。図8A乃至図8Cは、本実施形態による光電変換装置における画素制御信号生成部324及び画素部4の動作例を示すタイミング図である。
まず、読み出し処理における画素制御信号生成部324及び画素部4の動作について、図8Bを用いて説明する。
時刻t300_rdにおいて、行アドレス信号addr_rdの値が値(J-1)から値Jに遷移したものとする。これにより、画素部4の2J行目と(2J-1)行目とが読み出し処理の対象行となる。画素部4の2J行目と(2J-1)行目とは同じ動作をするため、以下では画素部4の2J行目における動作のみを説明する。
画素部4の2J行目に出力される画素制御信号は、制御信号PSEL(2J),PRES(2J),PTX1(2J)~PTX8(2J)である。制御信号PSEL(2J)は、制御信号pselを元信号として画素制御信号生成部324において生成される。制御信号PRES(2J)は、制御信号pres_bを元信号として、画素制御信号生成部324において生成される。制御信号PTX1(2J)~PTX8(2J)は、制御信号ptx1_rd~ptx8_rdを元信号として、画素制御信号生成部324において生成される。行アドレス信号addr_rdは8Hpd期間にわたって値Jを示すため、画素部4の2J行目は8Hpd期間にわたって読み出し処理の対象行となる。
続く時刻t301_rdにおいて、行アドレス信号addr_rdの値が値Jから値(J+1)に遷移すると、画素部4の2J行目は非蓄積処理の対象である非蓄積行となる。非蓄積行では、制御信号PTX1~PTX8及び制御信号PRESをハイレベルにすることで、光電変換部PD及び浮遊拡散部FDをリセット状態に維持する。
同じく時刻t301_rdにおいて、行アドレス信号addr_rdの値が値Jから値(J+1)に遷移すると、画素部4の(2(J+1))行目と(2(J+1)-1)行目とが読み出し処理の対象行となる。画素部4の(2(J+1))行目及び(2(J+1)-1)行目の動作は画素部4の2J行目の動作と同様であるため、説明は省略する。
次に、リセットA処理における画素制御信号生成部324及び画素部4の動作について、図8Aを用いて説明する。
時刻t300_shaにおいて、行アドレス信号addr_shaの値が値(I-1)から値Iに遷移したものとする。これにより、画素部4の2I行目と(2I-1)行目とがリセットA処理の対象行となる。画素部4の2I行目と(2I-1)行目とは同じ動作をするため、以下では画素部4の2I行目における動作のみを説明する。
画素部4の2I行目に出力される画素制御信号は、制御信号PSEL(2I),PRES(2I),PTX1(2I)~PTX8(2I)である。これらのうち、制御信号PSEL(2I)はローレベルに固定され、制御信号PRES(2I)はハイレベルに固定される。制御信号PTX1(2I)~PTX8(2I)は、制御信号ptx1_sha~ptx8_shaを元信号として、画素制御信号生成部324において生成される。行アドレス信号addr_shaは8Hpd期間にわたって値Iを示すため、画素部4の2I行目は8Hpd期間にわたってリセットA処理の対象行となる。
続く時刻t301_shaにおいて、行アドレス信号addr_shaの値が値Iから値(I+1)に遷移すると、画素部4の2I行目は蓄積状態となる。蓄積状態の行では、制御信号PTX1~PTX8をローレベルとし、光電変換部PDに電荷を蓄積する。
同じく時刻t301_shaにおいて、行アドレス信号addr_shaの値が値Iから値(I+1)に遷移すると、画素部4の(2(I+1))行目及び(2(I+1)-1)行目の非蓄積処理が解除され、リセットA処理の対象行となる。画素部4の(2(I+1))行目及び(2(I+1)-1)行目の動作は画素部4の2I行目の動作と同様であるため、説明は省略する。
次に、リセットB処理における画素制御信号生成部324及び画素部4の動作について、図8Cを用いて説明する。
時刻t300_shbにおいて、行アドレス信号addr_shbの値が値(K-1)から値Kに遷移したものとする。これにより、画素部4の2K行目と(2K-1)行目とがリセットB処理の対象行となる。画素部4の2K行目と(2K-1)行目とは同じ動作をするため、以下では画素部4の2K行目における動作のみを説明する。
画素部4の2K行目に出力される画素制御信号は、制御信号PSEL(2K),PRES(2K),PTX1(2K)~PTX8(2K)である。これらのうち、制御信号PSEL(2K)はローレベルに固定され、制御信号PRES(2K)はハイレベルに固定される。制御信号PTX1(2K)~PTX8(2K)は、制御信号ptx1_shb~ptx8_shbを元信号として、画素制御信号生成部324において生成される。行アドレス信号addr_shbは8Hpd期間にわたって値Kを示すため、画素部4の2K行目は8Hpd期間にわたってリセットB処理の対象行となる。
続く時刻t301_shbにおいて、行アドレス信号addr_shbの値が値Kから値(K+1)に遷移すると、画素部4の2K行目は蓄積状態となる。蓄積状態の行では、制御信号PTX1~PTX8をローレベルとし、光電変換部PDに電荷を蓄積する。
同じく時刻t301_shbにおいて、行アドレス信号addr_shbの値が値Kから値(K+1)に遷移すると、画素部4の(2(K+1))行目及び(2(K+1)-1)行目の非蓄積処理が解除され、リセットB処理の対象行となる。画素部4の(2(K+1))行目及び(2(K+1)-1)行目の動作は画素部4の2K行目の動作と同様であるため、説明は省略する。
次に、本実施形態による光電変換装置の垂直走査における行アドレスの遷移について、図9を用いて説明する。図9は、本実施形態による光電変換装置の垂直走査における行アドレスの遷移を説明するタイミング図である。
時刻Pから時刻P+7の期間において、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス2IはリセットA処理の対象行となる。なお、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス2Iは、画素部4の(2I-1)行目及び2I行目と同一である。
時刻Pには、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス2Iにおいて、制御信号PTX1を受ける転送トランジスタM1を介して接続された光電変換部PD1が選択され、リセットA処理が行われる。
続く時刻P+1には、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス2Iにおいて、制御信号PTX2を受ける転送トランジスタM2を介して接続された光電変換部PD2が選択され、リセットA処理が行われる。
以下、同様にして、時刻P+2から時刻P+7までの期間に、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス2Iにおいて光電変換部PD3~PD8が順次選択され、リセットA処理が行われる。
時刻P+8に行アドレスが(I+1)に遷移すると、FDアドレス(2(I+1)-1)及びFDアドレス(2(I+1))において、制御信号PTX1を受ける転送トランジスタM1を介して接続された光電変換部PD1が選択され、リセットA処理が行われる。
以下、同様にして、時刻P+9から時刻P+15までの期間、FDアドレス(2(I+1)-1)及びFDアドレス(2(I+1))において光電変換部PD2~PD8が順次選択され、リセットA処理が行われる。
時刻P+2から時刻P+9の期間において、FDアドレス(2J-1)及びFDアドレス2Jは読み出し処理の対象行となる。
時刻P+2には、FDアドレス(2J-1)及びFDアドレス2Jにおいて、制御信号PTX1を受ける転送トランジスタM1を介して接続された光電変換部PD1が選択され、読み出し処理が行われる。
以下、同様にして、時刻P+3から時刻P+9までの期間、FDアドレス(2J-1)及びFDアドレス2Jにおいて光電変換部PD2~PD8が順次選択され、読み出し処理が行われる。
時刻P+10に行アドレスがJ+1に遷移すると、FDアドレス(2(J+1)-1)及びFDアドレス(2(J+1))において、制御信号PTX1を受ける転送トランジスタM1を介して接続された光電変換部PD1が選択され、読み出し処理が行われる。
以下、同様にして、時刻P+11から時刻P+17までの期間、FDアドレス(2(J+1)-1)及びFDアドレス(2(J+1))において光電変換部PD2~PD8が順次選択され、読み出し処理が行われる。
時刻Qから時刻Q+7の期間において、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス2Iは読み出し処理の対象行となる。
時刻Qには、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス2Iにおいて、制御信号PTX1を受ける転送トランジスタM1を介して接続された光電変換部PD1が選択され、読み出し処理が行われる。つまり、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス2Iにおいて、光電変換部PD1の露光期間の長さはQ-Pとなる。
以下、同様にして、時刻Q+1から時刻Q+7までの期間、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス2Iにおいて光電変換部PD2~PD8が順次選択され、読み出し処理が行われる。
ここで、読み出し処理の開始タイミング及びリセットA処理の開始タイミングは、図5を用いて説明したように、1Hpd単位で制御することが可能であるため、光電変換部PDの露光時間は1Hpd単位で制御することができる。リセットB処理についても同様である。
また、1Hpd期間内での制御信号ptx1_rd~ptx8_rdのレベル遷移のタイミングと1Hpd期間内での制御信号ptx1_sha~ptx8_shaのレベル遷移のタイミングは、図6を用いて説明したように、独立に設定することができる。したがって、光電変換部PDの露光時間は、1Hpd以下の単位で制御することも可能である。制御信号ptx1_shb~ptx8_shbについても同様である。
このように、本実施形態においては、読み出し処理及びリセット処理の処理対象となる光電変換部PDの選択を切り替える周期pdの水平同期信号Hpdと、処理対象となる浮遊拡散部FDの選択を切り替える周期fdの水平同期信号Hfdと、を用いる。更に、水平同期信号Hfdとして、読み出し処理、リセットA処理及びリセットB処理において互いに独立である水平同期信号Hfd_RD、水平同期信号Hfd_SHA及び水平同期信号Hfd_SHBを用いる。これら水平同期信号Hfdの生成タイミングは1Hpd単位で制御可能であるため、行アドレス信号addr_rd及び行アドレス信号addr_sha,addr_shbの更新タイミングの設定単位も1Hpdとなる。すなわち、行アドレス信号addr_rd,addr_sha,addr_shbの更新タイミングの設定単位は、周期pdの1周期の長さに等しくなる。これにより、光電変換部PDの露光期間の長さを1Hpd単位で制御することが可能となる。
また、本実施形態においては、水平同期信号をカウントするカウント信号cnt_hpd_rd,cnt_hpd_sha,cnt_hpd_shbを有する。これにより、制御信号ptx1_rd~ptx8_rd,ptx1_sha~ptx8_sha,ptx1_shb~ptx8_shbを任意の順序で出力することができる。更に、制御信号ptx1_rd~ptx8_rd,ptx1_sha~ptx8_sha,ptx1_shb~ptx8_shbの1Hpd期間内でのレベル遷移のタイミングを独立にすることで、1Hpd以下の単位で露光時間を制御することも可能である。
したがって、本実施形態によれば、浮遊拡散部FDを共有する複数の光電変換部PDを有する画素Pを備えた光電変換装置において、露光時間の設定の自由度を向上することができる。
[第2実施形態]
本発明の第2実施形態による光電変換装置について、図10乃至図12を用いて説明する。第1実施形態による光電変換装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第2実施形態による光電変換装置について、図10乃至図12を用いて説明する。第1実施形態による光電変換装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本実施形態による光電変換装置は、水平同期信号Hpdをカウントするカウンタの構成が第1実施形態による光電変換装置とは異なっている。
はじめに、本実施形態による光電変換装置における読み出し行・リセット行アドレス生成部22の構成例について、図10を用いて説明する。図10は、本実施形態による光電変換装置における読み出し行・リセット行アドレス生成部22の構成例を示すブロック図である。
本実施形態による光電変換装置における読み出し行・リセット行アドレス生成部22は、図10に示すように、水平同期信号カウント生成部227を更に有している。水平同期信号カウント生成部227は、同期信号生成部21から供給される垂直同期信号V_ORG及び水平同期信号Hpdを受け、水平同期信号Hpdの計数値を示すカウント信号cnt_hpdを生成する。カウント信号cnt_hpdは、垂直走査タイミング制御部23に出力されるとともに、読み出し行アドレス用水平同期信号生成部221、リセットA行アドレス用水平同期信号生成部223及びリセットB行アドレス用水平同期信号生成部225に供給される。
なお、本実施形態では、読み出し行アドレス用水平同期信号生成部221においてカウント信号cnt_hpd_rdを生成しない。同様に、リセットA行アドレス用水平同期信号生成部223及びリセットB行アドレス用水平同期信号生成部225においてカウント信号cnt_hpd_sha及びカウント信号cnt_hpd_shbを生成しない。
水平同期信号カウント生成部227は、必ずしも読み出し行・リセット行アドレス生成部22の一部である必要はなく、読み出し行・リセット行アドレス生成部22の外部に設けてもよい。例えば、水平同期信号カウント生成部227は、同期信号生成部21が有していてもよい。また、カウント信号cnt_hpdは、読み出し行・リセット行アドレス生成部22及び垂直走査タイミング制御部23以外のブロックで共用してもよい。
次に、本実施形態による光電変換装置における読み出し行・リセット行アドレス生成部22の動作例について、図11を用いて説明する。図11は、本実施形態による光電変換装置における読み出し行・リセット行アドレス生成部22の動作例を示すタイミング図である。
まず、カウント信号cnt_hpdの生成動作について、図11を用いて説明する。
時刻t400_cntにおいて、同期信号生成部21から供給される垂直同期信号V_ORGがローレベルからハイレベルに遷移する。そして、垂直同期信号V_ORGがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、カウント信号cnt_hpdが値0に初期化される。値0は予め定められた設定値であり、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
時刻t400_cntにおいて、同期信号生成部21から供給される垂直同期信号V_ORGがローレベルからハイレベルに遷移する。そして、垂直同期信号V_ORGがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、カウント信号cnt_hpdが値0に初期化される。値0は予め定められた設定値であり、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
続く時刻t401_cntにおいて、同期信号生成部21から供給される水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移する。そして、水平同期信号Hpdがハイレベルに遷移したことを受け、カウント信号cnt_hpdの値がカウントアップし、値0から値1に遷移する。なお、カウントアップの幅は必ずしも+1である必要はなく、また、カウントアップせずに特定の値に遷移するように構成してもよい。或いは、行アドレス信号addr_rdの値をレジスタなどで制御できる構成としてもよい。以後、カウント信号cnt_hpdの値は、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移するたびにカウントアップする。
次に、読み出し行アドレス(行アドレス信号addr_rd)の生成動作について、図11を用いて説明する。
行アドレス信号addr_rdは、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットを参照して生成される。なお、参照するビットは下位3ビットである必要はなく、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。ここでは、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値3に応じたタイミングが、行アドレス信号addr_rdの更新タイミングであるものとする。値3は、行アドレス信号addr_rdの更新タイミングを規定する設定値である。
時刻t400_rdにおいて、同期信号生成部21から供給される垂直同期信号V_RDがローレベルからハイレベルに遷移する。
続く時刻t401_rdにおいて、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値が値3に遷移する。そして、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値が値3に遷移したことを受け、水平同期信号Hfd_RDがローレベルからハイレベルに遷移する。なお、水平同期信号Hfd_RDがローレベルからハイレベルに遷移するタイミングは、必ずしもカウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値3に応じたタイミングである必要はなく、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
同じく時刻t401_rdにおいて、水平同期信号Hfd_RDがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、行アドレス信号addr_rdが値0に遷移する。値0は予め定められた設定値であり、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
続く時刻t402_rdにおいて、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値が値3に遷移する。そして、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値が値3に遷移したことを受け、水平同期信号Hfd_RDがローレベルからハイレベルに遷移する。
同じく時刻t402_rdにおいて、水平同期信号Hfd_RDがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、行アドレス信号addr_rdの値がカウントアップし、値0から値1に遷移する。なお、カウントアップの幅は必ずしも+1である必要はなく、また、カウントアップせずに特定の値に遷移するように構成してもよい。或いは、行アドレス信号addr_rdの値をレジスタなどで制御できる構成としてもよい。以後、行アドレス信号addr_rdの値は、水平同期信号Hfd_RDがローレベルからハイレベルに遷移するたびにカウントアップする。
次に、リセットA行アドレス(行アドレス信号addr_sha)の生成動作について、図11を用いて説明する。
行アドレス信号addr_shaは、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットを参照して生成される。なお、参照するビットは下位3ビットである必要はなく、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。ここでは、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値1に応じたタイミングが、行アドレス信号addr_shaの更新タイミングであるものとする。値1は、行アドレス信号addr_shaの更新タイミングを規定する設定値である。
時刻t400_shaにおいて、同期信号生成部21から供給される垂直同期信号V_SHAがローレベルからハイレベルに遷移する。
続く時刻t401_shaにおいて、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値が値1に遷移する。そして、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値が値1に遷移したことを受け、水平同期信号Hfd_SHAがローレベルからハイレベルに遷移する。なお、水平同期信号Hfd_SHAがローレベルからハイレベルに遷移するタイミングは、必ずしもカウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値1に応じたタイミングである必要はなく、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
同じく時刻t401_shaにおいて、水平同期信号Hfd_SHAがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、行アドレス信号addr_shaが値0に遷移する。値0は予め定められた設定値であり、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
続く時刻t402_shaにおいて、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値が値1に遷移する。そして、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値が値1に遷移したことを受け、水平同期信号Hfd_SHAがローレベルからハイレベルに遷移する。
同じく時刻t402_shaにおいて、水平同期信号Hfd_SHAがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、行アドレス信号addr_shaの値がカウントアップし、値0から値1に遷移する。なお、カウントアップの幅は必ずしも+1である必要はなく、また、カウントアップせずに特定の値に遷移するように構成してもよい。或いは、行アドレス信号addr_shaの値をレジスタなどで制御できる構成としてもよい。以後、行アドレス信号addr_shaの値は、水平同期信号Hfd_SHAがローレベルからハイレベルに遷移するたびにカウントアップする。
次に、リセットB行アドレス(行アドレス信号addr_shb)の生成動作について、図11を用いて説明する。
行アドレス信号addr_shbは、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットを参照して生成される。なお、参照するビットは下位3ビットである必要はなく、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。ここでは、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値7に応じたタイミングが、行アドレス信号addr_shbの更新タイミングであるものとする。値7は、行アドレス信号addr_shbの更新タイミングを規定する設定値である。
時刻t400_shbにおいて、同期信号生成部21から供給される垂直同期信号V_SHBがローレベルからハイレベルに遷移する。
続く時刻t401_shbにおいて、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値が値7に遷移する。そして、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値が値7に遷移したことを受け、水平同期信号Hfd_SHBがローレベルからハイレベルに遷移する。なお、水平同期信号Hfd_SHBがローレベルからハイレベルに遷移するタイミングは、必ずしもカウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値7に応じたタイミングである必要はなく、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
同じく時刻t401_shbにおいて、水平同期信号Hfd_SHBがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、行アドレス信号addr_shbが値0に遷移する。値0は予め定められた設定値であり、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
続く時刻t402_shbにおいて、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値が値7に遷移する。そして、カウント信号cnt_hpdの下位3ビットの値が値7に遷移したことを受け、水平同期信号Hfd_SHBがローレベルからハイレベルに遷移する。
同じく時刻t402_shbにおいて、水平同期信号Hfd_SHBがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、行アドレス信号addr_shbの値がカウントアップし、値0から値1に遷移する。なお、カウントアップの幅は必ずしも+1である必要はなく、また、カウントアップせずに特定の値に遷移するように構成してもよい。或いは、行アドレス信号addr_shbの値をレジスタなどで制御できる構成としてもよい。以後、行アドレス信号addr_shbの値は、水平同期信号Hfd_SHBがローレベルからハイレベルに遷移するたびにカウントアップする。
次に、本実施形態による光電変換装置における垂直走査タイミング制御部23の動作例について、図12を用いて説明する。図12は、本実施形態による光電変換装置における垂直走査タイミング制御部23の動作例を示すタイミング図である。
垂直走査タイミング制御部23は、制御信号psel、pres_b,ptx1_rd~ptx8_rd,ptx1_sha~ptx8_sha,ptx1_shb~ptx8_shbを生成し、垂直走査部3に出力する。また、垂直走査タイミング制御部23は、読み出し行用記憶部制御信号、リセット行用記憶部制御信号、非蓄積行用記憶部制御信号を生成し、垂直走査部3に出力する。これら信号は、垂直走査部3の駆動タイミングを制御する信号である。
制御信号psel及び制御信号pres_bは、水平同期信号Hpdがハイレベルに遷移してから次にハイレベルに遷移するまでの1Hpd期間の間に、ハイレベルに遷移し、ローレベルに遷移する。ここでの1Hpd期間は、光電変換部PD1~PD8の選択を切り替える周期pdである。制御信号psel及び制御信号pres_bのレベルが遷移するタイミングは、予め定められた設定値に従う。なお、この設定値はレジスタなどで制御できる構成としてもよい。
制御信号ptx1_rd~ptx8_rdは、カウント信号cnt_hpdが値3に遷移してから次に値3に遷移するまでの8Hpd期間の中のある1Hpd期間の間に、ハイレベルに遷移し、ローレベルに遷移する。ここでの8Hpd期間は、浮遊拡散部FDの選択を切り替える周期fdである。制御信号ptx1_rd~ptx8_rdのレベルが遷移するタイミングは、予め定められた設定値に従う。なお、この設定値はレジスタなどで制御できる構成としてもよい。
カウント信号cnt_hpdが値3のとき、制御信号ptx1_rdは、時刻t500_rdにおいてハイレベルに遷移し、続く時刻t501_rdにおいてローレベルに遷移する。カウント信号cnt_hpdが値3でないとき、制御信号ptx1_rdはローレベルを維持する。
同様に、カウント信号cnt_hpdが値4のとき、制御信号ptx2_rdは、時刻t502_rdにおいてハイレベルに遷移し、続く時刻t503_rdにおいてローレベルに遷移する。カウント信号cnt_hpdが値4でないとき、制御信号ptx2_rdはローレベルを維持する。
制御信号ptx3_rd~ptx8_rdについても、順次同様の動作をする。なお、制御信号ptx1_rdのレベルが遷移する際のカウント信号cnt_hpdの値は値3である必要はなく、制御信号ptx1_rdのレベルが遷移するタイミングをレジスタなどで制御する構成としてもよい。制御信号ptx2_rd~ptx8_rdについても同様である。また、制御信号ptx1_rd~ptx8_rdのレベルが互いに異なる1Hpd期間中に遷移する必要はなく、同じ1Hpd期間中に複数の制御信号ptx#_rd(#は1~8の整数)のレベルが遷移してもよい。
制御信号ptx1_sha~ptx8_shaは、カウント信号cnt_hpdが値1に遷移してから次に値1に遷移する8Hpd期間の中のある1Hpd期間の間に、ハイレベルに遷移し、ローレベルに遷移する。1Hpd期間中の動作は、制御信号ptx1_rd~ptx8_rdの動作と同様である。
制御信号ptx1_shb~ptx8_shbは、カウント信号cnt_hpdが値7に遷移してから次に値7に遷移する8Hpd期間の中のある1Hpd期間の間に、ハイレベルに遷移し、ローレベルに遷移する。1Hpd期間中の動作は、制御信号ptx1_rd~ptx8_rdの動作と同様である。
このように、本実施形態においては、水平同期信号Hpdをカウントするカウンタの出力信号として、カウント信号cnt_hpd_rd,cnt_hpd_sha,カウント信号cnt_hpd_shbの代わりにカウント信号cnt_hpdを用いる。
したがって、本実施形態によれば、複数のカウンタを制御する必要がなくなるため、第1実施形態の効果に加え、回路規模を削減することが可能となる。
[第3実施形態]
本発明の第3実施形態による光電変換装置について、図13乃至図14を用いて説明する。第1及び第2実施形態による光電変換装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第3実施形態による光電変換装置について、図13乃至図14を用いて説明する。第1及び第2実施形態による光電変換装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本実施形態による光電変換装置は、水平同期信号Hpdをカウントするカウンタの構成が第1実施形態による光電変換装置とは異なっている。
はじめに、本実施形態による光電変換装置における画素Pの構成例について、図13を用いて説明する。図13は、本実施形態による光電変換装置における画素Pの構成例を示す回路図である。図13には、画素部4を構成する画素Pのうち第m列第n行に配された画素P(m,n)の構成のみを示しているが、他の画素Pについても同様である。
各々の画素Pは、光電変換部PD1a~PD8a,PD1b~PD8bと、転送トランジスタM1a~M8a,M1b~M8bと、リセットトランジスタM9と、増幅トランジスタM10と、選択トランジスタM11と、により構成され得る。光電変換部PD1aと光電変換部PD2bとは、1つのマイクロレンズを共有する組を構成しており、互いに異なる瞳領域を通過した光を受光する。光電変換部PD2a,PD2b~PD8a,PD8bの各々の組についても同様である。転送トランジスタM1a~M8a,M1b~M8bは、光電変換部PD1a~PD8a,PD1b~PD8bの各々に対応して設けられている。すなわち、光電変換部PD1aを構成するフォトダイオードは、アノードが接地ノードに接続され、カソードが転送トランジスタM1aのソースに接続されている。光電変換部PD1bを構成するフォトダイオードは、アノードが接地ノードに接続され、カソードが転送トランジスタM1bのソースに接続されている。光電変換部PD2a,PD2b~PD8a,PD8bについても同様である。転送トランジスタM1a~M8a,M1b~M8bのドレインは、浮遊拡散部FDに接続されている。
図13に示す画素構成の場合、画素部4の各行に配される制御線の各々は、転送トランジスタM1a,M1b~M8a,M8bの各々に対応する16本の転送ゲート信号線と、リセット信号線と、選択信号線と、を含む。第n行の転送ゲート信号線の各々は、転送トランジスタM1a,M1b~M8a,M8bのうちの対応する転送トランジスタのゲートに、制御信号PTX1a(n),PTX1b(n)~PTX8a(n),PTX8b(n)のうちの対応する制御信号を供給する。例えば、第n行の画素Pの転送トランジスタM1aに対応する転送ゲート信号線は、第n行の画素Pの転送トランジスタM1aのゲートに、垂直走査部3から出力される制御信号PTX1a(n)を供給する。第n行の画素Pの転送トランジスタM1bに対応する転送ゲート信号線は、第n行の画素Pの転送トランジスタM1bのゲートに、垂直走査部3から出力される制御信号PTX1b(n)を供給する。第n行の画素Pの転送トランジスタM2a,M2b~M8a,M8bに対応する転送ゲート信号線についても同様である。第n行のリセット信号線は、第n行の画素PのリセットトランジスタM9のゲートに、垂直走査部3から出力される制御信号PRES(n)を供給する。第n行の選択信号線は、第n行の画素Pの選択トランジスタM11のゲートに、垂直走査部3から出力される制御信号PSEL(n)を供給する。同一行の画素Pに対しては、共通の制御信号が垂直走査部3から供給される。
次に、本実施形態による光電変換装置における読み出し行・リセット行アドレス生成部22の動作例について、図14を用いて説明する。図14は、本実施形態による光電変換装置における読み出し行・リセット行アドレス生成部22の動作例を示すタイミング図である。なお、行アドレス信号addr_shbの生成動作については説明を省略する。
本実施形態では、カウント信号cnt_hpd_#(#はrd又はsha)の値が値0に初期化されるタイミングについて2種類の設定値を備え、行アドレス毎にいずれかの設定値を選択して用いる。なお、設定値は3種類以上でもよいし、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
まず、読み出し行アドレス(行アドレス信号addr_rd)の生成動作について、図14を用いて説明する。本実施形態では、カウント信号cnt_hd_rdが値0に初期化されるタイミングとして、値7の場合と値15の場合の2つの設定値を有するものとする。これら設定値に応じたタイミングが、行アドレス信号addr_rdの更新タイミングとなる。ただし、カウント信号cnt_hd_rdが値0に初期化されるタイミングは、必ずしも値7及び値15である必要はない。
時刻t600_rdにおいて、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移した際、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値は値7である。カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値は、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、値0に初期化される。そして、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値が値0に初期化されたことを受け、水平同期信号Hfd_RDがローレベルからハイレベルに遷移する。これにより、行アドレス信号addr_rdがカウントアップし、値Jに遷移する。
続く時刻t601_rdにおいて、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移した際、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値は再び値7にカウントアップしている。カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値は、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、値0に初期化される。そして、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値が値0に初期化されたことを受け、水平同期信号Hfd_RDがローレベルからハイレベルに遷移する。これにより、行アドレス信号addr_rdがカウントアップし、値Jから値J+1に遷移する。
続く時刻t602_rdにおいて、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移した際、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値は値15にカウントアップしている。カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値は、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、値0に初期化される。そして、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値が値0に初期化されたことを受け、水平同期信号Hfd_RDがローレベルからハイレベルに遷移する。これにより、行アドレス信号addr_rdがカウントアップし、値J+1から値J+2に遷移する。
このようにして、読み出し走査では、浮遊拡散部FDを切り替える周期fdを行アドレス毎に8Hpdと16Hpdとに切り替えながら垂直走査を行う。
次に、リセットA行アドレス(行アドレス信号addr_sha)の生成動作について、図14を用いて説明する。本実施形態では、カウント信号cnt_hd_shaが値0に初期化されるタイミングとして、値7の場合と値15の場合の2つの設定値を有するものとする。これら設定値に応じたタイミングが、行アドレス信号addr_shaの更新タイミングとなる。ただし、カウント信号cnt_hd_shaが値0に初期化されるタイミングは、必ずしも値7及び値15である必要はない。
時刻t600_shaにおいて、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移した際、カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値は値7である。カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値は、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、値0に初期化される。そして、カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値が値0に初期化されたことを受け、水平同期信号Hfd_SHAがローレベルからハイレベルに遷移する。これにより、行アドレス信号addr_shaがカウントアップし、値Iに遷移する。
続く時刻t601_shaにおいて、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移した際、カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値は再び値7にカウントアップしている。カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値は、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、値0に初期化される。そして、カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値が値0に初期化されたことを受け、水平同期信号Hfd_SHAがローレベルからハイレベルに遷移する。これにより、行アドレス信号addr_shaがカウントアップし、値Iから値I+1に遷移する。
続く時刻t602_shaにおいて、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移した際、カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値は値15にカウントアップしている。カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値は、水平同期信号Hpdがローレベルからハイレベルに遷移したことを受け、値0に初期化される。そして、カウント信号cnt_hpd_shaのカウント値が値0に初期化されたことを受け、水平同期信号Hfd_SHAがローレベルからハイレベルに遷移する。これにより、行アドレス信号addr_shaがカウントアップし、値I+1から値I+2に遷移する。
このようにして、リセット走査では、浮遊拡散部FDを切り替える周期fdを行アドレス毎に8Hpdと16Hpdとに切り替えながら垂直走査を行う。
次に、本実施形態による光電変換装置における画素制御信号生成部324及び画素部4の動作例について、図15A乃至図15Cを用いて説明する。図15A乃至図15Cは、本実施形態による光電変換装置における画素制御信号生成部324及び画素部4の動作例を示すタイミング図である。なお、本実施形態では、制御信号PTX#(#は1~8の整数)の各々は、制御信号PTX#aと制御信号PTX#bとに分かれる。
まず、読み出し処理における画素制御信号生成部324及び画素部4の動作について、図15A及び図15Cを用いて説明する。
時刻t700_rdにおいて、行アドレス信号addr_rdの値が値(J-1)から値Jに遷移したものとする。これにより、画素部4の2J行目と(2J-1)行目とが読み出し処理の対象行となる。
画素部4の2J行目に出力される画素制御信号は、制御信号PSEL(2J),PRES(2J),PTX1a(2J)~PTX8a(2J),PTX1b(2J)~PTX8b(2J)である。制御信号PSEL(2J)は、制御信号pselを元信号として画素制御信号生成部324において生成される。制御信号PRES(2J)は、制御信号pres_bを元信号として、画素制御信号生成部324において生成される。制御信号PTX1a(2J)~PTX8a(2J)は、制御信号ptx1a_rd~ptx8a_rdを元信号として、画素制御信号生成部324において生成される。制御信号PTX1b(2J)~PTX8b(2J)は、制御信号ptx1b_rd~ptx8b_rdを元信号として、画素制御信号生成部324において生成される。行アドレス信号addr_rdは8Hpd期間にわたって値Jを示すため、画素部4の2J行目は8Hpd期間にわたって読み出し処理の対象行となる。
続く時刻t701_rdにおいて、制御信号ptx1a及び制御信号ptx1bがローレベルからハイレベルに遷移し、続く時刻t702_rdにおいて、制御信号ptx1a及び制御信号ptx1bがハイレベルからローレベルに遷移する。以降、8Hpdにわたって同様の動作を行う。
続く時刻t703_rdにおいて、行アドレス信号addr_rdの値が値Jから値(J+1)に遷移すると、画素部4の2J行目は非蓄積処理の対象である非蓄積行となり、画素部4の2(J+1)行目と2(J+1)-1行目が読み出し処理の対象行となる。非蓄積行では、制御信号PTX1a~PTX8a、制御信号PTX1b~PTX8b及び制御信号PRESをハイレベルにすることで、光電変換部PD及び浮遊拡散部FDをリセット状態に維持する。行アドレス信号addr_rdは、時刻t703_rdから時刻t708_rdまでの16Hpd期間にわたって値J+1を示すため、画素部4の2(J+1)行目は16Hpd期間にわたって読み出し処理の対象行となる。
続く時刻t704_rdにおいて、制御信号ptx1aがローレベルからハイレベルに遷移し、続く時刻t705_rdにおいて、制御信号ptx1aがハイレベルからローレベルに遷移する。続く時刻t706_rdにおいて、制御信号ptx1a及び制御信号ptx1bがローレベルからハイレベルに遷移し、続く時刻t707_rdにおいて、制御信号ptx1a及び制御信号ptx1bがハイレベルからローレベルに遷移する。以降、16Hpdにわたって、2Hpd毎に同様の動作を行う。
次に、リセットA処理における画素制御信号生成部324及び画素部4の動作について、図15A及び図15Bを用いて説明する。
時刻t700_shaにおいて、行アドレス信号addr_shaの値が値(I-1)から値Iに遷移したものとする。これにより、画素部4の2I行目と(2I-1)行目とがリセットA処理の対象行となる。
画素部4の2J行目に出力される画素制御信号は、制御信号PSEL(2I),PRES(2I),PTX1a(2I)~PTX8a(2I),PTX1b(2I)~PTX8b(2I)である。これらのうち、制御信号PSEL(2I)はローレベルに固定され、制御信号PRES(2I)はハイレベルに固定される。制御信号PTX1a(2I)~PTX8a(2I)は、制御信号ptx1a_sha~ptx8a_shaを元信号として、画素制御信号生成部324において生成される。制御信号PTX1b(2I)~PTX8b(2I)は、制御信号ptx1b_sha~ptx8b_shaを元信号として、画素制御信号生成部324において生成される。行アドレス信号addr_shaは、時刻t700_shaから時刻t705_shaまでの16Hpd期間にわたって値Iを示すため、画素部4の2I行目は16Hpd期間にわたってリセットA処理の対象行となる。
続く時刻t701_shaにおいて、制御信号ptx1aがローレベルからハイレベルに遷移し、続く時刻t702_shaにおいて、制御信号ptx1aがハイレベルからローレベルに遷移する。続く時刻t703_shaにおいて、制御信号ptx1a及び制御信号ptx1bがローレベルからハイレベルに遷移し、続く時刻t704_shaにおいて、制御信号ptx1a及び制御信号ptx1bがハイレベルからローレベルに遷移する。以降、16Hpdにわたって、2Hpd毎に同様の動作を行う。
続く時刻t705_shaにおいて、行アドレス信号addr_shaの値が値Iから値(I+1)に遷移すると、画素部4の2I行目は蓄積状態となり、画素部4の(2(I+1))行目及び(2(I+1)-1)行目の非蓄積処理が解除される。これにより、画素部4の(2(I+1))行目及び(2(I+1)-1)行目がリセットA処理の対象行となる。行アドレス信号addr_shaは、時刻t705_shaから時刻t708_shaまでの8Hpd期間にわたって値(I+1)を示すため、画素部4の2(I+1)行目は、8Hpd期間にわたってリセットA処理の対象行となる。
続く時刻t706_shaにおいて、制御信号ptx1a及び制御信号ptx1bがローレベルからハイレベルに遷移し、続く時刻t707_shaにおいて、制御信号ptx1a及び制御信号ptx1bがハイレベルからローレベルに遷移する。以降、8Hpdにわたって同様の動作を行う。
次に、本実施形態による光電変換装置の垂直走査における行アドレスの遷移について、図16A及び図16Bを用いて説明する。図16A及び図16Bは、本実施形態による光電変換装置の垂直走査における行アドレスの遷移を説明するタイミング図である。
時刻Pから時刻P+15の期間において、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス2Iは、リセットA処理の対象行となる。なお、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス(2I)は、画素部4の(2I-1)行目及び2I行目と同一である。
時刻Pには、FDアドレス(2I-1),2Iにおいて、制御信号PTX1aを受ける転送トランジスタM1aを介して接続された光電変換部PD1aが選択され、リセットA処理が行われる。また、続く時刻P+1には、FDアドレス(2I-1),2Iにおいて、制御信号PTX1a,PTX1bを受ける転送トランジスタM1a,M1bを介して接続された光電変換部PD1a,PD1bが選択され、リセットA処理が行われる。
時刻P+2には、FDアドレス(2I-1),2Iにおいて、制御信号PTX2aを受ける転送トランジスタM2aを介して接続された光電変換部PD2aが選択され、リセットA処理が行われる。また、続く時刻P+3の期間には、FDアドレス(2I-1),2Iにおいて、制御信号PTX2a,PTX2bを受ける転送トランジスタM2a,M2bを介して接続された光電変換部PD2a,PD2bが選択され、リセットA処理が行われる。
以下、同様にして、時刻P+4から時刻P+15までの期間に、FDアドレス(2I-1),2Iにおいて、光電変換部PD3a,PD3b~PD8a,PD8bが順次選択され、リセットA処理が行われる。
続くP+16において、行アドレスがI+1に遷移する。時刻P+16から時刻P+23の期間において、FDアドレス(2(I+1)-1)及びFDアドレス(2(I+1))は、リセットA処理の対象となる。
時刻P+16には、FDアドレス(2(I+1)-1),(2(I+1))において、制御信号PTX1a,PTX1bを受ける転送トランジスタM1a,M1bを介して接続された光電変換部PD1a,PD1bが選択され、リセットA処理が行われる。
以下、同様にして、時刻P+17から時刻P+23までの期間に、FDアドレス(2(I+1)-1),(2(I+1))において、光電変換部PD2a,PD2b~PD8a,PD8bが順次選択され、リセットA処理が行われる。
時刻P+2から時刻P+9の期間において、FDアドレス(2J-1)及びFDアドレス2Jは、読み出し処理の対象行となる。
時刻P+2には、FDアドレス(2J-1)及びFDアドレス2Jにおいて、制御信号PTX1a,PTX1bを受ける転送トランジスタM1a,M1bを介して接続された光電変換部PD1a,PD1bが選択され、読み出し処理が行われる。
以下、同様にして、時刻P+3から時刻P+9までの期間に、FDアドレス(2J-1)及びFDアドレス2Jにおいて、光電変換部PD2a,PD2b~PD8a,PD8bが順次選択され、読み出し処理が行われる。
続く時刻P+10において、行アドレスがJからJ+1に遷移する。時刻P+10から時刻P+25の期間において、FDアドレス(2(J+1)-1)及びFDアドレス(2(J+1))は、読み出し処理の対象行となる。
時刻P+10には、FDアドレス(2(J+1)-1),(2(J+1))において、制御信号PTX1aを受ける転送トランジスタM1aを介して接続された光電変換部PD1aが選択され、読み出し処理が行われる。また、続く時刻P+11には、FDアドレス(2(J+1)-1),(2(J+1))において、制御信号PTX1a,PTX1bを受ける転送トランジスタM1a,M1bを介して接続された光電変換部PD1a,PD1bが選択され、読み出し処理が行われる。
以下、同様にして、時刻P+12から時刻P+25までの期間に、FDアドレス(2(J+1)-1)及びFDアドレス(2(J+1))において、光電変換部PD2a,PD2b~PD8a,PD8bが順次選択され、読み出し処理が行われる。
時刻Qから時刻Q+15の期間において、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス2Iは、読み出し処理の対象行となる。
時刻Qには、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス2Iにおいて、制御信号PTX1aを受ける転送トランジスタM1aを介して接続された光電変換部PD1aが選択され、読み出し処理が行われる。また、続く時刻Q+1には、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス2Iにおいて、制御信号PTX1a,PTX1bを受ける転送トランジスタM1a,M1bを介して接続された光電変換部PD1a,PD1bが選択され、読み出し処理が行われる。つまり、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス2Iにおいて、光電変換部PD1a,PD1bの露光期間の長さはQ-Pとなる。
以下、同様にして、時刻Q+2から時刻Q+15までの期間に、FDアドレス(2I-1)及びFDアドレス2Iにおいて、光電変換部PD2a,PD2b~PD8a,PD8bが順次選択され、読み出し処理が行われる。
図14を用いて説明したように、カウント信号cnt_hpd_#(#はrd又はsha)が値0に初期化されるタイミングについて2種類の設定値を備えることで、より自由度の高い垂直走査を実現することができる。
このように、本実施形態によれば、水平同期信号Hpdをカウントするカウンタの動作を変更することで、例えば浮遊拡散部FDの単位で駆動を切り替えるような、より自由度の高い垂直走査を実現することができる。
したがって、本実施形態によれば、浮遊拡散部FDを共有する複数の光電変換部PDを有する画素Pを備えた光電変換装置において、露光時間の設定の自由度を向上することができる。
[第4実施形態]
本発明の第4実施形態による光電変換装置について、図17乃至図19Bを用いて説明する。第1実施形態による光電変換装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第4実施形態による光電変換装置について、図17乃至図19Bを用いて説明する。第1実施形態による光電変換装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本実施形態による光電変換装置は、画素部4の構成は第3実施形態と同じであるが、水平同期信号Hpdをカウントするカウンタの構成が第3実施形態による光電変換装置とは異なっている。
はじめに、本実施形態による光電変換装置における読み出し行・リセット行アドレス生成部22の動作例について、図17を用いて説明する。図17は、本実施形態による光電変換装置における読み出し行・リセット行アドレス生成部22の動作例を示すタイミング図である。なお、行アドレス信号addr_sha,addr_shbの生成動作については説明を省略する。
本実施形態では、カウント信号cnt_hpd_rdのカウント値が値0に初期化されるタイミングについて1つの設定値を備える。第3実施形態ではカウント信号cnt_hd_rdが値0に初期化されるタイミングとして値7の場合と値15の場合の2つを設定したが、本実施形態では値11を設定するものとする。なお、設定値は2種類以上でもよいし、レジスタなどで制御できる構成としてもよい。
カウント信号cnt_hpd_rd及び行アドレス信号addr_rdの動作は第3実施形態と同様であるため、説明は省略する。
次に、本実施形態による光電変換装置における画素制御信号生成部324及び画素部4の動作例について、図18A乃至図18Cを用いて説明する。図18A乃至図18Cは、本実施形態による光電変換装置における画素制御信号生成部324及び画素部4の動作例を示すタイミング図である。なお、ここでは読み出し処理における画素制御信号生成部324及び画素部4の動作について説明するものとし、リセットA処理及びリセットB処理における画素制御信号生成部324及び画素部4の動作については説明を省略する。
時刻t800_rdにおいて、行アドレス信号addr_rdの値が値(J-1)から値Jに遷移したものとする。これにより、画素部4の2J行目と(2J-1)行目とが読み出し処理の対象行となる。
時刻t800_rdから時刻t801_rdの2Hpd期間には、制御信号PTX1aをハイレベルにして転送トランジスタM1aを導通状態にした後、制御信号PTX1a,PTX1bをハイレベルにして転送トランジスタM1a,M1bを導通状態にする。
続く時刻t801_rdから時刻t802_rdの1Hpd期間には、制御信号PTX2a,PTX2bをハイレベルにして転送トランジスタM2a,M2bを導通状態にする。
続く時刻t802_rdから時刻t803_rdの1Hpd期間には、制御信号PTX3a,PTX3bをハイレベルにして転送トランジスタM3a,M3bを導通状態にする。
続く時刻t803_rdから時刻t804_rdの2Hpd期間には、制御信号PTX4aをハイレベルにして転送トランジスタM4aを導通状態にした後、制御信号PTX4a,PTX4bをハイレベルにして転送トランジスタM4a,M4bを導通状態にする。
続く時刻t804_rdから時刻t805_rdの4Hpd期間には、時刻t800_rdから時刻t803_rdの4Hpd期間と同様にして、転送トランジスタM5a,M5b~M8a,M8bを駆動する。
このように、本実施形態では、光電変換部PDの単位で千鳥格子状に駆動を切り替える。なお、必ずしも光電変換部PDの単位で千鳥格子状に駆動を切り替える必要はなく、例えば、光電変換部PD単位で隔行としたり、光電変換部PD単位で隔列としたり、光電変換部PD単位で隔行隔列としたりしてもよい。
また、時刻t805_rdにおいて、行アドレス信号addr_rdの値が値J+1に遷移すると、画素部4の(2(J+1))行目と(2(J+1)-1)行目が読み出し処理の対象行となる。
以降、同様の画素駆動を行いながら、垂直走査を行う。
以降、同様の画素駆動を行いながら、垂直走査を行う。
次に、本実施形態による光電変換装置の垂直走査における行アドレスの遷移について、図19A及び図19Bを用いて説明する。図19A及び図19Bは、本実施形態による光電変換装置の垂直走査における行アドレスの遷移を説明するタイミング図である。本実施形態では、図18A乃至図18Cを用いて説明したように、PD単位で千鳥格子状に駆動を切り替えながら垂直走査を行う。垂直走査における行アドレスの遷移の様子については第3実施形態と同様であるため、説明は省略する。
このように、本実施形態によれば、水平同期信号Hpdをカウントするカウンタの動作を変更することで、光電変換部PDの単位で駆動を切り替えるような、より自由度の高い垂直走査を実現することができる。
したがって、本実施形態によれば、浮遊拡散部FDを共有する複数の光電変換部PDを有する画素Pを備えた光電変換装置において、露光時間の設定の自由度を向上することができる。
[第5実施形態]
本発明の第5実施形態による撮像システムについて、図20を用いて説明する。図20は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
本発明の第5実施形態による撮像システムについて、図20を用いて説明する。図20は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
上記第1乃至第4実施形態で述べた光電変換装置100は、種々の撮像システムに適用可能である。適用可能な撮像システムの例としては、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダ、監視カメラ、複写機、ファックス、携帯電話、車載カメラ、観測衛星などが挙げられる。また、レンズなどの光学系と撮像装置とを備えるカメラモジュールも、撮像システムに含まれる。図20には、これらのうちの一例として、デジタルスチルカメラのブロック図を例示している。
図20に例示した撮像システム200は、撮像装置201、被写体の光学像を撮像装置201に結像させるレンズ202、レンズ202を通過する光量を可変にするための絞り204、レンズ202の保護のためのバリア206を有する。レンズ202及び絞り204は、撮像装置201に光を集光する光学系である。撮像装置201は、第1乃至第4実施形態のいずれかで説明した光電変換装置100であって、レンズ202により結像された光学像を画像データに変換する。
撮像システム200は、また、撮像装置201より出力される出力信号の処理を行う信号処理部208を有する。信号処理部208は、撮像装置201が出力するデジタル信号から画像データの生成を行う。また、信号処理部208は必要に応じて各種の補正、圧縮を行って画像データを出力する動作を行う。撮像装置201は、信号処理部208で処理されるデジタル信号を生成するAD変換部を備えうる。AD変換部は、撮像装置201の光電変換部が形成された半導体層(半導体基板)に形成されていてもよいし、撮像装置201の光電変換部が形成された半導体層とは別の半導体基板に形成されていてもよい。また、信号処理部208が撮像装置201と同一の半導体基板に形成されていてもよい。
撮像システム200は、更に、画像データを一時的に記憶するためのメモリ部210、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース部(外部I/F部)212を有する。更に撮像システム200は、撮像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の記録媒体214、記録媒体214に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部(記録媒体制御I/F部)216を有する。なお、記録媒体214は、撮像システム200に内蔵されていてもよく、着脱可能であってもよい。
更に撮像システム200は、各種演算とデジタルスチルカメラ全体を制御する全体制御・演算部218、撮像装置201と信号処理部208に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部220を有する。ここで、タイミング信号などは外部から入力されてもよく、撮像システム200は少なくとも撮像装置201と、撮像装置201から出力された出力信号を処理する信号処理部208とを有すればよい。
撮像装置201は、撮像信号を信号処理部208に出力する。信号処理部208は、撮像装置201から出力される撮像信号に対して所定の信号処理を実施し、画像データを出力する。信号処理部208は、撮像信号を用いて、画像を生成する。
このように、本実施形態によれば、第1乃至第5実施形態による光電変換装置100を適用した撮像システムを実現することができる。
[第6実施形態]
本発明の第6実施形態による撮像システム及び移動体について、図21を用いて説明する。図21は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
本発明の第6実施形態による撮像システム及び移動体について、図21を用いて説明する。図21は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
図21(a)は、車載カメラに関する撮像システムの一例を示したものである。撮像システム300は、撮像装置310を有する。撮像装置310は、上記第1乃至第4実施形態のいずれかに記載の光電変換装置100である。撮像システム300は、撮像装置310により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部312と、撮像システム300により取得された複数の画像データから視差(視差画像の位相差)の算出を行う視差取得部314を有する。また、撮像システム300は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離取得部316と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部318と、を有する。ここで、視差取得部314や距離取得部316は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部318はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、FPGA(Field Programmable Gate Array)やASIC(Application Specific Integrated circuit)等によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
撮像システム300は車両情報取得装置320と接続されており、車速、ヨーレート、舵角などの車両情報を取得することができる。また、撮像システム300は、衝突判定部318での判定結果に基づいて、車両に対して制動力を発生させる制御信号を出力する制御装置である制御ECU330が接続されている。また、撮像システム300は、衝突判定部318での判定結果に基づいて、ドライバーへ警報を発する警報装置340とも接続されている。例えば、衝突判定部318の判定結果として衝突可能性が高い場合、制御ECU330はブレーキをかける、アクセルを戻す、エンジン出力を抑制するなどして衝突を回避、被害を軽減する車両制御を行う。警報装置340は音等の警報を鳴らす、カーナビゲーションシステムなどの画面に警報情報を表示する、シートベルトやステアリングに振動を与えるなどしてユーザに警告を行う。
本実施形態では、車両の周囲、例えば前方又は後方を撮像システム300で撮像する。図21(b)に、車両前方(撮像範囲350)を撮像する場合の撮像システムを示した。車両情報取得装置320が、撮像システム300ないしは撮像装置310に指示を送る。このような構成により、測距の精度をより向上させることができる。
上記では、他の車両と衝突しないように制御する例を説明したが、他の車両に追従して自動運転する制御や、車線からはみ出さないように自動運転する制御などにも適用可能である。更に、撮像システムは、自車両等の車両に限らず、例えば、船舶、航空機あるいは産業用ロボットなどの移動体(移動装置)に適用することができる。加えて、移動体に限らず、高度道路交通システム(ITS)等、広く物体認識を利用する機器に適用することができる。
[第7実施形態]
本発明の第7実施形態による機器について、図22を用いて説明する。図22は、本実施形態による機器の概略構成を示すブロック図である。
本発明の第7実施形態による機器について、図22を用いて説明する。図22は、本実施形態による機器の概略構成を示すブロック図である。
図22は、光電変換装置APRを含む機器EQPを示す模式図である。光電変換装置APRは、第1乃至第4実施形態のいずれかの光電変換装置100の機能を備える。光電変換装置APRの全部又は一部が、半導体デバイスICである。本例の光電変換装置APRは、例えば、イメージセンサやAF(Auto Focus)センサ、測光センサ、測距センサとして用いることができる。半導体デバイスICは、光電変換部を含む画素回路PXCが行列状に配列された画素エリアPXを有する。半導体デバイスICは画素エリアPXの周囲に周辺エリアPRを有することができる。周辺エリアPRには画素回路以外の回路を配置することができる。
光電変換装置APRは、複数の光電変換部が設けられた第1半導体チップと、周辺回路が設けられた第2半導体チップとを積層した構造(チップ積層構造)を有していてもよい。第2半導体チップにおける周辺回路は、ぞれぞれ、第1半導体チップの画素列に対応した列回路とすることができる。また、第2半導体チップにおける周辺回路は、それぞれ、第1半導体チップの画素あるいは画素ブロックに対応したマトリクス回路とすることもできる。第1半導体チップと第2半導体チップとの接続は、貫通電極(TSV)、銅等の導電体の直接接合によるチップ間配線、チップ間のマイクロバンプによる接続、ワイヤボンディングによる接続などを採用することができる。
光電変換装置APRは、半導体デバイスICの他に、半導体デバイスICを収容するパッケージPKGを含みうる。パッケージPKGは、半導体デバイスICが固定された基体と、半導体デバイスICに対向するガラス等の蓋体と、基体に設けられた端子と半導体デバイスICに設けられた端子とを接続するボンディングワイヤやバンプ等の接続部材と、を含みうる。
機器EQPは、光学装置OPT、制御装置CTRL、処理装置PRCS、表示装置DSPL、記憶装置MMRY及び機械装置MCHNのうちの少なくともいずれかを更に備えうる。光学装置OPTは、光電変換装置としての光電変換装置APRに対応するものであり、例えばレンズやシャッタ、ミラーである。制御装置CTRLは、光電変換装置APRを制御するものであり、例えばASICなどの半導体デバイスである。処理装置PRCSは、光電変換装置APRから出力された信号を処理するものであり、AFE(アナログフロントエンド)あるいはDFE(デジタルフロントエンド)を構成する。処理装置PRCSは、CPU(中央処理装置)やASIC(特定用途向け集積回路)などの半導体デバイスである。表示装置DSPLは、光電変換装置APRで得られた情報(画像)を表示する、EL表示装置や液晶表示装置である。記憶装置MMRYは、光電変換装置APRで得られた情報(画像)を記憶する、磁気デバイスや半導体デバイスである。記憶装置MMRYは、SRAMやDRAMなどの揮発性メモリ、或いは、フラッシュメモリやハードディスクドライブなどの不揮発性メモリである。機械装置MCHNは、モーターやエンジン等の可動部あるいは推進部を有する。機器EQPでは、光電変換装置APRから出力された信号を表示装置DSPLに表示したり、機器EQPが備える通信装置(不図示)によって外部に送信したりする。そのために、機器EQPは、光電変換装置APRが有する記憶回路部や演算回路部とは別に、記憶装置MMRYや処理装置PRCSを更に備えることが好ましい。
図14に示した機器EQPは、撮影機能を有する情報端末(例えばスマートフォンやウエアラブル端末)やカメラ(例えばレンズ交換式カメラ、コンパクトカメラ、ビデオカメラ、監視カメラ)などの電子機器でありうる。カメラにおける機械装置MCHNはズーミングや合焦、シャッタ動作のために光学装置OPTの部品を駆動することができる。また、機器EQPは、車両や船舶、飛行体などの輸送機器(移動体)でありうる。また、機器EQPは、内視鏡やCTスキャナーなどの医療機器でありうる。また、機器EQPは、内視鏡やCTスキャナーなどの医療機器でありうる。
輸送機器における機械装置MCHNは移動装置として用いられうる。輸送機器としての機器EQPは、光電変換装置APRを輸送するものや、撮影機能により運転(操縦)の補助及び/又は自動化を行うものに好適である。運転(操縦)の補助及び/又は自動化のための処理装置PRCSは、光電変換装置APRで得られた情報に基づいて移動装置としての機械装置MCHNを操作するための処理を行うことができる。
本実施形態による光電変換装置APRは、その設計者、製造者、販売者、購入者及び/又は使用者に、高い価値を提供することができる。そのため、光電変換装置APRを機器EQPに搭載すれば、機器EQPの価値も高めることができる。よって、機器EQPの製造、販売を行う上で、本実施形態の光電変換装置APRの機器EQPへの搭載を決定することは、機器EQPの価値を高める上で有利である。
[変形実施形態]
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
また、図2及び図3に示した画素Pの構成は例示であり、これらに限定されるものではない。例えば、1つの浮遊拡散部FDを共有する光電変換部PDの数は、8個や16個に限定されるものではなく、適宜変更が可能である。また、1つの浮遊拡散部FDを共有する複数の光電変換部PDのうち、2個以上がマイクロレンズを共有するように構成されていてもよい。本発明は、1つの浮遊拡散部FDを共有する光電変換部PDの数が3個以上の画素Pを有する光電変換装置において、特に有用である。
また、上記第5及び第6実施形態に示した撮像システムは、本発明の光電変換装置を適用しうる撮像システム例を示したものであり、本発明の光電変換装置を適用可能な撮像システムは図20及び図21(a)に示した構成に限定されるものではない。
本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
なお、上記実施形態は、いずれも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
FD…浮遊拡散部
P…画素
PD,PD1~PD8,PD1a~PD8a,PD1b~PD8b…光電変換部
1…処理装置
2…制御部
21…同期信号生成部
22…読み出し行・リセット行アドレス生成部
221…読み出し行アドレス用水平同期信号生成部
222…読み出し行アドレス生成部
223…リセットA行アドレス用水平同期信号生成部
224…リセットA行アドレス生成部
225…リセットB行アドレス用水平同期信号生成部
226…リセットB行アドレス生成部
227…水平同期信号カウント生成部
23…垂直走査タイミング制御部
24…列回路タイミング制御部
25…水平走査タイミング制御部
3…垂直走査部
31…アドレスデコーダ部
31a…RD用アドレスデコーダ部
31b…SHA用アドレスデコーダ部
31c…SHB用アドレスデコーダ部
32…行駆動部
4…画素部
100…光電変換部
200,300…撮像システム
P…画素
PD,PD1~PD8,PD1a~PD8a,PD1b~PD8b…光電変換部
1…処理装置
2…制御部
21…同期信号生成部
22…読み出し行・リセット行アドレス生成部
221…読み出し行アドレス用水平同期信号生成部
222…読み出し行アドレス生成部
223…リセットA行アドレス用水平同期信号生成部
224…リセットA行アドレス生成部
225…リセットB行アドレス用水平同期信号生成部
226…リセットB行アドレス生成部
227…水平同期信号カウント生成部
23…垂直走査タイミング制御部
24…列回路タイミング制御部
25…水平走査タイミング制御部
3…垂直走査部
31…アドレスデコーダ部
31a…RD用アドレスデコーダ部
31b…SHA用アドレスデコーダ部
31c…SHB用アドレスデコーダ部
32…行駆動部
4…画素部
100…光電変換部
200,300…撮像システム
Claims (14)
- 3つ以上の複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部の電荷が転送される浮遊拡散部と、前記浮遊拡散部の電圧に応じた信号を出力する出力部と、を各々が有する複数の画素が複数の行及び複数の列をなすように配された画素部と、
前記画素部に配された前記複数の画素に対し、前記画素の信号を読み出す読み出し処理と、前記画素をリセットするリセット処理と、を処理の対象となる光電変換部及び処理の対象となる浮遊拡散部を切り替えながら実行する垂直走査部と、
前記垂直走査部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記読み出し処理の際に信号を読み出す画素の行アドレスを生成して前記垂直走査部に出力する読み出し行アドレス生成部と、前記リセット処理の際にリセットする画素の行アドレスを生成して前記垂直走査部に出力するリセット行アドレス生成部と、を有し、
前記読み出し処理及び前記リセット処理の際に前記処理の対象となる光電変換部を切り替える周期である第1の周期は、前記読み出し処理及び前記リセット処理の際に前記処理の対象となる浮遊拡散部を切り替える周期である第2の周期よりも短く、
前記読み出し行アドレス生成部及び前記リセット行アドレス生成部における前記行アドレスの更新周期は、前記第2の周期に等しく、
前記読み出し行アドレス生成部及び前記リセット行アドレス生成部における前記行アドレスの更新タイミングの設定単位は、前記第1の周期の1周期の長さに等しい
ことを特徴とする光電変換装置。 - 前記制御部は、前記第1の周期でカウント値が遷移する読み出し用カウンタ及びリセット用カウンタを更に有し、
前記読み出し行アドレス生成部における前記行アドレスの更新タイミングは、前記読み出し用カウンタのカウント値に応じて制御され、
前記リセット行アドレス生成部における前記行アドレスの更新タイミングは、前記リセット用カウンタのカウント値に応じて制御される
ことを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。 - 前記制御部は、前記第1の周期でカウント値が遷移するカウンタを更に有し、
前記読み出し行アドレス生成部における前記行アドレスの更新タイミングは、前記カウンタのカウント値と第1の設定値とに応じて制御され、
前記リセット行アドレス生成部における前記行アドレスの更新タイミングは、前記カウンタのカウント値と第2の設定値とに応じて制御される
ことを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。 - 前記読み出し行アドレス生成部及び前記リセット行アドレス生成部は、前記行アドレスの更新タイミングを規定する複数の設定値を有する
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記複数の行は、前記読み出し処理及び前記リセット処理の対象となる第1の行及び第2の行を含み、
前記第1の行における前記第2の周期と前記第2の行における前記第2の周期とが異なっている
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記複数の光電変換部は、第1の光電変換部及び第2の光電変換部を有する第1の組と、第3の光電変換部及び第4の光電変換部を有する第2の組と、を含み、
前記第1の行から出力される信号は、前記第1の光電変換部で生成された電荷に基づく信号と、前記第1の光電変換部及び前記第2の光電変換部で生成された電荷に基づく信号と、前記第3の光電変換部で生成された電荷に基づく信号と、前記第3の光電変換部及び前記第4の光電変換部で生成された電荷に基づく信号と、を含み、
前記第2の行から出力される信号は、前記第1の光電変換部及び前記第2の光電変換部で生成された電荷に基づく信号と、前記第3の光電変換部及び前記第4の光電変換部で生成された電荷に基づく信号と、を含む
ことを特徴とする請求項5記載の光電変換装置。 - 前記複数の光電変換部は、第1の光電変換部及び第2の光電変換部を有する第1の組と、第3の光電変換部及び第4の光電変換部を有する第2の組と、を含み、
前記第2の周期の1周期の間に出力される、前記第1の組に基づく信号の数は、前記第2の組に基づく信号の数よりも多い
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1の組から出力される信号は、記第1の光電変換部で生成された電荷に基づく信号と、前記第1の光電変換部及び前記第2の光電変換部で生成された電荷に基づく信号と、を含み、
前記第2の組から出力される信号は、前記第3の光電変換部及び前記第4の光電変換部で生成された電荷に基づく信号を含む
ことを特徴とする請求項7記載の光電変換装置。 - 前記第1の組及び前記第2の組の各々は、1つのマイクロレンズを共有する
ことを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記リセット行アドレス生成部は、第1のリセット行アドレス生成部と、第2のリセット行アドレス生成部とを有し、
前記第1のリセット行アドレス生成部における前記行アドレスの更新タイミングと、前記第2のリセット行アドレス生成部における前記行アドレスの更新タイミングと、が異なっている
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記複数の列の各々に複数の出力線が配されており、
前記複数の出力線は、第1の行に配された画素の信号が出力される第1の出力線と、第2の行に配された画素の信号が出力される第2の出力線と、を含む
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力される信号を処理する信号処理部と
を有することを特徴とする撮像システム。 - 移動体であって、
請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と
を有することを特徴とする移動体。 - 請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置に対応する光学装置、
前記光電変換装置を制御する制御装置、
前記光電変換装置から出力された信号を処理する処理装置、
前記光電変換装置で得られた情報に基づいて制御される機械装置、
前記光電変換装置で得られた情報を表示する表示装置、及び、
前記光電変換装置で得られた情報を記憶する記憶装置、の少なくともいずれかと
を備えることを特徴とする機器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021076563A JP2022170441A (ja) | 2021-04-28 | 2021-04-28 | 光電変換装置 |
US17/729,731 US11838668B2 (en) | 2021-04-28 | 2022-04-26 | Photoelectric conversion device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021076563A JP2022170441A (ja) | 2021-04-28 | 2021-04-28 | 光電変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022170441A true JP2022170441A (ja) | 2022-11-10 |
Family
ID=83808817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021076563A Pending JP2022170441A (ja) | 2021-04-28 | 2021-04-28 | 光電変換装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11838668B2 (ja) |
JP (1) | JP2022170441A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023042081A (ja) | 2021-09-14 | 2023-03-27 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5100052B2 (ja) | 2006-07-31 | 2012-12-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子の駆動回路、方法及び撮像システム |
JP2008288946A (ja) | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Seiko Epson Corp | アドレス生成装置及び撮像素子 |
US7999866B2 (en) | 2007-05-21 | 2011-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging apparatus and processing method thereof |
JP5111140B2 (ja) | 2008-02-06 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置、及び撮像システム |
JP5371463B2 (ja) | 2008-02-28 | 2013-12-18 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および、撮像装置の制御方法 |
JP2009232174A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Seiko Epson Corp | 撮像素子 |
JP4500862B2 (ja) | 2008-04-11 | 2010-07-14 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の駆動方法 |
JP5284132B2 (ja) | 2009-02-06 | 2013-09-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、撮像システム、および撮像装置の駆動方法 |
JP5885431B2 (ja) | 2011-08-29 | 2016-03-15 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
JP6041593B2 (ja) | 2012-09-14 | 2016-12-14 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5569760B2 (ja) | 2013-03-06 | 2014-08-13 | ソニー株式会社 | イメージセンサおよび制御方法 |
JP6273126B2 (ja) | 2013-11-14 | 2018-01-31 | キヤノン株式会社 | Ad変換器、固体撮像素子および撮像システム |
JP6405184B2 (ja) | 2014-10-15 | 2018-10-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP6537838B2 (ja) | 2015-01-30 | 2019-07-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像素子 |
JP6711634B2 (ja) | 2016-02-16 | 2020-06-17 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像装置の駆動方法、及び撮像システム |
US11272129B2 (en) * | 2016-09-08 | 2022-03-08 | Grass Valley Canada | Imager with vertical row addressing |
JP6932542B2 (ja) * | 2017-05-09 | 2021-09-08 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム及び移動体 |
JP7379014B2 (ja) | 2019-08-14 | 2023-11-14 | キヤノン株式会社 | 駆動装置、光電変換装置、および撮像システム |
JP7389586B2 (ja) | 2019-08-28 | 2023-11-30 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像装置の駆動方法 |
JP7410675B2 (ja) | 2019-09-06 | 2024-01-10 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法 |
JP2021093623A (ja) | 2019-12-10 | 2021-06-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像装置 |
JP7444664B2 (ja) | 2020-03-24 | 2024-03-06 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP2022046956A (ja) | 2020-09-11 | 2022-03-24 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
-
2021
- 2021-04-28 JP JP2021076563A patent/JP2022170441A/ja active Pending
-
2022
- 2022-04-26 US US17/729,731 patent/US11838668B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11838668B2 (en) | 2023-12-05 |
US20220353450A1 (en) | 2022-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5429547B2 (ja) | 固体撮像装置、撮像装置、ad変換方法 | |
JP6882910B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、撮像システム及び移動体 | |
JP7242262B2 (ja) | 光電変換装置及び撮像システム | |
JP6806553B2 (ja) | 撮像装置、撮像装置の駆動方法及び撮像システム | |
US11202023B2 (en) | Imaging device and imaging system | |
JP7263080B2 (ja) | 撮像装置及び信号処理装置 | |
JP7161317B2 (ja) | 撮像装置、撮像システム及び移動体 | |
JP2021029017A (ja) | 光電変換装置、撮像システム、移動体及び露光制御装置 | |
JP2020092353A (ja) | 光電変換装置及び撮像システム | |
JP2022170441A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2023061646A (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、移動体、機器 | |
JP2020048066A (ja) | 固体撮像素子、撮像装置、及び、固体撮像素子の制御方法 | |
JP2022142433A (ja) | 光電変換装置及び撮像システム | |
US20240040279A1 (en) | Photoelectric conversion device and method of driving photoelectric conversion device | |
US20240171874A1 (en) | Photoelectric conversion device and method of driving photoelectric conversion device | |
JP2021072414A (ja) | 光電変換装置、撮像システム及び移動体 | |
US20230199347A1 (en) | Photoelectric conversion device and imaging system | |
JP7336199B2 (ja) | 撮像装置、撮像システム及び信号処理装置 | |
JP7299711B2 (ja) | 光電変換装置及びその駆動方法 | |
US20230276150A1 (en) | Photoelectric conversion device and method of driving photoelectric conversion device | |
US11843880B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
JP2023061645A (ja) | 光電変換装置、光電変換システム、移動体、機器 | |
US20230292024A1 (en) | Photoelectric conversion device and method of driving photoelectric conversion device | |
US20230188868A1 (en) | Photoelectric conversion apparatus and equipment | |
JP2019036770A (ja) | 撮像装置及び撮像システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20220630 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240418 |