JP2022117984A5

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Publication number: JP2022117984A5
Application number: JP2022078094A
Authority: JP
Filing date: 2022-05-11
Publication date: 2022-09-22
Anticipated expiration: 2040-09-18

Claims

内部に複数の基板が流入して基板処理が行われる反応空間を形成したインナーチューブと、
前記インナーチューブを支持し、前記反応空間に工程ガスを供給し、また前記反応空間から工程ガスを排気するマニホールドアセンブリと、
前記マニホールドアセンブリの下部を密閉するキャップフランジと、
前記キャップフランジの側面の分散された位置に構成された複数のクランプモジュールと、
前記マニホールドアセンブリを介して前記反応空間に対するポンピングを行うインナーポンプ部と、
を含み、
前記インナーポンプ部のポンピングにより前記反応空間が常圧未満に減圧された状態で、前記キャップフランジと前記マニホールドアセンブリの下部とをクランプする、
ことを特徴とする基板処理装置。
前記クランプモジュールは、前記キャップフランジの昇降により、前記キャップフランジの上面が、前記マニホールドアセンブリの底面とＯリングを挟んで第１の間隔で近接した後に、前記インナーポンプ部のポンピングにより、前記反応空間が常圧未満に減圧されて、前記キャップフランジの上面が、前記マニホールドアセンブリの底面と前記Ｏリングを挟んで前記第１の間隔よりも小さい第２の間隔で隣接する場合、前記キャップフランジと前記マニホールドアセンブリの下部とをクランプすることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記キャップフランジの下部に離隔を維持し、固定されるベースプレートをさらに備え、
前記複数のクランプモジュールは、
前記ベースプレートに分散して設けられ、前記キャップフランジの側面に対向するクランプチャネルが形成されたクランプをそれぞれ備え、
前記クランプを駆動することによって、前記第２の間隔で隣接した前記キャップフランジと前記マニホールドアセンブリの下部とを前記クランプチャネル内にクランプすることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
それぞれの前記クランプモジュールは、
前記キャップフランジの側面に対向する前記クランプチャネルが形成された前記クランプと、
前記クランプを垂直支持するクランプブラケットと、
前記ベースプレートに固定され、ロッドを介して前記クランプブラケットに連結され、前記クランプブラケット及び前記クランプを前進又は後進させるアクチュエータと、を含み、
前記アクチュエータの駆動によって、前記クランプは、クランプするためのロック位置とクランプ解除のための解除位置との間を移動することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
前記ベースプレートの下部に、弾性部の弾性力により前記ベースプレートと離隔が維持される昇下降プレートをさらに備え、
前記弾性部は、
前記ベースプレートと前記昇下降プレートとの間に介在され、前記キャップフランジの上面と前記マニホールドアセンブリの底面が前記第１の間隔で近接するための前記弾性力を提供することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
前記弾性部は、
前記昇下降プレートと前記ベースプレートとの間の複数の位置に介在されたスプリングを含むことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
前記インナーチューブの一部が受容され、前記インナーチューブとの間に前記反応空間と独立した保護空間を形成するアウターチューブをさらに含み、
前記マニホールドアセンブリは、上部の前記アウターチューブと下部の前記インナーチューブとを離隔して支持することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記マニホールドアセンブリは、
前記保護空間と連通して前記保護空間に不活性ガスを供給するアウターガス供給口と不活性ガスを排気するアウターガス排気口とが形成されたことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
前記マニホールドアセンブリは、
前記保護空間と連通し、前記保護空間の圧力を常圧より低い低圧に形成するために、外部の真空ポンプと連結されるアウターポンプ口が形成されたことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
前記マニホールドアセンブリは、
前記反応空間と連通して前記反応空間に工程ガスを供給するインナーガス供給口と、前記工程ガスを排気するインナーガス排気口とが形成されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記マニホールドアセンブリは、
前記反応空間と連通し、前記反応空間の圧力を常圧より低い低圧に形成するために、外部の真空ポンプと連結されるインナーポンプ口が形成されたことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
前記マニホールドアセンブリは、
前記反応空間の温度を測定する熱電対が設けられる熱電対保護管が締結される熱電対締結口が形成されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記インナーチューブの前記反応空間に垂直設けられ、下部が前記マニホールドアセンブリを介して引き出され、前記反応空間内のそれぞれ異なる位置で温度を検知する検出部を備える熱電対が複数個挿入される熱電対保護管を含み、
前記反応空間は、
第２のドーム状天井により形成された天井領域と前記天井領域の下部の反応領域とに分けられ、
前記熱電対保護管は、
前記天井領域に延び、曲げられた上部の延長管を備え、
少なくとも一つの熱電対の前記検出部が前記延長管内に位置することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記熱電対保護管は、
上部の前記延長管と、前記延長管の下部の垂直管と、前記垂直管から折れて形成され、前記マニホールドアセンブリの側壁を貫通して外部に引き出される下部管と、を含み、
前記延長管、前記垂直管及び前記下部管は、一体に形成されることを特徴とする請求項１３記載の基板処理装置。