KR20110025185A - 열 구배 보강 화학 기상 증착 - Google Patents

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아익스트론 아게
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Abstract

챔버 내 기판 또는 다른 작업물의 수직 치수(vertical dimension)에 걸쳐서 희망 열 구배 프로파일을 제공하도록 위치된 다수의 가열기들의 포함에 의해서 열 구배 보강 CVD를 하도록 화학 기상 증착(CVD) 장치가 구성된다. 상기 챔버는 열 구배의 방향에 평행한 바닥으로 또는 하향식으로 중간 막들을 거치는 확산을 매개로 하는 박막들의 제어된 성장을 위해서도 사용될 수 있도록 구성된다.

Description

열 구배 보강 화학 기상 증착 {THERMAL GRADIENT ENHANCED CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (TGE-CVD)}
관련 출원( RELATED APPLICATIONS )
[0001] 본 출원의 정규의 출원이고 인용에 의하여 본 명세서에 병합되는 2008년 5월 28일에 출원된 미국 특허 가출원 61/056,619의 우선권의 이익을 주장한다.
기술 분야
[0002] 본 발명은 열 구배 보강 화학 기상 증착을 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.
[0003] 나노튜브 및 나노와이어(nanotubes and nanowires)를 위한 일반적으로 수용되는 성장 메커니즘은 촉매를 통한 가스의 확산이다. 가스의 확산 속도(rate of diffusion)를 조절하는 인자들 중의 하나는 기판 또는 촉매에 걸친 열 구배이다{예를 들어, R.T.K. Baker, "Catalytic Growth of Carbon Filaments", Carbon, v. 27, pp. 315-329 (1989); 그리고 R. S. Wagner, in Whisker Technology, A. P. Levitt Ed., p. 47 (Wiley, New York, 1970) 참조). 따라서, 특히 기판 위에서 수직 방향으로의 나노튜브 및 나노와이어의 성장에 대하여, 열 구배를 수직으로 제어하는 것이 중요하다.
[0004] 도 1을 참조하면, 핫 월 장치(hot wall apparatus)(10)에 있어서, 가열기(12)가 챔버(14)를 둘러싸서 챔버와 챔버 내 기판(16)을 성장 온도까지 가열한다. 성장을 촉진하기 위해 가스가 수평으로 챔버를 통해 기판(16) 위로 유동한다. 챔버와 기판은 동일한 온도를 가지고 따라서 웨이퍼에 걸쳐서 수직 열 구배를 형성하는 것이 불가능하다.
[0005] 도 2를 참조하면, 가열된 기판 장치(20)에 있어서, 기판(22)이 챔버(26) 내 가열기(24) 위에 두어진다. 그러면, 기판은 성장 온도까지 가열된다. 위로부터 (예를 들어 가스 분배기(28)를 매개로) 챔버(26) 내로 가스가 도입되어 기판의 상부 표면을 냉각시키고 배출구(30)를 통해 제거된다. 이것은 음의 온도 구배를 형성하는데, 웨이퍼의 상부 측이 가열기와 접촉하고 있는 웨이퍼의 바닥 측보다 더 차기 때문이다. 음의 온도 구배는 나노튜브와 나노와이어의 성장을 방해할 수 있다. 몇몇 경우들에 있어서, 기판 위에서 가스를 분해하기 위해 플라즈마가 사용되지만, 음의 온도 구배의 문제점은 여전히 존재한다.
[0006] 도 3을 참조하면, 핫 필라멘트 화학 기상 증착에 있어서, 가열된 기판 장치(20)와 관련하여 사용된 것과 유사한 장치(20')가 사용되는데, 상기 장치(20')는 가스 분배기와 기판(22) 사이에서 챔버(26) 내에 얇은 와이어 또는 필라멘트(32)가 도입된다는 점이 상기 장치(20)와 다르다. 얇은 와이어 또는 필라멘트는 가스가 기판에 도달하기 전에 가스들을 분해하는데 사용된다. 얇은 와이어 또는 필라멘트는 종종 1000℃를 초과하는 온도에서 동작된다. 가열이 기판에 미치는 영향을 줄이기 위해서 와이어는 종종 얇고 50%보다 작은 영역 도달범위을 가진다. 또한 와이어와 기판 간의 거리가 고정된다.
발명의 요약
[0007] 일 실시예에 있어서, 본 발명은 기판 상에 막(film)을 화학 기상 증착하도록 구성된 챔버로서, 상기 기판을 지지하도록 구성된 바닥 가열기와 상기 바닥 가열기 위에 수직 거리를 두고 배치된 상부 가열기를 내부에 구비하는 챔버를 포함하는 기상 증착 장치를 제공한다. 상기 상부 가열기는 개구들을 구비하고 상기 개구들을 통해 반응 가스가 상기 챔버 내 가스 분배기로부터 상기 기판을 향하여 수직으로 지나가는 것이 허용된다. 몇몇 예시들에 있어서 상기 상부 가열기의 영역 도달범위는 50%를 넘는다. 또한, 상기 상부 가열기 및 상기 바닥 가열기 간의 수직 거리의 조정을 용이하게 하도록, 상기 상부 가열기 및 상기 바닥 가열기 중 하나 이상이 서로에 대하여 수직 운동할 수 있도록 구성될 수 있다. 몇몇 경우들에 있어서, 상기 상부 가열기가 상기 가스 분배기와 일체화된다.
[0008] 본 발명의 다른 실시예는 기판 상에 막을 화학 기상 증착하도록 구성된 챔버로서, 상기 기판을 지지하도록 구성된 바닥 가열기와 상기 바닥 가열기 위에 수직 거리를 두고 배치된 상부 가열기를 내부에 구비하는 챔버를 포함하고, 상기 상부 가열기는 개구들을 구비하면서 가스 분배기 위에 위치되고, 상기 개구들을 통해 반응 가스가 상기 기판을 향하여 수직으로 지나가는 것이 허용되는 기상 증착 장치를 제공한다.
[0009] 기상 증착 장치의 또 다른 양태는 기판 상에 막을 화학 기상 증착하도록 구성된 챔버로서, 상기 기판을 지지하도록 구성된 바닥 가열기와 상기 바닥 가열기 위에 수직 거리를 두고 배치된 상부 가열기를 내부에 구비하는 챔버를 제공하는데, 상기 상부 가열기는 개구들을 구비하면서 가스 분배기의 둘레(around) 주위에(circumferentially) 위치되고, 상기 개구들을 통해 반응 가스가 상기 기판을 향하여 수직으로 지나가는 것이 허용된다.
[0010] 전술한 실시예들 중 임의의 하나 또는 모두에 있어서, 상기 바닥 가열기는 냉각 요소를 포함할 수 있다. 유사하게, 상기 상부 가열기 및 상기 바닥 가열기 중 하나 이상이 플라즈마를 생성하기 위한 전압을 인가하도록 구성될 수 있다.
[0011] 본 발명의 일 실시예와 일치하는 방법은 진공 챔버 내 상부 가열기와 바닥 가열기 사이에 열 구배를 확립(establish)하고 -상기 진공 챔버 내에서 기판이 상기 바닥 가열기의 근처에 위치됨-, 그리고 상기 챔버 내로 수직으로 반응 가스를 도입하여 상기 기판 상에 증착을 생성하는 것을 포함한다. 상기 상부 가열기가 상기 바닥 가열기보다 높거나 낮은 온도로 유지될 수 있고, 상기 반응 가스가 상기 기판의 상부 표면과 맞닥뜨리기 전에, 상기 반응 가스가 상기 상부 가열기 내에서 개구들을 통해 수직으로 유동하도록 이루어진 후에, 진공 펌프를 사용하여 상기 챔버로부터 상기 반응 가스가 비워질(evacuate) 수 있다.
[0012] 이하 본 발명의 이들 기술적 특징들 및 실시예들 그리고 다른 기술적 특징들 및 실시예들이 기술된다.
[0013] 첨부된 도면들에서 본 발명이 예시적으로 설명되지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
[0014] 도 1은 챔버를 둘러싸는 가열 요소에 의해서 기판들이 가열되는 통상적인 장치를 나타낸다.
[0015] 도 2는 하나의 기판 가열 요소를 구비하여 구성된 통상적인 챔버를 나타낸다.
[0016] 도 3은 통상적인 핫 필라멘트, 기판 상 화학 기상 증착(CVD)을 위해 구성된 챔버를 나타낸다.
[0017] 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 구성된 장치를 나타내는데, 상기 장치는 기판 상 나노-구조 성장을 위해 구성된 챔버 내 상부 가열 요소 및 바닥 가열 요소를 채택한다.
[0018] 도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예들에 따른 열 구배 보강 CVD를 위해 구성된 장치의 대안적인 구성들을 나타낸다.
[0019] 도 6a 및 도 6b는 샘플 웨이퍼들을 취한 이미지들인데, 본 발명의 실시예들에 따라서 구성된 장치에서의 나노 구조의 성장을 나타낸다.
[0020] 본 명세서에서는 열 구배 보강 화학 기상 증착(TGE-CVD) 방법 및 시스템이 기술된다. 다양한 양태들(instantiations)에 있어서, 본 발명은 상부 및 바닥 가열기 또는 가열 요소를 모두 포함하는 CVD (또는 다른 형태의 증착) 챔버를 제공한다. (작업 동안 20 - 1000 °C의 온도에서 유지될 수 있는) 바닥 가열기는 기판 또는 다른 작업물(work piece)을 지지하도록 구성될 수 있고 (작업 동안 20 - 1000 °C의 온도에서 유지될 수 있는) 상부 가열기는 바닥 가열기 위해 특정한 거리를 두고(예를 들어 5 - 75 mm) 배치된다. 몇몇 예시들에 있어서, 상부 가열기는 상부 가열기를 관통하여 형성된 개구들을 구비할 수 있고 개구들은 반응 가스로 하여금 챔버 내 가스 분배기로부터 기판을 향하여 수직으로 지나갈 수 있도록 한다. 예를 들면, 상부 가열기는 가스 분배기와 일체화(integrate)될 수 있다.
[0021] 상부 가열기, 바닥 가열기, 또는 상부 가열기와 바닥 가열기는 서로에 대하여 수직 이동하도록 구성될 수 있다. 이것은 가열기들 간의 수직 거리의 조정을 용이하게 한다. 나아가 상부 가열기의 영역 도달범위(area coverage)는 50%보다 클 수 있다.
[0022] 대안적인 일 양태는 CVD(또는 다른 형태의 증착) 챔버로서 내부에 기판을 지지하도록 구성된 바닥 가열기와 상기 바닥 가열기 위로 수직 거리를 두고 배치된 상부 가열기를 가스 분배기 위쪽에 포함하는 챔버를 포함한다. 이러한 배치는 반응 가스가 기판을 향하여 수직 방향으로 방해되지 아니하면서 지나가는 것을 허용한다.
[0023] 또 다른 양태는 CVD 챔버를 포함하는 장치를 제공한다. CVD 챔버 내에는 기판을 지지하도록 구성된 바닥 가열기와 상기 바닥 가열기 위에 수직 거리를 두고 배치된 상부 가열기를 포함하고, 상기 상부 가열기는 개구들을 구비하면서 가스 분배기의 둘레(around) 주위에(circumferentially) 위치되고, 상기 개구들을 통해 반응 가스가 상기 기판을 향하여 수직으로 지나가는 것이 허용된다. 몇몇 예시들에 있어서, 바닥 가열기는 냉각 요소를 포함할 수 있다. 나아가, 상부 가열기 및 바닥 가열기 중 하나 이상이 플라즈마를 생성하기 위한 전압을 인가하도록 구성될 수 있다.
[0024] 물리적인 양태와는 무관하게, 본 발명에 따라 구성된 시스템들은 (통상적이지만 반드시 그럴 필요는 없이 바닥 가열기 근처에) 기판이 위치하는 진공 챔버 내에서 상부 가열기 및 바닥 가열기 사이에 열 구배를 확립할 수 있다. 기판 상 증착을 생성하기 위해 반응 가스가 챔버 내로 수직으로 도입되고 가열기 중 어느 하나가 다른 하나보다 온도가 높게 유지되는 것에 의해서 온도 구배가 보존된다.
[0025] 이제 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 열 구배 보강(CVD)을 위해 구성된 장치(34)가 설명된다. 기판(22)이 챔버(26) 내 바닥 가열기(38) 상에 두어진다. 이것은 종래 기술에서 알려진 바와 같이 통상적인 진공 로봇식 웨이퍼 핸들러를 사용하여 행해질 수 있다. 반응 가스로 하여금 가스 분배기(28)로부터 기판(22)으로 수직으로 지나가도록 하는 개구들(37)을 구비하는 상부 가열기(36)가 기판(22) 위에 현가된다(suspend). 챔버 내 수직 열 구배 생성에 있어서 상부 가열기의 효율을 최대화하도록 상부 가열기의 영역 도달범위는 바람직하게는 50%보다 크다. 상부 가열기(36) 및 바닥 가열기(38) 중 하나 이상이 수직으로 이동할 수 있어서 가열기들 간의 수직 거리의 조정을 용이하게 할 수 있다.
[0026] 가열기들 간의 거리와 가열기들 간의 온도차는 기판(22)의 수직 치수에 걸친 열 구배를 제어하는 데에 사용될 수 있다. 예를 들면, 상부 가열기가 바닥 가열기보다 온도가 더 높으면, (기판의 상부로부터 기판의 바닥까지) 양의 열 구배가 형성된다. 이와 달리, 예를 들면, 바닥 가열기가 상부 가열기보다 온도가 더 높으면, (기판의 상부로부터 기판의 바닥까지) 음의 열 구배가 형성된다.
[0027] 다양한 상이한 챔버/가열기 구성들이 채택될 수 있다. 예를 들면, 도 5a가 나타내는 일 구성에 있어서, 장치(34')는 가스 분배기(40)와 일체화된 (이동가능하거나 고정될 수 있는) 상부 가열기(36')를 포함한다. 가스 분배기(40)는 기판의 방향으로 가스를 제공하는 가스 유출 포트(exit port) 또는 분사기를 구비하는 샤워헤드로서 구성될 수 있다. 이러한 특정한 예시에 있어서, 상부 가열기(36')는 샤워헤드(40) 위에 위치되지만, 다른 실시예들은 다른 방식으로 이들 요소들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 가열기가 상기 샤워헤드 둘레 주위에 위치되거나 거기에서 중앙에 위치될 수 있다.
[0028] 또 다른 실시예가 도 5b에 도시된다. 이러한 실시예에 있어서, 상기 장치(34")는 그 자체에 냉각 요소(42)를 포함하는 바닥 가열기(38)를 포함한다. 바닥 가열기(38)와 냉각 요소(42)는 (집합적으로 또는 서로 독립적으로) 이동가능하여서, 큰 열 구배를 생성하기 위해 기판과 매우 가까워지도록 상부 가열기가 이동되는 상황들에 있어서, 상기 상부 가열기(36)로부터의 과다한 방사 열(radiative heating)이 존재할 때 기판(22)의 일정한 온도를 유지할 수 있다. 부가적으로, 전술한 구성들 중 임의의 구성에 있어서, 플라즈마를 생성하기 위해 상부 가열기 및/또는 바닥 가열기에 전압이 인가될 수 있다.
[0029] 도 6a 및 도 6b는 각각 650°C에서 샘플 웨이퍼들을 취한 이미지들인데, 본 발명의 실시예들에 따라 구성된 장치에서의 나노-구조의 성장을 나타낸다. 도 6a에서의 성장은 상부 가열기가 바닥 가열기보다 낮은 온도를 가지는 음의 열구배 환경에서 행해진다. 도 6b에서의 성장은 상부 가열기가 바닥 가열기보다 높은 온도를 가지는 양의 열구배 환경에서 행해진다.
[0030] 본 명세서에 기술된 나노-구조 성장 작업을 수행하기에 적합한 장치에 대한 많은 상세들이 본 발명의 기술적 특징들(features)을 불필요하게 불분명하게 만들지 않도록 상세히 설명되지 아니하였음을 이해할 수 있을 것이다. 물론 그러한 상세들에 작업 시스템(operational system)이 필요할 수 있지만 종래 기술에 알려져 있다. 예를 들면, 본 발명의 양수인에게 양수되었고 인용에 의해서 본 명세서에 병합되는 미국등록특허 5,855,675는 장치에 포함될 수 있고 본 발명에 따른 이중(dual) 가열기를 더 포함할 수 있는 기술적 특징들에 관한 좋은 논의를 제공한다. 일반적으로, 그러한 상업적인 장치는 실질적으로 진공 챔버 내에서 동작하는 클러스터-툴 기반 프로세스 시스템으로서 조직될 수 있다. 웨이퍼 이송 장치가 진공 챔버의 중앙으로부터 동작하도록 위치될 수 있고 그리고 상기 웨이퍼 이송 장치는 회전 및 신장(extension)에 의해서 기판들을 일반적으로 반도체 웨이퍼들을 프로세스 챔버로부터 및 상기 프로세스 챔버로 두거나 회수하도록 구성될 수 있는데 여기서 상기 프로세스 챔버는 전술된 방식으로 구성되고 실질적으로 원형인 진공 이송 챔버의 주위 둘레 지점들에 부가(appended)된다. 웨이퍼들이 외부 환경으로부터 로드록을 거쳐 진공 챔버 내로 이어서 하나 이상의 프로세스 챔버를 거쳐 그리고 마지막으로 언로드 록을 거쳐 외부 환경으로 되돌려 이동될 수 있다. 프로세스에 사용된 가스는 앞서 기술한 샤워헤드 매니폴드와 같은 매니폴드들 및 도관(conduit(s))을 거쳐 가스 공급부(gas feed) 및 제어 유닛을 매개로 도입될 수 있다. 대안적으로 다른 가스 분배기 매니폴드들이 사용될 수 있다.
[0031] 챔버 배출구들에 유체소통되게 커플링된 진공 펌프들을 사용을 통해서 일반적으로 대기 압력으로 또는 대기 압력보다 낮게 프로세스 챔버가 유지된다. 이것은 대기 가스 및 다른 입자에 의한 오염을 회피한다. 프로세스 챔버들 중 하나에서의 프로세스 동안, 프로세스 가스의 과도한 양을 사용하는 것 없이도 프로세스 챔버 압력을 제어하기 위해서 진공 펌핑이 쓰로틀링될 수 있다. 그러한 쓰로틀링은 제어가능한 개구들(openings)을 구비하는 밸브들에 의한 것을 포함하는 무수한 방식으로 성취될 수 있다. 일반적인 프로세스 사이클에 있어서 프로세스가 완료된 후에 가스가 차단되고(valve off) 프로세스 챔버 내 최대 펌핑 속도를 허용하기 위해서 쓰로틀링 기구가 개방된다. 그 목적은 기판 이송 장치 내 압력과 가까운 값까지 프로세스 챔버 내 가스 압력을 감소시키는 것이다. 이어서 챔버로부터 처리된 웨이퍼가 제거될 수 있다.
[0032] 프로세스 챔버 아래에 장착된 구동 조립체(drive assembly)가 상부에 기판 지지부(예를 들어 바닥 가열기)가 부착되는 내부 받침대(internal pedestal)를 상승시키거나 하강시키는 데에 사용될 수 있다. 대안적으로, 바닥 가열기는 상기 받침대 내에 포함될 수 있다. 그래도 통상 받침대 장치는 처리될 웨이퍼를 지지하고 상기 웨이퍼에 열을 제공하기 위한 가열된 노(爐, hearth)를 포함할 것이다. 받침대가 가장 아래인 위치에 있을 때 웨이퍼들은 챔버 내로 삽입될 수 있고 노 위에 놓이도록 릴리스될 수 있고 그리고 이송 장치가 물러난(withdraw) 후에, 받침대가 상승하여 지지된 웨이퍼가 상승하여 상기 웨이퍼가 처리될 프로세스 위치에 놓이도록 이동할 수 있다. 상기 프로세스 챔버로부터 웨이퍼가 제거될 때에는 상기 절차가 역전될 수 있다. 벨로우즈들(bellows)에 의해서 상기 받침대에 대한 자유로운 수직 운동(vertical freedom of motion)을 허용하면서 전체 조립체에 대하여 진공 무결성(vacuum integrity)이 유지될 수 있다. 받침대 조립체를 수직 방향으로 병진운동시킬 수 있는 다른 메커니즘들이 존재하며 본 발명의 범주를 벗어나지 아니하면서 이루어질 수 있는 다양한 변경들(alterations)이 존재함이 본 발명이 속한 기술 분야의 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 예를 들어 공기 실린더, 공기-오일 시스템, 유압 시스템 등과 같은 다양한 상이한 신장가능한(extensible) 구동기들이 사용될 수 있다.
[0033] 이상, 열 구배 보강 화학 기상 증착 수단이 기술되었다. 몇몇 도시된 실시예들과 관련하여 기술되었을지라도, 본 발명은 이들 설명들에 제공된 예시들에 의해서 제한되지 아니한다. 예를 들면, 본 발명의 방법 및 시스템은 열 구배의 방향에 대해 하향식으로(top down) 또는 바닥 평행식으로(bottom pararell) 중간 막들(intermediate films)을 거치는 확산을 매개로 하는 박막들의 제어된 성장을 위해서도 사용될 수 있다.

Claims (13)

  1. 기판 상에 막(film)을 화학 기상 증착하도록 구성된 챔버로서, 상기 기판을 지지하도록 구성된 하부 가열기와 상기 하부 가열기 위에 수직 거리를 두고 배치된 상부 가열기를 내부에 구비하는 챔버를 포함하고,
    상기 상부 가열기는 개구들을 구비하고 상기 개구들을 통해 반응 가스가 상기 챔버 내 가스 분배기로부터 상기 기판을 향하여 수직으로 지나가는 것이 허용되는,
    장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 상부 가열기의 영역 도달범위(region coverage)가 50%를 넘는,
    장치.
  3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 상부 가열기 및 상기 하부 가열기 간의 수직 거리의 조정을 용이하게 하도록, 상기 상부 가열기 및 상기 하부 가열기 중 하나 이상이 서로에 대하여 수직 운동할 수 있도록 구성된,
    장치.
  4. 제1 항 내지 제3 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 가열기가 상기 가스 분배기와 일체화된,
    장치.
  5. 기판 상에 막을 화학 기상 증착하도록 구성된 챔버로서, 상기 기판을 지지하도록 구성된 하부 가열기와 상기 하부 가열기 위에 수직 거리를 두고 배치된 상부 가열기를 내부에 구비하는 챔버를 포함하고,
    상기 상부 가열기는 개구들을 구비하면서 가스 분배기 위에 위치되고, 상기 개구들을 통해 반응 가스가 상기 기판을 향하여 수직으로 지나가는 것이 허용되는,
    장치.
  6. 기판 상에 막을 화학 기상 증착하도록 구성된 챔버로서, 상기 기판을 지지하도록 구성된 하부 가열기와 상기 하부 가열기 위에 수직 거리를 두고 배치된 상부 가열기를 내부에 구비하는 챔버를 포함하고,
    상기 상부 가열기는 개구들을 구비하면서 가스 분배기의 둘레(around) 주위에(circumferentially) 위치되고, 상기 개구들을 통해 반응 가스가 상기 기판을 향하여 수직으로 지나가는 것이 허용되는,
    장치.
  7. 제1 항 내지 제6 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 바닥 가열기는 냉각 요소를 포함하는,
    장치.
  8. 제1 항 내지 제7 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 가열기 및 상기 하부 가열기 중 하나 이상이 플라즈마를 생성하기 위한 전압을 인가하도록 구성된,
    장치.
  9. 진공 챔버 내 상부 가열기와 하부 가열기 사이에 열 구배를 확립(establish)하고 -상기 진공 챔버 내에서 기판이 상기 하부 가열기의 근처에 위치됨-, 그리고
    상기 챔버 내로 수직으로 반응 가스를 도입하여 상기 기판 상에 증착을 생성하는 것을 포함하는,
    방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 상부 가열기가 상기 하부 가열기보다 높은 온도로 유지되는,
    방법.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 하부 가열기가 상기 상부 가열기보다 높은 온도로 유지되는,
    방법.
  12. 제9 항 내지 제11 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    진공 펌프를 사용하여 상기 챔버로부터 상기 반응 가스를 비우는(evacuate) 것을 더 포함하는,
    방법.
  13. 제9 항 내지 제11 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 반응 가스가 상기 기판의 상부 표면과 맞닥뜨리기 전에, 상기 반응 가스가 상기 상부 가열기 내에서 개구들을 통해 수직으로 유동하도록 이루어지는,
    방법.
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