JP3276471B2 - 熱処理装置及び熱処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ等を熱処
理する熱処理装置及び熱処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体ウエハの如き被処理体に
均熱状態において所定の熱処理を施して、この表面に薄
膜を形成したり熱拡散を行ったりする装置として熱処理
装置が用いられている。

【０００３】この種の熱処理装置を図４に基づいて説明
すると、この熱処理装置２は、石英製の内管４とこれに
同心状に配置される外管６とよりなる処理容器８を有し
ており、この中に石英製ウエハボート１０に多数枚積層
載置された被処理体としての半導体ウエハＷがエレベー
タ１２により挿脱可能に収容されている。

【０００４】この処理容器８の下部には、処理ガス供給
管１４及びガス排気管１６を有するステンレス製のマニ
ホールド１８が接続され、この下端開口部には、ステン
レス製のキャップ部２０が気密に密閉可能に設けられ
る。このキャップ部２０上に、断熱するための石英製の
保温筒２１を介して上記ウエハボート１０が載置され
る。上記処理容器８の外周には、容器８を加熱するため
のヒータ部２２がその高さ方向に沿って巻回されてお
り、このヒータ部２２の外側は断熱材２４を介してステ
ンレス製のアウターシェル２６に被われ、全体として加
熱炉２８を構成している。

【０００５】ウエハを熱処理する場合の温度管理は、非
常に重要な要素であり、そのため、精密な温度制御を行
うために加熱ゾーンは処理容器８の高さ方向に複数、例
えばその上方より下方に向けて第１〜第５の加熱ゾーン
３０Ａ〜３０Ｅに５分割されており、各加熱ゾーンに対
応させてヒータ部２２には温度センサ、例えば外部熱電
対３２Ａ〜３２Ｅが設けられ、この検出値に基づいて対
応する各加熱ゾーンのヒータ部２２の電力を個別的に制
御し得るようになっている。

【０００６】また、ウエハＷとヒータ部２２との間は、
ある程度の距離があるため、ヒータ部の外部熱電対３２
Ａ〜３２Ｅにはウエハの正確な温度が反映され難く、こ
れをある程度補償するために、内管４と外管６との間に
はＬ字状に成形された石英製の熱電対管３４がマニホー
ルド１８より着脱可能に配置されており、この中に、上
記加熱ゾーンに対応させて複数の内部熱電対３６Ａ〜３
６Ｅが収容されている。

【０００７】さて、このような熱処理装置においてウエ
ハの熱処理を行う場合、例えば予め４００℃程度に加熱
された処理容器８内に常温のウエハボート１０及び多数
枚のウエハＷをロードした時に炉内温度が下がるが、そ
の後ヒータ部２２のパワーを上げて炉温をプロセス温
度、例えば８５０℃程度に昇温する。この時、ウエハボ
ート１０のＴＯＰ（トップ）ゾーンからＢＴＭ（ボト
ム）ゾーン近傍、具体的には最上部の加熱ゾーン３０Ａ
から最下部の１つ上の加熱ゾーン３０Ｄまでは、熱容量
が比較的小さいために、昇温及び温度安定に必要な時間
は比較的短く、制御を行い易い。しかしながら、他のゾ
ーンと比較してＢＴＭゾーン、詳しくは最下部の加熱ゾ
ーン３０Ｅは断熱材として使用している保温筒２１の熱
容量が大きいこと及び、炉口からの放熱が大きいため、
昇温及び温度安定に必要な時間は比較的長くなってしま
う。

【０００８】そこで、温度安定に必要な時間を短くする
には、昇温レートをなるべく大きくすると共にオーバシ
ュート等を発生させないで温度を安定させる温度制御が
必要となる。このために、実際の温度制御は、ヒータ部
２２に設けた外部熱電対３２Ａ〜３２Ｅにおける温度を
モニタするのみでなく、炉内に設けた内部熱電対３６Ａ
〜３６Ｅの温度もモニタし、外部熱電対３２Ａ〜３２Ｅ
または、内部熱電対３６Ａ〜３６Ｅの検出値でヒータ部
の温度を制御しながら、内部熱電対３６Ａ〜３６Ｅが設
定温度になるように制御することが行われている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような処理装置にあっては、ウエハ温度を測るために
内部熱電対３６Ａ〜３６Ｅを内管４と外管６との間に設
けて温度補償を行うようになっているが、この場合には
内部熱電対３６Ａ〜３６ＥとウエハＷとの間の距離が十
分に接近しているとは言えず、このために温度の応答性
が十分ではない。特に、保温筒２１を配置して熱容量の
大きいボトムゾーンにおいては温度応答性が劣り、全体
のウエハ温度安定化までに多くの時間を要するという問
題点があった。

【００１０】また、熱処理、例えば成膜中においては、
処理ガス供給管１４より導入された処理ガスは内管４内
を上昇して反応生成物がウエハＷ面に堆積し、処理済み
のガスが内管４と外管６との間を流下してガス排気管１
６より排出されるが、内部熱電対３６Ａ〜３６Ｅを収容
する熱電対管３４が処理ガス流の下流側に配置されてい
るために、反応生成物が熱電対管３４の周囲やマニホー
ルドへの熱電対管取り付け部に付着し、これがために内
部熱電対メンテナンス時の熱電対管の取り外し障害を引
き起こし、取り外し時に破損したり或いは管壁に付着し
た堆積物を洗浄除去するのも大変な作業であった。そし
て、このように熱電対管壁に堆積物が付着することか
ら、これが熱障害となってウエハの正確な温度を一層計
り難いものにしていた。更には、内部熱電対として複
数、例えば５個も用いなければならず、これに接続され
る素線も長くなり、コストの上昇を余儀なくされるとい
う問題点もあった。

【００１１】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、温度検出センサを被処理体に近く、応答を最
も律速している場所のみに設置し、しかも反応生成物が
付着しない場所に設置して熱応答性を向上させた熱処理
装置及び熱処理方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記した問題
点を解決するために、内管と外管の２重管構造からなる
処理容器の該内管内に、保温筒上に載置した被処理体ボ
ートに収容された被処理体を導入して熱処理を行う熱処
理装置において、前記内管と前記保温筒との間に形成さ
れる間隙部に温度制御用の温度検出センサを設けるよう
に構成したものである。

【００１３】

【作用】本発明は、以上のように構成したので、温度検
出センサは例えば保温筒と内管との間に形成される間隙
部よりなる成膜不着エリアに配置されているので、この
部分は処理ガス流の上流側となり、従って反応生成物が
センサに付着することがない。また、このセンサ設置位
置は内管の内側なので被処理体に対して一層近くなり、
このため被処理体の温度を熱応答性良く且つ比較的正確
に測定することができる。従って、被処理体全体を迅速
にプロセス温度まで昇温して早期に熱安定化させること
が可能となる。

【００１４】

【実施例】以下に、本発明に係る熱処理装置及び熱処理
方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は
本発明に係る熱処理装置を示す断面図である。尚、図４
に示す従来装置と同一部分については同一符号を付す。

【００１５】図示するようにこの熱処理装置３８は、例
えば石英により円筒状に成形されて、上端部は閉鎖され
て下端部が開放された処理容器８を有しており、この処
理容器８内は、上端部が開放された有天井の石英製の外
管６と、この内側に同心状に配置されて、例えば上端が
開放された円筒状の石英製の内管４とにより構成され
る。そして、この内管４内に、例えば石英よりなる被処
理体ボート、例えばウエハボート１０に上下方向に所定
のピッチで多数枚積層載置した被処理体、例えば半導体
ウエハＷが挿脱自在に収容されている。

【００１６】この処理容器８の外周には、これを被って
同軸的に例えば螺旋状に巻回されたヒータ部２２が設け
られると共にこのヒータ部２２の外周には断熱材２４を
介して例えばステンレススチールよりなる筒体状のアウ
ターシェル２６が設けられて、全体として加熱炉２８を
構成している。

【００１７】上記加熱炉２８の加熱ゾーンは、精密な温
度制御を行うために処理容器８の高さ方向に複数、例え
ばその上方より下方に向けて第１〜第５の加熱ゾーン３
０Ａ〜３０Ｅに５分割されており、各加熱ゾーンに対応
させてヒータ部２２には外部温度センサ、例えば外部熱
電対３２Ａ〜３２Ｅが設けられ、この検出値に基づいて
対応する各加熱ゾーンのヒータ部２２の電力を個別的に
制御し得るようになっている。従って、ヒータ部２２も
加熱ゾーンに対応させて５分割され、図中２２Ａ〜２２
Ｅとして表される。

【００１８】上記処理容器８の下端部には、例えばステ
ンレススチールよりなる筒体状のマニホールド１８が接
続されている。このマニホールド１８の上端部には環状
にフランジ部１８Ａが形成されると共にこのフランジ部
１８Ａには外管６の下端フランジ部６Ａが例えばＯリン
グ４０を介して気密に支持されている。

【００１９】上記マニホールド１８はその内側突出部１
８Ｂにより上記内管４の下端部を支持する一方、このマ
ニホールド１８には、処理ガスを導入するための処理ガ
ス供給管１４がその先端を内管４の内側まで延在させて
連結されると共に図示しない真空ポンプに接続されるガ
ス排気管１６が外管６と内管４との間に連通するように
連結されている。

【００２０】上記ウエハボート１０は、断熱機能を発揮
する例えば石英よりなる保温筒２１上に載置されると共
にこの保温筒２１は、上記マニホールド１８の下端開口
部を、Ｏリング４２を介して気密可能に封止する、例え
ば、ステンレススチールよりなるキャップ部２０に回転
可能に支持されている。このキャップ部２０は昇降機
構、例えばエレベータ１２により保持されて、上記ウエ
ハボート１０を内管４内へロード・アンロードできるよ
うに構成されている。

【００２１】そして、上記処理容器８内の下部であっ
て、熱処理時の膜が付着し難い成膜不着エリア４４に温
度制御用の温度検出センサ４６が設けられる。具体的に
は、この温度検出センサ４６は、直径が約９ｍｍ程度の
Ｌ字状に成形されたセンサ用ガラス管５０と、この中に
収容されたボトム用熱電対５２とよりなり、このガラス
管５０を内管４の内壁と保温筒２１の外壁との間に形成
される間隙部５４に設置し、その基端部をマニホールド
１８の貫通孔５６に例えばＯリング５８を介して気密に
貫通支持させている。

【００２２】この場合、ボトム用熱電対５２は、ボトム
ゾーンの中でも最下端の加熱ゾーン３０Ｅの外部熱電対
３２Ｅに水平方向に対向させて位置されている。この間
隙部５４は、処理ガスが導入された直後の部分であり反
応生成物もまだ形成されておらず、しかもウエハに対し
ても近く、熱応答性良く的確にウエハ温度を検出できる
位置である。ここで外管６と内管４の間隙及び内管４と
ウエハボート１０の間隔は、それぞれともに２０ｍｍ程
度に設定されている。

【００２３】このボトム用熱電対５２での温度は、ボト
ム用検出部６０にて検知され、この出力は、例えばマイ
クロコンピュータよりなる制御部６２へ入力される。ま
た、ヒータ部２２に設けた各外部熱電対３２Ａ〜３２Ｅ
の温度は外部熱電対検出部６４にて検知され、この出力
は上記制御部６２へ入力される。この制御部６２におい
ては、これらの入力値に基づいて各種の制御方式を用
い、ヒータ駆動部６６を介して分割ヒータ部２２Ａ〜２
２Ｅを個別に制御するようになっている。この場合、ボ
トムゾーンよりも上方においては、図４に示す装置にお
いて用いられていた内部熱電対が省かれているが、これ
はこの部分はボトム用熱電対５２を設けたエリアと比較
して熱容量が比較的小さく、そのために熱応答性も良好
なことから内部熱電対を用いないでも的確な温度制御が
可能となるからである。

【００２４】次に、以上のように構成された装置に基づ
いて行われる温度制御法について説明する。まず、最下
端の加熱ゾーン３０Ｅを除いたそれより上方の部分は、
炉口オープン時の放熱が少なく被処理体及びこれを収容
するウエハボートは、下部ゾーンで予熱されてくるため
温度変化が少なく、且つ被処理体の熱容量も小さいため
温度安定に必要な時間は短いので各外部熱電対３２Ａ〜
３２Ｄのみを用いた温度制御を行う。

【００２５】これに対して、最下端の加熱ゾーン３０Ｅ
は、保温筒２１を配置してあることから熱容量が比較的
大きくて熱応答性が良好でない。そのために、外部熱電
対３２Ｅとボトム用熱電対５２の双方を用いたきめ細や
かな温度制御を行う。炉内の温度特性を考慮すると、ヒ
ータ部２２の温度とウエハ近傍との間には、例えば５℃
程度の温度差が必ず発生することは避けられない。そこ
で、実際の熱処理を行うように先立って、図４に示され
る内部熱電対のような複数のテスト熱電対を有する熱電
対管をウエハボート１０と内管４との管にその下方より
挿入し、各テスト熱電対と対応する外部熱電対との温度
差を求めて温度プロファイルを作成し、この温度差を補
正値として制御部６２へ入力しておく。

【００２６】従って、最下端の加熱ゾーン３０Ｅ以外の
加熱ゾーン３０Ａ〜３０Ｄにおけるウエハ温度は以下の
式で求められ、図２に示す温度制御ブロック図に基づい
て温度制御される。 ウエハ温度（設定温度）＝外部熱電対温度＋補正値 （テスト熱電対温度−外部熱電対温度） これに対して、最下端の加熱ゾーン３０Ｅにおいては、
外部熱電対３２Ｅとボトム用熱電対５２の双方の検出値
を用いて、例えば図３に示すような制御が行われる。

【００２７】加熱炉２８は、ウエハに対する自然酸化膜
が形成され難い温度範囲の内で比較的高い温度、例えば
４００℃程度に予めヒータ部２２により予熱されてお
り、そして、多数の半導体ウエハＷを所定のピッチで収
容したウエハボート１０をエレベータ１２により予熱さ
れた処理容器８内にロードし、キャップ部２０によりマ
ニホールド１８の下端開口部を閉じて、処理容器８内を
密閉する。そして、ヒータ部２２のパワーを上げて、ウ
エハＷの温度をプロセス温度、例えば８５０℃まで昇温
して安定したならば、処理ガス供給管１４から所定の処
理ガスを供給し、図示しない真空ポンプにより処理容器
８内を真空引きして所定の圧力、例えば０．５Ｔｏｒｒ
程度に維持し、熱処理、例えば成膜処理を行う。この場
合、処理ガス供給管１４より炉内へ導入された処理ガス
は、保温筒２１と内管４との間の間隙部５４を上昇して
均熱状態にあるウエハ領域に流れ、ここで反応生成物が
形成されてウエハ面に成膜が行われる。内管４内を上昇
した処理ガスは容器天井部にてＵターンして内管４と外
管６との間に流れ込み、この間を流下してガス排気管１
６から容器外へ排出されることになる。

【００２８】ここで、炉内温度は、この加熱炉２８に設
けた各熱電対により常時検出されており、検出された温
度はボトム用検出部６０及び外部熱電対用検出部６４を
介して制御部６２へ入力され、制御部６２は設定温度に
基づいてヒータ駆動部６６を介してヒータ部２２のパワ
ーを制御する。この制御は、５分割された加熱ゾーン３
０Ａ〜３０Ｅ毎に独立的に制御するために分割ヒータ部
２２Ａ〜２２Ｅ毎に個々に温度制御することになる。

【００２９】例えば予熱時の４００℃からプロセス温度
である８５０℃までの昇温時を例にとると、最下部の加
熱ゾーン３０Ｅよりも上方の加熱ゾーン３０Ａ〜３０Ｄ
においては熱容量が比較的小さいことから熱応答性が良
く、図２に示すように制御される。すなわち、各加熱ゾ
ーン３０Ａ〜３０Ｄの外部熱電対３２Ａ〜３２Ｄにて検
出された値に対して、予め各ゾーンに対応して求められ
た補正値、例えば−５℃（一般的にヒータ部よりもウエ
ハの温度が５℃程度低いものとする）を加え、この補正
された値とウエハの設定温度とを比較して差値を求め
る。そしてこの求められた差値に基づいて新たな操作量
を求め対応する分割ヒータ部を制御する。この場合、差
値が常にゼロを維持するように温度制御がなされる。

【００３０】このように最下部の加熱ゾーン以外の加熱
ゾーンは、熱容量が比較的小さくて熱応答性が良好なた
め、外部熱電対３２Ａ〜３２Ｄのみを用いた温度制御で
も、これら加熱ゾーンにおいてオーバーシュート等を発
生させることなくプロセス温度に早期に安定させること
ができる。従って、プロセス温度までの昇温及び温度安
定に必要な時間は短い。

【００３１】これに対して、最下部の加熱ゾーン３０Ｅ
においては、外部熱電対３２Ｅのみならずボトム用熱電
対５２の検出温度値も使用して、きめ細かな制御を行
う。すなわち外部熱電対の検出温度とボトム用熱電対の
検出温度を一定の比率（レシオ）で混合した温度に対し
て、設定温度と一致するように炉温制御を行うものであ
り、外部熱電対の利点である、最終目的温度への収束の
良さと、内部に位置するボトム用熱電対５２の利点であ
る、設定値に対する追従の良さ及び内部温度の急激な変
化に対する炉温制御の応答の良さの両方の利点をミック
スしたものであり、ウエハローディング時の温度リカバ
リーを向上させることができる。

【００３２】図３に示すように外部熱電対３２Ｅにて検
出された温度値に対して、予めこの加熱ゾーンに対応し
て求められた補正値を加え、この補正後の値とボトム用
熱電対５２にて検出された温度値とを所定の比率（レシ
オ）によりミックスしてミックス値を求める。そして、
このようにして求めたミックス値を設定温度とを比較し
てこれらの差値を求め、この差値に基づいて新たな操作
量を求めて分割ヒータ部２２Ｅを制御する。

【００３３】例えば、常温のウエハＷをロードした当初
は急激に温度が下がることからこの時点においては、最
下部の分割ヒータ部２２Ｅのパワーを、他の部分に比べ
て少し大き目にして昇温速度を上げ、ある程度まで昇温
したならばオーバーヒート防止のためにパワーを通常の
昇温速度を得るようなパワーに設定する。炉全体の温度
安定までの時間は、熱容量の比較的大きなボトム側の温
度安定の速度で律速されてしまうが、このように、熱容
量の比較的大きい最下部の加熱ゾーン３０Ｅのみは内部
に設けたボトム用熱電対５２と外部熱電対３２Ｅの検出
値に基づいて温度制御するようにしたのでこの部分にお
ける昇温及び温度安定に要する時間を大幅に短縮するこ
とができ、従って、炉全体の温度安定までに要する時間
を短くすることができ、スループットを向上させること
ができる。

【００３４】また、ボトム用熱電対５２は、内管４内の
下部であって保温筒２１と内管４の内壁との間の間隙部
５４に位置されているので、処理ガス流の上流側とな
り、しかも温度も低く反応生成物も形成されておらず未
反応のガスが多いのでボトム用熱電対５２を収容するセ
ンサ用ガラス管５０にほとんど堆積物が付着することが
ない。従って、成膜処理を繰り返し行っても堆積物がほ
とんど付着しないことから、常にウエハＷの温度を正確
に検出することができ、的確な温度制御を行うことがで
きるのみならず、管取り付け部にも堆積物が付着しない
のでセンサ用ガラス管５０も容易に取り外すことができ
メンテナンスを容易に行うことができる。

【００３５】また、上述のように反応生成物の付着も非
常に少ないのでメンテナンス時の洗浄も容易に行うこと
ができ、しかも、熱電対用の素線の数も１本と少なく一
層洗浄操作が容易となる。更には、センサ用ガラス管５
０は内管４の内側に設けてあることから、従来装置と異
なり、メンテナンス時には内管４を取り外すことなくこ
のセンサ用ガラス管５０を取り外すことがてきる。ま
た、使用する熱電対の数も大幅に削減することができる
ので、コストの削減にも寄与することができる。

【００３６】尚、上記実施例にあっては、最下部の加熱
ゾーン３０Ｅにおける温度制御方式は、２つの熱電対の
比率をミックスした制御方式について説明したが、これ
に限定されず、例えば最初に設定温度と内部のボトム用
熱電対５２の検出温度を比較して差値を求めて、この差
値に上記設定温度を加えて新たな設定値を求め、この新
たな設定値と外部熱電対３２Ｅの検出温度が一致するよ
うに制御する、いわゆるカスケード制御方式を用いても
よいのは勿論である。

【００３７】また、上記実施例にあっては、加熱ゾーン
を５つに分割した場合を例にとって説明したが、これに
限定されず、それ以下或いはそれ以上に分割されている
場合にも適用し得る。更には、上記実施例の装置は、ウ
エハボート１０を回転させるような構造であるが、本発
明はウエハボート１０を回転させない構造の装置にも適
用し得るのは勿論である。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の熱処理装
置及び熱処理方法によれば、次のように優れた作用効果
を発揮することができる。処理容器の下部の熱容量が比
較的大きい箇所であって、熱処理時に膜が付着し難い成
膜不着エリア、すなわち内管と保温筒との間に形成され
る間隙部に温度検出センサを設けるようにしたので、生
成反応物が付着せず、取り外しが容易となるのみならず
洗浄も容易になり、メンテナンス性を向上させることが
できる。また、温度検出センサには堆積物がほとんど付
着せず、しかも熱応答性を向上させることができるの
で、被処理体の温度を正確に検出することができ、ヒー
トリカバリーを迅速に行って温度安定までに要する時間
を短くすることができ、スループットを向上させること
ができる。更には、使用する熱電対の個数も減少させる
ことができるので、その分、コストを削減することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る熱処理装置を示す断面図である。

【図２】図１に示す装置の最下端の加熱ゾーン以外の加
熱ゾーンの温度制御ブロック図である。

【図３】図１に示す装置の最下端の加熱ゾーンの温度制
御ブロック図である。

【図４】従来の熱処理装置を示す断面図である。

【符号の説明】

４ 内管 ６ 外管 ８ 処理容器 １０ ウエハボート（被処理体ボート） １８ マニホールド ２１ 保温筒 ２２ ヒータ部 ２２Ａ〜２２Ｅ 分割ヒータ部 ３０Ａ〜３０Ｅ 加熱ゾーン ３２Ａ〜３２Ｅ 外部熱電対（外部温度センサ） ３８ 熱処理装置 ４４ 成膜不着エリア ４６ 温度検出センサ ５０ センサ用ガラス管 ５２ ボトム用熱電対 ５４ 間隙部 ６０ ボトム用検出部 ６２ 制御部 ６４ 外部熱電対用検出部 ６６ ヒータ駆動部 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮壽 俊明 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番 41号 東京エレクトロン東北株式会社 相模事業所内 (56)参考文献 特開 平７−29838（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/22 H01L 21/205

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内管と外管の２重管構造からなる処理容
   器の該内管内に、保温筒上に載置した被処理体ボートに
   収容された被処理体を導入して熱処理を行う熱処理装置
   において、前記内管と前記保温筒との間に形成される間
   隙部に温度制御用の温度検出センサを設けるように構成
   したことを特徴とする熱処理装置。
2. 【請求項２】 ヒータ部を有して高さ方向に複数に分割
   されて個別に温度制御が可能になされた複数の加熱ゾー
   ンを有する縦型の加熱炉内に、内管と外管の２重管構造
   からなる処理容器を設置し、前記内管内に保温筒上に載
   置した被処理体ボートに収容された被処理体を導入して
   熱処理を行なう熱処理装置において、 前記内管と前記保温筒との間に形成される間隙部に温度
   制御用の温度検出センサを設け、前記複数の加熱ゾーン
   の内の前記温度検出センサに対応する加熱ゾーンの外部
   温度センサを前記温度検出センサに対して略水平方向に
   対向させて配置し、前記温度検出センサの検出値と前記
   外部温度センサの検出値とに基づいて前記加熱ゾーンの
   温度を制御する制御部を設けるように構成したことを特
   徴とする 熱処理装置。
3. 【請求項３】 前記温度検出センサはガラス管内に収容
   されたボトム用熱電対よりなり、前記加熱ゾーンは、前
   記複数の加熱ゾーンの内の最下端の加熱ゾーンであるこ
   とを特徴とする請求項２記載の熱処理装置。
4. 【請求項４】 前記複数の加熱ゾーンには、それぞれ外
   部温度センサが設けられていることを特徴とする請求項
   ２または３記載の熱処理装置。
5. 【請求項５】 各加熱ゾーン毎にヒータ部と外部温度セ
   ンサとを有して個別に温度制御が可能になされた縦型の
   加熱炉内に、内管と外管の２重管構造からなる処理容器
   を設置し、前記内管内に保温筒上に載置した被処理体ボ
   ートに収容された被処理体を導入して熱処理を行なう熱
   処理方法において、 前記加熱ゾーンの内の最下端の加熱ゾーン以外は、前記
   対応する加熱ゾーンに設けた前記外部温度センサの検出
   値に基づいて温度制御を行ない、前記最下端の 加熱ゾー
   ンは、前記内管と前記保温筒との間に形成された間隙に
   設けた温度制御用の温度検出センサの検出値と前記最下
   端の加熱ゾーンに設けた前記外部温度センサの検出値と
   に基づいて温度制御を行なうようにしたことを特徴とす
   る熱処理方法。