JP7098690B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
従って、基板処理装置は、製品の信頼度を確保することができ、歩留まりを改善できる技術を採用するように設計される必要がある。
また、このような薄膜を形成する過程で、薄膜の内部又は薄膜表面の残留物は、歩留まりを低下させる問題があった。
を含む基板処理装置を開示する。
前記保護空間の圧力を常圧より低い低圧に形成するために、外部の真空ポンプと連結されるアウターポンプ口が形成される。
このような前処理によって基板の界面格子で不純物やその他の原因による薄膜の不完全性を除去することができる。
前記昇下降プレート210は、モータの駆動により昇下降力が提供される昇下降モジュール(未図示)に結合され、昇下降される。
それぞれの加熱ブロックは、該当する温度検知位置の熱電対の検知信号に対応して加熱温度が独立して制御され得る。
このとき、反応空間32が常圧以上のとき、保護空間22の第1の内部圧力POは、反応空間32の第2の内部圧力PIよりも均一な差で高く維持される。
即ち、インナーチューブ30の反応空間32に対するメインポンピングが行われる。
20:アウターチューブ
30:インナーチューブ
40:リング状のカバー
50:アウターマニホールド
60:インナーマニホールド
70:キャップフランジ
80:ボート
90:回転プレート
100:熱電対保護管
Claims (18)
- 内部に保護空間を形成し、下部に第1の入口が形成されたアウターチューブと、
内部に前記保護空間と独立した反応空間を形成し、下部に第2の入口が形成されており、一部が前記アウターチューブに受容され、前記第2の入口が形成された部分は、前記アウターチューブの下方に突出されたインナーチューブと、
上部の前記アウターチューブと下部の前記インナーチューブとを離隔して支持するマニホールドアセンブリと、
前記マニホールドアセンブリの下部を密閉するキャップフランジと、
を含み、
前記マニホールドアセンブリは、
前記アウターチューブの下端部を支持し、前記保護空間と連結される第1の内部空間を形成するアウターマニホールドと、
上端が、前記アウターマニホールドの下端と結合部材を介して締結され結合され、前記インナーチューブの下端部を支持し、前記反応空間と連結されて前記第1の内部空間と独立した第2の内部空間を形成するインナーマニホールドと、を含み、
前記アウターマニホールドは、
不活性ガスを供給するアウターガス供給口と不活性ガスを排気するアウターガス排気口とが形成されたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記アウターチューブは金属材質で形成され、前記インナーチューブは非金属材質で形成されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記アウターチューブと前記インナーチューブは、非金属材質で形成されることとする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記アウターチューブは、
第1のドーム状天井を有する垂直円筒状に構成され、
前記インナーチューブは、
第2のドーム状天井を有する垂直円筒状に構成されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記アウターマニホールドは、
前記第1の内部空間を形成する第1の側壁と、前記第1の側壁の上部の周りに外側に延び、前記アウターチューブの下端部を支持する第1の上部フランジと、前記第1の側壁下部の周りに外側に延び、前記インナーマニホールドと結合され、周りに沿って前記結合部材の締結が可能な複数の第1の締結部が形成された第1の下部フランジと、を備え、
前記インナーマニホールドは、
前記第2の内部空間を形成する第2の側壁と、前記第2の側壁の上部の周りに外側に延び、前記アウターマニホールドと結合され、周りに沿って前記結合部材の締結が可能な複数の第2の締結部が形成された第2の上部フランジと、前記第2の側壁下部の周りに外側に延び、前記キャップフランジにより密閉される第2の下部フランジと、を備え、
前記結合部材により前記第1の下部フランジと前記第2の上部フランジとが結合されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記アウターマニホールドの前記第1の側壁の内径は、前記インナーマニホールドの前記第2の側壁の内径よりも大きいことを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記アウターマニホールドは、
前記保護空間の圧力を常圧より低い低圧に形成するために、外部の真空ポンプと連結されるアウターポンプ口が形成されたことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記インナーマニホールドは、
工程ガスを供給するインナーガス供給口、前記工程ガスを排気するインナーガス排気口が形成されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記インナーマニホールドは、
前記反応空間の圧力を常圧より低い低圧に形成するために、外部の真空ポンプと連結されるインナーポンプ口が形成されたことを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記インナーマニホールドは、
前記反応空間の温度を測定する熱電対が設けられる熱電対保護管が締結される熱電対締結口が、前記第2の側壁に形成されることを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。 - 内部に保護空間を形成し、下部に第1の入口が形成されたアウターチューブと、
内部に反応空間を形成し、下部に第2の入口が形成されており、一部が前記アウターチューブに受容され、前記第2の入口が形成された部分は、前記アウターチューブの下方に突出されたインナーチューブと、
上部の前記アウターチューブと下部の前記インナーチューブとを離隔して支持するマニホールドアセンブリと、
前記マニホールドアセンブリの下部を密閉するキャップフランジと、
を含み、
前記マニホールドアセンブリは、
前記アウターチューブの下端部を支持し、前記保護空間と連結される第1の内部空間を形成するアウターマニホールドと、
上端が、前記アウターマニホールドの下端と結合部材を介して締結され結合され、前記インナーチューブの下端部を支持し、前記反応空間と連結される第2の内部空間を形成するインナーマニホールドと、
を含み、
前記キャップフランジの側面の分散された位置に構成された複数のクランプモジュールと、前記マニホールドアセンブリを介して前記反応空間に対するポンピングを行うインナーポンプ部と、をさらに含み、
前記キャップフランジの昇降により、前記キャップフランジの上面が、前記マニホールドアセンブリの底面とOリングを挟んで第1の離隔間隔で近接し、
前記インナーポンプ部のポンピングにより、前記反応空間が常圧未満に減圧されれば、前記キャップフランジの上面が、前記マニホールドアセンブリの底面と前記Oリングを挟んで前記第1の離隔間隔よりも小さい第2の離隔間隔で隣接し、
前記複数のクランプモジュールが、前記第2の離隔間隔で隣接した前記キャップフランジと前記マニホールドアセンブリの下部とをクランプするように構成されることを特徴とする基板処理装置。 - 前記キャップフランジ下部に離隔を維持し、固定されるベースプレートをさらに備え、
前記複数のクランプモジュールは、
前記ベースプレートに分散して設けられ、前記キャップフランジの側面に対向するクランプチャネルが形成されたクランプをそれぞれ備え、
前記クランプを駆動することによって、前記第2の離隔間隔で隣接した前記キャップフランジと前記マニホールドアセンブリの下部とを前記クランプチャネル内にクランプすることを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。 - それぞれの前記クランプモジュールは、
前記キャップフランジの側面に対向する前記クランプチャネルが形成された前記クランプと、
前記クランプを垂直支持するクランプブラケットと、
前記ベースプレートに固定され、ロッドを介して前記クランプブラケットに連結され、前記クランプブラケット及び前記クランプを前進又は後進させるアクチュエータと、を含み、
前記アクチュエータの駆動によって、前記クランプは、クランプするためのロック位置とクランプ解除のための解除位置との間を移動することを特徴とする請求項12に記載の基板処理装置。 - 前記ベースプレートの下部に、弾性部の弾性力により前記ベースプレートと離隔が維持される昇下降プレートをさらに備え、
前記弾性部は、
前記ベースプレートと前記昇下降プレートと間に介在され、前記キャップフランジの上面と前記マニホールドアセンブリの底面が前記第1の離隔間隔で近接するための前記弾性力を提供することを特徴とする請求項12に記載の基板処理装置。 - 前記弾性部は、
前記昇下降プレートと前記ベースプレートと間の複数の位置に介在されたスプリングを含むことを特徴とする請求項14に記載の基板処理装置。 - 前記インナーマニホールドは、
前記マニホールドアセンブリの下部をなし、前記キャップフランジの辺部の上面に対向する第2の下部フランジを備え、
前記複数のクランプモジュールがOリングを介して前記第2の離隔間隔で隣接した前記キャップフランジと前記第2の下部フランジとをクランプするように構成されることを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記インナーチューブの前記反応空間に垂直設けられ、下部が前記インナーマニホールドを介して引き出され、前記反応空間内のそれぞれ異なる位置で温度を検知する検出部を備える熱電対が複数個挿入される熱電対保護管を含み、
前記反応空間は、
第2のドーム状天井により形成された天井領域と前記天井領域の下部の反応領域とに分けられ、
前記熱電対保護管は、
前記天井領域に延び、曲げられた上部の延長管を備え、
少なくとも一つの熱電対の前記検出部が前記延長管内に位置することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記熱電対保護管は、
上部の前記延長管と、前記延長管の下部の垂直管と、前記垂直管から折れて形成され、前記インナーマニホールドの側壁を貫通して外部に引き出される下部管と、を含み、
前記延長管、前記垂直管及び前記下部管は、一体に形成されることを特徴とする請求項17記載の基板処理装置。
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