JP2022037032A - ボンド磁石の製造方法およびボンド磁石 - Google Patents
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Abstract
【課題】磁気特性に優れたボンド磁石およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】平均粒径が10μm以下の磁性粉末を磁気配向させながら圧縮し、第1成形体を得る第1圧縮工程と、第1成形体と粘度が200mPa・S以下である熱硬化性樹脂とを接触させた後に圧縮し、第2成形体を得る第2圧縮工程と、第2成形体を熱処理する熱処理工程を含むボンド磁石の製造方法に関する。【選択図】 図1
Description
本発明は、ボンド磁石の製造方法およびボンド磁石に関する。
特許文献1には、希土類磁性粉末と、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂からなる結合剤からなるボンド磁石が開示されている。保形可能な程度の少量の熱可塑性樹脂で磁性粉末を結合した成形体を作製後、成形体の隙間に液状の熱硬化性樹脂を含浸させることで、従来よりも樹脂成分の含有量を低減したうえで、強度低下がなく磁性粉末の充填率の高いボンド磁石を得るというものである。
しかしながら、磁性粉末としては、平均粒径が10μm以上の粒子径のものを対象としており、実施例では150μmもの粒子径の大きな磁性粉末しか使用していない。これほど粒子径が大きいと、磁性粉末の充填率が低くなるということは大きな問題ではなく、この方法を平均粒径が10μm以下と非常に小さい磁性粉末に適用したとしても、充填率の大幅な向上は期待できない。
本発明は、磁気特性に優れたボンド磁石およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様にかかるボンド磁石の製造方法は、平均粒径が10μm以下の磁性粉末を磁気配向させながら圧縮し、第1成形体を得る第1圧縮工程と、
第1成形体と粘度が200mPa・S以下である熱硬化性樹脂とを接触させた後に圧縮し、第2成形体を得る第2圧縮工程と、
第2成形体を熱処理する熱処理工程
を含む。
第1成形体と粘度が200mPa・S以下である熱硬化性樹脂とを接触させた後に圧縮し、第2成形体を得る第2圧縮工程と、
第2成形体を熱処理する熱処理工程
を含む。
本発明の一態様にかかるボンド磁石は、平均粒径10μm以下の磁性粉末と粘度が200mPa・S以下である熱硬化性樹脂の硬化物を含み、含浸欠乏率が1%以下である。
本発明のボンド磁石の製造方法によれば、磁性粉末の充填率および配向率が高くなることより、磁気特性が向上したボンド磁石を得ることができる。
以下、本発明の実施形態について詳述する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための一例であり、本発明を以下のものに限定するものではない。なお、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。
本実施形態のボンド磁石の製造方法は、
平均粒径が10μm以下の磁性粉末を磁気配向させながら圧縮し、第1成形体を得る第1圧縮工程と、第1成形体と粘度が200mPa・S以下である熱硬化性樹脂とを接触させた後に圧縮し、第2成形体を得る第2圧縮工程と、第2成形体を熱処理する熱処理工程を含むことを特徴とする。磁性粉末を磁気配向させながら圧縮して得た第1成形体と、粘度が200mPa・S以下である熱硬化性樹脂とを接触させた後に圧縮し、熱処理して熱硬化性樹脂を硬化させると、磁性粉末の充填率および配向率が上昇し、ボンド磁石の磁気特性が向上すると考えられる。
平均粒径が10μm以下の磁性粉末を磁気配向させながら圧縮し、第1成形体を得る第1圧縮工程と、第1成形体と粘度が200mPa・S以下である熱硬化性樹脂とを接触させた後に圧縮し、第2成形体を得る第2圧縮工程と、第2成形体を熱処理する熱処理工程を含むことを特徴とする。磁性粉末を磁気配向させながら圧縮して得た第1成形体と、粘度が200mPa・S以下である熱硬化性樹脂とを接触させた後に圧縮し、熱処理して熱硬化性樹脂を硬化させると、磁性粉末の充填率および配向率が上昇し、ボンド磁石の磁気特性が向上すると考えられる。
<第1圧縮工程>
第1圧縮工程では、平均粒径が10μm以下の磁性粉末を磁気配向させながら圧縮し、第1成形体を得る。第1圧縮工程は1回だけでなく、複数回行っても良い。
第1圧縮工程では、平均粒径が10μm以下の磁性粉末を磁気配向させながら圧縮し、第1成形体を得る。第1圧縮工程は1回だけでなく、複数回行っても良い。
磁性粉末の材料は特に限定されず、SmFeN系、NdFeB系、SmCo系の希土類磁性材料などが挙げられる。なかでも、耐熱性や、希少金属を含有しない点で、SmFeN系磁性粉末が好ましい。SmFeN系磁性粉末としては、Th2Zn17型の結晶構造をもち、一般式がSmxFe100-x-yNyで表される希土類金属Smと鉄Feと窒素Nからなる窒化物が挙げられる。ここで、xは、8.1原子%以上10原子%以下、yは13.5原子%以上13.9原子%以下、残部が主としてFeとされることが好ましい。
SmFeN磁性粉末については、特開平11-189811号公報に開示された方法により製造できる。NdFeB系磁性粉末については、国際公開第2003/85147号公報に開示されたHDDR法により製造できる。SmCo系磁性粉末については、特開平08-260083号公報に開示された方法により製造できる。
磁性粉末の平均粒径は10μm以下であるが、磁気特性の点より6μm以下が好ましく、4μm以下がより好ましい。10μmを超えると、結晶粒径が大きくなることで、磁粉の保磁力が著しく減少する傾向がある。なお、平均粒径は、粒度分布における小粒径側からの体積累積50%に相当する粒径として測定される。
磁性粉末は、リン酸処理することができる。リン酸処理することで、磁性粉末の表面にP-O結合を有する不動態膜が形成される。
リン酸処理は、リン酸処理薬と磁性粉末を反応させることにより行われる。リン酸処理薬としては、例えば、オルトリン酸、リン酸二水素ナトリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸二水素アンモニウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸亜鉛、リン酸カルシウム等のリン酸塩系、次亜リン酸、次亜リン酸塩系、ピロリン酸、ポリリン酸系等の無機リン酸、有機リン酸およびそれらの塩が挙げられる。
磁性粉末は、成形体作製段階での酸化や得られた成形体の使用中の酸化からの保護の点で、アルキルシリケートにより処理するシリカ処理が行われていることが好ましい。アルキルシリケートは、下記一般式で表され、なかでもメチルシリケートまたはエチルシリケートが好ましい。
SinO(n-1)(OR)(2n+2)
(Rはアルキル基であり、nは1~10の整数である。)
SinO(n-1)(OR)(2n+2)
(Rはアルキル基であり、nは1~10の整数である。)
シリカ処理は、上述のアルキルシリケートを、該シリケートを加水分解させるために必要な水分とともに磁性粉末に混合し、不活性ガス雰囲気中で加熱処理することで、シリカ被膜を形成することができる。シリケートを加水分解させるために必要な水分としては、酢酸水溶液、硫酸、リン酸水溶液等の酸性水溶液及びアンモニア水、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等の塩基性水溶液が挙げられる。アルキルシリケートの混合量は、磁性粉末100重量部に対して、1重量部以上4重量部以下が好ましく、1.5重量部以上2.5重量部以下がより好ましい。
磁性粉末は、磁性粉末の磁気特性が向上するとともに、樹脂との濡れ性、磁石の強度を改善することができるという点で、カップリング剤による処理が行われていることが好ましく、特に上述のシリカ処理が行われた磁性粉末に対し、カップリング剤による処理が行われていることが好ましい。
カップリング剤としては、特に限定されないが、炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有さないシランカップリング剤、炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有するカップリング剤が挙げられる。アルキル基又はアルケニル基の炭素数は、10以上24以下が好ましい。ここで、アルキル基又はアルケニル基の炭素数が8未満だと、潤滑性の付与が不十分となり、炭素数が24より大きいと、処理液の粘度が著しく増すため均一な被覆が難しくなる。
炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有するカップリング剤としては、シランカップリング剤、ホスフェートカップリング剤またはハイドロゲンホスファイトカップリング剤などが挙げられる。これらのカップリング剤は、1種のみを使用しても、2種以上を組み合わせて使用してもよい。ここで、カップリング剤とは、分子中に2個以上の異なった基を持っており、その一つは、無機質材料と作用する基、もう一つが有機質材料と作用する基を有するものを言う。
炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有するシランカップリング剤は、下記一般式で表されるものが挙げられる。具体例としては、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン等が挙げられ、なかでもオクタデシルトリエトキシシラン、オクチルトリエトキシシランが好ましい。
(R1)xSi(OR2)(4-x)
(R1は、CnH2n+1で示されるアルキル基またはCnH2n-1で示されるアルケニル基であり、nは8~24の整数であり、R2はCmH2m+1で示されるアルキル基であり、mは1~4の整数であり、xは1~3の整数である。)
なお、シランカップリング剤における有機質材料と作用する基は、例えばケイ素原子と炭素原子が直接結合しているものをいい、上記式ではR1であり、無機質材料と作用する基はOR2である。
(R1)xSi(OR2)(4-x)
(R1は、CnH2n+1で示されるアルキル基またはCnH2n-1で示されるアルケニル基であり、nは8~24の整数であり、R2はCmH2m+1で示されるアルキル基であり、mは1~4の整数であり、xは1~3の整数である。)
なお、シランカップリング剤における有機質材料と作用する基は、例えばケイ素原子と炭素原子が直接結合しているものをいい、上記式ではR1であり、無機質材料と作用する基はOR2である。
炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有するホスフェートカップリング剤としては、下記一般式として表されるものが挙げられる。具体例としては、ジデシルアシッドホスフェート、イソデシルアシッドホスフェート、イソトリデジシルアシッドホスフェート、ラウリルアシッドホスフェート、オレイルアシッドホスフェート、ステアリルアシッドホスフェート、イソステアリルアシッドホスフェート、テトラコシルアシッドホスフェート等が挙げられ、なかでもオレイルアシッドホスフェートが好ましい。
(R1O)xPO(OH)(3-x)
(R1は、CnH2n+1で示されるアルキル基またはCnH2n-1で示されるアルケニル基であり、nは8~24の整数であり、xは1~2の整数である。)
なお、ホスフェートカップリング剤における有機質材料と作用する基は、上記式ではR1Oであり、無機質材料と作用する基はOHである。
(R1O)xPO(OH)(3-x)
(R1は、CnH2n+1で示されるアルキル基またはCnH2n-1で示されるアルケニル基であり、nは8~24の整数であり、xは1~2の整数である。)
なお、ホスフェートカップリング剤における有機質材料と作用する基は、上記式ではR1Oであり、無機質材料と作用する基はOHである。
炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有するハイドロゲンホスファイトカップリング剤としては、下記一般式として表されるものが挙げられる。具体例としては、ジデシルハイドロゲンホスファイト、ジラウリルハイドロゲンホスファイト、ジオレイルハイドロゲンホスファイト等が挙げられ、なかでもジオレイルハイドロゲンホスファイトが好ましい。
(R1O)2POH
(R1は、CnH2n+1で示されるアルキル基またはCnH2n-1で示されるアルケニル基であり、nは8~24の整数である。)
なお、ハイドロゲンホスファイトカップリング剤における有機質材料と作用する基は、上記式ではR1Oであり、無機質材料と作用する基はOHである。
(R1O)2POH
(R1は、CnH2n+1で示されるアルキル基またはCnH2n-1で示されるアルケニル基であり、nは8~24の整数である。)
なお、ハイドロゲンホスファイトカップリング剤における有機質材料と作用する基は、上記式ではR1Oであり、無機質材料と作用する基はOHである。
炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有するシランカップリング剤 、ホスフェートカップリング剤またはハイドロゲンホスファイトカップリング剤は1種のみを使用しても、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有するカップリング剤による処理は、上述のカップリング剤を、カップリング剤を加水分解させるために必要な水分とともに磁性粉末に混合し、不活性ガス雰囲気中で加熱処理することで、カップリング剤の被膜を形成することができる。カップリング剤を加水分解させるために必要な水分としては、酢酸水溶液、硫酸、リン酸水溶液等の酸性水溶液及びアンモニア水、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等の塩基性水溶液が挙げられる。カップリング剤の混合量は、磁性粉末100重量部に対して、0.01重量部以上1重量部以下が好ましく、0.05重量部以上0.5重量部以下がより好ましい。0.01重量部未満では磁性粉末に充分な潤滑性を付与することはできず、1重量部以上では得られた成形品の機械強度が損なわれる。
カップリング剤による処理として、上述の炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有するシランカップリング剤とは異なるシランカップリング剤(炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有さないシランカップリング剤)を用いてもよい。炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有するシランカップリング剤とは別のシランカップリング剤としては、例えば、γ-(2-アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-(2-アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、N-β-(N-ビニルベンジルアミノエチル)-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン・塩酸塩、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ-クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチレンジシラザン、γ-アニリノプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ジメチルオクタデシル[3-(トリメトキシシリル)プロピル]アンモニウムクロライド、γ-クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリス(βメトキシエトキシ)シラン、ビニルトリエトキシシラン、β-(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、N-β(アミノエチル)γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-β(アミノエチル)γ-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、ビス(3-トリエトキシシリルプロピル)テトラスルファン、γ-イソシアネートプロピルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、1,3,5-N-トリス(3-トリメトキシシリルプロピル)イソシアヌレート、N-(1,3-ジメチルブチリデン)-3-(トリエトキシシリル)-1-プロパンアミン等が挙げられる。また、環状構造を有しているシランカップリング剤としては、環状構造として、モノシクロ環、ビシクロ環等の脂環構造、または、芳香族環を有するカップリング剤が挙げられ、たとえばビシクロ環であるノルボルネン骨格を有するカップリング剤として2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル)エチルトリメトキシシラン、2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル)エチルトリエトキシシラン、2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル)トリメトキシシラン、2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル)トリエトキシシラン、2-(ビシクロ[2.2.1]へプト-2-エニル)エチニルトリメトキシシラン、2-(ビシクロ[2.2.1]へプト-2-エニル)エチニルトリエトキシシラン、2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル)ヘキシルトリメトキシシラン、2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル)ヘキシルトリエトキシシランが、芳香族環骨格を有するカップリング剤としてN-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-アミノエチルアミノメチルフェニル-3-エチルトリメトキシシラン、p-スチリルトリメトキシシラン、m-アリルフェニルプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。これらのシランカップリング剤は1種のみを使用しても、2種以上を組み合わせて使用してもよい。なかでも、熱硬化性樹脂との相溶性、磁粉表面の滑り性、耐熱性等の点で、環状構造を有するシランカップリング剤が好ましく、ノルボルネン骨格を有するシランカップリング剤がより好ましく、2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル)エチルトリメトキシシラン、2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル)エチルトリエトキシシランがさらに好ましい。
炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有さないシランカップリング剤による処理は、上述のカップリング剤を、カップリング剤を加水分解させるために必要な水分とともに磁性粉末に混合し、不活性ガス雰囲気中で加熱処理することで、シランカップリング剤の被膜を形成することができる。カップリング剤を加水分解させるために必要な水分としては、酢酸水溶液、硫酸、リン酸水溶液等の酸性水溶液またはアンモニア水、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等の塩基性水溶液が挙げられる。シランカップリング剤の混合量は、磁性粉末100重量部に対して、0.1重量部以上2重量部以下が好ましく、0.2重量部以上1.2重量部以下がより好ましい。0.1重量部未満ではカップリング剤の効果が小さく、2重量部を超えると、磁性粉末の凝集により、磁気特性が低下する傾向がある。
カップリング剤による処理は、潤滑性を高めることで圧縮成形時の粒子間に働く摩擦力を低下させ、成形品中の磁性粉末を高充填させる点で、炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有さないシランカップリング剤で処理した後に、炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有するカップリング剤で処理することが好ましい。
磁気配向させるために印加する外部磁場の大きさは特に限定されないが、0.5T以上が好ましく、1T以上がより好ましい。0.5T未満では、磁石を十分に配向させることができない傾向がある。
第1圧縮工程において、使用する金型の構造は特に限定されず、たとえば、外部金型、外部金型内に設置される内板、上下方向から印加するためのパンチ、外部金型を保持するためのバネで構成された金型等が挙げられる。第2圧縮工程で、余分な熱硬化性樹脂が除去されやすいように、内板を有する金型が好ましい。金型の大きさは特に限定されないが、余分な熱硬化性樹脂が除去されやすいように、成形品の体積が0.1cm3以上10cm3以下となる程度の大きさが好ましい。
金型に印加する圧力の大きさは特に限定されないが、0.1トン/cm2以上4トン/cm2未満が好ましく、0.5トン/cm2以上2トン/cm2未満がより好ましい。0.1トン/cm2未満では、磁性粉末の再配列が進まず第2成形体における磁性粉末の充填率が減少する傾向となり、4トン/cm2以上では、第1成形体に樹脂を含浸させる際に十分に含浸させることができず成形不良となる傾向がある。
<第2圧縮工程>
第2圧縮工程では、第1成形体と粘度が200mPa・S以下である熱硬化性樹脂とを接触させた後に圧縮し、第2成形体を得る。本発明で使用する磁性粉末は、10μm以下と平均粒径が非常に小さく、嵩高いため、充填率が低くなる。1回目の圧縮工程で、充分に磁気配向させた後に、熱硬化性樹脂と接触させて圧縮すると、余分な熱硬化性樹脂が除去されて磁性粉末の充填率および配向率が上昇し、ボンド磁石の磁気特性が向上する。
第2圧縮工程では、第1成形体と粘度が200mPa・S以下である熱硬化性樹脂とを接触させた後に圧縮し、第2成形体を得る。本発明で使用する磁性粉末は、10μm以下と平均粒径が非常に小さく、嵩高いため、充填率が低くなる。1回目の圧縮工程で、充分に磁気配向させた後に、熱硬化性樹脂と接触させて圧縮すると、余分な熱硬化性樹脂が除去されて磁性粉末の充填率および配向率が上昇し、ボンド磁石の磁気特性が向上する。
第1成形体に熱硬化性樹脂を接触させる方法は特に限定されず、金型内に存在する第1成形体に、たとえば熱硬化性樹脂を加えて含浸させればよい。接触させる熱硬化性樹脂の量は特に限定されないが、成形体の体積の0.25倍以上2倍以下が好ましく、0.5倍以上1.5倍以下がより好ましい。0.25倍未満では、第1成形体に熱硬化性樹脂の含浸が十分にできずに成形不良となり、2倍を超えると、樹脂および磁性粉末が金型からあふれ出し、収率が低下すると同時にあふれ出した材料を除去なければならなくなる傾向がある。
熱硬化性樹脂の粘度は200mPa・S以下であるが、100mPa・S以下が好ましく、50mPa・S以下がより好ましく、15mPa・S以下がさらに好ましく、10mPa・S以下が最も好ましい。200mPa・Sを超えると、含浸が十分にできずに成形不良となる傾向がある。
熱硬化性樹脂は、熱硬化するものであれば特に限定されず、熱硬化性モノマー、熱硬化性プレポリマー、熱硬化性ポリマーなどが挙げられる。熱硬化性モノマーとしては、ノルボルネン系モノマー、エポキシ系モノマー、フェノール系モノマー、アクリル系モノマー、ビニルエステル系モノマーなどが挙げられ、ノルボルネン系モノマーとしては、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-3,8-ジエン(ジシクロペンタジエン)、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン―3―エン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2,5-ジエン(2,5-ノルボルナジエン)、ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-エン(2-ノルボルネン)、ビシクロ[3.2.1]オクタ―2-エン、5-エチリデン-2-ノルボルネン、ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボン酸無水物、5-ビニルビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-エン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エンなどが挙げられる。熱硬化性プレポリマーとしては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、グアナミン樹脂、不飽和ポリエステル、ビニルエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、アルキド樹脂、フラン樹脂、アクリル樹脂、ユリア樹脂、アリルカーボネート樹脂などが挙げられる。熱硬化性ポリマーとしては、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などが挙げられる。
熱硬化性樹脂とともに、熱硬化性樹脂の開始剤や硬化剤を配合することができる。開始剤としては、グラブス触媒、ジハロゲン、アゾ化合物などが挙げられる。硬化剤としては、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、ポリアミド系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、フェノール樹脂系硬化剤、ポリメルカプタン樹脂系硬化剤、ポリスルフィド樹脂系硬化剤、有機酸ヒドラジド系硬化剤、イソシアネート系硬化剤などが挙げられる。アミン系硬化剤としては、ジアミノジフェニルスルホン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミンなどが挙げられる。
第2圧縮工程において、印加する圧力の大きさは特に限定されないが、より高充填の磁石を作製する点で、第1圧縮工程の圧縮圧力以上であることが好ましい。また、具体的には、4トン/cm2以上11トン/cm2以下が好ましく、6トン/cm2以上10トン/cm2以下がより好ましい。4トン/cm2未満では、磁性粉末の充填率を十分に上げることができなくなり、11トン/cm2を超えると保磁力が低下してしまう傾向がある。
第2圧縮工程においても、第1圧縮工程と同様に、磁気配向させることができる。磁気配向させる場合、印加する外部磁場の大きさは特に限定されず、第1圧縮工程での外部磁場の大きさをそのまま適用できる。
<熱処理工程>
熱処理温度は特に限定されないが、100℃以上150℃以下が好ましく、110℃以上130℃以下がより好ましい。100℃未満では樹脂の硬化が十分に進行せずに強度不足となり、150℃を超えると、空気により樹脂の酸化が進行し強度不足となる傾向がある。
熱処理温度は特に限定されないが、100℃以上150℃以下が好ましく、110℃以上130℃以下がより好ましい。100℃未満では樹脂の硬化が十分に進行せずに強度不足となり、150℃を超えると、空気により樹脂の酸化が進行し強度不足となる傾向がある。
熱処理時間は特に限定されないが、1分以上120分以下が好ましく、3分以上60分以下がより好ましい。1分未満では樹脂の硬化が十分に進行せずに強度不足となり、120分を超えると、空気により樹脂の酸化が進行し強度不足となる傾向がある。
熱処理終了後、金型から内板とパンチを引き出し、ボンド磁石成形体を取り出し、配向方向にパルス磁場を加えることで着磁することができる。
着磁磁場については、1T以上36T以下が好ましく、3T以上12T以下がより好ましい。1T未満では、磁石を十分に着磁することができず、残留磁束密度を出すことができない。36Tを超えると着磁時に発生する熱によるヒートショックが大きすぎることで磁石が割れてしまう。
本実施形態のボンド磁石は、平均粒径10μm以下の磁性粉末と粘度が200mPa・S以下である熱硬化性樹脂の硬化物を含み、含浸欠乏率が1%以下であることを特徴とする。該ボンド磁石は、たとえば前述した本発明のボンド磁石の製造方法によって製造することができる。ここで、ボンド磁石の磁性粉末、熱硬化性樹脂、平均粒径等は、前述した通りである。
本発明のボンド磁石の製造方法およびボンド磁石において、ボンド磁石の含浸欠乏率とは、樹脂で占められるべき領域において、実際には樹脂で占められていない領域の割合をいう。含浸欠乏率は、12%以下が好ましく、10%以下がより好ましく、5%以下がさらに好ましく、1%以下が最も好ましい。12%を超えると、機械強度の低下する傾向がある。含浸欠乏率は、光学顕微鏡を用いてボンド磁石の切断面の全面が入る最低倍率にて観察した画像において、樹脂の含浸していない部分との面積(樹脂欠乏部分面積)と画像の外郭である切断面全体の面積(切断面の面積)とを明度の2値化解析(BMPEdit)により算出し、切断面の面積に対する樹脂欠乏部分面積の割合とした。なおボンド磁石の切断面は、得られたボンド磁石に対して、樹脂を接触させた面の中心をとおり、接触させた面に垂直でかつ、切断した面積が最大となるように切断することにより作製する。
ボンド磁石に含まれる磁性粉末の割合、すなわち充填率は特に限定されないが、71体積%以上が好ましく、72体積%以上がより好ましい。71体積%未満では、十分な残留磁束密度を出すことができなくなる傾向がある。
ボンド磁石の保磁力は、特に限定されないが、1020kA/m以上が好ましく、1150kA/m以上がより好ましい。1020kA/m未満では、強力なモーター等に使用した際に減磁が生じる傾向がある。
ボンド磁石の残留磁束密度は、特に限定されないが、0.75T以上が好ましく、0.8T以上がより好ましい。0.75T未満では、モーター等に使用した際に十分なトルクを引き出すことができなくなる傾向がある。
ボンド磁石の磁束の配向率は80%以上が好ましく、81%以上がより好ましい。80以上とすることにより、残留磁束密度が高くなる。ここで、配向率は、ボンド磁石の残留磁束密度を、磁性粉末の残留磁束密度とボンド磁石の体積充填率との積により除することで求められる。
以下、実施例について説明する。なお、特に断りのない限り、「%」は重量基準である。
製造例1
[アルキルシリケート処理工程]
ミキサに、SmFeN磁性粉末(平均粒径3μm)300gと、エチルシリケート(Si5O4(OEt)12)7.5gを投入し、窒素雰囲気下で5分間混合した。引き続いて、pH11.7のアンモニア水0.8gを投入し、5分間混合し、減圧下180℃で10時間加熱処理し、表面にシリカ薄膜が形成されたSmFeN系異方性磁性粉末を得た。
[アルキルシリケート処理工程]
ミキサに、SmFeN磁性粉末(平均粒径3μm)300gと、エチルシリケート(Si5O4(OEt)12)7.5gを投入し、窒素雰囲気下で5分間混合した。引き続いて、pH11.7のアンモニア水0.8gを投入し、5分間混合し、減圧下180℃で10時間加熱処理し、表面にシリカ薄膜が形成されたSmFeN系異方性磁性粉末を得た。
[表面処理工程1]
ミキサに、シリカ処理した磁性粉末300gと、pH4の酢酸水溶液を1.5g投入し、窒素雰囲気下で5分間混合した。続いて、シランカップリング剤Aとして2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル)エチルトリメトキシシラン(信越化学(株)製シランカップリング剤X-88-351)3gを添加して、窒素雰囲気下で、5分間混合した。混合物を取り出し、減圧下、100℃で5時間加熱処理し、シリカ膜上にカップリング剤Aから形成された被覆層を有する磁性粉末を得た。
ミキサに、シリカ処理した磁性粉末300gと、pH4の酢酸水溶液を1.5g投入し、窒素雰囲気下で5分間混合した。続いて、シランカップリング剤Aとして2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-5-エン-2-イル)エチルトリメトキシシラン(信越化学(株)製シランカップリング剤X-88-351)3gを添加して、窒素雰囲気下で、5分間混合した。混合物を取り出し、減圧下、100℃で5時間加熱処理し、シリカ膜上にカップリング剤Aから形成された被覆層を有する磁性粉末を得た。
[表面処理工程2]
ミキサに、カップリング剤Aから形成された被覆層を有するSmFeN磁性粉末300gと、pH4の酢酸水溶液を1.5g投入し、窒素雰囲気下で5分間混合した。続いて、カップリング剤Bとしてオクタデシルトリエトキシシラン(東京化成工業株式会社製)0.5g、エタノール0.5gの混合溶液を添加し、窒素雰囲気下で5分間混合した。減圧下100℃で5時間加熱処理し、表面にカップリング剤Aとカップリング剤Bから形成された被覆層を有するSmFeN系異方性磁性粉末(磁粉1)を得た。
ミキサに、カップリング剤Aから形成された被覆層を有するSmFeN磁性粉末300gと、pH4の酢酸水溶液を1.5g投入し、窒素雰囲気下で5分間混合した。続いて、カップリング剤Bとしてオクタデシルトリエトキシシラン(東京化成工業株式会社製)0.5g、エタノール0.5gの混合溶液を添加し、窒素雰囲気下で5分間混合した。減圧下100℃で5時間加熱処理し、表面にカップリング剤Aとカップリング剤Bから形成された被覆層を有するSmFeN系異方性磁性粉末(磁粉1)を得た。
製造例2
製造例1の表面処理工程2において、カップリング剤Bとしてオクタデシルトリエトキシシランの代わりに、オクチルトリエトキシシランを使用した以外は、製造例1と同様にして、表面にカップリング剤Aとカップリング剤Bから形成された被覆層を有するSmFeN系異方性磁性粉末(磁粉2)を得た。
製造例1の表面処理工程2において、カップリング剤Bとしてオクタデシルトリエトキシシランの代わりに、オクチルトリエトキシシランを使用した以外は、製造例1と同様にして、表面にカップリング剤Aとカップリング剤Bから形成された被覆層を有するSmFeN系異方性磁性粉末(磁粉2)を得た。
製造例3
製造例1の表面処理工程2において、カップリング剤Bとしてオクタデシルトリエトキシシランの代わりに、オレイルアシッドホスフェートを使用した以外は、製造例1と同様にして、表面にカップリング剤Aとカップリング剤Bから形成された被覆層を有するSmFeN系異方性磁性粉末(磁粉3)を得た。
製造例1の表面処理工程2において、カップリング剤Bとしてオクタデシルトリエトキシシランの代わりに、オレイルアシッドホスフェートを使用した以外は、製造例1と同様にして、表面にカップリング剤Aとカップリング剤Bから形成された被覆層を有するSmFeN系異方性磁性粉末(磁粉3)を得た。
製造例4
製造例1の表面処理工程2において、カップリング剤Bとしてオクタデシルトリエトキシシランの代わりに、ジオレイルハイドロゲンホスファイトを使用した以外は、製造例1と同様にして、表面にカップリング剤Aとカップリング剤Bから形成された被覆層を有するSmFeN系異方性磁性粉末(磁粉4)を得た。
製造例1の表面処理工程2において、カップリング剤Bとしてオクタデシルトリエトキシシランの代わりに、ジオレイルハイドロゲンホスファイトを使用した以外は、製造例1と同様にして、表面にカップリング剤Aとカップリング剤Bから形成された被覆層を有するSmFeN系異方性磁性粉末(磁粉4)を得た。
実施例1
第1圧縮工程
5mm角のキャビティを設けた非磁性超硬の金型内に、製造例1で作製した、表面に被覆層AとBが形成されたSmFeN系異方性磁性粉末を0.8g充填し、上下のパンチを取り付けて、1Tの配向磁場中にて圧縮圧力1ton/cm2にて圧縮し、第1成形体を得た。
第1圧縮工程
5mm角のキャビティを設けた非磁性超硬の金型内に、製造例1で作製した、表面に被覆層AとBが形成されたSmFeN系異方性磁性粉末を0.8g充填し、上下のパンチを取り付けて、1Tの配向磁場中にて圧縮圧力1ton/cm2にて圧縮し、第1成形体を得た。
第2圧縮工程
続いて、上側のパンチを取り外し、第1成形体にジシクロペンタジエンモノマー(粘度3mPa・s、密度1.02g/cc)と反応開始剤としてジクロロ[1,3-ビス(2,6-イソプロピルフェニル)-2-イミダゾリジニリデン](2-イソプロピルフェニルメチレン)ルテニウム(III)の混合液を0.1g滴下し30秒保持した。再度上側のパンチを取り付け、1Tの配向磁場中にて圧縮圧力8ton/cm2にて圧縮することでジシクロペンタジエンモノマーを含浸させるとともに余分な混合液成分を排出し、第2成形体を得た。
続いて、上側のパンチを取り外し、第1成形体にジシクロペンタジエンモノマー(粘度3mPa・s、密度1.02g/cc)と反応開始剤としてジクロロ[1,3-ビス(2,6-イソプロピルフェニル)-2-イミダゾリジニリデン](2-イソプロピルフェニルメチレン)ルテニウム(III)の混合液を0.1g滴下し30秒保持した。再度上側のパンチを取り付け、1Tの配向磁場中にて圧縮圧力8ton/cm2にて圧縮することでジシクロペンタジエンモノマーを含浸させるとともに余分な混合液成分を排出し、第2成形体を得た。
熱処理工程
第2成形体を引き続き、圧縮された状態のまま120℃で15分間加熱することにより、ボンド磁石を得た。得られたボンド磁石の密度、体積充填率、保磁力、残留磁束密度、含浸欠乏率、配向率を以下に示す方法で測定した。その結果を表1に示す。
第2成形体を引き続き、圧縮された状態のまま120℃で15分間加熱することにより、ボンド磁石を得た。得られたボンド磁石の密度、体積充填率、保磁力、残留磁束密度、含浸欠乏率、配向率を以下に示す方法で測定した。その結果を表1に示す。
<密度と体積充填率>
ボンド磁石の密度は寸法と重量測定により算出した。磁性粉末と樹脂の密度をもとに作成した磁性粉末充填率と磁石密度との検量線から算出した密度をあてはめて体積充填率を計算した。
ボンド磁石の密度は寸法と重量測定により算出した。磁性粉末と樹脂の密度をもとに作成した磁性粉末充填率と磁石密度との検量線から算出した密度をあてはめて体積充填率を計算した。
<含浸欠乏率>
得られたボンド磁石に対して、ジシクロペンタジエンモノマーを接触させた面の中心をとおり、接触面に垂直でかつ、切断した面積が最大となるように切断し、その切断面をサンドペーパーにて研磨した。光学顕微鏡(倍率25倍)にて観察した切断面の画像を図1に示す。画像より断面全体に樹脂が均一に含まれており、含浸できていない欠乏部分は観測できなかった。
得られたボンド磁石に対して、ジシクロペンタジエンモノマーを接触させた面の中心をとおり、接触面に垂直でかつ、切断した面積が最大となるように切断し、その切断面をサンドペーパーにて研磨した。光学顕微鏡(倍率25倍)にて観察した切断面の画像を図1に示す。画像より断面全体に樹脂が均一に含まれており、含浸できていない欠乏部分は観測できなかった。
<残留磁束密度、保磁力および配向率>
SmFeN磁性粉末を、パラフィンワックスと共に試料容器に詰め、ドライヤーにてパラフィンワックスを溶融した後、2Tの配向磁場にてその磁化容易磁区を揃える。この磁場配向した試料を6Tの着磁磁場でパルス着磁し、最大磁場2TのVSM(振動試料型磁力計)を用いて、残留磁束密度(T)と保磁力iHc(kA/m)を測定したところ、SmFeN磁性粉末の残留磁束密度は1.317T、保磁力は1300kA/mであった。また、作製したボンド磁石について、BHトレーサーを用いて残留磁束密度(T)と保磁力iHc(kA/m)を測定したところ、磁石の残留磁束密度は0.85T、保磁力は1190kA/mであった。したがって配向率は、0.85(T)/(0.751×1.317(T))×100=85.9%であった。
SmFeN磁性粉末を、パラフィンワックスと共に試料容器に詰め、ドライヤーにてパラフィンワックスを溶融した後、2Tの配向磁場にてその磁化容易磁区を揃える。この磁場配向した試料を6Tの着磁磁場でパルス着磁し、最大磁場2TのVSM(振動試料型磁力計)を用いて、残留磁束密度(T)と保磁力iHc(kA/m)を測定したところ、SmFeN磁性粉末の残留磁束密度は1.317T、保磁力は1300kA/mであった。また、作製したボンド磁石について、BHトレーサーを用いて残留磁束密度(T)と保磁力iHc(kA/m)を測定したところ、磁石の残留磁束密度は0.85T、保磁力は1190kA/mであった。したがって配向率は、0.85(T)/(0.751×1.317(T))×100=85.9%であった。
実施例2~5
第1圧縮工程の圧縮圧力を、表1に示した条件に変更した以外は実施例1と同様に行い、ボンド磁石を作製した。なお、実施例4の含浸欠乏率について実施例1同様(倍率25倍)にした切断面の画像を図2に示す。図2より切断面中央部に樹脂欠乏部分を確認できたことから、樹脂欠乏部分面積と切断面の面積を2値化解析(BMPEdit)により算出したところ、含浸欠乏率は11.1%であった。
第1圧縮工程の圧縮圧力を、表1に示した条件に変更した以外は実施例1と同様に行い、ボンド磁石を作製した。なお、実施例4の含浸欠乏率について実施例1同様(倍率25倍)にした切断面の画像を図2に示す。図2より切断面中央部に樹脂欠乏部分を確認できたことから、樹脂欠乏部分面積と切断面の面積を2値化解析(BMPEdit)により算出したところ、含浸欠乏率は11.1%であった。
実施例6~8
磁性粉末を、表1に示したものに変更した以外は実施例1と同様に行い、ボンド磁石を作製した。
磁性粉末を、表1に示したものに変更した以外は実施例1と同様に行い、ボンド磁石を作製した。
比較例1
第1圧縮工程において磁場配向せずに圧縮したこと以外は実施例1と同様に行い、ボンド磁石を作製した。
第1圧縮工程において磁場配向せずに圧縮したこと以外は実施例1と同様に行い、ボンド磁石を作製した。
比較例2
製造例1で作製したSmFeNの磁性粉末0.8gとバインダ成分としてジシクロペンタジエンモノマー(粘度/25℃:3mPa・s、密度:1.02g/cc)0.05gと反応開始剤としてジクロロ[1,3-ビス(2,6-イソプロピルフェニル)-2-イミダゾリジニリデン](2-イソプロピルフェニルメチレン)ルテニウム(III)0.002gを混合させたものを乳鉢にて混合した。この混合物を5mm角のキャビティを設けた非磁性超硬の金型内に充填した後、1Tの配向磁界を印加しながら、金型の上下方向に8ton/cm2の圧縮圧をかけて圧縮するとともに余分なバインダ成分を排出し、その状態のまま120℃で15分間加熱することによりボンド磁石を得た。得られたボンド磁石の密度、体積充填率、保磁力、残留磁束密度、含浸欠乏率、配向率の結果を表1に示す。
製造例1で作製したSmFeNの磁性粉末0.8gとバインダ成分としてジシクロペンタジエンモノマー(粘度/25℃:3mPa・s、密度:1.02g/cc)0.05gと反応開始剤としてジクロロ[1,3-ビス(2,6-イソプロピルフェニル)-2-イミダゾリジニリデン](2-イソプロピルフェニルメチレン)ルテニウム(III)0.002gを混合させたものを乳鉢にて混合した。この混合物を5mm角のキャビティを設けた非磁性超硬の金型内に充填した後、1Tの配向磁界を印加しながら、金型の上下方向に8ton/cm2の圧縮圧をかけて圧縮するとともに余分なバインダ成分を排出し、その状態のまま120℃で15分間加熱することによりボンド磁石を得た。得られたボンド磁石の密度、体積充填率、保磁力、残留磁束密度、含浸欠乏率、配向率の結果を表1に示す。
表1より、比較例2に比べて、第1圧縮工程と第2圧縮工程とを有することにより、充填率が高くなっており、磁気特性が向上することを確認した。また、比較例1と比べて、第1圧縮工程において磁性粉末を磁気配向させながら圧縮することにより、配向率が高くなっており、磁気特性が向上することを確認した。
実施例9
第2圧縮工程において、ジシクロペンタジエンモノマーと反応開始剤の混合液に代わり、低粘度エポキシ樹脂(コニシ株式会社製ボンドE205、粘度/25℃:100mPa・s、密度:1.10g・cc)と硬化剤(コニシ株式会社製、E205)の混合液0.1gを滴下させたこと以外は実施例1と同様に行った。得られたボンド磁石の密度、体積充填率、保磁力、残留磁束密度、含浸欠乏率、配向率の結果を表2に示す。
第2圧縮工程において、ジシクロペンタジエンモノマーと反応開始剤の混合液に代わり、低粘度エポキシ樹脂(コニシ株式会社製ボンドE205、粘度/25℃:100mPa・s、密度:1.10g・cc)と硬化剤(コニシ株式会社製、E205)の混合液0.1gを滴下させたこと以外は実施例1と同様に行った。得られたボンド磁石の密度、体積充填率、保磁力、残留磁束密度、含浸欠乏率、配向率の結果を表2に示す。
比較例3
第2圧縮工程において、ジシクロペンタジエンモノマーと反応開始剤の混合液に代わり、低粘度エポキシ樹脂ボンドE206SS(コニシ株式会社製、粘度/25℃:450mPa・s、密度:1.15g/cc)と硬化剤(コニシ株式会社製、E206SS)を混合させたもの0.1gを滴下させたこと以外は、実施例1と同様に行ったが、成形できなかった。
第2圧縮工程において、ジシクロペンタジエンモノマーと反応開始剤の混合液に代わり、低粘度エポキシ樹脂ボンドE206SS(コニシ株式会社製、粘度/25℃:450mPa・s、密度:1.15g/cc)と硬化剤(コニシ株式会社製、E206SS)を混合させたもの0.1gを滴下させたこと以外は、実施例1と同様に行ったが、成形できなかった。
比較例4
第2圧縮工程において、ジシクロペンタジエンモノマーと反応開始剤の混合液に代わり、液体エポキシ樹脂YDF-170(新日鐵住金化学株式会社製、粘度2000mPa・s、密度1.19g/cc)と硬化剤(コニシ株式会社製、E205)を混合させたものを0.1g滴下させたこと以外は実施例1と同様に行ったが、成形できなかった。
第2圧縮工程において、ジシクロペンタジエンモノマーと反応開始剤の混合液に代わり、液体エポキシ樹脂YDF-170(新日鐵住金化学株式会社製、粘度2000mPa・s、密度1.19g/cc)と硬化剤(コニシ株式会社製、E205)を混合させたものを0.1g滴下させたこと以外は実施例1と同様に行ったが、成形できなかった。
比較例5
製造例1で作製したSmFeNの磁性粉末0.8gと、バインダ成分として低粘度エポキシ樹脂(コニシ株式会社製ボンドE205、粘度/25℃:100mPa・s、密度:1.10g・cc)と硬化剤(コニシ株式会社製、E205)を混合させたもの0.1gを乳鉢にて混合した。この混合物を5mm角のキャビティを設けた非磁性超硬の金型内に充填した後、1Tの配向磁界を印加しながら金型の上下方向に8ton/cm2の圧縮圧をかけて圧縮するとともに余分なバインダ成分を排出し、その状態のまま120℃で15分間加熱し、熱硬化により成形した。得られたボンド磁石の密度、体積充填率、保磁力、残留磁束密度、含浸欠乏率、配向率の結果を表2に示す。
製造例1で作製したSmFeNの磁性粉末0.8gと、バインダ成分として低粘度エポキシ樹脂(コニシ株式会社製ボンドE205、粘度/25℃:100mPa・s、密度:1.10g・cc)と硬化剤(コニシ株式会社製、E205)を混合させたもの0.1gを乳鉢にて混合した。この混合物を5mm角のキャビティを設けた非磁性超硬の金型内に充填した後、1Tの配向磁界を印加しながら金型の上下方向に8ton/cm2の圧縮圧をかけて圧縮するとともに余分なバインダ成分を排出し、その状態のまま120℃で15分間加熱し、熱硬化により成形した。得られたボンド磁石の密度、体積充填率、保磁力、残留磁束密度、含浸欠乏率、配向率の結果を表2に示す。
表2より、粘度が200mPa・Sを超える場合、成形できないことを確認した。また、第1成形体に対して、粘度が200mPa・S以下である熱硬化性樹脂を接触させることにより、比較例5と比べて、充填率と配向率が高くなっており、磁気特性が向上することを確認した。
本発明のボンド磁石の製造方法によれば、磁性粉末の含有量が高く、磁気特性に優れたボンド磁石を得ることができることから、モーター等の用途に好適に適用することができる。
1:樹脂欠乏部分
Claims (19)
- 平均粒径が10μm以下の磁性粉末を磁気配向させながら圧縮し、第1成形体を得る第1圧縮工程と、
第1成形体と粘度が200mPa・S以下である熱硬化性樹脂とを接触させた後に圧縮し、第2成形体を得る第2圧縮工程と、
第2成形体を熱処理する熱処理工程
を含むボンド磁石の製造方法。 - 熱硬化性樹脂が、熱硬化性モノマーまたは熱硬化性プレポリマーである請求項1に記載のボンド磁石の製造方法。
- 第2圧縮工程の圧縮圧力が、第1圧縮工程の圧縮圧力以上である請求項1または2に記載のボンド磁石の製造方法。
- 第1圧縮工程の圧縮圧力が4トン/cm2未満である請求項1~3のいずれか1項に記載のボンド磁石の製造方法。
- ボンド磁石における含浸欠乏率が1%以下である請求項1~4のいずれか1項に記載のボンド磁石の製造方法。
- 熱硬化性モノマーが、ノルボルネン系モノマーである請求項2~5のいずれか1項に記載のボンド磁石の製造方法。
- ノルボルネン系モノマーが、ジシクロペンタジエンである請求項6に記載のボンド磁石の製造方法。
- ボンド磁石に含まれる磁性粉末の割合が、71体積%以上である請求項1~7のいずれか1項に記載のボンド磁石の製造方法。
- 磁性粉末がSmFeN系磁性粉末である請求項1~8のいずれか1項に記載のボンド磁石の製造方法。
- 磁性粉末が、炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有するカップリング剤で処理された磁性粉末である請求項1~9のいずれか1項に記載のボンド磁石の製造方法。
- カップリング剤が、シランカップリング剤、ホスフェートカップリング剤またはハイドロゲンホスファイトカップリング剤である請求項10に記載のボンド磁石の製造方法。
- 平均粒径が10μm以下である磁性粉末と、熱硬化性樹脂の硬化物を含み、ボンド磁石に含まれる磁性粉末の割合が69体積%以上であり、配向率が80%以上であるボンド磁石。
- 熱硬化性樹脂が、熱硬化性モノマーまたは熱硬化性プレポリマーである請求項12に記載のボンド磁石。
- 熱硬化性モノマーが、ノルボルネン系モノマーである請求項13に記載のボンド磁石。
- ノルボルネン系モノマーが、ジシクロペンタジエンである請求項14に記載のボンド磁石。
- ボンド磁石に含まれる磁性粉末の割合が、71体積%以上である請求項12~15のいずれか1項に記載のボンド磁石。
- 磁性粉末が、SmFeN系磁性粉末である請求項12~16のいずれか1項にボンド磁石。
- 磁性粉末が、炭素数が8以上24以下のアルキル基又はアルケニル基を有するカップリング剤で処理された磁性粉末である請求項12~17のいずれか1項に記載のボンド磁石。
- 含浸欠乏率が1%以下である請求項12~18のいずれか1項に記載のボンド磁石。
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JPS5515225A (en) * | 1978-07-18 | 1980-02-02 | Seiko Epson Corp | Manufacturing method for powder shaping magnet |
JPS5623710A (en) * | 1979-08-02 | 1981-03-06 | Seiko Epson Corp | Production of rare earth metal intermetallic compound magnet |
JPS62177150A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-04 | Daido Steel Co Ltd | 永久磁石材料およびその製造方法 |
JPH02116105A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-04-27 | Toshiba Corp | 希土類の−鉄−ほう素系樹脂結合永久磁石の製造方法 |
EP0417733B1 (en) * | 1989-09-13 | 1994-03-30 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Magnetic material containing rare earth element, iron, nitrogen, hydrogen and oxygen |
JPH03114206A (ja) | 1990-07-26 | 1991-05-15 | Seiko Epson Corp | 永久磁石の製造方法 |
US5167715A (en) * | 1991-03-04 | 1992-12-01 | General Electric Company | Apparatus and method for impregnating superconductor windings |
US5647886A (en) * | 1993-11-11 | 1997-07-15 | Seiko Epson Corporation | Magnetic powder, permanent magnet produced therefrom and process for producing them |
JP3505261B2 (ja) | 1995-03-17 | 2004-03-08 | 株式会社三徳 | Sm−Co系永久磁石材料、永久磁石及びその製造法 |
JP3645351B2 (ja) * | 1996-03-26 | 2005-05-11 | シメオ精密株式会社 | 希土類ボンド磁石とその製造方法 |
JPH09186012A (ja) * | 1996-12-26 | 1997-07-15 | Aichi Steel Works Ltd | 磁気異方性樹脂結合型磁石 |
US6103157A (en) * | 1997-07-02 | 2000-08-15 | Ciba Specialty Chemicals Corp. | Process for impregnating electrical coils |
JP2000173810A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Hitachi Metals Ltd | 磁気異方性ボンド磁石およびその製法 |
EP1180772B1 (en) * | 2000-08-11 | 2011-01-12 | Nissan Motor Company Limited | Anisotropic magnet and process of producing the same |
AU2002346234A1 (en) | 2002-04-09 | 2003-10-20 | Aichi Steel Corporation | Alloy for use in bonded magnet, isotropic magnet powder and anisotropic magnet powder and method for production thereof, and bonded magnet |
US7357880B2 (en) * | 2003-10-10 | 2008-04-15 | Aichi Steel Corporation | Composite rare-earth anisotropic bonded magnet, composite rare-earth anisotropic bonded magnet compound, and methods for their production |
JP2006100560A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Neomax Co Ltd | 希土類系ボンド磁石およびその製造方法 |
US7671582B2 (en) * | 2005-05-10 | 2010-03-02 | Nsk Ltd. | Magnetic encoder and roller bearing unit having magnetic encoder |
EP1754733A1 (en) * | 2005-07-26 | 2007-02-21 | Huntsman Advanced Materials (Switzerland) GmbH | Composition |
JP2007142032A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 樹脂結合型磁石用組成物、それを用いた樹脂結合型磁石及びその製造方法 |
DE102006019614B4 (de) * | 2006-04-25 | 2010-06-17 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Alterungsbeständiger Dauermagnet aus einem Legierungspulver und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2009071910A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Hitachi Ltd | 回転電機およびそれを搭載した自動車 |
US20100261038A1 (en) * | 2007-11-02 | 2010-10-14 | Nobuyoshi Imaoka | Composite magnetic material for magnet and method for manufacturing such material |
CN101499347B (zh) * | 2008-11-04 | 2012-05-16 | 北京倍力隆磁材料技术有限公司 | 一种良好温度特性复合各向异性稀土永磁材料的制备方法 |
JP5334175B2 (ja) * | 2009-02-24 | 2013-11-06 | セイコーインスツル株式会社 | 異方性ボンド磁石の製造方法、磁気回路及び異方性ボンド磁石 |
JP5247754B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2013-07-24 | 株式会社日立製作所 | 磁性材料及びその磁性材料を用いたモータ |
JP2011216641A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Tdk Corp | 希土類ボンド磁石の製造方法 |
CN102859622A (zh) * | 2011-02-03 | 2013-01-02 | 松下电器产业株式会社 | 各向异性粘结磁体的制造方法和电机 |
JP2013062482A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-04-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 磁石用圧粉成形体の製造方法、磁石用圧粉成形体、及び焼結体 |
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