JP2021168411A - コンパクトなモードロックレーザモジュール - Google Patents
コンパクトなモードロックレーザモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021168411A JP2021168411A JP2021114145A JP2021114145A JP2021168411A JP 2021168411 A JP2021168411 A JP 2021168411A JP 2021114145 A JP2021114145 A JP 2021114145A JP 2021114145 A JP2021114145 A JP 2021114145A JP 2021168411 A JP2021168411 A JP 2021168411A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- mode
- optical
- gain medium
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 246
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 51
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 64
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 53
- 125000003729 nucleotide group Chemical group 0.000 description 44
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 43
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 39
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 35
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 29
- 239000002773 nucleotide Substances 0.000 description 26
- 210000001624 hip Anatomy 0.000 description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 21
- BFMYDTVEBKDAKJ-UHFFFAOYSA-L disodium;(2',7'-dibromo-3',6'-dioxido-3-oxospiro[2-benzofuran-1,9'-xanthene]-4'-yl)mercury;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Na+].O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC(Br)=C([O-])C([Hg])=C1OC1=C2C=C(Br)C([O-])=C1 BFMYDTVEBKDAKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 description 17
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 17
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 17
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 16
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 15
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 15
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 14
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 10
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 9
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 9
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 7
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 7
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 6
- 108020004707 nucleic acids Proteins 0.000 description 6
- 150000007523 nucleic acids Chemical class 0.000 description 6
- 102000039446 nucleic acids Human genes 0.000 description 6
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 6
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 5
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000012014 optical coherence tomography Methods 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000012114 Alexa Fluor 647 Substances 0.000 description 1
- 238000001712 DNA sequencing Methods 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004775 Tyvek Substances 0.000 description 1
- 229920000690 Tyvek Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 238000005842 biochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004061 bleaching Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000368 destabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000001917 fluorescence detection Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/10038—Amplitude control
- H01S3/10046—Pulse repetition rate control
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0092—Nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/025—Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0619—Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
- H01S3/0621—Coatings on the end-faces, e.g. input/output surfaces of the laser light
- H01S3/0623—Antireflective [AR]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08072—Thermal lensing or thermally induced birefringence; Compensation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/0811—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/0813—Configuration of resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
- H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1106—Mode locking
- H01S3/1112—Passive mode locking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1106—Mode locking
- H01S3/1112—Passive mode locking
- H01S3/1115—Passive mode locking using intracavity saturable absorbers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
- H01S3/1611—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth neodymium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1645—Solid materials characterised by a crystal matrix halide
- H01S3/1653—YLiF4(YLF, LYF)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1671—Solid materials characterised by a crystal matrix vanadate, niobate, tantalate
- H01S3/1673—YVO4 [YVO]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
- G01N21/6452—Individual samples arranged in a regular 2D-array, e.g. multiwell plates
- G01N21/6454—Individual samples arranged in a regular 2D-array, e.g. multiwell plates using an integrated detector array
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
- G01N21/648—Specially adapted constructive features of fluorimeters using evanescent coupling or surface plasmon coupling for the excitation of fluorescence
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/0407—Liquid cooling, e.g. by water
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/042—Arrangements for thermal management for solid state lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
Abstract
【解決手段】高出力の固体受動モードロックレーザは、ポータブル機器に組み込むことができるコンパクトなモジュールで製造することができる。モードロックレーザは、200MHzと50MHzとの間の繰り返し率、すなわち超並列データ取得に適した速度で、50ps以下の光パルスを生成することができる。光パルスは、ポータブル機器のデータ取得および信号処理電子機器を同期させるための基準クロック信号を生成するために使用することができる。
【選択図】 図1−1B
Description
本明細書において記載されている図は、例示を目的としたものにすぎないことを、当業者は理解しよう。いくつかの事例において、本発明の様々な態様は、本発明の理解を容易にするために、誇張又は拡大されて示されている場合があることを理解されたい。図面において、同様の参照符号は、概して様々な図全体を通じて同様の特徴、機能的に類似する及び/又は構造的に類似する要素を参照する。図面は、必ずしも原寸に比例してはおらず、むしろ、本教示の原理を例示しているところが強調されている。図面は、決して本教示の範囲を限定するようには意図されていない。
本発明者らは、少なくとも500mWの平均出力電力を供給可能な従来の超短パルスレーザは一般的に大きく、高価で、多くのモバイル用途には適していないことを認識し、評価するに至った。そのようなレーザは、撮像、測距、もしくはテーブルトップの生物分析用途に適合することができるポータブル機器への組み込むには典型的に非常に大型で重量的に重い。したがって、本発明者らは、選択された波長において、また3.5ワット(W)の大きさの平均光パワーにおいて100ピコ秒未満のパルスを与えることができるコンパクトな超短パルスレーザ発振システムを着想した。レーザ発振システムは、約50MHzと約200MHzとの間の光パルス繰り返し率を与えるように構成することができ、これは大規模な並列データ取得に適している。いくつかの実施形態において、モードロックレーザモジュール及びその光学素子によって専有される面積はおおよそ、約40mm以下の厚さを有するA4用紙のサイズであり得る。モジュールによって占有される容積は多くとも0.0020m3(0.07ft3)であり得、この容積は、それほど多くの光パワーを供給することができない従来の超短パルスレーザによって占有される容積のほぼ10倍の減少である。レーザはコンパクトなスラブフォームファクタを有するので、交換可能なモジュール、例えばパーソナルコンピュータ上でボードを追加または交換し得るもののようにスワップインまたはスワップアウトする(swap in or out)モジュールとして機器に容易に組み込むことができる。
生物分析技術の分野において、そのようなコンパクトなモードロックレーザモジュールは、例えば、光励起エネルギーをチップ上に集積されている複数の反応室に送達するために使用することができる。いくつかの実施態様によれば、チップ上の反応室の数は、約10,000と約10,000,000との間であり得、室は、一定期間にわたって複数の生化学反応を受け得る試料を含むことができる。他の実施態様において、チップ上にはより少ない又はより多い反応室があってもよい。いくつかの実施形態によれば、モードロックレーザモジュールからの光パルスによる励起後に、試料もしくは試料と相互作用する分子が、蛍光を発する1つもしくは複数の蛍光色素分子によって標識化されてもよく、又は、試料自体が蛍光を発してもよい。反応室からの蛍光発光の検出及び分析は、室内の試料に関する情報をもたらす。
説明として、チップ上の複数の反応室内で蛍光色素分子を励起するためにコンパクトなモードロックレーザモジュールが使用される生物分析応用が記載されている。この応用例は、レーザモジュールに対するいくつかのより厳しい必要条件を満たすことを強調することを意図しており、レーザモジュールを生物分析応用のみに限定することを意図していない。モジュールは、通信、撮像、フォトニックチップまたは電子チップのプロービングおよび診断、製造(切断、除去)、ならびに医学的処置および診断などの他の技術に使用することができる。
for Temporal Binning of Received Photons)」と題する、2015年8月7日に出願された米国特許出願第14/821,656号に記載されている。説明を目的として、時間ビニング光検出器の非限定的な実施形態が、図1−9に示されている。単一の時間ビニング光検出器1−900は、すべて半導体基板上に形成される、光子吸収/キャリア発生領域1−902、キャリア移動領域1−906、及び複数のキャリア貯蔵ビン1−908a、1−908b、1−908cを備えることができる。キャリア移動領域は、キャリア輸送チャネル1−907によって複数のキャリア貯蔵ビンに接続することができる。3つのキャリア貯蔵ビンのみが図示されているが、より多くのビンがあってもよい。キャリア貯蔵ビンに接続されている読み出しチャネル1−910があり得る。光子吸収/キャリア発生領域1−902、キャリア移動領域1−906、キャリア貯蔵ビン1−908a、1−908b、1−908c、及び読み出しチャネル1−910は、半導体を局所的にドーピングすること、及び/又は、調整絶縁領域を形成して光検出機能をもたらし、キャリアを閉じ込めることによって形成することができる。時間ビニング光検出器1−900はまた、デバイスを通じてキャリアを輸送するための電場をデバイス内に発生させるように構成されている、基板上に形成されている複数の電極1−920、1−922、1−932、1−934、1−936、1−940をも含むことができる。
本発明者らは、光パルスの平均パワー、コンパクトさ、ビーム品質、パルス繰り返し率、励起波長、およびターンオフ速度に関して上述の性能仕様を達成するコンパクトなモードロックレーザモジュール1−108(例えば、図1−1Aおよび図1−1Bに概略的に示されるような)を着想し構築した。概要として図2−1を参照すると、いくつかの実施形態による、コンパクトなモードロックレーザモジュール1−108の主要構成要素は、レーザキャビティ(レーザキャビティの第1の端部ミラーとして機能することができる出力カプラ1−111と、レーザキャビティの第2の端部ミラーとして機能することができる可飽和吸収体ミラー(SAM)1−119との間の光学要素を含む)と、モードロックレーザ1−110の構成要素の一部または全部が取り付けられる成形ベースシャーシ2−105と、モードロックレーザの動作を安定させることができる少なくとも1つのキャビティ内光学要素2−128と、レーザからの出力をより短い波長に変換する際に協働することができる周波数2倍化要素2−170、2−164、2−160と、レーザの動作パラメータを監視し、レーザによって生成された光パルスに同期した電子クロック信号を生成する電気部品2−190、2−154、2−182、2−116とを含む。ポンプモジュール2−140は、ベースシャーシ2−105に取り付けられ、かつモードロックレーザの利得媒体1−105を励起するために使用されることができる。
いくつかの実施形態によると、コンパクトなモードロックレーザモジュール1−108のベースシャーシ2−105は、長さLが約20cmと約30cmとの間、高さHが約10cmと約20cmとの間であり、厚さは約10cmと約30cmとの間である。いくつかの事例では、1つ又は複数の寸法が最大20%大きくなることがある。いくつかの実施形態によれば、コンパクトなモードロックレーザモジュール1−108によって占有される容積は、約30cm×18cm×3cm、または約0.0020m3(0.07ft3)であり得る。いくつかの実施形態によれば、モードロックレーザモジュール1−108の全体形状またはフォームファクタは、高さHよりも長い長さLと、長さまたは高さのいずれかよりもはるかに小さい厚さとを有し、0.0028立方メートル(0.1立方フィート)未満の容積を占有し、かつ重さが約2キログラム未満、または約2キログラムであるスラブである。いくつかの事例では、モジュール1−108の重量は1キログラム〜2キログラムである。
上述のコンパクトなモードロックレーザモジュール1−108は、キャビティ長を延長しパルス繰り返し率を減少させる複数のミラーを使用しているが、他の実施形態はキャビティ長を延長するために追加的または代替的に他の光学部品を使用することができる。光学遅延要素のいくつか例が、図3−5A〜図3−5Dに示されている。一実施形態によれば、光学遅延要素3−510は、図3−5Aの平面図に示すような、アーガイルブロックを含んでもよい。アーガイルブロックは、第1の直角プリズム3−520及び第2の直角プリズム3−522を備えることができる。いくつかの実施形態によれば、プリズムの垂直な側面は、コーティングされていないものであり得るが、他の実施形態では、垂直面は、高反射性コーティングを含んでもよい。いくつかの実施態様において、プリズムの1つの垂直面の長さは、約20mmと約60mmとの間であってもよい。各プリズムは、任意の適切な光学品質ガラス、例えばBK−7又は融着石英から形成されてもよい。高い熱的安定性のために、遅延要素は、コーニング(Corning)から入手可能なULEのような超低膨張ガラスから形成することができる。プリズムの側面は、例えば、λ/10以上の波面誤差および10〜5の表面品質を有する、高い光学品質になるように研磨することができる。
利得媒体1−105を励起してレーザのモードロック動作を開始するために、カップリングレンズ2−142を用いて高出力レーザダイオードからの連続波放射(図2−1と図4−1の黒の点線で示す)を利得媒体に合焦させることができる。レーザダイオードからの光パワーは1ワットと20ワットとの間とすることができ、これは顕著な電気的発生および光学的熱発生に関連するパワーレベルである。このような熱の発生は、ベースシャーシ2−105内に放散されると、モードロックレーザモジュール1−108の安定性に悪影響を及ぼす可能性がある。レーザダイオードは、ポンプモジュールからベースシャーシへの熱伝導を低減し、かつベースシャーシ2−105からポンプモジュール2−140を断熱するのに役立つように、ベースシャーシ2−105の貫通孔2−145に取り付けられているポンプモジュール2−140に取り付けることができる。
認識され得るように、モードロックレーザキャビティ光学素子のアライメントは、レーザキャビティ内の多数のミラーおよび光学部品の起因して、困難である可能性がある。いくつかの実施形態において、図2−1を再び参照すると、モードロックレーザは、利得媒体1−105と第2の曲面ミラー2−127との間にレーザキャビティの光軸に沿って配置された取り付け機構2−110(例えば、ねじ穴および/または位置合わせ機構)を含むことができる。取り付け機構2−110は、第2の出力カプラ(図2−1では図示せず)を取り付けることができる光学マウントを受承するように構成することができる。光学マウント及び第2の出力カプラが適当な位置にあるとき、レーザは、短縮されたレーザキャビティによって連続波モードでレーザ発振するように整列されることができる。第2の出力カプラは、少量の電力(例えば、2%と20%との間)を伝達して、挿入された光学マウントとSAM1−119との間でレーザの光学部品を整列させるのに使用することができるレーザビームを供給することができる。これらの残りの部品が整列されると、挿入された光学マウントを取り外すことができ、それによって、レーザ1−110は、全キャビティ長によるパルスモードで動作するように調整されることができる。
図2−1を再び参照すると、モードロックレーザ1−110の出力は、出力パルスの光波長を半分にする(または光周波数を2倍化する)ためにレンズ2−164を介して周波数2倍化結晶2−170に集束されることができる。例えば、モードロックレーザ1−110は、約1064nmの固有波長を有するパルスを生成することができ、周波数2倍化結晶2−170は、この波長を約532nmに変換することができる。周波数が2倍化された出力は、バイオ光電子チップ1−140に提供され、バイオ光電子チップ1−140で異なる発光特性を有する蛍光色素分子を励起するために使用され得る。いくつかの実施形態によれば、周波数を2倍化し、かつ周波数を2倍化する電力を制御するための部品は、コンパクトなモードロックレーザモジュール1−108内に取り付けることができる。
図1−1を再び参照すると、短パルスまたは超短パルスを生成するために使用される方法および装置にかかわらず、ポータブル分析機器1−100は、分析システム1−160の少なくともいくつかの電子的動作(例えば、データ取得および信号処理)を、モードロックレーザ1−110からの光パルス1−122の繰り返し率と同期させるように構成される回路を含むことができる。例えば、バイオ光電子チップ1−140における蛍光寿命を評価する場合に、発光事象のタイミングを正確に記録することができるように、試料の励起の時間を正確に知ることは有益である。いくつかの実施形態によれば、タイミング信号は、モードロックレーザによって生成された光パルスから導出することができ、導出されたタイミング信号は電子機器をトリガするために使用することができる。
(1)モードロックレーザモジュールは、ベースシャーシと、ベースシャーシ上に組み立てられたレーザキャビティを有するモードロックレーザと、レーザキャビティ内に配置され、モードロックレーザが光パルスを生成しているときに、1ジオプタと15ジオプタとの間の正の熱レンズ効果の値を示す利得媒体とを備える。
(4)モードロックレーザは、ポンプビームの光パワーの変化に起因して8ジオプタから12ジオプタの範囲に亘って変化する熱レンズ効果の値に対してレーザキャビティを機械的に調整することなく安定して光パルスを生成する、構成(2)または(3)のモードロックレーザモジュール。
(11)利得結晶は、バナジン酸ネオジム(Nd3+:YVO4)からなる構成(1)から(10)のいずれか1つのモードロックレーザモジュール。
(15)利得媒体内のキャビティ内ビームの第1のビームウェストは100ミクロンと150ミクロンとの間であり、可飽和吸収体におけるキャビティ内ビームの第2のビームウェストは75ミクロンと125ミクロンとの間である、構成(13)または(14)のモードロックレーザモジュール。
(20)レーザキャビティの第1の端部に配置された出力カプラと、レーザキャビティの第2の端部に配置された可飽和吸収体ミラーと、利得媒体と可飽和吸収体ミラーとの間のレーザキャビティ内に配置された第1の集束光学系と、第1の集束光学系と可飽和吸収体ミラーとの間のレーザキャビティ内に配置された第2の集束光学系とを更に備える、構成(1)から(15)のいずれか1つのモードロックレーザモジュール。
(22)第1の集束光学系の焦点距離は240mmと260mmとの間であり、第2の集束光学系の焦点距離は240mmと260mmとの間である、構成(20)または(21)のモードロックレーザモジュール。
(27)モードロックレーザモジュールは、ベースシャーシと、ベースシャーシに取り付けられた出力カプラおよび第1の集束光学系と、ベースシャーシに取り付けられた可飽和吸収体ミラーおよび第2の集束光学系と、ここで、出力カプラおよび可飽和吸収体ミラーは、モードロックレーザ用のレーザキャビティの端部ミラーを含み、レーザキャビティ内のキャビティ内ビームの光軸に沿って配置された利得媒体と、出力カプラと可飽和吸収体ミラーとの間に配置された2つの反射器を含むキャビティ長延長領域とを備え、2つの反射器は、キャビティ内ビームを2回以上折り返す。
(28)モードロックレーザモジュールは、ベースシャーシと、50MHzと200MHzとの間のパルス繰り返し率で動作するように構成された第1のレーザキャビティを有するモードロックレーザと、ここで、モードロックレーザはベースシャーシ上に組み立てられ、第1のレーザキャビティの第1の端部に配置された第1のレーザキャビティの第1の端部ミラーと、第1のレーザキャビティの第2の端部に配置された第1のレーザキャビティの第2の端部ミラーと、第1のレーザキャビティ内に配置された利得媒体とを備え、利得媒体は、第1のレーザキャビティに対する動作パワーでポンピングされたときに熱レンズ効果を示すように構成され、熱レンズ効果は、第1のレーザキャビティの長さの半分未満である、第1のレーザキャビティ内に形成された第2のレーザキャビティであって、第1の端部ミラーと、第1のレーザキャビティ内のベースシャーシに組み込まれた第3の端部ミラーとを含む前記第2のレーザキャビティ内でのレーザ発振をサポートする。
(29)モードロックレーザを動作させる方法は、レーザキャビティの利得媒体を光ポンプビームでポンピングして、利得媒体が8ジオプタと12ジオプタとの間の範囲のジオプタ値を有する熱レンズ効果を示すようにするステップと、レーザキャビティの第1の端部における出力カプラとレーザキャビティの第2の端部における可飽和吸収体ミラーとでキャビティ内ビームを反射するステップと、ジオプタ値の範囲に亘って安定した光パルスの出力を生成するステップとの動作を含む。
(32)利得媒体と可飽和吸収体ミラーとの間に配置された第1の集束反射器と第2の集束反射器とでキャビティ内ビームを反射するステップを更に含む、(29)から(31)のいずれか1つの方法。
(36)高次モードを抑制するためにキャビティ内ビームに対する開口を適用するステップを更に含む、(34)または(35)の方法。
IV. 結論
このように、モードロックレーザのいくつかの実施形態のいくつかの態様を説明したが、様々な変更、修正、及び改善が当業者には容易に想到されることが理解されるべきである。そのような変更、修正、及び改善はこの開示の1部であるように意図されており、本発明の精神及び範囲内にあることが意図されている。本教示を様々な実施形態及び例に関連して説明したが、本教示がこのような実施形態又は例に限定されることは意図されていない。逆に、本教示は、当業者には理解されるであろう様々な代替形態、修正、及び均等物を包含する。
また、説明されている技術は、そのうち少なくとも1つの例が設けられている方法として具現化され得る。方法の1部分として実施される動作は、任意の適切な様式で順序付けられてもよい。したがって、動作が示されているものとは異なる順序で実施され、たとえ例示的な実施形態においては順次の動作として示されていたとしても、いくつかの動作を同時に実施することを含んでもよい実施形態が構築されてもよい。
Claims (1)
- モードロックレーザモジュールであって、
ベースシャーシと、
前記ベースシャーシ上に組み立てられたレーザキャビティを有するモードロックレーザと、
前記レーザキャビティ内に配置され、前記モードロックレーザが光パルスを生成しているときに、1ジオプタと15ジオプタとの間の正の熱レンズ効果の値を示す利得媒体と、を備えるモードロックレーザモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023064897A JP2023100648A (ja) | 2016-12-16 | 2023-04-12 | コンパクトなモードロックレーザモジュール |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662435688P | 2016-12-16 | 2016-12-16 | |
US62/435,688 | 2016-12-16 | ||
JP2019531978A JP6913169B2 (ja) | 2016-12-16 | 2017-12-15 | コンパクトなモードロックレーザモジュール |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019531978A Division JP6913169B2 (ja) | 2016-12-16 | 2017-12-15 | コンパクトなモードロックレーザモジュール |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023064897A Division JP2023100648A (ja) | 2016-12-16 | 2023-04-12 | コンパクトなモードロックレーザモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021168411A true JP2021168411A (ja) | 2021-10-21 |
JP7263443B2 JP7263443B2 (ja) | 2023-04-24 |
Family
ID=60972388
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019531978A Active JP6913169B2 (ja) | 2016-12-16 | 2017-12-15 | コンパクトなモードロックレーザモジュール |
JP2021114145A Active JP7263443B2 (ja) | 2016-12-16 | 2021-07-09 | コンパクトなモードロックレーザモジュール |
JP2023064897A Pending JP2023100648A (ja) | 2016-12-16 | 2023-04-12 | コンパクトなモードロックレーザモジュール |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019531978A Active JP6913169B2 (ja) | 2016-12-16 | 2017-12-15 | コンパクトなモードロックレーザモジュール |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023064897A Pending JP2023100648A (ja) | 2016-12-16 | 2023-04-12 | コンパクトなモードロックレーザモジュール |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US10283928B2 (ja) |
EP (1) | EP3555972A1 (ja) |
JP (3) | JP6913169B2 (ja) |
KR (2) | KR20210144919A (ja) |
CN (2) | CN114400495A (ja) |
AU (2) | AU2017375481A1 (ja) |
BR (1) | BR112019012054A2 (ja) |
CA (1) | CA3047133A1 (ja) |
MX (1) | MX2019007089A (ja) |
TW (2) | TWI741105B (ja) |
WO (1) | WO2018112444A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10246742B2 (en) | 2015-05-20 | 2019-04-02 | Quantum-Si Incorporated | Pulsed laser and bioanalytic system |
US11466316B2 (en) | 2015-05-20 | 2022-10-11 | Quantum-Si Incorporated | Pulsed laser and bioanalytic system |
US10605730B2 (en) | 2015-05-20 | 2020-03-31 | Quantum-Si Incorporated | Optical sources for fluorescent lifetime analysis |
EP3555691A1 (en) | 2016-12-16 | 2019-10-23 | Quantum-Si Incorporated | Compact beam shaping and steering assembly |
MX2019007089A (es) | 2016-12-16 | 2019-08-16 | Quantum Si Inc | Modulo laser compacto de modo bloqueado. |
TWI632344B (zh) * | 2017-04-17 | 2018-08-11 | 國立虎尾科技大學 | 光學式轉軸多自由度誤差檢測裝置與方法(二) |
WO2019241733A1 (en) | 2018-06-15 | 2019-12-19 | Quantum-Si Incorporated | Data acquisition control for advanced analytic instruments having pulsed optical sources |
BR112021025186A2 (pt) | 2019-06-14 | 2022-04-12 | Quantum Si Inc | Acoplador de grade fatiada com maior sensibilidade de alinhamento de feixe |
US11885744B2 (en) | 2020-01-14 | 2024-01-30 | Quantum-Si Incorporated | Sensor for lifetime plus spectral characterization |
EP4088351A1 (en) * | 2020-01-14 | 2022-11-16 | Quantum-si Incorporated | Amplitude-modulated laser |
IL294731A (en) | 2020-01-14 | 2022-09-01 | Quantum Si Inc | Integrated sensor for life time characterization |
US20210218224A1 (en) | 2020-01-14 | 2021-07-15 | Quantum-Si Incorporated | Pulsed laser light source for producing excitation light in an integrated system |
CN111313212B (zh) * | 2020-02-12 | 2021-08-24 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 | 一种高交叠效率直接液冷激光增益装置和激光谐振腔 |
RU2738096C1 (ru) * | 2020-02-19 | 2020-12-08 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" | Компактный твердотельный лазер красного диапазона спектра |
EP4111178A1 (en) | 2020-03-02 | 2023-01-04 | Quantum-si Incorporated | Integrated sensor for multi-dimensional signal analysis |
EP4133524A2 (en) | 2020-04-08 | 2023-02-15 | Quantum-si Incorporated | Integrated sensor with reduced skew |
CN113917465B (zh) * | 2021-10-21 | 2022-07-26 | 苏州威陌电子信息科技有限公司 | 一种sar雷达成像方法及系统 |
US11886177B1 (en) * | 2022-08-26 | 2024-01-30 | Arch Systems Inc. | System and method for manufacturing system data analysis |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5196709A (en) * | 1991-05-03 | 1993-03-23 | University Of Maryland Systems | Fluorometry method and apparatus using a semiconductor laser diode as a light source |
US5627853A (en) * | 1994-03-16 | 1997-05-06 | Coherent, Inc. | Optimized laser energy conversion through automatic mode matched pumping |
JPH11505370A (ja) * | 1995-05-19 | 1999-05-18 | ケレル−ヴアインガルテン,ウルスラ | パルス化されたレーザビームを発生するレーザ装置において優先的に使用する光学部品 |
JP2001077449A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-03-23 | Schneider Laser Technologies Ag | モード同期固体レーザ |
JP2003500861A (ja) * | 1999-05-21 | 2003-01-07 | ギガオプティクス・ゲーエムベーハー | 受動モードロックフェムト秒レーザー |
US20030058904A1 (en) * | 2001-09-24 | 2003-03-27 | Gigatera Ag | Pulse-generating laser |
US6834064B1 (en) * | 1999-12-08 | 2004-12-21 | Time-Bandwidth Products Ag | Mode-locked thin-disk laser |
JP2007511079A (ja) * | 2003-11-13 | 2007-04-26 | フェムトレーザース プロドゥクシオンズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 短パルスレーザ装置 |
JP2007520735A (ja) * | 2003-05-14 | 2007-07-26 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | 高エネルギ超高速レーザ用の安価な繰り返し周期可変光源 |
US20080317072A1 (en) * | 2006-04-27 | 2008-12-25 | Spectralus Corporation | Compact solid-state laser |
JP2011119393A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置及びその製造方法 |
US20110206071A1 (en) * | 2010-02-24 | 2011-08-25 | Michael Karavitis | Compact High Power Femtosecond Laser with Adjustable Repetition Rate |
CN102832536A (zh) * | 2012-08-16 | 2012-12-19 | 中国科学院光电研究院 | 一种用于输出锁模皮秒激光的谐振腔及锁模皮秒激光器 |
JP2013520848A (ja) * | 2010-02-24 | 2013-06-06 | アルコン レンゼックス, インコーポレーテッド | 走査速度に従い調節可能な繰り返し率を有する高出力のフェムト秒レーザ |
JP2014531777A (ja) * | 2011-10-07 | 2014-11-27 | マツクス−プランク−ゲゼルシヤフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシヤフテン エー フアウMAX−PLANCK−GESELLSCHAFT ZUR FOeRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V. | カー効果に基づくモード同期を用いたレーザ装置、およびその動作 |
JP2015015337A (ja) * | 2013-07-04 | 2015-01-22 | キヤノン株式会社 | モードロックレーザ |
JP2016502290A (ja) * | 2013-01-04 | 2016-01-21 | アルコン レンゼックス, インコーポレーテッド | 自己始動モードロックレーザ発振器 |
US20180115136A1 (en) * | 2015-06-08 | 2018-04-26 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Ultra-low noise mode-locked laser, methods, and applications |
Family Cites Families (174)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4034949A (en) | 1965-05-12 | 1977-07-12 | Philco Corporation | Optical apparatus |
GB1521931A (en) | 1976-01-31 | 1978-08-16 | Ferranti Ltd | Optical apparatus |
US4295226A (en) | 1980-07-02 | 1981-10-13 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | High speed driver for optoelectronic devices |
JPS6317581A (ja) | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子の駆動回路 |
US4850686A (en) | 1987-02-06 | 1989-07-25 | Asahi Kogaku Kogyo K.K. | Apparatus for adjusting light beam direction |
US5108179A (en) | 1989-08-09 | 1992-04-28 | Myers Stephen A | System and method for determining changes in fluorescence of stained nucleic acid in electrophoretically separated bands |
EP0472318A3 (en) | 1990-08-06 | 1994-08-10 | At & T Corp | Led pulse shaping circuit |
US5329210A (en) | 1991-11-13 | 1994-07-12 | At&T Bell Laboratories | High-speed driver for an LED communication system or the like |
JP3018717B2 (ja) | 1992-03-03 | 2000-03-13 | 松下電器産業株式会社 | 短波長レーザ光源および短波長レーザ光源の製造方法 |
JPH05275780A (ja) | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Topcon Corp | パルスレーザドライバの保護回路 |
JPH05283766A (ja) | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Toshiba Corp | レーザ発振管装置およびその取付け方法 |
JP2575270B2 (ja) | 1992-11-10 | 1997-01-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 核酸の塩基配列決定方法、単一分子検出方法、その装置及び試料の作成方法 |
JPH08506664A (ja) * | 1993-02-01 | 1996-07-16 | セック,リミテッド | Dna配列決定の方法および装置 |
US6715685B2 (en) | 1993-11-17 | 2004-04-06 | Symbol Technologies, Inc. | Optical path design for scanning assembly in compact bar code readers |
US5471515A (en) | 1994-01-28 | 1995-11-28 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer |
JP3089382B2 (ja) | 1994-01-31 | 2000-09-18 | ミヤチテクノス株式会社 | レーザ発振装置 |
AU2317995A (en) | 1994-05-27 | 1995-12-21 | Novartis Ag | Process for detecting evanescently excited luminescence |
US5814565A (en) | 1995-02-23 | 1998-09-29 | University Of Utah Research Foundation | Integrated optic waveguide immunosensor |
JP2735039B2 (ja) | 1995-06-09 | 1998-04-02 | 日本電気株式会社 | 光パルス発生方法および装置 |
US5854651A (en) | 1996-05-31 | 1998-12-29 | Eastman Kodak Company | Optically correcting deviations from straightness of laser emitter arrays |
JPH103022A (ja) | 1996-06-18 | 1998-01-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学装置の固定機構 |
DE19702261C2 (de) | 1997-01-23 | 2000-02-03 | Grieshaber Vega Kg | Mikrowellen-Pulsgenerator |
WO1998035012A2 (en) | 1997-02-12 | 1998-08-13 | Chan Eugene Y | Methods and products for analyzing polymers |
US6825921B1 (en) | 1999-11-10 | 2004-11-30 | Molecular Devices Corporation | Multi-mode light detection system |
WO1999038045A1 (en) | 1998-01-21 | 1999-07-29 | Renishaw Plc | Beam deflector |
US6175670B1 (en) | 1998-03-23 | 2001-01-16 | Lucent Technologies, Inc. | Planar lightguide circuit having a planar grating |
GB9810350D0 (en) | 1998-05-14 | 1998-07-15 | Ciba Geigy Ag | Organic compounds |
US6987786B2 (en) * | 1998-07-02 | 2006-01-17 | Gsi Group Corporation | Controlling laser polarization |
US6787308B2 (en) | 1998-07-30 | 2004-09-07 | Solexa Ltd. | Arrayed biomolecules and their use in sequencing |
US6716394B2 (en) | 1998-08-11 | 2004-04-06 | Caliper Technologies Corp. | DNA sequencing using multiple fluorescent labels being distinguishable by their decay times |
JP2000155052A (ja) | 1998-09-14 | 2000-06-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 光パルス入力型高速ジョセフソンサンプリング測定回路 |
US6205266B1 (en) | 1998-10-06 | 2001-03-20 | Trw Inc. | Active alignment photonics assembly |
US6185235B1 (en) * | 1998-11-24 | 2001-02-06 | Spectra-Physics Lasers, Inc. | Lasers with low doped gain medium |
US6393035B1 (en) | 1999-02-01 | 2002-05-21 | Gigatera Ag | High-repetition rate passively mode-locked solid-state laser |
EP1681356B1 (en) | 1999-05-19 | 2011-10-19 | Cornell Research Foundation, Inc. | Method for sequencing nucleic acid molecules |
US7056661B2 (en) | 1999-05-19 | 2006-06-06 | Cornell Research Foundation, Inc. | Method for sequencing nucleic acid molecules |
JP2001025102A (ja) | 1999-07-01 | 2001-01-26 | Toshiba Corp | 電気車制御装置 |
US20010021215A1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-09-13 | Udo Bunting | Compact ultra fast laser |
US6944201B2 (en) * | 1999-07-30 | 2005-09-13 | High Q Laser Production Gmbh | Compact ultra fast laser |
JP3314772B2 (ja) | 1999-09-01 | 2002-08-12 | 日本電気株式会社 | 光パルス発生装置及びそれを用いた光クロック抽出装置と光クロック分周装置と光クロック抽出分周装置 |
US6545759B1 (en) | 1999-11-30 | 2003-04-08 | Nile F. Hartman | Transverse integrated optic interferometer |
US7671295B2 (en) | 2000-01-10 | 2010-03-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Processing a memory link with a set of at least two laser pulses |
JP2001251002A (ja) | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レーザ装置 |
DE10017884C2 (de) | 2000-04-11 | 2003-12-24 | Toptica Photonics Ag | Vorrichtung zur geometrischen Strahlformung eines Lichtstrahlprofils |
WO2001084197A1 (en) | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Edgelight Biosciences, Inc. | Micro-array evanescent wave fluorescence detection device |
US6917726B2 (en) | 2001-09-27 | 2005-07-12 | Cornell Research Foundation, Inc. | Zero-mode clad waveguides for performing spectroscopy with confined effective observation volumes |
AUPQ901400A0 (en) * | 2000-07-26 | 2000-08-17 | Macquarie Research Limited | A stable solid state raman laser and a method of operating same |
EP1305854A2 (de) | 2000-07-28 | 2003-05-02 | Daniel Kopf | Laser für anwendungen in der nichtlinearen optik |
FR2813121A1 (fr) | 2000-08-21 | 2002-02-22 | Claude Weisbuch | Dispositif perfectionne de support d'elements chromophores |
JP2002239773A (ja) | 2000-12-11 | 2002-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザー加工装置および半導体レーザー加工方法 |
US6628850B1 (en) | 2001-02-15 | 2003-09-30 | General Photonics Corporation | Dynamic wavelength-selective grating modulator |
US20050048529A1 (en) | 2002-02-20 | 2005-03-03 | Sirna Therapeutics, Inc. | RNA interference mediated inhibition of intercellular adhesion molecule (ICAM) gene expression using short interfering nucleic acid (siNA) |
JP2002368313A (ja) | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Aisin Seiki Co Ltd | 受動型モードロック・ファイバーレーザー |
WO2003012510A1 (en) | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Gigabit Optics Corporation | System and method for optical multiplexing and/or demultiplexing |
US6995841B2 (en) | 2001-08-28 | 2006-02-07 | Rice University | Pulsed-multiline excitation for color-blind fluorescence detection |
EP1317035A1 (en) | 2001-11-29 | 2003-06-04 | Hitachi Ltd. | Optical pulse generator |
GB2382648B (en) | 2001-12-11 | 2003-11-12 | Amersham Pharm Biotech Uk Ltd | System and method for time correlated multi-photon counting measurements |
US20030169784A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Sutter Dirk H. | Method and device to avoid optical damage of an intracavity optic |
US7179654B2 (en) | 2002-03-18 | 2007-02-20 | Agilent Technologies, Inc. | Biochemical assay with programmable array detection |
US6924887B2 (en) | 2002-03-27 | 2005-08-02 | Sarnoff Corporation | Method and apparatus for generating charge from a light pulse |
US7595883B1 (en) | 2002-09-16 | 2009-09-29 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Biological analysis arrangement and approach therefor |
JP2003177328A (ja) | 2002-09-17 | 2003-06-27 | Olympus Optical Co Ltd | 走査型光学顕微鏡 |
DE10323669A1 (de) | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Atmel Germany Gmbh | Treiberschaltung zum Betreiben eines elektronischen Bauteils |
JP2004363419A (ja) | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パルス光源 |
KR20060121900A (ko) | 2003-09-22 | 2006-11-29 | 스네이크 크리크 레이저스 엘엘씨 | 다이오드 펌핑된 마이크로 레이저를 생산하기 위한 고밀도방법 |
JP4398331B2 (ja) | 2003-09-25 | 2010-01-13 | パナソニック株式会社 | レーザ駆動装置、光ディスク装置、レーザ駆動方法およびレーザ駆動用集積回路 |
WO2005073407A1 (en) | 2003-10-07 | 2005-08-11 | Ut-Battelle, Llc | Advanced integrated circuit biochip |
US7184184B2 (en) | 2003-12-31 | 2007-02-27 | Reliant Technologies, Inc. | High speed, high efficiency optical pattern generator using rotating optical elements |
US7968851B2 (en) | 2004-01-13 | 2011-06-28 | Spectrum Dynamics Llc | Dynamic spect camera |
ATE463584T1 (de) | 2004-02-19 | 2010-04-15 | Helicos Biosciences Corp | Verfahren zur analyse von polynukleotidsequenzen |
US20060000814A1 (en) | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Bo Gu | Laser-based method and system for processing targeted surface material and article produced thereby |
US20060029110A1 (en) | 2004-08-03 | 2006-02-09 | Imra America, Inc. | Cavity monitoring device for pulse laser |
US7170050B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-01-30 | Pacific Biosciences Of California, Inc. | Apparatus and methods for optical analysis of molecules |
KR100590565B1 (ko) | 2004-10-30 | 2006-06-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 |
US7738086B2 (en) | 2005-05-09 | 2010-06-15 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Active CMOS biosensor chip for fluorescent-based detection |
KR100701006B1 (ko) | 2005-05-31 | 2007-03-29 | 한국전자통신연구원 | 포물선 도파로형 평행광 렌즈 및 이를 포함한 파장 가변외부 공진 레이저 다이오드 |
US7646546B1 (en) | 2005-06-10 | 2010-01-12 | Cvi Laser, Llc | Anamorphic optical system providing a highly polarized laser output |
US7426322B2 (en) | 2005-07-20 | 2008-09-16 | Searete Llc. | Plasmon photocatalysis |
US8975216B2 (en) | 2006-03-30 | 2015-03-10 | Pacific Biosciences Of California | Articles having localized molecules disposed thereon and methods of producing same |
ES2329206B1 (es) | 2006-05-04 | 2010-08-30 | Universitat Illes Balears | Aparato y metodo para la obtencion de pulsos cortos de luz laser mediante bloqueo pasivo de modos por saturacion de ganancia cruzada entre polarizaciones ortogonales. |
US8130800B2 (en) * | 2006-05-17 | 2012-03-06 | Battelle Memorial Institute | Mode-locked solid state lasers using diode laser excitation |
IE20060447A1 (en) | 2006-06-14 | 2009-04-15 | Nat Univ Ireland | Solid-state fluorescent analyser |
JP2008028379A (ja) | 2006-06-22 | 2008-02-07 | Fujifilm Corp | モードロックレーザ装置 |
AU2007289057C1 (en) | 2006-09-01 | 2014-01-16 | Pacific Biosciences Of California, Inc. | Substrates, systems and methods for analyzing materials |
US8207509B2 (en) | 2006-09-01 | 2012-06-26 | Pacific Biosciences Of California, Inc. | Substrates, systems and methods for analyzing materials |
FR2908888B1 (fr) | 2006-11-21 | 2012-08-03 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif pour la detection exaltee de l'emission d'une particule cible |
US7394841B1 (en) | 2007-01-18 | 2008-07-01 | Epicrystals Oy | Light emitting device for visual applications |
US8885239B2 (en) | 2007-02-21 | 2014-11-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and apparatus for controlling multiple beam spacing |
GB2447254B (en) | 2007-03-01 | 2009-10-14 | Toshiba Res Europ Ltd | A photon detector |
TWI647439B (zh) | 2007-08-13 | 2019-01-11 | 網路生物有限公司 | 利用電泳偵測核酸及生物分子之整合微流體系統、生物晶片及方法 |
US7873085B2 (en) | 2007-10-23 | 2011-01-18 | Andrei Babushkin | Method and device for controlling optical output of laser diode |
JP2009122493A (ja) | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アナモルフィックプリズム |
WO2009082706A1 (en) | 2007-12-21 | 2009-07-02 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Active cmos sensor array for electrochemical biomolecular detection |
US20110165652A1 (en) | 2008-01-14 | 2011-07-07 | Life Technologies Corporation | Compositions, methods and systems for single molecule sequencing |
JP5290737B2 (ja) | 2008-02-08 | 2013-09-18 | 古河電気工業株式会社 | 光−マイクロ波発振器及びパルス発生装置 |
CA2715385A1 (en) | 2008-02-12 | 2009-08-20 | Pacific Biosciences Of California, Inc. | Compositions and methods for use in analytical reactions |
US7968702B2 (en) | 2008-03-13 | 2011-06-28 | Pacific Biosciences Of California, Inc. | Labeled reactants and their uses |
JP5495506B2 (ja) | 2008-05-13 | 2014-05-21 | キヤノン株式会社 | レーザ装置および光断層画像撮像装置 |
JP2010028751A (ja) | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Toshiba Corp | コンプリメンタリー光配線装置 |
AU2009292629B2 (en) | 2008-09-16 | 2014-03-20 | Pacific Biosciences Of California, Inc. | Substrates and optical systems and methods of use thereof |
US9156010B2 (en) | 2008-09-23 | 2015-10-13 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Droplet-based assay system |
CN102177448A (zh) | 2008-10-09 | 2011-09-07 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 光束方向控制装置及光输出装置 |
JP2010103291A (ja) | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Fujifilm Corp | モード同期レーザ装置 |
EP2182523B1 (en) | 2008-10-31 | 2013-01-09 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA -Recherche et Développement | Charge sampling device and method based on a MOS-transmission line |
FR2938935B1 (fr) | 2008-11-21 | 2011-05-06 | Eolite Systems | Dispositif d'allongement de la duree de vie d'un systeme optique non lineaire soumis au rayonnement d'un faisceau laser intense et source optique non lineaire comprenant ce dispositif |
CN101414729B (zh) * | 2008-11-24 | 2013-03-27 | 南京大学 | 一种自锁模激光器 |
JP2010204006A (ja) | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Anritsu Corp | 光信号モニタ装置及び該装置のサンプリング周波数調整方法 |
US20110014612A1 (en) | 2009-03-27 | 2011-01-20 | Life Technologies Corporation | Polymerase compositions & methods |
WO2010117420A2 (en) | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Pacific Biosciences Of California, Inc. | Fret-labeled compounds and uses therefor |
CN101562310B (zh) | 2009-05-04 | 2010-09-01 | 北京国科世纪激光技术有限公司 | 被动锁模皮秒激光器 |
CN101572380B (zh) * | 2009-06-03 | 2010-11-17 | 南京大学 | 2.12微米锁模激光器 |
US8664876B2 (en) | 2009-06-29 | 2014-03-04 | Tai-Her Yang | Lighting device with optical pulsation suppression by polyphase-driven electric energy |
US8501406B1 (en) | 2009-07-14 | 2013-08-06 | Pacific Biosciences Of California, Inc. | Selectively functionalized arrays |
DE102009036273B4 (de) | 2009-08-05 | 2014-11-13 | Jenoptik Laser Gmbh | Laser und Verfahren zur Erzeugung gepulster Laserstrahlung |
WO2011019283A1 (en) | 2009-08-14 | 2011-02-17 | Akkolens International B.V. | Optics with simultaneous variable correction of aberrations |
US8278728B2 (en) | 2009-10-17 | 2012-10-02 | Florida Institute Of Technology | Array of concentric CMOS photodiodes for detection and de-multiplexing of spatially modulated optical channels |
WO2011068569A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Biotium, Inc. | Heterocycle-substituted xanthene dyes |
US20110236983A1 (en) | 2009-12-29 | 2011-09-29 | Joseph Beechem | Single molecule detection and sequencing using fluorescence lifetime imaging |
JP5276025B2 (ja) | 2010-01-07 | 2013-08-28 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置 |
US8902939B2 (en) | 2010-01-22 | 2014-12-02 | Newport Corporation | Broadly tunable optical parametric oscillator |
AU2011217862B9 (en) | 2010-02-19 | 2014-07-10 | Pacific Biosciences Of California, Inc. | Integrated analytical system and method |
US8279901B2 (en) * | 2010-02-24 | 2012-10-02 | Alcon Lensx, Inc. | High power femtosecond laser with adjustable repetition rate and simplified structure |
US9054479B2 (en) * | 2010-02-24 | 2015-06-09 | Alcon Lensx, Inc. | High power femtosecond laser with adjustable repetition rate |
JP5623121B2 (ja) | 2010-04-27 | 2014-11-12 | キヤノン株式会社 | 被検体情報取得装置 |
US8865077B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-10-21 | Industrial Technology Research Institute | Apparatus for single-molecule detection |
US8865078B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-10-21 | Industrial Technology Research Institute | Apparatus for single-molecule detection |
CN101915752B (zh) | 2010-07-05 | 2012-06-06 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 激光扫描成像装置 |
JP2012032183A (ja) | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Olympus Corp | 試料観測装置および試料観測方法 |
CN101938081B (zh) * | 2010-09-01 | 2011-10-05 | 天津大学 | 基于多通脉冲压缩器的兆赫兹光子晶体光纤超短脉冲激光器 |
CN102448211A (zh) | 2010-09-30 | 2012-05-09 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管驱动电路 |
JP2012150186A (ja) | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Nikon Corp | 出力波長選択型レーザ装置 |
US20120214686A1 (en) | 2011-02-18 | 2012-08-23 | NVS Technologies, Inc. | Quantitative, Highly Multiplexed Detection of Nucleic Acids |
EP2693201A4 (en) | 2011-03-29 | 2014-10-29 | Olympus Corp | PHOTOMETRIC ANALYSIS DEVICE, PHOTOMETRIC ANALYSIS METHOD, AND COMPUTER PROGRAM FOR PHOTOMETRIC ANALYSIS, DETECTING SINGLE LIGHT EMITTING PARTICLE |
US8728563B2 (en) | 2011-05-03 | 2014-05-20 | Palmaz Scientific, Inc. | Endoluminal implantable surfaces, stents, and grafts and method of making same |
JP5517992B2 (ja) | 2011-05-20 | 2014-06-11 | 株式会社日立メディアエレクトロニクス | 走査型投射装置 |
US8774238B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-07-08 | Coherent, Inc. | Mode-locked optically pumped semiconductor laser |
KR101264225B1 (ko) | 2011-08-22 | 2013-05-14 | 한국전기연구원 | 레이저 다이오드 광펌핑 모듈을 이용한 펨토초 레이저 장치 |
DE102011114874A1 (de) | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Auswerteschaltung für einen optoelektronischen Detektor und Verfahren zum Aufzeichnen von Fluoreszenzereignissen |
EP3305400A3 (en) | 2011-10-28 | 2018-06-06 | Illumina, Inc. | Microarray fabrication system and method |
DE102011055330A1 (de) | 2011-11-14 | 2013-05-16 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Verfahren zum Messen der Lebensdauer eines angeregten Zustandes in einer Probe |
US9606060B2 (en) | 2012-01-13 | 2017-03-28 | California Institute Of Technology | Filterless time-domain detection of one or more fluorophores |
US9372308B1 (en) | 2012-06-17 | 2016-06-21 | Pacific Biosciences Of California, Inc. | Arrays of integrated analytical devices and methods for production |
WO2014031157A1 (en) | 2012-08-20 | 2014-02-27 | Illumina, Inc. | Method and system for fluorescence lifetime based sequencing |
US9223084B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-12-29 | Pacific Biosciences Of California, Inc. | Illumination of optical analytical devices |
JP5705887B2 (ja) | 2013-01-17 | 2015-04-22 | 古河電気工業株式会社 | 光操作装置 |
JP6163308B2 (ja) | 2013-02-04 | 2017-07-12 | スペクトロニクス株式会社 | 短光パルス発生装置 |
JP6161188B2 (ja) | 2013-02-05 | 2017-07-12 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ加工装置、レーザ加工方法 |
EP2971071B1 (en) | 2013-03-15 | 2018-02-28 | Illumina, Inc. | Enzyme-linked nucleotides |
US20160238532A1 (en) | 2013-06-21 | 2016-08-18 | Invenio Imaging Inc. | Multi-photon systems and methods |
WO2015074001A1 (en) * | 2013-11-17 | 2015-05-21 | Quantum-Si Incorporated | Optical system and assay chip for probing, detecting and analyzing molecules |
CN203774604U (zh) | 2014-03-05 | 2014-08-13 | 北京工业大学 | 一种sesam被动锁模激光器 |
US9765395B2 (en) | 2014-04-28 | 2017-09-19 | Nanomedical Diagnostics, Inc. | System and method for DNA sequencing and blood chemistry analysis |
CN104078839B (zh) | 2014-06-26 | 2017-04-19 | 中国科学院半导体研究所 | 基于波导耦合微盘光子分子激光器的光脉冲同步信号源 |
MX2017001808A (es) | 2014-08-08 | 2018-02-08 | Quantum Si Inc | Dispositivo integrado con fuente de luz externa para el sondeo, deteccion y analisis de moleculas. |
CN104201547A (zh) * | 2014-09-16 | 2014-12-10 | 北京中科思远光电科技有限公司 | 带光纤种子的一体化超短脉冲激光系统及其倍频系统 |
US9666748B2 (en) | 2015-01-14 | 2017-05-30 | International Business Machines Corporation | Integrated on chip detector and zero waveguide module structure for use in DNA sequencing |
CN104518419B (zh) | 2015-01-28 | 2018-03-13 | 湖南科瑞特科技股份有限公司 | 一种被动锁模激光器 |
US9645377B2 (en) | 2015-02-06 | 2017-05-09 | The Johns Hopkins University | Compressive imaging systems and methods |
WO2016149397A1 (en) | 2015-03-16 | 2016-09-22 | Pacific Biosciences Of California, Inc. | Integrated devices and systems for free-space optical coupling |
US9966723B2 (en) * | 2015-05-14 | 2018-05-08 | Jgm Associates, Inc. | High pulse energy and high beam quality mini laser |
US10605730B2 (en) | 2015-05-20 | 2020-03-31 | Quantum-Si Incorporated | Optical sources for fluorescent lifetime analysis |
US10246742B2 (en) * | 2015-05-20 | 2019-04-02 | Quantum-Si Incorporated | Pulsed laser and bioanalytic system |
CN115296137A (zh) | 2015-05-20 | 2022-11-04 | 宽腾矽公司 | 脉冲激光器及生物分析系统 |
US20210277463A1 (en) | 2015-05-20 | 2021-09-09 | Quantum-Si Invorporated | Pulsed laser and bioanalytic system |
US11466316B2 (en) | 2015-05-20 | 2022-10-11 | Quantum-Si Incorporated | Pulsed laser and bioanalytic system |
US10215846B2 (en) | 2015-11-20 | 2019-02-26 | Texas Instruments Incorporated | Compact chip scale LIDAR solution |
US9971148B2 (en) | 2015-12-02 | 2018-05-15 | Texas Instruments Incorporated | Compact wedge prism beam steering |
EP3296783B1 (en) | 2016-09-15 | 2023-11-29 | IMEC vzw | Integrated photonics waveguide grating coupler |
MX2019007089A (es) | 2016-12-16 | 2019-08-16 | Quantum Si Inc | Modulo laser compacto de modo bloqueado. |
EP3555691A1 (en) | 2016-12-16 | 2019-10-23 | Quantum-Si Incorporated | Compact beam shaping and steering assembly |
WO2019241733A1 (en) | 2018-06-15 | 2019-12-19 | Quantum-Si Incorporated | Data acquisition control for advanced analytic instruments having pulsed optical sources |
US10690853B2 (en) | 2018-06-25 | 2020-06-23 | International Business Machines Corporation | Optoelectronics integration using semiconductor on insulator substrate |
BR112021025186A2 (pt) | 2019-06-14 | 2022-04-12 | Quantum Si Inc | Acoplador de grade fatiada com maior sensibilidade de alinhamento de feixe |
EP4088351A1 (en) | 2020-01-14 | 2022-11-16 | Quantum-si Incorporated | Amplitude-modulated laser |
-
2017
- 2017-12-15 MX MX2019007089A patent/MX2019007089A/es unknown
- 2017-12-15 US US15/844,469 patent/US10283928B2/en active Active
- 2017-12-15 CN CN202210030558.9A patent/CN114400495A/zh active Pending
- 2017-12-15 AU AU2017375481A patent/AU2017375481A1/en not_active Abandoned
- 2017-12-15 JP JP2019531978A patent/JP6913169B2/ja active Active
- 2017-12-15 BR BR112019012054-8A patent/BR112019012054A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2017-12-15 KR KR1020217037568A patent/KR20210144919A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-12-15 CN CN201780078181.1A patent/CN110088993B/zh active Active
- 2017-12-15 CA CA3047133A patent/CA3047133A1/en active Pending
- 2017-12-15 EP EP17829426.0A patent/EP3555972A1/en active Pending
- 2017-12-15 WO PCT/US2017/066878 patent/WO2018112444A1/en unknown
- 2017-12-15 KR KR1020197020362A patent/KR102330080B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-18 TW TW106144460A patent/TWI741105B/zh active
- 2017-12-18 TW TW110131945A patent/TW202224296A/zh unknown
-
2019
- 2019-03-25 US US16/362,830 patent/US10741990B2/en active Active
-
2020
- 2020-06-30 US US16/916,277 patent/US11322906B2/en active Active
-
2021
- 2021-07-09 JP JP2021114145A patent/JP7263443B2/ja active Active
-
2022
- 2022-03-16 US US17/696,755 patent/US11848531B2/en active Active
- 2022-11-15 AU AU2022271395A patent/AU2022271395A1/en active Pending
-
2023
- 2023-04-12 JP JP2023064897A patent/JP2023100648A/ja active Pending
- 2023-11-08 US US18/505,039 patent/US20240079843A1/en active Pending
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5196709A (en) * | 1991-05-03 | 1993-03-23 | University Of Maryland Systems | Fluorometry method and apparatus using a semiconductor laser diode as a light source |
US5627853A (en) * | 1994-03-16 | 1997-05-06 | Coherent, Inc. | Optimized laser energy conversion through automatic mode matched pumping |
JPH11505370A (ja) * | 1995-05-19 | 1999-05-18 | ケレル−ヴアインガルテン,ウルスラ | パルス化されたレーザビームを発生するレーザ装置において優先的に使用する光学部品 |
JP2003500861A (ja) * | 1999-05-21 | 2003-01-07 | ギガオプティクス・ゲーエムベーハー | 受動モードロックフェムト秒レーザー |
JP2001077449A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-03-23 | Schneider Laser Technologies Ag | モード同期固体レーザ |
US6834064B1 (en) * | 1999-12-08 | 2004-12-21 | Time-Bandwidth Products Ag | Mode-locked thin-disk laser |
US20030058904A1 (en) * | 2001-09-24 | 2003-03-27 | Gigatera Ag | Pulse-generating laser |
JP2007520735A (ja) * | 2003-05-14 | 2007-07-26 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | 高エネルギ超高速レーザ用の安価な繰り返し周期可変光源 |
JP2007511079A (ja) * | 2003-11-13 | 2007-04-26 | フェムトレーザース プロドゥクシオンズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 短パルスレーザ装置 |
US20080317072A1 (en) * | 2006-04-27 | 2008-12-25 | Spectralus Corporation | Compact solid-state laser |
JP2011119393A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置及びその製造方法 |
US20110206071A1 (en) * | 2010-02-24 | 2011-08-25 | Michael Karavitis | Compact High Power Femtosecond Laser with Adjustable Repetition Rate |
JP2013520848A (ja) * | 2010-02-24 | 2013-06-06 | アルコン レンゼックス, インコーポレーテッド | 走査速度に従い調節可能な繰り返し率を有する高出力のフェムト秒レーザ |
JP2014531777A (ja) * | 2011-10-07 | 2014-11-27 | マツクス−プランク−ゲゼルシヤフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシヤフテン エー フアウMAX−PLANCK−GESELLSCHAFT ZUR FOeRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V. | カー効果に基づくモード同期を用いたレーザ装置、およびその動作 |
CN102832536A (zh) * | 2012-08-16 | 2012-12-19 | 中国科学院光电研究院 | 一种用于输出锁模皮秒激光的谐振腔及锁模皮秒激光器 |
JP2016502290A (ja) * | 2013-01-04 | 2016-01-21 | アルコン レンゼックス, インコーポレーテッド | 自己始動モードロックレーザ発振器 |
JP2015015337A (ja) * | 2013-07-04 | 2015-01-22 | キヤノン株式会社 | モードロックレーザ |
US20180115136A1 (en) * | 2015-06-08 | 2018-04-26 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Ultra-low noise mode-locked laser, methods, and applications |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023100648A (ja) | 2023-07-19 |
BR112019012054A2 (pt) | 2020-08-18 |
US20220209492A1 (en) | 2022-06-30 |
US20240079843A1 (en) | 2024-03-07 |
KR20210144919A (ko) | 2021-11-30 |
TW202224296A (zh) | 2022-06-16 |
CN110088993B (zh) | 2022-02-08 |
MX2019007089A (es) | 2019-08-16 |
EP3555972A1 (en) | 2019-10-23 |
US10741990B2 (en) | 2020-08-11 |
JP7263443B2 (ja) | 2023-04-24 |
US11322906B2 (en) | 2022-05-03 |
JP2020502798A (ja) | 2020-01-23 |
CN110088993A (zh) | 2019-08-02 |
WO2018112444A1 (en) | 2018-06-21 |
TWI741105B (zh) | 2021-10-01 |
CN114400495A (zh) | 2022-04-26 |
US20180175582A1 (en) | 2018-06-21 |
JP6913169B2 (ja) | 2021-08-04 |
KR102330080B1 (ko) | 2021-11-25 |
CA3047133A1 (en) | 2018-06-21 |
TW201838276A (zh) | 2018-10-16 |
US10283928B2 (en) | 2019-05-07 |
US20200220317A1 (en) | 2020-07-09 |
AU2017375481A1 (en) | 2019-06-20 |
KR20190094227A (ko) | 2019-08-12 |
US11848531B2 (en) | 2023-12-19 |
US20200335933A1 (en) | 2020-10-22 |
AU2022271395A1 (en) | 2022-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6913169B2 (ja) | コンパクトなモードロックレーザモジュール | |
AU2021282473B2 (en) | Pulsed laser and bioanalytic system | |
US10246742B2 (en) | Pulsed laser and bioanalytic system | |
US11466316B2 (en) | Pulsed laser and bioanalytic system | |
KR20220137027A (ko) | 진폭 변조 레이저 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210804 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220809 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20221031 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230301 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230331 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230412 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7263443 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |