JP5276025B2 - 半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置 - Google Patents

半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5276025B2
JP5276025B2 JP2010001884A JP2010001884A JP5276025B2 JP 5276025 B2 JP5276025 B2 JP 5276025B2 JP 2010001884 A JP2010001884 A JP 2010001884A JP 2010001884 A JP2010001884 A JP 2010001884A JP 5276025 B2 JP5276025 B2 JP 5276025B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
signal
driving
input
electric pulse
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010001884A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010074198A (ja
Inventor
和郎 岡村
信行 加木
竜嗣 内野
靖 青柳
亮 河原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Original Assignee
THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD. filed Critical THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority to JP2010001884A priority Critical patent/JP5276025B2/ja
Publication of JP2010074198A publication Critical patent/JP2010074198A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5276025B2 publication Critical patent/JP5276025B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置に関するものである。
半導体レーザをステップ状の電流で駆動すると半導体レーザの発振開始時に緩和振動が発生する。この緩和振動の1周期が終わった時点で電流注入が停止するように電流を制御すると、半導体レーザから短光パルスを出力させることができ、これを繰り返すことにより周期的に短光パルスを発生させることが可能になる。
短光パルスを出力させるための半導体レーザの駆動回路として、例えば下記の特許文献1に記載されているように、一定周期の電流パルスを半導体レーザに出力する構成が採用される。半導体レーザから短光パルスを発生させるための電流パルスのパルス幅は、例えば100ps(ピコ秒)と短く、パルスの繰り返し周期は100psよりも十分に大きくすることが好ましい。
そのような電流パルスを発生させるために、図11に示すように、トリガパルス生成回路101を電気パルス発生回路102の入力端に接続し、さらに電気パルス発生回路102の出力端をLDドライバIC103に接続し、LDドライバIC103の出力端をDFB半導体レーザ104に接続する構成が採用される。電気パルス発生回路102として、例えばPPG(Pulse Pattern Generator)、高速FPGA(Field Programmable Gate Array)が用いられる。
そのような電気パルス発生装置において、トリガパルス発生回路101が、任意の外部トリガに同期した、立ち上がり/立ち下がりの急峻なトリガパルス信号を出力する。そして、トリガパルス信号を入力した電気パルス発生回路102は、トリガパルス信号の1/0判別を例えば254MHzのクロックで行い、入力信号が「0」から「1」に変化した瞬間を検出し、「1」に変化した瞬間にのみ2.54GHzのクロックを用いてパルス幅394psの電圧パルスVpを出力する。また、LDドライバIC103は、電気パルス発生回路102から出力された電圧パルスVpの波高値を基準電圧に基づいて調整して出力し、DFB半導体レーザ104に電流パルスIpを流してDFB半導体レーザ104から短光パルスを出射させる。
特開平11−284266号公報
ところで、電気パルス発生回路102では、外部トリガ信号の周波数が、クロック周波数254MHzの整数分の1でない場合、すなわち、外部トリガ信号とクロック周波数254MHzが同期していない場合には、得られる電気パルスは外部トリガ信号に対して−(1/2)×(1/254MHz)〜+(1/2)×(1/254MHz)のタイムインターバルエラージッタを有することになる。
図12(a)の波形は、トリガ信号を入力した電気パルス発生器102の出力端をサンプリングオシロスコープで観測した場合の波形である。サンプリングオシロスコープは、トリガ信号を入力する毎に観測波形を重ね書きしていくので、観測波形のタイムインターバルエラージッタは横軸上の波形の広がりとして現れ、観測では254MHzのクロックに起因した3.94ns(ナノ秒)のピークトゥピークジッタが見られた。
一方、電気パルス発生回路102の内部の254MHzのクロックをトリガ信号にして、電気パルス発生回路102の出力を観測したところ、自分自身をトリガにしているので、図12(b)に示すようにタイムインターバルエラージッタはほとんど存在しない。なお、図12(b)において、デジタル処理に起因して3.94ns離れた箇所にもう1つ他の波形が見られる。
FPGA、PPGなどのデジタル処理を行う電気パルス発生回路102によれば、「0」、「1」を判別するクロック周波数は500MHz程度であり、1ns以上のタイムインターバルエラージッタが現れる。
また、PPGのような短パルス発生可能な周波数源や、高速FPGAなどの短パルス発生ICは、高速信号デジタル処理構造を有しているので高価である。しかも、PPGは規模が大きくて小型化が難しい。
本発明の目的は、タイムインターバルエラージッタをほぼ無くすことができる半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置を提供することにある。
上記課題を解決するための本発明の第1の態様は、周波数源で形成されたトリガ信号を入力し、2つの電気信号に分岐して出力する分岐手段と、前記2つの電気信号のうちの一方を時間的に遅延させる遅延手段と、遅延された前記一方の前記電気信号を第1の入力端に入力し、遅延されていない他方の前記電気信号を第2の入力端に入力し、遅延された前記電気信号と、遅延されていない前記電気信号との差分信号を生成し、生成した前記差分信号を所定の閾値でカットして波形を調整し、前記遅延に相当する時間幅を有する電気パルス信号として出力する半導体レーザ駆動用ICと、を有することを特徴とする半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置である。
本発明の第2の態様は、第1の態様において、前記分岐手段は、前記トリガ信号を入力して矩形パルスを出力する比較器と、前記比較器から出力された前記矩形パルスに同期させて前記2つの電気信号を出力する分配器と、を有していることを特徴とする。
本発明の第3の態様は、第1の態様において、前記分岐手段は、前記トリガ信号に基づいて、互いに同期し且つ波高値の中心で互いに反転する波形を有する前記2つの電気信号をそれぞれ第1、第2の出力端から出力する比較器であり、前記遅延手段は、前記比較器の第1の出力端に接続される反転回路であることを特徴とする。
本発明の第4の態様は、第1又は2の態様において、前記遅延手段は、ローパスフィルタから構成されていることを特徴とする。
本発明の第5の態様は、第4の態様において、前記ローパスフィルタと前記半導体レーザ駆動用ICの前記第1の入力端の間に接続される第2の比較器と、前記2つの電気信号のうちの他方を出力する前記分岐手段の出力端と前記半導体レーザ駆動用ICの前記第2の入力端の間に接続される第3の比較器と、をさらに有することを特徴とする。
本発明の第6の態様は、第4又は5の態様において、前記分岐手段は、前記トリガ信号に同期させて前記2つの電気信号を出力する分配器から構成されていることを特徴とする。
本発明の第7の態様は、第1乃至6のいずれかの態様において、前記半導体レーザ駆動用ICの前記出力端は、半導体レーザに接続される端子であることを特徴とする。
本発明の第8の態様は、第7の態様において、前記半導体レーザは、分布帰還型半導体レーザであることを特徴とする。
本発明によれば、分岐手段と遅延手段を用いることにより、トリガ信号に同期させた2つの電気信号のうち一方を時間的に遅延させることにより、遅延させた電気信号と遅延させない電気信号に基づいて遅延時間に相当する時間幅を持つ電気パルス信号を半導体レーザ駆動用ICから出力させるようにしている。これにより発生した電気パルスは、トリガ信号に同期する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置を示す構成図である。 図2は、本発明の第1実施形態に係る半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置におけるパルス生成を示す波形図である。 図3は、本発明の第1実施形態に係る半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置を用いて形成される電気パルス信号の波形図である。 図4は、本発明の第1実施形態に係る半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置と半導体レーザモジュールとの接続の一例を示す回路図である。 図5は、本発明の第2実施形態に係る半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置を示す構成図である。 図6は、本発明の第2実施形態に係る半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置におけるパルス生成を示す波形図である。 図7は、本発明の第3実施形態に係る半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置を示す構成図である。 図8は、本発明の第3実施形態に係る半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置におけるパルス生成を示す波形図である。 図9は、本発明の第4実施形態に係る半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置を示す構成図である。 図10は、本発明の第4実施形態に係る半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置におけるパルス生成を示す波形図である。 図11は、従来技術に係る半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置を示す構成図である。 図12は、従来技術に係る半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置を用いて形成される電気パルス信号の波形図である。
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体レーザ駆動用の電気パルス発生装置を示す回路ブロック図である。
図1において電気パルス発生装置1は、任意の周波数でトリガ電圧信号を出力する周波数設定回路2と、周波数設定回路2から出力されたトリガ電圧信号Vtがリファレンス電圧Vrefより大きくなった時点で電圧パルス信号Vpを出力する比較器(コンパレータ)3と、比較器3から出力された電圧パルス信号Vpを位相の揃った同波形の2つの電圧パルス信号に分岐して第1、第2の出力端4a、4bから出力する分配器4と、分配器4の第1の出力端4aから入力する信号を所定時間で遅延させてその信号の位相をずらす遅延回路6と、遅延回路6の出力端に接続される第1の入力端5aと分配器4の第2の出力端4bに接続される第2の入力端5bとを有するとともに第1、第2の入力端5a,5bから入力する電気パルス信号を処理してパルス幅の狭い電気パルス信号を出力するLDドライバ回路5とを有している。LDドライバ回路5として差動入力の半導体レーザ駆動用ICが使用され、第1の入力端5aとしてdata-端子、第2の入力端子5bとしてdata+端子を用いる。
周波数設定回路2は、電気パルス発生装置1の外部に設けられていてもよく、通常はユーザが任意の周波数、任意の波形で設定できるように構成されていて、その信号として数GHz以下の繰り返し周波数の正弦波、矩形波或いは1ショットパルス波などを出力する。なお、周波数設定回路2として、クロック発振器、ファンクションジェネレータなどが使用される。
比較回路3は、周波数設定回路2から出力される信号の周波数に同期するとともに立ち上がり/立ち下がり時間が例えば300psの矩形波の電圧パルス信号Vpを出力する。
遅延回路6は、例えば所定長さの導電線から構成されていて、入力した電圧パルス信号を例えば時間T1psで遅延させて出力する構成となっている。時間T1psは、例えば100psである。
分配器4の第1、第2の出力端4a、4bから出力される2つの信号は、例えば図2(a)に示すように互いに同期した同じ波形の電圧パルス信号である。また、分配器4の第1の出力端4aから出力される電圧パルス信号は、遅延回路6により遅延されるので、図2(b)に示すように、LDドライバ回路5の第1の入力端5aに入力する信号は第2の入力端5bに入力する信号に比べて例えばT1psで遅れが生じている。
LDドライバ回路5は、第1の入力端5aに入力する信号が第2の入力端5bに入力する信号よりも遅延しているので、図2(c)に示すように、第2の入力端5bに入力するパルス信号の波高値から第1の入力端5aに入力するパルス信号の波高値を引いた電圧パルス信号を生成し、さらに閾値電圧Vth以下をカットして波形を調整するとともに、これをさらに図2(d)に示すような電気パルス信号に変換してDFB半導体レーザに出力する構成を有している。電気パルス信号は、遅延回路6による伝播遅延時間に相当するパルス幅を有する電圧信号又は電流信号である。
LDドライバ回路5に入力する電圧パルス信号の波高値は例えば500〜600mVであり、また、電流パルス信号のパルス幅は100ps、その波高値は例えば数十mAであり、また、電気パルス信号は例えば3000mVの電圧パルス信号である。
以上のように、半導体レーザ駆動用の電気パルス発生装置1は、周波数設定回路2のトリガ信号に同期した2つの電圧パルス信号のうち一方を遅延回路6により遅延させ、さらにそれらの電圧パルス信号の波高値の差によりパルス幅を狭めた波形の電圧パルス信号を閾値電圧Vthにより波形整形することによりユニポーラの電気パルス信号として半導体レーザに出力するようにされている。
従って、比較器3に入力するトリガ信号と半導体レーザへ出力する電流パルス信号がほぼ同期し、タイムインターバルエラージッタがpsオーダー、例えば平均値で1psの極めて小さな信号を出力することが可能になる。
図3は、LDドライバ回路5から出力される波形の例を示し、比較器3に入力する入力パルス信号のパルス幅とその繰り返し周波数を変更して測定したものである。なお、比較器3に入力するパルス信号は、周波数設定回路2から出力される外部トリガと同期している。
図3に示すパルスによれば、入力パルス信号のパルス幅、繰り返し周波数に依らず、振幅3Vp-p(Volt peak to peak)、パルス幅130psと、ほぼ一定の波形の電気パルス出力を得ることができた。そのような電気パルス出力は、特に図示していないが、10kHzよりも小さい繰り返し周波数の入力パルス信号の場合でも得ることができる。また、図3に示すパルスを描く線の太さはピークトゥピークジッタを示し、その値は大きくても10psであり従来技術の数nsのピークトゥピークジッタに比べて大幅に小さくなっている。なお、図3における横軸は50ps/divである。
なお、図3は、サンプリングオシロスコープを用いてLDドライバ回路4の出力波形を重ね書きしているので、同一のパルス幅の入力信号の繰り返し周波数を増やす毎に、観測波形のピークトゥピークジッタを示す波形の線の太さは増している。
そのような約百ps程度の狭いパルス幅の電圧パルス信号を成形するための回路は、従来のような高価なFPGAやPPGなどのデジタル処理装置を用いずに、集積回路(IC)で構成される比較器3、分配器4や構造簡単な遅延回路6を使用してアナログ的処理により電気パルス信号の波形を成形しているので、電気パルス発生装置を小型で安価に構成にすることが可能になる。
以上の電気パルス発生装置1は、例えば図4に示すような半導体レーザモジュールに接続される。
図4において、レーザモジュール10のケーシング11内には、先端から短光パルスを放出しうる半導体レーザ12と、半導体レーザ12の後端から出射される光を受光する位置に配置されてその光を電流に変換するフォトダイオード13と、半導体レーザ12の温度を調整するTEC(thermoelectric cooler)14と、半導体レーザ12の温度を検出するサーミスタ15と、半導体レーザ12の第1電極に一端が接続されるインピーダンスマッチング用抵抗16と、その第1電極に一端が接続されるバイアスT用インダクタ17とを有している。半導体レーザ12として例えば分布帰還型(DFB)半導体レーザが使用される。
半導体レーザ12の第1電極には、インピーダンスマッチング抵抗16、カップリングコンデンサ18を介して上記した電気パルス発生装置1の出力端が接続されている。また、その半導体レーザ12の第1電極には、バイアスT用インダクタ17を介してレーザバイアス電流制御部33が接続されている。
半導体レーザ12の第2電極とケーシング11には定電圧Vccが印加されている。
TEC制御部31は、サーミスタ15によって検出された半導体レーザ12の温度データを入力する一方、その温度データに基づいてTEC14の温度を目標値になるように調整するように構成されている。TEC制御部31の温度の目標値は、制御部30から出力される制御信号に基づいて設定される。
レーザBFCモニタ部32は、半導体レーザ12の後端から出力される光を電流に変換するフォトダイオード13の出力電流信号を電圧信号に変換し、さらに増幅して制御部30に出力するように構成されている。また、レーザBFCモニタ部32から出力される電圧信号は、制御部30によって平均化されて任意の単位時間当たりの量に換算される。
電気パルス発生装置1は、電気パルス信号を半導体レーザ12の第1電極に注入するように構成されている。その電気パルス信号は、上記したように周波数設定回路2によって設定される繰り返し周波数を持ち、さらに分配器4、遅延回路6、LDドライバ回路5等によって設定されるパルス幅、振幅を持つ電圧パルス信号の印加により電気パルス発生装置1から流される。これにより、電気パルス信号は、レーザバイアス電流制御部33から出力されるレーザバイアス電流に重畳されて半導体レーザ12を駆動する。
なお、電気パルス発生装置1から出力するパルス信号の波高値は制御部30からの信号によって調整することが可能である。
(第2の実施の形態)
図5は、本発明の第2実施形態に係る半導体レーザ駆動用の電気パルス発生装置を示す回路ブロック図である。図5において、図1と同じ符号は同じ要素を示している。
図5において、電気パルス発生装置1は、任意の周波数でトリガ電圧信号を出力する周波数設定回路2と、周波数設定回路2から出力されたトリガ電圧信号Vtがリファレンス電圧Vrefより大きくなった時点で位相が揃い且つ波高値の中心で互いに反転する2つの電圧パルス信号Vp、−Vpを第1、第2の出力端から出力する比較器3Aと、比較器3Aにおける第1の出力端から出力される反転した電圧パルス信号−Vpを波高値の中心でさらに反転させるとともに反転処理時間分だけ電圧パルス信号を遅延させる反転回路(インバータゲート)7と、反転回路7の出力端に接続される第1の入力端5aと比較器3Aの第2の出力端に接続される第2の入力端5bとを有するとともにそれらの第1、第2の入力端5a、5bから入力する電気パルス信号を処理してパルス幅の狭い電流パルス信号を出力するLDドライバ回路5とを有している。
比較回路3Aは、周波数設定回路2から出力されたトリガ電圧信号Vtがリファレンス電圧Vrefより大きくなった時点で、図6(a)に示すように、立ち上がりが正方向に急峻な第2の電圧パルス信号Vpを第2の出力端から出力するとともに、第2の電圧パルス信号Vpをその波高値の中心で反転させた波形の第1の電圧パルス信号−Vpを第1の出力端から出力するように構成されている。第2の電圧パルス信号Vpは周波数設定回路2から出力される信号の周波数に同期し、また、第1、第2の電圧パルス信号−Vp、Vpの立ち上がり/立ち下がり時間は例えば300psである。
反転回路7は、入力した第1の電圧パルス信号−Vpをその波高値Vhの中心で反転させるとともに例えば時間T1=100psで遅延させて出力する構成となっている。これにより、比較器3Aの第1の出力端から出力される電圧パルス信号は、図6(b)に示すように遅延されるので、LDドライバ回路5の第1の入力端5aに入力する信号は第2の入力端5bに入力する信号に比べて例えば100psで位相が遅れた信号となる。
LDドライバ回路5では、第1の入力端5aに入力する信号が第2の入力端5bに入力する信号よりも遅延しているので、図6(c)に示すように、第2の入力端5bに入力するパルス信号の波高値から第1の入力端5aに入力するパルス信号の波高値を引いたバイポーラ信号である電圧パルス信号を生成し、さらに閾値電圧Vth以下をカットして波形を調整するとともに、これをさらに図6(d)に示すような電気パルス信号に変換して半導体レーザ12に出力する構成を有している。電気パルス信号は、反転回路7による伝播遅延時間に相当するパルス幅Tを有する電圧信号又は電流信号である。
以上のように、半導体レーザ駆動用の電気パルス発生装置1では、周波数設定回路2のトリガ信号に同期した互いに反転する2つの電圧パルス信号を生成し、反転回路7により一方の電圧パルスを反転するともに遅延させ、さらにそれらの電圧パルス信号の波高値の差によりパルス幅がT1に狭まった波形の電圧パルス信号を閾値Vthにより波形整形することにより電気パルス信号として半導体レーザに出力するようにされている。
従って、第1実施形態と同様に、比較器3に入力するトリガ信号と半導体レーザ12へ出力する電気パルス信号がほぼ同期し、タイムインターバルエラージッタがpsオーダー、例えば平均値で1ps程度の極めて小さな信号を出力することが可能になる。
以上のような100ps程度のパルス幅の狭い電気パルス信号を生成する電気パルス発生回路1は、集積回路(IC)で構成される比較器3A、反転回路7等によるアナログ的処理により電気パルス信号を発生するようにしているので、電気パルス発生装置を小型で安価な構成にすることが可能になる。
(第3の実施の形態)
図7は、本発明の第3実施形態に係る半導体レーザ駆動用の電気パルス発生装置を示す回路ブロック図である。図7において、図1と同じ符号は同じ要素を示している。
図7において、トリガ信号を入力することにより位相の揃った同波形の2つの電圧パルス信号を出力する分配器4の第1、第2の出力端4a、4bのうち第1の出力端4aはローパスフィルタ(LPF)8を介してLDドライバ回路5の第1の出力端5aに接続され、また、第2の出力端4bはLDドライバ回路5の第2の入力端5bに接続されている。
分配器4の第1、第2の出力端4a、4bからは図8(a)に示すような位相の揃った同波形の2つの電圧パルス信号が出力されるが、そのうち第1の出力端4aから出力された電圧パルス信号はローパスフィルタ8を通過することによりパルスの立ち上がり及び立ち下がりが鈍り、第2の出力端4bから出力される電圧パルス信号に比べて実質的に時間T3、例えば100psだけ信号の伝搬が遅れる。
これにより、LDドライバ回路5には図8(b)に示すような波形の信号が入力する。ここで、LDドライバ回路5の第1の入力端5aに入力する信号を第1信号とし、第2の入力端5bに入力する信号を第2信号とする。
LDドライバ回路5では、図8(c)に示すように、第2の信号の波高値から第1の信号の波高値を引いたバイポーラ信号である電圧パルスが生成され、生成した電圧パルスは閾値電圧Vth以下でカットされて波形が調整されて図8(d)に示すようなパルス幅がTの電気パルス信号となってDFB半導体レーザ12に出力される。
従って、第1実施形態と同様に、比較器3に入力するトリガ信号と半導体レーザ12へ出力する電気パルス信号がほぼ同期し、タイムインターバルエラージッタがpsオーダー、例えば平均値で1ps程度の極めて小さな信号を出力することが可能になる。
以上のような100ps程度のパルス幅の狭い電圧パルス信号を成形するための回路は、ICである比較器3、分配器4と構成が簡単なローパスフィルタ8により電気パルス信号の波形をアナログ的処理により成形するようにしているので、電気パルス発生装置を小型で安価な構成にすることが可能になる。
(第4の実施の形態)
図9は、本発明の第4実施形態に係る半導体レーザ駆動用の電気パルス発生装置を示す回路ブロック図である。図9において、図7と同じ符号は同じ要素を示している。
図9において、トリガ信号を入力してさらに位相の揃った同波形の2つの電圧パルス信号を出力する分配器4の第1、第2の出力端4a、4bのうち第1の出力端4aはローパスフィルタ8を介して第2の比較器9Aの第1入力端に接続され、また、第2の出力端4bは第3の比較器9Bの第1入力端に接続されている。なお、第2、第3の比較器9A、9Bのそれぞれの第2入力端には基準電圧V2ref、V3refが印加されている。
また、第2の比較器9Aの出力端はLDドライバ回路5の第1の入力端5aに接続され、また、第3の比較器9Bの出力端はLDドライバ回路5の第2の入力端5bに接続されている。
そのような構成によれば、分配器4の第1、第2の出力端4a、4bからは、第3実施形態と同様に図8(a)に示したような位相の揃った同波形の2つの電圧パルス信号が出力されるが、そのうち第1の出力端4aから出力された電圧パルス信号はローパスフィルタ8を通過することによりパルスの立ち上がり及び立ち下がりが鈍って実質的に時間T3だけ信号の伝搬が遅れる。時間T3は例えば100psである。
これにより、図10(a)に示すように、第3の比較器9Bの第1入力端には、第2の比較器9Aの第1入力端に入力するに比べて時間T3の遅れた信号が入力する。
第3の比較器9Bは、図10(b)の上に示すように、入力信号が基準電圧V3refより大きくなった時点に立ち上がる第2の電圧パルス信号をLDドライバ回路5の第2の入力端5bへ出力する。その出力電圧パルス信号は、第3の比較器9Bに入力する電圧パルス信号に対して、比較器での処理時間分遅延した信号となる。
また、第2の比較器9Aは、入力信号が基準電圧V2refより大きくなった時点に立ち上がる第1の電圧パルス信号をLDドライバ回路5の第1の入力端5aへ出力する。その出力電圧パルス信号は、基準電圧V2refの調整によって、第2の比較器9Aに入力する電圧パルス信号に対して、比較器での処理時間+時間T3(例えば100ps)分遅延した信号となる。なお、基準電圧V2refの高さの変更により時間T3を調整することが可能である。
LDドライバ回路5では、図10(c)に示すように、第2の電圧パルス信号の波高値から第1の電圧パルス信号の波高値を引いた電圧パルスが生成され、生成した電圧パルスは閾値電圧Vth以下でカットされて波高値と波形が調整されて図10(d)に示すようなパルス幅がT3の電気パルス信号となってDFB半導体レーザ12に出力される。
従って、第1実施形態と同様に、比較器3に入力するトリガ信号と半導体レーザ12へ出力する電気パルス信号がほぼ同期し、タイムインターバルエラージッタがpsオーダー、例えば平均値で1ps程度の極めて小さな信号を出力することが可能になる。
以上のような100ps程度のパルス幅の狭い電圧パルス信号を成形するための回路は、ICで構成される比較器3、分配器4,9A,9Bと構成が簡単なローパスフィルタ8により電気パルス信号の波形をアナログ的処理により成形するようにしているので、電気パルス発生装置を小型で安価な構成にすることが可能になる。
なお、周波数設定回路2から出力されるトリガ電圧信号の立ち上がり/立ち下がりが十分に急峻な場合は、初段の比較器3を省略して、周波数設定回路2から出力されるトリガ電圧信号を分配器4により2分配することにより、一方のトリガ電圧信号を第3の比較器9Bの第1入力端へ出力し、他方のトリガ電圧信号をローパスフィルタ8を介して第2の比較器9Aの第1入力端へ出力するようにしてもよい。これによっても図10に示すと同様な波形処理が行われる。
1 電気パルス発生装置
2 周波数設定回路(周波数源)
3 比較器
4 分配器
5 LDドライバ回路(LDドライバIC)
6 遅延回路
7 反転回路
8 ローパスフィルタ
9A,9B 比較器
10 半導体レーザモジュール
12 半導体レーザ

Claims (8)

  1. 周波数源で形成されたトリガ信号を入力し、2つの電気信号に分岐して出力する分岐手段と、
    前記2つの電気信号のうちの一方を時間的に遅延させる遅延手段と、
    遅延された前記一方の前記電気信号を第1の入力端に入力し、遅延されない他方の前記電気信号を第2の入力端に入力して、遅延された前記電気信号と、遅延されていない前記電気信号との差分信号を生成し、生成した前記差分信号を所定の閾値でカットして波形を調整し、前記遅延に相当する時間幅を有する電気パルス信号を出力端から出力する半導体レーザ駆動用ICと、
    を有することを特徴とする半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置。
  2. 前記分岐手段は、
    前記トリガ信号を入力して矩形パルスを出力する比較器と、
    前記比較器から出力された前記矩形パルスに同期させて前記2つの電気信号を出力する分配器と、
    を有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置。
  3. 前記分岐手段は、前記トリガ信号に基づいて、互いに同期し且つ波高値の中心で互いに反転する波形を有する前記2つの電気信号をそれぞれ第1、第2の出力端から出力する比較器であり、
    前記遅延手段は、前記比較器の第1の出力端に接続される反転回路である、
    ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置。
  4. 前記遅延手段は、ローパスフィルタから構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置。
  5. 前記ローパスフィルタと前記半導体レーザ駆動用ICの前記第1の入力端の間に接続される第2の比較器と、
    前記2つの電気信号のうちの他方を出力する前記分岐手段の出力端と前記半導体レーザ駆動用ICの前記第2の入力端の間に接続される第3の比較器と、
    をさらに有することを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置。
  6. 前記分岐手段は、前記トリガ信号に同期させて前記2つの電気信号を出力する分配器から構成されていることを特徴とする請求項4又は請求項5のいずれかに記載の半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置。
  7. 前記半導体レーザ駆動用ICの前記出力端は、半導体レーザに接続される端子であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1つに記載の半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置。
  8. 前記半導体レーザは、分布帰還型半導体レーザであることを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置。
JP2010001884A 2010-01-07 2010-01-07 半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置 Active JP5276025B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010001884A JP5276025B2 (ja) 2010-01-07 2010-01-07 半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010001884A JP5276025B2 (ja) 2010-01-07 2010-01-07 半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005285161A Division JP4532379B2 (ja) 2005-09-29 2005-09-29 半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010074198A JP2010074198A (ja) 2010-04-02
JP5276025B2 true JP5276025B2 (ja) 2013-08-28

Family

ID=42205631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010001884A Active JP5276025B2 (ja) 2010-01-07 2010-01-07 半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5276025B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012176451A1 (ja) * 2011-06-22 2012-12-27 キヤノン電子株式会社 磁界検出方法及び磁界検出回路
US10605730B2 (en) 2015-05-20 2020-03-31 Quantum-Si Incorporated Optical sources for fluorescent lifetime analysis
US11466316B2 (en) 2015-05-20 2022-10-11 Quantum-Si Incorporated Pulsed laser and bioanalytic system
WO2016187566A2 (en) * 2015-05-20 2016-11-24 Quantum-Si Incorporated Optical sources for fluorescent lifetime analysis
JP6913169B2 (ja) 2016-12-16 2021-08-04 クアンタム−エスアイ インコーポレイテッドQuantum−Si Incorporated コンパクトなモードロックレーザモジュール
KR20220084181A (ko) 2016-12-16 2022-06-21 퀀텀-에스아이 인코포레이티드 콤팩트한 빔 셰이핑 및 스티어링 어셈블리
CN112424587A (zh) 2018-06-15 2021-02-26 宽腾矽公司 用于具有脉冲光源的先进分析仪器的数据采集控制
CN109088305A (zh) * 2018-10-29 2018-12-25 深圳技术大学(筹) 一种激光光源
US11747561B2 (en) 2019-06-14 2023-09-05 Quantum-Si Incorporated Sliced grating coupler with increased beam alignment sensitivity
CN114336274B (zh) * 2022-03-04 2022-05-24 深圳市海创光学有限公司 激光器驱动电路及激光器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6310924A (ja) * 1986-07-02 1988-01-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レ−ザ駆動装置
JPH05206550A (ja) * 1992-01-24 1993-08-13 Canon Inc 発光素子駆動回路
JPH0655274U (ja) * 1993-01-06 1994-07-26 日立電線株式会社 半導体レーザ用パルス駆動回路
JPH0722562U (ja) * 1993-09-27 1995-04-21 フオスター電機株式会社 半導体レーザ制御回路
JP3578596B2 (ja) * 1997-06-26 2004-10-20 日本オプネクスト株式会社 発光素子駆動回路およびそれを用いた光送信器
JP2003322830A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Toshiba Corp 光変調装置及び光変調方法
JP4476568B2 (ja) * 2002-07-03 2010-06-09 株式会社リコー 光源駆動装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010074198A (ja) 2010-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5276025B2 (ja) 半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置
US8786336B1 (en) Phase-lock loop-based clocking system, methods and apparatus
JP5552215B2 (ja) 発光装置およびそれを用いる空間情報検出装置
US4928248A (en) Light source driving device
JP5974096B2 (ja) パルス光源およびパルスレーザ光の位相差を安定に制御する方法
JP4532379B2 (ja) 半導体レーザ駆動用電気パルス発生装置
CN114336274B (zh) 激光器驱动电路及激光器
JP4786767B1 (ja) 繰り返し周波数制御装置
JP4570562B2 (ja) 半導体レーザの駆動制御装置及び駆動制御方法
JP2006278926A (ja) 半導体レーザの駆動制御装置及び駆動制御方法
US9335261B2 (en) Time-domain spectroscopy and time-domain spectroscopic analysis system
US8676061B2 (en) Signal output device, and output apparatus of signal source of signals and of laser beam pulses
Liero et al. Versatile high power pulse-laser source for pico-and nanosecond optical pulses
CN111129936B (zh) 一种锁模脉冲激光的产生装置及方法
JP5736178B2 (ja) 電気短パルス発生装置およびそれを用いた光パルス発生装置
TW508879B (en) Delay-time tunable pulsed laser sources
Nicolson et al. Subnanosecond risetime pulse generators
US7647520B2 (en) Electronic device for generating synchronization signals
JP2007060215A (ja) パルス信号発生回路
Sergushichev et al. Development of multichannel tunable square pulse generator based on FPGA
US11567127B2 (en) Temporal jitter analyzer and analyzing temporal jitter
Seo et al. High precision measurement of free spectral range of a Fabry-Perot etalon
JPH11225049A (ja) 電気短パルス発生装置
Williams et al. Biasing Josephson junctions with optoelectronically generated pulses
JP2012142838A (ja) 信号整形装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100201

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120914

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20120918

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121017

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130516

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5276025

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350