JP2021158278A - 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法および半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明に係る研磨対象物は、多結晶シリコン(ポリシリコン)を含む。すなわち、本発明に係る研磨対象物は、多結晶シリコンを含む研磨対象物を研磨する用途で使用される。
[砥粒]
本発明の研磨用組成物は、砥粒を含む。本発明の研磨用組成物において、砥粒は正のゼータ電位を有する。ここで、「ゼータ(ζ)電位」とは、互いに接している固体と液体とが相対運動を行なったときの両者の界面に生じる電位差のことである。
本発明の研磨用組成物は、研磨速度向上剤として、亜硫酸、チオ硫酸、亜ジチオン酸、二亜硫酸(「ピロ亜硫酸」とも称される)およびこれらの塩からなる群より選択される少なくとも1種の無機化合物を含む。これらの研磨速度向上剤は、−S=O構造を有するため、O原子上に存在する非共有電子対により求核性が高い。これにより、研磨用組成物により研磨を行う際に、研磨速度向上剤が研磨対象物である多結晶シリコン表面に対して効果的に作用することができる。
本発明の研磨用組成物のpHは、7.0未満であり、好ましくは5未満であり、より好ましくはpH4.9以下であり、さらに好ましくはpH4.5以下であり、さらにより好ましくはpH4以下であり、特に好ましくはpH3以下、もっとも好ましくはpH2.5以下である。pHが7.0未満であることにより、多結晶シリコンのエッチング抑制や、酸化ケイ素および窒化ケイ素の研磨速度比調整に有利な効果がある。pHの下限は、1.0以上であることが好ましく、1.5以上であることがより好ましい。
本発明の研磨用組成物は、各成分を分散するための分散媒を含む。分散媒としては、水;メタノール、エタノール、エチレングリコール等のアルコール類;アセトン等のケトン類等や、これらの混合物などが例示できる。これらのうち、分散媒としては水が好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態によると、分散媒は水を含む。本発明のより好ましい形態によると、分散媒は実質的に水からなる。なお、上記の「実質的に」とは、本発明の目的効果が達成され得る限りにおいて、水以外の分散媒が含まれ得ることを意図し、より具体的には、好ましくは90質量%以上100質量%以下の水と0質量%以上10質量%以下の水以外の分散媒とからなり、より好ましくは99質量%以上100質量%以下の水と0質量%以上1質量%以下の水以外の分散媒とからなる。最も好ましくは、分散媒は水である。
本発明の研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、酸化剤、錯化剤、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。
本発明の研磨用組成物の製造方法は、特に制限されず、例えば、砥粒、研磨速度向上剤、pH調整剤、および必要に応じて他の成分を、分散媒(例えば、水)中で攪拌混合することにより得ることができる。各成分の詳細は上述した通りである。したがって、本発明は、前記砥粒、前記研磨速度向上剤、前記pH調整剤および前記分散媒を混合する工程を含む、本発明の研磨用組成物の製造方法を提供する。
上述のように、本発明の研磨用組成物は、多結晶シリコンを含む研磨対象物の研磨に好適に用いられる。よって、本発明は、多結晶シリコンを含む研磨対象物を、本発明の研磨用組成物で研磨する研磨方法を提供する。また、本発明は、多結晶シリコンを含む半導体基板を前記研磨方法で研磨する工程を含む半導体基板の製造方法を提供する。
以上のように、本発明の研磨用組成物は、砥粒のゼータ電位が正であり、特定の硫黄のオキソ酸を含むことにより多結晶シリコンに対する研磨速度を向上させることができる。多結晶シリコンの研磨速度(Å/min)は、例えば、80Å/min以上であるのが好ましい。本発明の研磨用組成物は、多結晶シリコンに対する研磨選択性が高く、よって、多結晶シリコンの研磨速度を向上させつつ、かつ、酸化ケイ素(特にTEOS)および窒化ケイ素の研磨速度を抑制することができる。よって、本発明は、前記研磨用組成物を使って研磨することを有する、多結晶シリコンの研磨速度を向上させ、かつ、酸化ケイ素(特にTEOS)および窒化ケイ素の研磨速度を抑制する方法も提供される。前記研磨用組成物の具体的な説明は、上記の説明が妥当する。
(アミノ基変性コロイダルシリカの準備)
特開2005−162533号公報の実施例1に記載の方法と同様にして、シランカップリング剤としてγ−アミノプロピルトリメトキシシランを用いて、平均一次粒子径:35nm、平均二次粒子径:70nm、平均会合度:2、アスペクト比:1.3、D90/D10:1.7のアミノ基変性コロイダルシリカを作製した。なお、アミノ基変性コロイダルシリカの平均一次粒子径、平均二次粒子径は、下記砥粒の粒子径の測定方法に従って測定した。
砥粒として上記で得られたアミノ基変性コロイダルシリカ(平均一次粒子径35nm、平均二次粒子径70nm、平均会合度2)を0.45質量%、研磨速度向上剤として二亜硫酸ナトリウムを5mMの最終濃度となるように、それぞれ分散媒である純水に室温(25℃)で加え、混合液を得た。
[砥粒のゼータ電位]
各研磨用組成物を大塚電子株式会社製ELS−Z2に供し、測定温度25℃でフローセルを用い、レーザードップラー法(電気泳動光散乱測定法)により測定を行った。得られたデータをSmoluchowskiの式で解析することにより、研磨用組成物中の砥粒のゼータ電位を算出した。
砥粒の平均一次粒子径は、マイクロメリテックス社製の“Flow SorbII 2300”を用いて測定されたBET法による砥粒の比表面積と、砥粒の密度とから算出した。また、砥粒の平均二次粒子径は、日機装株式会社製 動的光散乱式粒子径・粒度分布装置 UPA−UTI151により測定した。
砥粒の単位表面積あたりのシラノール基数(単位:個/nm2)は、以下の測定方法または計算方法により、各パラメータを測定または算出した後、下記の方法により算出した。なお、研磨用組成物において砥粒としてアミノ基変性コロイダルシリカを用いた場合、アミノ基変性コロイダルシリカの単位面積当たりのシラノール基数を算出した。
ρは、平均シラノール基数(シラノール基密度)(個/nm2)を表し;
cは、滴定に用いた水酸化ナトリウム溶液の濃度(mol/L)を表し;
Vは、pHを4.0から9.0に上げるのに要した水酸化ナトリウム溶液の容量(L)を表し;
NAは、アボガドロ定数(個/mol)を表し;
Cは、砥粒の合計質量(固形分)(g)を表し;
Sは、砥粒のBET比表面積の加重平均値(nm2/g)を表す。
砥粒の種類、研磨速度向上剤の種類、およびpH調整剤の種類と含有量(pH)を下記表1および表2のように変更したこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2〜9、比較例1〜12の各研磨用組成物を調製した。下記表1および表2において「−」と表示されているものは、その剤を含んでいないことを示す。なお、実施例6および7比較例3は、砥粒として未変性コロイダルシリカ(平均一次粒子径35nm、平均二次粒子径70nm、平均会合度2、アスペクト比:1.5、D90/D10:2.0)を用い、実施例7および比較例4は、砥粒として未変性コロイダルシリカ(平均一次粒子径35nm、平均二次粒子径66nm、平均会合度1.9、アスペクト比:1.2、D90/D10:2.1)を用いた。得られた各研磨用組成物のpHおよび各研磨用組成物中の砥粒(アミノ基変性コロイダルシリカまたは未変性コロイダルシリカ)の平均一次粒子径、平均二次粒子径、およびゼータ電位を、下記表1および表2に示す。研磨用組成物中の砥粒(アミノ基変性コロイダルシリカまたは未変性コロイダルシリカ)の粒子径は、用いた砥粒の粒子径と同様であった。
上記で得られた各研磨用組成物を用いて、下記の研磨対象物のいずれかに対して、以下の研磨条件で研磨した際の研磨速度を測定した。なお、実施例1〜7および比較例1〜4の各研磨用組成物を用いた場合は、研磨圧力2psiにおける研磨速度を評価し、実施例8、9および比較例5〜12の各研磨用組成物を用いた場合は、研磨圧力3psiにおける研磨速度を評価した。
研磨装置:アプライド・マテリアルズ製200mm用CMP片面研磨装置 Mirra
研磨パッド:ニッタ・ハース株式会社製 硬質ポリウレタンパッド IC1010
研磨圧力:2.0psiまたは3.0psi(1psi=6894.76Pa)
研磨定盤回転数:47rpm
ヘッド(キャリア)回転数:43rpm
研磨用組成物の供給:掛け流し
研磨用組成物供給量:200mL/分
研磨時間:60秒。
表面に研磨対象物の膜を形成したシリコンウェーハ(200mm、ブランケットウェーハ、アドバンテック株式会社製)をそれぞれ準備した。研磨対象物は、(1)表面に厚さ5000Åの多結晶シリコン膜を形成したシリコンウェーハ(poly-Si)、(2)表面に厚さ10000Åの酸化ケイ素(TEOS)膜を形成したシリコンウェーハ(TEOS)、(3)表面に厚さ2000Åの窒化ケイ素膜を形成したシリコンウェーハ(SiN)の3種類とした。上記で得られた各研磨用組成物を用いて、基板を上記の研磨条件で研磨した。なお、3種の研磨対象物について、同様の条件で研磨を行った。
研磨速度(研磨レート)は、以下の式により計算した。
Claims (9)
- 砥粒と、研磨速度向上剤と、分散媒と、を含む研磨用組成物であって、
前記砥粒のゼータ電位が正であり、
前記研磨速度向上剤が、亜硫酸、チオ硫酸、亜ジチオン酸、二亜硫酸およびこれらの塩からなる群より選択される無機化合物であり、
pHが7.0未満である、研磨用組成物。 - 前記砥粒のゼータ電位が、+15mV以上である、請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒が、カチオン変性シリカである、請求項1または2に記載の研磨用組成物。
- 前記カチオン変性シリカが、アミノ基変性シリカである、請求項3に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒の単位表面積あたりのシラノール基数が、0個/nm2を超え3個/nm2以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- pH調整剤をさらに含み、前記pH調整剤が硝酸である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 多結晶シリコンを含む研磨対象物を研磨する用途で使用される、請求項1〜6のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の研磨用組成物を用いて、研磨対象物を研磨する工程を含む、研磨方法。
- 多結晶シリコンを含む半導体基板を、請求項8に記載の研磨方法により研磨する工程を有する、半導体基板の製造方法。
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WO2023080014A1 (ja) * | 2021-11-04 | 2023-05-11 | Agc株式会社 | 研磨剤、添加液および研磨方法 |
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