JP2021144200A - 半導体装置製造システム、半導体装置製造プログラム、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
実施形態にかかる半導体装置製造システムは、半導体デバイスの製造工程に用いられる。半導体デバイスの製造工程では、基板(例えば、半導体基板)の上方に複数のレイヤーが積層される。各レイヤーには、ショット領域ごとにデバイスパターンと重ね合わせマークとが形成される。各レイヤーのデバイスパターンが積層されることで、基板に半導体回路等が形成される。半導体デバイスの露光工程では、パターン形成前の上層レイヤーへのパターン転写位置を決定するために、下層レイヤーの重ね合わせマークを用いて、転写位置に対する基準位置が計測される。半導体デバイスの検査工程では、パターン形成後の上下のレイヤーが適正に重ね合されているか検査するために、上下のレイヤーの重ね合わせマークを用いて、上下のレイヤー間の合わせずれ量が計測される。
Claims (9)
- 半導体デバイスの製造に用いられる露光装置の結像性と機械的な動作精度との関係を示す装置情報を格納する記憶部と、
前記装置情報と要求される結像性とに応じて、機械的な動作精度の制約を特定する特定部と、
露光条件の補正パラメータが前記制約を満たすか否かを判断する判断部と、
前記判断部の判断結果に応じて、前記補正パラメータを調整する調整部と、
を備えた半導体装置製造システム。 - 前記露光装置は、スキャン露光装置であり、
前記動作精度は、原版のスキャンと基板のスキャンとの同期精度を含み、
前記制約は、前記装置情報における前記要求される結像性に対応した同期精度の上限を含む
請求項1に記載の半導体装置製造システム。 - 前記補正パラメータは、合わせずれ補正の補正量プロファイルを含み、
前記調整部は、前記補正量プロファイルが前記制約を満たさない場合、前記補正量プロファイルを変更する
請求項1又は2に記載の半導体装置製造システム。 - 半導体デバイスの製造に用いられる露光装置の結像性と基板の高さ位置ずれ量との関係を示す装置情報を格納する記憶部と、
前記格納された装置情報と要求される結像性とに応じて、基板の高さ位置ずれ量の制約を特定する特定部と、
露光条件の補正パラメータが前記制約を満たすか否かを判断する判断部と、
前記判断部の判断結果に応じて、前記補正パラメータを調整する調整部と、
を備えた半導体装置製造システム。 - 前記補正パラメータは、フォーカス補正の補正量を含み、
前記調整部は、前記補正量が前記制約を満たさない場合、前記補正量を変更する
請求項4に記載の半導体装置製造システム。 - コンピュータを、
半導体デバイスの製造に用いられる露光装置の結像性と機械的な動作精度との関係を示す装置情報を格納する記憶部と、
前記格納された装置情報と要求される結像性とに応じて、機械的な動作精度の制約を特定する特定部と、
露光条件の補正パラメータが前記制約を満たすか否かを判断する判断部と、
前記判断部の判断結果に応じて、前記補正パラメータを調整する調整部と、
として機能させる半導体装置製造プログラム。 - コンピュータを、
半導体デバイスの製造に用いられる露光装置の結像性と基板の高さ位置ずれ量との関係を示す装置情報を格納する記憶部と、
前記格納された装置情報と要求される結像性とに応じて、基板の高さ位置ずれ量の制約を特定する特定部と、
露光条件の補正パラメータが前記制約を満たすか否かを判断する判断部と、
前記判断部の判断結果に応じて、前記補正パラメータを調整する調整部と、
として機能させる半導体装置製造プログラム。 - 半導体デバイスの製造に用いられる露光装置の結像性と機械的な動作精度との関係を示す装置情報を格納することと、
前記格納された装置情報と要求される結像性とに応じて、機械的な動作精度の制約を特定することと、
露光条件の補正パラメータが前記制約を満たすか否かを判断することと、
前記判断の結果に応じて、前記補正パラメータを調整することと、
とを含む半導体装置の製造方法。 - 半導体デバイスの製造に用いられる露光装置の結像性と基板の高さ位置ずれ量との関係を示す装置情報を格納することと、
前記格納された装置情報と要求される結像性とに応じて、基板の高さ位置ずれ量の制約を特定することと、
露光条件の補正パラメータが前記制約を満たすか否かを判断することと、
前記判断の結果に応じて、前記補正パラメータを調整することと、
とを含む半導体装置の製造方法。
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