JP2021131555A - 表示装置、電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶
装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法を一例として挙げることができる。
、液晶素子を表示素子として備える表示装置が知られている。また、発光ダイオード(L
ight Emitting Diode:LED)等の発光素子を有する発光装置や、
電気泳動方式などにより表示を行う表示素子(電子ペーパなど)を有する表示装置も一例
として挙げることができる。
構成である。この素子の電極間に電圧を印加することにより、発光性の材料から発光を得
ることができる。このようなEL素子が適用された表示装置は、薄型、軽量、高コントラ
ストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。
(フィルム)上に、トランジスタなどの半導体素子、及び表示素子を形成することにより
実現できる。しかしながら、可撓性を有する基板は、ガラス基板などに比べて耐熱性が乏
しいため、可撓性を有する基板上に直接、半導体素子等を形成する方法では、半導体素子
の電気特性及び信頼性を高めることが困難な場合がある。
半導体素子や発光素子などを剥離して、フレキシブル基板に転置する方法が開発されてい
る。この方法では、半導体素子の形成温度を高めることが可能なため、信頼性の高いフレ
キシブルデバイスを作製することが可能である。
は、本発明の一態様では、量産性が高い表示装置を提供することを課題の一とする。また
は、本発明の一態様では、信頼性が高い表示装置を提供することを課題の一とする。また
は、本発明の一態様では、新規な表示装置を提供することを課題の一とする。
、これらの課題の全てを解決する必要はない。明細書、図面、請求項などの記載から上記
以外の課題を抽出することが可能である。
層と、第1の樹脂層上の無機絶縁層と、無機絶縁層上のトランジスタと、トランジスタに
電気的に接続される表示素子と、を有する表示装置である。トランジスタは、チャネル形
成領域に酸化物半導体を有する。第1の樹脂層は、硫黄を有する。
第1の樹脂層と、第1の樹脂層上の無機絶縁層と、無機絶縁層上のトランジスタと、トラ
ンジスタに電気的に接続される表示素子と、を有する表示装置である。トランジスタは、
チャネル形成領域に酸化物半導体を有する。第1の樹脂層は、硫黄と窒素とを有する。第
1の樹脂層のエネルギー分散型X線分析法によって測定される硫黄の強度は、窒素の強度
以上である。
ニル基を有すると好ましい。また、第1の化合物は、キノンジアジド骨格及びインデンカ
ルボニル骨格のうち一方または双方を有すると好ましい。また、第1の化合物は、光を吸
収する機能を有すると好ましい。
イミド骨格を有すると好ましい。
ると好ましい。
、硫黄を有すると好ましい。また、表示素子上に、第3の樹脂層を有し、第3の樹脂層は
、硫黄を有すると好ましい。
める。従って、本明細書中における表示装置とは、画像表示デバイスを指す。また、表示
装置にコネクター、例えばFPC(Flexible Printed Circuit
)、TCP(Tape Carrier Package)が取り付けられたモジュール
、TCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示装置にCOG(Ch
ip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全
て本発明の一態様である。
発明の一態様により、量産性が高い表示装置を提供することができる。または、本発明の
一態様により、信頼性が高い表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様
により、新規な表示装置を提供することができる。
も、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項などの記載から、こ
れら以外の効果を抽出することが可能である。
の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細
を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内
容に限定して解釈されない。
実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、
必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
ブロック図を示している場合があるが、実際の構成要素は、機能ごとに完全に切り分ける
ことが困難であり、一つの構成要素が複数の機能に係わる場合もある。
工程順または積層順を示さない場合がある。そのため、例えば、「第1の」を「第2の」
または「第3の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載
されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場
合がある。
指す符号は異なる図面間でも共通して用いる場合がある。
替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変
更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」
という用語に変更することが可能な場合がある。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置、及びその作製方法について、図1乃至
図7を用いて以下説明する。
を有する表示装置として、トランジスタ及び発光素子を有する場合を例に挙げて説明する
が、本発明の一態様はこれに限定されず、上記トランジスタと異なる半導体素子及び上記
発光素子と異なる表示素子を有する構成であってもよい。
まず、本発明の一態様の表示装置の構成について、図1(A)を用いて、以下説明する
。
る。また、該一対の基板(基板11及び基板12)間にトランジスタ110と、発光素子
120と、を有する。また、樹脂層101は、接着層51を介して基板11と貼り合わさ
れており、樹脂層102は、接着層52を介して基板12と貼り合わされている。
1、絶縁層133、絶縁層134、絶縁層135、及び絶縁層137等が設けられている
。また、樹脂層102には、絶縁層141、着色層152、及び遮光層153等が設けら
れている。また、樹脂層101と貼り合わされている基板11と、樹脂層102と貼り合
わされている基板12とは、接着層151を介して接着されている。なお、表示装置10
においては、発光素子120と、基板12との間に着色層152を設ける構成例を示すが
、本発明の一態様の表示装置としては、これに限定されない。
樹脂層101及び樹脂層102の厚さは、薄いことが好ましく、具体的には0.01μ
m以上10μm未満、好ましくは0.1μm以上3μm以下であるとよい。樹脂層101
及び樹脂層102を薄く形成することで、表示装置10の製造コストを低減することがで
きる。また、表示装置10の軽量化及び薄膜化が可能となる。また、表示装置10の可撓
性を高めることができる。また、樹脂層102を薄く形成することで、発光素子120が
呈する光の吸収を低減し、より高い効率で外部へ光を取り出すことが可能となるため、表
示装置10の消費電力を低減することができる。
板上に低粘度の光硬化性の樹脂材料を塗布し、光照射により樹脂層を形成する。このとき
、光照射に加えて熱処理を行ってもよい。そして、樹脂層上に構造物を形成する。その後
、支持基板と樹脂層との間で分離を行うことで、樹脂層の一方の面を露出させる。
ーザを照射する方法が挙げられる。レーザとして、線状レーザを用い、これを走査するこ
とにより、レーザを支持基板と樹脂層との界面に照射することが好ましい。これにより支
持基板の面積を大きくした際の工程時間を短縮することができる。レーザとしては、例え
ば波長が308nmのエキシマレーザを好適に用いることができる。
い。感光性の樹脂材料を用いることで、容易に樹脂層を形成することができる。また、所
望の形状の樹脂層を容易に形成することができる。例えば、開口を有する樹脂層、または
それぞれ厚さが異なる2以上の領域を有する樹脂層等を、容易に形成することができる。
できる材料である。そのため、剥離のための樹脂層と、他の絶縁膜等とで、材料や形成装
置を共有することができ、表示装置の製造コストを低減することができる。
脂層102は、光を吸収する機能を有する化合物を有することが好ましい。なお、該光を
吸収する機能を有する化合物は、樹脂材料に添加されていると好ましい。光を吸収する機
能を有する化合物と、樹脂材料を形成する化合物と、を異なる化合物とすることで、材料
設計が容易となり、材料選択の幅を広げることができる。
を透過する機能を有すると好ましい。そのため、樹脂層101及び樹脂層102に添加さ
れる、光を吸収する機能を有する化合物としては、紫外光の波長領域の光を吸収する機能
を有する化合物が好ましい。当該波長領域としては、300nm以上450nm以下、好
ましくは300nm以上400nm以下である。また、樹脂層101及び樹脂層102に
は、例えばアクリル、ポリイミド、またはシリコーン(シロキサン結合を有する)など様
々な樹脂を用いることができるが、耐熱性及び不純物の遮蔽性等に優れていることから、
ポリイミドを用いることが好ましい。
駆体を得た後、イミド化反応を用いてイミド化させる方法を用いて合成することができる
。当該イミド化反応として脱水反応を用いる場合、イミド化反応によって生成する水を速
やかに除去するために、水との反応性を有する化合物を添加することが好ましい。また、
光を吸収する機能を有する化合物が、水との反応性をも有すると好ましい。
するキノンジアジド骨格を有する化合物が好ましい。キノンアジド骨格を有する化合物は
、光の吸収及び水との反応によってカルボン酸骨格を形成することができる。
基を有する第1の骨格と、キノンジアジドスルホン酸を有する第2の骨格と、がエステル
で結合した化合物を用いることができる。なお、キノンジアジド骨格を有する化合物が、
エステル結合に換えてアミド結合を有してもよい。
ンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、ま
たはポリヒドロキシフェニルアルカン等が挙げられる。
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸骨格、1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸骨格等が挙げられる。1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルエステ
ル化合物はi線(波長365nm)に吸収を有し、1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホニルエステル化合物はg線(波長436nm)に吸収を有する。照射する光の波長
によって、該第2の骨格に用いる骨格を適宜選択することができる。第2の骨格として紫
外光の波長領域に光の吸収を有する骨格を用いることで、可視光領域の光を透過する樹脂
層を形成することができる。
有する層は、硫黄を含む層である。該層が含有する硫黄は、例えば、エネルギー分散型X
線分析法(Energy Dispersive X−ray Spectorosco
py:EDX)で確認することができる。EDXは、試料に電子線を照射して発生する特
性X線を検出し、当該X線を分光することで、元素分析を行うことができる手法である。
X分析により、層に含まれる元素を検出することができる。また、EDX分析結果より、
層に含まれる元素の含有比を測定することができる。
有する樹脂であるため、これらの元素が検出される。樹脂層に、スルホニル基等の硫黄を
有する化合物が含まれる場合、さらに硫黄が検出される。光を吸収する機能を有する化合
物がスルホニル基を有する場合、EDX分析によって測定される硫黄の強度によって、樹
脂層が含む、光を吸収する機能を有する化合物のスルホニル基の比率を推定することが可
能である。樹脂層が効率よく光を吸収するためには、樹脂層が含む化合物のスルホニル基
の比率は多い方が好ましい。また、イミド化反応によって生成する水を速やかに除去する
ためには、樹脂層が含む化合物群において、イミド骨格よりキノンジアジド骨格の比率が
多い方が好ましい。したがって、光を吸収する機能を有する化合物が、キノンジアジドス
ルホニル骨格を有する場合、結果として、窒素より硫黄の比率が多い方が好ましい。すな
わち、EDX分析によって測定される硫黄の強度は、窒素の強度以上であると好ましい。
b)により合成することができる。
、一般式(A1)で表されるジアミン化合物と、から一般式(A2)で表されるポリイミ
ド前駆体を得る。次に、スキーム(b)に示すように、一般式(B0)で表されるナフト
キノンジアジドスルホニル骨格を有する化合物を一般式(A2)で表されるポリイミド前
駆体に添加し、光を照射することで、インデンスルホニル骨格を有する化合物のケテン体
が生成する。当該ケテン体は、水と容易に反応する機能を有するため、一般式(A2)で
表されるポリイミド前駆体の脱水剤としての機能を有する。結果として、一般式(A3)
で表されるポリイミドと、一般式(B2)で表されるスルホニル基を有するインデンカル
ボン酸化合物と、を得ることができる。
ーレン基、または炭素数4乃至40のシクロアルキレン基等を有する基が挙げられる。ま
た、R1としては、炭素数6乃至40のアリーレン基、または炭素数6乃至40のシクロ
アルキレン基等を有する基が挙げられる。また、R2としては、炭素数6乃至40のアリ
ール基等を1つまたは複数有する基が挙げられ、当該アリール基がそれぞれエステル結合
によりスルホニル基と結合を有する構造が好ましい。また、当該Ar、R1、及びR2は
、それぞれ置換基を有していてもよい。当該置換基としては、炭素数1乃至20のアルキ
ル基、炭素数1乃至20のアルコキシル基、炭素数6乃至20のアリール基、または炭素
数6乃至20のシクロアルキル基等が挙げられ、フルオロアルキル基、エステル基、ニト
ロ基、またはシアノ基等であってもよい。
合物を有していてもよい。これにより高い吸光度を有することができる。また、増感剤等
を有していてもよい。
トランジスタ110は、絶縁層131上に設けられゲート電極としての機能を有する導
電層115と、ゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層137の一部と、半導体層11
2と、ゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層132と、ゲート電極としての機能を有
する導電層111と、を有する。また、半導体層112の上面及び側端部、絶縁層132
の側面、及び導電層111を覆って絶縁層133を有する。また、絶縁層133に設けら
れた開口を介して半導体層112の上面と電気的に接続され、ソース電極またはドレイン
電極の一方としての機能を有する導電層113aと、ソース電極またはドレイン電極の他
方としての機能を有する導電層113bと、を有する。
えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、または逆スタガ型のトラン
ジスタであってもよい。また、トップゲート構造またはボトムゲート構造のトランジスタ
であってもよく、チャネルの上下にゲート電極が設けられてもよい。
1と導電層113aまたは導電層113bとの物理的な距離を離すことが容易であり、こ
れらの間の寄生容量を低減することが可能である。したがって、表示のフレーム周波数を
高めることができる。また、例えば表示部が8インチ以上である大型の表示装置に好適に
用いることができる。また、半導体層112が、ゲート電極としての機能を有する導電層
115と、導電層111と、に挟持された構造を有する。そのため、チャネルを誘起させ
るための電界を効果的に半導体層112に印加することができる。その結果、トランジス
タ110の電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を得ることが可能となる。また、オ
ン電流を高くすることが可能であるため、トランジスタ110を微細化することが可能と
なる。また、導電層111及び導電層115の一方にしきい値電圧を制御するための電位
を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタ110のしきい値電圧を
制御することができる。また、トランジスタ110は、半導体層112が、導電層111
及び導電層115によって囲まれた構造を有するため、トランジスタ110の機械的強度
を高めることができる。
により、導電層111を構成する導電膜の成膜時に、酸素を含む雰囲気下で成膜すること
で、絶縁層132に酸素を供給することができる。成膜ガス中の酸素ガスの割合を90%
以上100%以下の範囲とすることが好ましい。絶縁層132に供給された酸素は、後の
熱処理により半導体層112に供給され、半導体層112中の酸素欠損の低減を図ること
ができる。
き、絶縁層133に水素を放出する絶縁膜、例えば窒化シリコン膜等を用いることが好ま
しい。絶縁層133の成膜中、またはその後の熱処理によって導電層111中に水素が供
給され、導電層111の電気抵抗を効果的に低減することができる。
を示しているが、絶縁層132が半導体層112の上面及び側端部を覆って設けられてい
てもよい。
湿性の高い絶縁膜の間に、トランジスタ110及び発光素子120を形成することで、ト
ランジスタ及び表示素子に水等の不純物が侵入することを抑制することができ、表示装置
の信頼性を高めることができる。防湿性の高い膜の材料としては、窒化シリコン、窒化酸
化シリコン等の窒素とケイ素を含む材料、及び窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウ
ムを含む材料等が挙げられる。また、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウ
ム等を用いてもよい。防湿性の高い絶縁膜の水蒸気透過量としては、例えば1×10−5
[g/(m2・day)]以下、好ましくは1×10−6[g/(m2・day)]以下
、より好ましくは1×10−7[g/(m2・day)]以下、さらに好ましくは1×1
0−8[g/(m2・day)]以下であればよい。
縁層134は、平坦化層としての機能を有する。絶縁層133及び絶縁層134の少なく
とも一には、水または水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。こ
れにより、外部から不純物がトランジスタ110に拡散することを抑制することが可能と
なり、表示装置10の信頼性を高めることが可能となる。
る。半導体層112は、酸化物半導体を有すると好ましい。トランジスタ110のチャネ
ル形成領域に酸化物半導体を用いることで、例えば低温ポリシリコン(Low Temp
erature Poly−Silicon:LTPS)を用いる場合よりも、プロセス
温度の最高温度を低くすることができる。
、具体的には400℃以下、350℃以下、または300℃以下で形成することが可能で
ある。そのため、樹脂層に高い耐熱性が求められない。したがって、樹脂層の耐熱温度を
低くすることができ、材料の選択の幅が広がる。また、酸化物半導体を用いたトランジス
タは、レーザ結晶化の工程が不要である。また、酸化物半導体のバンドギャップは、2.
5eV以上3.5eV以下(好ましくは3.0eV以上)と大きく、シリコンに比べて光
の吸収が少ない。そのため、剥離工程にレーザを用い、レーザが酸化物半導体に照射され
ても吸収されにくいため、その電気特性への影響を抑制することができる。したがって、
樹脂層の厚さを薄くすることができる。樹脂層101に高い耐熱性を必要とせず、薄膜化
できることから、表示装置の作製時のコストを低減することができる。
または550℃以上のプロセス最高温度が必要なため、樹脂層にも同様の温度までの耐熱
性が求められる。そのため、樹脂層に用いることができる材料は極めて限定的となる。ま
た、LTPSの作製時におけるレーザ結晶化の工程でのダメージを緩和するため、樹脂層
を厚く(例えば10μm以上、または20μm以上)形成する必要がある。また、シリコ
ンのバンドギャップは1.1eV程度と小さいため、支持基板からトランジスタ等を剥離
するために剥離層として機能する樹脂層にレーザ光を照射する際に、シリコンがレーザ光
を吸収することを抑制するためにも、樹脂層を厚く形成する必要がある。このように、耐
熱性の高い特殊な材料を厚く形成する必要があるため、表示装置の製造コストが増加して
しまう。
度等で評価することができる。本発明の一態様においては、樹脂層の5%重量減少温度は
、450℃以下が好ましく、400℃以下がより好ましく、400℃未満がより好ましく
、350℃未満がさらに好ましい。
発光素子120は、導電層121と、EL層122と、導電層123と、を有する。導
電層121は、可視光を反射する機能を有し、導電層123は、可視光を透過する機能を
有する。したがって、発光素子120は、被形成面側と反対側に光を射出する上面射出型
(トップエミッション型ともいう)の発光素子である。ただし、本発明の一態様はこれに
限定されず、発光素子の被形成面側に光を射出する下面射出型(ボトムエミッション型と
もいう)の発光素子であってもよく、発光素子の被形成面側及び反対側の双方に取り出す
両面射出型(デュアルエミッション型ともいう)の表示装置であってもよい。
続される。絶縁層135は、導電層121の端部を覆い、且つ導電層121の上面が露出
するよう開口が設けられる。EL層122及び導電層123は、絶縁層135及び導電層
121の露出した領域を覆い、順に設けられる。
0と重なる領域に開口を有する。また、当該開口と、トランジスタ、容量素子、及び配線
等を重ねて配置するよう発光素子120を形成することで、発光素子120の開口率を高
めることができ好ましい。
青色、または黄色の波長領域の光を透過するカラーフィルタを用いることができる。着色
層152に用いる材料としては、金属材料、樹脂材料、または顔料もしくは染料が含まれ
た樹脂材料等が挙げられる。
表示装置は、着色層を有さない構成であってもよく、色変換層または量子ドットを含む層
を有する構成であってもよい。
る発光素子からの光を遮り、隣接する発光素子間における混色を抑制する機能を有する。
着色層152の端部を、遮光層153と重なるよう形成することにより、発光素子からの
光漏れを抑制することができる。遮光層153としては、例えば、金属材料、または顔料
もしくは染料を含む樹脂材料等を用いて形成することができる。
の機能を有する。また、EL層122は、発光性の材料を有する層である。導電層121
と導電層123との間に電圧を印加することで、EL層122に陽極から正孔が、陰極か
ら電子が注入される。注入された正孔及び電子は、EL層122内において再結合し、E
L層122に含まれる発光性の材料が発光する。なお、EL層122は、少なくとも発光
性の材料を含む発光層を有する。また、発光層以外に、正孔または電子の注入障壁を低減
する、正孔または電子の輸送性を向上する、正孔または電子の輸送性を阻害する、または
電極による消光現象を抑制する、等の機能を有する層を有する構成であってもよい。なお
、各層はそれぞれ単層であっても、複数の層が積層された構成であってもよい。
色の光を呈する発光性の材料の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有すると好まし
い。EL層122には、有機化合物及び無機化合物を用いることができる。また、有機化
合物として、低分子化合物及び高分子化合物を用いることができる。
次に、図1(A)に示す表示装置10と異なる構成例について、図2乃至図4を用いて
、以下説明を行う。なお、図2乃至図4において、図1(A)に示す符号と同様の機能を
有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の
機能を有する箇所には、同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
図2(A)は、本発明の一態様の表示装置を示す上面図である。
、表示装置10aには、FPC177が貼り付けられている。
接続部の断面模式図である。
が有する導電層と同一の材料及び同一の工程で形成することができる。例えば、導電層1
13cは、導電層113a及び導電層113bと同一の材料及び同一の工程で形成するこ
とができる。導電層113cは、駆動回路部162に外部からの信号または電位を伝達す
る外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてFPC177を設け
る例を示している。接続体176を介してFPC177と導電層113cは電気的に接続
する。
Conductive Film)及び異方性導電ペースト(ACP:Anisotr
opic Conductive Paste)などを用いることができる。
、樹脂層101に開口を設けることが容易であり、樹脂層101に設けた開口を介して、
導電層113cとFPC177とを電気的に接続することができる。このような構成とす
ることで、FPC177を、表示面とは反対側に配置することができる。そのため、表示
装置を電子機器に組み込む際に、FPC177を折り曲げるためのスペースを省くことが
でき、より小型化した電子機器を実現できる。
図3(A)(B)(C)は、本発明の一態様の表示装置を示す断面模式図である。
る。トランジスタ110aは、トップゲート型のトランジスタである。トップゲート型の
トランジスタを用いることにより、寄生容量が低減でき、表示のフレーム周波数を高める
ことができる。また、トランジスタ110aは、導電層115(トランジスタ110参照
)を有さないため、簡便に作製することができる。そのため、表示装置の製造コストを低
減することができる。
る。トランジスタ110bは、ボトムゲート型のトランジスタである。トランジスタ11
0bは、絶縁層131上に設けられゲート電極としての機能を有する導電層111と、ゲ
ート絶縁層としての機能を有する絶縁層132の一部と、半導体層112と、ソース電極
またはドレイン電極の一方としての機能を有する導電層113aと、ソース電極またはド
レイン電極の他方としての機能を有する導電層113bと、保護絶縁層としての機能を有
する絶縁層133とを有する。トランジスタ110bは、チャネルエッチ型のトランジス
タであり、半導体層112に導電層113a及び導電層113bそれぞれの一方の端部が
直接接続するため、導電層113a及び導電層113b間の距離を小さくすることが容易
である。そのため、画素密度が高く高精細な表示装置を作製することができる。
る。トランジスタ110cは、ボトムゲート型のトランジスタである。トランジスタ11
0cは、絶縁層131上に設けられゲート電極としての機能を有する導電層111と、ゲ
ート絶縁層としての機能を有する絶縁層132の一部と、半導体層112と、ソース電極
またはドレイン電極の一方としての機能を有する導電層113aと、ソース電極またはド
レイン電極の他方としての機能を有する導電層113bと、ゲート絶縁層としての機能を
有する絶縁層133と、ゲート電極としての機能を有する導電層114と、保護絶縁層と
しての機能を有する絶縁層136と、を有する。トランジスタ110cは、チャネルエッ
チ型のトランジスタであり、半導体層112に導電層113a及び導電層113bそれぞ
れの一方の端部が直接接続するため、導電層113a及び導電層113b間の距離を小さ
くすることが容易である。また、半導体層112が、ゲート電極としての機能を有する導
電層111と、導電層114と、に挟持された構造を有する。そのため、チャネルを誘起
させるための電界を効果的に半導体層112に印加することができる。その結果、トラン
ジスタ110cの電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を得ることが可能となる。ま
た、オン電流を高くすることが可能であるため、トランジスタ110cを微細化すること
が可能となる。また、トランジスタ110cは、半導体層112が、導電層111及び導
電層114によって囲まれた構造を有するため、トランジスタ110の機械的強度を高め
ることができる。
図4(A)(B)(C)は、本発明の一態様の表示装置を示す断面模式図である。
る。表示装置10eは、塗り分け方式で発光素子が形成された表示装置である。塗り分け
方式で発光素子を形成することで、発光素子の消費電力を低減することができる。
する。表示装置10fは、着色層152が絶縁層136と絶縁層134との間に挟持され
た構成である。樹脂層101上にトランジスタ、発光素子、及び着色層を作製するため、
発光素子と着色層との位置精度を高くすることができる。また、図4(C)に示す表示装
置10gのように、発光素子を塗り分け方式で形成してもよい。塗り分け方式で発光素子
を形成することで、発光素子の消費電力を低減することができる。
め、トランジスタの作製工程を低温で行うことができる。また、樹脂層を、薄膜で耐熱性
が低い層とすることができる。したがって、表示装置の軽量化及び薄型化が可能となる。
また、表示装置の可撓性を高めることができる。また、樹脂層の厚いことに起因して表示
装置が反る問題を抑制できることがある。
以下では、図1(A)で例示した表示装置10の作製方法の例について、図5乃至図8
を参照して説明する。
気相堆積(CVD:Chemical Vapor Deposition)法、真空蒸
着法、パルスレーザ堆積(PLD:Pulsed Laser Deposition)
法、原子層成膜(ALD:Atomic Layer Deposition)法等を用
いて形成することができる。CVD法としては、プラズマ化学気相堆積(PECVD:P
lasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
)法や、熱CVD法でもよい。熱CVD法の例として、有機金属化学気相堆積(MOCV
D:Metal Organic CVD)法を使ってもよい。
ィップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印
刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等
の方法により形成することができる。
工することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成し
てもよい。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄
膜を加工してもよい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマス
クを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と
、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加
工する方法と、がある。
h線(波長405nm)、g線(波長436nm)、またはこれらを混合させた光を用い
ることができる。そのほか、紫外線やKrFレーザ光、またはArFレーザ光等を用いる
こともできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光と
して、極端紫外光(EUV:Extreme Ultra−violet)やX線を用い
てもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外
光、X線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。な
お、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは
不要である。
法などを用いることができる。
まず、支持基板61を準備する。支持基板61としては、搬送が容易となる程度に剛性
を有する材料であり、且つ作製工程にかかる温度に対して耐熱性を有する材料を用いるこ
とができる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、樹脂、半導体、金属また
は合金などの材料を用いることができる。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、
バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等を用いることができる。
を用いると大型の基板に均一に薄い樹脂層101を形成できるため好ましい。
リーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテ
ンコート、ナイフコート等の方法を用いてもよい。
溶媒が含まれていることが好ましい。
、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等の樹脂、これらの樹脂
の前駆体、または重合後にこれらの樹脂となる重合性モノマーを含むことが好ましい。す
なわち、形成された樹脂層101は、これら樹脂を含む。
以上100cP未満、より好ましくは粘度が10cP以上50cP以下であることが好ま
しい。材料の粘度が低いほど、塗布が容易となる。また、材料の粘度が低いほど、気泡の
混入を抑制でき、良質な膜を形成できる。また材料の粘度が低いほど、薄く均一に塗布す
ることが可能なため、より薄い樹脂層101を形成することができる。
01を形成する。このとき、光照射に加えて熱処理を行ってもよい。加熱により材料中の
溶媒を除去することができる。また加熱は、後のトランジスタ110の作製工程にかかる
最高温度と同じまたはそれよりも高い温度で加熱することが好ましい。例えば300℃以
上600℃以下、好ましくは350℃以上550℃以下、より好ましくは400℃以上5
00℃以下、代表的には450℃で加熱することが好ましい。樹脂層101の形成時に、
表面が露出した状態でこのような温度で加熱することにより、樹脂層101から脱離しう
るガスを除去することができるため、トランジスタ110の作製工程中にガスが脱離する
ことを抑制できる。
μm以上3μm以下であることがより好ましく、0.5μm以上1μm以下であることが
さらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、樹脂層101を薄く均一に形成すること
が容易となる。
ことが好ましく、0.1ppm/℃以上10ppm/℃以下であることがより好ましい。
樹脂層101の熱膨張係数が低いほど、加熱による膨張または収縮に伴う応力により、ト
ランジスタ等が破損することを抑制できる。
部を除去することが可能となる。具体的には、材料を塗布した後に溶媒を除去するための
熱処理(プリベーク処理ともいう)を行い、その後露光を行う。続いて、現像処理を施す
ことで、不要な部分を除去することができる。また、その後に熱処理(ポストベーク処理
ともいう)を行うことが好ましい。2回目の熱処理を、上記で示した温度で行えばよい。
。例えば、開口部を覆うように導電層を配置することで、後述する剥離工程後に、裏面側
に一部が露出した電極(裏面電極、貫通電極ともいう)を形成することができる。当該電
極は、外部接続端子として用いることもできる。また、例えば2つの表示パネルを貼り合
わせるためのマーカー部に樹脂層101を設けない構成とすることで、位置合わせ精度を
高めることができる。
続いて、樹脂層101上に絶縁層131を形成する(図5(B))。
素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そのためバリア性の高い
材料を用いることが好ましい。
、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用
いることができる。また、上述の2以上の絶縁膜を積層して用いてもよい。特に、樹脂層
101側から窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜を用いることが好ましい。
が好ましい。また、絶縁層131が当該凹凸を平坦化する平坦化層としての機能を有して
いてもよい。例えば、絶縁層131として、有機絶縁材料と無機絶縁材料を積層して用い
ることが好ましい。有機絶縁材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹
脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等の
樹脂を用いることができる。
、より好ましくは150℃以上300℃以下の温度で形成することが好ましい。
続いて、図5(C)に示すように、絶縁層131上にトランジスタ110を形成する。
ここではトランジスタ110の一例として、トップゲート構造のトランジスタを作製する
場合の例を示している。
後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去す
ることにより形成できる。
銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、もしくはタングステン等
の金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることがで
きる。または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物(ITO)、タングステンを含むイ
ンジウム酸化物、タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、チタンを含むインジウム酸
化物、チタンを含むITO、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛(ZnO)、ガリウムを含
むZnO、またはシリコンを含むITO等の透光性を有する導電材料を用いてもよい。ま
た、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは酸化物半導
体等の半導体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。また、グラフ
ェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸
化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。また、不純物元素を含有させた
酸化物半導体等の半導体を用いてもよい。または、銀、カーボン、もしくは銅等の導電性
ペースト、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。導電性ペ
ーストは、安価であり、好ましい。導電性ポリマーは、塗布しやすく、好ましい。
る無機絶縁膜を援用できる。
ストマスクを形成し、当該半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去すること
により形成できる。
以下、より好ましくは、室温以上200℃以下、さらに好ましくは室温以上170℃以下
の温度で形成する。ここで成膜時の基板温度が室温であるとは、基板を意図的に加熱しな
いことを指す。このとき、成膜時に基板が受けるエネルギーにより、室温よりも高い温度
になる場合も含む。また、室温とは例えば10℃以上30℃以下の温度範囲を指し、代表
的には25℃とする。
ップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが
広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態におけ
る電流を低減できるため好ましい。
以上、より好ましくは3.0eV以上の材料を用いることが好ましい。このような酸化物
半導体を用いることにより、後述する剥離工程におけるレーザ光等の光の照射において、
当該光が半導体膜を透過するため、トランジスタの電気特性への悪影響が生じにくくなる
。
いずれか一方または両方を含む雰囲気下にて基板を加熱した状態で、スパッタリング法に
よって成膜することが好ましい。
することが好ましい。基板の温度を高めることにより、配向性を有する結晶部がより多く
形成され、電気的な安定性に優れた半導体膜を形成できる。このような半導体膜を用いる
ことで、電気的な安定性に優れたトランジスタを実現できる。また、基板温度を低くする
、または意図的に加熱しない状態で成膜することで、配向性を有する結晶部の割合が小さ
く、キャリア移動度の高い半導体膜を形成できる。このような半導体膜を用いることで、
高い電界効果移動度を示すトランジスタを実現できる。
以上50%以下、より好ましくは0%以上33%以下、さらに好ましくは0%以上15%
以下である。酸素流量を低減することにより、キャリア移動度の高い半導体膜を形成でき
、より高い電界効果移動度を示すトランジスタを実現できる。
晶部と、配向性を有さない結晶部とが混在した半導体膜を得ることができる。また、基板
温度と酸素流量を上述の範囲内で最適化することにより、配向性を有する結晶部と配向性
を有さない結晶部の存在割合を制御することが可能となる。
酸化物に限られず、例えば、In−M−Zn系酸化物(Mは、Al、Y、またはSn)を
適用することができる。
結晶部を含む半導体膜を成膜すると、多結晶酸化物を含まないスパッタリングターゲット
を用いた場合に比べて、結晶性を有する半導体膜が得られやすい。
)に配向性を有する結晶部と、このような配向性を有さずに無秩序に配向する結晶部が混
在した半導体膜を適用したトランジスタは、電気特性の安定性を高くできる、チャネル長
を微細にすることが容易となる、などの特徴がある。一方、配向性を有さない結晶部のみ
で構成される半導体膜を適用したトランジスタは、電界効果移動度を高めることができる
。なお、後述するように、酸化物半導体中の酸素欠損を低減することにより、高い電界効
果移動度と高い電気特性の安定性を両立したトランジスタを実現することができる。
熱処理や、レーザ結晶化処理が不要であり、極めて低温で半導体層112を形成できる。
そのため、樹脂層101を薄く形成することが可能となる。
、絶縁膜及び導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該絶縁膜及び導電膜をエ
ッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。絶縁層132は、絶
縁層131に用いることのできる無機絶縁膜を援用できる。導電層111は、導電層11
5に用いることのできる導電膜を援用できる。
る。絶縁層133は、絶縁層131に用いることのできる無機絶縁膜を援用できる。その
後、半導体層112に達する開口を形成する。当該開口は、レジストマスクを形成し、絶
縁層133をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
13bは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした
後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
。トランジスタ110は、チャネルが形成される半導体層112に、酸化物半導体を含む
トランジスタである。トランジスタ110において、導電層115はゲート電極として機
能し、絶縁層137の一部はゲート絶縁層として機能し、絶縁層132はゲート絶縁層と
して機能し、導電層111はゲート電極として機能する。半導体層112はチャネル領域
と低抵抗領域とを有する。チャネル領域は絶縁層132を介して導電層111と重なる。
低抵抗領域は導電層113aと接続される部分と、導電層113bと接続される部分と、
を有する。また、導電層113a及び導電層113bは、それぞれソースまたはドレイン
のいずれか一方として機能する。
することで、表示素子を有さないフレキシブルデバイスを作製することもできる。例えば
、トランジスタ110や、トランジスタ110に加えて容量素子、抵抗素子、及び配線な
どを形成し、樹脂層101と支持基板61とを分離することで、半導体回路を有するフレ
キシブルデバイスを作製することができる。
続いて、トランジスタ110上に絶縁層134を形成する。絶縁層134は、後に形成
する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能する層であることが
好ましい。絶縁層134は、絶縁層131に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶
縁膜を援用できる。
しい。特に、絶縁層134と樹脂層101とに、同じ材料を用いることが好ましい。これ
により、絶縁層134と樹脂層101の材料や、これらを形成するための装置を共通化す
ることが可能となる。
ことが好ましく、0.1μm以上3μm以下であることがより好ましく、0.5μm以上
1μm以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、絶縁層134を
薄く均一に形成することが容易となる。
続いて、絶縁層134に、導電層113b等に達する開口を形成する。
る。導電層121は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッ
チングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。
。絶縁層135は、絶縁層131に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援
用できる。
しい。特に、絶縁層135と樹脂層101とに、同じ材料を用いることが好ましい。これ
により、絶縁層135と樹脂層101の材料や、これらを形成するための装置を共通化す
ることが可能となる。
ことが好ましく、0.1μm以上3μm以下であることがより好ましく、0.5μm以上
1μm以下であることがさらに好ましい。低粘度の溶液を用いることで、絶縁層135を
薄く均一に形成することが容易となる。
。EL層122を画素毎に作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドウマスクを用いた
蒸着法、またはインクジェット法等により形成することができる。EL層122を画素毎
に作り分けない場合には、メタルマスクを用いない蒸着法を用いることができる。ここで
は、メタルマスクを用いない蒸着法により形成した例を示している。
が画素電極として機能する導電層121、EL層122、及び一部が共通電極として機能
する導電層123が積層された構成を有する。
支持基板62を準備する。支持基板62は、支持基板61の記載を援用することができ
る。
形成方法及び材料については、樹脂層101と同様の方法を用いることができる。
続いて、樹脂層102上に絶縁層141を形成する(図6(B))。絶縁層141は、
樹脂層102に含まれる不純物が、後に形成するトランジスタや発光素子に拡散すること
を防ぐバリア層として用いることができる。そのためバリア性の高い材料を用いることが
好ましい。
続いて、絶縁層141上に遮光層153及び着色層152を形成する(図6(C))。
合には、導電膜を成膜した後に、フォトリソグラフィ法等を用いて不要な部分を除去する
ことにより形成できる。また、顔料または染料を含む感光性の樹脂材料を用いる場合は、
フォトリソグラフィ法等により形成することができる。
島状に加工することができる。
することができる。なお、樹脂層101側の作製工程と、樹脂層102側の作製工程は、
互いに独立して行うことができるため、その順序は問われない。またはこれら2つの工程
を並行して行ってもよい。
続いて、図6(D)に示すように、支持基板61と支持基板62とを、接着層151を
用いて貼り合わせる。そして、接着層151を硬化させる。これにより、発光素子120
を接着層151で封止することができる。
反応硬化性を示す樹脂、熱硬化性を示す樹脂等を用いることができる。特に、溶媒を含ま
ない樹脂材料を用いることが好ましい。
図6(D)に示す時点では、トランジスタ110及び発光素子120は、支持基板61及
び支持基板62に挟持された状態である。
続いて、図7(A)に示すように、トランジスタ110及び発光素子120が設けられ
ている支持基板61側から、支持基板61を介して樹脂層101に光70を照射する。
ることが好ましい。
もよい。
る波長の光を選択して用いる。特に、光70としては、可視光線から紫外線の波長領域の
光を用いることが好ましい。例えば波長が200nm以上400nm以下の光、好ましく
は波長が250nm以上350nm以下の光を用いることが好ましい。特に、波長308
nmのエキシマレーザを用いると、生産性に優れるため好ましい。エキシマレーザは、L
TPSにおけるレーザ結晶化にも用いるため、既存のLTPS製造ラインの装置を流用す
ることができ、新たな設備投資を必要としないため好ましい。また、Nd:YAGレーザ
の第三高調波である波長355nmのUVレーザなどの固体UVレーザ(半導体UVレー
ザともいう)を用いてもよい。また、ピコ秒レーザ等のパルスレーザを用いてもよい。
動させることで光70を走査し、剥離したい領域に亘って光70を照射する。この段階で
は、樹脂層101の全面に亘って照射すると、樹脂層101全体が剥離可能となり、後の
分離の工程で支持基板62の外周部をスクライブ等により分断する必要がない。または、
樹脂層101の外周部に光70を照射しない領域を設けると、光70の照射時に樹脂層1
01と支持基板61とが分離してしまうことを抑制できるため好ましい。
の内部の一部が改質され、支持基板61と樹脂層101との密着性が低下する。一方、光
70を照射していない領域は、密着性は高いままである。
る力をかけることにより行うことができる。例えば支持基板61の上面の一部を吸着し、
上方に引っ張ることにより、引き剥がすことができる。ステージは、支持基板62を固定
できればどのような構成でもよいが、例えば真空吸着、静電吸着などが可能な吸着機構を
有していてもよいし、支持基板62を物理的に留める機構を有していてもよい。
これを回転させることにより行ってもよい。このとき、剥離方向にステージを動かしても
よい。
光を照射した部分の一部に切欠き部を形成し、剥離のきっかけとしてもよい。切欠き部は
、例えば鋭利な刃物または針状の部材を用いることや、支持基板61と樹脂層101を同
時にスクライブにより切断すること等により形成することができる。
ている例を示す。光70の照射条件によっては、樹脂層101の内部で分離(破断)が生
じ、このように樹脂層101aが残存する場合がある。または、樹脂層101の表面の一
部が融解する場合にも、同様に支持基板61側に樹脂層101aの一部が残存することが
ある。なお、支持基板61と樹脂層101の界面で剥離する場合、支持基板61側に樹脂
層101aが残存しないことがある。
には40nm以上70nm以下程度とすることができる。残存した樹脂層101aを除去
することで、支持基板61は再利用が可能である。例えば、支持基板61にガラスを用い
、樹脂層101にポリイミド樹脂を用いた場合は、発煙硝酸を用いて樹脂層101aを除
去することができる。
続いて、図7(C)に示すように、接着層51を用いて樹脂層101と基板11とを貼
り合わせる。
ラス等を用いた場合に比べて、表示装置を軽量化できる。また、可撓性を有する程度に薄
い材料を用いると、より軽量化できるため好ましい。また、樹脂材料を用いることで、表
示装置の耐衝撃性を向上させることができ、割れにくい表示装置を実現できる。
を有していなくてもよい。そのため、金属材料を用いることもできる。金属材料は熱伝導
性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置の局所的な温度上昇を抑制す
ることができる。
続いて、図8(A)に示すように、支持基板62側から、支持基板62を介して樹脂層
102に光70を照射する。その後、図8(B)に示すように支持基板62と樹脂層10
2とを分離する。
は、上記の記載を援用できる。
続いて、接着層52を用いて樹脂層102と基板12とを貼り合わせる(図1(A)参
照)。
用いることができる。
以下では、図2(B)で例示した表示装置10aの作製方法の例について、図9及び図
10を参照して説明する。なお、図9及び図10において、図5乃至図8に示す符号と同
様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。ま
た、同様の機能を有する箇所には、同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合が
ある。
9(A))。
る。
像を行うことで、膜を所望の形状に加工する(図9(B))。
域とを設ける例を示す。または、樹脂層101に開口を設けてもよい。
01上に形成する各層の作製温度と同じまたはそれよりも高い温度で加熱することが好ま
しい。例えば、トランジスタの作製温度が350℃までである場合、樹脂層101となる
膜を350℃以上450℃以下で加熱することが好ましく、350℃以上400℃以下が
より好ましく、350℃以上400℃未満がさらに好ましく、350℃以上375℃未満
がさらに好ましい。これにより、トランジスタの作製工程における、樹脂層101からの
脱ガスを大幅に抑制することができる。
ジスタ110を形成する。
絶縁層132、導電層111、絶縁層133を形成する(図9(C))。
さの薄い領域(第2の領域)と重なる部分に開口を形成する(図9(D))。複数の層の
開口を一括で形成してもよいし、単層ごとに開口を形成してもよい。また、絶縁層133
には、半導体層112に達する開口も形成する。
))。導電層113a、導電層113b、及び導電層113cは、導電膜を成膜した後、
レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去するこ
とにより形成できる。
程は先の作製方法1を参照できる。
層152、及び遮光層153を形成する。
102等が形成されている面とを、接着層151を用いて貼り合わせる。この状態の断面
模式図を図10(A)に示す。
61を支持基板62よりも先に分離する例を示す。
、樹脂層101中で分離が生じる例を示す。支持基板61上には樹脂層の一部(樹脂層1
01a)が残存する。絶縁層131側に残存する樹脂層101は図10(A)に比べて薄
膜化されている。また、樹脂層101の第2の領域(他の領域よりも厚さが薄い領域)は
、全て支持基板61側に位置する。そのため、導電層113cが露出する。
ることが好ましい。または、樹脂層101を除去しなくても、導電層113cとFPCと
の電気的な接続が可能である場合などは、樹脂層101を除去しなくてもよい。
0(C))。なお、基板11及び接着層51は、導電層113cと重ならないように配置
する。
と樹脂層102とを分離する。そして、露出した樹脂層102と基板12とを接着層52
を用いて貼り合わせる(図10(C))。
図10(C))。
ことができる。
表示面側であるため、基板12側から導電層113cを露出し、FPC177と電気的に
接続する場合は、表示領域とFPC177を重ねることができず、FPC177を表示装
置と重ねる領域に制限がある。一方、本発明の一態様では、樹脂層101に感光性の材料
を用いることで、表示面とは反対側の面から導電層113cを露出することができる。そ
のため、FPC177を表示領域と重ねて配置することができ、電子機器における省スペ
ース化が可能である。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を有する表示モジュール及び電子機器に
ついて、図11及び図12を用いて説明を行う。
図11に示す表示モジュール8000は、上部カバー8001と下部カバー8002と
の間に、FPC8003に接続されたタッチセンサ8004、FPC8005に接続され
た表示装置8006、フレーム8009、プリント基板8010、バッテリ8011を有
する。
006のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
006に重ねて用いることができる。また、表示装置8006の対向基板(封止基板)に
、タッチセンサ機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示装置8006の
各画素内に光センサを設け、光学式のタッチセンサとすることも可能である。
により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレー
ム8009は、放熱板としての機能を有していてもよい。
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリ8011による電源であってもよい。バッテリ8011は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
加して設けてもよい。
図12(A)乃至図12(G)は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐
体9000、表示部9001、スピーカ9003、操作キー9005(電源スイッチ、ま
たは操作スイッチを含む)、接続端子9006、センサ9007(力、変位、位置、速度
、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、
電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定
する機能を含むもの)、マイクロフォン9008、等を有することができる。また、セン
サ9007は、脈拍センサや指紋センサ等のように生体情報を測定する機能を有してもよ
い。
例えば、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示部に表示する機能、タッ
チセンサ機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア(
プログラム)によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々な
コンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信ま
たは受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表
示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図12(A)乃至図12(G)に
示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有すること
ができる。また、図12(A)乃至図12(G)には図示していないが、電子機器には、
複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を
撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体(外部またはカメラに内蔵
)に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
有する表示部9001は、可撓性を有する。そのため、湾曲した筐体9000の湾曲面に
沿って表示部9001を組み込むことが可能である。また、表示部9001はタッチセン
サを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表
示部9001に表示されたアイコンに触れることで、アプリケーションを起動することが
できる。
、例えば電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する
。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末9101
は、スピーカ9003、接続端子9006、センサ9007等を省略して図示しているが
、図12(A)に示す携帯情報端末9100と同様の位置に設けることができる。また、
携帯情報端末9101は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例え
ば、3つの操作ボタン9050(操作アイコンまたは単にアイコンともいう)を表示部9
001の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報9051を表示部
9001の他の面に表示することができる。なお、情報9051の一例としては、電子メ
ールやSNS(ソーシャル・ネットワーキング・サービス)や電話などの着信を知らせる
表示、電子メールやSNSなどの題名、電子メールやSNSなどの送信者名、日時、時刻
、バッテリの残量、電波等の受信信号の強度を示す表示などがある。または、情報905
1が表示されている位置に、情報9051の代わりに、操作ボタン9050などを表示し
てもよい。
ことができる。プラスチックとしては強化プラスチックを用いることもできる。強化プラ
スチックの一種である炭素繊維強化樹脂複合材(Carbon Fiber Reinf
orced Plastics:CFRP)は軽量であり、且つ、腐食しない利点がある
。また、他の強化プラスチックとしては、ガラス繊維を用いた強化プラスチック、アラミ
ド繊維を用いた強化プラスチックを挙げることができる。合金としては、アルミニウム合
金やマグネシウム合金が挙げられるが、中でもジルコニウムと銅とニッケルとチタンを含
む非晶質合金(金属ガラスとも呼ばれる)が弾性強度の点で優れている。この非晶質合金
は、室温においてガラス遷移領域を有する非晶質合金であり、バルク凝固非晶質合金とも
呼ばれ、実質的に非晶質原子構造を有する合金である。凝固鋳造法により、少なくとも一
部の筐体の鋳型内に合金材料が鋳込まれ、凝固させて一部の筐体をバルク凝固非晶質合金
で形成する。非晶質合金は、ジルコニウム、銅、ニッケル、チタン以外にもベリリウム、
シリコン、ニオブ、ボロン、ガリウム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバ
ルト、イットリウム、バナジウム、リン、炭素などを含んでもよい。また、非晶質合金は
、凝固鋳造法に限定されず、真空蒸着法、スパッタ法、電解めっき法、無電解メッキ法な
どによって形成してもよい。また、非晶質合金は、全体として長距離秩序(周期構造)を
持たない状態を維持するのであれば、微結晶またはナノ結晶を含んでもよい。なお、合金
とは、単一の固体相構造を有する完全固溶体合金と、2つ以上の相を有する部分溶体の両
方を含むこととする。筐体9000に非晶質合金を用いることで高い弾性を有する筐体を
実現できる。従って、携帯情報端末9101を落下させても、筐体9000が非晶質合金
であれば、衝撃が加えられた瞬間には一時的に変形しても元に戻るため、携帯情報端末9
101の耐衝撃性を向上させることができる。
、表示部9001の3面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報9052、
情報9053、情報9054がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携
帯情報端末9102の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末9102を収納した状
態で、その表示(ここでは情報9053)を確認することができる。具体的には、着信し
た電話の発信者の電話番号または氏名等を、携帯情報端末9102の上方から観察できる
位置に表示する。使用者は、携帯情報端末9102をポケットから取り出すことなく、表
示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
9200は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信
、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表
示部9001はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うこと
ができる。また、携帯情報端末9200は、通信規格された近距離無線通信を実行するこ
とが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハン
ズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末9200は、接続端子9006を
有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。ま
た接続端子9006を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子900
6を介さずに無線給電により行ってもよい。
る。また、図12(E)が携帯情報端末9201を展開した状態の斜視図であり、図12
(F)が携帯情報端末9201を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変
化する途中の状態の斜視図であり、図12(G)が携帯情報端末9201を折り畳んだ状
態の斜視図である。携帯情報端末9201は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開し
た状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末92
01が有する表示部9001は、ヒンジ9055によって連結された3つの筐体9000
に支持されている。ヒンジ9055を介して2つの筐体9000間を屈曲させることによ
り、携帯情報端末9201を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させるこ
とができる。例えば、携帯情報端末9201は、曲率半径1mm以上150mm以下で曲
げることができる。
信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ
、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、ゴーグル
型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響
再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
オンポリマー電池)等のリチウムイオン二次電池、リチウムイオン電池、ニッケル水素電
池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜
鉛電池などが挙げられる。
ることで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器が二次電池
を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
る。ただし、本発明の一態様の発光素子は、表示部を有さない電子機器にも適用すること
ができる。また、本実施の形態において述べた電子機器の表示部においては、可撓性を有
し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる構成、または折り畳み可能な表示部
の構成について例示したが、これに限定されず、可撓性を有さず、平面部に表示を行う構
成としてもよい。
ができる。
試料を作製し、当該試料についてEDXを用いて元素分析を行った。また、樹脂層上にト
ランジスタを作製し、当該トランジスタの電気特性を測定した。
本実施例では、試料Aと試料Bを作製した。試料は、ガラス基板上に樹脂層を形成する
ことで作製した。試料Aと試料Bで、異なる材料を用いて、樹脂層を形成した。
る化合物と、重合後にポリイミドとなる樹脂材料とを含む材料を用いて樹脂層を形成した
。まず、当該材料を、スピンコートを用いてガラス基板上に塗布した。続いて、塗布した
材料を加熱し重合させることで、樹脂層を形成した。なお、該樹脂層の厚さは、約2μm
であった。
性であり、重合後にポリイミドとなる樹脂材料を含む材料を用いて樹脂層を作成した。ま
ず、当該材料を、スピンコートを用いてガラス基板上に塗布した。続いて、塗布した材料
を加熱し重合させることで、樹脂層を形成した。なお、該樹脂層の厚さは、約7μmであ
った。
試料A及び試料Bについて、EDXを用いて元素分析を行った。EDX分析結果を図1
3(A)(B)に示す。図13(A)(B)において、縦軸は検出強度を表し、横軸はエ
ネルギー[keV]を表す。図13(A)が試料Aの測定結果であり、図13(B)が試
料Bの測定結果である。
(S)が検出された。一方、図13(B)に示すように、試料Bからは主に炭素(C)及
び酸素(O)が検出された。上述の通り、試料Aでは、感光性の材料を用いて樹脂層を作
製した。一方、試料Bでは、非感光性の材料を用いて樹脂層を作製した。本実施例では、
試料AのEDXの測定結果において、試料Bの結果では見られない硫黄のピークが確認で
きた。このことから、試料Aにおいては、光を吸収する化合物に由来する硫黄が検出され
ることを確認した。
試料Aについて、吸収率の測定を行った。吸収率の測定結果を図14に示す。
収率が高いことが分かった。すなわち、試料Aは、波長が308nmのエキシマレーザ等
の光を吸収することができ、剥離層として機能する樹脂層に好適であることが分かった。
次に、支持基板上に、試料Aに用いた樹脂層を介してトランジスタを形成し、当該トラ
ンジスタの、支持基板からの剥離前後における電気特性を比較した結果について説明する
。
同様である。
は、厚さ約1.55μmのポリイミド樹脂膜を用いた。絶縁層131としては、厚さ約2
00nmの酸化窒化シリコン膜を用いた。トランジスタのバックゲート電極として機能す
る導電層115としては、厚さ約100nmのチタン膜を用いた。絶縁層137としては
、厚さ約400nmの窒化シリコン膜及び厚さ約50nmの酸化窒化シリコン膜の積層を
用いた。半導体層112としては、In:Ga:Zn=4:2:3の酸化物ターゲットを
用いて形成した厚さ約40nmのIn−Ga−Zn酸化物半導体膜を用いた。絶縁層13
2としては、厚さ約150nmの酸化窒化シリコン膜を用いた。トランジスタのゲート電
極として機能する導電層111としては、In:Ga:Zn=4:2:3の酸化物ターゲ
ットを用いて形成した厚さ約100nmのIn−Ga−Zn酸化物膜を用いた。絶縁層1
33としては、厚さ約100nmの窒化シリコン膜及び厚さ約300nmの酸化窒化シリ
コン膜の積層を用いた。導電層113a及び導電層113bとしては、厚さ約10nmの
チタン膜及び厚さ約100nmの銅膜を用いた。絶縁層134としては、厚さ約1.5μ
mのアクリル樹脂膜を用いた。
上記のトランジスタについて、Id−Vg特性(ドレイン電流−ゲート電圧特性)を測
定した。測定条件は、支持基板の剥離の前後で以下のように異なる。剥離前においては、
Id−Vg特性の測定は、ドレイン電圧を0.1Vまたは20Vとし、バックゲート電圧
及びゲート電圧を−8Vから8Vまで0.25Vステップで掃引させた。剥離後において
は、Id−Vg特性の測定は、ドレイン電圧を0.1Vまたは10Vとし、バックゲート
電圧及びゲート電圧を−8Vから8Vまで0.25Vステップで掃引させた。
、チャネル長Lが6μm、チャネル幅Wが50μmのトランジスタの、剥離前及び剥離後
の測定結果である。図15では、横軸にゲート電圧Vg[V]、左側の縦軸にドレイン電
流Id[A]、右側の縦軸に電界効果移動度μFE[cm2/Vs]をとる。また、図1
5において、実線はドレイン電圧が10Vまたは20VのId−Vg特性を、一点鎖線は
ドレイン電圧が0.1VのId−Vg特性を、破線はドレイン電圧が10Vまたは20V
の電界効果移動度μFEを示している。また、剥離前及び剥離後に測定されたトランジス
タは、同一の樹脂層101上に形成された異なるトランジスタである。
たトランジスタの電気特性にほとんど差がみられないことが確認できた。
を与えることなく、樹脂層から支持基板を剥離できることが示された。
10a 表示装置
10b 表示装置
10c 表示装置
10d 表示装置
10e 表示装置
10f 表示装置
10g 表示装置
11 基板
12 基板
51 接着層
52 接着層
61 支持基板
62 支持基板
70 光
101 樹脂層
101a 樹脂層
102 樹脂層
110 トランジスタ
110a トランジスタ
110b トランジスタ
110c トランジスタ
111 導電層
112 半導体層
113a 導電層
113b 導電層
113c 導電層
114 導電層
115 導電層
120 発光素子
120a 発光素子
120b 発光素子
121 導電層
122 EL層
123 導電層
131 絶縁層
132 絶縁層
133 絶縁層
134 絶縁層
135 絶縁層
136 絶縁層
137 絶縁層
141 絶縁層
151 接着層
152 着色層
153 遮光層
160 表示部
162 駆動回路部
176 接続体
177 FPC
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチセンサ
8005 FPC
8006 表示装置
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
9000 筐体
9001 表示部
9003 スピーカ
9005 操作キー
9006 接続端子
9007 センサ
9008 マイクロフォン
9050 操作ボタン
9051 情報
9052 情報
9053 情報
9054 情報
9055 ヒンジ
9100 携帯情報端末
9101 携帯情報端末
9102 携帯情報端末
9200 携帯情報端末
9201 携帯情報端末
Claims (10)
- 可撓性を有する基板と、
前記基板上の接着層と、
前記接着層上の第1の樹脂層と、
前記第1の樹脂層上の無機絶縁層と、
前記無機絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタに電気的に接続される発光素子と、を有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記無機絶縁層は、窒素及びケイ素を含み、
前記第1の樹脂層は、硫黄を有する、表示装置。 - 可撓性を有する基板と、
前記基板上の接着層と、
前記接着層上の第1の樹脂層と、
前記第1の樹脂層上の無機絶縁層と、
前記無機絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタに電気的に接続される発光素子と、を有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記無機絶縁層は、窒素及びケイ素を含み、
前記第1の樹脂層は、硫黄と窒素とを有し、
前記第1の樹脂層のエネルギー分散型X線分析法によって測定される前記硫黄の強度は、前記窒素の強度以上である、表示装置。 - 請求項1または2において、
前記第1の樹脂層は、第1の化合物を有し、
前記第1の化合物は、スルホニル基を有する、表示装置。 - 請求項3において、
前記第1の化合物は、キノンジアジド骨格及びインデンカルボニル骨格のうち一方または双方を有する、表示装置。 - 請求項3または4において、
前記第1の化合物は、光を吸収する機能を有する、表示装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一において、
前記第1の樹脂層は、第2の化合物を有し、
前記第2の化合物は、イミド骨格を有する、表示装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、
前記第1の樹脂層は、0.1μm以上3μm以下の厚さを有する、表示装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一において、
前記トランジスタ上に、第2の樹脂層を有し、
前記第2の樹脂層は、硫黄を有する、表示装置。 - 請求項8において、
前記発光素子上に、第3の樹脂層を有し、
前記第3の樹脂層は、硫黄を有する、表示装置。 - 請求項1乃至9のいずれか一に記載の表示装置と、
筐体及びタッチセンサのうち一方または双方と、を有する、電子機器。
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