JP2021106245A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (8)
- 第1n型窒化物半導体層と、第1発光層と、第1p型窒化物半導体層とを含む第1積層部と、前記第1積層部上に形成され、第2n型窒化物半導体層と、第2発光層と、第2p型窒化物半導体層とを含む第2積層部と、を有する発光素子の製造方法であって、
炉内にガリウムを含むガスと、アンモニアガスと、p型不純物を含むガスとを導入し、前記炉内を第1温度に加熱した状態で前記第1発光層の上に前記第1p型窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第1p型窒化物半導体層を形成した後、前記炉内の温度を前記第1温度から前記第1温度よりも低い第2温度に降温する工程と、
前記炉内に第1流量のアンモニアガスを導入し、前記炉内の温度を前記第2温度から前記第2温度よりも高い第3温度に昇温する工程と、
前記炉内を前記第3温度に加熱した状態で、前記炉内にガリウムを含むガスと、第2流量のアンモニアガスと、n型不純物を含むガスとを導入し、前記第1p型窒化物半導体層の上に前記第2n型窒化物半導体層を形成する工程と、
を有し、
前記第1流量は、前記第2流量よりも小さい発光素子の製造方法。 - 前記炉内の温度を前記第1温度から前記第2温度に降温した後、前記第1p型窒化物半導体層を形成するときに前記炉内に導入されたガスを、窒素ガスに置換する工程を有し、
前記炉内の温度を前記第2温度から前記第3温度に昇温するときに、前記窒素ガスに加えてさらに前記アンモニアガスを前記炉内に導入する請求項1記載の発光素子の製造方法。 - 前記第2温度よりも高い前記第3温度に昇温する工程において、前記第1流量を2slm以上4slm以下とする請求項1または2に記載の発光素子の製造方法。
- 第1n型窒化物半導体層と、第1発光層と、第1p型窒化物半導体層とを含む第1積層部と、前記第1積層部上に形成され、第2n型窒化物半導体層と、第2発光層と、第2p型窒化物半導体層とを含む第2積層部と、を有する発光素子の製造方法であって、
炉内にガリウムを含むガスと、アンモニアガスと、p型不純物を含むガスとを導入し、前記炉内を第1温度に加熱した状態で前記第1発光層の上に前記第1p型窒化物半導体層を形成する工程と、
前記炉内を前記第1温度に保持した状態で、前記炉内に第1流量のアンモニアガスと、窒素ガスとを導入する工程と、
その後、前記炉内にガリウムを含むガスと、第2流量のアンモニアガスと、n型不純物を含むガスとを導入し、前記第1p型窒化物半導体層の上に前記第2n型窒化物半導体層を形成する工程と、
を有し、
前記第1流量は、前記第2流量よりも小さい発光素子の製造方法。 - 前記第1流量を2slm以上4slm以下とする請求項4記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1流量は、前記第1p型窒化物半導体層を形成するときに前記炉内に導入される前記アンモニアガスの流量よりも小さい請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。
- 前記p型不純物はマグネシウムであり、
前記第1p型窒化物半導体層のマグネシウム濃度は、5×1019/cm3以上2×1021/cm3以下である請求項1〜6のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。 - 前記n型不純物はシリコンであり、
前記第2n型窒化物半導体層のシリコン濃度は、1×1020/cm3以上5×1021/cm3以下である請求項1〜7のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。
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