JP2021101483A - 高周波部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】キャパシタを備える改善された耐電圧特性を有する高周波部品を提供する。【解決手段】高周波部品１０は、第１側に位置する第１面１３及び第１側とは反対の第２側に位置する第２面１４を含み、ガラスを有する基板１２と、基板の第１面に位置するキャパシタ１５と、を備える。キャパシタは、基板の第１面に位置する第１面第１導電層３１１と、第１面第１導電層上に位置する第１面第１絶縁層３１２と、第１面第１絶縁層上に位置する第１面第２導電層３２１と、を有する。第１面第１絶縁層は、６ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁破壊電界を有する無機材料を含む。【選択図】図１

Description

本開示の実施形態は、キャパシタを備える高周波部品及びその製造方法に関する。

近年、半導体メモリに代表される集積回路が高速化、高集積化するにつれて、集積回路の周辺に使用される受動部品についても同様に小型化、広帯域化が求められている。例えば、コンデンサが、電源電圧の変動を抑えるためのバイパスコンデンサとして使用される場合、電源電圧に重畳する高周波のノイズを除去するため、コンデンサが広帯域であることが求められる。例えば特許文献１は、第１導電層と、第１導電層上に設けられた高誘電率薄膜と、高誘電率薄膜上に設けられた第２導電層と、を備える薄膜コンデンサを提案している。薄膜コンデンサにおいては、高い誘電率を有する高誘電率薄膜を用いることにより、小型で大容量のコンデンサを実現することができる。

特開平６−８９８３１号公報

従来の薄膜コンデンサは、半導体プロセスの場合と同様に、主にシリコンの上に形成されていた。シリコンは、一定の導電性を有しており、このため、従来の薄膜コンデンサの耐電圧を高めることは容易ではない。

本開示の実施形態は、このような点を考慮してなされたものであり、改善された耐電圧特性を有する高周波部品を提供することを目的とする。

本開示の一実施形態は、第１側に位置する第１面及び前記第１側とは反対の第２側に位置する第２面を含み、ガラスを有する基板と、前記基板の前記第１面に位置するキャパシタと、を備え、前記キャパシタは、前記基板の前記第１面に位置する第１面第１導電層と、前記第１面第１導電層上に位置する第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層上に位置する第１面第２導電層と、を有し、前記第１面第１絶縁層は、６ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁破壊電界を有する無機材料を含む、高周波部品である。

本開示の一実施形態による高周波部品において、前記第１面第１絶縁層の前記無機材料の漏れ電流は、好ましくは１×１０^-１２Ａ以下である。

本開示の一実施形態による高周波部品において、前記第１面第１絶縁層の前記無機材料は、珪素窒化物を含んでいてもよい。

本開示の一実施形態による高周波部品において、前記第１面第１絶縁層の厚みは、５０ｎｍ以上且つ４００ｎｍ以下であってもよい。

本開示の一実施形態による高周波部品において、前記第１面第１導電層の厚みは、５μｍ以上且つ２０μｍ以下であってもよい。

本開示の一実施形態による高周波部品は、前記第１面第１絶縁層上に位置し、０．００３以下の誘電正接を有する有機材料を含む第１面第２絶縁層を更に備えていてもよい。

本開示の一実施形態による高周波部品において、前記基板には貫通孔が設けられており、前記高周波部品は、前記キャパシタに電気的に接続されたインダクタを更に備え、前記インダクタは、前記第１面第１導電層と、前記第１面第１導電層に接続されるとともに前記貫通孔の側壁に沿って広がる貫通電極と、前記貫通電極に接続されるとともに前記基板の前記第２面に位置する第２面第１導電層と、を有していてもよい。

本開示の一実施形態による高周波部品は、前記貫通電極よりも前記貫通孔の中心側に位置し、０．００３以下の誘電正接を有する有機材料を含む有機層を更に備えていてもよい。

本開示の一実施形態による高周波部品において、前記第１面第１絶縁層は、前記第１面第１導電層の上面に位置する第１部分と、前記第１部分に接続され、前記第１面第１導電層の側面に位置する第２部分と、を含んでいてもよい。

本開示の一実施形態による高周波部品において、前記第２部分の厚みは、前記第１部分の厚みよりも小さく、且つ前記第１部分の厚みの１／４以上であってもよい。

本開示の一実施形態による高周波部品において、前記第１面第１導電層の側面は、前記基板側に位置する下側湾曲部を含み、前記下側湾曲部は、少なくとも部分的に前記第１面第１絶縁層から露出していてもよい。

本開示の一実施形態は、第１側に位置する第１面及び前記第１側とは反対の第２側に位置する第２面を含み、ガラスを有する基板を準備する工程と、前記基板の前記第１面に第１面第１導電層を形成する工程と、前記第１面第１導電層上に、６ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁破壊電界を有する無機材料を含む第１面第１絶縁層を形成する工程と、前記第１面第１絶縁層上に第１面第２導電層を形成する工程と、を備え、前記第１面第１導電層、前記第１面第１絶縁層及び前記第１面第２導電層がキャパシタを構成する、高周波部品の製造方法である。

本開示の一実施形態による高周波部品の製造方法において、前記第１面第１絶縁層の前記無機材料の漏れ電流は、好ましくは１×１０^−１２Ａ以下である。

本開示の一実施形態による高周波部品の製造方法において、前記第１面第１絶縁層の前記無機材料は、珪素窒化物を含んでいてもよい。

本開示の一実施形態による高周波部品の製造方法において、前記第１面第１絶縁層の厚みは、５０ｎｍ以上且つ４００ｎｍ以下であってもよい。

本開示の一実施形態による高周波部品の製造方法において、前記第１面第１導電層の厚みは、５μｍ以上且つ２０μｍ以下であってもよい。

本開示の一実施形態による高周波部品の製造方法は、前記第１面第１絶縁層を形成する工程に先行して前記第１面第１導電層の表面をＮＨ_３プラズマに晒す表面処理工程を更に備えていてもよい。

本開示の一実施形態による高周波部品の製造方法は、前記第１面第１絶縁層上に、０．００３以下の誘電正接を有する有機材料を含む第１面第２絶縁層を形成する工程を更に備えていてもよい。

本開示の一実施形態による高周波部品の製造方法において、前記基板には貫通孔が設けられており、前記高周波部品の製造方法は、前記第１面第１導電層に接続されるとともに前記貫通孔の側壁に沿って広がる貫通電極を形成する工程と、前記貫通電極に接続されるとともに前記基板の前記第２面に位置する第２面第１導電層を形成する工程と、を更に備えていてもよい。この場合、前記第１面第１導電層、前記貫通電極及び前記第２面第１導電層がインダクタを構成する。

本開示の一実施形態による高周波部品の製造方法は、前記貫通電極よりも前記貫通孔の中心側に位置し、０．００３以下の誘電正接を有する有機材料を含む有機層を形成する工程を更に備えていてもよい。

本開示の実施形態によれば、改善された耐電圧特性を有する高周波部品を提供することができる。

一実施形態に係る高周波部品を示す断面図である。 図１の高周波部品を拡大して示す断面図である。 高周波部品を示す平面図である。 高周波部品の製造工程を示す図である。 高周波部品の製造工程を示す図である。 高周波部品の製造工程を示す図である。 高周波部品の製造工程を示す図である。 高周波部品の製造工程を示す図である。 高周波部品の製造工程を示す図である。 高周波部品の製造工程を示す図である。 高周波部品の製造工程を示す図である。 高周波部品の製造工程を示す図である。 高周波部品の製造工程を示す図である。 高周波部品の製造工程を示す図である。 高周波部品の製造工程を示す図である。 一変形例に係る高周波部品を示す断面図である。 第２変形例に係る高周波部品のキャパシタを拡大して示す平面図である。 図１７のキャパシタを線Ｂ−Ｂに沿って切断した場合の断面図である。 第２変形例に係る高周波部品の製造工程を示す図である。 第２変形例に係る高周波部品の製造工程を示す図である。 第２変形例に係る高周波部品の製造工程を示す図である。 第２変形例に係る高周波部品の製造工程を示す図である。 第２変形例に係る高周波部品のキャパシタの一応用例を示す断面図である。

以下、本開示の実施形態に係る高周波部品の構成及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

高周波部品
以下、本開示の実施の形態について説明する。まず、図１乃至図３を参照して、本実施の形態に係る高周波部品１０の構成について説明する。図１は、高周波部品１０を示す断面図である。図２は、図１の高周波部品１０を拡大して示す断面図である。図３は、高周波部品１０を示す平面図である。図１は、図３に示す高周波部品１０を線Ａ−Ａに沿って切断した場合の断面図に相当する。なお高周波部品とは、0.1ＧＨｚ以上の高周波信号に対して使用可能な電子部品を意味する。

高周波部品１０は、基板１２、キャパシタ１５及びインダクタ１６を備える。キャパシタ１５は、第１配線構造部３０の一部によって構成されている。インダクタ１６は、第１配線構造部３０の一部と、貫通電極２２と、第２配線構造部４０の一部とによって構成されている。以下、高周波部品１０の各構成要素について説明する。

（基板）
基板１２は、第１面１３、及び、第１面１３の反対側に位置する第２面１４を含む。また、基板１２には、第１面１３から第２面１４に至る複数の貫通孔２０が設けられている。

基板１２は、ガラスを有する。基板１２で用いるガラスの例としては、無アルカリガラスなどを挙げることができる。無アルカリガラスとは、ナトリウムやカリウムなどのアルカリ成分を含まないガラスである。無アルカリガラスは、例えば、アルカリ成分の代わりにホウ酸を含む。また、無アルカリガラスは、例えば、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのアルカリ土類金属酸化物を含む。無アルカリガラスの例としては、旭硝子製のＥＮ−Ａ１や、コーニング製のイーグルＸＧなどを挙げることができる。基板１２の厚みは、例えば０．２５ｍｍ以上且つ０．４５ｍｍ以下である。基板１２がガラスを含むことにより、基板１２がシリコンからなる場合に比べて、基板１２の絶縁性を高めることができ、これにより、基板１２上に位置するキャパシタ１５の耐電圧特性を改善することができる。

貫通孔２０の側壁２１は、図１に示すように基板１２の第１面１３の法線方向に沿って広がっていてもよい。若しくは、図示はしないが、側壁２１が、基板１２の第１面１３の法線方向からずれた方向で広がっていてもよく、また、側壁２１の一部が湾曲していてもよい。

貫通孔２０の長さ、すなわち第１面１３の法線方向における貫通孔２０の寸法は、基板１２の厚みに等しい。貫通孔２０の幅、すなわち第１面１３の面方向における貫通孔２０の寸法Ｓ（図４参照）は、例えば４０μｍ以上且つ１５０μｍ以下である。また、貫通孔２０の幅に対する長さの比、すなわち貫通孔２０のアスペクト比は、例えば４以上且つ１０以下である。

（貫通電極）
貫通電極２２は、貫通孔２０の内部に少なくとも部分的に位置し、且つ導電性を有する部材である。本実施の形態において、貫通電極２２の厚みは、貫通孔２０の幅よりも小さく、このため、貫通電極２２の内部には、貫通電極２２が存在しない空間がある。すなわち、貫通電極２２は、いわゆるコンフォーマルビアである。

貫通電極２２が導電性を有する限りにおいて、貫通電極２２の形成方法は特には限定されない。例えば、貫通電極２２は、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法で形成されていてもよく、化学成膜法やめっき法で形成されていてもよい。また、貫通電極２２は、導電性を有する単一の層から構成されていてもよく、若しくは、導電性を有する複数の層を含んでいてもよい。ここでは、図２に示すように、貫通電極２２が、貫通孔２０の側壁２１側から貫通孔２０の中心側へ順に並ぶ密着層３６１、シード層３６２及びめっき層３６３を含む例について説明する。

密着層３６１は、シード層３６２やめっき層３６３などのその他の貫通電極２２の構成要素と基板１２の貫通孔２０の側壁２１との間に、必要に応じて形成される層である。密着層３６１は、シード層３６２やめっき層３６３などのその他の貫通電極２２の構成要素に比べて、基板１２に対する高い密着性を有する。また、密着層３６１は、シード層３６２やめっき層３６３などのその他の貫通電極２２の構成要素中の金属元素が貫通孔２０の側壁２１を介して基板１２の内部に拡散することを抑制するという役割を果たしてもよい。シード層３６２又はめっき層３６３が銅を含む場合、密着層３６１の材料として、例えば、チタン、チタン窒化物、モリブデン、モリブデン窒化物、タンタル、タンタル窒化物等、又はこれらを積層したものを用いることができる。また、密着層３６１の材料として、基板１２に対する高い密着性を有する導電性材料を用いてもよい。例えば、密着層３６１の材料として、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、ニッケル、クロム、アルミニウム、これらの化合物、これらの合金など、又はこれらを積層したものを使用することができる。密着層３６１の厚みは、例えば１０ｎｍ以上且つ１μｍ以下である。密着層３６１は、例えば、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法で形成される。

シード層３６２は、電解めっき処理によってめっき層３６３を形成する電解めっき工程の際に、めっき液中の金属イオンを析出させてめっき層３６３を成長させるための土台となる、導電性を有する層である。シード層３６２の材料としては、例えば、銅などの、めっき層３６３と同一の金属材料を用いることができる。シード層３６２の厚みは、例えば１００ｎｍ以上且つ３μｍ以下である。シード層３６２は、例えば、無電解めっき処理によって形成される。

なお、図示はしないが、貫通孔２０の側壁２１とめっき層３６３との間に、密着層としての役割及びシード層としての役割の両方を果たすことができる１つの層を設けてもよい。

めっき層３６３は、めっき処理によって形成される、導電性を有する層である。めっき層３６３を構成する材料としては、銅、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロムなどの金属又はこれらを用いた合金など、あるいはこれらを積層したものを使用することができる。

図１に示すように、高周波部品１０は、貫通電極２２よりも貫通孔２０の中心側に位置する有機層２６を備えていてもよい。なお、「中心側」とは、貫通孔２０の内部において、有機層２６と側壁２１との間の距離が貫通電極２２と側壁２１との間の距離よりも大きいことを意味する。有機層２６は、０．００３以下、より好ましくは０．００２以下、更に好ましくは０．００１以下の誘電正接を有する有機材料を含む。有機層２６の有機材料としては、ポリイミド、エポキシなどを用いることができる。誘電正接の小さい有機材料を用いて有機層２６を構成することにより、キャパシタ１５やインダクタ１６を通るべき電気信号の一部が有機層２６を通ってしまうことを抑制することができる。これにより、キャパシタ１５やインダクタ１６を備える高周波部品１０の帯域を高周波側に広げることができる。

（第１配線構造部）
図１に示すように、第１配線構造部３０は、基板１２の第１面１３上に位置する第１面第１配線層３１、第１面第１配線層３１上に位置する第１面第２配線層３２、及び第１面第２配線層３２上に位置する第１面第３配線層３３を含む。以下、第１面第１配線層３１、第１面第２配線層３２及び第１面第３配線層３３の構成について説明する。

〔第１面第１配線層〕
図１に示すように、第１面第１配線層３１は、第１面第１導電層３１１及び第１面第１絶縁層３１２を有する。第１面第１導電層３１１は、基板１２の第１面１３上に位置する、導電性を有する層である。第１面第１導電層３１１は、貫通電極２２に接続されていてもよい。また、第１面第１導電層３１１は、貫通電極２２と同様に、基板１２の第１面１３上に順に積層された密着層３６１、シード層３６２及びめっき層３６３を含んでいてもよい。第１面第１導電層３１１を構成する材料は、貫通電極２２を構成する材料と同様である。第１面第１導電層３１１の厚みは、例えば５μｍ以上且つ２０μｍ以下である。

第１面第１絶縁層３１２は、少なくとも部分的に第１面第１導電層３１１上に位置する、絶縁性を有する層である。第１面第１絶縁層３１２は、第１面第１導電層３１１を部分的に覆っていてもよい。この場合、第１面第１絶縁層３１２は、第１面第１導電層３１１だけでなく基板１２の第１面１３にも接していてもよい。なお「覆う」とは、図３に示すように、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って高周波部品１０を見た場合に、第１面第１導電層３１１の端部３１１ｅと第１面第１絶縁層３１２とが少なくとも部分的に重なっていることを意味する。

第１面第１絶縁層３１２は、少なくとも６ＭＶ／ｃｍ以上、より好ましくは８ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁破壊電界を有する無機材料を含む。第１面第１絶縁層３１２の無機材料としては、ＳｉＮなどの珪素窒化物を用いることができる。その他にも、第１面第１絶縁層３１２の無機材料の例として、酸化シリコン、酸化アルミ、五酸化タンタルなどを挙げることができる。これにより、第１面第１絶縁層３１２を含むキャパシタ１５の耐電圧特性を更に改善することができる。なお、絶縁破壊電界の測定方法については、実施例において後述する。第１面第１絶縁層３１２の無機材料の比誘電率は、例えば３以上且つ５０以下である。また、第１面第１絶縁層３１２の厚みは、例えば５０ｎｍ以上且つ４００ｎｍ以下である。

好ましくは、第１面第１絶縁層３１２の無機材料における漏れ電流は、１×１０^−１２Ａ以下である。これにより、第１面第１絶縁層３１２を含むキャパシタ１５の電気特性を更に改善することができる。なお、漏れ電流の測定方法については、実施例において後述する。

〔第１面第２配線層〕
第１面第２配線層３２は、第１面第２導電層３２１及び第１面第２絶縁層３２２を有する。第１面第２導電層３２１は、第１面第１絶縁層３１２上に位置する、導電性を有する層である。図１に示すように、第１面第１導電層３１１と、第１面第１導電層３１１上に位置する第１面第１絶縁層３１２と、第１面第１絶縁層３１２上に位置する第１面第２導電層３２１とによって、キャパシタ１５が構成されている。

第１面第２導電層３２１は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１１と同様に、第１面第１絶縁層３１２上に順に積層された密着層、シード層及びめっき層を含んでいてもよい。第１面第２導電層３２１を構成する材料は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１１を構成する材料と同様である。第１面第２導電層３２１の厚みは、例えば５μｍ以上且つ２０μｍ以下である。

第１面第２絶縁層３２２は、第１面第１絶縁層３１２上及び第１面第２導電層３２１に位置する、絶縁性を有する層である。第１面第２絶縁層３２２は、０．００３以下、より好ましくは０．００２以下、更に好ましくは０．００１以下の誘電正接を有する有機材料を含む。第１面第２絶縁層３２２の有機材料としては、ポリイミド、エポキシなどを用いることができる。誘電正接の小さい有機材料を用いて第１面第２絶縁層３２２を構成することにより、キャパシタ１５やインダクタ１６を通るべき電気信号が第１面第２絶縁層３２２を通ってしまうことを抑制することができる。これにより、キャパシタ１５やインダクタ１６を備える高周波部品１０の帯域を高周波側に広げることができる。

第１面第２絶縁層３２２の有機材料の比誘電率は、好ましくは３．４以下である。また、５ＧＨｚにおける第１面第２絶縁層３２２の有機材料の透過損失は、好ましくは０．０７ｄＢ以下、より好ましくは０．０６ｄＢ以下、更に好ましくは０．０５ｄＢ以下である。

〔第１面第３配線層〕
第１面第３配線層３３は、第１面第３導電層３３１及び第１面第３絶縁層３３２を有する。第１面第３導電層３３１は、第１面第１導電層３１１上又は第１面第２導電層３２１上に位置する、導電性を有する層である。図１に示す例において、第１面第３導電層３３１は、キャパシタ１５の一方の電極である第１面第１導電層３１１に接続された部分、及び、キャパシタ１５の他方の電極である第１面第２導電層３２１に接続された部分を含む。

第１面第３導電層３３１は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１１と同様に、順に積層された密着層、シード層及びめっき層を含んでいてもよい。第１面第３導電層３３１を構成する材料は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１１を構成する材料と同様である。

第１面第３絶縁層３３２は、第１面第２絶縁層３２２上及び第１面第３導電層３３１上に位置する、絶縁性を有する層である。第１面第３絶縁層３３２は、第１面第２絶縁層３２２と同様に、０．００３以下、より好ましくは０．００２以下、更に好ましくは０．００１以下の誘電正接を有する有機材料を含む。第１面第３絶縁層３３２の有機材料としては、第１面第２絶縁層３２２と同様に、ポリイミド、エポキシなどを用いることができる。

（第２配線構造部）
図１に示すように、第２配線構造部４０は、基板１２の第２面１４上に位置する第２面第１配線層４１を含む。第２面第１配線層４１は、第２面第１導電層４１１及び第２面第１絶縁層４１２を有する。

第２面第１導電層４１１は、基板１２の第２面１４上に位置する、導電性を有する層である。第２面第１導電層４１１は、貫通電極２２に接続されていてもよい。また、第２面第１導電層４１１は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１１と同様に、基板１２の第２面１４上に順に積層された密着層３６１、シード層３６２及びめっき層３６３を含んでいてもよい。第２面第１導電層４１１を構成する材料は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１１を構成する材料と同様である。第２面第１導電層４１１の厚みは、例えば５μｍ以上且つ２０μｍ以下である。

図１及び図３に示すように、第２面第１導電層４１１と、第２面第１導電層４１１に接続された貫通電極２２と、貫通電極２２に接続された第１面第１導電層３１１とによって、インダクタ１６が構成される。

第２面第１絶縁層４１２は、第２面第１導電層４１１上及び基板１２の第２面１４上に位置する、絶縁性を有する層である。第２面第１絶縁層４１２は、第１面第２絶縁層３２２や第１面第３絶縁層３３２と同様に、０．００３以下、より好ましくは０．００２以下、更に好ましくは０．００１以下の誘電正接を有する有機材料を含む。第２面第１絶縁層４１２の有機材料としては、第１面第２絶縁層３２２や第１面第３絶縁層３３２と同様に、ポリイミド、エポキシなどを用いることができる。

高周波部品の製造方法
以下、高周波部品１０の製造方法の一例について、図４乃至図１５を参照して説明する。

（貫通孔形成工程）
まず、基板１２を準備する。次に、第１面１３又は第２面１４の少なくともいずれかにレジスト層を設ける。その後、レジスト層のうち貫通孔２０に対応する位置に開口を設ける。次に、レジスト層の開口において基板１２を加工することにより、図４に示すように、基板１２に貫通孔２０を形成することができる。基板１２を加工する方法としては、反応性イオンエッチング法、深掘り反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法や、ウェットエッチング法などを用いることができる。

なお、基板１２にレーザを照射することによって基板１２に貫通孔２０を形成してもよい。この場合、レジスト層は設けられていなくてもよい。レーザ加工のためのレーザとしては、エキシマレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、フェムト秒レーザ等を用いることができる。Ｎｄ：ＹＡＧレーザを採用する場合、波長が１０６４ｎｍの基本波、波長が５３２ｎｍの第２高調波、波長が３５５ｎｍの第３高調波等を用いることができる。

また、レーザ照射とウェットエッチングを適宜組み合わせることもできる。具体的には、まず、レーザ照射によって基板１２のうち貫通孔２０が形成されるべき領域に変質層を形成する。続いて、基板１２をフッ化水素などに浸漬して、変質層をエッチングする。これによって、基板１２に貫通孔２０を形成することができる。

その他にも、基板１２に研磨材を吹き付けるブラスト処理によって基板１２に貫通孔２０を形成してもよい。

（貫通電極形成工程）
次に、貫通孔２０の側壁２１に貫通電極２２を形成する。本実施の形態においては、貫通電極２２と同時に上述の第１面第１導電層３１１及び第２面第１導電層４１１を形成する例について説明する。

図５に示すように、基板１２の第１面１３上、第２面１４及び側壁２１上に、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法によって密着層３６１を形成する。続いて、無電解めっきによって密着層３６１上にシード層３６２を形成する。その後、密着層３６１及びシード層３６２をアニールする工程を実施してもよい。

なお、密着層３６１及びシード層３６２を形成する方法が、上述の方法に限られることはない。例えば、ゾルゲル法によって酸化亜鉛などを含む密着層３６１を形成し、続いて、密着層３６１上に無電解めっき法によってシード層３６２を形成してもよい。また、密着層３６１及びシード層３６２の両方を、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法によって形成してもよい。

次に、図６に示すように、シード層３６２上に部分的にレジスト層３７を形成する。続いて、図７に示すように、電解めっきによって、レジスト層３７によって覆われていないシード層３６２上にめっき層３６３を形成する。その後、図８に示すように、レジスト層３７を除去する。また、密着層３６１及びシード層３６２のうちレジスト層３７によって覆われていた部分を、例えばウェットエッチングにより除去する。このようにして、貫通電極２２、第１面第１導電層３１１及び第２面第１導電層４１１を形成することができる。これにより、第２面第１導電層４１１と、第２面第１導電層４１１に接続された貫通電極２２と、貫通電極２２に接続された第１面第１導電層３１１とを備えるインダクタ１６を構成することができる。なお、めっき層３６３をアニールする工程を実施してもよい。

（表面処理工程）
次に、第１面第１導電層３１１の表面をＮＨ_３プラズマなどのプラズマに晒す表面処理工程を実施してもよい。これにより、第１面第１導電層３１１の表面の酸化物を除去することができる。例えば、第１面第１導電層３１１が銅を含む場合、第１面第１導電層３１１の表面の酸化銅を除去することができる。このことにより、第１面第１導電層３１１と、第１面第１導電層３１１上に形成される第１面第１絶縁層３１２との間の密着性を高めることができる。

（第１面第１絶縁層の形成工程）
次に、第１面第１導電層３１１上に第１面第１絶縁層３１２を形成する。まず、図９に示すように、第１面第１導電層３１１上に部分的にレジスト層３８を形成する。続いて、図１０に示すように、第１面第１導電層３１１及び基板１２の第１面１３のうちレジスト層３８によって覆われていない部分に、第１面第１絶縁層３１２を形成する。第１面第１絶縁層３１２を形成する方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ、スパッタリングなどを採用することができる。その後、図１１に示すように、レジスト層３８を除去する。このようにして、第１面第１導電層３１１上に部分的に第１面第１絶縁層３１２を形成することができる。

（第１面第２導電層の形成工程）
次に、図１２に示すように、第１面第１絶縁層３１２上に第１面第２導電層３２１を形成する。これにより、第１面第１導電層３１１と、第１面第１導電層３１１上の第１面第１絶縁層３１２と、第１面第１絶縁層３１２上の第１面第２導電層３２１と、を備えるキャパシタ１５を構成することができる。第１面第２導電層３２１を形成する工程は、第１面第１導電層３１１を形成する工程と同様であるので、説明を省略する。

（第１面第２絶縁層の形成工程）
次に、図１３に示すように、第１面第１絶縁層３１２上及び第１面第２導電層３２１上に第１面第２絶縁層３２２を形成する。また、基板１２の第２面１４上及び第２面第１導電層４１１上に第２面第１絶縁層４１２を形成する。

例えば、まず、有機材料を含む感光層と、基材とを有する第２面側フィルムを、基板１２の第２面１４側に貼り付ける。続いて、第２面側フィルムに露光処理及び現像処理を施す。これによって、第２面側フィルムの感光層からなる第２面第１絶縁層４１２を、基板１２の第２面１４側に形成することができる。
その後、有機材料を含む感光層と、基材とを有する第１面側フィルムを、基板１２の第１面１３側に貼り付ける。続いて、図１４に示す開口３２３が形成されるように第１面側フィルムに露光処理及び現像処理を施す。これによって、第１面第２導電層３２１上の一部及び第１面第１導電層３１１上の一部に開口３２３が形成された、第１面側フィルムの感光層からなる第１面第２絶縁層３２２を得ることができる。

図１３に示すように、第１面第２絶縁層３２２の一部や第２面第１絶縁層４１２の一部を貫通孔２０の内部に設けることにより、貫通孔２０を埋める有機層２６を形成してもよい。例えば、上述の第２面側フィルムや第１面側フィルムを貫通孔２０の内部に押し込むことによって、第１面第２絶縁層３２２や第２面第１絶縁層４１２と同時に貫通孔２０の内部に有機層２６を形成することができる。なお、第２面第１絶縁層４１２や第１面第２絶縁層３２２とは別の工程で有機層２６を形成してもよい。

なお、第２面第１絶縁層４１２や第１面第２絶縁層３２２の形成方法が、フィルムを用いる方法に限られることはない。例えば、まず、ポリイミドなどの有機材料を含む液を、スピンコート法などによって塗布し、乾燥させることによって有機層を形成する。続いて、有機層に露光処理及び現像処理を施すことにより、第２面第１絶縁層４１２や第１面第２絶縁層３２２を形成することもできる。

（第１面第３導電層の形成工程）
次に、図１４に示すように、第１面第１絶縁層３１２のうち第１面第２絶縁層３２２の開口３２３と重なる部分をエッチングして、第１面第１絶縁層３１２に開口を形成する。続いて、第１面第２絶縁層３２２の開口３２３及び第１面第１絶縁層３１２の開口を介して第１面第１導電層３１１又は第１面第２導電層３２１に接続される第１面第３導電層３３１を形成する。第１面第３導電層３３１を形成する工程は、第１面第１導電層３１１を形成する工程と同様であるので、説明を省略する。

（第１面第３絶縁層の形成工程）
その後、第１面第２絶縁層３２２上及び第１面第３導電層３３１上に部分的に第１面第３絶縁層３３２を形成する。これによって、図１に示す高周波部品１０を得ることができる。第１面第３絶縁層３３２を形成する方法は特には限定されない。第１面第２絶縁層３２２の場合と同様に、有機材料を含むフィルムや液を用いることによって、第１面第３絶縁層３３２を形成することができる。

（高周波部品の作用）
以下、本実施の形態による高周波部品１０の作用について説明する。

本実施の形態においては、高周波部品１０の基板１２がガラスを含む。ガラスは、従来の高周波部品の基板として用いられているシリコンに比べて、高い絶縁性を有する。このため、キャパシタ１５やインダクタ１６を通る高周波信号の一部が基板１２を通ってしまうことを抑制することができる。これにより、キャパシタ１５やインダクタ１６の帯域を高周波側に広げることができる。また、キャパシタ１５やインダクタ１６の耐電圧特性を改善することができる。

また、本実施の形態においては、キャパシタ１５を構成する第１面第１絶縁層３１２が、６ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁破壊電界を有する無機材料を含む。これにより、キャパシタ１５の耐電圧特性を更に改善することができる。また、第１面第１絶縁層３１２の厚みを７０ｎｍ以上にすることにより、キャパシタ１５の耐電圧特性を更に改善することができる。

また、本実施の形態においては、第１面第２絶縁層３２２、第１面第３絶縁層３３２、第２面第１絶縁層４１２、有機層２６などに含まれる有機材料が、０．００３以下の誘電正接を有する。このため、キャパシタ１５やインダクタ１６を通る高周波信号の一部が基板１２を通ってしまうことを抑制することができる。これにより、キャパシタ１５やインダクタ１６の帯域を更に高周波側に広げることができる。

また、本実施の形態においては、キャパシタ１５やインダクタ１６を構成する第１面第１導電層３１１、貫通電極２２、第２面第１導電層４１１が、５μｍ以上の厚みを有する。このため、半導体プロセスで作成される薄膜導電層を用いてキャパシタやインダクタを用いる場合に比べて、導電層で生じる損失を軽減することができる。この点でも、キャパシタ１５やインダクタ１６の帯域を高周波側に広げることができる。

また、本実施の形態においては、第１面第１導電層３１１上に第１面第１絶縁層３１２を形成する工程を実施する前に、第１面第１導電層３１１の表面をＮＨ_３プラズマに晒す表面処理工程を実施する。これにより、第１面第１導電層３１１と第１面第１絶縁層３１２との間の密着性を高めることができる。

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述の実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述の実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

（第１変形例）
図１５は、第１変形例に係る高周波部品１０を示す断面図である。図１５に示すように、高周波部品１０の基板１２の貫通孔２０は、基板１２の第１面１３及び第２面１４から基板１２の厚み方向の中央部に向かうにつれて幅が小さくなる形状を有していてもよい。

（第２変形例）
上述の実施の形態においては、キャパシタ１５の第１面第１絶縁層３１２が第１面第１導電層３１１を部分的に覆う例について説明した。本変形例においては、キャパシタ１５の第１面第１絶縁層３１２が第１面第１導電層３１１を部分的に覆う場合の、第１面第１導電層３１１及び第１面第１絶縁層３１２の構造の一例について、図１７乃至図２３を参照して具体的に説明する。

図１７は、本変形例に係る高周波部品１０のキャパシタ１５を拡大して示す平面図である。また、図１８は、図１７のキャパシタ１５を線Ｂ−Ｂに沿って切断した場合の断面図である。まず、本変形例に係るキャパシタ１５の第１面第１導電層３１１について説明する。

図１８に示す例において、キャパシタ１５の下部電極を構成する第１面第１導電層３１１は、シード層３６２及びめっき層３６３を含む。図示はしないが、本変形例においても、上述の実施の形態の場合と同様に、第１面第１導電層３１１が、シード層３６２と基板１２の第１面１３との間に位置するバリア層を更に含んでいてもよい。

以下の説明において、キャパシタ１５の第１面第１導電層３１１を構成する複数の層のうち、シード層３６２などの、基板１２側に位置する層のことを、下地層３６２とも称する。また、第１面第１導電層３１１を構成する複数の層のうち、めっき層３６３などの、下地層３６２よりも基板１２から遠い側に位置する層であり、且つ最も厚い層のことを、本体層３６３とも称する。第１面第１導電層３１１の側面３１１ｆは、下地層３６２の側面３６２ｆ及びめっき層３６３の側面３６３ｆを含む。なお「側面」とは、基板１２の第１面１３の面方向に沿って第１面第１導電層３１１を見た場合に視認される面である。

図１８に示すように、第１面第１導電層３１１の側面３１１ｆと基板１２の第１面１３との間に隙間３１１ｓが存在していてもよい。例えば、図１８に示すように、下地層３６２の側面３６２ｆは、本体層３６３の側面３６３ｆよりも内側に位置する。この結果、本体層３６３の側面３６３ｆと基板１２の第１面１３との間に、第１面第１導電層３１１が存在しない隙間３１１ｓが形成される。ここで「内側」とは、キャパシタ１５の断面図において、基板１２の第１面１３の面内方向におけるキャパシタ１５の中央位置に近い側を意味する。このような下地層３６２の側面３６２ｆは、後述するように、下地層３６２の側面３６２ｆがサイドエッチングされることによって生じる。

本体層３６３の側面３６３ｆのうち隙間３１１ｓに面する部分は、基板１２側に向かうにつれて内側に変位する形状を有する傾斜部を含んでいてもよい。傾斜部は、例えば、基板１２側に位置し、隙間３１１ｓに面する下側湾曲部３６３ｈである。下側湾曲部３６３ｈは、外側に凸となる形状を有する。なお「外側に凸」とは、下側湾曲部３６３ｈに外接する直線又は平面が本体層３６３と交わらないことを意味する。このような下側湾曲部３６３ｈは、後述するように、めっき処理によって本体層３６３を形成する際に本体層３６３に隣接するレジスト層３７の裾野部の形状に起因して生じる。また、側面３６３ｆは、基板１２から遠い側に位置する上側湾曲部３６３ｇを含んでいてもよい。なお、「下側」とは、基板１２の第１面１３の法線方向における本体層３６３の中央位置よりも基板１２に近い側を意味する。また、「上側」とは、基板１２の第１面１３の法線方向における本体層３６３の中央位置よりも基板１２から遠い側を意味する。

続いて、キャパシタ１５の第１面第１絶縁層３１２について説明する。図１８に示すように、第１面第１絶縁層３１２は、第１面第１導電層３１１の上面３１１ａに位置する第１部分３１２ａに加えて、第１面第１導電層３１１の側面３１１ｆに位置する第２部分３１２ｂを更に含む。第２部分３１２ｂは、第１部分３１２ａに接続されている。言い換えると、第１面第１絶縁層３１２の第１部分３１２ａ及び第２部分３１２ｂは、第１面第１導電層３１１の側面３１１ｆの上側の端部を覆うように連続的に広がっている。

図１８において、符号Ｔ１は、第１部分３１２ａの厚みを表し、符号Ｔ２は、第２部分３１２ｂの厚みを表す。第１部分３１２ａの厚みＴ１は、上述の実施の形態の場合と同様に、例えば５０ｎｍ以上且つ４００ｎｍ以下である。厚みＴ１は、例えば、基板１２の第１面１３の面内方向におけるキャパシタ１５の中央位置での第１部分３１２ａの厚みである。厚みＴ１は、第１部分３１２ａの厚みの最大値であってもよい。

好ましくは、第２部分３１２ｂの厚みＴ２は、第１部分３１２ａの厚みＴ１よりも小さい。また、好ましくは、第２部分３１２ｂの厚みＴ２は、第１部分３１２ａの厚みＴ１の１／４以上である。厚みＴ２は、例えば、第１面第１導電層３１１の厚み方向における中央位置での第２部分３１２ｂの厚みである。厚みＴ２は、第２部分３１２ｂの厚みの最大値であってもよい。

第１面第１絶縁層３１２の第２部分３１２ｂは、第１面第１導電層３１１の側面３１１ｆを完全には覆っていなくてもよい。例えば、第１面第１導電層３１１の側面３１１ｆの下側湾曲部３６３ｈなどの傾斜部が、少なくとも部分的に第１面第１絶縁層３１２から露出していてもよい。このような露出部は、後述するように、第１面第１絶縁層３１２が第１面第１導電層３１１の隙間３１１ｓに入り込み難いことに起因して生じる。

図１８に示すように、第１面第１絶縁層３１２は、基板１２の第１面１３に位置する第３部分３１２ｃを更に含んでいてもよい。第３部分３１２ｃは、第２部分３１２ｂに接続されていない。すなわち、第３部分３１２ｃは、上述の露出部によって第２部分３１２ｂから断絶されている。第２部分３１２ｂと第３部分３１２ｃとの間には、上述の第１面第２絶縁層３２２などの、第１面第１導電層３１１以外の層や材料が存在していてもよい。

以下、本変形例に係る高周波部品１０のキャパシタ１５の製造方法について、図１９乃至図２２を参照して説明する。

まず、上述の実施の形態の場合と同様に、基板１２を準備する。また、基板１２の第１面１３上、第２面１４及び側壁２１上に、例えば無電解めっきによって下地層３６２を形成する。続いて、下地層３６２上に部分的にレジスト層３７を形成する。その後、レジスト層３７を露光及び現像して、図１９に示すように、レジスト層３７に開口部３７ｃを形成する。レジスト層３７は、開口部３７ｃに面する側面３７ｆを含む。側面３７ｆは、下地層３６２に接する裾野部３７ｈを含んでいてもよい。裾野部３７ｈは、開口部３７ｃ側に突出するとともに、開口部３７ｃ側に向かうにつれて厚みが小さくなる形状を有する。このような裾野部３７ｈは、例えば、ネガ型の感光性樹脂をレジスト層３７として用いる場合に形成され得る。

次に、電解めっきによって、レジスト層３７によって覆われていない下地層３６２上に本体層３６３を形成する。続いて、図２０に示すように、レジスト層３７を除去する。本体層３６３は、レジスト層３７の側面３７ｆに対応する形状を有する側面３６３ｆと、レジスト層３７の裾野部３７ｈに対応する形状を有する下側湾曲部３６３ｈとを有する。

次に、図２１に示すように、下地層３６２のうちレジスト層３７によって覆われていた部分を、例えばウェットエッチングにより除去する。この際、下地層３６２がサイドエッチングされることにより、下地層３６２の側面３６２ｆが、本体層３６３の側面３６３ｆよりも内側に位置するようになる。また、下地層３６２に比べてエッチングレートは低いが、本体層３６３もエッチングされる。この結果、図２１に示すように、本体層３６３の側面３６３ｆの上側にも上側湾曲部３６３ｇが形成され得る。

次に、上述の実施の形態の場合と同様に、第１面第１導電層３１１の表面をＮＨ_３プラズマなどのプラズマに晒す表面処理工程を実施してもよい。次に、図２２に示すように、第１面第１導電層３１１上に第１面第１絶縁層３１２を形成する。例えば、プラズマＣＶＤやスパッタリングなどの成膜法によって第１面第１絶縁層３１２を形成する。この場合、図２２に示すように、第１面第１導電層３１１の上面３１１ａだけでなく側面３１１ｆにも第１面第１絶縁層３１２が形成され得る。例えば、上述の第２部分３１２ｂが本体層３６３の側面に形成される。

ところで、上述のように、下地層３６２の側面３６２ｆは、本体層３６３の側面３６３ｆよりも内側に位置している。このため、第１面第１導電層３１１の側面３１１ｆと基板１２の第１面１３との間には隙間３１１ｓが存在している。成膜工程の際、隙間３１１ｓには第１面第１絶縁層３１２を構成する材料が入り込み難い。このため、下地層３６２の側面３６２ｆや本体層３６３の下側湾曲部３６３ｈには、第１面第１絶縁層３１２が形成され難い。この結果、図２２に示すように、下地層３６２の側面３６２ｆや本体層３６３の下側湾曲部３６３ｈが、少なくとも部分的に第１面第１絶縁層３１２から露出するようになる。また、基板１２の第１面１３に形成される第１面第１絶縁層３１２の第３部分３１２ｃが、第１面第１導電層３１１の側面３１１ｆに形成される第１面第１絶縁層３１２の第２部分３１２ｂとは分断されることになる。

その後、第１面第１絶縁層３１２の第１部分３１２ａ上に第１面第２導電層３２１を形成する。これにより、図１８に示すキャパシタ１５を得ることができる。

（本変形例に係る高周波部品の効果）
本変形例に係る高周波部品１０のキャパシタ１５においては、第１面第１導電層３１１の上面３１１ａだけでなく側面３１１ｆにも第１面第１絶縁層３１２が設けられている。このため、製造公差などに起因して第１面第１導電層３１１に対する第１面第２導電層３２１の位置がずれた場合であっても、第１面第２導電層３２１が第１面第１導電層３１１の側面３１１ｆに接触してしまうことを抑制することができる。このことにより、第１面第１導電層３１１と第１面第２導電層３２１とが導通するという不具合が生じることを抑制することができる。

また、本変形例に係るキャパシタ１５においては、第１面第１導電層３１１の側面３１１ｆに位置する第１面第１絶縁層３１２の第２部分３１２ｂと、基板１２の第１面１３に位置する第１面第１絶縁層３１２の第３部分３１２ｃとが断絶されている。これにより得られる効果について、図２３を参照して説明する。

図２３は、基板１２の第１面１３の面内方向において複数の、例えば２つのキャパシタ１５が隣接する場合を示す断面図である。この場合、仮に第１面第１絶縁層３１２の第２部分３１２ｂと第３部分３１２ｃとが接続されていると、一方のキャパシタ１５と他方のキャパシタ１５とが電気的に影響を及ぼしあう可能性がある。この結果、例えば、キャパシタ１５の静電容量の値が設計値からずれてしまうことが考えられる。

これに対して、本変形例によれば、第１面第１絶縁層３１２の第２部分３１２ｂと第３部分３１２ｃとが断絶されているので、一方のキャパシタ１５と他方のキャパシタ１５とが電気的に影響を及ぼしあうことを抑制することができる。これにより、例えば、キャパシタ１５の静電容量の値が設計値からずれてしまうことを抑制することができる。

次に、本開示の形態を実施例により更に具体的に説明するが、本開示の形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

（無機材料の評価）
無機材料を含む絶縁層の絶縁破壊電界を、ＪＩＳ Ｃ ２１１０−１：２０１０に準拠して測定した。無機材料を含む絶縁層としては、下記の４種類を準備した。測定器としては、ケースレー製のピコアンメーターを用いた。
・プラズマＣＶＤ法によって作製した、厚み２００ｎｍのＳｉＮの層
・スパッタリング法によって作製した、厚み２００ｎｍのＳｉＮの層
・スパッタリング法によって作製した、厚２００ｎｍのＳｉＯ_２の層
・スパッタリング法によって作製した、厚み１００ｎｍのＡｌＯ_ｘの層（ｘは２〜４）

また、上記４種類の絶縁層に２０Ｖの直流電圧を印加した場合に流れる電流、すなわち漏れ電流を測定した。測定器としては、ケースレー製のピコアンメーターを用いた。

表１に、絶縁破壊電界及び漏れ電流の測定結果を示す。プラズマＣＶＤ法によって形成された層を絶縁層として用いることにより、６ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁破壊電界及び１×１０^１２Ａ以下の漏れ電流を実現することができた。

（有機材料の評価）
有機材料を含む絶縁層の誘電正接及び比誘電率を、ＪＩＳ Ｃ ２１３８：２００７に準拠して測定した。有機材料を含む絶縁層としては、下記の５種類を準備した。測定器としては、キーサイト製のＰＮＡ Ｎｅｔｗｏｒｋ ａｎａｌｙｓｅｒを用いた。
・フィルムタイプのポリイミド 品名：ＬＰＡ１５２６ 厚み：１９μｍ
・塗布タイプのポリイミド 品名：ＨＤ７０１０ 厚み：９μｍ
・塗布タイプのポリイミド 品名：ＰＮ２０１０ 厚み：９μｍ
・フィルムタイプのエポキシ 品名：ＰＦＲ 厚み：２０μｍ
・フィルムタイプのエポキシ 品名：ＦＺ 厚み：２０μｍ

また、上記５種類の絶縁層の、５ＧＨｚにおける透過損失を測定した。測定器としては、キーサイト製のＰＮＡ Ｎｅｔｗｏｒｋ ａｎａｌｙｓｅｒを用いた。

表２に、誘電正接、比誘電率、及び透過損失の測定結果を示す。ポリイミドによって形成された層を絶縁層として用いることにより、０．００３以下の誘電正接、３．４以下の誘電率、及び０．０７以下の透過損失を実現することができた。

１０ 高周波部品
１２ 基板
１３ 第１面
１４ 第２面
１５ キャパシタ
１６ インダクタ
２０ 貫通孔
２１ 側壁
２２ 貫通電極
２６ 有機層
３０ 第１配線構造部
３１ 第１面第１配線層
３１１ 第１面第１導電層
３１１ａ 上面
３１１ｆ 側面
３１２ 第１面第１絶縁層
３１２ａ 第１部分
３１２ｂ 第２部分
３１２ｃ 第３部分
３２ 第１面第２配線層
３２１ 第１面第２導電層
３２２ 第１面第２絶縁層
３３ 第１面第３配線層
３３１ 第１面第３導電層
３３２ 第１面第３絶縁層
３６１ 密着層
３６２ シード層（下地層）
３６２ｆ 側面
３６３ めっき層（本体層）
３６３ｆ 側面
３６３ｇ 上側湾曲部
３６３ｈ 下側湾曲部
４０ 第２配線構造部
４１ 第２面第１配線層
４１１ 第２面第１導電層
４１２ 第２面第１絶縁層

Claims (1)

1. 第１側に位置する第１面及び前記第１側とは反対の第２側に位置する第２面を含み、ガラスを有する基板と、
   前記基板の前記第１面に位置するキャパシタと、を備え、
   前記キャパシタは、前記基板の前記第１面に位置する第１面第１導電層と、前記第１面第１導電層上に位置する第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層上に位置する第１面第２導電層と、を有し、
   前記第１面第１絶縁層は、６ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁破壊電界を有する無機材料を含む、高周波部品。

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