JP2021091668A - フッ素系炭化水素化合物の脱水方法 - Google Patents
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Abstract
Description
フッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法であって、
前記フッ素系炭化水素化合物は、1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFC-134a)、1,1,1,2,2-ペンタフルオロエタン(HFC-125)、ジフルオロメタン(HFC-32)、及び、2,3,3,3-テトラフルオロプロペン(HFO-1234yf)からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であり、
前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上のゼオライトに接触させる工程を含む、脱水方法。
フッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法であって、
前記フッ素系炭化水素化合物は、1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFC-134a)、1,1,1,2,2-ペンタフルオロエタン(HFC-125)、ジフルオロメタン(HFC-32)、及び、2,3,3,3-テトラフルオロプロペン(HFO-1234yf)からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であり、
前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、チャバザイト型ゼオライト、モルデナイト型ゼオライト、ベータ型ゼオライト、及び、Y型ゼオライトからなる群から選択される少なくとも一種のゼオライトに接触させる工程を含む、脱水方法。
前記工程は、脱水後の組成物において、水分量を3ppmwt未満とする、前記項1又は2に記載の脱水方法。
更に、前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、前記ゼオライトに接触させて、1,1,2,2-テトラフルオロエタン(HFC-134)を除去する工程を含む、前記項1〜3のいずれかに記載の脱水方法。
フッ素系炭化水素化合物を含む組成物の製造方法であって、
前記フッ素系炭化水素化合物は、1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFC-134a)、1,1,1,2,2-ペンタフルオロエタン(HFC-125)、ジフルオロメタン(HFC-32)、及び、2,3,3,3-テトラフルオロプロペン(HFO-1234yf)からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であり、
前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上のゼオライトに接触させる工程を含む、製造方法。
フッ素系炭化水素化合物を含む組成物の製造方法であって、
前記フッ素系炭化水素化合物は、1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFC-134a)、1,1,1,2,2-ペンタフルオロエタン(HFC-125)、ジフルオロメタン(HFC-32)、及び、2,3,3,3-テトラフルオロプロペン(HFO-1234yf)からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であり、
前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、チャバザイト型ゼオライト、モルデナイト型ゼオライト、ベータ型ゼオライト、及び、Y型ゼオライトからなる群から選択される少なくとも一種のゼオライトに接触させる工程を含む、製造方法。
前記ゼオライトに接触させた後の組成物は、水分量が3ppmwt未満である、前記項5又は6に記載の製造方法。
更に、前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、前記ゼオライトに接触させて、1,1,2,2-テトラフルオロエタン(HFC-134)を除去する工程を含む、前記項5〜7のいずれかに記載の製造方法。
シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上のゼオライトに、1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFC-134a)、1,1,1,2,2-ペンタフルオロエタン(HFC-125)、ジフルオロメタン(HFC-32)、及び、2,3,3,3-テトラフルオロプロペン(HFO-1234yf)からなる群から選択される少なくとも一種のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物を接触させて、該フッ素系炭化水素化合物に含まれる不純物を除去する工程を有することを特徴とする高純度フッ素系炭化水素化合物の製造方法。
チャバザイト型ゼオライト、モルデナイト型ゼオライト、ベータ型ゼオライト、及び、Y型ゼオライトからなる群から選択される少なくとも一種のゼオライトに、1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFC-134a)、1,1,1,2,2-ペンタフルオロエタン(HFC-125)、ジフルオロメタン(HFC-32)、及び、2,3,3,3-テトラフルオロプロペン(HFO-1234yf)からなる群から選択される少なくとも一種のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物を接触させて、該フッ素系炭化水素化合物に含まれる不純物を除去する工程を有することを特徴とする高純度フッ素系炭化水素化合物の製造方法。
前記不純物は、水、及び、1,1,2,2-テトラフルオロエタン(HFC-134)からなる群から選択される少なくとも一種の成分である、前記項9又は10に記載の脱水方法。
前記不純物除去後のフッ素系炭化水素化合物に含まれる水分濃度は、水分量が3ppmwt未満である、前記項9〜11のいずれかに記載の製造方法。
前記不純物除去後のフッ素系炭化水素化合物に含まれるHFC-134濃度は、好ましくは、HFC-134の含有量が3ppmwt未満である、製造方法である。
フッ素系炭化水素化合物を含む組成物であって、
前記フッ素系炭化水素化合物は、1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFC-134a)、1,1,1,2,2-ペンタフルオロエタン(HFC-125)、ジフルオロメタン(HFC-32)、及び、2,3,3,3-テトラフルオロプロペン(HFO-1234yf)からなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含み、
水分量が3ppmwt未満である、又は/及び、HFC-134の含有量が3ppmwt未満である組成物。
エッチングガス、冷媒、熱移動媒体、デポジットガス、有機合成用ビルディングブロック、又は、クリーニングガスとして用いられる、前記項13に記載の組成物。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法は、フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上のゼオライトに接触させる工程を含む。
HFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物は、半導体の製造において酸化ケイ素及び関連材料の為のエッチングガス等として使用される。半導体産業で使用されるHFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物は、極めて高純度であることが要求される。半導体製造プロセスにおけるエッチングガスは、特に水分の除去が重要である。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法は、HFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、特定のゼオライトに接触させる工程を含む。
(MI,MII 1/2)m(AlmSinO2(m+n))・xH2O, (n≧m)
(MI:Li+、Na+、K+等、MII:Ca2+、Mg2+、Ba2+等)
の組成で表され、陽イオンが、アルミノケイ酸塩の骨格の負電荷を補償する。
本開示では、HFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物から、効率良く脱水処理を行うことができ、脱水処理の時間が経過しても、ゼオライトからの水分の放出が良好に抑制される点から、また、より好ましくは、HFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物から、効率良くHFC-134を除去することができる点から、シリカアルミナ比(SiO2/Al2O3比)(モル比)が5以上のゼオライトを用いる。本開示では、用いるゼオライトのSiO2/Al2O3比は、好ましくは5.5以上であり、より好ましくは6以上である。
チャバザイト型(CHA型)構造は、3次元の細孔構造を有し、細孔径は約0.38nm(3.8Å)あり、内部に大きなケージを有している。
モルデナイト(mordenite)は、モルデン沸石とも称され、化学式は、(Ca,K2,Na2)〔AlSi5O12〕2・7H2Oであり、ケイ酸塩鉱物である。モルデナイト型のモルデナイト構造は、一般に、SiO4とAlO4が酸素を共有して結合した酸素12員環と8員環からなる細孔構造を有するゼオライトであり、その細孔径は酸素12員環が0.67nm×0.70nm程度であり、酸素8員環が0.29nm×0.57nm程度である。
ベータ型ゼオライトは、Si及びAlを含む結晶性アルミノケイ酸塩の1種であって、酸素12員環の細孔を含む3次元の細孔構造を有している。
Y型ゼオライトは、直径0.74nm程度の細孔入口を有し、市販のゼオライトの中では最も大きな細孔をもつゼオライトである。
本開示では、HFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物から、効率良く脱水処理を行うことができ、脱水処理の時間が経過しても、ゼオライトからの水分の放出が良好に抑制される点から、また、より好ましくは、HFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物から、効率良くHFC-134を除去することができる点から、好ましくは3Å〜15Åの平均細孔径を有するゼオライトを用いる。本開示では、用いるゼオライトの平均細孔径は、より好ましくは4Å〜12Åであり、特に好ましくは5Å〜10Åの平均細孔径を有するゼオライトである。
本開示では、HFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物から、効率良く脱水処理を行うことができ、脱水処理の時間が経過しても、ゼオライトからの水分の放出が良好に抑制される点から、また、より好ましくは、HFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物から、効率良くHFC-134を除去することができる点から、ゼオライトのカチオン種(陽イオン種)は、好ましくは、H+、Li+、Na+、K+、Ca2+、Mg2+、Ba2+等であり、更に好ましくは、H+、Na+等であるカチオン種のゼオライトを好ましく用いることができる。
本開示では、HFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物から、効率良く脱水処理を行うことができ、脱水処理の時間が経過しても、ゼオライトからの水分の放出が良好に抑制される点から、また、より好ましくは、HFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物から、効率良くHFC-134を除去することができる点から、ゼオライトのBET法により測定した比表面積(以下、BET比表面積とも称する。)は、好ましくは50m2/g〜3,000m2/gであり、より好ましくは100m2/g〜1,000m2/gであり、更に好ましくは200m2/g〜800m2/gであり、特に好ましくは250m2/g〜700m2/gである。
本開示で使用するゼオライトは、好ましくは多孔質である。
本開示では、HFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物から、効率良く脱水処理を行うことができ、脱水処理の時間が経過しても、ゼオライトからの水分の放出が良好に抑制される点から、また、より好ましくは、HFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物から、効率良くHFC-134を除去することができる点から、上記説明の通り、好ましくは、シリカアルミナ比(SiO2/Al2O3比)(モル比)が5以上であり、チャバザイト型ゼオライト、モルデナイト型ゼオライト、ベータ型ゼオライト、及び、Y型ゼオライトからなる群から選択される少なくとも一種のゼオライトを用いる。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法は、フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上のゼオライトに接触させる工程、及び/又は、チャバザイト型ゼオライト、モルデナイト型ゼオライト、ベータ型ゼオライト、及び、Y型ゼオライトからなる群から選択される少なくとも一種のゼオライトに接触させる工程を含む。前記脱水方法は、好ましくは、更に、前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、前記ゼオライトに接触させて、HFC-134を除去する工程を含む。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法では、前記接触工程は、前記HFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、(i)シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上のゼオライトに接触させる工程、及び(ii)チャバザイト型ゼオライト、モルデナイト型ゼオライト、ベータ型ゼオライト、及び、Y型ゼオライトからなる群から選択される少なくとも一種のゼオライトに接触させる工程のうち、いずれか1つの工程であっても良いし、(iii)シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上のゼオライトに接触させる工程と、チャバザイト型ゼオライト、モルデナイト型ゼオライト、ベータ型ゼオライト、及び、Y型ゼオライトからなる群から選択される少なくとも一種のゼオライトに接触させる工程と、を組み合わせた方法であっても良い。
本開示では、フッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法は、フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、上記の通り、シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上のゼオライトに接触させる工程、チャバザイト型ゼオライト、モルデナイト型ゼオライト、ベータ型ゼオライト、及び、Y型ゼオライトからなる群から選択される少なくとも一種のゼオライトに接触させる工程、及び/又は、シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上の、チャバザイト型ゼオライト、モルデナイト型ゼオライト、ベータ型ゼオライト、及び、Y型ゼオライトからなる群から選択される少なくとも一種のゼオライトに接触させる工程の際に、当該工程を気相で行うことが好ましい。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法では、気相で、前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を特定のゼオライトに接触させる温度は特に制限はない。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法では、気相で、前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を特定のゼオライトに接触させる時間は特に制限はない。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法では、気相で、前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を特定のゼオライトに接触させる圧力は特に制限はない。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法では、気相で、前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を特定のゼオライトに接触させる為の反応器としては、上記温度及び圧力に耐え得るものであれば、形状及び構造は特に限定されない。前記反応器としては、例えば、縦型反応器、横型反応器、多管型反応器等が挙げられる。反応器の材質としては、例えば、ガラス、ステンレス、鉄、ニッケル、鉄ニッケル合金等が挙げられる。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法では、気相で、前記反応器において、特定のゼオライトに、前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を連続的に接触させて、当該反応器から、脱水処理後のフッ素系炭化水素化合物を連続的に抜き出す流通式及びバッチ式のいずれの方式によっても実施することができる。脱水処理後のフッ素系炭化水素化合物が反応器に留まらないように、流通式で実施することが好ましい。
本開示では、フッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法は、フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、上記の通り、シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上のゼオライトに接触させる工程、チャバザイト型ゼオライトに接触させる工程、及び/又は、シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上のチャバザイト型ゼオライトに接触させる工程の際に、当該工程を液相で行うことが好ましい。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法では、液相で行う時は、フッ素系炭化水素化合物が液状ではあれば、特に溶媒を必要としない。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法では、液相で、前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を特定のゼオライトに接触させる温度は特に制限はない。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法では、液相で、前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を特定のゼオライトに接触させることができれば、反応器に制限は無い。前記液相の条件は、前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物が良好に液化すればよく、フッ素系炭化水素化合物の飽和蒸気圧での反応でも良い。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法では、液相で、前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を特定のゼオライトに接触させることができれば、反応器において、圧力は特に制限はない。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法によれば、HFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物を脱水する際に、前記シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上のゼオライトや、チャバザイト型ゼオライト、モルデナイト型ゼオライト、ベータ型ゼオライト、及び、Y型ゼオライトからなる群から選択される少なくとも一種のゼオライトを用いることで、時間が経過しても、ゼオライトに吸着された水分の放出が抑制されている。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の製造方法は、前記フッ素系炭化水素化合物は、HFC-134a、HFC-125、HFC-32、及び、HFO-1234yfからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含み、前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上のゼオライトに接触させる工程を含む。
前記不純物は、好ましくは、水、及び、HFC-134からなる群から選択される少なくとも一種の成分である。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物は、前記フッ素系炭化水素化合物は、HFC-134a、HFC-125、HFC-32、及び、HFO-1234yfからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含み、水分量が3ppmwt未満である。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物の水分量は、カールフィッシャー水分計を用いて測定した水分量であり、カールフィッシャー法に基づく水分量とする。具体的には、カールフィッシャー水分計に、フッ素系炭化水素化合物を含む組成物(液化ガス)を1g投入し、水分を溶媒に捕集し、滴定法で測定した値をいう。
本開示のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物のHFC-134の含有量は、質量分析及び構造解析に基づき、測定することが可能である。
HFC-134の含有量(ppm)を、例えば、3ppmvol未満と言い換えることができる。
下記の測定の装置、条件及び方法により、水分量を測定した。
測定条件:電量滴定法
フッ素系炭化水素化合物:HFC-134a
HFC-134aを含む組成物を、シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上であり、チャバザイト型ゼオライト(実施例1)、モルデナイト型ゼオライト(実施例2)、ベータ型ゼオライト(実施例3)、又は、Y型ゼオライト(実施例4)に接触させた。
HFC-134aを含む組成物を、シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5未満であり、チャバザイト型ではないA型ゼオライトに接触させた。
フッ素系炭化水素化合物:HFC-134a
このHFC-134aは、5ppmwt(質量/質量)の水を含む試料である。
フッ素系炭化水素化合物:HFC-134a
このHFC-134aは、5ppmwt(質量/質量)の水とHFC-134を500ppmvol(体積/体積)含む試料である。
実施例で使用したチャバザイト型(A類似型)ゼオライトは、合成ゼオライトであるA型ゼオライトの5AのAlO4を、SiO4で置き換え、その結晶構造がチャバサイトと同じ結晶構造を有しているゼオライトである。
半導体集積回路デバイスは、その高速化・高集積化に伴い、回路パターンの微細化が進んでいる。HFC-134a等のフッ素系炭化水素化合物は最も微細なコンタクトホールをエッチングするのに必須のガスである。
Claims (14)
- フッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法であって、
前記フッ素系炭化水素化合物は、1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFC-134a)、1,1,1,2,2-ペンタフルオロエタン(HFC-125)、ジフルオロメタン(HFC-32)、及び、2,3,3,3-テトラフルオロプロペン(HFO-1234yf)からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であり、
前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上のゼオライトに接触させる工程を含む、脱水方法。 - フッ素系炭化水素化合物を含む組成物の脱水方法であって、
前記フッ素系炭化水素化合物は、1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFC-134a)、1,1,1,2,2-ペンタフルオロエタン(HFC-125)、ジフルオロメタン(HFC-32)、及び、2,3,3,3-テトラフルオロプロペン(HFO-1234yf)からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であり、
前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、チャバザイト型ゼオライト、モルデナイト型ゼオライト、ベータ型ゼオライト、及び、Y型ゼオライトからなる群から選択される少なくとも一種のゼオライトに接触させる工程を含む、脱水方法。 - 前記工程は、脱水後の組成物において、水分量を3ppmwt未満とする、請求項1又は2に記載の脱水方法。
- 更に、前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、前記ゼオライトに接触させて、1,1,2,2-テトラフルオロエタン(HFC-134)を除去する工程を含む、請求項1〜3のいずれかに記載の脱水方法。
- フッ素系炭化水素化合物を含む組成物の製造方法であって、
前記フッ素系炭化水素化合物は、1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFC-134a)、1,1,1,2,2-ペンタフルオロエタン(HFC-125)、ジフルオロメタン(HFC-32)、及び、2,3,3,3-テトラフルオロプロペン(HFO-1234yf)からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であり、
前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上のゼオライトに接触させる工程を含む、製造方法。 - フッ素系炭化水素化合物を含む組成物の製造方法であって、
前記フッ素系炭化水素化合物は、1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFC-134a)、1,1,1,2,2-ペンタフルオロエタン(HFC-125)、ジフルオロメタン(HFC-32)、及び、2,3,3,3-テトラフルオロプロペン(HFO-1234yf)からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であり、
前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、チャバザイト型ゼオライト、モルデナイト型ゼオライト、ベータ型ゼオライト、及び、Y型ゼオライトからなる群から選択される少なくとも一種のゼオライトに接触させる工程を含む、製造方法。 - 前記ゼオライトに接触させた後の組成物は、水分量が3ppmwt未満である、請求項5又は6に記載の製造方法。
- 更に、前記フッ素系炭化水素化合物を含む組成物を、前記ゼオライトに接触させて、1,1,2,2-テトラフルオロエタン(HFC-134)を除去する工程を含む、請求項5〜7のいずれかに記載の製造方法。
- シリカアルミナ(SiO2/Al2O3)比が5以上のゼオライトに、1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFC-134a)、1,1,1,2,2-ペンタフルオロエタン(HFC-125)、ジフルオロメタン(HFC-32)、及び、2,3,3,3-テトラフルオロプロペン(HFO-1234yf)からなる群から選択される少なくとも一種のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物を接触させて、該フッ素系炭化水素化合物に含まれる不純物を除去する工程を有することを特徴とする高純度フッ素系炭化水素化合物の製造方法。
- チャバザイト型ゼオライト、モルデナイト型ゼオライト、ベータ型ゼオライト、及び、Y型ゼオライトからなる群から選択される少なくとも一種のゼオライトに、1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFC-134a)、1,1,1,2,2-ペンタフルオロエタン(HFC-125)、ジフルオロメタン(HFC-32)、及び、2,3,3,3-テトラフルオロプロペン(HFO-1234yf)からなる群から選択される少なくとも一種のフッ素系炭化水素化合物を含む組成物を接触させて、該フッ素系炭化水素化合物に含まれる不純物を除去する工程を有することを特徴とする高純度フッ素系炭化水素化合物の製造方法。
- 前記不純物は、水、及び、1,1,2,2-テトラフルオロエタン(HFC-134)からなる群から選択される少なくとも一種の成分である、請求項9又は10に記載の脱水方法。
- 前記不純物除去後のフッ素系炭化水素化合物に含まれる水分濃度は、水分量が3ppmwt未満である、請求項9〜11のいずれかに記載の製造方法。
- フッ素系炭化水素化合物を含む組成物であって、
前記フッ素系炭化水素化合物は、1,1,1,2-テトラフルオロエタン(HFC-134a)、1,1,1,2,2-ペンタフルオロエタン(HFC-125)、ジフルオロメタン(HFC-32)、及び、2,3,3,3-テトラフルオロプロペン(HFO-1234yf)からなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含み、
水分量が3ppmwt未満である、又は/及び、HFC-134の含有量が3ppmwt未満である組成物。 - エッチングガス、冷媒、熱移動媒体、デポジットガス、有機合成用ビルディングブロック、又は、クリーニングガスとして用いられる、請求項13に記載の組成物。
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