JP2021086843A - 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】処理ガスを用いて基板を処理した後、基板に残留するガス成分を適切に除去する。【解決手段】基板の洗浄装置であって、水蒸気を生成するように構成された気化部と、窒素ガスを第１の温度まで加熱するように構成された第１の加熱部と、窒素ガスを第２の温度まで加熱するように構成された第２の加熱部であり、前記第２の温度は前記第１の温度よりも高い、第２の加熱部と、前記気化部、前記第１の加熱部及び前記第２の加熱部に接続された少なくとも１つの洗浄チャンバであり、前記洗浄チャンバは、大気圧下で少なくとも１つの基板を水蒸気、前記第１の温度を有する窒素ガス、又は前記第２の温度を有する窒素ガスに晒すように構成される、少なくとも１つの洗浄チャンバと、を有する。【選択図】図３

Description

本開示は、基板洗浄装置及び基板洗浄方法に関する。
特許文献１には、基板に弗素を含有するガスを用いた処理を施す第１のステップと、前記基板を、水分を含有する雰囲気へ晒す第２のステップとを有する、基板処理方法が開示されている。この基板処理方法では、水分を含有する雰囲気へ基板を晒すことで、基板の表面に残留する弗素を除去する。
特開２０１７−１２６７３４号公報
本開示にかかる技術は、処理ガスを用いて基板を処理した後、基板に残留するガス成分を適切に除去する。
本開示の一態様は、基板の洗浄装置であって、水蒸気を生成するように構成された気化部と、窒素ガスを第１の温度まで加熱するように構成された第１の加熱部と、窒素ガスを第２の温度まで加熱するように構成された第２の加熱部であり、前記第２の温度は前記第１の温度よりも高い、第２の加熱部と、前記気化部、前記第１の加熱部及び前記第２の加熱部に接続された少なくとも１つの洗浄チャンバであり、前記洗浄チャンバは、大気圧下で少なくとも１つの基板を水蒸気、前記第１の温度を有する窒素ガス、又は前記第２の温度を有する窒素ガスに晒すように構成される、少なくとも１つの洗浄チャンバと、を有する。
本開示によれば、処理ガスを用いて基板を処理した後、基板に残留するガス成分を適切に除去することができる。
本実施形態にかかるウェハ処理装置の構成の概略を示す平面図である。 第１の実施形態にかかるウェハ洗浄モジュールの構成の概略を示す説明図である。 第１の実施形態にかかるウェハ洗浄モジュールの構成の概略を示す説明図である。 第１の実施形態にかかる洗浄チャンバの構成の概略を示す説明図である。 第１の実施形態にかかる洗浄チャンバの構成の概略を示す平面図である。 第１の実施形態にかかる洗浄チャンバの構成の概略を示す側面図である。 第１の実施形態にかかる洗浄チャンバの内部において供給口から供給されたガスの流路を示す説明図である 第１の実施形態にかかるウェハの洗浄処理におけるウェハ洗浄モジュールの動作を示す説明図である。 第１の実施形態の変形例にかかるウェハ洗浄モジュールの構成の概略を示す説明図である。 第２の実施形態にかかるウェハ洗浄モジュールの構成の概略を示す説明図である。 第２の実施形態にかかるウェハの洗浄処理におけるウェハ洗浄モジュールの動作を示す説明図である。 第３の実施形態にかかるウェハ洗浄モジュールの構成の概略を示す説明図である。 第３の実施形態にかかる洗浄チャンバの構成の概略を示す説明図である。 第３の実施形態にかかるキャップ部の構成の概略を示す説明図である。 第３の実施形態にかかる洗浄チャンバの上部収容空間において供給口から供給されたガスの流路を示す説明図である。 第３の実施形態にかかる洗浄チャンバの下部収容空間において供給口から供給されたガスの流路を示す説明図である。 第３の実施形態にかかるウェハの洗浄処理におけるウェハ洗浄モジュールの動作を示す説明図である。 第４の実施形態にかかるウェハ洗浄モジュールの構成の概略を示す説明図である。
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という場合がある。）の表面に形成された酸化膜をエッチングして除去する工程が行われている。例えば、酸化膜のエッチング工程は、ＣＯＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｒｅｍｏｖａｌ）処理とＰＨＴ（Ｐｏｓｔ Ｈｅａｔ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理により行われる。
ＣＯＲ処理では、酸化膜の表面に処理ガスを供給し、酸化膜と処理ガスとを化学反応させ、当該酸化膜を変質させて反応生成物を生成する。この処理ガスには例えばフッ化水素ガスとアンモニアガスが用いられ、反応生成物としてフルオロ珪酸アンモニウム（ＡＦＳ）が生成される。ＰＨＴ処理では、ウェハを収容した処理室に、当該ウェハ上のＡＦＳを昇華温度以上に加熱して気化（昇華）させる。これらＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を連続的に行うことにより、酸化膜のエッチングが行われる。
ところで、ＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を施した後のウェハの表面には、フッ素が残留する場合がある。残留したフッ素はウェハの表面に形成された配線膜などを腐食し、ウェハから製造される半導体デバイスの電気特性を劣化させるおそれがある。したがって、ウェハの表面に残留するフッ素を除去する必要がある。
フッ素を除去する方法として、従来、洗浄液としてＤＨＦ（希フッ酸）やＤＩＷ（純水）を用いるウェット洗浄をウェハに施す方法や、プラズマによりフッ素を除去する方法などが行われている。しかしながら、ウェット洗浄による方法では、洗浄液の表面張力によって、ウェハの表面に形成された微細なパターンが倒れるおそれがある。また、プラズマを用いた方法では、プラズマを発生させるための機構が必要となる上に、プラズマを発生させるための減圧工程も必要となるため、ウェハ処理のスループットが低下する。
そこで、上述した特許文献１に記載された方法では、水分を含有する雰囲気へウェハを晒すことでフッ素を除去する。具体的には、処理室にウェハを搬入した後、水分供給機構から処理室に水蒸気を供給し、処理室内のウェハの表面が、所望の湿度に調整された雰囲気に晒される。その後、所望の時間が経過すると、処理室からウェハが搬出される。
かかる場合、ウェハが高湿度の雰囲気に晒された状態で搬出されるため、搬出時にはウェハの表面に水分が残留する場合がある。このように水分が残留した状態でウェハを搬送すると、ウェハの搬送装置やウェハの収容容器が濡れるおそれがある。しかしながら、特許文献１には、フッ素除去後のウェハをどのように処理するかについては開示されていない。したがって、従来の洗浄処理には改善の余地がある。
本開示にかかる技術は、ウェハの表面に残留するフッ素を適切に除去する。以下、本実施形態にかかるウェハ処理装置及びウェハ処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜ウェハ処理装置＞
先ず、本実施形態にかかるウェハ処理装置の構成について説明する。図１は、本実施形態にかかるウェハ処理装置の構成の概略を示す平面図である。本実施形態においては、ウェハ処理装置１が、基板としてのウェハＷにＣＯＲ処理、ＰＨＴ処理、洗浄処理、及びオリエント処理を行うための各種処理モジュールを備える場合について説明する。なお、本開示のウェハ処理装置１のモジュール構成はこれに限られず、任意に選択され得る。
図１に示すようにウェハ処理装置１は、大気部１０と減圧部１１がロードロックモジュール２０ａ、２０ｂを介して一体に接続された構成を有している。大気部１０は、大気圧雰囲気下においてウェハＷに所望の処理を行う複数の大気モジュールを備える。減圧部１１は、減圧雰囲気下においてウェハＷに所望の処理を行う複数の減圧モジュールを備える。
ロードロックモジュール２０ａは、大気部１０の後述するローダーモジュール３０から搬送されたウェハＷを、減圧部１１の後述するトランスファモジュール６０に引き渡すため、ウェハＷを一時的に保持する。ロードロックモジュール２０ａは、２枚のウェハＷを鉛直方向に沿って保持する上部ストッカ２１ａと下部ストッカ２２ａを有している。
ロードロックモジュール２０ａは、ゲートバルブ２３ａが設けられたゲート２４ａを介して後述するローダーモジュール３０に接続されている。このゲートバルブ２３ａにより、ロードロックモジュール２０ａとローダーモジュール３０の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。また、ロードロックモジュール２０ａは、ゲートバルブ２５ａが設けられたゲート２６ａを介して後述するトランスファモジュール６０に接続されている。このゲートバルブ２５ａにより、ロードロックモジュール２０ａとトランスファモジュール６０の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。
ロードロックモジュール２０ａにはガスを供給する給気部（図示せず）とガスを排出する排気部（図示せず）が接続され、当該給気部と排気部によって内部が大気圧雰囲気と減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。すなわちロードロックモジュール２０ａは、大気圧雰囲気の大気部１０と、減圧雰囲気の減圧部１１との間で、適切にウェハＷの受け渡しができるように構成されている。
なお、ロードロックモジュール２０ｂはロードロックモジュール２０ａと同様の構成を有している。すなわち、ロードロックモジュール２０ｂは、上部ストッカ２１ｂと下部ストッカ２２ｂ、ローダーモジュール３０側のゲートバルブ２３ｂとゲート２４ｂ、トランスファモジュール６０側ゲートバルブ２５ｂとゲート２６ｂを有している。
なお、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂの数や配置は、本実施形態に限定されるものではなく、任意に設定できる。
大気部１０は、後述するウェハ搬送機構４０を備えたローダーモジュール３０と、複数のウェハＷを保管可能なフープ３１を載置するロードポート３２と、ウェハＷのフッ素を除去するウェハ洗浄モジュール３３と、ウェハＷの水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール３４とを有している。
ローダーモジュール３０は内部が矩形の筐体からなり、筐体の内部は大気圧雰囲気に維持されている。ローダーモジュール３０の筐体の長辺を構成する一側面には、複数、例えば３つのロードポート３２が並設されている。ローダーモジュール３０の筐体の長辺を構成する他側面には、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂが並設されている。ローダーモジュール３０の筐体の短辺を構成する一側面には、ウェハ洗浄モジュール３３が設けられている。ローダーモジュール３０の筐体の短辺を構成する他側面には、オリエンタモジュール３４が設けられている。
なお、ロードポート３２、ウェハ洗浄モジュール３３、及びオリエンタモジュール３４の数や配置は、本実施形態に限定されるものではなく、任意に設計できる。例えばウェハ洗浄モジュール３３は、複数設けられ、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂを挟んで両側に設けられていてもよい。また、例えばウェハ洗浄モジュール３３は、ウェハ処理装置１において、スタンドアローンで設けられていてもよい。
フープ３１は複数の、例えば１ロット２５枚のウェハＷを等間隔で多段に重なるようにして収容する。また、ロードポート３２に載置されたフープ３１の内部は、例えば、大気や窒素ガスなどで満たされて密閉されている。
ウェハ洗浄モジュール３３は、ＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を行った後のウェハＷの表面に残留するフッ素を除去して、当該ウェハＷの表面を洗浄する。なお、ウェハ洗浄モジュール３３の具体的な構成は後述する。
オリエンタモジュール３４は、ウェハＷを回転させて水平方向の向きの調節を行う。具体的に、オリエンタモジュール３４は、複数のウェハＷのそれぞれにウェハ処理を行うにあたり、当該ウェハ処理毎に、基準位置（例えばノッチ位置）からの水平方向からの向きが同じになるように調節される。
ローダーモジュール３０の内部には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構４０が設けられている。ウェハ搬送機構４０は、ウェハＷを保持して移動する搬送アーム４１ａ、４１ｂと、搬送アーム４１ａ、４１ｂを回転可能に支持する回転台４２と、回転台４２を搭載した回転載置台４３とを有している。ウェハ搬送機構４０は、ローダーモジュール３０の筐体の内部において長手方向に移動可能に構成されている。
減圧部１１は、２枚のウェハＷを同時に搬送するトランスファモジュール６０と、トランスファモジュール６０から搬送されたウェハＷにＣＯＲ処理を行うＣＯＲモジュール６１と、ＰＨＴ処理を行うＰＨＴモジュール６２とを有している。トランスファモジュール６０、ＣＯＲモジュール６１、及びＰＨＴモジュール６２の内部は、それぞれ減圧雰囲気に維持される。トランスファモジュール６０に対し、ＣＯＲモジュール６１及びＰＨＴモジュール６２は複数、例えば３つずつ設けられている。
トランスファモジュール６０は内部が矩形の筐体からなり、上述したようにゲートバルブ２５ａ、２５ｂを介してロードロックモジュール２０ａ、２０ｂに接続されている。トランスファモジュール６０は内部が矩形の筐体からなり、ロードロックモジュール２０ａに搬入されたウェハＷを一のＣＯＲモジュール６１、一のＰＨＴモジュール６２に順次搬送してＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を施した後、ロードロックモジュール２０ｂを介して大気部１０に搬出する。
ＣＯＲモジュール６１の内部には、２枚のウェハＷを水平方向に並べて載置する２つのステージ６３ａ、６３ｂが設けられている。ＣＯＲモジュール６１は、ステージ６３ａ、６３ｂにウェハＷを並べて載置することにより、２枚のウェハＷに対して同時にＣＯＲ処理を行う。なお、ＣＯＲモジュール６１には、処理ガスやパージガスなどを供給する給気部（図示せず）とガスを排出する排気部（図示せず）が接続されている。
また、ＣＯＲモジュール６１は、ゲートバルブ６４が設けられたゲート６５を介してトランスファモジュール６０に接続されている。このゲートバルブ６４により、トランスファモジュール６０とＣＯＲモジュール６１の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。
ＰＨＴモジュール６２の内部には、２枚のウェハＷを水平方向に並べて載置する２つのステージ６６ａ、６６ｂが設けられている。ＰＨＴモジュール６２は、ステージ６６ａ、６６ｂにウェハＷを並べて載置することにより、２枚のウェハＷに対して同時にＰＨＴ処理を行う。なお、ＰＨＴモジュール６２には、ガスを供給する給気部（図示せず）とガスを排出する排気部（図示せず）が接続されている。
また、ＰＨＴモジュール６２は、ゲートバルブ６７が設けられたゲート６８を介してトランスファモジュール６０に接続されている。このゲートバルブ６７により、トランスファモジュール６０とＰＨＴモジュール６２の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。
トランスファモジュール６０の内部には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構７０が設けられている。ウェハ搬送機構７０は、２枚のウェハＷを保持して移動する搬送アーム７１ａ、７１ｂと、搬送アーム７１ａ、７１ｂを回転可能に支持する回転台７２と、回転台７２を搭載した回転載置台７３とを有している。また、トランスファモジュール６０の内部には、トランスファモジュール６０の長手方向に延伸するガイドレール７４が設けられている。回転載置台７３はガイドレール７４上に設けられ、ウェハ搬送機構７０をガイドレール７４に沿って移動可能に構成されている。
トランスファモジュール６０では、ロードロックモジュール２０ａにおいて上部ストッカ２１ａと下部ストッカ２２ａに保持された２枚のウェハＷを搬送アーム７１ａで受け取り、ＣＯＲモジュール６１に搬送する。また、ＣＯＲ処理が施された２枚のウェハＷを、搬送アーム７１ａが保持し、ＰＨＴモジュール６２に搬送する。また更に、ＰＨＴ処理が施された２枚のウェハＷを、搬送アーム７１ｂが保持し、ロードロックモジュール２０ｂに搬出する。
以上のウェハ処理装置１には、制御部８０が設けられている。制御部８０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理装置１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理モジュールや搬送機構などの駆動系の動作を制御して、ウェハ処理装置１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部８０にインストールされたものであってもよい。
＜ウェハ処理装置の動作＞
本実施形態にかかるウェハ処理装置１は以上のように構成されている。次に、ウェハ処理装置１におけるウェハ処理について説明する。
先ず、複数のウェハＷを収納したフープ３１がロードポート３２に載置される。なお、ウェハの表面には酸化膜が形成されている。
次に、ウェハ搬送機構４０によって、フープ３１から２枚のウェハＷが取り出され、オリエンタモジュール３４に搬送される。オリエンタモジュール３４においてウェハＷは、基準位置（例えばノッチ位置）からの水平方向からの向きが調節（オリエント処理）される。
次に、ウェハ搬送機構４０によって、２枚のウェハＷがロードロックモジュール２０ａに搬入される。ロードロックモジュール２０ａに２枚のウェハＷが搬入されると、ゲートバルブ２３ａが閉じられ、ロードロックモジュール２０ａ内が密閉され、減圧される。その後、ゲートバルブ２５ａが開放され、ロードロックモジュール２０ａの内部とトランスファモジュール６０の内部が連通される。
次に、ロードロックモジュール２０ａとトランスファモジュール６０が連通すると、ウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１ａによって２枚のウェハＷが保持され、ロードロックモジュール２０ａからトランスファモジュール６０に搬入される。続いて、ウェハ搬送機構７０が一のＣＯＲモジュール６１の前まで移動する。
次に、ゲートバルブ６４が開放され、２枚のウェハＷを保持する搬送アーム７１ａがＣＯＲモジュール６１に進入する。そして、搬送アーム７１ａからステージ６３ａ、６３ｂのそれぞれに、１枚ずつウェハＷが載置される。その後、搬送アーム７１ａはＣＯＲモジュール６１から退出する。
次に、搬送アーム７１ａがＣＯＲモジュール６１から退出すると、ゲートバルブ６４が閉じられ、ＣＯＲモジュール６１において２枚のウェハＷに対してＣＯＲ処理が行われる。そして酸化膜が変質して、反応生成物であるＡＦＳが生成される。
次に、ＣＯＲモジュール６１におけるＣＯＲ処理が終了すると、ゲートバルブ６４が開放され、搬送アーム７１ａがＣＯＲモジュール６１に進入する。そして、ステージ６３ａ、６３ｂから搬送アーム７１ａに２枚のウェハＷが受け渡され、搬送アーム７１ａで２枚のＷが保持される。その後、搬送アーム７１ａはＣＯＲモジュール６１から退出し、ゲートバルブ６４が閉じられる。
次に、ウェハ搬送機構７０がＰＨＴモジュール６２の前まで移動する。続いて、ゲートバルブ６７が開放され、２枚のウェハＷを保持する搬送アーム７１ａがＰＨＴモジュール６２に進入する。そして、搬送アーム７１ａからステージ６６ａ、６６ｂのそれぞれに、１枚ずつウェハＷが載置される。その後、搬送アーム７１ａはＰＨＴモジュール６２から退出する。続いて、ゲートバルブ６７が閉じられ、２枚のウェハＷに対してＰＨＴ処理が行われる。そして、ウェハＷ上のＡＦＳが昇華する。
次に、ウェハＷのＰＨＴ処理が終了すると、ゲートバルブ６７が開放され、搬送アーム７１ｂがＰＨＴモジュール６２に進入する。そして、ステージ６６ａ、６６ｂから搬送アーム７１ｂに２枚のウェハＷが受け渡され、搬送アーム７１ｂで２枚のウェハＷが保持される。その後、搬送アーム７１ｂはＰＨＴモジュール６２から退出し、ゲートバルブ６７が閉じられる。
次に、ゲートバルブ２５ｂが開放され、ウェハ搬送機構７０によって２枚のウェハＷがロードロックモジュール２０ｂに搬入される。ロードロックモジュール２０ｂ内にウェハＷが搬入されると、ゲートバルブ２５ｂが閉じられ、ロードロックモジュール２０ｂ内が密閉され、大気開放される。
次に、ウェハ搬送機構４０によって、２枚のウェハＷがウェハ洗浄モジュール３３に搬送される。ウェハ洗浄モジュール３３では、ウェハＷの表面に残留するフッ素が除去され、当該ウェハＷの表面が洗浄される。なお、この洗浄処理の具体的な処理は後述する。
次に、ウェハ搬送機構４０によって、２枚のウェハＷがフープ３１に戻されて収容される。こうして、ウェハ処理装置１における一連のウェハ処理が終了する。
＜第１の実施形態＞
次に、第１の実施形態にかかる、基板洗浄装置としてのウェハ洗浄モジュール３３の構成について説明する。図２及び図３は、ウェハ洗浄モジュール３３の構成の概略を示す説明図である。
ウェハ洗浄モジュール３３は、１枚のウェハＷを収容する洗浄チャンバ１００を有している。洗浄チャンバ１００は、ローダーモジュール３０の筐体の短辺を構成する一側面において、鉛直方向に複数、例えば６つ積層されて設けられている。以下の説明においては、これら６つの洗浄チャンバ１００を、下段側から上段側に洗浄チャンバ１００Ａ〜１００Ｆという場合がある。なお、洗浄チャンバ１００の数は、本第１の実施形態に限定されるものではなく、任意に設定できる。また、図３中の符号“Ｇ”は、後述するゲートを示している。
上述したようにウェハ洗浄モジュール３３には２枚のウェハＷが搬送されて、２枚葉の処理が行われる。そこで本第１の実施形態では、２つの洗浄チャンバ１００、１００を用いて、２枚のウェハＷを処理する。具体的には、一対の洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂ、一対の洗浄チャンバ１００Ｃ、１００Ｄ、一対の洗浄チャンバ１００Ｅ、１００Ｆのそれぞれの対において、２枚のウェハＷを処理する。
６つの洗浄チャンバ１００Ａ〜１００Ｆにはそれぞれ、２つの給気モジュール１１０、１１１が接続されている。給気モジュール１１０は、洗浄チャンバ１００に水蒸気と第２の窒素ガスを供給する。給気モジュール１１１は、洗浄チャンバ１００に第１の窒素ガスを供給する。なお、給気モジュール１１０、１１１はそれぞれ、一対の洗浄チャンバ１００、１００毎に水蒸気、第１の窒素ガス、及び第２の窒素ガスを供給する。
給気モジュール１１０は、水蒸気を生成して洗浄チャンバ１００に供給する、気化部としての気化器１２０を有している。気化器１２０には、供給ライン１２１を介して、内部に純水を貯留する純水供給源１２２が接続されている。また気化器１２０には、供給ライン１２３を介して、内部に窒素ガスを貯留する窒素ガス供給源１２４が接続されている。気化器１２０では、純水供給源１２２から供給された純水を気化させて水蒸気を生成する。また気化器１２０に供給された窒素ガスは、例えば水蒸気を洗浄チャンバ１００に供給する際のキャリアガスとして用いられる。
気化器１２０には、内部を排気するためのベントライン１２５が接続されている。また、気化器１２０の底部には、内部の廃水を排出するためのドレインパンが設けられており、当該ドレインパンにはドレイン１２６が接続されている。
洗浄チャンバ１００と気化器１２０は、水蒸気供給ライン１２７で接続されている。水蒸気供給ライン１２７は、気化器１２０に接続された集合ライン１２７Ａと、集合ライン１２７Ａから分岐して洗浄チャンバ１００Ａ〜１００Ｆに接続された分岐ライン１２７Ｂ〜１２７Ｄを有している。分岐ライン１２７Ｂは洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂに接続され、分岐ライン１２７Ｃは洗浄チャンバ１００Ｃ、１００Ｄに接続され、分岐ライン１２７Ｃは洗浄チャンバ１００Ｅ、１００Ｆに接続されている。また、集合ライン１２７Ａと分岐ライン１２７Ｂ〜１２７Ｄにはそれぞれ、バルブ１２８Ａ〜１２８Ｄが設けられている。
給気モジュール１１０は、窒素ガスを第２の温度、例えば１２０℃〜３００℃、より好ましくは２００℃〜３００℃に加熱する第２の加熱部１３０と、第２の温度を有する窒素ガス（以下、「第２の窒素ガス」という場合がある。）を所望の圧力で貯留する、圧力調節部としての加圧タンク１３１とを更に有している。第２の加熱部１３０と加圧タンク１３１は供給ライン１３２を介して接続され、第２の加熱部１３０は加圧タンク１３１の上流側に設けられている。なお、第２の加熱部１３０と加圧タンク１３１は、一体型に構成されていてもよい。
第２の加熱部１３０は、窒素ガスを第２の温度に加熱するものであれば特に限定されないが、例えばシーズヒータやヒートコイルが用いられる。第２の加熱部１３０には、供給ライン１３３を介して、内部に常温の窒素ガスを貯留する窒素ガス供給源１３４が接続されている。供給ライン１３３には、窒素ガスの流量を調整するフローメータ１３５が設けられている。
加圧タンク１３１は、第２の窒素ガスを加圧して貯留すると共に、例えばヒータ（図示せず）などの加熱機構によって、当該第２の窒素ガスの温度を第２の温度に維持する。加圧タンク１３１には、水蒸気供給ライン１２７を介して、洗浄チャンバ１００に第２の窒素ガスを供給する第２の窒素ガス供給ライン１３６が接続されている。第２の窒素ガス供給ライン１３６は、集合ライン１２７Ａに接続されている。また、第２の窒素ガス供給ライン１３６には、バルブ１３７が設けられている。
ここで、後述するように第２の窒素ガスは、洗浄チャンバ１００に供給されて、当該洗浄チャンバ１００から水蒸気を除去しつつ、水蒸気に晒されたウェハＷを乾燥させると共に、水蒸気供給ライン１２７に供給されて、当該水蒸気供給ライン１２７の一部内の水蒸気も除去する。そこで、予め加圧タンク１３１内に第２の窒素ガスを貯留しておき、できるだけ瞬時に水蒸気供給ライン１２７に第２の窒素ガスを供給する。また、加圧タンク１３１内の第２の窒素ガスを加圧しておくことで、水蒸気供給ライン１２７に高圧で第２の窒素ガスを供給することができ、更に加圧タンク１３１の容量を小さくすることもできる。
また、第２の加熱部１３０は、常温の窒素ガス供給源１３４から供給された窒素ガスを第２の温度に加熱するが、第２の加熱部１３０の加熱性能によっては加熱時間がかかる。そして例えば、常温の窒素ガスが水蒸気供給ライン１２７に供給されると、結露の要因となり得る。この点、加圧タンク１３１では第２の窒素ガスの温度が第２の温度に維持されているので、かかる結露を防止することができる。
給気モジュール１１１は、窒素ガスを第１の温度、例えば５０℃〜１００℃に加熱する第１の加熱部１４０と、第１の温度を有する窒素ガス（以下、「第１の窒素ガス」という場合がある。）を貯留するタンク１４１とを有している。すなわち、第１の加熱部１４０で加熱される窒素ガスの第１の温度は、第２の加熱部１３０で加熱される窒素ガスの第２の温度よりも低い。第１の加熱部１４０とタンク１４１は供給ライン１４２を介して接続され、第１の加熱部１４０はタンク１４１の上流側に設けられている。
第１の加熱部１４０は、窒素ガスを第１の温度に加熱するものであれば特に限定されないが、例えばシーズヒータやヒートコイルが用いられる。第１の加熱部１４０には、供給ライン１４３を介して、内部に常温の窒素ガスを貯留する窒素ガス供給源１４４が接続されている。供給ライン１４３には、窒素ガスの流量を調整するフローメータ１４５が設けられている。
タンク１４１は、第１の窒素ガスを貯留すると共に、例えばヒータ（図示せず）などの加熱機構によって、当該第１の窒素ガスの温度を第１の温度に維持する。タンク１４１には、水蒸気供給ライン１２７を介して、洗浄チャンバ１００に第１の窒素ガスを供給する第１の窒素ガス供給ライン１４６Ａ〜１４６Ｃが接続されている。第１の窒素ガス供給ライン１４６Ａ〜１４６Ｃはそれぞれ、分岐ライン１２７Ｂ〜１２７Ｄに接続されている。また、第１の窒素ガス供給ライン１４６Ａ〜１４６Ｃにはそれぞれ、バルブ１４７Ａ〜１４７Ｃが設けられている。
そしてタンク１４１は、分岐ライン１２７Ｂ〜１２７Ｄに対して、圧力差がないように等分に第１の窒素ガスを供給する。換言すれば、タンク１４１は、第１の窒素ガスのバッファタンクとして機能する。
６つの洗浄チャンバ１００Ａ〜１００Ｆにはそれぞれ、第１の排気ライン１５１と第２の排気ライン１５２が接続されている。第１の排気ライン１５１は、各洗浄チャンバ１００Ａ〜１００Ｆ内の第１の窒素ガスを排出する。第２の排気ライン１５２は、各洗浄チャンバ１００Ａ〜１００Ｆ内の水蒸気及び第２の窒素ガスを排出する。各洗浄チャンバ１００Ａ〜１００Ｆに接続された第１の排気ライン１５１、第２の排気ライン１５２にはそれぞれ、バルブ１５３、１５４が設けられている。
第１の排気ライン１５１は、排気タンク１６０に接続される。そして、各洗浄チャンバ１００Ａ〜１００Ｆから排出される第１の窒素ガスは、排気タンク１６０に集合排気される。また、第２の排気ライン１５２は、ポンプ１６１及び気液分離タンク１６２を介して、排気タンク１６０に接続される。各洗浄チャンバ１００Ａ〜１００Ｆから排出される水蒸気及び第２の窒素ガスは、ポンプ１６１で吸引され、気液分離タンク１６２で気体（ガス）と液体に分離された後、ガスが排気タンク１６０に排気される。
なお、上述したように本第１の実施形態では、２つの洗浄チャンバ１００、１００を用いて２枚のウェハＷを処理する。例えば、一対の洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂにおいて２枚のウェハＷを水蒸気処理する場合、水蒸気供給ライン１２７の圧力（図３中のＰ１）と第２の排気ライン１５２の圧力（図３中のＰ２）を測定し、これらの差圧（図３中のΔＰ）が洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂで等しくなるように、自動バタフライ弁に信号を送って制御する。そうすると、当該洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂで均等に水蒸気処理できる。
また、ウェハ洗浄モジュール３３の各部材は、内部に付着物が付着するのを抑制するため、例えばヒータ（図示せず）により加熱される。加熱の対象となる部材は、例えば洗浄チャンバ１００、水蒸気供給ライン１２７、第２の窒素ガス供給ライン１３６、第１の窒素ガス供給ライン１４６Ａ〜１４６Ｃ、第１の排気ライン１５１、第２の排気ライン１５２などである。また、ヒータの設定温度は、例えば５０℃〜１００℃である。
次に、洗浄チャンバ１００の構成について説明する。図４は、洗浄チャンバ１００の構成の概略を示す説明図である。図５は、洗浄チャンバ１００の構成の概略を示す平面図である。図６は、洗浄チャンバ１００の構成の概略を示す側面図である。
洗浄チャンバ１００は、天板２００、第１の内部部材２０１、第２の内部部材２０２、及び底板２０３が上方から下方に向けてこの順で積層されて構成されている。また、洗浄チャンバ１００には、当該洗浄チャンバ１００内にウェハＷを搬入出するために開閉自在なゲート２０４が設けられている。
洗浄チャンバ１００は略直方体形状であり、第１の側壁２１１、第２の側壁２１２、第３の側壁２１３、及び第４の側壁２１４を有している。第１の側壁２１１と第３の側壁２１３は対向し、第２の側壁２１２と第４の側壁２１４は対向している。
第１の側壁２１１には、水蒸気供給ライン１２７が接続され、当該水蒸気供給ライン１２７からの水蒸気、第１の窒素ガス、及び第２の窒素ガスの供給口２２１が形成されている。第２の側壁２１２には、第１の排気ライン１５１及び第２の排気ライン１５２が接続され、洗浄チャンバ１００内を排気する排気口２２２が形成されている。排気口２２２の面積は、供給口２２１の面積よりも大きい。第３の側壁２１３には、ウェハＷの搬入出口２２３が形成されている。上述したゲート２０４は、この第３の側壁２１３に設けられている。
洗浄チャンバ１００の内部には、１枚のウェハＷを収容する収容空間２３０が形成されている。すなわち、第１の内部部材２０１と第２の内部部材２０２にはそれぞれ、平面視において略円形状の開口部２３１、２３２が形成され、これら開口部２３１、２３２と天板２００、底板２０３で囲まれた空間が収容空間２３０となる。
この収容空間２３０は小さく構成されているため、必要なガス（水蒸気、第１の窒素ガス、及び第２の窒素ガス）の供給量を抑えることができる。また、収容空間２３０の結露を抑制することもできる。
第１の内部部材２０１には、開口部２３１において、第１の側壁２１１側から第３の側壁２１３側に突出したフィン２４１が設けられている。フィン２４１は、開口部２３１の第３の側壁２１３側には接触していない。またフィン２４１は、平面視において、排気口２２２より供給口２２１側に配置されている。フィン２４１の形状は特に限定されるものではないが、平面視において、例えば先端部が円弧形状を有している。
第２の内部部材２０２には、開口部２３２において、第１の側壁２１１側から第３の側壁２１３側に突出した突起２４２が設けられている。収容空間２３０に収容されたウェハＷは、鉛直方向にフィン２４１と突起２４２の間において、当該フィン２４１と突起２４２に接触することなく、底板２０３に設けられたパッド（図示せず）に支持されて配置される。この際、ウェハＷの表面と天板２００の下面との間隔は、例えば４０ｍｍである。また、フィン２４１は、ウェハＷが収容空間２３０に収容された際、平面視において当該ウェハＷに被るように配置されている。
図７は、洗浄チャンバ１００の内部において供給口２２１から供給されたガスの流路を示す説明図である。なお、図示の例では水蒸気の流れが矢印で示されているが、第１の窒素ガス又は第２の窒素ガスの流れも同様である。
供給口２２１から供給された水蒸気は、ウェハＷの表面（上面）を通って排気口２２２に向かって流れる。この際、水蒸気は、洗浄チャンバ１００の内側面（収容空間２３０の側面）とウェハＷの上方に設けられたフィン２４１の外側面に沿って、略Ｕ字型に流れる。そして、ウェハＷの表面全面が均一に水蒸気に晒される。
本第１の実施形態のウェハ洗浄モジュール３３は以上のように構成されている。次に、ウェハ洗浄モジュール３３におけるウェハＷの洗浄処理について説明する。図８は、ウェハＷの洗浄処理におけるウェハ洗浄モジュール３３の動作を示す説明図である。本第１の実施形態では、一対の洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂ、一対の洗浄チャンバ１００Ｃ、１００Ｄ、一対の洗浄チャンバ１００Ｅ、１００Ｆのそれぞれの対において、２枚のウェハＷを並行して処理する。以下の説明においては、洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂの処理をワーク１といい、洗浄チャンバ１００Ｃ、１００Ｄの処理をワーク２といい、洗浄チャンバ１００Ｅ、１００Ｆの処理をワーク３という場合がある。
先ず、ワーク１について説明する。ワーク１では、第１の窒素ガス供給工程Ｓ１（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）、水蒸気供給工程Ｓ２（Ｈ２Ｏパージ）、第２の窒素ガス供給工程Ｓ３（Ｈｉｇｈ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）、第１の窒素ガス供給工程Ｓ４（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）が順次行われる。
［第１の窒素ガス供給工程Ｓ１（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）］
本工程Ｓ１では、バルブ１４７Ａが開けられ、第１の加熱部１４０で第１の温度、例えば５０℃〜１００℃に加熱された第１の窒素ガスが、洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂのそれぞれに供給される。この際、第１の加熱部１４０で加熱された第１の窒素ガスは一旦タンク１４１に貯留されるため、洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂに対して圧力差がないように供給される。各洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂでは、大気圧下で第１の窒素ガスが供給されつつ、第１の排気ライン１５１を介して内部のガス（主に第１の窒素ガス）が排出される。
このように洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂに第１の窒素ガスが供給されている間に、各洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂのゲート２０４、２０４が開けられ、２枚のウェハＷが搬入される。本第１の実施形態では、洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂのゲート２０４、２０４は同時に開閉される。また、搬送アーム４１ａ、４１ｂの間隔が洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂの間隔と一致している場合には、２枚のウェハＷは同時に搬入され、上記間隔が一致していない場合には、２枚のウェハＷは別々に搬入される。そして、第１の窒素ガスによって各ウェハＷが所望の温度に調節される。ここで、後述するように次の工程Ｓ２では水蒸気によってウェハＷの表面のフッ素を除去するが、ウェハＷの温度が高過ぎると、フッ素を適切に除去できない。そこで、本工程Ｓ１では、ウェハＷを所望の温度、例えば５０℃〜８０℃に調節して、当該ウェハＷをフッ素が除去される状態にする。なお、ウェハＷの温度調節は、第１の窒素ガスの温度のほか、フローメータ１４５による窒素ガスの供給流量及び供給時間を調節して行われる。
［水蒸気供給工程Ｓ２（Ｈ２Ｏパージ）］
本工程Ｓ２では、バルブ１２８Ａ、１２８Ｂが開けられ、気化器１２０で生成された水蒸気が、洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂのそれぞれに供給される。各洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂでは、大気圧下で水蒸気が供給されつつ、第２の排気ライン１５２を介して内部のガス（主に水蒸気）が排出される。なお、水蒸気の温度は例えば５０℃〜１００℃であり、水蒸気の濃度は７０％〜９０％である。また、水蒸気の供給量は５０ｇ／ｍ３以上である。
上述したようにＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を施した後のウェハＷの表面には、フッ素が残留する場合がある。本工程Ｓ２では、ウェハＷの表面を水蒸気に晒すことで、水蒸気とフッ素が反応して、当該フッ素が除去される。またこの際、洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂの内部にはフィン２４１が設けられているため、図７に示したように水蒸気は、洗浄チャンバ１００の内側面（収容空間２３０の側面）とウェハＷの上方に設けられたフィン２４１の外側面に沿って、略Ｕ字型に流れる。そうすると、ウェハＷの表面全面が均一に水蒸気に晒されるため、水蒸気とフッ素の反応を促進し、フッ素が適切に除去される。
［第２の窒素ガス供給工程Ｓ３（Ｈｉｇｈ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）］
本工程Ｓ３では、バルブ１３７が開けられ、第２の加熱部１３０で第２の温度、例えば１２０℃〜３００℃、より好ましくは２００℃〜３００℃に加熱された第２の窒素ガスが、洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂのそれぞれに供給される。この際、第２の加熱部１３０で加熱された第２の窒素ガスは一旦加圧タンク１３１に貯留され、圧力が調整されて加圧される。このため、水蒸気から第２の窒素ガスに切り替える際、瞬時かつ高圧で第２の窒素ガスを供給することができる。各洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂでは、大気圧下で第２の窒素ガスが供給されつつ、第２の排気ライン１５２を介して内部のガス（主に第２の窒素ガス）が排出される。
かかる高温の第２の窒素ガスによって、前の工程Ｓ２で水蒸気に晒されたウェハＷを乾燥させることができる。また、洗浄チャンバ１００に残留する水蒸気を除去すると共に、水蒸気供給ライン１２７の集合ライン１２７Ａの一部と分岐ライン１２７Ｂに残留する水蒸気も除去し、更には第２の排気ライン１５２に残留する水蒸気を除去する。このように洗浄チャンバ１００、水蒸気供給ライン１２７、第２の排気ライン１５２の水蒸気を除去することで、結露を抑制する。なお、集合ライン１２７Ａの水蒸気を除去するため、第２の窒素ガス供給ライン１３６はできるだけ集合ライン１２７Ａの上流側に接続されるのが好ましい。
［第１の窒素ガス供給工程Ｓ４（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）］
本工程Ｓ４では、バルブ１４７Ａが開けられ、第１の加熱部１４０で第１の温度、例えば５０℃〜１００℃に加熱された第１の窒素ガスが、洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂのそれぞれに供給される。各洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂでは、大気圧下で第１の窒素ガスが供給されつつ、第１の排気ライン１５１を介して内部のガス（主に第１の窒素ガス）が排出される。
かかる第１の窒素ガスによって、ウェハＷが所望の温度に調節される。この際のウェハＷの所望の温度は、ウェハ搬送機構４０がウェハＷを搬送できる温度であって、例えば８０℃以下である。なお、前の工程Ｓ３を行った後、ウェハＷが大きく昇温せず、例えば８０℃以下に維持されている場合には、本工程Ｓ４によるウェハＷの温度調節を省略することができる。
以上の洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂにおけるワーク１の一連の工程Ｓ１〜Ｓ４が終了すると、各洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂのゲート２０４、２０４が開けられ、２枚のウェハＷが搬出される。
ワーク２及びワーク３でも、ワーク１と同様に、第１の窒素ガス供給工程Ｓ１（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）、水蒸気供給工程Ｓ２（Ｈ２Ｏパージ）、第２の窒素ガス供給工程Ｓ３（Ｈｉｇｈ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）、第１の窒素ガス供給工程Ｓ４（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）が順次行われる。
但し、ワーク１〜３では、各工程Ｓ１〜Ｓ４を行うタイミングが異なる。気化器１２０、第２の加熱部１３０及び加圧タンク１３１、第１の加熱部１４０及びタンク１４１はそれぞれ、各洗浄チャンバ１００Ａ〜１００Ｆに共通に設けられているためである。ワーク２では、ワーク１の水蒸気供給工程Ｓ２が終わった後、一連の処理を開始する。また、ワーク３では、ワーク２の水蒸気供給工程Ｓ２が終わった後、一連の処理を開始する。
なお、本第１の実施形態では説明を容易にするため、ワーク２の第１の窒素ガス供給工程Ｓ１は、ワーク１の水蒸気供給工程Ｓ２が終了した後に開始するとした。この点、実際にはワーク２において、ワーク１の第１の窒素ガス供給工程Ｓ１又は水蒸気供給工程Ｓ２中に、洗浄チャンバ１００Ｃ、１００ＤにウェハＷが搬入される場合がある。かかる場合には、ウェハＷが待機状態となるが、洗浄チャンバ１００Ｃ、１００Ｄの内部には第１の窒素ガスが供給される。
本第１の実施形態によれば、水蒸気供給工程Ｓ２において水蒸気によりウェハＷの表面のフッ素を除去しつつ、第２の窒素ガス供給工程Ｓ３において高温の第２の窒素ガスによりウェハＷの表面の水蒸気を除去することができる。したがって、ＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を施した後のウェハＷの洗浄処理を適切に行うことができる。
また、第１の窒素ガス供給工程Ｓ１において第１の窒素ガスによりウェハＷを所望の温度に調節するので、次の水蒸気供給工程Ｓ２においてウェハＷの表面のフッ素を適切に除去することができる。
また、第１の窒素ガス供給工程Ｓ４において第１の窒素ガスによりウェハＷを所望の温度に調節するので、ウェハ搬送機構４０でウェハＷを搬送することができ、そのままの状態でフープ３１に戻すことができる。なお、従来のウェハ処理装置では、ＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を行った後、ＣＳＴ（Ｃｏｏｌｉｎｇ Ｓｔｏｒａｇｅ）処理を行ってウェハＷの温度を調節（冷却）していたが、本第１の実施形態では、かかるＣＳＴ処理を省略することができる。
なお、本第１の実施形態では、水蒸気供給工程Ｓ２においてフッ素を除去するが、フッ素以外にも、例えばアンモニアなど、塩素系、炭素系、ハロゲンなどを除去する場合にも、本第１の実施形態は適用できる。
＜第１の実施形態の変形例＞
以上の第１の実施形態のウェハ洗浄モジュール３３は、図９に示すようにベントライン２５０を更に有していてもよい。分岐ライン１２７Ｂ〜１２７Ｄのバルブ１２８Ｂ〜１２８Ｄにはそれぞれ四方弁が用いられ、各バルブ１２８Ｂ〜１２８Ｄにベントライン２５０が設けられる。ベントライン２５０は、気液分離タンク１６２に接続される。
以上の第１の実施形態では、水蒸気供給工程Ｓ２におけるワーク１〜３の水蒸気供給の切り替えは、バルブ１２８Ｂ〜１２８Ｄで行っていた。例えばワーク１では、バルブ１２８Ｂを開けて洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂに水蒸気を供給し、バルブ１２８Ｃ、１２８Ｄを閉じて洗浄チャンバ１００Ｃ〜１００Ｆに水蒸気が供給されないようにしていた。
これに対して、本変形例では、ベントライン２５０から水蒸気を排出することにより、ワーク１〜３の水蒸気供給の切り替えを行う。すなわち、例えばワーク１では、気化器１２０から分岐ライン１２７Ｂ〜１２７Ｄのすべてに水蒸気を供給する。但し、バルブ１２８Ｂではベントライン２５０側を閉じて、洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂに水蒸気を供給する。一方、バルブ１２８Ｃ、１２８Ｄでは、ベントライン２５０側を開放して、ベントライン２５０から水蒸気を排出し、洗浄チャンバ１００Ｃ〜１００Ｆに水蒸気が供給されないようにする。本変形例でも、ワーク１〜３の水蒸気供給の切り替えを適切に行うことができる。
また、以上の第１の実施形態のウェハ洗浄モジュール３３は、ＨＦモニタ（図示せず）を有していてもよい。ＨＦモニタは、例えば洗浄チャンバ１００に設けられる。上述したように水蒸気供給工程Ｓ２では、水蒸気とフッ素が反応してフッ素が除去されるが、この際、フッ化水素（ＨＦ）が生成される。そこで、ＨＦモニタを用いて洗浄チャンバ１００内に生成されるフッ化水素をモニタすることにより、フッ素の除去処理が適切に行われているか否かを確認することができる。
ＨＦモニタによるフッ化水素の検出は、ウェハ洗浄モジュール３３の立ち上げ時（スタートアップ時）に行われてもよい。かかる場合、ＨＦモニタによる検出結果に基づいて、プロセス条件、例えば水蒸気処理時間などを決定することができる。また、ＨＦモニタによる検出結果に基づいて、プロセス条件をリアルタイム制御してもよい。
また、以上の第１の実施形態のウェハ洗浄モジュール３３では、第２の加熱部１３０及び加圧タンク１３１は、気化器１２０と同じ給気モジュール１１０に設けられていたが、気化器１２０とは異なるモジュールに設けられていてもよい。
また、以上の第１の実施形態のウェハ洗浄モジュール３３では、６つの洗浄チャンバ１００に対して、共通の気化器１２０、第２の加熱部１３０及び加圧タンク１３１、第１の加熱部１４０及びタンク１４１が設けられていたが、これらは個別に設けられていてもよい。
＜第２の実施形態＞
次に、第２の実施形態にかかるウェハ洗浄モジュール３３の構成について説明する。図１０は、ウェハ洗浄モジュール３３の構成の概略を示す説明図である。
第１の実施形態では、加圧タンク１３１からの第２の窒素ガス供給ライン１３６は集合ライン１２７Ａに接続されていたが、本第２の実施形態では、加圧タンク１３１からの第２の窒素ガス供給ライン２８０は、バルブ１２８Ｂ〜１２８Ｄに接続される。なお、第２の実施形態のウェハ洗浄モジュール３３のその他の構成は、第１の実施形態のウェハ洗浄モジュール３３の構成と同様である。
第２の窒素ガス供給ライン２８０は、加圧タンク１３１に接続された集合ライン２８０Ａと、集合ライン２８０Ａから分岐してバルブ１２８Ｂ〜１２８Ｄに接続された分岐ライン２８０Ｂ〜２８０Ｄを有している。かかる場合、バルブ１２８Ｂ〜１２８Ｄにはそれぞれ、例えば四方弁が用いられる。また、集合ライン２８０Ａにはバルブ２８１が設けられている。
図１１は、ウェハＷの洗浄処理におけるウェハ洗浄モジュール３３の動作を示す説明図である。本第２の実施形態でも第１の実施形態と同様に、ワーク１〜３において、第１の窒素ガス供給工程Ｓ１（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）、水蒸気供給工程Ｓ２（Ｈ２Ｏパージ）、第２の窒素ガス供給工程Ｓ３（Ｈｉｇｈ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）、第１の窒素ガス供給工程Ｓ４（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）が順次行われる。但し、第１の実施形態と本第２の実施形態では、ワーク２及びワーク３を行うタイミングが異なる。
第１の実施形態では、ワーク１の第２の窒素ガス供給工程Ｓ３が終了した後にワーク２の水蒸気供給工程Ｓ２を開始していたが、本第２の実施形態では、ワーク１の水蒸気供給工程Ｓ２が終了した後にワーク２の水蒸気供給工程Ｓ２を開始する。第１の実施形態では、第２の窒素ガス供給ライン１３６が集合ライン１２７Ａに接続されていたため、水蒸気の供給と第２の窒素ガスの供給を並行して行うことができなかった。これに対して、本第２の実施形態では、第２の窒素ガス供給ライン２８０の分岐ライン２８０Ｂ〜２８０Ｄはバルブ１２８Ｂ〜１２８Ｄに直接接続されている。このため、例えばバルブ１２８Ｂ、バルブ１２８Ｃの開閉を制御することで、ワーク１の洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂに第２の窒素ガスを供給しつつ、ワーク２の洗浄チャンバ１００Ｃ、１００Ｄに水蒸気を供給することができる。したがって、本第２の実施形態では、第１の実施形態におけるワーク１の第２の窒素ガス供給工程Ｓ３にかかる時間を短縮することができる。
なお、本第２の実施形態では、ワーク１の第２の窒素ガス供給工程Ｓ３とワーク２の水蒸気供給工程Ｓ２が並行して行われる。かかる場合、ワーク１における洗浄チャンバ１００Ａ、１００Ｂからの排気（主に第２の窒素ガス）と、ワーク２における洗浄チャンバ１００Ｃ、１００Ｄからの排気（主に水蒸気）とを同じ排気ラインで行うと、排気干渉してしまう。そこで、第１の排気ライン１５１では、各洗浄チャンバ１００Ａ〜１００Ｆ内の第１の窒素ガス及び第２の窒素ガスを排出し、第２の排気ライン１５２では、各洗浄チャンバ１００Ａ〜１００Ｆ内の水蒸気を排出する。
また、本第２の実施形態では、ワーク２の水蒸気供給工程Ｓ２が終了した後にワーク３の水蒸気供給工程Ｓ２を開始する。したがって、本第２の実施形態では、第１の実施形態におけるワーク２の第２の窒素ガス供給工程Ｓ３にかかる時間も短縮することができる。
本第２の実施形態によれば、上記第１の実施形態と同様の効果を享受することができる。しかも、ワーク１〜３の全体の処理時間を短縮することができる。
＜第３の実施形態＞
次に、第３の実施形態にかかるウェハ洗浄モジュール３３の構成について説明する。図１２は、ウェハ洗浄モジュール３３の構成の概略を示す説明図である。
上記第１及び第２の実施形態では、１つの洗浄チャンバ１００において１枚のウェハＷを収容して処理したが、本第３の実施形態では、１つの洗浄チャンバ３００において２枚のウェハＷを収容して処理する。
ウェハ洗浄モジュール３３は、２枚のウェハＷを収容する洗浄チャンバ３００を有している。洗浄チャンバ３００は、ローダーモジュール３０の筐体の短辺を構成する一側面において、鉛直方向に複数、例えば４つ積層されて設けられている。以下の説明においては、これら４つの洗浄チャンバ３００を、下段側から上段側に洗浄チャンバ３００Ａ〜３００Ｄという場合がある。なお、洗浄チャンバ３００の数は、本第３の実施形態に限定されるものではなく、任意に設定できる。
４つの洗浄チャンバ３００Ａ〜３００Ｄにはそれぞれ、２つの給気モジュール３１０、３１１が接続されている。給気モジュール３１０は、洗浄チャンバ３００に水蒸気と第２の窒素ガスを供給する。給気モジュール３１１は、洗浄チャンバ３００に第１の窒素ガスを供給する。
給気モジュール３１０は、水蒸気を生成して洗浄チャンバ３００に供給する気化器３２０を有している。気化器３２０の構成は、第１の実施形態における気化器１２０の構成と同様である。そして、気化器３２０には、供給ライン３２１を介して純水供給源３２２が接続され、供給ライン３２３を介して窒素ガス供給源３２４が接続されている。また気化器３２０には、ベントライン３２５が接続され、ドレイン３２６が接続されている
洗浄チャンバ３００Ａ、３００Ｂと気化器３２０は、２本の水蒸気供給ライン３２７、３２７で接続されている。洗浄チャンバ３００Ａ、３００Ｂと気化器３２０を接続する水蒸気供給ライン３２７は、気化器３２０に接続された集合ライン３２７Ａと、集合ライン３２７Ａから分岐して洗浄チャンバ３００Ａ、３００Ｂのそれぞれに接続された分岐ライン３２７Ｂ、３２７Ｃを有している。同様に洗浄チャンバ３００Ｃ、３００Ｄと気化器３２０を接続する水蒸気供給ライン３２７は、気化器３２０に接続された集合ライン３２７Ｄと、集合ライン３２７Ｄから分岐して洗浄チャンバ３００Ｃ、３００Ｄのそれぞれに接続された分岐ライン３２７Ｅ、３２７Ｄを有している。集合ライン３２７Ａ、分岐ライン３２７Ｂ、３２７Ｃ、集合ライン３２７Ｄ、分岐ライン３２７Ｅ、３２７Ｆにはそれぞれ、バルブ３２８Ａ〜３２８Ｆが設けられている。
集合ライン３２７Ａ、３２７Ｄにはそれぞれ、ベントライン３２９Ａ、３２９Ｂが設けられている。ベントライン３２９Ａ、３２９Ｂはそれぞれ、後述する気液分離タンク３７２に接続されている。また、ベントライン３２９Ａ、３２９Ｂにはそれぞれバルブ３３０Ａ、３３０Ｂが設けられている。
給気モジュール３１０は、窒素ガスを第２の温度、例えば１２０℃〜３００℃、より好ましくは２００℃〜３００℃に加熱する第２の加熱部３４０と、第２の窒素ガスを所望の圧力で貯留する加圧タンク３４１とを更に有している。第２の加熱部３４０と加圧タンク３４１は供給ライン３４２を介して接続され、第２の加熱部３４０は加圧タンク３４１の上流側に設けられている。
第２の加熱部３４０と加圧タンク３４１の構成はそれぞれ、第１の実施形態における第２の加熱部１３０と加圧タンク１３１の構成と同様である。そして、第２の加熱部３４０には、供給ライン３４３を介して、内部に常温の窒素ガスを貯留する窒素ガス供給源３４４が接続されている。供給ライン３４３には、窒素ガスの流量を調整するフローメータ３４５が設けられている。加圧タンク３４１には、水蒸気供給ライン３２７を介して、洗浄チャンバ３００に第２の窒素ガスを供給する第２の窒素ガス供給ライン３４６Ａ、３４６Ｂが接続されている。第２の窒素ガス供給ライン３４６Ａ、３４６Ｂはそれぞれ、集合ライン３２７Ａ、３２７Ｄに接続されている。また、第２の窒素ガス供給ライン３４６Ａ、３４６Ｂはそれぞれ、バルブ３４７Ａ、３４７Ｂが設けられている。
給気モジュール３１１は、窒素ガスを第１の温度、例えば５０℃〜１００℃に加熱する第１の加熱部３５０と、第１の窒素ガスを貯留するタンク３５１とを有している。第１の加熱部３５０とタンク３５１は供給ライン３５２を介して接続され、第１の加熱部３５０はタンク３５１の上流側に設けられている。
第１の加熱部３５０とタンク３５１の構成はそれぞれ、第１の実施形態における第１の加熱部１４０とタンク１４１の構成と同様である。そして、第１の加熱部３５０には、供給ライン３５３を介して、内部に常温の窒素ガスを貯留する窒素ガス供給源３５４が接続されている。供給ライン３５３には、窒素ガスの流量を調整するフローメータ３５５が設けられている。タンク３５１には、水蒸気供給ライン３２７を介して、洗浄チャンバ３００に第１の窒素ガスを供給する第１の窒素ガス供給ライン３５６Ａ〜３５６Ｄが接続されている。第１の窒素ガス供給ライン３５６Ａ〜３５６Ｄはそれぞれ、分岐ライン３２７Ｂ、３２７Ｃ、３２７Ｅ、３２７Ｆに接続されている。また、第１の窒素ガス供給ライン３５６Ａ〜３５６Ｄにはそれぞれ、バルブ３５７Ａ〜３５７Ｄが設けられている。
４つの洗浄チャンバ３００Ａ〜３００Ｄにはそれぞれ、第１の排気ライン３６１と第２の排気ライン３６２が接続されている。第１の排気ライン３６１は、各洗浄チャンバ３００Ａ〜３００Ｄ内の水蒸気及び第１の窒素ガスを排出する。第１の排気ライン３６１は、第１の水蒸気排気ライン３６１Ａと第１の窒素ガス排気ライン３６１Ｂに分岐する。第１の水蒸気排気ライン３６１Ａと第１の窒素ガス排気ライン３６１Ｂにはそれぞれ、バルブ３６３Ａ、３６３Ｂが設けられている。第２の排気ライン３６２は、各洗浄チャンバ３００Ａ〜３００Ｄ内の水蒸気及び第２の窒素ガスを排出する。第２の排気ライン３６２は、第２の水蒸気排気ライン３６２Ａと第２の窒素ガス排気ライン３６２Ｂに分岐する。第２の水蒸気排気ライン３６２Ａと第２の窒素ガス排気ライン３６２Ｂにはそれぞれ、バルブ３６４Ａ、３６４Ｂが設けられている。
第１の窒素ガス排気ライン３６１Ｂと第２の窒素ガス排気ライン３６２Ｂはぞれぞれ、排気タンク３７０に接続される。そして、各洗浄チャンバ３００Ａ〜３００Ｄから排出される第１の窒素ガス及び第２の窒素ガスはそれぞれ、第１の窒素ガス排気ライン３６１Ｂと第２の窒素ガス排気ライン３６２Ｂを介して、排気タンク３７０に集合排気される。
第１の水蒸気排気ライン３６１Ａと第２の水蒸気排気ライン３６２Ａはそれぞれ、ポンプ３７１及び気液分離タンク３７２を介して、排気タンク３７０に接続される。各洗浄チャンバ１００Ａ〜１００Ｆから排出される水蒸気は、ポンプ３７１で吸引され、気液分離タンク３７２で気体（ガス）と液体に分離された後、ガスが排気タンク３７０に排気される。
次に、洗浄チャンバ３００の構成について説明する。図１３は、洗浄チャンバ３００の構成の概略を示す説明図である。
洗浄チャンバ３００は、留め板４００、キャップ部４０１、収容部４０２、及び留め部材４０３が上方から下方に向けてこの順で積層されて構成されている。キャップ部４０１は収容部４０２に嵌め込まれるように配置され、更に留め板４００がキャップ部４０１の上面を覆い、これら留め板４００と留め部材４０３が、キャップ部４０１と収容部４０２を挟み込んで固定する。また、本第３の実施形態ではキャップ部４０１が本開示のチャンバ本体を構成し、当該キャップ部４０１は昇降機構（図示せず）によって昇降可能に構成されている。そして、洗浄チャンバ３００を構成する際には、収容部４０２に対して、昇降機構によってチャンバ本体を降下させる。また、洗浄チャンバ３００には、当該洗浄チャンバ３００内にウェハＷを搬入出するために開閉自在なゲート４０４が設けられている。
洗浄チャンバ３００は略直方体形状であり、第１の側壁４１１、第２の側壁４１２、第３の側壁４１３、及び第４の側壁４１４を有している。第１の側壁４１１と第３の側壁４１３は対向し、第２の側壁４１２と第４の側壁４１４は対向している。
第１の側壁４１１には、水蒸気供給ライン３２７が接続され、当該水蒸気供給ライン３２７からの水蒸気、第１の窒素ガス、及び第２の窒素ガスの供給口４２１が形成されている。後述するように収容空間４３０は上部収容空間４３０Ａと下部収容空間４３０Ｂに区画され、供給口４２１は、これら上部収容空間４３０Ａと下部収容空間４３０Ｂのそれぞれに、合計２箇所に形成されている。また、第１の側壁４１１には、第１の排気ライン３６１及び第２の排気ライン３６２が接続され、洗浄チャンバ１００内を排気する排気口４２２が形成されている。排気口４２２も、上部収容空間４３０Ａと下部収容空間４３０Ｂのそれぞれに、合計２箇所に形成されている。なお、排気口４２２は、第２の側壁４１２に形成されていてもよい。また、排気口４２２の面積は、供給口４２１の面積よりも大きい。第３の側壁２１３には、ウェハＷの搬入出口４２３が形成されている。上述したゲート４０４は、この第３の側壁２１３に設けられている。
収容部４０２の内部には、２枚のウェハＷを収容する収容空間４３０が形成されている。収容空間４３０は、キャップ部４０１が収容部４０２に嵌め込まれることで、その内部に形成される。また、収容部４０２の内部には、２枚のウェハＷを支持する支持部材４３１が設けられている。２枚のウェハＷの間隔は、例えば１０ｍｍである。
図１４は、キャップ部４０１の構成の概略を示す説明図である。キャップ部４０１は、天板４４０、仕切り板４４１、及び底板４４２が上方から下方に向けてこの順で積層されて構成されている。仕切り板４４１には、平面視において略円形状に開口した開口部４４３が形成されている。また底板４４２は、仕切り板４４１の開口部４４３に沿って分割されている。この開口部４４３には、洗浄チャンバ３００に収容される２枚のウェハＷのうち、上側のウェハＷが配置される。そして、仕切り板４４１と上側のウェハＷにより、収容空間４３０が上部収容空間４３０Ａと下部収容空間４３０Ｂに区画される。
仕切り板４４１において開口部４４３より第１の側壁４１１側には、当該仕切り板４４１より突起した突起４５０が設けられている。この突起４５０により、上述した供給口４２１と排気口４２２が形成される。また、突起４５０は、仕切り板４４１の上面と下面の両方に設けられている。
仕切り板４４１において、開口部４４３より第１の側壁４１１側であって、かつ排気口４２２側には、当該仕切り板４４１より突出した複数のピラー４６０が設けられている。複数のピラー４６０は、平面視において開口部４４３（ウェハＷ）の外周外側に沿って、所望の間隔で配置されている。また、複数のピラー４６０は、仕切り板４４１の上面と下面の両方に設けられている。なお、各ピラー４６０は、例えば円柱形状を有している。
図１５は、洗浄チャンバ３００の上部収容空間４３０Ａにおいて供給口４２１から供給されたガスの流路を示す説明図である。図１６は、洗浄チャンバ３００の下部収容空間４３０Ｂにおいて供給口４２１から供給されたガスの流路を示す説明図である。なお、図示の例では水蒸気の流れが矢印で示されているが、第１の窒素ガス又は第２の窒素ガスの流れも同様である。
供給口４２１から供給された水蒸気は、ウェハＷの表面（上面）を通って排気口４２２に向かって流れる。この際、水蒸気は、洗浄チャンバ１００の内側面（上部収容空間４３０Ａの側面及び下部収容空間４３０Ｂの側面）に沿って、略円弧型に流れる。また、上部収容空間４３０Ａと下部収容空間４３０Ｂにおけるガスの流路は、ほぼ同じである。そして、２枚のウェハＷの表面全面が均一に水蒸気に晒される。
本第３の実施形態のウェハ洗浄モジュール３３は以上のように構成されている。次に、ウェハ洗浄モジュール３３におけるウェハＷの洗浄処理について説明する。図１７は、ウェハＷの洗浄処理におけるウェハ洗浄モジュール３３の動作を示す説明図である。なお、図１７を用いた以下の説明では、洗浄チャンバ３００Ａ、３００Ｂにおける洗浄処理について説明するが、他の洗浄チャンバ３００Ｃ、３００Ｄにおける洗浄処理も同様である。
先ず、洗浄チャンバ３００Ａにおける洗浄処理について説明する。洗浄チャンバ３００Ａでは、第１の窒素ガス供給工程Ｔ１（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）、水蒸気供給工程Ｔ２（Ｈ２Ｏパージ）、第２の窒素ガス供給工程Ｔ３（Ｈｉｇｈ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）、第１の窒素ガス供給工程Ｔ４（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）が順次行われる。
［第１の窒素ガス供給工程Ｔ１（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）］
本工程Ｔ１では、バルブ３５７Ａが開けられ、第１の加熱部３５０で第１の温度、例えば５０℃〜１００℃に加熱された第１の窒素ガスが、洗浄チャンバ３００Ａに供給される。また、バルブ３６３Ｂが開けられ、第１の排気ライン３６１を介して、洗浄チャンバ３００Ａの内部のガス（主に第１の窒素ガス）が排出される。すなわち、洗浄チャンバ３００Ａでは、大気圧下で第１の窒素ガスが供給されつつ、内部のガスが排出される。なお、本工程Ｔ１では、バルブ３３０Ａが開けられ、ベントライン３２９Ａから集合ライン３２７Ａの内部のガスが排出される。
このように洗浄チャンバ３００Ａに第１の窒素ガスが供給されている間に、洗浄チャンバ３００Ａのゲート４０４が開けられ、２枚のウェハＷが搬入される。そして、第１の窒素ガスによって各ウェハＷが所望の温度に調節される。所望の温度は、ウェハＷのフッ素が除去できる温度であり、例えば５０℃〜８０℃である。
［水蒸気供給工程Ｔ２（Ｈ２Ｏパージ）］
本工程Ｔ２では、バルブ３２８Ａ、３２８Ｂが開けられ、気化器３２０で生成された水蒸気が、洗浄チャンバ３００Ａに供給される。また、バルブ３６３Ａ、３６４Ａが開けられ、第２の排気ライン３６２を介して、洗浄チャンバ３００Ａの内部のガス（主に水蒸気）が排出される。すなわち、洗浄チャンバ３００Ａでは、大気圧下で水蒸気が供給されつつ、内部のガスが排出される。
本工程Ｔ２では、ウェハＷの表面を水蒸気に晒すことで、水蒸気とフッ素が反応して、当該フッ素が除去される。またこの際、洗浄チャンバ３００Ａの内部にはピラー４６０が設けられているため、図１５及び図１６に示したように水蒸気は、上部収容空間４３０Ａと下部収容空間４３０Ｂにおいて、略円弧型に流れる。そうすると、２枚のウェハＷの表面全面が均一に水蒸気に晒されるため、水蒸気とフッ素の反応を促進し、フッ素が適切に除去される。
［第２の窒素ガス供給工程Ｔ３（Ｈｉｇｈ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）］
本工程Ｔ３では、バルブ３４７Ａが開けられ、第２の加熱部３４０で第２の温度、例えば１２０℃〜３００℃、より好ましくは２００℃〜３００℃に加熱された第２の窒素ガスが、洗浄チャンバ３００Ａに供給される。また、バルブ３６４Ｂが開けられ、第２の排気ライン３６２を介して、洗浄チャンバ３００Ａの内部のガス（主に第２の窒素ガス）が排出される。すなわち、洗浄チャンバ３００Ａでは、大気圧下で第２の窒素ガスが供給されつつ、内部のガスが排出される。なお、本工程Ｔ３では、バルブ３３０Ａが開けられ、ベントライン３２９Ａから集合ライン３２７Ａの内部のガスが排出される。
かかる高温の第２の窒素ガスによって、前の工程Ｔ２で水蒸気に晒されたウェハＷを乾燥させることができる。また、洗浄チャンバ３００Ａに残留する水蒸気を除去すると共に、水蒸気供給ライン３２７の集合ライン３２７Ａの一部と分岐ライン３２７Ｂに残留する水蒸気も除去し、更には第２の排気ライン３６２に残留する水蒸気を除去する。このように洗浄チャンバ３００Ａ、水蒸気供給ライン３２７、第２の排気ライン３６２の水蒸気を除去することで、結露を抑制する。
［第１の窒素ガス供給工程Ｔ４（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）］
本工程Ｔ４では、バルブ３５７Ａが開けられ、第１の加熱部３５０で第１の温度、例えば５０℃〜１００℃に加熱された第１の窒素ガスが、洗浄チャンバ３００Ａに供給される。また、バルブ３６３Ｂが開けられ、第１の排気ライン３６１を介して、洗浄チャンバ３００Ａの内部のガス（主に第１の窒素ガス）が排出される。すなわち、洗浄チャンバ３００Ａでは、大気圧下で第１の窒素ガスが供給されつつ、内部のガスが排出される。なお、本工程Ｔ４では、バルブ３３０Ａが開けられ、ベントライン３２９Ａから集合ライン３２７Ａの内部のガスが排出される。
かかる第１の窒素ガスによって、ウェハＷが所望の温度に調節される。ウェハＷの所望の温度は、ウェハ搬送機構４０がウェハＷを搬送できる温度であって、例えば８０℃以下である。
以上の洗浄チャンバ３００Ａにおける一連の工程Ｔ１〜Ｔ４が終了すると、洗浄チャンバ３００Ａのゲート４０４が開けられ、２枚のウェハＷが搬出される。
洗浄チャンバ３００Ｂでも、洗浄チャンバ３００Ａと同様に、第１の窒素ガス供給工程Ｔ１（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）、水蒸気供給工程Ｔ２（Ｈ２Ｏパージ）、第２の窒素ガス供給工程Ｔ３（Ｈｉｇｈ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）、第１の窒素ガス供給工程Ｔ４（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ２パージ）が順次行われる。
但し、洗浄チャンバ３００Ｂでは、各工程Ｔ１〜Ｔ４を行うタイミングが異なる。気化器３２０、第２の加熱部３４０及び加圧タンク３４１、第１の加熱部３５及びタンク３５１はそれぞれ、各洗浄チャンバ３００Ａ〜３００Ｄに共通に設けられているためである。洗浄チャンバ３００Ｂでは、洗浄チャンバ３００Ａの水蒸気供給工程Ｔ２が終了した後、当該洗浄チャンバ３００Ｂの水蒸気供給工程Ｓ２を開始する。
本第３の実施形態によれば、上記第１、第２の実施形態と同様の効果を享受することができる。しかも、１つの洗浄チャンバ３００で２枚のウェハＷを同時に処理できるので、ウェハ処理全体のスループットを上昇させることができ、ウェハ洗浄モジュール３３における処理枚数を増加させることができる。
＜第４の実施形態＞
次に、第４の実施形態にかかるウェハ洗浄モジュール３３の構成について説明する。図１８は、ウェハ洗浄モジュール３３の構成の概略を示す説明図である。
第３の実施形態では、気化器３２０、第２の加熱部３４０、及び加圧タンク３４１はそれぞれ１個設けられていたが、これらは複数設けられていてもよい。第４の実施形態のウェハ洗浄モジュール３３は、気化器、第２の加熱部、及び加圧タンクをそれぞれ２個有している。すなわち、第４の実施形態のウェハ洗浄モジュール３３は、第１の実施形態の給気モジュール３１０に代えて、２つの給気モジュール５００、５０１を有している。なお、第４の実施形態のウェハ洗浄モジュール３３のその他の構成は、第３の実施形態のウェハ洗浄モジュール３３の構成と同様である。
給気モジュール５００は、洗浄チャンバ３００Ａ、３００Ｂに水蒸気及び第２の窒素ガスを供給する。給気モジュール５００は、気化器５１０を有している。気化器５１０には、集合ライン３２７Ａが接続される。気化器５１０の構成は、第３の実施形態における気化器３２０の構成と同様であるが、その容量は小さくなっている。そして、気化器５１０には、供給ライン５１１を介して純水供給源５１２が接続され、供給ライン５１３を介して窒素ガス供給源５１４が接続されている。また気化器５１０には、ベントライン５１５が接続され、ドレイン５１６が接続されている。
給気モジュール５００は、第２の加熱部５２０と、第２の窒素ガスを所望の圧力で貯留する加圧タンク５２１とを更に有している。第２の加熱部３４０と加圧タンク５２１は供給ライン５２２を介して接続され、第２の加熱部５２０は加圧タンク５２１の上流側に設けられている。第２の加熱部５２０と加圧タンク５２１の構成はそれぞれ、第３の実施形態における第２の加熱部３４０と加圧タンク３４１の構成と同様である。そして、第２の加熱部５２０には、供給ライン５２３を介して窒素ガス供給源５２４が接続され、供給ライン５２３にはフローメータ５２５が設けられている。加圧タンク５２１には、第２の窒素ガス供給ライン３４６Ａが接続されている。
給気モジュール５０１の構成は、給気モジュール５００の構成と同様である。但し、給気モジュール４１０において、気化器５１０には集合ライン３２７Ｄが接続され、加圧タンク５２１には第２の窒素ガス供給ライン３４６Ｂが接続されている。
本第４の実施形態によれば、上記第３の実施形態と同様の効果を享受することができる。しかも、気化器５１０、第２の加熱部５２０、及び加圧タンク５２１がそれぞれ２個設けられているので、精緻な洗浄処理が可能となる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板の洗浄装置であって、水蒸気を生成するように構成された気化部と、窒素ガスを第１の温度まで加熱するように構成された第１の加熱部と、窒素ガスを第２の温度まで加熱するように構成された第２の加熱部であり、前記第２の温度は前記第１の温度よりも高い、第２の加熱部と、前記気化部、前記第１の加熱部及び前記第２の加熱部に接続された少なくとも１つの洗浄チャンバであり、前記洗浄チャンバは、大気圧下で少なくとも１つの基板を水蒸気、前記第１の温度を有する窒素ガス、又は前記第２の温度を有する窒素ガスに晒すように構成される、少なくとも１つの洗浄チャンバと、を有する、基板洗浄装置。
前記（１）によれば、第１の温度の窒素ガスにより基板を所望の温度に調節するので、水蒸気により基板の表面のフッ素を適切に除去することができる。また、高温の第２の温度の窒素ガスにより基板の表面の水蒸気を除去することができる。したがって、ＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を施した後の基板の洗浄処理を適切に行うことができる。
（２）前記第１の温度は、５０℃〜１００℃であり、前記第２の温度は、１２０℃〜３００℃である、前記（１）に記載の基板洗浄装置。
前記（２）の第１の温度及び第２の温度によれば、上述した前記（１）による効果を適切に享受することができる。
（３）水蒸気を前記少なくとも１つの洗浄チャンバに供給した後に前記第２の温度を有する窒素ガスを前記少なくとも１つの洗浄チャンバに供給するように当該基板洗浄装置を制御するように構成される少なくとも１つの制御部と、前記第２の加熱部に接続され、窒素ガスを所望の圧力に調節するように構成される圧力調節部と、を更に有し、前記第２の加熱部又は前記圧力調節部は、前記気化部と前記少なくとも１つの洗浄チャンバとを接続する水蒸気供給ラインに接続され、前記第２の温度及び前記所望の圧力を有する窒素ガスを前記水蒸気供給ラインの一部を介して前記少なくとも１つの洗浄チャンバに供給して、前記水蒸気供給ラインの一部及び前記洗浄チャンバ内に残留している水蒸気を除去する、前記（１）又は（２）に記載の基板洗浄装置。
（４）前記圧力調節部は、前記第２の温度を有する窒素ガスを前記所望の圧力で貯留するように構成された加圧タンクである、前記（３）に記載の基板洗浄装置。
前記（３）又は（４）によれば、圧力調整部（加圧タンク）で所望の圧力に調節された第２の温度の窒素ガスを、瞬時に高圧で洗浄チャンバに供給することができる。
（５）前記少なくとも１つの洗浄チャンバは、複数の洗浄チャンバを有し、前記複数の洗浄チャンバは、前記気化器、前記第１の加熱部及び前記第２の加熱部を共有する、前記（１）〜（６）のうちいずれか１つに記載の基板洗浄装置。
（６）前記複数の洗浄チャンバに接続された第１の排気ライン及び第２の排気ラインを有する、前記（５）に記載の基板洗浄装置。
（７）前記第１の排気ラインは、前記第１の温度を有する窒素ガスを前記洗浄チャンバ内に供給した後に前記洗浄チャンバ内のガスを排出するために使用され、前記第２の排気ラインは、水蒸気を前記洗浄チャンバ内に供給した後に前記洗浄チャンバ内のガスを排出するために使用され、及び前記第２の温度を有する窒素ガスを前記洗浄チャンバ内に供給した後に前記洗浄チャンバ内のガスを排出するために使用される、前記（６）に記載の基板洗浄装置。
（８）前記第１の排気ラインは、前記第１の温度を有する窒素ガスを前記洗浄チャンバ内に供給した後に前記洗浄チャンバ内のガスを排出するために使用され、及び前記第２の温度を有する窒素ガスを前記洗浄チャンバ内に供給した後に前記洗浄チャンバ内のガスを排出するために使用され、前記第２の排気ラインは、水蒸気を前記洗浄チャンバ内に供給した後に前記洗浄チャンバ内のガスを排出するために使用される、前記（６）に記載の基板洗浄装置。
前記（６）〜（８）のいずれかによれば、洗浄チャンバの内部のガスを干渉させずに適切に排出することができる。
（９）前記洗浄チャンバは、第１の側壁及び第２の側壁とを有し、前記第１側壁は、水蒸気、前記第１の温度を有する窒素ガス及び前記第２の温度を有する窒素ガスの供給口を有し、前記第２の側壁は、排気口を有する、前記（１）〜（８）のいずれか１つに記載の基板洗浄装置。
（１０）前記洗浄チャンバは、１つの基板を収容して洗浄し、平面視において基板に被るように配置されたフィンであり、前記供給口から前記排気口に向かって、前記洗浄チャンバの内側面と前記フィンの外側面に沿ったＵ字型のガスの流路を形成するように構成されたフィンを有する、前記（９）に記載の基板洗浄装置。
（１１）前記洗浄チャンバは、１つ又は２つの基板を収容して洗浄し、平面視において基板の外側に配置されたピラーであり、前記供給口から前記排気口に向かって、前記洗浄チャンバの内側面に沿った前記円弧型のガスの流路を形成するように構成されたピラーを有する、前記（９）に記載の基板洗浄装置。
前記（１０）又は（１１）によれば、洗浄チャンバの内部において、水蒸気、第１の窒素ガス、及び第２の窒素ガスを適切に流すことができる。その結果、基板の表面全面が均一に水蒸気に晒され、フッ素を適切に除去することができる。また、基板の表面全面が第２の窒素ガスに晒され、基板を適切に乾燥させることができる。
（１２）前記洗浄チャンバは、基板を覆うチャンバ本体と、チャンバ本体を昇降させる昇降機構と、を有する、前記（１１）に記載の基板洗浄装置。
（１３）前記洗浄チャンバは、前記第１の側壁及び前記第２の側壁とは異なる第３の側壁を有し、前記第３の側壁は、基板の搬入出口を有する、前記（９）〜（１２）のいずれか１つに記載の基板洗浄装置。
（１４）基板の洗浄方法であって、ａ）洗浄チャンバ内に少なくとも１つの基板を配置する工程と、ｂ）大気圧下で第１の温度を有する窒素ガスを前記洗浄チャンバに供給する工程と、ｃ）大気圧下で水蒸気を前記洗浄チャンバに供給する工程と、ｄ）大気圧下で第２の温度を有する窒素ガスを前記洗浄チャンバに供給する工程であり、前記第２の温度は、前記第１の温度より高い、工程と、を有する、基板洗浄方法。
（１５）前記ｄ）の後に、大気圧下で前記第１の温度を有する窒素ガスを前記洗浄チャンバに供給する工程を更に有する、前記（１４）に記載の基板洗浄方法。
（１６）前記ｂ）において、前記洗浄チャンバ内のガスを第１の排気ラインから排出する工程と、前記ｃ）と前記ｄ）において、前記洗浄チャンバ内のガスを第２の排気ラインから排出する工程と、前記ｄ）の後に、前記洗浄チャンバ内のガスを前記第１の排気ラインもしくは前記第２の排気ラインから排出する工程と、を有する、前記（１４）又は（１５）に記載の基板洗浄方法。
３３ ウェハ洗浄モジュール
１００ 洗浄チャンバ
１２０ 気化器
１３０ 第２の加熱部
１４０ 第１の加熱部
Ｗ ウェハ

Claims (16)

  1. 基板の洗浄装置であって、
    水蒸気を生成するように構成された気化部と、
    窒素ガスを第１の温度まで加熱するように構成された第１の加熱部と、
    窒素ガスを第２の温度まで加熱するように構成された第２の加熱部であり、前記第２の温度は前記第１の温度よりも高い、第２の加熱部と、
    前記気化部、前記第１の加熱部及び前記第２の加熱部に接続された少なくとも１つの洗浄チャンバであり、前記洗浄チャンバは、大気圧下で少なくとも１つの基板を水蒸気、前記第１の温度を有する窒素ガス、又は前記第２の温度を有する窒素ガスに晒すように構成される、少なくとも１つの洗浄チャンバと、を有する、基板洗浄装置。
  2. 前記第１の温度は、５０℃〜１００℃であり、
    前記第２の温度は、１２０℃〜３００℃である、請求項１に記載の基板洗浄装置。
  3. 水蒸気を前記少なくとも１つの洗浄チャンバに供給した後に前記第２の温度を有する窒素ガスを前記少なくとも１つの洗浄チャンバに供給するように当該基板洗浄装置を制御するように構成される少なくとも１つの制御部と、
    前記第２の加熱部に接続され、窒素ガスを所望の圧力に調節するように構成される圧力調節部と、を更に有し、
    前記第２の加熱部又は前記圧力調節部は、前記気化部と前記少なくとも１つの洗浄チャンバとを接続する水蒸気供給ラインに接続され、前記第２の温度及び前記所望の圧力を有する窒素ガスを前記水蒸気供給ラインの一部を介して前記少なくとも１つの洗浄チャンバに供給して、前記水蒸気供給ラインの一部及び前記洗浄チャンバ内に残留している水蒸気を除去する、請求項１又は請求項２に記載の基板洗浄装置。
  4. 前記圧力調節部は、前記第２の温度を有する窒素ガスを前記所望の圧力で貯留するように構成された加圧タンクである、請求項３に記載の基板洗浄装置。
  5. 前記少なくとも１つの洗浄チャンバは、複数の洗浄チャンバを有し、
    前記複数の洗浄チャンバは、前記気化部、前記第１の加熱部及び前記第２の加熱部を共有する、請求項１〜４のうちいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
  6. 前記複数の洗浄チャンバに接続された第１の排気ライン及び第２の排気ラインを有する、請求項５に記載の基板洗浄装置。
  7. 前記第１の排気ラインは、前記第１の温度を有する窒素ガスを前記洗浄チャンバ内に供給した後に前記洗浄チャンバ内のガスを排出するために使用され、
    前記第２の排気ラインは、水蒸気を前記洗浄チャンバ内に供給した後に前記洗浄チャンバ内のガスを排出するために使用され、及び前記第２の温度を有する窒素ガスを前記洗浄チャンバ内に供給した後に前記洗浄チャンバ内のガスを排出するために使用される、請求項６に記載の基板洗浄装置。
  8. 前記第１の排気ラインは、前記第１の温度を有する窒素ガスを前記洗浄チャンバ内に供給した後に前記洗浄チャンバ内のガスを排出するために使用され、及び前記第２の温度を有する窒素ガスを前記洗浄チャンバ内に供給した後に前記洗浄チャンバ内のガスを排出するために使用され、
    前記第２の排気ラインは、水蒸気を前記洗浄チャンバ内に供給した後に前記洗浄チャンバ内のガスを排出するために使用される、請求項６に記載の基板洗浄装置。
  9. 前記洗浄チャンバは、第１の側壁及び第２の側壁とを有し、
    前記第１の側壁は、水蒸気、前記第１の温度を有する窒素ガス及び前記第２の温度を有する窒素ガスの供給口を有し、
    前記第２の側壁は、排気口を有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
  10. 前記洗浄チャンバは、１つの基板を収容して洗浄し、平面視において基板に被るように配置されたフィンであり、前記供給口から前記排気口に向かって、前記洗浄チャンバの内側面と前記フィンの外側面に沿ったＵ字型のガスの流路を形成するように構成されたフィンを有する、請求項９に記載の基板洗浄装置。
  11. 前記洗浄チャンバは、１つ又は２つの基板を収容して洗浄し、平面視において基板の外側に配置されたピラーであり、前記供給口から前記排気口に向かって、前記洗浄チャンバの内側面に沿った円弧型のガスの流路を形成するように構成されたピラーを有する、請求項９に記載の基板洗浄装置。
  12. 前記洗浄チャンバは、
    基板を覆うチャンバ本体と、
    チャンバ本体を昇降させる昇降機構と、を有する、請求項１１に記載の基板洗浄装置。
  13. 前記洗浄チャンバは、前記第１の側壁及び前記第２の側壁とは異なる第３の側壁を有し、
    前記第３の側壁は、基板の搬入出口を有する、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
  14. 基板の洗浄方法であって、
    ａ）洗浄チャンバ内に少なくとも１つの基板を配置する工程と、
    ｂ）大気圧下で第１の温度を有する窒素ガスを前記洗浄チャンバに供給する工程と、
    ｃ）大気圧下で水蒸気を前記洗浄チャンバに供給する工程と、
    ｄ）大気圧下で第２の温度を有する窒素ガスを前記洗浄チャンバに供給する工程であり、前記第２の温度は、前記第１の温度より高い、工程と、を有する、基板洗浄方法。
  15. 前記ｄ）の後に、大気圧下で前記第１の温度を有する窒素ガスを前記洗浄チャンバに供給する工程を更に有する、請求項１４に記載の基板洗浄方法。
  16. 前記ｂ）において、前記洗浄チャンバ内のガスを第１の排気ラインから排出する工程と、
    前記ｃ）と前記ｄ）において、前記洗浄チャンバ内のガスを第２の排気ラインから排出する工程と、
    前記ｄ）の後に、前記洗浄チャンバ内のガスを前記第１の排気ラインもしくは前記第２の排気ラインから排出する工程と、を有する、請求項１４又は請求項１５に記載の基板洗浄方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023002860A1 (ja) * 2021-07-19 2023-01-26 東京エレクトロン株式会社 ドア機構、基板処理装置及び基板洗浄方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
EP4309809A1 (de) * 2022-07-19 2024-01-24 Müller, Axel Reinigungsverfahren mittels gasspülung

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004158549A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Tokyo Electron Ltd 基板乾燥装置および基板乾燥方法
JP2007266490A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toshiba Corp 基板の処理方法および半導体装置の製造方法
US20180169712A1 (en) * 2016-12-20 2018-06-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
US20180330942A1 (en) * 2017-05-12 2018-11-15 Lam Research Corporation Halogen Removal Module and Associated Systems and Methods
US20190164768A1 (en) * 2017-11-28 2019-05-30 Tokyo Electron Limited Film Forming Method

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5235995A (en) * 1989-03-27 1993-08-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization
US6328809B1 (en) * 1998-10-09 2001-12-11 Scp Global Technologies, Inc. Vapor drying system and method
US6295998B1 (en) * 1999-05-25 2001-10-02 Infineon Technologies North America Corp. Temperature controlled gassification of deionized water for megasonic cleaning of semiconductor wafers
JP3824473B2 (ja) * 2000-07-11 2006-09-20 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理方法
JP3808725B2 (ja) * 2001-05-30 2006-08-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
JP3643954B2 (ja) * 2001-08-29 2005-04-27 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置
US20050221020A1 (en) * 2004-03-30 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Method of improving the wafer to wafer uniformity and defectivity of a deposited dielectric film
JP6204213B2 (ja) * 2014-01-28 2017-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP6854611B2 (ja) 2016-01-13 2021-04-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システム
KR101921597B1 (ko) * 2016-12-16 2018-11-26 (주)에스티아이 기판의 연속 처리 장치 및 방법
JP2020132904A (ja) * 2019-02-13 2020-08-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004158549A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Tokyo Electron Ltd 基板乾燥装置および基板乾燥方法
JP2007266490A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toshiba Corp 基板の処理方法および半導体装置の製造方法
US20180169712A1 (en) * 2016-12-20 2018-06-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP2018101677A (ja) * 2016-12-20 2018-06-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US20180330942A1 (en) * 2017-05-12 2018-11-15 Lam Research Corporation Halogen Removal Module and Associated Systems and Methods
JP2018195810A (ja) * 2017-05-12 2018-12-06 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ハロゲン除去モジュールならびに関連のシステムおよび方法
US20190164768A1 (en) * 2017-11-28 2019-05-30 Tokyo Electron Limited Film Forming Method
JP2019099835A (ja) * 2017-11-28 2019-06-24 東京エレクトロン株式会社 成膜方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023002860A1 (ja) * 2021-07-19 2023-01-26 東京エレクトロン株式会社 ドア機構、基板処理装置及び基板洗浄方法

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