JP2021055053A - フルオロポリエーテル基含有シラン化合物 - Google Patents

Abstract

【課題】良好な摩擦耐久性を有する表面処理層の形成に寄与し得るフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の提供。【解決手段】式（１ａ）または式（１ｂ）で表される、フルオロポリエーテル基含有シラン化合物。式中、各記号は、明細書の記載と同意義である。【選択図】なし

Description

本開示は、フルオロポリエーテル基含有シラン化合物に関する。

ある種の含フッ素シラン化合物は、基材の表面処理に用いると、優れた撥水性、撥油性、防汚性などを提供し得ることが知られている。含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から得られる層（以下、「表面処理層」とも言う）は、いわゆる機能性薄膜として、例えばガラス、プラスチック、繊維、建築資材など種々多様な基材に施されている。

そのような含フッ素化合物として、パーフルオロポリエーテル基を分子主鎖に有し、Ｓｉ原子に結合した加水分解可能な基を分子末端または末端部に有するパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物が知られている（特許文献１〜２）。

特開２０１４−２１８６３９号公報 特開２０１７−０８２１９４号公報

上記のようなポリエーテル基含有シラン化合物には、さらに良好な摩擦耐久性を有する表面処理層の形成に寄与できることが求められ得る。

本開示は、以下の［１］〜［２３］を提供するものである。
［１］
式（１ａ）または式（１ｂ）：

［式中：
Ｒ^Ｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｆ^１−Ｒ^Ｆ−Ｏ_ｑ−であり；
Ｒ^Ｆ２は、−Ｒｆ^２ _ｐ−Ｒ^Ｆ−Ｏ_ｑ−であり；
Ｒｆ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１−１６アルキル基であり；
Ｒｆ^２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１−６アルキレン基であり；
Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基であり；
ｐは、０または１であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０または１であり；
Ｘ^Ａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｘ^１ _ｒ１−Ｗ−Ｘ^２ _ｒ２−で表される基であり；
Ｘ^１は、２価の有機基であり；
Ｗは、Ｎ原子を含む５員のヘテロ環であり；
Ｘ^２は、２価の有機基であり；
ｒ１は、０または１であり；
ｒ２は、０または１であり；
Ｒ^Ｓｉは、各出現においてそれぞれ独立して、式（Ｓ１）：

で表され；
Ａ^１は、ＣまたはＳｉであり；
Ｚ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基であり；
Ｒ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり；
Ｒ^１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
ｎは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数であり；
Ｒ^ｅは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基、または１価の有機基であり；
ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、２または３である。］
で表される、フルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
［２］
Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
−（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ−（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ−
［式中：
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は１以上であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
で表される基である、［１］に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
［３］
Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、下記式（ｆ１）、（ｆ２）、（ｆ３）、（ｆ４）または（ｆ５）で表される、［１］または［２］に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ− （ｆ１）
［式中、ｄは、１〜２００の整数である。］
−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ− （ｆ２）
［式中、ｃおよびｄは、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｅおよびｆは、それぞれ独立して１以上２００以下の整数であり、
ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は２以上であり、
添字ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
−（Ｒ^６−Ｒ^７）_ｇ− （ｆ３）
［式中、Ｒ^６は、ＯＣＦ_２またはＯＣ_２Ｆ_４であり、
Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０およびＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせであり、
ｇは、２〜１００の整数である。］
−（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ−（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ− （ｆ４）
［式中、ｅは、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１であり、また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
−（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ−（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ− （ｆ５）
［式中、ｆは、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１であり、また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
［４］
Ｗは、２以上のヘテロ原子を有する５員のヘテロ環である、［１］〜［３］のいずれか１つに記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
［５］
前記２以上のヘテロ原子は、２以上のＮ原子である、［４］に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
［６］
前記２以上のヘテロ原子は、少なくとも１つのＮ原子と少なくとも１つのＮ原子以外のヘテロ原子である、［４］に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
［７］
前記Ｎ原子以外のヘテロ原子が、Ｏ原子である、［６］に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
［８］
Ｘ^１およびＸ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、−（Ｒ^５１）_ｐ５−（Ｘ^５１）_ｑ５−で表される２価の有機基である、
［式中：
Ｒ^５１は、−（ＣＨ_２）_ｓ５−を表し；
ｓ５は、１〜２０の整数であり；
Ｘ^５１は、−（Ｘ^５２）_ｌ５−を表し；
Ｘ^５２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮＲ^５４−、−Ｏ−ＣＯＮＲ^５４−、および−ＮＲ^５４−からなる群から選択される基を表し；
Ｒ^５４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ_１−６アルキル基を表し；
ｌ５は、１〜１０の整数であり；
ｐ５は、０または１であり；
ｑ５は、０または１であり；
ただし、ｐ５またはｑ５を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である。］
［１］〜［７］のいずれか１つに記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
［９］
Ｘ^１およびＸ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ_１−２０アルキレン基である、［１］〜［８］のいずれか１つに記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
［１０］
ｒ１は０であり、かつ、ｒ２は１である、［１］〜［９］のいずれか１つに記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
［１１］
ｒ１は０、ｒ２は１、Ｘ^２は−（ＣＨ_２）_ｓ５−、かつｓ５は１〜３の整数である、［１］〜［１０］のいずれか１つに記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
［１２］
Ｚ^１は、
Ｃ_１−６アルキレン基、
−（ＣＨ_２）_ｚ１−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｚ２−または、
−（ＣＨ_２）_ｚ３−フェニレン−（ＣＨ_２）_ｚ４−であり、
式中、ｚ１〜ｚ４は、それぞれ独立して、０〜６の整数である、
［１］〜［１１］のいずれか１つに記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
［１３］
ｍは、３である、［１］〜［１２］のいずれか１つに記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
［１４］
ｎは、３である、［１］〜［１３］のいずれか１つに記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
［１５］
以下の式：
Ｒ^３−ＣＨ_２−Ｘ^３−Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３
で表される化合物。
［式中：
Ｒ^３は、ホルミル基、カルボキシ基、アジド基、エチニル基、ＮＨ_２ＮＨＣ（＝Ｏ）−、または（ＣＨ_３）_３ＣＯＣ（＝Ｏ）ＮＨＮＨＣ（＝Ｏ）−であり；
Ｘ^３は、単結合または２価の有機基であり；
Ａ^３は、ＣまたはＳｉであり；
Ｚ^３は、２価の有機基である。］
［１６］
［１］〜［１４］のいずれか１つに記載の式（１ａ）または式（１ｂ）で表される少なくとも１種のフルオロポリエーテル化合物を含有する、表面処理剤。
［１７］
含フッ素オイル、シリコーンオイル、および触媒から選択される１種またはそれ以上の他の成分をさらに含有する、［１６］に記載の表面処理剤。
［１８］
さらに溶媒を含む、［１６］または［１７］に記載の表面処理剤。
［１９］
防汚性コーティング剤または防水性コーティング剤として使用される、［１６］〜［１８］のいずれか１つに記載の表面処理剤。
［２０］
真空蒸着用である、［１６］〜［１９］のいずれか１つに記載の表面処理剤。
［２１］
［１６］〜［２０］のいずれか１つに記載の表面処理剤を含有するペレット。
［２２］
基材と、該基材の表面に、［１］〜［１４］のいずれか１つに記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物、または、［１６］〜［２０］のいずれか１つに記載の表面処理剤より形成された層とを含む物品。
［２３］
光学部材である、［２２］に記載の物品。

本開示によると、良好な摩擦耐久性を有する表面処理層の形成に寄与し得るフルオロポリエーテル基含有シラン化合物が提供される。

本明細書において用いられる場合、「１価の有機基」とは、炭素を含有する１価の基を意味する。１価の有機基としては、特に限定されないが、炭化水素基またはその誘導体であり得る。炭化水素基の誘導体とは、炭化水素基の末端または分子鎖中に、１つまたはそれ以上のＮ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、アミド、スルホニル、シロキサン、カルボニル、カルボニルオキシ等を有している基を意味する。尚、単に「有機基」と示す場合、１価の有機基を意味する。

また、「２価の有機基」とは、炭素を含有する２価の基を意味する。かかる２価の有機基としては、特に限定されないが、有機基からさらに１個の水素原子を脱離させた２価の基が挙げられる。

本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」とは、炭素および水素を含む基であって、炭化水素から１個の水素原子を脱離させた基を意味する。かかる炭化水素基としては、特に限定されるものではないが、１つまたはそれ以上の置換基により置換されていてもよい、Ｃ_１−２０炭化水素基、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。上記「脂肪族炭化水素基」は、直鎖状、分枝鎖状または環状のいずれであってもよく、飽和または不飽和のいずれであってもよい。また、炭化水素基は、１つまたはそれ以上の環構造を含んでいてもよい。

本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」の置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子、１個またはそれ以上のハロゲン原子により置換されていてもよい、Ｃ_１−６アルキル基、Ｃ_２−６アルケニル基、Ｃ_２−６アルキニル基、Ｃ_３−１０シクロアルキル基、Ｃ_３−１０不飽和シクロアルキル基、５〜１０員のヘテロシクリル基、５〜１０員の不飽和ヘテロシクリル基、Ｃ_６−１０アリール基および５〜１０員のヘテロアリール基から選択される１個またはそれ以上の基が挙げられる。

本明細書において、「加水分解可能な基」とは、本明細書において用いられる場合、加水分解反応を受け得る基を意味し、すなわち、加水分解反応により、化合物の主骨格から脱離し得る基を意味する。加水分解可能な基の例としては、−ＯＲ^ｈ、−ＯＣＯＲ^ｈ、−Ｏ−Ｎ＝ＣＲ^ｈ _２、−ＮＲ^ｈ _２、−ＮＨＲ^ｈ、ハロゲン（これら式中、Ｒ^ｈは、置換または非置換のＣ_１−４アルキル基を示す）などが挙げられる。

（フルオロポリエーテル基含有シラン化合物）
本実施形態のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物は、以下の式（１ａ）または式（１ｂ）で表される。

式（１ａ）において、Ｒ^Ｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｆ^１−Ｒ^Ｆ−Ｏ_ｑ−である。

式（１ｂ）において、Ｒ^Ｆ２は、−Ｒｆ^２ _ｐ−Ｒ^Ｆ−Ｏ_ｑ−である。

上記式において、Ｒｆ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１−１６アルキル基である。

上記１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１−１６アルキル基における「Ｃ_１−１６アルキル基」は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖のＣ_１−６アルキル基、特にＣ_１−３アルキル基であり、より好ましくは直鎖のＣ_１−６アルキル基、特にＣ_１−３アルキル基である。

上記Ｒｆ^１は、好ましくは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されているＣ_１−１６アルキル基であり、より好ましくはＣＦ_２Ｈ−Ｃ_１−１５パーフルオロアルキレン基であり、さらに好ましくはＣ_１−１６パーフルオロアルキル基である。

上記Ｃ_１−１６パーフルオロアルキル基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖のＣ_１−６パーフルオロアルキル基、特にＣ_１−３パーフルオロアルキル基であり、より好ましくは直鎖のＣ_１−６パーフルオロアルキル基、特にＣ_１−３パーフルオロアルキル基、具体的には−ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、または−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３である。

上記式において、Ｒｆ^２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１−６アルキレン基である。

上記１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１−６アルキレン基における「Ｃ_１−６アルキレン基」は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖のＣ_１−３アルキレン基であり、より好ましくは直鎖のＣ_１−３アルキレン基である。

上記Ｒｆ^２は、好ましくは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されているＣ_１−６アルキレン基であり、より好ましくはＣ_１−６パーフルオロアルキレン基であり、さらに好ましくはＣ_１−３パーフルオロアルキレン基である。

上記Ｃ_１−６パーフルオロアルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖のＣ_１−３パーフルオロアルキレン基であり、より好ましくは直鎖のＣ_１−３パーフルオロアルキレン基、具体的には−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、または−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−である。

上記式において、ｐは、０または１である。一の態様において、ｐは０である。別の態様においてｐは１である。

上記式において、ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０または１である。一の態様において、ｑは０である。別の態様においてｑは１である。

上記式（１ａ）および（１ｂ）において、Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基である。

Ｒ^Ｆは、好ましくは、式：
−（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ−（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ−
で表されるフルオロポリエーテル基である。
上記式中：
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は１以上であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。

ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、好ましくは、それぞれ独立して、０〜１００の整数であってもよい。

ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は、好ましくは５以上であり、より好ましくは１０以上であり、例えば１５以上または２０以上であってもよい。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は、好ましくは２００以下、より好ましくは１００以下、さらに好ましくは６０以下であり、例えば５０以下または３０以下であってもよい。

これら繰り返し単位は、直鎖状であっても、分枝鎖状であってもよいが、好ましくは直鎖状である。例えば、−（ＯＣ_６Ｆ_１２）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−等であってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。−（ＯＣ_５Ｆ_１０）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−等であってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。−（ＯＣ_４Ｆ_８）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−、−（ＯＣ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_３）_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ（ＣＦ_３））−、−（ＯＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５）ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ_２ＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。−（ＯＣ_３Ｆ_６）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。また、−（ＯＣ_２Ｆ_４）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）−および−（ＯＣＦ（ＣＦ_３））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）−である。

一の態様において、Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、下記式（ｆ１）、（ｆ２）、（ｆ３）、（ｆ４）または（ｆ５）で表される。
−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ− （ｆ１）
［式中、ｄは、１〜２００の整数である。］
−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ− （ｆ２）
［式中、ｃおよびｄは、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｅおよびｆは、それぞれ独立して１以上２００以下の整数であり、
ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は２以上であり、
添字ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
−（Ｒ^６−Ｒ^７）_ｇ− （ｆ３）
［式中、Ｒ^６は、ＯＣＦ_２またはＯＣ_２Ｆ_４であり、
Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０およびＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせであり、
ｇは、２〜１００の整数である。］
−（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ−（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ− （ｆ４）
［式中、ｅは、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１であり、また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
−（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ−（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ− （ｆ５）
［式中、ｆは、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１であり、また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］

上記式（ｆ１）において、ｄは、好ましくは５〜２００、より好ましくは１０〜１００、さらに好ましくは１５〜５０、例えば２５〜３５の整数である。上記式（ｆ１）は、好ましくは、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｄ−または−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｄ−で表される基であり、より好ましくは、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｄ−で表される基である。

上記式（ｆ２）において、ｅおよびｆは、それぞれ独立して、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０〜２００の整数である。また、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は、好ましくは５以上であり、より好ましくは１０以上であり、例えば１５以上または２０以上であってもよい。一の態様において、上記式（ｆ２）は、好ましくは、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｃ−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｄ−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ−で表される基である。別の態様において、式（ｆ２）は、−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ−で表される基であってもよい。

上記式（ｆ３）において、Ｒ^６は、好ましくは、ＯＣ_２Ｆ_４である。上記（ｆ３）において、Ｒ^７は、好ましくは、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６およびＯＣ_４Ｆ_８から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせであり、より好ましくは、ＯＣ_３Ｆ_６およびＯＣ_４Ｆ_８から選択される基である。ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６およびＯＣ_４Ｆ_８から独立して選択される２または３つの基の組み合わせとしては、特に限定されないが、例えば−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６−、−ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４−、および−ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４−等が挙げられる。上記式（ｆ３）において、ｇは、好ましくは３以上、より好ましくは５以上の整数である。上記ｇは、好ましくは５０以下の整数である。上記式（ｆ３）において、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０およびＯＣ_６Ｆ_１２は、直鎖または分枝鎖のいずれであってもよく、好ましくは直鎖である。この態様において、上記式（ｆ３）は、好ましくは、−（ＯＣ_２Ｆ_４−ＯＣ_３Ｆ_６）_ｇ−または−（ＯＣ_２Ｆ_４−ＯＣ_４Ｆ_８）_ｇ−である。

上記式（ｆ４）において、ｅは、好ましくは、１以上１００以下、より好ましくは５以上１００以下の整数である。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は、好ましくは５以上であり、より好ましくは１０以上、例えば１０以上１００以下である。

上記式（ｆ５）において、ｆは、好ましくは、１以上１００以下、より好ましくは５以上１００以下の整数である。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は、好ましくは５以上であり、より好ましくは１０以上、例えば１０以上１００以下である。

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ１）で表される基である。

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ２）で表される基である。

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ３）で表される基である。

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ４）で表される基である。

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ５）で表される基である。

上記Ｒ^Ｆにおいて、ｆに対するｅの比（以下、「ｅ／ｆ比」という）は、０．１〜１０であり、好ましくは０．２〜５であり、より好ましくは０．２〜２であり、さらに好ましくは０．２〜１．５である。ｅ／ｆ比を１０以下にすることにより、この化合物から得られる表面処理層の滑り性、摩擦耐久性および耐ケミカル性（例えば、（人の）汗に対する耐久性）がより向上する。ｅ／ｆ比がより小さいほど、表面処理層の滑り性および摩擦耐久性はより向上する。一方、ｅ／ｆ比を０．１以上にすることにより、化合物の安定性をより高めることができる。ｅ／ｆ比がより大きいほど、化合物の安定性はより向上する。本態様において、ｆは１以上の整数である。

一の態様において、ｅ／ｆ比は、好ましくは０．２〜０．９であり、より好ましくは０．２〜０．８５であり、さらに好ましくは０．２〜０．８である。

一の態様において、耐熱性の観点から、上記ｅ／ｆ比は、好ましくは０．４以上であり、より好ましくは０．４〜１．５である。

一の態様において、耐熱性の観点から、上記ｅ／ｆ比は、例えば０．９〜５．０であり、０．９〜２．０であってもよく、０．９〜１．５であってもよい。上記ｅ／ｆ比の下限値は、好ましくは、１．０以上であり、例えば１．１以上、１．３以上であってもよい。

上記Ｒ^Ｆ１およびＲ^Ｆ２部分の数平均分子量は、特に限定されるものではないが、例えば５００〜３０，０００、好ましくは１，５００〜３０，０００、より好ましくは２，０００〜１０，０００である。本明細書において、Ｒ^Ｆ１およびＲ^Ｆ２の数平均分子量は、^１９Ｆ−ＮＭＲにより測定される値とする。

別の態様において、Ｒ^Ｆ１およびＲ^Ｆ２部分の数平均分子量は、５００〜３０，０００、好ましくは１，０００〜２０，０００、より好ましくは２，０００〜１５，０００、さらにより好ましくは２，０００〜１０，０００、例えば３，０００〜８，０００であり得る。

Ｘ^Ａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｘ^１ _ｒ１−Ｗ−Ｘ^２ _ｒ２−で表される基である。なお、Ｘ^Ａにおいて、Ｘ^１の左側がＲ^Ｆ１またはＲ^Ｆ２に結合し、Ｘ^２の右側がＲ^Ｓｉに結合する。
上記のようなＸ^Ａを有することにより、本実施形態のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物により形成された表面処理層の摩擦耐久性が特に良好になり得る。これは、ヘテロ環同士がπ−πスタッキングし、表面処理層の構造安定化に寄与するとともに、ヘテロ環に含まれるヘテロ原子が、表面処理層中に存在し得る水分子等を介して、フルオロポリエーテル基（即ち、Ｒ^Ｆで表される基）と水素結合することによって表面処理層の構造を安定化するためと考えられる。

Ｘ^１は、２価の有機基である。

一の態様において、Ｘ^１としては、例えば、下記式：
−（Ｒ^５１）_ｐ５−（Ｘ^５１）_ｑ５−
で表される２価の有機基が挙げられる。
式中：
Ｒ^５１は、−（ＣＨ_２）_ｓ５−であり、
ｓ５は、１〜２０の整数、好ましくは１〜６の整数、より好ましくは１〜３の整数、さらにより好ましくは１または２であり、
Ｘ^５１は、−（Ｘ^５２）_ｌ５−を表し、
Ｘ^５２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮＲ^５４−、−Ｏ−ＣＯＮＲ^５４−、および−ＮＲ^５４−からなる群から選択される基を表し、好ましくは、−ＯＣ（Ｏ）−、−ＮＲ^５４ＣＯ−、および−ＮＲ^５４ＣＯ−Ｏ−からなる群から選択される基を表し、
Ｒ^５４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ_１−６アルキル基（好ましくはメチル基）を表し、好ましくは水素原子であり、
ｌ５は、１〜１０の整数、好ましくは１〜５の整数、より好ましくは１〜３の整数であり、
ｐ５は、０または１であり、
ｑ５は、０または１であり、
ここに、ｐ５またはｑ５を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意であり、ｐ５およびｑ５の少なくとも一方は１であってもよく、
ここに、Ｘ^１（典型的にはＸ^１の水素原子）は、フッ素原子、Ｃ_１−３アルキル基およびＣ_１−３フルオロアルキル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。好ましい態様において、Ｘ^１は、これらの基により置換されていない。

上記Ｘ^１は、それぞれ独立して、
−（Ｒ^５１）_ｐ５−（Ｘ^５１）_ｑ５−Ｒ^５２−
であってもよい。Ｒ^５２は、単結合、または−（ＣＨ_２）_ｔ５−であり、好ましくは−（ＣＨ_２）_ｔ５−である。ｔ５は、１〜２０の整数、好ましくは２〜６の整数、より好ましくは２〜３の整数である。ここに、Ｘ^１（典型的にはＸ^１の水素原子）は、フッ素原子、Ｃ_１−３アルキル基およびＣ_１−３フルオロアルキル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。好ましい態様において、Ｘ^１は、これらの基により置換されていない。

好ましくは、上記Ｘ^１は、それぞれ独立して、
Ｃ_１−２０アルキレン基、
−Ｒ^５１−Ｘ^５２−Ｒ^５２−、
−Ｘ^５２−Ｒ^５２−、または
−Ｘ^５２−
であり得る。式中、Ｒ^５１、Ｒ^５２、およびＸ^５２は、それぞれ上記と同意義である。

好ましい態様において、上記Ｘ^１は、それぞれ独立して、
Ｃ_１−２０アルキレン基、
−（ＣＨ_２）_ｓ５−Ｘ^５２−、または
−（ＣＨ_２）_ｓ５−Ｘ^５２−（ＣＨ_２）_ｔ５−
［式中、
Ｘ^５２は、−Ｏ−、−ＣＯＮＲ^５４−、または−Ｏ−ＣＯＮＲ^５４−であり、好ましくは−ＣＯＮＲ^５４−、または−Ｏ−ＣＯＮＲ^５４−であり、
Ｒ^５４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ_１−６アルキル基を表し、好ましくは、水素原子またはメチル基を表し、
ｓ５は、１〜２０の整数であり、
ｔ５は、１〜２０の整数である。］
であり得る。

上記の中では、好ましくは、Ｘ^１は、−（ＣＨ_２）_ｓ５−で表され、
ｓ５は、１〜２０の整数、好ましくは１〜６の整数、より好ましくは１〜３の整数、さらにより好ましくは１または２であり、例えば１であってもよい。

上記Ｘ^１は、それぞれ独立して、フッ素原子、Ｃ_１−３アルキル基およびＣ_１−３フルオロアルキル基（好ましくは、Ｃ_１−３パーフルオロアルキル基）から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。一の態様において、Ｘ^１は、非置換である。

一の態様において、Ｘ^１は、それぞれ独立して、−Ｏ−Ｃ_１−６アルキレン基以外であり得る。

上記Ｘ^１の具体的な例としては、例えば：
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_４−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_５−、
−ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、
−ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−ＣＨ_２−、
−ＣＨ_２−、
−（ＣＨ_２）_２−、
−（ＣＨ_２）_３−、
−（ＣＨ_２）_４−、
−（ＣＨ_２）_５−、
−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯ−、
−ＣＯＮＨ−、
−ＣＯＮＨ−ＣＨ_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_４−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_５−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_４−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_５−、
−ＣＯＮ（ＣＨ_３）−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_４−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_５−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ_２）_６−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_２ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_４ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_５ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６ＮＨ（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_２−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_３−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_４−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_５−、
−ＣＨ_２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_２）_６−、
−Ｓ−（ＣＨ_２）_３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_２−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_４−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_５−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_６−、
−ＯＣＨ_２−、
−Ｏ（ＣＨ_２）_２−、
−Ｏ（ＣＨ_２）_３−、
−ＯＣＦＨＣＦ_２−
などが挙げられる。

Ｘ^２は、２価の有機基である。

Ｘ^２は、Ｘ^１として記載した構造であり得る。なお、Ｘ^１とは異なり、Ｘ^２では、左側がＷに、右側がＲ^Ｓｉに結合する。

上記の中では、好ましくは、Ｘ^２は、−（ＣＨ_２）_ｓ５−で表され、
ｓ５は、１〜２０の整数、好ましくは１〜６の整数、より好ましくは１〜３の整数、さらにより好ましくは１または２であり、例えば１であってもよい。

ｒ１は、０または１である。一の態様において、ｒ１は０である。別の態様において、ｒ１は１である。

ｒ２は、０または１である。一の態様において、ｒ２は０である。別の態様において、ｒ２は１である。

一の態様において、ｒ１およびｒ２のいずれか一方は１である。

好ましい態様において、ｒ１は０であり、かつｒ２は１である。

好ましい態様において、ｒ１は０、ｒ２は１、かつＸ^２は−（ＣＨ_２）_ｓ５−である。ここで、ｓ５は１〜３の整数であり、好ましくは１である。

Ｗは、Ｎ原子を含む５員のヘテロ環である。該環構造は、置換基により置換されていてもよい。すなわち、Ｗは、Ｎ原子を含む５つの原子によって構成された環構造（５員環）である。上記のような構造を有することにより、Ｗを構成する原子間の結合距離、結合角度等が適切な範囲にあり、その結果、Ｗの構造が安定に存在し得ると考えられる。さらに、上記のような構造を有するＷは、加水分解の影響を受けにくい点からも、安定性の面で有利であると考えられる。

上記置換基としては、例えば、フッ素原子、Ｃ_１−３アルキル基およびＣ_１−３フルオロアルキル基（好ましくは、Ｃ_１−３パーフルオロアルキル基）を挙げることができる。

一の態様において、Ｗは、非置換である。

好ましくは、Ｗは、２以上のヘテロ原子を有する５員のヘテロ環である。言い換えると、Ｗは、５つの原子によって構成された環構造（５員環）であり、該５つの原子のうち、２つ以上がヘテロ原子であり、該ヘテロ原子のうち少なくとも１つがＮ原子である。

一の態様において、上記２以上のヘテロ原子は、２以上のＮ原子である。

一の態様において、上記２以上のヘテロ原子は、少なくとも１つのＮ原子と少なくとも１つのＮ原子以外のヘテロ原子である。Ｎ原子以外のヘテロ原子としては、例えば、Ｏ原子、Ｓ原子等を挙げることができ、好ましくは、Ｏ原子を挙げることができる。

Ｗの環構造に含まれるヘテロ原子は、好ましくは４つ以下であり、より好ましくは３つ以下である。

Ｗは、不飽和結合を有し得る。言い換えると、Ｗは、Ｎ原子を含む５員のヘテロ環であり、該ヘテロ環は不飽和結合を有する。

一の態様において、Ｗは、環構造内に２つの二重結合を有し得る。ここで、二重結合としては、例えば、炭素−炭素二重結合、炭素−窒素二重結合を挙げることができる。

一の態様において、Ｗは、以下のＢ^１〜Ｂ^５の５つの原子からなる５員環構造である。Ｂ^１〜Ｂ^５は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ、Ｎ、およびＯから選ばれる１つの原子であり、Ｂ^１〜Ｂ^５のうち１〜３、好ましくは２〜３が、それぞれ独立してＮまたはＯである。ただし、Ｂ^１〜Ｂ^５のうち、いずれか１つはＮである。Ｗにおいて、Ｂ^１原子がＸ^１と結合し（ｒ１＝０の場合には、Ｒ^Ｆ１またはＲ^Ｆ２と結合する）、Ｂ^３原子は、Ｘ^２と結合する（ｒ２＝０の場合にはＲ^Ｓｉと結合する）。好ましくは、Ｂ^２およびＢ^５の少なくとも一方は、ＮまたはＯである。好ましくは、Ｗ中に、１〜２個、より好ましくは２個の不飽和結合が存在する。

本態様において、Ｂ^１〜Ｂ^５の各原子に結合している水素原子は、置換されていてもよい。

Ｗとしては、具体的には、以下の構造を挙げることができる。なお、以下において、「*１」を付した原子は、Ｘ^１（例えば−（ＣＨ_２）_ｓ５−）と結合し（ｒ１＝０の場合には、Ｒ^Ｆ１またはＲ^Ｆ２と結合する）、「*２」を付した原子は、Ｘ^２（例えば−（ＣＨ_２）_ｓ５−）と結合する（ｒ２＝０の場合にはＲ^Ｓｉと結合する）。

上記の中では、以下の構造が好ましい。

一の態様において、Ｘ^Ａは、以下の構造で表される。なお、以下において、「*１’」および「*２’」は結合手であり、「*１’」はＲ^Ｆ１またはＲ^Ｆ２に結合し、「*２’」はＲ^Ｓｉに結合する。

好ましくは、Ｘ^Ａは、以下の構造で表される。なお、以下において、「*１’」および「*２’」は結合手であり、「*１’」はＲ^Ｆ１またはＲ^Ｆ２に結合し、「*２’」はＲ^Ｓｉに結合する。

上記ｓ５１およびｓ５２は、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数、好ましくは１または２であり；ｒ１は０または１、好ましくは０であり；ｒ２は０または１、好ましくは１であり；ただし、ｒ１およびｒ２のいずれか一方は１であることが好ましい。

一の態様において、ｒ１は０または１であり、ｒ２は１であり、好ましくは、ｒ１は０、かつｒ２は１である。

Ｒ^Ｓｉは、各出現においてそれぞれ独立して、式（Ｓ１）で表される。

Ａ^１は、ＣまたはＳｉである。一の態様において、Ａ^１は、Ｃである。一の態様において、Ａ^１は、Ｓｉである。

Ｚ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基である。以下、Ｚ^１として記載する構造は、左側がＡ^１に、右側が（ＳｉＲ^１１ _ｎＲ^１２ _３−ｎ）に結合する。

好ましい態様において、Ｚ^１は、Ｚ^１が結合しているＳｉ原子とシロキサン結合を形成するものを含まない。

Ｚ^１における２価の有機基としては、好ましくは、
Ｃ_１−６アルキレン基、
−（ＣＨ_２）_ｚ１−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｚ２−
（式中、ｚ１は、０〜６の整数、例えば１〜６の整数であり、ｚ２は、０〜６の整数、例えば１〜６の整数であり、好ましくは、ｚ１とｚ２との合計が１以上である。）、または、
−（ＣＨ_２）_ｚ３−フェニレン−（ＣＨ_２）_ｚ４−
（式中、ｚ３は、０〜６の整数、例えば１〜６の整数であり、ｚ４は、０〜６の整数、例えば１〜６の整数であり、好ましくは、ｚ３とｚ４との合計が１以上である。）である。
かかるＣ_１−６アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１−６アルキル基、Ｃ_２−６アルケニル基、およびＣ_２−６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。

好ましい態様において、Ｚ^１は、Ｃ_１−６アルキレン基または−（ＣＨ_２）_ｚ３−フェニレン−（ＣＨ_２）_ｚ４−、好ましくは−フェニレン−（ＣＨ_２）_ｚ４−である。Ｚ^１がかかる基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。好ましくは、ｚ３は０〜６の整数であり、ｚ４は１〜６の整数である。

別の好ましい態様において、上記Ｚ^１は、Ｃ_１−３アルキレン基である。一の態様において、Ｚ^１は、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−であり得る。別の態様において、Ｚ^１は、−ＣＨ_２ＣＨ_２−であり得る。

Ｒ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり、好ましくは加水分解可能な基である。

Ｒ^１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解可能な基を除く１価の有機基である。

上記Ｒ^１２において、１価の有機基は、好ましくは、Ｃ_１−２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１−６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

ｎは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数、好ましくは２または３、より好ましくは３である。

好ましい態様において、ｎは、３である。

Ｒ^ｅは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基、または１価の有機基である。なお、Ｒ^ｅは（Ｚ^１−ＳｉＲ^１１ _ｎＲ^１２ _３-ｎ）で表される基を除く構造である。

一の態様において、Ｒ^ｅは、水酸基である。

一の態様において、Ｒ^ｅは、１価の有機基である。

Ｒ^ｅにおいて、上記１価の有機基としては、好ましくは、Ｃ_１−２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１−６アルキル基、さらに好ましくはメチル基を挙げることができる。

ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、２または３であり、好ましくは３である。

好ましい態様において、ｍは３である。

一の態様において、本実施態様のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物は、式（１ａ）で表される。

一の態様において、本実施態様のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物は、式（１ｂ）で表される。

（製造方法）
式（１ａ）または（１ｂ）で表されるフルオロポリエーテル基含有シラン化合物は、公知の方法を組み合わせることにより製造することができる。

以下の態様において、式（１ａ）または（１ｂ）で表されるフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の製造に適した方法の一例を示す。なお、式（１ａ）または（１ｂ）で表される化合物の製造方法が、以下の方法に限定されないのは言うまでもない。

本実施態様において、式（１ａ）または（１ｂ）で表されるフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の製造方法は、
工程（Ｉ）：
式（２ａ）または（２ｂ）：

で表される化合物をシリル化し、式（１ａ）または（１ｂ）で表される化合物を形成すること
を含み得る。Ｚ^２は、Ｚ^１よりも炭素原子数が２つ少ない基であり、言い換えるとＺ^２−ＣＨ_２ＣＨ_２がＺ^１に対応する。

式（２ａ）および（２ｂ）において、Ｒ^Ｆ１、Ｒ^Ｆ２、Ａ^１、Ｒ^ｅ、ｍは、式（１ａ）および（１ｂ）におけるＲ^Ｆ１、Ｒ^Ｆ２、Ａ^１、Ｒ^ｅ、ｍとそれぞれ同意義である。Ｘ^Ａは、式（１ａ）および（１ｂ）における記載と同様に、−Ｘ^１ _ｒ１−Ｗ−Ｘ^２ _ｒ２−で表される基であり、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｗ、ｒ１、およびｒ２は、式（１ａ）または（１ｂ）のＸ^１、Ｘ^２、Ｗ、ｒ１、およびｒ２とそれぞれ同意義である。

シリル化反応は、公知の方法を用いて行うことができる。公知の方法としては、例えば、特開２０１４−２１８６３９号公報、または特開２０１７−８２１９４号公報に記載の方法を挙げることができる。

さらに、本実施態様の方法は、
工程（ＩＩ）：
付加反応および縮合反応の少なくとも一方を行うことによって、Ｎ原子を含む５員のヘテロ環Ｗを形成し、式（２ａ）または（２ｂ）で表される化合物を形成すること
を含み得る。

上記工程（ＩＩ）の付加反応および縮合反応としては、具体的には、付加反応、２つの化合物間の縮合反応、１つの化合物の分子内での縮合反応等が挙げられ、より具体的には、以下の工程（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−４）に示すような反応を挙げることができる。

工程（ＩＩ−１）：
式（３ａ−１）または（３ｂ−１）で表される化合物と、式（３ｃ−１）で表される化合物とを反応させ、環構造を形成する。

上記反応では、環Ｗとして、以下の構造が形成される。「*１」を付した原子は、Ｘ^１と結合し（ｒ１＝０の場合には、Ｒ^Ｆ１またはＲ^Ｆ２と結合する）、「*２」を付した原子は、Ｘ^２と結合する（ｒ２＝０の場合にはＲ^Ａと結合する）。

上記反応は、適当な触媒の存在下、適当な溶媒中で行われ得る。適当な触媒としては、特に限定されないが、例えば、ヨウ化銅、臭化銅、塩化銅、硫酸銅等の銅触媒、およびＬ−アスコルビン酸ナトリウム等の還元剤等を挙げることができる。適当な溶媒としては、特に限定されないが、例えば、フッ素非含有溶媒（ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、メタノール、エタノール等）、含フッ素溶媒（例えば、メタキシレンヘキサフロライド、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボン（例えば、ＡＫ−２２５：ＡＧＣ株式会社製）、パーフルオロポリエーテル）等を挙げることができる。これらの溶媒は、単独で、または、２種以上を組み合わせて用いてもよい。２種以上を組み合わせて用いる場合には、フッ素非含有溶媒と、含フッ素溶媒とを組み合わせて用いることが好ましい。

上記工程は、特に限定されないが、例えば、−７８〜２００℃で行い得る。上記工程における反応時間は、特に限定されないが、例えば、０．１〜１６８時間であってもよい。上記工程における反応圧力は、特に限定されないが、例えば、０〜１００ＭＰａ（ゲージ圧）であり、簡便には常圧である。

式（３ｃ−１）で表される化合物は、例えば、Ｈ_２Ｎ−ＣＨ_２Ｘ^３０Ａ^３（Ｚ^３ＣＨ＝ＣＨ_２）_３をジアゾ化することによって合成し得る。ＣＨ_２Ｘ^３０で表される基、Ａ^３、Ｚ^３は、式（３ｃ−１）におけるＸ^２、Ａ^１、Ｚ^２にそれぞれ対応する。
ジアゾ化反応は、通常行い得る方法を用いることができ、例えば、トリフルオロメタンスルホニルアジドと反応させる方法を用いることができる。

上記のように、式（３ｃ−１）で表される化合物は、本開示の式（１ａ）または（１ｂ）で表される化合物の合成において有用な中間体であり得る。
本開示は、一の態様として、式（３ｃ−１）で表される化合物を提供する。言い換えると、本開示は、以下の式（４−１ａ）で表される化合物を提供する。Ｘ^３０、Ａ^３、Ｚ^３は、それぞれ上記と同意義である。
Ｎ_３−ＣＨ_２Ｘ^３０Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１ａ）

工程（ＩＩ−２）：
式（３ａ−２）または（３ｂ−２）で表される化合物と、式（３ｃ−２）で表される化合物とを反応させ、環構造を形成する。

上記反応では、環Ｗとして、以下の構造が形成される。「*１」を付した原子は、Ｘ^１と結合し（ｒ１＝０の場合には、Ｒ^Ｆ１またはＲ^Ｆ２と結合する）、「*２」を付した原子は、Ｘ^２と結合する（ｒ２＝０の場合にはＲ^Ａと結合する）。

上記反応は、適当な触媒の存在下、適当な溶媒中で行われ得る。適当な触媒としては、特に限定されないが、例えば、無水トリフルオロメタンスルホン酸、無水トリフルオロ酢酸、メシルクロライド、五酸化二リン、オキシ塩化リン、塩化チオニル等の脱水剤等を挙げることができる。適当な溶媒としては、特に限定されないが、例えば、含フッ素溶媒（例えば、メタキシレンヘキサフロライド、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボン（例えば、ＡＫ−２２５：ＡＧＣ株式会社製）、パーフルオロポリエーテル）等を挙げることができる。

上記工程は、特に限定されないが、例えば、−７８〜２００℃で行い得る。上記工程における反応時間は、特に限定されないが、例えば、０．１〜１６８時間であってもよい。上記工程における反応圧力は、特に限定されないが、例えば、０〜１００ＭＰａ（ゲージ圧）であり、簡便には常圧である。

工程（ＩＩ−３）：
式（３ａ−３）または（３ｂ−３）で表される化合物を分子内で縮合させ、環構造を形成する。

上記反応は、適当な触媒の存在下、適当な溶媒中で行われ得る。適当な触媒としては、特に限定されないが、例えば、無水トリフルオロ酢酸、五酸化二リン、オキシ塩化リン、塩化チオニル等の脱水剤等を挙げることができる。適当な溶媒としては、特に限定されないが、例えば、含フッ素溶媒（例えば、メタキシレンヘキサフロライド、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボン（例えば、ＡＫ−２２５：ＡＧＣ株式会社製）、パーフルオロポリエーテル）等を挙げることができる。

上記工程は、特に限定されないが、例えば、−７８〜２００℃で行い得る。上記工程における反応時間は、特に限定されないが、例えば、０．１〜１６８時間であってもよい。上記工程における反応圧力は、特に限定されないが、例えば、０〜１００ＭＰａ（ゲージ圧）であり、簡便には常圧である。

上記反応では、環Ｗとして、以下の構造が形成される。「*１」を付した原子は、Ｘ^１と結合し（ｒ１＝０の場合には、Ｒ^Ｆ１またはＲ^Ｆ２と結合する）、「*２」を付した原子は、Ｘ^２と結合する（ｒ２＝０の場合にはＲ^Ａと結合する）。

式（３ａ−１）〜（３ｃ−１）、（３ａ−２）〜（３ｃ−２）および（３ａ−３）〜（３ｂ−２）において、Ｒ^Ｆ１、Ｒ^Ｆ２、Ｘ^１、Ｘ^２、ｒ１、およびｒ２は、それぞれ式（２ａ）または（２ｂ）のＲ^Ｆ１、Ｒ^Ｆ２、Ｘ^１、Ｘ^２、ｒ１、およびｒ２と同意義である。
Ｒ^Ａは以下の式で表される構造である。Ｒ^ＡにおけるＡ^１、Ｚ^２、Ｒ^ｅ、およびｍは、それぞれ式（２ａ）または（２ｂ）のＡ^１、Ｚ^２、Ｒ^ｅ、およびｍと同意義である。

上記式（３ａ−３）または式（３ｂ−３）で表される化合物は、特に限定されないが、例えば、以下の反応を含む方法により合成し得る。なお、式（４−１ｂ）〜（４−１ｅ）においては、式（３ａ−３）または式（３ｂ−３）のＲ^Ａで表される構造のｍが３の場合について説明しているが、ｍを３に限定するものではない。

式（４−１ｂ）：
ＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２Ｘ^３１Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１ｂ）
で表される化合物を、酸化し、式（４−１ｃ）：
ＨＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２Ｘ^３１Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１ｃ）
で表される化合物を合成し（４ａ）；
式（４−１ｃ）で表される化合物を、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルヒドラジン（即ち、（ＣＨ_３）_３Ｃ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨＮＨ_２）と反応させて、式（４−１ｄ）：
（ＣＨ_３）_３Ｃ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２Ｘ^３１Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１ｄ）
で表される化合物を合成し（４ｂ）；
式（４−１ｄ）で表される化合物から、式（４−１ｅ）：
ＮＨ_２ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２Ｘ^３１Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１ｅ）
で表される化合物を合成し（４ｃ）；
式（４−１ｅ）で表される化合物に、Ｒ^Ｆで表される基を有する化合物を導入する（４ｄ）。

上記式（４−１ｂ）〜（４−１ｅ）のＡ^３およびＺ^３は、式（３ａ−３）および（３ｂ−３）のＡ^１およびＺ^２に、それぞれ対応する。

上記Ｘ^３１は、単結合または２価の有機基である。Ｘ^３１は、一の態様において単結合である。Ｘ^３１は、一の態様において、２価の有機基である。

上記−ＣＨ_２−Ｘ^３１−で表される基は、式（１ａ）または（１ｂ）のＸ^Ａ（即ち−Ｘ^１ _ｒ１−Ｗ−Ｘ^２ _ｒ２−）に含まれるＸ^２で表される基に対応する。

一の態様において、−ＣＨ_２−Ｘ^３１−で表される基は、−（Ｒ^５１）_ｐ５−（Ｘ^５１）_ｑ５−で表される２価の有機基であり得る。Ｒ^５１、ｐ５、Ｘ^５１、ｑ５は、それぞれ上記と同意義である。−ＣＨ_２−Ｘ^３１−で表される基は、好ましくは、−（ＣＨ_２）_ｓ５−で表される。ここで、ｓ５は、１〜２０の整数、好ましくは１〜６の整数、より好ましくは１〜３の整数、さらにより好ましくは１または２であり、例えば１であってもよい。

上記（４ａ）の反応は、特に限定されないが、例えば、室温で行うことが出来る。反応時間は、特に限定されないが、例えば、１〜５時間であってもよい。反応圧力は、特に限定されないが、例えば、０〜１００ＭＰａ（ゲージ圧）であり、簡便には常圧である。
（４ａ）の反応は、例えば、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、および酸化銀等の酸化剤の存在下で行い得る。アルカリ金属水酸化物、および酸化剤の添加量は適宜調整し得る。

上記（４ｂ）の反応は、特に限定されないが、例えば、室温で行うことが出来る。反応時間は、特に限定されないが、例えば、１〜１０時間であってもよい。反応圧力は、特に限定されないが、例えば、０〜１００ＭＰａ（ゲージ圧）であり、簡便には常圧である。
（４ｂ）の反応は、例えば、トリエチルアミン等のアミン化合物、および１−［ビス（ジメチルアミノ）メチレン］−１Ｈ−１，２，３−トリアゾロ［４，５−ｂ］ピリジニウム３−オキシドヘキサフルオロホスファート（ＨＡＴＵ）等の縮合剤の存在下で行い得る。上記（４ｂ）の反応には、必要に応じて、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン（ＤＭＡＰ）をさらに加えてもよい。これらの化合物の添加量は、適宜調整し得る。

上記（４ｃ）の反応は、特に限定されないが、例えば、氷浴中で行うことができる。反応時間は、特に限定されないが、例えば、１〜１０時間であってもよい。反応圧力は、特に限定されないが、例えば、０〜１００ＭＰａ（ゲージ圧）であり、簡便には常圧である。
（４ｃ）の反応は、式（４−１ｄ）で表される化合物から、保護基であるｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を除去（即ち、脱保護）する反応である。上記（４ｃ）の反応は、例えば、ジクロロメタンおよびトリフルオロ酢酸の存在下で行うことができる。これらの化合物の添加量は、適宜調整し得る。

上記（４ｄ）の反応は、特に限定されないが、例えば、氷浴中で行うことができる。反応時間は、特に限定されないが、例えば、１〜５０時間であってもよい。反応圧力は、特に限定されないが、例えば、０〜１００ＭＰａ（ゲージ圧）であり、簡便には常圧である。
（４ｄ）の反応におけるＲ^Ｆで表される基を有する化合物としては、Ｒ^Ｆ１ＣＯＯＨ、もしくはＨＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^Ｆ２ＣＯＯＨ、またはこれらの化合物の酸クロライドを挙げることができる。Ｒ^Ｆ１、Ｒ^Ｆ２はそれぞれ上記と同意義である。これらの化合物の添加量は、適宜調整し得る。

上記式（４−１ｂ）：
ＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２Ｘ^３１Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１ｂ）
で表される化合物は、例えば、以下の工程（４−１１）を含む方法により得ることができる。
式（４−１１ｂ）：
ＨＣ（＝Ｏ）Ｘ^３１Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１１ｂ）
で表される化合物と一炭素増加剤とを反応させたのち、酸性雰囲気下で加水分解反応を行う工程（４−１１）。

上記工程（４−１１）は、例えば、以下のような工程であってもよい。
一炭素増加剤としてメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロライドを用い、式（４−１１ｂ）で表される化合物から、式（４−１１ｃ）：
ＣＨ_３ＯＣＨ＝ＣＨ−Ｘ^３１Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１１ｃ）
で表される化合物を合成し、その後、式（４−１１ｃ）で表される化合物を加水分解反応する。

式（４−１１ｂ）および（４−１１ｃ）において、Ｘ^３１、Ａ^３、Ｚ^３はそれぞれ上記と同意義である。

上記工程（４−１１）で表される反応は、通常行い得る条件で行うことができる。反応温度は、特に限定されないが、例えば、室温で行うことが出来る。反応時間は、特に限定されないが、例えば、１〜１６８時間であってもよい。反応圧力は、特に限定されないが、例えば、０〜１００ＭＰａ（ゲージ圧）であり、簡便には常圧である。

上記のように、式（４−１ｂ）〜（４−１ｅ）で表される化合物は、本開示の式（１ａ）または（１ｂ）で表される化合物の合成において有用な中間体であり得る。
本開示は、一の態様として、式（４−１ｂ）、（４−１ｃ）、（４−１ｄ）または（４−１ｅ）で表される化合物を提供する。

工程（ＩＩ−４）：
式（３ａ−４）または（３ｂ−４）で表される化合物を分子内で縮合させ、環構造を形成する。

上記反応は、適当な触媒の存在下、適当な溶媒中で行われ得る。適当な触媒としては、特に限定されないが、例えば、ＡｕＣｌ_３、ルイス酸触媒、塩酸等の酸触媒等を挙げることができる。適当な溶媒としては、特に限定されないが、例えば、含フッ素溶媒（例えば、メタキシレンヘキサフロライド、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボン（例えば、ＡＫ−２２５、ＡＧＣ株式会社製）、パーフルオロポリエーテル）等を挙げることができる。

上記工程は、特に限定されないが、例えば、−７８〜２００℃で行い得る。上記工程における反応時間は、特に限定されないが、例えば、０．１〜１６８時間であってもよい。上記工程における反応圧力は、特に限定されないが、例えば、０〜１００ＭＰａ（ゲージ圧）であり、簡便には常圧である。

上記反応では、環Ｗとして、以下の構造が形成される。「*１」を付した原子は、Ｘ^１と結合し（ｒ１＝０の場合には、Ｒ^Ｆ１またはＲ^Ｆ２と結合する）、「*２」を付した原子は、Ｘ^２と結合する（ｒ２＝０の場合にはＲ^Ａと結合する）。

上記式（３ａ−４）または（３ｂ−４）で表される化合物は、例えば、以下の反応を含む方法により得ることができる。なお、式（４−１ｆ）において「−ＣＣ−」は、炭素原子間が３重結合で結合した構造を意味する。式（４−１ｆ）においては、式（３ａ−４）または式（３ｂ−４）のＲ^Ａで表される構造のｍが３の場合について説明しているが、ｍを３に限定するものではない。

式（４−１ｆ）：
Ｈ−ＣＣ−ＣＨ_２Ｘ^３２Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１ｆ）
で表される化合物に、Ｒ^Ｆで表される基を有する化合物を導入する。式（４−１ｆ）におけるＡ^３、Ｚ^３は、式（３ａ−４）および（３ｂ−４）におけるＡ^１、Ｚ^２にそれぞれ対応する。Ｘ^３２は、単結合または２価の有機基であり、例えば、Ｘ^３１として記載した構造であり得る。

上記の反応は、例えば、式（４−１ｆ）で表される化合物に、Ｒ^Ｆで表される基を有する化合物として、Ｒ^Ｆ１ＣＯＯＨ、もしくはＨＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^Ｆ２ＣＯＯＨ、またはこれらの化合物の酸クロライドを反応させ、その後、酸または塩基性の条件でヒドロキシルアミンと反応させることによって行い得る。Ｒ^Ｆ１、Ｒ^Ｆ２はそれぞれ上記と同意義である。

上記式（４−１ｆ）：
Ｈ−ＣＣ−ＣＨ_２Ｘ^３２Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１ｆ）
で表される化合物は、例えば、
ＯＨＣ−ＣＨ_２Ｘ^３２Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３
で表される化合物を、大平−Ｂｅｓｔｍａｎｎ試薬と反応させることにより得ることができる。大平−Ｂｅｓｔｍａｎｎ試薬は、すなわち（１−ジアゾ−２−オキソプロピル）ホスホン酸ジメチルを意味する。上記反応は、例えば、炭酸カリウムおよびメタノールの存在下で行うことができる。

上記のように、式（４−１ｆ）で表される化合物は、本開示の式（１ａ）または（１ｂ）で表される化合物の合成において有用な中間体であり得る。本開示は、一の態様において、式（４−１ｆ）で表される化合物を提供する。

一の態様において、本開示は、式（４−１ａ）、（４−１ｂ）、（４−１ｃ）、（４−１ｄ）、（４−１ｅ）または（４−１ｆ）で表される化合物を提供する。式中、各記号はそれぞれ上記のとおりである。
Ｎ_３−ＣＨ_２Ｘ^３０Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１ａ）
ＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２Ｘ^３１Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１ｂ）
ＨＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２Ｘ^３１Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１ｃ）
（ＣＨ_３）_３Ｃ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２Ｘ^３１Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１ｄ）
ＮＨ_２ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２Ｘ^３１Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１ｅ）
Ｈ−ＣＣ−ＣＨ_２Ｘ^３２Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１ｆ）

即ち、本開示は、一の態様として、以下の式（４−１）：
Ｒ^３−ＣＨ_２−Ｘ^３−Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ （４−１）
で表される化合物を提供する。
上記式（４−１）において、
Ｒ^３は、ホルミル基、カルボキシ基、アジド基（即ち、Ｎ_３−）、エチニル基、ＮＨ_２ＮＨＣ（＝Ｏ）−、または（ＣＨ_３）_３ＣＯＣ（＝Ｏ）ＮＨＮＨＣ（＝Ｏ）−であり；
Ｘ^３は、単結合または２価の有機基であり、具体的には式（４−１ａ）〜（４−１ｆ）においてＸ^３０、Ｘ^３１またはＸ^３２で表した基であり；
Ａ^３は、ＣまたはＳｉであり、好ましくはＣであり；
Ｚ^３は、それぞれ独立して、２価の有機基である。

（組成物）
以下、本開示の組成物（例えば、表面処理剤）について説明する。

本開示の組成物（例えば、表面処理剤）は、式（１ａ）または式（１ｂ）で表される少なくとも１つのフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を含有する。

一の態様において、本開示の組成物（例えば、表面処理剤）は、式（１ａ）および式（１ｂ）で表されるフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を含み得る。

一の態様において、本開示の組成物（例えば、表面処理剤）に含まれる、式（１ａ）で表されるフルオロポリエーテル基含有シラン化合物および式（１ｂ）で表されるフルオロポリエーテル基含有シラン化合物に対する、式（１ａ）で表されるフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の比（モル比）の下限値は、好ましくは０．００１、より好ましくは０．００２、さらに好ましくは０．００５、さらにより好ましくは０．０１、特に好ましくは０．０２、特別には０．０５であり得る。式（１ａ）で表されるフルオロポリエーテル基含有シラン化合物および式（１ｂ）で表されるフルオロポリエーテル基含有シラン化合物に対する、式（１ｂ）で表されるフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の比（モル比）の上限値は、好ましくは０．３５、より好ましくは０．３０、さらに好ましくは０．２０、さらにより好ましくは０．１５または０．１０であり得る。式（１ａ）で表されるフルオロポリエーテル基含有シラン化合物および式（１ｂ）で表されるフルオロポリエーテル基含有シラン化合物に対する、式（１ｂ）で表されるフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の比（モル比）は、好ましくは０．００１以上０．３０以下、より好ましくは０．００１以上０．２０以下、さらに好ましくは０．００２以上０．２０以下、さらにより好ましくは０．００５以上０．２０以下、特に好ましくは０．０１以上０．２０以下、例えば０．０２以上０．２０以下（具体的には０．１５以下）または０．０５以上０．２０以下（具体的には０．１５以下）である。上記範囲で含むことにより、本開示の組成物は、摩擦耐久性の良好な硬化層の形成に寄与し得る。

本開示の組成物（例えば、表面処理剤）は、撥水性、撥油性、防汚性、表面滑り性、摩擦耐久性を基材に対して付与することができ、特に限定されるものではないが、防汚性コーティング剤または防水性コーティング剤として好適に使用され得る。

本開示の組成物（例えば、表面処理剤）は、溶媒、含フッ素オイルとして理解され得る（非反応性の）フルオロポリエーテル化合物、好ましくはパーフルオロ（ポリ）エーテル化合物（以下、まとめて「含フッ素オイル」と言う）、シリコーンオイルとして理解され得る（非反応性の）シリコーン化合物（以下、「シリコーンオイル」と言う）、触媒、界面活性剤、重合禁止剤、増感剤等をさらに含み得る。

上記溶媒としては、例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、ミネラルスピリット等の脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフタレン、ソルベントナフサ等の芳香族炭化水素類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸イソプロピル、酢酸イソブチル、酢酸セロソルブ、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、酢酸カルビトール、ジエチルオキサレート、ピルビン酸エチル、エチル−２−ヒドロキシブチレート、エチルアセトアセテート、酢酸アミル、乳酸メチル、乳酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシイソ酪酸メチル、２−ヒドロキシイソ酪酸エチル等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘキサノン、シクロヘキサノン、メチルアミノケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチルセルソルブ、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノアルキルエーテル等のグリコールエーテル類；メタノール、エタノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、３−ペンタノール、オクチルアルコール、３−メチル−３−メトキシブタノール、ｔｅｒｔ−アミルアルコール等のアルコール類；エチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール類；テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等の環状エーテル類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；メチルセロソルブ、セロソルブ、イソプロピルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテルアルコール類；ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート；１，１，２−トリクロロ−１，２，２−トリフルオロエタン、１，２−ジクロロ−１，１，２，２−テトラフルオロエタン、ジメチルスルホキシド、１，１−ジクロロ−１，２，２，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＣＦＣ２２５）、ゼオローラＨ、ＨＦＥ７１００、ＨＦＥ７２００、ＨＦＥ７３００等のフッ素含有溶媒等が挙げられる。あるいはこれらの２種以上の混合溶媒等が挙げられる。

含フッ素オイルとしては、特に限定されるものではないが、例えば、以下の一般式（３）で表される化合物（パーフルオロ（ポリ）エーテル化合物）が挙げられる。
Ｒｆ^５−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ’−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ’−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ’−（ＯＣＦ_２）_ｄ’−Ｒｆ^６ ・・・（３）
式中、Ｒｆ^５は、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６アルキル基（好ましくは、Ｃ_１―１６のパーフルオロアルキル基）を表し、Ｒｆ^６は、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６アルキル基（好ましくは、Ｃ_１−１６パーフルオロアルキル基）、フッ素原子又は水素原子を表し、Ｒｆ^５及びＲｆ^６は、より好ましくは、それぞれ独立して、Ｃ_１−３パーフルオロアルキル基である。
ａ’、ｂ’、ｃ’及びｄ’は、ポリマーの主骨格を構成するパーフルオロ（ポリ）エーテルの４種の繰り返し単位数をそれぞれ表し、互いに独立して０以上３００以下の整数であって、ａ’、ｂ’、ｃ’及びｄ’の和は少なくとも１、好ましくは１〜３００、より好ましくは２０〜３００である。添字ａ’、ｂ’、ｃ’又はｄ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。これら繰り返し単位のうち、−（ＯＣ_４Ｆ_８）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−、−（ＯＣ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_３）_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ（ＣＦ_３））−、−（ＯＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５）ＣＦ_２）−及び（ＯＣＦ_２ＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。−（ＯＣ_３Ｆ_６）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）−及び（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））−のいずれであってもよく、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）−である。−（ＯＣ_２Ｆ_４）−は、−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）−及び（ＯＣＦ（ＣＦ_３））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）−である。

上記一般式（３）で表されるパーフルオロ（ポリ）エーテル化合物の例として、以下の一般式（３ａ）で表される化合物及び式（３ｂ）のいずれかで示される化合物（１種又は２種以上の混合物であってよい）が挙げられる。
Ｒｆ^５−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ”−Ｒｆ^６ ・・・（３ａ）
Ｒｆ^５−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ａ”−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ”−（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｃ”−（ＯＣＦ_２）_ｄ”−Ｒｆ^６ ・・・（３ｂ）
これら式中、Ｒｆ^５及びＲｆ^６は上記の通りであり；式（３ａ）において、ｂ”は１以上１００以下の整数であり；式（３ｂ）において、ａ”及びｂ”は、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｃ”及びｄ”はそれぞれ独立して１以上３００以下の整数である。添字ａ”、ｂ”、ｃ”、ｄ”を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。

また、別の観点から、含フッ素オイルは、一般式Ｒｆ^３−Ｆ（式中、Ｒｆ^３はＣ_５−１６パーフルオロアルキル基である。）で表される化合物であってよい。また、クロロトリフルオロエチレンオリゴマーであってもよい。

上記含フッ素オイルは、５００〜１０，０００の平均分子量を有していてよい。含フッ素オイルの分子量は、ＧＰＣを用いて測定し得る。

含フッ素オイルは、本開示の組成物（例えば、表面処理剤）に対して、例えば０〜５０質量％、好ましくは０〜３０質量％、より好ましくは０〜５質量％含まれ得る。一の態様において、本開示の組成物は、含フッ素オイルを実質的に含まない。含フッ素オイルを実質的に含まないとは、含フッ素オイルを全く含まない、または極微量の含フッ素オイルを含んでいてもよいことを意味する。

含フッ素オイルは、本開示の組成物（例えば、表面処理剤）によって形成された層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。

上記シリコーンオイルとしては、例えばシロキサン結合が２，０００以下の直鎖状または環状のシリコーンオイルを用い得る。直鎖状のシリコーンオイルは、いわゆるストレートシリコーンオイルおよび変性シリコーンオイルであってよい。ストレートシリコーンオイルとしては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイルが挙げられる。変性シリコーンオイルとしては、ストレートシリコーンオイルを、アルキル、アラルキル、ポリエーテル、高級脂肪酸エステル、フルオロアルキル、アミノ、エポキシ、カルボキシル、アルコールなどにより変性したものが挙げられる。環状のシリコーンオイルは、例えば環状ジメチルシロキサンオイルなどが挙げられる。

本開示の組成物（例えば、表面処理剤）中、かかるシリコーンオイルは、上記本開示のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の合計１００質量部（２種以上の場合にはこれらの合計、以下も同様）に対して、例えば０〜３００質量部、好ましくは５０〜２００質量部で含まれ得る。

シリコーンオイルは、本開示の組成物（例えば、表面処理剤）によって形成された層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。

上記触媒としては、酸（例えば酢酸、トリフルオロ酢酸等）、塩基（例えばアンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン等）、遷移金属（例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｓｎ等）等が挙げられる。

触媒は、本開示のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の加水分解および脱水縮合を促進し、本開示の組成物（例えば、表面処理剤）により形成される層の形成を促進する。

他の成分としては、上記以外に、例えば、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン等も挙げられる。

本開示の組成物は、基材の表面処理を行う表面処理剤として用いることができる。

（ペレット）
本開示の表面処理剤は、多孔質物質、例えば多孔質のセラミック材料、金属繊維、例えばスチールウールを綿状に固めたものに含浸させて、ペレットとすることができる。当該ペレットは、例えば、真空蒸着に用いることができる。

（物品）
以下、本開示の物品について説明する。

本開示の物品は、基材と、該基材表面に本開示のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物またはフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を含む表面処理剤（以下、これらを代表して単に「本開示の表面処理剤」という）より形成された層（表面処理層）とを含む。

本開示において使用可能な基材は、例えば、ガラス、樹脂（天然または合成樹脂、例えば一般的なプラスチック材料であってよく、板状、フィルム、その他の形態であってよい）、金属、セラミックス、半導体（シリコン、ゲルマニウム等）、繊維（織物、不織布等）、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等、建築部材等、任意の適切な材料で構成され得る。

例えば、製造すべき物品が光学部材である場合、基材の表面を構成する材料は、光学部材用材料、例えばガラスまたは透明プラスチックなどであってよい。また、製造すべき物品が光学部材である場合、基材の表面（最外層）に何らかの層（または膜）、例えばハードコート層や反射防止層などが形成されていてもよい。反射防止層には、単層反射防止層および多層反射防止層のいずれを使用してもよい。反射防止層に使用可能な無機物の例としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＴｉＯ、Ｔｉ_２Ｏ_３、Ｔｉ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＣｅＯ_２、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＭｇＦ_２、ＷＯ_３などが挙げられる。これらの無機物は、単独で、またはこれらの２種以上を組み合わせて（例えば混合物として）使用してもよい。多層反射防止層とする場合、その最外層にはＳｉＯ_２および／またはＳｉＯを用いることが好ましい。製造すべき物品が、タッチパネル用の光学ガラス部品である場合、透明電極、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛などを用いた薄膜を、基材（ガラス）の表面の一部に有していてもよい。また、基材は、その具体的仕様等に応じて、絶縁層、粘着層、保護層、装飾枠層（Ｉ−ＣＯＮ）、霧化膜層、ハードコーティング膜層、偏光フィルム、相位差フィルム、および液晶表示モジュールなどを有していてもよい。

基材の形状は特に限定されない。また、本開示の表面処理剤によって形成された層を形成すべき基材の表面領域は、基材表面の少なくとも一部であればよく、製造すべき物品の用途および具体的仕様等に応じて適宜決定され得る。

かかる基材としては、少なくともその表面部分が、水酸基を元々有する材料から成るものであってよい。かかる材料としては、ガラスが挙げられ、また、表面に自然酸化膜または熱酸化膜が形成される金属（特に卑金属）、セラミックス、半導体等が挙げられる。あるいは、樹脂等のように、水酸基を有していても十分でない場合や、水酸基を元々有していない場合には、基材に何らかの前処理を施すことにより、基材の表面に水酸基を導入したり、増加させたりすることができる。かかる前処理の例としては、プラズマ処理（例えばコロナ放電）や、イオンビーム照射が挙げられる。プラズマ処理は、基材表面に水酸基を導入または増加させ得ると共に、基材表面を清浄化する（異物等を除去する）ためにも好適に利用され得る。また、かかる前処理の別の例としては、炭素−炭素不飽和結合基を有する界面吸着剤をＬＢ法（ラングミュア−ブロジェット法）や化学吸着法等によって、基材表面に予め単分子膜の形態で形成し、その後、酸素や窒素等を含む雰囲気下にて不飽和結合を開裂する方法が挙げられる。

またあるいは、かかる基材としては、少なくともその表面部分が、別の反応性基、例えばＳｉ−Ｈ基を１つ以上有するシリコーン化合物や、アルコキシシランを含む材料から成るものであってもよい。

次に、かかる基材の表面に、上記の本開示の表面処理剤の層を形成し、この層を必要に応じて後処理し、これにより、本開示の表面処理剤から層を形成する。

本開示の表面処理剤の層形成は、上記の表面処理剤を基材の表面に対して、該表面を被覆するように適用することによって実施できる。被覆方法は、特に限定されない。例えば、湿潤被覆法および乾燥被覆法を使用できる。

湿潤被覆法の例としては、浸漬コーティング、スピンコーティング、フローコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティングおよび類似の方法が挙げられる。

乾燥被覆法の例としては、蒸着（通常、真空蒸着）、スパッタリング、ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。蒸着法（通常、真空蒸着法）の具体例としては、抵抗加熱、電子ビーム、マイクロ波等を用いた高周波加熱、イオンビームおよび類似の方法が挙げられる。ＣＶＤ方法の具体例としては、プラズマ−ＣＶＤ、光学ＣＶＤ、熱ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。

更に、常圧プラズマ法による被覆も可能である。

湿潤被覆法を使用する場合、本開示の表面処理剤は、溶媒で希釈されてから基材表面に適用され得る。本開示の表面処理剤の安定性および溶媒の揮発性の観点から、次の溶媒が好ましく使用される：炭素数５〜１２のパーフルオロ脂肪族炭化水素（例えば、パーフルオロヘキサン、パーフルオロメチルシクロヘキサンおよびパーフルオロ−１，３−ジメチルシクロヘキサン）；ポリフルオロ芳香族炭化水素（例えば、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン）；ポリフルオロ脂肪族炭化水素（例えば、Ｃ_６Ｆ_１３ＣＨ_２ＣＨ_３（例えば、旭硝子株式会社製のアサヒクリン（登録商標）ＡＣ−６０００）、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン（例えば、日本ゼオン株式会社製のゼオローラ（登録商標）Ｈ）；ヒドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）（例えば、パーフルオロプロピルメチルエーテル（Ｃ_３Ｆ_７ＯＣＨ_３）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７０００）、パーフルオロブチルメチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７１００）、パーフルオロブチルエチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７２００）、パーフルオロヘキシルメチルエーテル（Ｃ_２Ｆ_５ＣＦ（ＯＣＨ_３）Ｃ_３Ｆ_７）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７３００）などのアルキルパーフルオロアルキルエーテル（パーフルオロアルキル基およびアルキル基は直鎖または分枝状であってよい）、あるいはＣＦ_３ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２（例えば、旭硝子株式会社製のアサヒクリン（登録商標）ＡＥ−３０００））など。これらの溶媒は、単独で、または、２種以上の混合物として用いることができる。なかでも、ヒドロフルオロエーテルが好ましく、パーフルオロブチルメチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３）および／またはパーフルオロブチルエチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５）が特に好ましい。

乾燥被覆法を使用する場合、本開示の表面処理剤は、そのまま乾燥被覆法に付してもよく、または、上記した溶媒で希釈してから乾燥被覆法に付してもよい。

表面処理剤の層形成は、層中で本開示の表面処理剤が、加水分解および脱水縮合のための触媒と共に存在するように実施することが好ましい。簡便には、湿潤被覆法による場合、本開示の表面処理剤を溶媒で希釈した後、基材表面に適用する直前に、本開示の表面処理剤の希釈液に触媒を添加してよい。乾燥被覆法による場合には、触媒添加した本開示の表面処理剤をそのまま蒸着（通常、真空蒸着）処理するか、あるいは鉄や銅などの金属多孔体に、触媒添加した本開示の表面処理剤を含浸させたペレット状物質を用いて蒸着（通常、真空蒸着）処理をしてもよい。

触媒には、任意の適切な酸または塩基を使用できる。酸触媒としては、例えば、酢酸、ギ酸、トリフルオロ酢酸などを使用できる。また、塩基触媒としては、例えばアンモニア、有機アミン類などを使用できる。

上記のようにして、基材の表面に、本開示の表面処理剤に由来する層が形成され、本開示の物品が製造される。これにより得られる上記層は、高い表面滑り性と高い摩擦耐久性の双方を有する。また、上記層は、高い摩擦耐久性に加えて、使用する表面処理剤の組成にもよるが、撥水性、撥油性、防汚性（例えば指紋等の汚れの付着を防止する）、防水性（電子部品等への水の浸入を防止する）、表面滑り性（または潤滑性、例えば指紋等の汚れの拭き取り性や、指に対する優れた触感）などを有し得、機能性薄膜として好適に利用され得る。

すなわち本開示はさらに、本開示の表面処理剤に由来する層を最外層に有する光学材料にも関する。

光学材料としては、後記に例示するようなディスプレイ等に関する光学材料のほか、多種多様な光学材料が好ましく挙げられる：例えば、陰極線管（ＣＲＴ；例えば、パソコンモニター）、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、無機薄膜ＥＬドットマトリクスディスプレイ、背面投写型ディスプレイ、蛍光表示管（ＶＦＤ）、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ；Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）などのディスプレイ又はそれらのディスプレイの保護板、又はそれらの表面に反射防止膜処理を施したもの。

本開示によって得られる層を有する物品は、特に限定されるものではないが、光学部材であり得る。光学部材の例には、次のものが挙げられる：眼鏡などのレンズ；ＰＤＰ、ＬＣＤなどのディスプレイの前面保護板、反射防止板、偏光板、アンチグレア板；携帯電話、携帯情報端末などの機器のタッチパネルシート；ブルーレイ（Ｂｌｕ−ｒａｙ（登録商標））ディスク、ＤＶＤディスク、ＣＤ−Ｒ、ＭＯなどの光ディスクのディスク面；光ファイバー；時計の表示面など。

また、本開示によって得られる層を有する物品は、医療機器または医療材料であってもよい。

さらに、本開示によって得られる層を有する物品は、自動車の内外装、例えばヘッドライトカバー、サイドミラー、サイドウインドウ、内装加飾フィルム、センターコンソール、メーターパネル、カメラレンズカバーなどであってもよい。

上記層の厚さは、特に限定されない。光学部材の場合、上記層の厚さは、１〜５０ｎｍ、１〜３０ｎｍ、好ましくは１〜１５ｎｍの範囲であることが、光学性能、表面滑り性、摩擦耐久性および防汚性の点から好ましい。

以上、実施形態を説明したが、特許請求の範囲の趣旨及び範囲から逸脱することなく、形態や詳細の多様な変更が可能なことが理解されるであろう。

以下、本開示について、実施例において説明するが、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。なお、本実施例において、以下に示される化学式はすべて平均組成を示す。以下において「Ｍｅ」はＣＨ_３を、「Ｂｏｃ」はｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を、それぞれ表す。

（実施例１）
（合成例１−１）ワインレブアミドの合成
ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｎＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＯＯＨ（ｎは、２５）１０．９ｇ（２．７３ｍｍｏｌ）を、簡易脱水したメタキシレンヘキサフロライド（ｍＸＨＦ） １８ｍＬに溶かした後、該溶液にジメチルホルムアミド（ＤＭＦ） ４０μｌ（０．５１４ｍｍｏｌ）、および塩化チオニル １．４ｍＬ（１９．３ｍｍｏｌ）を順に添加し、その後、室温で１０分間撹拌した。その後、上記反応液の入った容器をオイルバスにつけ、１００℃で５時間撹拌した。５時間後、得られた反応溶液を濃縮乾固することで、酸クロライドであるＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｎＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＯＣｌを得た。

上記で得た酸クロライドを、簡易脱水したＡＫ２２５（ＡＧＣ製） １６ｍＬおよび脱水クロロホルム ６ｍＬの混合溶媒に溶解した後、該溶液に、Ｎ，Ｏ−ジメチルヒドロキシアミンの塩酸塩を添加した。続いて、室温下、ピリジン２．７ｍＬ（３３．５ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した後、上記溶液を６０℃で２日間撹拌した。２日後、得られた反応溶液を１Ｎ ＨＣｌ １０ｍＬを用いて２回洗浄した後、水 １０ｍＬを用いて１回洗浄した。シリカゲルを２ｃｍ敷き詰めた桐山ロートで、洗浄後の反応溶液をろ過し、ろ液を濃縮乾固した。濃縮乾固によって得た生成物を、１０ｍＬのＡＫ２２５に溶解し、その後、該溶液をフィルターろ過した。ろ液を濃縮乾固することにより、以下の式で表される１０．１５ｇのワインレブアミドを得た（収率９３％）。

（ｎは２５）

^１Ｈ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: 3.55 (s, 3H), 4.06 (s, 3H);
^１９Ｆ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: -84.14 - -84.16, -85.60 - -85.89, -86.60, -120.44, -131.39 - -131.49, -132.40

（合成例１−２）アルデヒドの合成
合成例１−１で得たワインレブアミド４．５４ｇ（１．１４ｍｍｏｌ）を、簡易脱水した１０ｍＬのハイドロフルオロエーテル（スリーエム社製、ノベックＨＦＥ−７２００）に溶解した後、反応溶液を−７８℃まで冷却した。続いて、１ｍｏｌ／Ｌの水素化ジイソブチルアルミニウム（ＤＩＢＡＬ−Ｈ） ２．３８ｍＬ（２．３８ｍｍｏｌ）を３０分かけてゆっくり滴下した後、反応溶液を、−７８℃から室温まで自然昇温させながら、８．５時間撹拌した。８．５時間後、１０ｍＬの１Ｎ ＨＣｌを反応溶液に加え、３０分撹拌した後、分液により水相を除去した。
その後、ＨＦＥ７２００相を、水 １０ｍＬおよび飽和食塩水 １０ｍＬを用いて洗浄し、その後、硫酸ナトリウム３０ｇを用いて乾燥した。続いて、乾燥後のＨＦＥ７２００溶液を桐山ロートを用いてろ過した後、濃縮乾固した。濃縮乾固によって得た生成物４．９ｇを、パーフルオロヘキサン １０ｍＬに溶解した後、１Ｎ ＨＣｌ １０ｍＬ、水 １０ｍＬの順で洗浄した。続いて、パーフルオロヘキサン溶液をメタノール １０ｍＬ、クロロホルム １０ｍＬの順で洗浄した。洗浄後のパーフルオロヘキサン溶液を濃縮乾固することにより、以下の式で表されるアルデヒド ４．３９ｇを得た（収率９７％）。

（ｎは２５）

^１９Ｆ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: -83.62 - -83.70, -84.12 - -84.26, -85.45 - -85.97, -86.58 - -86.73, -128.16 - -128.27, -128.51 - -128.61, -131.48 - -132.00, -132.40

（合成例１−３）アルキンの合成
合成例１−２で得たアルデヒド ２ｇ（０．５ｍｍｏｌ）を、簡易脱水したＨＦＥ７２００ ３ｍＬおよび脱水メタノール １．５ｍＬの混合溶媒に溶解した後、炭酸カリウム０．３０６ｇ（２．２２ｍｍｏｌ）を添加した。続いて、大平−Ｂｅｓｔｍａｎｎ試薬 ０．２ｍｌ（１．３３ｍｍｏｌ）を添加し、室温で一晩撹拌した。翌朝、反応溶液にパーフルオロヘキサンを２０ｍＬ加え、クロロホルム １０ｍＬを用いて２回洗浄した。シリカゲルを２ｃｍ敷き詰めた桐山ロートを用いて、洗浄後の反応溶液をろ過し、ろ液を濃縮乾固して、以下の式で表されるアルキン２ｇを得た（収率１００％）。

（ｎは２５）

^１Ｈ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: 3.16 (t, 1H);
^１９Ｆ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: -84.12 - -84.16, -85.59 - -85.96, -86.90, -89.99, -105.58, -131.40 - -131.63, -132.39

（合成例１−４）
アジ化ナトリウム ３．９２ｇ（６０．３ｍｍｏｌ）を脱水アセトニトリル ６ｍＬに懸濁後、反応溶液を０℃まで冷却した。冷却後、該溶液に、トリフルオロメタンスルホニルクロリド １．４ｍＬ（１３．３ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下し、氷浴中で３時間撹拌した。３時間後、反応溶液に、ジクロロメタン ２０ｍＬ、および水 １０ｍＬを加えて５分撹拌した。５分後、ジクロロメタン相を抜出し、再度、水 １０ｍＬで洗浄することで、トリフルオロメタンスルホニルアジドのジクロロメタン溶液を得た。

Ｈ_２ＮＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ １．１ｇ（６．６５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム １．３８ｇ（９．９８ｍｍｏｌ）をメタノール ４０ｍＬおよび水 ２０ｍＬの混合溶媒に溶解した後、硫酸銅五水和物 ０．１６６ｇ（０．６６５ｍｍｏｌ）を添加した。続いて、該溶液に上記で合成したトリフルオロメタンスルホニルアジドのジクロロメタン溶液を１０分かけて滴下した後、室温で２時間撹拌した。２時間後、反応溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液 １０ｍＬ、水 １０ｍＬで洗浄し、濃縮乾固した。濃縮乾固によって得た生成物を酢酸エチル １ｍＬ、およびヘキサン １０ｍＬの混合溶媒に溶解した後、シリカゲルを２ｃｍ敷き詰めた桐山ロートでこの溶液をろ過し、ろ液を濃縮乾固することで、以下の式で表される化合物を１．０６ｇ得た（収率８４％）。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ: 2.00-2.05 (m, 6H), 3.16 (s, 2H), 4.90-5.15 (m, 6H), 5.73-5.90 (m, 3H)

（合成例１−５）トリアゾールの合成
合成例１−３で得たアルキン１．３８２７ｇ（０．３４６ｍｍｏｌ）を、ＡＫ２２５ ３ｍＬ、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ） １．５ｍＬ、および水 ０．５ｍＬからなる混合溶媒に溶解した。得られた溶液に、合成例１−４で得た化合物 ０．１３２ｇ（０．６９１ｍｍｏｌ）、Ｌ−アスコルビン酸ナトリウム ０．０１３７ｇ（０．０６９１ｍｍｏｌ）、および硫酸銅五水和物 ０．００８６ｇ（０．０３４６ｍｍｏｌ）を、順に添加し、室温で一晩撹拌した。翌朝、反応液に、ＡＫ２２５を１０ｍＬ添加した後、水 １０ｍＬで洗浄し、濃縮乾固した。濃縮乾固により得た生成物をパーフルオロヘキサン ２０ｍＬに溶解後、クロロホルム １０ｍＬで２回洗浄し、硫酸ナトリウム１０ｇを用いて乾燥した。続いて、この溶液を桐山ロートでろ過し、ろ液を濃縮乾固後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製することで、以下の式で表されるトリアゾール０．８８３ｇを得た（収率６４％）。

（ｎは２５）

^１Ｈ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: 2.35-2.40 (m, 6H), 4.57 (s, 2H), 5.42-5.54 (m, 6H), 6.16-6.27 (m, 3H)
^１９Ｆ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: -84.12 - -84.16, -85.50 - -86.00, -86.58, - -86.59, -89.04 - -89.11, -114.53, -131.39 - -131.96, -132.39

（合成例１−６）トリアゾールのヒドロシリル化
合成例１−５で得たトリアゾール ０．８８３ｇ（０．２２１ｍｍｏｌ）を、簡易脱水したｍＸＨＦ １．２ｍＬに溶解後、カールシュテット触媒 ６０μｌ（０．２７７×１０^−２ｍｍｏｌ）、アニリン １０μｌ（０．１１ｍｍｏｌ）を順に添加した。室温で３０分撹拌後、反応溶液にトリメトキシシラン ０．２ｍＬ（１．５７ｍｍｏｌ）を添加し、室温で２時間撹拌した。２時間後、簡易脱水したＨＦＥ７２００を１．５ｍＬ添加した。この反応溶液に活性炭を０．０４ｇ添加し、室温で３０分撹拌した。３０分後、フィルター濾過した後、ろ液を濃縮乾固することにより、以下の式で示すトリアゾールのヒドロシリル体を０．９３ｇ得した（収率１００％）。

（ｎは２５）

^１Ｈ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: 0.96-1.00 (m, 6H), 1.55-1.65 (m, 6H), 1.90-1.98 (m, 6H), 4.57 (s, 2H)
^１９Ｆ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: -84.14 - -84.16, -85.50 - -86.00, -86.58, - -86.59, -88.59 - -88.64, -114.50 - -114.30, -131.39 - -131.96, -132.39

（実施例２）
（合成例２−１）
ＨＯＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ ３．６ｇ（２１．７ｍｍｏｌ）および活性化したモレキュラーシーブス４Å ３６ｇを、ジクロロメタン ５０ｍＬ中に懸濁した後、ニクロム酸ピリジニウム（ＰＤＣ） １２．２１ｇ（３２．５ｍｍｏｌ）を３回に分けて添加した。室温で５時間撹拌後、シリカゲルを２ｃｍ敷き詰めた桐山ロートを用いて、この溶液をろ過し、ろ液を濃縮乾固することにより、以下の式で表される化合物を３．４７ｇ得た（収率９８％）。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ: 2.26-2.29 (m, 6H), 5.00-5.11 (m, 6H), 5.66-5.80 (m, 3H), 9.52 (s, 1H).

（合成例２−２）メトキシ化合物の合成
メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロライド １７．５ｇ（５１．１ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ） ６０ｍＬに溶解した。その後、カリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ） ６．５ｇ（５８．０ｍｍｏｌ）を加え、該溶液を室温で１時間撹拌した。１時間後、合成例２−１で得た化合物 ５．６ｇ（３４．１ｍｍｏｌ）を添加し、該溶液を室温で４時間撹拌した。４時間後、反応溶液に酢酸エチル １２０ｍＬを加え、水 ４０ｍＬで２回洗浄した後、硫酸ナトリウム ３０ｇを用いて乾燥した。続いて、乾燥後の溶液を桐山ロートでろ過し、ろ液を濃縮乾固した。その後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製することで、Ｅ体とＺ体との混合物であるメトキシ化合物（Ｅ体が以下の式で表される）６．２６ｇを得た（収率９５％）。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ: 2.05-2.09 (m, 6H), 2.20-2.25 (m, 6H), 3.50-3.54 (m, 6H), 3.99-4.02 (m, 1H), 4.60-4.67 (m, 1H), 5.00-5.10 (m, 12H), 5.75-5.80 (m, 6H), 6.15-6.19 (m, 1H)

（合成例２−３）
合成例２−２で得たメトキシ化合物 １．２６ｇ（６．５５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ６ｍＬに溶解した後、該溶液に６Ｎ ＨＣｌ ３ｍＬを加え、室温で７時間撹拌した。７時間後、反応溶液に、酢酸エチルおよびヘキサンの混合溶液（酢酸エチル：ヘキサン＝１：４）２０ｍＬを加え、水 １００ｍＬで２回洗浄した後、硫酸ナトリウム ２０ｇを用いて乾燥した。続いて、乾燥後の溶液を桐山ロートでろ過し、ろ液を濃縮乾固することにより、以下の式で表される一炭素増炭した化合物１．０４ｇを得た（収率９７％）。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ: 2.15-2.17 (m, 6H), 2.30 (s, 2H), 5.00-5.13 (m, 6H), 5.76-5.90 (m, 3H), 9.84 (s, 1H)

（合成例２−４）カルボン酸の合成
合成例２−３で得た化合物 ０．３５ｇ（１．９６ｍｍｏｌ）を水 １０ｍＬに溶解した後、水酸化ナトリウム ０．３９２ｇ（９．８１ｍｍｏｌ）、酸化銀 ０．４７７ｇ（２．０６ｍｍｏｌ）を順に添加し、室温で２．５時間撹拌した。２．５時間後、反応溶液にジエチルエーテルを１０ｍＬ加えて５分撹拌後、桐山ロートでろ過した。ろ液のジエチルエーテル相を分液処理で除去後、水相に１Ｎ ＨＣｌ １０ｍＬを加えて、酸性にした後、ジエチルエーテル １０ｍＬで３回抽出した。このジエチルエーテル溶液を、水 １０ｍＬ、飽和食塩水 １０ｍＬで順に洗浄後、硫酸ナトリウム ３０ｇを用いて乾燥した。続いて、この溶液を桐山ロートでろ過し、ろ液を濃縮乾固することで、以下の式で表されるカルボン酸を０．３２４ｇ得た（収率８５％）。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ: 2.14-2.18 (m, 6H), 2.26 (s, 2H), 5.05-5.15 (m, 6H), 5.75-5.90 (m, 3H)

（合成例２−５）
合成例２−４で得たカルボン酸 ０．６６７ｇ（３．４３ｍｍｏｌ）を、脱水アセトニトリル ５ｍＬに溶解した後、トリエチルアミン １ｍＬ（７．２１ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルヒドラジン（即ち、Ｂｏｃヒドラジン） ０．４９１ｇ（３．６１ｍｍｏｌ）、１−［ビス（ジメチルアミノ）メチレン］−１Ｈ−１，２，３−トリアゾロ［４，５−ｂ］ピリジニウム３−オキシドヘキサフルオロホスファート（ＨＡＴＵ） １．５７ｇ（４−１２ｍｍｏｌ）を順に添加した。室温で４時間撹拌後、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン（ＤＭＡＰ） ６．６７×１０^−２ｇ（０．５４６ｍｍｏｌ）を添加し、一晩撹拌した。翌朝、反応溶液を濃縮後、反応溶液にジエチルエーテル ２０ｍＬを加え、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液 １０ｍＬ、水 １０ｍＬ、飽和食塩水 １０ｍＬで順に洗浄した後、硫酸ナトリウム３０ｇにより乾燥した。続いて、この溶液を桐山ロートでろ過し、ろ液を濃縮乾固後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製することで、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルヒドラジド（即ち、Ｂｏｃヒドラジド） ０．８９２ｇを得た（収率８４％）。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ: 1.46 (s, 9H), 2.09 (s, 2H), 2.15-2.20 (m, 6H), 4.90-5.14 (m, 6H), 5.75-5.90 (m, 3H), 6.43 (br s, 1H), 7.21 (br s, 1H)

（合成例２−６）ヒドラジドの合成
合成例２−５で得たＢｏｃヒドラジド ５．１ｇ（１６．５ｍｍｏｌ）を、ジクロロメタン １５ｍＬに溶解した後、氷浴に浸け、１０分撹拌した。１０分後、この溶液にトリフルオロ酢酸（ＴＦＡ） １５ｍＬを添加して５時間撹拌した。５時間後、濃縮乾固し、その後、濃縮乾固により得た生成物にクロロホルム ２０ｍＬおよび飽和炭酸水素ナトリウム水溶液 ２０ｍＬを加え、５分撹拌した。水相を除去し、飽和食塩水 １０ｍＬで洗浄した後、硫酸ナトリウム ３０ｇを用いて乾燥した。最後に、乾燥後の溶液を桐山ロートを用いてろ過し、濃縮乾固後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製することで、以下の式で表されるヒドラジド ２．６６ｇを得た（収率７７％）。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ: 2.02 (s, 2H), 2.14-2.18 (m, 6H), 3.85 (br s, 2H), 5.03-5.20 (m, 6H), 5.82-5.88 (m, 3H), 6.70 (br s, 1H)

（合成例２−７）ヒドラジドの合成
ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｎＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＯＯＨ（ｎは、２５） ４．０ｇ（１ｍｍｏｌ）を簡易脱水したｍＸＨＦ １４ｍＬに溶解した後、ＤＭＦ １５．６μｌ（０．２ｍｍｏｌ）、塩化チオニル ０．５８ｍＬ（８ｍｍｏｌ）を順に添加し、室温で１０分撹拌した。１０分後、反応溶液をオイルバスに浸け、１００℃で５時間撹拌した。５時間後、反応溶液を濃縮乾固することで、酸クロライドを得た。

合成例２−６で得たヒドラジド ０．３１２ｇ（１．５ｍｍｏｌ）を簡易脱水したｍＸＨＦ ２ｍＬに溶解した後、活性化したモレキュラーシーブス４Å ０．４ｇ、トリエチルアミン ０．４１８ｍｌ（３ｍｍｏｌ）を順に添加した。この反応溶液を氷浴に浸けて１０分後、上記で得た酸クロライドを簡易脱水したｍＸＨＦ ４ｍＬに溶解した溶液をゆっくり滴下した。一晩撹拌後、桐山ロートで反応溶液をろ過し、濃縮乾固した。濃縮乾固により得た生成物にパーフルオロヘキサン ２０ｍＬを加えた後、ジクロロメタン １０ｍＬで２回洗浄し、濃縮乾固した。濃縮乾固により得た生成物をシリカゲルによるフラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製することで、以下の式で表されるヒドラジド４．０２ｇを得た（収率９６％）。

（ｎ＝２５）

^１Ｈ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: 2.50-2.55 (m, 8H), 5.44-5.50 (m, 6H), 6.17-6.27 (m, 3H);
^１９Ｆ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: -84.14, -85.49 - -85.59, -86.50 - -86.59, -87.42, -125.63, -131.39 - -131.47, -132.39.

（合成例２−８）環化体の合成
合成例２−７で得たヒドラジド ０．７３ｇ（０．１７５ｍｍｏｌ）を簡易脱水したｍＸＨＦ ３ｍＬに溶解した後、トリエチルアミン ８０μｌ（０．５７４ｍｍｏｌ）、トシルクロライド ０．１ｇ（０．５２５ｍｍｏｌ）を順に添加し、室温で一晩撹拌した。翌朝、反応溶液にパーフルオロヘキサン ２０ｍＬを加えた後、クロロホルム １０ｍＬを用いて２回洗浄した。続いて、水 １０ｍＬ、およびメタノール １０ｍＬを用いて洗浄し、濃縮乾固した。濃縮乾固により得た生成物を五フッ化プロパノール（５ＦＰ）とＨＦＥ７２００との混合溶媒（５ＦＰ：ＨＦＥ７２００＝１：８．５） ９５ｍＬに溶解し、アミノシリカゲルを３ｃｍ敷き詰めた桐山ロートでこの溶液をろ過し、濃縮乾固することにより、以下の式で表される環化体０．７ｇを得た（収率９６％）。

（ｎ＝２５）

^１Ｈ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: 2.36-2.51 (m, 6H), 3.18 (s, 2H), 5.41-5.45 (m, 6H), 6.13-6.20 (m, 3H);
^１９Ｆ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: -84.14, -85.59, -86.58, -87.71, -117.94, -131.36 - -131.47, -132.39

（合成例２−９）環化体のヒドロシリル化
合成例２−８の方法で得た環化体０．９９ｇ（０．２４８ｍｍｏｌ）を簡易脱水したｍＸＨＦ １．５ｍＬに溶解後、カールシュテット触媒 ５０μｌ（０．２３×１０^−２ｍｍｏｌ）、アニリン １０μｌ（０．１１ｍｍｏｌ）を順に添加した。室温で３０分撹拌後、トリメトキシシラン ０．２５ｍＬ（１．９６ｍｍｏｌ）を添加し、室温で２時間撹拌した。２時間後、簡易脱水したＨＦＥ７２００を１．５ｍＬ添加した。この反応溶液に活性炭を０．０３５ｇ添加し、室温で３０分撹拌した。３０分後、フィルター濾過した後、濃縮乾固することで、以下の式で表される１，３，４，−オキサジアゾールのヒドロシリル体０．９６９ｇを得た（収率９８％）。

（ｎ＝２５）

^１Ｈ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: 0.98-1.08 (m, 6H), 1.73-1.77 (m, 6H), 1.91-1.95 (m, 6H), 3.17 (s, 2H), 3.93-4.12 (m, 27H);
^１９Ｆ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: -84.14, -85.00 - -86.00, -86.58, -87.71, -117.94, -131.36 - -131.47, -132.39

（実施例３）
（合成例３−１）
ＨＯＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ １．５ｇ（９．０２ｍｍｏｌ）を脱水ジクロロメタン ２０ｍＬに溶解した後、氷浴に浸け、ピリジン １．０２ｍＬ（１２．６ｍｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（Ｔｆ_２Ｏ） １．９２ｇ（１１．７ｍｍｏｌ）を順に添加した。２時間後、１Ｎ ＨＣｌ １０ｍＬで洗浄後、水 １０ｍＬで洗浄した。続いて、飽和食塩水 １０ｍＬで洗浄した後、硫酸ナトリウム ３０ｇを用いて乾燥した。最後に、この溶液を桐山ロートでろ過し濃縮乾固することで、トリフラート体 ２．６９ｇを得た（収率１００％）。
このトリフラート体を脱水ＤＭＳＯ ５ｍＬに溶解後、シアン化ナトリウム ２．２１ｇ（４５．１ｍｍｏｌ）を添加し、バス温度１００℃のオイルバス中で一晩撹拌した。翌朝、反応溶液に水 ５０ｍＬ、およびジエチルエーテル ２０ｍＬを加え、５分間撹拌後、水相を除去し、その後、水 １０ｍＬを用いて再度洗浄した。続いて、飽和食塩水 １０ｍＬを用いて洗浄した後、硫酸ナトリウム ３０ｇを用いて乾燥した。最後に、この溶液を桐山ロートでろ過し濃縮乾固後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製することで、以下の式で表される化合物 １．５８ｇを得た（収率１００％）。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ: 2.03-2.28 (m, 8H), 5.10-5.20 (m, 6H), 5.70-5.90 (m, 3H)

（合成例３−２）
合成例３−１で得た化合物 ０．３１１ｇ（１．７８ｍｍｏｌ）を脱水ＤＭＳＯ １５ｍＬに溶解した後、氷浴に浸け、トリエチルアミン ４．９５ｍＬ（３５．５ｍｍｏｌ）、ヒドロキシアミン塩酸塩 ２．４７ｇ（３５．５ｍｍｏｌ）を順に加え、撹拌した。１０分後、バス温度４０℃のオイルバスに浸け、一晩撹拌した。翌朝、反応溶液に水 ２００ｍＬ、およびジエチルエーテル ２０ｍＬを加え５分間撹拌後、水相を除去し、その後、水 ２０ｍＬで再度洗浄した。続いて、飽和食塩水 １０ｍＬで洗浄した後、硫酸ナトリウム ３０ｇを用いて乾燥した。最後に、この溶液を桐山ロートでろ過し濃縮乾固後、シリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製することによって、Ｅ体とＺ体との混合物（Ｅ体が以下の式で表される） ０．１８１ｇを得た（収率４９％）。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ: 2.10-2.20 (m, 8H), 4.98 (br s, 1H), 5.05-5.15 (m, 6H), 5.80-5.92 (m, 3H)

（合成例３−３）環化体の合成
ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｎＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＯＯＨ（ｎは、２５） ２．１６ｇ（０．５４ｍｍｏｌ）を簡易脱水したｍＸＨＦ ３ｍＬに溶解した後、ＤＭＦ １５．６μｌ（０．２ｍｍｏｌ）、塩化チオニル ０．５８ｍＬ（８ｍｍｏｌ）を順に添加し、室温で１０分間撹拌した。１０分後、オイルバスに浸け、１００℃で５時間撹拌した。５時間後、反応溶液を濃縮乾固することで、酸クロライドを得た。

合成例３−２で得た化合物 ０．１８ｇ（０．８６４ｍｍｏｌ）を脱水ＤＭＦ ４ｍＬに溶解した後、水浴に浸け撹拌した。１０分後、トリエチルアミン ０．２４１ｍＬ（１．７３ｍｍｏｌ）を加えた後、上記で得た酸クロライドを簡易脱水したｍＸＨＦ ２ｍＬに溶解した溶液を５分かけて添加した。１時間後、バス温度１００℃のオイルバスに浸け一晩撹拌した。翌朝、反応溶液にパーフルオロヘキサン ２０ｍＬを加えた後、クロロホルム １０ｍＬを用いて２回洗浄した。続いて、メタノール １０ｍＬで洗浄し、濃縮乾固した。濃縮乾固により得た生成物をｍＸＨＦ ２０ｍＬに溶かし、シリカゲルを３ｃｍ敷き詰めた桐山ロートでこの溶液をろ過し、濃縮乾固することで、以下の式で表される環化体 １．２３８ｇを得た（収率５７％）。

（ｎ＝２５）

^１Ｈ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: 2.30-2.47 (m, 6H), 3.08 (s, 2H), 5.30-5.46 (m, 6H), 6.10-6.25 (m, 3H);
^１９Ｆ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: -84.10 - -84.16, -85.40 - -85.60, -86.50 - -86.69, -88.15 - -88.39, -118.33 - -118.51, -131.35 - -131.96, -132.40

（合成例３−４）環化体のヒドロシリル化
合成例３−３と同様の方法で得た環化体 １．５５２ｇ（０．３８８ｍｍｏｌ）を簡易脱水したｍＸＨＦ １．７ｍＬに溶解した後、カールシュテット触媒 ６７μｌ（０．３１×１０^−２ｍｍｏｌ）、アニリン １４μｌ（０．１５５ｍｍｏｌ）を順に添加した。室温で３０分撹拌後、トリメトキシシラン ０．３７１ｍＬ（２．９１ｍｍｏｌ）を添加し、室温で２時間撹拌した。２時間後、簡易脱水したＨＦＥ７２００を１．５ｍＬ添加した。この反応溶液に活性炭を０．０５５ｇ添加し、室温で３０分間撹拌した。３０分後、フィルター濾過した後、濃縮乾固し、以下の式で表される１，２，４−オキサジアゾールのヒドロシリル体 １．６ｇを得た（収率１００％）。

（ｎ＝２５）

^１Ｈ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: 0.98-1.08 (m, 6H), 1.73-1.77 (m, 6H), 1.91-1.95 (m, 6H), 3.17 (s, 2H), 3.93-4.12 (m, 27H);
^１９Ｆ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: -84.06 - -84.21, -85.00 - -85.78, -86.50 - -86.68, -87.84 - -88.06, -118.42, -131.24 - -131.48, -132.40

（実施例４）
（合成例４−１）
ＯＨＣ−ＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２）_３ ０．５９ｇ（３．３１ｍｍｏｌ）を脱水メタノール １０ｍＬに溶解した後、炭酸カリウム ２．０２ｇ（１４．６ｍｍｏｌ）、大平−Ｂｅｓｔｍａｎｎ試薬 １．０９ｍＬ（７．２９ｍｍｏｌ）を順に入れ、室温で３時間撹拌した。３時間後、反応溶液にジエチルエーテル ２０ｍＬを加え、水 １００ｍＬで２回洗浄した後、飽和食塩水 １０ｍＬで洗浄し、硫酸ナトリウム ２０ｇにより乾燥した。続いて、この溶液を桐山ロートでろ過し、濃縮乾固した。残渣をヘキサン ４０ｍＬに溶かした後、シリカゲルを３ｃｍ敷き詰めた桐山ロートでこの溶液をろ過し、ろ液を濃縮乾固することで、以下の式で表される化合物を０．６ｇ得た（収率１００％）。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，４００ＭＨｚ） δ: 1.99 (s, 1H), 2.00-2.15 (m, 8H), 5.00-5.20 (m, 6H), 5.75-5.85 (m, 3H)

（合成例４−２）アルキノンの合成
合成例４−１で得た化合物 ０．２ｇ（１．１５ｍｍｏｌ）を、脱水ＴＨＦ ３ｍＬに溶解した後、該溶液をドライアイスおよびアセトンの入った氷浴に浸け、内温を−７８℃まで冷却した。冷却後、該溶液にｎ−ＢｕＬｉ（１．６６ｍｏｌ／Ｌ） ０．７９５ｍＬ（１．３２ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下し、自然昇温しながら１時間撹拌した。１時間後、再度内温を−７８℃まで冷却した後、実施例１で得たワインレブアミド ２．３ｇ（０．５７４ｍｍｏｌ）を簡易脱水したＨＦＥ ７２００ ２ｍＬに溶かした溶液を５分かけて滴下した。滴下後、自然昇温しながら一晩撹拌した。翌朝、反応溶液にパーフルオロヘキサン ２０ｍＬ、および１Ｎ ＨＣｌ ２０ｍＬを加え、３０分間撹拌した後、分液により水相を除去した。続いて、パーフルオロヘキサン相を、水 １０ｍＬで洗浄後、メタノール １０ｍＬで洗浄した後、クロロホルム １０ｍＬで２回洗浄し、濃縮乾固した。濃縮凝固で得た生成物を、パーフルオロヘキサン：ｍＸＨＦ＝１０：１の混合溶媒１６０ｍＬに溶かした。シリカゲルを３ｃｍ敷き詰めた桐山ロートでこの溶液をろ過し、ろ液を濃縮乾固することにより、以下の式で表されるアルキノンを０．９９７ｇ得た（収率４３％）。

（ｎは２５）

^１Ｈ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: 2.40-2.50 (m, 6 H), 2.67 (s, 2 H), 5.40-5.47 (m, 6 H), 6.07-6.20 (m, 3 H);
^１９Ｆ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: -83.98 - -84.25, -85.40 - -85.60, -86.58, -87.22, -123.66, -131.35 - -131.66, -132.39

（合成例４−３）オキシムの合成
合成例４−２で得たアルキノン ０．５ｇ（０．１２５ｍｍｏｌ）をＡＫ２２５ ３ｍＬ、ＤＭＳＯ ２ｍＬに溶解した後、ヒドロキシルアミン塩酸塩 ０．０８７ｇ，（１．２５ｍｍｏｌ）、酢酸ナトリウム ０．１０３ｇ（１．２５ｍｍｏｌ）をこの順に添加し、バス温度４３℃で一晩撹拌した。翌朝、水 １０ｍＬで２回洗浄後、硫酸ナトリウム ２０ｇを用いて乾燥した。続いて、この溶液を桐山ロートでろ過後、濃縮乾固することで、Ｅ体とＺ体との混合物であるオキシムの粗体（Ｚ体が以下の式で表される）０．５１ｇを得た（収率１００％）。
得られたオキシムの粗体は精製することなく、次の反応に用いた。

（ｎは２５）

^１Ｈ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: 2.40-2.50 (m, 6H), 2.65 (s, 2H), 5.40-5.50 (m, 6H), 6.10-6.25 (m, 3H), 7.00 (s, 1H).

（合成例４−４）環化体の合成
合成例４−３で得たオキシムの粗体 ０．６８ｇ（０．１７ｍｍｏｌ）を簡易脱水したＡＫ２２５ ３ｍＬ、および超脱水クロロホルム ０．５ｍＬに溶解した後、ＡｕＣｌ_３ ０．００５２ｇ（０．０１７ｍｍｏｌ）を添加し、室温で一晩撹拌した。翌朝、水 １０ｍＬで洗浄後、硫酸ナトリウム ２０ｇを用いて乾燥した。続いて、ｍＸＨＦ ５ｍＬに溶かし、シリカゲルを３ｃｍ敷き詰めた桐山ロートでこの溶液をろ過し、ｍＸＨＦ ６０ｍＬで抽出後、濃縮乾固することで、以下の式で表される環化体０．４１ｇを得た（収率６０％）。

（ｎは２５）

^１Ｈ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: 2.37-2.50 (m, 6H), 3.00 (s, 2H), 5.40-5.46 (m, 6H), 6.10-6.30 (m, 3H), 7.00 (s, 1H);
^１９Ｆ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: -84.15 - -84.17, -85.00 - -86.00, -87.00, -88.55, -117.50 - -117.70, -131.27 - -131.98, -132.42.

（合成例４−５）環化体のヒドロシリル化
合成例４−４で得た環化体 ０．４ｇ（０．１ｍｍｏｌ）を簡易脱水したｍＸＨＦ ０．６ｍＬに溶解後、カールシュテット触媒 １１μｌ（０．５×１０^−３ｍｍｏｌ）、アニリン ３．６μｌ（０．０４ｍｍｏｌ）を順に添加した。室温で３０分撹拌後、トリメトキシシラン ０．１０２ｍＬ（０．８ｍｍｏｌ）を添加し、室温で３時間撹拌した。３時間後、簡易脱水したＨＦＥ７２００を０．６ｍＬ添加した。この反応溶液に活性炭を０．０７６ｇ添加し、室温で３０分撹拌した。３０分後、フィルター濾過した後、濃縮乾固することで、以下の式で表されるイソオキサゾールのヒドロシリル体０．３８ｇを得た（収率９５％）。

（ｎは２５）

^１Ｈ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: 0.98-1.08 (m, 6H), 1.60-1.77 (m, 6H), 1.91-1.95 (m, 6H), 2.96 (s, 2H), 3.90-4.10 (m, 27H), 7.21 (s, 1H);
^１９Ｆ ＮＭＲ（ｍＸＨＦ，４００ＭＨｚ） δ: -84.00, -85.00 - -86.00, -88.52, -117.36, -131.40 - -131.69, -132.42.

（表面処理剤の調製）
実施例２（即ち、合成例２−９）で得たフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の濃度が１質量％になるように、ハイドロフルオロエーテル（スリーエム社製、ノベックＨＦＥ−７２００）に溶解して、表面処理剤を調製した。

（表面処理層の形成）
上記で調製した表面処理剤を、それぞれ厚さ０．５ｍｍ、７１．５ｍｍ×１４９．０ｍｍの化学強化、表面研磨を実施してあるゴリラガラス３（コーニング社製）上に真空蒸着した。具体的には、表面処理剤（０．０５ｇ）を、それぞれ真空蒸着装置内の抵抗加熱ボートに充填し、真空蒸着装置内を圧力３．０×１０^−３Ｐａ以下に排気した。次いで、上記ゴリラガラス３上に５ｎｍの二酸化ケイ素膜を形成し、抵抗加熱ボートを昇温することで、化学強化ガラス上に成膜を行った。次に蒸着膜付き化学強化ガラスを、温度１５０℃の雰囲気下で３０分静置し、その後室温まで放冷させ、基材上に表面処理層を形成し、表面処理層付きガラス基材を得た。

＜静的接触角＞
（初期評価）
まず、初期評価として、表面処理層形成後、その表面に未だ何も触れていない状態で、水の静的接触角を測定した。

（摩擦耐久性試験）
表面処理層が形成されたサンプル物品を水平配置し、下記の摩擦子を表面処理層の表面に接触（接触面は直径１ｃｍの円）させ、その上に５Ｎの荷重を付与し、その後、荷重を加えた状態で摩擦子を４０ｍｍ／秒の速度で往復させた。摩擦子を、最大１０，０００回往復させ、それぞれ、往復回数（摩擦回数）１０００回毎に水の静的接触角（°）を測定した。水の静的接触角の測定値が８０°未満となった時点で試験を中止した。結果を、下記表１に示す。

・摩擦子
下記に示すシリコーンゴム加工品の表面（直径１ｃｍ）を、下記に示す組成の人工汗に浸漬したコットンで覆ったものを摩擦子として用いた。
人工汗の組成：
無水リン酸水素二ナトリウム：２ｇ
塩化ナトリウム：２０ｇ
８５％乳酸：２ｇ
ヒスチジン塩酸塩：５ｇ
蒸留水：１Ｋｇ
シリコーンゴム加工品：
タイガースポリマー製、シリコーンゴム栓ＳＲ−５１を、直径１ｃｍ、厚さ１ｃｍの円柱状に加工したもの。

本開示の表面処理剤は、種々多様な基材、特に透過性が求められる光学部材の表面に、表面処理層を形成するために好適に利用され得る。

Claims (23)

1. 式（１ａ）または式（１ｂ）：
   

   

   ［式中：
   Ｒ^Ｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｆ^１−Ｒ^Ｆ−Ｏ_ｑ−であり；
   Ｒ^Ｆ２は、−Ｒｆ^２ _ｐ−Ｒ^Ｆ−Ｏ_ｑ−であり；
   Ｒｆ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１−１６アルキル基であり；
   Ｒｆ^２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１−６アルキレン基であり；
   Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基であり；
   ｐは、０または１であり；
   ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０または１であり；
   Ｘ^Ａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｘ^１ _ｒ１−Ｗ−Ｘ^２ _ｒ２−で表される基であり；
   Ｘ^１は、２価の有機基であり；
   Ｗは、Ｎ原子を含む５員のヘテロ環であり；
   Ｘ^２は、２価の有機基であり；
   ｒ１は、０または１であり；
   ｒ２は、０または１であり；
   Ｒ^Ｓｉは、各出現においてそれぞれ独立して、式（Ｓ１）：
   

   

   で表され；
   Ａ^１は、ＣまたはＳｉであり；
   Ｚ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基であり；
   Ｒ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり；
   Ｒ^１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
   ｎは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜３の整数であり；
   Ｒ^ｅは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基、または１価の有機基であり；
   ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、２または３である。］
   で表される、フルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
2. Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
   −（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ−（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ−
   ［式中：
   ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して、０〜２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は１以上であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
   で表される基である、請求項１に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
3. Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、下記式（ｆ１）、（ｆ２）、（ｆ３）、（ｆ４）または（ｆ５）で表される、請求項１または２に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
   −（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ− （ｆ１）
   ［式中、ｄは、１〜２００の整数である。］
   −（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ− （ｆ２）
   ［式中、ｃおよびｄは、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｅおよびｆは、それぞれ独立して１以上２００以下の整数であり、
   ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は２以上であり、
   添字ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
   −（Ｒ^６−Ｒ^７）_ｇ− （ｆ３）
   ［式中、Ｒ^６は、ＯＣＦ_２またはＯＣ_２Ｆ_４であり、
   Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０およびＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせであり、
   ｇは、２〜１００の整数である。］
   −（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ−（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ− （ｆ４）
   ［式中、ｅは、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１であり、また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
   −（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ−（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ−（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ−（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ−（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ−（ＯＣＦ_２）_ｆ− （ｆ５）
   ［式中、ｆは、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１であり、また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
4. Ｗは、２以上のヘテロ原子を有する５員のヘテロ環である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
5. 前記２以上のヘテロ原子は、２以上のＮ原子である、請求項４に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
6. 前記２以上のヘテロ原子は、少なくとも１つのＮ原子と少なくとも１つのＮ原子以外のヘテロ原子である、請求項４に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
7. 前記Ｎ原子以外のヘテロ原子が、Ｏ原子である、請求項６に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
8. Ｘ^１およびＸ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、−（Ｒ^５１）_ｐ５−（Ｘ^５１）_ｑ５−で表される２価の有機基である、
   ［式中：
   Ｒ^５１は、−（ＣＨ_２）_ｓ５−を表し；
   ｓ５は、１〜２０の整数であり；
   Ｘ^５１は、−（Ｘ^５２）_ｌ５−を表し；
   Ｘ^５２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮＲ^５４−、−Ｏ−ＣＯＮＲ^５４−、および−ＮＲ^５４−からなる群から選択される基を表し；
   Ｒ^５４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ_１−６アルキル基を表し；
   ｌ５は、１〜１０の整数であり；
   ｐ５は、０または１であり；
   ｑ５は、０または１であり；
   ただし、ｐ５またはｑ５を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である。］
   請求項１〜７のいずれか１項に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
9. Ｘ^１およびＸ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ_１−２０アルキレン基である、請求項１〜８のいずれか１項に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
10. ｒ１は０であり、かつ、ｒ２は１である、請求項１〜９のいずれか１項に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
11. ｒ１は０、ｒ２は１、Ｘ^２は−（ＣＨ_２）_ｓ５−、かつｓ５は１〜３の整数である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
12. Ｚ^１は、
    Ｃ_１−６アルキレン基、
    −（ＣＨ_２）_ｚ１−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｚ２−または、
    −（ＣＨ_２）_ｚ３−フェニレン−（ＣＨ_２）_ｚ４−であり、
    式中、ｚ１〜ｚ４は、それぞれ独立して、０〜６の整数である、
    請求項１〜１１のいずれか１項に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
13. ｍは、３である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
14. ｎは、３である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物。
15. 以下の式：
    Ｒ^３−ＣＨ_２−Ｘ^３−Ａ^３（Ｚ^３−ＣＨ＝ＣＨ_２）_３
    で表される化合物。
    ［式中：
    Ｒ^３は、ホルミル基、カルボキシ基、アジド基、エチニル基、ＮＨ_２ＮＨＣ（＝Ｏ）−、または（ＣＨ_３）_３ＣＯＣ（＝Ｏ）ＮＨＮＨＣ（＝Ｏ）−であり；
    Ｘ^３は、単結合または２価の有機基であり；
    Ａ^３は、ＣまたはＳｉであり；
    Ｚ^３は、２価の有機基である。］
16. 請求項１〜１４のいずれか１項に記載の式（１ａ）または式（１ｂ）で表される少なくとも１種のフルオロポリエーテル化合物を含有する、表面処理剤。
17. 含フッ素オイル、シリコーンオイル、および触媒から選択される１種またはそれ以上の他の成分をさらに含有する、請求項１６に記載の表面処理剤。
18. さらに溶媒を含む、請求項１６または１７に記載の表面処理剤。
19. 防汚性コーティング剤または防水性コーティング剤として使用される、請求項１６〜１８のいずれか１項に記載の表面処理剤。
20. 真空蒸着用である、請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の表面処理剤。
21. 請求項１６〜２０のいずれか１項に記載の表面処理剤を含有するペレット。
22. 基材と、該基材の表面に、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のフルオロポリエーテル基含有シラン化合物、または、請求項１６〜２０のいずれか１項に記載の表面処理剤より形成された層とを含む物品。
23. 光学部材である、請求項２２に記載の物品。