JP2021044437A

JP2021044437A - 受光装置

Info

Publication number: JP2021044437A
Application number: JP2019166261A
Authority: JP
Inventors: 謙一中山; Kenichi Nakayama
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2019-09-12
Filing date: 2019-09-12
Publication date: 2021-03-18
Also published as: US20210083780A1; CN112491479B; US11539446B2; CN112491479A

Abstract

【課題】ボンディングワイヤを介して受光素子とＴＩＡとを接続し、共振による不透過帯域を高周波側に移動させることができる受光装置を提供する。【解決手段】受光装置１Ａは、配線基板３と、配線基板３第１面上３ａの第１基準電位パターンと第２基準電位パターン１５ｂとの間にキャリア５と、キャリア５上に受光素子９と、第１基準電位パターンにトランスインピーダンスアンプ７と、第２基準電位パターン１５ｂ上にキャパシタ１１とを備える。キャリア５の第１配線パターン及び第２配線パターン１５ｂは、第１面３ａ法線方向から見て第１基準電位パターンおよび第２基準電位パターン１５ｂのいずれとも重なっていない。第１基準電位パターンと第２基準電位パターン１５ｂとは、第１面３ａ上の基準電位パターン１５、及び／又は配線基板３内部及び第２面のうち少なくとも一方に形成された基準電位パターン１５を介して互いに電気的に接続されている。【選択図】図１

Description

本発明は、受光装置に関する。

特許文献１には、受光素子およびトランスインピーダンスアンプを備える光受信モジュールが開示されている。

特開２０１７−１３５１９４号公報

例えば光受信器などの受光装置においては、受光素子から出力される電気信号（一例では電流信号）が、トランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）によって増幅される。その場合、図１０に示すように、配線パターンを有するキャリア１０２上に受光素子１０１を実装し、キャリア１０２上の配線パターンとＴＩＡ１０３とをボンディングワイヤ１０４を介して接続することがある。しかしながらこのような構成では、次の課題が生じる。すなわち、キャリア１０２上の配線パターンとキャリア１０２下の導電体１０５との間には、寄生容量が生じる。また、近年の光通信の高速化等により、光信号の周波数は高くなる一方であり、例えば数十ＧＨｚといった周波数帯域が用いられつつある。このような周波数帯域において、上述した寄生容量とボンディングワイヤ１０４のインダクタンスとによる共振周波数が存在すると、電気信号の不透過帯域が生じ、信号波形の劣化、チャネル間クロストークといった通信品質の低下を生じさせる虞がある。

そこで、ボンディングワイヤを介して受光素子とＴＩＡとを接続しつつ、共振による不透過帯域を高周波側に移動させることができる受光装置を提供することを目的とする。

一実施形態に係る受光装置は、平面状の第１面と、第１面とは反対側の第２面と、第１面上に互いに離間して形成された第１基準電位パターンおよび第２基準電位パターンと、第１面上に形成された信号配線パターンと、を有する配線基板と、絶縁性の基材と、及び該基材の平面状の第３面に形成された第１配線パターン及び第２配線パターンと、を有し、配線基板の第１面上において第１基準電位パターンと第２基準電位パターンとの間に配置されたキャリアと、第１電極および第２電極を有し、キャリアの第３面上に搭載され、第１電極が第１配線パターンと電気的に接続され、第２電極が第２配線パターンと電気的に接続された受光素子と、平面状の第４面と、第４面上に形成された第１端子および第２端子と、を有し、配線基板の第１基準電位パターンに実装され、第１端子は第１ワイヤを介して配線基板の信号配線パターンと電気的に接続され、第２端子は第２ワイヤを介してキャリアの第１配線パターンと電気的に接続されたトランスインピーダンスアンプと、第３電極および第４電極を有し、配線基板の第２基準電位パターン上に実装され、第３電極がキャリアの第２配線パターンと電気的に接続され、第４電極が第２基準電位パターンと電気的に接続されたキャパシタと、を備える。キャリアの第１配線パターン及び第２配線パターンは、配線基板の第１面の法線方向から見て第１基準電位パターンおよび第２基準電位パターンのいずれとも重なっておらず、配線基板の第１基準電位パターンと第２基準電位パターンとは、配線基板の第１面上に形成され第１面の法線方向から見てキャリアの第１配線パターン及び第２配線パターンのいずれとも重ならない第３基準電位パターン、並びに、配線基板の内部及び第２面のうち少なくとも一方に形成された第４基準電位パターンのうち少なくとも一方を介して互いに電気的に接続されている。

本開示によれば、ボンディングワイヤを介して受光素子とＴＩＡとを接続しつつ、共振による不透過帯域を高周波側に移動させることができる受光装置を提供することが可能となる。

図１は、一実施形態に係る受光装置１Ａの構成を示す斜視図である。図２は、キャリア５及びＴＩＡ７を取り除いて配線基板３の表面３ａを示す斜視図である。図３の（ａ）は、第１方向Ｄ１に沿った受光装置１Ａの断面を模式的に示す図である。図３の（ｂ）は、図３の（ａ）の一部を拡大して示す図である。図４は、１つのキャパシタ１１の周辺構造を拡大して示す切欠斜視図である。図５は、ＴＤＲによるインピーダンス計算結果を示すグラフである。図６の（ａ）は、受光装置１Ａの等価回路図である。図６の（ｂ）は、図６の（ａ）の回路部分Ｅ１のみを抽出した等価回路図である。図７の（ａ）は、比較例に係る受光装置の等価回路図である。図７の（ｂ）は、図７の（ａ）の回路部分Ｅ２のみを抽出した等価回路図である。図８は、一変形例に係る受光装置１Ｂの断面構成を模式的に示す図である。図９は、別の変形例に係る受光装置１Ｃの断面構成を模式的に示す図である。図１０は、従来の受光装置の構成を模式的に示す図である。図１１の（ａ）および（ｂ）は、比較例に係る受光装置１００Ａ，１００Ｂの構成を模式的に示す図である。

［本開示の実施形態の説明］
最初に、本開示の実施形態を列記して説明する。一実施形態に係る受光装置は、平面状の第１面と、第１面とは反対側の第２面と、第１面上に互いに離間して形成された第１基準電位パターンおよび第２基準電位パターンと、第１面上に形成された信号配線パターンと、を有する配線基板と、絶縁性の基材と、及び該基材の平面状の第３面に形成された第１配線パターン及び第２配線パターンと、を有し、配線基板の第１面上において第１基準電位パターンと第２基準電位パターンとの間に配置されたキャリアと、第１電極および第２電極を有し、キャリアの第３面上に搭載され、第１電極が第１配線パターンと電気的に接続され、第２電極が第２配線パターンと電気的に接続された受光素子と、平面状の第４面と、第４面上に形成された第１端子および第２端子と、を有し、配線基板の第１基準電位パターンに実装され、第１端子は第１ワイヤを介して配線基板の信号配線パターンと電気的に接続され、第２端子は第２ワイヤを介してキャリアの第１配線パターンと電気的に接続されたトランスインピーダンスアンプと、第３電極および第４電極を有し、配線基板の第２基準電位パターン上に実装され、第３電極がキャリアの第２配線パターンと電気的に接続され、第４電極が第２基準電位パターンと電気的に接続されたキャパシタと、を備える。キャリアの第１配線パターン及び第２配線パターンは、配線基板の第１面の法線方向から見て第１基準電位パターンおよび第２基準電位パターンのいずれとも重なっておらず、配線基板の第１基準電位パターンと第２基準電位パターンとは、配線基板の第１面上に形成され第１面の法線方向から見てキャリアの第１配線パターン及び第２配線パターンのいずれとも重ならない第３基準電位パターン、並びに、配線基板の内部及び第２面のうち少なくとも一方に形成された第４基準電位パターンのうち少なくとも一方を介して互いに電気的に接続されている。

受光素子に光が入射すると、受光素子はその光量に応じた大きさの電流信号を出力する。電流信号は、受光素子の一方の電極からキャリア上の第１配線パターン及び第２ワイヤを経て、ＴＩＡの第２端子に入力される。ＴＩＡは、入力した電流信号を電圧信号に変換する。電圧信号はＴＩＡの第１端子から出力され、第１ワイヤ及び信号配線パターンを通って受光装置の外部（または受光装置内の他の電子部品）に提供される。

この受光装置では、第１配線パターン及び第２配線パターンが、配線基板の表面の法線方向から見て基準電位パターンと重なっていない。従って、第１配線パターン及び第２配線パターンが基準電位パターンと対向しないので、第１配線パターン及び第２配線パターンに生じる寄生容量を低減できる。故に、この受光装置によれば、寄生容量に起因する共振周波数を高くして、共振による不透過帯域を高周波側に移動させることができる。従って、信号波形の劣化、チャネル間クロストークといった通信品質の低下を抑制することができる。

また、寄生容量に配慮してキャリアを厚くする必要がなくなるため、キャリアを薄くする（すなわち配線基板を基準とするキャリア表面の高さを低くする）ことができる。これにより、キャリア上の第１配線パターンと、配線基板上の信号配線パターンとの高低差が小さくなり、第１ワイヤ及び第２ワイヤを合わせた長さ（特に、キャリア上の第１配線パターンの高さとＴＩＡ上面の第２端子の高さとを同じにする場合には、第１ワイヤの長さ）を短くすることができる。

また、上記の受光装置では、受光素子の他方の電極と基準電位パターンとの間に、キャパシタが直列に接続されている。この場合、受光素子とキャパシタの間の配線のインダクタンスとキャパシタの容量とによって共振周波数が更に高くなり、共振による不透過帯域が更に高周波側に移動するので、通信品質の低下をより効果的に抑制することができる。そして、キャパシタの他方の電極が接続されている基準電位パターンの第２領域と、ＴＩＡが実装されている基準電位パターンの第１領域とは、配線基板の表面上及び配線基板の内部のうち少なくとも一方に設けられた配線を介して互いに電気的に接続されている。従って、第１配線パターン及び第２配線パターンの寄生容量の増大を抑制しつつ、基準電位パターンの第１領域及び第２領域の電位を安定させることができる。

上記の受光装置において、配線基板は、配線基板の内部及び第２面のうち少なくとも一方に設けられた第４基準電位パターンと、第４基準電位パターンと第１基準電位パターンとの間の絶縁層を貫通する第１ビアと、第４基準電位パターンと第２基準電位パターンとの間の絶縁層を貫通する第２ビアと、を有し、第１基準電位パターンと第２基準電位パターンとは第４基準電位パターン、第１ビア、および第２ビアを介して互いに電気的に接続されてもよい。例えばこのような構成によって、基準電位パターンの第１領域と第２領域とを、配線基板の内部に設けられた配線を介して互いに電気的に接続することができる。この場合、第４基準電位パターンは、キャリアから絶縁層の厚み分離れているので、配線基板の第１面の法線方向から見てキャリアと重なる領域を有してもよい。

上記の受光装置において、配線基板は、第１面上に形成された第３基準電位パターンを有し、第３基準電位パターンは、キャリアの側方を通り第１基準電位パターンと第２基準電位パターンとを互いに電気的に接続してもよい。例えばこのような構成によって、基準電位パターンの第１領域と第２領域とを、配線基板の表面上に設けられた配線を介して互いに電気的に接続することができる。

上記の受光装置において、配線基板の第１面からトランスインピーダンスアンプの第４面までの高さは、配線基板の第１面からキャリアの第３面までの高さに等しく設定されてもよい。

［本開示の実施形態の詳細］
本開示の受光装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、一実施形態に係る受光装置１Ａの構成を示す斜視図である。図２は、キャリア５及びＴＩＡ７を取り除いて配線基板３の表面３ａを示す斜視図である。図３の（ａ）は、第１方向Ｄ１に沿った受光装置１Ａの断面を模式的に示す図である。図３の（ｂ）は、図３の（ａ）の一部を拡大して示す図である。この受光装置１Ａは、例えば１００Ｇ／λ伝送（一つのピーク波長を有する光信号によって１００Ｇｂｐｓの信号伝送を行う）において使用される５３ＧＢａｕｄのＰＡＭ４信号伝送を円滑に行うための、ＣＯＢ（Chip on Board）実装型光受信機である。

図１〜図３に示すように、受光装置１Ａは、配線基板（Printed Circuit Board；ＰＣＢ）３、キャリア５、ＴＩＡ７、Ｎ個（Ｎは１以上の整数であり、一例ではＮ＝４）の受光素子９、Ｎ個のキャパシタ１１、Ｎ組の信号配線パターン１３、及び基準電位パターン１５を備えている。

配線基板３は、例えば平面状の表面（第１面）３ａ及び表面３ａとは反対側の裏面（第２面）３ｂを有するリジッドな多層配線基板である。配線基板３は、例えば積層された複数の絶縁層と、その層間に形成された導電性の配線パターンと、表面３ａに形成された導電性の配線パターンとを有する。絶縁層の材質は、例えばＦＲ４（ガラス繊維の布にエポキシ樹脂をしみ込ませ熱硬化処理を施したもの）である。配線パターンの材質は例えばＡｕまたはＣｕである。配線基板３の平面形状は例えば略長方形状である。配線基板３は、基準電位パターン１５と、Ｎ組（図では４組）の信号配線パターン１３とを表面３ａに有する。信号配線パターン１３および基準電位パターン１５は、表面３ａ上に形成された金属膜であり、例えばＡｕまたはＣｕからなる。基準電位パターン１５は、信号配線パターン１３によって伝送される電気信号の基準電位を有する。基準電位パターンは、例えば接地されている。

図２に示すように、基準電位パターン１５は、第１領域（第１基準電位パターン）１５ａ、第２領域（第２基準電位パターン）１５ｂ、及び第３領域（第３基準電位パターン）１５ｃを含む。第１領域１５ａは、第１方向Ｄ１と交差（例えば直交）する第２方向Ｄ２を長手方向とする長方形状の領域である。第１領域１５ａ上には、後述するＴＩＡ７が実装される。配線基板３の厚さ方向（換言すると、表面３ａの法線方向）から見て、第１領域１５ａはＴＩＡ７を包含する大きさの面積及び形状を有する。第２領域１５ｂは、第２方向Ｄ２を長手方向とする長方形状の領域である。第２領域１５ｂは、第１方向Ｄ１において、第１領域１５ａと間隔Ｗをあけて並んで設けられている。すなわち、第１領域１５ａと第２領域１５ｂは、第１方向Ｄ１に互いに離間して形成されている。第２領域１５ｂ上には、後述するＮ個のキャパシタ１１が実装される。配線基板３の厚さ方向から見て、第２領域１５ｂはＮ個のキャパシタ１１をまとめて包含する大きさの面積及び形状を有する。

第１領域１５ａと第２領域１５ｂとの隙間からは、配線基板３の表面３ａが露出している。この露出した表面３ａ上には、後述するキャリア５が配置される。第１領域１５ａと第２領域１５ｂとの間隔Ｗは、第１方向Ｄ１におけるキャリア５の幅よりも大きい。従って、表面３ａの法線方向から見て、キャリア５と第１領域１５ａ及び第２領域１５ｂとは互いに重ならない。

第１領域１５ａと第２領域１５ｂとは、配線基板３の表面３ａ上に設けられた配線を介して互いに電気的に接続されている。本実施形態では、基準電位パターン１５が一対の第３領域１５ｃを含んでおり、第１領域１５ａと第２領域１５ｂとは一対の第３領域１５ｃを介して互いに電気的に接続されている。これらの第３領域１５ｃは、キャリア５の側方を通って配設され、表面３ａの法線方向から見て、キャリア５と重ならない。すなわち、一方の第３領域１５ｃは、第１領域１５ａからキャリア５の一方の側面に沿って第１方向Ｄ１に延び、第２領域１５ｂに達する。また、他方の第３領域１５ｃは、第１領域１５ａからキャリア５の他方の側面に沿って第１方向Ｄ１に延び、第２領域１５ｂに達する。従い、基準電位パターン１５は、第１領域１５ａ、第２領域１５ｂ、及び一対の第３領域１５ｃによって囲まれる開口１５ｄを有する。開口１５ｄは、基準電位パターン１５および信号配線パターン１３を含め、表面３ａ上の如何なる配線パターンも含まない。キャリア５は、この開口１５ｄを覆うように配置される。なお、第１領域１５ａと第２領域１５ｂとは、配線基板３の内部に設けられた配線を介して互いに電気的に接続されてもよく、該配線と第３領域１５ｃとの双方を介して互いに電気的に接続されてもよい。

Ｎ組の信号配線パターン１３は、第１領域１５ａに対して開口１５ｄとは反対側に設けられ、それぞれ第１方向Ｄ１に沿って延びる細長形状を呈している。そして、Ｎが２以上のとき、Ｎ組の信号配線パターン１３は、第１領域１５ａの縁に沿って、第２方向Ｄ２に並んで配置されている。各信号配線パターン１３の第１領域１５ａ側の一端には、ワイヤボンディングのためのパッドが形成されている。各組の信号配線パターン１３は、互いに平行に第１方向Ｄ１に延びる一対の配線パターンを有する。各組の信号配線パターン１３は、それぞれ差動信号を伝送する。

キャリア５は、Ｎ個の受光素子９を搭載する板状の部材であって、基準電位パターン１５の第１領域１５ａと第２領域１５ｂとの間に配置されている。キャリア５は、絶縁性の基材５１を有する。基材５１の材質は、例えば石英である。基材５１は、例えば略直方体状といった外形を有しており、長方形状の平面状の表面（第３面）５１ａと、第１方向Ｄ１を法線方向とする一対の側面５１ｂ，５１ｃとを有する。表面５１ａの長手方向は、第２方向Ｄ２と一致する。側面５１ｂは第１領域１５ａ側を向いており、第１領域１５ａの縁に沿って延びている。側面５１ｃは第２領域１５ｂ側を向いており、第２領域１５ｂの縁に沿って延びている。キャリア５の厚さは、後述するＴＩＡ７の厚さと等しい。換言すると、配線基板３の表面３ａを基準面とする表面５１ａの高さ（距離）は、表面３ａを基準面とするＴＩＡ７の上面７ｇの高さ（距離）と等しい。

キャリア５は、基材５１の表面５１ａに形成された金属膜であるＮ本の第１配線パターン５ａ及びＮ本の第２配線パターン５ｂを更に有する。Ｎが２以上のとき、Ｎ本の第１配線パターン５ａは、表面５１ａの長手方向（第２方向Ｄ２）に沿って並んでいる。Ｎが２以上のとき、Ｎ本の第２配線パターン５ｂは、表面５１ａの長手方向（第２方向Ｄ２）に沿って並んでいる。第１配線パターン５ａ及び第２配線パターン５ｂの構成材料は例えばＡｕまたはＣｕである。

前述したように、キャリア５は、表面３ａの法線方向から見て、基準電位パターン１５の開口１５ｄを覆うように配置されている。言い換えると、キャリア５は、配線基板３の表面３ａ上において第１領域１５ａと第２領域１５ｂとの間に配置されている。この開口１５ｄを表面３ａの法線方向から見たときの形状は、第１配線パターン５ａ及び第２配線パターン５ｂを包含する。言い換えると、表面３ａの法線方向から見て、第１配線パターン５ａ及び第２配線パターン５ｂと基準電位パターン１５とは互いに重ならない。また、表面３ａの法線方向から見て第１配線パターン５ａ及び第２配線パターン５ｂと重なる表面３ａの領域には、基準電位その他の配線パターンは全く設けられていない。但し、第１配線パターン５ａ及び第２配線パターン５ｂを除くキャリア５上の他の配線パターンと、基準電位パターン１５とは互いに重なってもよい。キャリア５の裏面は、非導電性樹脂といった接着剤を介して配線基板３に接合されている。

Ｎ個の受光素子９は、それぞれが受光した信号光を電流信号に変換する半導体素子である。各受光素子９は、例えば、図示しない光分波器と光学的に結合されており、光分波器から出力された複数の信号光のうち対応する信号光を受ける。複数の信号光は、それぞれ互いに異なるピーク波長を有する。Ｎ個の受光素子９は、キャリア５と対向する面とは反対側の面を受光面としてキャリア５の表面５１ａ上に搭載され、表面５１ａ上において表面５１ａの長手方向（第２方向Ｄ２）に沿って並んでいる。各受光素子９の第１電極（例えばアノード電極）は、対応する第１配線パターン５ａと電気的に接続されている。また、各受光素子９の第２電極（例えばカソード電極）は、対応する第２配線パターン５ｂと電気的に接続されている。上述の電流信号は、各受光素子９の第１電極から第２電極に向けて流れる。

ＴＩＡ７は、例えば第２方向Ｄ２を長手方向とする長方形の板状を呈しており、基準電位パターン１５の第１領域１５ａ上に実装されている。具体的には、ＴＩＡ７は基準電位とされる端子を底面に有しており、該端子と第１領域１５ａとが、はんだ等の導電性接着剤を介して導電接合されている。ＴＩＡ７は、該底面の反対側に上面（第４面）７ｇを有しており、該上面７ｇにはＮ組の出力信号端子７ａ（第１端子）及びＮ個の入力信号端子７ｂ（第２端子）が設けられている。ＴＩＡ７は、各入力信号端子７ｂに入力された電流信号を電圧信号に変換して、該電圧信号を出力信号端子７ａの対応する組から出力する。

Ｎ組の出力信号端子７ａは、ＴＩＡ７の信号配線パターン１３側の端縁寄りに設けられており、Ｎが２以上のとき、該端縁に沿って第２方向Ｄ２に並んでいる。Ｎ個の入力信号端子７ｂは、ＴＩＡ７のキャリア５側の端縁寄りに設けられており、Ｎが２以上のとき、該端縁に沿って第２方向Ｄ２に並んでいる。Ｎ組の出力信号端子７ａは、ボンディングワイヤ（第１ワイヤ）１７ａを介して、それぞれ対応する信号配線パターン１３と電気的に接続されている。すなわち、第１ワイヤ１７ａの一端は出力信号端子７ａに接合しており、第１ワイヤ１７ａの他端は信号配線パターン１３に接合している。配線基板３の表面３ａを基準面とする出力信号端子７ａの表面高さと、表面３ａを基準面とする信号配線パターン１３の表面高さとの高低差（すなわちＴＩＡ７の厚さ）は、例えば０．１５〜０．２５ｍｍの範囲内である。また、Ｎ個の入力信号端子７ｂは、ボンディングワイヤ（第２ワイヤ）１７ｂを介して、それぞれ対応する第１配線パターン５ａと電気的に接続されている。すなわち、第２ワイヤ１７ｂの一端は入力信号端子７ｂに接合しており、第２ワイヤ１７ｂの他端は第１配線パターン５ａに接合している。

キャパシタ１１は、例えばチップコンデンサといった容量素子である。Ｎ個のキャパシタ１１は、基準電位パターン１５の第２領域１５ｂ上に実装され、Ｎが２以上のとき、第２領域１５ｂ上において第２方向Ｄ２に沿って並んでいる。各キャパシタ１１は、第１方向Ｄ１において、対応する受光素子９を挟んでＴＩＡ７とは反対側に配置されている。換言すると、配線基板３の表面３ａの法線方向から見て、Ｎ個のキャパシタ１１とＴＩＡ７との間に受光素子９が配置されている。

図４は、１つのキャパシタ１１の周辺構造を拡大して示す切欠斜視図である。便宜上、図４においてキャリア５は１つの受光素子９及び１つのキャパシタ１１に対応する部分のみ示されているが、他のキャパシタ１１の周辺構造も図４と同様である。

キャリア５の表面５１ａ上には、導電膜２６が設けられている。導電膜２６は、表面５１ａに固着した金属膜であって、前述した第２配線パターン５ｂを含んでおり、受光素子９の裏面（受光面とは反対側の面）に設けられたカソード電極と、はんだ等の導電性接着剤を介して導電接合されている。導電膜２６は、受光素子９の直下に位置する部分と、受光素子９からＴＩＡ７へ向けて延びる一対の部分２６ａ，２６ｂと、受光素子９からキャパシタ１１へ向けて延びる第２配線パターン５ｂとを含む。

導電膜２６の部分２６ａは、例えば、ボンディングワイヤ１７ｄを介して、ＴＩＡ７のバイアス端子７ｃと電気的に接続されている。同様に、導電膜２６の部分２６ｂは、ボンディングワイヤ１７ｅを介して、ＴＩＡ７のバイアス端子７ｄと電気的に接続されている。導電膜２６には、ＴＩＡ７のバイアス端子７ｃ，７ｄからボンディングワイヤ１７ｄ，１７ｅを介して受光素子９の動作に必要な電源（バイアス）電圧が供給される。

キャパシタ１１の容量値は、導電膜２６に生じる寄生容量の容量値よりも大きい。一例では、キャパシタ１１の容量値は１ｐＦ以上である。キャパシタ１１は、配線基板３の表面３ａの法線方向に並ぶ一対の端面を有し、一方の端面には一方の電極（第３電極）１１ａが形成され、他方の端面には他方の電極（第４電極）１１ｂが形成されている。キャパシタ１１の一方の電極１１ａは、ワイヤボンディング（第３ワイヤ）１７ｃを介して、対応する第２配線パターン５ｂと電気的に接続されている。すなわち、第３ワイヤ１７ｃの一端はキャパシタ１１の一方の電極１１ａに接合しており、第３ワイヤ１７ｃの他端は第２配線パターン５ｂに接合している。第３ワイヤ１７ｃは、例えばリボンワイヤであってもよい。なお、一つのキャパシタ１１に対する第３ワイヤ１７ｃの本数は一本に限られず、複数本の第３ワイヤ１７ｃが設けられてもよい。一つのキャパシタ１１に接続される全ての第３ワイヤ１７ｃを総合したインダクタンスは、ワイヤ１７ｄ，１７ｅを総合したインダクタンスよりも小さい。従って、第３ワイヤ１７ｃの構成材料とワイヤ１７ｄ，１７ｅの構成材料とが同じであるとき、例えば第３ワイヤ１７ｃとしてはワイヤ１７ｄ，１７ｅよりも太いものが用いられる。なお、受光素子９のカソードと第３ワイヤ１７ｃとの間（例えば、導電膜２６のうち受光素子９のカソードに接続された部分と、第２配線パターン５ｂとの間）に、抵抗素子（抵抗体）３１が介在してもよい。

キャパシタ１１の他方の電極１１ｂは、基準電位パターン１５の第２領域１５ｂと電気的に接続されている。具体的には、各キャパシタ１１の他方の電極１１ｂと第２領域１５ｂとが、はんだ等の導電性接着剤を介して導電接合されている。

第１配線パターン５ａは、表面５１ａに固着した金属膜であって、受光素子９の裏面に設けられたアノード電極と、はんだ等の導電性接着剤を介して導電接合されている。第１配線パターン５ａは、受光素子９の直下からＴＩＡ７へ向けて延びている。第１配線パターン５ａは、第２ワイヤ１７ｂを介して、ＴＩＡ７の入力信号端子７ｂと電気的に接続される。すなわち、第２ワイヤ１７ｂの一端は第１配線パターン５ａに接合しており、第２ワイヤ１７ｂの他端はＴＩＡ７の入力信号端子７ｂに接合している。カソード電極にバイアス電圧が印加されているとき、受光素子９において信号光の入射光量に応じて生成された電流信号は、第２ワイヤ１７ｂを介してＴＩＡ７の入力信号端子７ｂに送られる。ＴＩＡ７は、この電流信号を電圧信号に変換する。

受光装置１Ａの数値例を以下に示す。
ワイヤ１７ｂ，１７ｄ，１７ｅの長さ：０．２ｍｍ
キャリア５の厚さ：ＴＩＡ７の厚さと同じ（０．１５〜０．２５ｍｍ）
キャパシタ１１の容量値：３３０ｐＦ

上記の受光装置１Ａにおいて、受光素子９に信号光が入射すると、受光素子９はその光量に応じた大きさの電流信号を出力する。電流信号は、受光素子９のアノード電極からキャリア５上の第１配線パターン５ａ及び第２ワイヤ１７ｂを経て、ＴＩＡ７の入力信号端子７ｂに入力される。ＴＩＡ７は、入力した電流信号を電圧信号に変換する。電圧信号はＴＩＡ７の出力信号端子７ａから出力され、第１ワイヤ１７ａ及び信号配線パターン１３を通って受光装置１Ａの外部（または受光装置１Ａ内の他の電子部品）に提供される。

以上に説明した、本実施形態の受光装置１Ａによって得られる効果について説明する。前述したように、キャリア上の配線パターンとキャリア下の導電体との間の寄生容量が大きいと、電流信号の周波数帯域において共振周波数が存在し、信号成分の不透過帯域が生じ、信号波形の劣化、チャネル間クロストークといった通信品質の低下を生じさせる虞がある。

これに対し、本実施形態の受光装置１Ａでは、第１配線パターン５ａ及び第２配線パターン５ｂが、配線基板３の表面３ａの法線方向から見て基準電位パターン１５と重なっていない。従って、第１配線パターン５ａ及び第２配線パターン５ｂが基準電位パターン１５と対向しないので、第１配線パターン５ａ及び第２配線パターン５ｂに生じる寄生容量を低減できる。故に、共振周波数を高くして（以下、「高共振点化」という）、共振による不透過帯域を電流信号の周波数帯域より高周波側に移動させることができる。従って、信号波形の劣化、チャネル間クロストークといった通信品質の低下を抑制することができる。

ここで、図１１の（ａ）および（ｂ）は、比較例に係る受光装置１００Ａ，１００Ｂの構成を模式的に示す図である。図１１の（ａ）に示すように、第１配線パターン５ａ及び第２配線パターン５ｂと対向する位置に基準電位パターン１１５が設けられている場合、第１配線パターン５ａ及び第２配線パターン５ｂと基準電位パターン１１５との間に生じる寄生容量を小さくするために、キャリア５を厚くする必要がある。この場合、キャリア５の厚さは例えば０．４ｍｍである。しかしながらこの場合、キャリア５上の第１配線パターン５ａと、配線基板３上の信号配線パターン１３との高低差が大きくなり、第１ワイヤ１７ａ及び第２ワイヤ１７ｂのいずれかを長くする必要が生じる。例えば５３ＧＢａｕｄのＰＡＭ４といった高速の信号伝送を行う場合、第２ワイヤ１７ｂが長くなるとインダクタンスが増し、共振周波数の低下および伝送特性の劣化を引き起こす。そこで、第２ワイヤ１７ｂを短くするためにＴＩＡ７と配線基板３との間にキャリア１２５を設けると、第１ワイヤ１７ａが過度に長くなり、ＴＩＡ７と信号配線パターン１３との間でインピーダンス不整合が生じ、伝送波形が劣化する虞がある。

また、図１１の（ｂ）に示すように、信号配線パターン１３の高さをＴＩＡ７の出力信号端子７ａの高さと一致させるために、配線基板３にキャビティ１２７を設け、キャビティ１２７の中にキャパシタ１１、キャリア５，１２５、およびＴＩＡ７を配置することも考えられる。しかし、キャビティ１２７の加工精度等の理由から、キャビティ１２７の側面１２７ａとＴＩＡ７との距離を大きく取らざるを得ず、また、信号配線パターン１３をキャビティ１２７の側面１２７ａから或る程度離して形成する必要があり、所望の第１ワイヤ１７ａの長さを実現することは難しい。なお、図１１の（ｂ）において、基準電位パターン１１５は配線基板３の表面ではなく、内層（キャビティ１２７の底面）に設けられている。

上記の問題に対し、本実施形態の受光装置１Ａでは、第１配線パターン５ａ及び第２配線パターン５ｂが、配線基板３の表面３ａの法線方向から見て基準電位パターン１５と重なっていないので、寄生容量に配慮してキャリア５を厚くする必要がない。故に、キャリア５を薄くする（すなわち配線基板３を基準とするキャリア５の表面５１ａの高さを低くする）ことができる。これにより、キャリア５上の第１配線パターン５ａと、配線基板３上の信号配線パターン１３との高低差が小さくなり、第１ワイヤ１７ａ及び第２ワイヤ１７ｂを合わせた長さ（特に、キャリア５上の第１配線パターン５ａの高さとＴＩＡ７の上面７ｇの入力信号端子７ｂの高さとを同じにする場合には、第１ワイヤ１７ａの長さ）を短くすることができる。従って、第２ワイヤ１７ｂを短くしてインダクタンスを小さくし、高共振点化を実現するとともに伝送特性の劣化を抑制することができる。また、第１ワイヤ１７ａを所望の長さに近づけてＴＩＡ７と信号配線パターン１３との間のインピーダンス整合を実現し、伝送波形の劣化を抑制することができる。

図５は、ＴＤＲ（Time Domain Reflectance）によるインピーダンス計算結果を示すグラフである。図中の期間Ｔ１は、第１ワイヤ１７ａに起因する部分である。同図において、グラフＧ１１は本実施形態の場合（ＴＩＡ厚さ：１５０μｍ）を示し、グラフＧ１２は図１１の（ａ）に示した比較例の場合（ＴＩＡ厚さ：１５０μｍ、キャリア１２５厚さ：２５０μｍ）を示す。グラフＧ１２を参照すると、ＴＩＡ７の厚みにキャリア１２５の厚みが加わると、第１ワイヤ１７ａおよび信号配線パターン１３のパッド部（ＴＩＡ７の出力のワイヤ接続部）のインピーダンスが１００Ωに対して＋１０Ω程度増大する。これに対し、ＴＩＡ７の厚みだけであればＴＩＡ７の出力のワイヤ接続部のインピーダンスが１００Ωに対して±５Ω以内に抑えられる。このように、本実施形態によれば、ＴＩＡ７の出力のワイヤ接続部のインピーダンスを所望の値に近づけることができる。

また、本実施形態では、受光素子９のカソード電極と基準電位パターン１５との間に、第３ワイヤ１７ｃ及びキャパシタ１１が直列に接続されている。図６の（ａ）は、本実施形態の受光装置１Ａの等価回路図である。図６の（ａ）に示すように、本実施形態の受光装置１Ａでは、受光素子９のカソードが、ワイヤ１７ｄ，１７ｅ（図中にはインダクタンスとして示す）を介してＴＩＡ７のバイアス端子７ｃ，７ｄに接続されている。受光素子９のアノードは、第２ワイヤ１７ｂ及びＴＩＡ７の入力信号端子７ｂを介して、ＴＩＡ７の増幅回路７ｅに接続されている。ＴＩＡ７のＧＮＤ端子７ｆは基準電位パターン１５（図中には基準電位線（ＧＮＤ線）として示す）に接続されている。そして、受光素子９とワイヤ１７ｄ，１７ｅとの間の導電膜２６には、寄生容量Ｃ１が存在している。また、互いに直列に接続された第３ワイヤ１７ｃ及びキャパシタ１１が、寄生容量Ｃ１と並列に、導電膜２６と基準電位パターン１５との間に接続されている。

図６の（ｂ）は、図６の（ａ）の回路部分Ｅ１のみを抽出した等価回路図である。同図に示すように、回路部分Ｅ１は、第３ワイヤ１７ｃ及びキャパシタ１１からなる直列回路と、寄生容量Ｃ１と、ワイヤ１７ｄ，１７ｅの合成インダクタンスとが、ノードＮ１とノードＮ２との間に互いに並列に接続された構成を有する。ノードＮ１は受光素子９のカソードに接続され、ノードＮ２は基準電位パターン１５に接続されている。

一方、図７の（ａ）は、比較例に係る受光装置の等価回路図である。この比較例と本実施形態の受光装置１Ａ（図６の（ａ）を参照）との相違点は、第３ワイヤ１７ｃ及びキャパシタ１１からなる直列回路が設けられていない点である。従って、図７の（ａ）の回路部分Ｅ２のみを抽出すると、図７の（ｂ）に示すように、寄生容量Ｃ１と、ワイヤ１７ｄ，１７ｅの合成インダクタンスとが、ノードＮ１とノードＮ２との間に互いに並列に接続された回路構成となる。

回路部分Ｅ１，Ｅ２は、それぞれＬＣ共振回路を構成する。そして、このＬＣ共振回路の共振周波数が信号周波数に近づくと、ＴＩＡ７の増幅回路７ｅから受光素子９への戻り電流Ｉａが減少する。このとき、受光素子９から増幅回路７ｅへ電流信号の流れが阻害され、信号不透過となる。ここで、寄生容量Ｃ１の容量値をＣ_t、ワイヤ１７ｄ，１７ｅの合成インダクタンスをＬ_wireとすると、図７の（ｂ）に示された比較例のＬＣ共振回路のアドミタンスは

となり、Ｙ＝０すなわち共振周波数は

となる。一方、図５の（ｂ）に示された本実施形態のＬＣ共振回路において、キャパシタ１１の容量値が十分に大きいので高周波に対して短絡（ショート）するものと見なし、第３ワイヤ１７ｃのインダクタンスをＬ_bとすると、アドミタンスは

となり、Ｙ＝０すなわち共振周波数は

となる。インダクタンスＬ_bがインダクタンスＬ_wireよりも十分に小さいとすると、上の数式（４）は

となる。すなわち、比較例のＬＣ共振回路においては数式（２）に示すようにインダクタンスＬ_wireが共振周波数ｆに主に影響するが、本実施形態のＬＣ共振回路においてはインダクタンスＬ_bが共振周波数ｆに主に影響する。上述したように、インダクタンスＬ_bはインダクタンスＬ_wireよりも小さいので、本実施形態の共振周波数ｆは、比較例の共振周波数ｆよりも高くなる。このように、本実施形態の受光装置１Ａによれば、寄生容量Ｃ１とワイヤ１７ｄ，１７ｅとを含むＬＣ共振回路の共振周波数を高くすることができるので、共振による信号の不透過帯域を更に高周波側へ移動することができる。故に、信号波形の劣化、チャネル間クロストークといった通信品質の低下を更に抑制することができる。

現在の光通信システムにおいては、支線系及びデータセンター内、並びに支線系とデータセンターとの間で１００Ｇ伝送が主流になりつつあり、また今後、４００Ｇ伝送といった更なる高速化が予定されている。これらの伝送速度においては、伝送クロック周波数は例えば２５ＧＨｚ〜５６ＧＨｚとなる。これに対し本実施形態では、共振周波数ｆが６０ＧＨｚを超えており、このような伝送クロック周波数においても電流信号の周波数帯域内での共振を回避することができる。

また、本実施形態のように、受光素子９のカソードと第３ワイヤ１７ｃとの間（例えば、導電膜２６のうち受光素子９のカソードに接続された部分と、第２配線パターン５ｂとの間）に抵抗体３１が介在してもよい。抵抗体３１の有する電気抵抗の制振作用により、上述のＬＣ共振が効果的に抑制される。

また、本実施形態において、キャパシタ１１の他方の電極１１ｂが接続されている基準電位パターン１５の第２領域１５ｂと、ＴＩＡ７が実装されている基準電位パターン１５の第１領域１５ａとは、配線基板３の表面３ａ上及び配線基板３の内部のうち少なくとも一方に設けられた配線を介して互いに電気的に接続されている。従って、第１配線パターン５ａ及び第２配線パターン５ｂの寄生容量の増大を抑制しつつ、基準電位パターン１５の第１領域１５ａ及び第２領域１５ｂの電位を安定させることができる。

また、本実施形態のように、基準電位パターン１５は、キャリア５の側方を通り第１領域１５ａと第２領域１５ｂとを互いに電気的に接続する第３領域１５ｃを含んでもよい。例えばこのような構成によって、基準電位パターン１５の第１領域１５ａと第２領域１５ｂとを、配線基板３の表面３ａ上に設けられた配線を介して互いに電気的に接続することができる。

（第１変形例）
図８は、上記実施形態の一変形例に係る受光装置１Ｂの断面構成を模式的に示す図である。本変形例の基準電位パターン１５Ａは、上記実施形態と同様の第１領域１５ａ及び第２領域１５ｂを含んでいるが、第３領域１５ｃを含んでいない。すなわち、配線基板３の表面３ａにおいては、第１領域１５ａと第２領域１５ｂとが互いに分離している。その代わり、図８に示すように、本変形例の受光装置１Ｂは、基準電位パターン（第４基準電位パターン）１９と、第１ビア２１ａと、第２ビア２１ｂとを備える。そして、第１領域１５ａと第２領域１５ｂとは、基準電位パターン１９、第１ビア２１ａ、及び第２ビア２１ｂを介して互いに電気的に接続されている。

基準電位パターン１９は、配線基板３の内部及び裏面３ｂ上のうち少なくとも一方に設けられた金属製の配線層であり、図２に示された第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って表面３ａと平行に延在する。ここで、配線基板３の内部に設けられているとは、配線基板３の表面３ａと裏面３ｂとの間に設けられ、表面３ａ及び裏面３ｂの双方において露出していないことを意味し、配線基板３の側面から露出する場合を含む。

基準電位パターン１９は、配線基板３を構成する多層の絶縁層の層間に形成され得る。基準電位パターン１９の構成材料は、例えばＡｕまたはＣｕである。基準電位パターン１９は、配線基板３の厚さ方向（表面３ａの法線方向）から見て、キャリア５と重なる領域を有してもよい。その場合、第１配線パターン５ａ及び第２配線パターン５ｂと基準電位パターン１９の当該領域との間には、寄生容量が生じ得る。この寄生容量の大きさは、キャリア５の厚さと、表面３ａから基準電位パターン１９までの距離（基準電位パターン１９の形成深さ）ｄとによって主に決定される。この寄生容量によって共振による不透過帯域が生じ得るが、この不透過帯域が所望の信号周波数よりも高くなるように、距離ｄが設定される。距離ｄを大きくすると、それに応じて寄生容量の値は相対的に小さくなり、共振周波数ｆはより高い値となる。従って、距離ｄを出来だけ大きくするために、基準電位パターン１９は、裏面３ｂに設けられてもよい。

具体的には、キャリア５の誘電率をε_rc、配線基板３の絶縁層の誘電率をε_rs、図１１の（ａ）の比較例に対するキャリア５の厚さの減少量をｔ_cとすると、ｄ≧（ε_rs／ε_rc）・ｔ_cを満たすように距離ｄが設定される。キャリア５の基材５１が石英製である場合はε_rc＝３．４であり、配線基板３の絶縁層がＦＲ４製である場合はε_rs＝４．５である。従って、キャリア５の厚さの減少量をｔ_c＝０．２ｍｍとすると、ｄ＝（４．５／３．４）×０．２５ｍｍ＝０．３３ｍｍとなる。

第１ビア２１ａは、基準電位パターン１９と第１領域１５ａとの間の絶縁層を貫通する導電体である。第１ビア２１ａの一端は基準電位パターン１９に接し、他端は第１領域１５ａに接する。従って、第１ビア２１ａは、基準電位パターン１９と第１領域１５ａとを電気的に接続する。第２ビア２１ｂは、基準電位パターン１９と第２領域１５ｂとの間の絶縁層を貫通する導電体である。第２ビア２１ｂの一端は基準電位パターン１９に接し、他端は第２領域１５ｂに接する。従って、第２ビア２１ｂは、基準電位パターン１９と第２領域１５ｂとを電気的に接続する。

本変形例の構成によれば、基準電位パターン１５の第１領域１５ａと第２領域１５ｂとを、配線基板３の内部に設けられた配線を介して互いに電気的に接続することができる。従って、第１配線パターン５ａ及び第２配線パターン５ｂの寄生容量の増大を抑制しつつ、基準電位パターン１５の第１領域１５ａ及び第２領域１５ｂの電位を安定させることができる。

（第２変形例）
図９は、上記実施形態の別の変形例に係る受光装置１Ｃの断面構成を模式的に示す図である。本変形例の受光装置１Ｃは、上記実施形態の配線基板３に代えて、フレキシブル配線基板（Flexible Printed Circuits；ＦＰＣ）２３及び補強板２５を備える。ＦＰＣ２３の構成は、リジッド配線基板と比較して薄く可撓性を有する点を除き、上記実施形態の配線基板３と同様である。すなわち、ＦＰＣ２３は平坦な表面２３ａを有しており、表面２３ａ上には、信号配線パターン１３及び基準電位パターン１５が形成されている。また、キャリア５が表面２３ａ上に配置され、ＴＩＡ７が基準電位パターン１５の第１領域１５ａ上に実装され、Ｎ個のキャパシタ１１が基準電位パターン１５の第２領域１５ｂ上に実装されている。その他の構成も、上記実施形態の表面３ａ上の他の構成と同様である。

補強板２５は、ＦＰＣ２３の裏面側に設けられており、ＦＰＣ２３の裏面に接合されてＦＰＣ２３を構造的に支持する。表面２３ａ上の構造物は、信号配線パターン１３におけるＴＩＡ７とは反対側の端部を除き、補強板２５上に位置する。補強板２５は、例えばＦＲ４などのリジッドな材料からなる。

本変形例のように、配線基板は可撓性を有してもよい。この場合であっても、上記実施形態と同様の効果を好適に得ることができる。

本発明による受光装置は、上述した実施形態及び各変形例に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態及び第一変形例では、配線基板の表面の第３領域、及び配線基板の内部に設けられた配線層のいずれか一方を介して第１領域と第２領域とが互いに接続されているが、配線基板の表面の配線と内部配線との双方を介して第１領域と第２領域とが互いに接続されてもよい。

また、上記実施形態ではキャパシタとしてチップコンデンサといった容量素子を例示したが、キャパシタは配線パターンと基準電位パターン１５との間の寄生容量によって構成されてもよく、或いは薄型シリコンコンデンサであってもよい。

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…受光装置、３…配線基板（多層プリント基板）、３ａ…表面（第１面）、３ｂ…裏面、５…キャリア、５ａ…第１配線パターン、５ｂ…第２配線パターン、７…ＴＩＡ、７ａ…出力信号端子、７ｂ…入力信号端子、７ｃ，７ｄ…バイアス端子、７ｅ…増幅回路、７ｆ…ＧＮＤ端子、９…受光素子、１１…キャパシタ、１１ａ…一方の電極（第１電極）、１１ｂ…他方の電極（第２電極）、１３…信号配線パターン、１５，１５Ａ…基準電位パターン、１５ａ…第１領域（第１基準電位パターン）、１５ｂ…第２領域（第２基準電位パターン）、１５ｃ…第３領域（第３基準電位パターン）、１５ｄ…開口、１７ａ…第１ワイヤ、１７ｂ…第２ワイヤ、１７ｃ…第３ワイヤ、１７ｄ，１７ｅ…ワイヤ、１９…基準電位パターン（第４基準電位パターン）、２１ａ…第１ビア、２１ｂ…第２ビア、２３…ＦＰＣ、２３ａ…表面、２５…補強板、２６…導電膜、２６ａ，２６ｂ…部分、３１…抵抗素子（抵抗体）、５１…基材、５１ａ…表面、５１ｂ，５１ｃ…側面、１００Ａ，１００Ｂ…受光装置、１１５…基準電位パターン、１２５…キャリア、１２７…キャビティ、１２７ａ…側面、Ｅ１，Ｅ２…回路部分、ｄ…距離、Ｄ１…第１方向、Ｄ２…第２方向、Ｎ１，Ｎ２…ノード、Ｔ１…期間、Ｗ…間隔。

Claims

平面状の第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、前記第１面上に互いに離間して形成された第１基準電位パターンおよび第２基準電位パターンと、前記第１面上に形成された信号配線パターンと、を有する配線基板と、
絶縁性の基材と、該基材の平面状の第３面に形成された第１配線パターン及び第２配線パターンと、を有し、前記配線基板の前記第１面上において前記第１基準電位パターンと前記第２基準電位パターンとの間に配置されたキャリアと、
第１電極および第２電極を有し、前記キャリアの前記第３面上に搭載され、前記第１電極が前記第１配線パターンと電気的に接続され、前記第２電極が前記第２配線パターンと電気的に接続された受光素子と、
平面状の第４面と、前記第４面上に形成された第１端子および第２端子と、を有し、前記配線基板の前記第１基準電位パターンに実装され、前記第１端子は第１ワイヤを介して前記配線基板の前記信号配線パターンと電気的に接続され、前記第２端子は第２ワイヤを介して前記キャリアの前記第１配線パターンと電気的に接続されたトランスインピーダンスアンプと、
第３電極および第４電極を有し、前記配線基板の前記第２基準電位パターン上に実装され、前記第３電極が前記キャリアの前記第２配線パターンと電気的に接続され、前記第４電極が前記第２基準電位パターンと電気的に接続されたキャパシタと、
を備え、
前記キャリアの前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンは、前記配線基板の前記第１面の法線方向から見て前記第１基準電位パターンおよび前記第２基準電位パターンのいずれとも重なっておらず、
前記配線基板の前記第１基準電位パターンと前記第２基準電位パターンとは、前記配線基板の前記第１面上に形成され前記第１面の法線方向から見て前記キャリアの前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンのいずれとも重ならない第３基準電位パターン、並びに、前記配線基板の内部及び前記第２面のうち少なくとも一方に形成された第４基準電位パターンのうち少なくとも一方を介して互いに電気的に接続されている、受光装置。
前記配線基板は、前記配線基板の内部及び前記第２面のうち少なくとも一方に設けられた前記第４基準電位パターンと、前記第４基準電位パターンと前記第１基準電位パターンとの間の絶縁層を貫通する第１ビアと、前記第４基準電位パターンと前記第２基準電位パターンとの間の絶縁層を貫通する第２ビアと、を有し、前記第１基準電位パターンと前記第２基準電位パターンとは前記第４基準電位パターン、前記第１ビア、および前記第２ビアを介して互いに電気的に接続されている、請求項１に記載の受光装置。
前記第４基準電位パターンは、前記配線基板の前記第１面の法線方向から見て前記キャリアと重なる領域を有する、請求項２に記載の受光装置。
前記配線基板は、前記第１面上に形成された第３基準電位パターンを有し、前記第３基準電位パターンは、前記キャリアの側方を通り前記第１基準電位パターンと前記第２基準電位パターンとを互いに電気的に接続する、請求項１に記載の受光装置。
前記配線基板の前記第１面から前記トランスインピーダンスアンプの前記第４面までの高さは、前記配線基板の前記第１面から前記キャリアの前記第３面までの高さに等しく設定されている、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の受光装置。