JP2021034253A - 表示パネル、および、表示パネルの製造方法 - Google Patents
表示パネル、および、表示パネルの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021034253A JP2021034253A JP2019153971A JP2019153971A JP2021034253A JP 2021034253 A JP2021034253 A JP 2021034253A JP 2019153971 A JP2019153971 A JP 2019153971A JP 2019153971 A JP2019153971 A JP 2019153971A JP 2021034253 A JP2021034253 A JP 2021034253A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display panel
- layer
- adhesive layer
- metal film
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 180
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 135
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 135
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 123
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 100
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 100
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 13
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 167
- 239000010408 film Substances 0.000 description 106
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 31
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 30
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 20
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 20
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 6
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 6
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 6
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 5
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 4
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 4
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 4
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002497 iodine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】金属膜と、前記金属膜上に接着層を介して配された第1樹脂基板と、前記第1樹脂基板上に形成された複数の発光素子と、前記発光素子上に形成された第2樹脂基板とを備え、前記接着層は前記金属膜と接触する複数の接触部を有し、前記複数の接触部の間に、前記金属膜と接しない空隙が存在することを特徴とする表示パネル。
【選択図】図1
Description
実施の形態の一態様に係る表示パネルは、金属膜と、前記金属膜上に接着層を介して配された第1樹脂基板と、前記第1樹脂基板上に形成された複数の発光素子と、前記発光素子上に形成された第2樹脂基板とを備え、前記接着層は前記金属膜と接触する複数の接触部を有し、前記複数の接触部の間に、前記金属膜と接しない空隙が存在することを特徴とする。
1.表示パネルの概略構成
本発明に係る表示パネルの一態様である有機EL表示パネルについて説明する。
ベース樹脂層10は、フレキシブル基板の第1層となる可撓性の樹脂基板である。ベース樹脂層10の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよく、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)を用いることができる。なお、例えば、ポリイミド(PI)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリサルホン(PSu)、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリブチレンテレフタレート、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリウレタン系、等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体を用いてもよい。ベース樹脂層10の膜厚は、例えば、250μmから500μmである。本実施の形態では、350μmとした。
第1接着層20は、ベース樹脂層10と後述する金属膜30とを接着させるための接着層である。第1接着層20の材料としては、公知の粘着剤を用いることができ、例えば、アクリル系ポリマー、ゴム系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ウレタン系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、シリコーン系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマーなどを用いることができる。
金属膜30は、フレキシブル基板の第2層となる可撓性の金属膜である。金属膜30の材料としては、例えば、ステンレス鋼、銅、アルミニウムなどを用いることができる。金属膜30は、表示パネル1の強度を向上させる。なお、金属膜30は可撓性を有するため、膜厚は200μm以下であることが好ましく、100μm以下であることがより好ましい。本実施の形態では、50μmとした。また、金属膜30はベース樹脂層10および第1樹脂基板50からのアウトガスを伝導させるための穴が設けられていてもよい。
第2接着層40は、金属膜30と後述する第1樹脂基板50とを接着させるための接着層である。図1(b)は、第2接着層40の断面図である。また、図1(c)は、第2接着層40を金属膜30側から平面視した平面模式図である。
なお、凸部40aは必ずしも矩形状である必要はなく、六角柱や円柱など他の形状であってもよい。また、第2接着層40は単一材料で形成される必要はなく、例えば、複数の柱状の粘着層、可撓性樹脂層、べた膜の粘着層、の3層構造であってもよい。
第1樹脂基板50は、フレキシブル基板の第3層となる可撓性の樹脂基板であり、後述する発光素子基板70の保持基板である。第1樹脂基板50の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよく、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)を用いることができる。なお、例えば、ポリイミド(PI)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリサルホン(PSu)、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリブチレンテレフタレート、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリウレタン系、等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体を用いてもよい。第1樹脂基板50の膜厚は、例えば、50μmから100μmである。本実施の形態では、第1樹脂基板50の膜厚は、75μmである。
第3接着層60は、第1樹脂基板50と発光素子基板70とを接着させるための接着層である。第3接着層60の材料としては、公知の粘着剤を用いることができ、例えば、アクリル系ポリマー、ゴム系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ウレタン系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、シリコーン系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマーなどを用いることができる。
発光素子基板70は、フレキシブル基板の第4層となる可撓性の樹脂基板であり、後述する発光素子層80を直接担持する基板である。発光素子基板70の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよく、例えば、ポリイミド(PI)を用いることができる。なお、例えば、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリサルホン(PSu)、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリブチレンテレフタレート、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリウレタン系、等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体を用いてもよい。発光素子基板70の膜厚は、例えば、10μmから50μmである。本実施の形態では、発光素子基板70の膜厚は20μmである。
発光素子層80は、複数の発光素子からなる層である。より具体的には、有機EL素子が行列状に配されてなる。なお、発光素子は量子ドット発光素子など他の自発光素子でもよい。また、各発光素子の配置は行列状に限られず、例えば、平面視すると六角形である発光素子がハニカム状に配置されてもよい。詳細は後述する。
偏光板90は、発光素子から出射される光の調整や、外光の発光素子内での反射抑止のために設けられる層である。偏光板90の材料としては、例えば、ポリビニルアルコール(PVA)にヨウ素化合物分子を吸着配向させたものを使用することができる。なお、偏光板90は、さらにトリアセチルセルロース(TAC)やPETからなる層を保護層として含んでもよい。偏光板90の膜厚は、例えば、100μmから300μmである。本実施の形態では、偏光板90の膜厚は、190μmである。
以下、発光素子層80内の有機EL素子について説明する。
第1封止層811は、発光素子基板70側から水や酸素などの不純物が有機EL素子内へと侵入するのを防ぎ、不純物によるこれらの層の劣化を抑制する機能を有する。第1封止層811の材料は、例えば、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)を用いることができる。
TFT層812は、有機EL素子のそれぞれを駆動する回路であり、画素ごとに駆動回路が形成される。
層間絶縁層820は、第1封止層811およびTFT層812上に形成される樹脂層であり、TFT層812の上面の段差を平坦化するためのものである。層間絶縁層820の材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができる。
画素電極831は、光反射性の金属材料からなる金属層を含み、層間絶縁層820上に形成されている。画素電極831は、画素ごとに設けられ、層間絶縁層820に設けられたコンタクトホールを通じてTFT層812と電気的に接続されている。
隔壁832は、画素電極831の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で画素電極831上に形成されている。隔壁832は、それぞれ四角錐台状もしくはそれに類似した形状であり、断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状もしくは上に凸のお椀状である。画素電極831上面において隔壁832で被覆されていない領域(以下、「開口部」という)は、サブピクセルに対応している。すなわち、隔壁832は、サブピクセルごとに設けられた開口部832aを有する。隔壁832は、画素電極831が形成されていない部分では、層間絶縁層820上に形成されている。すなわち、画素電極831が形成されていない部分では、隔壁832の底面は層間絶縁層820の上面と接している。
第1機能層833は、画素電極831から発光層834へのキャリアの注入を促進させる目的で設けられる。本実施の形態では画素電極831は陽極であるため、第1機能層833は、正孔(ホール)の注入性や輸送性を備えることが好ましく、および/または、電子のブロック性を備えることが好ましい。
発光層834は、開口部832a内に形成されている。発光層834は、正孔と電子の再結合によりR、G、Bの各色の光を出射する機能を有する。発光層834の材料としては、公知の材料を利用することができる。
第2機能層835は、対向電極836から発光層834へのキャリアの注入を促進させる目的で設けられる。本実施の形態では対向電極836は陰極であるため、第2機能層835は、電子の注入性や輸送性を備えることが好ましく、および/または、ホールのブロック性を備えることが好ましい。
対向電極836は、複数の画素に共通して第2機能層835上に形成されており、陰極として機能する。
対向電極836の上には、第2封止層837が設けられている。第2封止層837は、偏光板90側から不純物(水、酸素)が有機EL素子内部へと侵入するのを防ぎ、不純物によるこれらの層の劣化を抑制する機能を有する。第2封止層837は、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
第4接着層840は、有機EL素子の第2封止層837と偏光板90とを接着させるための接着層である。第4接着層840の材料としては、公知の粘着剤を用いることができ、例えば、アクリル系ポリマー、ゴム系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ウレタン系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、シリコーン系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマーなどを用いることができる。
以下、実施の形態に係る第2接着層の効果について、気泡発生抑止の観点と反り防止の観点の2点について、比較例と対比して説明する。
以下、実施の形態に係る第2接着層の構成と、べた膜としての比較例との対比により、気泡発生抑止効果について説明する。
以下、実施の形態に係る第2接着層の構成と、比較例との対比により、表示パネルの反り抑止効果について説明する。
この事象の要因としては、以下のように考えられる。
以上説明したように、実施の形態に係る表示パネルによれば、高温エージング処理を行った場合の気泡の発生および反りの発生を抑止することができる。したがって、平坦性の高い高品質な表示パネルの製造が可能となる。また、上記構成によれば、第1樹脂層の材料として吸水率が0.1%以上の材料を用いても気泡の発生および反りの発生を抑止することができる。したがって、第1樹脂層の材料の選択の範囲を広げることができ、表示パネルのフレキシブル基板として適した特性を有する材料であれば、吸水率の高い材料を用いることができる。
以下、実施の形態の一態様である表示パネルの製造方法として、有機EL表示パネルの製造方法について説明する。図6から図10は、有機EL表示パネル1の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。また、図5は、有機EL表示パネル1の製造方法を示すフローチャートである。
まず、図6(a)に示すように、ベース樹脂層10を準備する(ステップS10)。次に、ベース樹脂層10上に第1接着層20を形成し、第1接着層20上に金属膜30を貼付する(ステップS20、図6(b))。なお、第1接着層20の形成は、ベース樹脂層10上に第1接着層20の材料を塗布する方法でもよいし、予めフィルム状に形成した第1接着層20を貼付してもよい。
次に、図6(c)に示すように、金属膜30上に第2接着層40を貼付する(ステップS30)。具体的には、予めフィルム状に成型した第2接着層40を金属膜30上に貼付する。
次に、図6(d)に示すように、第2接着層上に第1樹脂基板50を貼付する(ステップS40)。
次に、図7(a)に示すように、保持基板100上に発光素子基板70を貼付する(ステップS50)。保持基板100は、例えば、ガラス基板などの剛体基板を用いることができる。なお、保持基板100は、後述するステップS210においてレーザー光を使用する場合には、光透過性の基板であることが好ましい。発光素子基板70の貼付は、例えば、発光素子基板70の材料をスピンコート法などにより塗布することで行うことができる。
次に、発光素子基板70上に発光素子である有機EL素子を形成する(ステップS100)。図11は、有機EL素子の製造方法を示すフローチャートである。
まず、図7(b)に示すように、発光素子基板70上に第1封止層811を形成する(ステップS110)。第1封止層811は、例えば、CVD法またはスパッタリング法により発光素子基板70上に均一に成膜する。
次に、第1封止層811上にTFT層812を形成する(ステップS120)。TFT層812の形成は、公知のTFTの製造方法により行うことができる。
次に、図7(d)に示すように、層間絶縁層812上に画素電極831を形成する(ステップS141)。画素電極831の形成は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法を用いて画素電極831の材料を層間絶縁層812上に均一に成膜した後、フォトリソグラフィおよびエッチングによりパターニングすることでなされる。
次に、図8(a)に示すように、層間絶縁層812上の画素電極831間間隙に隔壁832を形成する(ステップS142)。隔壁832の形成は、例えば、感光性材料であるフェノール樹脂を溶媒に溶解させた溶液をスピンコート法などを用いて一様に塗布した後、パターン露光と現像によりパターニングすることでなされる。
次に、図8(b)に示すように、隔壁832間の開口部832aに存在する画素電極831上に第1機能層833を形成する(ステップS143)。第1機能層833の形成は、例えば、第1機能層833の材料を含むインクを、インクジェットヘッドのノズルから吐出して塗布し、焼成(乾燥)を行うことでなされる。または、第1機能層833の形成は、例えば、開口部832aに対応する蒸着マスクを隔壁832上に載置し、第1機能層833の材料を真空蒸着法、PVD法、CVD法などで成膜することでなされる、としてもよい。なお、第1機能層833が多層構造である場合には、全ての層を塗布方式で成膜してもよいし、全ての層を蒸着方式で成膜してもよいし、または、一部の層を塗布方式で成膜し、残りの層を蒸着方式で成膜してもよい。
次に、図8(c)に示すように、隔壁832間の開口部832aに存在する第1機能層833上に発光層834を形成する(ステップS144)。発光層834の形成は、例えば、発光層834の材料を含むインクを、インクジェットヘッドのノズルから吐出して塗布し、焼成(乾燥)を行うことでなされる。または、発光層834の形成は、例えば、開口部832aに対応する蒸着マスクを隔壁832上に載置し、発光層834の材料を真空蒸着法、PVD法、CVD法などで成膜することでなされる、としてもよい。
次に、図9(a)に示すように、発光層834および隔壁832上に、第2機能層835を形成する(ステップS145)。第2機能層835の形成は、例えば、第2機能層835の材料を真空蒸着法、PVD法、CVD法などで成膜することでなされる。
次に、図9(b)に示すように、第2機能層835上に、対向電極836を形成する(ステップS146)。対向電極836の形成は、例えば、対向電極836の材料を真空蒸着法、スパッタリング法などで成膜することでなされる。
次に、図9(c)に示すように、対向電極836上に、第2封止層837を形成する(ステップS150)。第2封止層837の形成は、例えば、第2封止層837の材料をCVD法、スパッタリング法などで成膜することでなされる。
次に、図10(a)に示すように、第2封止層837上に、第4接着層840を介して偏光板90を貼付する(ステップS160)。具体的には、例えば、第2封止層837上にディスペンサーで第4接着層840の材料を塗布し、予めシート状に成型した偏光板90を貼付する。
次に、保持基板100から発光素子基板70を剥離し、発光素子基板70、発光素子層80、偏光板90からなる発光素子ユニット700を分離する(ステップS210)。発光素子基板70の剥離は、例えば、保持基板100がガラス基板である場合には、保持基板100の下側から保持基板100を透過して発光素子基板70の保持基板100側界面にレーザーを照射することでなされる。
次に、図6(d)で示すベース樹脂層10〜第1樹脂基板50の積層構造に、発光素子ユニット700を貼付する(図10(b)、ステップS220)。具体的には、第1樹脂基板50上に第3接着層60を形成し、第3接着層60上に発光素子ユニット700を貼付することでなされる。なお、第3接着層60の形成は、第1樹脂基板50上に第3接着層60の材料を塗布することでなされてもよいし、予めシート状に成型した第3接着層60を第1樹脂基板50上に貼付するとしてもよい。
最後に、ステップS220で形成した表示パネルを高温エージング処理する(ステップS230)。高温エージング処理は、例えば、80℃で2時間行われる。
(1)上記実施の形態においては、発光素子基板70をベース樹脂層10、金属膜30、第1樹脂基板50の積層構造上に貼付するものとしたが、積層構造はこれに限られず、例えば、ベース樹脂層10を含まず金属膜30と第1樹脂基板50との積層構造であってもよいし、金属膜を複数含む積層構造であってもよい。
10 ベース樹脂層
20 第1接着層
30 金属膜
40 第2接着層(接着層)
50 第1樹脂基板
60 第3接着層
70 発光素子基板
80 発光素子層
90 偏光板(第2樹脂基板)
100 保持基板
Claims (10)
- 金属膜と、
前記金属膜上に接着層を介して配された第1樹脂基板と、
前記第1樹脂基板上に形成された複数の発光素子と、
前記発光素子上に形成された第2樹脂基板とを備え、
前記接着層は前記金属膜と接触する複数の接触部を有し、前記複数の接触部の間に、前記金属膜と接しない空隙が存在する
ことを特徴とする表示パネル。 - 前記接着層が前記第1樹脂基板と接触する面積は、複数の前記接触部が前記金属膜と接触する面積より広い
ことを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。 - 前記接着層は、
前記第1樹脂基板と接触する第1接着層と、
複数の前記接触部からなる第2接着層とを備える
ことを特徴とする請求項1または2に記載の表示パネル。 - 前記第2樹脂基板は、偏光板である
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の表示パネル。 - 前記第1樹脂基板の材料の吸水率は、0.1%以上である
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の表示パネル。 - 前記第1樹脂基板の材料は、ポリエチレンテレフタレート(PET)である
ことを特徴とする請求項5に記載の表示パネル。 - 前記第1樹脂基板と、前記第2樹脂基板とは、いずれも可撓性基板であり、
前記表示パネルは、フレキシブルパネルである
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の表示パネル。 - 前記金属膜の材料はステンレス鋼、アルミニウム、銅の1以上を含む
ことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の表示パネル。 - 可撓性基板上に発光素子と第2樹脂基板とを形成して発光素子基板を形成し、
第1樹脂基板上に前記発光素子基板を貼付してパネル素子を形成し、
金属膜上に、前記金属膜と接触する複数の接触部を有し、前記複数の接触部の間に、前記金属膜と接しない空隙が存在する接着層を貼付し、
前記接着層上に前記パネル素子を貼付してフレキシブル表示パネルを形成し、
前記フレキシブル表示パネルに高温エージング処理を行う
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 前記高温エージング処理は、80℃以上の温度で、2時間以上行われる
ことを特徴とする請求項8に記載の表示パネルの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019153971A JP7332147B2 (ja) | 2019-08-26 | 2019-08-26 | 表示パネル、および、表示パネルの製造方法 |
CN202010847265.0A CN112436093B (zh) | 2019-08-26 | 2020-08-21 | 显示面板及显示面板的制造方法 |
US17/001,026 US11515504B2 (en) | 2019-08-26 | 2020-08-24 | Display panel and display panel manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019153971A JP7332147B2 (ja) | 2019-08-26 | 2019-08-26 | 表示パネル、および、表示パネルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021034253A true JP2021034253A (ja) | 2021-03-01 |
JP7332147B2 JP7332147B2 (ja) | 2023-08-23 |
Family
ID=74676077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019153971A Active JP7332147B2 (ja) | 2019-08-26 | 2019-08-26 | 表示パネル、および、表示パネルの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11515504B2 (ja) |
JP (1) | JP7332147B2 (ja) |
CN (1) | CN112436093B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114360381B (zh) * | 2022-01-07 | 2023-11-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示模组及移动终端 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013211339A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Toray Ind Inc | 配線前駆体シート、および裏面電極型太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2016149350A (ja) * | 2015-02-11 | 2016-08-18 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 有機発光装置およびその製造方法 |
JP2017083669A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | コニカミノルタ株式会社 | 偏光板とその製造方法 |
JP2018056137A (ja) * | 2011-02-14 | 2018-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US20190067606A1 (en) * | 2017-08-31 | 2019-02-28 | Lg Display Co., Ltd. | Adhesive and flexible display using the same |
JP2019121493A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | Necライティング株式会社 | 有機el素子 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7601236B2 (en) * | 2003-11-28 | 2009-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing display device |
JP4512436B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2010-07-28 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
US8025205B2 (en) * | 2005-10-20 | 2011-09-27 | Panasonic Corporation | Electronic component mounting method |
JP4962131B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2012-06-27 | 凸版印刷株式会社 | 光基板の製造方法 |
JP2009117736A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Bridgestone Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
JP6308543B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2018-04-11 | 新日鉄住金化学株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
KR102096054B1 (ko) | 2013-08-14 | 2020-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
CN111540845B (zh) * | 2014-01-14 | 2024-10-01 | 三星显示有限公司 | 层叠基板、发光装置 |
KR102238788B1 (ko) * | 2014-04-23 | 2021-04-09 | 미래나노텍(주) | 터치스크린 패널 및 그 제조방법 |
WO2017022749A1 (ja) | 2015-08-06 | 2017-02-09 | Dic株式会社 | 粘着テープ、放熱シート、電子機器及び粘着テープの製造方法 |
CN108474100B (zh) * | 2015-09-30 | 2020-09-04 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 具有微细图案的树脂薄膜的制造方法以及有机el显示装置的制造方法与微细图案形成用基材薄膜和具有支撑部件的树脂薄膜 |
KR102044769B1 (ko) | 2016-02-24 | 2019-11-14 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 점착 테이프, 방열 시트 및 전자기기 |
JP6565804B2 (ja) | 2016-06-28 | 2019-08-28 | Dic株式会社 | 粘着テープ、放熱シート、電子機器及び粘着テープの製造方法 |
JP2018095724A (ja) | 2016-12-13 | 2018-06-21 | Dic株式会社 | 放熱粘着シート及び情報表示装置 |
JP7075727B2 (ja) | 2017-05-31 | 2022-05-26 | 日東電工株式会社 | 粘着シート |
-
2019
- 2019-08-26 JP JP2019153971A patent/JP7332147B2/ja active Active
-
2020
- 2020-08-21 CN CN202010847265.0A patent/CN112436093B/zh active Active
- 2020-08-24 US US17/001,026 patent/US11515504B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018056137A (ja) * | 2011-02-14 | 2018-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2013211339A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Toray Ind Inc | 配線前駆体シート、および裏面電極型太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2016149350A (ja) * | 2015-02-11 | 2016-08-18 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 有機発光装置およびその製造方法 |
JP2017083669A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | コニカミノルタ株式会社 | 偏光板とその製造方法 |
US20190067606A1 (en) * | 2017-08-31 | 2019-02-28 | Lg Display Co., Ltd. | Adhesive and flexible display using the same |
JP2019121493A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | Necライティング株式会社 | 有機el素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7332147B2 (ja) | 2023-08-23 |
CN112436093B (zh) | 2024-09-06 |
US11515504B2 (en) | 2022-11-29 |
US20210066647A1 (en) | 2021-03-04 |
CN112436093A (zh) | 2021-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11094896B2 (en) | Flexible OLED display panel and method for fabricating same | |
TWI527207B (zh) | 可撓式有機發光裝置及其製作方法 | |
CN1941400B (zh) | 有机发光二极管及其制造方法 | |
JP2007220646A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
US20140319475A1 (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
JP2005317476A (ja) | 表示装置 | |
CN111524933A (zh) | 显示设备 | |
US20200044184A1 (en) | Organic light-emitting device | |
JP2010027500A (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
WO2009104241A1 (ja) | パターン形成方法及びシャドウマスク | |
JP2010244850A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP2006171329A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
JP7332147B2 (ja) | 表示パネル、および、表示パネルの製造方法 | |
JP2010027502A (ja) | 有機el表示装置 | |
US9698389B2 (en) | Method of producing organic EL device | |
JP2011040347A (ja) | 有機el装置 | |
JP2013077382A (ja) | 電界発光表示装置 | |
JP2004192813A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP2010067355A (ja) | 有機el素子パネル及びその製造方法 | |
JP2007026684A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 | |
WO2022179193A1 (zh) | 显示面板、显示装置及制备方法 | |
JP2005353398A (ja) | 表示素子、光学デバイス、及び光学デバイスの製造方法 | |
JP2011014504A (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法 | |
JP2008010383A (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JP5117473B2 (ja) | 有機el装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220804 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230626 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230711 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230803 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7332147 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |