JP2019121493A - 有機ｅｌ素子 - Google Patents

Abstract

【課題】 非発光面側からの発光を抑制可能な有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】 本発明の有機ＥＬ素子は、第１の基板と、第１の電極と、有機ＥＬ層と、第２の電極と、位相調整層とを含み、前記有機ＥＬ層は、発光層を含み、前記第１の電極と、前記有機ＥＬ層と、前記第２の電極とが、この順序で積層されており、前記第１の基板は、非発光面側の基板であり、前記第１の電極および前記第２の電極は、一方が陽極であり、他方が陰極であり、前記第１の電極は、透明電極であり、前記第２の電極は、前記有機ＥＬ層の面方向において間隔をあけて配置されており、前記位相調整層は、位相変換層および偏光層の少なくとも一方であることを特徴とする。【選択図】図１

Description

本発明は、有機ＥＬ素子に関する。

デザイン性の高い有機ＥＬ素子として、スリット状に発光する有機ＥＬ素子が知られている（特許文献１）。前記スリット状に発光する有機ＥＬ素子は、例えば、金属電極をスリット状に形成し、スリットとスリットとの間には電極を配置せず、有機膜のみとすることにより形成できる。これにより、スリット−スリット間が透明となり、非発光時には、前記スリット間を通して、前記素子の反対側（裏面側）が見えることになる。そして、発光時には、前記スリット部分が発光し、光の広がりにより、発光面側は、全体的に光っているように見える。

特開２０１６−１７７９６７号公報

一方、前記スリット状に発光する有機ＥＬ素子において、非発光面側は、例えば、前記有機ＥＬ素子の発光時においても、前記スリット間に電極が配置されないことから、ほとんど光っていないように見えると考えられている。しかしながら、実際は、例えば、前記有機ＥＬ素子の内部で反射した光や、発光層から直接出射される光により、前記スリット間を通して光の漏れが生じ、これが原因で、前記非発光面側が光って見えるため、前記有機ＥＬ素子のデザイン性が損なわれる等の問題があるとの知見が、本発明者により得られた。

そこで、本発明は、例えば、スリット状に発光する有機ＥＬ素子において、前記非発光面側からの発光を抑制することを目的とする。

前記目的を達成するために、本発明の有機ＥＬ素子は、
第１の基板と、第１の電極と、有機ＥＬ層と、第２の電極と、位相調整層とを含み、
前記有機ＥＬ層は、発光層を含み、
前記第１の電極と、前記有機ＥＬ層と、前記第２の電極とが、この順序で積層されており、
前記第１の基板は、非発光面側の基板であり、
前記第１の電極および前記第２の電極は、一方が陽極であり、他方が陰極であり、
前記第１の電極は、透明電極であり、
前記第２の電極は、前記有機ＥＬ層の面方向において間隔をあけて配置されており、
前記位相調整層は、位相変換層および偏光層の少なくとも一方であることを特徴とする。

本発明によれば、例えば、スリット状に発光する有機ＥＬ素子において、前記非発光面側からの発光を抑制できる。

図１は、実施形態１における有機ＥＬ素子を横からみた模式図（断面図）である。 図２は、実施形態１における干渉後の漏れ光の振幅分布を示す概念図である。 図３は、実施形態１における有機ＥＬ素子を横からみた模式図（断面図）である。 図４は、変形例における有機ＥＬ素子を横からみた模式図（断面図）である。 図５は、実施形態２における有機ＥＬ素子を横からみた模式図（断面図）である。 図６は、実施形態３における有機ＥＬ素子を横からみた模式図（断面図）である。 図７は、実施形態４における有機ＥＬ素子を横からみた模式図（断面図）である。 図８は、実施形態５における有機ＥＬ素子を横からみた模式図（断面図）である。

本発明の有機ＥＬ素子は、例えば、前記第２の電極が、スリット状またはグリッド状に配置されている。

本発明の有機ＥＬ素子は、例えば、さらに、第２の基板を含み、前記第２の基板は、発光面側の基板であり、前記第２の基板は、透明基板であり、前記第２の基板上に、前記第１の電極が配置されている。

本発明の有機ＥＬ素子は、例えば、前記第１の基板に、前記位相調整層が配置されている。

本発明の有機ＥＬ素子は、例えば、前記偏光層が、前記第２の電極間の間隙に沿った方向の偏光成分を持つ光を吸収または反射する。

本発明の有機ＥＬ素子は、例えば、前記位相変換層が、前記位相調整層を透過する光の位相を、前記光の波長の１／２ずらす。

本発明の有機ＥＬ素子は、例えば、前記第２の電極が、前記偏光層である。

本発明の有機ＥＬ素子は、例えば、前記第２の電極の幅、および前記第２の電極間の間隙の幅が、それぞれ、３００μｍ未満である。

本発明の有機ＥＬ素子は、例えば、前記第２の基板と前記第１の電極との間に、前記位相調整層が配置されている。

本発明の有機ＥＬ素子は、例えば、前記位相調整層が、前記第２の電極間の間隙に対応するように配置されている。

本発明の有機ＥＬ素子は、例えば、前記位相調整層が、前記第２の電極間の間隙に対し、１つおきに対応するように配置されている。

つぎに、本発明の実施形態について、図を用いて説明する。本発明は、下記の実施形態によって何ら限定および制限されない。なお、以下の図面において、同一部分には、同一符号を付している。各実施形態における説明は、それぞれ、互いを援用できる。さらに、各実施形態の構成は、特に言及がない限り、組合せ可能である。また、図面においては、説明の便宜上、各部の構造は適宜簡略化して示す部分があり、各部の寸法比等は、実際とは異なり、模式的に示す場合がある。

（実施形態１）
図１は、本実施形態における有機ＥＬ素子１を横からみた模式図（断面図）である。本実施形態の有機ＥＬ素子１は、ボトムエミッションタイプの有機ＥＬ素子であり、図１において、下方向が、有機ＥＬ素子１の本来の発光方向（発光面側）であり、上方向が、本来の非発光方向（非発光面側）である。図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ素子１は、前記第１の基板である基板１０と、前記第１の電極である陽極１１と、有機ＥＬ層１２と、前記第２の電極である陰極１３と、中間層１４と、前記位相調整層である位相変換層１５と、前記第２の基板である封止基板１６とを含む。有機ＥＬ素子１は、基板１０上に、陽極１１、有機ＥＬ層１２、および陰極１３が、前記順序で積層されている。封止基板１６は、中間層１４を挟んで基板１０に対向して配置されている。有機ＥＬ層１２は、正孔注入層１２１と、正孔輸送層１２２と、発光層１２３と、電子輸送層１２４と、電子注入層１２５とを含み、これらが前記順序で積層されている。そして、本実施形態において、位相変換層１５は、封止基板１６の有機ＥＬ層１２との対向面（図１における下面）に配置されている。陰極１３は、後述するように、スリット状に間隔をあけて配置されている。なお、正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、電子輸送層１２４、電子注入層１２５、および中間層１４は、必須の構成要件ではなく、有機ＥＬ素子１に含まれてもよいし、含まれなくてもよい。また、有機ＥＬ素子１において、陽極１１と陰極１３とが、前記順序とは逆に積層されていてもよい。この場合、陽極１１が、スリット状に間隔をあけて配置されている。

有機ＥＬ素子１において、基板１０、陽極１１、正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、発光層１２３、電子輸送層１２４、電子注入層１２５、陰極１３、中間層１４、位相変換層１５、および封止基板１６の材料は、特に制限されず、公知の材料を用いることができる。

基板１０は、有機ＥＬ素子１における発光層１２３の発光を透過させる透過率の高いものであることが好ましい。基板１０の形成材料としては、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、ソーダライムガラス、硼珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、石英ガラス等のガラス；ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル；ポリイミド；ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル等のアクリル系樹脂；ポリエーテルサルフォン；ポリ炭酸エステル；等があげられる。前記基板１０の大きさ（長さおよび幅）は、特に制限されず、例えば、所望の有機ＥＬ素子１の大きさに応じて、適宜設定すればよい。前記基板の厚さも、特に制限されず、その形成材料、使用環境等に応じて、適宜設定でき、例えば、１ｍｍ以下である。

本実施形態において、陽極１１は、透明電極である。前記透明電極を形成する材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等があげられる。陽極１１は、例えば、スパッタリング法により一様に成膜した後、フォトエッチングおよびフォトリソグラフィ法を用いて、パターン形成できる。前記パターンは、例えば、ステンシルマスクを用いて形成してもよい。なお、陽極１１と同層において、陽極１１および陰極１３の電極取り出し端子部（電源との接続端子部）を、パターン形成してもよい。

発光層１２３は、電極から注入された電子と正孔とを再結合させ、蛍光、燐光等を発光させる層である。発光層１２３は、発光材料を含む。前記発光材料は、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）、ビスジフェニルビニルビフェニル（ＢＤＰＶＢｉ）、１，３−ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾールイル）フェニル（ＯＸＤ−７）、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（ＢＰＰＣ）、１，４ビス（Ｎ−ｐ−トリル−Ｎ−４−（４−メチルスチリル）フェニルアミノ）ナフタレン等の低分子化合物、または、ポリフェニレンビニレン系ポリマー等の高分子化合物等があげられる。

また、前記発光材料は、例えば、ホストとドーパントとの二成分系からなり、ホスト分子で生成した励起状態のエネルギーがドーパント分子へ移動してドーパント分子が発光する材料でもよい。このような発光材料は、具体的には、例えば、ホストのＡｌｑ_３等のキノリノール金属錯体に、ドーパントの４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、２，３−キナクリドン等のキナクリドン誘導体、もしくは、３−（２’−ベンゾチアゾール）−７−ジエチルアミノクマリン等のクマリン誘導体をドープしたもの、ホストの電子輸送性材料であるビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリン）−４−フェニルフェノール−アルミニウム錯体に、ドーパントのペリレン等の縮合多環芳香族をドープしたもの、または、ホストの正孔輸送層材料である４，４’−ビス（ｍ−トリルフェニルアミノ）ビフェニル（ＴＰＤ）に、ドーパントのルブレン等をドープしたもの、ホストの４，４’−ビスカルバゾリルビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−２，２’−ジメチルビフェニル（ＣＤＢＰ）等のカルバゾール化合物に、ドーパントの白金錯体、トリス−（２フェリニルピリジン）イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、（ビス（４，６−ジ−フルオロフェニル）−ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）ピコリネートイリジウム錯体（ＦＩｒ（ｐｉｃ））、（ビス（２−（２’−ベンゾ（４，５−α）チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）（アセチルアセトネート）イリジウム錯体（Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ））、Ｉｒ（ｐｉｃ）_３、Ｂｔ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）等のイリジウム錯体をドープしたもの等があげられる。前記発光材料は、例えば、有機ＥＬ素子１の目的とする発光色に応じて、適宜選択できる。

発光層１２３は、例えば、物理気相蒸着（ＰＶＤ）により形成でき、具体的には、例えば、抵抗過熱を用いた真空蒸着法により形成できる。発光層１２３は、例えば、ホスト材料に各色のドーパント（ゲスト材料）をドーピング（共蒸着）することにより形成できる。

正孔注入層１２１を形成する材料としては、例えば、銅フタロシアニン（Ｃｕ−Ｐｃ）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、２−ＴＮＡＴＡ、およびＴＣＴＡ等のスターバースト型芳香族アミン等のアリールアミン誘導体、スピロ−TAD、2,3,6,7,10,11−ヘキサシアノ−1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン（HAT-CN）、ならびに、正孔注入性有機材料に五酸化バナジウムや三酸化モリブデン等を化学ドーピングしたもの等があげられる。正孔輸送層１２２を形成する材料としては、例えば、ビス（ジ（ｐ−トリル）アミノフェニル）−１，１−シクロヘキサン、Ｎ,Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−Ｎ−ビス（１−ナフチル）−１,１’−ビフェニル）−４,４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、４，４'−ビス（ｍ−トリルフェニルアミノ）ビフェニル（ＴＰＤ）、ＴＡＰＣ等のトリフェニルジアミン類、トリフェニルアミンをさらに多量化したＴＰＴＲ、ＴＰＴＥ、ＮＴＰＡ、スターバースト型芳香族アミン等があげられる。電子輸送層１２４を形成する材料としては、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（Ｂｕ−ＰＢＤ）、２，９‐ジメチル‐４，７‐ジフェニル‐１，１０‐フェナントロリン（BCP）、１，３−ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾールイル）フェニル（ＯＸＤ−７）等のオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、キノリノール系の金属錯体、トリフェニルジアミン誘導体等があげられる。電子注入層１２５を形成する材料としては、例えば、リチウムおよびセシウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属のフッ化物や酸化物、ならびに、マグネシウム銀、リチウムアルミニウム合金等があげられる。

有機ＥＬ層１２は、例えば、さらに、正孔または電子をブロックし発光効率を高めるキャリアブロック層を含んでもよい。前記キャリアブロック層は、例えば、電子ブロック層および正孔ブロック層である。前記正孔ブロック層の材料は、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、トリフェニルジアミン誘導体、トリアゾール誘導体等である。

正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、電子輸送層１２４、電子注入層１２５、および前記キャリアブロック層は、例えば、物理気相蒸着（ＰＶＤ）により形成でき、具体的には、例えば、抵抗過熱を用いた真空蒸着法により形成できる。

前記第２の電極である陰極１３は、例えば、金属（例えば、アルミニウム等）等の対向電極である。陰極１３は、スリット状に間隔をあけて配置されている。スリット状の陰極１３の幅および前記間隙の幅は、特に制限されず、陰極１３の幅が、例えば、０．１〜５０００μｍ、１００〜３０００μｍ、２００〜２０００μｍであり、前記間隙の幅が、例えば、２〜１００００μｍ、２００〜６０００μｍ、４００〜４０００μｍである。陰極１３の幅および前記間隙の幅は、例えば、位相変換層１５を透過した光と位相変換層１５を透過していない光とを、より効果的に干渉させることができることから、より小さいことが好ましい。また、発光層１２３の発光色が、例えば、赤色等の、より波長の長い光である場合、青色等の、より波長の短い光である場合と比較して、より直進性が高いことから、陰極１３の幅および前記間隙の幅をより小さくすることが好ましい。陰極１３は、例えば、物理気相蒸着（ＰＶＤ）により形成でき、具体的には、例えば、電子ビームによる真空蒸着、およびスパッタリング法により形成できる。陰極１３のパターニングは、例えば、パターンを形成する部分に孔を形成したステンシルマスク（メタルマスク）を使用して行うことができる。前記パターニングにおいて、例えば、パターンの形状に応じて、複数枚の前記マスクを用いてもよい。

本実施形態において、陰極１３は、スリット状であり、間隔をあけて配置されている。ただし、陰極１３の形状は、前記スリット状には限定されず、例えば、グリッド状でもよい。この場合、前記グリッドの幅は、例えば、前述の、前記スリットの幅の条件を満たすことが好ましい。陰極１３は、例えば、間隔をあけて配置されている陰極１３が、互いに部分的に接続していてもよいし、未接続でもよい。

中間層１４は、例えば、保護層、充填層、および接着層からなる群のうち少なくとも一つにより形成される層である。

前記保護層は、有機ＥＬ素子１を保護する層である。前記保護層は、例えば、水および酸素等の浸入を防ぐため、ガスバリア性を有していることが好ましい。前記保護層を形成する材料としては、ガスバリア性、および光透過性の観点から、例えば、無機酸化膜、無機酸窒化膜、無機窒化膜、および無機フッ化膜等からなる群のうち少なくとも一つを使用できる。具体的には、例えば、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ_ｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、およびフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）等があげられる。前記保護層は、例えば、単層からなる層でもよく、複数の層からなる層でもよい。後者の場合、例えば、ガスバリア性を高めるために、複数の前記ガスバリア性の膜を積層できる。前記保護層は、例えば、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）、および反応性スパッタリング法（リアクティブスパッタリング法）により形成できる。

フレキシブル性を有する有機ＥＬ素子１とする場合、前記保護層に可撓性をもたせるため、前記保護層には、さらに緩衝層を積層してもよい。前記緩衝層を形成する材料としては、透過性、可撓性、および熱安定性の観点から、例えば、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、イミド系樹脂、アミド系樹脂、ウレタン系、およびオレフィン系樹脂、前記樹脂材料に無機材料のシリカ等を添加した有機−無機ハイブリッド材料、ならびに、塗布型のシリコン酸化膜等の無機材料があげられる。前記保護層および前記緩衝層は、例えば、交互に積層してもよい。

前記充填層は、例えば、気体および樹脂等の充填材等を含む層である。前記気体は、例えば、窒素、アルゴン、およびネオン等の不活性ガス、ならびに希ガスである。前記樹脂は、例えば、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、イミド系樹脂、アミド系樹脂、ウレタン系およびオレフィン系樹脂である。

前記接着層は、例えば、基板間の貼り合せ材を含む層である。前記貼り合せ材としては、例えば、エポキシ系、アクリル系およびシリコーン系の接着剤、ならびに粘着剤を用いたものがあげられる。

中間層１４は、例えば、前記保護層、前記充填層、および前記接着層のいずれか１種類からなる層でもよく、いずれか２種類以上を組み合わせた積層構造の層でもよい。中間層１４が、例えば、前記保護層、前記充填層、および前記接着層の３層を含む前記積層構造である場合、各層の積層順は、特に制限されず、例えば、前記保護層、前記充填層、および前記接着層の順に積層できる。例えば、陽極１１、有機ＥＬ層１２、および陰極１３の有機層等に接する領域には、前記保護層が配置されていることが好ましい。前記保護層が配置されている場合、前記充填層は、配置されていても、いなくてもよい。また、例えば、前記有機層等に接する領域に、前記保護層が配置されず、前記充填層が配置されてもよい。前記保護層が配置されず、前記充填層が配置される形態は、例えば、照明分野で使用される。前記接着層は、例えば、前記保護層または前記充填層の上（前記保護層または前記充填層に接する領域であって、前記有機層等に接する領域とは反対側）に配置されている。

封止基板１６は、有機ＥＬ素子１を封止する。封止基板１６を形成する材料としては、例えば、無アルカリガラスおよびソーダガラス等の透明なガラス類、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＩ（ポリイミド）、およびＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）等のフィルム、シート類、ならびに樹脂基板等があげられる。

位相変換層１５は、陰極１３における前記スリット状の間隙を通過した光のうち、位相変換層１５を透過する光の位相を変換する。

本実施形態によれば、陰極１３が前記間隙を有する場合でも、例えば、以下の（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の少なくともいずれかの光が、漏れ光として有機ＥＬ素子の非発光面側から出射されることを抑制できる。
（Ｉ）発光層から出射し、有機ＥＬ素子における界面のうち発光層よりも陽極側の界面で反射した光
（ＩＩ）発光層から出射し、陰極における有機ＥＬ層に面する側の界面で反射し、さらに、前記陽極側の界面で反射した光
（ＩＩＩ）発光層から出射し、陰極方向に出射した光

前記（Ｉ）において、前記有機ＥＬ素子における界面のうち発光層よりも陽極側の界面とは、例えば、図１における陽極１１と基板１０との界面、および基板１０と大気との界面である。以下、前記（Ｉ）における前記界面が、陽極１１と基板１０との界面である場合を例にあげて説明を行うが、これには限定されず、前記（Ｉ）における前記界面が、その他の陽極側の界面である場合についても、同様である。

本発明において、前記非発光面側からの発光を抑制するとは、例えば、前記（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の光のうち、すべての光を弱めることでもよいし、一部の光を弱めることでもよい。後者の場合、例えば、前記（Ｉ）および（ＩＩ）の光を弱めてもよい。一般的な有機ＥＬ素子の構造において、発光層と陰極との間隔は、例えば、数十ｎｍ程度と短いことから、前記（ＩＩＩ）の光の影響は、問題になりにくい。したがって、例えば、前記（Ｉ）および（ＩＩ）の光を弱めることによっても、前記非発光面側からの発光を抑制できる。

位相変換層１５は、例えば、封止基板１６に、間隔をあけて配置されている。このため、位相変換層１５は、例えば、陰極１３における前記間隙を通過した光のうち、位相変換層１５を透過する光の位相を変換し、前記光を、位相変換層１５を透過していない光と干渉させることにより、これらの光を弱めることができる。

位相変換層１５を透過する光の位相の変換は、例えば、位相変換層１５の屈折率および厚みの少なくとも一方を所定の値とすることで、前記屈折率および厚みに応じて、前記透過する光の光路長を変化させることにより行うことができる。位相変換層１５の屈折率および厚みの値は、例えば、発光層１２３から出射される光の波長等に応じて、適宜設定できる。

本実施形態において、位相変換層１５は、封止基板１６との対向面（図１における下面）に配置されている。ただし、位相変換層１５の位置は、これには限定されず、例えば、位相変換層１５は、封止基板１６との対向面とは反対側の面（図１における上面）に配置されていてもよいし、封止基板１６内に形成されていてもよい。位相変換層１５は、例えば、封止基板１６と一体として形成されていてもよい。

位相変換層１５は、例えば、エッチング、およびインプリント等により、封止基板１６に成膜することにより形成できる。また、位相変換層１５の材料として、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＭｏＳｉＯ、およびＭｏＳｉＯＮ等の無機酸化物、ならびにこれらとＣｒとの組み合わせ、金属膜、レジスト有機膜、アクリルおよびポリカーボネート等の透明膜、ならびにシラノール化合物等を用いることができる。位相変換層１５の材料は、例えば、封止基板１６の材料と同様とすることができる。

位相変換層１５の厚みは、例えば、２２５〜３３５ｎｍ、２４０〜３２０ｎｍ、２５０〜３１０ｎｍである。位相変換層１５の厚みは、例えば、以下のようにして設定できる。位相変換層の膜厚ｄ、位相変換層の屈折率ｎ_１、光が進む媒質の屈折率ｎ_２、および光の透過する光の波長λと、光が位相変換層を透過して生じる位相差θとの間には、θ＝２π（ｎ_１−ｎ_２）ｄ／λという関係がある。そして、位相差が逆位相となるのは、θ＝πのときである。このため、位相差が逆位相となる膜厚ｄは、λ／２（ｎ_１−ｎ_２）と、それに（ｎ_１−ｎ_２）λの倍数を足したものとなる。ここで、媒質が大気のとき、ｎ_２＝１となる。具体的には、例えば、光の波長λが青色の４５０ｎｍ、および位相変換層１５の屈折率ｎが２．０である場合、一次の位相変換層の厚さは、２２５ｎｍとなる。

位相変換層１５の厚みは、例えば、位相変換層１５の厚さとして設定される前記値に対し、±１０〜２０％程度の範囲内であることにより、位相変換層１５による効果が得られる。

有機ＥＬ素子１において白色光を形成する場合、前記白色光は、例えば、ＲＧＢの３つの材料からの発光を合成し、加法混色することにより得られる。このため、前記白色光は、例えば、３つの波長のスペクトルを持つ。このように、有機ＥＬ素子１からの光が複数の波長のスペクトルを持つ場合、位相変換層１５の厚みは、例えば、まず、各色のピーク波長について、位相変換層の厚みを算出し、次に、各色のピーク波長に分けられたスペクトルの発光強度（エネルギー強度）の比率に基づき、前記算出された厚みについて、重み付けを行なうことにより、決定できる。

具体的には、例えば、有機ＥＬの発光スペクトルにおいて、赤色をＩｒ、緑色をＩｇ、青色をＩｂの発光強度を持つ光源を使用し、赤色に対応した位相変換層の厚さがｄｒ、緑色に対応した位相変換層の厚さがｄｇ、青色に対応した位相変換層の厚さがｄｂである場合、上記加重平均で求める位相変換層の厚さｄは、ｄ＝（Ｉｒ×ｄｒ＋Ｉｇ×ｄｇ＋Ｉｂ×ｄｂ）÷（Ｉｒ＋Ｉｇ＋Ｉｂ）で求めることができる。ここで、Ｉｒ＝２、ｄｒ＝３１０ｎｍ、Ｉｇ＝１、ｄｇ＝２７５ｎｍ、Ｉｂ＝１、ｄｂ＝２２５ｎｍであれば、計算で求められる位相変換層の一次の厚さｄは、２８０ｎｍと求まる。

有機ＥＬのＲＧＢ各色のスペクトルはブロードであるため、加重平均で位相変換層の厚さを求める方法として、各色のスペクトルの前記発光強度（エネルギー強度）として、各色のピーク波長に分けられたスペクトルの前記発光強度に代えて、各色のスペクトルの積分値を用いてもよい。これにより、より適切に厚みを設定できる。

なお、３原色を用いて白色を合成する場合について説明したが、これには限定されず、青と黄色の２色混色等を用いて白色を合成する場合、および白色以外の色を合成する場合等も、同様である。

位相変換層１５は、例えば、位相変換層１５を透過する光の位相を１８０度反転させ、位相変換層１５を透過していない光の位相と逆位相とすることができる。前記位相を１８０度反転させることを、例えば、位相を波長の１／２ずらすともいう。位相変換層１５が位相変換層１５を透過する光の位相を変換する量は、これには限定されず、干渉により位相変換層１５を透過した光と位相変換層１５を透過していない光とが弱め合うことができる量であればよく、例えば、１３５〜２２５度、１４０〜２２０度、１６０〜２００度の範囲である。

位相変換層１５は、例えば、図１に示すように、スリット状に間隔をあけて配置された陰極１３における、陰極１３間の間隙に対応するように配置されている。具体的には、位相変換層１５は、陰極１３における前記スリット状の間隙の長軸方向に沿って配置され、且つ、前記間隙を覆うように配置されている。また、位相変換層１５は、例えば、図１に示すように、陰極１３における前記間隙に対し、１つおきに対応するように配置されている。このように位相変換層１５を形成することにより、位相変換層１５を透過した光と位相変換層１５を透過していない光とを、より効果的に干渉させることができる。漏れ光の振幅分布の概念図を、図２に示す。

位相変換層１５が、前記間隙に対応するように配置されている場合において、位相変換層１５の幅は、特に制限されず、例えば、有機ＥＬ層１２から封止基板１６までの距離、および有機ＥＬ素子１の所望のデザイン等に応じて、適宜設定できる。位相変換層１５の幅は、例えば、陰極１３の幅と同じ幅、および前記間隙の幅よりも大きい幅である。位相変換層１５の幅は、例えば、図１および２に示すように、位相変換層１５の両側の陰極１３における、それぞれの陰極１３の幅の約半分の位置同士を結んだ幅とすることができる。これにより、例えば、前記間隙の幅よりも広がる光、および陰極１３を回り込む光等が含まれる場合においても、良好に裏面への漏れを防ぐことができる。

位相変換層１５は、例えば、可視光を吸収する半透明層であってもよい。これにより、例えば、光の干渉によるのみでなく、可視光を吸収することによっても、漏れ光を抑制できる。

有機ＥＬ素子１において、陰極１３の前記スリット状の間隙の下部分（以下、間隙の下部分ともいう）には、例えば、図１に示すように、陽極１１および有機ＥＬ層１２等の層（以下、有機層等ともいう。）が配置されている。本実施形態の有機ＥＬ素子は、これには限定されない。その他の形態の一例を、図３に示す。図３は、陰極１３の前記間隙の下部分に、前記有機層等が未配置の有機ＥＬ素子１を示す図である。図３に示すように、有機ＥＬ素子１において、陰極１３の前記間隙の下部分には、前記有機層等が未配置でもよいし、部分的に配置されてもよいし、前記有機層等のうち一部の層が、全体または部分的に配置されていてもよい。前記間隙の下部分に前記有機層等が配置されない場合、前記間隙の下部分は、例えば、後述する中間層１４と同様の層が配置されていることが好ましい。前記間隙の下部分に前記有機層等を配置しない場合、例えば、非発光時に、前記有機層等において、光の吸収による着色が生じにくいため、前記間隙がより透明となる。このため、前記スリット間（前記間隙）を通して有機ＥＬ素子１の反対側（裏面側）を見る場合に、好ましい。

陰極１３の前記間隙の下部分に、前記有機層等が配置されない場合、陽極１１は、例えば、ベタ膜形成（一面形成）されていてもよいし、図３に示すように、パターン形成されていてもよい。前記パターン形成は、例えば、陰極１３における前記間隙の形状に対応してもよいし、対応しなくてもよい。前記パターンは、例えば、前記スリット状および前記グリッド状である。陽極１１が前記パターン形成されることにより、例えば、陽極１１と、基板１０との界面による光の反射を抑制できる。例えば、陽極１１が未配置の部分において、基板１０と中間層１４との界面での光の反射は、陽極１１と基板１０との界面での光の反射と比較し、より小さくなるため、光を、より多く、本来の光の方向に出射できる。また、陽極１１が前記一面形成されている場合、例えば、専用のエッチング工程が不要となり、プロセス負荷を軽減できる。

陰極１３の前記間隙の下部分に、前記有機層等のうち、一部の層が配置される場合、例えば、前記間隔の下部分に、陽極１１が配置されず、有機ＥＬ層１２のみが配置されてもよい。前記間隙の下部分に、有機ＥＬ層１２が配置されることにより、例えば、有機ＥＬ層１２が絶縁膜の役割を果たす。そのため、有機ＥＬ素子１について、例えば、さらに、短絡防止、およびダークスポットの抑制等が可能であり、これによって、有機ＥＬ素子１の信頼性がより向上する。また、この場合、有機ＥＬ層１２は、例えば、ベタ膜形成（一面形成）できるため、有機ＥＬ層１２を、パターニング形成する場合と比較し、例えば、プロセス負荷をより小さくできる。

光漏れの測定は、例えば、前記素子の正面側（本来の発光方向、発光面側）および裏面側（本来の非発光方向、非発光面側）の輝度を測定し、前記輝度の比として算出できる。前記輝度の測定には、例えば、輝度計を使用できる。前記輝度計は、例えば、二次元色彩輝度計（コニカミノルタ社製、CA-2500、およびトプコンテクノハウス社製、UA-200等）があげられる。前記輝度の測定は、例えば、積分球を用いて行ってもよい。前記積分球は、例えば、浜松ホトニクス社Ｃ９９２０シリーズ、およびコニカミノルタ社 全光束積分球システムがあげられる。前記積分球を用いて前記輝度を測定する場合、前記測定は、例えば、前記積分球に前記素子の正面側または裏面側を配置し、前記素子から放射される全光束を前記積分球内で集め、これを光検出器で測定できる。

（変形例）
本実施形態の有機ＥＬ素子１は、図４に示すように、位相変換層１５が、陽極１１と基板１０との間に配置されている点以外は、実施形態１の有機ＥＬ素子１と同様である。

本実施形態において、位相変換層１５は、陽極１１と基板１０との間に配置されている。このため、発光層１２３から出射され、陽極１１と基板１０との界面で反射し、陰極１３における前記間隙を通過する光は、位相変換層１５を往復することになる。

位相変換層１５の厚みは、例えば、実施形態１における位相変換層１５の厚みに対し、１／２の厚みである。

本実施形態の有機ＥＬ素子１によっても、陰極１３における前記間隙を通過する光のうち、位相変換層１５を透過した光の位相を変換することにより、位相変換層１５を透過した光と位相変換層１５を透過していない光とを干渉させ、これらの光を弱めることができる。このため、図４において矢印で示すような、光の漏れを抑制し、非発光面側からの発光を抑制できる。

（実施形態２）
本実施形態の有機ＥＬ素子２は、図５に示すように、位相変換層１５を含まない点、陰極１３が、所定の幅で配置されている点、および、陰極１３が、所定の間隔をあけて配置されている点以外は、実施形態１の有機ＥＬ素子１と同様である。

本実施形態において、陰極１３の幅、および、陰極１３の間隙の幅は、それぞれ、例えば、１００μｍ以下、５０μｍ未満、および、例えば、３００μｍ以下、１５０μｍ以下である。陰極１３の幅、および前記間隙の幅は、それぞれ、例えば、同じであってもよいし、異なっていてもよい。陰極１３の幅が５０μｍ未満、および、陰極１３の前記間隙の幅が１５０μｍ以下である場合、例えば、陰極１３の前記スリットと平行に振動する光に対し、高い反射率を示すとともに、より高い偏光度を示すことができる。また、陰極１３の幅、および前記間隙の幅を前記値とすることにより、前記スリット間（前記間隙）を通して有機ＥＬ素子１の反対側（裏面側）を見る場合に、光の回折による色味の変化および着色等を、より抑制できる。

陰極１３の幅と陰極１３の前記間隙の幅との比（陰極／間隙）は、例えば、０．２５〜５、０．３〜４である。陰極１３の前記陰極／間隙が、０．３以上である場合、例えば、より高い偏光度を示すことができる。また、陰極１３の前記陰極／間隙が、４以下である場合、例えば、干渉による透過光の色味の変化および着色等を、より抑制できる。

陰極１３の前記陰極／間隙を、上記範囲の比とする場合、例えば、物理蒸着による陰極１３の形成を、より良好に行うことができる。また、前記比とする場合、有機ＥＬ素子１を、より高い透過率とすることができる。

有機ＥＬ素子１の透過率は、例えば、８０〜２０％、７５〜３０％、７０〜３５％である。前記透過率が、前記範囲となる場合、例えば、人が、前記間隙を通して有機ＥＬ素子１の反対側（裏面側）を十分に見ることができる。有機ＥＬ素子１の透過率は、例えば、有機ＥＬ素子１の前記間隙を通過する光について、前記通過前後における輝度および光束等を測定し、前記通過前および通過後の測定値から、透過率を算出できる。

陰極１３の幅、および陰極１３の前記間隙の幅を小さくすることにより、例えば、前記間隙を通過する光のうち、前記スリットに沿った偏光成分を持つ光を、反射させることができる。すなわち、例えば、陰極１３を、偏光子として機能させることができる。このため、陰極１３は、例えば、位相調整層、および偏光層ということもできる。

発光層１２３から出射し、陽極１１で反射した前記光は、反射により、Ｓ偏光成分を多く含む光となる。ここで、発光層１２３は、例えば、スリット状に形成された陰極１３の下部分において発光し、陰極１３の前記間隙の下部分において非発光である。したがって、発光層１２３から出射した光のうち、有機ＥＬ素子１の面方向における、スリット状の前記間隙の開口方向に対して平行方向に進行する光は、陰極１３において反射および吸収される。このため、前記光は、例えば、有機ＥＬ素子１の面方向における、スリット状の前記間隙の開口方向に対して垂直方向に進行する光を多く含む。したがって、前記光のＳ偏光成分は、スリット状の前記間隙の開口方向に対して平行な偏光光となる。このため、陽極１１で反射した前記光の多くは、偏光子として機能する陰極１３において反射され、通過できなくなると推測される。一方、例えば、有機ＥＬ素子１を透過する光は、偏光を持たないことから、陰極１３を通過する際に反射されないため、前記スリット間を通して、前記素子の反対側を見ることができる。ただし、本発明は、上記推測には限定されない。

本実施形態の有機ＥＬ素子２によれば、陰極１３の幅、および陰極１３の間隔を小さくすることにより、例えば、陽極１１で反射した光を選択的に反射し、非発光面側からの発光を抑制できる。

（評価）
本実施形態の有機ＥＬ素子を作製し、光漏れを測定した。ただし、本発明は、以下の例には限定されない。

（１）有機ＥＬ素子
透明基板に、透明電極（陽極電極層）、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、赤色発光材料と緑色発光材料の共蒸着層、青色発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、陰極電極層、および保護膜を形成した。前記正孔注入層、前記正孔輸送層、前記電子ブロック層、前記正孔ブロック層、前記電子輸送層、および前記電子注入層は、物理気相蒸着（ＰＶＤ）により形成した。前記発光層は、ホスト材料に各色のドーパント（ゲスト材料）をドーピング（共蒸着）することにより形成した。前記透明電極は、スパッタリング法により一様に成膜した後、フォトエッチングおよびフォトリソグラフィ法を用いて、陽極電極のパターンを形成した。陰極層のスリット等のパターニングには、パターンを形成する部分に孔を形成したステンシルマスク（メタルマスク）を使用した。前記保護膜は、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）を用いて形成した。

各層の材料および厚みは、以下の通りとした。
陽極電極層：ＩＴＯ １５０ｎｍ
正孔注入層：銅フタロシアニン １５ｎｍ
正孔輸送層：α−ＮＰＤ ４５ｎｍ
赤色緑色発光層：ＣＢＰ＋Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）／ＣＢＰ＋Ｉｒ(ｐｐｙ)_３ ２０ｎｍ
青色発光層：ＣＢＰ＋ＦＩｒ（ｐｉｃ）１０ｎｍ
正孔ブロック層：ＢＣＰ ５ｎｍ
電子輸送層：Ａｌｑ_３ ４０ｎｍ
電子注入層：ＬｉＦ １．５ｎｍ
陰極電極層：Ａｌ １００ｎｍ
保護膜：シリコン酸窒化膜 ＳｉＯＮ １５０ｎｍ

（２）光漏れの測定
前記作製した有機ＥＬ素子について、輝度計（二次元色彩輝度計、コニカミノルタ社製、CA-2500）を用いて、前記素子の正面側（本来の発光方向、発光面側）および裏面側（本来の非発光方向、非発光面側）の輝度を測定した。光漏れの値は、前記輝度の測定値に基づき、測定対象の素子における正面側および裏面側の輝度の比（％）として算出した。そして、前記光漏れの値について、素子間の比較を行なった。前記素子間の比較のため、前記輝度の測定は、前記素子における発光部の面積および正面輝度を揃えて行った。また、前記測定において、前記測定面への光の反射を防ぐため、測定面とは反対の面には、光吸収シートを配置した。
（３）透過率の測定
さらに、前記素子の正面側（本来の発光方向、発光面側）と裏面側（本来の非発光方向、非発光面側）における輝度の前記測定値から、前記素子の透過率を算出した。前記透過率は、裏面側における前記輝度を正面側における前記輝度で除算した値（％）とした。

以下の条件で、有機ＥＬ素子（１−１）を作製し、光漏れを測定した。また、陰極の幅を同じ値とした比較例の有機ＥＬ素子（１−１）を作製し、同様に測定した。

有機ＥＬ素子（１−１）
・陰極の幅：１０μｍ
・陰極間の間隙：２５μｍ
・陰極の幅と陰極間の間隙との比：０．４
比較例（１−１）
・陰極の幅：１０μｍ
・陰極間の間隙：９０μｍ
・陰極の幅と陰極間の間隙との比：０．１１

この結果、有機ＥＬ素子（１−１）は、前記比較例（１−１）の有機ＥＬ素子と比較して、素子の背面への光漏れの値が、２２％であった。また、有機ＥＬ素子（１−１）は、透過率が７０％であった。

つぎに、以下の条件で、有機ＥＬ素子（１−２）〜（１−５）、および陰極の幅を同じ値とした比較例の有機ＥＬ素子（１−２）〜（１−５）を作製し、同様にして測定した。

有機ＥＬ素子（１−２）
・陰極の幅：３０μｍ
・陰極間の間隙：１００μｍ
・陰極の幅と陰極間の間隙との比：０．３
比較例（１−２）
・陰極の幅：３０μｍ
・陰極間の間隙：５．５μｍ
・陰極の幅と陰極間の間隙との比：５．５

有機ＥＬ素子（１−３）
・陰極の幅：４０μｍ
・陰極間の間隙：１０μｍ
・陰極の幅と陰極間の間隙との比：４
比較例（１−３）
・陰極の幅：４０μｍ
・陰極間の間隙：５μｍ
・陰極の幅と陰極間の間隙との比：８

有機ＥＬ素子（１−４）
・陰極の幅：５０μｍ
・陰極間の間隙：１５０μｍ
・陰極の幅と陰極間の間隙との比：０．３３
比較例（１−４）
・陰極の幅：５０μｍ
・陰極間の間隙：３３３μｍ
・陰極の幅と陰極間の間隙との比：０．１５

有機ＥＬ素子（１−５）
・陰極の幅：１５０μｍ
・陰極間の間隙：５０μｍ
・陰極の幅と陰極間の間隙との比：３
比較例（１−５）
・陰極の幅：１５０μｍ
・陰極間の間隙：１５μｍ
・陰極の幅と陰極間の間隙との比：１０

この結果、有機ＥＬ素子（１−２）〜（１−５）は、前記比較例（１−２）〜（１−５）の有機ＥＬ素子と比較して、素子の背面への光漏れの値が、それぞれ、３０％、２４％、２７％、２９％であった。また、有機ＥＬ素子（１−２）〜（１−５）は、透過率が、それぞれ、７５％、２０％、７２％、２４％であった。

以上のように、有機ＥＬ素子（１−１）〜（１−５）は、いずれも、比較例の有機ＥＬ素子と比較して、素子の背面への光漏れの値が３０％以下であり、前記光漏れを十分に抑制できた。また、有機ＥＬ素子（１−１）〜（１−５）は、いずれも、前記間隙を通して有機ＥＬ素子の反対側（裏面側）を見る場合に、十分な透過性を有していた。

（実施形態３）
本実施形態の有機ＥＬ素子３は、図６に示すように、位相変換層１５に代えて、偏光層３５を含む点以外は、実施形態１の有機ＥＬ素子１と同様である。

偏光層３５は、偏光した光を吸収する。偏光層は、例えば、偏光板、および偏光子ともいう。

偏光層３５は、例えば、前記光の偏光方向に対しクロスニコルとなるように配置することにより、前記光を吸収できる。偏光層３５は、例えば、前記スリットに沿った偏光成分を持つ光を吸収する。

偏光層３５を形成する材料は、特に制限されず、例えば、従来公知の材料を使用できる。偏光層３５は、例えば、ヨウ素をポリビニルアルコール等に含浸させ、これを延伸することにより形成できる。偏光層３５は、例えば、封止基板１６に接する面とは反対側の面において、支持層として、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルムを貼合せたものであってもよい。

ここで、前述のように、陽極１１で反射した光は、前記反射により、水平偏光成分（横方向の波、Ｓ偏光）を多く含む光となる。このため、陽極１１で反射した前記光の多くは、前記スリットに沿った偏光成分を持つ光を吸収する偏光層３５において吸収され、通過できなくなると推測される。一方、例えば、有機ＥＬ素子３を透過する光は、偏光を持たないことから、偏光層３５において吸収されないため、前記スリット間を通して、前記素子の反対側を見ることができる。ただし、本発明は、上記推測には限定されない。

本実施形態の有機ＥＬ素子３によっても、例えば、陰極１３における前記スリット状の間隙を通過する光のうち、陽極１１で反射した光を、偏光層３５において選択的に吸収することにより、非発光面側からの発光を抑制できる。

（実施形態４）
本実施形態の有機ＥＬ素子４は、図７に示すように、位相変換層４５１が、１／４波長位相変換層である点、および偏光層４５２を含む点以外は、実施形態１の変形例における有機ＥＬ素子１と同様である。

偏光層４５２は、位相変換層４５１と有機ＥＬ層１２との間に積層される。偏光層４５２は、偏光層４５２を透過する光を偏光し、直線偏光とする。偏光層４５２により偏光される光の偏光方向は、例えば、任意の方向とすることができる。偏光層４５２を形成する材料は、例えば、実施形態３における偏光層３５を形成する材料と同様である。

位相変換層４５１は、１／４波長位相変換層である。位相変換層４５１は、位相変換層４５１を透過する光のうち、直線偏光を、回転偏光となるように位相を変換する。位相変換層４５１を形成する材料は、特に制限されず、例えば、変性ポリカーボネート等があげられる。

発光層１２３から出射され、偏光層４５２を透過する光は、偏光層４５２で偏光され、直線偏光となる。次に、前記光は、基板１０での反射によっては、回転方向および位相は変化せず、１／４波長位相変換層である位相変換層４５１を往復することにより、１／２波長位相変換層を通過することになるため、前記直線偏光の軸が９０度回転した光となる。そして、前記光は、偏光層４５２における偏光方向から９０度ずれた偏光であるため、偏光層４５２を通ることができなくなる。

本実施形態の有機ＥＬ素子４によっても、位相変換層４５１および偏光層４５２を透過する光の位相を変換することにより、例えば、陽極１１で反射した光を選択的に吸収し、非発光面側からの発光を抑制できる。

（実施形態５）
本実施形態の有機ＥＬ素子５は、ボトムエミッションタイプの有機ＥＬ素子であることに代えて、トップエミッションタイプの有機ＥＬ素子であること以外は、実施形態１の有機ＥＬ素子１と同様である。有機ＥＬ素子５は、図８に示すように、基板５０と、陽極５１と、有機ＥＬ層５２と、陰極５３と、位相変換層５５と、封止基板５６とを含み、基板５０上に、陽極５１、有機ＥＬ層５２、陰極５３、および封止基板５６が、前記順序で積層されている。有機ＥＬ層５２は、正孔注入層５２１と、正孔輸送層５２２と、発光層５２３と、電子輸送層５２４と、電子注入層５２５とを含み、これらが前記順序で積層されている。そして、本実施形態において、位相変換層５５は、基板５０の上面（有機ＥＬ層５２側）に接して配置されている。陽極５１は、スリット状に間隔をあけて配置されている。

陰極５３は、例えば、ＭｇＡｇ合金等の透明性を有する電極を用いることができる。陰極５３は、例えば、有機ＥＬ層５２の全面に陰極を形成した後、前記陰極に対して、フォトリソグラフィ―、およびフォトエッチング等のプロセスを行うことにより、パターン形成できる。この場合、陰極５３の幅および前記間隙の幅を、より細い線幅とすることができる。

有機ＥＬ素子５は、例えば、有機ＥＬディスプレイ等の分野において使用される。有機ＥＬ素子５は、例えば、駆動電圧が低く、発光効率も高いため、好ましい。

また、本実施形態のトップエミッションタイプの有機ＥＬ素子は、成膜の順番を逆積みとし、基板上に、金属陰極、有機層（電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層）、および透明電極の陽極、の順番で有機ＥＬ素子を作製し、上部の透明な陽極から光を出射する有機ＥＬ素子であってもよい。前記有機ＥＬ素子は、例えば、照明分野等の分野において使用される。この場合も、位相変換層の配置は、有機ＥＬ素子５と同様とすることができる。

本実施形態の有機ＥＬ素子５によっても、陽極５１における前記間隙を通過した光のうち、位相変換層５５を透過する光の位相を変換することにより、位相調整層５５を透過した光と位相調整層５５を透過していない光とを干渉させ、非発光面側からの発光を抑制できる。

（実施形態６）
本発明の有機ＥＬ照明装置は、前記本発明の有機ＥＬ素子を含むことを特徴とする。本発明の有機ＥＬ照明装置によれば、非発光面側からの発光を抑制できる。

以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明のスコープ内で当業者が理解しうる様々な変更をできる。

本発明によれば、有機ＥＬ素子における非発光面側からの発光を抑制できる。このため、例えば、本発明によれば、例えば、デザイン性の高い有機ＥＬ素子を提供できる。

上記の実施形態の一部または全部は、以下の付記のようにも記載しうるが、以下には限定されない。

（付記１）
第１の基板と、第１の電極と、有機ＥＬ層と、第２の電極と、位相調整層とを含み、
前記有機ＥＬ層は、発光層を含み、
前記第１の電極と、前記有機ＥＬ層と、前記第２の電極とが、この順序で積層されており、
前記第１の基板は、非発光面側の基板であり、
前記第１の電極および前記第２の電極は、一方が陽極であり、他方が陰極であり、
前記第１の電極は、透明電極であり、
前記第２の電極は、前記有機ＥＬ層の面方向において間隔をあけて配置されており、
前記位相調整層は、位相変換層および偏光層の少なくとも一方であることを特徴とする有機ＥＬ素子。

（付記２）
前記第２の電極が、スリット状またはグリッド状に配置されている、付記１記載の有機ＥＬ素子。

（付記３）
さらに、第２の基板を含み、
前記第２の基板は、発光面側の基板であり、
前記第２の基板は、透明基板であり、
前記第２の基板上に、前記第１の電極が配置されている、付記１または２記載の有機ＥＬ素子。

（付記４）
前記第１の基板に、前記位相調整層が配置されている、付記１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。

（付記５）
前記偏光層が、前記第２の電極間の間隙に沿った方向の偏光成分を持つ光を吸収または反射する、付記１から４のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。

（付記６）
前記位相変換層が、前記位相調整層を透過する光の位相を、前記光の波長の１／２ずらす、付記１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。

（付記７）
前記第２の電極が、前記偏光層である、付記１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。

（付記８）
前記第２の電極の幅、および前記第２の電極間の間隙の幅が、それぞれ、３００μｍ未満である、付記７記載の有機ＥＬ素子。

（付記９）
前記第２の基板と前記第１の電極との間に、前記位相調整層が配置されている、付記３記載の有機ＥＬ素子。

（付記１０）
前記位相調整層が、前記第２の電極間の間隙に対応するように配置されている、付記１から８のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。

（付記１１）
前記位相調整層が、前記第２の電極間の間隙に対し、１つおきに対応するように配置されている、付記１から１０のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。

（付記１２）
付記１から１１のいずれかに記載の有機ＥＬ素子を含むことを特徴とする、有機ＥＬ照明装置。

１、２、３、４、５ 有機ＥＬ素子
１０、５０ 基板
１１、５１ 陽極
１２、５２ 有機ＥＬ層
１２１、５２１ 正孔注入層
１２２、５２２ 正孔輸送層
１２３、５２３ 発光層
１２４、５２４ 電子輸送層
１２５、５２５ 電子注入層
１３、５３ 陰極
１４ 中間層
１５、４５１ 位相変換層
３５、４５２ 偏光層
１６、５６ 封止基板

Claims (10)

1. 第１の基板と、第１の電極と、有機ＥＬ層と、第２の電極と、位相調整層とを含み、
   前記有機ＥＬ層は、発光層を含み、
   前記第１の電極と、前記有機ＥＬ層と、前記第２の電極とが、この順序で積層されており、
   前記第１の基板は、非発光面側の基板であり、
   前記第１の電極および前記第２の電極は、一方が陽極であり、他方が陰極であり、
   前記第１の電極は、透明電極であり、
   前記第２の電極は、前記有機ＥＬ層の面方向において間隔をあけて配置されており、
   前記位相調整層は、位相変換層および偏光層の少なくとも一方であることを特徴とする有機ＥＬ素子。
2. 前記第２の電極が、スリット状またはグリッド状に配置されている、請求項１記載の有機ＥＬ素子。
3. さらに、第２の基板を含み、
   前記第２の基板は、発光面側の基板であり、
   前記第２の基板は、透明基板であり、
   前記第２の基板上に、前記第１の電極が配置されている、請求項１または２記載の有機ＥＬ素子。
4. 前記第１の基板に、前記位相調整層が配置されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
5. 前記偏光層が、前記第２の電極間の間隙に沿った方向の偏光成分を持つ光を吸収または反射する、請求項１から４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
6. 前記位相変換層が、前記位相調整層を透過する光の位相を、前記光の波長の１／２ずらす、請求項１から５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
7. 前記第２の電極が、前記偏光層である、請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。
8. 前記第２の電極の幅、および前記第２の電極間の間隙の幅が、それぞれ、３００μｍ未満である、請求項７記載の有機ＥＬ素子。
9. 前記第２の基板と前記第１の電極との間に、前記位相調整層が配置されている、請求項３記載の有機ＥＬ素子。
10. 前記位相調整層が、前記第２の電極間の間隙に対応するように配置されている、請求項１から８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子。

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