JP2008216964A - 偏光子及びそれを備える平板表示装置 - Google Patents

偏光子及びそれを備える平板表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】偏光子及びそれを備える平板表示装置を提供する。
【解決手段】ベースと、ベース上に形成され、第１成分及び第２成分を備える複数のグリッドと、を備え、第１成分及び第２成分は、グリッドの厚さ方向に濃度勾配を有し、第１成分は、誘電物質を含み、第２成分は、金属を含み、第１成分は、外光が入射される方向に近くなるほど含量が増加し、第２成分は、外光が入射される方向から遠くなるほど含量が増加する偏光子及びそれを備える平板表示装置である。
【選択図】図２

Description

本発明は、偏光子及びそれを備える平板表示装置に係り、特にコントラスト及び視認性を向上させる偏光子及びそれを備える平板表示装置に関する。
最近、ディスプレイ装置は、携帯可能な薄型の平板表示装置に代替される趨勢である。平板ディスプレイ装置のうち有機または無機発光表示装置は、自発光型ディスプレイ装置であって、視野角が広く、コントラストが優秀であるだけでなく、応答速度が速いという長所があるので、次世代のディスプレイ装置として注目されている。また、発光層の形成物質が有機物で構成される有機発光表示装置は、無機発光表示装置に比べて輝度、駆動電圧及び応答速度特性に優れ、多色化が可能であるという点を有している。
一方、平板表示装置は、携帯が可能であって野外で使用可能であり、かかる目的を満足させるために軽量かつ薄型に製造する。このとき、野外で画像を見る時に日光が反射されて、コントラスト及び視認性が低下するという問題がある。特に、有機発光表示装置では、金属反射膜でかかる反射がはなはだしくてさらに大きい問題となる。
かかる問題を解決するために、有機発光表示装置の一面に円偏光板を配置する。そして、かかる円偏光板は、通常薄い金属からなるワイヤーグリッドを有する線形偏光板を備える。このとき、金属材質からなるグリッドは、その材質の特性上、外光を反射するため、コントラストを向上させるのに限界がある。
本発明の目的は、平板表示装置のコントラスト及び視認性を向上させる偏光子及びそれを備える平板表示装置を提供するところにある。
本発明は、ベースと、前記ベース上に形成され、第１成分及び第２成分を備える複数のグリッドと、を備え、前記第１成分及び前記第２成分は、前記グリッドの厚さ方向に濃度勾配を有し、前記第１成分は、誘電物質を含み、前記第２成分は、金属を含み、前記第１成分は、外光が入射される方向に近くなるほど含量が増加し、前記第２成分は、外光が入射される方向から遠くなるほど含量が増加する偏光子を開示する。
本発明の他の側面によれば、ベースと、前記ベース上に一定なパターンを有するように形成され、誘電物質を含む第１成分及び金属を含む第２成分を備える複数のグリッドと、を備え、前記第１成分及び前記第２成分は、前記グリッドの厚さ方向に濃度勾配を有し、前記第１成分は、前記グリッドの厚さ方向を基準として前記グリッドの両端方向へ行くほど含量が増加し、前記第２成分は、前記グリッドの厚さ方向を基準として前記グリッドの中心方向へ行くほど含量が増加する偏光子を開示することが好ましい。
本発明において、前記第１成分は、ＳｉＯｘ（ｘ≧１），ＳｉＮｘ（ｘ≧１），ＭｇＦ２，ＣａＦ２，Ａｌ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ），ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ），ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３からなる群から選択されたいずれか一つを含むことが好ましい。
本発明において、前記第２成分は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｗ，Ｔａ，Ｃｕ及びＰｔからなる群から選択されたいずれか一つを含むことが好ましい。
本発明において、前記グリッドは、所定の間隔で離隔されてストライプ状にパターニングされることが好ましい。
本発明の他の側面によれば、基板と、前記基板上に形成されて画像を具現する有機発光素子と、前記有機発光素子上に形成される密封部材と、前記基板、有機発光素子及び密封部材により形成される面のうち一面に形成された１／４波長位相差層と、前記基板、有機発光素子、密封部材及び１／４波長位相差層により形成される面のうち他の面に形成され、前記１／４波長位相差層より前記画像が具現される方向に近く位置する線形偏光層と、を備え、前記線形偏光層は、第１成分及び第２成分を備える複数のグリッドを備え、前記第１成分及び前記第２成分は、前記グリッドの厚さ方向に濃度勾配を有し、前記第１成分は、誘電物質を含み、前記第２成分は、金属を含み、前記第１成分は、外光が入射される方向に近くなるほど含量が増加し、前記第２成分は、外光が入射される方向から遠くなるほど含量が増加する有機発光表示装置を開示することが好ましい。
本発明の他の側面によれば、基板と、前記基板上に形成されて画像を具現する有機発光素子と、前記有機発光素子上に形成される密封部材と、前記基板、有機発光素子及び密封部材により形成される面のうち一面に形成された１／４波長位相差層と、前記基板、有機発光素子、密封部材及び１／４波長位相差層により形成される面のうち他の面に形成され、前記１／４波長位相差層より前記画像が具現される方向に近く位置する線形偏光層と、を備え、前記線形偏光層は、誘電物質を含む第１成分及び金属を含む第２成分を備える複数のグリッドを備え、前記第１成分及び前記第２成分は、前記グリッドの厚さ方向に濃度勾配を有し、前記第１成分は、前記グリッドの厚さ方向を基準として前記グリッドの両端方向へ行くほど含量が増加し、前記第２成分は、前記グリッドの厚さ方向を基準として前記グリッドの中心方向へ行くほど含量が増加する有機発光表示装置を開示することが好ましい。
本発明において、前記画像が前記基板の方向に具現され、前記１／４波長位相差層は、前記線形偏光層上に形成され、前記有機発光素子は、前記１／４波長位相差層上に形成されることが好ましい。
本発明において、前記画像が前記基板の方向に具現され、前記線形偏光層は、前記基板上に形成され、前記１／４波長位相差層は、前記線形偏光層上に形成され、前記有機発光素子は、前記１／４波長位相差層上に形成されることが好ましい。
本発明において、前記画像が前記基板の方向に具現され、前記１／４波長位相差層は、前記基板上に形成され、前記有機発光素子は、前記１／４波長位相差層上に形成され、前記線形偏光層は、前記基板の両面のうち、前記１／４波長位相差層が形成された面の反対面に形成されることが好ましい。
本発明において、前記画像が前記基板の方向に具現され、前記１／４波長位相差層及び線形偏光層は、前記基板の両面のうち、前記有機発光素子が形成される面の反対面に順次に形成されることが好ましい。
本発明において、前記画像が前記密封部材の方向に具現され、前記１／４波長位相差層は、前記有機発光素子上に形成され、前記線形偏光層は、前記１／４波長位相差層上に形成されることが好ましい。
本発明において、前記画像が前記密封部材の方向に具現され、前記有機発光素子と前記１／４波長位相差層との間に保護層をさらに備えることが好ましい。
本発明において、前記画像が前記密封部材の方向に具現され、前記１／４波長位相差層及び線形偏光層は、前記密封部材の両面のうち、前記有機発光素子が形成される面の反対面に順次に形成されることが好ましい。
本発明において、前記画像が前記密封部材の方向に具現され、前記１／４波長位相差層は、前記密封部材の前記有機発光素子に向かう面に形成され、前記線形偏光層は、前記密封部材の前記両面のうち、前記１／４波長位相差層が形成された面の反対面に形成されることが好ましい。
本発明において、前記画像が前記密封部材の方向に具現され、前記線形偏光層は、前記密封部材の前記有機発光素子に向かう面に形成され、前記１／４波長位相差層は、前記線形偏光層の前記有機発光素子に向かう面に形成されることが好ましい。
本発明において、前記画像が前記密封部材の方向に具現され、前記基板と前記有機発光素子との間に介在された反射膜をさらに備え、前記１／４波長位相差層は、前記反射膜と前記有機発光素子との間に形成され、前記線形偏光層は、前記有機発光素子上に形成されることが好ましい。
本発明による偏光子及び平板表示装置は、コントラスト及び視認性を向上させる。
以下、添付された図面に示した本発明による実施形態を参照して、本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態による偏光子を示す概略的な斜視図であり、図２は、図１のII−II線の断面図である。図３は、図２のグリッド厚さ別の第１成分及び第２成分の含量を比較して簡略に示すグラフである。
図１及び図２に示すように、偏光子１０は、ベース１１及びグリッド１２を備える。ベース１１は、透明な材質からなる。これは、偏光子１０が配置されるディスプレイ装置から発生する光を十分に通過可能にするためである。このために、ベース１１は、ガラスまたはフレキシブルプラスチックを使用できるが、フィルム化のためにプラスチックを含んだ材質で形成することが望ましい。
ベース１１上に複数のグリッド１２が形成される。グリッド１２は、電磁波で特定の偏光のみを偏光させる目的で、平行な線を配列した形態で互いに離隔され、ストライプ状のパターンを有するように形成される。可視光線に対する偏光子として使用するために、グリッド１２の幅ｗは１００ないし５００ｎｍ、厚さｔ１は３００ないし５００ｎｍに形成できる。複数のグリッド１２の間には、一定な間隔Ｐがある。そして、かかる間隔Ｐは、偏光子１０の性能を決定する重要な要素である。各グリッド１２間の間隔Ｐが入射される光の波長に比べて広ければ、偏光子１０は、偏光機能よりは回折格子の機能を主に行う。逆に、グリッド１２間の間隔Ｐが入射される光の波長に比べて狭ければ、グリッド１２は、偏光機能を主に行う。
光学定数のうち、光学定数ｋは、光の吸収と関連した指数であって、ｋ値が大きいほど特定の一方向に振動する光を吸収する偏光子の特性が向上する。金属は、通常ｋ値が大きくて従来のグリッドに広く使われたが、表面での反射率も高くてグリッドの表面での外光の反射により表示装置の全体的なコントラストを向上させるのに限界がある。
したがって、本発明のグリッド１２は、第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂを含む。第１成分１２ａは、誘電物質を含む。第１成分１２ａは、ＳｉＯｘ（ｘ≧１），ＳｉＮｘ（ｘ≧１），ＭｇＦ２，ＣａＦ２，Ａｌ２Ｏ３，ＳｎＯ２などの絶縁透明物質で形成できる。また、第１成分１２ａは、ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３の導電性透明物質で形成されることもある。第２成分１２ｂは、金属を含む。第２成分１２ｂは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｗ，Ｔａ，ＣｕまたはＰｔで形成できる。第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂは、グリッド１２の厚さ方向に濃度勾配を有する。
図３に示すように、ベース１１に近くなるほど第２成分１２ｂの含量は増加し、ベース１１から遠くなるほど第１成分１２ａの含量が増加する。すなわち、ベース１１と隣接した部分では、第２成分１２ｂが主に分布し、ベース１１と遠い部分には、第１成分１２ａが主に分布する。図２に示すように、外光は、図面の上部、すなわちベース１１の逆方向から入射される。グリッド１２は、外光に向かう方向へ行くほど誘電物質で形成された第１成分１２ａが増加する。すなわち、グリッド１２は、ベース１１の方向へ行くほど透明な物質から不透明な金属に漸進的に変わる。結果的に、屈折率差により発生する界面反射を抑制する。外光がグリッド１２に入射されたとき、外光を吸収して外光の反射を防止する。
第１成分１２ａと第２成分１２ｂとが濃度勾配を有するようにグリッド１２を形成するために、共蒸着などの方法を利用できる。共蒸着時、第１成分１２ａと第２成分１２ｂとの蒸着速度を時間によって調節して、第１成分１２ａと第２成分１２ｂとの含量が反比例関係となるようにグリッド１２を形成できる。
図４は、本発明の一実施形態による偏光子の変形例を示す部分断面図であり、図５は、図４のグリッド厚さ別の第１成分及び第２成分の含量を比較して簡略に示すグラフである。以下では、前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。同じ参照符号は同じ部材を表す。
偏光子１５は、ベース１１及びグリッド１３を備える。グリッド１３は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１３ａ及び第２成分１３ｂを含む。外光は、図面の下部、すなわちベース１１に向けて入射する。ベース１１に近くなるほど、誘電物質で形成される第１成分１３ａの含量が増加する。ベース１１から遠くなるほど、第２成分１３ｂの含量が増加する。すなわち、グリッド１３は、ベース１１の方向へ行くほど不透明な金属から透明な物質に漸進的に変化する。結果的に、屈折率差により発生する界面反射を抑制する。外光がグリッド１３に入射されたとき、グリッド１３が外光を吸収して外光の反射を防止する。第１成分１３ａ及び第２成分１３ｂの詳細な構造、製法及び効果については、図２で説明した通りであって省略する。
本発明の偏光子を有機発光表示装置のような平板表示装置に利用できる。本発明では、有機発光表示装置のみを説明する。本発明の有機発光表示装置では、ベース１１を別途に必要としない。複数のグリッド１２からなる線形偏光層を基板及び密封部材などに直接形成する。後述する線形偏光層のグリッドは、前述した偏光子１０でのグリッド１２と同じであるので、具体的な構造、材料及び形成方法などについては説明を省略する。
図６は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。図６に示すように、本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、透明な素材からなる基板２０、基板２０上に順次に形成される線形偏光層２２、１／４波長位相差層２１、有機発光素子３０及び密封部材（図示せず）を備える。
基板２０は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材質からなりうる。図示していないが、透明基板２０の上面には、基板２０の平滑性と不純元素の浸透を遮断するためにバッファ層（図示せず）をさらに備え、バッファ層は、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘなどで形成できる。基板２０は、必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材で形成することもできる。
基板２０の上面に線形偏光層２２が形成される。図７は、図６のＡの拡大図であって、線形偏光層２２の構造をさらに詳細に示している。線形偏光層２２は、複数個のグリッド１２を備える。各グリッド１２は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂを含む。第１成分１２ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２ｂは、金属で形成する。外光が基板２０の方向から入射される。第１成分１２ａは、基板２０の方向へ行くほど含量が増加し、第２成分１２ｂは、１／４波長位相差層２１の方向へ行くほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２は、基板２０の方向へ行くほど不透明な金属から透明な物質に漸進的に変化する。したがって、屈折率差により発生する界面反射を抑制して、外光がグリッド１２に入射された時に外光を吸収して外光の反射を防止する。結果的に、コントラストを向上させる。第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂの詳細な構造、製法及び効果などは、図１ないし図５で説明した実施形態と同じであるので省略する。
線形偏光層２２上に１／４波長位相差層２１が形成される。１／４波長位相差層２１は、無機物を傾斜蒸着して形成できるが、この場合、微細なカラムが１／４波長位相差層２１の表面に傾斜方向に延びる。このカラムは、結晶成長方向となる。無機物を蒸着する場合、この無機物は、円柱状に成長する。したがって、傾斜蒸着する場合、この円柱状は、水平方向に対して所定角度で傾斜した状態となる。これにより、１／４波長位相差層２１に複屈折特性が付与される。１／４波長位相差層２１を形成できる無機物は、ＴｉＯ２，ＴａＯｘなど多様に適用でき、ＣａＯやＢａＯで形成して前記１／４波長位相差層２１に水分吸収機能までも付与できる。
１／４波長位相差層２１上には、有機発光素子３０を形成する。線形偏光層２２、１／４波長位相差層２１の積層順序は、外光の入射方向に近く線形偏光層２２を配置させ、その内側に１／４波長位相差層２１を配置する。線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１との間には、他の光透過性部材が介在されてもよい。
有機発光素子３０は、互いに対向した第１電極３１、第２電極３３及び有機発光層３２を備える。第１電極３１は、透明素材の伝導性物質で形成できるが、ＩＴＯ，ＩＺＯ，Ｉｎ２Ｏ３及びＺｎＯなどで形成でき、フォトリソグラフィ法により所定のパターンで形成できる。第１電極３１のパターンは、受動駆動（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ：ＰＭ）型の場合には、互いに所定間隔ほど離れたストライプ状のラインで形成され、能動駆動（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ：ＡＭ）型の場合には、画素に対応する形態で形成される。第１電極３１の上部に第２電極３３が配置されるが、第２電極３３は、反射型電極となり、アルミニウム、銀及び／またはカルシウムなどで形成され、外部端子（図示せず）に連結してカソード電極として作用できる。第２電極３３は、ＰＭ型の場合には、第１電極３１のパターンに直交するストライプ状であり、ＡＭ型の場合には、画像が具現されるアクティブ領域の全体にわたって形成されうる。第１電極３１の極性と第２電極３３の極性とは互いに逆になってもよい。
第１電極３１と第２電極３３との間に介在された有機発光層３２は、第１電極３１と第２電極３３との電気的駆動により発光する。有機発光層３２は、低分子または高分子有機物を使用できる。有機発光層３２が低分子有機物で形成される場合、有機発光層３２を中心として第１電極３１の方向にホール輸送層及びホール注入層などが積層され、第２電極３３の方向に電子輸送層及び電子注入層などが積層される。その他にも、必要に応じて多様な層が積層されうる。使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを始めとして多様に適用可能である。
一方、高分子有機物で形成された高分子有機層の場合には、有機発光層３２を中心として第１電極３１の方向にホール輸送層のみが備えられる。前記高分子ホール輸送層は、ポリ−（２，４）−エチレン−ジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）やポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用してインクジェットプリンティングやスピンコーティング法により第１電極３１の上部に形成され、高分子有機発光層３２は、ＰＰＶ、Ｓｏｌｕｂｌｅ ＰＰＶ´ｓ、Ｃｙａｎｏ−ＰＰＶ、ポリフルオレンなどを使用でき、インクジェットプリンティングやスピンコーティングまたはレーザーを利用した熱転写方式などの通常の方法でカラーパターンを形成できる。
本発明の一実施形態において、有機発光素子３０から放出される光は、図６に示すように、基板２０の方向に放出され、有機発光表示装置のユーザーは、図６の下部、すなわち基板２０の下側外部で画像を観察できる。かかる背面発光型構造で、太陽光のような外光が基板２０を通じて流入されてコントラストを低下させることがある。しかし、本発明によれば、線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とが円偏光層を形成して外光の反射を最小化できる。基板２０の下側外部で入射される外光は、線形偏光層２２の吸収軸による方向の成分が吸収され、透過軸による方向の成分が透過される。この透過軸による方向の成分は、１／４波長位相差層２１を経つつ一方向に回転する円偏光に変換する。円偏光は、有機発光素子３０の第２電極３３により反射される。反射されるとき、一方向に回転する円偏光は、他方向に回転する円偏光となり、１／４波長位相差層２１を経つつ最初の透過軸に直交する方向の直線偏光に変換する。直線偏光は、線形偏光層２２の吸収軸により吸収されて基板２０の下側外部に放出されない。したがって、外光反射が最小化され、コントラストがさらに向上する効果が得られる。
さらに、本発明の線形偏光層２２は、複数のグリッド１２を備える。各グリッド１２は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂを含む。基板２０を通じて入射された外光が線形偏光層２２に達するとき、グリッド１２で外光の反射が最小化されて結果的にコントラストの向上効果を増大させる。
また、線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とは、基板２０上に直接形成される構造であるので、接着層などが必要なくて厚さが縮小した有機発光表示装置を具現でき、発光層から具現された画像が接着層を通過しないので輝度が向上する。
線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１は、多様な方法で形成される。そして、かかる構造は、前述した背面発光型の場合だけでなく、前面発光型の場合にも外光の入射方向を考慮して変形適用可能である。
図８は、本発明の一実施形態による背面発光型の有機発光表示装置の他の例を示す断面図である。基板２０の両面のうち、外部に向かう一面に線形偏光層２２が形成され、他面に１／４波長位相差層２１が形成される。１／４波長位相差層２１上に有機発光素子３０が形成される。線形偏光層２２の詳細な構造は、図８のＢの拡大図である図９に詳細に示されている。線形偏光層２２は、複数のグリッド１２を備える。グリッド１２は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂを含む。第１成分１２ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２ｂは、金属で形成する。第１成分１２ａは、基板２０の方向から遠くなるほど含量が増加し、第２成分１２ｂは、基板２０の方向へ行くほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２は、基板２０の方向へ行くほど透明な物質から不透明な金属に漸進的に変化する。したがって、屈折率差により発生する界面反射を抑制して、外光がグリッド１２に入射された時に外光を吸収して外光の反射を防止する。結果的に、コントラストを向上させる。第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂの詳細な構造、製法及び効果などは、図１ないし図５で説明した実施形態と同じであるので省略する。
この実施形態でも、基板２０の外側から入射された外光は、線形偏光層２２を通過しつつ透過軸に平行した直線偏光となり、基板２０を経て１／４波長位相差層２１を通過しつつ一方向回転の円偏光となり、第２電極３３層で反射した後に他方向回転の円偏光となる。この他方向回転の円偏光が１／４波長位相差層２１を再通過しつつ透過軸に直交する直線偏光となり、この直線偏光は、線形偏光層２２を通過できずに基板２０の下側外部では反射された外光を見られないので、外光の減少によるコントラストの向上効果がある。さらに、前述したように、線形偏光層２２は、複数のグリッド１２を備え、各グリッド１２は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂを含む。基板２０を通じて入射された外光が線形偏光層２２に達するとき、グリッド１２で外光の反射が最小化されて結果的にコントラストの向上効果を増大させる。
図１０は、本発明の一実施形態による背面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す断面図である。基板の両面のうち、外部に向かう一面に１／４波長位相差層２１及び線形偏光層２２が順次に形成され、基板２０の他面に有機発光素子３０が形成された例を示すものである。各構成要素についての詳細な説明は、前述した通りである。
線形偏光層２２の詳細な構造は、図１０のＣの拡大図である図１１に詳細に示されている。線形偏光層２２は、複数のグリッド１２を備える。１／４波長位相差層２１の下面にグリッド１２が形成される。各グリッド１２は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂを含む。第１成分１２ａは、１／４波長位相差層２１から遠くなるほど含量が増加し、第２成分１２ｂは、１／４波長位相差層２１に近くなるほど含量が増加する。基板２０を通じて入射された外光が線形偏光層２２に達するとき、グリッド１２で外光の反射が最小化されて結果的にコントラストの向上効果を増大させる。
前述したものは、基板２０の方向に画像が具現される背面発光型の有機発光表示装置の例であるが、本発明が必ずしもこれに限定されるものではなく、本発明は、発光層で具現される画像が基板２０の方向でない基板２０の逆方向に向かって具現される前面発光型構造にも同一に適用できる。
図１２は、本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置の一例を示す断面図であって、有機発光表示装置は、基板２０、基板２０上の反射膜３４、有機発光素子３０及び密封部材５０を備える。
基板２０は、前述したように透明なガラス基板２０が使われるが、必ずしも透明である必要はない。また、フレキシブルな性質を有するためにプラスチックや金属を使用することもできる。このとき、金属の表面には絶縁膜をさらに形成する。
基板２０の一面に形成された反射膜３４は、Ａｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｉｒ，Ｃｒ及びそれらの化合物などで形成できる。反射膜３４上に第１電極３１を仕事関数の大きいＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などで形成できる。第１電極３１は、アノード機能を行うが、もし第１電極３１がカソード機能を行うならば、第１電極３１をＡｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｉｒ，Ｃｒ及びそれらの化合物で形成して反射膜３４を兼ねるようにする。以下では、第１電極３１がアノード機能を行う例を基本に説明する。
第２電極３３は、透過型電極として形成する。仕事関数の小さいＬｉ，Ｃａ，ＬｉＦ／Ａｌ，Ａｌ，Ｍｇ，Ａｇなどの金属で半透過膜となるように薄く形成できる。もちろん、かかる金属の反透過膜上にＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明な導電体を形成して薄くなることによる高抵抗問題を解決できる。第１電極３１と第２電極３３との間に形成される有機発光層３２は、前述した通りである。
有機発光素子３０上に、有機発光素子３０を封止する密封部材５０が形成される。密封部材５０は、外部の水分や酸素などから有機発光素子３０を保護するために形成するものであって、密封部材５０は、透明な材質からなる。このために、ガラス基板、プラスチック基板または有機物と無機物との複数の重なった構造であることもある。
密封部材５０の上面、すなわち有機発光素子３０に向かわずに外部に向かう面に１／４波長位相差層２１及び線形偏光層２２を順次に形成する。線形偏光層２２の構造は、図１２のＤの拡大図である図１３に詳細に示されている。１／４波長位相差層２１上に複数のグリッド１２が形成されている。第１成分１２ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２ｂは、金属で形成する。第１成分１２ａは、１／４波長位相差層２１から遠くなるほど含量が増加し、第２成分１２ｂは、１／４波長位相差層２１の方向へ行くほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２は、１／４波長位相差層２１の方向へ行くほど透明な物質から不透明な金属に漸進的に変化する。したがって、屈折率差により発生する界面反射を抑制して、外光がグリッド１２に入射された時に外光を吸収して外光の反射を防止する。結果的に、コントラストを向上させる。第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂの詳細な構造、製法及び効果などは、図１ないし図５で説明した実施形態と同じであるので省略する。
本実施形態によれば、画像が具現される方向から入射される外光、すなわち図１２で上部で入射される外光は、線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１を順次に通過した後、反射膜３４の表面から反射されて出るとき、最終的に線形偏光層２２を通過できなくなる。その原理は、前述した通りである。
また、グリッド１２で外光が反射することを最小化して、コントラストの向上効果を増大させる。
図１４は、本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置の他の例を示す断面図である。密封部材５０の両面のうち、有機発光素子３０に向かう一面に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１が順次に形成される。線形偏光層２２の構造は、図１４のＥの拡大図である図１５に詳細に示されている。密封部材５０の下面に複数のグリッド１２が形成される。各グリッド１２は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂを含む。第１成分１２ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２ｂは、金属で形成する。第１成分１２ａは、密封部材５０の方向へ行くほど含量が増加し、第２成分１２ｂは、１／４波長位相差層２１の方向へ行くほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２は、密封部材５０の方向へ行くほど不透明な金属から透明な物質に漸進的に変化する。したがって、屈折率差により発生する界面反射を抑制して、外光がグリッド１２に入射された時に外光を吸収して外光の反射を防止する。結果的に、コントラストを向上させる。第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂの詳細な構造、製法及び効果などは、図１ないし図５で説明した実施形態と同じであるので省略する。
図１６は、本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す断面図である。密封部材５０の両面のうち、外部に向かう一面に線形偏光層２２が形成され、有機発光素子３０に向かう他面に１／４波長位相差層２１が形成される。線形偏光層２２の構造は、図１６のＦの拡大図である図１７に詳細に示されている。密封部材５０の上面に複数のグリッド１２が形成される。各グリッド１２は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂを含む。第１成分１２ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２ｂは、金属で形成する。第１成分１２ａは、密封部材５０から遠くなるほど含量が増加し、第２成分１２ｂは、密封部材５０に近くなるほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２は、密封部材５０の方向へ行くほど透明な物質から不透明な金属に漸進的に変化する。以下、詳細な構造と効果は、前述した通りであるので省略する。
図１８は、本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す断面図である。基板２０上に反射膜３４を形成し、反射膜３４上に有機発光素子３０を形成し、有機発光素子３０上に１／４波長位相差層２１を形成し、１／４波長位相差層２１上に線形偏光層２２を形成する。線形偏光層２２の構造は、図１８のＧの拡大図である図１９に詳細に示されている。１／４波長位相差層２１上に複数のグリッド１２が形成される。
各グリッド１２は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂを含む。第１成分１２ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２ｂは、金属で形成する。第１成分１２ａは、１／４波長位相差層２１から遠くなるほど含量が増加し、第２成分１２ｂは、１／４波長位相差層２１に近くなるほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２は、１／４波長位相差層２１の方向へ行くほど透明な物質から不透明な金属に漸進的に変化する。以下、詳細な構造と効果は、前述した通りであるので省略する。
このとき、第２電極３３と１／４波長位相差層２１との間に保護層を形成できる。図２０に示すように、有機発光素子３０の第２電極３３と１／４波長位相差層２１との間に保護層４０が形成されている。図２０の構造は、保護層４０を除けば図１８の構造と同じであるので、保護層４０のみを説明する。保護層４０は、１／４波長位相差層２１が形成されるとき、工程上第２電極３３の損傷を防止するために形成する。保護層４０は、無機物または有機物で形成する。無機物としては、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属酸窒化物及びそれらの化合物が使われる。金属酸化物としては、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、ＩＴＯ及びそれらの化合物が使われる。金属窒化物としては、窒化アルミニウム、窒化シリコン及びそれらの化合物が使われる。金属炭化物としては、炭化シリコンが使われ、金属酸窒化物としては、酸窒化シリコンが使われる。無機物としては、シリコンが使われてもよく、シリコン及びメタルそれぞれのセラミック誘導体が使われてもよい。また、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）なども使用可能である。有機物としては、有機ポリマー、有機金属ポリマー及びハイブリッド有機／無機ポリマーなどが使われ、アクリル樹脂が使われる。以下、詳細な構造と効果は、前述した通りであるので省略する。
図２１は、本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す断面図である。１／４波長位相差層２１及び線形偏光層２２が反射膜３４と有機発光素子３０との間に成膜された例を示す。線形偏光層２２の構造は、図２１のＨの拡大図である図２２に詳細に示されている。１／４波長位相差層２１上に複数のグリッド１２が形成される。
各グリッド１２は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂを含む。第１成分１２ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２ｂは、金属で形成する。第１成分１２ａは、第１電極３１に近くなるほど含量が増加し、第２成分１２ｂは、１／４波長位相差層２１に近くなるほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２は、１／４波長位相差層２１の方向へ行くほど透明な物質から不透明な金属に漸進的に変化する。以下、詳細な構造と効果は、前述した通りであるので省略する。
図示していないが、反射膜３４の上面に１／４波長位相差層２１を形成し、１／４波長位相差層２１上に有機発光素子３０を形成し、この有機発光素子３０上に線形偏光層２２を形成してもよい。
図２３は、本発明のさらに他の実施形態によるＰＭ方式の背面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。図２３の有機発光表示装置は、基板２０の上面に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１が順次に形成されたものであって、この１／４波長位相差層２１上に有機発光素子３０が形成される。線形偏光層２２の詳細な構造は、図２３のＩの拡大図である図２４に詳細に示されている。基板２０上に複数のグリッド１２が形成される。各グリッド１２は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂを含む。第１成分１２ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２ｂは、金属で形成する。第１成分１２ａは、基板２０に近くなるほど含量が増加し、第２成分１２ｂは、１／４波長位相差層２１に近くなるほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２は、１／４波長位相差層２１の方向へ行くほど透明な物質から不透明な金属に漸進的に変化する。以下、詳細な構造と効果は、前述した通りであるので省略する。
１／４波長位相差層２１上には、第１電極３１が所定のストライプパターンで形成されており、第１電極３１上にそれを区画するように内部絶縁膜３５が形成されている。そして、内部絶縁膜３５上には、有機発光層３２及び第２電極３３のパターニングのために、第１電極３１に直交するように形成されたセパレータ３６が形成されている。このセパレータ３６により、有機発光層３２及び第２電極３３は、第１電極３１に交差するようにパターニングされる。第２電極３３上には、密封部材（図示せず）を備えて、有機発光素子３０を外気から遮断する。場合によって、セパレータ３６なしに有機発光層３２及び第２電極３３をパターニングすることもできる。
図２３による実施形態の場合にも、前述した実施形態のように、基板２０上に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１が順次に積層されているため、図２３で見る時に基板２０の下部方向から流入された外光の反射をこの線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とが遮断でき、また全体的にディスプレイが薄くなる。また、屈折率差により発生する界面反射を抑制して、外光がグリッド１２に入射された時に外光を吸収して外光の反射を防止する。
図示していないが、かかる背面発光型のＰＭ型表示装置においても、図８及び図１０のような構造がそのまま適用されうるということはいうまでもない。
図２５は、本発明のさらに他の実施形態によるＡＭ方式の背面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。
図２５に示すように、基板２０の上面に薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。この薄膜トランジスタＴＦＴは、各画素別に少なくとも一つずつ形成されるが、有機発光素子３０に電気的に連結される。
具体的に、基板２０上に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１を順次に形成する。線形偏光層２２の構造は、図２５のＪの拡大図である図２６に詳細に示されている。基板２０上に複数のグリッド１２が形成される。各グリッド１２は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂを含む。第１成分１２ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２ｂは、金属で形成する。第１成分１２ａは、基板２０の方向へ行くほど含量が増加し、第２成分１２ｂは、１／４波長位相差層２１の方向へ行くほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２は、基板２０の方向へ行くほど不透明な金属から透明な物質に漸進的に変化する。
１／４波長位相差層２１上にバッファ層４１が形成され、バッファ層４１上に所定パターンの半導体層４２が形成される。半導体層４２の上部には、ＳｉＯ２，ＳｉＮｘなどで形成されるゲート絶縁膜４３が形成され、ゲート絶縁膜４３の上部の所定領域には、ゲート電極４４が形成される。ゲート電極４４は、ＴＦＴオン／オフ信号を印加するゲートライン（図示せず）と連結されている。ゲート電極４４の上部には、層間絶縁膜４５が形成され、コンタクトホールを通じてソース電極４６及びドレイン電極４７がそれぞれ半導体層４２のソース及びドレイン領域に接するように形成される。このように形成された薄膜トランジスタＴＦＴは、パッシべーション膜４８で覆われて保護される。
パッシべーション膜４８の上部には、アノード電極となる第１電極３１が形成され、それを覆うように絶縁物で画素定義膜４９が形成される。この画素定義膜４９に所定の開口を形成した後、この開口で限定された領域内に有機発光層３２を形成する。そして、全体の画素をいずれも覆うように第２電極３３が形成される。
ＡＭ型構造においても、基板２０上に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１が順次に積層されているため、図２５で見る時に基板２０の下部方向から流入された外光の反射をこの線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とが遮断できる。また、各グリッド１２は、第１成分１２ａと第２成分１２ｂとが濃度勾配を有するように形成されて、屈折率差により発生する界面反射を抑制する。外光がグリッド１２に入射されたとき、外光を吸収して外光の反射を防止する。結果的に、コントラストを向上させる。
かかるＡＭ方式の背面発光型の有機発光表示装置において、前記線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１は、線形偏光層２２が外光に向かう方向に配置され、１／４波長位相差層２１が有機発光素子３０に向かう方向に配置される限り、基板２０、薄膜トランジスタＴＦＴ及び有機発光素子３０によりなるいかなる面に成膜されてもよい。すなわち、図示していないが、図６及び図８のように、基板２０の一面及び／または他面に１／４波長位相差層２１、線形偏光層２２を成膜した後に、その上に薄膜トランジスタＴＦＴ、有機発光素子３０を形成することもでき、１／４波長位相差層２１及び／または線形偏光層２２を薄膜トランジスタＴＦＴの各層に形成される界面の間に配置させることもできる。
図２５のパッシべーション膜４８を形成せず、その役割を線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とが代りうる。図２７に示すように、薄膜トランジスタＴＦＴの上部に別途のパッシべーション膜４８を有機物及び／または無機物で形成せず、線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とが順次に層間絶縁膜４５上に形成されてパッシべーション膜４８の代わりになっている。以下、その他の詳細な構造と効果は、前述した通りであるので省略する。
図２８は、本発明のさらに他の実施形態によるＰＭ方式の前面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。
基板２０の上面に反射膜３４が形成され、この反射膜３４の上面に１／４波長位相差層２１及び線形偏光層２２が順次に形成され、線形偏光層２２上に有機発光素子３０が形成される。
線形偏光層２２の構造は、図２８のＫの拡大図である図２９に詳細に示されている。１／４波長位相差層２１上に複数のグリッド１２が形成される。各グリッド１２は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂを含む。第１成分１２ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２ｂは、金属で形成する。第１成分１２ａは、第１電極３１に近くなるほど含量が増加し、第２成分１２ｂは、１／４波長位相差層２１に近くなるほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２は、１／４波長位相差層２１の方向へ行くほど透明な物質から不透明な金属に漸進的に変化する。
線形偏光層２２上に第１電極３１が所定のストライプパターンで形成されており、第１電極３１上にそれを区画するように内部絶縁膜３５が形成されている。そして、内部絶縁膜３５上には、有機発光層３２及び第２電極３３のパターニングのために、第１電極３１に直交するように形成されたセパレータ３６が形成されている。セパレータ３６により、有機発光層３２及び第２電極３３は、第１電極３１に交差するようにパターニングされる。第２電極３３上には、密封部材（図示せず）が形成されて有機発光素子３０を外気から遮断する。場合によって、セパレータ３６なしに有機発光層３２及び第２電極３３をパターニングすることもできる。
この実施形態でも、外部から流入される外光が反射されずにコントラストが向上し、また全体的にディスプレイが薄くなる。詳細な構造及び効果についての説明は、前述した通りであるので省略する。
図示していないが、かかるＰＭ方式の前面発光型の有機発光表示装置においても、図１２ないし図２０のような構造がそのまま適用されうるということはいうまでもない。
図３０は、本発明のさらに他の実施形態によるＡＭ方式の前面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。
図３０に示すように、基板２０の上面に薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。この薄膜トランジスタＴＦＴは、各画素別に少なくとも一つずつ形成されるが、有機発光素子３０に電気的に連結される。薄膜トランジスタＴＦＴの構造については前述した図２５と同じであるので、詳細な説明は省略する。
薄膜トランジスタＴＦＴ上には、薄膜トランジスタＴＦＴを覆うようにパッシべーション膜４８が形成されており、このパッシべーション膜４８上に反射膜３４が形成される。そして、反射膜３４上にアノード電極となる第１電極３１が形成され、それを覆うように絶縁物で画素定義膜４９が形成される。画素定義膜４９に所定の開口を形成した後、この開口で限定された領域内に有機発光層３２を形成する。そして、全体の画素をいずれも覆うように第２電極３３が形成される。
図３０による実施形態においては、密封部材５０の両面のうち、有機発光素子３０に向かう一面に順次に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１を形成する。線形偏光層２２の構造は、図３０のＬの拡大図である図３１に詳細に示されている。１／４波長位相差層２１上に複数のグリッド１２が形成される。各グリッド１２は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂを含む。第１成分１２ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２ｂは、金属で形成する。第１成分１２ａは、密封部材５０の方向へ行くほど含量が増加し、第２成分１２ｂは、１／４波長位相差層２１の方向へ行くほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２は、密封部材５０の方向へ行くほど不透明な金属から透明な物質に漸進的に変化する。第１成分１２ａ及び第２成分１２ｂの詳細な構造、製法及び効果などは、図１ないし図５で説明した実施形態と同じであるので省略する。
図３０で見る時に図面の上部方向である密封部材５０の上側で入射される外光の反射を線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とが遮断できる。また、各グリッド１２は、屈折率差により発生する界面反射を抑制して、外光がグリッド１２に入射された時に外光を吸収する。結果的に、外光の反射を防止してコントラストを向上させる。図示していないが、かかるＡＭ方式の前面発光型の有機発光表示装置においても、図１２ないし図２２のような構造がそのまま適用されうるということはいうまでもない。
前述したような本発明は、有機発光表示装置にのみ限定されるものではなく、発光素子として無機発光素子やＬＣＤ、電子放出装置などを使用するその他の平板表示装置にもいずれも適用可能である。
図３２は、本発明の他の実施形態による偏光子を示す概略的な斜視図であり、図３３は、図３２のXXXIII−XXXIII線の部分断面図である。図３４は、図３３のグリッドの厚さ別の第１成分及び第２成分の含量を比較して簡略に示すグラフである。説明の便宜のために、前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。
図３２及び図３３に示すように、偏光子１００は、ベース１１０及びグリッド１２０を備える。ベース１１０は、透明な材質からなりうる。これは、偏光子１００が配置されるディスプレイ装置から発生する光を十分に通過可能にするためである。このために、ベース１１０は、ガラスまたはフレキシブルなプラスチックを使用できるが、フィルム化のためにプラスチックを含んだ材質で形成することが望ましい。
ベース１１０上に複数のグリッド１２０が形成される。グリッド１２０は、互いに離隔され、ストライプ状のパターンを有するように形成される。可視光線に対する偏光子として使用するために、グリッド１２０の幅ｗ２は１０ないし５００ｎｍ、厚さｔ２は５０ないし５００ｎｍに形成できる。複数のグリッド１２０の間には、一定な間隔Ｐ２がある。そして、かかる間隔Ｐ２は、偏光子１００の性能を決定する重要な要素である。
本発明のグリッド１２０は、第１成分１２０ａ及び第２成分１２０ｂを含む。第１成分１２０ａは、誘電物質を含む。第１成分１２０ａは、ＳｉＯｘ（ｘ≧１），ＳｉＮｘ（ｘ≧１），ＭｇＦ２，ＣａＦ２，Ａｌ２Ｏ３，ＳｎＯ２などの絶縁透明物質で形成できる。また、第１成分１２０ａは、ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３の導電性透明物質で形成されることもある。第２成分１２０ｂは、金属を含む。第２成分１２０ｂは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｗ，Ｔａ，ＣｕまたはＰｔで形成できる。第１成分１２０ａ及び第２成分１２０ｂは、グリッド１２０の厚さ方向に濃度勾配を有する。
図３３及び図３４に示すように、第１成分１２０ａは、グリッド１２０の厚さ方向を基準としてグリッド１２０の両端方向へ行くほど含量が増加し、第２成分１２０ｂは、グリッド１２０の厚さ方向を基準としてグリッド１２０の中心方向へ行くほど含量が増加する。すなわち、図３３に示すように、グリッド１２０の上端と隣接した部分及びグリッド１２０のベース１１０と隣接した部分には、第１成分１２０ａが主に分布し、グリッド１２０の中央部分には、第２成分１２０ｂが主に分布する。
図３３での上部、すなわちベース１１０の逆方向で外光が入射される場合、グリッド１２０は、外光に向かう方向へ行くほど誘電物質で形成された第１成分１２０ａが増加する。すなわち、グリッド１２０は、グリッド１２０の厚さ方向を基準としてグリッド１２０の中心方向から外光が入射される方向へ行くほど、不透明な金属から誘電物質に漸進的に変わる。結果的に、屈折率差により発生する界面反射を抑制する。外光がグリッド１２０に入射されたとき、外光を吸収して外光の反射を防止する。
また、グリッド１２０は、グリッド１２０の厚さ方向を基準としてグリッド１２０の中心からベース１１０の方向へ行くほど第１成分が増加する。図２での下部、すなわちベース１１０に向かうように外光が入射される場合、グリッド１２０は、外光に向かう方向へ行くほど誘電物質からなる第１成分１２０ａが増加する。すなわち、ベース１１０に近くなるほど誘電物質で形成される第１成分１２０ａの含量が増加し、ベース１１０から遠くなり、グリッド１２０の中央部分へ行くほど第２成分１２０ｂの含量が増加する。グリッド１２０は、グリッド１２０の厚さ方向を基準としてグリッド１２０の中心方向からベース１１０の方向へ行くほど、不透明な金属から誘電物質に漸進的に変化する。結果的に、屈折率差により発生する界面反射を抑制する。外光がグリッド１２０に入射されたとき、外光を吸収して外光の反射を防止する。
第１成分１２０ａと第２成分１２０ｂとが濃度勾配を有するようにグリッド１２０を形成するために、共蒸着などの方法を利用できる。共蒸着時、第１成分１２０ａと第２成分１２０ｂとの蒸着速度を時間によって調節して、第１成分１２０ａと第２成分１２０ｂとの含量が反比例関係となるようにグリッド１２０を形成できる。ベース１１０上に、共蒸着時の初期には第１成分１２０ａを主に含有するように蒸着していて、次第に第１成分１２０ａを減らし、第２成分１２０ｂを増やす。蒸着の中盤部には、第２成分１２０ｂが主に含有されるように蒸着する。そして、再び第１成分１２０ａを増やして、蒸着の後半部には、再び第１成分１２０ａが主に含有されるように蒸着する。
特に、グリッド１２０の厚さ方向を基準としてグリッド１２０の中心方向には、第２成分１２０ｂのみが存在して金属層が形成されるが、第２成分１２０ｂの蒸着量と蒸着時間とを調節して金属層を適切な厚さに形成できる。
本発明の偏光子を有機発光表示装置のような平板表示装置に利用できる。本発明では、有機発光表示装置のみを説明する。本発明の有機発光表示装置では、ベース１１０を別途に必要としない。複数のグリッド１２０からなる線形偏光層を基板及び密封部材などに直接形成する。後述する線形偏光層のグリッド１２０は、前述した偏光子１００でのグリッド１２０と同じであるので、具体的な構造、材料及び形成方法などについては説明を省略する。
図３５は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。図３５に示すように、本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、透明な素材からなる基板２００、基板２００上に順次に形成される線形偏光層２２０、１／４波長位相差層２１０、有機発光素子３００及び密封部材（図示せず）を備える。
基板２００は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材質からなりうる。図示していないが、基板２００の上面には、基板２００の平滑性と不純元素の浸透遮断とのためにバッファ層（図示せず）をさらに備え、バッファ層は、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘなどで形成できる。基板２００は、必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材で形成することもできる。
基板２００の上面に線形偏光層２２０が形成される。図３６は、図３５のＭの拡大図であって、線形偏光層２２０の構造をさらに詳細に示している。線形偏光層２２０は、複数個のグリッド１２０を備える。グリッド１２０は、１／４波長位相差層２１０と基板２００との間に形成される。グリッド１２０は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２０ａ及び第２成分１２０ｂを含む。第１成分１２０ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２０ｂは、金属で形成する。第１成分１２０ａは、グリッド１２０の中心方向から１／４波長位相差層２１０の方向及び基板２００の方向へ行くほど含量が増加し、第２成分１２０ｂは、グリッド１２０の中心方向に近くなるほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２０は、グリッド１２０の中心方向から１／４波長位相差層２１０の方向及び基板２００の方向へ行くほど、不透明な金属から誘電物質に漸進的に変化する。
したがって、屈折率差により発生する界面反射を抑制して、基板２００の方向に外光がグリッド１２０に入射されたとき、外光を吸収して外光の反射を防止する。
また、基板２００の方向に入射した外光の一部は、基板２００を透過して有機発光表示装置の内部に入って有機発光表示装置の金属膜などで反射して、再び１／４波長位相差層２１０の方向から基板２００の方向に進んでコントラストを低下させる。このとき、グリッド１２０は、１／４波長位相差層２１０の方向へ行くほど誘電物質に変わる構造であるので、グリッド１２０で外光を吸収して反射を抑制できる。結果的に、コントラストを向上させる。グリッド１２０の詳細な構造、製法及び効果などは、前述した実施形態と同じであるので省略する。
線形偏光層２２０上に１／４波長位相差層２１０が形成される。１／４波長位相差層２１０は、無機物を傾斜蒸着して形成できるが、この場合、微細なカラムが１／４波長位相差層２１０の表面に傾斜方向に延びている。このカラムは、結晶成長方向となる。無機物を蒸着する場合、この無機物は、円柱状に成長する。したがって、傾斜蒸着する場合、この円柱状は、水平方向に対して所定角度に傾斜した状態となる。これにより、１／４波長位相差層２１０に複屈折特性が付与される。１／４波長位相差層２１０を形成できる無機物は、ＴｉＯ２，ＴａＯｘなど多様に適用でき、ＣａＯやＢａＯで形成して前記１／４波長位相差層２１０に水分吸収機能までも付与できる。
１／４波長位相差層２１０上には、有機発光素子３００を形成する。線形偏光層２２０、１／４波長位相差層２１０の積層順序は、外光の入射方向に近く線形偏光層２２０を配置させ、その内側に１／４波長位相差層２１０を配置する。線形偏光層２２０と１／４波長位相差層２１０との間には、他の光透過性部材が介在されてもよい。
有機発光素子３００は、互いに対向した第１電極３１０、第２電極３３０及び有機発光層３２０を備える。第１電極３１０は、透明素材の伝導性物質で形成できるが、ＩＴＯ，ＩＺＯ，Ｉｎ２Ｏ３及びＺｎＯなどで形成でき、フォトリソグラフィ法により所定のパターンで形成できる。第１電極３１０のパターンは、ＰＭ型の場合には、互いに所定間隔ほど離れたストライプ状のラインで形成され、ＡＭ型の場合には、画素に対応する形態に形成される。第１電極３１０の上部に第２電極３３０が配置されるが、第２電極３３０は反射型電極となり、アルミニウム、銀及び／またはカルシウムなどで形成され、外部端子（図示せず）に連結してカソード電極として作用できる。第２電極３３０は、ＰＭ型の場合には、第１電極３１０のパターンに直交するストライプ状であり、ＡＭ型の場合には、画像が具現されるアクティブ領域の全体にわたって形成されうる。第１電極３１０の極性と第２電極３３０の極性とは、互いに逆になってもよい。
第１電極３１０と第２電極３３０との間に介在された有機発光層３２０は、第１電極３１０と第２電極３３０との電気的駆動により発光する。有機発光層３２０は、低分子または高分子有機物を使用できる。有機発光層３２０が低分子有機物で形成される場合、有機発光層３２０を中心として第１電極３１０の方向にホール輸送層及びホール注入層などが積層され、第２電極３３０の方向に電子輸送層及び電子注入層などが積層される。その他にも、必要に応じて多様な層が積層されうる。使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを始めとして多様に適用可能である。
一方、高分子有機物で形成された高分子有機層の場合には、有機発光層３２０を中心として第１電極３１０の方向にホール輸送層のみが備えられる。前記高分子ホール輸送層は、ＰＥＤＯＴやＰＡＮＩなどを使用してインクジェットプリンティングやスピンコーティング法により第１電極３１０の上部に形成され、高分子有機発光層３２０は、ＰＰＶ，Ｓｏｌｕｂｌｅ ＰＰＶ´ｓ，Ｃｙａｎｏ−ＰＰＶ、ポリフルオレンなどを使用でき、インクジェットプリンティングやスピンコーティングまたはレーザーを利用した熱転写方式などの通常の方法でカラーパターンを形成できる。
本発明の一実施形態において、有機発光素子３００から放出される光は、図３５に示すように基板２００の方向に放出され、有機発光表示装置のユーザーは、図３５の下部、すなわち基板２００の下側外部で画像を観察できる。かかる背面発光型構造で、太陽光のような外光が基板２００を通じて流入されてコントラストを低下させることがある。しかし、本発明によれば、線形偏光層２２０と１／４波長位相差層２１０とが円偏光層を形成して外光の反射を最小化できる。基板２００の下側外部から入射される外光は、線形偏光層２２０の吸収軸による方向の成分が吸収され、透過軸による方向の成分が透過される。この透過軸による方向の成分は、１／４波長位相差層２１０を経つつ一方向に回転する円偏光に変換される。円偏光は、有機発光素子３００の第２電極３３０により反射される。反射されるとき、一方向に回転する円偏光は、他方向に回転する円偏光となり、１／４波長位相差層２１０を経つつ最初の透過軸に直交する方向の直線偏光に変換される。直線偏光は、線形偏光層２２０の吸収軸により吸収されて基板２００の下側外部に放出されない。したがって、外光の反射が最小化され、コントラストがさらに向上する効果が得られる。
さらに、本発明の線形偏光層２２０は、複数のグリッド１２０を備える。基板２００を通じて入射された外光が線形偏光層２２０に達するとき、濃度勾配を有するグリッド１２０により屈折率差による界面の反射を抑制する。また、基板２００を通じて入射された外光の一部は、有機発光表示装置の内部に入射されて有機発光表示装置をなす界面及び金属膜から反射して、再び基板２００を通じて外部に放出されて問題となりうる。このとき、基板２００を通じて放出される外光もグリッド１２０が吸収して、外光の反射が最小化されて結果的にコントラストの向上効果を増大させる。
また、線形偏光層２２０及び１／４波長位相差層２１０は、基板２００上に直接形成される構造であるので、接着層などが必要なくて厚さが縮小した有機発光表示装置を具現でき、発光層から具現された画像が接着層を通過しないので輝度が向上する。
線形偏光層２２０及び１／４波長位相差層２１０は、多様な方法で形成される。そして、かかる構造は、前述した背面発光型の場合だけでなく、前面発光型の場合にも外光の入射方向を考慮して変形適用可能である。
図３７は、本発明の一実施形態による背面発光型の有機発光表示装置の他の例を示す断面図である。基板２００の両面のうち、外部に向かう一面に線形偏光層２２０が形成され、他面に１／４波長位相差層２１０が形成される。１／４波長位相差層２１０上に有機発光素子３００が形成される。線形偏光層２２０の詳細な構造は、図３７のＮの拡大図である図３８に詳細に示されている。線形偏光層２２０は、複数個のグリッド１２０を備える。グリッド１２０は、基板２００の両面のうち、有機発光素子３００に向かわない面に形成される。グリッド１２０は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２０ａ及び第２成分１２０ｂを含む。第１成分１２０ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２０ｂは、金属で形成する。第１成分１２０ａは、グリッド１２０の中心方向から基板２００の方向及び基板２００と遠くなる方向へ行くほど含量が増加し、第２成分１２０ｂは、グリッド１２０の中心方向に近くなるほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２０は、グリッド１２０の中心方向から基板２００の方向及び基板２００と遠くなる方向へ行くほど、不透明な金属から誘電物質に漸進的に変化する。
したがって、屈折率差により発生する界面反射を抑制して、基板２００の方向に外光がグリッド１２０に入射された時に外光を吸収して外光の反射を防止する。
また、基板２００の方向に入射した外光の一部は、基板２００を透過して有機発光表示装置の内部に入って有機発光表示装置の金属膜などで反射して、再び基板２００の方向に放出されてコントラストを低下させることがある。このとき、グリッド１２０は、基板２００の方向へ行くほど誘電物質に変わる構造であるので、グリッド１２０から外光を吸収して反射を抑制できる。結果的に、コントラストを向上させる。グリッド１２０の詳細な構造、製法及び効果などは、図３２ないし図３４で説明した実施形態と同じであるので省略する。
図３９は、本発明の一実施形態による背面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す断面図である。基板の両面のうち、外部に向かう一面に１／４波長位相差層２１０及び線形偏光層２２０が順次に形成され、基板２００の他面に有機発光素子３００が形成される。各構成要素についての詳細な説明は、前述した通りである。
線形偏光層２２０の詳細な構造は、図３９のＯの拡大図である図４０に詳細に示されている。線形偏光層２２０は、複数個のグリッド１２０を備える。グリッド１２０は、１／４波長位相差層２１０の両面のうち、基板２００に向かわない面に形成される。グリッド１２０は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２０ａ及び第２成分１２０ｂを含む。第１成分１２０ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２０ｂは、金属で形成する。第１成分１２０ａは、グリッド１２０の中心方向から１／４波長位相差層２１０の方向及び１／４波長位相差層２１０の方向から遠くなる方向へ行くほど含量が増加し、第２成分１２０ｂは、グリッド１２０の中心方向に近くなるほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２０は、グリッド１２０の中心方向から１／４波長位相差層２１０の方向及び１／４波長位相差層２１０から遠くなる方向へ行くほど、不透明な金属から誘電物質に漸進的に変化する。
したがって、屈折率差により発生する界面反射を抑制して、基板２００の方向に外光がグリッド１２０に入射された時に外光を吸収して外光の反射を防止する。
また、基板２００の方向に入射した外光の一部は、基板２００を透過して有機発光表示装置の内部に入って有機発光表示装置の金属膜などで反射して、再び基板２００の方向から１／４波長位相差層２１０の方向に放出されてコントラストを低下させることがある。このとき、グリッド１２０は、１／４波長位相差層２１０の方向へ行くほど誘電物質に変わる構造であるので、グリッド１２０で外光を吸収して反射を抑制できる。結果的に、コントラストを向上させる。グリッド１２０の詳細な構造、製法及び効果などは、図３２ないし図３４で説明した実施形態と同じであるので省略する。
前述したところは、基板２００の方向に画像が具現される背面発光型の有機発光表示装置の例であるが、本発明が必ずしもこれに限定されるものではなく、本発明は、発光層で具現される画像が基板２００の方向でない基板２００の逆方向に向かって具現される前面発光型構造にも同一に適用できる。
図４１は、本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置の一例を示す断面図であって、有機発光表示装置は、基板２００、基板２００上の反射膜３４０、有機発光素子３００、密封部材５００を備える。
基板２００は、前述したように透明なガラス基板２００が使われるが、必ずしも透明である必要はない。また、フレキシブルな性質を有するためにプラスチックや金属を使用することもできる。このとき、金属の表面には、絶縁膜をさらに形成する。
基板２００の一面に形成された反射膜３４０は、Ａｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｉｒ，Ｃｒ及びそれらの化合物などで形成できる。反射膜３４０上に第１電極３１０を仕事関数の大きいＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などで形成できる。第１電極３１０は、アノード機能を行うが、もし第１電極３１０がカソード機能を行うならば、第１電極３１０をＡｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｉｒ，Ｃｒ及びそれらの化合物で形成して反射膜３４０を兼ねるようにする。以下では、第１電極３１０がアノード機能を行う例を基本に説明する。
第２電極３３０は、透過型電極として形成する。仕事関数の小さいＬｉ，Ｃａ，ＬｉＦ／Ａｌ，Ａｌ，Ｍｇ，Ａｇなどの金属で半透過膜となるように薄く形成できる。もちろん、かかる金属反透過膜上にＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明な導電体を形成して、薄くなることによる高抵抗問題を解決できる。第１電極３１０と第２電極３３０との間に形成される有機発光層３２０は、前述した通りである。
有機発光素子３００上に有機発光素子３００を封止する密封部材５００が形成される。密封部材５００は、外部の水分や酸素などから有機発光素子３００を保護するために形成するものであって、密封部材５００は、透明な材質からなる。このために、ガラス基板、プラスチック基板または有機物と無機物との複数の重なった構造でありうる。
密封部材５００の上面、すなわち有機発光素子３００に向かわずに外部に向かう面に１／４波長位相差層２１０及び線形偏光層２２０を順次に形成する。線形偏光層２２０の構造は、図４１のＰの拡大図である図４２に詳細に示されている。線形偏光層２２０は、複数個のグリッド１２０を備える。グリッド１２０は、１／４波長位相差層２１０の両面のうち、密封部材５００に向かわない面に形成される。グリッド１２０は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２０ａ及び第２成分１２０ｂを含む。第１成分１２０ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２０ｂは、金属で形成する。第１成分１２０ａは、グリッド１２０の中心方向から１／４波長位相差層２１０の方向及び１／４波長位相差層２００と遠くなる方向へ行くほど含量が増加し、第２成分１２０ｂは、グリッド１２０の中心方向に近くなるほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２０は、グリッド１２０の中心方向から１／４波長位相差層２１０の方向及び１／４波長位相差層２１０と遠くなる方向へ行くほど、不透明な金属から誘電物質に漸進的に変化する。
したがって、屈折率差により発生する界面反射を抑制して、密封部材５００の方向から外光がグリッド１２０に入射された時に外光を吸収して外光の反射を防止する。
さらに、基板２００の方向に入射した外光の一部は、密封部材５００を透過して有機発光表示装置の内部に入って有機発光表示装置の金属膜などで反射して、再び密封部材５００の方向から１／４波長位相差層２１０の方向に放出されてコントラストを低下させることがある。このとき、グリッド１２０は、１／４波長位相差層２１０の方向へ行くほど誘電物質に変わる構造であるので、グリッド１２０で外光を吸収して反射を抑制できる。結果的に、コントラストを向上させる。グリッド１２０の詳細な構造、製法及び効果などは、図３２ないし図３４で説明した実施形態と同じであるので省略する。
本実施形態によれば、画像が具現される方向から入射される外光、すなわち図４１で上部で入射される外光は、線形偏光層２２０及び１／４波長位相差層２１０を順次に通過した後、反射膜３４０の表面から反射されて出るとき、最終的に線形偏光層２２０を通過できなくなる。その原理は、前述した通りである。
図４３は、本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す断面図である。密封部材５００の両面のうち、有機発光素子３００に向かう一面に線形偏光層２２０及び１／４波長位相差層２１０が順次に形成される。線形偏光層２２０の構造は、図４３のＱの拡大図である図４４に詳細に示されている。線形偏光層２２０は、複数個のグリッド１２０を備える。グリッド１２０は、密封部材５００と１／４波長位相差層２１０との間に形成される。グリッド１２０は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２０ａ及び第２成分１２０ｂを含む。第１成分１２０ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２０ｂは、金属で形成する。第１成分１２０ａは、グリッド１２０の中心方向から１／４波長位相差層２１０の方向及び密封部材５００の方向へ行くほど含量が増加し、第２成分１２０ｂは、グリッド１２０の中心方向に近くなるほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２０は、グリッド１２０の中心方向から１／４波長位相差層２１０の方向及び密封部材５００の方向へ行くほど、不透明な金属から誘電物質に漸進的に変化する。
したがって、屈折率差により発生する界面反射を抑制して、密封部材５００の方向から外光がグリッド１２０に入射された時に外光を吸収して外光の反射を防止する。
さらに、密封部材５００の方向から入射した外光の一部は、密封部材５００を透過して有機発光表示装置の内部に入って有機発光表示装置の金属膜などで反射して、再び１／４波長位相差層２１０の方向から密封部材５００の方向に放出されてコントラストを低下させることがある。このとき、グリッド１２０は、１／４波長位相差層２１０の方向へ行くほど誘電物質に変わる構造であるので、グリッド１２０で外光を吸収して反射を抑制できる。結果的に、コントラストを向上させる。グリッド１２０の詳細な構造、製法及び効果などは、図３２ないし図３４で説明した実施形態と同じであるので省略する。
図４５は、本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す断面図である。密封部材５００の両面のうち、外部に向かう一面に線形偏光層２２０が形成され、有機発光素子３００に向かう他面に１／４波長位相差層２１０が形成される。線形偏光層２２０の構造は、図４５のＲの拡大図である図４６に詳細に示されている。線形偏光層２２０は、複数個のグリッド１２０を備える。グリッド１２０は、密封部材５００の両面のうち、有機発光素子３００に向かわない面に形成される。グリッド１２０は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２０ａ及び第２成分１２０ｂを含む。第１成分１２０ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２０ｂは、金属で形成する。第１成分１２０ａは、グリッド１２０の中心方向から密封部材５００の方向及び密封部材５００と遠くなる方向へ行くほど含量が増加し、第２成分１２０ｂは、グリッド１２０の中心方向に近くなるほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２０は、グリッド１２０の中心方向から密封部材５００の方向及び密封部材５００と遠くなる方向へ行くほど、不透明な金属から誘電物質に漸進的に変化する。
したがって、屈折率差により発生する界面反射を抑制して、密封部材５００の方向から外光がグリッド１２０に入射された時に外光を吸収して外光の反射を防止する。
また、密封部材５００の方向から入射した外光の一部は、密封部材５００を透過して有機発光表示装置の内部に入って有機発光表示装置の金属膜などで反射して、再び１／４波長位相差層２１０の方向から密封部材５００の方向に放出されてコントラストを低下させることがある。このとき、グリッド１２０は、密封部材５００の方向へ行くほど誘電物質に変わる構造であるので、グリッド１２０から外光を吸収して反射を抑制できる。結果的に、コントラストを向上させる。グリッド１２０の詳細な構造、製法及び効果などは、図３２ないし図３４で説明した実施形態と同じであるので省略する。
図４７は、本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す断面図である。基板２００上に反射膜３４０を形成し、反射膜３４０上に有機発光素子３００を形成し、有機発光素子３００上に１／４波長位相差層２１０を形成し、１／４波長位相差層２１０上に線形偏光層２２０を形成する。線形偏光層２２０の構造は、図４７のＳの拡大図である図４８に詳細に示されている。１／４波長位相差層２１０上に複数のグリッド１２０が形成される。
線形偏光層２２０は、複数個のグリッド１２０を備える。グリッド１２０は、１／４波長位相差層２１０上に形成される。グリッド１２０は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２０ａ及び第２成分１２０ｂを含む。第１成分１２０ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２０ｂは、金属で形成する。第１成分１２０ａは、グリッド１２０の中心方向から１／４波長位相差層２１０の方向及び１／４波長位相差層２１０と遠くなる方向へ行くほど含量が増加し、第２成分１２０ｂは、グリッド１２０の中心方向に近くなるほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２０は、グリッド１２０の中心方向から１／４波長位相差層２１０の方向及び１／４波長位相差層２１０と遠くなる方向へ行くほど、不透明な金属から誘電物質に漸進的に変化する。
グリッド１２０の詳細な構造、製法及び効果などは、図３２ないし図３４で説明した実施形態と同じであるので省略する。
このとき、第２電極３３０と１／４波長位相差層２１０との間に保護層を形成できる。図４９に示すように、有機発光素子３００の第２電極３３０と１／４波長位相差層２１０との間に保護層４００が形成されている。図４９の構造は、保護層４００を除けば図４７の構造と同じであるので、保護層４００のみを説明する。保護層４００は、１／４波長位相差層２１０が形成されるとき、工程上第２電極３３０の損傷を防止するために形成する。保護層４００は、無機物または有機物で形成する。無機物としては、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属酸窒化物及びそれらの化合物が使われる。金属酸化物としては、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、ＩＴＯ及びそれらの化合物が使われる。金属窒化物としては、窒化アルミニウム、窒化シリコン及びそれらの化合物が使われる。金属炭化物としては、炭化シリコンが使われ、金属酸窒化物としては、酸窒化シリコンが使われる。無機物としては、シリコンが使われてもよく、シリコン及びメタルそれぞれのセラミック誘導体が使われてもよい。また、ＤＬＣなども使用可能である。有機物としては、有機ポリマー、有機金属ポリマー及びハイブリッド有機／無機ポリマーなどが使われ、アクリル樹脂が使われる。以下、詳細な構造と効果は、前述した通りであるので省略する。
図５０は、本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す断面図である。１／４波長位相差層２１０及び線形偏光層２２０が反射膜３４０と有機発光素子３００との間に成膜された例を示す。線形偏光層２２０の構造は、図５０のＴの拡大図である図５１に詳細に示されている。１／４波長位相差層２１０上に複数のグリッド１２０が形成される。
線形偏光層２２０は、複数個のグリッド１２０を備える。グリッド１２０は、１／４波長位相差層２１０と第１電極３１０との間に形成される。グリッド１２０は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２０ａ及び第２成分１２０ｂを含む。第１成分１２０ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２０ｂは、金属で形成する。第１成分１２０ａは、グリッド１２０の中心方向から１／４波長位相差層２１０の方向及び第１電極３１０の方向へ行くほど含量が増加し、第２成分１２０ｂは、グリッド１２０の中心方向に近くなるほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２０は、グリッド１２０の中心方向から１／４波長位相差層２１０の方向及び第１電極３１０の方向へ行くほど、不透明な金属から誘電物質に漸進的に変化する。
グリッド１２０の詳細な構造、製法及び効果などは、図３２ないし図３４で説明した実施形態と同じであるので省略する。
図示していないが、反射膜３４０の上面に１／４波長位相差層２１０を形成し、１／４波長位相差層２１０上に有機発光素子３００を形成し、この有機発光素子３００上に線形偏光層２２０を形成してもよい。
図５２は、本発明のさらに他の実施形態によるＰＭ方式の背面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。図５２の有機発光表示装置は、基板２００の上面に線形偏光層２２０及び１／４波長位相差層２１０が順次に形成されたものであって、この１／４波長位相差層２１０上に有機発光素子３００が形成される。線形偏光層２２０の詳細な構造は、図５２のＵの拡大図である図５３に詳細に示されている。線形偏光層２２０は、複数個のグリッド１２０を備える。グリッド１２０は、１／４波長位相差層２１０と基板２００との間に形成される。グリッド１２０は、厚さ方向に濃度勾配を有する第１成分１２０ａ及び第２成分１２０ｂを含む。第１成分１２０ａは、誘電物質で形成し、第２成分１２０ｂは、金属で形成する。第１成分１２０ａは、グリッド１２０の中心方向から１／４波長位相差層２１０の方向及び基板２００の方向へ行くほど含量が増加し、第２成分１２０ｂは、グリッド１２０の中心方向に近くなるほど含量が増加する。すなわち、グリッド１２０は、グリッド１２０の中心方向から１／４波長位相差層２１０の方向及び基板２００の方向へ行くほど、不透明な金属から誘電物質に漸進的に変化する。
したがって、屈折率差により発生する界面反射を抑制して、基板２００の方向から外光がグリッド１２０に入射された時に外光を吸収して外光の反射を防止する。
また、基板２００の方向から入射した外光の一部は、基板２００を透過して有機発光表示装置の内部に入って有機発光表示装置の金属膜などで反射して、再び１／４波長位相差層２１０の方向から基板２００の方向に放出されてコントラストを低下させることがある。このとき、グリッド１２０は、１／４波長位相差層２１０の方向へ行くほど誘電物質に変わる構造であるので、グリッド１２０で外光を吸収して反射を抑制できる。結果的に、コントラストを向上させる。グリッド１２０の詳細な構造、製法及び効果などは、図３２ないし図３４で説明した実施形態と同じであるので省略する。
１／４波長位相差層２１０上には、第１電極３１０が所定のストライプパターンで形成されており、第１電極３１０上にそれを区画するように内部絶縁膜３５０が形成されている。そして、内部絶縁膜３５０上には、有機発光層３２０及び第２電極３３０のパターニングのために、第１電極３１０に直交するように形成されたセパレータ３６０が形成されている。このセパレータ３６０により、有機発光層３２０及び第２電極３３０は、第１電極３１０に交差するようにパターニングされる。第２電極３３０上には、密封部材（図示せず）を含んで有機発光素子３００を外気から遮断する。場合によって、セパレータ３６０なしに有機発光層３２０及び第２電極３３０をパターニングすることもできる。
図５２による実施形態の場合にも、前述した実施形態のように、基板２００上に線形偏光層２２０及び１／４波長位相差層２１０が順次に積層されているため、図５３で見る時に基板２００の下部方向から流入された外光の反射をこの線形偏光層２２０と１／４波長位相差層２１０とが遮断でき、全体的にディスプレイが薄くなりうる。また、屈折率差により発生する界面反射を抑制して、外光がグリッド１２０に入射された時に外光を吸収して外光の反射を防止する。
図示していないが、かかるＰＭ方式の背面発光型の有機発光表示装置においても、図３７及び図３９のような構造がそのまま適用されうるということはいうまでもない。
図５４は、本発明のさらに他の実施形態によるＡＭ方式の背面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。
図５４に示すように、基板２００の上面に薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。この薄膜トランジスタＴＦＴは、各画素別に少なくとも一つずつ形成されるが、有機発光素子３００に電気的に連結される。
具体的に、基板２００上に線形偏光層２２０及び１／４波長位相差層２１０を順次に形成する。線形偏光層２２０の構造は、図５４のＶの拡大図である図５５に詳細に示されている。図５５の構造は、図３６と同じであるので、詳細な説明は省略する。
１／４波長位相差層２１０上にバッファ層４１０が形成され、バッファ層４１０上に所定パターンの半導体層４２０が形成される。半導体層４２０の上部には、ＳｉＯ２，ＳｉＮｘなどで形成されるゲート絶縁膜４３０が形成され、ゲート絶縁膜４３０の上部の所定領域には、ゲート電極４４０が形成される。ゲート電極４４０は、ＴＦＴオン／オフ信号を印加するゲートライン（図示せず）と連結されている。ゲート電極４４０の上部には、層間絶縁膜４５０が形成され、コンタクトホールを通じてソース電極４６０及びドレイン電極４７０がそれぞれ半導体層４２０のソース及びドレイン領域に接するように形成される。このように形成された薄膜トランジスタＴＦＴは、パッシべーション膜４８０で覆われて保護される。
パッシべーション膜４８０の上部には、アノード電極となる第１電極３１０が形成され、それを覆うように絶縁物で画素定義膜４９０が形成される。この画素定義膜４９０に所定の開口を形成した後、この開口で限定された領域内に有機発光層３２０を形成する。そして、全体の画素をいずれも覆うように第２電極３３０が形成される。
ＡＭ型構造においても、基板２００上に線形偏光層２２０及び１／４波長位相差層２１０が順次に積層されているため、図５５で見る時に基板２００の下部方向から流入された外光の反射をこの線形偏光層２２０と１／４波長位相差層２１０とが遮断できる。また、屈折率差により発生する界面反射を抑制する。
かかるＡＭ方式の背面発光型の有機発光表示装置において、前記線形偏光層２２０及び１／４波長位相差層２１０は、線形偏光層２２０が外光に向かう方向に配置され、１／４波長位相差層２１０が有機発光素子３００に向かう方向に配置される限り、基板２００、薄膜トランジスタＴＦＴ及び有機発光素子３００によりなるいかなる面に成膜されてもよい。すなわち、図示していないが、図３７及び図３９のように、基板２００の一面及び／または他面に１／４波長位相差層２１０、線形偏光層２２０を成膜した後に、その上に薄膜トランジスタＴＦＴ、有機発光素子３００を形成することもでき、１／４波長位相差層２１０及び／または線形偏光層２２０を薄膜トランジスタＴＦＴの各層に形成される界面の間に配置させることもできる。
図５４のパッシべーション膜４８０を形成せず、その役割を線形偏光層２２０及び１／４波長位相差層２１０が代りうる。図５６に示すように、薄膜トランジスタＴＦＴの上部に別途のパッシべーション膜４８０を有機物及び／または無機物で形成せず、線形偏光層２２０と１／４波長位相差層２１０とが順次に層間絶縁膜４５０上に形成されてパッシべーション膜４８０の代わりになっている。以下、その他の詳細な構造と効果は、前述した通りであるので省略する。
図５７は、本発明のさらに他の実施形態によるＰＭ方式の前面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。
基板２００の上面に反射膜３４０が形成され、この反射膜３４０の上面に１／４波長位相差層２１０及び線形偏光層２２０が順次に形成され、線形偏光層２２０上に有機発光素子３００が形成される。
線形偏光層２２０の構造は、図５７のＷの拡大図である図５８に詳細に示されている。図５８に示す構造は、図５１と同じであるので、詳細な説明は省略する。
線形偏光層２２０上に第１電極３１０が所定のストライプパターンで形成されており、第１電極３１０上にそれを区画するように内部絶縁膜３５０が形成されている。そして、内部絶縁膜３５０上には、有機発光層３２０及び第２電極３３０のパターニングのために、第１電極３１０に直交するように形成されたセパレータ３６０が形成されている。セパレータ３６０により、有機発光層３２０及び第２電極３３０は、第１電極３１０に交差するようにパターニングされる。第２電極３３０上には、密封部材（図示せず）が形成されて有機発光素子３００を外気から遮断する。場合によって、セパレータ３６０なしに有機発光層３２０及び第２電極３３０をパターニングすることもできる。
この実施形態でも、外部から流入される外光が反射されずにコントラストが向上し、全体的にディスプレイが薄くなりうる。詳細な構造と効果についての説明は、前述した通りであるので省略する。
図示していないが、かかるＰＭ方式の前面発光型の有機発光表示装置においても、図４１ないし図４９のような構造がそのまま適用されうるということはいうまでもない。
図５９は、本発明のさらに他の実施形態によるＡＭ方式の前面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。
図５９に示すように、基板２００の上面に薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。この薄膜トランジスタＴＦＴは、各画素別に少なくとも一つずつ形成されるが、有機発光素子３００に電気的に連結される。薄膜トランジスタＴＦＴの構造については、前述した図５４と同じであるので、詳細な説明は省略する。
薄膜トランジスタＴＦＴ上には、薄膜トランジスタＴＦＴを覆うようにパッシべーション膜４８０が形成されており、このパッシべーション膜４８０上に反射膜３４０が形成される。そして、反射膜３４０上にアノード電極となる第１電極３１０が形成され、それを覆うように絶縁物で画素定義膜４９０が形成される。画素定義膜４９０に所定の開口を形成した後、この開口で限定された領域内に有機発光層３２０を形成する。そして、全体の画素をいずれも覆うように第２電極３３０が形成される。
図５９による実施形態においては、密封部材５００の両面のうち、有機発光素子３００に向かう一面に順次に線形偏光層２２０及び１／４波長位相差層２１０を形成する。線形偏光層２２０の構造は、図５９のＸの拡大図である図６０に詳細に示されている。図６０に示す構造は、図４４と同じであるので、詳細な説明は省略する。
図５９での上部方向である密封部材５００の上側から入射される外光の反射を線形偏光層２２０と１／４波長位相差層２１０とが遮断できる。また、グリッド１２０は、屈折率差により発生する界面反射を抑制して外光を吸収する。結果的に、外光の反射を防止してコントラストを向上させる。図示していないが、かかるＡＭ方式の前面発光型の有機発光表示装置においても、図４１ないし図５１のような構造がそのまま適用されうるということはいうまでもない。
前述したような本発明は、有機発光表示装置にのみ限定されるものではなく、発光素子として無機発光素子やＬＣＤ、電子放出装置などを使用するその他の平板表示装置にもいずれも適用可能である。
図面に示した実施形態を参考にして説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想により決まらねばならない。
本発明は、ディスプレイ関連の技術分野に適用可能である。
本発明の一実施形態による偏光子を示す概略的な斜視図である。 図１のII−II線の部分断面図である。 図２のグリッド厚さ別の第１成分及び第２成分の含量を比較して簡略に示すグラフである。 本発明の一実施形態による偏光子の変形例を示す部分断面図である。 図４のグリッド厚さ別の第１成分及び第２成分の含量を比較して簡略に示すグラフである。 本発明の一実施形態による背面発光型の有機発光表示装置の例を示す概略的な断面図である。 図６の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明の一実施形態による背面発光型の有機発光表示装置の他の例を示す概略的な断面図である。 図８の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明の一実施形態による背面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す概略的な断面図である。 図１０の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置の例を示す概略的な断面図である。 図１２の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置の他の例を示す概略的な断面図である。 図１４の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す概略的な断面図である。 図１６の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す概略的な断面図である。 図１８の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 図１８の前面発光型の有機発光表示装置の変形例を示す概略的な断面図である。 本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す概略的な断面図である。 図２１の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるＰＭ方式の背面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。 図２３の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるＡＭ方式の背面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。 図２５の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるＡＭ方式の背面発光型の有機発光表示装置の他の例を示す概略的な断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるＰＭ方式の前面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。 図２８の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるＡＭ方式の前面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。 図３０の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明の他の実施形態による偏光子を示す概略的な斜視図である。 図３２のXXXIII−XXXIII線の部分断面図である。 図３３のグリッド厚さ別の第１成分及び第２成分の含量を比較して簡略に示すグラフである。 本発明の他の実施形態による背面発光型の有機発光表示装置の例を示す概略的な断面図である。 図３５の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明の他の実施形態による背面発光型の有機発光表示装置の他の例を示す概略的な断面図である。 図３７の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明の他の実施形態による背面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す概略的な断面図である。 図３９の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置の例を示す概略的な断面図である。 図４１の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置の他の例を示す概略的な断面図である。 図４３の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す概略的な断面図である。 図４５の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す概略的な断面図である。 図４７の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 図４７の前面発光型の有機発光表示装置の変形例を示す概略的な断面図である。 本発明の他の実施形態による前面発光型の有機発光表示装置のさらに他の例を示す概略的な断面図である。 図５０の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるＰＭ方式の背面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。 図５２の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるＡＭ方式の背面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。 図５４の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるＡＭ方式の背面発光型の有機発光表示装置の他の例を示す概略的な断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるＰＭ方式の前面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。 図５７の線形偏光層を拡大して示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるＡＭ方式の前面発光型の有機発光表示装置の一例を示す概略的な断面図である。 図５９の線形偏光層を拡大して示す断面図である。
符号の説明
１０，１５，１００ 偏光子
１１，１１０ ベース
１２，１３，１２０ グリッド
１２ａ，１３ａ，１２０ａ 第１成分
１２ｂ，１３ｂ，１２０ｂ 第２成分
２０，２００ 基板
２１，２１０ １／４波長位相差層
２２，２２０ 線形偏光層
３０，３００ 有機発光素子
３１，３１０ 第１電極
３２，３２０ 有機発光層
３３，３３０ 第２電極
３４，３４０ 反射膜
３５，３５０ 内部絶縁膜
３６，３６０ セパレータ
４０，４００ 保護層
４１，４１０ バッファ層
４２，４２０ 半導体層
４３，４３０ ゲート絶縁膜
４４，４４０ ゲート電極
４５，４５０ 層間絶縁膜
４６，４６０ ソース電極
４７，４７０ ドレイン電極
４８，４８０ パッシべーション膜
４９，４９０ 画素定義膜
５０，５００ 密封部材

Claims (34)

  1. ベースと、
    前記ベース上に形成され、第１成分及び第２成分を備える複数のグリッドと、を備え、
    前記第１成分及び前記第２成分は、前記グリッドの厚さ方向に濃度勾配を有し、前記第１成分は、誘電物質を含み、前記第２成分は、金属を含み、前記第１成分は、外光が入射される方向に近くなるほど含量が増加し、前記第２成分は、外光が入射される方向から遠くなるほど含量が増加することを特徴とする偏光子。
  2. 前記第１成分は、ＳｉＯｘ（ｘ≧１），ＳｉＮｘ（ｘ≧１），ＭｇＦ２，ＣａＦ２，Ａｌ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３からなる群から選択されたいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の偏光子。
  3. 前記第２成分は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｗ，Ｔａ，Ｃｕ及びＰｔからなる群から選択されたいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の偏光子。
  4. 前記グリッドは、所定の間隔で離隔されてストライプ状にパターニングされたことを特徴とする請求項１に記載の偏光子。
  5. 基板と、
    前記基板上に形成されて画像を具現する有機発光素子と、
    前記有機発光素子上に形成される密封部材と、
    前記基板、有機発光素子及び密封部材により形成される面のうち一面に形成された１／４波長位相差層と、
    前記基板、有機発光素子、密封部材及び１／４波長位相差層により形成される面のうち他の面に形成され、前記１／４波長位相差層より前記画像が具現される方向に近く位置する線形偏光層と、を備え、
    前記線形偏光層は、第１成分及び第２成分を備える複数のグリッドを備え、前記第１成分及び前記第２成分は、前記グリッドの厚さ方向に濃度勾配を有し、前記第１成分は、誘電物質を含み、前記第２成分は、金属を含み、前記第１成分は、外光が入射される方向に近くなるほど含量が増加し、前記第２成分は、外光が入射される方向から遠くなるほど含量が増加することを特徴とする有機発光表示装置。
  6. 前記画像が前記基板の方向に具現され、
    前記線形偏光層は、前記基板上に形成され、前記１／４波長位相差層は、前記線形偏光層上に形成され、前記有機発光素子は、前記１／４波長位相差層上に形成されることを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
  7. 前記画像が前記基板の方向に具現され、
    前記１／４波長位相差層は、前記基板上に形成され、前記有機発光素子は、前記１／４波長位相差層上に形成され、前記線形偏光層は、前記基板の両面のうち、前記１／４波長位相差層が形成された面の反対面に形成されたことを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
  8. 前記画像が前記基板の方向に具現され、
    前記１／４波長位相差層及び線形偏光層は、前記基板の両面のうち、前記有機発光素子が形成される面の反対面に順次に形成されることを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
  9. 前記画像が前記密封部材の方向に具現され、
    前記１／４波長位相差層は、前記有機発光素子上に形成され、前記線形偏光層は、前記１／４波長位相差層上に形成されることを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
  10. 前記有機発光素子と前記１／４波長位相差層との間に保護層をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
  11. 前記画像が前記密封部材の方向に具現され、
    前記１／４波長位相差層及び線形偏光層は、前記密封部材の両面のうち、前記有機発光素子が形成される面の反対面に順次に形成されることを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
  12. 前記画像が前記密封部材の方向に具現され、
    前記１／４波長位相差層は、前記密封部材の前記有機発光素子に向かう面に形成され、前記線形偏光層は、前記密封部材の前記両面のうち、前記１／４波長位相差層が形成された面の反対面に形成されたことを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
  13. 前記画像が前記密封部材の方向に具現され、
    前記線形偏光層は、前記密封部材の前記有機発光素子に向かう面に形成され、前記１／４波長位相差層は、前記線形偏光層の前記有機発光素子に向かう面に形成されたことを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
  14. 前記画像が前記密封部材の方向に具現され、
    前記基板と前記有機発光素子との間に介在された反射膜をさらに備え、前記１／４波長位相差層は、前記反射膜と前記有機発光素子との間に形成され、前記線形偏光層は、前記有機発光素子上に形成されることを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
  15. 前記第１成分は、ＳｉＯｘ（ｘ≧１），ＳｉＮｘ（ｘ≧１），ＭｇＦ２，ＣａＦ２，Ａｌ２Ｏ３及びＳｎＯ２からなる群から選択されたいずれか一つを含むことを特徴とする請求項５ないし１４のうちいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
  16. 前記第２成分は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｗ，Ｔａ，Ｃｕ及びＰｔからなる群から選択されたいずれか一つを含むことを特徴とする請求項５ないし１４のうちいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
  17. 前記グリッドは、所定の間隔で離隔されてストライプ状にパターニングされたことを特徴とする請求項５ないし１４のうちいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
  18. ベースと、
    前記ベース上に一定なパターンを有するように形成され、誘電物質を含む第１成分及び金属を含む第２成分を備える複数のグリッドと、を備え、
    前記第１成分及び前記第２成分は、前記グリッドの厚さ方向に濃度勾配を有し、前記第１成分は、前記グリッドの厚さ方向を基準として前記グリッドの両端方向へ行くほど含量が増加し、前記第２成分は、前記グリッドの厚さ方向を基準として前記グリッドの中心方向へ行くほど含量が増加することを特徴とする偏光子。
  19. 前記第１成分は、ＳｉＯｘ（ｘ≧１），ＳｉＮｘ（ｘ≧１），ＭｇＦ２，ＣａＦ２，Ａｌ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３からなる群から選択されたいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１８に記載の偏光子。
  20. 前記第２成分は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｗ，Ｔａ，Ｃｕ及びＰｔからなる群から選択されたいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１８に記載の偏光子。
  21. 前記グリッドは、所定の間隔で離隔されてストライプ状にパターニングされたことを特徴とする請求項１８に記載の偏光子。
  22. 基板と、
    前記基板上に形成されて画像を具現する有機発光素子と、
    前記有機発光素子上に形成される密封部材と、
    前記基板、有機発光素子及び密封部材により形成される面のうち一面に形成された１／４波長位相差層と、
    前記基板、有機発光素子、密封部材及び１／４波長位相差層により形成される面のうち他の面に形成され、前記１／４波長位相差層より前記画像が具現される方向に近く位置する線形偏光層と、を備え、
    前記線形偏光層は、誘電物質を含む第１成分及び金属を含む第２成分を備える複数のグリッドを備え、前記第１成分及び前記第２成分は、前記グリッドの厚さ方向に濃度勾配を有し、前記第１成分は、前記グリッドの厚さ方向を基準として前記グリッドの両端方向へ行くほど含量が増加し、前記第２成分は、前記グリッドの厚さ方向を基準として前記グリッドの中心方向へ行くほど含量が増加することを特徴とする有機発光表示装置。
  23. 前記画像が前記基板の方向に具現され、
    前記線形偏光層は、前記基板上に形成され、前記１／４波長位相差層は、前記線形偏光層上に形成され、前記有機発光素子は、前記１／４波長位相差層上に形成されることを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置。
  24. 前記画像が前記基板の方向に具現され、
    前記１／４波長位相差層は、前記基板上に形成され、前記有機発光素子は、前記１／４波長位相差層上に形成され、前記線形偏光層は、前記基板の両面のうち、前記１／４波長位相差層が形成された面の反対面に形成されたことを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置。
  25. 前記画像が前記基板の方向に具現され、
    前記１／４波長位相差層及び線形偏光層は、前記基板の両面のうち、前記有機発光素子が形成される面の反対面に順次に形成されることを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置。
  26. 前記画像が前記密封部材の方向に具現され、
    前記１／４波長位相差層は、前記有機発光素子上に形成され、前記線形偏光層は、前記１／４波長位相差層上に形成されることを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置。
  27. 前記有機発光素子と前記１／４波長位相差層との間に保護層をさらに備えることを特徴とする請求項２６に記載の有機発光表示装置。
  28. 前記画像が前記密封部材の方向に具現され、
    前記１／４波長位相差層及び線形偏光層は、前記密封部材の両面のうち、前記有機発光素子が形成される面の反対面に順次に形成されることを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置。
  29. 前記画像が前記密封部材の方向に具現され、
    前記１／４波長位相差層は、前記密封部材の前記有機発光素子に向かう面に形成され、前記線形偏光層は、前記密封部材の前記両面のうち、前記１／４波長位相差層が形成された面の反対面に形成されたことを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置。
  30. 前記画像が前記密封部材の方向に具現され、
    前記線形偏光層は、前記密封部材の前記有機発光素子に向かう面に形成され、前記１／４波長位相差層は、前記線形偏光層の前記有機発光素子に向かう面に形成されたことを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置。
  31. 前記画像が前記密封部材の方向に具現され、
    前記基板と前記有機発光素子との間に介在された反射膜をさらに備え、前記１／４波長位相差層は、前記反射膜と前記有機発光素子との間に形成され、前記線形偏光層は、前記有機発光素子上に形成されることを特徴とする請求項２２に記載の有機発光表示装置。
  32. 前記第１成分は、ＳｉＯｘ（ｘ≧１），ＳｉＮｘ（ｘ≧１），ＭｇＦ２，ＣａＦ２，Ａｌ２Ｏ３及びＳｎＯ２からなる群から選択されたいずれか一つを含むことを特徴とする請求項２２ないし３１のうちいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
  33. 前記第２成分は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｗ，Ｔａ，Ｃｕ及びＰｔからなる群から選択されたいずれか一つを含むことを特徴とする請求項２２ないし３１のうちいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
  34. 前記グリッドは、所定の間隔で離隔されてストライプ状にパターニングされたことを特徴とする請求項２２ないし３１のうちいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
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