JP2009175767A - 電子ブック - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の表示部から第1の表示面を読んで、次のページ、両面表示型パネルをめくり始めた時に、ある角度で第1の表示面及び第2の表示部は次のページの表示を行い、また、第2の表示面及び第2の表示部を使い終わり、両面表示型パネルをめくり始めると、ある角度で第1の表示面及び第1の表示部が次のページを表示する。これにより、画面の切り替わりを目に見えないようにし、視覚的な違和感等を抑えることが可能となる。より違和感を低減するために、可撓性基板に両面出射型パネルを設けるとよい。
【選択図】図10
Description
ブマトリクス状に配置され、当該発光素子からの発光が両面へ行われる表示装置に関する
。
いる。(例えば、特許文献1参照)。これは、表示部に形成される電極に外光が反射して
画像の視認性が低下するためである。特に、表示していない状態では、電極が鏡面となり
、背景が映り込んでしまう。また表示を行っている状態でも、コントラストが低下したり
、黒色が表示しにくくなる問題がある。
2波長板として機能させたり、1/2波長の位相差を与えるフィルムと、1/4波長の位
相差を与えるものとを積層して、全体として1/4波長板として機能させたりする積層さ
せた波長板、及びそれらを有する円偏光板に関するものがある(例えば、特許文献2参照
)。
携帯用電話機は、情報量や機能の増加に伴い、EL素子を有するパネルと液晶素子を有す
るパネルとを重ね合わせたり、液晶素子を有するパネル同士を重ね合わせたりして、主画
面と、副画面とが表示できるようになってきた。
子機器が重く、厚くなってしまった。
ることを課題とする。このような新たな構成の表示装置の課題を解決する。
置と表記する)を提供する。両面出射型表示装置は、携帯用電話機で、発光素子を有する
表示部をそれぞれ重ねて2画面表示を行っている構成とは技術的に異なり、一つの発光素
子からの発光を、半導体素子が設けられている側と、それに対向する側から認識すること
ができる。従って、両面出射型表示装置を搭載した電子機器の厚みを薄くすることができ
、軽量化を達成できる。
にして設けられる両電極は透光性を有する必要がある。すると、上述のような電極による
外光反射の問題は低減されるが、黒色の表示(黒表示)が困難であるという新たな問題が
発生する。これは、両電極が透光性を有するため、黒表示、つまり表示を行わないオフの
状態では向こう側が透けるためである。黒表示が困難となることに伴って、コントラスト
も低減されてしまう。
きれいな黒表示を行うことができ、コントラストの高い両面出射型表示装置を提供するこ
とを課題とする。
ることを特徴とする。さらに、偏光板が有する透過軸、又は透過軸に対して90度をなす
吸収軸(以下、透過軸又は吸収軸を光軸と表記する)は、90度をなし、さらに透過軸同
士、又は吸収軸同士はずれ角(以下、両ずれ角のいずれも光軸のずれ角と表記する)を有
してもよく、ずれ角は、±45度以下、好ましくは±30度以下、さらに好ましくは±1
0度以下、さらに好ましくは、±5度以下の許容範囲となる特徴とする。このような偏光
板を用いると、非発光状態となる黒表示をきれいに行うことができ、コントラストを高め
ることができる。
板の吸収軸でみると、偏光板Aの吸収軸Aと、偏光板Bの吸収軸Bとが90度をなす状態
をクロスニコル状態という。なお、偏光板Aの透過軸と、偏光板Bの透過軸とが90度を
なす状態もクロスニコル状態となる。
光板Aの透過軸と、偏光板Bの透過軸とが平行となる状態もパラレルニコル状態となる。
、クロスニコル状態となる90度からの吸収軸のずれ、パラレルニコル状態の場合では、
吸収軸Aと、吸収軸Bとが平行となる状態(0度)からの吸収軸のずれを指す。なお透過
軸を用いても同様である。またずれ角は、ずれる方向(ずらす回転方向)によりプラスと
、マイナスの値をとりうる。
することを特徴とする。偏光板と、円偏光板とを組み合わせて配置しても構わない。
射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。また偏光板
、又は円偏光板に加熱処理を施すアンチリフレクション処理を施してもよい。その後さら
に、外部衝撃から保護するためハードコート処理を施すとよい。
いう新たな構成での、黒表示の問題を解決することができる。それに伴い、コントラスト
を向上することができる。
向する側から認識することができる。従って、両面出射型表示装置を搭載した電子機器の
厚みを薄くすることができ、軽量化を達成できる。そして本発明は、両面出射型表示装置
での黒表示が困難である点を課題とし、偏光板、又は円偏光板を用いることにより、きれ
いな黒表示を行い、コントラストを高めることができる。黒表示がきれいな両面出射型表
示装置により、新たな用途や市場を提供することができる。
ための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その
繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、両面出射型表示装置に偏光板、又は円偏光板を設ける場合について
説明する。
00に、第1の偏光板101が配置され、第2の偏光板102は第1の偏光板と光軸が9
0度をなすクロスニコル状態で配置される。
45度以下、好ましくは±30度以下、さらに好ましくは±10度以下、さらに好ましく
は±5度以下とする。実施例2より、クロスニコル状態からのずれ角が±45度以下であ
ると、パラレルニコル状態の透過光と比較して、5割の透過光をカットしている。また、
ずれ角が±10度以下の場合9割以上の透過光をカットしており、ずれ角±5度以下の場
合透過光は9.9割以上の透過光をカットしており、実用的である。
04とが設けられており、駆動回路部104はフレキシブルプリント基板(FPC)、異
方導電性フィルム(ACF)等を介して外部回路105と接続している。外部回路105
は、電源回路やコントローラ等を有している。このような両面出射型表示装置は、図1(
B)に示すように、発光素子が設けられたパネルに対して両面(第1の表示面及び第2の
表示面)に発光する。
わけのフルカラーであってもよい。例えば、白色発光材料を用いる場合、カラーフィルタ
ーやカラーフィルターと色変換層を用いて、また青色発光材料を用いる場合、色変換層を
用いてフルカラー表示やエリアカラー表示を行うことができる。
は、多結晶シリコン膜を有する薄膜トランジスタ(TFT)を用いる例で説明するが、非
晶質シリコン膜を有する薄膜トランジスタ、単結晶を有するMOS型トランジスタを用い
てもよい。また、駆動用TFTの極性をpチャネル型の場合で説明するが、nチャネル型
でもよいことは言うまでもない。
純物元素を半導体膜に添加して形成されたソース領域及びドレイン領域となる不純物領域
を有する。半導体膜には、レーザ照射や加熱、更にはNi等の金属元素を用いた結晶化処
理が行われている。半導体膜のチャネル形成領域上には、ゲート絶縁膜を介してゲート電
極が設けられている。ゲート電極と同じレイアウトで走査線(図示しない)が設けられる
。ゲート電極を覆うように第1の絶縁膜が設けられており、第1の絶縁膜には不純物領域
上にコンタクトホールが開口される。コンタクトホールに形成される配線は、ソース配線
及びドレイン配線として機能し、同じレイアウトで信号線(図示しない)が設けられる。
ドレイン電極と電気的に接続するように、第1の電極111が設けられる。そして、第1
の電極111を覆うように第2の絶縁膜が設けられ、第1の電極上に開口部を形
成する。開口部には、有機化合物を有する層(以下、有機化合物層(EL層)と表記する
)112が設けられ、有機化合物層や第2の絶縁膜を覆うように第2の電極113が設け
られる。
送層)、EML(発光層)、ETL(電子輸送層)、EIL(電子注入層)の順に積層さ
れている。代表的には、HILとしてCuPc、HTLとしてα−NPD、ETLとして
BCP、EILとしてBCP:Liをそれぞれ用いる。
)、青色(B)の発光を示す材料を、それぞれ蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインク
ジェット法などによって適宜、選択的に形成すればよい。具体的には、HILとしてCu
PcやPEDOT、HTLとしてα−NPD、ETLとしてBCPやAlq3、EILと
してBCP:LiやCaF2をそれぞれ用いる。また例えばEMLは、R、G、Bのそれ
ぞれの発光色に対応したドーパント(Rの場合DCM等、Gの場合DMQD等)をドープ
したAlq3を用いればよい。なお、上記有機化合物層の積層構造に限定されない。
する場合、例えば、CuPcを30nm形成し、α-NPDを60nm形成した後、同一
のマスクを用いて、赤色の発光層としてDCM2及びルブレンが添加されたAlq3を40
nm形成し、電子輸送層としてBCPを40nm形成し、電子注入層としてLiが添加さ
れたBCPを1nm形成する。また、緑色の発光を示す有機化合物層112を形成する場
合、例えば、CuPcを30nm形成し、α―NPDを60nm成膜した後、同一の蒸着
マスクを用いて、緑色の発光層としてクマリン545Tが添加されたAlq3を40nm
形成し、電子輸送層としてBCPを40nm形成し、電子注入層としてLiが添加された
BCPを1nm形成する。また、青色の発光を示す有機化合物層112を形成する場合
、例えば、CuPcを30nm形成し、α-NPDを60nm形成した後、同一のマスク
を用いて発光層としてビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛
:Zn(PBO)2を10nm形成し、電子輸送層としてBCPを40nm成膜し、電子注
入層としてLiが添加されたBCPを1nm形成する。
に形成することができる。またマスクは、各色で共有して使用することもでき、例えば、
赤色の有機化合物層を形成後、マスクをずらして、緑色の有機化合物層、再度マスクをず
らして青色の有機化合物層を形成することができる。形成する各色の有機化合物層の順序
は適宜設定すればよい。
途設けることによってフルカラー表示を行ってもよい。カラーフィルターや色変換層は、
第2の基板に設けた後、張り合わせればよい。また、下方に発光する白色光に対するカラ
ーフィルターや色変換層は、ドレイン配線(またはソース配線)を形成後、絶縁膜を介し
て形成することができる。また一方の表示面をフルカラーとし、他方の面をモノカラーと
する両面出射型表示装置も可能である。
し、水分や酸素の侵入を防止する。このとき形成される空間には、窒素を封入し、さらに
乾燥剤を配置してもよい。さらに第1の電極、第2の電極、その他の電極により、表示部
の側面を覆ってもよい。その後、封止基板を張り合わせ、基板及び封止基板のそれぞれ第
1の偏光板115a、第2の偏光板115bを設ける。
極113が透光性を有している。その結果、発光層からの光が有機化合物層112に対し
て第1の電極111へ出射される第1の表示面、及び第2の電極113へ射出される第2
の表示面となる。すなわち発光素子からの発光は、駆動用TFTが形成される基板側と、
それと対向する封止基板側とへ出射する(光の出射方向を示す矢印参照)。
配置することにより、発光し、表示を行っている部分以外は、黒表示となりどちらの側か
ら見ても背景が透けて見えることがない。すなわち本発明により両面出射型表示装置にお
いて、偏光板を用いることできれいな黒表示を行うことができ、コントラストが向上する
。以下に示す実施例1で、円偏光板と比較して、偏光板の顕著な効果を表す実験結果を示
す。
なお円偏光板の光軸は遅相軸と、進相軸とがあるが本実施の形態では遅相軸を用い、また
偏光板の光軸は、吸収軸を用いて説明する。例えば、第1の偏光板115aと第1の波長
板116aとを重ね、第2の偏光板115bと第2の波長板116bとを重ねて、それぞ
れ第1及び第2の円偏光板として設ける。第1及び第2の波長板は、1/4λ波長板の組
み合わせ、1/2λ波長板の組み合わせ、又はそれらを積層した波長板の組み合わせのい
ずれでもよい。
板に1/4λ波長板と1/2λ波長板を積層した組み合わせ、又は1/4λ波長板を用い
た組み合わせが好ましいことがわかる。
1の1/4λ波長板の遅相軸(第1の遅相軸)、及び第2の偏光板の吸収軸(第2の吸収
軸)と第2の1/4λ波長板の遅相軸(第2の遅相軸)とがそれぞれ45度をなし、第1
及び第2の吸収軸同士は平行、すなわちパラレルニコル状態とし、且つ第1及び第2の遅
相軸同士は平行となるようにする(図11(A)参照)。また第1及び第2の吸収軸同士
は垂直、すなわちクロスニコル状態とし、且つ第1及び第2の遅相軸同士は垂直となるよ
うに配置してもよい。つまり、第1の吸収軸に対して第1の遅相軸は45度をなし、当該
第1の遅相軸から第2の1/4λ波長板の遅相軸が90度をなし、且つ偏光板の吸収軸は
クロスニコル状態となっている。このとき第1の遅相軸と、第2の遅相軸とは、90度を
なし
、第2の吸収軸に対して第2の遅相軸は135度をなしている(図11(B)参照)。こ
れらの構成の場合、偏光板、1/4λ波長板、パネル(発光素子)、1/4λ波長板、偏
光板の順に設ける。
第2の吸収軸)と、第1及び第2の1/2λ波長板の遅相軸(第1及び第2の1/2λの
遅相軸)とがそれぞれ17.5度をなし、第1及び第2の吸収軸と、第1及び第2の1/
4λ波長板の遅相軸(第1及び第2の1/2λの遅相軸)とがそれぞれ80度をなし、第
1及び第2の吸収軸同士は平行、すなわちパラレルニコル状態とし、且つ第1及び第2の
1/2λ波長板の遅相軸同士、及び第1及び第2の1/4λ波長板の遅相軸同士は平行と
なるようにする(図12参照)。また図11(B)と同様に、第1の1/4λ波長板の遅
相軸と、第2の1/4λ波長板の遅相軸とは、90度をなしてもよい。これらの構成の場
合、偏光板、1/2λ波長板、1/4λ波長板、パネル(発光素子)、1/4λ波長板、
1/
2λ波長板、偏光板の順に設ける。
る。そのため、発光素子の電極、及び配線等からの反射、つまり外光の映り込みが問題と
なるときは、上記のように円偏光板を設けるとよい。
それらを組み合わせて設けることができる。その結果、きれいな黒表示を行え、コントラ
ストが向上する。さらに、円偏光板を設けることにより反射光を防止することができる。
本実施の形態では、図1と異なる両面出射型表示装置の構成であって、円偏光板、又は
偏光板を備える場合について説明する。
電極側からであり、第2の領域では第1の電極側からである。そのため、一画素に複数の
発光素子と、複数の駆動用TFTを有し、第1の発光素子と電気的に接続する第1の電極
は非透光性を有し、それに対向する第2の電極は透光性を有する。第2の発光素子と電気
的に接続する第1の電極は透光性を有し、それに対向する第2の電極は非透光性を有する
。非透光性を有するために、透光性を有する電極上に、金属や有色な樹脂を有する膜を形
成してもよい。
しかし、特に非透光性を有する電極に反射性の高い金属材料を用いると、外光の映り込み
が問題となってしまう。そのため偏光板ではなく、円偏光板を設けるとよい。円偏光板が
有する波長板としては、1/4λ波長板、1/2λ波長板、又はそれらを積層して用いる
ことができる。また第1の領域側と第2の領域側に設けられる円偏光板において、波長板
を異ならせてもよい。
01、第1の駆動用TFT201に接続され、非透光性材料を有する第1の電極203、
を有し、第2の領域には、第2の駆動用TFT202、第2の駆動用TFT202に接続
され、透光性材料を有する第2の電極204、を有する。
られ、発光層上に第3の電極206が設けられ、さらに第2の領域では第3の電極206
上に非透光性材料を有する膜207が設けられている。非透光性を有する第1の電極20
3や、第2の電極204上に設けられる膜207には、アルミニウム、チタン等金属材料
を用い、透光性を有する第2の電極204や、第3の電極206はITO等の材料を用い
ることができる。特に、半導体膜と接続する第2の電極204は、チタンを含む第1の金
属層と、窒化チタンまたは窒化タングステンを含む第2の金属層と、アルミニウムを含む
第3の金属層と、窒化チタンを含む第4の金属層とが積層したものを用いるとよい。
し、水分や酸素の侵入を防止する。このとき形成される空間には、窒素を封入し、さらに
乾燥剤を配置してもよい。さらに第1の電極、第2の電極、その他の電極により、表示部
の側面を覆ってもよい。その後、封止基板を張り合わせ、第1の偏光板208aと第1の
波長板209aを重ね、第2の偏光板208bと第2の波長板209bを重ねて、それぞ
れ第1及び第2の円偏光板としてを設ける。
又はそれらを積層した波長板の組み合わせのいずれを用いてもよい。なお円偏光板の光軸
は遅相軸と、進相軸とがあるが本実施の形態では遅相軸を用い、また偏光板の光軸は、吸
収軸を用いて説明する。
第1及び第2の偏光板の吸収軸(第1及び第2の吸収軸)と、第1及び第2の1/4λ波
長板の遅相軸(第1及び第2の遅相軸)とはそれぞれ45度をなすように配置し、第1の
円偏光板が有する第1の偏光板と、第2の円偏光板が有する第2の偏光板とはパラレルニ
コル状態、すなわち第1の偏光板の吸収軸と、第2の偏光板の吸収軸とが平行(0度)と
し、且つ第1及び第2の遅相軸同士が平行となるように配置するとよい。本実施の形態に
おいて、図11(A)(B)に示した円偏光板の構成を組み合わせてもよく、詳しい構成
は、図11(A)(B)を参照ればよい。また本実施の形態において、図12に示した、
第1及び第2の波長板にそれぞれ1/4λ波長板、及び1/2λ波長板を用いた円偏光板
の構成を組み合わせてもよい。
2の円偏光板の波長板には1/2λ波長板と1/4λ波長板とを重ねて用いることができ
る。第1の1/2λ波長板の遅相軸は第1の偏光板の吸収軸(第1の吸収軸)と17.5
度をなし、第1の1/4λ波長板の遅相軸は第1の偏光板の吸収軸と2×(17.5)+
45=80度をなすように配置するとよい。このとき第2の円偏光板についても、第2の
1/4λ波長板の遅相軸は第2の偏光板の吸収軸(第2の吸収軸)と80度をなすように
配置するとよい。そして第1の円偏光板が有する第1の偏光板の吸収軸と、第2の円偏光
板が有する第2の偏光板の吸収軸とは215度をなすように配置するとよい。
0度以下、さらに好ましくは±10度以下、さらに好ましくは±5度以下とする。
、有機化合物層205から発光する。このとき、金属材料を有する第1の電極203は光
を反射し、第2の電極206は光を透過するため、第1の領域では第3の電極方向に光が
出射され、第2の領域では第2の電極方向に光が出射される。
り、第1の発光素子と第2の発光素子で駆動用TFTを共有することができる。また本実
施の形態において、実施の形態1に記載の有機化合物層を用いることができる。
bを設ける構成を示す。第2の領域での非透光性を有する第3の電極の面積と、第1の領
域での非透光性を有する第1の電極の面積と大きさや、第1の領域での表示と、第2の領
域での表示の用途を考慮して、偏光板を設ければよい。
(回路では発光素子として記載する)205がそれぞれ配置するように記載するが、断面
図から明らかなように発光層は第1の領域、及び第2の領域で共有することができる。
れぞれ接続され、走査線303に接続されるスイッチング用TFT304、及び305を
有する。スイッチング用TFT304、305に容量素子306a、306bを介してそ
れぞれ接続される電流供給線302a、及び302bを有する。容量素子306a、30
6bはそれぞれ駆動用TFT201、202のゲート・ソース間電圧を保持する機能を有
する。しかしながら、駆動用TFT201、202のゲート容量等により代用可能な場合
は、容量素子306a、306bを設けなくても構わない。駆動用TFT201、202
は、それぞれ第1の電極を介して発光素子205に接続されている。
で表示する場合は、第2の領域をオフとすることができる。さらに第1の領域と、第2の
領域とで、異なる表示を行うことができる。
、第2の信号線301bからそれぞれの表示のビデオ信号が入力される。そして容量素子
306a、306bに所定の電荷が保持され、駆動用TFT201、202がオンとなる
と、発光素子へ電流が供給され発光する。
されないように、信号線から入力される電圧が相対的に0となる電圧を、電流供給線30
2aに入力すればよい。
線301a、301bがそれぞれ接続している回路図を示すが、走査線をそれぞれのスイ
ッチング用TFTに配置することにより、信号線を共有することができる。
が同様の表示を行うことになる。
回路としてもよい。
205への電流の供給を制御する電流制御用TFT308、309を有する。
用TFT307、310にはディプリーション型TFT、駆動用TFT307、310以
外のTFTは、通常のエンハンスメント型TFTとする。また、駆動用TFT307、3
10を飽和領域、電流制御用TFT308、309を線形領域で動作させる。また、駆動
用TFT307、310のL(ゲート長)をW(ゲート幅)より長く、電流制御用TFT
308、309のLをWと同じか、それより短くてもよい。より望ましくは、駆動用TF
T307、310のWに対するLの比が5以上にするとよい。
、その動作を書き込み期間、保持期間とに分けて説明することができる。まず書き込み期
間において走査線303bが選択されると、ゲートが接続されているスイッチング用TF
T304、305がオンとなる。そして、信号線301a、301bに入力されたビデオ
信号が、スイッチング用TFT304、305を介して電流制御用TFT308、309
のゲートに入力される。なお、駆動用TFT307、310はゲートが電流供給線302
a、302bに接続されているため、常にオン状態である。
02a、302bを介して、発光素子205に電流が流れる。このとき電流制御用TFT
308、309は線形領域で動作しているため、発光素子205に流れる電流は、飽和領
域で動作する駆動用TFT307、310と発光素子205の電圧電流特性によって決ま
る。そして発光素子205は、供給される電流に見合った高さの輝度で発光する。
子205への電流の供給は行なわれず、発光しない。なお本発明では、駆動用TFT30
7、310がディプリーション型であっても、電流制御用TFT308、309がエンハ
ンスメント型なので、発光素子205に電流が供給されないように制御することができる
。
305とオフし、書き込み期間において書き込まれたビデオ信号の電位を保持する。書き
込み期間において電流制御用TFT308、309をオンにした場合、ビデオ信号の電位
は容量素子306a、306bによって保持されているので、発光素子205への電流の
供給は維持されている。逆に、書き込み期間において電流制御用TFT308、309を
オフとした場合、ビデオ信号の電位は容量素子306a、306bによって保持されてい
るので、発光素子205への電流の供給は行なわれていない。
去用走査線303aにより消去期間を設けることができ、高階調表示に好ましい。
の画素回路を示す。駆動用TFT307、310のゲート電極が新たに配置された走査線
303cに接続された以外は、図3(B)に示す構成と同じであるため、詳しい説明は省
略する。
いるスイッチング用TFT304、305がオンとなる。そして、信号線301a、30
1bに入力されたビデオ信号が、スイッチング用TFT304、305を介して電流制御
用TFT308、309のゲートに入力される。同時に、ビデオ信号の電位は容量素子3
06a、306bによって保持される。
が接続されている駆動用TFT307、310がオンとなる。このとき容量素子306a
、306bによって保持されたビデオ信号の電位により、電流制御用TFT308、30
9がオンとなる場合は、電流供給線302a、302bを介して電流が発光素子205に
供給される。このとき電流制御用TFT308、309は線形領域で動作しているため、
発光素子205に流れる電流は、飽和領域で動作する駆動用TFT307、310と発光
素子205の電圧電流特性によって決まる。そして発光素子205は、供給される電流に
見合った高さの輝度で発光する。
御用TFT308、309がオフとなる場合は、発光素子205への電流の供給は行なわ
れず、発光素子205は発光しない。
する。これにより、発光素子205への電流の供給は行なわれない。
去用走査線303aにより消去期間を設けることができ、高階調表示に好ましい。
な黒表示を行うことができ、さらに反射光も防止することができる。その結果、コントラ
ストを高めることができる。
本発明の両面出射型表示装置は、一つの表示部として用いることも可能であるが、本実
施の形態では、電子機器の表示部と合わせて両面出射型表示装置(両面表示型パネル)を
用いる場合を説明する。特に、プラスチック基板等の可撓性基板に両面出射型表示装置(
両面表示型パネル)を設けた場合、筐体の厚さを抑えたり、フレキシビリティを高めるこ
とが可能となる。
に、両面表示型パネル1003を配置した例を図9(A)に示す。折りたたみ型の携帯電
話機は、第1の筐体1001、第2の筐体1002、両面表示型パネル1003を有し、
第1の筐体1001は、音声出力部1004、第1の表示部1005等を有し、第2の筐
体1002は、操作ボタン1006、音声入力部1007等を有し、両面表示型パネル1
003は、第1の表示面1008、及び第2の表示面1011を有する。本発明の携帯電
話機は、第1の筐体1001と第2の筐体1002の間に、両面表示型パネル1003を
挟んだ構成となる。
には、両面表示型パネル1003の第1の表示面1008、つまり1面のみ表示面として
用いる。このとき両面出射型パネルには、実施の形態1又は2に記載の両面出射型表示装
置を用いることができ、本実施の形態では偏光板1101を配置する。第1の表示部10
05は、発光素子又は液晶素子を有する表示パネルを用いることができ、本実施の形態で
は発光素子を有する表示パネルに円偏光板1102を配置する。
た時には、両面表示型パネル1003の第2の表示面と第1の表示部1005、つまり2
面を表示面として用いることができる。またさらに、両面出射型パネルをデータ入力部と
して用いることもでき、このときタッチペン1103を用いて入力することができる。
1の筐体4105は第1の表示部4101を有し、第2の筐体4106は操作ボタン41
04等を有し、両面表示型パネル4103は第1の表示面4102、及び第2の表示面を
有し、両面表示型パネル4103は第1の筐体4105と第2の筐体4106の間に挟ま
れている。
重ね、第1の表示面4102を用いる。また、大画面が必要な時には両面表示型パネルを
第2の筐体に重ね、第2の表示面、及び第1の表示部4101及びを用いる2面表示させ
る。
4205は第1の表示部4201を有し、第2の筐体4206は操作ボタン4204等を
有し、両面表示型パネル4203は第1の表示面4202、及び第2の表示面を有し、両
面表示型パネル4203は第1の筐体4205と第2の筐体4206の間に挟まれている
。
ね、第1の表示面4202を用いる。また、大画面が必要な時には両面表示型パネルを第
2の筐体に重ね、第2の表示面、及び第1の表示部4201を用いる2面表示させる。
筐体4305は第1の表示部4301を有し、第2の筐体4306は操作ボタン4304
及び第2の表示部4307を有し、両面表示型パネル4303は、第1の表示面、及び第
2の表示面4302を有し、両面表示型パネル4303は、第1の筐体と第2の筐体の間
に挿入されている。
4301及び第2の表示面4302で文章を読み、第2の表示部4307及び第1の表示
面で図を参照するのは便利である。このとき、両面表示型パネル4303は、第1の表示
面と第2の表示面4302を同時に表示することはできないため、ページをめくり始めた
ときに、第1の表示面の表示から第2の表示面の表示に切り替わるものとする。
ルをめくり始めた時に、ある角度で第1の表示面及び第2の表示部は次のページの表示を
行い、また、第2の表示面4302及び第2の表示部4307を使い終わり、両面表示型
パネルをめくり始めると、ある角度で第1の表示面及び第1の表示部4301が次のペー
ジを表示する。これにより、画面の切り替わりを目に見えないようにし、視覚的な違和感
等を抑えることが可能となる。より違和感を低減するために、可撓性基板に両面出射型パ
ネルを設けるとよい。
偏光板および波長板の組み合わせによる透過率の評価を行った。本実験のリファレンスは
空気である。
長の位相差を与えるものを使用)の配置条件は以下のとおりである。配置条件は光源から
の順であり、()内は偏光板の吸収軸と波長板の遅相軸とのなす角度を示している。
(1)偏光板A+偏光板B
(2)偏光板A+λ/4波長板(45度)+λ/4波長板(45度)+偏光板B
(3)偏光板A+λ/2波長板(45度)+λ/2波長板(45度)+偏光板B
(4)偏光板A+λ/4波長板(80度)+λ/4波長板(80度)+λ/2板(17.
5度)+偏光板B
条件(3)、(4)では波長板の位相の合計が1λとなっている。
A(受光装置)52との間に、λ/4板の遅相軸が、偏光板の吸収軸に対して45度をな
すように(図5(B)参照)、偏光板(Pol)53、λ/4板54を配置している。
び規格値(最小値/最大値)の値を示す。()内は偏光板Bに対する偏光板Aの角度を示
す。
わかる。また波長板の組み合わせでは条件(4)の黒レベルがもっとも良いが、偏光板の
みと比べると黒レベルが低いことがわかる。また条件(3)のλ/2板の2枚使用は本実
験においてもっとも黒レベルが悪かった。
成分が楕円偏光等になり、直線成分からズレた分が漏れ光となるためと考えられる(指定
波長においても入射角度等により楕円成分が形成される)。条件(3)と条件(4)が透
過光で見た場合のλ条件となる。条件(3)のλ/2板の連結構成では、より大きな位相
差を制御する必要があるため前記楕円成分が大きくなり、漏れ光も増大してしまう。条件
(4)のλ/2板、λ/4板の組み合わせでは、広帯域化条件を適用することにより上記
の楕円偏光成分は条件(2)のλ/4板の連結構成時の半分、条件(3)の1/4程度に
抑えられる。しかし、楕円成分は抑えきれず偏光板のみの場合と比較すると、黒が浮くこ
と結果となった。
光板のみの組み合わせが黒レベルを沈め、コントラストを改善するために有効と考えられ
る。
てもよいことは上述の通りである。
験のリファレンスは空気である。以下に結果を示す。
し、そこから偏光板Aの光軸の角度をずらしていったときの透過光と、ずれ角の結果を示
す。また輝度は、クロスニコル状態を1として規格化している。偏光板の光軸は吸収軸と
する。
ましくは輝度が3割程度低下する±30度以下、さらに好ましくは輝度が9.9割程度低
下する±10度以下、さらに好ましくは±5度以下が許容範囲と考えられる。
るパネルを用いていない。そのため、発光素子の発光輝度が高ければ許容できるずれ角の
許容範囲は大きくなり、コントラストが十分とれると考えられる。
偏光板、又は各種円偏光板を用いて反射光を測定する実験を行った。
(1)ガラス基板+金属膜
(2)ガラス基板+金属膜+偏光板
(3)ガラス基板+金属膜+λ/4波長板(45度)+偏光板
(4)ガラス基板+金属膜+λ/4波長板(80度)+λ/2波長板(17.5度)+偏
光板
(5)ガラス基板+金属膜+λ/4波長板(45度)+λ/2波長板(45度)+偏光板
(6)ガラス基板+金属膜+λ/2波長板(45度)+偏光板
本実験のリファレンスは空気であり、金属膜はスパッタリング法によりAl−Ti膜を
1000Å成膜した。
源61を入射し、反射光測定装置BM5A(受光装置)62を試料に対して垂直に配置し
、反射光(cd/m)を測定した。
ある。
光を400〜80nmの範囲で測定した。その結果を図8に示す。
。特に、試料(3)、(4)では、広い範囲において低反射率を得ることができ、好まし
い。また、表3と比較すると、偏光板、又は波長板を設ける場合、かなり反射光を防止で
きることがわかる。
Claims (1)
- 両面表示パネルを複数有することを特徴とする表示装置。
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