JP2011146387A - 有機発光表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光効率を向上させた両面発光型有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態によると、有機発光表示装置は、基板本体と、前記基板本体上に形成される第１半透過電極と、前記第１半透過電極上に形成される有機発光層と、前記有機発光層上に形成される第２半透過電極と、前記有機発光層に面する前記第１半透過電極の反対面および前記有機発光層に面する前記第２半透過電極の反対面の少なくとも１つに配置される反射型偏光フィルム（ＤＢＥＦ）と、を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は有機発光表示装置；ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ（ＯＬＥＤ）ｄｉｓｐｌａｙに関し、より詳しくは、両面発光型有機発光表示装置に関する。

有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）は、光を放出する有機発光素子を含む、画像を表示する自発発光型表示装置である。有機発光層の内部で電子と正孔が結合して生成する励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が、励起状態から基底状態に落ちる際に発生するエネルギーによって光が発生し、この光を利用して有機発光表示装置は画像を表示する。

有機発光表示装置が明るい場所で使用される場合、外光の反射によって黒色の色彩表現およびそのコントラストが不良になる問題点があった。このような問題点を解決するために、外光の反射を抑制するように偏光板と位相遅延板が有機発光素子の上に備えられた（例えば、特許文献１を参照）。しかし、偏光板と位相遅延板を用いる場合、外光が偏光板および位相遅延板を経て外部に放出される時に、有機発光層で発生する光の多くが失われる問題があった。

前記有機発光表示装置は、外部の光源を利用しない自発発光型であるため、両面に同時に画像を表示することができる。しかし、従来の偏光板と位相遅延板を両面発光型有機発光表示装置に用いる場合、有機発光層で発生した光の損失がさらに大きくなる。

そこで、上記問題点を解決するために、本発明者らは鋭意研究の結果、微細共振効果を利用することで、光効率が向上することを見出し、本発明を開発するに至った。

韓国公開特許第１０−２００５−００１８４０１号公報

本発明の目的は、光効率を向上させた両面発光型有機発光表示装置を提供することにある。

本発明の典型的な実施形態によると、有機発光表示装置は、基板本体と、前記基板本体上に形成される第１半透過電極と、前記第１半透過電極上に形成される有機発光層と、前記有機発光層上に形成される第２半透過電極と、前記有機発光層に面する前記第１半透過電極の反対面および前記有機発光層に面する前記第２半透過電極の反対面の少なくとも１つに配置された反射型偏光フィルム（ｄｕａｌ ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｆｉｌｍ、ＤＢＥＦ）と、を含む。

第１半透過電極および第２半透過電極は、透明な導電性物質および半透過性金属の少なくとも１つを含んでいてもよい。

前記透明な導電性物質は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、および酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）からなる群から選択される少なくとも１つを含みうる。

前記第１半透過電極および前記第２半透過電極のうちの前記有機発光層に正孔を注入する電極は、前記透明な導電性物質を含んでいてもよい。

前記半透過性金属は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）、およびアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択される少なくとも１つの金属、またはこれらのアロイで作製されうる。

前記半透過性金属は、５〜５０ｎｍの厚さを有しうる。

前記反射型偏光フィルムは、偏光軸と平行（同一）である光は通過させ、偏光軸と平行（同一）でない光は反射させうる。

有機発光表示装置は、基板本体に面して配置され、第１半透過電極、有機発光層、および第２半透過電極を覆う封止部材をさらに含んでいてもよい。

有機発光層で発生した光は、画像を表示するために、基板本体の方向および封止部材の方向のうちの一方向に放出されうる。

反射型偏光フィルムは第２半透過電極の上に配置されうる。

有機発光表示装置は、封止部材に接着した偏光板をさらに含んでいてもよく、前記偏光板は反射型偏光フィルムと平行の偏光軸を有しうる。

反射型偏光フィルムは、第１半透過電極の下に配置されうる。

有機発光表示装置は、基板本体に接着した偏光板をさらに含んでいてもよく、前記偏光板は反射型偏光フィルムと平行の偏光軸を有しうる。

本発明の典型的な実施形態によれば、有機発光表示装置は両面に画像を表示しながらも、光効率を向上させうる。

図１は、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の部分断面図である。 図２は、図１における有機発光素子の拡大断面図である。 図３は、図１における有機発光表示装置の画素回路の配置図である。 図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。 図５は、本発明の第２実施形態による有機発光表示装置の部分断面図である。

典型的な実施形態が示される添付の図面を参照して、本発明を以下に詳細に説明する。当業者に理解されうるように、記載されている実施形態は、そのすべてが本発明の思想または範囲を逸脱することなく、様々な異なる方法で修飾されうる。

明細書の全体にわたって、同等の参照符号を同等の構成要素に付ける。第１実施形態を除く様々な実施形態のうちの典型的な実施形態において、構成要素は第１実施形態で説明されるものとは異なる。

また、図面における各構成成分の大きさおよび厚さは、説明の便宜のために任意に示したものであり、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。

図面では、層、膜、パネル、領域等を明確に表現するために厚さを拡大して示した。また、図面では、理解を深めるため、および説明の便宜のためにいくつかの層および領域の厚さを極端に示した。層、膜、領域、基板などの構成要素が、他の構成要素の「上」にあるという時、これは他の構成成分上に直接ある場合だけでなく、介在する構成成分が存在していてもよい。

以下、図１〜図４を参照して、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０１について説明する。

図１に示すように、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０１は、基板本体１１１、駆動回路部（ＤＣ）、有機発光素子７０、反射型偏光フィルム（ＤＢＥＦ）３０１、および封止部材２１０を含む。また、有機発光表示装置１０１は偏光板４０１をさらに含む。

基板本体１１１は、ガラス、石英、またはセラミックで作製される透明な絶縁性基板、またはプラスチックで作製される透明なフレキシブル基板で形成されうる。

駆動回路部（ＤＣ）は前記基板本体１１１上に形成される。前記駆動回路部（ＤＣ）は、薄膜トランジスタ１０および２０、並びにコンデンサ８０を含み（図３を参照）、有機発光素子７０を駆動する。つまり、有機発光素子７０は、駆動回路部（ＤＣ）からの駆動伝達信号による光の放出によって画像を表示する。

有機発光素子７０は、第１半透過電極７１０、有機発光層７２０、および第２半透過電極７３０を含む。本発明の第１実施形態による前記有機発光表示装置１０１は両面発光型有機発光表示装置である。つまり、図１における矢印に示したように、有機発光素子７０で発生した光は、基板本体１１１および封止部材２１０を経て外部に放出される。

前記第１半透過電極７１０および前記第２半透過電極７３０は、透明な導電性物質および半透過性金属の少なくとも１つを含む。

前記透明な導電性物質は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、および酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）からなる群から選択される少なくとも１つを含む。

前記半透過性金属は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）、およびアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択される少なくとも１つの金属、またはこれらのアロイで作製されうる。

前記半透過性金属は５〜５０ｎｍの厚さを有する。半透過性金属は厚さによって光の透過率および反射率が変わる。さらに詳細には、半透過性金属の厚さが薄くなるほど光の透過率は高くなり、厚さが厚くなるほど光の透過率は低くなる。半透過性金属の厚さを５０ｎｍ以下とすると、光の透過率が過度に低くならない点で好ましく、半透過性金属の厚さが５ｎｍ以上とすると、電気特性が良好となる点で好ましい。

本発明の第１実施形態において、第１半透過電極７１０は正孔注入電極のアノードであり、第２半透過電極７３０は電子注入電極のカソードである。

図２に示すように、第１半透過電極７１０は、半透過性金属で作製された半透過層７１１および透明な導電性物質で作製された透明層７１２を含む。また、第２半透過電極７３０は半透過性金属で作製される。

半透過性金属で作製された第１半透過電極７１０の半透過層７１１および第２半透過電極７３０は、相対的に低い仕事関数を有する。したがって、電子注入電極である第２半透過電極７３０は、効率的に電子注入を行うことができる。一方、正孔注入電極である第１半透過電極７１０は、効率的な正孔注入をほとんど行うことができない。そのため、第１半透過電極７１０が効率的な正孔注入を行えるように、半透過層７１１と有機発光層７２０との間に、相対的に高い仕事関数を有する透明層７１２が配置される。

しかし、本発明の第１実施形態は上述の記載に限定されない。つまり、第１半透過電極７１０が電子注入電極であるカソード電極となり、第２半透過電極７３０が正孔注入電極であるアノードとなることも可能である。この場合、第１半透過電極７１０および第２半透過電極７３０の構造は交換されうる。

有機発光層７２０は、発光層７２１、並びに正孔注入層（ＨＩＬ）７２４、正孔輸送層（ＨＴＬ）７２２、電子輸送層（ＥＴＬ）７２３、および電子注入層（ＥＩＬ）７２５の少なくとも１つを含む、多層構造を有する。発光層７２１を除く他の層（７２２、７２３、７２４、７２５）は、必要に応じて省略させてもよい。有機発光層７２０が上述の層７２１、７２２、７２３、７２４および７２５のすべてを含む場合、正孔注入層（ＨＩＬ）７２４が正孔注入電極である透明層７１２上に配置され、正孔輸送層（ＨＴＬ）７２２、発光層７２１、電子輸送層（ＥＴＬ）７２３、および電子注入層（ＥＩＬ）７２５が順次積層される。なお、前記有機発光層７２０を構成しうる各層は、公知のものが用いられうる。また、有機発光層７２０は必要に応じて他の層をさらに含んでいてもよい。

第１半透過電極７１０と第２半透過電極７３０との間に有機発光層７２０が配置されるため、有機発光表示装置１０１は微細共振（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）効果を利用して、光の利用効率、つまり、光の輝度を向上させうる。有機発光素子７０の第１半透過電極７１０と第２半透過電極７３０との間の距離を調節することによって、前記微細共振効果は極大化されうる。また、微細共振効果を極大化させるための第１半透過電極７１０と第２半透過電極７３０との間の距離は、有機発光素子７０から放出される光の色によって変化する。

前記２つの電極７１０と７３０との間の距離は、赤色系の光を放出する有機発光素子７０において最も大きくなり、青色系の光を放出する有機発光素子７０において最も小さくなる。

そのため、有機発光素子７０中の放出する光の色によって異なる厚さを有する共振層（図示せず）を配置することによって、電力対輝度効率を効果的に向上させうる。つまり、赤色系の光を放出する有機発光素子７０に最も厚い共振層を配置させ、青色系の光を放出する有機発光素子７０に最も薄い共振層を配置させうる。最も薄い共振層は省略させてもよい。前記共振層の厚さを適宜変更させることで、好適な微細共振効果が得られうる。

このため、図１の第１実施形態による有機発光表示装置において、赤色系の光を放出する有機発光素子７０は相対的に厚く、青色系の光を放出する有機発光素子７０は相対的に薄く示されている。なお、図１において、Ｒ、ＧおよびＢは、それぞれ赤色系、緑色系および青色系を示している。

前記共振層の厚さを変更させる方法として、有機発光層７２０における正孔注入層（ＨＩＬ）７２４、正孔輸送層（ＨＴＬ）７２２、電子輸送層（ＥＴＬ）７２３、および電子注入層（ＥＩＬ）７２５の少なくとも１つを共振層として使用されるように厚く形成させる方法が挙げられる。また、有機発光素子７０の第１半透過電極７１０における透明層７１２を厚く形成し、共振層として使用してもよい。さらに、第１および第２半透過電極である７１０および７３０の間に、個別に共振層を形成させてもよい。この際、前記個別に形成される共振層の材料は、前記正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）などと同様に公知のものが用いられうる。

反射型偏光フィルム３０１は第２半透過電極７３０の上に形成される。前記反射型偏光フィルム３０１は、偏光軸と平行である光は通過させ、偏光軸と平行でない光は反射させる。そのため、反射型偏光フィルム３０１を通過した光は、反射型偏光フィルム３０１の偏光軸方向に直線偏光される。

前記反射型偏光フィルム３０１は、当業者に公知の多様な方法を用いて製造されうる。例えば、反射型偏光フィルム３０１は、ポリマーとナノワイヤとの混合物、またはコレステリック液晶およびネマチック液晶を用いて作製されうる。

封止部材２１０は、有機発光素子７０および駆動回路部（ＤＣ）を覆うように基板本体１１１上に設置されうる。図示はしないが、封止部材２１０の境界に沿って形成された封止部材により、基板本体１１１および封止部材２１０は互いに真空気密様式で接着される。封止部材２１０は、ガラス、石英、セラミック、およびプラスチックなどで作製された透明な絶縁性基板で形成されうる。

しかし、本発明の第１実施形態は上述の記載に限定されない。つまり、封止部材２１０は、透明な絶縁性有機層および無機層が積層された封止薄膜構造の少なくとも１つを有していてもよい。

偏光板４０１は封止部材２１０に接着する。この場合、偏光板４０１の偏光軸は反射型偏光フィルム３０１の偏光軸と同じ様式で配列される。さらに、図１において、偏光板４１０は封止部材２１０上に接着されたが、第１実施形態はこれに限定されない。そのため、偏光板４１０は、封止部材２１０の反射型偏光フィルム３０１に接する面、つまり、封止部材２１０の下に接着されてもよい。また、偏光板４１０は、反射型偏光フィルム３０１上に配置されてもよく、必要に応じて省略させてもよい。

有機発光表示装置１０１は、少なくとも一部の第１半透過電極７１０を露出する開口部１９５を有する画素定義膜１９０をさらに含む。

以上のような構成により、第１実施形態による有機発光表示装置１０１は、両面に画像を表示しながらも、光効率を向上させうる。

また、前記有機発光表示装置１０１は、外光の反射を抑制して視認性を向上させ、有機発光素子７０から外部に放出される光の損失を最少化させうる。

以下、図２を参照にして、本発明の第１実施形態による反射型偏光フィルム３０１を含む両面発光型有機発光表示装置１０１の作用効果についてさらに詳細に説明する。

図２に示すように、発光層７２１で発生した光の一部は、第１および第２半透過電極である７１０および７３０を通過し、光の他の一部は第１および第２半透過電極である７１０および７３０との間で反射を繰り返して共振する。このような微細共振効果により、有機発光表示装置１０１は光効率を向上させうる。

第２半透過電極７３０を通過した光は、反射型偏光フィルム３０１を一部は通過し、一部は反射する。さらに詳細には、反射型偏光フィルム３０１の偏光軸と位相が平行である光は通過し、位相が平行でない光は反射する。反射型偏光フィルム３０１で反射した光は、さらに第２半透過電極７３０、第１半透過電極である７１０を経て反対方向に放出され、または第１半透過電極７１０と第２半透過電極７３０との間で反射する。したがって、反射型偏光フィルム３０１の存在によって反射率が高くなるため、微細共振効果は極大化される。

以上のように、第１実施形態による有機発光表示装置１０１は、一方向に直線偏光された光を放出し、他方向には直線偏光の成分を含む光を放出する。

また、図１に示すように、反射型偏光フィルム３０１上に偏光板４０１を配置することによって、外光の反射を減少しうる。偏光板４０１は、偏光軸と平行の光は通過させ、平行でない光は吸収するため、有機発光層７２０に向かう大量の外光が偏光板４０１を通過する際に吸収される。一方、有機発光層７２０で発生して偏光板４０１を通過する光は、偏光板４０１の偏光軸と同一である反射型偏光フィルム３０１を最初に通るので、光の損失を最少化されうる。

以下、図３および図４を参照して、有機発光表示装置１０１の内部構造についてより詳細に説明する。図３は画素構造の配置図であり、図４は図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。ここで、画素は、有機発光表示装置１０１が画像を表示する最小単位である。

また、図３および図４において、２つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０および２０、並びに１つのコンデンサ８０を備える２Ｔｒ−１Ｃａｐ構造有するアクティブマトリクス（ＡＭ）型有機発光表示装置１０１が説明されているが、本発明はこれに限定されない。つまり、有機発光表示装置１０１は、それぞれの画素に３以上の薄膜トランジスタおよび２以上のコンデンサを備えていてもよく、別途の配線を含む他の多様な構造であってもよい。ここで、画像を表示する最小単位を画素と呼び、画素は各画素領域に配置される。有機発光表示装置１０１は多数の画素によって画像を表示する。

図３および図４に示すように、有機発光表示装置１０１は、それぞれの画素に形成されるスイッチング薄膜トランジスタ１０、駆動薄膜トランジスタ２０、コンデンサ８０、および有機発光素子（ＯＬＥＤ）７０を含む。ここで、スイッチング薄膜トランジスタ１０、駆動薄膜トランジスタ２０、およびコンデンサ８０を含む構成を駆動回路部（ＤＣ）と呼ぶ。有機発光表示装置１０１は、一方向に配置されるゲートライン１５１、および前記ゲートライン１５１と絶縁様式で交差するデータライン１７１、および共通電源ライン１７２をさらに含む。

１つの画素は、ゲートライン１５１、データライン１７１、および共通電源ライン１７２を境界として定義されるが、これに限定されない。

上述したように、有機発光素子７０は、第１半透過電極７１０、前記第１半透過電極７１０上に形成された有機発光層７２０、および前記有機発光層７２０上に形成された第２半透過電極７３０を含む。第１半透過電極７１０および第２半透過電極７３０から正孔および電子が有機発光層７２０中に注入される。注入された正孔と電子とが結合して生成する励起子が励起状態から基底状態に落ちる際に発光が起こる。

コンデンサ８０は、一対の蓄電板１５８および１７８を含み、これらの間に層間絶縁層１６０を有する。ここで、層間絶縁層１６０は誘電体である。コンデンサ８０で蓄電された電荷並びに２つの蓄電板１５８および１７８間の電圧によって蓄電容量が決まる。

スイッチング薄膜トランジスタ１０は、スイッチング半導体層１３１、スイッチングゲート電極１５２、スイッチングソース電極１７３、およびスイッチングドレイン電極１７４を含む。駆動薄膜トランジスタ２０は、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６、および駆動ドレイン電極１７７を含む。

前記スイッチング薄膜トランジスタ１０は、発光用画素を選択するスイッチとして用いられる。前記スイッチングゲート電極１５２はゲートライン１５１に接続される。前記スイッチングソース電極１７３はデータライン１７１に接続される。前記スイッチングドレイン電極１７４は、スイッチングソース電極１７３から離隔配置され、蓄電板１５８に接続される。

前記駆動薄膜トランジスタ２０は、選択された画素内の有機発光素子７０の有機発光層７２０における発光用画素電極７１０に駆動電源を印加する。駆動ゲート電極１５５は、スイッチングドレイン電極１７４と接続された蓄電板１５８と接続される。駆動ソース電極１７６および蓄電板１７８はそれぞれ共通電源ライン１７２と接続される。駆動ドレイン電極１７７はコンタクトホールを通じて有機発光素子７０の画素電極７１０と接続される。

このような構造により、スイッチング薄膜トランジスタ１０は、ゲートライン１５１に印加されるゲート電圧によって駆動され、前記ゲート電圧は、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスタ２０に伝達する。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスタ２０に印加される共通電圧およびスイッチング薄膜トランジスタ１０から伝達されたデータ電圧の差に相当する電圧がコンデンサ８０に貯蔵され、前記コンデンサ８０に貯蔵された電圧に対応する電流が、駆動薄膜トランジスタ２０を通じて、有機発光素子７０が発光するように有機発光素子７０に流れる。

また、有機発光素子７０で発生した光の利用効率は、反射型偏光フィルム３０１によって効果的に向上する。

以下、図５を参照して、第２実施形態による有機発光表示装置１０２について説明する。

図５に示すように、第２実施形態による有機発光表示装置１０２において、反射型偏光フィルム３０２は、第１半透過電極７１０の下に配置される。偏光板４０２は基板本体１１１に接着される。反射型偏光フィルム３０２の偏向軸と偏光板４０２の偏向軸とは、互いに平行である。

以上のような構成により、第２実施形態による有機発光表示装置１０２は、両面に画像を表示しながらも、光効率を向上させうる。

また、外光の反射を抑制して視認性を向上させ、有機発光素子７０から外部に放出される光の損失を最少化させうる。

第２実施形態による反射型偏光フィルム３０２を含む両面発光型有機発光表示装置１０２の作用効果は、第１実施形態と実質的に同一である。

以下、第１実施形態による実施例と比較例は、表１を参照にして比較される。

実施例および比較例は、反射型偏光フィルム３０１の有無を除いて、同一の構成を有する。なお、本実施例で用いた前記反射型偏光フィルムは、ＮＢＦ−ＴＦＴＥＧＡＧ１５０（日東電工株式会社製）、ＮＢＦ−ＴＦ．ＴＥＱＨＣＡＲＳ（日東電工株式会社製）、およびＮＢＦ−ＴＦ．ＴＥＱＨＣ（日東電工株式会社製）である。さらに詳細には、第１半透過電極７１０の半透過層７１１は、厚さ１５ｎｍの銀（Ａｇ）で形成され、第１半透過電極７１０の透明層７１２は、厚さ７ｎｍのＩＴＯで形成された。また、正孔注入層（ＨＩＬ）７２４はＨＴ２１１（ＳＭＤ；三星モバイルディスプレイ社製）およびＮＤＰ９（ＮＯＶＡＬＥＤ社製）で形成され、その厚さは４０ｎｍであり、正孔輸送層（ＨＴＬ）７２２はＨＴ２１１（ＳＭＤ社製）で形成され、その厚さは６８ｎｍであり、電子輸送層（ＥＴＬ）７２３はＬＧ２０１（ＬＧ化学社製）で形成され、その厚さは３６ｎｍであり、電子注入層（ＥＩＬ）７２５は、ＬｉＱ（Ｇｒａｃｅｌ社製）で形成され、その厚さは１．５ｎｍであった。色別に、赤色系の発光層７２１は、ＧＲＨ０１６（Ｇｒａｃｅｌ社製）およびＲＤ２６（Ｇｒａｃｅｌ社製）で形成され、その厚さは４０ｎｍであり、緑色系の発光層７２１は、ＤＳＨ５２２（Ｄｏｏｓａｎ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｔｅｒｉａｌ社製）およびＧＧＤ０３（Ｇｒａｃｅｌ社製）で形成され、その厚さは２０ｎｍであり、並びに青色系の発光層７２１は、ＡＢＨ１１３（ＳＦＣ社製）およびＮＵＢＤ３７０（ＮＯＶＡＬＥＤ社製）で形成され、その厚さは２０ｎｍであった。また、赤色系の光を放出する有機発光素子７０には、ＨＴ２１１（ＳＭＤ社製）で形成され、厚さが７２ｎｍの共振層を使用し、緑色系の光を放出する有機発光素子７０には、ＨＴ２１１（ＳＭＤ社製）で形成され、厚さ４０ｎｍの共振層を使用し、青色系の光を放出する有機発光素子７０については共振層を使用しなかった。前記個別に形成された共振層は、いずれも正孔注入層に追加した。第２半透過電極７３０は、厚さ１０ｎｍのマグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａｇ）のアロイ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１（質量比））で形成された。

実施例と比較例の色別の輝度は、表１に示す通りである。

表１に示すように、第１実施形態による、反射型偏光フィルム３０１を備えた実施例は、比較例と比べて、輝度が全体的に約３０％向上した。

本発明の好ましい実施形態について、例示目的で開示されているが、当業者であれば、添付の特許請求の範囲に記載される発明の範囲および思想に逸脱することなく、様々な修飾、付加、および変更が可能である。

１０、２０ 薄膜トランジスタ、
７０ 有機発光素子、
８０ コンデンサ、
１０１、１０２ 有機発光表示装置、
１１１ 基板本体、
１３１ スイッチング半導体層、
１３２ 駆動半導体層、
１５１ ゲートライン、
１５２ スイッチングゲート電極、
１５５ 駆動ゲート電極、
１５８ 蓄電板、
１６０ 層間絶縁層、
１７１ データライン、
１７２ 共通電源ライン、
１７３ スイッチングソース電極、
１７４ スイッチドレイン電極、
１７６ 駆動ソース電極、
１７７ 駆動ドレイン電極、
１７８ 蓄電板、
１９０ 画素定義膜、
１９５ 開口部、
２１０ 封止部材、
３０１、３０２ 反射型偏光フィルム、
４０１、４０２ 偏光板、
７１０ 第１半透過電極、
７１１ 半透過層、
７１２ 透明層、
７２０ 有機発光層、
７２１ 発光層、
７２２ 正孔輸送層（ＨＴＬ）、
７２３ 電子輸送層（ＥＴＬ）、
７２４ 正孔注入層（ＨＩＬ）、
７２５ 電子注入層（ＥＩＬ）、
７３０ 第２半透過電極、
ＤＣ 駆動回路部。

Claims (13)

1. 基板本体；
   前記基板本体上に形成される第１半透過電極；
   前記第１半透過電極上に形成される有機発光層；
   前記有機発光層上に形成される第２半透過電極；並びに
   前記有機発光層に面する前記第１半透過電極面の反対面および前記有機発光層に面する前記第２半透過電極面の反対面の少なくとも１つに配置される反射型偏光フィルム（ＤＢＥＦ）を含む、有機発光表示装置。
2. 前記第１および第２半透過電極が、透明な導電性物質および半透過性金属の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
3. 前記透明な導電性物質が、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、および酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項２に記載の有機発光表示装置。
4. 前記第１半透過電極および前記第２半透過電極のうちの前記有機発光層に正孔を注入する電極は、前記透明な導電性物質を含む、請求項２または３に記載の有機発光表示装置。
5. 前記半透過性金属が、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）、およびアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択される少なくとも１つ以上の金属、またはこれらのアロイで作製される、請求項２〜４のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
6. 前記半透過性金属が５〜５０ｎｍの厚さを有する、請求項２〜５のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
7. 前記反射型偏光フィルムが、偏光軸と平行である光を通過させ、偏光軸と平行でない光を反射させる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
8. 前記基板本体上に配置され、前記第１半透過電極、前記有機発光層、および前記第２半透過電極を覆う封止部材をさらに含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
9. 前記有機発光層で発生した光が、画像を表示するために、前記基板本体の方向および前記封止部材の方向のうちの一方向に放出される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
10. 前記反射型偏光フィルムが前記第２半透過電極上に配置される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
11. 前記封止部材に接着した偏光板をさらに含み、
    前記偏光板が前記反射型偏光フィルムと平行の偏光軸を有する、請求項１０に記載の有機発光表示装置。
12. 前記反射型偏光フィルムが前記第１半透過電極の下に配置される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
13. 前記基板本体に接着した偏光板をさらに含み、
    前記偏光板が前記反射型偏光フィルムと平行の偏光軸を有する、請求項１２に記載の有機発光表示装置。

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