CN101049049A - 有机电致发光显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种不易发生由于掩模接触引起的发光不良和由于排气所导致的劣化的有机EL显示面板及其制造方法。本发明的有机EL显示面板包括:基板、形成于该基板的主面上并具有1个以上像素发光区域的第1显示电极、形成于该第1显示电极上且包含至少1层有机材料层的有机功能层、设置在该有机功能层的附近的掩模间隔物和形成于该有机功能层上的第2显示电极。该掩模间隔物是由与该有机材料层中的任何一个相同的材料构成的,并且以该基板的主面为基准,其在比该第2显示电极的位置更高的位置具有顶面。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示面板及其制造方法。
背景技术
一直以来,以具有电致发光特性的有机发光材料作为发光源的有机电致发光显示面板(以下称为有机EL显示面板)是已知的。该有机EL显示面板包括有机电致发光元件(以下称为有机EL元件)和支撑该有机EL元件的基板,其中所述有机电致发光元件是通过在第1和第2显示电极之间夹持具有发光功能的有机功能层所形成的,并且多个该有机EL元件在该基板上排列成例如矩阵状。
有机功能层包括空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层等有机材料层。该有机功能层可以设置成例如是仅仅由有机化合物材料构成且具有发光功能的发光层的单层,或者是有机空穴传输层、发光层和有机电子传输层的3层结构,或者是有机空穴传输层和发光层的双层结构,或者是在这些适当的层之间插入了电子或者空穴的注入层或载流子阻挡层的叠层体。
在该结构的有机EL元件中,如果在第1和第2显示电极之间施加电压,则空穴和电子被注入到有机功能层中,它们在发光层中重新结合而发光。
作为如上所述的有机EL显示面板的有机功能层和电极的形成方法,通常使用例如蒸镀法、溅射法、CVD法等干法工艺。当使用该成膜方法形成有机功能层和电极时,必须按照适当规定的图案对它们进行成膜,并使用具有对应于该图案的开口图案的掩模实施成膜。该掩模设置在基板和薄膜材料源之间,从而该掩模起到遮蔽薄膜材料的遮蔽部的作用。结果形成对应于掩模的开口的薄膜图案。
当使用掩模进行高精度的布图时,问题在于要防止薄膜材料流绕入到掩模的背侧。作为用于解决该问题的最简单的方法,可以考虑尽可能地减少掩模和基板之间的间隙。因此,在成膜时,必须使掩模紧贴基板。
但是,如果掩模和基板紧贴得过近,也会产生问题。即,在相对于基板完全平行地设置掩模时存在限制,并且掩模和基板具有凹凸和起伏,并不完全平坦,因此当设置在基板上的有机功能层等薄膜与掩模接触时,该薄膜发生损伤,该薄膜被污染。结果产生在显示面板上形成不发光像素等的问题。
因此,提出了设置从基板突出的隔壁,并且使该隔壁发挥作为间隔物的功能的技术(参阅特开平8-227276号公报和特开平8-315981号公报)。由于该隔壁作为基板和掩模之间的间隔物而发挥作用,因此能够防止掩模与基板上的薄膜接触。
但是,在上述技术中,隔壁是由与构成有机EL元件的材料不同的材料形成的,在形成有机EL显示面板时,必须另外实施形成隔壁的工序,制造工序复杂。
另外,由于上述隔壁释放出导致有机EL元件劣化的排气(outgas),所以如果较高地形成隔壁,则存在排气的量增加、对有机EL元件的影响增大的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供解决包括上述问题的各种问题的技术方案。
根据本发明的第1个特征的有机EL显示面板如下所述,其包括:基板、形成于该基板的主面上并具有1个以上像素发光区域的第1显示电极、形成于该第1显示电极上且包含至少1层有机材料层的有机功能层、设置在该有机功能层的附近的掩模间隔物(mask spacer)和形成于该有机功能层上的第2显示电极,其特征在于:该掩模间隔物由与该有机材料层中的任何一个相同的材料构成,并且以该基板的主面为基准,在比第2显示电极的位置更高的位置具有顶面。
根据本发明的第2个特征的有机EL显示面板的制造方法如下所述,其中所述有机EL显示面板包括:基板、形成于该基板的主面上并具有1个以上像素发光区域的第1显示电极、形成于该第1显示电极上且包含至少1层有机材料层的有机功能层、设置在该有机功能层的附近的掩模间隔物和形成于该有机功能层上的第2显示电极,所述制造方法的特征在于:其包括如下工序:在该基板的主面上形成该第1显示电极的工序、在该第1显示电极上形成该有机功能层的工序、在该有机功能层上形成该第2显示电极的工序;形成该有机功能层的工序包括形成该掩模间隔物的工序,其中所述掩模间隔物由与该有机材料层中的任何一个的材料相同的材料构成,并且以该基板的主面为基准,在比要形成该第2显示电极的位置更高的位置具有顶面。
附图说明
图1为表示本发明的有机EL显示面板的局部剖面图。
图2为表示本发明的有机EL显示面板的变形例的局部剖面图。
图3为表示本发明的有机EL显示面板的变形例的局部剖面图。
图4为表示本发明的有机EL显示面板的变形例的局部剖面图。
图5为表示本发明的有机EL显示面板的制造方法的局部剖面图。
图6为表示图5所示的有机EL显示面板的制造方法的继续部分的局部剖面图。
图7为表示本发明的有机EL显示面板的制造方法的变形例的局部剖面图。
图8为表示本发明的有机EL显示面板的制造方法的变形例的局部剖面图。
具体实施方式
下面,参照附图对本发明的有机EL显示面板及其制造方法进行详细的说明。
(实施例1)
如图1(a)所示,有机EL显示面板1具有:由玻璃或树脂等构成的基板2、设置在基板2的主面上的由铟锡氧化物(以下称为ITO)等导电性材料构成的第1显示电极3。可以按照形成条纹状等图案的方式设置第1显示电极3。
在设置在基板2上的第1显示电极3上形成有多个像素发光区域4,在像素发光区域4上分别设置有第1薄膜片5。该第1薄膜片组形成了第1功能层6。第1功能层由至少1层有机材料层构成,例如,可以设置成由空穴注入层构成。当第1功能层是由低分子材料构成时,可以使用蒸镀法等干法工艺形成第1功能层。当第1功能层是由高分子材料等可溶性或者可以分散于溶液中的有机材料构成时,可以使用喷墨法、旋涂法或印刷法等湿法工艺形成第1功能层。
在相邻的像素发光区域4之间形成了由与第1功能层6相同的材料构成的掩模间隔物7。以基板2的主面为基准,掩模间隔物7在比后述的要形成第2显示电极的位置更高的位置上具有顶面。当通过使用了掩模的成膜方法来形成后述的构成第2功能层和第2显示电极等有机EL元件的薄膜时,掩模间隔物7可以作为基板和掩模之间的间隔物。另外,掩模间隔物的剖面形状并不限于图1(a)所示的梯形,可以制成半椭圆形(图1(b))、倒梯形、垂直形状等各种形状。另外,掩模间隔物7的厚度可以大于第1功能层6在像素发光区域4的厚度。
在多个第1薄膜片5上分别设置有第2薄膜片8。该第2薄膜片组形成了第2功能层9。第2功能层9可以由至少1层有机材料层构成,例如可以由空穴输送层、发光层、电子输送层依次层叠而形成。即,第2薄膜片8例如可以由构成空穴输送层的薄膜片、构成发光层的薄膜片、构成电子输送层的薄膜片依次层叠而形成。另外,第2薄膜片8也可以包含适合发射红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的各种颜色的发光材料。另外,第1功能层也可以是RGB三色共同层。上述第1和第2功能层6、9的叠层体构成了有机功能层10。
在有机功能层10上设置有第2显示电极11。第2显示电极11可以按照例如形成与第1显示电极3正交的条纹状图案的方式来设置。第1和第2显示电极3、11交叉的部分形成了有机EL显示面板1的发光部。该结构的有机EL显示面板1可以包含用于密封第1显示电极3、有机功能层10、第2显示电极11的密封罐(图中未示出)或者密封膜(图中未示出),从而使得有机EL元件与空气隔绝。
在上述结构的有机EL显示面板中,由于掩模间隔物是使用构成有机EL元件的有机功能层的材料来形成的,所以能够抑制排气的产生。另外,通过如上所述设置掩模间隔物,能够防止成膜时有机功能层等薄膜与掩模的接触,因此能够防止由于接触导致的薄膜的损伤和污染。
另外,在有机功能层中,并不限于由与构成掩模间隔物的材料相同的材料构成的有机材料层是第1显示电极上的第1功能层的情况。例如,也可以使用与有机功能层中第2功能层相同的材料形成掩模间隔物。另外,当有机功能层是由第1、第2和第3功能层构成时,掩模间隔物也可以是由与第1和第3功能层相同的材料构成的或者是由与第2功能层相同的材料构成的。即,当有机功能层是由多个有机材料层构成时,掩模间隔物也可以是由与有机功能层中的任意1个以上的层相同的材料构成的。
另外,掩模间隔物可以与有机功能层中的至少一个有机材料层连接。例如,如图2所示,有机EL显示面板1可以如下设置:在第1显示电极3上形成有第1和第2功能层6、9,第1功能层6与掩模间隔物7连接。
另外,掩模间隔物并不限于设置在相邻的像素发光区域之间的情况,例如可以形成在有机EL显示面板的设有多个有机EL元件的显示区域的周边上。
(实施例2)
参照图3对有机EL显示面板的变形例进行说明。如图3所示,有机EL显示面板可以设置成在第1显示电极3上设置有绝缘膜12。在绝缘膜12上形成有多个窗部13,窗部13使第1显示电极3露出并划分了像素发光区域4。绝缘膜12由聚酰亚胺等有机材料或者氧化硅等无机材料构成。另外,绝缘膜也可以由润湿性差的材料构成。
在由绝缘膜12划分的像素发光区域4上分别设置有由具有空穴注入功能的有机材料等构成的第1薄膜片5,形成了第1功能层6。在绝缘膜12上设置有掩模间隔物7,掩模间隔物7是由与设置在像素发光区域4上的第1功能层6相同的材料构成的。另外,以基板2的主面为基准,掩模间隔物7在比后述的要形成第2显示电极的位置更高的位置上具有顶面。另外,掩模间隔物7的厚度可以大于第1功能层6在像素发光区域4的厚度。
在多个第1薄膜片5上分别设置有由具有发光功能等的有机材料构成的第2薄膜片8,形成了第2功能层9。第2薄膜片8也可以包含例如适合发射红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)的光的有机发光材料。上述第1功能层6和第2功能层9构成了有机功能层10。在第2薄膜片8上设置有由导电性材料构成的第2显示电极11.
在该结构的有机EL显示面板中,通过在绝缘膜上设置掩模间隔物,使得基板与掩模的间隙变得更大,因此,能够更加可靠地防止成膜时的掩模与薄膜的接触。
(实施例3)
下面针对在有机EL显示面板上设置有分隔相邻的第2显示电极的隔壁的实施例进行说明。如图4所示,在有机EL显示面板1中,在基板2的主面上设置有具有配置成例如条纹状的电极片的第1显示电极3。在第1显示电极3上设置有划分了像素发光区域4的绝缘膜12。在绝缘膜12上设有沿着从基板2的主面突出的方向伸长的多个隔壁14。隔壁14在其上部形成了沿着与基板平行的方向突出的外伸部,其剖面可以形成例如倒梯形。隔壁14也可以由树脂材料构成。另外,隔壁也可以由润湿性差的材料构成。另外,也可以省略绝缘膜12,在第1显示电极3上直接形成隔壁14。
在第1显示电极3上的多个像素发光区域4上分别设置有第1薄膜片5。该第1薄膜片组形成了第1功能层6。可以使用例如喷墨法或旋涂法等湿法工艺来形成第1薄膜片5。由与第1功能层6相同的材料构成的掩模间隔物7形成在隔壁14的上部上。以基板的主面为基准,掩模间隔物7在比后述的要形成第2显示电极的位置更高的位置上具有顶面。另外,掩模间隔物7的厚度可以大于第1功能层6在像素发光区域4的厚度。
在第1薄膜片5上设置有由具有发光功能等的有机材料构成的第2薄膜片8。该第2薄膜片组形成了第2功能层9,第1和第2功能层6、9形成了有机功能层10。另外,第2功能层9的各个第2薄膜片8可以包含例如适合发射RGB三种颜色光的有机发光材料的任一种。
在多个第2薄膜片8上分别设置有第2显示电极11,相邻的第2显示电极11之间被隔壁14分隔。
在上述结构的有机EL显示面板中,即使隔壁的高度较低,通过设置掩模间隔物也可以将掩模间隔物的顶面设定在比第2显示电极的位置更高的位置。即,尽管当与隔壁的高度相比,掩模与基板的平行度差或者掩模的凹凸和起伏大时,有机功能层等薄膜将与掩模相接触,但是通过在隔壁上形成掩模间隔物而增大掩模和基板之间的距离,能够可靠地防止接触。另外,即使为了减少从隔壁释放的排气的量而降低隔壁的高度以减小隔壁的体积,也可以通过在隔壁上设置掩模间隔物来可靠地防止有机功能层或者第2显示电极与掩模的接触。
(实施例4)
下面针对上述实施例1的结构的有机EL显示面板的制造方法进行说明。使用溅射法等成膜方法在由玻璃或者树脂构成的基板2的主面上形成ITO等导电材料膜。在该导电材料膜上按照规定图案设置光致抗蚀剂,然后实施蚀刻处理。在蚀刻处理之后,除去抗蚀剂,形成第1显示电极3(图5(a))。
在形成第1显示电极3之后,如图5(b)所示,通过湿法工艺等成膜方法,在第1显示电极3上的多个像素发光区域4上分别设置第1薄膜片5,形成第1功能层6。第1功能层6的形成可以使用例如利用了蚀刻法的成膜方法。
在制作第1功能层6的工序中,还实施利用与该第1功能层相同的材料形成掩模间隔物7的工序,其中,以基板2的主面为基准,该掩模间隔物7在比后述的要形成第2显示电极的位置更高的位置上具有顶面。例如,当使用喷墨法形成第1功能层时,掩模间隔物7的形成可以如下进行:使包含构成第1功能层的材料的溶液在相邻的像素发光区域之间的供应量大于在像素发光区域的供应量。另外,掩模间隔物7的厚度可以大于第1功能层6在像素发光区域4的厚度。
在形成第1功能层6之后,在第1薄膜片5上形成由具有发光功能等的有机材料构成的第2薄膜片。在第2薄膜片的成膜中,可以使用例如掩模蒸镀法。掩模蒸镀法是通过在掩模间隔物上设置掩模,然后使用该掩模作为蒸镀材料流的遮蔽部来实施的。该第2薄膜片组形成了第2功能层,第1和第2功能层形成了有机功能层。
另外,第2薄膜片也可以包含例如适合发射红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)的光的有机发光材料。例如,可以在掩模间隔物7上设置具有规定图案的开口部的掩模M后,蒸镀红色有机发光材料,形成第2薄膜片8R(图5(c)),然后改变该掩模M的开口部的位置,进行绿色有机发光材料的蒸镀(图5(d))。在形成第2薄膜片8G之后,再改变掩模M的开口部的位置,进行蓝色有机发光材料的蒸镀,形成第2薄膜片8B(图6(a))。
如上所述,通过设置掩模间隔物,掩模难以与第1和第2功能层接触,因此难以发生由于掩模接触导致的有机功能层的缺陷部分。结果难以发生该缺陷部分的电极的短路。
形成第2功能层9后,使用例如掩模蒸镀法等成膜方法形成由铝合金等导电性材料构成的第2显示电极11(图6(b))。掩模蒸镀是通过在掩模间隔物7上设置掩模M来实施的。以基板2的主面为基准,掩模间隔物7的顶面位于比要形成第2显示电极11的位置更高的位置上,因此,第2显示电极11与掩模M难以接触。
经过上述工序,可以得到具有有机EL元件的有机EL显示面板1,其中所述有机EL元件是由第1和第2显示电极3、11夹持有机功能层10而得到的(图6(c))。另外,在形成第2显示电极之后,可以使用溅射法等成膜方法形成密封有机EL元件的密封膜(图中未示出),或者设置能够密封有机EL元件的密封罐(图中未示出)。
如上所述,通过用与有机材料层相同的材料设置掩模间隔物,能够在形成有机功能层时也形成掩模间隔物,能够减少显示面板的制造工序的工序数。另外,由于无需形成由与有机功能层不同的材料构成的隔壁,因此能够防止导致有机EL元件劣化的排气的产生。
另外,在上述制造方法的说明中,虽然对有机功能层中由与掩模间隔物相同的材料构成的有机材料层是第1功能层的情形进行了说明,但却并不限于此。在由多个有机材料层构成的有机功能层中,可以在形成任意的有机材料层时实施使用与该有机材料层相同的材料形成掩模间隔物的工序。
另外,当第1功能层由多个有机材料层构成时,在每次形成有机材料层的膜时,可以通过实施例如增大从喷墨喷嘴中喷射的溶液的量的工序或者实施利用印刷进行成膜的工序,来形成由多个薄膜构成的掩模间隔物。如图2所示,在例如喷墨法中,可以通过从喷墨喷嘴中连续喷射溶液,并在要形成掩模间隔物的位置增大该溶液的喷射量,从而形成掩模间隔物。
另外,也可以使用干法工艺来形成掩模间隔物。例如,使用具有对应于掩模间隔物的图案的开口部的掩模,通过蒸镀与第1功能层相同的材料来形成掩模间隔物。
(实施例5)
参照图7对有机EL显示面板的制造方法的变形例进行说明。如图7(a)所示,使用溅射法等成膜方法在基板2的主面上形成第1显示电极3,然后在第1显示电极3上形成绝缘膜12。绝缘膜12具有多个窗部13,窗部13使第1显示电极露出并划分了像素发光区域4。绝缘膜12可以由聚酰亚胺等有机材料构成。另外,绝缘膜12优选由润湿性差的材料构成。
在像素发光区域4上分别设置第1薄膜片5,从而形成第1功能层6(图7(b))。也可以使用湿法工艺形成第1薄膜片5。例如,可以利用旋涂法在第1显示电极上设置包含构成第1功能层6的材料的溶液,由此实施第1薄膜片5的形成。当绝缘膜12的润湿性差时,溶液集中在由绝缘膜12所划分的像素发光区域4上,在该区域上形成第1薄膜片5。另外,由于绝缘膜12的润湿性差,因此置于绝缘膜12上的溶液不能完全润湿开而发生聚拢。结果在绝缘膜12上形成厚度大于第1功能层6在像素发光区域4的厚度、即大于第1薄膜片5的厚度的掩模间隔物7。另外,控制像素发光区域间的宽度和润湿性等,使得以基板2的主面为基准,掩模间隔物7的顶面位于比后述的要形成第2显示电极的位置更高的位置上。
另外,制作第1功能层6和掩模间隔物7的工序也可以是使用喷墨法、印刷法等其他的湿法工艺的工序。
在多个第1薄膜片5上,使用例如掩模蒸镀法形成由具有发光功能等的有机材料构成的第2薄膜片8(图7(c))。掩模蒸镀是通过将掩模M设置在掩模间隔物7上来实施的。该第2薄膜片组形成第2功能层9。
另外,第2薄膜片8可以包含例如适合发射红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)的光的有机发光材料。红色有机发光材料、绿色有机发光材料和蓝色有机发光材料的蒸镀可以通过改变掩模的开口部的位置来实施。
在形成第2功能层9之后,使用例如蒸镀法在第2薄膜片8上形成由导电性材料构成的第2显示电极11(图7(d))。掩模蒸镀是通过将掩模M设置在掩模间隔物7上来实施的。形成第2显示电极11后,得到有机EL显示面板1。
根据上述的有机EL显示面板的制造方法,能够在有机功能层的制作工序中利用绝缘膜的浸润特性来形成掩模间隔物。
此外,也可以使用干法工艺形成第1功能层和掩模间隔物。例如,可以使用具有开口图案的掩模并使用蒸镀等的成膜工序来形成,所述开口图案对应于相邻的像素发光区域之间等要形成掩模间隔物的位置。
(实施例6)
下面针对有机EL显示面板的制造方法的另一个变形例进行说明。如图8(a)所示,使用溅射法等成膜方法在基板2的主面上形成第1显示电极3,然后在第1显示电极3上形成具有划分像素发光区域4的窗部13的绝缘膜12。在绝缘膜12的形成中,使用例如CVD法等成膜方法。在形成绝缘膜12之后,通过例如在配置光致抗蚀剂之后借助形成有规定图案的光掩模对该光致抗蚀剂进行曝光、显影,从而形成隔壁14。隔壁14优选对后述的含有构成第1功能层的材料的溶液具有差的润湿性。
在设置了隔壁14之后,使用例如旋涂法等湿法工艺在像素发光区域4上形成第1薄膜片5,从而形成第1功能层6(图8(b))。在形成第1功能层6时,也可以在隔壁14的上部配置该溶液。当隔壁14的润湿性差时,如果在隔壁14的上部配置溶液,则溶液不能完全润湿开而发生聚拢,从而在隔壁14的上部形成例如水滴状的溶液集合体。该溶液集合体固化而形成掩模间隔物7。另外,也可以使用印刷法和喷墨法将溶液配置于隔壁14上并使其固化,从而形成掩模间隔物7。另外,优选以基板2的主面为基准,掩模间隔物7的顶面位于比后述的要形成第2显示电极的位置更高的位置上。另外,当使用干法工艺形成掩模间隔物时,可以使用具有对应于隔壁的图案的开口的掩模,在隔壁上配置构成第1功能层的材料。另外,掩模间隔物7的厚度可以大于第1功能层6在像素发光区域4的厚度。
在第1薄膜片5上,使用例如掩模蒸镀法形成由具有发光功能等的有机材料构成的第2薄膜片。该第2薄膜片组形成第2功能层。当使用掩模蒸镀法时,隔壁14和掩模间隔物7发挥了掩模M和基板2之间的间隔物的作用。另外,第2薄膜片可以包含例如适合发射红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)的光的有机发光材料。例如,使以规定的图案开口的掩模的开口部与相邻的隔壁所形成的凹部的开口对齐位置,然后将该掩模放在掩模间隔物上,蒸镀红色有机发光材料,从而形成第2薄膜片8R。将掩模的开口部的位置偏移例如1个隔壁的距离,进行绿色有机发光材料的蒸镀,形成第2薄膜片8G。在形成第2薄膜片8G之后,再将掩模的开口部的位置偏移1个隔壁的距离,进行蓝色有机发光材料的蒸镀,形成第2薄膜片8B(图8(c))。
在第2功能层9的多个第2薄膜片上,使用掩模蒸镀法等成膜方法形成第2显示电极11(图8(d))。掩模蒸镀是通过将掩模M设置在掩模间隔物7上来实施的。形成第2显示电极11后,得到有机EL显示面板1。
根据上述制造方法,通过减小隔壁的体积,能够减少来自隔壁的排气的量,从而能够防止有机EL显示面板的劣化。另外,即使在减小隔壁的体积,以至于以基板2的主面为基准,该隔壁的顶面位置低于有机功能层的顶面位置时,也可以通过在隔壁上设置掩模间隔物,可靠地防止有机功能层或者第2显示电极与掩模的接触。
(有机EL显示面板的制造例)
按照如下顺序制造上述结构的有机EL显示面板。
(1)第1电极(阳极)的形成
使用溅射法在玻璃基板的主面上形成厚度为150nm的ITO膜。接着,在该ITO膜上配置东京应化制造的光致抗蚀剂AZ6112,然后通过该抗蚀剂的曝光和显影,形成条纹状的抗蚀剂图案。使用氯化铁水溶液和盐酸的混合液作为ITO的蚀刻剂,将该基板浸渍在该混合液中,对ITO膜的未被抗蚀剂覆盖的部分实施蚀刻处理。在蚀刻处理之后,将该基板浸渍在丙酮中除去抗蚀剂。所得到的ITO膜具有线宽为120μm、间隙宽度为10μm(间距130μm)的480根线所构成的条纹状的图案,以该ITO膜作为第1显示电极。
(2)绝缘膜的形成
使用旋涂法在形成了上述第1显示电极的基板上配置日立化成制造的聚酰亚胺溶液PIX-1400。使用加热板对该基板进行加热使溶剂蒸发,形成聚酰亚胺前体膜。接着,在该聚酰亚胺前体膜上配置东京应化制造的光致抗蚀剂AZ6112以形成抗蚀剂膜,然后使用对应于有机EL显示面板的像素发光区域的图案的光掩模对该抗蚀剂膜进行曝光。曝光后,对该抗蚀剂膜进行显影。在该抗蚀剂膜的显影时,未被规定图案的抗蚀剂膜所覆盖的部分的聚酰亚胺膜也溶解在显影液中,该聚酰亚胺前体膜的蚀刻也同时进行。显影后,将该基板浸渍在丙酮中以除去抗蚀剂,得到覆盖第1显示电极的端部并划分像素发光区域的聚酰亚胺前体膜图案。另外,第1显示电极在像素发光区域露出。将该聚酰亚胺前体膜加热至300℃以进行酰亚胺化,得到由聚酰亚胺构成的绝缘膜图案。
(3)第1功能层和掩模间隔物的形成
使用旋涂法在上述绝缘膜和第1显示电极上配置日产化学工业制造的空穴注入材料溶液。对于旋涂的膜,使用丙酮擦去不需要的部分。使用热板加热该基板以使溶剂蒸发,从而在像素发光区域形成大约35nm的由空穴注入材料膜构成的第1功能层。另外,由于绝缘膜的润湿性差,因此配置到绝缘膜上的空穴注入材料溶液不能完全润湿开而发生聚拢,从而形成厚度大于像素发光区域的第1功能层的膜厚的空穴注入材料膜片。将该空穴注入材料膜片作为掩模间隔物。
(4)第2功能层和第2显示电极(阴极)的形成
使用掩模蒸镀法在由空穴注入材料膜构成的第1功能层上分别依次形成45nm的α-NPD、60nm的Alq3的膜,从而形成第2功能层。另外,在掩模蒸镀时,掩模设置在掩模间隔物上。
在形成了第2功能层的基板上,使用掩模蒸镀法形成厚度为100nm的铝—锂(Al-Li)合金构成的金属薄膜。另外,蒸镀是通过如下方法进行的:将线宽为250μm、间隙宽度为140μm(间距390μm)且线数为120根的条纹状图案的掩模配置到掩模间隔物上后,从相对于基板的主面大致垂直的方向射入Al-Li合金的蒸镀材料流。形成于第2功能层上的金属薄膜构成第2显示电极,并形成了具有由120根线所构成的条纹状的图案的第2显示电极。通过形成第2显示电极而在基板上形成了由480×120像素的单一矩阵构成的有机EL元件组。
(5)密封
在形成第2显示电极之后,使用UV固化型粘接剂在设有有机EL元件组的基板上粘接具有凹部且在该凹部中贴附有干燥剂的玻璃板,从而密封有机EL元件组。经过上述工序,得到了能够以绿色单色的480×120点(dots)进行各种显示的有机EL显示面板。在该有机EL显示面板中,未发现由于有机功能层和第2显示电极的损伤所导致的不发光像素。
另外,在上述(3)的工序中,作为旋涂法的替代方法,可以通过使用苯胺印刷配置空穴注入材料溶液,从而形成第1功能层和掩模间隔物。采用该方法,同样得到了不产生不发光像素的有机EL显示面板。
另外,在上述实施例中,虽然针对为了防止蒸镀掩模与薄膜接触而使用掩模间隔物的情形进行了说明,但是本发明的掩模间隔物即使在不使用蒸镀掩模的情形中也是有效的。例如,当使用喷墨法分开涂布(separate coating)形成有机功能层时,为了防止从喷墨机中喷射的墨水流入邻接的像素发光区域,形成被称为“堤坝”的分割部分(参阅例如特许第3328297号)。上述掩模间隔物也可以发挥堤坝的作用。
Claims (13)
1.有机电致发光显示面板,其包括:基板、形成于所述基板的主面上并具有1个以上像素发光区域的第1显示电极、形成于所述第1显示电极上且包含至少1层有机材料层的有机功能层、设置在所述有机功能层的附近的掩模间隔物和形成于所述有机功能层上的第2显示电极,其特征在于:
所述掩模间隔物由与所述有机材料层中的任何一个相同的材料构成,并且以所述基板的主面为基准,所述掩模间隔物在比第2显示电极的位置更高的位置具有顶面。
2.根据权利要求1记载的有机电致发光显示面板,其特征在于:所述掩模间隔物的厚度大于所述任何一个有机材料层在各个所述像素发光区域的厚度。
3.根据权利要求1或2记载的有机电致发光显示面板,其特征在于:所述掩模间隔物设置在相邻的所述像素发光区域之间。
4.根据权利要求3记载的有机电致发光显示面板,其特征在于:其包含在所述第1显示电极上划分所述像素发光区域的绝缘膜;在所述绝缘膜上设置有所述掩模间隔物。
5.根据权利要求1或2记载的有机电致发光显示面板,其特征在于:其包含由所述第1显示电极支撑且分隔相邻的所述第2显示电极的隔壁;在所述隔壁上设置有所述掩模间隔物。
6.有机电致发光显示面板的制造方法,其中所述有机电致发光显示面板包括:基板、形成于所述基板的主面上并具有1个以上像素发光区域的第1显示电极、形成于所述第1显示电极上且包含至少1层有机材料层的有机功能层、设置在所述有机功能层的附近的掩模间隔物和形成于所述有机功能层上的第2显示电极,所述制造方法的特征在于:
其包括如下工序:在所述基板的主面上形成所述第1显示电极的工序、在所述第1显示电极上形成所述有机功能层的工序、在所述有机功能层上形成所述第2显示电极的工序;
形成所述有机功能层的工序包括形成所述掩模间隔物的工序,其中所述掩模间隔物由与所述有机材料层中的任何一个相同的材料构成,并且以所述基板的主面为基准,所述掩模间隔物在比要形成所述第2显示电极的位置更高的位置具有顶面。
7.根据权利要求6记载的有机电致发光显示面板的制造方法,其特征在于:所述掩模间隔物的厚度大于所述任何一个有机材料层在各个所述像素发光区域的厚度。
8.根据权利要求6或7记载的有机电致发光显示面板的制造方法,其特征在于:所述掩模间隔物设置在相邻的所述像素发光区域之间。
9.根据权利要求8记载的有机电致发光显示面板的制造方法,其特征在于:在形成所述第1显示电极的工序和形成所述有机功能层的工序之间,包括在所述第1显示电极上形成划分所述像素发光区域的绝缘膜的工序;形成所述掩模间隔物的工序是在所述绝缘膜上设置所述掩模间隔物的工序。
10.根据权利要求6或7记载的有机电致发光显示面板的制造方法,其特征在于:在形成所述第1显示电极的工序和形成所述有机功能层的工序之间,包括设置由所述第1显示电极支撑且分隔相邻的所述第2显示电极的隔壁的工序;形成所述掩模间隔物的工序是在所述隔壁上设置所述掩模间隔物的工序。
11.根据权利要求6或7记载的有机电致发光显示面板的制造方法,其特征在于:形成所述掩模间隔物的工序是使用旋涂法的工序。
12.根据权利要求6或7记载的有机电致发光显示面板的制造方法,其特征在于:形成所述掩模间隔物的工序是使用喷墨法的工序。
13.根据权利要求6或7记载的有机电致发光显示面板的制造方法,其特征在于:形成所述掩模间隔物的工序是使用印刷法的工序。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015172450A1 (zh) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素单元及其制作方法、显示装置 |
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