TWI291309B - Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing same - Google Patents

Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing same Download PDF

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TWI291309B TW094136461A TW94136461A TWI291309B TW I291309 B TWI291309 B TW I291309B TW 094136461 A TW094136461 A TW 094136461A TW 94136461 A TW94136461 A TW 94136461A TW I291309 B TWI291309 B TW I291309B
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Description

1291309 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於有機電場發光顯示面板及其掣造方 【先前技術】 在此之前人們已習知有機電場發光顯示面板(以下稱 作有機EL顯示面板),其發光源為具有電激光 > (eleCtr〇luminescence )的有機發光材料。該有機 面板係包含:有機電激光元件(以下稱作有機扯元件), 其形成係使得有發光功能的有機作用層被第—盘千 電極包夹;以及支_EL元件的基板,例如、,在一基板 上將多個有機EL元件排列成矩陣。 有機作用層包含電洞注入層(hole injecti〇n iayer)、 洞傳遞層(holet麵p(mlaye〇、發光層、電子傳遞層、 =人層、以及其他的有機材料層。例如,該有機作用 ^包含只由有機化合物材料製成的發光層且有發光功 ί僂::’或可為包含有機電洞傳遞層、發光層、有機電 2屏9的3層結構’或包含有機電洞傳遞層與發光層的 =構’或可為藉由在此等層中適當的—對之間插入载 疊^層(carrier block)或電子或電洞注入層而製成一層 利用構造成如此的有機EL元件,當在 IS間施加電壓時,將電洞與電子注入有機作用層 ^光層再結合而發光。 317536 6 1291309 用於在上述有機EL顯示面板中形成有機作用層與電 極的方法包含:氣相沉積法、濺鍍法、CVD、以及其他此 類的乾製程(dry process )。當藉由該等薄膜形成法中之一 種形成有機作用層及電極時,必須將彼等形成一適當之圖 樣,這可藉由使用有對應至想要薄膜圖樣的開孔圖樣
Upenmg pattern)的遮罩而完成。此一遮罩係配置於基板 與薄膜材料流源(fl〇ws〇urce)之間,且作為阻斷物 (b1〇cker)以阻斷薄膜材料。結果,在遮罩中形成一對應 至該等窗孔的薄膜圖樣。 一在用遮罩進行高精度圖樣化作業時,問題之一是要防 止薄,材料流繞到遮罩背面。解決此—問題的最簡單方法 :期二:ίί罩與基板之間的間隙最小化。這需要在形成薄 膜J間使基板與遮罩緊密接觸。
+過,域遮罩、基板靠太近會有其他的問題。且體 吕之,有-限舰是要如何將料定位成完全平行於美 板,而且由於遮罩與基板有純度或起伏且非完全平ς, 遮罩總會與有機作用層、其他加在 合指心、…… 他加在基板上的薄膜接觸,這 發光傻音Γ〗· r S座生像在頋不面板中形成不 知九像素(non_lightmgpixei)的問題。 出的P有^此,已有人提出—種技術,其係提供由基板突 ^ ^ (barder),且以此阻障層為間隔體(spa叫(請 多考日本專利公開第8_227276號與第8_31侧號)。 :過’上述技術,是以不同於組成有機 科形成該阻障層,以致有機EL顯材 …、、不面板的形成需要進行 317536 7 !29l3〇9 '形成該阻障層之額外步驟,這使得製程更加複雜。 再者’由於上述阻障層釋出會使有機虹元件劣化的 如果該阻障層形成為較高,釋氣量增加而 十有杜;EL元件會有更大的影響。 ,發明的目標是要提供解決所有這類問題的方法,以 上疋少數例子。 【發明内容】 丨發明弟一觀點之有機電場發光顯示面板係一種有 以顯示面板,其係包含基板、形成於該基板之正面上 =有-或更多像素發光區的第—顯示電極、形成於該第 頒不電極上且具有至少一有機材料層的有機作用層、嗖 ^亥有機作用層附近的遮罩間隔體、以及形成於該有機作 :上的弟二顯不電極,其中該遮罩間隔體的製 物機材料層中之任一層的材料相同且其頂面高於該第 二喊示電極的位置,此係以該基板之正面為參考面。 I 本發明第二觀點之用於製造有機電場發光顯示面板 的方法為一種用於製造有機EL顯示面板的方法,該有 EL顯示面板係包含基板、形成於該基板之正面上且具有— 或更夕像素發光區的第一顯示電極、形成於該第一顯示電 f上且具有至少—有機材料層的有機作用層、設於該有^ ,用層附近的遮罩間隔體、以及形成於該有機作用層上的 第二顯示電極,該方法係包含以下步驟··在該基板之正面 ^形成該第一顯示電極、在該第一顯示電極上形成該有機 用層、以及在該有機作用層上形成該第二顯示電極,其 317536 8 Ϊ291309 m -中忒形成该有機作用層之步驟 ^ , 係有一形成該遮罩間隔體的 乂驟口亥‘罩間卩同體的製造材 B ^ 、遠專有機材料層中之任 層的材枓相同且其頂面高於待-f , KL ^ η ^ Ά/成忒弟二顯示電極的位 1此係以该基板之正面為參考面。 【實施方式】
其製=參考附圖詳細描述本發明的有機EL顯示面板及 實施例I 如第1A圖所示’有機EL顯示面板“系具有 、 =脂、或其類似物製成之基板2與由導電 氧 化銦錫,以下简避i Ττη、扁,, V丨〗邻 乳 的第-顯干n〜、 I成且形成在該基板2正面上 或其他的圖#。 』不電極3以形成條狀 發井,Γ成在該基板2的第一顯示電極3中形成多個像素 以像素备先區4内配置第一薄膜片 U卜輕片體形成第—作用層6。 :㈣、一有機材料層構成,且可能由 乍用: 作用層由低分子量材料製成時,可用氣= = 製程予以形成。當該第-作用層由分子 制成/士,/ 此類可溶或分散於溶劑中的有機材料 衣 寸…用贺墨法(inkj.et meth〇d )、旋轉塗佈 coating)、印萝、、表,·+·、』 ^ s^m f衣去(prmtmg)、或另一此類濕製程 process)予以形成。 在毗#像素發光區4之間形成數個製造材料與第_作 317536 9 ^291309 = 間隔體7。該等遮罩間隔體7的頂面高 的正面為^面置(以下將予以說明),此係以基板2 例如第t;=當:,成法形成構成有…件, 膜作為遮罩時:心::電極(以下將予以說明)的薄 間的間隔雕ι,Κ罩間隔體7可作為在基板與遮罩之 倒梯形、或垂直例如半橢圓形(第1㈣)、 一作用層6在該等像間隔體7的厚度可大於該第 杜4夺像素發光區4中的厚度。 在每—該等第一薄臈片體 =第二薄膜片體形成第二作用層9。=:^ 二=由至少一有機材料層構成,或;用 二、發光層、電子傳遞層而構成。具體言之,:等 勝片體8各個可藉由例如依序堆疊構成電洞傳^缚 片體、構成發光層的薄膜片體、 的薄膜 薄膜片體而形成。該等第二薄膜片遞層的的 光⑻、綠光⑹、及藍光=1可包含適合放射紅 用層也可為3色(RGB)公用声^ Ϊ材料。該第—作 J Α用層。從而第一蛊 一 <5與9的層疊構成一有機作用層1〇。 、 一用層 该有機作用層10上形成第二顯示電極U。配 弟-减不電極U藉以形成例如與第—顯示電極3 Μ 條狀圖樣。第-與第二顯示電極3、u相交二直角的 機仙顯示面板1的發光部份。以此方式構成的有有 示面板1可包含用以密封該第—顯示電極 :豇顯 吻,機作用 317536 10 •1291309 • 層1 0、以及該筮- Hr 一 、…σ 乐—絲貝示電極11的密封膜(未圖示)或密 封备為(未圖不)’藉此擋掉大氣以保護有機EL元件。 ^述所構成的有機EL顯示面板可抑制釋氣的產生, :為是使用組成有機EL元件的有機作用層的材料形 防遮軍間隔體。此外,藉由形成上所述之遮罩間隔體,可 乍用層及其他薄膜因接觸而損壞及污染,因為在 ^ 膜期間可避免遮罩與該等薄膜接觸。 料展製造材料f遮軍間隔體相同的有機作用層的有機材 盥限於在:―顯示電極上的第一作用層。例如,可由 ^。Γ作用層弟二作用層相同的材料形成該等遮罩間隔 可由:Ξ!:二-、第二、第三作用層構成時, ί機::!與第二作用層相同的材料製成。具體言之,當 ^作用層由多個有機材料層構成時 由與該等有機作用層中之一或爭夕 或更多層相同的材料製成。 再者’該等遮罩間隔體可與成 更多層鄰接。例如,如第2圏戶斤―二有枝作用層中之一或 在第如弟2圖所不的有機EL顯示面板!, -作用:不“3上形成第—與第二作用層6、9,且該第 作用層6與該等遮罩間隔體7鄰接。 該等遮罩間隔體不限於开彡 間,例如,可在顯示區形成有:^鄰的^發光區之 肛元件的邊界附近形成該等遽^隔=面板的多個有機 第3圖係圖示經修飾的有 顯示面板。如第3圖 317536 11 ‘1291309 斤示有機EX絲員示面板1是在第一― 層絕緣膜12。在該等絕緣膜12㈣成:^ 3上形成數 (wind〇ws)13,而該等開口 13 雨二固口 且區分兮聱褚去於止广 ,、*路该弟一顯示電極3並 "讀料光區4。料絕、_ 12均由有 :夕例:㈣亞胺(polyimide),或 如: 化石夕。該等絕緣膜可由濕潤性差的材料製成才科例如乳 薄膜:洞注入功能的有機材料製成的第-、片體5配置於該等絕緣臈12所 内,從而形成第一作用層6 二編先區4 間隔體7,且嗲箄谀罢門在忒荨、、,巴緣膑12上形成遮罩 内的第-作二=7均由形成於像素發光區4 #作用層6的相同材料製 頂面係高於預形成之第mf料遮單間隔體7的 度可大於該第一作用該等遮罩間隔體7的厚 在每4等Γ 等像素發光區4中的厚度。 >有機材料製成的第二薄膜片體8,由成第有,光功能的 該等第二薄膜片體8π^入 攸而心成罘一作用層9。 及藍光⑻的 作用層9從而構成—有機作用層:弟在:用層:, 上形成由導電材料製成的第二顯示電極η。—薄膜片體 上述所構成的有機el ^ 成該等遮罩間隔f q ”、/、 糟由在絕緣膜上形 L皁間隔體,將基板與遮 7 止遮罩與薄瞑之間的接觸。 々開而可有效防 317536 12 1291309 以下只鈿例係描述有機El ^ ^ ^ ^ 第二顯示電極的阻障層。如第4圖所示,有成機有二: 板1,例如,在 另铽顯不面 ,^ Μ 土 之正面上形成具有配置成侔狀Η =極片的第一顯示電極3。在該第=圖 上形成多個由==、緣膜12。在該等絕緣膜12 等阻障層u在 =之上==來的阻障層⑷例如,該 部产且古。/ 、, +邛有犬出成平行於基板的突出 王至丨J梯形的橫截面形。^ ^ ^ ^ ^ 材料製成。該等卩且卩查Mjri丄 子丨阵層Η可由樹脂 可省略嗲箄⑼ θ也由濕潤性差的材料製成。再者, J 1 % 3寺絕緣膜19^ 該等阻障層14。' 在该弟一顯示電極3上直接形成 每一=:顯示電極3上於該等多個像素發光區4中之 母個化成罘一薄膜片體5。^ -作用層6。例如,了田 &組弟一缚膜片體係形成第 類渴夢程开4 η 贺墨法、旋轉塗佈法、或另-此 犬貝Λ、、衣形成該等第一薄膜 半部形成數個材料*第、 在4相障層14的上 該等遮罩間隔體7的、頂而一 相同的遮罩間隔體7。 將予以說明),此係㈣^ ^電極的位置(以下 中的厚度。 弟作用層6在該等像素發光區4 類似片體5上形成由具有發光功能或 有機作用H〇。例如,第二作9* t作用/ 6„、9形成 丨F用層9的母一第二薄膜片體 317536 13 .1291309 8可包含適合放射3声 在每一 (RGB)光的有機發光材料。 邊寺多個第二薄膜g _ 】】,且用阻_】4人片體8上形成第二顯示電極 上述二t 隔她鄰的第二顯示電極11。 高度低,形成該顯示面板’即使該等阻障層的 仍高於第 /罩間隔體使得該等遮罩間隔體的頂面 當遮罩:::::極的位置。亦即,相較於阻障層的· 大時,行程度低時,或當凸塊與遮罩的起伏很 在阻障層上妒成=或其他薄膜仍會與遮罩接觸,但藉由 的距離,而有效二=b1隔體,可增加遮罩與基板之間 的高度,且、、成小_ h荨接觸。再者,即使放低阻障層 所釋“釋氣量層的體積’以便減少該等阻障層 體可有效防止m2在該等阻障層上形成該等遮罩間隔 觸。方止5亥有機作用層或該第二顯示電極與遮罩相接 以下描述用於製iiL垂 法。藉由賤鑛法或另: EL顯不面板的方 成的基板2主面上形成Ιτ:2形成法在由玻璃或樹脂製 材料膜上將光阻声做其他導電材料膜。在此導電 後,去除阻劑以开樣,然後進行㈣。㈣ ^ 成"亥弟一顯示電極3 (第5 Α圖)。 % 一 f第顯:私極3形成後,如第圖所示5B,在該第- 極3上藉由在多個像素發光區4中之每-個形成第 為膜片體5而形成第_作用層6。例如,可使用包含 墨法的薄膜形成法以形成該第—作用層卜 、 317536 14 1291309 在m造第一作用層 ,^ 丨 吧運行下列之步驟· 由人弟一作用層相同的材料形成頂面高 1· 電極之位置㈣罩間㈣7,此係《基示 例如,當以喷墨法形成第-作用層時,藉由增含。 鄰像素發光區之間組成第—作用層的材料的溶液供庫^ (超剔象素發光區内的供應量)而形成該等遮罩間隔二
2等遮罩間隔體7的厚度可大於該第—仙層6在 像素發光區4中的厚度。 ^寺 ,在形成該第-作用層6之後,在該等第一薄膜片體5 上形成由具有發光功能或類似功能的有機材料、 :專臈片體。例如,可使用遮罩式氣相沉積法(―: :仙二)以形成該等第二薄膜片體。遮罩式氣相沉積法 進仃係猎由放置-遮罩於該#料間㈣上方,且使 此遮罩阻斷氣相沉積材料流(vap〇r dep(>sited她制 flow)。這組第二薄膜片體形成—第二作用層,而第一與第 一作用層形成有機作用層。 例如’該等第二薄膜片體可包含適合放射紅光⑻、 綠先⑹、及藍光⑻的有機發光材料。例如,在該等 遮f間隔體7上方放置具有特定開孔圖樣的遮罩M並且氣 相/儿積紅色有機發光材料以形成第二薄膜片體服(第% 圖)’、之後改變此遮罩_開孔位置,錢行綠色有機發 “;斗々氣相’儿積(第5D圖)。在形成該等第二薄膜片體 :之後改變此遮罩M之開孔位置,進行藍色有機發光材 科的氣相沉積以形成第二薄膜片體8β (第从圖)。 317536 15 i2yij〇9 作$=°=迷,形成該等遮罩間隔體使得十 作用層接觸的可能性較小 更仔‘罩與弟一、第二 造成的有機作用層缺陷 ::成有因遮罩接觸所 類缺陷處。 σ 車乂不可能有電極短路於此 -此=二第:=9之後,用遮罩式氣相沉積法或另 成之第nr由導電材料(例如,紹合金)组 弟一顯不電極11(第6B J、且 行係藉由放置遮罩_該等遮罩;^ if法的進 電極11、遮罩Μ兩者不^ =二二顯示 的頂面高於待形成第二顯示電極二罩間隔體7 正面為參考面 、置此係以基板2 通過上述步驟產生具有 板卜其中該有機作用層10經第一㈣牛一\有"^减不面 示 興弟一頒不電極3、1 1 匕夾(弟0C圖)。在形成守望一 該等有機虹元件可用錢料\一另顯'電極之後,為了密封 密封膜(未圖示),=置t用=一此類薄膜形成法形成 、、 置作用相同之密封容器(未圖示)。 .上述’形成其材料與有機材料層相同的遮罩間隔體 使得該等遮罩間隔體可與該有機作用層_起形成,這可減 ^不面板製程所需之步驟數。再者,由於不需形成製造 材料與有機作用層不同的阻障層,可防止產生會使有機 元件劣化的釋氣。 以上製造方法的描述係以其製造材料與遮罩間隔體 相同的有機作用層為第-作用層的情形而言,但本發明不 受限於此。在包含多個有機材料層的有機作用層t形成任 317536 16 ‘1291309 其中係使用與此有 層時,可進行下列之步驟 材科層相同的材料形成遮罩間隔體— , ^田第作用層由多個有機材料層組奸, 〇在每次形成有機材料層時,由 ^ Τ歹1 隔體的形成可游由谁> ^潯馭組成的遮罩間 驟,或用印f法形成=加油墨复嘴所釋放的溶液量的步 蝴續釋==的步驟。例如,用喷墨法由油墨 、睪放/奋液亚且增加預形 溶液釋放量而形成示於楚9 θ I皁間隔肢的位置處的 ν、;罘2圖的遮罩間隔體。 也可用乾製程形成該等遮 相沉積與第一作 體。例如,可藉由氣 門ps酿 a R的材料,使用有開孔對應至遮罩 :二體之圖樣的遮罩而形成該等遮罩。——、 以下參考第7圖描述用於製造有 法之修飾。Μ M 顯不面板的方 成法在基板2主面上另—此類薄膜形 曰一 升成罘一頒不電極3,之德尤兮馀 顯示電極3上形成絕緣膜12。 第一 13,而此等開口 13係暴露該第一二t12「有多個開^ ^ ^ ^ ^ 賴不包極且區分偾去鉻本 該等絕緣膜12可由有機材料製成, 醯二。 石亥等絕緣膜12由濕潤性差的材料製成較佳。“女 成第二t用一S象素發光區4内配置第-薄臈片體5以形 膜…。例如’藉由用旋轉塗::塗成等第第: 溶液於該第-顯示電極上‘該二 顿片體5。如果該等絕緣膜12的濕潤性差,溶液在該等 317536 17 .1291309
%緣膜12所區分的像素發光區4中會凝結成塊而在該等區 或中m等第-薄臈^{體5。再者,由於該等絕緣膜η 的I閏性差,置於該等絕緣膜12上的溶液會經斥離而不會 使表面①王n結果,在該等絕緣膜12上形成該等遮罩 間隔體7的厚度大於該第—作用層6在該等像素發光區4 中的厚度亦即’该等第—薄膜片體5的厚度。此外,濕 Η生像素&光區之間的距離,以及其他此類的因素均得 以控制使得該等遮罩間隔體7的頂面高於形成第二顯示電 極的:置(以下將予以說明),此係以基板2正面為參考面. 、製造該第—作用層6以及該等遮罩間隔體7的步驟可 為包含使用濕製程(例如喷墨法或印製法)的步驟。 功2!:第一薄膜片體5上形成由具有發光功能或類似 功,的有機材料製成的第二薄膜片體8 (第7〇:圖)。遮罩 式氣相沉積法的進行係藉由放置遮罩Μ於該等遮罩間隔 體7。這組第二薄膜片體形成該第二作用層9。 該等第二薄膜片體8可包含適合放射例如紅光⑻、 門及監光(β)的有機發光材料。藉由改變遮罩 :、、、“而進行紅色有機發光材料、綠色有機發光材 以及監色有機發光材料的氣相沈積。 在形成弟二作用層9之後,逆置★ > 4 方、去在签一4, 俊4罩式乳相沉積法或類似 方法在罘—溥膜片體8上形成由導電材料忐 電極11(第7D圖)、诗罢士 柯科衣成的弟一顯不 遮罩)。^罩式軋積法的進行係藉由放置 ‘罩於5亥荨遮罩間隔體7上方。這樣合形成 托1 1廿R制、、 乂佩㈢形成弟二顯不電 ° 亚且衣成有機EL顯示面板1 〇 317536 18 .1291309 ' 上述用於製造有機EL _ -二』 作用層的步驟中,藉由利用:+板的方法,在製造有機 間隔體。 日 ί冑的濕潤性而可形成遮罩 也可藉由乾製程形成該第一 體。例如,可_由#用七人Γ 層與该等遮罩間隔 隔體的位置(: 匕3使用具有對應至預形成遮罩間 域罝(例如’在规鄰像素 L旱间 的遮罩的氣相沉 之間)的開孔圖樣 其他“形成步驟而形成彼等。 飾。::::斤於製造用有機E L顯示面板的方法的另-修 基板二上/Γ第 極3上形成且極之後在該第-顯示電 乂成具有區分像素發光區4 例如,在带孑#雄y 又閉口 13的絕緣膜12。 在形成該專絕緣膜〗2時使 形成法。例如mm 或另一此類薄膜 ^ 在形成该等絕緣膜12 適當處,鈇德、、2之後,將光阻劑置於 曝光,並且顯旦+ u 疋㈡铋的先罩而使光阻劑 ^ 頌衫此成品以形成阻障層14。該箄阳产爲u 父佳係具有較含有組成第 .早曰· 潤性(以下將予以_。層购4的溶液更差的濕 在形成該等阻障層]4夕Μ 旋轉淨佑、^+ 4之後,例如,用濕製程(例如 Γ体法)在該等像素發光區4上形成第-薄膜片體5, 攸而形成第一作用声6 r楚SR ®; 、月體 6時 "(弟8Β圖)。在形成該第一作用層 兮i = /阻障層14的上半部也可配置此一溶液。如果 邊寻阻JV層14的溻潤性 ,,、、 差則虽在该專阻障層14的上半 …谷液時’該溶液會斥離而不會使表面完全濕潤, 317536 19 1291309 部形成球狀的-團 ,m 成该專遮罩間隔體7。也可用π 贺墨法、或另-此類製程於該等阻障声14:二印製法、 使溶液凝固而形成該等 θ 土錢’然後 的頂面高於形成該第體7。該等遮罩間隔體7 較佳,此係電極的位置(以下將予以說明) 々、此係以基板2正面為參考面。如果用 寻遮罩間隔體,可藉由使且立、7以 的遮罩而在該等阻障 ;至阻^層圖樣的開孔 層的上方可配置組成第一作用声的材 料。該等遮罩間隔體7的厚度 曰 等像素發光區"的厚度。仙層6在該 “用遮罩式氣相沉積法或其他類似方法在多個第一薄 :片體5切成由具有發光功能或類似功能的有機材料製 =的弟一缚胰片體。這組第二薄膜片體形成第二作用層。 當使用遮罩式氣相沉積法時,該等阻障層14以及該等遮罩 間=體^係作為遮罩Μ與基板2之間的間隔體。例如,該 ^第二薄膜片體可包含適合放射紅光(R)、綠光⑹、及 藍光⑻的有機發储料。例如,其中孔洞已製成特定 圖樣的遮罩的開孔係與晚鄰阻障層所形成的凹處中的開孔 對背,之後將此遮罩置於該等遮罩間隔體上,並且氣相沉 積紅色有機發光材料以形成第二薄膜片體8R。例如,遮罩 中開孔的位置的偏移距離係對應於阻障層的間隔,並且氣 相沉積綠色有機發光材料以形成第二薄膜片體8G。在形成 該等第二薄膜片體8(}之後’遮罩中開孔的位置的偏移距 離為阻障層的間隔,並且氣相沉積藍色有機發光材料以形 317536 20 1291309 成第二薄臈片體8B (第8C圖)。 用遮罩式氣相沉積法或另一一 作用層9的多個第二薄膜片體上類:專膜形成法在第二 8D圖)。遮罩式氣相沉積*的進扞 =第二顯示電極11 (第 等遮罩間隔體7上方。這樣 “由放置遮罩Μ於該 成有機EL顯示面板!。曰/乐—顯示電極11並且製 上述的製造方法,可減少阻
從而藉由減少阻障層的體積而可防止;=的釋氣量、, 化。此外,即使阻障層的體積減少 有!作用層的頂面,此係以基板2正面為;;Γ= 形成遮罩間隔體仍有效防止遮單與第二顯示電極 或有機作用層相接觸。
用以下程序製造如上述所構成的有機EL顯示面板。 (1)开> 成第一電極(陽極) • 用濺鍍法在玻璃基板的主面上形成厚度為150奈米的 汀〇薄膜。接下來,將光阻劑(AZ6112,T〇ky〇 〇hka製造) 塗於此ITO薄膜上,之後使阻劑曝光及顯影以形成條狀阻 劑圖樣(Striped resist pattern )。將基板沉浸於鹽酸與氯化 鐵水溶液的混合物内(作為IT〇的蝕刻劑),並且蝕刻IT〇 薄膜未被阻劑覆蓋的部份。在蝕刻處理之後,將基板沉浸 於丙顯I内以去除該阻劑。以此方式製成的ΙΤ〇薄膜具有由 48〇條直線構成的條狀圖樣,直線寬度為120微米而間隙 見度為10微米(間距為丨3〇微米)。此ΙΤΟ薄膜係作為第 21 317536 1291309 一顯示電極。 (2)形成絕緣膜 用旋轉塗佈法在已依上述形成的第一顯示電極的基 板上塗上一聚醯亞胺溶液(ΡΙχ_14〇〇,Hitachi Kasei製 造)。用熱板加熱此基板以蒸發溶劑且形成聚醯亞胺前驅膜 (precursor film )。然後,在此聚醯亞胺前驅膜上塗上光阻 劑(AZ6112,Tokyo Ohka製造)以形成阻劑膜,之後使用 具有圖樣對應至有機顯示面板之像素發光區的光罩曝 光此阻劑膜。曝光之後,顯影該阻劑。在顯影此阻劑膜時', 聚亞醯胺膜未被具有特定圖樣的阻劑膜覆蓋的部份也溶解 於頻衫/谷液,藉此同時進行聚醯亞胺前驅膜的蝕刻。顯影 、之後,將基板沉浸於丙酮内以去除該阻劑,產生夢覆芸 :顯示電極之末端而區分該等像素發光區的聚_胺;驅 _樣。該第一顯示電極係暴露於該等像素發光區。藉由 加熱至3〇〇〇C而使此一聚醯亞胺前驅膜亞胺化(imidize), 鲁產生由聚醯亞胺製成的絕緣膜圖樣。 (3)形成第一作用層與遮罩間隔體 上電洞注入材料溶液(Nissan Chemical -造)。用丙酮擦去旋塗薄膜的多餘部份 韓淨所形成的該等絕緣膜與第一顯示電極上,用旋 轉塗佈法塗上雷涧、冰λ _
而不會使表面濕潤, 塗於絕緣膜上的電洞注入材料溶液會斥離 /閏,以致電洞注入材料薄膜片體的形成厚 317536 22 J291309 作用層在該等像素發光區内的厚度。以此方 (二开w洞注入材料薄膜片體係作為遮罩間隔體。 ν弟—作用層與第二顯示電極(陰極) 的第藉相沉積法在由電洞注入材料膜製成 心)==成:―奈米)與^ *,在該等遮罩間隔體上二用!遮:此㈣氣相沉積法 用遮罩式氣相沉積法在 1形成由脑U叫入入制士成弟一作用層的基板上 ^ , σ孟衣成的金屬薄膜,厚度100夺米。 軋相沉積法的進行係藉由用且又 不未 圖樣的遮罩,直線寬产為25〇Ί 仏直線組成之條狀 、又马2 5 0被米,間隙為彳4 微米_,舖設於該等遮罩間隔1隙為|40以〇90 方向導引紹合金的氣相沉積材料流板 ^二大體垂直 二作用層上形成的金屬薄膜已Γς板=面。在第 方式形成的第二顯示電極係具有由12二=以此 圖樣。藉由形成第二顯示電極==2(H卞直線組成的條狀 ^ ( 480x120 #-#-^ 冬而在基板上形成包含單一矩 早U80X120像素)的有機扯元件組。 (5 )密封 在形成该第二顯示電極 紫外二:Γ_ EL顯示面板,可用單 §且。通過上述步驟產生有機 根據此—有航顯示==^18()Χ12()點的晝面。 出現因有機作用層或第二 317536 23 1291309 顯示電極損壞而有的不良像素。 法(一㈣ -作用層與該等遮;:==;=?形成該第 素的有機EL顯示面板。 ,也產生/又有不良像 止氣的實施例中,係描述使用遮罩間隔體防 二 =她相接觸的情形,但在不使用氣相沉 積4罩h本發明遮罩間隔體也有效。例如,| 開塗佈形成有機作用層時 、土〆刀 物y成稱作土疋厗(bank)的間隔 (例防止㈣墨卿㈣油墨流人像素發光區 ^ '日本專利第3,328,297號)。上述的遮罩間隔體可 虽作該堤岸。此申請案係基於日本專利申請案第 2004-314383號,從而併入本文作為參考資料。 【圖式簡單說明】 弟A 一 1B圖為本發明有機el顯示面板的部份橫截 面圖; 第2圖為修飾本發明有機EL顯示面板的部份橫截面 圖; /、 第3圖為修飾本發明有機eL顯示面板的部份橫截面 圖; 第4圖為修飾本發明有機el顯示面板的部份橫截面 圖; 第5A至5D圖為說明用於製造本發明有機EL顯示面 板的方法之部份橫截面圖; 24 317536 1291309 鬩馬弟5圖說明用於f 板的方法之延%部份 衣 箆7A至面 丨知杈截面圖; 乐 圖為說明經修飾用妖 顯示面板的方法的部份横戴面於製 顯不面板的方法的部份樺戴^ $用於製 Γ主要元件符號說明】’、面圖。 造有機EL 造本發明有機 造本發明有機
命面EL EL
12 有機扯顯示面板 基板 3 4
6 78, 8B,8G,8R 9 10 11 12 13 第一顯示電極 像素發光區 第一薄膜片體 第一作用層 遮罩間隔體 苐二薄膜片體 第二作用層 有機作用層 第一顯示電極 絕緣膜 開口 14 阻障層
31 7KO 25

Claims (1)

1291309 十、申請專利範圍: 1. -種有機電場發光顯示面板,其係包括: 基板, 形成於該基板之正面上 光區的第-顯示電極; /、有#或多個像素發 形成於δ亥第-顯示電極上且包含 層的有機作用層; 有㈣枓 設於該有機作用層附近的遮罩間隔體;以及 形成於該有機作用層上的第二顯示電極. 中之:一中=;τ製造材料與該等有機材料層 同且以該基板之正面為參考面而 ?:由:t 體之頂面高於該第二顯示電極的位置。 • 專利祀圍第1項之有機電場發光顯示面板,苴中 该遮罩間隔體的厚度大於該等有機材料層中之任一^ 在該像素發光區的厚度。 曰 3. 利範圍第1或2項之有機電場發光顯示面板, /、中“遮罩間隔體係設於彼此她鄰的像素發光區之間。 4. ^申請專利範圍第3項之有機電場發光顯示面板,復包 括區分該第「顯示電極上之該等像素發光區的絕緣膜, 其中该遮罩間隔體係設於該絕緣膜上。 5. =請專利範圍第1或2項之有機電場發光顯示面板, # _括阻ρ平層,其係由該第一顯示電極支撐且使田比鄰的 弟二顯示電極分開, 其中在該阻障層上設有該遮罩間隔體。 317536 26 1291309 6. -種用於製造有機電場發光顯示面板的方法,該有機電 場發光顯示面㈣包含基板、形成於該基板之正面上且 ”多個像素發光區的第一顯示電極、形成於該 第頒不電極上且具有至少一層有機材料層的有機作 用層、設於該有機作用層附近的遮罩間隔體、以及形成 於。亥有機作用層上的第二顯示電極,該方法係包括以下 步驟: 在該基板之正面上形成該第一顯示電極; 在該第一顯示電極上形成該有機作用層;以及 在該有機作用層上形成該第二顯示電極, 其中該形成該有機作用層之步驟係包含形成該遮 罩間隔體的步驟’該遮罩間隔體的製造材料與該等有機 :料層中之任一層的材料相同’且以該基板之正面為參 考面而言,該遮罩間隔體之頂面高於預形成該第二顯示 電極的位置。
如申請專利範圍第6項之用於製造有機電場發光顯示 面板的方法’其中該遮罩間隔體的厚度大於該等有機材 料層中之任一層在該像素發光區的厚度。 如申請專利範圍第6或7項之用於製造^機電場發光顯 ,、板的方法其中5亥遮罩間隔體係設於彼此晚鄰的像 素發光區之間。 如申請專利範圍第8項之用於製造有機電場發光顯示 面板的方法’其係在形成該第—顯示電極的步驟盘形成 該有機作用層的步驟之間復包括形成區分該第一顯示 317536 27 1291309 電極上之該等像素發光區的絕緣膜的步驟, 其中形成該遮罩間隔體的步驟係在該絕緣膜上提 i、该遮罩間隔體的步驟。 、 1 〇·如申請專利範圍第6或7 Jg夕田认在丨』4丄 ^ ^ ^ ^ 、之用於衣以有機電場發光顯 :面板的方法’其係在形成該第一顯示電極的步驟盘形 成该有機作用層的步驟之間復包括提供阻障層的步 驟,該阻障層係由該第—顯示電極支樓且使视鄰的第二 顯示電極分開, ^形成_罩_體的㈣係在雜障層上提 供該遮罩間隔體的步驟。 •如申明專利圍第6或7項之用於製造有機電場發光顯 示面板的方法’其中形成該遮罩間隔體的步驟係使用旋 轉塗佈法的步驟。 12·如申明專利圍第6或7項之用於製造有機電場發光顯 示面板的方法,其中形成該遮罩間隔體的步驟係使用喷 墨法的步驟。 ' 13·如申請專利範圍第6或7項之用於製造有機電場發光顯 不面板的方法,其中形成該遮罩間隔體的步驟係使用印 製法的步驟。 28 317536
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