本出願の利点と特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付の図と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本例は、本出願の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は、請求項の範疇によってのみ定義される。
本出願の一例を説明するため、図に示した形状、大きさ、比率、角度、個数などは、例示的なものであって、本発明が図に示した事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指す。また、本出願を説明するにおいて、関連する公知技術に対する具体的な説明が本出願の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。本出願で言及した「含む」、「有する」、「からなる」などが使用されている場合、「〜だけ」が使用されていない限り、他の部分を追加することができる。構成要素を単数で表現した場合に特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。
構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。
位置関係についての説明である場合、例えば、「〜上に」、「〜上部に」、「〜下部に」、「〜横に」などで2つの部分の位置関係が説明されている場合、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に1つ以上の他の部分が位置することもできる。
時間の関係についての説明である場合、例えば、「〜後に」、「〜に続いて」、「〜次に」、「〜前に」などで時間的前後関係が説明されている場合、「すぐに」または「直接」が使用されていない以上、連続的でない場合も含むことができる。
第1、第2などが多様な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及される第1構成要素は、本発明の技術的思想内で第2構成要素であることもあり得る。
本出願の構成要素を説明するにあたって、第1、第2などの用語を使用することができる。このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものであるだけで、その用語によって、その構成要素の本質、順序、順番または個数などが限定されない。ある構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」または「接続」すると記載されている場合、その構成要素は、その他の構成要素に直接に連結したり、または接続することができるが、各構成要素の間に他の構成要素が「介在」したり、各構成要素が他の構成要素を介して、「連結」、「結合」または「接続」することもあると理解しなければならない。
本出願のいくつかの例のそれぞれの特徴が部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各例を互いに対して独立的に実施することができ、関連の関係で一緒に実施することもできる。
以下では、本出願に係る発光表示装置の好ましい例を添付の図を参照して詳細に説明する。各図の構成要素に参照符号を付加するにおいて、同一の構成要素については、たとえ他の図上に表示されていても、可能な限り同一の符号を有することができる。
図1は、本出願の一例によると、表示装置を示す平面図であり、図2は、第1実施例による表示装置で、複数のステージとゲートラインの接続関係を示す図である。
図1及び図2を参照すると、表示装置10は、表示パネル100、表示駆動部200、およびゲート駆動部300を含む。
表示パネル100は、表示領域(AA)および非表示領域(NA)を含む。前記表示パネル100は、液晶表示パネルであり得、有機発光表示パネルであり得、その他にも様々な種類のパネルであり得る。
前記表示パネル100が液晶表示パネルである場合、カラーを表現するためのカラーフィルタは、トランジスタが具備されたTFT基板(下部基板)と、液晶を挟んで配置される上部基板に備えることができる。
しかし、前記のカラーフィルタは、前記トランジスタをカバーする平坦層に備えることもできる。例えば、前記トランジスタは、基板上に備えられ、前記トランジスタの段差を除去するために、前記薄膜トランジスタの上端に平坦層が形成され、前記平坦層の上端には、ピクセル電極が形成され、前記平坦層と前記ピクセル電極の上端には、液晶層が具備される。この場合、前記平坦層は、少なくとも二つの層で構成され得、前記カラーフィルタも平坦層の機能を実行することができる。この場合、前記上部基板にカラーフィルタを備える必要がないので、前記上部基板の製造工程および構造が簡素化され得る。これと関連した内容は、以下では、図17〜図19を参照して説明する。
表示領域(AA)は、映像が表示される領域であり、基板の中央部分に定義することができる。ここでは、表示領域(AA)は、ピクセルアレイ層の活性領域に該当することができる。例えば、表示領域(AA)は、複数のゲートライン(GL)と複数のデータライン(DL)によって交差する領域ごとに形成された複数のピクセルからなり得る。ここで、複数のピクセルの各々は、光を放出する最小単位の領域として定義することができる。
表示領域(AA)は、第1および第2表示領域(AA1、AA2)を含むことができる。
第1表示領域(AA1)は、表示領域(AA)の左側の領域に相当し、第1ゲート駆動回路310と隣接することができる。例えば、第1表示領域(AA1)の一端(例えば、左端)は、第1ゲート駆動回路310と向き合うことができ、第1表示領域(AA1)の一端と垂直な他端(例えば、下端)は、第3ゲート駆動回路330のイーブン(EVEN)ステージ(ST2〜ST(2n)、nは4以上の自然数)と向き合うことができる。したがって、第1表示領域(AA1)に配置されたオード(ODD)ゲートライン(GL1〜GL(2n−1)、nは4以上の自然数)の一端は、第1ゲート駆動回路310と接続してゲートパルスを受信することができ、第1表示領域(AA1)に配置されたイーブンゲートライン(GL2〜GL(2n)、nは4以上の自然数)は、第2接続ライン(CL2)を介して第3ゲート駆動回路330のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))と接続してゲートパルスを受信することができる。
前記第1及び第2接続ライン(CL1、CL2)と前記ゲートラインは、絶縁層を挟んで互いに異なる層に形成することができる。この場合、いずれか一つの接続ラインといずれか一つのゲートラインは、前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続することができる。
前記表示パネル100が液晶表示パネルである場合、前記第1及び第2接続ラインは、各ピクセルに具備されるトランジスタおよびピクセル電極を構成する金属のうちのいずれか一つと同じ工程を介して前記TFT基板に備えられ得る。
例えば、表示パネル100が液晶表示パネルである場合、前記第1及び第2接続ラインは、基板上に備えることができ、前記第1及び第2接続ラインは、絶縁層によってカバーすることができ、前記絶縁層上にトランジスタを備えることができる。すなわち、前記第1及び第2接続ラインは、前記トランジスタと絶縁されるように、前記トランジスタの下部に備えることができる。この場合、前記第1及び第2接続ラインと、前記トランジスタを構成する金属ラインの間では、寄生キャパシタンスなどが発生しないので、トランジスタの駆動効率を向上することができ、前記第1及び第2接続ラインそれぞれの負荷を減少させることができる。これと関連した内容は、以下の図15及び図16を参照して説明する。
第2表示領域(AA2)は、表示領域(AA)の右側の領域に相当し、第2ゲート駆動回路320と隣接することができる。例えば、第2表示領域(AA2)の一端(例えば、右端)は、第2ゲート駆動回路320と向き合うことができ、第2表示領域(AA2)の一端と垂直な他端(例えば、下端)は、第3ゲート駆動回路330のオードステージ(ST1〜ST(2n−1)、nは4以上の自然数)と向き合うことができる。したがって、第2表示領域(AA2)に配置されたイーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))の一端は、第2ゲート駆動回路320と接続してゲートパルスを受信することができ、第2表示領域(AA2)に配置されたオードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))は、第1接続ライン(CL1)を介して第3ゲート駆動回路330のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))と接続してゲートパルスを受信することができる。
非表示領域(NA)は、映像が表示されない領域であって、表示領域(AA)を囲む基板の端部と定義することができる。そして、非表示領域(NA)は、表示領域(AA)の上端、左端、右端、および下端のそれぞれと向き合う第1〜第4非表示領域(NA1、NA2、NA3、NA4)を含むことができる。
第1非表示領域(NA1)は、表示領域(AA)の上端に配置されて表示駆動部200と連結することができ、表示駆動部200と電気的に接続しているパッド部(未図示)を含むことができる。例えば、第1非表示領域(NA1)のパッド部は、表示駆動部200の複数の回路フィルム210と連結することができる。
第2非表示領域(NA2)は、表示領域(AA)の左端に配置され、第1ゲート駆動回路310を収容することができる。具体的には、第2非表示領域(NA2)は、第1ゲート駆動回路310のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))を収容することができる。ここで、オードステージ(ST1〜ST(2n−1))は、複数のステージのうち奇数番目のステージ(ST1〜ST(2n−1))に該当し得る。そして、第2非表示領域(NA2)は、第1ゲート駆動回路310の複数のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))と接続した第1ゲートライングループまたはオードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))の一端を収容することができる。また、第2非表示領域(NA2)は、表示駆動部200から延長されて、第1ゲート駆動回路310に接続する共通信号ライン(CGS)およびオードクロックライン(CLK_ODD)を収容することができる。
第3非表示領域(NA3)は、表示領域(AA)の右端に配置され、第2ゲート駆動回路320を収容することができる。具体的には、第3非表示領域(NA3)は、第2ゲート駆動回路320のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を収容することができる。ここで、イーブンステージ(ST2〜ST(2n))は、複数のステージのうち偶数番目のステージ(ST2〜ST(2n))に該当し得る。そして、第3非表示領域(NA3)は、第2ゲート駆動回路320の複数のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))と接続した第2ゲートラインのグループまたはイーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))の一端を収容することができる。また、第3非表示領域(NA3)は、表示駆動部200から延長されて、第2ゲート駆動回路320に接続する共通信号ライン(CGS)およびイーブンクロックライン(CLK_EVEN)を収容することができる。
第4非表示領域(NA4)は、表示領域(AA)の下部に配置され、第3ゲート駆動回路330を収容することができる。具体的には、第4非表示領域(NA4)は、第3ゲート駆動回路330の複数のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))と複数のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を収容することができる。そして、第4非表示領域(NA4)は、オードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))と接続した第1接続ライン(CL1)の一端、およびイーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))と接続した第2接続ライン(CL2)の一端を収容することができる。また、第4非表示領域(NA4)は、第2または第3非表示領域(NA2、NA3)から延長され、第3ゲート駆動回路330に接続する共通信号ライン(CGS)、オードクロックライン(CLK_ODD)、およびイーブンクロックライン(CLK_EVEN)を収容することができる。
表示パネル100は、複数のゲートライン(GL)、複数のデータライン(DL)、第1及び第2接続ライン(CL1、CL2)をさらに含むことができる。
複数のゲートライン(GL)のそれぞれは、第1方向に沿って長く延長され、第1方向と交差する第2方向に沿って互いに離隔することができる。具体的には、複数のゲートラインは、第1および第2ゲートライングループ(GL1〜GL(2n−1)、GL2〜GL(2n))を含むことができる。ここで、第1ゲートライングループは、複数のゲートラインのうち奇数番目のゲートラインであるオードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))に該当することができ、第2ゲートラインのグループは、複数のゲートラインのうち偶数第ゲートラインであるイーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))に該当することができる。このような複数のゲートライン(GL)は、ゲート駆動部300からゲートパルスを受信して、複数のピクセルそれぞれを順次に駆動することができる。
一例によると、オードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))の一端は、第1ゲート駆動回路310と直接に接続してゲートパルスを受信することができ、オードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))は、第2表示領域(AA2)内で第1接続ライン(CL1)と接続して、第3ゲート駆動回路330のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))からゲートパルスを受信することができる。
一例によると、イーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))の一端は、第2ゲート駆動回路320と直接に接続してゲートパルスを受信することができ、イーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))は、第1表示領域(AA1)内で第2接続ライン(CL2)と接続して、第3ゲート駆動回路330のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))からゲートパルスを受信することができる。
複数のデータライン(DL)のそれぞれは、第2方向に沿って長く延長され、第1方向に沿って互いに離隔することがでる。このような複数のデータライン(DL)は、表示駆動部200からデータ電圧を受信して、複数のピクセルそれぞれの発光素子の輝度を制御することができる。
複数の第1接続ライン(CL1)は、第2方向に沿って長く延長され、第1方向に沿って互いに離隔することができる。このような複数の第1接続ライン(CL1)は、第3ゲート駆動回路330のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))と直接に接続して、第2表示領域(AA2)に延長することができる。したがって、第1接続ライン(CL1)は、オードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))の第2表示領域(AA2)内の地点と第3ゲート駆動回路330のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))を接続させることができる。
複数の第2接続ライン(CL2)は、第2方向に沿って長く延長され、第1方向に沿って互いに離隔することができる。このような複数の第2接続ライン(CL2)は、第3ゲート駆動回路330のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))と直接に接続して、第1表示領域(AA1)に延長することができる。したがって、第2接続ライン(CL2)は、イーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))の第1表示領域(AA1)内の地点と第3ゲート駆動回路330のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を接続させることができる。
複数のピクセルそれぞれは、表示領域(AA)上に配置されたゲートライン(GL)およびデータライン(DL)によって定義されるピクセル領域ごとに配置することができる。一例によれば、複数のピクセルそれぞれは、駆動トランジスタを有するピクセル回路、およびピクセル回路に接続した発光素子を含むことができる。
表示駆動部200は、表示パネル100の非表示領域(NA)に設けられたパッド部に接続して表示駆動システムから供給される映像データに対応する映像を各ピクセルに表示することができる。一例によると、表示駆動部200は、複数の回路フィルム210、複数のデータ駆動集積回路220、プリント回路基板230、およびタイミング制御部240を含むことができる。
複数の回路フィルム210それぞれの一側に設けられた入力端子は、フィルム貼付工程によりプリント回路基板230に付着し、複数の回路フィルム210それぞれの他側に設けられた出力端子は、フィルム貼付工程によりパッド部に付着することができる。一例によれば、複数の回路フィルム210それぞれは、表示装置10の非表示領域を減らすために軟性回路フィルムに具現して曲げることができる。例えば、複数の回路フィルム210は、TCP(Tape Carrier Package)またはCOF(Chip On Flexible BoardまたはChip On Film)からなることができる。
複数のデータ駆動集積回路220のそれぞれは、複数の回路フィルム210それぞれに個別に実装することができる。このような複数のデータ駆動集積回路220のそれぞれは、タイミング制御部240から提供されるピクセルデータとデータ制御信号を受信し、データ制御信号に基づいて、ピクセルデータをアナログ形式のピクセル単位のデータ信号に変換して、該当するデータラインに供給することができる。
プリント回路基板230は、タイミング制御部240を支持し、表示駆動部200の構成間の信号および電源を伝達することができる。プリント回路基板230は、各ピクセルに映像を表示するために、タイミング制御部240から供給される信号と駆動電源を複数のデータ駆動集積回路220およびゲート駆動部300に提供することができる。このため、信号伝送配線と各種電源配線をプリント回路基板230上に設けることができる。例えば、プリント回路基板230は、回路フィルム210の数によって一つ以上で構成することができる。
タイミング制御部240は、プリント回路基板230に実装され、プリント回路基板230に設けられたユーザコネクタを介してディスプレイ駆動システムから提供される映像データとタイミング同期信号を受信することができる。タイミング制御部240は、タイミング同期信号に基づいて画像データをピクセル配置構造に適合するように整列してピクセルデータを生成し、生成されたピクセルデータを該当するデータ駆動集積回路220に提供することができる。そして、タイミング制御部240は、タイミング同期信号に基づいて、データ制御信号とゲート制御信号のそれぞれを生成し、データ制御信号を介して複数のデータ駆動集積回路220それぞれの駆動タイミングを制御し、ゲート制御信号を介して、ゲート駆動部300の駆動タイミングを制御することができる。ここで、ゲート制御信号は、複数の回路フィルム210のうちの最初または/および最終軟性回路フィルムと、第1非表示領域(NA1)を介して該当するゲート駆動部300に供給することができる。
ゲート駆動部300は、表示パネル100に設けられた複数のゲートライン(GL)と接続することができる。具体的には、ゲート駆動部300は、タイミング制御部240から供給されるゲート制御信号に基づいて定められた順序に従ってゲートパルスを生成して、該当するゲートライン(GL)に供給することができる。一例によると、ゲート駆動部300は、第1〜第3ゲート駆動回路310、320、330を含むことができる。
第1ゲート駆動回路310は、オードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))のそれぞれに対応するオードステージ(ST1〜ST(2n−1))を含むことができる。具体的には、第1ゲート駆動回路310は、薄膜トランジスタの製造工程によって表示パネル100の左側端(または第2非表示領域(NA2))に集積されてオードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))と一対一で接続することができる。一例によると、第1ゲート駆動回路310は、第2非表示領域(NA2)に配置してオードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))のそれぞれにゲートパルスを提供するオードステージ(ST1〜ST(2n−1))を含むことができる。
第2ゲート駆動回路320は、イーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))のそれぞれに対応するイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を含むことができる。具体的には、第2ゲート駆動回路320は、薄膜トランジスタの製造工程によって表示パネル100の右側端(または第3非表示領域(NA3))に集積されてイーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))と一対一で接続することができる。一例によると、第2ゲート駆動回路320は、第3非表示領域(NA3)に配置してイーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))のそれぞれにゲートパルスを提供するイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を含むことができる。
第3ゲート駆動回路330は、オードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))のそれぞれに対応するオードステージ(ST1〜ST(2n−1))、およびイーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))のそれぞれに対応するイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を含むことができる。具体的に、第3ゲート駆動回路330は、薄膜トランジスタの製造工程によって表示パネル100の下側端(または第4非表示領域(NA4))に集積され、複数の第1接続ライン(CL1)および、複数の第2接続ライン(CL2)と一対一で接続することができる。例えば、第3ゲート駆動回路330のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))は、第1接続ライン(CL1)を介してオードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))と一対一で接続することができ、第3ゲート駆動回路330のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))は、第2接続ライン(CL2)を介してイーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))と一対一で接続することができる。
図3は、図2に示した表示装置で、第1ゲート駆動回路を示す図である。
図3を参照すると、第1ゲート駆動回路310は、オードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))にゲートパルスを供給するオードステージ(ST1〜ST(2n−1))を含むことができる。すなわち、第1ゲート駆動回路310は、オードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))の総数と対応する数のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))を含むことができる。具体的には、第1ゲート駆動回路310は、第2非表示領域(NA2)を通る共通信号ライン(CGS)から第1及び第2駆動電圧(VDD、VSS)を印加することができ、オードクロックライン(CLK_ODD)からオードクロック信号を受信することができる。ここで、オードクロック信号は、第1、第3、第5、及び第7ゲートクロック(CLK1、CLK3、CLK5、CLK7)に該当することができる。そして、第1、第3、第5、及び第7ゲートクロック(CLK1、CLK3、CLK5、CLK7)は、順次にシフトする位相を有することができる。ここで、オードクロックライン(CLK_ODD)は、第1ゲートクロック(CLK1)を第2k−7ステージ(ST(2k−7)、kはn以下の4の倍数)に供給し、第3ゲートクロック(CLK3)を第2k−5ステージ(ST(2k−5))に供給し、第5ゲートクロック(CLK5)を第2k−3ステージ(ST(2k−3))に供給し、第7ゲートクロック(CLK7)を第2k−1ステージ(ST(2k−1))に供給することができる。
第1および第3ステージ(ST1、ST3)のそれぞれは、第1及び第3ゲートスタート信号(Vst1、Vst3)それぞれによってイネーブルされて、第1および第3ゲートクロック(CLK1、CLK3)それぞれを受信し、第1及び第3ゲートライン(GL1、GL3)のそれぞれにゲートパルス(Gout1、Gout3)を供給することができる。そして、第1および第3ステージ(ST1、ST3)それぞれは、第5及び第7ステージ(ST5、ST7)それぞれの出力信号(またはゲートパルス)(Gout5、Gout7)によってリセットされ得る。
このような方法は、オードステージの第5〜第2n−5ステージ(ST5〜ST(2n−5))それぞれは、以前の4番目のステージの出力信号によってイネーブルされて、該当するゲートクロック(CLK1、CLK3、CLK5、CLK7)それぞれを受信してオードゲートライン(GL5〜GL(2n−5))のそれぞれにゲートパルス(Gout5、Gout(2n−5))を供給することができる。そして、第5〜第2n−5ステージ(ST5〜ST(2n−5))のそれぞれは、次の4番目のステージの出力信号によってリセットされ得る。
また、第2n−3及び第2n−1ステージ(ST(2n−3)、ST(2n−1))のそれぞれは、以前の4番目のステージの出力信号によってイネーブルされて、該当するゲートクロック(CLK5、CLK7)それぞれを受信して、第2n−3及び第2n−1ゲートライン(GL(2n−3)、GL(2n−1))のそれぞれにゲートパルス(Gout(2n−3)、Gout(2n−1))を供給することができる。また、第2n−3及び第2n−1ステージ(ST(2n−3)、ST(2n−1))のそれぞれは、第1および第3リセットクロック(未図示)によってリセットされ得る。
このように、第1〜第2n−5ステージ(ST1〜ST(2n−5))のそれぞれの出力信号(Gout1〜Gout(2n−5))は、次の4番目のステージのゲートスタート信号として供給され得、第5〜第2n−1ステージ(ST5〜ST(2n−1))のそれぞれの出力信号(Gout5〜Gout(2n−1))は、以前の4番目のステージのリセットクロックとして供給することができる。
図4は、図2に示した表示装置で、第2ゲート駆動回路を示す図である。
図4を参照すると、第2ゲート駆動回路320は、イーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))にゲートパルスを供給するイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を含むことができる。すなわち、第2ゲート駆動回路320は、イーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))の総数と対応する数のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を含むことができる。具体的には、第2ゲート駆動回路320は、第3非表示領域(NA3)を通る共通信号ライン(CGS)から第1及び第2駆動電圧(VDD、VSS)を印加することができ、イーブンクロックライン(CLK_EVEN)からイーブンクロック信号を受信することができる。ここで、イーブンクロック信号は、第2、第4、第6、及び第8ゲートクロック(CLK2、CLK4、CLK6、CLK8)に該当することができる。そして、第2、第4、第6、及び第8ゲートクロック(CLK2、CLK4、CLK6、CLK8)は、順次にシフトする位相を有することができる。ここで、イーブンクロックライン(CLK_EVEN)は、第2ゲートクロック(CLK2)を第2k−6ステージ(ST(2k−6)、kはn以下の4の倍数)に供給し、第4ゲートクロック(CLK4)を第2k−4ステージ(ST(2k−4))に供給し、第6ゲートクロック(CLK6)を第2k−2ステージ(ST(2k−2))に供給し、第8ゲートクロック(CLK8)を第2kステージ(ST(2k))に供給することができる。
第2及び第4ステージ(ST2、ST4)それぞれは、第2及び第4ゲートスタート信号(Vst2、Vst4)それぞれによってイネーブルされて、第2及び第4ゲートクロック(CLK2、CLK4)それぞれを受信し、第2及び第4ゲートライン(GL2、GL4)のそれぞれにゲートパルス(Gout2、Gout4)を供給することができる。そして、第2および第4ステージ(ST2、ST4)それぞれは、第6及び第8ステージ(ST6、ST8)それぞれの出力信号(またはゲートパルス)(Gout6、Gout8)によってリセットされ得る。
このような方法で、イーブンステージ中の第6〜第2n−4ステージ(ST6〜ST(2n−4))のそれぞれは、以前の4番目のステージの出力信号によってイネーブルされて、該当するゲートクロック(CLK2、CLK4、CLK6、CLK8)それぞれを受信してイーブンゲートライン(GL6〜GL(2n−4))のそれぞれにゲートパルス(Gout6、Gout(2n−4))を供給することができる。そして、第6〜第2n−4ステージ(ST6〜ST(2n−4))のそれぞれは、次の4番目のステージの出力信号によってリセットされ得る。
また、第2n−2及び第2nステージ(ST(2n−2)、ST(2n))のそれぞれは、以前の4番目のステージの出力信号によってイネーブルされて、該当するゲートクロック(CLK6、CLK8)それぞれを受信して第2n−2及び第2nゲートライン(GL(2n−2)、GL(2n))のそれぞれにゲートパルス(Gout(2n−2)、Gout(2n))を供給することができる。また、第2n−2及び第2nステージ(ST(2n−2)、ST(2n))のそれぞれは、第2及び第4リセットクロック(未図示)によってリセットされ得る。
このように、第2〜第2n−4ステージ(ST2〜ST(2n−4))のそれぞれの出力信号(Gout2〜Gout(2n−4))は、次の4番目のステージのゲートスタート信号として供給され得、第6〜第2nステージ(ST6〜ST(2n))それぞれの出力信号(Gout6〜Gout(2n))は、以前の4番目のステージのリセットクロックとして供給することができる。
図5は、図2に示した表示装置で、第3ゲート駆動回路を示す図である。
図5を参照すると、第3ゲート駆動回路330は、第1接続ライン(CL1)を介してオードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))にゲートパルスを供給するオードステージ(ST1〜ST(2n−1))を含むことができ、第2接続ライン(CL2)を介してイーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))にゲートパルスを供給するイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を含むことができる。
すなわち、第3ゲート駆動回路330は、オードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))の総数と対応する数のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))とイーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))の総数と対応する数のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を含むことができる。具体的には、第3ゲート駆動回路330は、第4非表示領域(NA4)を通る共通信号ライン(CGS)から第1及び第2駆動電圧(VDD、VSS)を印加することができ、オードクロックライン(CLK_ODD)から第1、第3、第5、及び第7ゲートクロック(CLK1、CLK3、CLK5、CLK7)を受信することができ、イーブンクロックライン(CLK_EVEN)から第2、第4、第6、および第8ゲートクロック(CLK2、CLK4、CLK6、CLK8)を受信することができる。ここで、第1〜第8ゲートクロック(CLK1〜CLK8)は順次にシフトする位相を有することができる。ここで、オードクロックライン(CLK_ODD)は、第1、第3、第5、及び第7ゲートクロック(CLK1、CLK3、CLK5、CLK7)をオードステージ(ST1〜ST(2n−1))に供給することができ、イーブンクロックライン(CLK_EVEN)は、第2、第4、第6、及び第8ゲートクロック(CLK2、CLK4、CLK6、CLK8)をイーブンステージ(ST2〜ST(2n))に供給することができる。
第3ゲート駆動回路330のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))は、第1ゲート駆動回路310のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))と同じタイミングで同じ出力信号(Gout1〜Gout(2n−1))を生成することができる。
一例によると、第3ゲート駆動回路330のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))は、第1接続ライン(CL1)を介してオードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))の第2表示領域(AA2)内の地点と接続することができる。したがって、第3ゲート駆動回路330のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))は、第1接続ライン(CL1)を介して第2表示領域(AA2)内のオードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))に出力信号(Gout1〜Gout(2n−1))を提供することができる。
第3ゲート駆動回路330のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))は、第2ゲート駆動回路320のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))と同じタイミングで同じ出力信号(Gout2〜Gout(2n))を生成することができる。
一例によると、第3ゲート駆動回路330のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))は、第2接続ライン(CL2)を介してイーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))の第1表示領域(AA1)内の地点と接続することができる。したがって、第3ゲート駆動回路330のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))は、第2接続ライン(CL2)を介して第1表示領域(AA1)内のイーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))に出力信号(Gout2〜Gout(2n))を提供することができる。
図6は、図2に示した表示装置では、ゲートスタート信号、ゲートシフトクロック、および共通ゲート信号を示す波形図であり、図7は、図3に示した第1ステージの内部構成を示す回路図である。
図6及び図7を参照すると、第1ステージ(ST1)は、第1薄膜トランジスタ(T1)、第3薄膜トランジスタ(T3)、第31薄膜トランジスタ(T31)、第4薄膜トランジスタ(T4)、第51薄膜トランジスタ(T51)、第52薄膜トランジスタ(T52)、第6薄膜トランジスタ(T6)、第7薄膜トランジスタ(T7)、およびブートコンデンサ(CB)を含むことができる。
第1薄膜トランジスタ(T1)は、第1ゲートスタート信号(Vst1)を受信するゲート端子、第1ゲートスタート信号(Vst1)を受信する第1端子、及び第1ノード(Q)と接続した第2端子を含むことができる。すなわち、第1薄膜トランジスタ(T1)は、第1ゲートスタート信号(Vst1)を基にターンオンされ、第1ゲートスタート信号(Vst1)を第1ノード(Q)に提供することができる。ここで、第1ノード(Q)は、第6トランジスタ(T6)のゲート端子と接続することができ、第1ステージ(ST1)は、第1ノード(Q)の電圧を基に、出力信号(またはゲートパルス)(Gout1)を第1ゲートライン(GL1)に提供することができる。そして、このような出力信号(Gout1)は、次の4番目のステージのゲートスタート信号として供給することができる。
一例によると、第2〜第4ステージ(ST2、ST3、ST4)それぞれの第1トランジスタ(T1)は、第2〜第4ゲートスタート信号(Vst2、Vst3、Vst4)それぞれを基にターンオンされて第2〜第4ゲートスタート信号(Vst2、Vst3、Vst4)それぞれを第1ノード(Q)に提供することができる。そして、第iステージ(STi、iは5〜2nの自然数)の第1トランジスタ(T1)は、以前の4番目のステージの出力信号(Gout(i−4))によってターンオンされて、以前の4番目のステージの出力信号(Gout(i−4))を、第1ノード(Q)に提供することができる。
第3薄膜トランジスタ(T3)は、第2ノード(QB)と接続したゲート端子、第1ノード(Q)と接続した第1端子、及び第2駆動電圧(VSS)を受信する第2端子を含むことができる。すなわち、第3薄膜トランジスタ(T3)は、第2ノード(QB)の電圧を基にターンオンされて第1ノード(Q)の電圧を第2駆動電圧(VSS)に放電させることができる。ここで、第2ノード(QB)の電圧は、第1ノード(Q)の電圧と反対の電圧であり得る。
第31薄膜トランジスタ(T31)は、第5ステージ(ST5)の出力信号(Gout5)または次の4番目のステージの出力信号を受信するゲート端子、第1ノード(Q)と接続した第1端子、及び第2駆動電圧(VSS)を受信する第2端子を含むことができる。すなわち、第31薄膜トランジスタ(T31)は、第5ステージ(ST5)の出力信号(Gout5)を基にターンオンされて第1ノード(Q)の電圧を第2駆動電圧(VSS)に放電させることができる。
一例によると、第jステージ(STj、jは1〜2n−4の自然数)それぞれの第31薄膜トランジスタ(T31)は、次の4番目のステージの出力信号(Gout(j+4))によってターンオンされて、第1ノード(Q)の電圧を第2駆動電圧(VSS)に放電させることができる。また、第2n−3〜第2nステージ(ST(2n−3)〜ST(2n))それぞれの第31薄膜トランジスタ(T31)は、第1〜第4リセットクロックによってターンオンされて、第1ノード(Q)の電圧を第2駆動電圧(VSS)に放電させることができる。
このように、ゲート駆動部300の複数のステージ(ST1〜ST(2n))のそれぞれは、第3薄膜トランジスタ(T3)及び第31薄膜トランジスタ(T31)を含むことにより、第1ノード(Q)の電圧を放電させる複数のルートを備えることができ、第1ノード(Q)の電圧の放電特性を向上させ、ゲート駆動部300の信頼性を向上させることができる。
第4薄膜トランジスタ(T4)は、第1駆動電圧(VDD)を受信するゲート端子、第1駆動電圧(VDD)を受信する第1端子、及び第2ノード(QB)と接続した第2端子を含むことができる。すなわち、第4薄膜トランジスタ(T4)は、第1駆動電圧(VDD)を基にターンオンされ、第1駆動電圧(VDD)を第2ノード(QB)に提供することができる。
第51薄膜トランジスタ(T51)は、第1ゲートスタート信号(Vst1)を受信するゲート端子、第2ノード(QB)と接続した第1端子、及び第2駆動電圧(VSS)と接続した第2端子を含むことができる。すなわち、第51薄膜トランジスタ(T51)は、第1ゲートスタート信号(Vst1)を基にターンオンされ、第2ノード(QB)の電圧を第2駆動電圧(VSS)に放電させることができる。
一例によると、第2〜第4ステージ(ST2、ST3、ST4)それぞれの第51トランジスタ(T51)は、第2〜第4ゲートスタート信号(Vst2、Vst3、Vst4)それぞれを基にターンオンされて第2ノード(QB)の電圧を第2駆動電圧(VSS)に放電させることができる。そして、第iステージ(STi、iは5〜2nの自然数)の第51トランジスタ(T51)は、以前の4番目のステージの出力信号(Gout(i−4))によってターンオンされて、第2ノード(QB)の電圧を第2駆動電圧(VSS)に放電させることができる。
第52薄膜トランジスタ(T52)は、第1ノード(Q)と接続したゲート端子、第2ノード(QB)と接続した第1端子、及び第2駆動電圧(VSS)と接続した第2端子を含むことができる。すなわち、第52薄膜トランジスタ(T52)は、第1ノード(Q)の電圧を基にターンオンされ、第2ノード(QB)の電圧を第2駆動電圧(VSS)に放電させることができる。
このように、ゲート駆動部300の複数のステージ(ST1〜ST(2n))のそれぞれは、第51薄膜トランジスタ(T51)及び第52薄膜トランジスタ(T52)を含むことにより、第2ノード(QB)の電圧を放電させる複数のルートを備えることができ、第2ノード(QB)の電圧の放電特性を向上させ、ゲート駆動部300の信頼性を向上させることができる。
第6薄膜トランジスタ(T6)は、第1ノード(Q)と接続したゲート端子、第1ゲートクロック(CLK1)を受信する第1端子、および出力ノードと接続した第2端子を含むことができる。すなわち、第6薄膜トランジスタ(T6)は、第1ノード(Q)の電圧を基にターンオンされて出力信号(またはゲートパルス)(Gout1)を第1ゲートライン(GL1)に提供することができる。そして、このような出力信号(Gout1)は、次の4番目のステージのゲートスタート信号として供給することができる。
第7薄膜トランジスタ(T7)は、第2ノード(QB)と接続したゲート端子、出力ノードと接続した第1端子、及び第2駆動電圧(VSS)を受信する第2端子を含むことができる。すなわち、第7薄膜トランジスタ(T7)は、第2ノード(QB)の電圧を基にターンオンされて出力ノードの電圧を第2駆動電圧(VSS)に放電させることができる。
また、ブートコンデンサ(CB)の一端は、第1ノード(Q)と接続し、ブートコンデンサ(CB)の他端は、出力ノードと接続することができる。したがって、ブートコンデンサ(CB)は、第1ノード(Q)と出力ノードとの間の差電圧を保存することができる。
以下、図6及び図7を参照して、本出願の一例による第1ステージ(ST1)の動作を説明すると、次の通りである。
まず、第1ゲートスタート信号(Vst1)がハイレベルを有し、第1ステージ(ST1)の第1薄膜トランジスタ(T1)と第51薄膜トランジスタ(T51)がターンオンされ得る。これにより、ブートコンデンサ(CB)の一端である第1ノード(Q)の電圧(VQ1)は、第1薄膜トランジスタ(T1)を介して供給される第1駆動電圧(VDD)に予備充電され、第2ノード(QB)の電圧は、第51薄膜トランジスタ(T51)を介して第2駆動電圧(VSS)に放電することができる。ここで、第1ゲートクロック(CLK1)の上昇時点は、第1スタート信号(Vst1)の上昇時点より4水平期間だけ遅延することができ、第1スタート信号(Vst1)は、第1ゲートクロック(CLK1)の上昇時点以前までハイレベルを維持することができる。したがって、第6トランジスタ(T6)は、第1ノード(Q)に充電されているハイレベルの第1ゲートスタート信号(Vst1)を基にターンオンされ得、ローレベルの第1ゲートクロック(CLK1)を出力ノードを介して第1ゲートライン(GL1)に供給することができる。ここで、第2ノード(QB)の電圧は、第51薄膜トランジスタ(T51)及び第52薄膜トランジスタ(T52)のそれぞれを介して第2駆動電圧(VSS)に放電することができ、第7薄膜トランジスタ(T7)はターンオフ状態を維持することができる。
次に、第1ゲートスタート信号(Vst1)がローレベルを有して第1ゲートクロック(CLK1)がハイレベルを有すると、第1ゲートクロック(CLK1)はまだターンオン状態である第6薄膜トランジスタ(T6)を介してブートコンデンサ(CB)の他端である出力ノードに印加され得る。これにより、ブートコンデンサ(CB)の一端である第1ノード(Q)は、ブートストラップ(Bootstrapping)されて、より高いハイレベルの電圧を有することができる。したがって、第6薄膜トランジスタ(T6)は、完全なターンオン状態になって、第1ゲートクロック(CLK1)を電圧損失なしに第1ゲートパルス(Gout1)として、第1ゲートライン(GL1)に供給することができる。ここで、第2ノード(QB)の電圧は、第51薄膜トランジスタ(T51)及び第52薄膜トランジスタ(T52)それぞれを介して第2駆動電圧(VSS)に放電され得、第7薄膜トランジスタ(T7)はターンオフ状態を維持することができる。
最後に、第5ステージ(ST5)、または、次の4番目のステージからハイレベルの出力信号(Gout5)が第31薄膜トランジスタ(T31)のゲート端子に供給されると、第31薄膜トランジスタ(T31)は、ターンオンされて第1ノード(Q1)の電圧(VQ1)を第2駆動電圧(VSS)に放電させることができる。これにより、第6薄膜トランジスタ(T6)はターンオフされ、第1ゲートクロック(CLK1)を出力ノードに提供せず、第52薄膜トランジスタ(T52)は、ターンオフされ、第2ノード(QB)の電圧を第2駆動電圧(VSS)に放電させないことができる。したがって、第2ノード(QB)の電圧は、第4薄膜トランジスタ(T4)を介して供給された第1駆動電圧(VDD)によってハイレベルを有することができ、第7薄膜トランジスタ(T7)は、ターンオンされて出力ノードの電圧を第2駆動電圧(VSS)に放電させることができる。その結果、第1ステージ(ST1)は、出力ノードの電圧が第2駆動電圧(VSS)に放電されると、ゲートオフ電圧を第1ゲートライン(GL1)に提供することができる。
そして、第2〜第2nステージ(ST2〜ST(2n))のそれぞれの構成と動作は、別途に陳述した内容(例えば、第2〜第4ゲートスタート信号(Vst2、Vst3、Vst4)、第1〜第4リセットクロック)を除けば、前述した第1ステージ(ST1)と同一であるので、これらの説明は省略することにする。
図8は、図2に示した表示装置で、非表示領域減少の効果を説明する図であり、図9は、図2に示した表示装置で、ゲートパルスのディレイ減少効果を説明する図である。
図8及び図9を参照すると、大型パネルを有する従来の表示装置は、ダブルフィーディング(Double feeding)方式またはインターレース(Interlacing)方式を使用して、複数のゲートラインにゲートパルスを供給する。
図8において、ダブルフィーディング(Double feeding)方式で駆動する従来の表示装置は、複数のステージのそれぞれを基板の左右非表示領域に配置する。ここで、従来の表示装置は、第1〜第8ゲートクロック(CLK1〜CLK8)を含むクロックライン(CLK)の幅(w1)と、複数のステージの幅(w2)によって左右非表示領域が増加する問題を有している。このような従来の表示装置は、ゲート駆動部が、高速(または高周波)で駆動されるほど非表示領域が増加するという問題点を有している。
これを解決するために、本出願による表示装置10は、第1ゲート駆動回路310のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))を表示パネル100の左側端(または第2非表示領域(NA2))に配置し、第2ゲート駆動回路320のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を表示パネル100の右側端(または第3非表示領域(NA3)に配置また、第3ゲート駆動回路330のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))およびイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を表示パネル100の下側端(または第4非表示領域(NA4))に配置することができる。これにより、第1ゲート駆動回路310は、第1、第3、第5、第7ゲートクロック(CLK1、CLK3、CLK5、CLK7)を含むクロックライン(CLK)の幅(w3)とオードステージ(ST1〜ST(2n−1))の幅(w4)を従来の表示装置よりも減少させることができる。
たとえば、ダブルフィーディング(Double feeding)方式で駆動する従来の表示装置は、一定区間(h1)内に第1〜第4ステージ(ST1〜ST4)を収容するために、第2幅(w2)が増加することになる。しかし、本出願による第1ゲート駆動回路310は、一定区間(h1)内に収容されるステージの数を減少させ、オードステージ(ST1、ST3)の幅(w4)を減少させることができる。したがって、本出願による第1ゲート駆動回路310は、一定区間(h1)内にオードステージ(ST1、ST3)だけを収容するため、大型パネルを駆動させる場合でも、非表示領域を減少させることができる。
図9において、インターレース(Interlacing)方式で駆動する従来の表示装置は、複数のステージのうち奇数番目のステージ(ST(2n−1))を基板の左側非表示領域に配置し、偶数番目のステージ(ST(2n))を基板の右側非表示領域に配置する。ここで、大型パネルを有する従来の表示装置は、ゲートライン(GL(2n))がステージから遠く離れるほどゲートクロック(Gout)にディレイ(Delay)が発生する問題点を有している。したがって、従来の表示装置は、ステージからのゲートクロックを直接入力するゲートライン(GL(2n))の一端とステージから遠く離れたゲートライン(GL(2n))の他端との間の出力差が発生する。また、従来の表示装置は、ゲートクロック(Gout)にディレイ(Delay)が発生することにより、高速駆動(または高周波駆動)の際に画像不良が発生するという問題点を有する。
これを解決するために、本出願による表示装置10は、第1ゲート駆動回路310のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))を、第1表示領域(AA1)の一端に配置し、第3ゲート駆動回路330のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))を第2表示領域(AA2)の他端に配置することができる。そして、本出願による表示装置10は、第2ゲート駆動回路320のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を第2表示領域(AA2)の一端に配置し、第3ゲート駆動回路330のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を第1表示領域(AA1)の他端に配置することができる。
これにより、第1ゲート駆動回路310のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))は、オードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))の一端に直接ゲートパルスを供給することができ、第3ゲート駆動回路330のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))は、第1接続ライン(CL1)を介してオードゲートライン(GL1〜GL(2n−1))の第2表示領域(AA2)内の地点にゲートパルスを供給することができる。これと同じ方法で、第2ゲート駆動回路320のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))は、イーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))の一端に直接ゲートパルスを供給することができ、第3ゲート駆動回路330のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))は、第2接続ライン(CL2)を介してイーブンゲートライン(GL2〜GL(2n))の第1表示領域(AA1)内の地点にゲートパルスを供給することができる。
したがって、本出願による表示装置10は、ゲートクロック(Gout)にディレイが発生することを防止して、ゲートライン(GL(2n))の両端に出力差が発生することを防止することができる。これにより、本出願による表示装置10は、高速駆動(または高周波駆動)する場合でも、ディレイの発生を防止することにより、大型パネルでも、高速駆動を容易に具現して、画質を向上させることができる。
結果的に、本出願による表示装置10は、第1〜第3ゲート駆動部310、320、330を含み左右非表示領域を減少させると同時に、ゲートパルスのディレイを除去することで、高速駆動を容易に具現することができる。言い換えると、表示装置10は、パッド部が配置された第1非表示領域(NA1)を除いた第2〜第4非表示領域(NA2、NA3、NA4)に第1〜第3ゲート駆動回路310、320、330を分散配置することにより、第2および第3非表示領域(NA2、NA3)の面積を減少させ、表示領域(AA)内でのゲートパルスの出力の差を防止することができる。
図10は、第2実施例による表示装置で、複数のステージとゲートラインの接続関係を示す図であり、図11は、図10に示した表示装置で、第1ゲート駆動回路を示す図である。図12は、図10に示した表示装置で、第2ゲート駆動回路を示す図であり、図13は、図10に示した表示装置で、第3ゲート駆動回路を示す図である。ここで、図10〜図13に示した第2実施例に係る表示装置は、第1および第2オードのクロックライン(CLK_ODD1、CLK_ODD2)と、第1及び第2イーブンクロックライン(CLK_EVEN1、CLK_EVEN2)の構成だけを異にするものであり、前述した構成と同一の構成は、簡単に説明したり、省略することにする。
図10〜図13を参照すると、第1オードクロックライン(CLK_ODD1)は表示駆動部200から第2非表示領域(NA2)まで延長して、第1ゲート駆動回路310のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))と接続することができる。
第2オードクロックライン(CLK_ODD2)は、表示駆動部200から第3非表示領域(NA3)を経て、第4非表示領域(NA4)まで延長することができ、第3ゲート駆動回路330のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))と接続することができる。
第1イーブンクロックライン(CLK_EVEN1)は、表示駆動部200から第3非表示領域(NA3)まで延長され、第2ゲート駆動回路320のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))と接続することができる。
第2イーブンクロックライン(CLK_EVEN2)は、表示駆動部200から第2非表示領域(NA2)を経て第4非表示領域(NA4)まで延長することができ、第3ゲート駆動回路330のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))と接続することができる。
このように、第2実施例に係る表示装置10は、第1実施例に係る表示装置とクロックラインの構成を異にすることにより、各クロックラインの負荷を減少させ、第1〜第8ゲートクロック(CLK1〜 CLK8)それぞれを、ゲート駆動部300の各ステージに容易に伝達することができる。
図14は、図10に示した表示装置で、非表示領域減少の効果を説明する図である。
図14を参照すると、ダブルフィーディング(Double feeding)方式で駆動する従来の表示装置は、複数のステージそれぞれを基板の左右非表示領域に配置する。ここで、従来の表示装置は、第1〜第8ゲートクロック(CLK1〜CLK8)を含むクロックライン(CLK)の幅(w1)と、複数のステージの幅(w2)によって左右非表示領域が増加する問題を有している。このような従来の表示装置は、ゲート駆動部が、高速(または高周波)で駆動するほど非表示領域が増加するという問題点を有している。
これを解決するために、本出願による表示装置10は、第1ゲート駆動回路310のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))を表示パネル100の左側端(または第2非表示領域(NA2))に配置し、第2ゲート駆動回路320のイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を表示パネル100の右側端(または第3非表示領域(NA3)に配置し、第3ゲート駆動回路330のオードステージ(ST1〜ST(2n−1))およびイーブンステージ(ST2〜ST(2n))を表示パネル100の下側端(または第4非表示領域(NA4))に配置することができる。これにより、第1ゲート駆動回路310は、オードステージ(ST1〜ST(2n−1))の幅(w4)を従来の表示装置よりも減少させることができる。
結果的に、本出願による表示装置10は、第1〜第3ゲート駆動部310、320、330を含む左右非表示領域を減少させると同時に、ゲートパルスのディレイを除去することで、高速駆動を容易に具現することができる。言い換えると、表示装置10は、パッド部が配置された第1非表示領域(NA1)を除いた第2〜第4非表示領域(NA2、NA3、NA4)に第1〜第3ゲート駆動回路310、320、330を分散配置することにより、第2および第3非表示領域(NA2、NA3)の面積を減少させ、表示領域(AA)内でのゲートパルスの出力の差を防止することができる。
また、前記表示パネル100が液晶表示パネルである場合、トランジスタを完備した下部基板を表示装置10の外部に露出するようにすることにより、前記第1〜第4非表示領域をカバーし、支持するフロントカバーのベゼルの幅を減少させることができる。
例えば、一般的に前記第1非表示領域に具備されるパッド部は、前記下部基板に備えられ、上部基板が液晶を間に置いて前記上部基板に合着され、前記上部基板が表示装置の外部に露出する。つまり、表示装置を利用する使用者は、前記上部基板を介して出力する映像を見る。この場合、前記パッド部が露出しなければならないため、前記上部基板の大きさは、前記下部基板より小さく形成される。この場合、前記パッド部が使用者によって見ることができる方向に露出しているので、前記のパッド部が使用者によって見えないように、前記パッド部はフロントカバーによってカバーされる。したがって、前記のような本出願によって前記第2〜第4非表示領域の面積が減少しても、前記第1非表示領域の面積を減少させることができず、特に、前記第1非表示領域をカバーするフロントカバーのベゼルの幅は、減少させることができない。
しかし、前記上部基板を表示装置10の内部方向、つまり、バックライトユニットに向かう方向に配置し、表示装置10の外側方向、つまり、使用者によって見える方向に前記下部基板を完備すると、第1非表示領域をカバーし、支持するフロントカバーのベゼルの幅を減少させることができる。
つまり、前記のような配置構造によれば、たとえ、本出願によって前記第1非表示領域の大きさが実質的に減少されなくても、前記のパッド部が表示装置10の外部方向に露出しないので、前記パッド部を具備した前記第1非表示領域をカバーするためのフロントカバーのベゼルの幅を減少させることができる。この場合、前記のような本出願によれば、第2〜第3非表示領域の面積が減少するため、前記第2〜第3非表示領域をカバーし、支持するフロントカバーのベゼルの幅を減少させることができる。したがって、本出願によれば、前記第1〜第4非表示領域をカバーし、支持するフロントカバーのベゼルの幅がすべて減少し得る。これと関連した内容は、以下の図20〜図22を参照して説明する。
以下の説明では、前記第1接続ライン(CL1)及び前記第2接続ライン(CL2)を総称して、接続ライン(CL)とする。以下では、図15及び図16を参照して、ゲートラインと接続ラインの接続構造を説明する。以下の説明の中で、前記で説明した内容と同一または類似の内容は省略して簡単に説明する。
図15は、図2及び図10に示した表示パネルの断面を概略的に示した例示図である。特に、(a)は、図2及び図10に示した第1ピクセル(P1)をゲートライン(GL)に平行に切断した断面を概略的に示し、(b)は、図2及び図10に示した第2ピクセル(P2)をゲートライン(GL)に並行に切断した断面を概略的に示し、(c)は、図2及び図10に示した第3ピクセル(P3)をゲートライン(GL)に平行に切断した断面を概略的に示す。説明の便宜上、(a)、(b)及び(c)に示した断面には、前記断面に直接的に表現されない構成も表示されている。詳しく説明すると、(a)、(b)及び(c)に示した断面は、前記ゲートライン(GL)及び前記第2接続ライン(CL2)の配置構造を説明するためのものであり、残りの構成は、説明の利便性のために概略的に示している。
まず、図15の(a)を参照すると、前記第1ピクセル(P1)は、図2及び図10に示したように、前記ゲートライン(GL)だけを含んでいるので、前記第1ピクセル(P1)の断面には、前記第2接続ライン(CL)が含まれない。
この場合、前記表示パネル100のうち前記第1ピクセル(P1)は、(a)に示すように、基板101、前記基板の上端に具備される高耐熱性平坦化膜102、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に具備されるゲートライン(GL)、前記ゲートライン(GL)の上端に具備されるゲート絶縁膜103、前記ゲートライン(GL)と重畳するよう前記ゲート絶縁膜上端に具備される半導体104、前記半導体の上端に具備される第1電極105、前記半導体の上端に具備され、前記第1電極105と分離している第2電極106、前記第1電極105と前記第2電極106と前記半導体104をカバーする保護膜107、前記保護膜の上端に具備される平坦化膜108、前記平坦化膜の上端に具備され、前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールを介して前記第2電極106と電気的に接続するピクセル電極110を含む。
前記表示パネル100が液晶表示パネルである場合、前記平坦化膜108の上端には、図15に示すように、共通電極111をさらに備えることができ、前記共通電極111は、絶縁膜109によってカバーされ得る。この場合、前記ピクセル電極110は、前記絶縁膜109の上端に具備され、前記絶縁膜109と前記平坦化膜108に形成されたコンタクトホールを介して前記第2電極106と電気的に接続する。前記第1電極105、前記第2電極106、前記半導体104、前記ゲート絶縁膜103および前記ゲートライン(GL)は、前記液晶表示パネルに含まれる液晶の光透過率を制御するためのトランジスタ(TFT)、特に、スイッチングトランジスタの機能を実行する。前記の説明は、図15の(b)及び(c)に示した表示パネル100の説明にも適用することができる。
前記表示パネル100が、有機発光表示パネルである場合、前記共通電極111および前記絶縁膜109は、省略することができる。この場合、前記ピクセル電極110は、有機発光ダイオードのノードになることができ、前記ピクセル電極110の上端には、前記有機発光ダイオードを構成する発光層が具備され、前記発光層の上端には、前記有機発光ダイオードを構成するカソードが備えられている。前記第1電極105、前記第2電極106、前記半導体104、前記ゲート絶縁膜103と前記ゲートライン(GL)は、前記有機発光表示パネルに含まれる前記有機発光ダイオードの発光量を制御するためのトランジスタ(TFT)、特に駆動トランジスタの機能を実行する。前記の説明は、図15の(b)及び(c)に示した表示パネル100の説明にも適用することができる。
次に、図15の(b)を参照すると、前記第2ピクセル(P2)では、図2及び図10に示すように、前記ゲートライン(GL)と前記第2接続ライン(CL2)が交差している。
この場合、前記表示パネル100のうち前記第2ピクセル(P2)は、(b)に示すように、基板101、前記基板の上端に具備される前記第2接続ライン(CL2)、第2接続ライン(CL2)をカバーする高耐熱性平坦化膜102、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に具備されるゲートライン(GL)、前記ゲートライン(GL)の上端に具備されるゲート絶縁膜103、前記ゲートライン(GL)と重畳するよう前記ゲート絶縁膜上に具備される半導体104、前記半導体の上端に具備される第1電極105、前記半導体の上に具備され、前記第1電極105と分離している第2電極106、前記第1電極105と前記第2電極106と前記半導体104をカバーする保護膜107、前記保護膜の上端に具備される平坦化膜108、前記平坦化膜上に具備され、前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールを介して前記第2電極106と電気的に接続するピクセル電極110を含む。
すなわち、本発明において、前記第1接続ライン(CL1)及び前記第2接続ライン(CL2)は、(b)に示すように、前記基板101上に備えることができ、前記第1接続ライン(CL1)及び前記第2接続ライン(CL2)は、前記高耐熱性平坦化膜102によってカバーされている。
最後に、図15の(c)を参照すると、前記第3ピクセル(P3)は、図2及び図10に示すように、前記ゲートライン(GL)と前記第2接続ライン(CL2)が接続している。
この場合、前記表示パネル100のうち前記第3ピクセル(P3)は、(c)に示すように、基板101、前記基板の上端に具備される前記第2接続ライン(CL2)、前記第2接続ライン(CL2)をカバーする高耐熱性平坦化膜102、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に具備されるゲートライン(GL)、前記ゲートライン(GL)の上端に具備されるゲート絶縁膜103、前記ゲートライン(GL)と重畳するよう前記ゲート絶縁膜上に具備される半導体104、前記半導体の上端に具備される第1電極105、前記半導体の上端に具備され、前記第1電極105と分離している第2電極106、前記第1電極105と前記第2電極106と前記半導体104をカバーする保護膜107、前記保護膜の上端に具備される平坦化膜108、前記平坦化膜上に具備され、前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールを介して前記第2電極106と電気的に接続するピクセル電極110を含む。
すなわち、本発明において、前記第1接続ライン(CL1)及び前記第2接続ライン(CL2)は、(b)に示すように、前記基板101上に備えられており、前記第1接続ライン(CL1)及び前記第2接続ライン(CL2)は、前記高耐熱性平坦化膜102によってカバーされている。
特に、前記第2接続ライン(CL1)は、(c)に示したように、前記高耐熱性平坦化膜102に形成されるコンタクトホールを介して前記ゲートライン(GL)と接続しており、前記第1接続ライン(CL1)もまた、前記高耐熱性平坦化膜102に形成されるコンタクトホールを介して前記ゲートライン(GL)と接続することができる。
より詳しく説明すると、前記接続ライン(CL)は、図1、図2及び図10に示したように、前記表示パネル100の前記第4非表示領域(NA4)から前記第1非表示領域(NA1)方向、すなわち、前記第2方向に延長されており、前記ゲートライン(GL)は、前記接続ライン(CL)と、異なる方向、特に、前記第2方向に垂直な方向である前記第1方向に延長されている。
この場合、前記接続ライン(CL)は、図15に示すように、前記基板101上に備えられ、前記高耐熱性平坦化膜102によって前記ゲートライン(GL)と絶縁されており、前記高耐熱性平坦化膜102に形成されたコンタクトホールを介して前記ゲートライン(GL)と電気的に接続する。
前記接続ライン(CL)が、前記で説明したように、前記基板101に備えられ、前記基板101が、前記高耐熱性平坦化膜102によってカバーされる理由は、前記表示パネル100に備えられた各種の金属、例えば、前記第1電極105、前記第2電極106、前記共通電極111及び前記データラインのうち少なくとも一つと、前記接続ライン(CL)の間で発生する寄生キャパシタンスを減少させ、前記接続ライン(CL)の負荷を減らすためである。
特に、前記高耐熱性平坦化膜102の厚さが厚くなるほど、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に備えられた金属と前記接続ライン(CL)の間の間隔が大きくなり、これにより、前記金属と前記接続ライン(CL)の間で発生する寄生キャパシタンスの大きさが減少し得る。すなわち、前記高耐熱性平坦化膜102は、前記接続ライン(CL)の上端を平坦にする機能および、前記接続ライン(CL)と異なる金属の間の寄生キャパシタンスを減少させる機能を実行する。
この場合、前記高耐熱性平坦化膜102の上端には、高温工程が要求される前記ゲートライン(GL)、前記半導体104、前記第1電極105および前記第2電極106などが具備されているので、前記高耐熱性平坦化膜102は、高耐熱性の物質を使用しなければならない。
したがって、前記の高耐熱性平坦化膜102の比誘電率は、2よりも大きく、4よりも小さくなくてはならず、前記高耐熱性平坦化膜102の均一度(Max−Min)は0より大きく、0.2マイクロメートル(μm)よりも小さくなくてはならず、400℃よりも高い酸化物(Oxide)の高温工程において、前記高耐熱性平坦化膜102の重量損失は0.1%より大きく、1%よりも小さくなくてはならず、金属エッチングによる重量損失や物質特性の変更がないように、前記高耐熱性平坦化膜102は、化学的に安定しなければならず、他の膜との接触特性も良くなければならない。すなわち、前記の重量損失、前記比誘電率及び前記均一度は小さいほど良い。
また、前記高耐熱性平坦化膜102を具備する表示パネルが液晶表示パネルである場合、前記高耐熱性平坦化膜102は、70〜100%の間の透過率を有しなければならない。
すなわち、前記高耐熱性平坦化膜102は、酸化ケイ素(SiO2)と同様の物性特性を有する物質で形成することができる。
図16は、図2および図10に示した表示パネルの断面を概略的に示す別の例示図である。特に、(a)は、図2及び図10に示した第1ピクセル(P1)をゲートライン(GL)に平行に切断した断面を概略的に示し、(b)は、図2及び図10に示した第2ピクセル(P2)をゲートライン(GL)に平行に切断した断面を概略的に示し、(c)は、図2及び図10に示した第3ピクセル(P3)をゲートライン(GL)に平行に切断した断面を概略的に示す。つまり、説明の便宜上、(a)、(b)及び(c)に示した断面には、前記断面に直接的に表現されない構成も表示されている。より詳しく説明すると、(a)、(b)及び(c)に示した断面は、前記ゲートライン(GL)及び前記第2接続ライン(CL2)の配置構造を説明するためのものであり、残りの構成は、説明の利便性のために概略的に示している。
まず、図16の(a)を参照すると、前記第1ピクセル(P1)は、図2及び図10に示すように、前記ゲートライン(GL)だけを含んでいるので、前記第1ピクセル(P1)の断面には、前記第2接続ライン(CL)が含まれない。
この場合、前記表示パネル100のうち前記第1ピクセル(P1)は、(a)に示すように、基板101、前記基板の上端に具備される高耐熱性平坦化膜102、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に具備されるゲートライン(GL)、前記ゲートライン(GL)の上端に具備されるゲート絶縁膜103、前記ゲートライン(GL)と重畳するよう前記ゲート絶縁膜上に具備される半導体104、前記半導体の上端に具備される第1電極105、前記半導体の上端に具備され、前記第1電極105と分離されている第2電極106、前記第1電極105と前記第2電極106と前記半導体104をカバーする保護膜107、前記保護膜の上端に具備される平坦化膜108、前記平坦化膜上端に具備され、前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールを介して前記第2電極106と電気的に接続するピクセル電極110を含む。
前記表示パネル100が液晶表示パネルである場合、前記平坦化膜108の上端には、図16に示すように、共通電極111をさらに具備することができ、前記共通電極111は、絶縁膜109によってカバーされ得る。この場合、前記ピクセル電極110は、前記絶縁膜109の上端に具備され、前記絶縁膜109と前記平坦化膜108に形成されたコンタクトホールを介して前記第2電極106と電気的に接続する。前記第1電極105、前記第2電極106、前記半導体104、前記ゲート絶縁膜103および前記ゲートライン(GL)は、前記液晶表示パネルに含まれる液晶の光透過率を制御するためのトランジスタ(TFT)、特に、スイッチングトランジスタの機能を実行する。前記の説明は、図16の(b)及び(c)に示された表示パネル100の説明にも適用することができる。
前記表示パネル100が、有機発光表示パネルである場合、前記共通電極111および前記絶縁膜109は省略することができる。この場合、前記ピクセル電極110は、有機発光ダイオードのノードになり得、前記ピクセル電極110の上端には、前記有機発光ダイオードを構成する発光層が具備され、前記発光層の上端には、前記有機発光ダイオードを構成するカソードが具備され得る。前記第1電極105、前記第2電極106、前記半導体104、前記ゲート絶縁膜103および前記ゲートライン(GL)は、前記有機発光表示パネルに含まれる前記有機発光ダイオードの発光量を制御するためのトランジスタ(TFT)、特に、駆動トランジスタの機能を実行する。前記の説明は、図16の(b)及び(c)に示された表示パネル100の説明にも適用することができる。
次に、図16の(b)を参照すると、前記第2ピクセル(P2)では、図2及び図10に示すように、前記ゲートライン(GL)と前記第2接続ライン(CL2)が交差している。
この場合、前記表示パネル100のうち前記第2ピクセル(P2)は、(b)に示すように、基板101、前記基板の上端に具備される高耐熱性平坦化膜102、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に具備されるゲートライン(GL)、前記ゲートライン(GL)の上端に具備されるゲート絶縁膜103、前記ゲート絶縁膜の上端に具備される第2接続ライン(CL2)、第2接続ライン(CL2)と前記ゲート絶縁膜をカバーする保護膜107、前記保護膜の上端に具備される平坦化膜108、前記平坦化膜の上端に具備されるピクセル電極110を含む。
すなわち、本発明において、前記第1接続ライン(CL1)及び前記第2接続ライン(CL2)は、(b)に示すように、前記ゲート絶縁膜103上に具備され得る。
この場合、前記接続ライン(CL)は、前記ゲート絶縁膜の上端に備えられ、前記トランジスタ(TFT)を構成する前記第1電極105および前記第2電極106と同じ工程を経て形成することができる。
つまり、前記ゲート絶縁膜103の上端には、前記のピクセルに具備されるトランジスタを形成する第1電極及び第2電極が具備され、前記接続ライン(CL)は前記ゲート絶縁膜の上端で前記第1電極及び前記第2電極と同じ層に形成され得る。
また、前記第1電極105および前記第2電極106が、前記半導体104上に備えられているので、前記接続ライン(CL)も前記半導体104と同じ工程を経て形成されるまた別の半導体104a上に具備することもできる。
つまり、前記の接続ライン(CL)は、前記トランジスタ(TFT)を構成する前記第1電極105および前記第2電極106と同じ工程を経て形成することができる。この場合、前記接続ライン(CL)は前記ゲート絶縁膜103上に直接具備することもでき、または前記第1電極105および前記第2電極106と同じ構造を有することができるように、前記トランジスタ(TFT)を構成する半導体104と同じ工程を経て形成されるまた別の半導体104aの上端に具備することもできる。
最後に、図16の(c)を参照すると、前記第3ピクセル(P3)では、図2及び図10に示すように、前記ゲートライン(GL)と前記第2接続ライン(CL2)が接続している。
この場合、前記表示パネル100のうち前記第3ピクセル(P3)は、(c)に示すように、基板101、前記基板の上端に具備される高耐熱性平坦化膜102、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に具備されるゲートライン(GL)、前記ゲートライン(GL)の上端に具備されるゲート絶縁膜103、前記ゲート絶縁膜上に具備され前記ゲート絶縁膜103に形成されたコンタクトホールを介して前記ゲートライン(GL)と電気的に接続する前記また別の半導体104a、前記また別の半導体104aの上端に具備される前記第2接続ライン(CL2)、第2接続ライン(CL2)と前記また別の半導体104aをカバーする保護膜107、前記保護膜の上端に具備される平坦化膜108、前記平坦化膜の上端に具備されるピクセル電極110を含む。
前記で説明したように、前記第2接続ライン(CL2)は前記ゲート絶縁膜103上に直接具備することができ、この場合、前記第2接続ライン(CL2)は前記ゲート絶縁膜103に形成されたコンタクトホールを介して前記ゲートライン(GL)と電気的に接続することができる。
前記接続ライン(CL)が、前記で説明したように、前記基板101に具備されると、追加の工程なしに、前記接続ライン(CL)を形成することができる。
前記の説明では、前記基板101上端に、前記高耐熱性平坦化膜102が備えられるが、図16を参照して説明した実施例では、前記高耐熱性平坦化膜102は省略することができる。
しかし、図16を参照して説明した実施例では、前記基板101上端に、前記接続ライン(CL)ではない、また別の金属が備えられなければならない場合、前記高耐熱性平坦化膜102は、図15を参照して説明したように、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に具備される各種の金属と、前記また別の金属間の寄生キャパシタンスを減少させる機能を実行することができる。
この場合、前記高耐熱性平坦化膜102は、図15を参照して説明したような物性を含むことができる。
以下では、図17〜図19を参照して、寄生キャパシタンスを減少させるための表示パネルの構造を説明する。以下の説明の中で、前記で説明した内容と同一または類似の内容は省略して簡単に説明する。
図17は、図2および図10に示した表示パネルの断面を概略的に示すまた別の例示図である。特に、(a)は、図2及び図10に示した第1ピクセル(P1)をゲートライン(GL)に平行に切断した断面を概略的に示し、(b)は、図2及び図10に示した第2ピクセル(P2)をゲートライン(GL)に平行に切断した断面を概略的に示し、(c)は、図2及び図10に示した第3ピクセル(P3)をゲートライン(GL)に平行に切断した断面を概略的に示す。説明の便宜上、(a)、(b)及び(c)に示した断面には、前記断面に直接的に表現されない構成も表示されている。より詳しく説明すると、(a)、(b)及び(c)に示された断面は、前記ゲートライン(GL)及び前記第2接続ライン(CL2)の配置構造を説明するためのものであり、残りの構成は、説明の利便性のために概略的に示している。
まず、図17の(a)を参照すると、前記第1ピクセル(P1)は、図2及び図10に示すように、前記ゲートライン(GL)だけを含んでいるので、前記第1ピクセル(P1)の断面には、前記第2接続ライン(CL)が含まれない。
この場合、前記表示パネル100のうち前記第1ピクセル(P1)は、(a)に示すように、基板101、前記基板の上端に具備される高耐熱性平坦化膜102、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に具備されるゲートライン(GL)、前記ゲートライン(GL)の上端に具備されるゲート絶縁膜103、前記ゲートライン(GL)と重畳するよう前記ゲート絶縁膜上端に具備される半導体104、前記半導体の上端に具備される第1電極105、前記半導体の上端に具備され、前記第1電極105と分離している第2電極106、前記第1電極105と前記第2電極106と前記半導体104をカバーする保護膜107、前記保護膜の上端に具備されるカラーフィルタ(CF)、前記カラーフィルタ(CF)上に具備される平坦化膜108、前記平坦化膜上端に具備され、前記平坦化膜108と、前記カラーフィルタ(CF)に形成されたコンタクトホールを介して前記第2電極106と電気的に接続するピクセル電極110を含む。
前記表示パネル100が液晶表示パネルである場合、前記平坦化膜108の上端には、図17に示すように、共通電極111をさらに備えることができ、前記共通電極111は、絶縁膜109によってカバーされ得る。この場合、前記ピクセル電極110は、前記絶縁膜109の上端に具備され、前記絶縁膜109と前記平坦化膜108と前記カラーフィルタ(CF)に形成されたコンタクトホールを介して前記第2電極106と電気的に接続する。前記第1電極105、前記第2電極106、前記半導体104、前記ゲート絶縁膜103および前記ゲートライン(GL)は、前記液晶表示パネルに含まれる液晶の光透過率を制御するためのトランジスタ(TFT)、特に、スイッチングトランジスタの機能を実行する。
特に、前記表示パネルのうち前記保護膜107の上端には、前記カラーフィルタ(CF)を具備する。前記カラーフィルタ(CF)は、前記画素から出力する光のカラーを決定する機能を実行する。
すなわち、前記表示パネルが液晶表示パネルである場合、前記基板101の下端に備えられたバックライトユニットから出力した光は、前記カラーフィルタ(CF)、前記絶縁膜109、前記絶縁膜109の上端に備えられる液晶および、前記液晶上端に具備される上部基板を介して外部に伝達される。したがって、使用者は前記上部基板を介して出力するカラー光を見ることができる。
前記の説明は、図17の(b)及び(c)に示した表示パネル100の説明にも適用することができる。
前記表示パネル100が、有機発光表示パネルである場合、前記共通電極111および、前記絶縁膜109は省略することができる。この場合、前記ピクセル電極110は、有機発光ダイオードのノードになり得、前記ピクセル電極110の上端には、前記有機発光ダイオードを構成する発光層が具備され、前記発光層の上端には、前記有機発光ダイオードを構成するカソードが具備され得る。前記第1電極105、前記第2電極106、前記半導体104、前記ゲート絶縁膜103および前記ゲートライン(GL)は、前記有機発光表示パネルに含まれる前記有機発光ダイオードの発光量を制御するためのトランジスタ(TFT)、特に駆動トランジスタの機能を実行する。
すなわち、前記表示パネルが有機発光表示パネルである場合、前記ピクセル電極110は、前記カラーフィルタ(CF)及び前記平坦化膜108に形成されたコンタクトホールを介して前記第2電極106と接続し、前記ピクセル電極110の下端には、前記カラーフィルタ(CF)が具備され得る。図17は、有機発光表示パネルの断面を表示しているので、前記ピクセル電極110の下端にカラーフィルタ(CF)が表示されていない。しかし、平面図上で、前記ピクセル電極110のうち前記コンタクトホールが形成された部分を除いた部分では、前記カラーフィルタ(CF)が前記ピクセル電極110の下端に具備され得る。
この場合、前記ピクセル電極110は、有機発光表示パネルのアノード電極の機能を実行し、したがって、前記で説明したように、前記ピクセル電極110の上端には、発光層が備えられ、前記発光層の上端には、カソードが具備される。
前記発光層で生成された光は、前記カラーフィルタ(CF)、前記ゲート絶縁膜103、前記高耐熱性平坦化膜102および前記基板101を介して外部に伝達される。したがって、使用者は前記基板101を介して出力するカラー光を見ることができる。
前記の説明は、図17の(b)及び(c)に示した表示パネル100の説明にも適用することができる。次に、図17の(b)を参照すると、前記第2ピクセル(P2)は、図2及び図10に示すように、前記ゲートライン(GL)と前記第2接続ライン(CL2)が交差している。
この場合、前記表示パネル100のうち前記第2ピクセル(P2)は、(b)に示すように、基板101、前記基板の上端に具備される前記第2接続ライン(CL2)、第2接続ライン(CL2)をカバーする高耐熱性平坦化膜102、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に具備されるゲートライン(GL)、前記ゲートライン(GL)の上端に具備されるゲート絶縁膜103、前記ゲートライン(GL)と重畳するよう前記ゲート絶縁膜上に具備される半導体104、前記半導体の上端に具備される第1電極105、前記半導体の上端に具備され、前記第1電極105と分離している第2電極106、前記第1電極105と前記第2電極106と前記半導体104をカバーする保護膜107、前記保護膜の上端に具備されるカラーフィルタ(CF)、前記カラーフィルタ(CF)の上端に具備される平坦化膜108、前記平坦化膜上に具備され、前記平坦化膜108と、前記カラーフィルタ(CF)に形成されたコンタクトホールを介して前記第2電極106と電気的に接続するピクセル電極110を含む。
すなわち、本発明において、前記第1接続ライン(CL1)及び前記第2接続ライン(CL2)は(b)に示すように、前記基板101上に具備され得、前記第1接続ライン(CL1)及び前記第2接続ライン(CL2)は、前記高耐熱性平坦化膜102によってカバーされている。最後に、図17の(c)を参照すると、前記第3ピクセル(P3)では、図2及び図10に示すように、前記ゲートライン(GL)と前記第2接続ライン(CL2)が接続している。
この場合、前記表示パネル100のうち前記第3ピクセル(P3)は、(c)に示すように、基板101、前記基板の上端に具備される前記第2接続ライン(CL2)、第2接続ライン(CL2)をカバーする高耐熱性平坦化膜102、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に具備されるゲートライン(GL)、前記ゲートライン(GL)の上端に具備されるゲート絶縁膜103、前記ゲートライン(GL)と重畳するよう前記ゲート絶縁膜上に具備される半導体104、前記半導体の上端に具備される第1電極105、前記半導体の上端に具備され、前記第1電極105と分離している第2電極106、前記第1電極105と前記第2電極106と前記半導体104をカバーする保護膜107、前記保護膜の上端に具備されるカラーフィルタ(CF)、前記カラーフィルタ(CF)の上端に具備される平坦化膜108、前記平坦化膜上に具備され、前記平坦化膜108と前記カラーフィルタ(CF)に形成されたコンタクトホールを介して前記第2電極106と電気的に接続するピクセル電極110を含む。
すなわち、本発明において、前記第1接続ライン(CL1)及び前記第2接続ライン(CL2)は(b)に示すように、前記基板101上に具備され得、前記第1接続ライン(CL1)及び前記第2接続ライン(CL2)は、前記高耐熱性平坦化膜102によってカバーされている。
特に、前記第2接続ライン(CL1)は(c)に示したように、前記高耐熱性平坦化膜102に形成されるコンタクトホールを介して前記ゲートライン(GL)と接続しており、前記第1接続ライン(CL1)もまた、前記高耐熱性平坦化膜102に形成されるコンタクトホールを介して前記ゲートライン(GL)と接続することができる。
より詳しく説明すると、前記接続ライン(CL)は、図1、図2及び図10に示したように、前記表示パネル100の前記第4非表示領域(NA4)から前記第1非表示領域(NA1)方向、すなわち、前記第2方向に延長されており、前記ゲートライン(GL)は、前記接続ライン(CL)と異なる方向、特に、前記第2方向に垂直な方向である前記第1方向に延長されている。
この場合、前記接続ライン(CL)は、図17に示すように、前記基板101上に備えられ、前記高耐熱性平坦化膜102によって前記ゲートライン(GL)と絶縁されており、前記高耐熱性平坦化膜102に形成されたコンタクトホールを介して前記ゲートライン(GL)と電気的に接続する。
前記接続ライン(CL)が、前記で説明したように、前記基板101に備えられ、前記基板101が、前記高耐熱性平坦化膜102によってカバーされている理由は、前記表示パネル100に備えられた各種の金属、例えば、前記第1電極105、前記第2電極106、前記共通電極111及び前記データラインのうち少なくとも一つと、前記接続ライン(CL)の間で発生する寄生キャパシタンスを減少させ、前記接続ライン(CL)の負荷を減らすためである。
特に、前記高耐熱性平坦化膜102の厚さが厚くなるほど、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に備えられた金属と前記接続ライン(CL)との間の間隔が大きくなり、これにより、前記金属と前記接続ライン(CL)の間で発生する寄生キャパシタンスの大きさが減少し得る。すなわち、前記高耐熱性平坦化膜102は、前記接続ライン(CL)の上端を平坦にする機能および、前記接続ライン(CL)と他の金属との間の寄生キャパシタンスを減少させる機能をする。
この場合、前記高耐熱性平坦化膜102の上端には、高温工程が求められる前記ゲートライン(GL)、前記半導体104、前記第1電極105および前記第2電極106などが具備されているので、前記高耐熱性平坦化膜102は、高耐熱性の物質を使用しなければならない。
したがって、前記高耐熱性平坦化膜102の比誘電率は、2よりも大きく、4よりも小さくなければならず、前記高耐熱性平坦化膜102の均一性(Max−Min)は0より大きく、0.2マイクロメートル(μm)よりも小さくなければならず、400℃よりも高い酸化物(Oxide)の高温工程において、前記高耐熱性平坦化膜102の重量損失は0.1%より大きく、1%よりも小さくなければならない、金属エッチングによる重量損失や物質特性の変更がないように、前記高耐熱性平坦化膜102は、化学的に安定しなければならず、他の膜との接触特性も良くなければならない。すなわち、前記の重量損失、前記比誘電率及び前記均一度は小さいほど良い。
また、前記高耐熱性平坦化膜102を具備する表示パネルが液晶表示パネルである場合、前記高耐熱性平坦化膜102は、70〜100%の間の透過率を有しなければならない。
すなわち、前記高耐熱性平坦化膜102は、酸化ケイ素(SiO2)と類似な物性特性を有する物質で形成され得る。
また、前記で説明したように、前記保護膜107と前記平坦化膜108との間に前記カラーフィルタ(CF)を備えることによって、前記平坦化膜108の上端に具備される金属ラインと前記保護膜107の下端に具備される金属ラインの間で発生する寄生キャパシタンスが減少し得る。これに対する説明は、以下で図19を参照して説明する。
図18は、図2および図10に示した表示パネルの断面を概略的に示すまた別の例示図である。特に、(a)は、図2及び図10に示した第1ピクセル(P1)をゲートライン(GL)に平行に切断した断面を概略的に示し、(b)は、図2及び図10に示した第2ピクセル(P2)をゲートライン(GL)に平行に切断した断面を概略的に示し、(c)は、図2及び図10に示した第3ピクセル(P3)をゲートライン(GL)に平行に切断した断面を概略的に示す。つまり、説明の便宜上、(a)、(b)及び(c)に示された断面には、前記断面に直接的に表現されない構成も表示されている。より詳しく説明すると、(a)、(b)及び(c)に示された断面は、前記ゲートライン(GL)及び前記第2接続ライン(CL2)の配置構造を説明するためのものであり、残りの構成は、説明の利便性のために概略的に示している。
まず、図18の(a)を参照すると、前記第1ピクセル(P1)は、図2及び図10に示すように、前記ゲートライン(GL)だけを含んでいるので、前記第1ピクセル(P1)の断面には、前記第2接続ライン(CL)が含まれない。
この場合、前記表示パネル100のうち前記第1ピクセル(P1)は、(a)に示すように、基板101、前記基板の上端に具備される高耐熱性平坦化膜102、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に具備されるゲートライン(GL)、前記ゲートライン(GL)の上端に具備されるゲート絶縁膜103、前記ゲートライン(GL)と重畳するよう前記ゲート絶縁膜上端に具備される半導体104、前記半導体の上端に具備される第1電極105、前記半導体の上端に具備され、前記第1電極105と分離している第2電極106、前記第1電極105と前記第2電極106と前記半導体104をカバーする保護膜107、前記保護膜の上端に具備されるカラーフィルタ(CF)、前記カラーフィルタ(CF)の上端に具備される平坦化膜108、前記平坦化膜上端に具備され、前記平坦化膜108と、前記カラーフィルタ(CF)に形成されたコンタクトホールを介して前記第2電極106と電気的に接続しているピクセル電極110を含む。
前記表示パネル100が液晶表示パネルである場合、前記平坦化膜108の上端には、図18に示すように、共通電極111をさらに備えることができ、前記共通電極111は、絶縁膜109によってカバーされ得る。この場合、前記ピクセル電極110は、前記絶縁膜109の上端に具備され、前記絶縁膜109と前記平坦化膜108と前記カラーフィルタ(CF)に形成されたコンタクトホールを介して前記第2電極106と電気的に接続する。前記第1電極105、前記第2電極106、前記半導体104、前記ゲート絶縁膜103および前記ゲートライン(GL)は、前記液晶表示パネルに含まれる液晶の光透過率を制御するためのトランジスタ(TFT)、特に、スイッチングトランジスタの機能を実行する。
特に、前記表示パネルのうち前記保護膜107の上端には、前記カラーフィルタ(CF)が具備される。前記カラーフィルタ(CF)は、前記画素から出力する光のカラーを決定する機能を実行する。
すなわち、前記表示パネルが液晶表示パネルである場合、前記基板101の下端に備えられたバックライトユニットから出力した光は、前記カラーフィルタ(CF)、前記絶縁膜109、前記絶縁膜109の上端に具備される液晶および、前記液晶上部に具備される上部基板を介して外部に伝達される。したがって、使用者は前記上部基板を介して出力するカラー光を見ることができる。
前記の説明は、図18の(b)及び(c)に示した表示パネル100の説明にも適用することができる。
前記表示パネル100が、有機発光表示パネルである場合、前記共通電極111および、前記絶縁膜109は省略することができる。この場合、前記ピクセル電極110は、有機発光ダイオードのノードになり得、前記ピクセル電極110の上端には、前記有機発光ダイオードを構成する発光層が具備され、前記発光層の上端には、前記有機発光ダイオードを構成するカソードを具備し得る。前記第1電極105、前記第2電極106、前記半導体104、前記ゲート絶縁膜103および前記ゲートライン(GL)は、前記有機発光表示パネルに含まれる前記有機発光ダイオードの発光量を制御するためのトランジスタ(TFT)、特に、駆動トランジスタの機能を実行する。
すなわち、前記表示パネルが有機発光表示パネルである場合、前記ピクセル電極110は、前記カラーフィルタ(CF)及び前記平坦化膜108に形成されたコンタクトホールを介して前記第2電極106と接続し、前記ピクセル電極110の下端には、前記のカラーフィルタ(CF)を具備し得る。図18は、有機発光表示パネルの断面を表示しているので、前記ピクセル電極110の下端にカラーフィルタ(CF)が表示されていない。しかし、平面図上で、前記ピクセル電極110のうち前記コンタクトホールが形成された部分を除いた部分では、前記のカラーフィルタ(CF)を前記ピクセル電極110の下端に具備することができる。
この場合、前記ピクセル電極110は、有機発光表示パネルのアノード電極の機能をし、したがって、前記で説明したように、前記ピクセル電極110の上端には、発光層が備えられ、前記発光層の上端には、カソードが具備される。
前記発光層で生成された光は、前記カラーフィルタ(CF)、前記ゲート絶縁膜103、前記高耐熱性平坦化膜102および前記基板101を介して外部に伝達される。したがって、使用者は前記基板101を介して出力するカラー光を見ることができる。
前記の説明は、図18の(b)及び(c)に示した表示パネル100の説明にも適用することができる。
次に、図18の(b)を参照すると、前記第2ピクセル(P2)には、図2及び図10に示すように、前記ゲートライン(GL)と前記第2接続ライン(CL2)が交差している。
この場合、前記表示パネル100のうち前記第2ピクセル(P2)は、(b)に示すように、基板101、前記基板の上端に具備される高耐熱性平坦化膜102、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に具備されるゲートライン(GL)、前記ゲートライン(GL)の上端に具備されるゲート絶縁膜103、前記ゲート絶縁膜の上端に具備される第2接続ライン(CL2)、第2接続ライン(CL2)と前記ゲート絶縁膜をカバーする保護膜107、前記保護膜の上端に具備されるカラーフィルタ(CF)、前記カラーフィルタ(CF)の上端に具備される平坦化膜108、前記平坦化膜上端に具備されるピクセル電極110を含む。
すなわち、本発明において、前記第1接続ライン(CL1)及び前記第2接続ライン(CL2)は(b)に示すように、前記ゲート絶縁膜103上に具備することができる。
この場合、前記接続ライン(CL)は前記ゲート絶縁膜の上端に備えられ、前記トランジスタ(TFT)を構成する前記第1電極15および前記第2電極106と同じ工程を経て形成することができる。
また、前記第1電極15および前記第2電極106が、前記半導体104上に備えられているので、前記接続ライン(CL)も前記半導体104と同じ工程を経て形成されるまた別の半導体104a上に具備することもできる。
つまり、前記の接続ライン(CL)は、前記トランジスタ(TFT)を構成する前記第1電極15および前記第2電極106と同じ工程を経て形成することができる。この場合、前記接続ライン(CL)は、前記ゲート絶縁膜103上に直接具備することもでき、または前記第1電極15および前記第2電極106と同じ構造を有することができるように、前記トランジスタ(TFT)を構成する半導体104と同じ工程を経て形成されるまた別の半導体104aの上端に具備することもできる。
最後に、図18の(c)を参照すると、前記第3ピクセル(P3)は、図2及び図10に示すように、前記ゲートライン(GL)と前記第2接続ライン(CL2)が接続している。
この場合、前記表示パネル100のうち前記第3ピクセル(P3)は、(c)に示すように、基板101、前記基板の上端に具備される高耐熱性平坦化膜102、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に具備されるゲートライン(GL)、前記ゲートライン(GL)の上端に具備されるゲート絶縁膜103、前記ゲート絶縁膜上に具備され前記ゲート絶縁膜103に形成されたコンタクトホールを介して前記ゲートライン(GL)と電気的に接続する前記また別の半導体104a、前記また別の半導体104aの上端に具備される前記第2接続ライン(CL2)、第2接続ライン(CL2)と、前記また別の半導体104aをカバーする保護膜107、前記保護膜の上端に具備されるカラーフィルタ(CF)、前記カラーフィルタ(CF)の上端に具備される平坦化膜108、前記平坦化膜の上端に具備されるピクセル電極110を含む。
前記で説明したように、前記第2接続ライン(CL2)は、前記ゲート絶縁膜103上端に直接具備することができ、この場合、前記第2接続ライン(CL2)は、前記ゲート絶縁膜103に形成されたコンタクトホールを介して前記ゲートライン(GL)と電気的に接続することができる。
前記接続ライン(CL)を、前記で説明したように、前記基板101に具備すると、追加の工程がなくても、前記の接続ライン(CL)を形成することができる。前記の説明では、前記基板101上端に、前記高耐熱性平坦化膜102を具備するが、図18を参照して説明した実施例では、前記高耐熱性平坦化膜102は省略することができる。
しかし、図18を参照して説明した実施例では、前記基板101上端に、前記接続ライン(CL)ではないまた別の金属を具備する場合、前記高耐熱性平坦化膜102は、図17を参照して、説明したように、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に具備される各種の金属と、前記また別の金属との間の寄生キャパシタンスを減少させる機能をすることができる。
この場合、前記高耐熱性平坦化膜102は、図17を参照して説明したような物性を含むことができる。
また、前記で説明したように、前記保護膜107と前記平坦化膜108との間に前記カラーフィルタ(CF)を備えることによって、前記平坦化膜108の上端に具備される金属と、前記保護膜107の下端に具備される金属の間で発生する寄生キャパシタンスが減少し得る。これに対する説明は、以下で図19を参照して説明する。
図19は、本出願による表示装置で寄生キャパシタンスが減少する原理を説明するための例示図である。図19の(a)は、従来の表示パネルの断面図であり、(b)は、図17を参照して説明した表示パネルの断面図であり、(c)は、図18を参照して説明した表示パネルの断面図である。
前記で図17及び図18を参照して説明したように、前記表示パネルのうち前記保護膜107の上端には、前記カラーフィルタ(CF)を具備する。
前記カラーフィルタ(CF)により、前記平坦化膜108の上端に具備される金属または金属ラインと、前記保護膜107の下端に具備される金属または金属ラインの間で発生する寄生キャパシタンスが減少し得る。
例えば、前記の表示パネルが液晶表示パネルであるとき、図19の(a)に示すように、カラーフィルタを保護膜107および平坦化膜108との間に具備しない液晶表示パネルでのゲートライン(GL)と共通電極111との間の距離は、(b)に示すように、カラーフィルタを保護膜107および平坦化膜108との間に具備している液晶表示パネルでのゲートライン(GL)と共通電極111との間の距離よりも小さく、また、接続ライン(CL)と共通電極111との間の距離よりも小さい。寄生キャパシタンスは、一般的に距離に反比例するので、二つの電極間の距離が大きくなるほど寄生キャパシタンスは小さくなる。
したがって、(b)に示すように、カラーフィルタを保護膜107および平坦化膜108との間に備えている本発明の液晶表示パネルでのゲートライン(GL)と共通電極111との間の寄生キャパシタンスは、(a)に示すように、カラーフィルタを保護膜107および平坦化膜108との間に備えていない従来の液晶表示パネルでのゲートライン(GL)と共通電極111との間の寄生キャパシタンスよりも小さい。また、(b)に示すように、ゲートライン(GL)と高耐熱性平坦化膜108との間に接続ライン(CL)を具備した液晶表示パネルでは、保護膜107および平坦化膜108との間に備えられたカラーフィルタ(CF)によって、前記接続ライン(CL)と共通電極111との間の距離がさらに増加し、したがって、前記接続ライン(CL)と共通電極111との間の寄生キャパシタンスも減少され得る。
また、(c)に示したような本発明の液晶表示パネルでの接続ライン(CL)と共通電極111との間の寄生キャパシタンスは、接続ライン(CL)と平坦化膜108との間にカラーフィルタ(CF)を備えていない従来の液晶表示パネルでの接続ラインと共通電極111との間の寄生キャパシタンスよりも小さくなり得る。
この場合、前記の説明では、本発明により、前記のカラーフィルタ(CF)の下端に備えられたゲートライン(GL)または接続ライン(CL)と、前記カラーフィルタ(CF)の上端に備えられた共通電極111との間の寄生キャパシタンスが減少し得る点を説明した。
しかし、本発明がこれに限定されるものではない。
すなわち、本発明に適用される表示パネルでは、前記保護膜107と前記平坦化膜108との間に前記カラーフィルタ(CF)を備えているので、本発明における前記平坦化膜108の上端に備えられる各種の金属、例えば、共通電極、ピクセル電極、アノード電極、カソード電極および、様々な電源ラインと、前記カラーフィルタ(CF)の下端に具備される各種の金属、例えば、ゲートライン、接続ライン、データライン、タッチ電極、および様々な電源供給ラインの間の寄生キャパシタンスは、前記保護膜107と前記平坦化膜108との間に前記カラーフィルタ(CF)を備えていない従来の表示パネルでの寄生キャパシタンスよりも減少し得る。
より詳しく説明すると、本発明で、前記のカラーフィルタ(CF)は、前記カラーフィルタ(CF)の下端と上端に備えられた金属間の寄生キャパシタンスを減少させる機能をする。
図20は、本出願による表示装置で表示パネルに回路フィルムを付着する方法を説明するための例示図であり、図21は、図20に示した表示パネルがフロントカバーに装着された状態を示す例示図であり、図22は、図21に示した表示パネルの正面を示す例示図である。
まず、図20を参照すると、表示パネルは、下部基板180および上部基板190を含む。前記表示パネルが液晶表示パネルである場合、前記下部基板180と前記上部基板190の間には液晶が注入される。
前記下部基板180は、図15〜図19を参照して説明したような様々な形態で形成することができる。
前記表示パネルが液晶表示パネルである場合、前記上部基板190は、前記下部基板180と共に液晶を入れておく機能をする。
前記表示パネルが有機発光表示パネルである場合、前記上部基板190は、前記下部基板180をカバーして、前記下部基板180に備えられた有機発光ダイオードに水分などが浸透する現象を防止する機能をする。
前記で説明した前記パッド部170は、下部基板180に具備され、前記回路フィルム210は、前記パッド部170に接続した後、折り曲げて、前記表示パネルの下部に配置される。
特に、従来の表示パネルでは、図20の(a)に示すように、前記下部基板180に備えられた前記パッド部170に接続した前記回路フィルム210は、前記下部基板180の側面に沿って折り曲げて、前記下部基板180の下端に具備される。
しかし、本発明に適用される表示パネルでは、図20の(b)に示すように、前記下部基板180に備えられた前記パッド部170に接続した前記回路フィルム210は、前記上部基板190の側面に沿って折り曲げられて、前記上部基板190の下端に具備される。
すなわち、従来の表示装置では、映像(I)が(a)に示すように、上部基板190を介して外部に出力されるが、本出願による表示装置では、映像(I)が(b)に示したように、前記下部基板180を介して外部に出力される。
この場合、本出願による表示装置では、図21に示したように、前記パッド部170に備えられたパッド171が外部に露出しないので、前記の表示パネルを支持するためのフロントカバー160が、前記パッド部170をカバーする必要がない。
前記フロントカバー160は、前記表示パネル100を支持する機能を実行することもでき、または前記表示装置の外観を形成する機能を実行することもできる。前記フロントカバー160が前記表示パネル100を支持する機能を実行する場合、前記表示装置の外部ケースが前記フロントカバー160をさらにカバーすることができる。しかし、前記表示装置の外部ケースの外観は、前記フロントカバー160の外観によって左右されるので、前記の表示装置が、外部ケースをさらに含む場合にも、前記の説明および以下の説明を同様に適用することができる。以下では、説明の便宜上、前記フロントカバー160が表示装置の外観を形成する表示装置を、本発明の一例として説明する。
つまり、使用者が本出願による表示装置の正面を見たとき、図21及び図22に示すように、表示パネル100の正面全体及び前記フロントカバー160の側面部161だけが露出し得る。この場合、前記パッド部170に備えられたパッド171は、前記下部基板180によって覆われているので、外部に露出しない。
すなわち、本出願による表示装置では、前記パッド部170に備えられたパッド171が外部に露出していないので、従来の表示装置に適用された前面のフロントカバー部を具備する必要がない。
したがって、使用者には前記表示パネル100の正面の全体及び前記フロントカバー160の側面部161だけが露出し得る。また、前記表示パネル100の正面の端の部分が前記フロントカバー160によって遮られて支持されても、前記フロントカバー160によって遮られる部分は、前記表示パネル100を支持するための目的を達成することができる程度に最小限に設定することができる。
したがって、本出願による表示装置では、前記ベゼルの幅(B)が、前記フロントカバー160の側面部161の幅と同じか、表示パネル100を支持するための目的を達成することができる程度に最少に設定することができる。
また、本出願による表示装置では、前記表示パネル100の四つの側面に備えられたベゼルの幅がすべて同じになり得る。これにより、表示装置の外部美観を向上することができる。
より詳しく説明すると、本出願による表示装置では、トランジスタが備えられたTFT基板、すなわち、下部基板180が表示装置10の外部に露出するようにすることにより、前記第1〜第4非表示領域をカバーし、支持するフロントカバーのベゼルの幅を減少にすることができる。
つまり、前記のような配置構造によれば、たとえ、本出願によって前記第1非表示領域の大きさが実質的に減少されなくても、前記のパッド部の表示装置10の外部方向に露出しないので、前記パッド部を具備した前記第1非表示領域をカバーするためのフロントカバーのベゼルの幅を減少させることができる。この場合、前記のような本出願によれば、第2〜第3非表示領域の面積が減少するため、前記第2〜第3非表示領域をカバーし、支持するフロントカバーのベゼルの幅を減少させることができる。したがって、本出願によれば、前記第1〜第4非表示領域をカバーし、支持するフロントカバーのベゼルの幅をすべて減少させることができる。
前記のような本発明の特徴を簡単にまとめると次の通りである。
第一に、本発明は、パッド部を除いた3面の非表示領域にゲート駆動回路を配置することにより、左右のベゼル領域を減少させて、ゲートパルスのディレイを除去して、高速駆動を容易に実現することができる。
第二に、本発明は、前記接続ライン(CL)を前記基板101上に配置し、前記接続ライン(CL)と前記ゲートライン(GL)との間に前記高耐熱性平坦化膜102を配置することにより、前記高耐熱性平坦化膜102の上端に備えられた金属と、前記接続ライン(CL)の間で発生する寄生キャパシタンスを減少させることができる。
また、寄生キャパシタンスが減少し得るので、前記の金属によって形成される金属ラインの幅を減少させることができ、したがって、前記の非表示領域に具備される金属ラインの幅も減少させすることができる。これにより、前記非表示領域の幅がさらに減少し得る。
第三に、本発明は、保護膜107及び前記平坦化膜108との間に前記カラーフィルタ(CF)を配置することにより、前記平坦化膜108の上端に具備される金属と、前記保護膜107の下端に具備される金属間の寄生キャパシタンスを減少させることができる。
また、寄生キャパシタンスが減少し得るので、前記の金属によって形成される金属ラインの幅が減少させることができ、したがって、前記の非表示領域に具備される金属ラインの幅も減少させることができる。これにより、前記非表示領域の幅がさらに減少し得る。
第四に、本発明は、前記表示パネル100を構成する前記下部基板180および前記上部基板190のうち前記パッド部170が具備される前記下部基板180が本出願による表示装置の外側を向くように配置することにより、前記表示装置の四つの非表示領域に対応する4つのベゼルの幅を従来の表示装置よりも減少させることができ、特に、四つのベゼルの幅を同じにすることができる。
また、本発明では、前記第一の特徴が、前記第二の特徴〜前記第四の特徴のうち少なくとも1つと多様に組み合わせることができる。
以上で説明した本出願は、前述した実施例及び添付した図に限定されるものではなく、本出願の技術的事項を逸脱しない範囲内で、複数の置換、変形及び変更が可能であることが、本出願が属する技術分野で通常の知識を有する者にとって明らかであろう。したがって、本出願の範囲は、後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味及び範囲そしてその等価概念から導出されるすべての変更または変形された形態が本出願の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。