TW202109496A - 顯示裝置 - Google Patents

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TW202109496A TW109125323A TW109125323A TW202109496A TW 202109496 A TW202109496 A TW 202109496A TW 109125323 A TW109125323 A TW 109125323A TW 109125323 A TW109125323 A TW 109125323A TW 202109496 A TW202109496 A TW 202109496A
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鄭壎
金炳佑
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南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司
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Abstract

本發明揭露一種顯示裝置，其中，一閘極驅動電路設置在複數個非顯示區域之中除了包含一銲墊部的一非顯示區域之外的各個非顯示區域中，以及設置複數條連接線，該些連接線設置在與複數條閘極線不同的層上並連接至該些閘極線。

Description

顯示裝置
本發明是關於一種顯示裝置。
除了電視(TV)和電腦螢幕的顯示裝置之外，顯示裝置也被廣泛地使用作為筆記型電腦、平板電腦、智慧型手機、可攜式顯示裝置、和可攜式資訊裝置的顯示螢幕。顯示裝置的示例包括液晶顯示(liquid crystal display,LCD)裝置和發光顯示裝置。由於發光顯示裝置藉由使用自發光裝置來顯示影像，因此發光顯示裝置具有快速的反應時間、低的電力消耗、和良好的視角，從而作為下一代的顯示裝置吸引了許多注意力。
顯示裝置可以分別包括閘極驅動器，其閘脈衝供應給複數條閘極線，並且，藉由使用移位暫存器，閘極驅動器可以將施加至該複數條閘極線的閘脈衝依序移位。並且，由於移位暫存器和像素陣列設置在顯示面板的基板上，顯示裝置可以分別具有面板內閘極(GIP)結構。
在先前技術的顯示裝置中，由於移位暫存器設置在基板左邊的非顯示區域和右邊的非顯示區域各者中，因此可以經由雙饋方法或隔行掃描方法來供應閘脈衝。在這種情況下，雙饋方法具有移位暫存器的設計面積增加而使得左邊框面積和右邊框面積增加的問題，並且，在隔行掃描方法應用於大面積顯示面板時，隔行掃描方法具有在遠離輸入閘脈衝的輸入端子的方向上閘脈衝的延遲增加的問題。
再者，先前技術的顯示裝置不包括用於降低包含在顯示面板中的金屬線之間的寄生電容的結構。
另外，先前技術的顯示裝置應包括用於覆蓋曝露在顯示面板前表面的銲墊部的結構。所以，在先前技術的顯示裝置中，支撐顯示面板的前蓋的 四個側表面中的至少一者應在顯示面板的前部圍繞顯示面板。所以，難以減小顯示裝置的前蓋的前邊框的尺寸。
因此，本發明旨在提供一種顯示裝置，其實質上消除了先前技術的限制和缺點所導致的一或更多種問題。
本發明的一個態樣旨在提供一種顯示裝置，在該顯示裝置中，閘極驅動電路設置在複數個非顯示區域之中除了包含銲墊部的非顯示區域之外的各個非顯示區域中，以及設置複數條連接線，該複數條連接線設置在與複數條閘極線不同的層上並連接至該些閘極線。
本發明的其他優點和特徵將在以下的敘述中部分地提出，且對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者來說，在研究以下內容之後將變得明顯易見，或可以從對於本發明的實踐中習得。本發明的目的和其他優點可以藉由在說明書的敘述和與其相關的請求項以及所附圖式中特別指出的結構來理解和獲得。
為了實現這些和其他優點，且根據本發明的目的，如在此具體表達和概括地敘述，提供一種顯示裝置，包括：一顯示面板，包含一顯示區域以及圍繞該顯示區域的一第一非顯示區域、一第二非顯示區域、一第三非顯示區域、和一第四非顯示區域，該顯示區域包含連接至複數條閘極線的複數個像素；一銲墊部，設置在該第一非顯示區域中；一第一閘極驅動電路，設置在該第二非顯示區域中，以驅動該複數條閘極線之中的一第一組閘極線；一第二閘極驅動電路，設置在該第三非顯示區域中，以驅動該複數條閘極線之中的一第二組閘極線；以及一第三閘極驅動電路，設置在該第四非顯示區域中，以驅動該第一組閘極線和該第二組閘極線。該顯示面板包括複數條連接線，將該第一組閘極線和該第二組閘極線的閘極線連接至該第三閘極驅動電路。
其他實施例的細節包含在實施方式和圖式中。
要理解的是，本發明以上的一般敘述和以下的詳細敘述是示例性和說明性的，意欲對於所要求保護的本發明提供進一步的解釋。
10:顯示裝置
100:顯示面板
101:基板
102:高耐熱平坦化層
103:閘極絕緣層
104,104a:半導體
105:第一電極
106:第二電極
107:鈍化層
108:平坦化層
109:絕緣層
110:像素電極
111:共用電極
160:前蓋
161:側部
170:接墊部
171:接墊
180:下基板
190:上基板
200:顯示驅動器
210:電路薄膜
220:資料驅動積體電路
230:印刷電路板
240:時序控制器
300:閘極驅動器
310:第一閘極驅動電路
320:第二閘極驅動電路
330:第三閘極驅動電路
AA:顯示區域
AA1:第一顯示區域
AA2:第二顯示區域
B:寬度
CB:自舉電容器
CF:濾色器
CGS:共用信號線
CL:連接線
CL1:第一連接線
CL2:第二連接線
CLK:時脈線
CLK_EVEN:偶數時脈線
CLK_EVEN1:第一偶數時脈線
CLK_EVEN2:第二偶數時脈線
CLK_ODD:奇數時脈線
CLK_ODD1:第一奇數時脈線
CLK_ODD2:第二奇數時脈線
CLK1:第一閘極時脈
CLK2:第二閘極時脈
CLK3:第三閘極時脈
CLK4:第四閘極時脈
CLK5:第五閘極時脈
CLK6:第六閘極時脈
CLK7:第七閘極時脈
CLK8:第八閘極時脈
DL:資料線
GL:閘極線
GL1:第一閘極線
GL2:第二閘極線
GL3:第三閘極線
GL4:第四閘極線
GL5:第五閘極線
GL6:第六閘極線
GL(2n),GL(2n-1),GL(2n-2),GL(2n-3),GL(2n-4),GL(2n-5):閘極線
Gout:閘極時脈
Gout1~Gout(2n):輸出信號、閘脈衝
h1:區間
I:影像
NA:非顯示區域
NA1:第一非顯示區域
NA2:第二非顯示區域
NA3:第三非顯示區域
NA4:第四非顯示區域
P1:第一像素
P2:第二像素
P3:第三像素
Q:第一節點
QB:第二節點
ST1:第一級
ST2:第二級
ST3:第三級
ST4:第四級
ST5:第五級
ST6:第六級
ST(2n-5):第2n-5級
ST(2n-4):第2n-4級
ST(2n-3):第2n-3級
ST(2n-2):第2n-2級
ST(2n-1):第2n-1級
ST(2n):第2n級
T1:第一薄膜電晶體
T3:第三薄膜電晶體
T31:第31薄膜電晶體
T4:第四薄膜電晶體
T51:第51薄膜電晶體
T52:第52薄膜電晶體
T6:第六薄膜電晶體
T7:第七薄膜電晶體
TFT:薄膜電晶體
VDD:第一驅動電壓
VQ1:電壓
VSS:第二驅動電壓
Vst1:第一閘極起動信號
Vst2:第二閘極起動信號
Vst3:第三閘極起動信號
Vst4:第四閘極起動信號
w1~w4:寬度
本發明包含圖式以提供對於本發明進一步的理解，圖式被納入且構成本發明的一部分，顯示本發明的實施例，並連同敘述內容一起用於解釋本發明的原理。在圖式中：
圖1是顯示根據本發明一實施例的顯示裝置的平面圖。
圖2是顯示在根據第一實施例的顯示裝置中於複數個級(stage)與複數條閘極線之間的連接關係的圖式。
圖3是顯示在圖2中所示之顯示裝置中的第一閘極驅動電路的圖式。
圖4是顯示在圖2中所示之顯示裝置中的第二閘極驅動電路的圖式。
圖5是顯示在圖2中所示之顯示裝置中的第三閘極驅動電路的圖式。
圖6是顯示在圖2中所示之顯示裝置中的閘極起動信號、閘極移位時脈、和共用閘極信號的波形圖。
圖7是顯示圖3中所示之第一級的內部配置的電路圖。
圖8是用於描述在圖2中所示之顯示裝置中減小非顯示區域的效果的圖式。
圖9是用於描述在圖2中所示之顯示裝置中降低閘脈衝的延遲的效果的圖式。
圖10是顯示在根據第二實施例的顯示裝置中於複數個級與複數條閘極線之間的連接關係的圖式。
圖11是顯示在圖10中所示之顯示裝置中的第一閘極驅動電路的圖式。
圖12是顯示在圖10中所示之顯示裝置中的第二閘極驅動電路的圖式。
圖13是顯示在圖10中所示之顯示裝置中的第三閘極驅動電路的圖式。
圖14是用於描述在圖10中所示之顯示裝置中減小非顯示區域的效果的圖式。
圖15是示意性地顯示圖2和圖10中所示之顯示面板的橫截面的示意圖。
圖16是示意性地顯示圖2和圖10中所示之顯示面板的橫截面的另一示意圖。
圖17是示意性地顯示圖2和圖10中所示之顯示面板的橫截面的另一示意圖。
圖18是示意性地顯示圖2和圖10中所示之顯示面板的橫截面的另一示意圖。
圖19是用於描述在根據本發明的顯示裝置中降低寄生電容的原理的示意圖。
圖20是用於描述在根據本發明的顯示裝置中於顯示面板上貼附電路薄膜的方法的示意圖。
圖21是顯示圖20中所示之顯示面板貼附在前蓋上的示例的示意圖。
圖22是顯示圖21中所示之顯示面板的前部的示意圖。
現在將參照本發明示例性的實施例的細節，其示例顯示於所附圖式中。在可能的情況下，所有的圖式將使用相同的元件符號來指示相同或相似的部分。
本發明的優點和特徵以及其實施方式將經由以下參照所附圖式進行敘述的實施例來闡明。然而，本發明可以以不同的形式實施，不應被解釋成受到在此提出的實施例的限制。這些實施例反而是提供來使得本發明將是透徹和完整的、和將本發明的範圍完全傳達給本發明所屬技術領域中具有通常知識者。進一步地說，本發明只由申請專利範圍來定義。
圖式中所揭露之用於形容本發明實施例的形狀、尺寸、比例、角度、和數量只是示例，因此，本發明不受到該些被示出的細節的限制。類似的元件符號在通篇中指示類似的元件。於以下的敘述內容中，在判定相關的已知功能或配置的詳細敘述會不必要地模糊本發明的重點時，將省略該詳細敘述。在使用本說明書中敘述的「包括」、「具有」、和「包含」的情況下，除非使用「只有」，否則可以增加另一個部分。單數形式的用語，除非有相反的指示，否則可以包含複數形式。
雖然沒有明確的敘述，但在解釋元件時，該元件被解釋為包含誤差範圍。
於敘述位置關係時，舉例來說，在二個部分的位置關係被敘述為「上」、「上方」、「下」、和「旁邊」時，除非使用「正好」或「直接」，否則可以在二個部分之間設置一個或更多個其他部分。
於敘述時間關係時，舉例來說，在時間順序被敘述為「之後」、「隨後」、「接下來」、和「之前」時，除非使用「正好」或「直接」，否則可以包含不連續的情況。
將能理解的是，雖然在此可以使用「第一」、「第二」等用語來敘述各種元件，但這些元件不應受到這些用語的限制。這些用語只是用於區別一元件與另一元件。舉例來說，在不脫離本發明範圍的情況下，一第一元件可以稱為第二元件，類似地，一第二元件可以稱為第一元件。
在敘述本發明的元件時，可以使用「第一」、「第二」等用語。該些用語只是用於區分一元件與另一元件，對應元件的本質、次序、順序、或數量不應受到這些用語的限制。將能理解的是，在一元件或層被敘述為「連接」、「耦接」、或「附著」至另一元件或層時，該元件或層能夠直接連接或附著至該另一元件或層，但該些元件或層之間也能夠「設置」其他元件或層，或者該些元件或層能夠經由其他元件或層而彼此「連接」、「耦接」、或「附著」。
本發明各種實施例的特徵可以部分或全部地彼此耦合或結合，並可以在技術上如本發明所屬技術領域中具有通常知識者所能充分理解地以各種方式彼此相互運作和驅動。本發明的實施例可以彼此獨立地實行，或者可以以相互依附的關係一起實行。
以下，將參照所附圖式對根據本發明的發光顯示裝置的實施例作詳細的敘述。在針對各圖式的元件添加元件符號時，雖然在其他圖式中也示出相同的元件，但可以以類似的元件符號指示類似的元件。
圖1是顯示根據本發明一實施例的顯示裝置10的平面圖；以及圖2是顯示在根據第一實施例的顯示裝置中於複數個級(stage)與複數條閘極線之間的連接關係的圖式。
參照圖1和圖2，顯示裝置10可以包括顯示面板100、顯示驅動器200、以及閘極驅動器300。
顯示面板100可以包括顯示區域AA和非顯示區域NA。顯示面板100可以是液晶顯示面板或有機發光顯示面板，但不限於此，可以是各種面板。
當顯示面板100是液晶顯示面板時，用於實現顏色的濾色器可以設置在上基板中，於該上基板與包含電晶體的薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)基板(下基板)之間設置有液晶。
然而，濾色器也可以設置在覆蓋電晶體的平坦化層中。舉例來說，電晶體可以設置在薄膜電晶體基板中，平坦化層可以設置在電晶體上以消除電晶體的階高，像素電極可以設置在平坦化層上，且液晶層可以設置在平坦化層和像素電極上。在這種情況下，平坦化層可以配置有至少二層，再者，濾色器可以實行平坦化層的功能。在這種情況下，由於濾色器不是設置在上基板中，因此可以簡化製造上基板的製程和上基板的結構。以下，將參照圖17至圖19對這點作詳細的敘述。
顯示區域AA可以是顯示影像的區域，並可以定義在各個基板的中央部分中。在此，顯示區域AA可以對應於像素陣列層的主動區域。舉例來說，顯示區域AA可以包含複數個像素，分別設置在由複數條資料線DL與複數條閘極線GL的交點所定義的複數個像素區域中。在此，該複數個像素中每一個可以定義為發射光的最小單位區域。
顯示區域AA可以包括第一顯示區域AA1和第二顯示區域AA2。
第一顯示區域AA1可以對應於顯示區域AA左邊的區域，並可以相鄰於第一閘極驅動電路310。舉例來說，第一顯示區域AA1的一端(例如左端)可以面向第一閘極驅動電路310，而與第一顯示區域AA1的該端垂直的另一端(例如下端)可以面向第三閘極驅動電路330的偶數級ST2至ST(2n)(其中，n是大於等於4的自然數)。所以，設置在第一顯示區域AA1中的奇數閘極線GL1至GL(2n-1)(其中，n是大於等於4的自然數)各者的一端可以連接至第一閘極驅動電路310，並可以接收閘脈衝，而設置在第一顯示區域AA1中的偶數閘極線GL2至GL(2n)(其中，n是大於等於4的自然數)可以經由第二連接線CL2連接至第三閘極驅動電路330的偶數級ST2至ST(2n)，並可以接收閘脈衝。
第一連接線CL1和第二連接線CL2以及閘極線可以設置在不同層中，該些層之間具有一絕緣層。在這種情況下，各條連接線和與其對應的一閘極線可以經由一接觸孔彼此電性連接。
在顯示面板100是液晶顯示面板時，第一連接線和第二連接線可以經由與包含在各個像素中的電晶體和包含在像素電極中的金屬中的一者相同的製程，設置在TFT基板中。
舉例來說，當顯示面板100是液晶顯示面板時，第一連接線和第二連接線可以設置在TFT基板中，並可以由絕緣層所覆蓋，而電晶體可以設置在 絕緣層上。也就是說，第一連接線和第二連接線可以設置在該些電晶體下，以便與電晶體絕緣。在這種情況下，由於在配置電晶體的金屬線與第一連接線和第二連接線之間不產生寄生電容，所以可以提升電晶體的驅動效率，並可以降低第一連接線和第二連接線各者的負荷。以下，將參照圖15和圖16對這點做詳細的敘述。
第二顯示區域AA2可以對應於顯示區域AA右邊的區域，並可以相鄰於第二閘極驅動電路320。舉例來說，第二顯示區域AA2的一端(例如右端)可以面向第二閘極驅動電路320，而與第二顯示區域AA2的該端垂直的另一端(例如下端)可以面向第三閘極驅動電路330的奇數級ST1至ST(2n-1)(其中，n是大於等於4的自然數)。所以，設置在第二顯示區域AA2中的偶數閘極線GL2至GL(2n)各者的一端可以連接至第二閘極驅動電路320，並可以接收閘脈衝，而設置在第二顯示區域AA2中的奇數閘極線GL1至GL(2n-1)可以經由第一連接線CL1連接至第三閘極驅動電路330的奇數級ST1至ST(2n-1)，並可以接收閘脈衝。
非顯示區域NA可以是不顯示影像的區域並可以定義在各個基板圍繞顯示區域AA的邊緣部分中。並且，非顯示區域NA可以包含面向顯示區域AA上端、左端、右端、和下端的第一非顯示區域NA1至第四非顯示區域NA4。
第一非顯示區域NA1可以設置在顯示區域AA的上端，並可以連接至顯示驅動器200，而且，還可以包含電性連接至顯示驅動器200的銲墊部(圖未顯示)。舉例來說，第一非顯示區域NA1的銲墊部可以連接至顯示驅動器200的複數個電路薄膜210。
第二非顯示區域NA2可以設置在顯示區域AA的左端，並可以容納第一閘極驅動電路310。詳細地說，第二非顯示區域NA2可以容納第一閘極驅動電路310的奇數級ST1至ST(2n-1)。在此，奇數級ST1至ST(2n-1)可以對應於複數個級中奇數的級ST1至ST(2n-1)。並且，第二非顯示區域NA2可以容納奇數閘極線GL1至GL(2n-1)或連接至第一閘極驅動電路310的奇數級ST1至ST(2n-1)的第一組閘極線各者的一端。並且，第二非顯示區域NA2可以自顯示驅動器200延伸，並可以容納分別連接至第一閘極驅動電路310的共用信號線CGS和奇數時脈線CLK_ODD。
第三非顯示區域NA3可以設置在顯示區域AA的右端，並可以容納第二閘極驅動電路320。詳細地說，第三非顯示區域NA3可以容納第二閘極驅 動電路320的偶數級ST2至ST(2n)。在此，偶數級ST2至ST(2n)可以對應於該複數級中偶數的級ST2至ST(2n)。並且，第三非顯示區域NA3可以容納偶數閘極線GL2至GL(2n)或連接至第二閘極驅動電路320的偶數級ST2至ST(2n)的第二組閘極線各者的一端。並且，第三非顯示區域NA3可以自顯示驅動器200延伸，並可以容納分別連接至第二閘極驅動電路320的共用信號線CGS和偶數時脈線CLK_EVEN。
第四非顯示區域NA4可以設置在顯示區域AA的下端，並可以容納第三閘極驅動電路330。詳言之，第四非顯示區域NA4可以容納第三閘極驅動電路330的奇數級ST1至ST(2n-1)和偶數級ST2至ST(2n)。並且，第四非顯示區域NA4可以容納第一連接線CL1連接至奇數閘極線GL1至GL(2n-1)的一端和第二連接線CL2連接至偶數閘極線GL2至GL(2n)的一端。並且，第四非顯示區域NA4可以自第二非顯示區域NA2或第三非顯示區域NA3延伸，並可以容納分別連接至第三閘極驅動電路330的共用信號線CGS、奇數時脈線CLK_ODD、和偶數時脈線CLK_EVEN。
顯示面板100可以進一步包括複數條閘極線GL、複數條資料線DL、以及第一連接線CL1和第二連接線CL2。
複數條閘極線GL可以在第一方向上長距離地延伸，並可以在與第一方向相交的第二方向上彼此相隔。詳細地說，複數條閘極線GL可以包含第一組閘極線GL1至GL(2n-1)和第二組閘極線GL2至GL(2n)。在此，第一組閘極線可以包含複數條閘極線GL的奇數閘極線GL1至GL(2n-1)，該些奇數閘極線是奇數的閘極線，而第二組閘極線可以包含複數條閘極線GL的偶數閘極線GL2至GL(2n)，該些偶數閘極線GL是偶數的閘極線。複數條閘極線GL可以從閘極驅動器300接收閘脈衝，並可以依序驅動複數個像素。
根據一實施例，奇數閘極線GL1至GL(2n-1)各者的一端可以直接連接至第一閘極驅動電路310，並可以接收閘脈衝，且奇數閘極線GL1至GL(2n-1)可以連接至第二顯示區域AA2中的第一連接線CL1，並可以從第三閘極驅動電路330的奇數級ST1至ST(2n-1)接收閘脈衝。
根據一實施例，偶數閘極線GL2至GL(2n)各者的一端可以直接連接至第二閘極驅動電路320，並可以接收閘脈衝，且偶數閘極線GL2至GL(2n)可 以連接至第一顯示區域AA1中的第二連接線CL2，並可以從第三閘極驅動電路330的偶數級ST2至ST(2n)接收閘脈衝。
複數條資料線DL可以在第二方向上長距離地延伸，並可以在第一方向上彼此相隔。複數條資料線DL各者可以從顯示驅動器200接收資料電壓，以控制包含在複數個像素的一對應像素中的發光裝置的亮度。
第一連接線CL1可以設置成複數條，且複數條第一連接線CL1可以在第二方向上長距離地延伸，並可以在第一方向上彼此相隔。複數條第一連接線CL1可以直接連接至第三閘極驅動電路330的奇數級ST1至ST(2n-1)，並可以延伸至第二顯示區域AA2。所以，第一連接線CL1可以將第二顯示區域AA2的奇數閘極線GL1至GL(2n-1)的複數個點連接至第三閘極驅動電路330的奇數級ST1至ST(2n-1)。
第二連接線CL2可以設置成複數條，且複數條第二連接線CL2可以在第二方向上長距離地延伸，並可以在第一方向上彼此相隔。複數條第二連接線CL2可以直接連接至第三閘極驅動電路330的偶數級ST2至ST(2n)，並可以延伸至第一顯示區域AA1。所以，第二連接線CL2可以將第一顯示區域AA1的偶數閘極線GL2至GL(2n)的複數個點連接至第三閘極驅動電路330的偶數級ST2至ST(2n)。
複數個像素各者可以設置在由分別設置在顯示區域AA中的一對應閘極線GL和一對應資料線DL所界定的一對應像素區域中。根據一實施例，複數個像素各者可以包含像素電路和發光裝置，該像素電路包含驅動電晶體，該發光裝置連接至像素電路。
顯示驅動器200可以連接至設置在顯示面板100的非顯示區域NA中的銲墊部，並可以在各個像素上顯示影像，對應於從顯示驅動系統供應的視訊資料。根據一實施例，顯示驅動器200可以包含複數個電路薄膜210、複數個資料驅動積體電路(integrated circuit,IC)220、一個印刷電路板(printed circuit board,PCB)230、以及一個時序控制器240。
設置在複數個電路薄膜210各者一側的輸入端子可以透過薄膜貼附製程貼附在印刷電路板230上，而設置在複數個電路薄膜210各者另一側的輸出端子可以透過薄膜貼附製程貼附在銲墊部上。根據一實施例，複數個電路薄膜210各者可以實現為可撓性電路薄膜且可以彎曲，以減小顯示裝置10的邊框面 積。舉例來說，複數個電路薄膜210可以分別配置成捲帶式晶片載體封裝(tape carrier package,TCP)或薄膜覆晶封裝(chip-on film,chip-on film board,COF)。
複數個資料驅動積體電路220各者可以單獨地安裝在複數個電路薄膜210中的一對應電路薄膜上。複數個資料驅動積體電路220各者可以接收分別從時序控制器240供應的資料控制信號和像素資料、根據資料控制信號將像素資料轉換成基於像素的類比資料信號、以及將該類比資料信號供應給一對應資料線。
印刷電路板230可以支撐時序控制器240，並可以在顯示驅動器200的元件之間傳輸信號和電力。印刷電路板230可以將分別從時序控制器240供應的信號和驅動電力提供至資料驅動積體電路220和複數個掃描驅動電路單元，以在各個像素上顯示影像。為此，一信號傳輸線和各種電力線可以設置在印刷電路板230上。舉例來說，印刷電路板230可以基於電路薄膜210的數量設置成一個或更多個。
時序控制器240可以安裝在印刷電路板230上，並可以經由設置在印刷電路板230上的使用者連接器接收分別從顯示驅動系統供應的視訊資料和時序同步信號。時序控制器240可以基於時序同步信號調整視訊資料，以產生與像素配置結構匹配的像素資料，並可以將所產生的像素資料供應給一對應資料驅動積體電路220。並且，時序控制器240可以基於時序同步信號產生資料控制信號和閘極控制信號、藉由使用資料控制信號控制複數個資料驅動積體電路220各者的驅動時序、以及藉由使用閘極控制信號控制閘極驅動器300的驅動時序。在此，閘極控制信號可以經由第一非顯示區域NA1和複數個電路薄膜210中之第一及/或最後的可撓性電路薄膜供應給閘極驅動器300。
閘極驅動器300可以連接至設置在顯示面板100中的複數條閘極線GL。詳細地說，閘極驅動器300可以基於從時序控制器240供應的閘極控制信號以一預定順序產生閘脈衝，並可以將閘脈衝供應給一對應閘極線GL。根據一實施例，閘極驅動器300可以包含第一閘極驅動電路310至第三閘極驅動電路330。
第一閘極驅動電路310可以包含分別對應奇數閘極線GL1至GL(2n-1)的奇數級ST1至ST(2n-1)。詳細地說，第一閘極驅動電路310可以透過製造TFT的製程整合至顯示面板100的左側邊緣(或第二非顯示區域NA2)，並可 以連接至奇數閘極線GL1至GL(2n-1)。根據一實施例，第一閘極驅動電路310可以包含奇數級ST1至ST(2n-1)，其設置在第二非顯示區域NA2中，並分別將閘脈衝供應給奇數閘極線GL1至GL(2n-1)。
第二閘極驅動電路320可以包含偶數級ST2至ST(2n)，分別對應偶數閘極線GL2至GL(2n)。詳細地說，第二閘極驅動電路320可以透過製造TFT的製程整合至顯示面板100的右側邊緣(或第三非顯示區域NA3)，並可以連接至偶數閘極線GL2至GL(2n)。根據一實施例，第二閘極驅動電路320可以包含偶數級ST2至ST(2n)，其設置在第三非顯示區域NA3中，並分別將閘脈衝供應給偶數閘極線GL2至GL(2n)。
第三閘極驅動電路330可以包含分別對應奇數閘極線GL1至GL(2n-1)的奇數級ST1至ST(2n-1)和分別對應偶數閘極線GL2至GL(2n)的偶數級ST2至ST(2n)。詳細地說，第三閘極驅動電路330可以透過製造TFT的製程整合至顯示面板100的下側邊緣(或第四非顯示區域NA4)，並可以連接至複數條第一連接線CL1和複數條第二連接線CL2。舉例來說，第三閘極驅動電路330的奇數級ST1至ST(2n-1)可以經由第一連接線CL1分別連接至奇數閘極線GL1至GL(2n-1)，而第三閘極驅動電路330的偶數級ST2至ST(2n)可以經由第二連接線CL2分別連接至偶數閘極線GL2至GL(2n)。
圖3是顯示在圖2中所示之顯示裝置中的第一閘極驅動電路的圖式。
參照圖3，第一閘極驅動電路310可以包含奇數級ST1至ST(2n-1)，其將閘脈衝供應給奇數閘極線GL1至GL(2n-1)。也就是說，第一閘極驅動電路310可以包含與奇數閘極線GL1至GL(2n-1)的總數對應的奇數級ST1至ST(2n-1)。詳細地說，第一閘極驅動電路310可以經由通過第二非顯示區域NA2的共用信號線CGS供應有第一驅動電壓VDD和第二驅動電壓VSS，並可以經由奇數時脈線CLK_ODD接收奇數時脈信號。在此，奇數時脈信號可以對應第一閘極時脈CLK1、第三閘極時脈CLK3、第五閘極時脈CLK5、和第七閘極時脈CLK7。並且，第一閘極時脈CLK1、第三閘極時脈CLK3、第五閘極時脈CLK5、和第七閘極時脈CLK7各者可以具有依序移位的相。在這種情況下，奇數時脈線CLK_ODD可以將第一閘極時脈CLK1傳輸至第2k-7級ST(2k-7)(其中，k是小於等於n的4的倍數)、將第三閘極時脈CLK3傳輸至第2k-5級ST(2k-5)，將第五閘 極時脈CLK5傳輸至第2k-3級ST(2k-3)、以及將第七閘極時脈CLK7傳輸至第2k-1級ST(2k-1)。
第一級ST1和第三級ST3可以由第一閘極起動信號Vst1和第三閘極起動信號Vst3分別致能，並可以分別接收第一閘極時脈CLK1和第三閘極時脈CLK3，以分別將閘脈衝Gout1和Gout3供應給第一閘極線GL1和第三閘極線GL3。並且，第一級ST1和第三級ST3可以由第五級ST5和第七級ST7的輸出信號(或閘脈衝)Gout5和Gout7分別重置。
以這種方式，奇數級ST1至ST(2n-1)中的第五級ST5至第2n-5級ST(2n-5)可以由前一個第四級的輸出信號致能，並可以分別接收與其對應的閘極時脈CLK1、CLK3、CLK5、和CLK7，以將閘脈衝Gout5至Gout(2n-5)供應給奇數閘極線GL5至GL(2n-5)。並且，第五級ST5至第2n-5級ST(2n-5)可以由下一個第四級的輸出信號重置。
再者，第2n-3級ST(2n-3)和第2n-1級ST(2n-1)可以由前一個第四級的輸出信號致能，並可以分別接收與其對應的閘極時脈CLK5和CLK7，以分別將閘脈衝Gout(2n-3)和Gout(2n-1)供應給第2n-3閘極線GL(2n-3)和第2n-1閘極線GL(2n-1)。並且，第2n-3級ST(2n-3)和第2n-1級ST(2n-1)可以由第一重置時脈和第三重置時脈(圖未顯示)重置。
以這種方式，第一級ST1至第2n-5級ST(2n-5)的輸出信號Gout1至Gout(2n-5)各者可以供應為下一個第四級的閘極起動信號，而第五級ST5至第2n-1級ST(2n-1)的輸出信號Gout5至Gout(2n-1)各者可以供應為前一個第四級的重置時脈。
圖4是顯示在圖2中所示之顯示裝置中的第二閘極驅動電路的圖式。
參照圖4，第二閘極驅動電路320可以包含偶數級ST2至ST(2n)，其將閘脈衝供應給偶數閘極線GL2至GL(2n)。也就是說，第二閘極驅動電路320可以包含與偶數閘極線GL2至GL(2n)的總數對應的偶數級ST2至ST(2n)。詳細地說，第二閘極驅動電路320可以經由通過第三非顯示區域NA3的共用信號線CGS供應有第一驅動電壓VDD和第二驅動電壓VSS，並可以經由偶數時脈線CLK_EVEN接收偶數時脈信號。在此，偶數時脈信號可以對應於第二閘極時脈CLK2、第四閘極時脈CLK4、第六閘極時脈CLK6、和第八閘極時脈CLK8。並 且，第二閘極時脈CLK2、第四閘極時脈CLK4、第六閘極時脈CLK6、和第八閘極時脈CLK8各者可以具有依序移位的相。在這種情況下，偶數時脈線CLK_EVEN可以將第二閘極時脈CLK2傳輸至第2k-6級ST(2k-6)(其中，k是小於等於n的4的倍數)、將第四閘極時脈CLK4傳輸至第2k-4級ST(2k-4)、將第六閘極時脈CLK6傳輸至第2k-2級ST(2k-2)、以及將第八閘極時脈CLK8傳輸至第2k級ST(2k)。
第二級ST2和第四級ST4可以由第二閘極起動信號Vst2和第四閘極起動信號Vst4分別致能，並可以分別接收第二閘極時脈CLK2和第四閘極時脈CLK4，以分別將閘脈衝Gout2和Gout4供應給第二閘極線GL2和第四閘極線GL4。並且，第二級ST2和第四級ST4可以由第六級ST6和第八級ST8的輸出信號(或閘脈衝)Gout6和Gout8分別重置。
以這種方式，偶數級ST2至ST(2n)中的第六級ST6至第2n-4級ST(2n-4)可以由前一個第四級的輸出信號致能，並可以分別接收與其對應的閘極時脈CLK2、CLK4、CLK6、和CLK8，以將閘脈衝Gout6至Gout(2n-4)供應給偶數閘極線GL6至GL(2n-4)。並且，第六級ST6至第2n-4級ST(2n-4)可以由下一個第四級的輸出信號重置。
再者，第2n-2級ST(2n-2)和第2n級ST(2n)可以由前一個第四級的輸出信號致能，並可以分別接收與其對應的閘極時脈CLK6和CLK8，以分別將閘脈衝Gout(2n-2)和Gout(2n)供應給第2n-2閘極線GL(2n-2)和第2n閘極線GL(2n)。並且，第2n-2級ST(2n-2)和第2n級ST(2n)可以由第二重置時脈和第四重置時脈(圖未顯示)重置。
以這種方式，第二級ST2至第2n-4級ST(2n-4)的輸出信號Gout2至Gout(2n-4)各者可以供應為下一個第四級的閘極起動信號，第六級ST6至第2n級ST(2n)的輸出信號Gout6至Gout(2n)各者可以供應為前一個第四級的重置時脈。
圖5是顯示在圖2中所示之顯示裝置中的第三閘極驅動電路的圖式。
參照圖5，第三閘極驅動電路330可以包含奇數級ST1至ST(2n-1)，其經由第一連接線CL1將閘脈衝供應給奇數閘極線GL1至GL(2n-1)，並可以包含偶數級ST2至ST(2n)，其經由第二連接線CL2將閘脈衝供應給偶數閘極線GL2至GL(2n)。
也就是說，第三閘極驅動電路330可以包含與奇數閘極線GL1至GL(2n-1)的總數對應的奇數級ST1至ST(2n-1)、以及與偶數閘極線GL2至GL(2n)的總數對應的偶數級ST2至ST(2n)。詳細地說，第三閘極驅動電路330可以經由通過第四非顯示區域NA4的共用信號線CGS接收第一驅動電壓VDD和第二驅動電壓VSS、經由奇數時脈線CLK_ODD接收第一閘極時脈CLK1、第三閘極時脈CLK3、第五閘極時脈CLK5、和第七閘極時脈CLK7、以及經由偶數時脈線CLK_EVEN接收第二閘極時脈CLK2、第四閘極時脈CLK4、第六閘極時脈CLK6、和第八閘極時脈CLK8。在此，第一閘極時脈CLK1至第八閘極時脈CLK8各者可以具有依序移位的相。在這種情況下，奇數時脈線CLK_ODD可以將第一閘極時脈CLK1、第三閘極時脈CLK3、第五閘極時脈CLK5、和第七閘極時脈CLK7傳輸至奇數級ST1至ST(2n-1)，而偶數時脈線CLK_EVEN可以將第二閘極時脈CLK2、第四閘極時脈CLK4、第六閘極時脈CLK6、和第八閘極時脈CLK8傳輸至偶數級ST2至ST(2n)。
第三閘極驅動電路330的奇數級ST1至ST(2n-1)可以在相同的時序產生與第一閘極驅動電路310的奇數級ST1至ST(2n-1)相同的輸出信號Gout1至Gout(2n-1)。
根據一實施例，第三閘極驅動電路330的奇數級ST1至ST(2n-1)可以經由第一連接線CL1連接至第二顯示區域AA2的奇數閘極線GL1至GL(2n-1)的複數個點。所以，第三閘極驅動電路330的奇數級ST1至ST(2n-1)可以經由第一連接線CL1將輸出信號Gout1至Gout(2n-1)供應給第二顯示區域AA2的奇數閘極線GL1至GL(2n-1)。
第三閘極驅動電路330的偶數級ST2至ST(2n)可以在相同的時序產生與第二閘極驅動電路320的偶數級ST1至ST(2n)相同的輸出信號Gout2至Gout(2n)。
根據一實施例，第三閘極驅動電路330的偶數級ST2至ST(2n)可以經由第二連接線CL2連接至第一顯示區域AA1的偶數閘極線GL2至GL(2n)的複數個點。所以，第三閘極驅動電路330的偶數級ST2至ST(2n)可以經由第二連接線CL2將輸出信號Gout2至Gout(2n)供應給第一顯示區域AA1的偶數閘極線GL2至GL(2n)。
圖6是顯示在圖2中所示之顯示裝置中的閘極起動信號、閘極移位時脈、和共用閘極信號的波形圖。圖7是顯示圖3中所示之第一級的內部配置的電路圖。
參照圖6和圖7，第一級ST1可以包含第薄膜電晶體T1、第三薄膜電晶體T3、第31薄膜電晶體T31、第四薄膜電晶體T4、第51薄膜電晶體T51、第52薄膜電晶體T52、第六薄膜電晶體T6、第七薄膜電晶體T7、以及自舉電容器(boot capacitor)CB。
第一薄膜電晶體T1可以包含接收第一閘極起動信號Vst1的閘極端子、接收第一閘極起動信號Vst1的第一端子、和連接至第一節點Q的第二端子。也就是說，第一薄膜電晶體T1可以基於第一閘極起動信號Vst1來接通，並可以將第一閘極起動信號Vst1供應給第一節點Q。在此，第一節點Q可以連接至第六薄膜電晶體T6的閘極端子，且第一級ST1可以基於第一節點Q的電壓將輸出信號(或閘脈衝)Gout1供應給第一閘極線GL1。並且，輸出信號Gout1可以供應為下一個第四級的閘極起動信號。
根據一實施例，第二級ST2至第四級ST4的第一薄膜電晶體T1可以分別基於第二閘極起動信號Vst2至第四閘極起動信號Vst4來接通，並且，第二級ST2至第四級ST4可以分別將第二閘極起動信號Vst2至第四閘極起動信號Vst4供應給第一節點Q。並且，第i級STi(其中，i是5至2n的自然數)的第一薄膜電晶體T1可以基於前一個第四級的輸出信號Gout(i-4)來接通，並可以將下一個第四級的輸出信號Gout(i-4)供應給第一節點Q。
第三薄膜電晶體T3可以包含連接至第二節點QB的閘極端子、連接至第一節點Q的第一端子、和接收第二驅動電壓VSS的第二端子。也就是說，第三薄膜電晶體T3可以基於第二節點QB的電壓來接通，並可以將第一節點Q的電壓放電至第二驅動電壓VSS。在此，第二節點QB的電壓可以是與第一節點Q的電壓相反的電壓。
第31薄膜電晶體T31可以包含接收第五級ST5的輸出信號Gout5或下一個第四級的輸出信號的閘極端子、連接至第一節點Q的第一端子、和接收第二驅動電壓VSS的第二端子。也就是說，第31薄膜電晶體T31可以基於第五級ST5的輸出信號Gout5來接通，並可以將第一節點Q的電壓放電至第二驅動電壓VSS。
根據一實施例，第j級STj(其中，j是1至2n-4的自然數)的第31薄膜電晶體T31可以基於下一個第四級的輸出信號Gout(j+4)來接通，並可以將第一節點Q的電壓放電至第二驅動電壓VSS。並且，第2n-3級ST(2n-3)至第2n級ST(2n)各者的第31薄膜電晶體T31可以由第一重置時脈至第四重置時脈來接通，並可以將第一節點Q的電壓放電至第二驅動電壓VSS。
如上所述，閘極驅動器300的複數個級可以分別包含第三薄膜電晶體T3和第31薄膜電晶體T31，因此可以包含複數條路徑，第一節點Q的電壓通過該些路徑放電。據此，可以改善第一節點Q的電壓的放電特性，從而提升閘極驅動器300的可靠度。
第四薄膜電晶體T4可以包含接收第一驅動電壓VDD的閘極端子、接收第一驅動電壓VDD的第一端子、和連接至第二節點QB的第二端子。也就是說，第四薄膜電晶體T4可以基於第一驅動電壓VDD來接通，並可以將第一驅動電壓VDD提供至第二節點QB。
第51薄膜電晶體T51可以包含接收第一閘極起動信號Vst1的閘極端子、連接至第二節點QB的第一端子、和連接至第二驅動電壓VSS的第二端子。也就是說，第51薄膜電晶體T51可以基於第一閘極起動信號Vst1來接通，並可以將第二節點QB的電壓放電至第二驅動電壓VSS。
根據一實施例，第二級ST2至第四級ST4的第51薄膜電晶體T51可以分別基於第二閘極起動信號Vst2至第四閘極起動信號Vst4來接通，並可以分別將第二節點QB的電壓放電至第二驅動電壓VSS。並且，第i級STi(其中，i是5至2n的自然數)的第51薄膜電晶體T51可以基於前一個第四級的輸出信號Gout(i-4)來接通，並可以將第二節點QB的電壓放電至第二驅動電壓VSS。
第52薄膜電晶體T52可以包含連接至第一節點Q的閘極端子、連接至第二節點QB的第一端子、和連接至第二驅動電壓VSS的第二端子。也就是說，第52薄膜電晶體T52可以基於第一節點Q的電壓來接通，並可以將第二節點QB的電壓放電至第二驅動電壓VSS。
如上所述，閘極驅動器300的複數個級ST1至ST2n可以分別包含第51薄膜電晶體T51和第52薄膜電晶體T52，並因此可以包含複數條路徑，第二節點QB的電壓通過該些路徑放電。因此，可以改善第二節點QB的電壓的放電特性，從而提升閘極驅動器300的可靠度。
第六薄膜電晶體T6可以包含連接至第一節點Q的閘極端子、接收第一閘極時脈CLK1的第一端子、和連接至輸出節點的第二端子。也就是說，第六薄膜電晶體T6可以基於第一節點Q的電壓來接通，並可以將輸出信號(或閘脈衝)Gout1供應給第一閘極線GL1。並且，輸出信號Gout1可以供應為下一個第四級的閘極起動信號。
第七薄膜電晶體T7可以包含連接至第二節點QB的閘極端子、連接至輸出節點的第一端子、和連接至第二驅動電壓VSS的第二端子。也就是說，第七薄膜電晶體T73可以基於第二節點QB的電壓來接通，並可以將輸出節點的電壓放電至第二驅動電壓VSS。
再者，自舉電容器CB的一端可以連接至第一節點Q，而自舉電容器CB的另一端可以連接至輸出節點。因此，自舉電容器CB可以儲存第一節點Q與輸出節點之間的差值電壓(difference voltage)。
以下，將參照圖6和圖7描述根據本發明一實施例的第一級ST1的操作。
首先，當第一閘極起動信號Vst1具有高位準時，可以接通第一級ST1的第一薄膜電晶體T1和第51薄膜電晶體T51。所以，可以使用經由第一薄膜電晶體T1供應的第一驅動電壓VDD對作為自舉電容器CB一端的第一節點Q的電壓VQ1預充電，並可以經由第51薄膜電晶體T51將第二節點QB的電壓放電至第二驅動電壓VSS。在此，相較於第一閘極起動信號Vst1的上升時間，第一閘極時脈CLK1的上升時間可以延遲四個水平週期，並且，直到第一閘極時脈CLK1的上升時間之前，第一閘極起動信號Vst1可以維持在高位準。所以，第六薄膜電晶體T6可以基於具有高位準並充電至第一節點Q的第一閘極起動信號Vst1來接通，並可以將具有低位準的第一閘極時脈CLK1經由輸出節點供應給第一閘極線GL1。此時，第二節點QB的電壓可以經由第51薄膜電晶體T51和第52薄膜電晶體T52各者放電至第二驅動電壓VSS，並且，第七薄膜電晶體T7可以維持在斷開狀態。
隨後，當第一閘極起動信號Vst1具有低位準且第一閘極時脈CLK1具有高位準時，可以經由仍然在接通狀態的第六薄膜電晶體T6將第一閘極時脈CLK1施加至作為自舉電容器CB另一端的輸出節點。所以，作為自舉電容器CB一端的第一節點Q可以自舉(bootstrap)至具有更高的高位準電壓。因此，第 六薄膜電晶體T6可以處於完全接通的狀態，並可以在不損失電壓的情況下將第一閘極時脈CLK1作為第一閘脈衝Gout1供應給第一閘極線GL1。此時，第二節點QB的電壓可以經由第51薄膜電晶體T51和第52薄膜電晶體T52各者放電至第二驅動電壓VSS，並且，第七薄膜電晶體T7可以維持在斷開狀態。
最後，當從第五級ST5或下一個第四級將具有高位準的輸出信號Gout5供應給第31薄膜電晶體T31的閘極端子時，第31薄膜電晶體T31可以接通，並可以將第一節點Q的電壓VQ1放電至第二驅動電壓VSS。所以，第六薄膜電晶體T6可以斷開，且可以不將第一閘極時脈CLK1供應給輸出節點，並且，第52薄膜電晶體T52可以斷開，且可以不將第二節點QB的電壓放電至第二驅動電壓VSS。因此，第二節點QB的電壓可以基於經由第四薄膜電晶體T4供應的第一驅動電壓VDD而具有高位準，並且，第七薄膜電晶體T7可以接通，且可以將輸出節點的電壓放電至第二驅動電壓VSS。於是，當輸出節點的電壓放電至第二驅動電壓VSS時，第一級ST1可以將閘極斷開電壓供應給第一閘極線GL1。
再者，除了以上提供的敘述內容(例如，第二閘極起動信號Vst2至第四閘極起動信號Vst4、以及第一時脈至第四時脈)外，第二級ST2至第2n級ST(2n)各者的配置和操作與上述第一級ST1相同，因此省略其敘述。
圖8是用於描述在圖2中所示之顯示裝置中減小邊框面積的效果的圖式。圖9是用於描述在圖2中所示之顯示裝置中降低閘脈衝延遲的效果的圖式。
參照圖8和圖9，在具有大面積顯示面板的先前技術的顯示裝置中，閘脈衝藉由使用雙饋方法或隔行掃描方法來供應給複數條閘極線。
在圖8中，在由雙饋方法驅動的先前技術的顯示裝置中，複數個級設置在基板左邊的非顯示區域和右邊的非顯示區域各者中。在這種情況下，先前技術的顯示裝置具有由包含第一閘極時脈CLK1至第八閘極時脈CLK8之時脈線CLK的寬度w1以及複數個級各者的寬度w2所造成之左邊的非顯示區域和右邊的非顯示區域增大的問題。先前技術的顯示裝置具有非顯示區域隨著閘極驅動器以高速(或高頻)驅動而增大的問題。
為了解決這樣的問題，在根據本發明的顯示裝置10中，第一閘極驅動電路310的奇數級ST1至ST(2n-1)可以設置在顯示面板100的左側邊緣(或第二非顯示區域NA2)中，第二閘極驅動電路320的偶數級ST2至ST(2n)可以設置 在顯示面板100的右側邊緣(或第三非顯示區域NA3)中，且第三閘極驅動電路330的奇數級ST1至ST(2n-1)和偶數級ST2至ST(2n)可以設置在顯示面板100的下側邊緣(或第四非顯示區域NA4)中。因此，相較於先前技術的顯示裝置，在第一閘極驅動電路310中，包含第一閘極時脈CLK1、第三閘極時脈CLK3、第五閘極時脈CLK5、和第七閘極時脈CLK7之時脈線CLK的寬度w3以及奇數級ST1至ST(2n-1)各者的寬度w4可以減小。
舉例來說，在由雙體方法驅動的先前技術的顯示裝置中，第二寬度w2增大以使得第一級ST1至第四級ST4能設置在一定的區間h1中。另一方面，在根據本發明的第一閘極驅動電路310中，藉由減少設置在一定的區間h1中的級的數量，奇數級ST1和ST3各者的寬度w4可以減小。因此，在根據本發明的第一閘極驅動電路310中，由於只有奇數級ST1和ST3設置在一定的區間h1中，即使是在驅動大面積顯示面板的情況下，非顯示區域也可以減小。
在圖9中，在由隔行掃描方法驅動的先前技術的顯示裝置中，複數個級中的奇數的級ST(2n-1)設置在基板左邊的非顯示區域中，而複數個級中的偶數的級ST(2n)設置在基板右邊的非顯示區域中。在這種情況下，包含大面積顯示面板的先前技術的顯示裝置具有閘極時脈Gout隨著閘極線GL(2n)變得遠離級(stage)而延遲的問題。所以，在先前技術的顯示裝置中，在閘極線GL(2n)直接從一個級接收閘極時脈的一端與閘極線GL(2n)遠離該級的另一端之間發生輸出差異。並且，在先前技術的顯示裝置中，延遲發生在閘極時脈Gout中，導致在高速驅動(或高頻驅動)中發生影像缺陷的問題。
為了解決這樣的問題，在根據本發明的顯示裝置10上，第一閘極驅動電路310的奇數級ST1至ST(2n-1)可以設置在第一顯示區域AA1的一端中，而第三閘極驅動電路330的奇數級ST1至ST(2n-1)可以設置在第二顯示區域AA2的另一端中。並且，在根據本發明的顯示裝置10中，第二閘極驅動電路320的偶數級ST2至ST(2n)可以設置在第二顯示區域AA2的一端中，而第三閘極驅動電路330的偶數級ST2至ST(2n)可以設置在第一顯示區域AA1的另一端中。
所以，第一閘極驅動電路310的奇數級ST1至ST(2n-1)可以將閘脈衝直接供應給奇數閘極線GL1至GL(2n-1)的一端，而第三閘極驅動電路330的奇數級ST1至ST(2n-1)可以經由第一連接線CL1將閘脈衝供應給第二顯示區域AA2的奇數閘極線GL1至GL(2n-1)的複數個點。以這種方式，第二閘極驅動電路320 的偶數級ST2至ST(2n)可以將閘脈衝直接供應給偶數閘極線GL2至GL(2n)的一端，而第三閘極驅動電路330的偶數級ST2至ST(2n)可以經由第二連接線CL2將閘脈衝供應給第一顯示區域AA1的偶數閘極線GL2至GL(2n)的複數個點。
所以，根據本發明的顯示裝置10可以避免在閘極時脈Gout發生延遲，從而防止在閘極線GL(2n)的二端之間發生輸出差異。據此，根據本發明的顯示裝置10可以防止在高速驅動(或高頻驅動)中發生延遲，因此可以輕易地實行大面積顯示面板的高速驅動，從而提升影像品質。
於是，由於根據本發明的顯示裝置10包括第一閘極驅動電路310至第三閘極驅動電路330，因此可以減小左邊框面積和右邊框面積，並且可以不發生閘脈衝的延遲，從而輕易地實現高速驅動。也就是說，在根據本發明的顯示裝置10中，由於第一閘極驅動電路310至第三閘極驅動電路330單獨且分別地設置在除了其中設置有銲墊部的第一非顯示區域NA1之外的第二非顯示區域NA2至第四非顯示區域NA4中，因此可以減小第二非顯示區域NA2和第三非顯示區域NA3各者的面積，並可以防止在顯示區域AA中發生閘脈衝之間的輸出差異。
圖10是顯示在根據第二實施例的顯示裝置中於複數個級與複數條閘極線之間的連接關係的圖式。圖11是顯示在圖10中所示之顯示裝置中的第一閘極驅動電路的圖式。圖12是顯示在圖10中所示之顯示裝置中的第二閘極驅動電路的圖式。圖13是說明在圖10中所示之顯示裝置中的第三閘極驅動電路的圖式。在此，圖10至圖13中所示之根據第二實施例的顯示裝置可以藉由只修改第一奇數時脈線CLK_ODD1和第二奇數時脈線CLK_ODD2以及第一偶數時脈線CLK_EVEN1和第二偶數時脈線CLK_EVEN2的配置來實現，因此將簡單的敘述與上述配置相同的配置或將其省略述。
參照圖10至圖13，第一奇數時脈線CLK_ODD1可以從顯示驅動器200延伸至第二非顯示區域NA2，並可以連接至第一閘極驅動電路310的奇數級ST1至ST(2n-1)。
第二奇數時脈線CLK_ODD2可以通過第三非顯示區域NA3，並可以從顯示驅動器200延伸至第四非顯示區域NA4，且可以連接至第三閘極驅動電路330的奇數級ST1至ST(2n-1)。
第一偶數時脈線CLK_EVEN1可以從顯示驅動器200延伸至第三非顯示區域NA3，並可以連接至第二閘極驅動電路320的偶數級ST2至ST(2n)。
第二偶數時脈線CLK_EVEN2可以通過第二非顯示區域NA2，並可以從顯示驅動器200延伸至第四非顯示區域NA4，且可以連接至第三閘極驅動電路330的偶數級ST2至ST(2n)。
如上所述，由於根據第二實施例的顯示裝置10藉由修改根據第一實施例的顯示裝置的各個時脈線的配置來實現，因此可以降低各條時脈線的負荷，且第一閘極時脈CLK1至第八閘極時脈CLK8可以輕易地傳輸至閘極驅動器300的各個級。
圖14是用於描述在圖10中所示之顯示裝置中減小非顯示區域的效果的圖式。
參照圖14，在由雙饋方法驅動的先前技術的顯示裝置中，複數個級設置在基板左邊的非顯示區域和右邊的非顯示區域各者中。在這種情況下，先前技術的顯示裝置具有由包含第一閘極時脈CLK1至第八閘極時脈CLK8之時脈線CLK的寬度w1以及複數個級各者的寬度w2所造成之左邊的非顯示區域和右邊的非顯示區域增大的問題。先前技術的顯示裝置具有非顯示區域隨著閘極驅動器以高速(或高頻)驅動而增大的問題。
為了解決這樣的問題，在根據本發明的顯示裝置10中，第一閘極驅動電路310的奇數級ST1至ST(2n-1)可以設置在顯示面板100的左側邊緣(或第二非顯示區域NA2)中，第二閘極驅動電路320的偶數級ST2至ST(2n)可以設置在顯示面板100的右側邊緣(或第三非顯示區域NA3)中，且第三閘極驅動電路330的奇數級ST1至ST(2n-1)和偶數級ST2至ST(2n)可以設置在顯示面板100的下側邊緣(或第四非顯示區域NA4)中。因此，相較於先前技術的顯示裝置，在第一閘極驅動電路310中，奇數級ST1至ST(2n-1)各者的寬度w4可以減小。
於是，由於根據本發明的顯示裝置10包括第一閘極驅動電路310至第三閘極驅動電路330，因此可以減小左邊的非顯示區域和右邊的非顯示區域，並且可以不發生閘脈衝的延遲，從而輕易地實現高速驅動。也就是說，在根據本發明的顯示裝置10中，由於第一閘極驅動電路310至第三閘極驅動電路330單獨且分別地設置在除了其中設置有銲墊部的第一非顯示區域NA1之外的第二非顯示區域NA2至第四非顯示區域NA4中，因此可以減小第二非顯示區域NA2和第三非顯示區域NA3各者的面積，並可以防止在顯示區域AA中發生閘脈衝之間的輸出差異。
再者，當顯示面板100是液晶顯示面板時，包含電晶體的下基板可以曝露在顯示裝置10外，因此可以減小覆蓋或支撐第一非顯示區域至第四非顯示區域的前蓋的邊框的寬度。
舉例來說，一般而言，設置在第一非顯示區域中的銲墊部可以設置在下基板上，上基板可以結合至下基板，二者之間具有液晶，且上基板可以曝露在顯示裝置外。也就是說，使用顯示裝置的使用者可以看見透過上基板顯示的影像。在這種情況下，由於銲墊部應曝露，上基板的尺寸可以實現為小於下基板的尺寸。所以，銲墊部也可能在使用者能夠看見的方向上曝露，因此銲墊部可以由前蓋所覆蓋，以免被使用者看見。因此，即使是在根據本發明減小第二非顯示區域至第四非顯示區域各者的面積時，也可能並未減小第一非顯示區域的面積，特別是可能未減小覆蓋第一非顯示區域的前蓋的邊框的寬度。
然而，當下基板設置在顯示裝置10的外部方向(亦即，使用者看見的方向)上，且上基板設置在顯示裝置10的內部方向(亦即，朝向背光單元的方向)上時，可以減小覆蓋或支撐第一非顯示區域的前蓋的邊框的寬度。
也就是說，依照根據本發明的上述配置結構，即使是在未實質上減小第一非顯示區域的尺寸時，也可以不在顯示裝置10的外部方向上曝露銲墊部，因此可以減小用於覆蓋其中設置有銲墊部的第一非顯示區域的前蓋的邊框的寬度。在這種情況下，根據本發明，由於減小第二非顯示區域和第三非顯示區域各者的面積，可以減小分別覆蓋或支撐第二非顯示區域和第三非顯示區域的前蓋的邊框的寬度。因此，根據本發明，可以減小分別覆蓋或支撐第一非顯示區域至第四非顯示區域的前蓋的邊框的寬度。以下，將參照圖20至圖22對這點作詳細的敘述。
在以下的敘述內容中，第一連接線CL1和第二連接線CL2可以通稱為連接線CL。以下將敘述閘極線與連接線的連接結構。在以下的敘述內容中，省略與以上提供的敘述內容相同或相似的敘述，或者將簡單地提供。
圖15是示意性地顯示圖2和圖10中所示之顯示面板的橫截面的示意圖。特別是，(a)示意性地顯示平行於閘極線GL順著圖2和圖10中所示之第一像素P1取得的橫截面；(b)示意性地顯示平行於閘極線GL順著圖2和圖10中所示之第二像素P2取得的橫截面；以及(c)示意性地顯示平行於閘極線GL順著圖2和圖10中所示之第三像素P3取得的橫截面。為了描述上的方便，在(a)、 (b)、和(c)所示的橫截面中，也顯示了在橫截面中未直接示出的元件。為了提供額外敘述，(a)、(b)、和(c)所示的橫截面用於形容閘極線GL和第二連接線CL2的配置結構，並為了形容上的方便示意性地顯示了其他元件。
首先，參照圖15的(a)，由於第一像素P1如圖2和圖10中所示只包含閘極線GL，第二連接線CL2不包含在第一像素P1的橫截面中。
在這種情況下，如(a)所示，顯示面板100的第一像素P1可以包括基板101；高耐熱平坦化層102，設置在基板101上；閘極線GL，設置在高耐熱平坦化層102上；閘極絕緣層103，設置在閘極線GL上；半導體104，設置在閘極絕緣層103上以與閘極線GL重疊；第一電極105，設置在半導體104上；第二電極106，設置在半導體104上以與第一電極105相隔；鈍化層107，覆蓋第一電極105、第二電極106、和半導體104；平坦化層108，設置在鈍化層107上；以及像素電極110，設置在平坦化層108上，並經由形成在平坦化層108和鈍化層107中的接觸孔電性連接至第二電極106。
當顯示面板100是液晶顯示面板時，如圖15所示，共用電極111還可以設置在平坦化層108上，並可以由絕緣層109覆蓋。在這種情況下，像素電極110可以設置在絕緣層109上，並可以經由形成在絕緣層109、平坦化層108、和鈍化層107中的接觸孔電性連接至第二電極106。第一電極105、第二電極106、半導體104、閘極絕緣層103、和閘極線GL可以分別實行電晶體(薄膜電晶體，特別是開關電晶體)的功能，用於控制包含在液晶顯示面板中的液晶的透光度。這樣的敘述內容可以應用於圖15的(b)和(c)中所示的顯示面板100。
當顯示面板100是有機發光顯示面板時，可以省略共用電極111和絕緣層109。在這種情況下，像素電極110可以是有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED)的陽極，包含在OLED中的發光層可以設置在像素電極110上，而包含在OLED中的陰極可以設置在發光層上。第一電極105、第二電極106、半導體104、閘極絕緣層103、和閘極線GL可以分別實行電晶體(薄膜電晶體，特別是驅動電晶體)的功能，用於控制包含在有機發光顯示面板中的OLED的發光量。這樣的敘述內容可以應用於圖15的(b)和(c)中所示的顯示面板100。
參照圖15的(b)，在第二像素P2中，閘極線GL可以如圖2和圖10中所示與第二連接線CL2相交。
在這種情況下，如(b)中所示，顯示面板100的第二像素P2可以包括基板101；第二連接線CL2，設置在基板101上；高耐熱平坦化層102，覆蓋第二連接線CL2；閘極線GL，設置在高耐熱平坦化層102上；閘極絕緣層103，設置在閘極線GL上；半導體104，設置在閘極絕緣層103上以與閘極線GL重疊；第一電極105，設置在半導體104上；第二電極106，設置在半導體104上以與第一電極105相隔；鈍化層107，覆蓋第一電極105、第二電極106、和半導體104；平坦化層108，設置在鈍化層107上；以及像素電極110，設置在平坦化層108上，並經由形成在平坦化層108和鈍化層107中的接觸孔電性連接至第二電極106。
也就是說，在本發明中，如(b)中所示，第一連接線CL1和第二連接線CL2可以設置在基板101上，並可以由高耐熱平坦化層102覆蓋。
最後，參照圖15的(c)，在第三像素P3中，閘極線GL可以如圖2和圖10中所示連接至第二連接線CL2。
在這種情況下，如(c)中所示，顯示面板100的第三像素P3可以包括基板101；第二連接線CL2，設置在基板101上；高耐熱平坦化層102，覆蓋第二連接線CL2；閘極線GL，設置在高耐熱平坦化層102上；閘極絕緣層103，設置在閘極線GL上；半導體104，設置在閘極絕緣層103上以與閘極線GL重疊；第一電極105，設置在半導體104上；第二電極106，設置在半導體104上以與第一電極105相隔；鈍化層107，覆蓋第一電極105、第二電極106、和半導體104；平坦化層108，設置在鈍化層107上；以及像素電極110，設置在平坦化層108上，並經由形成在平坦化層108和鈍化層107中的接觸孔電性連接至第二電極106。
也就是說，在本發明中，如(b)中所示，第一連接線CL1和第二連接線CL2可以設置在基板101上，並可以由高耐熱平坦化層102覆蓋。
特別是，如(c)中所示，第二連接線CL2可以經由形成在高耐熱平坦化層102中的接觸孔連接至閘極線GL，並且，第一連接線CL1可以經由形成在高耐熱平坦化層102中的接觸孔連接至閘極線GL。
為了提供額外敘述，如圖1、圖2、和圖10中所示，連接線CL可以在從顯示面板100的第四非顯示區域NA4往第一非顯示區域NA1的方向(亦即，第二方向)上延伸，而閘極線GL可以在與連接線CL不同的方向(特別是，與第二方向垂直的第一方向)上延伸。
在這種情況下，如圖15中所示，連接線CL可以設置在基板101上，由高耐熱平坦化層102與閘極線GL絕緣，並經由形成在高耐熱平坦化層102中的接觸孔電性連接至閘極線GL。
如上所述，連接線CL包含在基板101中以及基板101由高耐熱平坦化層102覆蓋的原因是在於用於減少連接線CL的負荷，並降低包含在顯示面板100中的連接線CL與各種金屬(例如，第一電極105、第二電極106、共用電極111、和資料線)的至少一者之間產生的寄生電容。
特別是，隨著高耐熱平坦化層102的厚度變厚，設置在高耐熱平坦化層102上的金屬與連接線CL之間的間距可以增加，因此可以降低連接線CL與該些金屬之間產生的寄生電容的大小。也就是說，高耐熱平坦化層102可以實行平坦化連接線CL的上端的功能、以及降低連接線CL與其他金屬之間產生的寄生電容的功能。
在這種情況下，由於分別需要高溫製程的閘極線GL、半導體104、第一電極105、和第二電極106設置在高耐熱平坦化層102上，因此高耐熱平坦化層102應使用高耐熱材料。
所以，高耐熱平坦化層102的相對介電常數應大於2且小於4，高耐熱平坦化層102的均勻性(最大值-最小值)應大於0且小於0.2μm，高耐熱平坦化層102在高於400℃溫度下於氧化物上進行的高溫製程中的重量損失應大於0.1%且小於1%，高耐熱平坦化層102應具化學穩定性以便不會發生金屬蝕刻所造成的重量損失或材料特性變形，且與不同層的接觸特性應良好。也就是說，重量損失、相對介電常數、和均勻性應盡可能地小。
再者，當包含高耐熱平坦化層102的顯示面板是液晶顯示面板時，高耐熱平坦化層102應具有70%至100%的透光度。
也就是說，高耐熱平坦化層102可以包含具有類似於矽氧化物(SiO2)的物理特性的材料。
圖16是示意性地顯示圖2和圖10中所示之顯示面板的橫截面的另一示意圖。特別是，(a)示意性地顯示平行於閘極線GL順著圖2和圖10中所示之第一像素P1取得的橫截面；(b)示意性地顯示平行於閘極線GL順著圖2和圖10所示之第二像素P2取得的橫截面；以及(c)示意性地顯示平行於閘極線GL順著圖2和圖10中所示之第三像素P3取得的橫截面。為了描述上的方便，在(a)、 (b)、和(c)所示的橫截面中，也顯示了在橫截面中未直接示出的元件。為了提供額外敘述，(a)、(b)、和(c)中所示的橫截面用於形容閘極線GL和第二連接線CL2的配置結構，並為了描述上的方便示意性地顯示了其他元件。
首先，參照圖16的(a)，由於第一像素P1如圖2和圖10中所示只包含閘極線GL，第二連接線CL2不包含在第一像素P1的橫截面中。
在這種情況下，如(a)中所示，顯示面板100的第一像素P1可以包括基板101；高耐熱平坦化層102，設置在基板101上；閘極線GL，設置在高耐熱平坦化層102上；閘極絕緣層103，設置在閘極線GL上；半導體104，設置在閘極絕緣層103上以與閘極線GL重疊；第一電極105，設置在半導體104上；第二電極106，設置在半導體104上以與第一電極105相隔；鈍化層107，覆蓋第一電極105、第二電極106、和半導體104；平坦化層108，設置在鈍化層107上；以及像素電極110，設置在平坦化層108上，並經由形成在平坦化層108和鈍化層107中的接觸孔電性連接至第二電極106。
當顯示面板100是液晶顯示面板時，如圖16中所示，共用電極111可以進一步設置在平坦化層108上，並可以由絕緣層109覆蓋。在這種情況下，像素電極110可以設置在絕緣層109上，並可以經由形成在絕緣層109、平坦化層108、和鈍化層107中的接觸孔電性連接至第二電極106。第一電極105、第二電極106、半導體104、閘極絕緣層103、和閘極線GL可以分別實行電晶體(薄膜電晶體，特別是開關電晶體)的功能，用於控制包含在液晶顯示面板中的液晶的透光度。這樣的敘述內容可以應用於圖16的(b)和(c)中所示的顯示面板100。
當顯示面板100是有機發光顯示面板時，可以省略共用電極111和絕緣層109。在這種情況下，像素電極110可以是OLED的陽極，包含在OLED中的發光層可以設置在像素電極110上，而包含在OLED中的陰極可以設置在發光層上。第一電極105、第二電極106、半導體104、閘極絕緣層103、和閘極線GL可以分別實行電晶體(薄膜電晶體，特別是驅動電晶體)的功能，用於控制包含在有機發光顯示面板中的OLED的發光量。這樣的敘述內容可以應用於圖16的(b)和(c)中所示的顯示面板100。
參照圖16的(b)，在第二像素P2中，閘極線GL可以如圖2和圖10中所示與第二連接線CL2相交。
在這種情況下，如(b)中所示，顯示面板100的第二像素P2可以包括基板101；高耐熱平坦化層102，設置在基板101上；閘極線GL，設置在高耐熱平坦化層102上；閘極絕緣層103，設置在閘極線GL上；第二連接線CL2，設置在閘極絕緣層103上；鈍化層107，覆蓋第二連接線CL2和閘極絕緣層103；平坦化層108，設置在鈍化層107上；以及像素電極110，設置在平坦化層108上。
也就是說，在本發明中，如(b)中所示，第一連接線CL1和第二連接線CL2可以設置在閘極絕緣層103上。
在這種情況下，連接線CL可以透過與設置在閘極絕緣層103上且配置電晶體(薄膜電晶體TFT)的第一電極105和第二電極106相同的製程來形成。
也就是說，分別用於配置包含在像素中的電晶體的第一電極105和第二電極106可以設置在閘極絕緣層103上，並且，連接線CL可以與閘極絕緣層103的上端上的第一電極105和第二電極106形成在相同的層上。
再者，由於第一電極105和第二電極106設置在半導體104上，連接線CL可以設置在透過與半導體104相同的製程形成的另一半導體104a上。
也就是說，連接線CL可以透過與配置薄膜電晶體的第一電極105和第二電極106相同的製程來形成。在這種情況下，連接線CL可以直接設置在閘極絕緣層103上，或者可以設置在透過與配置電晶體(薄膜電晶體TFT)的半導體104相同的製程形成的另一半導體104a上，以具有與第一電極105和第二電極106各者相同的結構。
最後，參照圖16的(c)，在第三像素P3中，閘極線GL可以如圖2和圖10中所示連接至第二連接線CL2。
在這種情況下，如(c)中所示，顯示面板100的第三像素P3可以包括基板101；高耐熱平坦化層102，設置在基板101上；閘極線GL，設置在高耐熱平坦化層102上；閘極絕緣層103，設置在閘極線GL上；另一半導體104a，設置在閘極絕緣層103上並經由形成在閘極絕緣層103中的接觸孔電性連接至閘極線GL；第二連接線CL2，設置在另一半導體104a上；鈍化層107，覆蓋第二連接線CL2和另一半導體104a；平坦化層108，設置在鈍化層107上；以及像素電極110，設置在平坦化層108上。
如上所述，第二連接線CL2可以直接設置在閘極絕緣層103上，在這種情況下，第二連接線CL2可以經由形成在閘極絕緣層103中的接觸孔電性連接至閘極線GL。
如上所述，當連接線CL包含在基板101中時，即使沒有額外的製程，也可以形成連接線CL。
在以上的敘述內容中，高耐熱平坦化層102可以設置在基板101上，或者，在以上參照圖16所述的一實施例中，可以省略高耐熱平坦化層102。
然而，如以上參照圖16所述的一實施例中，當應於基板101上設置其他金屬取代連接線CL時，高耐熱平坦化層102可以實行降低設置在高耐熱平坦化層102上的各種金屬與該其他金屬之間的寄生電容的功能。
在這種情況下，高耐熱平坦化層102可以包含在以上參照圖15所述的物理特性。
以下，將參照圖17至圖19描述用於降低寄生電容的顯示面板的結構。在以下的敘述內容中，省略與以上提供的敘述內容相同或相似的敘述，或者將簡單地提供。
圖17是示意性地顯示圖2和圖10中所示之顯示面板的橫截面的另一示意圖。特別是，(a)示意性地顯示平行於閘極線GL順著圖2和圖10中所示之第一像素P1取得的橫截面；(b)示意性地顯示平行於閘極線GL順著圖2和圖10中所示之第二像素P2取得的橫截面；以及(c)示意性地顯示平行於閘極線GL順著圖2和圖10中所示之第三像素P3取得的橫截面。為了描述上的方便，在(a)、(b)、和(c)所示的橫截面中，也顯示了在橫截面中未直接示出的元件。為了提供補充敘述，(a)、(b)、和(c)中所示的橫截面用於形容閘極線GL和第二連接線CL2的配置結構，並為了描述上的方便示意性地顯示了其他元件。
首先，參照圖17的(a)，由於第一像素P1如圖2和圖10中所示只包含閘極線GL，第二連接線CL2不包含在第一像素P1的橫截面中。
在這種情況下，如(a)中所示，顯示面板100的第一像素P1可以包括基板101；高耐熱平坦化層102，設置在基板101上；閘極線GL，設置在高耐熱平坦化層102上；閘極絕緣層103，設置在閘極線GL上；半導體104，設置在閘極絕緣層103上以與閘極線GL重疊；第一電極105，設置在半導體104上；第二電極106，設置在半導體104上以與第一電極105相隔；鈍化層107，覆蓋第一電極 105、第二電極106、和半導體104；濾色器CF，設置在鈍化層107上；平坦化層108，設置在濾色器CF上；以及像素電極110，設置在平坦化層108上，並經由形成在平坦化層108、濾色器CF、和鈍化層107中的接觸孔電性連接至第二電極106。
當顯示面板100是液晶顯示面板時，如圖17中所示，共用電極111可以進一步設置在平坦化層108上，並可以由絕緣層109覆蓋。在這種情況下，像素電極110可以設置在絕緣層109上，並可以經由形成在絕緣層109、平坦化層108、濾色器CF、和鈍化層107中的接觸孔電性連接至第二電極106。第一電極105、第二電極106、半導體104、閘極絕緣層103、和閘極線GL可以分別實行電晶體(薄膜電晶體，特別是開關電晶體)的功能，用於控制包含在液晶顯示面板中的液晶的透光度。
特別是，在顯示面板100中，濾色器CF可以設置在鈍化層107上。濾色器CF可以實行決定從像素發出的光的顏色的功能。
也就是說，當顯示面板100是液晶顯示面板時，從設置在基板101下的背光單元發出的光可以穿過濾色器CF、絕緣層109、設置在絕緣層109上的液晶、和設置在液晶上的上基板而傳輸至外部。因此，使用者可以看見經由上基板輸出的色光。
這樣的敘述內容可以應用於圖17的(b)和(c)中所示的顯示面板100。
當顯示面板100是有機發光顯示面板時，可以省略共用電極111和絕緣層109。在這種情況下，像素電極110可以是OLED的陽極，包含在OLED中的發光層可以設置在像素電極110上，而包含在OLED中的陰極可以設置在發光層上。第一電極105、第二電極106、半導體104、閘極絕緣層103、和閘極線GL可以分別實行電晶體(薄膜電晶體，特別是驅動電晶體)的功能，用於控制包含在有機發光顯示面板中的OLED的發光量。
也就是說，當顯示面板100是有機發光顯示面板時，像素電極110可以經由形成在鈍化層107、濾色器CF、和平坦化層108中的接觸孔連接至第二電極106，並且，濾色器CF可以設置在像素電極110下。由於圖17顯示有機發光顯示面板的橫截面，因此不將濾色器CF示於像素電極110下。然而，在平面圖中，濾色器CF可以在像素電極110除了其中形成有接觸孔的部分之外的一部分，設置在像素電極110下。
在這種情況下，像素電極110可以實行有機發光顯示面板的陽極電極的功能，因此，如上所述，發光層可以設置在像素電極110上，且陰極可以設置在發光層上。
從發光層發出的光可以穿過濾色器CF、閘極絕緣層103、高耐熱平坦化層102、和基板101而傳輸至外部。因此，使用者可以看見經由基板101輸出的色光。
這樣的敘述內容可以應用於圖17的(b)和(c)中所示的顯示面板100，參照圖17的(b)，在第二像素P2中，閘極線GL可以如圖2和圖10中所示與第二連接線CL2相交。
在這種情況下，如(b)中所示，顯示面板100的第二像素P2可以包括基板101；第二連接線CL2，設置在基板101上；高耐熱平坦化層102，覆蓋第二連接線CL2；閘極線GL，設置在高耐熱平坦化層102上；閘極絕緣層103，設置在閘極線GL上；半導體104，設置在閘極絕緣層103上以與閘極線GL重疊；第一電極105，設置在半導體104上；第二電極106，設置在半導體104上以與第一電極105相隔；鈍化層107，覆蓋第一電極105、第二電極106、和半導體104；濾色器CF，設置在鈍化層107上；平坦化層108，設置在濾色器CF上；以及像素電極110，設置在平坦化層108上，並經由形成在平坦化層108、濾色器CF、和鈍化層107中的接觸孔電性連接至第二電極106。
也就是說，在本發明中，如(b)中所示，第一連接線CL1和第二連接線CL2可以設置在基板101上，並可以由高耐熱平坦化層102覆蓋。最後，參照圖17的(c)，在第三像素P3中，閘極線GL可以如圖2和圖10中所示連接至第二連接線CL2。
在這種情況下，如(c)中所示，顯示面板100的第三像素P3可以包括基板101；第二連接線CL2，設置在基板101上；高耐熱平坦化層102，覆蓋第二連接線CL2；閘極線GL，設置在高耐熱平坦化層102上；閘極絕緣層103，設置在閘極線GL上；半導體104，設置在閘極絕緣層103上以與閘極線GL重疊；第一電極105，設置在半導體104上；第二電極106，設置在半導體104上以與第一電極105相隔；鈍化層107，覆蓋第一電極105、第二電極106、和半導體104；濾色器CF，設置在鈍化層107上；平坦化層10，設置在濾色器CF上；以及像素 電極110，設置在平坦化層108上，並經由形成在平坦化層108、濾色器CF、和鈍化層107中的接觸孔電性連接至第二電極106。
也就是說，在本發明中，如(b)中所示，第一連接線CL1和第二連接線CL2可以設置在基板101上，並可以由高耐熱平坦化層102覆蓋。
特別是，如(c)中所示，第二連接線CL2可以經由形成在高耐熱平坦化層102中的接觸孔連接至閘極線GL，並且，第一連接線CL1以經由形成在高耐熱平坦化層102中的接觸孔連接至閘極線GL。
為了提供額外敘述，如圖1、圖2、和圖10中所示，連接線CL可以在從顯示面板100的第四非顯示區域NA4往第一非顯示區域NA1的方向(亦即，第二方向)上延伸，閘極線GL可以在與連接線CL不同的方向(特別是，與第二方向垂直的第一方向)上延伸。
在這種情況下，如圖17中所示，連接線CL可以設置在基板101上，由高耐熱平坦化層102與閘極線GL絕緣，並經由形成在高耐熱平坦化層102中的接觸孔電性連接至閘極線GL。
如上所述，連接線CL包含在基板101中以及基板101由高耐熱平坦化層102覆蓋的原因在於用於減少連接線CL的負荷，並降低包含在顯示面板100中的連接線CL與各種金屬(例如，第一電極105、第二電極106、共用電極111、和資料線)的至少一者之間產生的寄生電容。
特別是，隨著高耐熱平坦化層102的厚度變厚，設置在高耐熱平坦化層102上的金屬與連接線CL之間的間距可以增加，因此可以降低連接線CL與該些金屬之間產生的寄生電容的大小。也就是說，高耐熱平坦化層102可以實行平坦化連接線CL的上端的功能、以及降低連接線CL與其他金屬之間產生的寄生電容的功能。
在這種情況下，由於分別需要高溫製程的閘極線GL、半導體104、第一電極105、和第二電極106設置在高耐熱平坦化層102上，因此高耐熱平坦化層102應使用高耐熱材料。
所以，高耐熱平坦化層102的相對介電常數應大於2且小於4，高耐熱平坦化層102的均勻性(最大值-最小值)應大於0且小於0.2μm，高耐熱平坦化層102在高於400℃溫度下於氧化物上進行的高溫製程中的重量損失應大於0.1%且小於1%，高耐熱平坦化層102應具化學穩定性以便不會發生金屬蝕刻所造 成的重量損失或材料特性變形，且與不同層之間的接觸特性應良好。也就是說，重量損失、相對介電常數、和均勻性應盡可能地小。
再者，當包含高耐熱平坦化層102的顯示面板是液晶顯示面板時，高耐熱平坦化層102應具有70%至100%的透光度。
也就是說，高耐熱平坦化層102可以包含具有類似於矽氧化物(SiO2)的物理特性的材料。
再者，如上所述，由於濾色器CF設置在鈍化層107與平坦化層108之間，因此可以降低設置在平坦化層108上的金屬線與設置在鈍化層107下的金屬線之間產生的寄生電容。以下，將參照圖19對這點進行敘述。
圖18是示意性地顯示圖2和圖10中所示之顯示面板的橫截面的另一示意圖。特別是，(a)示意性地顯示平行於閘極線GL順著圖2和圖10中所示之第一像素P1取得的橫截面；(b)示意性地顯示平行於閘極線GL順著圖2和圖10中所示之第二像素P2取得的橫截面；以及(c)示意性地顯示平行於閘極線GL順著圖2和圖10中所示之第三像素P3取得的橫截面。為了描述上的方便，在(a)、(b)、和(c)所示的橫截面中，也顯示了在橫截面中未直接示出的元件。為了提供額外敘述，(a)、(b)、和(c)中所示的橫截面用於形容閘極線GL和第二連接線CL2的配置結構，並為了描述上的方便示意性地顯示了其他元件。
首先，參照圖18的(a)，由於第一像素P1包含如圖2和圖10中所示的閘極線GL，第二連接線CL2不包含在第一像素P1的橫截面中。
在這種情況下，如(a)中所示，顯示面板100的第一像素P1可以包括基板101；高耐熱平坦化層102，設置在基板101上；閘極線GL，設置在高耐熱平坦化層102上；閘極絕緣層103，設置在閘極線GL上；半導體104，設置在閘極絕緣層103上以與閘極線GL重疊；第一電極105，設置在半導體104上；第二電極106，設置在半導體104上以與第一電極105相隔；鈍化層107，覆蓋第一電極105、第二電極106、和半導體104；濾色器CF，設置在鈍化層107上；平坦化層108，設置在濾色器CF上；以及像素電極110，設置在平坦化層108上，並經由形成在平坦化層108、濾色器CF、和鈍化層107中的接觸孔電性連接至第二電極106。
當顯示面板100是液晶顯示面板時，如圖18中所示，共用電極111可以進一步設置在平坦化層108上，並可以由絕緣層109覆蓋。在這種情況下，像素電極110可以設置在絕緣層109上，並可以經由形成在絕緣層109、平坦化層 108、濾色器CF、和鈍化層107中的接觸孔電性連接至第二電極106。第一電極105、第二電極106、半導體104、閘極絕緣層103、和閘極線GL可以分別實行電晶體(薄膜電晶體，特別是開關電晶體)的功能，用於控制包含在液晶顯示面板中的液晶的透光度。
特別是，在顯示面板100中，濾色器CF可以設置在鈍化層107上。濾色器CF可以實行決定從像素發出的光的顏色的功能。
也就是說，當顯示面板100是液晶顯示面板時，從設置在基板101下的背光單元發出的光可以穿過濾色器CF、絕緣層109、設置在絕緣層109上的液晶、和設置在液晶上的上基板而傳輸至外部。因此，使用者可以看見經由上基板輸出的色光。
這樣的敘述內容可以應用於圖18的(b)和(c)中所示的顯示面板100。
當顯示面板100是有機發光顯示面板時，可以省略共用電極111和絕緣層109。在這種情況下，像素電極110可以是OLED的陽極，包含在OLED中的發光層可以設置在像素電極110上，而包含在OLED中的陰極可以設置在發光層上。第一電極105、第二電極106、半導體104、閘極絕緣層103、和閘極線GL可以分別實行電晶體(薄膜電晶體，特別是驅動電晶體)的功能，用於控制包含在有機發光顯示面板中的OLED的發光量。
也就是說，當顯示面板100是有機發光顯示面板時，像素電極110可以經由形成在鈍化層107、濾色器CF、和平坦化層108中的接觸孔連接至第二電極106，並且，濾色器CF可以設置在像素電極110下。由於圖18顯示有機發光顯示面板的橫截面，因此不將濾色器CF示於像素電極110下。然而，在平面圖中，濾色器CF可以在像素電極110除了其中形成有接觸孔的部分之外的一部分，設置在像素電極110下。
在這種情況下，像素電極110可以實行有機發光顯示面板的陽極電極的功能，因此如上所述，發光層可以設置在像素電極110上，且陰極可以設置在發光層上。
從發光層發出的光可以穿過濾色器CF、閘極絕緣層103、高耐熱平坦化層102、和基板101而傳輸至外部。因此，使用者可以看見透過基板101輸出的色光。
這樣的敘述內容可以應用於圖18的(b)和(c)中所示的顯示面板100。
參照圖18的(b)，在第二像素P2中，閘極線GL可以如圖2和圖10所示與第二連接線CL2相交。
在這種情況下，如(b)中所示，顯示面板100的第二像素P2可以包括基板101；高耐熱平坦化層10，設置在基板101上；閘極線GL，設置在高耐熱平坦化層102上；閘極絕緣層103，設置在閘極線GL上；第二連接線CL2，設置在閘極絕緣層103上；鈍化層107，覆蓋第二連接線CL2和閘極絕緣層103；濾色器CF，設置在鈍化層107上；平坦化層108，設置在濾色器CF上；以及像素電極110，設置在平坦化層108上。
也就是說，在本發明中，如(b)中所示，第一連接線CL1和第二連接線CL2可以設置在閘極絕緣層103上。
在這種情況下，連接線CL可以透過與設置在閘極絕緣層103上且配置電晶體(薄膜電晶體TFT)的第一電極105和第二電極106相同的製程來形成。
再者，由於第一電極105和第二電極106設置在半導體104上，連接線CL可以設置在透過與半導體104相同的製程形成的另一半導體104a上。
也就是說，連接線CL可以透過與配置薄膜電晶體的第一電極105和第二電極106相同的製程來形成。在這種情況下，連接線CL可以直接設置在閘極絕緣層103上，或者可以設置在透過與配置電晶體(薄膜電晶體TFT)的半導體104相同的製程形成的另一半導體104a上，以具有與第一電極105和第二電極106各者相同的結構。
最後，參照圖18的(c)，在第三像素P3中，閘極線GL可以如圖2和圖10中所示連接至第二連接線CL2。
在這種情況下，如(c)中所示，顯示面板100的第三像素P3可以包括基板101；高耐熱平坦化層102，設置在基板101上；閘極線G，設置在高耐熱平坦化層102上；閘極絕緣層103，設置在閘極線GL上；另一半導體104a，設置在閘極絕緣層103上並經由形成在閘極絕緣層103中的接觸孔電性連接至閘極線GL；第二連接線CL2，設置在另一半導體104a上；鈍化層107，覆蓋第二連接線CL2和另一半導體104a；濾色器CF，設置在鈍化層107上；平坦化層108，設置在濾色器CF上；以及像素電極110，設置在平坦化層108上。
如上所述，第二連接線CL2可以直接設置在閘極絕緣層103上，在這種情況下，第二連接線CL2可以經由形成在閘極絕緣層103中的接觸孔電性連接至閘極線GL。
如上所述，當連接線CL包含在基板101中時，即使沒有額外的製程，也可以形成連接線CL。在以上的敘述內容中，高耐熱平坦化層102可以設置在基板101上，或者，在以上參照圖18所述的一實施例中，可以省略高耐熱平坦化層102。
然而，在以上參照圖18所述的一實施例中，當取代連接線CL的其他金屬設置在基板101上時，高耐熱平坦化層102可以實行降低設置在高耐熱平坦化層102上的各種金屬與該其他金屬之間的寄生電容的功能。
在這種情況下，高耐熱平坦化層102可以包含以上參照圖17所述的物理特性。
再者，如上所述，由於濾色器CF設置在鈍化層107與平坦化層108之間，因此可以降低設置在平坦化層108上的金屬與設置在鈍化層107下的金屬之間產生的寄生電容。以下，將參照圖19對這點進行敘述。
圖19是用於描述在根據本發明的顯示裝置中降低寄生電容的原理的示意圖。圖19(a)是先前技術的顯示面板的橫截面圖；圖19的(b)是以上參照圖17中所示之顯示面板的橫截面圖；以及圖19的(c)是以上參照圖18所示之顯示面板的截面圖。
如以上參照圖17和圖18所示，在顯示面板中，濾色器CF可以設置在鈍化層107上。
濾色器CF可以降低設置在平坦化層108上的金屬或金屬線與設置在鈍化層107下的金屬或金屬線之間產生的寄生電容。
舉例來說，當顯示面板是液晶顯示面板時，如圖19的(a)中所示之在鈍化層107與平坦化層108之間不設置濾色器的液晶顯示面板中的閘極線GL與共用電極111之間的距離可能小於如圖19的(b)中所示之在鈍化層107與平坦化層108之間設置濾色器的液晶顯示面板中的閘極線GL與共用電極111之間的距離，並且，可能小於連接線CL與共用電極111之間的距離。寄生電容一般而言與距離成反比，因此，隨著兩個電極之間的距離增加，寄生電容可以減小。
所以，如圖19的(b)中所示之在鈍化層107與平坦化層108之間設置濾色器的液晶顯示面板中的閘極線GL與共用電極111之間的寄生電容可以小於如圖19的(a)中所示之在鈍化層107與平坦化層108之間不設置濾色器的液晶顯示面板中的閘極線GL與共用電極111之間的寄生電容。並且，如圖19的(b)中所示，在鈍化層107與高耐熱平坦化層102之間設置連接線CL的液晶顯示面板中，基於設置在鈍化層107與平坦化層108之間的濾色器CF，可以進一步地增加連接線CL與共用電極111之間的距離，因此可以降低連接線CL與共用電極111之間的寄生電容。
再者，如圖19的(c)中所示之在本發明的液晶顯示面板中的連接線CL與共用電極111之間的寄生電容可以小於在連接線CL與平坦化層108之間不設置濾色器CF的先前技術的液晶顯示面板中的連接線CL與共用電極111之間的寄生電容。
在這種情況下，根據上述的本發明，可以降低設置在濾色器CF下的閘極線GL或連接線CL與設置在濾色器CF上的共用電極111之間的寄生電容的特徵已描述如上。
然而，本發明不限於此。
也就是說，在應用於本發明的顯示面板中，由於濾色器CF設置在鈍化層107與平坦化層108之間，因此相較於鈍化層107與平坦化層108之間不設置濾色器的先前技術的顯示面板的寄生電容，可以降低設置在平坦化層108上的各種金屬(例如，共用電極、像素電極、陽極電極、陰極電極、和各種供電線)與設置在濾色器CF下的各種金屬(例如，閘極線、連接線、資料線、觸控電極、和各種供電線)之間的寄生電容。
為了提供額外敘述，在本發明中，濾色器CF可以實行降低設置在濾色器CF下與設置在濾色器CF上的金屬之間的寄生電容的功能。
圖20是用於描述在根據本發明的顯示裝置中於顯示面板上貼附電路薄膜的方法的示意圖。圖21是顯示圖20中所示之顯示面板貼附在前蓋上的示例的示意圖。圖22是顯示圖21中所示的顯示面板的前部的示意圖。
首先，參照圖20，顯示面板100可以包括下基板180和上基板190。當顯示面板100是液晶顯示面板時，可以將液晶注入至下基板180與上基板190之間的區域中。
下基板180可以形成為以上參照圖15至圖19所述的各種類型。
當顯示面板100是液晶顯示面板時，上基板190可以實行與下基板180一起保持住注入的液晶的功能。
當顯示面板100是有機發光顯示面板時，上基板190可以實行覆蓋下基板180以防止水滲入包含在下基板180中的OLED的功能。
如上所述，銲墊部170可以設置在下基板180中，並且，電路薄膜210可以連接至銲墊部170，且接著可以將電路薄膜210彎曲並設置在顯示面板的下端。
特別是，在先前技術的顯示面板中，如圖20的(a)中所示，連接至包含在下基板180中的銲墊部170的電路薄膜210可以沿下基板180的側表面彎曲，並可以設置在下基板180的下端。
然而，在應用於本發明的顯示面板中，如圖20的(b)中所示，連接至包含在下基板180中的銲墊部170的電路薄膜210可以沿上基板190的側表面彎曲，並可以設置在上基板190的下端。
也就是說，在先前技術的顯示裝置中，影像I可以如(a)中所示透過上基板190向外輸出，而在根據本發明的顯示裝置中，影像I可以如(b)中所示透過下基板180向外輸出。
在這種情況下，在根據本發明的顯示裝置中，如圖21中所示，包含在銲墊部170中的複數個銲墊171可以未曝露在外，因此用於支撐顯示面板的前蓋160可以不需要覆蓋銲墊部170。
前蓋160可以執行支撐顯示面板100的功能，或者可以執行形成顯示裝置外觀的功能。在前蓋160執行支撐顯示面板100的功能的情況下，顯示裝置的外殼可以進一步地覆蓋前蓋160。然而，顯示裝置外殼的外觀可以是基於前蓋160的外觀，因此，即使是在顯示裝置更包含外殼的情況下，也可以同樣地應用以上和以下的敘述內容。以下，為了描述上的方便，將敘述前蓋160形成顯示裝置的外觀的顯示裝置，作為本發明的示例。
也就是說，當使用者看見根據本發明的顯示裝置的前側時，如圖21和圖22中所示，可以曝露顯示面板100的整個前表面，且只曝露前蓋160的複數個側部161。在這種情況下，包含在銲墊部170中的銲墊171可以由下基板180覆蓋，因此可以不曝露在外。
也就是說，在根據本發明的顯示裝置中，由於包含在銲墊部170中的銲墊171不曝露在外，可以不設置應用於先前技術的顯示裝置的前表面前蓋部分。
所以，可以對使用者曝露顯示面板100的整個前表面，並只曝露前蓋160的側部161。並且，即使是在顯示面板100前表面的邊緣部分由前蓋160覆蓋和支撐時，也可以在能達到支撐顯示面板100的目的的情況下將由前蓋160覆蓋的部分設定成盡可能地小。
所以，在根據本發明的顯示裝置中，可以將邊框的寬度B設定成等於前蓋160的側部161各者的寬度，或者可以在能達到支撐顯示面板100的目的的情況下設定成盡可能地小。
再者，在根據本發明的顯示裝置中，包含在顯示面板100的四個側表面中的邊框的寬度可以相等。因此，可以提升顯示裝置的美觀性。
為了提供額外敘述，在根據本發明的顯示裝置中，包含電晶體的薄膜電晶體基板(亦即，下基板180)可以曝露在顯示裝置10外部，因此可以減小用於覆蓋或支撐第一非顯示區域至第四非顯示區域各者的前蓋的邊框的寬度。
也就是說，根據上述配置結構，雖然在本發明中未實質上減小第一非顯示區域的尺寸，但可以不在朝向顯示裝置10外部的方向上曝露銲墊部，因此可以減小用於覆蓋包含銲墊部的第一非顯示區域的前蓋的邊框的寬度。在這種情況下，根據本發明，由於減小第二非顯示區域和第三非顯示區域各者的面積，可以減小用於覆蓋或支撐第二非顯示區域和第三非顯示區域各者的前蓋的邊框的寬度。因此，根據本發明，可以減小所有用於覆蓋或支撐第一非顯示區域至第四非顯示區域的前蓋的邊框的寬度。
如上所述之本發明的特徵將在以下作簡單地敘述。
第一，於本發明中，由於閘極驅動電路設置在除了銲墊部之外的三個表面各者的非顯示區域中，因此可以減小左邊的邊框面積和右邊的邊框面積，並且可以除去閘脈衝的延遲，從而輕易地實現高速驅動。
第二，於本發明中，連接線CL可以設置在基板101上，且高耐熱平坦化層102可以設置在連接線CL與閘極線GL之間，從而降低設置在高耐熱平坦化層102上的金屬與連接線CL之間產生的寄生電容。
再者，可以降低寄生電容，因此可以減小包含金屬的金屬線的寬度，從而減小包含在非顯示區域中的金屬線的寬度。據此，可以進一步地減小非顯示區域的寬度。
第三，於本發明中，濾色器CF可以設置在鈍化層107與平坦化層108之間，從而降低設置在平坦化層108上的金屬與設置在鈍化層107下的金屬之間的寄生電容。
再者，可以降低寄生電容，因此可以減小包含金屬的金屬線的寬度，從而減小設置在非顯示區域中的金屬線的寬度。據此，可以進一步地減小非顯示區域的寬度。
第四，於本發明中，在分別用於配置顯示面板100的下基板180和上基板190之中，包含銲墊部170的下基板180可以設置以面向根據本發明的顯示裝置的外部，因此相較於先前技術的顯示裝置，可以減小對應於顯示裝置的四個非顯示區域的四個邊框的寬度，特別是，四個邊框的寬度可以相等。
再者，於本發明中，以上的第一特徵可以以各種方式與第二特徵至第四特徵中的至少一者結合。
在根據本發明的顯示裝置中，由於複數個閘極驅動電路分布至且設置在除了設置有銲墊部的第一非顯示區域之外的第二非顯示區域至第四非顯示區域中，因此可以減小第二非顯示區域至第四非顯示區域各者的寬度，並且可以除去閘脈衝的延遲以輕易地實現高速驅動，從而防止顯示區域中的閘脈衝之間的輸出差異。
再者，根據本發明的顯示裝置可以降低包含在不同層上的金屬之間產生的寄生電容。
再者，在根據本發明的顯示裝置中，可以最小化邊框的寬度，從而提升顯示裝置的美觀性。
本發明的上述特徵、結構、和效果包含在本發明的至少一實施例中，但不限於只在一實施例中。此外，敘述於本發明至少一實施例中的特徵、結構、和效果，可以經由本發明所屬技術領域中具有通常知識者所作的與其他實施例的組合或修改來實現。所以，應將與該組合或修改關聯的內容解釋為落在本發明的範圍內。
對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者來說將顯而易見的是，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，能夠對本發明進行各種修改和變型。因此，在本發明的修改和變型落入所附請求項的範圍和其均等範圍的情況下，本發明意欲涵蓋該修改和變型。
本發明主張於2019年8月28日在韓國智慧財產權廳提交的韓國專利申請第10-2019-0105579號的權益，其如完整所闡述併入本文中作為參考。
10:顯示裝置
100:顯示面板
200:顯示驅動器
210:電路薄膜
220:資料驅動積體電路
230:印刷電路板
240:時序控制器
300:閘極驅動器
310:第一閘極驅動電路
320:第二閘極驅動電路
330:第三閘極驅動電路
AA:顯示區域
AA1:第一顯示區域
AA2:第二顯示區域
CL1:第一連接線
CL2:第二連接線
DL:資料線
GL:閘極線
NA:非顯示區域
NA1:第一非顯示區域
NA2:第二非顯示區域
NA3:第三非顯示區域
NA4:第四非顯示區域

Claims (17)

  1. 一種顯示裝置，包括：
    一顯示面板，包含一顯示區域以及圍繞該顯示區域的一第一非顯示區域、一第二非顯示區域、一第三非顯示區域、和一第四非顯示區域，該顯示區域包含連接至複數條閘極線的複數個像素；
    一銲墊部，設置在該第一非顯示區域中；
    一第一閘極驅動電路，設置在該第二非顯示區域中，以驅動該複數條閘極線之中的一第一組閘極線；
    一第二閘極驅動電路，設置在該第三非顯示區域中，以驅動該複數條閘極線之中的一第二組閘極線；以及
    一第三閘極驅動電路，設置在該第四非顯示區域中，以驅動該第一組閘極線和該第二組閘極線；
    其中，該顯示面板包括複數條連接線，將該第一組閘極線和該第二組閘極線的閘極線連接至該第三閘極驅動電路。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，
    該複數條連接線設置於包含在該顯示面板中的一基板上，
    該複數條連接線由一高耐熱平坦化層覆蓋，
    該複數條閘極線設置在該高耐熱平坦化層上，以及
    該複數條連接線中的每一條經由形成在該高耐熱平坦化層中的一接觸孔連接至一對應的閘極線。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，
    該複數條連接線設置在覆蓋該複數條閘極線的一閘極絕緣層上，以及
    該複數條連接線中的每一條經由形成在該閘極絕緣層中的一接觸孔連接至一對應的閘極線。
  4. 如請求項3所述之顯示裝置，其中，
    一第一電極和一第二電極中的每一個設置在該閘極絕緣層上，該第一電極和該第二電極分別配置包含在該複數個像素的每一個中的一電晶體，以及
    該複數條連接線設置在位於該閘極絕緣層的一上端上之與該第一電極和該第二電極相同的層上。
  5. 如請求項4所述之顯示裝置，其中，該電晶體包括一半導體，且包含與該半導體相同的材料的另一半導體設置在該閘極絕緣層與該複數條連接線中的每一條之間。
  6. 如請求項3所述之顯示裝置，其中，
    一金屬線設置於包含在該顯示面板中的一基板上，
    該金屬線由一高耐熱平坦化層覆蓋，以及
    該複數條閘極線設置在該高耐熱平坦化層上。
  7. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，
    一濾色器設置在一鈍化層上，該鈍化層上覆蓋包含在該複數個像素的每一個中的一電晶體，以及
    一平坦化層設置在該濾色器上。
  8. 如請求項7所述之顯示裝置，其中，
    該複數條連接線設置於包含在該顯示面板中的一基板上，
    該複數條連接線由一高耐熱平坦化層覆蓋，
    該複數條閘極線設置在該高耐熱平坦化層上，
    該複數條連接線中的每一條經由形成在該高耐熱平坦化層中的一接觸孔連接至一對應的閘極線，以及
    該鈍化層設置在該複數條閘極線上。
  9. 如請求項7所述之顯示裝置，其中，
    該複數條連接線設置在覆蓋該複數條閘極線的一閘極絕緣層上，
    該複數條連接線中的每一條經由形成在該閘極絕緣層中的一接觸孔連接至一對應的閘極線，以及
    該鈍化層設置在該閘極絕緣層上。
  10. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，
    該顯示面板包括一銲墊部、包含該複數個像素的一下基板、和覆蓋該下基板的一上基板，以及
    由該顯示面板產生的一影像透過該下基板向外輸出。
  11. 如請求項10所述之顯示裝置，其中，包含在該銲墊部中的複數個銲墊由該下基板覆蓋且不曝露。
  12. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，
    該第一組閘極線對應於一奇數閘極線，以及
    該第一閘極驅動電路包含對應於該奇數閘極線的一奇數級。
  13. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，
    該第二組閘極線對應於一偶數閘極線，以及
    該第二閘極驅動電路包含對應於該偶數閘極線的一偶數級。
  14. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，該第三閘極驅動電路包含對應於該第一組閘極線的一奇數級、和對應於該第二組閘極線的一偶數級。
  15. 如請求項14所述之顯示裝置，其中，該複數條連接線包括：
    一第一連接線，將該第三閘極驅動電路的該奇數級連接至該第一組閘極線；以及
    一第二連接線，將該第三閘極驅動電路的該偶數級連接至該第二組閘極線。
  16. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，該顯示區域包括：
    一第一顯示區域，相鄰於該第一閘極驅動電路；以及
    一第二顯示區域，相鄰於該第二閘極驅動電路。
  17. 如請求項2、6、和8中任一項所述之顯示裝置，其中，
    該高耐熱平坦化層的一相對介電常數大於2且小於4，
    該高耐熱平坦化層的一均勻性大於0且小於0.2μm，以及
    該高耐熱平坦化層的一重量損失大於0.1%且小於1%。
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