図1は本実施例に係る透過型の液晶表示装置910の斜視構成図(一部断面図)である。液晶表示装置910は、表示用第1基板としてのアクティブマトリクス基板101と表示用第2基板としての対向基板912とをシール材923により一定の間隔で貼り合わせ、ネマティック相の液晶材料922を挟持してなる表示パネル911を含む。アクティブマトリクス基板101上には図示しないがポリイミドなどからなる配向材料が塗布されラビング処理されて配向膜が形成されている。また、対向基板912は、図示しないが画素に対応したカラーフィルタと、光抜けを防止し、コントラストを向上させるためのブラックマトリクスと、アクティブマトリクス基板101上の電極パッドとしての対向導通部330と短絡され、コモン電位が供給されるITO膜からなる対向電極930が形成される。液晶材料922と接触する面にはポリイミドなどからなる配向材料が塗布され、アクティブマトリクス基板101の配向膜のラビング処理の方向とは直交する方向にラビング処理されている。
さらに対向基板912の外側には、上偏光板924を、アクティブマトリクス基板101の外側には、下偏光板925を各々互いの偏光方向が直交するよう(クロスニコル状)に配置する。さらに下偏光板925下には、面光源を成すバックライトユニット926が配置される。バックライトユニット926は、冷陰極管やLEDに導光板や散乱板をとりつけたものでも良いし、EL素子によって全面発光するユニットでもよい。バックライトユニット926はコネクタ929を通じて電子機器本体に接続され、電源及び制御信号を供給される。図示しないが、さらに必要に応じて、周囲を外殻で覆っても良いし、あるいは上偏光板924のさらに上に保護用のガラスやアクリル板を取り付けても良いし、視野角改善のため光学補償フィルムを貼っても良い。
また、アクティブマトリクス基板101は、対向基板912から張り出す張り出し部927が設けられ、その張り出し部927にある信号入力端子(実装端子群)320には、FPC(可撓性基板)928が実装され電気的に接続されている。FPC(可撓性基板)928は携帯電話機、PDA(Personal Digital Assistant)等の電子機器本体に接続され、必要な電源、制御信号等を供給される。
またFPC(可撓性基板)928上には容量2.2μFのセラミック・コンデンサよりなる2個の第1のバイパスコンデンサ502−1、第2のバイパスコンデンサ502−2が実装されてなり、後述する電源回路304に接続される。本実施例では後述する第1のフライングキャパシタ501−1〜第4のフライングキャパシタ501−4)がSOG技術によりアクティブマトリクス基板101上に内蔵形成されているため、FPC(可撓性基板)928上の実装部品数は少なくなっている。このため、部品点数が減り、部品コスト、実装コスト、FPCコスト等を軽減することができる。
図2はアクティブマトリクス基板101のブロック図である。アクティブマトリクス基板101上には、480本の走査線201−1〜201−480と1920本のデータ線202−1〜202−1920が直交して形成されており、480本の容量線203−1〜203−480は走査線201−1〜201−480と並行に配置されている。容量線203−1〜203−480は相互に短絡され、対向導通部330に接続され、共通電位電源回路306から適切な共通電位を与えられる。
走査線201−1〜201−480は走査線駆動回路301に接続されて駆動信号を与えられる。また、データ線202−1〜202−1920はデータ線駆動回路302に接続されて映像信号を与えられる。共通電位電源回路306、走査線駆動回路301、データ線駆動回路302、信号回路305は電源回路304から必要な電位(例えば+9V、−4V電源等)を供給される。また走査線駆動回路301、データ線駆動回路302、電源回路304は信号回路305から必要な信号(例えばSP、CLK信号等)を供給される。データ線駆動回路302は信号入力端子(実装端子群)320から映像信号D0〜D17も与えられる。また信号回路305も信号入力端子(実装端子群)320から必要な信号(マスタークロック、SYNC信号など)を与えられ、電源回路304も一次電源(例えば+5V電源)を与えられる。ここで信号入力端子(実装端子群)320は張り出し部927上に配置される。一方、走査線駆動回路301、データ線駆動回路302、電源回路304、信号回路305、共通電位電源回路306などはアクティブマトリクス基板101上の対向基板912と重なる基板領域上にSOG技術より形成され配置される。
さらにアクティブマトリクス基板101上には4個の第1のフライングキャパシタ501−1、第2のフライングキャパシタ501−2、第3のフライングキャパシタ501−3、第4のフライングキャパシタ501−4が形成され、電源回路304に接続される。第1のフライングキャパシタ501−1、第3のフライングキャパシタ501−3を形成する薄膜は、それぞれ対向導通部330を形成する薄膜の領域と該薄膜形成層が積層されている方向に平面的に重なって配置される。また、電源回路304は信号入力端子(実装端子群)320の一部と接続され、+5V電源及びGND(0V)電位とが供給されるともに、FPC(可撓性基板)928上の第1のバイパスコンデンサ502−1、第2のバイパスコンデンサ502−2の一端と接続される。なお、第1のバイパスコンデンサ502−1、第2のバイパスコンデンサ502−2の他端はFPC(可撓性基板)928上でGND(0V)電位と接続される。
走査線駆動回路301、データ線駆動回路302、電源回路304、信号回路305、共通電位電源回路306はアクティブマトリクス基板上にSOG技術よりポリシリコン薄膜トランジスタを集積することで形成されており、後述する画素スイッチング素子401−n−mと同一工程で製造される、いわゆる駆動回路内蔵型の液晶表示装置となっている。
図3は図2の点線310部で示す画素表示領域中のm番目のデータ線202−mとn番目の走査線201−nの交差部付近の回路図である。走査線201−nとデータ線202−mの各交点にはNチャネル型電界効果ポリシリコン薄膜トランジスタよりなる画素スイッチング素子401−n−mが形成されており、そのゲート電極は走査線201−nに、ソース電極とドレイン電極はそれぞれデータ線202−mと画素電極402−n−mに接続されている。画素電極402−n−m及び同一電位に短絡される電極は容量線203−nと補助容量コンデンサ403−n−mを形成し、また表示パネル911として組み立てられた際には液晶素子をはさんでコモン(COM)電極としての対向電極930とやはりコンデンサを形成する。
図4は本実施例での電子機器の具体的な構成を示すブロック図である。液晶表示装置910は図1で説明した液晶表示装置であって、外部電源回路784、映像処理回路780がFPC(可撓性基板)928およびコネクタ929を通じて必要な信号と電源を液晶表示装置910に供給する。中央演算回路781は外部I/F回路782を介して入出力機器783からの入力データを取得する。ここで入出力機器783とは例えばキーボード、マウス、トラックボール、LED、スピーカー、アンテナなどである。中央演算回路781は外部からのデータをもとに各種演算処理を行い、結果をコマンドとして映像処理回路780あるいは外部I/F回路782へ転送する。映像処理回路780は中央演算回路761からのコマンドに基づき映像情報を更新し、液晶表示装置910への信号を変更することで、液晶表示装置910の表示映像が変化する。ここで電子機器とは具体的にはモニター、TV、ノートパソコン、PDA、デジタルカメラ、ビデオカメラ、携帯電話、携帯フォトビューワー、携帯ビデオプレイヤー、携帯DVDプレイヤー、携帯オーディオプレイヤーなどである。
図5は図3で示した画素表示領域310の回路図の実際の構成を示す平面図である。図5の凡例に示す通り、各網掛けの異なる部位はそれぞれ異なる材料配線であることを示し、同じ網掛けで示した部位は同じ材料配線であることを示す。ポリシリコン薄膜(Poly−Si)、モリブデン薄膜(Mo)、アルミ・ネオジウム合金薄膜(AlNd)、酸化インディウム・錫薄膜(Indium Tin Oxiced=ITO)の4層薄膜より構成されてなり、それぞれの層間には酸化シリコン、窒化シリコン、有機絶縁膜のいずれかあるいはそれらを積層した絶縁膜が形成される。具体的にはポリシリコン薄膜(Poly−Si)は膜厚50nm、モリブデン薄膜(Mo)は膜厚200nm、アルミ・ネオジウム合金薄膜(AlNd)は膜厚500nm、酸化インディウム・錫薄膜(ITO)は膜厚100nmとする。また、ポリシリコン薄膜(Poly−Si)とモリブデン薄膜(Mo)の間には100nmの酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜が形成され、モリブデン薄膜(Mo)とアルミ・ネオジウム合金薄膜(AlNd)の間には200nmの窒化シリコン膜と500nmの酸化シリコン膜を積層した層間絶縁膜が形成され、アルミ・ネオジウム合金薄膜(AlNd)と酸化インディウム・錫薄膜(ITO)の間には200nmの窒化シリコン膜と平均1μmの有機平坦化膜を積層した保護絶縁膜が形成され、互いの配線間を絶縁しており、適切な位置にコンタクトホールを開口することで互いに接続される。
図5で示すように、データ線202−mはアルミ・ネオジウム合金薄膜(AlNd)により形成され、コンタクトホールを介して画素スイッチング素子401−n−mのソース電極に接続される。走査線201−nはモリブデン薄膜(Mo)で構成され、画素スイッチング素子401−n−mのゲート電極を兼用する。容量線203−nは走査線201−nと同じ配線材料から構成され、画素電極402−n−mは酸化インディウム・錫薄膜(ITO)よりなり、画素スイッチング素子401−n−mのドレイン電極にコンタクトホールを通じて接続される。また、画素スイッチング素子401−n−mのドレイン電極はリンを高濃度ドープされたn+型ポリシリコン薄膜よりなる容量部電極605にも接続され、容量線203−nと平面的に重なって補助容量コンデンサ403−n−mを構成する。
図6は図5のA−A'線部における画素スイッチング素子401−n−mの断面構造を示す図である。なお、図を見やすくするために縮尺は一定でない。アクティブマトリクス基板101は無アルカリガラスよりなる厚さ0.6mmの絶縁基板であって、その上に200nmの窒化シリコン膜と300nmの酸化シリコン膜を積層した下地絶縁膜601を介してポリシリコン薄膜よりなるシリコンアイランド602が配置され、走査線201−nはシリコンアイランド602と前述のゲート絶縁膜606を挟んで上方に配置される。走査線201−nとオーバーラップする領域ではシリコンアイランド602はリンイオンが全く、あるいはごく低濃度しかドープされていない真性半導体領域602Iであり、その左右にリンイオンが低濃度にドープされた比抵抗20kΩ程度のn−領域602Lが存在し、さらにその左右にリンイオンが高濃度にドープされた比抵抗1kΩ程度のn+領域602Nが存在する、LDD(Lightly Doped Drain)構造である。左右のn+領域602Nはコンタクトホールを介してソース電極603、ドレイン電極604と接続しており、ソース電極603はデータ線202−mと、ドレイン電極604は画素電極402−n−mとそれぞれ接続している。
図7は図5のB−B'線部における補助容量コンデンサ403−n−mの部分断面図であり、ドレイン電極604と繋がる容量部電極605と容量線203−nがゲート絶縁膜606を挟んで重畳することで蓄積容量を形成している。
図8はアクティブマトリクス基板101上に形成された対向導通部330及び第1のフライングキャパシタ501−1、第3のフライングキャパシタ501−3の平面図である。凡例は図5と同じである。共通電位配線335はコンタクトホールを介して酸化インディウム・錫薄膜(ITO)よりなる対向導通部330と接続される。モジュール化される際はこの対向導通部330上に導電性ペーストをディスペンサーで塗布し、対向基板912上のコモン(COM)電極としての対向電極930と接続される。対向導通部330の下層に平面的に重畳して第1のフライングキャパシタ501−1、第3のフライングキャパシタ501−3が形成配置される。対向導通部330の面積は導電性ペーストを塗布するディスペンサーの性能(導電性ペーストの最小塗布寸法・合わせ制度)によって規定され、本実施例では500μm角である。
図9は図8のC−C'線部における対向導通部330、第1のフライングキャパシタ501−1、第3のフライングキャパシタ501−3の構造を示した断面図である。共通電位配線335はアルミ・ネオジウム合金(AlNd)よりなり、コンタクトホール335Cを介して画素電極402−n−mを形成する膜と同一の酸化インディウム・錫薄膜(ITO)よりなる対向導通部330と接続される。対向導通部330下には走査線201及び容量線203を構成するモリブデン薄膜(Mo)と同一の膜よりなる上層電極501B−1及び上層電極501B−3が形成配置され、それとゲート絶縁膜と同一の膜で構成される容量絶縁膜501C−1,501C−3を挟んで、下層電極501A−1及び下層電極501A−3が形成配置されてコンデンサを形成している。ここで下層電極501A−1及び下層電極501A−3は画素スイッチング素子401−n−mを構成するシリコンアイランド602と同一の膜で構成され、リンを高濃度でドーズされて比抵抗1kΩとなったn+シリコン薄膜である。下層電極501A−1、下層電極501A−3、上層電極501B−1、上層電極501B−3はいずれもコンタクトホール336Cを介してアルミ・ネオジウム合金(AlNd)よりなる配線336−1〜336−4と接続され、これらの配線は電源回路304と接続される。
なお、第2のフライングキャパシタ501−2、第4のフライングキャパシタ501−4も同様の膜で構成された上層電極501B−2,501B−4と下層電極501A−2,501A−4と容量絶縁膜501C−2,501C−4で構成されてなるが、対向導通部330と平面的に重畳していない部位に形成配置される。
また、本実施例では上層電極501B−1〜501B−4を走査線201及び容量線203を構成するモリブデン薄膜(Mo)と同一の膜で構成し、下層電極501A−1〜501A−4を画素スイッチング素子401−n−mを構成するシリコンアイランド602と同一の膜で構成し、容量絶縁膜501C−1〜501C−4をゲート絶縁膜と同一の膜で構成したが、上層電極501B−1〜501B−4をデータ線202を構成するアルミ・ネオジウム合金(AlNd)と同一の膜で構成し、下層電極501A−1〜501A−4を走査線201及び容量線203を構成するモリブデン薄膜(Mo)と同一の膜で構成し、容量絶縁膜501C−1〜501C−4を層間絶縁膜と同一の膜で構成してもよい。この場合、単位面積当りの容量は少なくなるが、周波数特性は良くなるので、どちらを選択するかは必要とする容量、動作速度等から決めればよい。
対向導通部330は導電ペーストの径、合わせ精度などから一定以上のサイズ(例えば、約500μm角)である必要がある。本実施例ではその対向導通部330に重畳させて第1のフライングキャパシタ501−1、第3のフライングキャパシタ501−3を形成配置しているため、内蔵駆動回路の形成に必要とする面積がより小さくすることができた。このため、フライングキャパシタの外付け部品を減らしてコスト削減・高信頼性を達成するとともにより額縁の小さい液晶表示装置を実現できる。
また、本実施例では図5、図6、図7で示した画素部と同一の導電膜、絶縁膜を用いてフライングキャパシタ501を形成して、画素トランジスタと同じ工程でコンデンサを基盤上に内蔵形成しているので、製造コストが上昇することがない。
図10は電源回路304の回路図である。信号回路305より供給されたポンピングパルス信号PCLKは第1インバーター回路521A、第2インバーター回路522A、第4インバーター回路521B、第5インバーター回路522Bにそれぞれ入力される。第2インバーター回路522Aの出力は第3インバーター回路523Aに、第5インバーター回路522Bの出力は第6インバーター回路523Bに接続される。第1インバーター回路521Aの出力は第1のフライングキャパシタ501−1の一端に接続され、同様に第3インバーター回路523A、第4インバーター回路521B、第6インバーター回路523Bの出力はそれぞれ第2のフライングキャパシタ501−2、第3のフライングキャパシタ501−3、第4のフライングキャパシタ501−4の一端にそれぞれ接続される。第1インバーター回路521A、第2インバーター回路522A、第3インバーター回路523A、第4インバーター回路521B、第5インバーター回路522B、第6インバーター回路523Bの電源はFPC(可撓性基板)928を通じて外部より供給されるGND電位及び+5V電位と接続される。
第1のフライングキャパシタ501−1の他端のノード1Aは第1p型スイッチングトランジスタ531Aのドレイン電極と第1n型スイッチングトランジスタTFT533Aのドレイン電極と第2p型スイッチングトランジスタ532Aのゲート電極と第2n型スイッチングトランジスタTFT534Aのゲート電極にそれぞれ接続される。第2のフライングキャパシタ501−2の他端のノード2Aは第2p型スイッチングトランジスタ532Aのドレイン電極と第2n型スイッチングトランジスタTFT534Aのドレイン電極と第1p型スイッチングトランジスタ531Aのゲート電極と第1n型スイッチングトランジスタTFT533Aのゲート電極にそれぞれ接続される。第3のフライングキャパシタ501−3の他端のノード1Bは第3n型スイッチングトランジスタ531Bのドレイン電極と第3p型スイッチングトランジスタTFT533Bのドレイン電極と第4n型スイッチングトランジスタ532Bのゲート電極と第4p型スイッチングトランジスタTFT534Bのゲート電極にそれぞれ接続される。第4のフライングキャパシタ501−4の他端のノード2Bは第4n型スイッチングトランジスタ532Bのドレイン電極と第4p型スイッチングトランジスタTFT534Bのドレイン電極と第3n型スイッチングトランジスタ531Bのゲート電極と第3p型スイッチングトランジスタTFT533Bのゲート電極にそれぞれ接続される。第1p型スイッチングトランジスタ531Aと第2p型スイッチングトランジスタ532Aのソース電極はFPC(可撓性基板)928を通じてGND電位(±0V)を供給される。第3n型スイッチングトランジスタ531Bと第4n型スイッチングトランジスタ532Bのソース電極はFPC(可撓性基板)928を通じて+5V電位を供給される。第1n型スイッチングトランジスタTFT533Aと第2n型スイッチングトランジスタTFT534Aのソース電極は第1のバイパスコンデンサ502−1の一端に接続され(ノード3Aとする)、さらに走査線駆動回路301に接続されて−4V電源を供給する。第3p型スイッチングトランジスタTFT533Bと第4p型スイッチングトランジスタTFT534Bのソース電極は第2のバイパスコンデンサ502−2の一端に接続され(ノード3Bとする)、さらに走査線駆動回路301、データ線駆動回路302、信号回路305、共通電位電源回路306に接続されて各回路に+9V電源を供給する。
このように構成することで、ポンピングパルス信号PCLKがHigh(5V)の場合、第1インバーター回路521A及び第4インバーター回路521Bからの出力はLow(0V)で、第3インバーター回路523A及び第6インバーター回路523Bからの出力はHigh(5V)であって、ノード1Aの電位は−5+ΔV1A、ノード2Aの電位は0+ΔV2A、ノード1Bの電位は5−ΔV1B、ノード2Bの電位は10−ΔV2Bとなり、第1p型スイッチングトランジスタ531Aと第2n型スイッチングトランジスタTFT534Aと第4n型スイッチングトランジスタ532Bと第3p型スイッチングトランジスタTFT533BがOFFし、第2p型スイッチングトランジスタ532Aと第1n型スイッチングトランジスタTFT533Aと第3n型スイッチングトランジスタ531Bと第4p型スイッチングトランジスタTFT534BがONする。ここでノード1Aからノード3Aへ電位−5+ΔV1A+ΔV1が供給され、ノード2Bからノード3Bへ電位10−ΔV2B−ΔV2が供給される。
ポンピングパルス信号PCLKがLow(5V)になると第1インバーター回路521A及び第4インバーター回路521Bからの出力はHigh(5V)で、第3インバーター回路523A及び第6インバーター回路523Bからの出力はLow(0V)であって、ノード1Aの電位は0+ΔV1A'、ノード2Aの電位は−5+ΔV2A'、ノード1Bの電位は10−ΔV1B'、ノード2Bの電位は5−ΔV2B'となり、第1p型スイッチングトランジスタ531Aと第2n型スイッチングトランジスタTFT534Aと第4n型スイッチングトランジスタ532Bと第3p型スイッチングトランジスタTFT533BがONし、第2p型スイッチングトランジスタ532Aと第1n型スイッチングトランジスタTFT533Aと第3n型スイッチングトランジスタ531Bと第4p型スイッチングトランジスタTFT534BがOFFする。ここでノード2Aからノード3Aへ電位−5+ΔV2A+ΔV1'が供給され、ノード1Bからノード3Bへ電位10−ΔV1B−ΔV2'が供給される。
ここでΔV1A,ΔV1B,ΔV2A,ΔV2B,ΔV1A',ΔV1B',ΔV2A',ΔV2B',ΔV1,ΔV2,ΔV1',ΔV2'は第1のフライングキャパシタ501−1〜第4のフライングキャパシタ501−4及び第1のバイパスコンデンサ502−1、第2のバイパスコンデンサ502−2の容量が十分大きく、ポンピングパルス信号PCLKが十分早く、ノード1Aとノード2A間及びノード1Bとノード2B間の位相ズレが無視できる場合は各スイッチングトランジスタ及びインバーター回路を構成するトランジスタのチャネル抵抗、実装抵抗、配線抵抗等による電圧ドロップ分であって、本実施例では全て同じ0.5Vになるように設計している。すなわち、ポンピングパルス信号PCLKがHighであってもLowであっても、ノード3Aには−4Vが、ノード3Bには+9Vが供給され、DCDCコンバータとして機能することになる。
図10で説明した各スイッチングトランジスタ及びインバーター回路を構成するトランジスタはポリシリコンを用いた薄膜トランジスタであって、画素スイッチング素子401−n−mと同一の膜で構成され、同一の製造工程で製造される。ただし、p型トランジスタに関してはポリシリコンにドープされるイオン種が異なる。
なお、DCDCコンバータの構成は本実施例の構成に限定されるものではなく、既知のあらゆるDCDCコンバータの構成と組み合わせて差し支えない。また本実施例では共通電位電源回路306から出力され、共通電位配線335、対向導通部330、容量線203−1〜203−480、対向導通部330、対向電極930に印加される電位は0−5Vの反転信号であって、いわゆる対極AC駆動が実施される。ここで共通電位電源回路306から出力される信号と、ポンピングパルス信号PCLKは互いに位相が180度反転した反転信号である。このように構成すると、対向導通部330とノード1A、ノード1Bの電位及びポンピングパルス信号PCLKを示すタイミングチャートは図11のようになる。ここでt1はいわゆる1H期間であって、本実施例ではt1=35μ秒である。
このように構成すると、対向導通部330のAC電位と、対向導通部330下に形成されたコンデンサのAC電位とは同一の位相を有する。このため、ポンピングパルス信号PCLKが反転した際にノード1A、ノード1Bと対向導通部330の容量があることで容量分割によってノード1A、ノード1Bの振幅が低下することがない。従って、例えば第2のフライングキャパシタ501−2、第4のフライングキャパシタ501−4を対向導通部330下に形成する場合に比べ、電源回路304の効率が高くなるというメリットを有するのである。
図12は第2の実施例に係る透過型の液晶表示装置910'の斜視構成図(一部断面図)であって、第1の実施例における図1に相当する図である。以下、図1と相違する点を中心に説明する。
本実施例の図12では図1でのFPC(可撓性基板)928に変わり、FPC(可撓性基板)928'が張り出し部927にある信号入力端子(実装端子群)320に実装される。FPC(可撓性基板)928'上にはバイパスコンデンサは実装されておらず、これによって第1の実施例のFPC(可撓性基板)928より安価に構成されている。また、アクティブマトリクス基板101にかわり、表示用第1基板としてのアクティブマトリクス基板101'を用いている。説明した以外の点において、図1と同じ部分には、同じ番号を付与することで説明を省略する。
図13は本実施例に係るアクティブマトリクス基板101'のブロック図であって、第1の実施例における図2に相当する図である。以下、図2と相違する点を中心に説明する。アクティブマトリクス基板101'上には4個のフライングキャパシタ501'−1〜501'−4がSOG技術により形成されてなり、さらに2個のバイパスコンデンサ502'−1,502'−2もまた、アクティブマトリクス基板101'上にSOG技術により形成されてなる。
アクティブマトリクス基板101'上は電極パッドとしての対向導通部330'が形成配置され、対向導通部330'と2個のバイパスコンデンサ502'−1,502'−2は平面的に重畳して形成配置される。ここで対向導通部330'は共通電位電源回路306に接続され、共通電位を対向基板912上の対向電極930と導通させるための電極パット部である。
一方で本実施例では4個のフライングキャパシタ501'−1〜501'−4と対向導通部330'は平面的に重なることはない。尚、説明した以外の点において、図2と同じ部分には同じ番号を付与することで説明を省略する。また、画素回路図に関しては第1実施例の図3、画素部平面図に関しては第1実施例の図5、画素部断面図は第1実施例の図6及び図7となんら相違ないのでこれも説明は省略する。
図14は対向導通部330'及びバイパスコンデンサ502'−1,502'−2の平面図である。凡例は図5と同じであるので省略する。共通電位配線335はコンタクトホールを介して酸化インディウム・錫薄膜よりなる対向導通部330'と接続される。モジュール化される際はこの対向導通部330'上に導電性ペーストをディスペンサーで塗布し、対向基板912上のコモン(COM)電極としての対向電極930と接続される。対向導通部330'と平面的に重なってバイパスコンデンサ502'−1,502'−2が形成配置される。
図15は図14のD−D'線部における対向導通部330'、バイパスコンデンサ502'−1,502'−2の断面図である。共通電位配線335はアルミ・ネオジウム合金(AlNd)よりなり、コンタクトホール335Cを介して画素電極402−n−mを形成する膜と同一の酸化インディウム・錫薄膜よりなる対向導通部330'と接続される。対向導通部330'下にはデータ線202を構成するアルミ・ネオジウム合金(AlNd)と同一の膜で構成される上層電極502'D−1,502'D−2が配置され、その下層に層間絶縁膜と同一の膜で構成される上層容量絶縁膜502'E−1,502'E−2が配置され、そのさらに下層に走査線201及び容量線203を構成するモリブデン薄膜(Mo)と同一の膜よりなる中層電極502'B−1,502'B−2が配置され、そのさらに下層にゲート絶縁膜と同一の膜で構成される下層容量絶縁膜502'C−1,502'C−2が配置され、そのさらに下層に画素スイッチング素子401−n−mを構成するシリコンアイランド602と同一の膜で構成され、リンを高濃度でドーズされて比抵抗1kΩとなったn+シリコン薄膜である下層電極502'A−1,502'A−2が配置されている。ここで上層電極502'D−1,502'D−2と下層電極502'A−1,502'A−2はそれぞれGND電位(GND配線337)と短絡されており、それぞれが中層電極502'B−1,502'B−2との間に容量を形成する。中層電極502'B−1,502'B−2はコンタクトホール336Cを介してアルミ・ネオジウム合金(AlNd)よりなる配線336−1,336−3で電源回路304と接続され、+9V及び−4V電源と接続される。このようないわゆるサンドイッチ構造のコンデンサで構成することで単位面積当りの容量が大きくなり、回路面積が小さくなる。また、上層電極502'D−1,502'D−2がGND電位に接続されて、DC電位に固定されることでシールドとして機能し、中層電極502'B−1,502'B−2と対向導通部330'間の容量が非常に小さくなるため、対向導通部330'に印加される電位が反転する、コモン反転駆動法を用いても中層電極502'B−1,502'B−2に接続される+9V及び−4V電源配線が容量結合で電位が変動する量がごく少なくて済む。
本実施例の電源回路304の回路図は図10と同様であり、第1のフライングキャパシタ501−1〜第4のフライングキャパシタ501−4をフライングキャパシタ501'−1〜501'−4に、第1のバイパスコンデンサ502−1、第2のバイパスコンデンサ502−2をバイパスコンデンサ502'−1,502'−2に、それぞれ置き換えるだけで他は全く同一であって動作についても同様であるので説明は省略する。
また、本実施例の液晶表示装置910'を用いた電子機器については第1の実施例の図4と同様であって液晶表示装置910を液晶表示装置910'に置き換えるだけであるので説明は省略する。
本実施例においては対向導通部330'を一箇所とし、一つの対向導通部330'下に2個のバイパスコンデンサ502'−1,502'−2を配置したが、対向導通部330'を二箇所として例えば画素表示領域310の対角に配置し、一つの対向導通部に一つのバイパスコンデンサ502'を配置するようにしてもよい。また、対向導通部330'を三箇所以上とし、フライングキャパシタ501'のうちの幾つかあるいは全てを対向導通部330'下に配置しても良い。
1A,1B,2A,2B,3A,3B…ノード、101',101…表示用第1基板としてのアクティブマトリクス基板、201,201−1〜201−480,201−n…走査線、202,202−1〜202−1920,202−m…データ線、203,203−1〜203−480,203−n…容量線、301…走査線駆動回路、302…データ線駆動回路、304…電源回路、305…信号回路、306…共通電位電源回路、310…画素表示領域、320…信号入力端子(実装端子群)、330,330'…電極パッドとしての対向導通部、335…共通電位配線、335C,336C…コンタクトホール、336−1,336−2,336−3,336−4…配線、337…GND配線、401−n−m…画素スイッチング素子、402−n−m…画素電極、403−n−m…補助容量コンデンサ、501',501,501'−1,501'−2,501'−3,501'−4…フライングキャパシタ、501−1…第1のフライングキャパシタ、501−2…第2のフライングキャパシタ、501−3…第3のフライングキャパシタ、501−4…第4のフライングキャパシタ、501A−1,501A−2,501A−3,501A−4,502'A−1,502'A−2…下層電極、501B−1,501B−2,501B−3,501B−4,502'D−1,502D'−1,502'D−2,502D'−2…上層電極、501C−1,501C−2,501C−3,501C−4…容量絶縁膜、502',502'−1,502'−2…バイパスコンデンサ、502−1…第1のバイパスコンデンサ、502−2…第2のバイパスコンデンサ、502'B−1,502'B−2…中層電極、502'C−1,502'C−2…下層容量絶縁膜、502'E−1,502'E−2…上層容量絶縁膜、521A…第1インバーター回路、521B…第4インバーター回路、522A…第2インバーター回路、522B…第5インバーター回路、523A…第3インバーター回路、523B…第6インバーター回路、531A…第1p型スイッチングトランジスタ、531B…第3n型スイッチングトランジスタ、532A…第2p型スイッチングトランジスタ、532B…第4n型スイッチングトランジスタ、533A…第1n型スイッチングトランジスタTFT、533B…第3p型スイッチングトランジスタTFT、534A…第2n型スイッチングトランジスタTFT、534B…第4p型スイッチングトランジスタTFT、601…下地絶縁膜、602…シリコンアイランド、602I…真性半導体領域、602L…n−領域、602N…n+領域、603…ソース電極、604…ドレイン電極、605…容量部電極、606…ゲート絶縁膜、761,781…中央演算回路、780…映像処理回路、782…外部I/F回路、783…入出力機器、784…外部電源回路、910',910…液晶表示装置、911…表示パネル、912…表示用第2基板としての対向基板、922…液晶材料、923…シール材、924…上偏光板、925…下偏光板、926…バックライトユニット、927…張り出し部、928',928…FPC(可撓性基板)、929…コネクタ、930…コモン(COM)電極としての対向電極、D0〜D17…映像信号、PCLK…ポンピングパルス信号。