JP2021028165A - 表面処理銅箔 - Google Patents
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 213
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims abstract description 207
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 127
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 112
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 87
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims description 13
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 9
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- -1 porphyrin macrocycles Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 3
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LVACOMKKELLCHJ-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropylurea Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC(N)=O LVACOMKKELLCHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KXJLGCBCRCSXQF-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](CC)(OC(C)=O)OC(C)=O KXJLGCBCRCSXQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 claims description 2
- JEZFASCUIZYYEV-UHFFFAOYSA-N chloro(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](Cl)(OCC)OCC JEZFASCUIZYYEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 claims description 2
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N octyltriethoxysilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims description 2
- CDMIYIVDILNBIJ-UHFFFAOYSA-N triazinane-4,5,6-trithione Chemical class SC1=NN=NC(S)=C1S CDMIYIVDILNBIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-methylpropyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC(C)C)(OCC)OCC ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims 1
- 238000003491 array Methods 0.000 claims 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical compound [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 abstract description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 41
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 39
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 24
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- UKJLNMAFNRKWGR-UHFFFAOYSA-N cyclohexatrienamine Chemical group NC1=CC=C=C[CH]1 UKJLNMAFNRKWGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 4
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- VZZUPGZLDMTMFL-UHFFFAOYSA-N triazine;trithiole Chemical compound S1SC=CS1.C1=CN=NN=C1 VZZUPGZLDMTMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 4
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003296 Ni-Mo Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N molybdenum nickel Chemical compound [Ni].[Mo] DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000007719 peel strength test Methods 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- KHKWHTCWOCAWME-UHFFFAOYSA-N acetylene benzene Chemical compound C#C.C1=CC=CC=C1.C#C KHKWHTCWOCAWME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O azanium;oxido(dioxo)vanadium Chemical compound [NH4+].[O-][V](=O)=O UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229940117975 chromium trioxide Drugs 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N chromium trioxide Inorganic materials O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GAMDZJFZMJECOS-UHFFFAOYSA-N chromium(6+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Cr+6] GAMDZJFZMJECOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 2
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- NYVOYAFUSJONHU-UHFFFAOYSA-K trisodium;1,3,5-triazine-2,4,6-trithiolate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[S-]C1=NC([S-])=NC([S-])=N1 NYVOYAFUSJONHU-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFJNVIPVOCESGZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dipyridin-2-ylpyridine Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CN=C1C1=CC=CC=N1 JFJNVIPVOCESGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLHVGHOFZSWBQJ-UHFFFAOYSA-L B(O)(O)O.S(=O)(=O)([O-])[O-].[Ni+2] Chemical compound B(O)(O)O.S(=O)(=O)([O-])[O-].[Ni+2] XLHVGHOFZSWBQJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUQTZPCIOZGMCW-UHFFFAOYSA-N C1=CC(N)=CC=C1C1=CC2=CC([N]3)=CC=C3C=C(C=C3)NC3=CC([N]3)=CC=C3C=C1N2 Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC2=CC([N]3)=CC=C3C=C(C=C3)NC3=CC([N]3)=CC=C3C=C1N2 TUQTZPCIOZGMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical class C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- QUQFTIVBFKLPCL-UHFFFAOYSA-L copper;2-amino-3-[(2-amino-2-carboxylatoethyl)disulfanyl]propanoate Chemical compound [Cu+2].[O-]C(=O)C(N)CSSCC(N)C([O-])=O QUQFTIVBFKLPCL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- TVQLLNFANZSCGY-UHFFFAOYSA-N disodium;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Sn]([O-])=O TVQLLNFANZSCGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[Si](OCCOC)(OCCOC)C=C WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- VFQXVTODMYMSMJ-UHFFFAOYSA-N isonicotinamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=NC=C1 VFQXVTODMYMSMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002527 isonitriles Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L molybdic acid Chemical compound O[Mo](O)(=O)=O VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical group CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- BWAUQTFFVCLSOS-UHFFFAOYSA-N sodiosodium hydrate Chemical compound O.[Na].[Na] BWAUQTFFVCLSOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940079864 sodium stannate Drugs 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 125000005402 stannate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
Description
銅線を50重量%の硫酸水溶液に溶解させることにより、320g/Lの硫酸銅(CuSO4・5H2O)と100g/Lの硫酸とを含む硫酸銅電解質を製造した。硫酸銅電解質溶液1リットル当たり、0.24mgのヒドロキシエチルセルロース(LC−400、DAICEL社)、0.08mgのゼラチン(2CP、KOEI CHEMICAL株式会社)および25mg塩素イオンを添加した。その後、液温50℃および電流密度34A/dm2の条件で、厚さが18μmである銅箔を製造した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、ノジュールおよびバリア層の処理をした。ただし、この例の場合では、トリアジントリチオールを有機処理剤として使用した。具体的には、0.25%のトリアジントリチオール(1,3,5−トリアジン−2,4,6−トリチオール三ナトリウム塩溶液、Sigma−Aldrich)を10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、ノジュールおよびバリア層の処理をした。ただし、この例の場合では、ポルフィリンを有機処理剤として使用した。具体的には、0.3%のポルフィリン(5,10,15,20−テトラキス(4−アミノフェニル)−ポルフィリン−Zn(II))を10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、ノジュールおよびバリア層の処理をした。ただし、この例の場合では、3−アミノプロピルトリエトキシシラン(KBE903)を有機処理剤として使用した。具体的には、0.25%の3−アミノプロピルトリエトキシシラン(KBE903)を10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、ノジュールおよびバリア層の処理をした。有機層として、0.3%のポルフィリン(5,10,15,20−テトラキス(4−アミノフェニル)−ポルフィリン−Zn(II))と0.2%の3−アミノプロピルトリエトキシシラン(KBE903)との組み合わせを10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。ただし、バリア層として上記の(b)Niメッキ浴を用いた。有機層として、0.25%の(3−グリシドキシプロピル)トリメトキシシラン(KBM403)を10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。ただし、バリア層として上記の(a)Znメッキ浴を用いた。有機層として、0.25%の(3−グリシドキシプロピル)トリメトキシシラン(KBM403)を10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。ただし、バリア層として上記の(c)Ni−Coメッキ浴を用いた。有機層として、0.25%の(3−グリシドキシプロピル)トリメトキシシラン(KBM403)を10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。ただし、バリア層として上記の(d)Ni−Moメッキ浴を用いた。有機層として、0.25%の(3−グリシドキシプロピル)トリメトキシシラン(KBM403)を10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。ただし、バリア層として上記の(e)Snメッキ浴を用いた。有機層として、0.25%の(3−グリシドキシプロピル)トリメトキシシラン(KBM403)を10秒間施した。
実施例1に記載されるように銅箔を製造したが、銅箔は粗化処理されなかった(銅箔にノジュールを添加しなかった)。この例の場合では、銅箔の沈積面に電着によりNi−Znバリア層を施した(バリア層として上記のNiメッキ浴(b)とZnメッキ浴(a)を順次に用いた)。バリア層を施した後、有機層として、0.25%の3−アミノプロピルトリエトキシシラン(KBE903)を10秒間施した。
実施例1に記載されるように銅箔を製造したが、銅箔は粗化処理されなかった(銅箔にノジュールを添加しなかった)。この例の場合では、バリア層も施さなかった。有機層として、0.3%のポルフィリン(5,10,15,20−テトラキス(4−アミノフェニル)−ポルフィリン−Zn(II))を10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。この例の場合では、バリア層は施さなかった。有機層として、0.3%のポルフィリン(5,10,15,20−テトラキス(4−アミノフェニル)−ポルフィリン−Zn(II))を10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、ノジュールおよびバリア層の処理をした。有機層として、0.3%のポルフィリン(5,10,15,20−テトラキス(4−アミノフェニル)−ポルフィリン−Zn(II))と0.2%のKBE903との組み合わせを30秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。ただし、バリア層は、Ni、ZnおよびCrの組み合わせで形成された。10g/Lの硫酸亜鉛(ZnSO4・7H2O)と100g/Lのバナジン酸アンモニウムとを含む硫酸亜鉛電解質、180g/Lの硫酸ニッケル(NiSO4・6H2O)と30g/Lのホウ酸とを含む硫酸ニッケル電解質、および5g/Lの三酸化クロム(CrO3)と20g/Lの水酸化ナトリウムとを含むクロム酸電解質を製造した。液体温度20℃および電流密度1.0A/dm2の条件で、バリア層として、上記のNiメッキ浴(b)、Znメッキ浴(a)およびCrメッキ浴(f)を順次に用いた。この例の場合では、有機層は添加されなかった。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。バリア層として、上記のNiメッキ浴(b)およびZnメッキ浴(a)を順次に用いた。この例の場合では、有機層は添加されなかった。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。バリア層として、上記のNiメッキ浴(b)およびZnメッキ浴(a)を順次に用いた。ただし、この例の場合では、有機層として、0.01%の(3−グリシドキシプロピル)トリメトキシシラン(KBM403)を10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。バリア層については、バリア層として、上記のNiメッキ浴(b)およびZnメッキ浴(a)を順次に用いた。ただし、この例の場合では、有機層として、0.01%のトリアジントリチオールを10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。バリア層として、上記のNiメッキ浴(b)およびZnメッキ浴(a)を順次に用いた。ただし、この例の場合では、有機層として、0.05%のポルフィリンを10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。バリア層として、上記のNiメッキ浴(b)およびZnメッキ浴(a)を順次に用いた。ただし、この例の場合では、有機層として、0.01%の3−アミノプロピルトリエトキシシラン(KBE903。信越化学工業株式会社)を10秒間施した。
実施例1に記載されるように銅箔を製造し、粗化処理した。バリア層として、上記のNiメッキ浴(b)およびZnメッキ浴(a)を順次に用いた。ただし、この例の場合では、有機層として、0.03%のポルフィリンと0.02%の3−アミノプロピルトリエトキシシラン(KBE903)との組み合わせを10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。バリア層として、上記のNiメッキ浴(b)を用いた。有機層として、0.01%の(3−グリシドキシプロピル)トリメトキシシラン(KBM403)を10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。バリア層として、上記のZnメッキ浴(a)を用いた。有機層として、0.01%の(3−グリシドキシプロピル)トリメトキシシラン(KBM403)を10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。バリア層として、上記のNi−Coメッキ浴(c)を用いた。有機層として、0.01%の(3−グリシドキシプロピル)トリメトキシシラン(KBM403)を10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。バリア層として、上記のNi−Moメッキ浴(d)を用いた。有機層として、0.01%の(3−グリシドキシプロピル)トリメトキシシラン(KBM403)を10秒間施した。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。バリア層として、上記のSnメッキ浴(e)を用いた。有機層として、0.01%の(3−グリシドキシプロピル)トリメトキシシラン(KBM403)を10秒間施した。
実施例1に記載されるように銅箔を製造したが、粗化処理は施さなかった。バリア層として、上記のNiメッキ浴(b)およびZnメッキ浴(a)を順次に用いた。この例の場合では、有機層は施さなかった。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造した。この例の場合では、粗化処理、バリア層または有機層は施さなかった。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。この例の場合では、バリア層または有機層は施さなかった。
実施例1に記載されるように、銅箔を製造し、粗化処理した。比較例1で述べたように、バリア層として、上記のNiメッキ浴(b)、Znメッキ浴(a)およびCrメッキ浴(f)を順次に用いた。有機層として、0.3%のポルフィリンを10秒間施した。
実施例1〜14および比較例1〜16は、まとめて下記の表1に記載される。
各実施例および比較例の有機層が形成された後の銅箔の積層面の表面をESCAで分析することにより、原子%を評価した。有機層における原子%は、VG社製のESCA Scientific Theta Probe(Model:2012)を使用して測定した(ビームエネルギー=3kv、電流=1mA)。
分析された銅箔の積層面上の有機層のC、O、N、S、Si原子%については、C、O、N、SおよびSiの原子%の合計を分母として用いて計算し、さらに正規化した(正規化原子%)。
上記の有機層における各元素の含有量の正規化原子%により、O元素に対するSi元素の比率(Si/O)を計算した。
バリア層の金属含有量は、表面処理銅箔を150mm×150mmのサイズにカットし、表面処理銅箔の片面に保護コーティング層(このコーティング層により、銅箔のこの面の溶解を防ぐことができる)を配置することにより、測定された。乾燥後、サンプルをさらに100mm×100mmのサイズにカットした(面積=1dm2)。サンプルを皿に入れ、25mLの18%HCl溶液で溶解させた。得られた溶液に50mLになるまで水を添加し、誘導結合型プラズマ(ICP)分析で分析した。
耐腐食性は、表面処理銅箔の表面に酸化スポットがあるか否かを観察することによって決定された。スポットを1〜10ポイントのスケールでランク付けた。カットされた表面処理銅箔の表面はA4(すなわち、210mm×297mm)のサイズであった。カットされた各部分において、表面処理銅箔のスポットのランクがいずれも5を超えた場合、この表面処理銅箔は試験不合格とされた。表面処理銅箔を温度70℃/80%RH(相対湿度)で14時間放置した後に分析した。
正常条件及び吸湿後で剥離強度を測定し、その後に劣化率を計算した。IPC−TM−650の方法に従った。表面処理銅箔をサイズ100mm×12.7mm(長さ×幅)にカットし、サンプルを得た。吸湿試験を行うために、サンプルを脱イオン水で2時間煮沸した。株式会社島津製作所のモデルAG−I試験機を使用して、室温(約25℃)で50mmのチャック距離と50mm/minのクロスヘッド速度の条件で、各サンプルの剥離強度を測定した。剥離強度の試験結果および吸湿後の剥離強度の試験結果を用いて、次の式に従って劣化率(%)を計算した。
(1)実施例1〜14において、表面処理銅箔はクロムフリーである。
(2)実施例1〜14において、表面処理銅箔の表面にあるN、SおよびSi元素の合計百分比率は5正規化原子%を超える。
(3)実施例1〜14において、表面処理銅箔の剥離強度の劣化率は、比較例1〜15の剥離強度の劣化率に比べて著しく低い。
3 槽
4 銅箔
5 ドラム
6 一連のローラー
7 粗化処理
8 バリア処理
9 有機処理
10 処理方法
11 風
12 表面処理銅箔
13 ローラー
20 断面図
22 ノジュール
24 バリア層
26 有機層
28 第二の有機層
30 第二のバリア層
Claims (24)
- (a)銅箔と、
(c)前記銅箔に設けられた有機層と、
を含み、
前記有機層におけるN、S、およびSi元素の合計は、5正規化原子%を超え、
前記正規化原子%は、分析されたC、O、N、SおよびSiの原子%の合計を分母として、分析されたN、SまたはSiの原子%を分子とすることにより計算され、
36.1正規化原子%≦C≦59.8正規化原子%であり、
27正規化原子%≦O≦48.7正規化原子%である、
クロムフリー表面処理銅箔。 - 前記(a)銅箔と前記(c)有機層との間にある(b)バリア層をさらに含み、
前記バリア層は、Ni、Zn、Co、Mn、Snまたはそれらの混合物を含む、請求項1に記載のクロムフリー表面処理銅箔。 - 前記(a)銅箔の片面または両面にノジュールを有する、請求項1に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- 前記(a)銅箔の厚さは、1μm〜50μmである、請求項1に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- 前記バリア層の厚さは、0.2μm〜100μmである、請求項2に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- 前記(a)銅箔の片面または両面にノジュールを有する、請求項2に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- 第二のバリア層および第二の有機層をさらに含み、
前記バリア層と前記第二のバリア層は、前記銅箔の両面に設けられ、
前記有機層と前記第二の有機層は、前記バリア層に設けられる、請求項2に記載のクロムフリー表面処理銅箔。 - 前記(c)有機層は、一つまたは複数の有機分子を含み、
前記一つまたは複数の有機分子は、前記(b)バリア層に結合するための一つまたは複数の結合基を有する熱安定性塩基を含む、請求項2に記載のクロムフリー表面処理銅箔。 - 前記一つまたは複数の有機分子は、樹脂に接続するための一つまたは複数の接続基をさらに含む、請求項8に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- 前記一つまたは複数の有機分子は、ポルフィリン類、シラン類、ベンゾトリアゾール、トリアジントリチオール、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項8に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- 前記一つまたは複数の有機分子は、ポルフィリン、ポルフィリン大環、拡張ポルフィリン、収縮ポルフィリン、線状ポルフィリンポリマー、ポルフィリンサンドイッチ配位錯体、ポルフィリンアレイおよびそれらの組み合わせからなるポルフィリン類の群から選ばれる、請求項10に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- 前記シラン類は、テトラオルガノシランである、請求項10に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- 前記テトラオルガノシランは、アミノエチル−アミノプロピル−トリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、1−[3−(トリメトキシシリル)プロピル]尿素、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、(3−グリシジルオキシプロピル)トリメトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、ジメチルジクロロシラン、3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレート、エチルトリアセトキシシラン、トリエトキシ(イソブチル)シラン、トリエトキシ(オクチル)シラン、トリス(2−メトキシエトキシ)(ビニル)シラン、クロロトリメチルシラン、メチルトリクロロシラン、四塩化ケイ素、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、クロロトリエトキシシラン、エチレン−トリメトキシシラン、およびそれらの組み合わせから選ばれる、請求項12に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- 前記一つまたは複数の有機分子は、1〜20個の炭素原子を有するアルコキシシラン、1〜20個の炭素原子を有するビニルアルコキシシラン、(メタ)アクリルシラン、およびそれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項8に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- 前記(c)有機層は、有機層の総重量に基づいて、40正規化原子%以下のO元素を含む、請求項1に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- ZnとNiの重量比(Zn/Ni)は、0.8〜8の間にある、請求項2に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- 前記(a)銅箔は、ノジュールを含まず、表面粗さ(Rz)が0.5μm〜2.5μmである沈積面を有する、請求項2に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- 下式で示す劣化率は20%未満である、請求項1に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- 下式で示す劣化率は20%未満である、請求項2に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- 前記有機層におけるN、S、およびSi元素の合計が下記関係を満たす、請求項1に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
5正規化原子%<(N+S+Si)≦32.8正規化原子% - Cの含有量が下記関係を満たす、請求項1に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
36.1正規化原子%≦C≦51.4正規化原子% - Cの含有量が下記関係を満たす、請求項1に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
43.9正規化原子%≦C≦59.8正規化原子% - O元素に対するSi元素の比率が、11%〜30%の間にある、請求項1に記載のクロムフリー表面処理銅箔。
- 樹脂基板と請求項1に記載の表面処理銅箔とを含む、プリント回路板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022072690A JP2022097581A (ja) | 2019-08-12 | 2022-04-26 | 表面処理銅箔 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/538,070 | 2019-08-12 | ||
US16/538,070 US10697082B1 (en) | 2019-08-12 | 2019-08-12 | Surface-treated copper foil |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022072690A Division JP2022097581A (ja) | 2019-08-12 | 2022-04-26 | 表面処理銅箔 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021028165A true JP2021028165A (ja) | 2021-02-25 |
JP7222951B2 JP7222951B2 (ja) | 2023-02-15 |
Family
ID=71125248
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020128604A Active JP7222951B2 (ja) | 2019-08-12 | 2020-07-29 | 表面処理銅箔 |
JP2022072690A Pending JP2022097581A (ja) | 2019-08-12 | 2022-04-26 | 表面処理銅箔 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022072690A Pending JP2022097581A (ja) | 2019-08-12 | 2022-04-26 | 表面処理銅箔 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10697082B1 (ja) |
JP (2) | JP7222951B2 (ja) |
KR (2) | KR20210019952A (ja) |
CN (1) | CN111690957B (ja) |
TW (1) | TWI705147B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11251430B2 (en) | 2018-03-05 | 2022-02-15 | The Research Foundation For The State University Of New York | ϵ-VOPO4 cathode for lithium ion batteries |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5908542A (en) * | 1997-07-02 | 1999-06-01 | Gould Electronics Inc. | Metal foil with improved bonding to substrates and method for making the foil |
JP2007009261A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Hitachi Cable Ltd | プリント配線板用銅箔及びその製造方法 |
JP2007076243A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 銅張積層板の製造方法 |
JP2008111169A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 表面処理銅箔、極薄プライマ樹脂層付表面処理銅箔及びその表面処理銅箔の製造方法並びに極薄プライマ樹脂層付表面処理銅箔の製造方法 |
JP2009123986A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Fujitsu Ltd | 多層回路基板の製造方法 |
JP2010524683A (ja) * | 2007-04-24 | 2010-07-22 | モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド | 金属に対する防食性のおよび/もしくは接着促進のコーティング剤の塗布方法ならびに生じるコートされた金属 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11302822A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-02 | Kobe Steel Ltd | コーティング層との密着性に優れた銅箔 |
US6117536A (en) * | 1998-09-10 | 2000-09-12 | Ga-Tek Inc. | Adhesion promoting layer for use with epoxy prepregs |
US6299721B1 (en) * | 1998-12-14 | 2001-10-09 | Gould Electronics Incl | Coatings for improved resin dust resistance |
JP2001068804A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-16 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | キャリア箔付電解銅箔及びその電解銅箔の製造方法並びにその電解銅箔を使用した銅張積層板 |
US7074489B2 (en) * | 2001-05-23 | 2006-07-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low dielectric constant material and method of processing by CVD |
WO2003096776A1 (fr) * | 2002-05-13 | 2003-11-20 | Mitsui Mining & Smelting Co.,Ltd. | Carte imprimee souple pour puce montee sur bande |
JP2005344174A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 表面処理銅箔及びその表面処理銅箔を用いて製造したフレキシブル銅張積層板並びにフィルムキャリアテープ |
US20120168075A1 (en) * | 2008-03-21 | 2012-07-05 | Enthone Inc. | Adhesion promotion of metal to laminate with multi-functional molecular system |
JP5034059B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2012-09-26 | メック株式会社 | 積層体の形成方法 |
WO2011152092A1 (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | 三井金属鉱業株式会社 | 電極箔および有機デバイス |
CN101892499B (zh) * | 2010-07-24 | 2011-11-09 | 江西理工大学 | 以铜箔作载体的可剥离超薄铜箔及其制备方法 |
US9028972B2 (en) * | 2010-09-27 | 2015-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil for printed wiring board, method for producing said copper foil, resin substrate for printed wiring board and printed wiring board |
CN102548202B (zh) * | 2010-12-08 | 2014-09-03 | 金居开发铜箔股份有限公司 | 经粗化处理的铜箔及其制造方法 |
WO2012141178A1 (ja) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | 三井金属鉱業株式会社 | クロメート皮膜付負極集電体用銅箔及びそのクロメート皮膜付負極集電体用銅箔を用いた負極材 |
US20130175680A1 (en) * | 2012-01-10 | 2013-07-11 | International Business Machines Corporation | Dielectric material with high mechanical strength |
JP5204908B1 (ja) * | 2012-03-26 | 2013-06-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板用キャリア付銅箔及びプリント配線板 |
MY169065A (en) * | 2012-03-29 | 2019-02-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Surface-treated copper foil |
JP5886416B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-03-16 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔 |
CN104145537A (zh) * | 2012-03-29 | 2014-11-12 | 德国艾托特克公司 | 细线电路的制造方法 |
JP6855164B2 (ja) * | 2013-11-27 | 2021-04-07 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア箔付銅箔及び銅張積層板 |
JP6357336B2 (ja) | 2014-03-31 | 2018-07-11 | 三井金属鉱業株式会社 | 電解銅箔、キャリア箔付電解銅箔及びプリント配線板 |
TWI613940B (zh) * | 2014-03-31 | 2018-02-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 附載體之銅箔、印刷配線板、積層體、電子機器及印刷配線板之製造方法 |
JP5756547B1 (ja) * | 2014-04-28 | 2015-07-29 | 株式会社Shカッパープロダクツ | 表面処理銅箔及び積層板 |
JP5892193B2 (ja) * | 2014-05-07 | 2016-03-23 | 凸版印刷株式会社 | 酸素吸収能を有する樹脂組成物およびその製造方法およびその樹脂組成物層を含む積層体、包装体 |
CN105925112A (zh) * | 2016-06-12 | 2016-09-07 | 合肥和安机械制造有限公司 | 一种金属铜润滑防腐涂层及其制备方法 |
JP6692428B2 (ja) * | 2016-07-15 | 2020-05-13 | 富士フイルム株式会社 | 積層体、キット、積層体の製造方法および光学センサ |
US10057984B1 (en) * | 2017-02-02 | 2018-08-21 | Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. | Composite thin copper foil and carrier |
KR20180090532A (ko) * | 2017-02-03 | 2018-08-13 | 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 | 주름 및 말림이 최소화된 고강도 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법 |
US10424793B2 (en) * | 2017-11-14 | 2019-09-24 | Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. | Electrodeposited copper foil and method for producing the same, and current collector for lithium secondary battery and secondary battery comprising the electrodeposited copper foil |
US10205170B1 (en) * | 2017-12-04 | 2019-02-12 | Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. | Copper foil for current collector of lithium secondary battery |
US10337115B1 (en) * | 2018-01-05 | 2019-07-02 | Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. | Surface treated copper foil for high speed printed circuit board products including the copper foil and methods of making |
KR102483089B1 (ko) * | 2018-01-31 | 2022-12-29 | 에스케이넥실리스 주식회사 | 후속 공정에서 핸들링 특성이 우수한 전해동박 및 그 제조방법 |
CN108164667B (zh) * | 2018-02-12 | 2021-02-26 | 清华大学 | 一种卟啉有机骨架膜材料及其制备方法 |
CN109056009B (zh) * | 2018-08-19 | 2019-11-12 | 江西伟创丰电路有限公司 | 一种印刷电路板用铜箔及其制备方法 |
CN109385647A (zh) * | 2018-11-02 | 2019-02-26 | 山东金盛源电子材料有限公司 | 一种新型阻根铜胎基的电解铜箔的生产方法 |
-
2019
- 2019-08-12 US US16/538,070 patent/US10697082B1/en active Active
-
2020
- 2020-06-01 TW TW109118309A patent/TWI705147B/zh active
- 2020-06-23 CN CN202010595610.6A patent/CN111690957B/zh active Active
- 2020-07-29 JP JP2020128604A patent/JP7222951B2/ja active Active
- 2020-08-07 KR KR1020200099112A patent/KR20210019952A/ko active Application Filing
-
2022
- 2022-04-26 JP JP2022072690A patent/JP2022097581A/ja active Pending
- 2022-09-07 KR KR1020220113529A patent/KR102534673B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5908542A (en) * | 1997-07-02 | 1999-06-01 | Gould Electronics Inc. | Metal foil with improved bonding to substrates and method for making the foil |
JP2007009261A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Hitachi Cable Ltd | プリント配線板用銅箔及びその製造方法 |
JP2007076243A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 銅張積層板の製造方法 |
JP2008111169A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 表面処理銅箔、極薄プライマ樹脂層付表面処理銅箔及びその表面処理銅箔の製造方法並びに極薄プライマ樹脂層付表面処理銅箔の製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210019952A (ko) | 2021-02-23 |
JP7222951B2 (ja) | 2023-02-15 |
TWI705147B (zh) | 2020-09-21 |
JP2022097581A (ja) | 2022-06-30 |
CN111690957A (zh) | 2020-09-22 |
US10697082B1 (en) | 2020-06-30 |
KR102534673B1 (ko) | 2023-05-26 |
KR20220128598A (ko) | 2022-09-21 |
TW202106884A (zh) | 2021-02-16 |
CN111690957B (zh) | 2021-12-07 |
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A621 | Written request for application examination |
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