TWI705147B - 經表面處理銅箔 - Google Patents

經表面處理銅箔 Download PDF

Info

Publication number
TWI705147B
TWI705147B TW109118309A TW109118309A TWI705147B TW I705147 B TWI705147 B TW I705147B TW 109118309 A TW109118309 A TW 109118309A TW 109118309 A TW109118309 A TW 109118309A TW I705147 B TWI705147 B TW I705147B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
copper foil
chromium
treated copper
item
patent application
Prior art date
Application number
TW109118309A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202106884A (zh
Inventor
黃慧芳
鄭桂森
周瑞昌
Original Assignee
長春石油化學股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=71125248&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TWI705147(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 長春石油化學股份有限公司 filed Critical 長春石油化學股份有限公司
Application granted granted Critical
Publication of TWI705147B publication Critical patent/TWI705147B/zh
Publication of TW202106884A publication Critical patent/TW202106884A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D13/00—Electrophoretic coating characterised by the process
    • C25D13/04—Electrophoretic coating characterised by the process with organic material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B33/00—Layered products characterised by particular properties or particular surface features, e.g. particular surface coatings; Layered products designed for particular purposes not covered by another single class
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/08—Anti-corrosive paints
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/04—Wires; Strips; Foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/04—Electroplating: Baths therefor from solutions of chromium
    • C25D3/08—Deposition of black chromium, e.g. hexavalent chromium, CrVI
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/22—Electroplating: Baths therefor from solutions of zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/54—Electroplating: Baths therefor from solutions of metals not provided for in groups C25D3/04 - C25D3/50
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/562—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/06—Wires; Strips; Foils
    • C25D7/0614—Strips or foils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • H05K1/188—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit manufactured by mounting on or attaching to a structure having a conductive layer, e.g. a metal foil, such that the terminals of the component are connected to or adjacent to the conductive layer before embedding, and by using the conductive layer, which is patterned after embedding, at least partially for connecting the component
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/06—Coating on the layer surface on metal layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/714—Inert, i.e. inert to chemical degradation, corrosion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C2222/00—Aspects relating to chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive medium
    • C23C2222/20—Use of solutions containing silanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/04—Electroplating: Baths therefor from solutions of chromium
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0562—Details of resist
    • H05K2203/0591—Organic non-polymeric coating, e.g. for inhibiting corrosion thereby preserving solderability
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/384—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
    • Y10T428/12438—Composite

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

本發明係關於一種改良的經表面處理銅箔，其可防鏽及防褪色。具體而言，該經表面處理銅箔係為無鉻且包括：(a)銅箔；視需要地，(b)鈍化層，其係設於該銅箔之一面或兩面，且該鈍化層係包括鎳、鋅、鈷、錳、錫或其混合物；以及(c)有機層，其係結合於該銅箔之一面或兩面或者一或二者的鈍化層上，其中，該有機層的氮、硫及矽元素的總和為大於5經正規化的原子百分比。

Description

經表面處理銅箔
本發明揭露一種改良的經表面處理銅箔，其可防腐蝕及防褪色。本發明亦揭露製造及使用該經表面處理銅箔的方法。
電解銅箔可用於多種產品，例如，其為印刷電路板不可或缺的一部份。將雙面光澤銅箔塗佈電極活性材料，並用作鋰離子二次電池的負極板。因此，許多電子產品至少部份地依賴電解銅箔。
用於製造電解銅箔的典型裝置包括金屬陰極輥筒和不溶性尺寸穩定陽極(DSA)，該金屬陰極輥筒是可旋轉的且具有拋光的表面。不溶性金屬陽極約設置在金屬陰極輥筒的下半部並且圍繞金屬陰極輥筒。電解銅箔之連續製造係藉由使銅電解液在陰極輥筒和陽極之間流動，在兩者之間施加直流電，使銅電沉積在陰極輥筒上，並當獲得預定厚度時，從陰極輥筒上分離電解銅箔。
藉由貼合銅箔至如環氧樹脂浸漬的玻璃纖維基板之基板上以製造典型的印刷電路板。藉由施加熱量和壓力將銅箔黏合到基底上。在進行結合時，例如使用如酸性或鹼性蝕刻溶液之類的蝕刻溶液去除銅箔中不用於電路連接的部分。
為使所述印刷電路板正常作用，應防止銅箔腐蝕(corrosion)和褪色(discoloration)。目前藉由鍍鉻或鉻酸鹽處理將鉻基成分施加到銅箔上，以防止所述之腐蝕和褪色。由於鉻對環境的不利影響，故期望一種替代處理來用於防止印刷電路板之銅箔腐蝕和褪色。
本發明關於一種改良的經表面處理銅箔，其可防腐蝕及防褪色。該銅箔的特徵在於其不含鉻，卻出人意料地可以防止劣化、腐蝕及褪色，特別是在電路板的製造過程中，當該銅箔經受將其結合至基板時所需的熱及壓力時。該經表面處理銅箔係可視需要地在銅箔的一面或兩面上形成鈍化層(barrier layer)，並將有機層結合於該銅箔之一面或兩面上或者一或兩者的鈍化層上來製備。換言之，無鉻的經表面處理銅箔的結構可為(1)有機層，設於銅箔之一面或兩面上，或者(2)鈍化層，設於銅箔之一面或兩面上，以及，有機層，設於一或二者之該鈍化層上。
本發明揭露的經表面處理銅箔為無鉻的，且一般包括：(a)銅箔；視需要地(b)形成於該銅箔之一面或兩面的鈍化層，該鈍化層係包括鎳(Ni)、鋅(Zn)、鈷(Co)、錳(Mn)、錫(Sn)或其混合物；以及(c)有機層，其係設於銅箔之一面或兩面上，或者一或二者的鈍化層上，其中，該有機層的氮、硫及矽元素的總和為大於5經正規化的原子百分比(the normalized atomic%)。經正規化的原子百分比係以分析的碳、氧、氮、硫及矽的原子百分比總和作為分母，並以分析的氮、硫或矽的原子百分比作為分子計算而得。視需要地，粗化粒子可形成於該銅箔的一面或兩面上。 在一些情況中，粗化粒子不存在，至少在該銅箔的層壓面上不存在，且沉積面的表面粗糙度(Rz)為0.5至2.5微米。
一般而言，該銅箔為具有約1至約50微米厚度的電解銅箔。
一般而言，該鈍化層包括鎳、鋅、鈷、錳、錫或其混合物，例如，該鈍化層可包括鋅及鎳的混合物(且為無鈷或實質上無鈷)。此外，鋅及鎳的重量比(鋅/鎳)可為約0.6或更大。
一般而言，該有機層包括一或多個有機分子，其包含具有一或多個用於結合該鈍化層之結合基團的熱穩定鹼和/或包含一或多個用於連接樹脂的連接基團之有機分子。在一些情況中，該有機層不包含多於40經正規化的原子百分比的氧元素。
本發明進一步揭露有關於包括該經表面處理銅箔的電路板，例如，包括樹脂基板及該經表面處理銅箔的印刷電路板。電路板係用於電子裝置中。因此，本發明亦關於包括該電路板的電子裝置。
最後，本發明揭露關於經表面處理銅箔的製備方法。舉例而言，該經表面處理銅箔可由以下步驟製備：(a)進行電化學反應以製造銅箔；視需要地，(b)於該銅箔的一面或兩面上電鍍包括鎳、鋅、鈷、錳、錫或其混合物的鈍化層；以及(c)在銅箔的一面或兩面上或者一或二者的鈍化層上施加有機層。在一些情況中，該方法亦可包括(d)在施加該有機層之後，於約50℃至約150℃的溫度下乾燥該經表面處理銅箔。
2:溶液
3:槽
4:銅箔
5:輥筒
6:一系列輥
7:粗化處理
8:鈍化處理
9:有機處理
10:處理方法
11:風
12:經表面處理銅箔
13:輥
20:截面圖
22:粗化粒子
24:鈍化層
26:有機層
28:第二有機層
30:第二鈍化層
以下述例示性之實施例及參考附圖說明本發明的實施方式，其中：
第1圖係顯示本發明的經表面處理銅箔的製備方法之圖。
第2圖係本發明的經表面處理銅箔的截面圖。
咸知，本發明的各種實施態樣並不限於圖式所示的配置及手段。
本發明關於無鉻的經表面處理銅箔，係包括：(a)銅箔；以及(c)設於該銅箔上之有機層，其中，該有機層的氮、硫及矽元素的總和為大於5經正規化的原子百分比。該無鉻的經表面處理銅箔進一步包含位於(a)銅箔及(c)有機層之間的(b)鈍化層，該鈍化層包括鎳、鋅、鈷、錳、錫或其混合物。該無鉻的經表面處理銅箔可進一步再包括第二鈍化層及第二有機層，其中，該鈍化層及第二鈍化層係分別設於銅箔的相對兩表面上，且該有機層及第二有機層係分別設於鈍化層及第二鈍化層上。於一些情況中，該鈍化層及第二鈍化層係分別設於銅箔的相對兩表面上，且該有機層及第二有機層係分別設於第二鈍化層及鈍化層上。於一些情況中，該有機層及第二有機層係分別設於銅箔的相對兩表面上。此外，該無鉻的經表面處理銅箔可視需要地包括位於銅箔的一面或兩面上之粗化粒子。
該無鉻的經表面處理銅箔的銅箔部分的厚度通常為約1至約50微米。在一些情況中，厚度可為約1微米至約25微米、約1微米至約15微米、約4微米至約50微米、約4微米至約25微米、約4微米至約20微米、約4 微米至約15微米、約6微米至約50微米、約6微米至約25微米、約6微米至約20微米、約8微米至約16微米。銅箔層可具有約4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30微米之厚度。
若存在鈍化層，其厚度通常為約0.2微米至約100微米。在一些情況中，厚度為約0.2微米至約50微米、約0.2微米至約25微米、約5微米至約100微米、約5微米至約50微米、約5微米至約25微米、約10微米至約100微米、約10微米至約50微米或者約10微米至約25微米。
如上所述，該有機層的氮、硫及矽元素的總和為至少5經正規化的原子百分比。在一些情況中，該有機層的氮、硫及矽元素的總和為大於5經正規化的原子百分比、至少5.1經正規化的原子百分比或者至少5.2經正規化的原子百分比。該有機層的氮、硫及矽元素的總和的最大量會變化，但通常不明顯高於約35經正規化的原子百分比、30經正規化的原子百分比、25經正規化的原子百分比、20經正規化的原子百分比、15經正規化的原子百分比、或12經正規化的原子百分比。因此，在一些情況中，氮、硫及矽元素的總和為約5經正規化的原子百分比至約35經正規化的原子百分比，約5經正規化的原子百分比至約32.8經正規化的原子百分比，約5經正規化的原子百分比至約20經正規化的原子百分比，約5經正規化的原子百分比至約15經正規化的原子百分比，或約5經正規化的原子百分比至約12經正規化的原子百分比。
在一些情況中，該有機層的碳元素為約35經正規化的原子百分比至約60經正規化的原子百分比，約36.1經正規化的原子百分比至約 59.8經正規化的原子百分比，約40經正規化的原子百分比至約59.8經正規化的原子百分比，約43.9經正規化的原子百分比至約59.8經正規化的原子百分比，約36.1經正規化的原子百分比至約51.4經正規化的原子百分比，約40經正規化的原子百分比至約51.4經正規化的原子百分比，約43.9經正規化的原子百分比至約51.4經正規化的原子百分比。在一些情況中，該有機層的氧元素為約25經正規化的原子百分比至約50經正規化的原子百分比，約27經正規化的原子百分比至約48.7經正規化的原子百分比，約30經正規化的原子百分比至約48經正規化的原子百分比，約31.1經正規化的原子百分比至約48經正規化的原子百分比。
於本發明之經表面處理銅箔中之有機層含有矽元素的情況中，發現進一步控制矽元素對氧元素的比例介於11%至30%，可進一步提升該經表面處理銅箔於正常條件下(吸濕前)的剝離強度，且同時保持良好的劣化率特性。於一些情況中，矽元素對氧元素的比例係介於12%至27%，矽元素對氧元素的比例係介於13%至27%。
該有機層包括一或多個有機分子，其通常包括具有一或多個用於結合該鈍化層或銅箔之結合基團的熱穩定鹼，和/或一或多個用於連接樹脂的連接基團。該結合基團包括甲氧基(methoxy group)、乙氧基(ethoxy group)、二烷氧基(dialkoxy group)、三烷氧基(trialkoxy group)、醇(alcohols)、醚(ethers)、酯(esters)、炔苯(acetylenic benzene)、烯丙基苯基(allyl phenyl)、胺(amines)、吡唆(instigate pyrazole)、吡
Figure 109118309-A0101-12-0006-20
(pyrazine)、異菸酸胺(isonicotinate amide)、咪唑(imidazole)、聯吡啶(bipyridine)及其經取代的衍生物、三聯吡啶(terpyridine)及其經取代的 衍生物、腈(nitriles)、異腈(isonitriles)、菲啉(phenanthroline)類、經取代的鄰二氮菲(ortho-phenanthroline)衍生物等、提供的氧、硫、磷、氮配體、巰基(mercapto group)及其組合。該連接基團包括乙烯基(vinyl group)、環氧基(epoxy group)、胺基(amino group)、甲基丙烯醯氧基(methacryloxy group)、巰基(mercapto group)、硫醇基(thiol group)、胺、醇、醚、炔苯、烯丙基苯基及磷酸酯(phosphonate)。
可用於形成該有機層之有機分子的非限制性例示包括卟啉基(porphyrin group)、矽烷基(silane group)、苯并三唑(benzotriazole)、三
Figure 109118309-A0101-12-0007-19
三硫醇(triazine trithiol)及其組合。
該卟啉基係由卟啉(porphyrin)、卟啉大環(porphyrinic macrocycle)、擴大卟啉(expanded porphyrin)、收縮卟啉(contracted porphyrin)、線性卟啉聚合物(linear porphyrin polymer)、卟啉夾層配位複合物(porphyrinic sandwich coordination complex)、卟啉陣列(porphyrin array)、5,10,15,20-四(4-胺基苯基)-卟啉-鋅(II)(5,10,15,20-Tetrakis(4-aminophenyl)-porphyrin-Zn(II))及其組合所組成。
該矽烷基係選自四有機基矽烷(tetraorgano-silane)、胺乙基胺丙基三甲氧基矽烷(aminoethyl-aminopropyl-trimethoxysilane)、3-胺丙基三甲氧基矽烷((3-aminopropyl)trimethoxysilane)、1-[3-(三甲氧基矽基)丙基]脲(1-[3-(Trimethoxysilyl)propyl]urea)、3-胺丙基三乙氧基矽烷((3-aminopropyl)triethoxysilane)、(3-環氧丙氧基丙基)三甲氧基矽烷((3-Glycidyloxypropyl)trimethoxysilane)、(3-氯丙基)三甲氧基矽烷((3-chloropropyl)trimethoxysilane)、二甲基二氯矽烷 (dimethyldichlorosilane)、3-(三甲氧基甲矽基)甲基丙烯酸丙酯(3-(trimethoxysilyl)propyl methacrylate)、乙基三乙醯氧基矽烷(ethyltriacetoxysilane)、異丁基三乙氧基矽烷(triethoxy(isobutyl)silane)、正辛基三乙氧基矽烷(triethoxy(octyl)silane)、三(2-甲氧基乙氧基)乙烯基矽烷(tris(2-methoxyethoxy)(vinyl)silane)、三甲基氯矽烷(chlorotrimethylsilane)、甲基三氯矽烷(methyltrichlorosilane)、四氯化矽(silicon tetrachloride)、四乙氧基矽烷(tetraethoxysilane)、苯基三甲氧基矽烷(phenyltrimethoxysilane)、氯三乙氧基矽烷(chlorotriethoxysilane)、乙烯-三甲氧基矽烷(ethylene-trimethoxysilane)、1,2,3-苯并三唑(1,2,3-benzotriazole)、具有1至20個碳原子的烷氧基矽烷(alkoxysilane)、具有1至20個碳原子的乙烯基烷氧基矽烷(vinylalkoxy silane)、(甲基)醯基矽烷((meth)acryl silane)、三
Figure 109118309-A0101-12-0008-16
三硫醇(triazine trithiol)及其組合。
於一些情況中，該一或多個有機分子係選自由1,2,3-苯并三唑、具有1至20個碳原子的烷氧基矽烷、具有1至20個碳原子的乙烯基烷氧基矽烷、(甲基)醯基矽烷、三
Figure 109118309-A0101-12-0008-17
三硫醇(1,3,5-三
Figure 109118309-A0101-12-0008-18
-2,4,6-三硫醇三鈉鹽溶液(1,3,5-Triazine-2,4,6-trithiol trisodium salt solution))及其混合物所組成群組。此外，該有機層可由一或多個有機分子所形成，該有機分子包括具有1至20個碳原子的烷氧基矽烷，例如，CH3Si(OCH3)3。該有機層可視需要地包括氧。然而，在一些情況中，基於該有機層的總重量，氧元素的量為不多於約40經正規化的原子百分比。
如上所述，如果鈍化層存在，銅箔之一或兩面上的鈍化層通常由鎳、鋅、鈷、鉬、錫或其混合物所組成。該鈍化層亦可僅包括鋅和/或 鎳或鋅和鎳之混合物。該鈍化層的鎳、鋅、鈷、鉬及錫元素的總含量可改變。例如，若每個獨立元素存在，其含量可為約10至約3000μg/dm2，約10至約2500μg/dm2，約10至約2000μg/dm2，或約10至約1500μg/dm2。為清楚起見，每個獨立元素可以獨立地以這些量或與一個或多個其他獨立元素組合存在。
在鈍化層僅包括鋅及鎳(或實質上只有鋅及鎳)的情況中，鋅的總量可為約50至約3000μg/dm2，約50至約1500μg/dm2，約50至約1000μg/dm2，約50至約500μg/dm2，約50至約250μg/dm2，約75至約150μg/dm2，或約100至約150μg/dm2。此外，僅包括鋅及鎳(或實質上只有鋅及鎳)之鈍化層中鋅的總量可為約250至約3000μg/dm2，約500至約3000μg/dm2，約1000至約3000μg/dm2，約1000至約2500μg/dm2，約1000至約2000μg/dm2，約1000至約1500μg/dm2，約1100至約1600μg/dm2，或約1200至約1500μg/dm2。僅包括鋅及鎳之鈍化層中鎳的總量可為例如約10至約1000μg/dm2，約10至約800μg/dm2，約10至約750μg/dm2，約10至約500μg/dm2，約10至約250μg/dm2，約50至約1000μg/dm2，約50至約750μg/dm2，約50至約500μg/dm2，約50至約250μg/dm2，約75至約200μg/dm2，或約90至約130μg/dm2。
在一些情況中，鈍化層中的鋅及鎳的比例(鋅/鎳)可改變，但在一些情況中，重量比約為0.8至8。當該鈍化層另外包括鈷或其他物質時，該比例仍可適用。在一些情況中，鋅及鎳的比例為約0.6或更大。
在一些情況中，該無鉻的經表面處理銅箔不具有粗化粒子。經表面處理之沉積面(無粗化粒子)可從而具有約0.5至約2.5μm的表面粗 糙度(Rz)。該表面粗糙度亦可為約0.8至約2.0μm，約0.8至約1.8μm，或約0.8至約1.6μm。又，該表面粗糙度可為約1.0至約2.5μm，約1.2至約2.5μm，約1.5至約2.5μm，或約1.0至約2.0μm。
如上所述，該經表面處理銅箔為無鉻，或實質上無鉻。此外，在一些情況中，該經表面處理銅箔不包括氧化銅層。例如，該經表面處理銅箔為無鉻或實質上無鉻且無氧化銅層或實質上無氧化銅層。在一些情況中，只要該經表面處理銅箔為無鉻或實質上無鉻，該經表面處理銅箔可包括氧化銅層。
本發明係有關製備上述經表面處理銅箔的方法。該方法通常包括：(a)進行電化學反應以生產銅箔；視需要地，(b)於該銅箔的一面或兩面上電鍍包括鎳、鋅、鈷、錳、錫或其混合物的鈍化層；以及(c)在銅箔的一面或兩面上或者一或二者的鈍化層上施加有機層。該方法可進一步視需要地包括：(d)在施加該有機層之後，以約50℃至約150℃的溫度乾燥該經表面處理銅箔。
本發明的經表面處理銅箔特別適合用於印刷電路板。因其出人意料地可以防止劣化、腐蝕及褪色，特別是在電路板(包括具有樹脂基板的電路板)的製造過程中，當該經表面處理銅箔經受將其黏著至基板時所需的熱及壓力時。因此，本發明係關於包括本文所述的經表面處理銅箔的印刷電路板。本發明亦關於製造該印刷電路板的方法，該方法包括取得本發明之經表面處理銅箔，並將其與基板(例如，樹脂基板)結合以形成電路板。通常使用熱和/或壓力將該經表面處理銅箔貼合到該基板上。
當本發明之無鉻的經表面處理銅箔經受熱或壓力時，其可預防劣化。藉由正常和吸濕後兩者的剝離強度測試來計算劣化率。該劣化率係低於30%，低於20%，低於15%，低於10%，低於5%，或甚至0%。經表面處理銅箔的正常和吸濕之後的剝離強度劣化顯示出抗劣化和抗氧化性。該電路板可結合至電子裝置中，故本發明係關於包括本文所述的電路板之電子裝置，且該電路板係包含本發明的經表面處理銅箔。例如，該電路板可用於如電源工具、汽車、包含電動汽車的電動車輛、手機、其他可攜式電子裝置、平板電腦、家用電器、電動玩具、實驗室儀器、電腦等電子裝置中。
第1圖係顯示本發明之無鉻的經表面處理銅箔的製備方法之圖。該方法的起始步驟係用於製造電解銅箔的電沉積步驟。於該起始步驟中，將銅線溶解於槽(例如，電鍍槽)3內的溶液2中以生產銅箔4，為了進一步處理，藉由輥筒5將該銅箔4送至後續的輥，詳述如下。由第1圖可看出該輥筒5係部份地浸入槽3內的溶液2中。
之後，製備無鉻的經表面處理銅箔的方法包含藉由一系列輥6來輸送銅箔4。當銅箔4通過一系列輥6時，該銅箔4經歷一系列表面處理中的一個或多個，其包含如粗化處理7、鈍化處理(防腐蝕處理)8及有機處理9，在本文中將上述表面處理統稱為處理方法10。在下文中，將描述多種態樣係銅箔4經歷不同實施例之處理方法10。表1及表2列出各示例方法的條件及其相應結果。
完成特定有機處理9之過程後，以風11乾燥該銅箔4。最後，經表面處理銅箔12使用輥13進行軋製，之後進行包裝以運送銅箔(以及製造印刷電路板)。
如上所述，該經表面處理銅箔12對於製造印刷電路板特別有益。所述印刷電路板在多個行業中具有多種用途，並且廣泛地用於構建電腦、行動裝置、家用電器及工業機器等中使用的電路。藉由將經表面處理銅箔12和基板(如環氧樹脂浸漬的玻璃纖維基板)結合以製造所述印刷電路板。在一種情況中，如本領域中已知的，藉由施加熱及壓力以進行結合。本發明的概念旨在使用任何已知方法將該經表面處理銅箔12結合至任何適合的基板上，並因此不限於使用加熱和加壓將該經表面處理銅箔12結合到浸漬環氧樹脂的玻璃纖維基板上。完成該經表面處理銅箔12與浸漬環氧樹脂的玻璃纖維基板的結合後，使用蝕刻溶液(其包括但不限於酸性或鹼性蝕刻溶液)以去除(切除)部份的銅箔4，去除的部份為不導電的或者對於使用基礎(underlying)印刷電路板製作電路為非必要的部份。
第2圖係顯示根據本發明所製備的經表面處理銅箔12的截面結構。如第2圖所示，經表面處理銅箔12的截面圖20包括銅箔4(其具有沉積面)。於該銅箔4的上表面(沉積面)，銅箔4上存在銅粗化粒子22。雖然粗化粒子係顯示於第2圖的沉積面，重要的是不論銅箔的沉積面或輥筒面都非必要有粗化粒子。儘管如此，銅箔的沉積面或輥筒面的一者或兩者皆可包含粗化粒子。
視需要地形成粗化粒子22之後，將鈍化層24施加到該銅箔的一面或兩面。第2圖包括位於銅箔4之沉積面的粗化粒子22上的鈍化層24， 且亦包括位於銅箔4之輥筒面上的第二鈍化層30。該鈍化層24及第二鈍化層30有助於提供防腐蝕特性，因此可被視為防腐蝕層。鈍化層(或防腐蝕層)的形成係如第1圖之鈍化處理(防腐蝕處理)8所示。在一些情況中，該鈍化層24及第二鈍化層30係由單金屬所組成，該單金屬係選自由鎳(Ni)、鋅(Zn)、鈷(Co)、鉬(Mo)及錫(Sn)所組成群組。然而，在一些情況中，該鈍化層24及第二鈍化層30可視需要地為由鎳、鋅、鈷、鉬和/或錫所組合的合金。只要不是鉻，亦可視需要地包括其他金屬。重要的是，鈍化層並非必要存在於粗化粒子面的一面或兩面上。在一些情況中，不論銅箔的沉積面或輥筒面皆非必要有鈍化層。此外，鈍化層24及第二鈍化層30不需要是相同的。
第2圖顯示施加於該鈍化層24上的有機層26及施加於該第二鈍化層30的第二有機層28。第1圖顯示有機處理9中有機層的形成。雖然第2圖包含形成於鈍化層24及第二鈍化層30上的有機層，重要的是，有機層非必要存在於鈍化層及第二鈍化層兩者上。有機層26及第二有機層28可為相同或不同的。
在下文中，將描述經歷處理方法10之不同組合之銅箔4的實施例。以下提供之表1列出應用於銅箔4以獲得經表面處理銅箔12的處理方法10的特定組合。關於施加鈍化(防腐蝕)處理，各實施例施加鎳、鋅、鈷、鉬及錫元素之不同組合以作為鈍化層。各元素(或元素組合)的具體應用係如下所述：
(a)鋅鍍浴：準備含有5至15g/L硫酸鋅(ZnSO4．7H2O)及0.1至0.4g/L釩酸銨(ammonium vanadate)之硫酸鋅電解質。液溫為20℃，而電流密度為0.5A/dm2；
(b)鎳鍍浴：於20℃及電流密度為0.5A/dm2的條件下，準備含有170至200g/L硫酸鎳(NiSO4．6H2O)及20至40g/L的硼酸之硫酸鎳電解質；
(c)鎳-鈷鍍浴：於20℃及電流密度為0.5A/dm2的條件下，準備含有2至50g/L硫酸鎳(NiSO4．6H2O)、2至50g/L硫酸鈷(CoSO4．7H2O)及50至150g/L二水檸檬酸鈉(HOC(COONa)(CH2COONa)2．2H2O)之電解質；
(d)鎳-鉬鍍浴：於20℃及電流密度為0.5A/dm2的條件下，準備含有25至250g/L硫酸鎳(NiSO4．6H2O)、1至80g/L二水合鉬酸鈉(Na2MoO4．2H2O)及50至150g/L二水檸檬酸鈉(HOC(COONa)(CH2COONa)2．2H2O)之電解質；
(e)錫鍍浴：於20℃及電流密度為0.5A/dm2的條件下，準備含有1至10g/L錫酸鈉(Na2SnO3．3H2O)及5至10g/L氫氧化鈉之錫酸鹽電解質；以及
(f)鉻鍍浴：於20℃及電流密度為0.5A/dm2的條件下，準備含有1至2g/L三氧化鉻(CrO3)及20g/L氫氧化鈉之鉻酸電解質。
實施例1
溶解銅線於50重量%之硫酸水溶液，以製備含有320g/L硫酸銅(CuSO4‧5H2O)及100g/L硫酸之硫酸銅電解質。每公升的硫酸銅電 解質溶液中，加入0.24mg羥乙基纖維素(LC-400，DAICEL公司)、0.08mg明膠(2CP，KOEI化學有限公司)及25mg氯離子。隨後，於液溫50℃及電流密度為34A/dm2的條件下，製備厚度為18μm的銅箔。
之後，使該銅箔的沉積面經受粗化處理。製備含有200g/L硫酸銅(CuSO4‧5H2O)及100g/L硫酸之硫酸銅電解質。於液溫25℃及電流密度為30A/dm2的條件下處理該厚度為18μm的銅箔。
粗化處理後，藉由電沉積將鈍化層施加到形成於該銅箔的沉積面之粗化粒子。依序使用如上所述的(b)鎳鍍浴、(a)鋅鍍浴作為鈍化層。
施加鈍化層後，施加有機層。具體而言，施加0.25%的(3-環氧丙氧基丙基)三甲氧基矽烷(KBM 403，信越化學)10秒。以50℃至150℃之溫度乾燥經表面處理銅箔。
實施例2
如實施例1所述製備銅箔並以粗化粒子和鈍化層處理。然而，於此情況中，使用三
Figure 109118309-A0101-12-0015-13
三硫醇作為有機處理劑。具體而言，施加0.25%的三
Figure 109118309-A0101-12-0015-14
三硫醇(1,3,5-三
Figure 109118309-A0101-12-0015-15
-2,4,6-三硫醇三鈉鹽溶液，Sigma-Aldrich)10秒。
實施例3
如實施例1所述製備銅箔並以粗化粒子和鈍化層處理。然而，於此情況中，使用卟啉作為有機處理劑。具體而言，施加0.3%的卟啉(5,10,15,20-四(4-胺基苯基)-卟啉-鋅(II))10秒。
實施例4
如實施例1所述製備銅箔並以粗化粒子和鈍化層處理。然而，於此情況中，使用胺丙基三乙氧基矽烷(KBE 903)作為有機處理劑。具體而言，施加0.25%的3-胺丙基三乙氧基矽烷(KBE 903)10秒。
實施例5
如實施例1所述製備銅箔並以粗化粒子和鈍化層處理。施加0.3%的卟啉(5,10,15,20-四(4-胺基苯基)-卟啉-鋅(II))及0.2%的胺丙基三乙氧基矽烷(KBE 903)之組合10秒作為有機層。
實施例6
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。然而，使用如上所述之(b)鎳鍍浴作為鈍化層。施加0.25%的環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(KBM 403)10秒作為有機層。
實施例7
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。然而，使用如上所述之(a)鋅鍍浴作為鈍化層。施加0.25%的環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(KBM 403)10秒作為有機層。
實施例8
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。然而，使用如上所述之(c)鎳-鈷鍍浴作為鈍化層。施加0.25%的環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(KBM 403)10秒作為有機層。
實施例9
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。然而，使用如上所述之(d)鎳-鉬鍍浴作為鈍化層。施加0.25%的環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(KBM 403)10秒作為有機層。
實施例10
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。然而，使用如上所述之(e)錫鍍浴作為鈍化層。施加0.25%的環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(KBM 403)10秒作為有機層。
實施例11
如實施例1所述製備銅箔，惟該銅箔未經粗化處理(未添加粗化粒子至銅箔)。於此情況中，藉由電沉積施加鎳鋅鈍化層至銅箔的沉積面上(依序使用如上所述之(b)鎳鍍浴及(a)鋅鍍層作為鈍化層)。施加鈍化層後，施加0.3%的3-胺丙基三乙氧基矽烷(KBE 903)10秒作為有機層。
實施例12
如實施例1所述製備銅箔，惟該銅箔未經粗化處理(未添加粗化粒子至銅箔)。於此情況中，亦未施加鈍化層。施加0.3%的卟啉(5,10,15,20-四(4-胺基苯基)-卟啉-鋅(II))10秒作為有機層。
實施例13
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。於此情況中未施加鈍化層。施加0.3%的卟啉(5,10,15,20-四(4-胺基苯基)-卟啉-鋅(II))作為有機層。
實施例14
如實施例1所述製備銅箔並以粗化粒子和鈍化層處理。施加0.3%的卟啉(5,10,15,20-四(4-胺基苯基)-卟啉-鋅(II))及0.2%的KBE 903之組合30秒作為有機層。
比較例1
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。然而，鈍化層係由鎳、鋅及鉻的組合所形成。製備含有10g/L硫酸鋅(ZnSO4‧7H2O)及100g/L釩酸銨的硫酸鋅電解質、含有180g/L硫酸鎳(NiSO4‧6H2O)及30g/L硼酸的硫酸鎳電解質，以及含有5g/L三氧化鉻及20g/L氫氧化鈉的鉻酸電解質。在液溫為20℃及電流密度為1.0A/dm2的條件下，依序使用如上所述的(b)鎳鍍浴、(a)鋅鍍浴及(f)鉻鍍浴步驟作為鈍化層。於此情況中未添加有機層。
比較例2
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。依序使用如上所述之(b)鎳鍍浴及(a)鋅鍍浴作為鈍化層。於此情況中未添加有機層。
比較例3
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。依序使用如上所述之(b)鎳鍍浴及(a)鋅鍍浴作為鈍化層。然而，於此情況中，施加0.01%的(3-環氧丙氧基丙基)三甲氧基矽烷(KBM 403)10秒作為有機層。
比較例4
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。對於鈍化層，依序使用如上所述之(b)鎳鍍浴及(a)鋅鍍浴作為鈍化層。然而，於此情況中，施加0.01%的三
Figure 109118309-A0101-12-0018-12
三硫醇10秒作為有機層。
比較例5
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。依序使用如上所述之(b)鎳鍍浴及(a)鋅鍍浴作為鈍化層。然而，於此情況中，施加0.05%的卟啉10秒作為有機層。
比較例6
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。依序使用如上所述之(b)鎳鍍浴及(a)鋅鍍浴作為鈍化層。然而，於此情況中，施加0.01%的3-胺丙基三乙氧基矽烷(KBE 903，信越化學)10秒作為有機層。
比較例7
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。依序使用如上所述之(b)鎳鍍浴及(a)鋅鍍浴作為鈍化層。然而，於此情況中，施加0.03%的卟啉及0.02%的3-胺丙基三乙氧基矽烷(KBE 903)之組合10秒作為有機層。
比較例8
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。使用如上所述之(b)鎳鍍浴作為鈍化層。施加0.01%的(3-環氧丙氧基丙基)三甲氧基矽烷(KBM 403)10秒作為有機層。
比較例9
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。使用如上所述之(a)鋅鍍浴作為鈍化層。施加0.01%的(3-環氧丙氧基丙基)三甲氧基矽烷(KBM 403)10秒作為有機層。
比較例10
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。使用如上所述之(c)鎳-鈷鍍浴作為鈍化層。施加0.01%的(3-環氧丙氧基丙基)三甲氧基矽烷(KBM 403)10秒作為有機層。
比較例11
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。使用如上所述之(d)鎳-鉬鍍浴作為鈍化層。施加0.01%的(3-環氧丙氧基丙基)三甲氧基矽烷(KBM 403)10秒作為有機層。
比較例12
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。使用如上所述之(e)錫鍍浴作為鈍化層。施加0.01%的(3-環氧丙氧基丙基)三甲氧基矽烷(KBM 403)10秒作為有機層。
比較例13
如實施例1所述製備銅箔而未經粗化處理。依序使用如上所述之(b)鎳鍍浴及(a)鋅鍍浴作為鈍化層。於此情況中未施加有機層。
比較例14
如實施例1所述製備銅箔。於此情況中未經粗化處理或者施加鈍化層或有機層。
比較例15
如實施例1所述製備銅箔並以粗化處理。於此情況中未施加鈍化層或有機層。
比較例16
如實施例1所述製備銅箔以及粗化處理。並依比較例1所述，依序使用如上所述的(b)鎳鍍浴、(a)鋅鍍浴及(f)鉻鍍浴步驟作為鈍化層。施加0.3%的卟啉10秒作為有機層。
實施例1至14及比較例1至16係概述於下表1中。
表1
Figure 109118309-A0101-12-0021-1
Figure 109118309-A0101-12-0022-2
分析實施例1至14和比較例1至16的各種經表面處理銅箔，以測定有機層和鈍化層存在時，有機層的元素含量和鈍化層的金屬含量。分析和歸納經表面處理銅箔的特徵後，評估其抗腐蝕性及剝離強度。
測量有機層的原子比例
藉由ESCA分析了各實施例和比較例中形成有機層後之銅箔的層壓面表面，以評估原子百分比。使用VG公司製造之ESCA Scientific Theta Probe(型號：2012)(在束流能量=3kv，電流=1mA下)測定有機層的原子百分比。
藉由以C、O、N、S和Si的原子百分比總和作為分母來計算，對所分析銅箔的層壓面上之有機層的C、O、N、S和Si原子百分比進行進一步正規化(經正規化的原子百分比)。
藉由上述之有機層中各元素含量之經正規化的原子百分比，計算矽元素對氧元素(Si/O)之比例(%)。
測量鈍化層的金屬含量
藉由切割經表面處理銅箔為150mm x150mm的尺寸，並於經表面處理銅箔的一面上放置保護塗層(該塗層可防止這一面銅箔溶解)以測定鈍化層的金屬含量。乾燥之後，將樣品進一步切割為100mm x 100mm的尺寸(面積=1dm2)。將樣品置於盤中，並用25ml之18%鹽酸溶液溶解。將所得溶液用水補足至50mL，並藉由電感耦合等離子體(ICP)分析進行分析。
測量經表面處理銅箔的抗腐蝕性
藉由觀察經表面處理銅箔的表面是否具有氧化斑來確定抗腐蝕性。將斑點依照1至10分的等級排名。切割之經表面處理銅箔的表面為A4尺寸(即210mm×297mm)。若每個切割部分中，經表面處理銅箔的斑點等級均高於5，則該經表面處理銅箔無法通過測試。將經表面處理銅箔在70℃的溫度/80%RH(相對濕度)下放置14小時後，進行分析。
測量經表面處理銅箔的剝離強度
於正常條件下和吸濕後測定剝離強度，之後計算劣化率。按照IPC-TM-650的方法。切割經表面處理銅箔為100mm x 12.7mm(長x寬)的尺寸以獲得試樣。為進行吸濕測試，將樣品在去離子水中煮沸2小時。 使用島津製作所股份有限公司的AG-I型試驗機在室溫(約25℃)下以夾頭距離50mm及十字頭速度50mm/min的條件測量每個樣品的剝離強度。使用剝離強度的測試結果和吸濕後的剝離強度測試結果，並根據下式計算劣化率(%)。
Figure 109118309-A0101-12-0024-3
各種測試的結果係概述於表2中。
表2
Figure 109118309-A0101-12-0024-4
Figure 109118309-A0101-12-0025-5
Figure 109118309-A0101-12-0026-6
實施例1至14及與其相關的測試結果係如上所述。實施例1至14的共通點如下：
(1)實施例1至14中，經表面處理銅箔為無鉻的；
(2)實施例1至14中，經表面處理銅箔表面上的氮、硫和矽元素相加的百分比為大於5經正規化的原子百分比。
(3)實施例1至14中，經表面處理銅箔的剝離強度的劣化率較比較例1至15的剝離強度的劣化率低相當多。
另從比較例16之數據可知，含鉻之經表面處理銅箔，即使氮、硫和矽元素相加的百分比為大於5經正規化的原子百分比，仍無法改善剝離強度的劣化率。
另比較本發明實施例中含矽元素的實施例1、4至11及14，發現進一步控制矽元素對氧元素(Si/O)的比例介於11%至30%，可進一步提升正常條件下(吸濕前)的剝離強度，且同時保持良好的劣化率特性。
以上實施例僅用於說明本發明的原理及其效果，且不應解釋為限制本發明。在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，所屬領域中具有通常知識者可以修改和改變上述實施例。因此，本發明的保護範圍係由所附申請專利範圍所定義。只要不影響本發明的效果和可實現的目標，應涵蓋於本文揭露的技術內容中。術語「包括(comprising)」、「具有(having)」及「包含(including)」係以開放及非限制的含義所用。
術語「一(a)」及「該(the)」應理解為包括複數及單數。表述「至少一個(at least one)」是指一種或多種，故包括單獨的組分及混合物/組合。
當提到一個值時，術語「約(about)」特別是指可四捨五入至該值的測量值，其使用標準公約以四捨五入數字。例如，「約1.5」係1.45至1.54。
術語「O」及「X」係用於表格中。術語「O」係指「是」或「肯定」。術語「X」係指「否」或「失敗」。
術語「直接(directly)」可與諸如「至(to)」或「在...上(on)」的術語結合使用，以產生諸如「直接在...上」和「直接至」之類的用語。當其係指組件或層及彼此之間的關係時，此類用語可能特別有用。該用語(即使用修飾語「直接」的用語)表示組件或層係直接在彼此上或直接應用至彼此的組件或層係彼此物理接觸，因此不存在中間組件或中間層。例如，如果層A係直接在層B上，則層A和層B彼此物理接觸，並且中間層(例如層C)不可位於層A和層B之間。
本文揭露的所有範圍和數值為廣泛且可組合的。例如，落入本文所述範圍內的本文描述的任何值或點都可以用作導出子範圍的最小值或最大值等。
本說明書中引用的所有出版物和專利申請案藉由引用併入本文，並且出於任何及所有目的，如同每個單獨出版物或專利申請案均明確地和獨立地被表示藉由引用併入。在本發明與藉由引用併入本文的任何出版物或專利申請案之間不一致的情況下，以本發明為準。
4:銅箔
12:經表面處理銅箔
20:截面圖
22:粗化粒子
24:鈍化層
26:有機層
28:第二有機層
30:第二鈍化層

Claims (24)

  1. 一種無鉻的經表面處理銅箔，係包括：(a)銅箔；以及(c)設於該銅箔上之有機層，其中，該有機層的氮、硫及矽元素的總和為大於5經正規化的原子百分比，該經正規化的原子百分比係以分析的碳、氧、氮、硫及矽的原子百分比總和作為分母，並以分析的氮、硫或矽的原子百分比作為分子計算而得，其中，36.1經正規化的原子百分比
    Figure 109118309-A0305-02-0031-3
    碳
    Figure 109118309-A0305-02-0031-4
    59.8經正規化的原子百分比，且27經正規化的原子百分比
    Figure 109118309-A0305-02-0031-5
    氧
    Figure 109118309-A0305-02-0031-6
    48.7經正規化的原子百分比。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之無鉻的經表面處理銅箔，進一步包括位於(a)該銅箔及(c)該有機層之間的(b)鈍化層，該鈍化層係包括鎳、鋅、鈷、錳、錫或其混合物。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，(a)之該銅箔的一面或兩面上具有粗化粒子。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，(a)之該銅箔的厚度為1微米至50微米。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，該鈍化層的厚度為0.2微米至100微米。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，(a)之該銅箔的一面或兩面上具有粗化粒子。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之無鉻的經表面處理銅箔，進一步包括第二鈍化層及第二有機層，其中，該鈍化層及第二鈍化層係設於該銅箔的兩面，且該有機層及第二有機層係設於該鈍化層上。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，(c)之該有機層係包括一或多個有機分子，該一或多個有機分子並包含具有一或多個用於結合(b)之該鈍化層之結合基團的熱穩定鹼。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，該一或多個有機分子進一步包括一或多個用於連接樹脂的連接基團。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，該一或多個有機分子係選自由卟啉基、矽烷基、苯并三唑、三
    Figure 109118309-A0305-02-0032-7
    三硫醇及其組合所組成之群組。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，該一或多個有機分子係選自由卟啉、卟啉大環、擴大卟啉、收縮卟啉、線性卟啉聚合物、卟啉夾層配位複合物、卟啉陣列及其組合所組成的卟啉基群組。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，該矽烷基為四有機基矽烷(tetraorgano-silane)。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，該四有機基矽烷係選自由胺乙基胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷、1-[3-(三甲氧基矽基)丙基]脲、3-胺丙基三乙氧基矽烷、(3-環氧丙氧基丙基)三甲氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷、二甲基二氯矽烷、3-(三甲氧基甲矽基)甲基丙烯酸丙酯、乙基三乙醯氧基矽烷、異丁基三乙氧基 矽烷、正辛基三乙氧基矽烷、三(2-甲氧基乙氧基)乙烯基矽烷、三甲基氯矽烷、甲基三氯矽烷、四氯化矽、四乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、氯三乙氧基矽烷、乙烯-三甲氧基矽烷及其組合。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，該一或多個有機分子係選自由具有1至20個碳原子的烷氧基矽烷、具有1至20個碳原子的乙烯基烷氧基矽烷、(甲基)醯基矽烷及其組合所組成群組。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，基於該有機層的總重量，(c)之該有機層包括不多於40經正規化的原子百分比的氧元素。
  16. 如申請專利範圍第2項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，鋅與鎳的重量比係介於0.8至8之間。
  17. 如申請專利範圍第2項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，(a)之該銅箔不包含粗化粒子，且其具有表面粗糙度(Rz)為0.5微米至2.5微米的沉積面。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其具有低於20%之劣化率，該劣化率係以下式表示，
    Figure 109118309-A0305-02-0033-1
  19. 如申請專利範圍第2項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其具有低於20%之劣化率，該劣化率係以下式表示，
    Figure 109118309-A0305-02-0033-2
  20. 如申請專利範圍第1項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，該有機層的氮、硫及矽元素的總和滿足5經正規化的原子百分比<氮+硫+矽
    Figure 109118309-A0305-02-0034-8
    32.8經正規化的原子百分比之式。
  21. 如申請專利範圍第1項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，該碳之含量係介於36.1經正規化的原子百分比
    Figure 109118309-A0305-02-0034-9
    碳
    Figure 109118309-A0305-02-0034-10
    51.4經正規化的原子百分比之間。
  22. 如申請專利範圍第1項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，該碳之含量係介於43.9經正規化的原子百分比
    Figure 109118309-A0305-02-0034-11
    碳
    Figure 109118309-A0305-02-0034-12
    59.8經正規化的原子百分比之間。
  23. 如申請專利範圍第1項所述之無鉻的經表面處理銅箔，其中，該矽元素對氧元素的比例係介於11%至30%。
  24. 一種印刷電路板，係包括樹脂基板，以及如申請專利範圍第1項所述之無鉻的經表面處理銅箔。
TW109118309A 2019-08-12 2020-06-01 經表面處理銅箔 TWI705147B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/538,070 US10697082B1 (en) 2019-08-12 2019-08-12 Surface-treated copper foil
US16/538,070 2019-08-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI705147B true TWI705147B (zh) 2020-09-21
TW202106884A TW202106884A (zh) 2021-02-16

Family

ID=71125248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109118309A TWI705147B (zh) 2019-08-12 2020-06-01 經表面處理銅箔

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10697082B1 (zh)
JP (2) JP7222951B2 (zh)
KR (2) KR20210019952A (zh)
CN (1) CN111690957B (zh)
TW (1) TWI705147B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11251430B2 (en) 2018-03-05 2022-02-15 The Research Foundation For The State University Of New York ϵ-VOPO4 cathode for lithium ion batteries

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200408321A (en) * 2002-05-13 2004-05-16 Mitsui Mining & Smelting Co Fiexible printed wiring board for chip on flexible
TW201204556A (en) * 2010-06-04 2012-02-01 Mitsui Mining & Amp Smelting Co Ltd Electrode foil and organic device
TW201404935A (zh) * 2012-03-29 2014-02-01 Jx Nippon Mining & Metals Corp 表面處理銅箔

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5908542A (en) 1997-07-02 1999-06-01 Gould Electronics Inc. Metal foil with improved bonding to substrates and method for making the foil
JPH11302822A (ja) * 1998-04-24 1999-11-02 Kobe Steel Ltd コーティング層との密着性に優れた銅箔
US6117536A (en) * 1998-09-10 2000-09-12 Ga-Tek Inc. Adhesion promoting layer for use with epoxy prepregs
US6299721B1 (en) * 1998-12-14 2001-10-09 Gould Electronics Incl Coatings for improved resin dust resistance
JP2001068804A (ja) * 1999-08-31 2001-03-16 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd キャリア箔付電解銅箔及びその電解銅箔の製造方法並びにその電解銅箔を使用した銅張積層板
US7074489B2 (en) * 2001-05-23 2006-07-11 Air Products And Chemicals, Inc. Low dielectric constant material and method of processing by CVD
JP2005344174A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 表面処理銅箔及びその表面処理銅箔を用いて製造したフレキシブル銅張積層板並びにフィルムキャリアテープ
JP2007009261A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Hitachi Cable Ltd プリント配線板用銅箔及びその製造方法
JP4804847B2 (ja) * 2005-09-15 2011-11-02 新日鐵化学株式会社 銅張積層板の製造方法
JP5024930B2 (ja) * 2006-10-31 2012-09-12 三井金属鉱業株式会社 表面処理銅箔、極薄プライマ樹脂層付表面処理銅箔及びその表面処理銅箔の製造方法並びに極薄プライマ樹脂層付表面処理銅箔の製造方法
US7875318B2 (en) 2007-04-24 2011-01-25 Momentive Performance Materials Inc. Method of applying an anti-corrosion and/or adhesion promoting coating to a metal and resulting coated metal
JP2009123986A (ja) * 2007-11-16 2009-06-04 Fujitsu Ltd 多層回路基板の製造方法
KR101632450B1 (ko) * 2008-03-21 2016-06-21 엔쏜 인코포레이티드 다작용기성 화합물을 이용한 적층체에 대한 금속의 접착 촉진
JP5034059B2 (ja) * 2009-03-19 2012-09-26 メック株式会社 積層体の形成方法
CN101892499B (zh) * 2010-07-24 2011-11-09 江西理工大学 以铜箔作载体的可剥离超薄铜箔及其制备方法
JP5781525B2 (ja) * 2010-09-27 2015-09-24 Jx日鉱日石金属株式会社 プリント配線板用銅箔、その製造方法、プリント配線板用樹脂基板及びプリント配線板
CN102548202B (zh) * 2010-12-08 2014-09-03 金居开发铜箔股份有限公司 经粗化处理的铜箔及其制造方法
WO2012141178A1 (ja) * 2011-04-12 2012-10-18 三井金属鉱業株式会社 クロメート皮膜付負極集電体用銅箔及びそのクロメート皮膜付負極集電体用銅箔を用いた負極材
US20130175680A1 (en) * 2012-01-10 2013-07-11 International Business Machines Corporation Dielectric material with high mechanical strength
JP5204908B1 (ja) * 2012-03-26 2013-06-05 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板用キャリア付銅箔及びプリント配線板
CN104145537A (zh) * 2012-03-29 2014-11-12 德国艾托特克公司 细线电路的制造方法
CN104220642B (zh) * 2012-03-29 2018-02-02 Jx日矿日石金属株式会社 表面处理铜箔
JP6855164B2 (ja) * 2013-11-27 2021-04-07 三井金属鉱業株式会社 キャリア箔付銅箔及び銅張積層板
TWI613940B (zh) * 2014-03-31 2018-02-01 Jx Nippon Mining & Metals Corp 附載體之銅箔、印刷配線板、積層體、電子機器及印刷配線板之製造方法
JP6357336B2 (ja) 2014-03-31 2018-07-11 三井金属鉱業株式会社 電解銅箔、キャリア箔付電解銅箔及びプリント配線板
JP5756547B1 (ja) * 2014-04-28 2015-07-29 株式会社Ｓｈカッパープロダクツ 表面処理銅箔及び積層板
JP5892193B2 (ja) * 2014-05-07 2016-03-23 凸版印刷株式会社 酸素吸収能を有する樹脂組成物およびその製造方法およびその樹脂組成物層を含む積層体、包装体
CN105925112A (zh) * 2016-06-12 2016-09-07 合肥和安机械制造有限公司 一种金属铜润滑防腐涂层及其制备方法
TWI736646B (zh) * 2016-07-15 2021-08-21 日商富士軟片股份有限公司 積層體、套組、積層體的製造方法及光學感測器
US10057984B1 (en) * 2017-02-02 2018-08-21 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Composite thin copper foil and carrier
KR20180090532A (ko) * 2017-02-03 2018-08-13 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 주름 및 말림이 최소화된 고강도 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
US10424793B2 (en) * 2017-11-14 2019-09-24 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Electrodeposited copper foil and method for producing the same, and current collector for lithium secondary battery and secondary battery comprising the electrodeposited copper foil
US10205170B1 (en) * 2017-12-04 2019-02-12 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil for current collector of lithium secondary battery
US10337115B1 (en) * 2018-01-05 2019-07-02 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface treated copper foil for high speed printed circuit board products including the copper foil and methods of making
KR102483089B1 (ko) * 2018-01-31 2022-12-29 에스케이넥실리스 주식회사 후속 공정에서 핸들링 특성이 우수한 전해동박 및 그 제조방법
CN108164667B (zh) * 2018-02-12 2021-02-26 清华大学 一种卟啉有机骨架膜材料及其制备方法
CN109056009B (zh) * 2018-08-19 2019-11-12 江西伟创丰电路有限公司 一种印刷电路板用铜箔及其制备方法
CN109385647A (zh) * 2018-11-02 2019-02-26 山东金盛源电子材料有限公司 一种新型阻根铜胎基的电解铜箔的生产方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200408321A (en) * 2002-05-13 2004-05-16 Mitsui Mining & Smelting Co Fiexible printed wiring board for chip on flexible
TW201204556A (en) * 2010-06-04 2012-02-01 Mitsui Mining & Amp Smelting Co Ltd Electrode foil and organic device
TW201404935A (zh) * 2012-03-29 2014-02-01 Jx Nippon Mining & Metals Corp 表面處理銅箔

Also Published As

Publication number Publication date
CN111690957A (zh) 2020-09-22
KR20210019952A (ko) 2021-02-23
CN111690957B (zh) 2021-12-07
KR20220128598A (ko) 2022-09-21
JP2021028165A (ja) 2021-02-25
JP7222951B2 (ja) 2023-02-15
KR102534673B1 (ko) 2023-05-26
US10697082B1 (en) 2020-06-30
JP2022097581A (ja) 2022-06-30
TW202106884A (zh) 2021-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102222382B1 (ko) 저 전도 손실 구리 호일
CN105556004B (zh) 铜箔、带有载体箔的铜箔及覆铜层压板
EP2644754B1 (en) Surface treated copper foil
EP2145986B1 (en) Solution and method for electrochemically depositing a metal on a substrate
KR102054281B1 (ko) 프린트 배선판용 표면 처리 동박, 프린트 배선판용 구리 피복 적층판 및 프린트 배선판
KR101411731B1 (ko) 리튬 이온 전지 집전체용 동박
JP7127861B2 (ja) 複合銅箔
JP2011023303A (ja) リチウムイオン電池集電体用銅箔
TWI705147B (zh) 經表面處理銅箔
TW202311569A (zh) 表面處理銅箔、覆銅積層板、及印刷線路板
CN113026060B (zh) 电解铜箔、包含其的电极和覆铜积层板
Souza et al. Study of the wettability and the corrosion protection of the hybrid silane (3-aminopropyl) triethoxysilane (APTES) and (3-glycidyloxypropyl) trimethoxysilane (GPTMS) film on galvannealed steel
Jasiecki et al. FTO coated glass electrode functionalization with transition metal cations receptors via electrostatic self-assembly
JP7409602B2 (ja) 複合銅部材
TWI685518B (zh) 電路板及其製備方法
JP4877190B2 (ja) プリント配線板用銅箔およびその製造方法