TWI685518B - 電路板及其製備方法 - Google Patents

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陳怡璇
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Abstract

一種電路板包含一改質聚醯亞胺層及位在該改質聚醯亞胺層上的金屬層，其中，該改質聚醯亞胺層是由下列步驟所製得：(1)以氧氣電漿處理一聚醯亞胺層的表面，得到一經處理聚醯亞胺層；(2)於該經處理聚醯亞胺層表面覆蓋一材料並得到一經覆蓋聚醯亞胺層，該材料包含式(I)與式(II)所示的矽烷化合物；及(3)烘烤該經覆蓋聚醯亞胺層，得到該改質聚醯亞胺層。本發明電路板之該金屬層與該改質聚醯亞胺層間的吸附力能有效被提升。

Description

電路板及其製備方法
本發明是有關於一種電路板及其製備方法，特別是指一種包含一改質聚醯亞胺層的電路板及其製備方法。
現有軟性電路板通常為三層式結構，包含：一如銅箔的金屬層、一聚醯亞胺(polyimide)層及一位於該金屬層與該聚醯亞胺層間的黏著劑層。而為了減輕電路板重量、厚度及提升其熱穩定性，移除該黏著劑層的電路板目前正積極被開發中。
由於該金屬層與該聚醯亞胺層間的附著力較弱，所以在製備前述兩層式電路板時，會先改質該聚醯亞胺層表面，以增加該聚醯亞胺層與該金屬層間的吸附力。而改質該聚醯亞胺層表面的方法是先使該聚醯亞胺層表面覆蓋一包含胺基(－NH 2)系矽烷(silane)化合物或巰基(－SH)系矽烷化合物的材料，再進行烘烤後，得到一改質聚醯亞胺層。由於該改質聚醯亞胺層表面會分布胺基或巰基，所以其與該金屬層間的吸附力能被提升。然而，胺基或巰基皆屬於極性官能基，且矽烷化合物中的烷氧基經水解(hydrolysis)後所形成的羥基(－OH)亦屬於極性官能基，因此該改質聚醯亞胺層表面之胺基、巰基或羥基會發生團聚現象而無法均勻分布，導致該改質聚醯亞胺層與該金屬層間的吸附力無法被有效提升。
因此，前述兩層式電路板尚待改良，以使其改質聚醯亞胺層與金屬層間的吸附力能被有效提升。
因此，本發明的第一目的，即在提供一種其金屬層與改質聚醯亞胺層間的吸附力能有效被提升的電路板。
於是，本發明電路板包含一改質聚醯亞胺層及位在該改質聚醯亞胺層上的金屬層，其中，該改質聚醯亞胺層是由下列步驟所製得： (1) 以氧氣電漿處理一聚醯亞胺層的表面，得到一經處理聚醯亞胺層； (2) 於該經處理聚醯亞胺層表面覆蓋一材料並得到一經覆蓋聚醯亞胺層，該材料包含下式(I)與式(II)所示的矽烷化合物，  [式I]
Figure 02_image001
R 1為C 1~C 2烷基， X為C 1~C 9伸烷基或─(CH 2) 2NH(CH 2) 2NH(CH 2) 3─， G 1為胺基或巰基， [式II]
Figure 02_image003
R 2為C 1~C 2烷基或C 1~C 2烷氧基， Y為單鍵、C 1~C 2伸烷基、伸乙烯基或伸乙炔基， G 2為苯基或吡啶基；及 (3) 烘烤該經覆蓋聚醯亞胺層，得到該改質聚醯亞胺層。
因此，本發明的第二目的，即在提供一種前述電路板的製備方法。
於是，本發明電路板的製備方法包含下列步驟： (1) 以氧氣電漿處理一聚醯亞胺層的表面，得到一經處理聚醯亞胺層； (2) 於該經處理聚醯亞胺層表面覆蓋一材料並得到一經覆蓋聚醯亞胺層，該材料包含下式(I)與式(II)所示的矽烷化合物，  [式I]
Figure 02_image001
R 1為C 1~C 2烷基， X為C 1~C 9伸烷基或─(CH 2) 2NH(CH 2) 2NH(CH 2) 3─， G 1為胺基或巰基， [式II]
Figure 02_image003
R 2為C 1~C 2烷基或C 1~C 2烷氧基， Y為單鍵、C 1~C 2伸烷基、伸乙烯基或伸乙炔基， G 2為苯基或吡啶基； (3) 烘烤該經覆蓋聚醯亞胺層，得到該改質聚醯亞胺層；及 (4) 於該改質聚醯亞胺層上形成一金屬層，得到該電路板。
本發明的功效在於：由於該步驟(2)覆蓋於該聚醯亞胺層上的材料同時包含該式(I)與該式(II)所示的矽烷化合物，因而本發明電路板之該金屬層與該改質聚醯亞胺層間的吸附力能有效被提升。
針對前述功效更詳細說明的是：通過該式(I)的矽烷化合物(即胺基系或巰基系矽烷化合物)改質該聚醯亞胺層，能使所得的改質聚醯亞胺層表面分布胺基或巰基之極性官能基，以提升該改質聚醯亞胺層與該金屬層間的吸附力；此外，通過該式(II)所示的矽烷化合物改質該聚醯亞胺層，能使所得的改質聚醯亞胺層表面上同時還分布吡啶基或苯基，由於苯基或吡啶基能作為胺基或巰基間的立體屏障，因而能降低胺基或巰基發生團聚的機會，進而該改質聚醯亞胺層表面之胺基或巰基能均勻分布，解決了現有該改質聚醯亞胺層表面之胺基或巰基會因發生團聚而分布不均，導致其與該金屬層間的吸附力無法被有效提升的缺點。
以下將就本發明內容進行詳細說明：
[ 電路板 ]
本發明電路板中之金屬層的金屬可為現有任何能導電且能應用於電路板之金屬(例如銅、鎳、錫、金、銀或鈷等)。較佳地，該金屬層含有銅，該含有銅的金屬層例如但不限於是銅層或銅合金層。
較佳地，該金屬層的厚度範圍為12~28 µm。
本發明電路板中之改質聚醯亞胺層是由該步驟(1)至(3)所製得，以下再針對該步驟(1)至(3)分別進行詳細說明：
＜ 步驟 (1)＞
該步驟(1)是以氧氣電漿處理一聚醯亞胺層的表面，得到一經處理聚醯亞胺層。
需說明的是，該步驟(1)所得到的該經處理聚醯亞胺層表面會分布多個羥基。
較佳地，在該步驟(1)中，是以該氧氣電漿處理該聚醯亞胺層表面1~20分鐘。更佳地，是以該氧氣電漿處理該聚醯亞胺層表面4~6分鐘。
＜ 步驟 (2)＞
該步驟(2)是於該經處理聚醯亞胺層表面覆蓋一材料並得到一經覆蓋聚醯亞胺層，該材料包含下式(I)與式(II)所示的矽烷化合物， [式I]
Figure 02_image001
R 1為C 1~C 2烷基， X為C 1~C 9伸烷基或─(CH 2) 2NH(CH 2) 2NH(CH 2) 3─， G 1為胺基或巰基， [式II]
Figure 02_image003
R 2為C 1~C 2烷基或C 1~C 2烷氧基， Y為單鍵、C 1~C 2伸烷基、伸乙烯基或伸乙炔基， G 2為苯基或吡啶基。
較佳地，在該步驟(2)中，該式(I)的X為C 2~C 4伸烷基或─(CH 2) 2NH(CH 2) 2NH(CH 2) 3─。更佳地，該式(I)的X為伸丙基或─(CH 2) 2NH(CH 2) 2NH(CH 2) 3─。又更佳地，該式(I)的矽烷化合物是選自於(3-胺基丙基)三甲氧基矽烷[(3-aminopropyl)trimethoxysilane； APTMS]、(3-胺基丙基)三乙氧基矽烷[(3-aminopropyl)triethoxysilane； APTES]、(3-巰丙基)三甲氧基矽烷[(3-mercaptopropyl)trimethoxysilane；MPTMS]、(3-巰丙基)三乙氧基矽烷[(3-mercaptopropyl)triethoxysilane；MPTES]、3-[2-(2-胺基乙基胺基)乙基胺基]丙基三甲氧基矽烷{3-[2-(2-aminoethylamino)ethylamino]propyltrimethoxysilane；ETAS}或前述的組合。
較佳地，在該步驟(2)中，該式(II)的Y為單鍵或伸乙炔基。更佳地，該式(II)的矽烷化合物是選自於3-[(三甲基矽基)乙炔基]吡啶{3-[(trimethylsilyl)ethynyl]pyridine；TEP }、三甲氧基苯基矽烷(trimethoxyphenylsilane)或前述的組合。
較佳地，該步驟(2)的經覆蓋聚醯亞胺層是使該經處理聚醯亞胺層分別浸置於含有該式(I)之矽烷化合物的矽烷溶液及含有該式(II)之矽烷化合物的矽烷溶液中而獲得，或是使該經處理聚醯亞胺層浸置於含有該式(I)與該式(II)之矽烷化合物的矽烷溶液中而獲得。更佳地，該步驟(2)的經覆蓋聚醯亞胺層是使該經處理聚醯亞胺層先浸置於該含有該式(II)之矽烷化合物的矽烷溶液中，再浸置於含有該式(I)之矽烷化合物的矽烷溶液中所獲得。
需說明的是，前述各種矽烷溶液中所使用的溶劑並無特別限制，只要是能溶解該式(I)與該式(II)之矽烷化合物的溶劑即可。該溶劑例如但不限於乙醇。
更佳地，前述含有該式(I)之矽烷化合物的矽烷溶液之濃度範圍為0.5~1.5 %(v/v)。
更佳地，前述含有該式(II)之矽烷化合物的矽烷溶液之濃度範圍為0.5~1.5 %(v/v)。
更佳地，前述含有該式(I)與該式(II)之矽烷化合物的矽烷溶液中，該式(I)之矽烷化合物的濃度範圍為0.4~0.6%(v/v)，該式(II)之矽烷化合物的濃度範圍為0.4~0.6%(v/v)。
更佳地，該步驟(2)的經覆蓋聚醯亞胺層是使該經處理聚醯亞胺層分別浸置於含有該式(I)之矽烷化合物的矽烷溶液中10~30分鐘及含有該式(II)之矽烷化合物的矽烷溶液中10~30分鐘而獲得。
更佳地，該步驟(2)的經覆蓋聚醯亞胺層是使該經處理聚醯亞胺層浸置於含有該式(I)與該式(II)之矽烷化合物的矽烷溶液中10~30分鐘而獲得。
較佳地，該步驟(2)是於室溫下使該經處理聚醯亞胺層浸置於矽烷溶液中。更佳地，該步驟(2)是於15~35℃下使該經處理聚醯亞胺層浸置於矽烷溶液中。
＜ 步驟 (3)＞
該步驟(3)為烘烤該經覆蓋聚醯亞胺層，得到該改質聚醯亞胺層。
需說明的是，本步驟(3)的烘烤是為了使該式(I)及該式(II)之矽烷化合物能分別與聚醯亞胺層上所分布的羥基反應，以形成矽氧共價鍵(Si－O)。因此，該烘烤的溫度並無特別限制，只要是能達成前述形成矽氧共價鍵之目地的烘烤溫度即可。
較佳地，該步驟(3)是於50~200℃下進行烘烤。更佳地，該步驟(3)是於60~100℃下進行烘烤。又更佳地，該步驟(3)是於70~90℃下進行烘烤。
[ 電路板的製備方法 ]
本發明電路板的製備方法包含步驟(1)至(4)，而該步驟(1)至(3)與前述[電路板]中所述的步驟(1)至(3)相同。以下再針對該步驟(4)進行詳細說明。
＜ 步驟 (4)＞
該步驟(4)是於該改質聚醯亞胺層上形成一金屬層，得到該電路板。
前述於該改質聚醯亞胺層上形成該金屬層的方法可為現有任何能於聚醯亞胺上形成金屬的方法，其方法例如但不限於是利用化學鍍(無電電鍍)方法或電鍍方法。
較佳地，該步驟(4)於該改質聚醯亞胺層上形成一金屬層的方法是由下列步驟所完成： (4-1) 使多個奈米鈀粒子分布於該改質聚醯亞胺層表面上，得到一沉積鈀觸媒的改質聚醯亞胺層；及 (4-2) 利用化學鍍方法使該沉積鈀觸媒的改質聚醯亞胺層表面上形成一金屬層，得到該電路板。
更佳地，該步驟(4-1)的該等奈米鈀粒子的平均粒徑範圍為4~6 nm。
更佳地，該步驟(4-1)的該等奈米鈀粒子是被高分子聚合物所包覆。特別值得一提的是，該等奈米鈀粒子於後續的化學鍍中是作為催化劑，因此通過高分子聚合物包覆該等奈米鈀粒子能防止該等奈米鈀粒子發生團聚，進而能提升其催化的表面積，更利於化學鍍的進行。
需說明的是，前述高分子聚合物可為任何能用於包覆奈米鈀粒子的聚合物。該高分子聚合物例如但不限於是聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone；PVP)。又更佳地，該高分子聚合物的分子量為7000~9000 g/mol。
更佳地，該步驟(4-2)是於32~40℃下進行化學鍍。又更佳地，是於34~38℃下進行化學鍍。
更佳地，於該步驟(4-2)後還包含一利用電鍍方法使該電路板上再形成一金屬層的步驟(4-3)。
又更佳地，該步驟(4-3)是於24~32℃下進行電鍍。又更佳地，是於26~30℃下進行電鍍。
本發明將就以下實施例來作進一步說明，但應瞭解的是，該實施例僅為例示說明，而不應被解釋為本發明實施的限制。
＜ 實施例 1~2＞
製備電路板 ( 先浸置於 ETAS 溶液，再浸置於 TEP 溶液 )
實施例1~2的電路板是依據下列步驟所製得： 步驟 (1)- 氧氣電漿處理：以氧氣電漿處理一聚醯亞胺層(聚醯亞胺基板)的表面，得到一表面分布有多個羥基之經處理聚醯亞胺層。其中，該電漿系統的功率設定為100 W，氧氣流率為10 sccm，表面處理時間為5分鐘。 步驟 (2)- 覆蓋包含矽烷化合物的材料：於室溫下，先使該經處理聚醯亞胺層浸置於濃度為1 %(v/v)之3-[2-(2-胺基乙基胺基)乙基胺基]丙基三甲氧基矽烷(ETAS)溶液(溶劑為無水酒精)中30分鐘，再浸置於濃度為1 %(v/v)之3-[(三甲基矽基)乙炔基]吡啶(TEP)溶液(溶劑為無水酒精)中後，得到一經覆蓋聚醯亞胺層。其中，實施例1浸置於該TEP溶液中的時間為10分鐘，實施例2浸置於該TEP溶液中的時間為20分鐘。 步驟 (3)- 烘烤：使該經覆蓋聚醯亞胺層置於烘烤溫度為80℃的烘箱中進行烘烤1小時後，得到一改質聚醯亞胺層。 需特別說明的是，本烘烤步驟能使覆蓋在聚醯亞胺層表面的ETAS及TEP分別與分布在聚醯亞胺層表面的羥基形成矽氧共價鍵(Si－O)。 步驟 (4-1)- 沉 積鈀觸媒：將該改質聚醯亞胺層在室溫下浸置於聚乙烯吡咯烷酮(PVP)包覆奈米鈀粒子的溶液中5分鐘，得到一沉積鈀觸媒的改質聚醯亞胺層。其中，奈米鈀粒子的平均粒徑為5 nm。 該PVP包覆奈米鈀粒子的溶液之配置方法如下：先將0.285 g的PVP (M.W.=8000 g/mol)溶解在44 mL的去離子水中，得到PVP溶液，再將0.329 g的Pd(NO 3) 2∙2H 2O溶解在該PVP溶液中，得到含鈀PVP溶液，此時該含鈀PVP溶液呈褐色。接著，先加入1 mL甲醛(還原劑)至該含鈀PVP溶液中，再緩緩加入5 mL濃度為1 N之NaCO 3水溶液，此時溶液的顏色會由褐色轉黑色，再以磁石進行攪拌15分鐘後，即得到該PVP包覆奈米鈀粒子的溶液。 步驟 (4-2)- 化學鍍 ( 無電電鍍 ) 銅沉積：將該沉積鈀觸媒的改質聚醯亞胺層浸置於36℃化學鍍銅鍍液(廠商:台灣上村；型號:Thru-Cup PBS)中20分鐘後，得到一於該改質聚醯亞胺層上沉積厚度約1~2 µm銅層的粗製電路板。 步驟 (4-3)- 電鍍銅沉積：使該粗製電路板浸置於電鍍銅鍍液中，並於28℃下進行電鍍35分鐘後，得到實施例1~2的電路板，而該實施例1~2的電路板是分別於該粗製電路板的銅層上再沉積厚度約25 µm的銅。 前述電鍍所使用的陽極為磷銅片，陰極為該粗製電路板，且電鍍過程中的電流密度設定為32 ASF，此外，電鍍所使用之電鍍槽是以下述方法設置：於一哈林槽內倒入400 mL含有CuSO 4∙5H 2O(濃度為0.88 M)與H 2SO 4(濃度為0.54 M)的電鍍液，並以冷凝管維持該電鍍液溫度於28℃，接著進行恆溫曝氣30分鐘(空氣的流量為7.5 L/min)，隨後再添加0.4 mL之60 ppm的氯離子水溶液與0.4 mL之0.2 ppm的3-巰基-1-丙磺酸鈉(3-mercapto-1-propanesulfonic acid sodium salt；MPS)水溶液至電鍍液中後，完成該電鍍槽的設置。
＜ 實施例 3~5＞
製備電路板 ( 先浸置於 TEP 溶液，再浸置於 ETAS 溶液 )
實施例3~5之電路板的製備方法與該實施例1~2類似，其差別在於，實施例3~5的該步驟(2)是依據下列方法完成：於室溫下，先使該經處理聚醯亞胺層浸置於濃度為1 %(v/v)之TEP溶液(溶劑為無水酒精)中，再浸置於濃度為1 %(v/v)之ETAS溶液(溶劑為無水酒精)中30分鐘後，得到一經覆蓋聚醯亞胺層。其中，實施例3浸置於該TEP溶液中的時間為10分鐘，實施例4浸置於該TEP溶液中的時間為20分鐘，實施例5浸置於該TEP溶液中的時間為30分鐘。
＜ 實施例 6＞
製備電路板 ( 浸置於 含有 TEP 與 ETAS 的矽烷溶液 )
實施例6之電路板的製備方法與該實施例1~2類似，其差別在於，實施例6的該步驟(2)是依據下列方法完成：於室溫下，使該經處理聚醯亞胺層浸置於含有TEP與ETAS的矽烷溶液(溶劑為無水酒精)中30分鐘後，得到一經覆蓋聚醯亞胺層。其中，該含有TEP與ETAS的矽烷溶液中，TEP與ETAS的濃度分別為0.5%(v/v)。
＜ 比較例 1＞
製備電路板 ( 僅浸置 ETAS 溶液 )
比較例1之電路板的製備方法與該實施例1~2類似，其差別在於，比較例1的該步驟(2)是依據下列方法完成：於室溫下，使該經處理聚醯亞胺層浸置於濃度為1 %(v/v)之ETAS溶液(溶劑為無水酒精)中30分鐘後，得到一經覆蓋聚醯亞胺層。
＜ 比較例 2＞
製備電路板 ( 僅浸置 TEP 溶液 )
比較例2之電路板的製備方法與該實施例1~2類似，其差別在於，比較例2的該步驟(2)是依據下列方法完成：於室溫下，使該經處理聚醯亞胺層浸置於濃度為1 %(v/v)之TEP溶液(溶劑為無水酒精)中30分鐘後，得到一經覆蓋聚醯亞胺層。
＜ 銅層的表面沉積情況 ＞
以目視法觀察實施例1~6與比較例1~2之電路板，其銅層在該改質聚醯亞胺層表面的沉積情況後發現，該步驟(2)僅浸置TEP溶液的比較例2，其改質聚醯亞胺層表面僅能少部分沉積銅，無法達到全面沉積銅的效果，說明本發明該步驟(2)覆蓋於該聚醯亞胺層上的材料若僅包含該式(II)所示的矽烷化合物(TEP)時，雖然吡啶基上的氮原子可以提供金屬化的能力，但可能因為數量較少，故無法於該改質聚醯亞胺層表面上形成完整的金屬層(銅層)，這也表示TEP的主要功能是在改善ETAS的分散性，而金屬化的部分則由ETAS所負責。
＜ 銅層剝離強度 (peeling strength) 測試 ＞ A. 測試方法：本實驗是依據IPC-TM-650測試方法對實施例1~6與比較例1的電路板進行銅層剝離強度測試。其中，電路板是置於一水平載台，並控制銅層測試寬度為5 mm，且是以90度垂直撕開方式測量銅層的剝離強度(撕開速度為51 mm/分鐘)。而實施例1~6與比較例1之銅層被剝離的距離與剝離強度的變化關係如圖1(比較例1)、圖2(實施例1~2)、圖3(實施例3~5)與圖4(實施例6)所示。此外，實施例1~6與比較例1之步驟(2)的浸置方法與浸置時間、最大剝離強度、最小剝離強度及平均剝離強度整理於下表1中。需特別說明的是，由於儀器剛開始剝離銅層時可能不穩定，而剝離過程快結束時，也可能會因銅層形變而產生誤差，因此，下表1中所列的最大剝離強度、最小剝離強度及平均剝離強度為扣除開始後5 mm與結束前5 mm之剝離過程間的最大剝離強度、最小剝離強度及平均剝離強度。                                           表1
  步驟 (2) 的浸置方法 最大剝離強度 * (kgf/cm) 最小剝離強度 * (kgf/cm) 平均剝離強度 (kgf/cm)
比較例 1 僅浸置ETAS溶液 30分鐘 0.81 0.27 0.51
實施例 1 先浸置ETAS溶液30分鐘 後浸置TEP溶液 10分鐘 0.85 0.61 0.74
實施例 2 後浸置TEP溶液20分鐘 0.75 0.60 0.68
實施例 3 先浸置TEP溶液 10分鐘 後浸置ETAS溶液30分鐘 1.20 0.70 0.90
實施例 4 先浸置TEP溶液 20分鐘 0.80 0.46 0.62
實施例 5 先浸置TEP溶液 30分鐘 1.10 0.49 0.69
實施例 6 僅浸置含有TEP與ETAS的矽烷溶液 30分鐘 0.95 0.56 0.72
B. 結果與討論：需先說明的是，當剝離強度越強表示該銅層的抗撕能力越高，也就是該改質聚醯亞胺層與該銅層間的吸附力越強。 而由表1的平均剝離強度結果可知，相較於該步驟(2)僅浸置ETAS溶液的比較例1，該步驟(2)分別浸置ETAS溶液與TEP溶液、或浸置含有TEP與ETAS的矽烷溶液之實施例1~6會有較高的平均剝離強度(即該改質聚醯亞胺層與該銅層間的平均吸附力較強)，說明本發明該步驟(2)覆蓋於該聚醯亞胺層上的材料若僅包含該式(I)所示的矽烷化合物(ETAS)時，並無法有效提升該電路板之該改質聚醯亞胺層與該銅層間的吸附力，但當該步驟(2)覆蓋於該聚醯亞胺層上的材料除了包含該式(I)所示的矽烷化合物(ETAS)外，還同時包含該式(II)所示的矽烷化合物(TEP)時，則能有效提升該電路板之該改質聚醯亞胺層與該銅層間的吸附力。
綜上所述，由於本發明該步驟(2)覆蓋於該聚醯亞胺層上的材料同時包含該式(I)與該式(II)所示的矽烷化合物，因而本發明電路板之該金屬層與該改質聚醯亞胺層間的吸附力能有效被提升，故確實能達成本發明的目的。
惟以上所述者，僅為本發明的實施例而已，當不能以此限定本發明實施的範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍內。
本發明的其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中： 　圖1~4分別是一曲線圖，分別說明比較例1(圖1)、實施例1~2(圖2)、實施例3~5(圖3)及實施例6(圖4)之銅層被剝離的距離與剝離強度的變化關係。
Figure 01_image001
Figure 01_image003

Claims (9)

  1. 一種電路板的製備方法，包含下列步驟：(1)以氧氣電漿處理一聚醯亞胺層的表面，得到一經處理聚醯亞胺層；(2)於該經處理聚醯亞胺層表面覆蓋一材料並得到一經覆蓋聚醯亞胺層，該材料包含下式(I)與式(II)所示的矽烷化合物，
    Figure 107126432-A0305-02-0020-1
     R1為C1~C2烷基，X為C1~C9伸烷基或-(CH2)2NH(CH2)2NH(CH2)3-，G1為胺基或巰基，
    Figure 107126432-A0305-02-0020-2
     R2為C1~C2烷基或C1~C2烷氧基，Y為單鍵、C1~C2伸烷基、伸乙烯基或伸乙炔基，G2為苯基或吡啶基；及(3)烘烤該經覆蓋聚醯亞胺層，得到該改質聚醯亞胺層；及(4)於該改質聚醯亞胺層上形成一金屬層，得到該電路板，該電路板包含該改質聚醯亞胺層及位在該改質聚醯亞胺層上的金屬層。
  2. 如請求項1所述的電路板的製備方法，其中，在該步驟(2)中，該式(II)的Y為單鍵或伸乙炔基。
  3. 如請求項2所述的電路板的製備方法，其中，在該步驟(2)中，該式(II)的矽烷化合物是選自於3-[(三甲基矽基)乙炔基]吡啶、三甲氧基苯基矽烷或前述的組合。
  4. 如請求項1所述的電路板的製備方法，其中，在該步驟(2)中，該式(I)的X為C2~C4伸烷基或-(CH2)2NH(CH2)2NH(CH2)3-。
  5. 如請求項4所述的電路板的製備方法，其中，在該步驟(2)中，該式(I)的矽烷化合物是選自於(3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(3-胺基丙基)三乙氧基矽烷、(3-巰丙基)三甲氧基矽烷、(3-巰丙基)三乙氧基矽烷、3-[2-(2-胺基乙基胺基)乙基胺基]丙基三甲氧基矽烷或前述的組合。
  6. 如請求項1所述的電路板的製備方法，其中，該步驟(3)是於50~200℃下進行烘烤。
  7. 如請求項1所述的電路板的製備方法，其中，該步驟(2)的經覆蓋聚醯亞胺層是使該經處理聚醯亞胺層分別浸置於含有該式(I)之矽烷化合物的矽烷溶液及含有該式(II)之矽烷化合物的矽烷溶液中而獲得，或是使該經處理聚醯亞胺層浸置於含有該式(I)與該式(II)之矽烷化合物的矽烷溶液中而獲得。
  8. 如請求項7所述的電路板的製備方法，其中，該步驟(2)的經覆蓋聚醯亞胺層是使該經處理聚醯亞胺層先浸置於含有該式(II)之矽烷化合物的矽烷溶液中，再浸置於含有該式(I)之矽烷化合物的矽烷溶液中所獲得。
  9. 如請求項1所述的電路板的製備方法，其中，該金屬層含 有銅。
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