JP2021014589A - 配向助剤を使用した液晶組成物及び液晶表示素子、およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の課題は、ＰＩ層を設けなくとも液晶分子の配向を可能にすることができる液晶組成物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、電圧保持率及び信頼性に優れる液晶組成物、及び該液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供することにある。【解決手段】メソゲン基、及び前記メソゲン基に結合した光異性化基又は二量化基を含む化合物（ｉ）、誘電的に中性の化合物を含有し、必要に応じ誘電的に正及び負の化合物から選ばれる化合物を含有するネマチック液晶組成物を提供することにより上記課題を解決した。【選択図】なし

Description

本発明は、配向助剤を使用した液晶組成物、及び液晶表示素子およびその製造方法に関する。

液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、プリンター、コンピューター、テレビ、時計、広告表示板等に用いられている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いた垂直配向型やＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型等がある。これらの液晶表示素子に用いられる液晶組成物は水分、空気、熱、光などの外的刺激に対して安定であること、また、室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、低粘性であり、かつ駆動電圧が低いことが求められる。

さらに液晶組成物は個々の表示素子にとって誘電率異方性（Δε）又は及び屈折率異方性（Δｎ）等を最適な値とするために、数種類から数十種類の化合物から構成されている。

垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型ディスプレイではΔεが負の液晶組成物が用いられており、ＴＮ型、ＳＴＮ型又はＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型等の水平配向型ディスプレイではΔεが正の液晶組成物が用いられている。また、Δεが正の液晶組成物を電圧無印加時に垂直に配向させ、横電界を印加する事で表示する駆動方式も報告されており、Δεが正の液晶組成物の必要性はさらに高まっている。

一方、全ての駆動方式において低電圧駆動、高速応答、広い動作温度範囲が求められている。すなわち、Δεが正で絶対値が大きく、粘度（η）が小さく、高いネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）が要求されている。また、Δｎとセルギャップ（ｄ）との積であるΔｎ×ｄの設定から、液晶組成物のΔｎをセルギャップに合わせて適当な範囲に調節する必要がある。加えて液晶表示素子をテレビ等へ応用する場合においては高速応答性が重視されるため、回転粘性（γ１）の小さい液晶組成物が要求される。

高速応答性を志向した液晶組成物の構成として、例えば、Δεが正の液晶化合物である式（Ａ−１）、（Ａ−２）や（Ａ−３）で表される化合物、及びΔεが中性の液晶化合物である（Ｂ）を組み合わせて使用した液晶組成物の開示がされている

一方で、液晶表示素子の用途が拡大するに至り、その使用方法、製造方法にも大きな変化が見られる。これらの変化に対応するためには、従来知られているような基本的な物性値以外の特性を最適化することが求められるようになった。すなわち、液晶組成物を使用する液晶表示素子はＶＡ型やＩＰＳ型等が広く使用されるに至り、その大きさも５０型以上の超大型サイズの表示素子が実用化されるに至り使用されるようになった。基板サイズの大型化に伴い、液晶組成物の基板への注入方法も従来の真空注入法から滴下注入（ＯＤＦ:Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）法が注入方法の主流となったが、液晶組成物を基板に滴下した際の滴下痕が表示品位の低下を招く問題が表面化するに至った。

さらに、ＯＤＦ法による液晶表示素子製造工程においては、液晶表示素子のサイズに応じて最適な液晶注入量を滴下する必要がある。注入量のずれが最適値から大きくなると、あらかじめ設計された液晶表示素子の屈折率や駆動電界のバランスが崩れ、斑発生やコントラスト不良などの表示不良が生じる。特に、最近流行しているスマートフォンに多用される小型液晶表示素子は、最適な液晶組成物の注入量が少ないために最適値からのずれを一定範囲内に制御すること自体が難しい。従って、液晶表示素子の歩留まり高く保持するために、例えば、液晶滴下時に生じる滴下装置内の急激な圧力変化や衝撃に対する影響が少なく、長時間にわたって安定的に液晶を滴下し続けることが可能な性能も必要である。

現在スマートフォン用の液晶ディスプレイとしては、高品位であり、視覚特性に優れるＩＰＳモードの液晶表示素子の一種であるフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｍｏｄｅ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＦＦＳモード液晶表示装置）が広く用いられているＦＦＳモードは、ＩＰＳモードの低い開口率及び透過率を改善するため導入された方式であり、用いられている液晶組成物としては、低電圧化がし易いことから誘電率異方性が正のｐ型液晶組成物を用いた材料が広く用いられている。また、ＦＦＳモードの用途の大部分が携帯端末であるため、さらなる省電力化の要求は強く液晶素子メーカはＩＧＺＯを用いたアレイの採用等盛んな開発が続いている。

従来の液晶表示素子には、電圧無印加時に液晶分子の均一配向を得るために、液晶組成物と接する基板界面に、ポリイミド配向膜（ＰＩ）層が設けられていた。

しかし、ＰＩ層の製膜には多大なコストを要するため、ＰＩ層を省きつつも、液晶分子の配向を実現するための方法が検討されている。また、液晶表示素子として、透過率の向上、意匠性の向上なども検討されている。

すでに、ＰＩ層を有さない液晶表示素子は、VA型の液晶表示素子において、多数の研究開発がなされているが、ＩＰＳ方式、ＦＦＳ方式などに代表されるような水平配向性を自発的に誘起する素子における検討例はほとんどない。

例えば特許文献１には、負の誘電異方性を有する極性化合物の混合物を基礎とし、少なくとも１種類の自発配向性添加剤を含有することを特徴とする液晶媒体が開示され、この液晶媒体が配向層を有さないディスプレイにおける使用に高度に適している旨が記載されている。そして、特許文献１では、ＶＡ方式の液晶ディスプレイにおいて自発配向性添加剤として、水酸基を有する特定の化合物が用いられている。

また特許文献２では、自発配向性添加剤として重合性基を有する特定の化合物が開示されている。

一方、ＩＰＳ方式、ＦＦＳ方式の液晶ディスプレイにおいても配向膜を不要とする配向性添加剤が求められている。そのために、液晶分子を水平に配向させる配向性添加剤が必要である。

特表２０１４−５２４９５１号公報 特開２０１５−１６８８２６号公報

本発明の課題は、ＰＩ層を設けなくとも液晶分子の配向を可能にすることができる液晶組成物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、電圧保持率及び信頼性に優れる液晶組成物、及び該液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供することにある。

併せて、当該液晶表示素子の製造方法を提供する。

本願発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討し、素子の両面又は片面にPI層を有さないＩＰＳ及びＦＦＳモードなどの液晶表示素子に最適な種々の液晶組成物の構成を検討した結果、本願発明の完成に至った。

本発明は、メソゲン基、及び前記メソゲン基に結合した光異性化基又は二量化基を含む化合物（ｉ）を１種又は２種以上を含有し、
誘電的に中性の化合物を１種又は２種以上含有し、
誘電的に正及び負の化合物から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有するネマチック液晶組成物を提供する。

また、本発明は、後述する一般式（ｉ）で表される化合物を１種又は２種以上含有する液晶組成物及び該液晶組成物を含有する液晶表示素子を提供する。

また、本発明は、後述する一般式（ｉ）で表される化合物を１種又は２種以上含有する液晶組成物及び該液晶組成物を含有する液晶表示素子の製造方法を提供する。

本発明によれば、保存性に優れ、且つ、素子の両面又は片面にＰＩ層を設けなくとも液晶分子の均一な水平配向を可能であり、かつ電圧保持率および信頼性に優れた液晶組成物、及び該液晶組成物を用いた液晶表示素子の提供が可能となる。

液晶表示素子の構成を模式的に示す図 電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図 ＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図 液晶の配向方向を模式的に示す図 電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図の他の例 ＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図の他の例 ＦＦＳ型表示素子の電極構造を示す図

本発明の組成物は、室温（２５℃）において液晶相を呈することが好ましく、ネマチック相を呈することが更に好ましい。また、本発明の組成物は誘電的にほぼ中性の化合物（Δεの値が−２〜２）及び正の化合物（Δεの値が２より大きい）を含有する。尚、化合物の誘電率異方性は、２５℃において誘電的にほぼ中性の組成物に添加して調製した組成物の誘電率異方性の測定値から外挿した値である。なお、以下含有量を％で記載するが、これは質量％を意味する。

本実施形態における液晶組成物は第一成分として、メソゲン基、および前記メソゲンに結合した光異性化基又は二量化基を含む化合物（ｉ）
を１種又は２種以上を含有し、
第二成分として誘電的に中性の化合物を含有し、
第三成分として誘電的に正及び/または負の化合物を含有する
ネマチック液晶組成物である。

本発明の液晶組成物における化合物（ｉ）は、メソゲン長軸方向に光異性化基又は二量化基の部分構造を有することを特徴としている。これにより、本発明における液晶組成物に光照射時をした際に、吸収および光反応がメソゲンに対して平行な向きを向いている分子のみが相対的に反応し、選択的な光異性化又は光二量化反応が促進される。これらの反応を繰り返すことにより、結果的に系全体の液晶組成物の配向軸を一義的に決定される。すなわち、化合物（ｉ）の分子構造が配向軸を決定する駆動力となる。

したがって、本実施形態の化合物（ｉ）を用いた液晶組成物によれば、素子の両面又は片面にＰＩ層を設けなくとも液晶分子を配向させる（電圧無印加時における液晶分子の均一水平配向を実現する）ことが可能となる。このように、一般式（ｉ）で表される化合物は、液晶組成物における液晶分子の水平配向を助けるために好適に使用される。

光異性化又は光二量化反応基は、下記（Ｚ3−1）〜（Z３−5）のいずれかであることが好ましい。式中、黒丸は両端の黒点は結合手を表す。

偏光を照射することにより偏光方向に沿った二量化、又は異性化を起こし、液晶分子を水平配向させた状態で保持することができる。したがって、本実施形態の化合物を用いた液晶組成物によれば、素子の両面又は片面にＰＩ層を設けなくとも液晶分子を配向させ、電圧印加によるスイッチングが可能となる。このように、一般式（ｉ）で表される化合物は、液晶組成物における液晶分子の配向を助けるために好適に使用される。使用する偏光の波長として３６５ｎｍを主に使用する場合は、（Ｚ３−１）、（Ｚ３−３）、（Ｚ３−５）が好ましく、３１３ｎｍの波長は使用する場合は、（Ｚ３−１）、（Ｚ３−２）、（Ｚ３−４）が好ましく、配向安定性、及び信頼性の面で（Ｚ３−１）、及び（Ｚ３−２）がより好ましい。

液晶組成物との相溶性、合成上の簡便性などの観点から（Z３-1）、（Z３-2）、（Z３-4）が好ましく、耐久性の観点から（Z３−1）、（Z３−2）、（Z３−3）が好ましい。

また、反応速度及び水平配向性の観点から、上記光異性化又は光二量化反応基部位は、少なくとも芳香族部位と隣接して結合していることが好ましい。一方で、液晶との相溶性の観点からは脂肪族基が隣接していることが好ましい。実際に使用する場合には、上記を適宜バランスよく使い分けることが好ましく、異なる光異性化又は光二量化反応基を同一の化合物に有してもよいし、それぞれ構造のことなる光異性化又は光二量化反応基を有する化合物を複数以上併用しても良い。

メソゲン基は、剛直な部分を備えた基、例えば環式基を１つ以上備えた基をいい、環式基を２〜４個を備えた基が好ましく、環式基を３〜４個を備えた基がより好ましい。なお、必要に応じて、環式基は、連結基で連結されてもよい。メソゲン基は、液晶層に使用される液晶分子（液晶化合物）と類似の骨格を有することが好ましい。

なお、本明細書中において、「環式基」は、構成する原子が環状に結合した原子団をいい、炭素環、複素環、飽和又は不飽和環式構造、単環、２環式構造、多環式構造、芳香族、非芳香族などを含む。

また、環式基は、少なくとも１つのヘテロ原子を含んでもよく、さらに、少なくとも１つの置換基（ハロゲノ基、重合性基、有機基（アルキル、アルコキシ、アリール等）で置換されてもよい。環式基が単環である場合には、メソゲン基は、２個以上の単環を含んでいることが好ましい。

上記メソゲン基は、例えば、一般式（ＡＬ）で表されることが好ましい。

式中、Ｚ^ＡＬ１は、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−又は炭素原子数１〜２０のアルキレン基を表す。ただし、アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。

Ａ^ＡＬ１及びＡ^ＡＬ２は、それぞれ独立して、２価の環式基を表す。

Ｚ^ＡＬ１、Ａ^ＡＬ１及びＡ^ＡＬ２中の１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立して、ハロゲノ基、吸着基、重合基又は１価の有機基で置換されてもよく、
なお、分子内にＺ^ＡＬ１及びＡ^ＡＬ１が複数存在する場合に、それぞれ互いに同一であっても異なってもよい。

ｍ^ＡＬ１は、１〜５の整数を表す。

一般式（ＡＬ）中、Ｚ^ＡＬ１は、単結合又は炭素原子数２〜２０のアルキレン基であることが好ましく、単結合又は炭素原子数２〜１０のアルキレン基であることがより好ましく、単結合、−（ＣＨ_２）_２−又は−（ＣＨ_２）_４−であることがさらに好ましい。アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。

さらに、棒状分子の直線性を高めることを目的とする場合は、Ｚ^ＡＬ１は、環と環とが直接連結した形態である単結合や、環と環とを直接結ぶ原子の数が偶数個の形態が好ましい。例えば、−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−の場合、環と環とを直接結ぶ原子の数は４つである。

一般式（ＡＬ）中、Ａ^ＡＬ１及びＡ^ＡＬ２は、それぞれ独立して、２価の環式基を表す。２価の環式基としては、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基、１，４−ビシクロ（２，２，２）オクチレン基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基−、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基、フェナントレン−２，７−ジイル基、９，１０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，２，３，４，４ａ，９，１０ａ−オクタヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，４−ナフチレン基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジチオフェン−２，６−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジセレノフェン−２，６−ジイル基、［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，７−ジイル基、［１］ベンゾセレノフェノ［３，２−ｂ］セレノフェン−２，７−ジイル基及びフルオレン−２，７−ジイル基からなる群から選択される１種であることが好ましく、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、２，６−ナフチレン基又はフェナントレン−２，７−ジイル基がより好ましく、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基であることがさらに好ましい。

なお、これらの基は、非置換又は置換基で置換されてもよい。この置換基としては、フッ素原子又は炭素原子数１〜８のアルキル基であることが好ましい。さらに、アルキル基は、フッ素原子又は水酸基で置換されてもよい。

また、環式基中の１個又は２個以上の水素原子は、ハロゲノ基、吸着基、重合基又は１価の有機基で置換されてもよい。

一般式（ＡＬ）中、１価の有機基とは、有機化合物が１価の基の形態になることによって、化学構造が構成された基であり、有機化合物から水素原子を１つ取り除いてなる原子団をいう。

かかる１価の有機基としては、例えば、炭素原子数１〜１５のアルキル基、炭素原子数２〜１５のアルケニル基、炭素原子数１〜１４のアルコキシ基、炭素原子数２〜１５のアルケニルオキシ基などが挙げられ、炭素原子数１〜１５のアルキル基又は炭素原子数１〜１４のアルコキシ基であることが好ましく、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基であることがより好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることがさらに好ましく、炭素原子数１〜３のアルキル基又は炭素原子数１〜２のアルコキシ基であることが特に好ましく、炭素原子数１又は２のアルキル基又は炭素原子数１のアルコキシ基であることが最も好ましい。

また、上記アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。さらには、上記１価の有機基は、後述の配向誘導基としての役割を有してもよい。

上記一般式（ＡＬ）中、ｍ^ＡＬ１は、１〜４の整数であることが好ましく、１〜３の整数であることがより好ましく、２又は３であることがさらに好ましい。

上記メソゲン基の好ましい形態としては、下記式（ｍｅ−１）〜（ｍｅ−４４）が挙げられる。

一般式（ＡＬ）は、これらの化合物から２個の水素原子が脱離した構造である。

これらの式（ｍｅ−１）〜（ｍｅ−４４）において、シクロヘキサン環、ベンゼン環又はナフタレン環中の１つ又は２つ以上の水素原子は、それぞれ独立して、ハロゲノ基、重合基、１価の有機基（例えば、炭素原子数１〜１５のアルキル基、炭素原子数１〜１４のアルコキシ基）、吸着基又は配向誘導基で置換されてもよい。

上記メソゲン基のうち、好ましい形態は、式（ｍｅ−８）〜（ｍｅ−４４）であり、より好ましい形態は、式（ｍｅ−８）〜（ｍｅ−１０）、式（ｍｅ−１２）〜（ｍｅ−１８）、式（ｍｅ−２２）〜（ｍｅ−２４）、式（ｍｅ−２６）〜（ｍｅ−２７）及び式（ｍｅ−２９）〜（ｍｅ−４４）であり、さらに好ましい形態は、式（ｍｅ−１２）、（ｍｅ−１５）〜（ｍｅ−１６）、（ｍｅ−２２）〜（ｍｅ−２４）、（ｍｅ−２９）、（ｍｅ−３４）、（ｍｅ−３６）〜（ｍｅ−３７）、（ｍｅ−４２）〜（ｍｅ−４４）である。
一般式（ｉ）で表される化合物は、重合基を有することが好ましい。化合物内に重合基を有することにより、前記に記載した光異性化反応、および光二量化反応の他に重合反応が進行し、基板近傍に重合体を形成することができる。これにより、水平配向性の安定性および耐久性の確保が可能となる。

重合基はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−であることが好ましい。ここで、Ｐ^ｉ１は、重合性基を表し、以下の一般式（P−１）〜一般式（P−１5）で表される群より選ばれる置換基を表し（式中、右端の黒点は結合手を表す。）、取り扱いの簡便性、反応性の点から、式（P−１）〜（P−３）、（P−１４）、（Ｐ−１５）のいずれかの置換基が好ましく、式（P−１）、（P−２）が、さらに好ましい。前記

前記Ｓｐ^ｉ１はスペーサー基を表し、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＯＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２―ＣＨ_２−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）―ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、又は炭素原子数２〜２０のアルキレン基を表し、このアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。

さらに、化合物（i）は、少なくとも１つの吸着基（Ｋ^ｉｌ）が結合してもよい。

吸着基（Ｋ^ｉｌ）は、分子構造における他の部位との相対性から、液晶組成物に用いられた際に、選択的に液晶組成物（液晶層）を挟持する基板に吸着することができる。このため、（Ｋ^ｉｌ）の結合する位置が重要であり、メソゲン部位の側方部分に結合させることにより、液晶分子を水平方向に配向させた状態で保持することができる。つまり、水平配向性の実現のためには、少なくとも１つの吸着基（Ｋ^ｉｌ）を有することが好ましい。
「吸着基」
吸着基は、基板、膜、電極など液晶組成物と当接する層である吸着媒と吸着する役割を備えた基である。

吸着は、一般的に、化学結合（共有結合、イオン結合又は金属結合）をつくって吸着媒と吸着質との間で吸着する化学吸着と、化学吸着以外の物理吸着とに分別される。本明細書中において、吸着は、化学吸着又は物理吸着のいずれでもよいが、物理吸着であることが好ましい。そのため、吸着基は、吸着媒と物理吸着可能な基であることが好ましく、分子間力により吸着媒と結合可能な基であることがより好ましい。

分子間力により吸着媒と結合する形態としては、永久双極子、永久四重極子、分散力、電荷移動力又は水素結合などの相互作用による形態が挙げられる。

吸着基の好ましい形態としては、水素結合により吸着媒と結合可能な形態が挙げられる。この場合、吸着基が水素結合を介在するプロトンのドナーおよびアクセプターのいずれの役割を果たしてもよく、若しくは双方の役割を果たしてもよい。

吸着基は、炭素原子とヘテロ原子とが連結した原子団を有する極性要素を含む基（以下、「吸着基」を「極性基」とも記載する。）であることが好ましい。本明細書中において、極性要素とは、炭素原子とヘテロ原子とが直接連結した原子団をいう。

ヘテロ原子としては、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｂ及びＳｉからなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましく、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群から選択される少なくとも１種であることがより好ましく、Ｎ及びＯからなる群から選択される少なくとも１種であることがさらに好ましく、Ｏであることが特に好ましい。

また、配向助剤において、極性要素の価数は、１価、２価、３価など特に制限されず、また吸着基中の極性要素の個数も特に制限されることはない。

配向助剤は、一分子中に１〜８個の吸着基を有することが好ましく、１〜４個の吸着基を有することがより好ましく、１〜３個の吸着基を有することがさらに好ましい。

なお、吸着基からは、重合性基及び配向誘導基を除くが、吸着基中の任意の水素原子がＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−で置換された構造及びＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−中の水素原子が−ＯＨなどで置換された構造は吸着基に含む。

吸着基は、１又は２以上の極性要素を含み、環式基型と鎖式基型とに大別される。

環式基型は、その構造中に極性要素を含む環状構造を備えた環式基を含む形態であり、鎖式基型は、その構造中に極性要素を含む環状構造を備えた環式基を含まない形態である。

鎖式基型は、直鎖又は分岐した鎖状基中に極性要素を有する形態であり、その一部に極性要素を含まない環状構造を有していてもよい。

環式基型の吸着基とは、少なくとも１つの極性要素を環状の原子配列内に含む構造を有する形態を意味する。

なお、本明細書中において、環式基とは、上述した通りである。そのため、環式基型の吸着基は、極性要素を含む環式基さえ含んでいればよく、吸着基全体としては分岐しても直鎖状であってもよい。

一方、鎖式基型の吸着基とは、分子内に極性要素を含む環状の原子配列を含まず、かつ少なくとも１つの極性要素を線状の原子配列（枝分かれしてもよい）内に含む構造を有する形態を意味する。

なお、本明細書中において、鎖式基とは、構造式中に環状の原子配列を含まず、構成する原子が線状（分岐してもよい）に結合した原子団をいい、非環式基をいう。換言すると、鎖式基とは、直鎖状又は分枝状の脂肪族基をいい、飽和結合又は不飽和結合のどちらを含んでもよい。

したがって、鎖式基には、例えば、アルキル、アルケニル、アルコキシ、エステル、エーテル又はケトンなどが含まれる。なお、これらの基中の水素原子は、少なくとも１つの置換基（反応性官能基（ビニル基、アクリル基、メタクリル基等）、鎖状有機基（アルキル、シアノ等））で置換されてもよい。また、鎖式基は、直鎖状又は分岐状のいずれでもよい。

環式基型の吸着基としては、炭素原子数３〜２０の複素芳香族基（縮合環を含む）又は炭素原子数３〜２０の複素脂環族基（縮合環を含む）であることが好ましく、炭素原子数３〜１２の複素芳香族基（縮合環を含む）又は炭素原子数３〜１２の複素脂環族基（縮合環を含む）であることがより好ましく、５員環の複素芳香族基、５員環の複素脂環族基、６員環の複素芳香族基又は６員環の複素脂環族基であることがさらに好ましい。なお、これらの環構造中の水素原子は、ハロゲノ基、炭素原子数１〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又はアルキルオキシ基で置換されてもよい。

鎖式基型の吸着基としては、構造内の水素原子や−ＣＨ_２−が極性要素で置換された直鎖状若しくは分岐状の炭素原子数１〜２０のアルキル基であることが好ましい。なお、アルキル基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。また、鎖式基型の吸着基は、その端部に１個又は２個以上の極性要素を含むことが好ましい。

吸着基中の水素原子は、重合性基で置換されてもよい。

極性要素の具体例としては、酸素原子を含む極性要素（以下、含酸素極性要素）、窒素原子を含む極性要素（以下、含窒素極性要素）、リン原子を含む極性要素（以下、含リン極性要素）、ホウ素原子を含む極性要素（以下、含ホウ素極性要素）、ケイ素原子を含む極性要素（以下、含ケイ素極性要素）又は硫黄原子を含む極性要素（以下、含硫黄極性要素）が挙げられる。吸着能の観点から、極性要素としては、含窒素極性要素、含窒素極性要素又は含酸素極性要素であることが好ましく、含酸素極性要素であることがより好ましい。

含酸素極性要素としては、水酸基、アルキロール基、アルコキシ基、ホルミル基、カルボキシル基、エーテル基、カルボニル基、カーボネート基及びエステル基からなる群から選択される少なくとも１種の基又は当該基が炭素原子に連結している基であることが好ましい。

含窒素極性要素としては、シアノ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、ピリジル基、カルバモイル基及びウレイド基からなる群から選択される少なくとも１種の基又は当該基が炭素原子に連結している基であることが好ましい。

含リン極性要素としては、ホスフィニル基及びリン酸基からなる群から選択される少なくとも１種の基又は当該基が炭素原子に連結している基であることが好ましい。

そのため、吸着基としては、含酸素極性要素を備えた環式基（以下、含酸素環式基）、含窒素極性要素を備えた環式基（以下、含窒素環式基）、含硫黄極性要素を備えた環式基（以下、含硫黄環式基）、含酸素極性要素を備えた鎖式基（以下、含酸素鎖式基）及び含窒素極性要素を備えた鎖式基（以下、含窒素鎖式基）からなる群から選択される１種又は２種以上の基自体または当該基を含むことが好ましく、吸着能の観点から含酸素環式基、含硫黄環式基、含酸素鎖式基及び含窒素鎖式基からなる群から選択される１種又は２種以上の基を含むことがより好ましい。

含酸素環式基としては、環構造内に酸素原子をエーテル基として有する下記の基のいずれかを含むことが好ましい。

また、含酸素環式基としては、環構造内に酸素原子をカルボニル基、カーボネート基及びエステル基として有する下記の基のいずれかを含むことが好ましい。

含窒素環式基としては、下記の基のいずれかを含むことが好ましい。

含酸素鎖式基としては、下記の基のいずれかを含むことが好ましい。

式中、Ｒ^ａｔ１は、水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。

Ｚ^ａｔ１は、単結合、炭素原子数１〜１５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基又は炭素原子数２〜１８の直鎖状若しくは分岐状のアルケニレン基を表す。ただし、アルキレン基又はアルケニレン基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−で置換されてもよい。

Ｘ^ａｔ１は、炭素原子数１〜１５のアルキル基を表す。ただし、アルキル基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−で置換されてもよい。ｍ^ａｔ１、ｍ^ａｔ2、ｍ^ａｔ3は、０〜５でをあらわす。

含窒素鎖式基としては、下記の基のいずれかを含むことが好ましい。

式中、Ｒ^ａｔ、Ｒ^ｂｔ、Ｒ^ｃｔ及びＲ^ｄｔは、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。ただし、アルキル基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−で置換されてもよい。

さらに好ましくは、前記化合物（ｉ）における前記吸着基（Ｋ^ｉｌ）は、下記一般式（Ｋ−１）〜（Ｋ−１８）のいずれかで表されることが好ましい。

から選ばれる基を表し、Ｗ^Ｋ１は、メチン基又は窒素原子を表すが、メチン基中の水素原子は炭素原子数１〜６の直鎖又は分岐のアルキル基で置換されてもよく、
Ｘ^Ｋ１及びＹ^Ｋ１はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−、酸素原子又は硫黄原子を表し、
Ｚ^Ｋ１は、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｕ^Ｋ１、Ｖ^Ｋ１及びＳ^Ｋ１は、それぞれ独立して、メチン基又は窒素原子を表し、Ｔ^Ｋ１は、それぞれ独立して一般式（Ｔ−1）〜（Ｔ−６）

から選ばれる基を表し、Ｓ^Ｔ１は、単結合、炭素原子数１〜１５個の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基又は炭素原子数２〜１８個の直鎖状若しくは分岐状のアルケニレン基を表し、当該アルキレン基又は当該アルケニレン基の−ＣＨ_２−は酸素原子が直接隣接しないように−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝ＣＨ_２）−又は−ＯＣＯ−に置換されてもよく、Ｒ^Ｔ１は、炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、当該アルキル基の−ＣＨ_２−は酸素原子が直接隣接しないように−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝ＣＨ_２）−又は−ＯＣＯ−に置換されてもよく、Ｒ^Ｔ２及びＲ^Ｔ３は、それぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、一般式（ｉ）で表される化合物は少なくとも一つのＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−基を有し、A、Ｃ、Ｄ、Z^１、Z^２、Z^３、Z^４、Ｋ^ｉ１、Ｗ^Ｋ１、Ｘ^Ｋ１、Ｙ^Ｋ１、Ｚ^Ｋ１、Ｔ^Ｋ１、Ｕ^Ｋ１、Ｖ^Ｋ１、Ｓ^Ｋ１、Ｓ^Ｔ１、Ｒ^Ｔ１、Ｒ^Ｔ２、Ｒ^Ｔ３、Ｐ^ｉ１及びＳｐ^ｉ１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていても良い。）
一般式（Ｋ−１）〜（Ｋ−１８）で表される部分構造としては、液晶の配向性を重要視する場合は、一般式（Ｋ−１）、（Ｋ−２）、（Ｋ−５）、（Ｋ−８）、（Ｋ−１１）、（Ｋ−１３）、（Ｋ−１４）、（Ｋ−１５）、（Ｋ−１７）、及び（Ｋ−１８）が好ましく、信頼性を重要視する場合は（Ｋ−１）、（Ｋ−９）、（Ｋ−１１）、（Ｋ−１３）、及び（Ｋ−１５）が好ましい。配向性と信頼性の両立を考えた場合に（Ｋ−１１）、（Ｋ−１３）及び（Ｋ−１５）がより好ましい。また（Ｋ−１３）〜（Ｋ−１８）においてＴ^Ｋ１は、一般式（Ｔ−１）、（Ｔ−３）及び（Ｔ−４）で表される基が好ましく、特に（Ｔ−１）及び（Ｔ−３）がより好ましい。一般式（Ｔ−３）中のＳ^Ｔ１は、単結合、炭素原子数１〜１０個の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基又は炭素原子数２〜１０個の直鎖状若しくは分岐状のアルケニレン基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜７の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素原子数２〜７の直鎖状若しくは分岐状のアルケニレン基が好ましく、炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基が好ましく、該アルキル基又はアルキレン基中の−ＣＨ_２−は酸素原子が直接隣接しないように−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−又は−Ｃ（＝ＣＨ_２）−で置換されていることが好ましい。一般式（Ｔ−３）中のＲ^Ｔ１は、直鎖状若しくは分岐状の炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、当該アルキル基の−ＣＨ_２−は酸素原子が直接隣接しないように−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝ＣＨ_２）−又は−ＯＣＯ−に置換されていることが好ましく、炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基が好ましい。一般式（Ｔ−３）中に、少なくとも２個以上の第二級炭素原子は−Ｃ（＝Ｏ）を含むことが好ましい。

一般式（Ｔ−６）中のＲ^Ｔ２及びＲ^Ｔ３は、それぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表すが、水素原子を表すことが好ましい。

一般式（Ｋ−１３）（Ｋ−１７）の好ましい例としては以下の（K−１−１）〜（K−１−４）、（Ｋ−３−１）、及び（Ｋ−５−１）が、配向性や反応性の点から好ましく、特に好ましくは式（K−１−１）、（K−１−３）、及び（K−３−１）が挙げられる。

（式中、Ｐ^ｉ１は重合性基を表し、Ｒ^Ｔ４、Ｒ^Ｔ５及びＲ^Ｔ６はそれぞれ独立して水素、炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ^Ｋ１は、水素原子、炭素原子数１〜６の直鎖又は分岐のアルキル基を表し該アルキル基中の−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよいが−Ｏ−は連続にはならなく、
ｎ^Ｔ１及びｎ^Ｔ２はそれぞれ独立して０又は１を表し、ｎ^Ｔ３はそれぞれ独立して０〜３の整数を表し、複数存在するＲ^Ｔ４、Ｒ^Ｔ５、Ｒ^Ｔ６、ｎ^Ｔ１、ｎ^Ｔ２及びｎ^Ｔ３は同一であっても異なっていてもよい。）
式（ｉ）中のＺ^１及びＺ^２は、好ましくは単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、又は炭素原子数1〜１０のアルキレン基、又はこのアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換された基をそれぞれ表し、より好ましくは、単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、又は該アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−が−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換された基で置換された基を表し、Ｚ^１及びＺ^２は更に好ましくは、単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、又は炭素原子数２のアルキレン基（エチレン基（−ＣＨ_２ＣＨ_２−））若しくはエチレン基中の−ＣＨ_２−の１個が−Ｏ−で置換された基（−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−）、若しくはエチレン基中の−ＣＨ_２−の１個が−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−で置換された基（−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２−ＣＨ_２−）である。Ｚ^４は、単結合、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）―ＣＨ_２−、又は炭素原子数1〜２０の直鎖又は分岐アルキレン基（該アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい）を表すが、好ましくは、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、又は炭素原子数２のアルキレン基（エチレン基（−ＣＨ_２ＣＨ_２−））若しくはエチレン基中の−ＣＨ_２−の１個が−Ｏ−で置換された基（−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−）、若しくは炭素数２〜８アルキル基中の−ＣＨ_２−の１個が−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−で置換された基である。
水平配向性の観点から前記吸着基（Ｋ^ｉ１）が前記（K−１3）〜（K−18）から選択され、かつＴ^Ｋ１の少なくとも一つは（T−1）であることが好ましい。
具体的部分構造としては、下記の基が挙げられるがこれに限定されるものではない。

式中、Ｒ^ｔｃは、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表す。ただし、アルキル基中の水素原子は、炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、若しくはＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１基−、−Ｚ^４−Ｋ^ｉｌで置換されていてもよく、アルキル基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように環式基、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されてもよい。

＊は、結合手を表す。

一方で、配向性と溶液安定性のバランスからは、前記吸着基（Ｋ^ｉ１）におけるが前記（K−13）〜（K−18）から選択され、かつＴ^Ｋ１の少なくとも一つは（T−３）であることが好ましい。具体的部分構造としては、下記の基が挙げられるがこれに限定されるものではない。

式中、Ｒ^ｔｃは、前記と同様の意味を表す。

また、配向性と電圧保持率のバランスの観点から、前記吸着基（Ｋ^ｉ１）が、（K−1）〜（K−１２）のいずれかであることが好ましい。

化合物（ｉ）は下記一般式（ｉ）で表されることがさらに好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ1及びＲ^ｉ2は、好ましくはＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１基−、水素原子、炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基を表し、該アルキル基中の−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＯＣＯＯ−で置換されてもよいが−O−は連続にはならなく、より好ましくは、Ｐ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１基、炭素原子数１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基、該アルキル基中の−ＣＨ_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｏ−、−ＯＣＯ−で置換（ただし−O−は連続にはならない）され、
Ａ、Ｃ及びＤはそれぞれ独立して、２価の芳香族基、２価の複素芳香族基、２価の脂肪族基、２価の複素脂肪族基を表し、
Bは、芳香族基を表し、これらＡからＤの該環構造における任意の水素原子は無置換であるか又は炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、若しくはＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−、−Ｚ^４−Ｋ^ｉｌで置換されていてもよく、
Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２―ＣＨ_２−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）―ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、又は炭素原子数２〜２０のアルキレン基を表し、このアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
Ｚ^３１及びＺ^３２は光異性化又は光二量化反応基であり、それぞれ独立して、下記（Z３−１）〜（Z３−５）から選ばれる基、又は単結合を表すが、Ｚ^３及び／又はＺ^３２の少なくとも一つは前記（Ｚ３−１）〜（Ｚ３−５）のいずれかであり、両端の黒点は結合手を表し、
ｌ、ｍ及びｎはそれぞれ独立して、０、１、２の整数を表し、
ｋは０、１、２の整数を表し、
Ｚ^４は、単結合、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）―ＣＨ_２−、又は炭素原子数1〜２０の直鎖又は分岐アルキレン基を表し、該アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
Ｋ^ｉ１は前記記載と同様に極性基を表し、前記一般式（Ｋ−1）〜（Ｋ−18）のいずれかより選択される基を表す。

式（ｉ）中、Ｒ^ｉ1及びＲ^ｉ2は、好ましくはＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−、水素原子、炭素原子数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基を表し、該アルキル基中の−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＯＣＯＯ−で置換されてもよいが−O−は連続にはならなく、より好ましくは、Ｐ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−、炭素原子数１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基、該アルキル基中の−ＣＨ_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｏ−、−ＯＣＯ−で置換（ただし−O−は連続にはならない）されても良い。液晶表示素子の信頼性を向上させる観点から、Ｒ^ｉ1及びＲ^ｉ2は、Ｐ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−、炭素原子数は２〜６のアルキル基が特に好ましい。

一般式（ｉ）で表される化合物は少なくとも一つのＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１基を有するが、配向性を向上させる観点から、２つ以上又は３つ以上のＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１基を有することが好ましい。一般式（ｉ）において２つ以上又は３つ以上のＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１基^１が存在する場合、より好ましくはＲ^２が、炭素原子数１〜４０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基を表し、２つ又は３つ以上のＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１基基が一般式（ｉ）中の式（Z３−１）〜（Z３−５）から選ばれる基よりもＲ^ｉ1側の位置に存在していることがより好ましい。配向性、信頼性の観点から、さらに好ましくは、Ｒ^ｉ1及びＲ^ｉ2の両方ともＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１基であり、少なくともひとつのＳｐ^ｉ１が単結合であることがさらに好ましい。

一般式（ｉ）中の環Ｂは、フェニレン基又はナフチレン基が好ましく、１，２，４−フェニレントリイル、１，３，４−フェニレントリイル基がより好ましい。

環Ａ、Ｃ及び環Ｄは、２価の環芳香族基、２価の環複素芳香族基、２価の環脂肪族基、又は２価の環複素脂肪族基、２価の環芳香族基、２価の環複素芳香族基、２価の環脂肪族基、又は２価の環複素脂肪族基が好ましく、具体的には、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、アントラセン−２，６−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、クロマン−３，７−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基及び１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基が好ましく、該環構造は無置換であるか又はＬ^１で置換されていることが好ましい。Ｌ^１は炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、Ｐ−Ｓｐ−若しくはZ^４−Ｋ^ｉ１が好ましく、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基又はハロゲン原子で置換された基であることがより好ましい。
環Ａ、C及び環Dは、より好ましくは炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、ハロゲン原子、若しくはＰ−Ｓｐ−で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、１，４−シクロへキシレン基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイルである。ｌ、ｍ及びｎは、０、１、２の整数を表すが、ｌ＋ｍ＋ｎ≦１であることが好ましく、ｌ＋ｍ＋ｎ≦２であることが好ましく、ｌ＋ｍ＋ｎ≦３がより好ましい。
ｋは溶液安定性の観点からは、０が好ましく、配向性の観点からは1又は２が好ましい。
Ｋ^ｉ１の好ましい様態、およびさらに好ましい様態は前記と同様である。

一般式（ｉ）のより具体的な例としては、下記式（Ｒ−１）〜（Ｒ−５７）に表すがこれらに限られたものではない。また、下記式中、置換基の記載は省略している。

（式中、Ｒ^ｉ1、Ｒ^ｉ2、Ｚ^４、Ｋ^ｉ１およびｋは、それぞれ独立して一般式（ｉ）中のＲ^ｉ1、Ｒ^ｉ2、Ｚ^４、Ｋ^ｉ１およびｋとそれぞれ同じ意味を表す。）
液晶組成物用に添加する場合は、本発明の一般式（ｉ）で表される化合物を１種又は２種以上添加してもよく、一般式（ｉ）で表される化合物に加えて、液晶組成物に用いられる公知の重合性化合物、酸化防止剤等を更に含有していてもよい。化合物（ｉ）のより具体的な化合物の例として、下記（Ｐ−0−１）から（Ｐ−0−３０）、および（Ｐ−１−１）から（Ｐ−１−４５）に表す。

（液晶組成物）
本実施形態の液晶組成物は、上記化合物（ｉ）を１種又は２種以上含有する。この液晶組成物は、正または負の誘電率異方性（Δε）を有することが好ましい。なお、液晶組成物に含有される一般式（ｉ）で表される化合物は、式（Ｒ−１−１）〜（Ｒ−１−２５）に示される化合物を含めて、上記の化合物（ｉ）と同じであるため、ここでは説明を省略する。

化合物（ｉ）の含有量は、好ましくは０．０１〜５０質量％であるが、その下限値は、液晶分子を更に好適に配向させられる観点から、液晶組成物全量を基準として、好ましくは、０．０１質量％以上、０．１質量％以上、０．５質量％以上、０．７質量％以上、又は１質量％以上である。化合物（ｉ）の含有量の上限値は、応答特性に優れる観点から、液晶組成物全量を基準として、好ましくは、５０質量％以下、３０質量％以下、１０質量％以下であり、７質量％以下、５質量％以下、４質量％以下、又は３質量％以下である。

本発明の組成物は、誘電的に正の異方性を有する液晶組成物を用いることもできるし、誘電的に負の液晶組成物を用いることもできる。

誘電的に正の液晶組成物を用いる場合、該液晶組成物は誘電的に正の化合物（Δεが＋２以上）を１種類又は２種類以上含有し、更に誘電的に中性の化合物（Δεが−２より大きく＋２より小さい）化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。

誘電的に正の化合物は、一般式（２―Ａ）及び／又は一般式(２−Ｂ)で表される群から選ばれる化合物であることが好ましい。

(一般式（２−Ａ）及び（２−Ｂ）において、Ｒ_２は炭素数１から7のアルキル、炭素数１から7のアルコキシ、または炭素数２から7のアルケニルであり、環Ｃは、複数存在する場合は相互に独立して、環上の-CH2基の少なくとも一つがO又はSで置換されていてもよい１，４−シクロへキシレン基、又は、環状の-CH-基の少なくとも一つがNで置換されていてもよい１，４−フェニレン基であり、これら環上のH原子は少なくともひとつのハロゲンで置換されていてもよく、Ｌ２は、複数存在する場合は相互に独立して、単結合、-C₂H₄-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CH₂O-、-OCH₂-、-CF₂O-、OCF₂-、であり、Ｘ_１は、-F、-Cl、-CN、-NCS、-CF₃、-OCF₃、又は少なくとも１つのHがハロゲン原子で置換された炭素数1~６のアルキル又はアルコキシ基であり、Y_１およびY_２は相互に独立して、-Hまたは-Fであり、ｂは、１、２、３、または４である。)
一般式（２−Ａ）及び一般式（２−Ｂ）中、Ｒ_２は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。

信頼性を重視する場合にはＲ_２はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。

また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

アルケニル基としては、前記式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。

環Ｃはそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましい。

本発明の組成物において、一般式（２−Ａ）及び／又は一般式（２−Ｂ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

本発明の組成物の総量に対しての一般式（２−Ａ）及び一般式（２−Ｂ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、１０質量％であり、２０質量％であり、３０質量％であり、４０質量％であり、５０質量％であり、５５質量％であり、６０質量％であり、６５質量％であり、７０質量％であり、７５質量％であり、８０質量％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５質量％であり、８５質量％であり、７５質量％であり、６５質量％であり、５５質量％であり、４５質量％であり、３５質量％であり、２５質量％である。

本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴ_ＮＩを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

一般式（２−Ａ）で表される化合物としては、一般式（２―Ａ―１）〜（２―Ａ―２８）で表される化合物が好ましい。

(Ｒ_２は炭素数１から7のアルキル、炭素数１から7のアルコキシ、または炭素数２から7のアルケニル基を表す。)
一般式（２−Ｂ）で表される化合物としては一般式（２−Ｂ−１）〜（２−Ｂ−５）で表される化合物が好ましい。

(Ｒ_２は炭素数１から7のアルキル、炭素数１から7のアルコキシ、または炭素数２から7のアルケニル基を表す。)
一般式（２−Ａ）及び（２−Ｂ）で表される化合物は、どちらか一方の群からのみ選択して用いても良いし、それぞれの群から選択して組合わせて用いることもできる。
液晶組成物の信頼性を重視する場合は、一般式（２−Ａ−１）〜（２−A−１１）、（２−Ａ−１６）〜（２−Ａ−２０）及び一般式（２―Ｂ−１）〜（２−Ｂ−４）で表される群から選択される化合物を用いることが好ましく、中でも一般式（２−Ａ−１）、（２−Ａ−２）、（２−Ａ−４）、（２−Ａ−１７）及び（２−Ａ−２０）で表される群から選択することがより好ましい。低い粘性を重視する場合は、一般式（２−Ａ−１２）〜（２−Ａ−１５）、（２−Ａ−２１）〜（２−Ａ−２８）及び（２―Ｂ−５）〜（２−Ｂ−６）で表される群から選択される化合物を用いることが好ましく、中でも（２−Ａ−１２）、（２−Ａ−１３）、（２−Ａ−２２）、（２−Ａ−２３）及び（２−Ａ−２６）で表される群から選択することがより好ましい。低い粘性を重視しつつ、更にＦＦＳモードにおける透過率向上を重視する場合には、（２−Ａ−１４）、（２−Ａ−１５）、（２−Ａ−２５）、（２−Ａ−２７）及び（２−Ａ−２８）で表される群から選択される化合物を用いることが好ましい。本願発明の液晶表示素子の作製工程におけるＵＶ照射の工程時間を短縮するためには、一般式（２−Ａ−４）〜（２−Ａ−７）、（２−Ａ−２０）及び（２−Ｂ−４）で表される群から選択される化合物を用いることが好ましく、中でも（２−Ａ−４）又は（２−Ａ−２０）から選択される化合物が特に好ましく、これらの群の化合物を用いることによりＵＶ照射時の液晶組成物の劣化や液晶表示素子の電圧保持率の低下、焼付きの発生といった不具合を発生させないか、またはその程度を低減することができる。

一般式（２−Ａ−１）〜（２−A−２８）及び一般式（２―Ｂ−１）〜（２−Ｂ−６）で表される化合物は、液晶表示素子に求める特性に応じて適宜選択し、必要に応じて複数種を組み合わせて用いることができるが、１〜１２種用いることが好ましく、２〜１０種用いることがより好ましく、３〜８種用いることが特に好ましい。液晶組成物中における各化合物単独での好ましい含有量を以下に示す。なお、表中の数字は質量％を意味する。

誘電的に負の液晶組成物を用いる場合、該液晶組成物は誘電的に負の化合物（Δεが−２以下）を１種類又は２種類以上含有し、更に誘電的に中性の化合物（Δεが−２より大きく＋２より小さい）化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。

誘電的に負の化合物は、一般式（5）で表される群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ_５１及びＲ_５２は相互に独立して、炭素数１から７のアルキル、炭素数１から７のアルコキシ、炭素数２から７のアルケニル、炭素数２から７のアルケニルオキシであり、環D及びFは相互に独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロへキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がハロゲン原子又はメチル基で置き換えられた１，４−フェニレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり、環Ｅは、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−３−フルオロ−１，４−フェニレン、３，４，５−トリフルオロナフタレン−２，６−ジイル、７，８−ジフルオロクロマン−２，６−ジイル、または、

であり、Ｌ_４およびＬ_５は相互に独立して、単結合、-C₂H4-、-COO-、-OCO-、-CH₂O-、-OCH₂-、-CF₂O、-OCF₂-、-CH=CH-、または-C≡Cであり、ｃは、０、１、２、または３であり、ｄは０または１であり、ｃとdの和は３以下である。）
一般式（5）で表される化合物は、Δεが負でその絶対値が３よりも大きな化合物であることが好ましい。

一般式（５）中、Ｒ_５１、Ｒ_５２、はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。

また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

アルケニル基としては、前記式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。

Ｄ及びＦはそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造：

を表すことがより好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基又は１，４−フェニレン基を表すことがより好ましい。

Ｌ_４及びＬ_５はそれぞれ独立して−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合が更に好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。

ｃ＋ｄは１、２又は３が好ましく、１又は２がより好ましい。

本実施形態の組成物の総量に対しての式（５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％以上であり、１０質量％以上であり、２０質量％以上であり、３０質量％以上であり、４０質量％以上であり、５０質量％以上であり、５５質量％以上であり、６０質量％以上であり、６５質量％以上であり、７０質量％以上であり、７５質量％以上であり、８０質量％以上である。好ましい含有量の上限値は、９５質量％以下であり、８５質量％以下であり、７５質量％以下であり、６５質量％以下であり、５５質量％以下であり、４５質量％以下であり、３５質量％以下であり、２５質量％以下であり、２０質量％以下である。

本実施形態の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。さらに、本実施形態の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高く上限値が高いことが好ましい。

一般式（５）で表される化合物として、下記の一般式（５−１）〜（５−１５）で表される化合物群を挙げることができる。

（Ｒ_５１及びＲ_５２は一般式（５）における意味と同様の意味を表す。）
液晶組成物の信頼性を重視する場合は、一般式（５−１）、（５−２）、（５−６）、（５−８）〜（５−１０）、（５−１１）〜（５−１３）で表される群から選択される化合物を用いることが好ましく、中でも一般式（５−１）、（５−６）、（５−９）、（５−１０）が特に好ましい。低い粘性を重視する場合は、一般式（５−３）〜（５−５）、（５−９）、（５−１０）、（５−１２）、（５−１３）、（５−１５）で表される群から選択される化合物を用いることが好ましく、なかでも、（５−３）、（５−４）、（５−９）、（５−１０）、（５−１３）、（５−１５）が特に好ましい。本発明の液晶表示素子の作製工程におけるＵＶ照射の工程時間を短縮するためには、一般式（５−１１）〜（５−１３）で表される群から選択される化合物を用いることが好ましく、中でも（５−１３）から選択される化合物が特に好ましく、これらの化合物を用いることによりＵＶ照射時の液晶組成物の劣化や液晶表示素子の電圧保持率の低下、焼付きの発生といった不具合を発生させないか、またはその程度を低減することができる。

一般式（５−１）〜（５−１５）で表される化合物は、液晶表示素子に求める特性に応じて適宜選択し、必要に応じて複数種を組み合わせて用いることができるが、１〜１２種用いることが好ましく、２〜１０種用いることがより好ましく、３〜８種用いることが特に好ましい。液晶組成物中における各化合物単独での好ましい含有量を以下に示す。なお、表中の数字は質量％を意味する。

誘電的に正の液晶組成物を用いる場合でも、また、誘電的に負の液晶組成物を用いる場合であっても、誘電的に中性の化合物としては一般式（Ｌ）で表される群から選ばれる化合物を用いることが好ましい。

（一般式（Ｌ）において、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基を表すが、基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−で置換されてもよく、 ｎ^Ｌ１は、０、１、２または３を表し、Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−で置換されてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）、および
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（これらの基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、前記基（ａ）、基（ｂ）および基（ｃ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されてもよく、Ｚ^Ｌ１およびＺ^Ｌ２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｎ^Ｌ１が２以上の場合は、Ａ^Ｌ２およびＺ^Ｌ２は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。）
一般式（Ｌ）で表される化合物は、誘電的にほぼ中性の化合物（Δεの値が−２〜２）に該当する。かかる化合物は、１種を単独で用いてもよいが、組み合わせて使用することもできる。組み合わせる化合物の種類は、特に限定されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜選択される。使用する化合物の種類は、例えば、１種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類であり、８種類であり、９種類であり、１０種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、１０質量％、２０質量％、３０質量％、４０質量％、５０質量％、５５質量％、６０質量％、６５質量％、７０質量％、７５質量％、８０質量％である。一方、その好ましい上限値は、９５質量％、８５質量％、７５質量％、６５質量％、５５質量％、４５質量％、３５質量％、２５質量％である。

液晶組成物の粘度（η）を低く保ち、応答速度を高める場合は、一般式（Ｌ）で表される化合物の量は、下限値が高くかつ上限値も高いことが好ましい。さらに、液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性を改善する場合は、その量は下限値が高くかつ上限値も高いことが好ましい。また、液晶表示素子の駆動電圧を低く保つため、液晶組成物のΔεを大きくする場合は、その量は下限値が低くかつ上限値も低いことが好ましい。

信頼性を重視する場合は、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それぞれ独立して、アルキル基が好ましく、化合物の揮発性を低減させることを重視する場合は、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それぞれ独立して、アルコキシ基が好ましく、粘性の低下を重視する場合は、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２のうちの少なくとも一方は、アルケニル基が好ましい。

一般式（Ｌ）で表される化合物中に存在するハロゲン原子の数は、０、１、２または３個であることが好ましく、０または１個であることがより好ましい。また、他の液晶分子との相溶性を重視する場合は、ハロゲン原子の数は、１個であることが好ましい。

また、それらが結合する環構造がベンゼン環（芳香族環）である場合は、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基、または炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましい。

それらが結合する環構造がシクロヘキサン環、ピラン環、ジオキサン環のような飽和した環構造の場合は、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基、または直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

ネマチック相を安定化させるためには、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それぞれ独立して、炭素原子および酸素原子（存在する場合）の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることも好ましい。

アルケニル基としては、下記式（Ｒ１）〜（Ｒ５）で表される群から選ばれる基が好ましい。

各式中の黒点は結合手を表す。

ｎ^Ｌ１は、液晶分子の応答速度を重視する場合は０が好ましく、液晶分子のネマチック相の上限温度を改善する場合は２または３が好ましく、これらのバランスをとる場合は１が好ましい。また、液晶組成物として求められる特性を満たすためには、ｎ^Ｌ１が異なる値の化合物を組み合わせることが好ましい。

Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、液晶分子のΔｎを大きくする場合は芳香族基が好ましく、液晶分子の応答速度を改善する場合は脂肪族基が好ましい。

かかる芳香族基または脂肪族基としては、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、または１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基が好ましく、下記化５４で表される構造がより好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基または１，４−フェニレン基がさらに好ましい。

Ｚ^Ｌ１およびＺ^Ｌ２は、それぞれ独立して、液晶分子の応答速度を重視する場合は単結合が好ましい。

一般式（Ｌ）で表される化合物は、下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−７）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ１１およびＲ^Ｌ１２は、それぞれ一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ１１およびＲ^Ｌ１２は、それぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基、または直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、１種を単独で使用することもできるが、２種以上を組み合わせて使用することもできる。組み合わせる化合物の種類は、特に限定されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜選択される。使用する化合物の種類は、例えば、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−１）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１５質量％、２０質量％、２５質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％、４５質量％、５０質量％、５５質量％である。一方、その好ましい上限値は、９５質量％、９０質量％、８５質量％、８０質量％、７５質量％、７０質量％、６５質量％、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２５質量％である。

液晶組成物の粘度（η）を低く保ち、応答速度を高める場合は、一般式（Ｌ−１）で表される化合物の量は、下限値が高くかつ上限値も高いことが好ましい。さらに、液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性を改善する場合は、その量は下限値が中庸かつ上限値も中庸であることが好ましい。また、液晶表示素子の駆動電圧を低く保つため、液晶組成物のΔεを大きくする場合は、その量は下限値が低くかつ上限値も低いことが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物であることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１２は、一般式（Ｌ−１）における意味と同じ意味を表す。

一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物は、下記式（Ｌ−１−１．１）〜（Ｌ−１−１．３）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−１．２）または式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物であることがより好ましく、式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物であることが特に好ましい。式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物を用いると、液晶組成物に低い粘性と高い弾性定数を与えることができ表示素子の高速応答化に有利であるだけでなく、製造工程でのUV照射によるアルケニル化合物特有の劣化が無く、表示品位や信頼性の低下を抑える事ができる点でも好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物であることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１２は、一般式（Ｌ−１）における意味と同じ意味を表す。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５４質量％、４８質量％、４２質量％、３６質量％、３０質量％、２４質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％である。

一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物は、下記式（Ｌ−１−２．１）〜（Ｌ−１−２．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−２．２）〜（Ｌ−１−２．４）で表される化合物であることがより好ましい。特に、式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物は、液晶組成物の応答速度を改善する効果が高いため好ましく、組成物中における含有量の上限を２４重量％以下に抑えることで、製造工程でのUV照射によるアルケニル化合物特有の劣化が抑制され、表示品位や信頼性の低下も抑える事ができる点でも好ましい。

また、液晶組成物の応答速度よりもＴｎｉの向上を求める場合は、式（Ｌ−１−２．３）または式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物を用いることが好ましい。液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−２．３）または式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物の量は、低温での溶解度を高くするために３０質量％未満にすることが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物であることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１３およびＲ^Ｌ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基または炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。

Ｒ^Ｌ１３およびＲ^Ｌ１４は、それぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基、または直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、３０質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４０質量％、３７質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２７質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％である。

一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物は、下記式（Ｌ−１−３．１）〜（Ｌ−１−３．４）または式（Ｌ−１−３．１１）〜（Ｌ−１−３．１３）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）または式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物であることがより好ましい。特に、式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物は、液晶組成物の応答速度を改善する効果が高いため好ましく、誘電的に負の液晶組成物に用いる場合には、式（Ｌ−１−１．３）と組合せて用いることでさらに応答速度が速く、ＵＶ工程に起因した表示品位や信頼性の低下が抑制された表示素子が得られるのでより好ましい。誘電的に正の液晶組成物に用いる場合、及び／又は２４質量％以下の式（Ｌ−１−２．２）と組合せて用いることで、さらに応答速度が速く、表示品位や信頼性の低下が抑制された表示素子が得られるので好ましい。

また、液晶組成物の応答速度よりも高いＴｎｉの向上を求める場合は、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）または式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物を用いることが好ましい。液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）および式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物の合計量は、低温での溶解度を高くするために２０％未満にすることが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｌ−１−４）または（Ｌ−１−５）で表される化合物であることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１５およびＲ^Ｌ１６は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基または炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。

Ｒ^Ｌ１５およびＲ^Ｌ１６は、それぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基、または直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−１−４）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−１−５）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％である。

一般式（Ｌ−１−４）または（Ｌ−１−５）で表される化合物は、下記式（Ｌ−１−４．１）〜（Ｌ−１−４．３）または式（Ｌ−１−５．１）〜（Ｌ−１−５．３）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−４．２）または式（Ｌ−１−５．２）で表される化合物であることがより好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）および式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物から選ばれる２種以上を組み合わせることが好ましく、式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）および式（Ｌ−１−４．２）で表される化合物から選ばれる２種以上を組み合わせることがより好ましい。

液晶組成物の信頼性を重視する場合は、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）および式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物から選ばれる２種以上を組み合わせることが好ましく、液晶組成物の応答速度を重視する場合は、式（Ｌ−１−１．３）および式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物から選ばれる２種以上を組み合わせることが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｌ−１−６）で表される化合物であることも好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１７およびＲ^Ｌ１８は、それぞれ独立して、メチル基または水素原子を表す。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−１−６）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４２質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％である。

一般式（Ｌ−１−６）で表される化合物は、下記式（Ｌ−１−６．１）〜（Ｌ−１−６．３）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ−２）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ２１およびＲ^Ｌ２２は、それぞれ一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ２１は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

Ｒ^Ｌ２２は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。

一般式（Ｌ−２）で表される化合物は、１種を単独で使用することもできるが、２以上を組み合わせて使用することもできる。組み合わせる化合物の種類は、特に限定されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜選択される。使用する化合物の種類は、例えば、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

液晶分子の低温での溶解性を重視する場合は、一般式（Ｌ−２）で表される化合物の量を多めに設定すると効果が高く、液晶組成物の応答速度を重視する場合は、その量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、一般式（Ｌ−２）で表される化合物の量を、前記範囲の中間に設定することが好ましい。
一般式（Ｌ−２）で表される化合物は、下記式（Ｌ−２．１）〜（Ｌ−２．６）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−２．１）、式（Ｌ−２．３）、式（Ｌ−２．４）または式（Ｌ−２．６）で表される化合物であることがより好ましい。

一般式（Ｌ−３）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ３１およびＲ^Ｌ３２は、それぞれ一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ３１およびＲ^Ｌ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基、または炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。

一般式（Ｌ−３）で表される化合物は、１種を単独で使用することもできるが、２種以上を組み合わせて使用することもできる。組み合わせる化合物の種類は、特に限定されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜選択される。使用する化合物の種類は、例えば、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−３）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

なお、高い複屈折率を得る場合は、一般式（Ｌ−３）で表される化合物の量を多めに設定すると効果が高く、高いＴｎｉを重視する場合は、その量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、一般式（Ｌ−３）で表される化合物の量を、前記範囲の中間に設定することが好ましい。

一般式（Ｌ−３）で表される化合物は、下記式（Ｌ−３．１）〜（Ｌ−３．４）、式（Ｌ−３．６）または式（Ｌ−３．７）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−３．２）〜（Ｌ−３．４）、式（Ｌ−３．６）または式（Ｌ−３．７）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ４１およびＲ^Ｌ４２は、それぞれ一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ４１は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

Ｒ^Ｌ４２は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、１種を単独で使用することもできるが、２種以上を組み合わせて使用することもできる。組み合わせる化合物の種類は、特に限定されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜選択される。使用する化合物の種類は、例えば、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−４）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％、２３質量％、２６質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２０質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、下記式（Ｌ−４．１）〜（Ｌ−４．３）で表される化合物であることが好ましい。

低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、液晶組成物は、式（Ｌ−４．１）で表される化合物のみを含んでも、式（Ｌ−４．２）で表される化合物のみを含んでも、式（Ｌ−４．１）で表される化合物および式（Ｌ−４．２）で表される化合物の双方を含んでもよく、式（Ｌ−４．１）〜（Ｌ−４．３）で表される化合物の全てを含んでもよい。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、下記式（Ｌ−４．４）〜（Ｌ−４．６）で表される化合物であることも好ましく、式（Ｌ−４．４）で表される化合物であることがより好ましい。

低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、液晶組成物は、式（Ｌ−４．４）で表される化合物のみを含んでも、式（Ｌ−４．５）で表される化合物のみを含んでもよく、式（Ｌ−４．４）で表される化合物および式（Ｌ−４．５）で表される化合物の双方を含んでもよい。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、下記式（Ｌ−４．７）〜（Ｌ−４．１０）で表される化合物であることも好ましく、式（Ｌ−４．９）で表される化合物がより好ましい。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ５１およびＲ^Ｌ５２は、それぞれ一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ５１は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

Ｒ^Ｌ５２は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基、または炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、１種を単独で使用することもできるが、２種以上を組み合わせて使用することもできる。組み合わせる化合物の種類は、特に限定されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜選択される。使用する化合物の種類は、例えば、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−５）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％、２３質量％、２６質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２０質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、下記式（Ｌ−５．１）または式（Ｌ−５．２）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−５．１）で表される化合物であることがより好ましい。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、下記式（Ｌ−５．３）または式（Ｌ−５．４）で表される化合物であることも好ましい。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、下記式（Ｌ−５．５）〜（Ｌ−５．７）で表される化合物であることも好ましく、式（Ｌ−５．７）で表される化合物であることがより好ましい。

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ６１およびＲ^Ｌ６２は、それぞれ一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表し、Ｘ^Ｌ６１およびＸ^Ｌ６２は、水素原子であるか又はいずれか一方がフッ素原子を表す。
Ｒ^Ｌ６１およびＲ^Ｌ６２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましいく、Ｘ^Ｌ６１およびＸ^Ｌ６２のうちの一方がフッ素原子、他方が水素原子であることが好ましく、Ｘ^Ｌ６２がフッ素原子でいあることがより好ましい。

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、１種を単独で使用することもできるが、２種以上を組み合わせて使用することもできる。組み合わせる化合物の種類は、特に限定されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜選択される。使用する化合物の種類は、例えば、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。また、一般式（Ｌ−６）で表される群から化合物は、本願発明の液晶表示素子の作製工程におけるＵＶ照射の工程時間を短縮するためにも好ましい。これによりＵＶ照射時の液晶組成物の劣化や液晶表示素子の電圧保持率の低下、焼付きの発生といった不具合を発生させないか、またはその程度を低減することができる。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−６）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％、２３質量％、２６質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２０質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である。

なお、Δｎを大きくすることに重点を置く場合は、一般式（Ｌ−６）で表される化合物の量を多くした方が好ましく、低温での析出に重点を置いた場合は、その量を少なくした方が好ましい。

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、下記式（Ｌ−６．１）〜（Ｌ−６．９）で表される化合物であることが好ましい。

組み合わせる化合物の種類は、特に限定されないが、１種〜３種を用いることが好ましく、１種〜４種を用いることがより好ましい。また、選択する化合物の分子量分布が広いことも溶解性に有効であるため、例えば、式（Ｌ−６．１）および式（Ｌ−６．２）で表される化合物から１種と、式（Ｌ−６．４）および式（Ｌ−６．５）で表される化合物から１種と、式（Ｌ−６．６）および式（Ｌ−６．７）で表される化合物から１種と、式（Ｌ−６．８）および式（Ｌ−６．９）で表される化合物から１種とを選択し、これらを適宜組み合わせることが好ましい。中でも、式（Ｌ−６．１）、式（Ｌ−６．３）、式（Ｌ−６．４）、式（Ｌ−６．６）および式（Ｌ−６．９）で表される化合物の組み合わせがより好ましい。

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、下記式（Ｌ−６．１０）〜（Ｌ−６．１７）で表される化合物であることも好ましく、式（Ｌ−６．１１）で表される化合物であることがより好ましい。

一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ７１およびＲ^Ｌ７２は、それぞれ一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ａ^Ｌ７１およびＡ^Ｌ７２は、それぞれ一般式（Ｌ）におけるＡ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３と同じ意味を表す。ただし、Ａ^Ｌ７１およびＡ^Ｌ７２中に存在する任意の水素原子は、フッ素原子で置換されてもよい。

Ｚ^Ｌ７１は、一般式（Ｌ）におけるＺ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｘ^Ｌ７１およびＸ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、フッ素原子または水素原子を表す。

式中、Ｒ^Ｌ７１およびＲ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基、または炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。

Ａ^Ｌ７１およびＡ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン基が好ましい。ただし、Ａ^Ｌ７１およびＡ^Ｌ７２中に存在する任意の水素原子は、フッ素原子で置換されてもよい。

Ｚ^Ｌ７１は、単結合またはＣＯＯ−が好ましく、単結合がより好ましい。

Ｘ^Ｌ７１およびＸ^Ｌ７２は、それぞれ水素原子が好ましい。

組み合わせる化合物の種類は、特に限定されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜選択される。使用する化合物の種類は、例えば、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−７）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である。

液晶組成物の高いＴｎｉが要求される場合は、一般式（Ｌ−７）で表される化合物の量を多めにすることが好ましく、低粘度であることが望まれる場合は、その量を少なめにすることが好ましい。

一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、下記式（Ｌ−７．１）〜（Ｌ−７．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．２）で表される化合物であることがより好ましい。

一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、下記式（Ｌ−７．１１）〜（Ｌ−７．１３）で表される化合物であることも好ましく、式（Ｌ−７．１１）で表される化合物であることがより好ましい。

一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、下記式（Ｌ−７．２１）〜（Ｌ−７．２３）で表される化合物であることも好ましく、式（Ｌ−７．２１）で表される化合物であることがより好ましい。

一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、下記式（Ｌ−７．３１）〜（Ｌ−７．３４）で表される化合物であることも好ましく、式（Ｌ−７．３１）または式（Ｌ−７．３２）で表される化合物であることがより好ましい。

また、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、下記式（Ｌ−７．４１）〜（Ｌ−７．４４）で表される化合物であることも好ましく、式（Ｌ−７．４１）または式（Ｌ−７．４２）で表される化合物であることがより好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、下記式（Ｌ−７．５１）〜（Ｌ−７．５３）で表される化合物であることも好ましい。

誘電的に正の液晶組成物を用いる場合、該液晶組成物は誘電的に正の化合物（Δεが＋２以上）を１種類又は２種類以上含有する以外に、誘電的に負（Δεが−２より大きく＋２より小さい）の化合物を１種類又は２種類以上含有することができる。この場合も、誘電的に正の化合物は一般式（２−Ａ）及び一般式（２−Ｂ）で表される群から選択される化合物を用いることが好ましく、誘電的に負の化合物は一般式（５）で表される化合物を用いることが好ましい。更に、一般式（Ｌ）で表される誘電的に中性の化合物を少なくとも１種類含有する事がより好ましい。誘電的に正と負の化合物を組合わせると、液晶組成物の平均誘電率を増大させることができる。これにより、横電界成分で駆動する液晶モードにおいて高い透過率を備えた液晶表示素子を得られる点で好ましく、ＦＦＳや、電極幅や電極間距離の狭いＩＰＳなどのフリンジ電場が発生しやすいモードに特に好適に用いることができる。誘電的に正と負の化合物を同時に用いる場合も、組成部全体における各化合物の好ましい含有量は、前記記載に従って適宜決定することができる。

また本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）で表される化合物とは異なる他の重合性化合物を更に含有してもよい。重合性化合物は、液晶組成物に用いられる公知の重合性化合物であってよい。重合性化合物の例としては、一般式（Ｐ）：

（上記一般式（Ｐ）中、Ｒ^ｐ１は、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素原子数１〜１５のアルキル基又は−Ｓｐ^ｐ２−Ｐ^ｐ２を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、該アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｐ^ｐ１及びＰ^ｐ２はそれぞれ独立して、一般式（Ｐ^ｐ１−１）〜式（Ｐ^ｐ１−９）

（式中、Ｒ^ｐ１１及びＲ^ｐ１２はそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１〜５のハロゲン化アルキル基を表し、Ｗ^ｐ１１は単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−又はメチレン基を表し、ｔ^ｐ１１は、０、１又は２を表すが、分子内にＲ^ｐ１１、Ｒ^ｐ１２、Ｗ^ｐ１１及び／又はｔ^ｐ１１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていても良い。）
のいずれかを表し、
Ｓｐ^ｐ１及びＳｐ^ｐ２はそれぞれ独立して、単結合又はスペーサー基を表し、
Ｚ^ｐ１及びＺ^ｐ２はそれぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＯＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ^ＺＰ１−、−ＮＲ^ＺＰ１−ＣＯ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ＺＰ１−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ＺＰ１−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ＺＰ１＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ＺＰ１＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ＺＰ１＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ＺＰ１＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ＺＰ１＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ＺＰ１＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−（ＣＨ_２）_ｚ−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−（ＣＨ_２）_２−、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は−Ｃ≡Ｃ−（式中、Ｒ^ＺＰ１はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表すが、分子内にＲ^ＺＰ１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていても良い。）
を表し、
Ａ^ｐ１、Ａ^ｐ２及びＡ^ｐ３はそれぞれ独立して、
（ａ^ｐ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ^ｐ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ^ｐ） ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基又はアントラセン−２，６−ジイル基（これら基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、この基中に存在する水素原子は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルケニル基で置換されていてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ^ｐ）、基（ｂ^ｐ）及び基（ｃ^ｐ）は、それぞれ独立して、この基中に存在する水素原子は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルケニル基で置換されていてもよく、シアノ基、フッ素原子、塩素原子又は−Ｓｐ^ｐ２−Ｐ^ｐ２で置換されていても良く、
ｍ^ｐ１は、０、１、２又は３を表し、分子内にＺ^ｐ１、Ａ^ｐ２、Ｓｐ^ｐ２及び／又はＰ^ｐ２が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていても良いが、Ａ^ｐ３は、ｍ^ｐ１が０で、Ａ^ｐ１がフェナントレン−２，７−ジイル基又はアントラセン−２，６−ジイル基である場合には単結合を表す。ただし、化合物（ｉ）のｋが０の場合，一般式（ｉ）で表される化合物（ｉ）を除く。）
で表される化合物が好ましい。また、当該重合性化合物は１種又は２種以上含有することが好ましい。

本発明に係る一般式（Ｐ）において、Ｒ^ｐ１は−Ｓｐ^ｐ２−Ｐ^ｐ２であることが好ましい。

Ｐ^ｐ１及びＰ^ｐ２はそれぞれ独立して式（Ｐ^ｐ１−１）〜式（Ｐ^ｐ１−３）のいずれかであることが好ましく、（Ｐ^ｐ１−１）であることが好ましい。

Ｒ^ｐ１１及びＲ^ｐ１２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基であることが好ましい。

ｔ^ｐ１１は、０又は１が好ましい。

Ｗ^ｐ１１は、単結合、メチレン基又はエチレン基が好ましい。

ｍ^ｐ１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１が好ましい。

Ｚ^ｐ１及びＺ^ｐ２はそれぞれ独立して、単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣ_２Ｈ_４−、−ＯＣＯＣ_２Ｈ_４−、−Ｃ_２Ｈ_４ＯＣＯ−、−Ｃ_２Ｈ_４ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−（ＣＨ_２）_２−、−ＯＣＦ_２−又は−Ｃ≡Ｃ−が好ましく、単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣ_２Ｈ_４−、−ＯＣＯＣ_２Ｈ_４−、−Ｃ_２Ｈ_４ＯＣＯ−、−Ｃ_２Ｈ_４ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−（ＣＨ_２）_２−又は−Ｃ≡Ｃ−が好ましく、分子内に存在する１つのみが−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣ_２Ｈ_４−、−ＯＣＯＣ_２Ｈ_４−、−Ｃ_２Ｈ_４ＯＣＯ−、−Ｃ_２Ｈ_４ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−（ＣＨ_２）_２−又は−Ｃ≡Ｃ−であり、他がすべて単結合であることが好ましく、分子内に存在する１つのみが、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−であり、他がすべて単結合であることが好ましく、すべてが単結合であることが好ましい。

また、分子内に存在するＺ^ｐ１及びＺ^ｐ２の１つのみが、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−（ＣＨ_２）_２−からなる群から選択される連結基であり、他は単結合であることが好ましい。

Ｓｐ^ｐ１及びＳｐ^ｐ２はそれぞれ独立して、単結合又はスペーサー基を表すが、スペーサー基は、炭素原子数１〜３０のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基中の−ＣＨ_２−は酸素原子同士が直接連結しない限りにおいて−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されていてもよく、該アルキレン基中の水素原子はハロゲン原子で置換されていても良いが、直鎖の炭素原子数１〜１０のアルキレン基又は単結合が好ましい。

Ａ^ｐ１、Ａ^ｐ２及びＡ^ｐ３はそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基が好ましく、１，４−フェニレン基が好ましい。１，４−フェニレン基は液晶化合物との相溶性を改善するために、１個のフッ素原子、１個のメチル基又は１個のメトキシ基で置換されていることが好ましい。

一般式（Ｐ）で表される化合物の合計の含有量は、本願の一般式（Ｐ）で表される化合物を含む組成物に対して、０．０５〜１０％含んでいることが好ましく、０．１〜８％含んでいることが好ましく、０．１〜５％含んでいることが好ましく、０．１〜３％含んでいることが好ましく、０．２〜２％含んでいることが好ましく、０．２〜１．３％含んでいることが好ましく、０．２〜１％含んでいることが好ましく、０．２〜０．５６％含んでいることが好ましい。

一般式（Ｐ）で表される化合物の合計の含有量の好ましい下限値は、本願の一般式（Ｐ）で表される化合物を含む組成物に対して、０．０１％であり、０．０３％であり、０．０５％であり、０．０８％であり、０．１％であり、０．１５％であり、０．２％であり、０．２５％であり、０．３％である。

一般式（Ｐ）で表される化合物の合計の含有量の好ましい上限値は、本願の一般式（Ｐ）で表される化合物を含む組成物に対して、１０％であり、８％であり、５％であり、３％であり、１．５％であり、１．２％であり、１％であり、０．８％であり、０．５％である。

含有量が少ないと一般式（Ｐ）で表される化合物を加える効果が現れにくく、液晶組成物の配向規制力が弱い又は経時的に弱くなってしまうなどの問題が発生し、多すぎると硬化後に残存する量が多くなる、硬化に時間がかかる、液晶の信頼性が低下する等の問題が生じる。このため、これらのバランスを考慮し含有量を設定する。

一般式（ｉ）で表される化合物及び一般式（Ｐ）で表される化合物の合計の含有量は、それら化合物を含む組成物に対して、０．０５〜１０％含んでいることが好ましく、０．１〜８％含んでいることが好ましく、０．１〜５％含んでいることが好ましく、０．１〜３％含んでいることが好ましく、０．２〜２％含んでいることが好ましく、０．２〜１．３％含んでいることが好ましく、０．２〜１％含んでいることが好ましく、０．２〜０．５６％含んでいることが好ましい。

一般式（ｉ）で表される化合物及び一般式（Ｐ）で表される化合物の合計の含有量の好ましい下限値は、それら化合物を含む組成物に対して、０．０１％であり、０．０３％であり、０．０５％であり、０．０８％であり、０．１％であり、０．１５％であり、０．２％であり、０．２５％であり、０．３％である。

一般式（ｉ）で表される化合物及び一般式（Ｐ）で表される化合物の合計の含有量の好ましい上限値は、それら化合物を含む組成物に対して、１０％であり、８％であり、５％であり、３％であり、１．５％であり、１．２％であり、１％であり、０．８％であり、０．５％である。

含有量が少ないと一般式（ｉ）で表される化合物及び一般式（Ｐ）で表される化合物を加える効果が現れにくく、液晶組成物の配向規制力が弱い又は経時的に弱くなってしまうなどの問題が発生し、多すぎると硬化後に残存する量が多くなる、硬化に時間がかかる、液晶の信頼性が低下する等の問題が生じる。このため、これらのバランスを考慮し含有量を設定する。

本発明に係る一般式（Ｐ）で表される化合物の好ましい例として、下記式（Ｐ−１−１）〜式（Ｐ−１−４６）で表される重合性化合物が挙げられる。

（式中、Ｐ^ｐ１１、Ｐ^ｐ１２、Ｓｐ^ｐ１１及びＳｐ^ｐ１２は、一般式（Ｐ−１）におけるＰ^ｐ１１、Ｐ^ｐ１２、Ｓｐ^ｐ１１及びＳｐ^ｐ１２と同じ意味を表す。）
本発明に係る一般式（Ｐ）で表される化合物の好ましい例として、下記式（Ｐ−２−１）〜式（Ｐ−２−１２）で表される重合性化合物が挙げられる。

（式中、Ｐ^ｐ２１、Ｐ^ｐ２２、Ｓｐ^ｐ２１及びＳｐ^ｐ２２は、一般式（Ｐ−２）におけるＰ^ｐ２１、Ｐ^ｐ２２、Ｓｐ^ｐ２１及びＳｐ^ｐ２２と同じ意味を表す。）
本発明に係る一般式（Ｐ）で表される化合物の好ましい例として、下記式（Ｐ−３−１）〜式（Ｐ−３−１５）で表される重合性化合物が挙げられる。

（式中、Ｐ^ｐ３１、Ｐ^ｐ３２、Ｓｐ^ｐ３１及びＳｐ^ｐ３２は、一般式（Ｐ−３）におけるＰ^ｐ３１、Ｐ^ｐ３２、Ｓｐ^ｐ３１及びＳｐ^ｐ３２と同じ意味を表す。）
本発明に係る一般式（Ｐ）で表される化合物の好ましい例として、下記式（Ｐ−４−１）〜式（Ｐ−４−１５）で表される重合性化合物が挙げられる。

（式中、Ｐ^ｐ４１、Ｐ^ｐ４２、Ｓｐ^ｐ４１及びＳｐ^ｐ４２は、一般式（Ｐ−４）におけるＰ^ｐ４１、Ｐ^ｐ４２、Ｓｐ^ｐ４１及びＳｐ^ｐ４２と同じ意味を表す。）
本発明における組成物は、さらに、信頼性を向上させるため添加剤として化合物（Ｑ）を１種又は２種以上含有することができる。化合物（Ｑ）は下記の構造を有することが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｑは水酸基、水素原子、炭素原子数１から２２の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−で置換されてよく、＊で他の構造と結合する。）
Ｒ^Ｑは炭素原子数１から２２の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−で置換されてよいが、炭素原子数１から１０の直鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基、１つのＣＨ_２基が−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−に置換された直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、分岐アルコキシ基、１つのＣＨ_２基が−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−に置換された分岐鎖アルキル基が好ましく、炭素原子数１から２０の直鎖アルキル基、１つのＣＨ_２基が−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−に置換された直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、分岐アルコキシ基、１つのＣＨ_２基が−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−に置換された分岐鎖アルキル基が更に好ましい。Ｍ^Ｑはトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基又は単結合を表すが、トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基が好ましい。

化合物（Ｑ）は、より具体的には、下記の一般式（Ｑ−ａ）から一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ^Ｑ１は炭素原子数１から１０の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基が好ましく、Ｒ^Ｑ２は炭素原子数１から２０の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基が好ましく、Ｒ^Ｑ３は炭素原子数１から８の直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基又は分岐鎖アルコキシ基が好ましく、Ｌ^Ｑは炭素原子数１から８の直鎖アルキレン基又は分岐鎖アルキレン基が好ましい。一般式（Ｑ−ａ）から一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物中、一般式（Ｑ−ｃ）及び一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物が更に好ましい。

本願発明の組成物において、一般式（Ｑ）で表される化合物を１種又は２種を含有することが好ましく、１種から５種含有することが更に好ましく、その含有量は０．００１から１％であることが好ましく、０．００１から０．１％が更に好ましく、０．００１から０．０５％が特に好ましい。

また、本発明に使用できる酸化防止剤又は光安定剤としてより具体的には以下の（Ｑ−１）〜（Ｑ−４４）で表される化合物が好ましい。

（式中、ｎは０から２０の整数を表す。）
本発明における液晶組成物の熱安定性を高めるため、酸化防止剤を添加することがとくに好ましい。より具体的な酸化防止剤としては、ヒドロキノン誘導体、ニトロソアミン系重合禁止剤、ヒンダードフェノール系酸化防止剤等が挙げられ、より具体的には、tert−ブチルハイドロキノン、メチルハイドロキノン、和光純薬工業株式会社製の「Ｑ−１３００」、「Ｑ−１３０１」、ＢＡＳＦ社の「ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１０３５」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１０７６」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１０９８」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１１３５」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１３３０」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１４２５」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１５２０」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１７２６」、「ＩＲＧＡＮＯＸ２４５」、「ＩＲＧＡＮＯＸ２５９」、「ＩＲＧＡＮＯＸ３１１４」、「ＩＲＧＡＮＯＸ３７９０」、「ＩＲＧＡＮＯＸ５０５７」、「ＩＲＧＡＮＯＸ５６５」等々があげられる。

酸化防止剤の添加量は重合性液晶組成物に対して０．０１〜２．０質量％であることが好ましく、０．０５〜１．０質量％であることがより好ましい。

本発明における液晶組成物の安定性を高めるため、ＵＶ吸収剤を添加することが好ましい。ＵＶ吸収剤としては、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れ、かつ良好な液晶表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものが好ましい。より具体的には、例えばヒンダードフェノール系化合物、ヒドロキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物、トリアジン系化合物が挙げられ、ヒンダードフェノール系化合物としては、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナミド）、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、トリス−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレートが挙げられる。ベンゾトリアゾール系化合物としては、２−（２′−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス（４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール）、（２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン、トリエチレングリコール−ビス〔３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナミド）、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロルベンゾトリアゾール、（２−（２′−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）−５−クロルベンゾトリアゾール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕が挙げられ、ＢＡＳＦジャパン（株）製のＴＩＮＵＶＩＮ１０９、ＴＩＮＵＶＩＮ１７１、ＴＩＮＵＶＩＮ３２６、ＴＩＮＵＶＩＮ３２７、ＴＩＮＵＶＩＮ３２８、ＴＩＮＵＶＩＮ７７０、ＴＩＮＵＶＩＮ９００、ＴＩＮＵＶＩＮ９２８、ケミプロ化成（株）製の、ＫＥＭＩＳＯＲＢ ７１、ＫＥＭＩＳＯＲＢ ７３、ＫＥＭＩＳＯＲＢ ７４も好ましく用いることができる。

光安定剤としては、例えば、「ＴＩＮＵＶＩＮ １１１ＦＤＬ」、「ＴＩＮＵＶＩＮ １２３」、「ＴＩＮＵＶＩＮ １４４」、「ＴＩＮＵＶＩＮ １５２」、「ＴＩＮＵＶＩＮ ２９２」、「ＴＩＮＵＶＩＮ ６２２」、「ＴＩＮＵＶＩＮ ７７０」、「ＴＩＮＵＶＩＮ ７６５」、「ＴＩＮＵＶＩＮ ７８０」、「ＴＩＮＵＶＩＮ ９０５」、「ＴＩＮＵＶＩＮ ５１００」、「ＴＩＮＵＶＩＮ ５０５０」、「ＴＩＮＵＶＩＮ ５０６０」、「ＴＩＮＵＶＩＮ ５１５１」、「ＣＨＩＭＡＳＳＯＲＢ １１９ＦＬ」、「ＣＨＩＭＡＳＳＯＲＢ ９４４ＦＬ」、「ＣＨＩＭＡＳＳＯＲＢ ９４４ＬＤ」（以上、ＢＡＳＦ株式会社製）、「アデカスタブＬＡ−５２」、「アデカスタブＬＡ−５７」、「アデカスタブＬＡ−６２」、「アデカスタブＬＡ−６７」、「アデカスタブＬＡ−６３Ｐ」、「アデカスタブＬＡ−６８ＬＤ」、「アデカスタブＬＡ−７７」、「アデカスタブＬＡ−８２」、「アデカスタブＬＡ−８７」（以上、株式会社ＡＤＥＫＡ製）等が挙げられる。
また、本発明の液晶組成物は、界面活性剤を更に含有してもよい。
中でも重合性基を有する界面活性剤が好ましく、例えば、重合性基を有する界面活性剤の内、アニオン系のものとして、「アントックスＳＡＤ」、「アントックスＭＳ−２Ｎ」（以上、日本乳化剤株式会社製）、「アクアロンＫＨ−０５」、「アクアロンＫＨ−１０」、「アクアロンＫＨ−２０」、「アクアロンＫＨ−０５３０」、「アクアロンＫＨ−１０２５」（以上、第一工業製薬株式会社製）、「アデカリアソープＳＲ−１０Ｎ」、「アデカリアソープＳＲ−２０Ｎ」（以上株式会社ＡＤＥＫＡ製）、「ラテムルＰＤ−１０４」（花王株式会社製）、等のアルキルエーテル系、「ラテムルＳ−１２０」、「ラテムルＳ−１２０Ａ」、「ラテムルＳ−１８０Ｐ」、「ラテムルＳ−１８０Ａ」（以上、花王株式会社製）、「エレミノールＪＳ−２」（三洋化成株式会社製）、等のスルフォコハク酸エステル系、「アクアロンＨ−２８５５Ａ」、「アクアロンＨ−３８５５Ｂ」、「アクアロンＨ−３８５５Ｃ」、「アクアロンＨ−３８５６」、「アクアロンＨＳ−０５」、「アクアロンＨＳ−１０」、「アクアロンＨＳ−２０」、「アクアロンＨＳ−３０」、「アクアロンＨＳ−１０２５」、「アクアロンＢＣ−０５」、「アクアロンＢＣ−１０」、「アクアロンＢＣ−２０」、「アクアロンＢＣ−１０２５」、「アクアロンＢＣ−２０２０」（以上、第一工業製薬株式会社製）、「アデカリアソープＳＤＸ−２２２」、「アデカリアソープＳＤＸ−２２３」、「アデカリアソープＳＤＸ−２３２」、「アデカリアソープＳＤＸ−２３３」、「アデカリアソープＳＤＸ−２５９」、「アデカリアソープＳＥ−１０Ｎ」、「アデカリアソープＳＥ−２０Ｎ」（以上、株式会社ＡＤＥＫＡ製）、等のアルキルフェニルエーテルあるいはアルキルフェニルエステル系、「アントックスＭＳ−６０」、「アントックスＭＳ−２Ｎ」（以上、日本乳化剤株式会社製）、「エレミノールＲＳ−３０」（三洋化成株式会社製）、等の（メタ）アクリレート硫酸エステル系、「Ｈ−３３３０Ｐ」（第一工業製薬株式会社製）、「アデカリアソープＰＰ−７０」（株式会社ＡＤＥＫＡ製）、等のリン酸エステル系が挙げられる。

一方、重合性基を有する界面活性剤の内、ノニオン系のものとして、例えば、「アントックスＬＭＡ−２０」、「アントックスＬＭＡ−２７」、「アントックスＥＭＨ−２０」、「アントックスＬＭＨ-２０、「アントックスＳＭＨ−２０」（以上、日本乳化剤株式会社製）、「アデカリアソープＥＲ−１０」、「アデカリアソープＥＲ−２０」、「アデカリアソープＥＲ−３０」、「アデカリアソープＥＲ−４０」（以上、株式会社ＡＤＥＫＡ製）、「ラテムルＰＤ−４２０」、「ラテムルＰＤ−４３０」、「ラテムルＰＤ−４５０」（以上、花王株式会社製）、等のアルキルエーテル系、「アクアロンＲＮ−１０」、「アクアロンＲＮ−２０」、「アクアロンＲＮ−３０」、「アクアロンＲＮ−５０」、「アクアロンＲＮ−２０２５」（以上、第一工業製薬株式会社製）、「アデカリアソープＮＥ−１０」、「アデカリアソープＮＥ−２０」、「アデカリアソープＮＥ−３０」、「アデカリアソープＮＥ−４０」（以上、株式会社ＡＤＥＫＡ製）、等のアルキルフェニルエーテル系もしくはアルキルフェニルエステル系、「ＲＭＡ−５６４」、「ＲＭＡ−５６８」、「ＲＭＡ−１１１４」（以上、日本乳化剤株式会社製）等の（メタ）アクリレート硫酸エステル系が挙げられる。

また、本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）で表される化合物の他に、更に公知の液晶組成物用自発配向助剤を更に含有してもよい。
（液晶表示素子）
本実施形態の液晶組成物は、液晶表示素子に適用される。液晶表示素子は、アクティブマトリックス駆動用液晶表示素子であってよい。液晶表示素子１は、ＩＰＳ型、ＦＦＳ型又はＰＳＡ型、ＰＳＶＡ型、ＶＡ型、ＥＣＢ型の液晶表示素子であってよく、より好ましくはＩＰＳ型、ＦＦＳ型の液晶表示素子である。

本実施形態の液晶表示素子では、一般式（ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物が用いられているため、第一基板及び第二基板の液晶層側にポリイミド配向膜等の配向膜が設けられている必要がない。すなわち、本実施形態の液晶表示素子は、二つの基板のうち少なくとも一方の基板がポリイミド配向膜等の配向膜を有さない構成をとることができる。
（液晶表示素子）
上記のような本発明の液晶組成物は、ＦＦＳモードの液晶表示素子に適用される。以下、図１〜６を参照にして、本発明に係るＦＦＳモードの液晶表示素子の例を説明するが、上述のようにＦＦＳモードの液晶表示素子に限定されるものではない。
本発明においては、正または負の誘電率異方性を有する液晶組成物どちらでもよいが、以下に負の誘電率異方性を有する液晶組成物の場合に関して記載する。

図１は、液晶表示素子の構成を模式的に示す図である。図１では、説明のために便宜上各構成要素を離間して記載している。本発明に係る液晶表示素子１０の構成は、図１に記載するように、対向に配置された第一の透明絶縁基板２と、第二の透明絶縁基板７との間に挟持された液晶組成物（または液晶層５）を有するＦＦＳモードの液晶表示素子であって、該液晶組成物として前記本発明の液晶組成物を用いたことに特徴を有するものである。第一の透明絶縁基板２は、液晶層５側の面に電極層３が形成されている。また、液晶層５と、第一の透明絶縁基板２及び第二の透明絶縁基板７のそれぞれの間に、液晶層５を構成する液晶組成物と直接当接してホモジニアス配向を誘起する一対の重合体４を有し、該液晶組成物中の液晶分子は、電圧無印加時に前記基板２，７に対して略平行になるように配向されている。図１および図３に示すように、前記第一の基板２および前記第二の基板７は、一対の偏光板１，８により挟持されてもよい。さらに、図１では、前記第二の基板７と重合体４との間にカラーフィルタ６が設けられている。ただし、本発明の液晶表示素子では、従来設けられていた一対の配向膜のいずれか一方もしくは両方とも設けられていないことを特徴とする。

すなわち、本発明に係る液晶表示素子１０は、第一の偏光板１と、第一の基板２と、薄膜トランジスタを含む電極層３と、重合体４と、液晶組成物を含む液晶層５と、重合体４と、カラーフィルタ６と、第二の基板７と、第二の偏光板８と、が順次積層された構成である。

すなわち、本発明に係る液晶表示素子１０は、第一の偏光板１と、第一の基板２と、薄膜トランジスタを含む電極層３と、液晶組成物を含む液晶層５と、カラーフィルタ６と、第二の基板７と、第二の偏光板８と、が順次積層された構成である。第一の基板２と第二の基板７はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。２枚の基板２、７は、周辺領域に配置されたエポキシ系熱硬化性組成物等のシール材及び封止材によって貼り合わされていて、その間には基板間距離を保持するために、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子等の粒状スペーサーまたはフォトリソグラフィー法により形成された樹脂からなるスペーサー柱が配置されていてもよい。

図２は、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。図３は、図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図である。図２に示すように、第一の基板２の表面に形成されている薄膜トランジスタを含む電極層３は、走査信号を供給するための複数のゲートバスライン２６と表示信号を供給するための複数のデータバスライン２５とが、互いに交差してマトリクス状に配置されている。なお、図２には、一対のゲートバスライン２５及び一対のデータバスライン２４のみが示されている。

複数のゲートバスライン２６と複数のデータバスライン２５とにより囲まれた領域により、液晶表示装置の単位画素が形成され、該単位画素内には、画素電極２１及び共通電極２２が形成されている。ゲートバスライン２６とデータバスライン２５が互いに交差している交差部近傍には、ソース電極２７、ドレイン電極２４およびゲート電極２８を含む薄膜トランジスタが設けられている。この薄膜トランジスタは、画素電極２１に表示信号を供給するスイッチ素子として、画素電極２１と連結している。また、ゲートバスライン２６と並行して、共通ライン２９が設けられる。この共通ライン２９は、共通電極２２に共通信号を供給するために、共通電極２２と連結している。

薄膜トランジスタの構造の好適な一態様は、例えば、図３で示すように、基板２表面に形成されたゲート電極１１と、当該ゲート電極１１を覆い、且つ前記基板２の略全面を覆うように設けられたゲート絶縁層１２と、前記ゲート電極１１と対向するよう前記ゲート絶縁層１２の表面に形成された半導体層１３と、前記半導体層１７の表面の一部を覆うように設けられた保護膜１４と、前記保護層１４および前記半導体層１３の一方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたドレイン電極１６と、前記保護膜１４および前記半導体層１３の他方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたソース電極１７と、前記ドレイン電極１６および前記ソース電極１７を覆うように設けられた絶縁保護層１８と、を有している。ゲート電極１１の表面にゲート電極との段差を無くす等の理由により陽極酸化被膜（図示せず）を形成してもよい。

前記半導体層１３には、アモルファスシリコン、多結晶ポリシリコンなどを用いることができるが、ＺｎＯ、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、ＩＴＯ等の透明半導体膜を用いると、光吸収に起因する光キャリアの弊害を抑制でき、素子の開口率を増大する観点からも好ましい。

さらに、ショットキー障壁の幅や高さを低減する目的で半導体層１３とドレイン電極１６またはソース電極１７との間にオーミック接触層１５を設けても良い。オーミック接触層には、ｎ型アモルファスシリコンやｎ型多結晶ポリシリコン等のリン等の不純物を高濃度に添加した材料を用いることができる。

ゲートバスライン２６やデータバスライン２５、共通ライン２９は金属膜であることが好ましく、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ又はその合金がより好ましく、Ａｌ又はその合金の配線を用いる場合が特に好ましい。また、絶縁保護層１８は、絶縁機能を有する層であり、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、ケイ素酸窒化膜等で形成される。

図２及び図３に示す実施の形態では、共通電極２２はゲート絶縁層１２上のほぼ全面に形成された平板状の電極であり、一方、画素電極２１は共通電極２２を覆う絶縁保護層１８上に形成された櫛形の電極である。すなわち、共通電極２２は画素電極２１よりも第一の基板２に近い位置に配置され、これらの電極は絶縁保護層１８を介して互いに重なりあって配置される。画素電極２１と共通電極２２は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料により形成される。画素電極２１と共通電極２２が透明導電性材料により形成されるため、単位画素面積で開口される面積が大きくなり、開口率及び透過率が増加する。

画素電極２１と共通電極２２とは、これらの電極間にフリンジ電界を形成するために、画素電極２１と共通電極２２との間の基板に水平方向の電極間距離：Ｒが、第一の基板２と第二の基板７との距離：Ｇより小さくなるように形成されている。ここで、電極間距離：Ｒは各電極間の基板に水平方向の距離を表す。図３には、平板状の共通電極２２と櫛形の画素電極２１とが重なり合っているため、電極間距離：Ｒ＝０となる例が示されており、電極間距離：Ｒが第一の基板２と第二の基板７との距離（すなわち、セルギャップ）：Ｇよりも小さくなるため、フリンジの電界Ｅが形成される。したがって、ＦＦＳ型の液晶表示素子は、画素電極２１の櫛形を形成するラインに対して垂直な方向に形成される水平方向の電界と、放物線状の電界を利用することができる。画素電極２１の櫛状部分の電極幅：ｌ、及び、画素電極２１の櫛状部分の間隙の幅：ｍは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に形成することが好ましい。

カラーフィルタ６は、光の漏れを防止する観点で、薄膜トランジスタおよびストレイジキャパシタ２３に対応する部分にブラックマトリックス（図示せず）を形成することが好ましい。

配向膜を片面に設ける場合は、その配向膜は重合体４に接する層として位置する。これは、例えば、ラビング処理されたポリイミド膜であり、各配向膜の配向方向は平行である。ここで、図４を用いて、本実施形態における配向膜のラビング方向（液晶組成物の配向方向）について説明する。図４は、配向膜により誘起された液晶の配向方向を模式的に示す図である。
配向膜を両面とも含まない場合は、液晶表示素子への（偏光）UV処理、または基板へのラビング処理などを行なうことにより、液晶分子の均一な一軸配向を実現することができる。
ただし、ここでUV照射の偏光軸の沿った分子は選択的に反応し、消費されてゆくため液晶分子の配向軸は相対的にUV偏光軸に対して垂直になることに留意が必要である。ちなみに、ラビング処理の場合は、液晶分子の配向軸はラビング軸に対して平行になる。

画素電極２１の櫛形を形成するラインに対して垂直な方向（水平電界が形成される方向）をｘ軸としたときに、該ｘ軸と液晶分子３０の長軸方向とのなす角θが、概ね０〜４５°となるように配向されることが好ましい。配向性を考慮する場合は、角度は５〜４５°が好ましく、黒表示時の透過率の観点からは０〜１０°が好ましく、両者のバランスを考慮すると３〜８°が好ましい。
図３に示す例では、ｘ軸と液晶分子３０の長軸方向とのなす角θが、概ね０°の例が示されている。このように液晶の配向方向を誘起するのは、液晶表示装置の最大透過率を高めるためである。

また、偏光板１及び偏光板８は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラストが良好になるように調整することができ、それらの透過軸がノーマリブラックモードで作動するように、互いに直行する透過軸を有することが好ましい。特に、偏光板１及び偏光板８のうちいずれかは、液晶分子３０の配向方向と平行な透過軸を有するように配置することが好ましい。また、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。

上記のような構成のＦＦＳ型の液晶表示装置１０は、薄膜ＴＦＴを介して画素電極２１に画像信号（電圧）を供給することで、画素電極２１と共通電極２２との間にフリンジ電界を生じさせ、この電界によって液晶を駆動する。すなわち、電圧を印加しない状態では、液晶分子３０は、その長軸方向が、平行になるように配置している。電圧を印加すると、画素電極２１と共通電極２２との間に放物線形の電界の等電位線が画素電極２１と共通電極２２の上部にまで形成され、液晶層５内の液晶分子３０は、形成された電界に沿って液晶層５内を回転する。本発明では、負の誘電率異方性を有する液晶分子３０を用いるため、液晶分子３０の長軸方向が、発生した電界方向に直行するように回転する。画素電極２１の近くに位置する液晶分子３０はフリンジ電界の影響を受けやすいものの、負の誘電率異方性を有する液晶分子３０は分極方向が分子の短軸にあることから、その長軸方向が配向膜４に対して直行する方向に回転することはなく、液晶層５内の全ての液晶分子３０の長軸方向は、配向膜４に対して平行方向を維持できる。したがって、正の誘電率異方性を有する液晶分子３０を用いたＦＦＳ型の液晶表示素子に比べて、優れた透過率特性を得ることができる。

図１〜図４を用いて説明したＦＦＳ型の液晶表示素子は一例であって、本発明の技術的思想から逸脱しない限りにおいて、他の様々な形態で実施することが可能である。例えば、図５は、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図の他の例である。図５に示すように、画素電極２１がスリットを有する構成としてもよい。また、スリットのパターンを、ゲートバスライン２６又はデータバスライン２５に対して傾斜角を持つようにして形成してもよい。

また、図６は、図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図の他の例である。図６に示す例では、櫛形あるいはスリットを有する共通電極２２を用いており、画素電極２１と共通電極２２との基板に水平方向の電極間距離はＲ＝αとなる。さらに、図３では共通電極２２がゲート絶縁膜１２上に形成されている例が示されていたが、図６に示されるように、共通電極２２を第一の基板２上に形成して、ゲート絶縁膜１２を介して画素電極２１を設けるようにしてもよい。画素電極２１の電極幅：ｌ、共通電極２２の電極幅：ｎ、及び、電極間距離：Ｒは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に適宜調整することが好ましい。

また、図７に示すように、画素電極４１及び共通電極４２が同一面上に離間して噛合した状態で設けられていてもよい。図７に示す構造のＦＦＳ型表示素子においても、基板に水平方向の電極間距離Ｒが、第一の基板２と第二の基板７との距離：Ｇより小さくなるように形成される。

本発明に係るＦＦＳモードの液晶表示素子は、特定の液晶組成物を用いているため、高速応答と表示不良の抑制を両立させることができる。
（液晶表示素子の製造方法）
本発明の液晶組成物は、これに含まれる化合物（i）が紫外線照射により重合することで液晶配向能が付与され、組成物の複屈折を利用して光の透過光量を制御する液晶表示素子に使用される。液晶表示素子として、ＡＭ−ＬＣＤ（アクティブマトリックス液晶表示素子）、ＴＮ（ネマチック液晶表示素子）、ＳＴＮ−ＬＣＤ（超ねじれネマチック液晶表示素子）、ＯＣＢ−ＬＣＤ及びＩＰＳ−ＬＣＤ（インプレーンスイッチング液晶表示素子）に有用であるが、ＡＭ−ＬＣＤに特に有用であり、透過型あるいは反射型の液晶表示素子に用いることができる。

本実施形態の液晶表示素子の製造方法は、基板および液晶組成物を準備する準備工程［１］と、基板に親水化処理を施す親水化処理工程［２］と、液晶表示素子１を組み立てる組立工程［３］と、配向助剤および／または重合性化合物を重合させる重合工程［４］と、シール材を硬化させる硬化工程［５］とを有している。親水化処理工程［２］はこの工程を施すことが好ましいが、省略することもできる。

［１］ 準備工程
まず、アクティブマトリックス基板ＡＭと、カラーフィルタ基板ＣＦと、前述の液晶組成物とを用意する。

液晶表示素子に使用される２枚の基板はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。

カラーフィルターは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法又は、染色法等によって作成することができる。顔料分散法によるカラーフィルターの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルター用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルター用の画素部を作成することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード、金属絶縁体金属比抵抗素子等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。

［２］ 親水化処理工程（第１の工程）
次に、アクティブマトリックス基板ＡＭおよびカラーフィルタ基板ＣＦの液晶層に接触する面（基板ＡＭ、ＣＦの接触面）のそれぞれに、親水化処理を施してもよい。なお、本工程は、必要に応じて行うようにすればよく、省略することもできる。

親水化処理を施すことにより、基板ＡＭ、ＣＦの接触面（以下、単に「接触面」とも言う。）の親水性を高めることができる。このため、内側面に対して、液晶組成物中に含まれる配向助剤の極性基を強固に固定することができる。また、接触面から、メソゲン基が離れるように配向助剤を配向させることができる。その結果
、液晶層中において液晶分子を配向させた状態でより確実に保持することができる。

親水化処理（極性向上処理）としては、例えば、オゾン処理、コロナ処理、酸素プラズマ処理のような物理的処理、界面活性剤、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール等の付与、親水性を有する官能基の導入のような化学的処理等が挙げられる。これらの処理は、１種を単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。

中でも、親水化処理としては、物理的処理が好ましく、オゾン処理がより好ましい。オゾン処理によれば、接触面に水酸基を導入して親水性（極性）を高めることができる。また、オゾン処理（物理的処理）は、洗浄効果も高いため、内側面に付着した不純物（例えば、レジスト残渣等）を除去することができる。したがって、接触面には、配向助剤の極性基がより吸着し易くなる。

＜オゾン処理＞
オゾン処理は、紫外線（ＵＶ）照射により空気中の酸素をオゾンに変換し、オゾン含有雰囲気により表面改質を行う方法である。

ＵＶ光源としては、低圧水銀ランプが好ましい。低圧水銀ランプは、１８５ｎｍ付近と２５４ｎｍ付近との波長に発光スペクトルを有し、１８５ｎｍ付近の波長を有する光でオゾンを生成し、２５４ｎｍ付近の波長を有する光でオゾンを分解し、活性酸素を生成することが知られている。したがって、低圧水銀ランプを用いることにより、接触面に効率よく親水化処理を施すことができる。

オゾンの生成源となるガスは、酸素を含むガスであればよく、酸素ガス、乾燥空気等を用いることができる。

また、オゾン処理の雰囲気の圧力は、減圧および大気圧のいずれであってもよい。

オゾン処理の時間（ＵＶの照射時間）は、特に限定されないが、５〜１００秒間程度であることが好ましく、１０〜６０秒間程度であることがより好ましい。

＜コロナ処理＞
コロナ処理は、大気圧下に、一対の電極に高電圧の交流を印加することにより励起されるコロナ放電を利用して、表面改質を行う方法である。

＜酸素プラズマ処理＞
酸素プラズマ処理は、酸素ガスを含む処理ガスをアーク放電により電離させ、この際に発生する酸素プラズマを利用して表面改質を行う方法である。

処理ガスには、酸素ガスと、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスのような不活性ガスとの混合ガスを用いることができる。

酸素ガスの供給量は、０．５〜５０ｓｃｃｍ程度であることが好ましく、雰囲気の圧力は、０．１〜５０Ｐａ程度であることが好ましい。

アーク放電時において電源からの印加電力は、１０〜５００Ｗ程度であることが好ましく、電源の周波数は、１〜５０ｋＨｚ程度であることが好ましい。

親水化処理後の接触面の全領域において２５℃における水の静的接触角が７０°以下であることが好ましく、６０°以下であることがより好ましい。

画素電極層５および共通電極層９が有機絶縁膜を含む場合は、有機絶縁膜の表面の２５℃における水の静的接触角が７０°以下であることが好ましく、４０〜５５°程度であることがより好ましい。ＩＴＯ膜（金属酸化物膜）の表面の２５℃における水の静的接触角が３０°以下であることが好ましく、１０〜２０°程度であることがより好ましい。

また、親水化処理後の接触面の全領域において表面自由エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上であることが好ましく、６０ｍＮ／ｍ以上であることがより好ましい。

画素電極層および共通電極層が有機絶縁膜を含む場合は、有機絶縁膜の表面の表面自由エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上であることが好ましく、５５〜６５ｍＮ／ｍ程度であることがより好ましい。ＩＴＯ膜（金属酸化物膜）の表面の表面自由エネルギーが７０ｍＮ／ｍ以上であることが好ましく、７５〜８５ｍＮ／ｍ程度であることがより好ましい。

静的接触角および表面自由エネルギーを前記範囲に設定することにより、配向助剤を接触面のほぼ全面にムラなく供給することができるとともに、配向助剤をより強固に接触面に吸着（固定）することができる。

［３］ 組立工程（第２の工程）
次に、アクティブマトリクス基板ＡＭおよびカラーフィルタ基板ＣＦの少なくとも一方の縁部に沿って、ディスペンサーを用いてシール材を閉ループ土手状に描画する。

ここで、前記基板は、透明電極層が内側となるように対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層の厚さｄが１〜１００μｍとなるように調整するのが好ましい。１．５から１０μｍが更に好ましく、２．５〜４．０μｍが特に好ましい。偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。又、二枚の偏光板がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラトが良好になるように調整することもできる。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料などからなる柱状スペーサー等が挙げられる。

その後、減圧状態下において、所定量の液晶組成物をシール材の内側に滴下し、２枚の基板間に液晶組成物を狭持させる。この方法は、通常の真空注入法又はＯＤＦ（Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）法、インクジェット法などを用いることができるが、真空注入法においては滴下痕が発生しないものの、注入の跡が残る課題を有しているものであるが、本願発明においては、ＯＤＦ法を用いて製造する表示素子により好適に使用することができる。ＯＤＦ法の液晶表示素子製造工程においては、バックプレーン又はフロントプレーンのどちらか一方の基板にエポキシ系光熱併用硬化性などのシール剤を、ディスペンサーを用いて閉ループ土手状に描画し、その中に脱気下で所定量の組成物を滴下後、フロントプレーンとバックプレーンを接合することによって液晶表示素子を製造することができる。本発明の組成物は、ＯＤＦ工程における組成物の滴下が安定的に行えるため、好適に使用することができる。

ＯＤＦ法では、液晶表示素子１のサイズに応じて最適な注入量を滴下する必要がある。前述したような液晶組成物は、例えば、滴下時に生じる滴下装置内の急激な圧力変化や衝撃に対する影響が少なく、長時間にわたって安定的に滴下し続けることが可能である。このため、液晶表示素子１の歩留まりを高く維持することができる。

特に、スマートフォンに多用される小型の液晶表示素子は、液晶組成物の最適な注入量が少ないため、そのズレ量を一定範囲内に制御すること自体が難しい。しかしながら、前述したような液晶組成物を用いることにより、小型の液晶表示素子においても安定かつ最適な注入量を正確に滴下することができる。

また、ＯＤＦ法によれば、液晶組成物を基板に滴下した際の滴下痕の発生を抑えることができる。なお、滴下痕とは、黒表示および白表示した場合に液晶組成物を滴下した痕が散乱のため、白く浮かび上がる現象である。
上記により、液晶組成物に接触するように、アクティブマトリクス基板ＡＭとカラーフィルタ基板ＣＦとを対向させて配置することができる。

［４］ 重合工程（第３の工程）
配向助剤が重合性基を含む場合および／または液晶組成物が重合性化合物を含有する場合は、紫外線、電子線のような活性エネルギー線を液晶組成物に対して照射することにより、配向助剤および／または重合性化合物を重合させる。

これにより、液晶層が形成され、液晶表示素子が得られる。このとき、配向助剤は、２つの基板ＡＭ、ＣＦに固定されているため、配向助剤および／または重合性化合物の重合物は、液晶層中において基板ＡＭ、ＣＦ側に偏在する。

なお、本実施形態のように、液晶組成物に接触させるように、２つの基板を対向させた状態で重合を行う場合は、少なくとも照射面側に位置する基板は、活性エネルギー線に対して適当な透過性を有する必要がある。

また、重合は次のように複数段階で行ってもよい。具体的には、まず、マスクを用いて液晶組成物の特定の領域に存在する配向助剤および／または重合性化合物のみを重合させる。その後、電場、磁場または温度等の条件を調整し、未重合領域における液晶分子の配向状態を変化させる。この状態で、さらに活性エネルギー線を照射して、未重合領域に存在する配向助剤および／または重合性化合物を重合させる。
本工程は、液晶分子の良好な水平配向性、残留モノマー量の低減を得るためであり、適度な重合速度であることが望ましい。また、簡便性、効率の観点から前記活性エネルギー線は紫外線領域であることが特に好ましい。
また、偏光光源を用いてもよいし、非偏光光源を用いてもよいが、水平配向性の誘起のためには、偏光光源であることが好ましく、直線偏光であることがさらに好ましい。一方で、残留モノマー量低減のためには、非偏光光源であることが好ましい。これらのバランスを実現するために、活性エネルギー線を単一、併用または順番に照射することもできる。
活性エネルギー線が紫外線の場合、光源ランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。

また、照射する紫外線は、液晶組成物の吸収波長域でない波長を有する紫外線であることが好ましく、必要に応じて所定の波長をカットして使用することがより好ましい。
照射する活性エネルギー線（特に紫外線）の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ^２〜１００Ｗ／ｃｍ^２程度であることが好ましく、２ｍＷ／ｃｍ^２〜５０Ｗ／ｃｍ^２程度であることがより好ましい。なお、強度を変化させつつ、活性エネルギー線を照射するようにしてもよい。

照射する活性エネルギー線（特に紫外線）のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ^２〜５００Ｊ／ｃｍ^２程度であることが好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ^２〜２００Ｊ／ｃｍ^２程度であることがより好ましい。

また、活性エネルギー線（特に紫外線）を照射する時間は、その強度により適宜選択されるが、１０〜７２００秒程度であることが好ましく、１０〜３６００秒程度であることがより好ましく１０〜６００秒程度であることがさらに好ましい。

この際、例えば、照射する活性エネルギー線の照射時間、液晶組成物中に含まれる配向助剤の量等を適宜調整することにより、重合性モノマーの重合物に起因する表面粗さ（Ｒａ）を設定することができる。

紫外線を照射する際の温度は、電圧保持率やツイスト角安定性などの信頼性の観点からは液晶組成物のTni以下の温度が好ましく、液晶組成物の均一配向性、残存モノマーの観点からはTni以上であることが好ましく、さらに、温度は、Tni ＋３０℃以上であることがさらに好ましい。

前述したような液晶組成物において、配向助剤は、重合性化合物の重合反応を阻害しないため、重合性化合物同士が好適に重合し、未反応の重合性化合物が液晶組成物中に残存することを抑制することができる。

なお、［３］組立工程では、滴下注入（ＯＤＦ）法に代えて、真空注入法を用いるようにしてもよい。例えば、真空注入法では、まず、アクティブマトリクス基板ＡＭおよびカラーフィルタ基板ＣＦの少なくとも一方の縁部に沿って、注入口を残すようにしてシール材をスクリーン印刷する。その後、２つの基板ＡＭ、ＣＦを貼り合わせ、加熱によりシール材を熱硬化させる。次に、注入口を封止した後、［４］重合工程に移行する。

このようにして得られた液晶表示素子は、ＰＳＡ型、ＰＳＶＡ型、ＶＡ型、ＩＰＳ型、ＦＦＳ型またはＥＣＢ型の液晶表示素子であることが好ましく、ＩＰＳ型、ＦＦＳ型またはＥＣＢ型の液晶表示素子であることがより好ましい。

以上、本発明の液晶表示素子および液晶表示素子の製造方法について説明したが、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。

例えば、本発明の液晶表示素子は、その一部の構成を同様の機能を発揮する他の構成と置換してもよく、任意の構成を追加してもよい。また、本発明の液晶表示素子の製造方法は、任意の目的を有する追加の工程を有してもよく、同様の作用・効果が得られる任意の工程と置換されてもよい。

また、前記実施形態の液晶表示素子では、アクティブマトリクス基板ＡＭおよびカラーフィルタ基板ＣＦの双方がポリイミド（ＰＩ）配向膜を介さず、直接、液晶層４に接触する構成であるが、いずれか一方にＰＩ配向膜を設けるようにしてもよい。この場合、ＰＩ配向膜の表面には、親水化処理を施しても、施さなくてもよい。
ＰＩ配向膜を設けるのであれば、ＰＩ配向膜を形成する際のＣＦへの熱の影響、および配向性から、アクティブマトリクス基板ＡＭ（画素電極を有する基板）側が好ましく、残留ＤＣ、焼きつきの観点からはカラーフィルタ基板ＣＦ側が好ましい。

以下、実施例に基づき本発明を更に具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は「質量％」を意味する。
尚、実施例において化合物の記載について以下の略号を用いた。

＜環構造＞

＜側鎖構造及び連結構造＞

（ただし、表中のｎは自然数である。）
実施例中、測定した特性は以下の通りである。

Ｔ_ｎｉ ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ ：２０℃における屈折率異方性
η ：２０℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）
γ_１ ：２０℃における回転粘性（ｍＰａ・ｓ）
Δε ：２０℃における誘電率異方性
Ｋ_３３ ：２０℃における弾性定数Ｋ_３３（ｐＮ）
実施例及び比較例の各液晶組成物について、以下の各種評価試験を行った。
また、各実施例および比較例における、それぞれの液晶組成物における各評価試験の結果をそれぞれ後述の各表に記載した。
（低温安定性の評価試験）
液晶組成物をメンブレンフィルター（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、ＰＴＦＥ １３ｍｍ−０．２μｍ）にてろ過を行い、真空減圧条件にて１５分間静置し溶存空気の除去を行った。これをアセトンにて洗浄し十分に乾燥させたバイアル瓶に０．５ｇ秤量し、−２０℃の低温環境下に静置した。その後、目視にて析出の有無を観察し、以下の4段階で判定した。
Ａ：1４日静置後、析出が確認できない。
B：７日静置後、析出が確認される。
C：３日静置後、析出が確認できる。
Ｄ：1日静置後、析出が確認できる。
（水平配向性の評価試験）
透明な共通電極からなる透明電極層及びカラーフィルタ層を具備した配向膜を有さない第一の基板（共通電極基板）と、Ｌ／Ｓ＝5.０/5.０umでパターパターニングされたアクティブ素子により駆動される透明画素電極を有する画素電極層を有する配向膜を有さない第二の基板（画素電極基板）とを作製した。これら第一の基板および第一の基板における液晶層に接する側に、それぞれオゾン処理の時間を３０秒間行なった。
第一の基板上に液晶組成物を滴下し、第二の基板上で挟持し、シール材を常圧で１１０℃２時間の条件で硬化させ、セルギャップ３．５μｍのＩＰＳ型液晶セルを得た。
さらに、得られた液晶セルがTni＋３０℃の温度になるように加熱し、この温度にて、３６５ｎｍにおける照度が５０ｍＷ／ｃｍ^２である直線偏光UV光を６００秒間照射した。このとき光源は、高圧水銀ランプとし、ワイヤーグリッドを介することにより直線偏光UVの照射を行なった。
このときの配向性および滴下痕などの配向ムラを、偏光顕微鏡を用いて観察し、以下の４段階で評価した。

Ａ：端部なども含め、全面に渡り均一に一軸水平配向
Ｂ：ごく僅かに配向欠陥が有るも許容できるレベル
Ｃ：端部なども含め、配向欠陥が多く許容できないレベル
Ｄ：配向不良がかなり劣悪
（残存モノマー量の評価試験）
上記試験にて使用したセルに、さらに、東芝ライテック社製のＵＶ蛍光ランプを１２０分間照射した（３１３ｎｍにおける照度１．７ｍＷ／ｃｍ^２）後の、重合性化合物（Ｒ１−１−１）の残存量をＨＰＬＣにて定量し、残存モノマー量を決定した。モノマーの残存量に応じて、以下の４段階で評価した。

Ａ：３０ｐｐｍ未満
Ｂ：５０ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ未満。

Ｃ：５０ｍ以上２００ｐｐｍ未満
Ｄ：２００ｐｐｍ以上
（焼き付き（表示不良）評価試験）
上記（残存モノマー量の評価試験）と同様の処理(UV処理後)を行なうことにより作製したセルに対してツイスト角の変化による表示不良（焼き付き）評価を行った。まず、液晶表示素子のツイスト角を測定し、ツイスト角（初期）とした。この液晶表示素子に周波数１００Ｈｚで±３０Ｖの矩形波を電圧を印加しながらバックライトを２時間照射した。その後、ツイスト角を測定し、ツイスト角（試験後）とした。測定したツイスト角（初期）からツイスト角（試験後）を引いた値をツイスト角変化量（＝角変化の絶対値）［°］とした。ツイスト角は、シンテック製ＯＰＴＩＰＲＯを用いて測定した。なお、３０Ｖの電圧の大きさは通常の駆動電圧の数倍大きく、加速試験となっている。

ツイスト角変化量は、０［°］に近いほどツイスト角の変化による表示不良が発生する可能性がより低くなる。
ツイスト角の変化量に応じて、以下の４段階で評価した。
以下の４段階で評価した。

Ａ：0.10［°］未満
Ｂ：0.10［°］以上0.15［°］未満
Ｃ：0.15［°］以上0.20［°］未満
Ｄ：0.20［°］以上

（VHRの評価試験）
上記（残存モノマー量の評価試験）と同様の処理を行なうことにより作製したセルに対して、 周波数０．６Ｈｚ，印加電圧１Ｖの条件下で３３３Ｋにおける電圧保持率ＶＨＲ（％）を測定した。装置は、東陽テクニカ社製ＬＣＭ−２を使用した。得られた測定結果を踏まえ、ＶＨＲの性能を以下の４段階で評価した。

Ａ：９８.０％以上
Ｂ：９５.０％以上９８.０％未満
Ｃ：７５.０％以上９５.０％未満
Ｄ：７５.０％以下

（実施例１）液晶組成物の調製
下記表５に示す化合物と混合比率で構成されるホスト液晶組成物を秤量し、Tni以上の温度にて15分以上加熱処理し、室温にて１5分以上冷却することにより、ベース液晶組成物HLC 1を得た。

さらに、化合物（ｉ）に相当する化合物（P−J−１）：

をHＬＣ−１ １００質量部に対して０．5質量部添加し、加熱溶解することにより液晶組成物を調製した。各種評価試験の結果は後述する表のとおりである。
（実施例2 〜３４）
実施例1における添加量０．5質量部の化合物（P−J−１）に代えて、下記化合物を表６、表７に示す化合物を、表６、表７に示す添加量でHＬＣ−１に添加した以外は、実施例1と同様にして液晶組成物を調製した。各種評価試験の結果は後述する表８、表９のとおりである。

（実施例35〜実施例68）
HＬＣ−１ １００質量部に対して下記化合物（Ｐ−1）を０．3質量部添加し、加熱溶解することにより新たなベース液晶組成物ＬＣ−１を調製した。

ベース液晶をＨＬＣ１の代わりにＬＣ−1を用い、表１０、表１１に示す化合物および添加量でHＬＣ−１に添加した以外は、実施例1〜３４と同様にして、それぞれ液晶組成物を調製した。各種評価試験の結果は表１２、表１３のとおりである。

（実施例６９〜実施例１００）
HＬＣ−２からHＬＣ−１７を対応する下記表１４から表２９に示す化合物と混合比率で構成されるホスト液晶組成物を調整し、各ベース液晶組成物HＬＣ−２からHＬＣ−１７を得た。

また、HＬＣ−1と同様に、それぞれのベース液晶組成物HＬＣ−２からHＬＣ−１７を１００質量部に対して下記化合物（Ｐ−１）を０．3質量部添加し、加熱溶解することにより、新たなベース液晶組成物ＬＣ−２からＬＣ−１７を得た。

ベース液晶をＨＬＣ１の代わりに表３０、表３１に示すベース液晶、および表３０、表３１に対応する化合物を対応する添加量で添加した以外は、実施例1〜３４と同様にして、それぞれ液晶組成物を調製した。各種評価試験の結果は表３２、表３３のとおりである。

以上のように本発明の化合物は、配向性と保存安定性に加え、電圧保持率、ツイスト角安定などの耐久性を兼ね備えており、優れた液晶組成物を提供することができる。
［添加剤の添加］
実施例にて作製した各種の液晶組成物を１００重量％としたときに、下記化合物（A-1） を０．００５０重量％加えた。その結果、実施例と同様に優れた結果を示した。

上記と同様に、実施例にて作製した各種の液晶組成物を１００重量％としたときに、ＫＥＭＩＳＯＲＢ ７１（BASF社製） を０．２ｗｔ％加えた。その結果、対応する実施例と同様に優れた結果を示した。

上記と同様に、実施例にて作製した各種の液晶組成物を１００重量％としたときに、ＴＩＮＵＶＩＮ ７７０（BASF社製） を０．００５０重量％加えた。その結果、対応する実施例と同様に優れた結果を示した。

本発明における液晶組成物を用いて作製した表示素子にさらに、カラーフィルターを具備した表示素子を作製した結果、表示素子として優れた性能を示すことが判明した。
本発明における液晶組成物を用いて作製した表示素子にさらに、タッチパネルを具備した表示素子を作製した結果、表示素子として優れた性能を示すことが判明した。
(比較例)
（比較例１〜３３）
表３５、表３６に示すベース液晶を１００質量部としたときに、それぞれ表３４、表３５に示す化合物を表３４、表３５添加量にて添加した以外は、実施例1と同様にして液晶組成物を調製した。各種評価試験の結果は表３６、表３７のとおりである。

以上のように比較例に比べ、本発明の液晶組成物は、素子として優れた性能を示すことが確認された。
［製造方法］
[実施例 Ｄ−１からＤ−３３]
また、実施例1〜１００と同様に、液晶組成物、UV光照射温度、オゾン処理の有無、UV光照度、照射時間、ＵＶ照射光源の偏光度などを変更し、表３８、表３９における作製条件にて各種素子を作製した。これらの評価試験を下記表４０、表４１に示す
。表中、液晶組成物は、それぞれ使用した液晶組成物が既出の実施例との対応状況を表し、照射温度は、ＵＶ光を照射した温度を表し、Ｔｎｉより５０℃高い温度（＋５０）、Ｔｎｉより３０℃高い温度（＋３０）、Ｔｎｉより１０℃高い温度（＋１０）を表し、処理はオゾン処理をしたもの（○）オゾン処理をしていないもの（×）を表し、ＵＶ光は、照射したＵＶ光が直線偏光であるか、非偏光であるかを表し、照度は照射したＵＶ光の照度（ｍＷ／ｃｍ^２）を表し、照射時間はＵＶ光を照射した時間（秒）を表す。

以上のように、本発明における製造方法にて作製したパネルは、配向性などの各種評価結果において優れた結果であり、液晶表示素子として優れていることが判明した。

本発明における製造方法にて作製した表示素子にさらに、カラーフィルターを具備した表示素子を作製した結果、表示素子として優れた性能を示すことが判明した。

本発明における製造方法にて作製した表示素子にさらに、タッチパネルを具備した表示素子を作製した結果、表示素子として優れた性能を示すことが判明した。

以上のように、本発明における製造方法にて作製した液晶表示素子は、配向性などの各種評価結果において優れた結果であり、液晶表示素子として優れていることが判明した。
[比較例]
また、実施例Ｄ−１からＤ−３３と同様に、下記表４２に示す製造方法における要因を変えて各種素子を作製した。作製したセルの性能評価を下記表４２に示す

以上のように、本発明における製造方法ではない方法にて作製したセルは、配向性などの各種評価結果が不十分である素子として不適であることが判明した。

Claims (38)

1. メソゲン基、及び前記メソゲン基に結合した光異性化基又は二量化基を含む化合物（ｉ）を１種又は２種以上を含有し、
   誘電的に中性の化合物を１種又は２種以上含有し、
   誘電的に正及び負の化合物から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有するネマチック液晶組成物。
2. 化合物（ｉ）におけるメソゲン基に、さらに１個又は２個以上のＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−
   （式中、Ｐ^ｉ１は、一般式（Ｐ−１）〜一般式（Ｐ−１５）で表される群より選ばれる置換基を表し、
   

   

   （式中、右端の黒点は結合手を表す。）
   Ｓｐ^ｉ１は、単結合又はスペーサー基を表す。）
   が結合した請求項１に記載のネマチック液晶組成物。
3. 化合物（ｉ）が２つ以上のＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−
   （式中、Ｐ^ｉ１及びＳｐ^ｉ１は、請求項２記載のＰ^ｉ１及びＳｐ^ｉ１と同じ意味を表す。）
   を有する請求項１又は２に記載のネマチック液晶組成物。
4. 化合物（ｉ）が分子内に有するＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−
   （式中、Ｐ^ｉ１は、請求項２記載のＰ^ｉ１と同じ意味を表す。）
   におけるＳｐ^ｉ１が単結合である請求項１〜３のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
5. 化合物（ｉ）におけるメソゲン基に、１個又は２個以上の吸着基（−Ｋ^ｉ１）が結合した
   請求項１〜４のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
6. 化合物（ｉ）における吸着基（−Ｋ^ｉ１）が、一般式（Ｋ−１）〜（Ｋ−１８）
   

   

   （式中、Ｗ^Ｋ１は、メチン基又は窒素原子を表すが、メチン基中の水素原子は炭素原子数１〜６の直鎖又は分岐のアルキル基で置換されてもよく、
   Ｒ^Ｋ１は、水素原子、炭素原子数１〜６の直鎖又は分岐のアルキル基を表し該アルキル基中の−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよいが−Ｏ−は連続にはならなく、
   Ｘ^Ｋ１及びＹ^Ｋ１はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−、酸素原子又は硫黄原子を表し、
   Ｚ^Ｋ１は、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｕ^Ｋ１、Ｖ^Ｋ１及びＳ^Ｋ１は、それぞれ独立して、メチン基又は窒素原子を表し、Ｔ^Ｋ１は、それぞれ独立して一般式（Ｔ−１）〜（Ｔ−６）
   

   

   （式中、Ｓ^Ｔ１は、単結合、炭素原子数１〜１５個の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基又は炭素原子数２〜１８個の直鎖状若しくは分岐状のアルケニレン基を表し、当該アルキレン基又は当該アルケニレン基の−ＣＨ_２−は酸素原子が直接隣接しないように−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝ＣＨ_２）−又は−ＯＣＯ−に置換されてもよく、Ｒ^Ｔ１は、炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、当該アルキル基の−ＣＨ_２−は酸素原子が直接隣接しないように−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝ＣＨ_２）−又は−ＯＣＯ−に置換されてもよく、Ｒ^Ｔ２及びＲ^Ｔ３は、それぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、一般式（ｉ）で表される化合物は少なくとも一つのＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−基を有する。）
   のいずれかで表される基である請求項５に記載のネマチック液晶組成物。
7. 吸着基（−Ｋ^ｉ１）が一般式（Ｋ−１３）〜（Ｋ−１８）から選択され、かつＴ^Ｋ１の少なくとも一つが一般式（Ｔ−１）である請求項１に記載のネマチック液晶組成物。
8. 吸着基（−Ｋ^ｉ１）が（Ｋ−１３）〜（Ｋ−１８）から選択され、かつＴ^Ｋ１の少なくとも一つが（Ｔ−３）である請求項６又は７に記載のネマチック液晶組成物。
9. 吸着基（Ｋ^ｉ１）が、（Ｋ−１）〜（Ｋ−１２）のいずれかである請求項６又は７に記載のネマチック液晶組成物。
10. 化合物（ｉ）が一般式（ｉ）で表される化合物である請求項１〜９のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
    

    

    （式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ2はそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜４０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、又はＰ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−を表し、該アルキル基中の−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよいが−Ｏ−は連続にはならなく、Ｐ^ｉ１は重合性基を表し、Ｓｐ^ｉ１はスペーサー基又は単結合を表し、
    Ａ、Ｃ及びＤはそれぞれ独立して、２価の芳香族基、２価の複素芳香族基、２価の脂肪族基、２価の複素脂肪族基を表し、
    Ｂは、芳香族基を表し、これらＡからＤの環構造は、無置換であるか又は炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数１〜１２のハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、Ｐ^ｉ１−Ｓｐ^ｉ１−及び−Ｚ^４−Ｋ^ｉｌで置換されていてもよく、
    Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２―ＣＨ_２−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）―ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、又は炭素原子数２〜２０のアルキレン基を表し、このアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して、−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
    Ｚ^３１及びＺ^３２はそれぞれ独立して、一般式（Ｚ３−１）〜（Ｚ３−５）から選ばれる基、又は単結合を表すが、Ｚ^３１及び／又はＺ^３２の少なくとも一つは（Ｚ３−１）〜（Ｚ３−５）のいずれかであり、
    

    

    （式中、両端の黒点は結合手を表す。）
    ｌ、ｍ及びｎはそれぞれ独立して、０、１、２の整数を表し、
    ｋは０、１、２の整数を表し、
    Ｚ^４は、単結合、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）―ＣＨ_２−、又は炭素原子数1〜２０の直鎖又は分岐アルキレン基を表し、該アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
    Ｋ^ｉ１は請求項６に記載の一般式（Ｋ−１）〜（Ｋ−１８）から選択されるいずれかを表す。）
11. 誘電的に正の化合物として一般式（２―Ａ）及び一般式(２−Ｂ)で表される化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有し、正の誘電率異方性を有する請求項１〜１０のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
    

    

    (式中、Ｒ_２は炭素原子数１から７のアルキル基、炭素原子数１から7のアルコキシ基又は炭素原子数２から7のアルケニル基であり、環Ｃは、複数存在する場合は相互に独立して、環上の−ＣＨ_２−基の１個又は２個以上が−Ｏ−又は−Ｓ−で置換されていてもよい１，４−シクロへキシレン基、又は、環状の−ＣＨ＝基の１個又は２個以上が−Ｎ＝で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し、これら環上の水素原子は１個又は２個以上がハロゲン原子で置換されていてもよく、Ｌ_２は、複数存在する場合は相互に独立して、単結合、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−を表し、Ｘ_１は、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子で置換された炭素原子数1〜６のアルキル基又は少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子で置換された炭素原子数1〜６のアルコキシ基を表し、Ｙ_１及びＹ_２は相互に独立して、水素原子又はフッ素原子を表し、ｂは、１、２、３又は４を表す。)
12. 一般式（２−Ａ）及び（２−Ｂ）で表される化合物として、一般式（２−Ａ−１）〜（２−Ａ−２８）及び一般式（２−Ｂ−１）〜（２−Ｂ−６）で表される化合物を１種又は２種以上を含有する請求項１１に記載のネマチック液晶組成物。
    

    

    

    (式中、Ｒ_２は炭素原子数１から７のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基又は炭素原子数２から7のアルケニル基を表す。)
13. 誘電的に中性の化合物として、式（Ｌ−１−３．１）〜（Ｌ−１−３．４）で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１〜１２のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
    

    
14. 誘電的に中性の化合物として、式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物を含有し、その含有量が２４％以下である請求項１〜１３のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
    

    
15. 一般式（２−Ａ−４）で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１２〜１４のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
16. 誘電的に中性の化合物として、一般式（Ｌ−６）で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１〜１５のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
    

    

    (式中、Ｒ^Ｌ６１及びＲ^Ｌ６２は、それぞれ一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表し、Ｘ^Ｌ６１及びＸ^Ｌ６２はそれぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表すが、いずれか一方は水素原子を表し、他方はフッ素原子を表す。)
17. 誘電的に負の化合物として、一般式（５）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、負の誘電率異方性を有する請求項１〜１６のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
    

    

    （式中、Ｒ_５１及びＲ_５２はそれぞれ独立して、炭素原子数１から７のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数２から７のアルケニル基、炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基であり、環Ｄ及びＦはそれぞれ独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−シクロへキセニレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子又はメチル基で置き換えられた１，４−フェニレン、又はテトラヒドロピラン−２，５−ジイルを表し、環Ｅは、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−３−フルオロ−１，４−フェニレン、３，４，５−トリフルオロナフタレン−２，６−ジイル、７，８−ジフルオロクロマン−２，６−ジイル又は
    

    

    を表し、Ｌ_４及びＬ_５はそれぞれ独立して、単結合、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｃは０、１、２又は３を表し、ｄは０又は１を表し、ｃとｄの和は３以下であり、環Ｄ及びＬ_４が複数存在する場合それらは同一であっても異なっていてもよい。）
18. 一般式（５）で表される化合物として、一般式（５−１）〜（５−１５）で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１７に記載のネマチック液晶組成物。
    

    

    

    

    （式中、Ｒ_５１及びＲ_５２はそれぞれ独立して、請求項１７記載のＲ_５１及びＲ_５２と同じ意味を表す。）
19. 誘電的に中性の化合物として、式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物を含有する請求項１〜１８のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
    

    
20. 誘電的に中性の化合物である一般式（Ｌ−６）及び誘電的に負の化合物である一般式（５−１３）で表される群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有する請求項１〜１９のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
    

    

    (式中、Ｒ^Ｌ６１、Ｒ^Ｌ６２、Ｒ_５１及びＲ_５２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基又は炭素原子数２から７のアルケニル基を表し、Ｘ^Ｌ６１及びＸ^Ｌ６２はそれぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表すが、いずれか一方は水素原子を表し、他方はフッ素原子を表す。)
21. 誘電的に正の化合物として、一般式（２−２０）で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１〜２０のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
    

    

    (Ｒ_２は、炭素原子数１から７のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基又は炭素原子数２から７のアルケニル基を表す。)
22. 誘電的に中性の化合物として、式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物を含有する請求項１〜２１のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
    

    
23. 誘電的に正の化合物として、請求項１１記載の一般式（２−Ａ）及び（２−Ｂ）で表される群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有し、誘電的に負の化合物として、請求項１７記載の一般式（５）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、正の誘電率異方性を有する請求項１〜２１のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
24. 重合性化合物（Ｐ）を更に含有する請求項１〜２３のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
25. 重合性化合物（Ｐ）として、一般式（Ｐ）：
    

    

    （式中、Ｒ^ｐ１は、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素原子数１〜１５のアルキル基又は−Ｓｐ^ｐ２−Ｐ^ｐ２を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、該アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
    Ｐ^ｐ１及びＰ^ｐ２はそれぞれ独立して、一般式（Ｐ^ｐ１−１）〜式（Ｐ^ｐ１−９）
    

    

    （式中、Ｒ^ｐ１１及びＲ^ｐ１２はそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１〜５のハロゲン化アルキル基を表し、Ｗ^ｐ１１は単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−又はメチレン基を表し、ｔ^ｐ１１は、０、１又は２を表すが、分子内にＲ^ｐ１１、Ｒ^ｐ１２、Ｗ^ｐ１１及び／又はｔ^ｐ１１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていても良い。）
    のいずれかを表し、
    Ｓｐ^ｐ１及びＳｐ^ｐ２はそれぞれ独立して、単結合又はスペーサー基を表し、
    Ｚ^ｐ１及びＺ^ｐ２はそれぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＯＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ^ＺＰ１−、−ＮＲ^ＺＰ１−ＣＯ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ＺＰ１−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ＺＰ１−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ＺＰ１＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ＺＰ１＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ＺＰ１＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ＺＰ１＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ＺＰ１＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ＺＰ１＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−（ＣＨ_２）_ｚ−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−（ＣＨ_２）_２−、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は−Ｃ≡Ｃ−（式中、Ｒ^ＺＰ１はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表すが、分子内にＲ^ＺＰ１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていても良い。）
    を表し、
    Ａ^ｐ１、Ａ^ｐ２及びＡ^ｐ３はそれぞれ独立して、
    （ａ^ｐ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
    （ｂ^ｐ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
    （ｃ^ｐ） ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１、４−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基又はアントラセン−２，６−ジイル基（これら基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、この基中に存在する水素原子は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルケニル基で置換されていてもよい。）
    からなる群より選ばれる基を表し、基（ａ^ｐ）、基（ｂ^ｐ）及び基（ｃ^ｐ）は、それぞれ独立して、この基中に存在する水素原子が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルケニル基又は−Ｓｐ^ｐ２−Ｐ^ｐ２で置換されていても良く、
    ｍ^ｐ１は、０、１、２又は３を表し、分子内にＺ^ｐ１、Ａ^ｐ２、Ｓｐ^ｐ２及び／又はＰ^ｐ２が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていても良いが、Ａ^ｐ３は、ｍ^ｐ１が０で、Ａ^ｐ１がフェナントレン−２，７−ジイル基又はアントラセン−２，６−ジイル基である場合には単結合を表す。ただし、化合物（ｉ）のｋが０の場合，一般式（ｉ）で表される化合物（ｉ）を除く。 ）
    で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項２４に記載のネマチック液晶組成物。
26. 酸化防止剤を更に含有する請求項１〜２５のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
27. ＵＶ吸収剤を更に含有する、請求項１〜２５のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物。
28. 二つの基板と、該二つの基板の間に設けられた請求項１〜２７のいずれか１項に記載のネマチック液晶組成物を含む液晶層と、を備える液晶表示素子。
29. アクティブマトリックス駆動用である請求項２８に記載の液晶表示素子。
30. ＰＳＡ型、ＰＳＶＡ型、ＶＡ型、ＩＰＳ型、ＦＦＳ型又はＥＣＢ型である請求項２８又は２９に記載の液晶表示素子。
31. 二つの基板のうち少なくとも一方の基板が配向膜を有さない請求項２８〜３０のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
32. ＵＶ線の照射により重合した重合性化合物の重合体を備え、該重合体が液晶層に接触する請求項２８〜３１のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
33. 前記ＵＶ線が偏光ＵＶである請求項３２に記載の液晶表示素子。
34. ネマチック液晶組成物のＴｎｉ以上の温度でＵＶ照射する請求項３２又は３３に記載の液晶表示素子の製造方法。
35. ネマチック液晶組成物のＴｎｉより３０℃以上高い温度でＵＶ線を照射する請求項３４に記載の液晶表示素子の製造方法。
36. ネマチック液晶組成物のＴｎｉより５０℃以上高い温度でＵＶ線を照射する請求項３２又は３４に記載の液晶表示素子の製造方法。
37. ＵＶ線を照射する時間が、１０〜７２００秒である請求項３４〜３６のいずれか１項に記載の液晶表示素子の製造方法。
38. ネマチック液晶組成物が、少なくとも１つの基板にオゾン処理を実施した、２つの基板に挟持されている請求項３４〜３７のいずれか１項に記載の液晶表示素子の製造方法。

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