JP2020532633A - 向上した熱安定性を有する、ハードマスク及び充填材料として有用なスピンオン無機酸化物含有組成物 - Google Patents

向上した熱安定性を有する、ハードマスク及び充填材料として有用なスピンオン無機酸化物含有組成物 Download PDF

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Abstract

本発明は、成分ａ、ｃ及びｄ；及び任意選択的に成分ｂを含む組成物であって、成分ａが、構造（Ｉ）を有する金属化合物であり、任意選択的の成分ｂが構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤であり、成分ｃが高性能ポリマー添加剤であり、そして成分ｄ．が溶剤である組成物に関する。更に、本発明は、フッ素プラズマを用いて半導体基材を選択的にエッチングするために使用し得る、半導体基材上の金属酸化物から構成された高Ｋ材料のパターン化フィルムの形成を介してまたは半導体基材を覆う、金属酸化物から構成されたパターン化層の形成を介して、電子デバイスを製造する方法にこの組成物を使用することに関する。

Description

本発明は、可溶性で、複数の配位子で置換された金属化合物、任意の高性能ポリオール添加剤及び溶剤を含む、高Ｋ金属酸化物への空気安定性前駆体として有用な組成物に関する。これらの前駆体は、トレンチまたはビアマイクロリソグラフィ図形に対して向上した空隙充填能を示し、そしてこれらの充填されたリソグラフィ図形を加工した後に、化学蒸着法（ＣＶＤ）を使用せずに、パターン化された高Ｋ金属酸化物を含む基材を与え得る。これらの材料は、ハードマスク材料としても使用し得る。
金属酸化物フィルムは、例えばリソグラフィ用ハードマスク、反射防止コーティング用の下層、及び電子光学的デバイスなど、半導体工業における様々な用途において有用である。
一例としては、フォトレジスト組成物は、コンピュータチップ及び集積回路の製造など、微細化された電子部品の製造のためのマイクロリソグラフィプロセスに使用されている。一般的に、フォトレジスト組成物の薄いコーティングを、集積回路の製造に使用されるケイ素ウェハなどの基材に施す。次いで、コーティングされた基材をベークして、フォトレジストから所望の量の溶媒を除去する。次いで、この基材上のフォトレジストフィルムを、可視光線、紫外線、極端紫外線、電子ビーム、粒子線及びＸ線などの化学線に像様に暴露し、そして現像してパターンを形成する。この放射線は、フォトレジストの暴露された領域において化学的な変化を引き起こす。この暴露されたコーティングは現像剤溶液で処理して、フォトレジストの放射線暴露された領域または暴露されていない領域のいずれかを溶解、除去する。
半導体デバイスは微細化される傾向にあり、このような微細化に伴う問題を解消するために、より一層短い波長の放射線に感度のある新しいフォトレジストや、精巧なマルチレベルシステムも使用されてきている。
フォトリソグラフィにおける吸光性反射防止コーティング及び下層は、多くの場合に反射性の高い基材から反射する放射線の結果生ずる問題を軽減するために使用される。反射された放射線は、薄膜干渉効果及び反射ノッチングを招く。薄膜干渉または定在波は、フォトレジストの厚さが変化した時にフォトレジストフィルム中の全光強度が変動することによって引き起こされる微小線幅寸法の変化を結果として招く。反射暴露放射線及び入射暴露放射線の干渉は、厚さ方向の放射線の均一性を歪める定在波効果を起こし得る。反射ノッチングは、フォトレジストフィルム中に光を散乱させて線幅変動を招き、極端なケースでは所望の寸法が完全に失われた領域をも形成するトポグラフィ図形を含む反射性基材上にパターンを形成する場合に、深刻になる。フォトレジストの下でかつ反射性基材の上にコーティングされる反射防止コーティングフィルムは、フォトレジストのリソグラフィ性能にかなりの改善をもたらす。典型的には、底面反射防止コーティングを基材に施用し、そして硬化し、その後にフォトレジストの層を設ける。このフォトレジストは像様に暴露されそして現像される。次いで、暴露された領域の反射防止コーティングは、典型的には、様々なエッチングガスを用いてドライエッチングし、そうしてフォトレジストパターンが基材へと転写される。
多量の耐熱性元素を含む下層を、ハードマスクとして並びに反射防止コーティングとして使用することができる。ハードマスクは、その上にあるフォトレジストが、下にある半導体基材中に画像を転写するために使用されるドライエッチングに対して十分な耐性を供することができない場合に有用である。このような環境では、ハードマスクと呼ばれる材料が使用され、これは、その上に形成されている任意のパターンを下の半導体基材中に転写するために十分に高い耐エッチングを持つ。これは、有機フォトレジストが下にあるハードマスクと異なるため及びフォトレジスト中の画像を下にあるハードマスクへと転写することを可能にするエッチングガス混合物をあてがうことができるために、可能となる。次いで、このパターン化されたハードマスクは、適切なエッチング条件及びガス混合物を用いて、画像をハードマスクから半導体基材へと転写するために使用でき、これは、フォトレジストだけでは単一のエッチングプロセスで為し得ない仕事である。
多層型の反射防止層及び下層が、新しいリソグラフィ技術において使用されつつある。フォトレジストが十分な耐ドライエッチング性を供しない場合には、ハードマスクとして働き及び基材エッチングの際に高耐エッチング性である、フォトレジスト用の下層及び／または反射防止コーティングが好ましい。一つの方策として、有機フォトレジスト層の下の層にケイ素、チタンまたは他の金属材料が組み入れられてきた。追加的に、他の高炭素含有率の反射防止またはマスク層を金属含有反射防止層の下に配置することができ、例えば、画像形成プロセスのリソグラフィ性能を高めるために、高炭素フィルム／ハードマスクフィルム／フォトレジストの三層が使用される。慣用のハードマスクは、スパッタリングなどの化学蒸着法で施用することができる。しかし、上記の慣用の方策に対するスピンコート法の相対的な簡単さの故に、フィルム中に金属材料を高濃度で含む新しいスピンオンハードマスクまたは反射防止コーティングの開発が非常に望ましい。
金属酸化物を含む半導体用途用の下層組成物は、耐ドライエッチング性及び反射防止性を供することが分かっている。しかし、金属アルコキシドなどの金属酸化物フィルムを形成するための慣用の可溶性金属化合物は、空気中の湿気に対して非常に不安定であり、そのため、貯蔵寿命安定性、コーティングの問題及び性能上の欠点など様々な問題を招くことが判明した。金属酸化物は、半導体工業において典型的に使用され、そして受け入れられている溶剤中で溶解性の問題を有する。
数十年の間、ゲート酸化物材料としては二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が使用されてきた。しかし、デバイス性能を高めるように、トランジスタは小型化されているために、二酸化ケイ素ゲート絶縁膜の厚さが、ゲート容量を高め、それによって駆動電流を高めるために急激に薄くなっている。等式１は、Ｓｉ基材及びゲートからの量子力学的及び枯渇効果は無視して、ＭＯＳＦＥＴ（金属−酸化物−半導体電界効果トランジスタ）が単純な平行板コンデンサとしてモデル化されているキャパシタンスゲート酸化物間のこの関係を示している。等式１では、Ａは、コンデンサ面積であり；κは、材料の比誘電率（二酸化ケイ素では３．９）、ε０はフリーの空間の誘電率であり、そしてｔは、コンデンサ酸化物絶縁体の厚さである。
しかし、厚さが２ｎｍを大きく下回るスケールであるので、量子トンネルが原因の漏れ電流が劇的に大きくなる。これにより、電力消費量が多くなり、そしてデバイスの信頼性が低まる。この漏れ電流なしでゲート容量を高めるためには、二酸化ケイ素ゲート絶縁体を、高κ（高Ｋ）材料（別に言い方では、等式１でのより大きいκ）に代える必要がある。或る種の金属酸化物が、１０以上のＫ値を有する高Ｋ金属酸化物として有用である。しかし、これらの高Ｋ金属酸化物は常にＣＶＤ（化学蒸着）を用いて堆積される。ＣＶＤは、コスト高であり、特殊な装置を必要とし、そして深いビアまたはトレンチを持つパターン基材上で良好な平坦化をもたらさないプロセスである。それ故、空気に暴露した後でも安定している溶液からスピンコートできるスピンオン型高Ｋ材料を調製することに大きな要望がある。また、非常に低い空隙形成しか示さない良好なビア及びトレンチ充填材料として追加的に働き得る、このような空気安定性及び熱安定性高Ｋ金属酸化物調合物への要望もある。これらの要望は、パターン化された基材を高Ｋ金属酸化物前駆体で充填できる、本発明による組成物により満たされる。加工すると、これらの充填されたリソグラフィ図形は、本発明の組成物に由来するパターン化された高Ｋ金属酸化物を有する基材を与える。高Ｋ材料としてのそれらの使用の他に、これらの新規組成物は、ハードマスクとして有用であり、そしてこの能力において、半導体基材（例えば、ケイ素、ゲルマニウムなど）上にパターン化されたハードマスクを形成して、プラズマエッチングプロセスを介して基材のパターン化を可能にするためにも使用し得る。これらのハードマスクパターンは、慣用のフォトレジストパターン化方策を介して、未パターン化基材上で該新規組成物のコーティングをパターン化することによって形成し得る。またその代わりに、このパターンは、半導体基材中に、またはその上にあるパターン化されたレジストもしくはパターン化されたスピンオン炭素層中のいずれかに既に存在しているトポグラフィの充填から生じ得る。ハードマスク用途では、基材中へのパターン転写の完了後、残ったハードマスクパターンは化学溶液中で剥離可能である。
本発明は、成分ａ、ｃ及びｄ、任意選択的に及び成分ｂを含む組成物に関する。
ここで成分ａは、次の構造（Ｉ）を有する金属化合物である。
構造（Ｉ）において、Ｍは、４の価数（４）を有する金属であり；ｎは１〜２０の整数であり、そしてＲ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、それぞれ、１）、２）及び３）からなる群から独立して選択される部分である。
構造（Ｉ）において、部分１）は、構造（ＩＩ）を有する第一の有機部分である。ここで、構造（ＩＩ）において、Ｒ５は、Ｃ２〜Ｃ１０アルキレン、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキレン、Ｃ５〜Ｃ１２シクロアルキレン、Ｃ＝Ｃ二重結合を含むＣ２〜Ｃ１０アルキレン、Ｃ＝Ｃ二重結合を含むＣ３〜Ｃ１２分岐状アルキレン、及びＣ＝Ｃ二重結合を含むＣ５〜Ｃ１２シクロアルキレンからなる群から選択され；そしてＲ６は、水素、または構造（ＩＩＩ）を有するアルキルオキシカルボニルである。ここで、構造（ＩＩＩ）において、Ｒ７は、Ｃ１〜Ｃ８アルキルである。
構造（Ｉ）において、部分２）は、構造（ＩＩ）を有しかつ少なくとも二つの炭素を有するケイ素含有有機部分である。ここで、構造（ＩＶ）において、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、Ｒ１０は、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ６〜Ｃ１６アリール、及びヒドロキシル及び構造（Ｖ）を有するシロキサンからなる群から選択される。ここで、構造（Ｖ）において、Ｒ１１は、水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、ヒドロキシルで置換されたＣ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ６〜Ｃ１６アリール、構造（ＶＩａ）を有するシリル部分からなる群から選択され、そしてＲ１２及びＲ１３は、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、そしてｐは、シロキサン部分（Ｖ）中の繰り返し単位の数を表す。ここで、構造（ＩＶａ）において、Ｒ８ａ及びＲ９ａは、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、Ｒ１０ａは、Ｃ１〜Ｃ８アルキル及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択される。
構造（Ｉ）において、部分３）は、Ｃ２〜Ｃ８アルキル、Ｃ２〜Ｃ８アルキルカルボキシル、Ｃ６〜Ｃ２０アリールカルボキシル、フルオレニルカルボキシル、フッ素化Ｃ２〜Ｃ８アルキルカルボキシル、Ｃ２〜Ｃ８アルキルスルホニル、フッ素化Ｃ２〜Ｃ８アルキルスルホニル、及びこれらの混合物からなる群から選択される第二の有機部分である。
構造（Ｉ）において、選択される部分は、この構造における上記の部分の混合物であってよい。
上記の本発明による組成物中の任意選択の成分ｂは、構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤であり、式中、ＸはＣまたはＮであり；ｒは少なくとも２であり；ｑは０〜２であり；但し、ＸがＣの場合にはｑとｒの合計は４であり、そしてｑとｒの合計は３である。ＸがＮの場合は、Ｒ１４は、水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル及びＣ２〜Ｃ８ヒドロキシアルキルからな群から選択される。ＸがＮである場合は、ＹはＣ１〜Ｃ８アルキレンである。ＸがＣである場合は、Ｙは、直接原子価結合、Ｃ１〜Ｃ８アルキレン、及び構造（ＶＩＩ）を有する部分からなる群から選択される。ここで、構造（ＶＩＩ）において、Ｒ１５はＣ２〜Ｃ８アルキレンであり；ｓは０〜２であり；そしてｔは１〜２である。
上記の本発明による組成物中の成分ｃは、高性能ポリマー添加剤である。
上記の本発明による組成物中の成分ｄは、溶剤である。
本発明はまた、高Ｋ金属酸化物への前駆体として上記の本発明による組成物を用いた方法に関する。本発明は更に、基材上のリソグラフィ図形を充填するために本発明による組成物を使用し、これが、パターン化された高Ｋ金属酸化物を含む基材を加工後に与える方法に関する。
具体的には、本発明は、パターン化フォトレジストであるか、パターン化スピンオン炭素であるか、またはビア、トレンチ、ホールまたは他の中空のトポグラフィ図形パターンを含むパターン化半導体であるパターン化基材をコーティングするために該新規空気安定性組成物を使用し、これらの空隙を、少ない空隙形成をもって充填し、そしてこれらの充填されたパターンを、基材上にパターン化金属酸化物を形成するためのプロセスに使用することに関する。
上記の一般的な説明及び以下の詳細な説明の双方とも例示的なものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定するものではないと理解するべきである。本願において、単数形の使用は複数を包含し、他に具体的に記載がなければ、単数形は「少なくとも一つ」を意味し、そして「または」の使用は「及び／または」を意味する。更に、「含む」という記載、並びに「含まれる」などの他の動詞形の使用は限定的ではない。また、「要素」または「成分」などの記載は、他に具体的に記載がなければ、一つの構成単位を含む要素及び成分、並びに１つ超の構成単位を含む要素または成分の両方を包含する。ここで、他に指示が無ければ、使用する「及び」という接続詞は包括的であることを意図しており、「または」という接続詞は排他的であることを意図していない。例えば、「またはその代わりに」というフレーズは、排他的であることを意図している。ここで使用する「及び／または」という記載は、単一要素の使用も含む、前述される要素の任意の組み合わせを指す。
ここで使用する各章の表題は、文書構成を目的としたものであって、記載の主題を限定するものと解釈するべきではない。限定はされないが特許、特許出願、論文、書籍及び専門書を始めとした本願で引用する全ての文献または文献の一部は、全ての目的に関してそれらの内容の全てが本明細書中に掲載されたものとする。ここに掲載されたものとする文献及び類似の資料の一つ以上における用語の定義が、本願明細書におけるものと矛盾する場合は、本願の定義が優先する。
他に指示が無ければ、ここで使用する「及び」という接続詞は包括的であることを意図しており、「または」という接続詞は排他的であることを意図していない。例えば、「またはその代わりに」というフレーズは、排他的であることを意図している。
ここで使用する「及び／または」という記載は、単一要素の使用も含む、前述される要素の任意の組み合わせを指す。
ここで使用する場合、他に記載がなければ、「Ｍは、４の原子価（４）を有する金属である」という記載、Ｍ及び「金属」という記載は４の原子価（４）を有するメタロイド、例えばケイ素、ゲルマニウムなどを含む。
ここで使用する場合、「アルキル」という用語は、直鎖状または環状鎖のアルキル置換基、並びにこれらの分岐状異性体の任意のものを指す。ここで、より具体的には、他に記載がなければ、アルキルとは、線状、分岐状（例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル及び類似物）、環状（例えばシクロヘキシル、シクロプロピル、シクロペンチル及び類似物）または多環式（例えばノルボルニル、アダマンチル及び類似物）であることができる炭化水素基を指す。これらのアルキル部分は、以下に記載されるように、置換されていてもまたは置換されていなくともよい。アルキルという用語は、Ｃ１〜Ｃ２０の炭素を有する部分を指す。構造的な理由のために、線状アルキルはＣ１から始まるが、分岐状アルキルはＣ３から始まり、そして多環式アルキルはＣ５から始まる。更に、以下に記載のアルキルから誘導される部分、例えば置換されたアルキルは、他に記載がなければ、同じ炭素数範囲を有することが理解される。アルキル基の長さが、先に記載のものと異なって指定される場合は、アルキルの上記の定義は、上記の全てのタイプのアルキル部分を含んでなおも有効であり、そして或る所定のタイプのアルキル基についての最小炭素数に関しての構造的な考慮はなおも当てはまる。
アルキルオキシ（別称ではアルコキシ）は、オキシ（−Ｏ−）部分を介して結合した先に定義したようなアルキル基を指す（例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、１，２−イソプロポキシ、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ及び類似物）。これらのアルキルオキシ部分は、以下に記載されるように、置換されていてもまたは置換されていなくともよい。
ここで、Ｃ１から始まる可能な炭素原子範囲を有するアルキル、アルキルオキシ部分、例えば非限定的な例として「Ｃ１〜Ｃ２０アルキル」または「Ｃ１〜Ｃ２０フルオロアルキル」に言及するときは、この範囲は、Ｃ１から始まる線状アルキル、アルキルオキシ、フルオロアルキル及びフルオロアルキルオキシを包含するが、Ｃ３から始まる分岐状アルキル、分岐状アルキルオキシ、シクロアルキル、シクロアルキルオキシ、分岐状フルオロアルキル及び環状フルオロアルキルのみを指定する。
ここで、「アルキレン」という用語は、線状、分岐状または環状であることができ、二つ以上の結合点を有する炭化水素基を指す（例えば、二つの結合点を有するものとしては、メチレン、エチレン、１，２−イソプロピレン、１，４−シクロヘキシレンなど；三つの結合点を有するものとしては、１，１，１−置換メタン、１，１，２−置換エタン、１，２，４−置換シクロヘキサンなど）。この場合もまた、可能な炭素範囲、例えば非限定的な例としてＣ１〜Ｃ２０を指定する時は、この範囲は、Ｃ１から始まる線状アルキレンを包含するが、Ｃ３から始まる分岐状アルキレンまたはシクロアルキレンのみを指定する。これらのアルキレン部分は、以下に記載されるように、置換されていてもまたは置換されていなくともよい。より具体的には、ここで使用する場合は、「線状アルキレン」という用語は、一般式−ＣＨ２−（ＣＨ２）ｎ−ＣＨ２−を有する直鎖状二官能化アルキレン置換基を指し、そしてここで使用する場合、「分岐状アルキレン」という用語は、アルキル置換基を有するアルキレン置換基を指す。
ここで使用する場合、「アリール」という用語は、芳香族環から誘導される官能基または置換基、例えばフェニル、ナフチル、チエニル、インドリルなどを指す。ここでより具体的には、アリールまたは芳香族基という用語は、フェニル、トリル、キシリル、ナフチル、アントラシル、ビフェニル類、ビス−フェニル類、トリス−フェニル類および類似物を包含する、６〜２４個の炭素原子を含む基を指す。これらのアリール基は、更に、上記の適当な置換基のうちの任意のもの、例えば上記のアルキル、アルコキシ、アシルまたはアリール基で置換されてよい。
ハライドという用語は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選択されるハロゲン置換基を指す。
本明細書中に他に記載がなければ、「置換された」という記載は、アリール、アルキル、アルキルオキシに言及するときは、置換されていないアルキル、置換されたアルキル、置換されていないアリール、アルキルオキシアリール（アルキル−Ｏ−アリール−）、ジアルキルオキシアリール（（アルキル−Ｏ−）２−アリール）、ハロアリール、アルキルオキシ、アルキルアリール、ハロアルキル、ハライド、ヒドロキシル、シアノ、ニトロ、アセチル、アルキルカルボニルからなる群から選択される一つ以上の置換基も含むこれらの部分のうちの一つを指す。
或る部分を指定する時に、「置換された」という用語は、他に記載がなければ、置換基が、上記の置換基のうちの任意のものから選択される場合である。同様に、「置換されていない」という記載は、水素以外の置換基が存在しない同部分を指す。
ここで使用する場合、「ジケトン」という用語は、二つのケトン基を持つ溶剤を指し、非限定的な例は、ジアセチル、アセチルアセトン及びヘキサン−２，５−ジオンである。
ここで使用する「組成物（ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）」及び「調合物（ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎ）」という用語は、互換可能であり、同義である。
ここで使用する場合、「スピンオン炭素層」及び「有機高炭素コーティング」という用語は、互換可能であり、同じことを意味する。
ここで、他に記載がなければ、「パターン化基材」とは次を指す：１）パターン化半導体基材；２）半導体をオーバーコートするパターン化フォトレジスト、または反射防止コーティングなどの下層でコーティングされた半導体；３）半導体基材上のパターン化有機高炭素コーティング、この場合、元の高炭素材料コーティングは、コーティングされた高炭素ポリマー；コーティングされたスピンオン炭素材料；または蒸着プロセスなどの他の手段によって半導体基材上に堆積された高炭素含有率のフィルムから誘導し得る。
ここで使用される場合、高ｋ材料、高ｋ金属酸化物、及び金属酸化物でできた高ｋという用語は、互換可能である。
本発明は、成分ａ、ｃ及びｄ、任意選択的に及び成分ｂを含む組成物に関する。
ここで成分ａは、次の構造（Ｉ）を有する金属化合物である。
構造（Ｉ）において、Ｍは、４の価数（４）を有する金属であり；ｎは１〜２０の整数であり、そしてＲ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、それぞれ、１）、２）及び３）からなる群から独立して選択される部分である。
構造（Ｉ）において、部分１）は、構造（ＩＩ）を有する第一の有機部分である。ここで、構造（ＩＩ）において、Ｒ５は、Ｃ２〜Ｃ１０アルキレン、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキレン、Ｃ５〜Ｃ１２シクロアルキレン、Ｃ＝Ｃ二重結合を含むＣ２〜Ｃ１０アルキレン、Ｃ＝Ｃ二重結合を含むＣ３〜Ｃ１２分岐状アルキレン、及びＣ＝Ｃ二重結合を含むＣ５〜Ｃ１２シクロアルキレンからなる群から選択され；そしてＲ６は、水素、または構造（ＩＩＩ）を有するアルキルオキシカルボニルであり、ここで、構造（ＩＩＩ）において、Ｒ７はＣ１〜Ｃ８アルキルである。
構造（Ｉ）において、部分２）は、少なくとも二つの炭素及び構造（ＩＶ）を有するケイ素含有有機部分である。ここで、構造（ＩＶ）において、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、Ｒ１０は、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ６〜Ｃ１６アリール、及びヒドロキシル及び構造（Ｖ）を有するシロキサンからなる群から選択される。ここで、式（Ｖ）において、Ｒ１１は、水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、ヒドロキシルで置換されたＣ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ６〜Ｃ１６アリール、構造（ＶＩａ）を有するシリル部分からなる群から選択され、そしてＲ１２及びＲ１３は、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、そしてｐは、シロキサン部分（Ｖ）中の繰り返し単位の数を表す。ここで、構造（ＩＶａ）において、Ｒ８ａ及びＲ９ａは、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、Ｒ１０ａは、Ｃ１〜Ｃ８アルキル及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択される。
構造（Ｉ）において、部分３）は、Ｃ２〜Ｃ８アルキル、Ｃ２〜Ｃ８アルキルカルボキシル、Ｃ６〜Ｃ２０アリールカルボキシル、フルオレニルカルボキシル、フッ素化Ｃ２〜Ｃ８アルキルカルボキシル、Ｃ２〜Ｃ８アルキルスルホニル、フッ素化Ｃ２〜Ｃ８アルキルスルホニル、及びこれらの混合物からなる群から選択される第二の有機部分である。
構造（Ｉ）において、選択される部分は、この構造における上記の部分の混合物であってよい。
上記の本発明による組成物中の任意選択の成分ｂは、構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤であり、式中、ＸはＣまたはＮであり；ｒは少なくとも２であり；ｑは０〜２であり；但し、ＸがＣの場合にはｑとｒの合計は４であり、そしてＸがＮの場合はｑとｒの合計は３である。Ｒ１４は、水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル及びＣ２〜Ｃ８ヒドロキシアルキルからなる群から選択される。ＸがＮである場合は、ＹはＣ１〜Ｃ８アルキレンである。ＸがＣである場合は、Ｙは、直接原子価結合、Ｃ１〜Ｃ８アルキレン、及び構造（ＶＩＩ）を有する部分からなる群から選択される。構造（ＶＩＩ）において、Ｒ１５はＣ２〜Ｃ８アルキレンであり；ｓは０〜２であり；そしてｔは１〜２である。
上記の本発明による組成物中の成分ｃは、高性能ポリマー添加剤である。
上記の本発明による組成物中の成分ｄは、溶剤である。
組成物
成分ａ、金属化合物
上記の本発明による組成物の一つの態様では、構造（Ｉ）において、Ｍは、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｇｅ及びＷからなる群から選択される。本発明の組成物のこの観点の他の態様の一つでは、Ｍは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ及びＳｎからなる群から選択される。更に別の態様の一つでは、Ｍは、Ｚｒ、Ｈｆ及びＴｉから選択される。更に別の態様の一つでは、ＭはＺｒである。更に別の態様の一つでは、ＭはＨｆである。更に別の態様の一つでは、ＭはＴｉである。
他の態様の一つでは、成分ａは、構造（Ｉ）を有する二種以上の異なる金属化合物の混合物である。
他の態様の一つでは、成分ａは、複数の異なるＭを有する構造（Ｉ）の二種以上の異なる金属化合物の混合物である。
他の態様の一つでは、成分ａは、構造（Ｉ）を有する二種以上の異なる金属化合物の混合物であって、式中、Ｍは、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｇｅ及びＷからなる群から選択され、及び更に、前記混合物中の少なくとも一種の金属化合物は、Ｓｉに等しいＭを持たない混合物である。
他の態様の一つでは、成分ａは、構造（Ｉ）を有する二種の異なる金属化合物の混合物であって、第一の金属化合物のＭがＳｉであり、そして第二の金属化合物が、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｇｅ及びＷからなる群から選択されるＭを有する混合物である。この態様の他の観点の一つでは、第二の金属化合物は、Ｚｒに等しいＭを有する。この態様の他の観点の一つでは、第二の金属化合物は、Ｈｆに等しいＭを有する。この態様の更に別の観点の一つでは、第二の金属化合物は、Ｔｉに等しいＭを有する。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｉ）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のための部分の少なくとも一つは、構造（ＩＩ）を有する上記第一の有機部分、及び少なくとも二つの炭素を有しかつ構造（ＩＶ）を有する上記のケイ素含有有機部分からなる群から選択される。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｉ）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のための部分の少なくとも一つは、
からなる群から選択される。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｉ）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、構造（ＩＩ）を有する第一の有機部分、及び少なくとも二つの炭素を有しかつ構造（ＩＶ）を有するケイ素含有有機部分からなる群から選択される。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｉ）において、少なくとも二つの炭素かつ構造（ＩＶ）を有するケイ素含有有機部分は、構造（Ｉ）を有する金属化合物のＲ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の総モル量の３０モル％〜６０モル％の範囲で存在する。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｉ）において、ｎは２〜２０である。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｉ）において、ｎは１である。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＩ）を有する前記第一の有機部分は、式中、Ｒ５がＣ２〜Ｃ１０アルキレン、Ｃ＝Ｃ二重結合を含むＣ２〜Ｃ１０アルキレン、またはＣ５〜Ｃ１２シクロアルキレンであるものである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒ５はＣ２〜Ｃ１０アルキレンである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒ５は、Ｃ＝Ｃ二重結合を有するＣ２〜Ｃ１０アルキレンである。更に別の観点の一つでは、Ｒ５は、Ｃ５〜Ｃ１２シクロアルキレンである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＩ）を有する第一の有機部分は、式中、Ｒ６がＣ１〜Ｃ８アルキルオキシカルボニルであるものである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒ６はＣ２〜Ｃ６アルキルオキシカルボニルである。更に別の態様の一つでは、Ｒ６はＣ３〜Ｃ４アルキルオキシカルボニルである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＩ）を有する第一の有機部分は、式中、Ｒ６が構造（ＩＩＩ）を有し、Ｒ７が、Ｃ１〜Ｃ８アルキルであるものである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒ７はＣ２〜Ｃ６アルキルである。更に別の態様の一つでは、Ｒ７はＣ３〜Ｃ４アルキルである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＶ）において、この態様は、Ｒ８がメチル、エチル、プロピル、ブチルまたはｔ−ブチルであるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構（ＩＶ）において、この態様は、Ｒ９がメチル、エチル、プロピル、ブチルまたはｔ−ブチルであるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＶ）において、この態様は、Ｒ８が、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択されるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＶ）において、この態様は、Ｒ９が、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択されるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＶ）において、この態様は、Ｒ１０が、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ６〜Ｃ１６アリール、またはヒドロキシルであるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＶ）において、この態様は、Ｒ１０が、Ｃ１〜Ｃ８アルキルまたはＣ６〜Ｃ１６アリールであるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＶ）において、この態様は、Ｒ１０がＣ１〜Ｃ８アルキルであるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＶ）において、この態様は、Ｒ１０が構造（Ｖ）を有するシロキサンであるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＶ）において、この態様は、Ｒ８及びＲ９は、独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され；Ｒ１０は、構造（Ｖ）を有するシロキサンであり、ここで、Ｒ１１が、構造（ＩＶａ）を有するシリル部分であり、ここでＲ８ａ及びＲ９ａは、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシから選択され、そしてＲ１０ａはＣ６〜Ｃ１６アリールである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、この態様は、構造（ＩＶ）において、Ｒ８及びＲ９は、独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され；そしてここで、Ｃ１０は、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択される。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構（ＩＶ）において、Ｒ１０はメチル、エチル、プロピル、ブチルまたはｔ−ブチルである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＶ）において、Ｒ１０は構造（Ｖ）を有するシロキサンである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＶ）において、構造（Ｖ）において、Ｒ１１はＣ１〜Ｃ８アルキルまたは水素である。この態様の他の観点の一つでは、Ｒ１１はＣ１〜Ｃ４アルキルまたは水素である。更に別の態様の一つでは、Ｒ１１はＣ１〜Ｃ８アルキルである。更に別の態様の一つでは、Ｒ１１はＣ１〜Ｃ４アルキルである。更に別の態様の一つでは、Ｒ１１は水素である。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＶ）において、構造（Ｖ）において、Ｒ１２はＣ１〜Ｃ８アルキルである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒ１２はＣ１〜Ｃ６アルキルである。更に別の態様の一つでは、Ｒ１２はＣ１〜Ｃ４アルキルである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＶ）において、Ｒ１３はＣ１〜Ｃ８アルキルである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒ１３はＣ１〜Ｃ６アルキルである。更に別の態様の一つでは、Ｒ１３はＣ１〜Ｃ４アルキルである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、構造（ＩＶ）において、ｐは１〜５００である。この態様の他の観点の一つでは、ｐは１〜２００である。更にもう一つの他の態様では、ｐは１〜５０である。
上記の本発明の組成物の他の態様では、これは、以下の構造を有する金属化合物またはこれらの構造を有する複数種の化合物の混合物を含み、これらの化合物のそれぞれは、ｎ（繰り返し単位数）によって指定される繰り返し単位及び二つの末端基を含む。ここで、これらの構造は、構造（Ｉａ１）、構造（Ｉａ２）、構造（Ｉａ３）または構造（Ｉａ４）であり、ここで、Ｒ６ａ、Ｒ６ｂ及びＲ６ｃは、独立して、Ｃ１〜Ｃ４アルキルから選択され、更に、ｎは、独立して１〜２０の整数である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは６〜２０である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは１である。更に別の態様の一つでは、ｎが２〜２０である場合は、該金属化合物は、ｎで指定される繰り返し単位の混合物、及び上記の構造に見られる二つの末端基を含む。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは６〜１０である。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、これは、以下の構造を有する金属化合物またはこれらの混合物を含み、これらの化合物のそれぞれは、ｎ（繰り返し単位数）によって指定される繰り返し単位及び二つの末端基を含む。ここで、これらの構造は、構造（Ｉｂ１）、構造（Ｉｂ２）、構造（Ｉｂ３）または構造（Ｉｂ４）であり、更に、ｎは独立して１〜２０の整数である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは６〜２０である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは１である。更に別の態様の一つでは、ｎが２〜２０である場合は、該金属化合物は、ｎで指定される繰り返し単位の混合物、及び上記の構造に見られる二つの末端基を含む。本発明のこの観点の他の好ましい態様の一つでは、ｎは６〜１０である。
上記の本発明の組成物の他の態様では、これは、以下の構造を有する金属化合物またはこれらの構造を有する複数種の化合物の混合物を含み、これらの化合物のそれぞれは、ｎ（繰り返し単位数）によって指定される繰り返し単位及び二つの末端基を含む。ここで、これらの構造は、構造（Ｉｃ１）、構造（Ｉｃ２）、構造（Ｉｃ３）、構造（Ｉｃ４）、構造（Ｉｃ５）または構造（Ｉｃ６）であり、ここでＲ１１ｂは、水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、ヒドロキシルで置換されたＣ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ６〜Ｃ１６アリール、及び構造（ＩＶｂ）を有するシリル部分からなる群から選択され、そしてＲ６ａ、Ｒ６ｂ及びＲ６ｃは、独立して、Ｃ１〜Ｃ４アルキルから選択され、ここでｎは、独立して、１〜２０の整数であり、そしてｐは、独立して、１〜５００の整数である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは１〜２０である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは６〜２０である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは１である。更に別の態様の一つでは、ｎが２〜２０である場合は、該金属化合物は、ｎで指定される繰り返し単位の混合物、及び上記の構造に見られる二つの末端基を含む。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、これは、以下の構造を有する金属化合物またはこれらの構造を有する複数種の化合物の混合物を含み、これらの化合物のそれぞれは、ｎ（繰り返し単位数）によって指定される繰り返し単位及び二つの末端基を含む。ここで、これらの構造は、構造（Ｉｄ１）、構造（Ｉｄ２）、構造（Ｉｄ３）、構造（Ｉｄ４）、構造（Ｉｄ５）または構造（Ｉｄ６）であり、ここでＲ１１ａは、構造（ＩＶｃ）を有するシリル部分であり、ここで、ｎは独立して１〜２０の整数であり、そしてｐは独立して１〜５００の整数である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは６〜２０である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは１である。更に別の態様の一つでは、ｎが２〜２０である場合は、該金属化合物は、ｎで指定される繰り返し単位の混合物、及び上記の構造に見られる二つの末端基を含む。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、これは、以下の構造を有する金属化合物またはこれらの構造を有する複数種の化合物の混合物を含み、これらの化合物のそれぞれは、ｎ（繰り返し単位数）によって指定される繰り返し単位及び二つの末端基を含む。ここで、これらの構造は、構造（Ｉｅ１）、構造（Ｉｅ２）、構造（Ｉｅ３）または構造（Ｉｅ４）であり、ここで、Ｒ６ａはＣ１〜Ｃ４アルキルから選択され、そしてＲ８ａ及びＲ９ａは、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、そしてＲ１０ａは、Ｃ１〜Ｃ８アルキル及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、ここで、ｎは独立して１〜２０の整数である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは６〜２０である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは１である。更に別の態様の一つでは、ｎが２〜２０である場合は、該金属化合物は、ｎで指定される繰り返し単位の混合物、及び上記の構造に見られる二つの末端基を含む。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、これは、以下の構造を有する金属化合物またはこれらの構造を有する複数種の化合物の混合物を含み、これらの化合物のそれぞれは、ｎ（繰り返し単位数）によって指定される繰り返し単位及び二つの末端基を含む。ここで、これらの構造は、構造（Ｉｆ１）、構造（Ｉｆ２）、または構造（Ｉｆ３）であり、ここで、Ｒ６ａはＣ１〜Ｃ４アルキルから選択され、そしてＲ８ａ及びＲ９ａは、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、そしてＲ１０ａは、Ｃ１〜Ｃ８アルキル及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、ここで、ｎは１〜２０である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは６〜２０である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは１である。更に別の態様の一つでは、ｎが２〜２０である場合は、該金属化合物は、ｎで指定される繰り返し単位の混合物、及び上記の構造に見られる二つの末端基を含む。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、これは、以下の構造を有する金属化合物またはこれらの構造を有する複数種の化合物の混合物を含み、これらの化合物のそれぞれは、ｎ（繰り返し単位数）によって指定される繰り返し単位及び二つの末端基を含む。ここで、これらの構造は、構造（Ｉｇ１）、構造（Ｉｇ２）、構造（Ｉｇ３）または構造（Ｉｇ４）であり、ここで、Ｒ６ａはＣ１〜Ｃ４アルキルから選択され、そしてＲ８ａ及びＲ９ａは、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、そしてＲ１０ａは、Ｃ１〜Ｃ８アルキル及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、ここで、ｎは１〜２０である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは６〜２０である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは１である。更に別の態様の一つでは、ｎが２〜２０である場合は、該金属化合物は、ｎで指定される繰り返し単位の混合物、及び上記の構造に見られる二つの末端基を含む。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、これは、以下の構造を有する金属化合物またはこれらの構造を有する複数種の化合物の混合物を含み、これらの化合物のそれぞれは、ｎ（繰り返し単位数）によって指定される繰り返し単位及び二つの末端基を含む。ここで、これらの構造は、構造（Ｉｈ１）、構造（Ｉｈ２）、構造（Ｉｈ４）または構造（Ｉｈ３）であり、更に、ｎは１〜２０である。本発明のこの観点の他の態様の一つでは、ｎは６〜２０である。本発明のこの観点の他の態様の一つでは、ｎは１である。更に別の態様の一つでは、ｎが２〜２０である場合は、該金属化合物は、ｎで指定される繰り返し単位の混合物、及び上記の構造に見られる二つの末端基を含む。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、これは、以下の構造を有する金属化合物またはこれらの構造を有する複数種の化合物の混合物を含み、これらの化合物のそれぞれは、ｎ（繰り返し単位数）によって指定される繰り返し単位及び二つの末端基を含む。ここで、これらの構造は、構造（Ｉｉ１）、構造（Ｉｉ２）、構造（Ｉｉ３）または構造（Ｉｉ４）であり、ここで、Ｒ６ａ及びＲ６ｄはＣ１〜Ｃ４アルキルから選択され、そしてＲ８ａ及びＲ９ａは、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、そしてＲ１０ａは、Ｃ１〜Ｃ８アルキル及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、ここで更に、ｎは１〜２０である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは６〜２０である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは１である。更に別の態様の一つでは、ｎが２〜２０である場合は、該金属化合物は、ｎで指定される繰り返し単位の混合物、及び上記の構造に見られる二つの末端基を含む。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、これは、以下の構造を有する金属化合物またはこれらの構造を有する複数種の化合物の混合物を含み、これらの化合物のそれぞれは、ｎ（繰り返し単位数）によって指定される繰り返し単位及び二つの末端基を含む。ここで、これらの構造は、構造（Ｉｊ１）、構造（Ｉｊ２）、構造（Ｉｊ３）、または構造（Ｉｊ４）であり、ｎは１〜２０である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは６〜２０である。本発明のこの観点の一つの態様では、ｎは１である。更に別の態様の一つでは、ｎが２〜２０である場合は、該金属化合物は、ｎで指定される繰り返し単位の混合物、及び上記の構造に見られる二つの末端基を含む。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、これは、以下の構造を有する金属化合物またはこれらの構造を有する複数種の化合物の混合物を含み、これらの化合物のそれぞれは、ｎ（繰り返し単位数）によって指定される繰り返し単位及び二つの末端基を含む。ここで、これらの構造は、構造（Ｉｋ１）、構造（Ｉｋ２）、構造（Ｉｋ３）または構造（Ｉｋ４）であり、ここで、Ｒ６ａはＣ１〜Ｃ４アルキルから選択され、そしてＲ８ａ及びＲ９ａは、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、そしてＲ１０ａは、Ｃ１〜Ｃ８アルキルであり、ここで、ｎは６〜２０である。更に別の態様の一つでは、ｎが６〜２０である場合は、該金属化合物は、ｎで指定される繰り返し単位の混合物、及び上記の構造に見られる二つの末端基を含む。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、これは、以下の構造を有する金属化合物またはこれらの構造を有する複数種の化合物の混合物を含み、これらの化合物のそれぞれは、ｎ（繰り返し単位数）によって指定される繰り返し単位及び二つの末端基を含む。ここで、これらの構造は、構造（Ｉｌ１）、構造（Ｉｌ２）、構造（Ｉｌ３）または構造（Ｉｌ３）であり、ここでｎは６〜２０である。更に別の態様の一つでは、ｎが６〜２０である場合は、該金属化合物は、ｎで指定される繰り返し単位の混合物、及び上記の構造に見られる二つの末端基を含む。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、金属化合物である成分ａの重量％は、全ての固形成分の総重量％として、ポリオールである成分ｂが存在する場合は、約２０重量％〜約９８重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％は約２５重量％〜約８０重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％は約３０重量％〜約７０重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％は約３５重量％〜約６５重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％は約４０重量％〜約６０重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％は約４５重量％〜約６０重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％は約５０重量％〜約６０重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％は約５５重量％〜約６０重量％である。
上記本発明の組成物の他の好ましい態様の一つでは、ポリオールである成分ｂが存在する場合は、金属化合物である成分ａの重量％は約２０重量％〜約８５重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分ａの重量％は約３０重量％〜約８０重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分ａの重量％は約５０重量％〜約７５重量％である。
ポリオールである成分ｂが存在する上記の全ての態様では、追加の固形成分が存在しない場合には、総固形物含有率は合計して１００重量％である。追加の固形成分が存在する場合は、全ての固形物、すなわち成分ａ、成分ｂ、成分ｃ及び任意の追加の一種または複数の成分の総重量％固形分は、追加の固形成分が存在しない場合には、合計して全固形分の１００重量％である。追加の固形成分が存在する場合は、全ての固形物、すなわち成分ａ、成分ｂ、成分ｃ及び任意の追加の一種または複数の成分の総重量％固形分は、合計して全固形分の１００重量％となる。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、金属成分である成分ａの重量％は、全ての固形成分の総重量％として、ポリオールである成分ｂが存在しない場合には、約２０重量％〜約９８重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％は約２５重量％〜約８０重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％は約３０重量％〜約７０重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％は約３５重量％〜約６５重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％は約４０重量％〜約６０重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％は約４５重量％〜約５５重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％は約５０重量％からである。成分ｂが存在しない上記の全ての態様において、他の追加の固形成分が存在しない場合には、成分及び成分ｃの総固形物重量％。追加の固形成分が存在する場合には、全ての固形物、すなわち成分ａ、成分ｃ及び任意の追加の他の一種または複数の成分の総重量％固形分は、合計して全固形分の１００重量％である。
任意選択の成分ｂ、ポリオール
上記の本発明の組成物の一つの態様では、ポリオールである成分ｂが存在する。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、すなわち構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤において、この態様は、ＸがＣであるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、すなわち構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤において、この態様はＸがＮであるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、すなわち構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤において、この態様は、Ｙが直接結合、メチレン、エチレンまたは構造（ＶＩＩ）を有する部分であるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、すなわち構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤において、この態様は、ｒが２、３または４であるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、すなわち構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤では、この態様は、Ｒ１４が水素であるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、すなわち構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤において、この態様は、ｑが０、１または２であるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、すなわち構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤において、この態様は、ｓが０または２であるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、すなわち構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤において、この態様は、ｓが０であるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、すなわち構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤において、この態様は、ｓが２であるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、すなわち構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤において、この態様は、ｓが１であるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、すなわち構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤では、ＸがＮである場合に、ＹがＣ１〜Ｃ８アルキレンであり、またはＸがＣである場合に、Ｙが直接原子価結合、Ｃ１〜Ｃ８アルキレン、及び構造（ＶＩＩ）を有する部分からなる群から選択される場合において、この態様は、Ｒ１５がエチレンまたはプロピレンであるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、すなわち構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤では、ＸがＮである場合に、ＹがＣ１〜Ｃ８アルキレンであり、またはＸがＣである場合に、Ｙが直接原子価結合、Ｃ１〜Ｃ８アルキレン、及び構造（ＶＩＩ）を有する部分からなる群から選択される場合において、この態様は、ｔが１であるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、この態様は、該ポリオール添加剤が、テトラエチレングリコール、トリエチレングリコール、グリセロール、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、ネオペンチルグリコール、グリセロールプロポキシレート、及びペンタエリトリトールエトキシレートからなる群から選択されるものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂが存在する場合は、この態様は、該ポリオール添加剤が、次からなる群から選択されるものである：
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂ）が存在する場合は、これは次からなる群から選択される：
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂ）は次から選択される：
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂ）は次から選択される：
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、ポリオールである成分ｂが存在する場合は、全ての固形成分の重量％としてのこの成分の重量％は約１重量％〜約３０重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％は約５重量％〜約３０重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％としての成分ｂのこの重量％は、約１０重量％〜約２５重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％としての成分ｂのこの重量％は、約１０重量％〜約２０重量％である。この態様の他の観点の一つでは、総固形成分の重量％としての成分ｂのこの重量％は、約１２重量％〜約１５重量％である。成分ｂが存在する全ての上記の態様において、追加的な成分が存在しない場合には、総固形物含有率は、合計して、全固形分の１００重量％となる。追加の成分が存在する場合は、全ての固形物、すなわち成分ａ、成分ｂ、成分ｃ及びこれらの一種または複数の追加的な成分のうちの任意のものの総重量％固形分は、合計して全固形分の１００重量％となる。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、この態様は、該ポリオール添加剤が５００未満の分子量を有するものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、この態様は、該ポリオール添加剤が３００未満の分子量を有するものである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂにおいて、該ポリオール添加剤は少なくとも２００℃の沸点を有する。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、該ポリオール添加剤は少なくとも２５０℃の沸点を有する。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、該ポリオール添加剤は少なくとも４００℃の沸点を有する。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、高性能ポリマー添加剤である成分ｃは、ポリエーテル、ポリエステル、ポリスルホン及びポリエーテルスルホンからなる群から選択される。
成分ｃ、高性能ポリマー
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、高性能ポリマー成分である成分ｃは、構造（ＶＩＩＩ）を有する単位を含む：
式中、
Ａは、縮合芳香族環を含み；
Ｂは、構造（ＩＸ）を有し；
式中、Ｒ１６及びＲ１７は、それぞれ独立して、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり；そして
Ｃは、構造（Ｘ）を有するヒドロキシビフェニルである；
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、高性能ポリマー添加剤である成分ｃでは、該高性能ポリマー添加剤は、Ａが構造（ＸＩ）を有する構造（ＶＩＩＩ）を有する単位を含む：
式中、Ｄは、２〜８個の縮合芳香族環を含む基である。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、高性能ポリマー添加剤が構造（ＶＩＩＩ）を有する単位を含む成分ｃにおいて、これは、Ａが構造（ＸＩ）を有し、更にこの構造においてＤがアントラセンである態様である。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、該高性能ポリマー添加剤が構造（ＶＩＩＩ）を有する単位を含む、高性能ポリマー添加剤である成分ｃにおいて、これは、Ａがアントラセンである態様である。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、該高性能ポリマー添加剤が構造（ＶＩＩＩ）を有する単位を含む、高性能ポリマー添加剤である成分ｃにおいて、これは、Ａが次の構造を有する態様である：
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、該高性能ポリマー添加剤が構造（ＶＩＩＩ）を有する単位を含む、高性能ポリマー添加剤である成分ｃにおいて、これは、Ｂが次の構造を有する態様である：
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、該高性能ポリマー添加剤が構造（ＶＩＩＩ）を有する単位を含む、高性能ポリマー添加剤である成分ｃにおいて、これは、Ｃが次の構造を有する態様である：
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、該高性能ポリマー添加剤が構造（ＶＩＩＩ）を有する単位を含む、高性能ポリマー添加剤である成分ｃにおいて、Ｃは次の構造を有する：
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、該高性能ポリマー添加剤が構造（ＶＩＩＩ）を有する単位を含み、ここでＡが縮合芳香族環を含み、Ｂが構造（ＩＸ）を有し、Ｒ１７が水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、そしてＣが構造（Ｘ）を有するヒドロキシビフェニルである場合に、これは、Ｒ１６が水素またはメチルである態様である。
他の態様の一つでは、該高性能ポリマー添加剤が構造（ＶＩＩＩ）を有する単位を含み、ここでＡが縮合芳香族環を含み、Ｂが構造（ＩＸ）を有し、Ｒ１６が水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、そしてＣが構造（Ｘ）を有するヒドロキシビフェニルである場合に、これは、Ｒ１７が水素またはメチルである態様である。
上記の本発明の他の態様の一つでは、該高性能ポリマー添加剤が、構造（ＶＩＩＩ）を有する単位を含み、ここでＡが縮合芳香族環を含み、Ｂが構造（ＩＸ）を有し、Ｒ１６及びＲ１７が独立して水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルから選択され、そしてＣが構造（Ｘ）を有するヒドロキシビフェニルである場合において、高性能ポリマー添加剤の態様は更に構造（ＸＶＩ）を有する単位を更に含む：
式中、Ｅは、２〜８個の縮合芳香族環を含む基である。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、高性能ポリマー添加剤である成分ｃは、次からなる群から選択される構造を有する単位を含む：
この態様の他の観点の一つでは、Ｒ１８及びＲ１９は、それぞれ独立して水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルである。更に別の態様の一つでは、Ｒ１８は水素またはメチルである。更に別の態様の一つでは、Ｒ１９は水素またはメチルである。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、高性能ポリマー添加剤である成分ｃは、金属化合物の約１重量％〜約５０重量％の量で存在する。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、ポリオールである成分ｂが存在する場合は、高性能ポリマー添加剤である成分ｃは、全固形成分の重量％として、約１重量％〜約５０重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｂは約５重量％〜約５０重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｂは約１０重量％〜約５０重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｂは約１５重量％〜約５０重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｂは約２０重量％〜約５０重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｂは約２０重量％〜約４５重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｂは約２０重量％〜約４０重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｂは約２５重量％〜約３５重量％で存在する。これらの態様の全ての観点において、追加的な固形成分が存在しない場合には、成分ａ、ｂ及びｃの固形成分の総重量％は合計して１００重量％になる。追加的な固形成分が存在する場合、全ての固形成分、すなわち成分ａ、成分ｂ、成分ｃ、及び任意の追加的な一種または複数の成分の総重量％固形分は、合計して、全固形分の１００重量％となる。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ｂが存在しない場合は、高性能ポリマー添加剤である成分ｃは、全固形分の重量％として、約１重量％〜約６０重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｃは約５重量％〜約６０重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｃは約１０重量％〜約６０重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｃは約１５重量％〜約５５重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｃは約２０重量％〜約５５重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｃは約２５重量％〜約５５重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｃは約３０重量％〜約５５重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｃは約３５重量％〜約５５重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｃは約４０重量％〜約５５重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｃは約４５重量％〜約５５重量％で存在する。この態様の他の観点の一つでは、成分ｃは約５０重量％から存在する。これらの態様の全ての観点において、成分ｂが存在しない場合は、固形成分ａ及びｃの総重量％は、他の追加的な固形成分が存在しない場合は、合計して１００重量％となる。追加の固形成分が存在する場合には、全ての固形物、すなわち成分ａ、成分ｃ及び任意の追加の他の一種または複数の成分の総重量％固形分は、合計して全固形分の１００重量％となる。
成分ｄ、溶剤
溶剤は、通常は、アルコール、エステル、ケトン、ラクトン、ジケトンを含む溶剤または溶剤混合物である。界面活性剤などの追加的な成分（＜１％）を、コーティング品質の向上のために加えることができる。ベークされたフィルムの組成は、上記の条件で、２０〜７０％の全酸化物を含む。
上記の新規組成物では、固形成分は、有機溶剤である溶剤成分ｆ）中に溶解させてもよい。適当な有機溶剤の例には、限定はされないが、１−メトキシ−２−プロパニルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、１−メトキシ−２−プロパノール（ＰＧＭＥ）、ブチルアセテート、酢酸アミル、酢酸シクロヘキシル、酢酸３−メトキシブチル、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、エチル−３−エトキシプロパノエート、メチル−３−エトキシプロパノエート、メチル−３−メトキシプロパノエート、メチルアセトアセテート、エチルアセトアセテート、ジアセトンアルコール、ピバル酸メチル、ピバル酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロパノエート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロパノエート、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ガンマ−ブチロラクトン、ガンマバレロラクトン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、テトラメチレンスルホン、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテルまたはジエチレングリコールジメチルエーテル、及びアニソールなどが挙げられる。これらの溶剤は、単独で、または二種以上の溶剤の混合物として使用し得る。
一つの態様では、固形成分は、ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ ７０：３０中に溶解される。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、溶剤である成分ｄは、アルコール、エステル、ケトン、ラクトン、ジケトン、芳香族部分、カルボン酸、アミド、及びこれらの混合物からなる群から選択される。
一つの態様では、溶剤はシクロヘキサノンである。
任意選択の成分
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、成分ａ、ｂ、ｃ及びｄに加えて、これらの組成物は、界面活性剤、レベリング剤、架橋性添加剤、及び熱活性化触媒からなる群から選択される少なくとも一種の追加的な成分を更に含んでよい。
コーティング品質を高めるために、界面活性剤などの任意選択の成分を、１重量％未満の濃度などの少量で加えることができる。
より具体的には、ここに開示かつ特許請求される該新規組成物との適合性を有しかつ該組成物に必要に応じて加えることができる成分としては、表面上のコーティングされた組成物の性質などを向上するための補助樹脂、可塑剤、表面レベリング剤及び安定剤などが挙げられる。表面レベリング剤には、界面活性剤などを挙げ得る。界面活性剤には特に制限はなく、そしてそれの例には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、及びポリオキシエチレンオレインエーテル；ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル、例えばポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル及びポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル；ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー；ソルビタン脂肪酸エステル、例えばソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノバルミテート、及びソルビタンモノステアレート；ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノニオン界面活性剤、例えばポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリエチレンソルビタントリオレエート、及びポリオキシエチレンソルビタントリステアレート；フッ素化界面活性剤、例えばＦ−Ｔｏｐ ＥＦ３０１、ＥＦ３０３及びＥＦ３５２（Ｊｅｍｃｏ Ｉｎｃ．製）、Ｍｅｇａｆａｃ Ｆ１７１、Ｆ１７２、Ｆ１７３、Ｒ０８、Ｒ３０、Ｒ９０及びＲ９４（Ｄａｉｎｉｐｐｏｎ Ｉｎｋ ＆ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．製）、Ｆｌｏｒａｄ ＦＣ−４３０、ＦＣ−４３１、ＦＣ−４４３０及びＦＣ−４４３２（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ ３Ｍ Ｌｔｄ．製）、Ａｓａｈｉ Ｇｕａｒｄ ＡＧ７１０、Ｓｕｒｆｌｏｎ Ｓ−３８１、Ｓ−３８２、Ｓ−３８６、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６、Ｓｕｒｆｉｎｏｌ Ｅ１００４、ＫＨ−１０、ＫＨ−２０、ＫＨ−３０及びＫＨ−４０（Ａｓａｈｉ Ｇｌａｓｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製）；有機シロキサンポリマー、例えばＫＰ−３４１、Ｘ−７０−０９２及びＸ−７０−０９３（Ｓｈｉｎ−Ｅｔｓｕ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製）；及びアクリル酸もしくはメタクリル酸ポリマー、例えばＰｏｌｙｆｌｏｗ Ｎｏ．７５及びＮｏ．９５（Ｋｙｏｅｉｓｈａ Ｙｕｓｈｉｋａｇａｋｕ Ｋｏｇｙｏ Ｋ．Ｋ．製）などが挙げられる。
上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、界面活性剤は、組成物の総重量の１％未満の量で存在する。
組成物：溶剤中の総固形成分の含有率
一つの態様では、これらの新規組成物のための溶剤中の全ての固形成分の総重量％固形分（重量／重量）は、この溶剤中で約１重量％〜約４０重量％総固形成分の範囲である。他の態様の一つでは、約２重量％〜約４０重量％の範囲である。本発明のこの観点の更に別の態様の一つでは、約５重量％〜約３５重量％である。本発明のこの観点の更に別の態様の一つでは、固形成分の重量％は約１０重量％〜約３５重量％である。本発明のこの観点の更に別の態様の一つでは、約１０重量％〜約３５重量％である。本発明のこの観点の更に別の態様の一つでは、固形成分の重量％は約１５重量％〜約３０重量％である。他では、約２０重量％〜約３０重量％である。本発明のこの観点の更に別の態様の一つでは、固形成分の重量％は約２５重量％である。
組成物の使用方法
トポグラフィ図形を有する基材中の空隙の充填方法
本発明の他の観点の一つは、上記の新規組成物のいずれかを用いたコーティングプロセスによってパターン化基材中のビアなどの空隙を充填することによって、パターン化高Ｋ材料を形成することにより電子デバイスを製造する方法である。上記パターン化基材は、パターン化半導体（ケイ素、ゲルマニウムなど）、パターン化スピンオン炭素、またはパターン化レジストであってよい。生じたパターン化材料は、高Ｋ材料としてのそれの使用の他に、ハードマスクの役割において電子デバイスの製造に代替的に使用し得る。このパターン化ハードマスクは、様々なプラズマに対して高い耐エッチング性を付与する、本発明の組成物中の金属化合物の含有分の耐熱性の性質の故に、パターンを基材中にエッチング及び転写することを可能にする。
該新規組成物は、以下のようにコーティングフィルムを形成するために基材（未パターン化またはパターン化基材）に施与することができる：
ａ）上記の本発明の組成物のいずれか一つを基材上に施与して、コーティングフィルムを形成する；及び
ｂ）前記コーティングフィルムを１５０℃と４００℃との間の温度で、３０〜２４０秒間、加熱して、硬化したコーティングフィルムを形成する。
この態様の他の観点の一つでは、コーティングフィルムは、１２０秒間までの時間加熱される。他の観点の一つでは、本発明のハードマスク組成物は、スピンオンコーティングプロセスによって基材上に施与される。更に他の観点の一つでは、この組成物は、ワンステップ・スピンオンコーティングプロセスによってステップａ）において基材上に施与して、コーティングフィルムを形成する。
空隙充填材料としての本発明の組成物の使用に関するこの方法の一つの態様では、コーティングされたフィルムを形成するために該組成物でコーティングされた基材は、トポグラフィ図形を含むパターン化基材である。この事例では、上記コーティングフィルムは、ステップｂ）で形成された硬化されたコーティングフィルムが上記トポグラフィ図形を覆うのに十分な厚さでコーティングされ、更に、ステップｂ）におけるフィルムのベークの後に、該プロセスは、更に、追加的なステップとして以下のようなステップｃ）を含む：
ｃ）化学的ステッパまたはフッ素化プラズマエッチングを用いて、トポグラフィの表面を覆う上記硬化コーティングフィルムの部分を除去し、それによって、充填されたトポグラフィ図形を形成し、ここで硬化されたコーティングフィルムは、上記トポグラフィ図形の表面と同一面上にある。
本発明の方法のこの空隙充填観点の他の態様の一つでは、上記トポグラフィ図形は、ケイ素基材を覆うパターン化スピンオン炭素層中にある。この方法の他の態様の一つでは、上記トポグラフィ図形は、ケイ素、ゲルマニウムなどのパターン化半導体中にある。更に他では、上記トポグラフィ図形は、前記半導体基材を覆うパターン化レジスト中にある。これらの本発明のいずれの空隙充填方法の更に別の態様の一つでは、充填される前記トポグラフィ図形はビアである。これらのいずれの空隙充填方法の更に別の態様の一つでは、上記トポグラフィ図形はコンタクトホール、ビアまたは両者の混合である。
これらのいずれの方法の更に別の態様の一つでは、トポグラフィ図形が、半導体基材（例えばケイ素、ゲルマニウムなど）を覆うパターン化フォトレジストまたはパターン化有機高炭素コーティングである場合は、該方法は、ステップｃ）の後に、次のように追加的なステップとしてステップｄ）を更に含む。
ｄ）上記のパターン化有機高炭素コーティングまたは上記パターン化フォトレジストを、酸素プラズマで除去し、それによって、上記パターン化フォトレジストまたは上記パターン化有機高炭素コーティングのネガトーン画像を形成し、ここで、残留した充填された上記トポグラフィ図形は、上記パターン化フォトレジストまたは上記パターン化有機高炭素コーティングの除去の後に、金属酸化物からなるパターンを形成する。この発明の一つの観点では、金属酸化物からなるこのパターンは、このような高Ｋ材料を組み入れる微細電子部品を製造するのに有用なパターン化高Ｋ材料として有用である。代替的に、本発明の他の観点の一つでは、金属酸化物からなるパターンは、フッ素化プラズマなどの近似プラズマ（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅ ｐｌａｓｍａ）を用いて、下にある半導体基材中へのパターン転写のためのパターン化ハードマスクとして使用し得る。
ステップｄ）の後に残留したパターン化新規組成物がパターン化高Ｋ材料としてではなく、パターン化ハードマスクとして使用される本発明の方法では、上記の本発明の方法は、ステップｄ）の後に追加のステップとして以下のようなステップｅ）を含む：
ｅ）金属酸化物からなる上記パターンを、パターン化ハードマスク、すなわちエッチングバリアとして使用し、そしてフッ素化プラズマを用いて、半導体基材中にエッチングする。
これらのいずれの上記方法の更に別の態様の一つでは（別の言い方では、パターン化高Ｋ材料またはパターン化ハードマスクを形成するための方法では）、上記トポグラフィ図形は、１：１〜１０：１のアスペクト比を有する。これらのいずれの方法の更に別の態様の一つでは、上記トポグラフィ図形は、１〜１０のアスペクト比を有し、そして微小寸法（ＣＤ）が５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲のものから選択し得る。
ステップｂ）における任意の上記の方法の更に別の態様の一つでは、１５０℃〜４００℃の温度でのフィルムのベークは、二つのベークステップｂ１）及びｂ２）で行われ、ここでベークステップｂ１）は２５０℃〜２７５℃で行われ、そしてベークステップｂ２）は３００℃〜４００℃で行われる。この態様の他の観点では、上記ベークステップｂ１）は２００℃〜２５０℃であり、そしてベークステップｂ２）は３５０℃〜４００℃である。この観点の他の態様の一つでは、上記ベークステップｂ１）は２５０℃であり、ベークステップｂ２）は４００℃である。更に別の観点では、上記ベークステップｂ１）は３０〜１２０秒間行われ、そして上記ベークステップｂ２）は６０〜１２０秒間行われる。更に別の観点の一つでは、上記ベークステップｂ１は６０秒間〜１２０秒間行われ、そして上記ベークステップｂ２）は９０秒間〜１２０秒間行われる。更に別の観点の一つでは、上記ベークステップｂ１）は６０秒間行われる。更に別の観点の一つでは、上記ベークステップｂ２）は１２０秒間行われる。
更に別の観点の一つでは、上記ベークステップｂ１は１分間行われ、そして上記ベークステップｂ２）は１２０秒間行われる。更に別の観点の一つでは、上記ベークステップｂ１）は６０秒間行われる。更に別の観点の一つでは、上記ベークステップｂ２）は１２０秒間行われる。
パターン化ハードマスクを製造するためにケイ素基材上に本発明の組成物を使用する方法
この発明の他の観点は、上記の本発明のハードマスク組成物のいずれか一つを用いて未パターン化基材上にパターン化ハードマスクを製造し、そしてこのパターンを用いてパターン化基材を形成する方法であって、次のステップａ３）〜ｈ３）を含む方法である：
ａ３）請求項１〜９４のいずれか一つの組成物を上記基材上に施与して、コーティングフィルムを形成し、
ｂ３）このコーティングフィルムを、１５０℃〜４００℃の温度でベークしてハードマスクフィルムを形成し、
ｃ３）上記ハードマスクフィルムの上面に反射防止コーティングをコーティングし、
ｄ３）上記反射防止コーティングの上面にフォトレジストをコーティングし、
ｅ３）フォトレジストをパターン化して、フォトレジストパターンを形成し、
ｆ３）フッ素化プラズマを用いて、上記フォトレジストパターンによって保護されていない上記底面反射防止コーティングを通してハードマスクコーティングに至るまでエッチングし、
ｇ３）塩素プラズマを用いて、底面反射防止コーティング及び上記フォトレジストパターンによって保護されていない上記ハードマスクフィルムを通して、ケイ素基材に至るまでエッチングして、パターン化ハードマスクフィルムを形成し、
ｈ３）上記パターン化ハードマスクによって保護されていない領域において、フッ素化プラズマを用いてケイ素基材中にエッチングして、トポグラフィ図形をケイ素図形中に形成する。
ステップｂ３）におけるこの方法の他の観点の一つでは、フィルムは、１５０℃〜４００℃の温度でベークされ、このベークは、二つのベークステップｂ１’）及びｂ２’）で行われ、ここで、ここでベークステップｂ１’）は１５０℃〜２５０℃で行われ、そしてベークステップｂ２’）は３００℃〜４００℃で行われる。この態様の他の観点の一つでは、上記ベークステップｂ１’）は２００℃〜２５０℃であり、そしてベークステップｂ２’）は３５０℃〜４００℃である。この観点の他の態様の一つでは、上記ベークステップｂ１’）は２５０℃であり、ベークステップｂ２’）は４００℃である。更に別の観点の一つでは、上記ベークステップｂ１’）は３０秒間〜１２０秒間行われ、そして上記ベークステップｂ２’）は６０秒間〜１２０秒間行われる。
更に別の観点の一つでは、ベークステップｂ１’）は、９０〜１２０秒間行われる。更に別の観点の一つでは、上記ベークステップｂ２’）は、９０秒間〜１２０秒間行われる。
更に別では、上記ベークステップｂ１’）は６０秒間行われ、そして上記ベークステップｂ２’）は１２０秒間行われる。
一つの態様では、上記のように硬化された本発明の組成物の硬化フィルムは、約１５重量％〜約７５重量％の全金属酸化物を含む。この態様の他の観点の一つでは、硬化フィルムは約２０重量％〜約７０重量％の金属酸化物を含む。
上述の通り、パターン化ハードマスクとして使用されるパターン化及び硬化された本発明の組成物フィルムは、以下のように二つの方法で製造される：１）半導体基材上のパターン化フォトレジストまたはパターン化有機炭素コーティングからなるトポグラフィ図形の充填を介して、または２）未パターン化半導体基材上の本発明の組成物の硬化フィルムのフォトレジストパターン化プロセスを介する。いずれの場合も、フッ素プラズマを用いたエッチング転写の後に、パターン化ハードマスクの一部、この転写の後。この場合、残留したハードマスクパターンは、化学溶液中で剥離可能である。
以下、本発明のより具体的な態様と、このような態様を裏付ける実験結果について説明する。しかし、以下の開示は、例示のみを目的としたものであり、それ故、請求項に記載の発明の範囲を如何様にも限定することを意図したものではない点を指摘しておく。
ポリマーの分子量は、Ｗａｔｅｒ ２６９５ Ａｌｌｉａｎｃｅ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ Ｍｏｄｕｌｅを用いて、またはＷａｔｅｒｓ Ｄｕａｌ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ＵＶ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ、Ｍｏｄｅｌ ２４８７もしくは等価品及びＷａｔｅｒｓ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｒｅｆｒａｃｔｏｍｅｔｅｒ， Ｍｏｄｅｌ ２４１４， Ｄｅｃｔｅｃｔｏｒ等価品、Ｓｈｏｄｅｘカラムセット（一つのＳｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＫＦ−８０１（１．５×１０３）カラム、二つのＳｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＫＦ−８０２（５×１０３）カラム及び一つのＳｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＫＦ−８０４（４×１０５）カラム）を備えた等価品を用いてゲル透過クロマトグラフィで測定した。移動相は、ＵＶ安定化ＴＨＦ ＨＰＬＣグレードであり、そして分子量標準は、Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ及びＭｉｌｌｉｐｏｒｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎによって提供されるポリスチレン標準の設定通りか、または等価物であった。
ＡＺ（登録商標）ＡｒＦシンナー（ＡｒＦシンナー）（別の言い方では、７０／３０ ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ）は、ＥＭＤ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｏｒｐ．（７０，Ｍｅｉｓｔｅｒ Ａｖｅ．，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ，ＮＪ）から得た。Ｔｉ（ＩＶ）、ブトキシドポリマー（ＢＴＰ）、ペンタエリトリトールエトキシレート（３／４ＥＯ／ＯＨ）及び他の化学品は、他に記載がなければ、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｏｒｐ（Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，ＭＯ，ＵＳＡ）から購入した。
以下の実施例の金属酸化物コーティングの屈折率（ｎ）及び消衰係数（ｋ）は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ ＶＡＳＥ３２エリプソメータで測定した。
Ｔｉ重量％または他の金属の含有率を測定するために使用される熱重量測定は、Ｏ２雰囲気中で１２０℃／分の加熱速度で５０℃から８００℃に加熱し及びこの温度を６０分間維持して、Ａ Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ Ａｎａｌｙｚｅｒ ＴＧＡ７を用いて行った。
Ｔｉをまたは他の金属含有率を重量％で及びＳｉ含有率を重量％で測定するために使用される元素分析は、Ｗｈｉｔｅｈｏｕｓｅ ＮＪのＩｎｔｅｒｔｅｋによって行った。
高性能ポリマー添加剤の量は、通常は、金属化合物の１００％未満、好ましくは金属化合物の５０％未満である。
溶剤は、通常は、アルコール、エステル、ケトン、ラクトン、ジケトンを含む溶剤または溶剤混合物である。界面活性剤などの追加的な成分（＜１％）を、コーティング品質の向上のために加えることができる。
合成例１
２００ｇのＨｆ（ＩＶ）テトラｎ−ブトキシド（０．４２４７モル）を、２７６ｇの７０／３０ ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ中に溶解し、そしてＮ２下に反応容器に注いだ。Ｎ２下に攪拌しながらトリメチルシラノール（７６ｇ、０．８４２６モル）を上記の溶液に滴下しつつ、温度を攪拌しながら５０℃に高めた。この反応を６０℃で２時間維持した。次いで、１２７ｇの１，２−シクロヘキサンジカルボン酸無水物（０．８２３８モル）及び１２７ｇの７０／３０ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥを上記の反応混合物と混合し、そして反応を６０℃で約１時間続けた。一晩室温に冷却した後、生成物を、褐色のボトルに貯蔵し、そして注意深く密封した。測定した全Ｈｆ含有率は、２５０℃で６０秒間ベークした後に、フィルム中で４５重量％であった。
合成例２
２００ｇのＺｒテトラｎ−ブトキシド（ｎ−ブタノール中８０％）（０．４１７０モル）を、２４６．５ｇの７０／３０ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ中に溶解し、そしてＮ２下に反応容器に注いだ。Ｎ２下に攪拌しながら上記溶液中にトリメチルシラノール７７．５ｇ（０．８５９２モル）を滴下しつつ、温度を攪拌しながら５０℃に高めた。この反応を６０℃で２時間維持した。次いで、１０３ｇの１，２−シクロヘキサンジカルボン酸無水物（０．６６８１４モル）及び１０３ｇの７０／３０ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥを上記の反応混合物と混合し、そして反応を６０℃で約１時間続けた。一晩室温に冷却した後、生成物を、褐色のボトルに貯蔵し、そして注意深く密封した。生成物溶液のＦＴ−ＩＲスペクトルをシクロヘキサン中で取った。１５５９ｃｍ−１及び１４５６ｃｍ−１での共鳴は、Ｚｒ錯体中でのＣＯＯ伸縮振動数に帰属した。測定された全Ｚｒ含有率は、２５０℃で６０秒間ベークした後のフィルム中で２６．８重量％であった。
合成例３
２０ｇのＺｒ ｎ−ブトキシド（ｎ−ブタノール中８０％）（０．０４１７モル）を、２７．６ｇの７０／３０ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ中に溶解し、そしてＮ２下に反応溶液中に注いだ。Ｎ２下に攪拌しながらトリメチルシラノール７．６ｇ（０．０８４２６モル）を上記溶液中に滴下しつつ、温度を攪拌しながら５０℃に高めた。反応を６０℃で２時間維持した。次いで、９．３ｇのシトラコン酸無水物及び９．３ｇ（０．０８３００モル）の７０／３０ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥを上記の反応混合物と混合し、そして反応を６０℃で約１時間続けた。一晩室温に冷却した後、生成物を、褐色のボトルに貯蔵し、そして注意深く密封した。生成物溶液のＦＴ−ＩＲスペクトルをシクロヘキサン中で取った。１５６５ｃｍ−１及び１４５４ｃｍ−１での共鳴は、Ｚｒ錯体のＣＯＯ伸縮振動数に帰属した。測定された全Ｚｒ含有率は、２５０℃で６０秒間ベークした後のフィルム中で２５．４重量％であった。
合成例４
２５ｇのシクロペペンチルメチルエーテル（ＣＰＭＥ）及び９０ｇのジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＥＧＭＥ）中に溶解させた１２．７６ｇ（０．０７５モル）の２−フェニルフェノール、１５．６２ｇ（０．０７５モル）の９−アントラセンメタノール、９．７６ｇ（０．０７５モル）のジビニルベンゼンからなる溶液を調製し、そしてこの混合物を、オーバーヘッド機械的攪拌機、凝縮器、温度計、ディーンシュタークトラップ及びＮ２パージを備えた２５０ｍＬの四つ首フラスコ中で５分間攪拌した。その後、１．１４ｇのトリフルオロスルホン酸（モノマーの３重量％）を、攪拌された前記混合物に加え、そしてこれを更に５分間攪拌した。この攪拌された混合物の温度を次いで１４０℃に高め、そして３時間加熱した。この反応混合物を冷却し、そしてこれを２５０ｍＬのシクロペンチルメチルエーテル（ＣＰＭＥ）で希釈した後、これを分液漏斗に移し、そして２分割量の脱イオン（ＤＩ）水（２００ｍＬを二度）で洗浄した。ヘキサン中に注ぎ入れてポリマーを析出させた。このポリマーを濾過し、洗浄しそして乾燥した。このポリマーをＴＨＦ中に溶解し、そして更に二度、ヘキサンを用いて単離して、全てのモノマー及びオリゴマーを除去した。このプロセスは、原料から４０％の完成ポリマーを与えた。このポリマーの重量平均分子量は、１．８５９であり、多分散性は１．４０であった。
合成例５
４０ｇのチタン（ＩＶ）ブトキシドポリマー（Ｔｉ（ＩＶ）ＢＴＰポリマー）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｓｔ Ｌｏｕｉｓ Ｍｉｓｓｏｕｒｉ）（０．１１７４モル）を５２ｇの７０／３０ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ中に溶解し、そしてＮ２下に反応容器中に注ぎ入れた。この溶液を攪拌し、そしてトリメチルシラノール１２ｇ（０．１３３０モル）をＮ２下に滴下しながらその温度を５０℃に高めた。この反応混合物を６０℃で２時間維持し、その後、２０ｇの１，２−シクロヘキサンジカルボン酸無水物（０．１２９７モル）及び２０ｇの７０／３０ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥを、上記の反応混合物と混合し、そして反応を６０℃で約１時間続けた。一晩室温に冷却した後、生成物を、褐色のボトルに貯蔵し、そして注意深く密封した。生成物溶液のＦＴ−ＩＲスペクトルをシクロヘキサン中で取った。９７０ｃｍ−１での共鳴は、Ｔｉ−Ｏ−Ｓｉ伸縮振動数に帰属した。測定された総金属酸化物含有率は、１５０℃で６０秒間ベークした後のフィルム中で２８重量％であった。
合成例６
４０ｇのＴｉ（ＩＶ）ＢＴＰポリマー（０．１１７５モル）を５８ｇの７０／３０ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ溶剤中に溶解し、そしてＮ２下に反応容器中に注ぎ入れた。Ｎ２下に攪拌しながら及びトリメチルシラノール１８ｇ（０．１９９６モル）を滴下しつつ、温度を５０℃に高めた。この反応を６０℃で２時間維持した。次いで、２０ｇの１，２−シクロヘキサンジカルボン酸無水物（０．１２９７モル）及び２０ｇの７０／３０ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ溶剤を上記の反応混合物と混合し、そして反応を６０℃で約１時間続けた。一晩室温に冷却した後、生成物を、褐色のボトルに貯蔵し、そして注意深く密封した。測定された総金属酸化物含有率は、１５０℃で６０秒間ベークした後のフィルム中で３２重量％であった。
合成例７
７．９９ｇ［０．０２３５モル］のＴｉ（ＩＶ）ＢＴＰポリマーを１４．３６ｇの７０／３０ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ溶剤中に溶解し、そしてＮ２下に反応容器中に注ぎ入れた。攪拌しながら温度を５０℃まで高め、次いで７．０ｇ［０．０４５５モル］の１，２−シクロヘキサンジカルボン酸無水物及び１０．５ｇの７０／３０ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ溶剤をＮ２下にゆっくりと加えた。この反応を６０℃で２時間維持した。次いで、９．８ｇ［０．０４６５モル］のｐ−トリルトリメトキシシランを加え、そして反応を６０℃で約３時間続けた。一晩室温に冷却した後、生成物を、褐色のボトルに貯蔵し、そして注意深く密封した。生成物溶液のＦＴ−ＩＲスペクトルを取った。１５６８．０６ｃｍ−１及び９７０ｃｍ−１での共鳴は、それぞれＴｉ−Ｏ−Ｃ及びＴｉ−Ｏ−Ｓｉ伸縮振動数に帰属した。
処方及びコーティング例１
合成例１からの２０．０重量％の金属化合物及び５．０％のトリエタノールアミンを含む２５％重量／重量溶液を、ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ７０：３０溶剤中で調製する。十分に混合した後、この溶液をケイ素ウェハ上にスピンコートし、そして２５０℃で６０秒間ベークした。このコーティングされたウェハは、ＸＳＥＭ写真により良好なコーティング品質を示す。
処方及びコーティング例２
合成例２（または合成例３）からの２０．０重量％の金属化合物及び５％のトリエタノールアミンを含む２５％重量／重量溶液を、ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ７０：３０溶剤中で調製する。十分に混合した後、この溶液をケイ素ウェハ上にスピンコートし、そして２５０℃で６０秒間ベークした。このコーティングされたウェハは、ＸＳＥＭ写真により良好なコーティング品質を示す。
処方及びコーティング例３
合成例２（または合成例３）からの１４．０重量％の金属化合物及び６％のトリエタノールアミンを含む２０％重量／重量溶液を、ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ７０：３０溶剤中で調製する。十分に混合した後、この溶液をケイ素ウェハ上にスピンコートし、そして２５０℃で６０秒間ベークした。このコーティングされたウェハは、ＸＳＥＭ写真により良好なコーティング品質を示す。
処方及びコーティング例４
合成例１からの１３．３重量％の金属化合物、３．３％のトリエタノールアミン及び合成例４からの３．３％のポリマーを含む２０％重量／重量溶液を、ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ７０：３０溶剤中で調製する。十分に混合した後、この溶液をケイ素ウェハ上にスピンコートし、そして２５０℃で６０秒間ベークした。このコーティングされたウェハは、ＸＳＥＭ写真により良好なコーティング品質を示す。
処方及びコーティング例５
合成例２からの１３．３重量％の金属化合物、３．３％のトリエタノールアミン及び合成例４からの３．３％のポリマーを含む２０％重量／重量溶液を、ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ７０：３０溶剤中で調製する。十分に混合した後、この溶液をケイ素ウェハ上にスピンコートし、そして２５０℃で６０秒間ベークした。このコーティングされたウェハは、ＸＳＥＭ写真により良好なコーティング品質を示す。
処方及びコーティング例６
合成例５からの１１．４重量％の金属化合物、２．９重量％のトリエタノールアミン及び合成例４からの５．７重量％のポリマーを含む２０％重量／重量溶液を、シクロヘキサノン溶剤中で調製する。十分に混合した後、この溶液をケイ素ウェハ上にスピンコートし、そして２５０℃で６０秒間ベークした。このコーティングされたウェハは、ＸＳＥＭ写真により良好なコーティング品質を示す。
処方及びコーティング例７
合成例６からの１０重量％の金属化合物及び合成例４からの１０重量％のポリマーを含む２０％重量／重量溶液を、ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ７０：３０溶剤中で調製する。十分に混合した後、この溶液をケイ素ウェハ上にスピンコートし、そして２５０℃で６０秒間ベークした。このコーティングされたウェハは、ＸＳＥＭ写真により良好なコーティング品質を示す。
ベーク例１の後のフィルム中の金属重量％の決定
処方例１〜５を、ケイ素ウェハ上で、コーティングし、そして通常は２５０℃／６０秒〜３００℃／６０秒で適当な温度でベークした。フィルム中の金属重量％は、元素分析及びＴＧＡ重量損失測定によって測定した。二つの方法からの結果は一致している。測定された総金属酸化物含有率は、２５０℃／６０秒間〜３００℃／６０秒間のベーク条件下にフィルム中２０〜４０重量％の範囲である。このフィルムは、全てのケースにおいて元素分析に基づいて、殆どが金属化合物から構成され、若干のケイ素を含む。
ビア充填性能評価例１
処方例１〜５を、コーティングし、そして２５０ｎｍの膜厚を目的として、通常２５０℃／６０秒間で適当な温度でベークした。次いで、例４〜５のコーティングされたウェハを、Ａｌｂａｎｙ製のケイ素ウェハ上で、４００℃／１２０秒間でベークした。これらのＡｌｂａｎｙ製ウェハは、ビアの深さが６５０ｎｍであり、ビアサイズが１３０、１４０、１６０、２００及び３００ｎｍであるものである。ビアホールは、様々なピッチでパターン化し、すなち１：１、１：１．４及び１：６の緻密、半緻密及び孤立でパターン化した。使用した他のビアウェハは、ビアの深さが７００ｎｍであり、ビアサイズは約１４０ｎｍであるものである。コーティングされたウェハは、走査電子顕微鏡で検査した。上記の加工条件下に空隙なしに、良好な充填性能が観察された。
トレンチ充填性能評価例１
２５０℃／６０秒間のベーク温度で２５０ｎｍの最終膜厚を目的として調節された固形分含有率を有する処方例１〜５の溶液を、トレンチサイズが１００ｎｍ（深さ）×１５ｎｍ（幅）及びライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１：１のパターン化されたウェハ上に、１５００ｒｐｍのスピン速度でスピンコートした。次いで、処方例４〜５のコーティングされたウェハを、４００℃／１２０秒間ベークした。断面走査電子顕微鏡（ＸＳＥＭ）データは、優れたフィルムコーティング品質及び良好な充填性能を示した。
ビア充填性能評価比較例１
処方例１〜５を、コーティングし、そして２５０ｎｍの膜厚を目的として、通常２５０℃／６０秒間で適当な温度でベークした。次いで、例１〜３のコーティングされたウェハを、Ａｌｂａｎｙ製のケイ素ウェハ上で、３００℃／１２０秒間ベークした。これらのＡｌｂａｎｙ製ウェハは、ビアの深さが６５０ｎｍであり、ビアサイズが１３０、１４０、１６０、２００及び３００ｎｍであるものである。ビアホールは、様々なピッチでパターン化し、すなわち１：１、１：１．４及び１：６の緻密、半緻密及び孤立でパターン化した。使用した他のビアウェハは、ビアの深さが７００ｎｍであり、ビアサイズは約１４０ｎｍであるものである。コーティングされたウェハは、走査電子顕微鏡で検査した。ビア中の空隙が、断面画像によって観察された。
トレンチ充填性能評価比較例１
２５０℃／６０秒間のベーク温度で２５０ｎｍの最終膜厚を目的として調節された固形分含有率を有する処方例１〜５の溶液を、トレンチサイズが１００ｎｍ（深さ）×１５ｎｍ（幅）及びライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１：１のパターン化されたウェハ上に、１５００ｒｐｍのスピン速度でスピンコートした。次いで、処方例１〜３のコーティングされたウェハを、３００℃／１２０秒間でベークした。断面走査電子顕微鏡（ＸＳＥＭ）データは、トレンチ充填に空隙を示した。
処方及びコーティング例６
合成例７からの８０．０重量％の金属化合物及び２０．０％のトリエタノールアミン、及び２０．０％のｕ−９８１ポリマーを含む１００％重量／重量溶液を、ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ７０：３０溶剤中で調製する。十分に混合した後、この溶液をケイ素ウェハ上にスピンコートし、そして２５０℃で６０秒間ベークした。このコーティングされたウェハは、ＸＳＥＭ写真により良好なコーティング品質を示す。
ベーク例２の後のフィルム中の金属重量％の決定
処方例１〜７を、ケイ素ウェハ上で、コーティングし、そして通常は２５０℃／６０秒間で適当な温度でベークした。フィルム中の金属重量％は、元素分析及びＴＧＡ重量損失測定によって測定した。二つの方法からの結果は一致している。測定された総金属酸化物含有率は、２５０℃／６０秒間のベーク条件下にフィルム中に２９．７３５重量％である。
ビア充填性能評価例２
処方例７を、コーティングし、そして２５０ｎｍの膜厚を目的として、通常２５０℃／６０秒間で適当な温度でベークした。これらのＡｌｂａｎｙ製ウェハは、ビアの深さが６５０ｎｍであり、ビアサイズが１３０、１４０、１６０、２００及び３００ｎｍであるものである。ビアホールは、様々なピッチでパターン化し、すなわち１：１、１：１．４及び１：６の緻密、半緻密及び孤立でパターン化した。使用した他のビアウェハは、ビアの深さが７００ｎｍであり、ビアサイズは約１４０ｎｍであるものである。コーティングされたウェハは、走査電子顕微鏡で検査した。上記の加工条件下に空隙なしに、良好な充填性能が観察された。
ビア充填性能評価例３
処方例６を、ケイ素ウェハ上で、コーティングし、そして２５０ｎｍの膜厚を目的として、通常２５０℃／６０秒間の適当な温度で、次いで４００℃／６０秒間でベークした。これらのＡｌｂａｎｙ製ウェハは、ビアの深さが６００ｎｍであり、ビアサイズが７０、７５、８０、９０及び１００ｎｍであるものである。ビアホールは、様々なピッチでパターン化し、すなわちホール：スペース比が１：１、１：１．５及び１：９の緻密、半緻密及び孤立でパターン化した。コーティングされたウェハは、走査電子顕微鏡で検査した。上記の加工条件下に空隙なしに、良好な充填性能が観察された。
ビア充填性能評価例４
処方例７を、ケイ素ウェハ上で、コーティングし、そして２５０ｎｍの膜厚を目的として、通常２５０℃／６０秒間の適当な温度で、次いで４００℃／６０秒間でベークした。これらのＡｌｂａｎｙ製ウェハは、ビアの深さが６００ｎｍであり、ビアサイズが７０、７５、８０、９０及び１００ｎｍであるものである。ビアホールは、様々なピッチでパターン化し、すなわちホール：スペース比が１：１、１：１．５及び１：９の緻密、半緻密及び孤立でパターン化した。コーティングされたウェハは、走査電子顕微鏡で検査した。上記の加工条件下に空隙なしに、良好な充填性能が観察された。

Claims (115)

  1. ａ 次の構造（Ｉ）を有する金属化合物：
    ［式中、
    Ｍは、４の価数（４）を有する金属であり；
    ｎは、１〜２０の整数であり；
    Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、それぞれ独立して、次のもの、すなわち：
    １）構造（ＩＩ）を有する第一の有機部分：
    （式中、
    Ｒ５は、Ｃ２〜Ｃ１０アルキレン、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキレン、Ｃ５〜Ｃ１２シクロアルキレン、Ｃ＝Ｃ二重結合を含むＣ２〜Ｃ１０アルキレン、Ｃ＝Ｃ二重結合を含むＣ３〜Ｃ１２分岐状アルキレン、及びＣ＝Ｃ二重結合を含むＣ５〜Ｃ１２シクロアルキレンからなる群から選択され；及び
    Ｒ６は、水素、または構造（ＩＩＩ）を有するアルキルオキシカルボニルであり、
    Ｒ７は、Ｃ１〜Ｃ８アルキルである）
    ２）構造（ＩＶ）を有する、少なくとも２個の炭素を有するケイ素含有有機部分：
    （式中、
    Ｒ８及びＲ９は、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され；
    Ｒ１０は、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ６〜Ｃ１６アリール、ヒドロキシル、及び構造（Ｖ）を有するシロキサンからなる群から選択され：
    式中、
    Ｒ１１は、水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、ヒドロキシルで置換されたＣ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ６〜Ｃ１６アリール、及び構造（ＩＶａ）を有するシリル部分からなる群から選択され、構造（ＩＶａ）中、Ｒ８ａ及びＲ９ａは、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、そしてＲ１０ａは、Ｃ１〜Ｃ８アルキル及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され；
    Ｒ１２及びＲ１３は、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され；及び
    ｐは、シロキサン部分（Ｖ）中の繰り返し単位数を表す）；
    ３）Ｃ２〜Ｃ８アルキル、Ｃ２〜Ｃ８アルキルカルボキシル、Ｃ６〜Ｃ２０アリールカルボキシル、フルオレニルカルボキシル、フッ素化Ｃ２〜Ｃ８アルキルカルボキシル、Ｃ２〜Ｃ８アルキルスルホニル、フッ素化Ｃ２〜Ｃ８アルキルスルホニル、及びこれらの混合物からなる群から選択される第二の有機部分；及び
    ４）これらの混合物；
    からなる群から選択される］
    ｂ 構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤から構成される、任意選択の成分：
    ［式中、
    ＸはＣまたはＮであり；
    ｒは少なくとも２であり；
    ｑは０〜２であり；
    但し、ＸがＣの場合はｑとｒの合計は４であり、そしてＸがＮの場合はｑとｒの合計は３であり；
    Ｒ１４は、水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル及びＣ２〜Ｃ８ヒドロキシルアルキルからなる群から選択され；
    ＸがＮである場合は、ＹはＣ１〜Ｃ８アルキレンであり、またはＸがＣである場合は、Ｙは、直接原子価結合、Ｃ１〜Ｃ８アルキレン、及び構造（ＶＩＩ）を有する部分からなる群から選択され：
    式中、
    Ｒ１５はＣ２〜Ｃ８アルキレンであり；
    ｓは０〜２であり；そして
    ｔは１〜２である］
    ｃ 高性能ポリマー添加剤；及び
    ｄ 溶剤、
    を含む組成物。
  2. Ｍが、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｇｅ及びＷからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
  3. Ｍが、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ及びＳｎからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
  4. 成分ａが、構造（Ｉ）を有する二種以上の異なる金属化合物の混合物である、請求項１〜３のいずれか一つに記載の組成物。
  5. 構造（Ｉ）を有する二種以上の異なる金属化合物の混合物が異なるＭを有する、請求項４に記載の組成物。
  6. 上記混合物中の少なくとも一種の金属化合物が、Ｓｉに等しいＭを有さない、請求項４または５に記載の組成物。
  7. 成分ａが、構造（Ｉ）を有する二種の異なる金属化合物、すなわち第一の金属化合物及び第二の金属化合物の混合物であり、ここで前記第一の金属化合物のＭがＳｉであり、そして第二の金属化合物が、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｇｅ及びＷからなる群から選択されるＭを有する、請求項１〜６のいずれか一つに記載の組成物。
  8. Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも一つが、構造（ＩＩ）を有する第一の有機部分、及び構造（ＩＶ）を有しかつ少なくとも二つの炭素を有するケイ素含有有機部分からなる群から選択される、請求項１〜７のいずれか一つに記載の組成物。
  9. Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも一つが、
    からなる群から選択される、請求項１〜８のいずれか一つに記載の組成物。
  10. Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のそれぞれが、独立して、構造（ＩＩ）を有する第一の有機部分、及び構造（ＩＶ）を有しかつ少なくとも二つの炭素を有するケイ素含有有機部分からなる群から選択される、請求項１〜８のいずれか一つに記載の組成物。
  11. 構造（ＩＶ）を有しかつ少なくとも二つの炭素を有するケイ素含有有機部分が、構造（Ｉ）を有する金属化合物のＲ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の全モル数の３０モル％〜６０モル％の範囲で存在する、請求項１〜１０のいずれか一つに記載の組成物。
  12. ｎが２〜２０である、請求項１〜１１のいずれか一つに記載の組成物。
  13. ｎが１である、請求項１〜１１のいずれか一つに記載の組成物。
  14. Ｒ５がＣ２〜Ｃ１０アルキレンである、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  15. Ｒ５が、Ｃ＝Ｃ二重結合を含むＣ２〜Ｃ１０アルキレンである、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  16. Ｒ５が、Ｃ５〜Ｃ１２シクロアルキレンである、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  17. Ｒ６が、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシカルボニルである、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  18. Ｒ６が、Ｃ２〜Ｃ６アルキルオキシカルボニルである、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  19. Ｒ６が、Ｃ３〜Ｃ４アルキルオキシカルボニルである、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  20. Ｒ７が、Ｃ１〜Ｃ８アルキルである、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  21. Ｒ７が、Ｃ２〜Ｃ６アルキルである、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  22. Ｒ７が、Ｃ３〜Ｃ４アルキルである、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  23. Ｒ８が、メチル、エチル、プロピル、ブチルまたはｔ−ブチルである、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  24. Ｒ８が、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択される、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  25. Ｒ９が、メチル、エチル、プロピル、ブチルまたはｔ−ブチルである、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  26. Ｒ９が、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択される、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  27. Ｒ１０が、構造（Ｖ）を有するシロキサンである、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  28. Ｒ８及びＲ９が、独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され；Ｒ１０が、構造（Ｖ）を有するシロキサンであり、ここで、Ｒ１１は、構造（ＩＶａ）を有するシリル部分であり、ここでＲ８ａ及びＲ９ａは、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシから選択され、そしてＲ１０ａはＣ６〜Ｃ１６アリールであり、そしてＲ１２及びＲ１３が、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキルからなる群から選択される、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  29. Ｒ８及びＲ９が、独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され；そしてここで、Ｒ１０は、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択される、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  30. Ｒ１０が、メチル、エチル、プロピル、ブチルまたはｔ−ブチルである、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  31. Ｒ１０が、Ｃ１〜Ｃ８アルキルである、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  32. Ｒ１１がＣ１〜Ｃ８アルキルまたは水素である、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  33. Ｒ１１がＣ１〜Ｃ４アルキルまたは水素である、請求項２〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  34. Ｒ１１が、Ｃ１〜Ｃ８アルキルである、請求項２〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  35. Ｒ１１が、Ｃ１〜Ｃ４アルキルである、請求項２〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  36. Ｒ１１が水素である、請求項２〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  37. Ｒ１２がＣ１〜Ｃ８アルキルである、請求項２〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  38. Ｒ１２がＣ１〜Ｃ６アルキルである、請求項２〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  39. Ｒ１２がＣ１〜Ｃ４アルキルである、請求項２〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  40. Ｒ１３がＣ１〜Ｃ８アルキルである、請求項２〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  41. Ｒ１３がＣ１〜Ｃ６アルキルである、請求項２〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  42. Ｒ１３がＣ１〜Ｃ４アルキルである、請求項２〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  43. ｐが１〜５００である、請求項２〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  44. ｐが１〜２００である、請求項２〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  45. ｐが１〜５０である、請求項２〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
  46. 以下の構造のいずれか一つを有する金属化合物またはこれらの化合物の混合物を含み、Ｒ６ａ、Ｒ６ｂ及びＲ６ｃが独立してＣ１〜Ｃ４アルキルから選択され、更にｎが独立して１〜２０の整数である、請求項１に記載の組成物。
  47. 以下の構造のいずれか一つを有する金属化合物またはこれらの化合物の混合物を含み、ここで、ｎが独立して１〜２０である、請求項１に記載の組成物。
  48. 以下の構造のいずれか一つを有する金属化合物またはこれらの化合物の混合物を含み、ここでＲ１１ｂは、水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、ヒドロキシルで置換されたＣ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ６〜Ｃ１６アリール、及び構造（ＩＶｂ）を有するシリル部分（式中、Ｒ６ａ、Ｒ６ｂ及びＲ６ｃは独立してＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される）からなる群から選択され、そしてｎは独立して１〜２０の整数であり、そしてｐは独立して１〜５００の整数である、請求項１に記載の組成物。
  49. 以下の構造のいずれか一つを有する金属化合物、またはこれらの化合物の混合物を含み、ここで、Ｒ１１ａは、構造（ＩＶｃ）を有するシリル部分であり、ｎは独立して１〜２０の整数であり、そしてｐは独立して１〜５００の整数である、請求項１に記載の組成物。
  50. 以下の構造のいずれか一つを有する金属化合物またはこれらの化合物の混合物を含み、ここでｎは独立して１〜２０の整数である、請求項１に記載の組成物。
  51. 以下の構造のいずれか一つを有する金属化合物、またはこれらの化合物の混合物を含み、ここで、ｎは独立して１〜２０の整数である、請求項１に記載の組成物。
  52. 以下の構造のいずれか一つを有する金属化合物、またはこれらの化合物の混合物を含み、ここでｎは独立して１〜２０の整数である、請求項１に記載の組成物。
  53. 以下の構造のいずれか一つを有する金属化合物、またはこれらの化合物の混合物を含み、ここで、ｎは独立して１〜２０の整数である、請求項１に記載の組成物。
  54. 以下の構造のいずれか一つを有する金属化合物、またはこれらの化合物の混合物を含み、ここでＲ６ａ及びＲ６ｄは、独立して、Ｃ１〜Ｃ４アルキルから選択され、そしてＲ８ａ及びＲ９ａは、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、そしてＲ１０ａは、Ｃ１〜Ｃ８アルキル及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、ここでｎは独立して１〜２０の整数である、請求項１に記載の組成物。
  55. 以下の構造のいずれか一つを有する金属化合物、またはこれらの化合物の混合物を含み、ここで、ｎは独立して１〜２０の整数である、請求項１に記載の組成物。
  56. 以下の構造のいずれか一つを有する金属化合物、またはこれらの化合物の混合物を含み、ここでＲ６ａはＣ１〜Ｃ４アルキルから選択され、そしてＲ８ａ及びＲ９ａは、それぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルキルオキシ、Ｃ３〜Ｃ１２分岐状アルキルオキシ、及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、そしてＲ１０ａは、Ｃ１〜Ｃ８アルキル及びＣ６〜Ｃ１６アリールからなる群から選択され、ｎは独立して６〜２０の整数である、請求項１に記載の組成物。
  57. 以下の構造のいずれか一つを有する金属化合物、またはこれらの化合物の混合物を含み、ここで、ｎは独立して１〜２０の整数である、請求項１に記載の組成物。
  58. 成分ｂにおいて、構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤において、ＸがＣである、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  59. 成分ｂにおいて、構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤において、ＸがＮである、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  60. 成分ｂにおいて、構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤において、Ｙが、直接結合、メチレン、エチレンまたは構造（ＶＩＩ）を有する部分である、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  61. ｒが２、３または４である、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  62. Ｒ１４が水素である、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  63. 構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤が、ｑが０、１または２であるものである、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  64. 構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤において、構造（ＶＩＩ）が、ｓが０または２であるものである、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  65. 構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤において、構造（ＶＩＩ）が、Ｒ１５がエチレンまたはプロピレンであるものである、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  66. 構造（ＶＩ）を有するポリオール添加剤において、構造（ＶＩＩ）がｔが１であるものである、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  67. ポリオール添加剤が、テトラエチレングリコール、トリエチレングリコール、グリセロール、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、ネオペンチルグリコール、グリセロールプロポキシレート、及びペンタエリトリトールエトキシレートからなる群から選択される、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  68. ポリオール添加剤が、
    からなる群から選択される、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  69. ポリオール添加剤が５００未満の分子量を有する、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  70. ポリオール添加剤が３００未満の分子量を有する、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  71. ポリオール添加剤が少なくとも２００℃の沸点を有する、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  72. ポリオール添加剤が少なくとも２５０℃の沸点を有する、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  73. ポリオール添加剤が少なくとも４００℃の沸点を有する、請求項１〜５７のいずれか一つに記載の組成物。
  74. 高性能ポリマー添加剤が、ポリエーテル、ポリエステル、ポリスルホン及びポリエーテルスルホンからなる群から選択される、請求項１〜７３のいずれか一つに記載の組成物。
  75. 高性能ポリマー添加剤が、構造（ＶＩＩＩ）を有する単位を含む、請求項１〜７３のいずれか一つに記載の組成物。
    式中、
    Ａは、縮合芳香族環を含み；
    Ｂは、構造（ＩＸ）を有し；
    式中、Ｒ１６及びＲ１７は、それぞれ独立して、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり；そして
    Ｃは、構造（Ｘ）を有するヒドロキシビフェニルである；
  76. Ａが構造（ＸＩ）を有する、請求項７５に記載の組成物。
    式中、Ｄは、２〜８個の縮合芳香族環を含む基である。
  77. Ｄがアントラセンである、請求項７６に記載の組成物。
  78. Ａがアントラセンである、請求項７５に記載の組成物。
  79. Ａが次の構造を有する、請求項７５に記載の組成物。
  80. Ｂが次の構造を有する、請求項７５に記載の組成物。
  81. Ｃが次の構造を有する、請求項７５に記載の組成物。
  82. Ｃが次の構造を有する、請求項７５に記載の組成物。
  83. Ｒ１６が水素またはメチルである、請求項８０に記載の組成物。
  84. Ｒ１７が水素またはメチルである、請求項８０に記載の組成物。
  85. 高性能ポリマー添加剤が構造（ＸＶＩ）を有する単位を更に含む、請求項７５〜８４のいずれか一つに記載の組成物。
    式中、Ｅは、２〜８個の縮合芳香族環を含む基である。
  86. 高性能ポリマー添加剤が、
    ［式中、Ｒ１８及びＲ１９はそれぞれ独立して水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルである］
    からなる群から選択される構造を有する単位を含む、請求項１〜７３のいずれか一つに記載の組成物。
  87. Ｒ１８が水素またはメチルである、請求項８６に記載の組成物。
  88. Ｒ１９が水素またはメチルである、請求項８６に記載の組成物。
  89. 溶剤が、アルコール、エステル、ケトン、ラクトン、ジケトン、芳香族部分、カルボン酸、アミド、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１〜８６のいずれか一つに記載の組成物。
  90. 界面活性剤、レベリング剤、架橋性添加剤及び熱活性化触媒からなる群から選択される少なくとも一つの追加的な成分を更に含む、請求項１〜８９のいずれか一つに記載の組成物。
  91. 界面活性剤が、組成物の総重量の１％未満の量で存在する、請求項９０に記載の組成物。
  92. 電子デバイスを製造する方法であって、
    ａ）請求項１〜９１のいずれか一つに記載の組成物を基材上に施与して、コーティングフィルムを形成し；及び
    ｂ）前記コーティングフィルムを１５０℃と４００℃との間の温度で、３０〜２４０秒間加熱し、それによって硬化されたコーティングフィルムを形成する、
    ことを含む前記方法。
  93. 上記コーティングフィルムを最大１２０秒間までの時間加熱する、請求項９２に記載の方法。
  94. 上記組成物を、ステップａ）において、スピンオンコート法によって基材上に施与して、コーティングフィルムを形成する、請求項９２または９３に記載の方法。
  95. 上記組成物を、ワンステップスピンオンコート法によって基材上に施与する、請求項９４に記載の方法。
  96. 前記基材が、トポグラフィ図形を含むパターン化された基材であり、及びステップａ）においては上記コーティングフィルムが、ステップｂ）においては上記硬化されたコーティングフィルムが前記トポグラフィを覆い、及び更に、ステップｂ）の後に、次のステップｃ）：
    ｃ）トポグラフィの上面を覆う部分の上記硬化されたフィルムを、化学的ストリッパまたはフッ素化プラズマエッチングを用いて除去し、それによって、充填されたトポグラフィ図形を生成し、この場合に、硬化されたコーティングフィルムが、上記トポグラフィ図形と面一であるステップ、
    を更に含む、請求項９２〜９５のいずれか一つに記載の方法。
  97. 上記トポグラフィ図形が、ケイ素基材を覆うパターン化スピンオン有機高炭素コーティングまたはパターン化フォトレジストコーティングによって形成される、請求項９６に記載の方法。
  98. 前記トポグラフィ図形がビアである、請求項９６または９７に記載の方法。
  99. ステップｃ）の後に、次のステップｄ）：
    ｄ）前記パターン化有機高炭素コーティングまたは前記パターン化フォトレジストを酸素プラズマで除去し、それによって、前記パターン化フォトレジストまたは前記パターン化有機高炭素コーティングのネガトーン画像を形成し、ここで残留した前記充填されたトポグラフィ図形が、前記パターン化フォトレジストまたは前記パターン化有機高炭素コーティングの除去の後に、金属酸化物から構成されたパターンを形成するステップ、
    を更に含む、請求項９７または９８に記載の方法。
  100. ステップｄ）の後に、次のステップｅ）：
    ｅ）金属酸化物から構成された前記パターンをパターン化ハードマスク、すなわちプラズマエッチングバリアとして使用し、そしてフッ素化プラズマを用いて半導体基材中にエッチングするステップ、
    を更に含む、請求項９６〜９９のいずれか一つに記載の方法。
  101. 前記トポグラフィ図形が、１：１〜１０：１のアスペクト比を有する、請求項９６〜１００のいずれか一つに記載の方法。
  102. 前記トポグラフィ図形が１〜１０のアスペクト比を有し、及び１０ｎｍ〜１００ｎｍの微小寸法（ＣＤ）の範囲のものから選択し得る、請求項９６〜１０１のいずれか一つに記載の方法。
  103. ステップｂ）において、２５０℃〜４００℃の温度でのフィルムのベークを二つのベークステップｂ１）及びｂ２）で行い、ここで、ベークステップｂ１）は２５０℃〜２７５℃で行われ、そしてベークステップｂ２）は３５０℃〜４００℃で行われる、請求項９６〜１０２のいずれか一つに記載の方法。
  104. 前記ベークステップｂ１）が２００秒間〜２５０℃であり、前記ベークステップｂ２）が３５０℃〜４００℃である、請求項１０３に記載の方法。
  105. 前記ベークステップｂ１）が３０秒間〜１２０秒間行われ、前記ベークステップｂ２）が６０〜１２０秒間行われる、請求項１０３または１０４に記載の方法。
  106. 前記ベークステップｂ１が６０秒間〜１２０秒間行われ、前記ベークステップｂ２）が９０秒間〜１２０秒間行われる、請求項１０３〜１０５のいずれか一つに記載の方法。
  107. 前記ベークステップｂ１）が６０秒間〜１２０秒間行われる、請求項１０３〜１０６のいずれか一つに記載の方法。
  108. 前記ベークステップｂ２）が９０秒間〜１２０秒間行われる、請求項１０３〜１０７のいずれか一つに記載の方法。
  109. ケイ素基材上にハードマスク組成物をコーティングする方法であって、
    ａ３）請求項１〜９１のいずれか一つに記載の組成物を前記基材上に施与して、コーティングフィルムを形成し、
    ｂ３）前記コーティングフィルムをベークして、ハードマスクフィルムを形成し、
    ｃ３）前記ハードマスクフィルムの上面に底面反射防止コーティングをコーティングし、
    ｄ３）前記反射防止コーティングの上面にフォトレジストをコーティングし、
    ｅ３）前記フォトレジストをパターン化して、フォトレジストパターンを形成し、
    ｆ３）前記フォトレジストパターンで保護されていない上記底面反射防止コーティングを通して、フッ素化プラズマを用いて前記ハードマスクコーティングに至るまでエッチングし、
    ｇ３）前記底面反射防止コーティング及び前記フォトレジストパターンによって保護されていない前記ハードマスクフィルムを通して、塩素プラズマを用いて前記ケイ素基材に至るまでエッチングして、パターン化ハードマスクフィルムを生成し、そして
    ｈ３）上記パターン化ハードマスクフィルムによって保護されていない領域において、フッ素化プラズマを用いてケイ素基材中にエッチングして、トポグラフィ図形をケイ素図形中に形成する、
    ことを含む、前記方法。
  110. ステップｂ３）において、１５０℃〜４００℃の温度でのフィルムのベークを二つのベークステップｂ１’）及びｂ２’）で行い、ここでベークステップｂ１’）は１５０℃〜２５０℃で行われ、ベークステップｂ２’）は３００℃〜４００℃で行われる、請求項１０８に記載の方法。
  111. 上記ベークステップｂ１’）が２００℃〜２５０℃であり、ベークステップｂ２’）が３５０℃〜４００℃である、請求項１１０に記載の方法。
  112. 前記ベークステップｂ１’）が３０〜１２０秒間行われ、前記ベークステップｂ２’）が６０秒間〜１２０秒間行われる、請求項１１０または１１１に記載の方法。
  113. 前記ベークステップｂ１’）が６０秒間行われ、前記ベークステップｂ２’）が９０秒間〜１２０秒間行われる、請求項１１０〜１１２のいずれか一つに記載の方法。
  114. 前記ベークステップｂ１’）が６０秒間〜１２０秒間行われる、請求項１１０〜１１２のいずれか一つに記載の方法。
  115. 前記ベークステップｂ２’）が９０秒間〜１２０秒間行われる、請求項１１０〜１１３のいずれか一つに記載の方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018114920A2 (en) * 2016-12-21 2018-06-28 AZ Electronic Materials (Luxembourg) S.à.r.l. Composition of spin-on materials containing metal oxide nanoparticles and an organic polymer
KR20230007391A (ko) 2020-04-17 2023-01-12 메르크 파텐트 게엠베하 탄소 재료, 금속 유기 화합물 및 용매를 포함하는 스핀 코팅 조성물, 및 기판 위 금속 산화물 막의 제조 방법
WO2023275221A1 (en) 2021-07-02 2023-01-05 Merck Patent Gmbh Metal complexes for optical and microelectronic applications
KR102396715B1 (ko) * 2021-10-21 2022-05-13 이근수 금속 함유 하드마스크 막의 제조 방법 및 레지스트 패턴 형성 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016508963A (ja) * 2012-12-07 2016-03-24 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 安定な金属化合物、その組成物、およびその使用方法
JP2016532739A (ja) * 2013-06-28 2016-10-20 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 可溶性金属酸化物カルボキシレートのスピンオン組成物及びそれらの使用方法

Family Cites Families (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3035071A (en) 1957-06-24 1962-05-15 Du Pont Titanium acylate silicone copolymers
US2888367A (en) 1958-02-14 1959-05-26 Hitemp Wires Inc Process for promoting adhesion to difficultly wettable polymer surface
US3014826A (en) 1960-12-29 1961-12-26 Gen Electric Electrical core structures
US3474054A (en) 1966-09-13 1969-10-21 Permalac Corp The Surface coating compositions containing pyridine salts or aromatic sulfonic acids
US3625934A (en) 1968-07-02 1971-12-07 Jacobus Rinse Oligomers of mixed tetravalent element oxides
US3758269A (en) 1971-10-12 1973-09-11 Sybron Corp Anionically modified nylon in a jute backed carpet cation dyes and long chain alkyl quaternary ammonium salt applied to
US4251665A (en) 1978-05-22 1981-02-17 King Industries, Inc. Aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
US4200729A (en) 1978-05-22 1980-04-29 King Industries, Inc Curing amino resins with aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
US4347347A (en) 1979-06-28 1982-08-31 Ube Industries, Ltd. Crosslinked organometallic block copolymers and process for production thereof
JPS56159223A (en) 1980-05-13 1981-12-08 Seishi Yajima Production of heat-resistant compound
US4416789A (en) 1982-02-01 1983-11-22 Rca Corporation High density information disc lubricants
US4491628A (en) 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
US4529766A (en) 1984-06-08 1985-07-16 The B. F. Goodrich Company Carboxylated rubber composition containing scorch inhibitor
JPS6356529A (ja) 1986-08-27 1988-03-11 Nissan Chem Ind Ltd 新規チタノシロキサン重合体の製造法
US5178989A (en) 1989-07-21 1993-01-12 Board Of Regents, The University Of Texas System Pattern forming and transferring processes
JPH03138922A (ja) 1989-10-24 1991-06-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 微細パターン形成方法
EP0440374B1 (en) 1990-01-30 1997-04-16 Wako Pure Chemical Industries Ltd Chemical amplified resist material
US5187019A (en) 1991-09-06 1993-02-16 King Industries, Inc. Latent catalysts
JPH0632756A (ja) 1992-07-14 1994-02-08 Ube Ind Ltd ビス（ヒドロキシフェニル）メタン類の製造方法
US5563228A (en) 1994-02-25 1996-10-08 Dow Corning Asia, Ltd. Method for the preparation of polyheterosiloxanes
JP3542156B2 (ja) 1994-02-25 2004-07-14 ダウ コーニング アジア株式会社 有機溶媒に可溶なポリチタノシロキサンの製造方法
US5843624A (en) 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US5772978A (en) 1996-04-24 1998-06-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for producing tungsten oxide
US6808859B1 (en) 1996-12-31 2004-10-26 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. ArF photoresist copolymers
US5879859A (en) 1997-07-16 1999-03-09 International Business Machines Corporation Strippable photoimageable compositions
JP2000010293A (ja) 1998-06-17 2000-01-14 Jsr Corp 反射防止膜形成用組成物および反射防止膜
US6849377B2 (en) 1998-09-23 2005-02-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoresists, polymers and processes for microlithography
US6790587B1 (en) 1999-05-04 2004-09-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Fluorinated polymers, photoresists and processes for microlithography
US6348299B1 (en) 1999-07-12 2002-02-19 International Business Machines Corporation RIE etch resistant nonchemically amplified resist composition and use thereof
EP1302813A4 (en) 2000-06-21 2005-02-23 Asahi Glass Co Ltd RESIST COMPOSITION
US6242156B1 (en) 2000-06-28 2001-06-05 Gary Ganghui Teng Lithographic plate having a conformal radiation-sensitive layer on a rough substrate
US6447980B1 (en) 2000-07-19 2002-09-10 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist composition for deep UV and process thereof
US20020155389A1 (en) 2000-10-24 2002-10-24 Bharath Rangarajan Inverse resist coating process
WO2002065212A1 (fr) 2001-02-09 2002-08-22 Asahi Glass Company, Limited Composition de reserve
US6723488B2 (en) 2001-11-07 2004-04-20 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep UV radiation containing an additive
US7455955B2 (en) 2002-02-27 2008-11-25 Brewer Science Inc. Planarization method for multi-layer lithography processing
US6740469B2 (en) 2002-06-25 2004-05-25 Brewer Science Inc. Developer-soluble metal alkoxide coatings for microelectronic applications
US6872506B2 (en) 2002-06-25 2005-03-29 Brewer Science Inc. Wet-developable anti-reflective compositions
JP2004179254A (ja) 2002-11-25 2004-06-24 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US20040171743A1 (en) 2003-01-21 2004-09-02 Terry Brewer, Ph.D. Hybrid organic-inorganic polymer coatings with high refractive indices
EP1462473B1 (en) 2003-03-14 2011-07-06 Nippon Shokubai Co., Ltd. Surface crosslinking method of water-absorbing resin powder
US20040224616A1 (en) 2003-04-25 2004-11-11 Jsr Corporation Polishing pad and chemical mechanical polishing method
EP1493761A1 (en) 2003-07-02 2005-01-05 3M Innovative Properties Company Fluoropolymer of fluorinated short chain acrylates or methacrylates and oil- and water repellent compositions based thereon
DE10352139A1 (de) 2003-11-04 2005-06-09 Basell Polyolefine Gmbh Organoübergangsmetallverbindung, Biscyclopentadienylligandsystem und Verfahren zur Herstellung von Polyolefinen
JP4131864B2 (ja) 2003-11-25 2008-08-13 東京応化工業株式会社 化学増幅型ポジ型感光性熱硬化性樹脂組成物、硬化物の形成方法、及び機能素子の製造方法
DE602004026635D1 (de) 2003-12-26 2010-05-27 Nissan Chemical Ind Ltd Zusammensetzung zur bildung eines nitridbeschichtungsfilms für eine hartmaske
JP4620967B2 (ja) 2004-04-26 2011-01-26 太陽ホールディングス株式会社 永久穴埋め用熱硬化性樹脂組成物
ITPG20040013A1 (it) 2004-04-30 2004-07-30 Fuma Tech Gmbh Soluzioni organiche di precursori di fosfati e pirofosfati di metalli tetravalenti e loro impiego per la modificazione di elettrodi e per la preparazione di membrane composite per celle a combustibile operanti a temperature >900 centigradi e/o a bass
JP4461901B2 (ja) 2004-05-11 2010-05-12 Ｔｄｋ株式会社 ホログラム記録材料及びホログラム記録媒体
KR101001441B1 (ko) 2004-08-17 2010-12-14 삼성전자주식회사 유무기 금속 하이브리드 물질 및 이를 포함하는 유기절연체 조성물
JP4811757B2 (ja) 2004-09-30 2011-11-09 独立行政法人産業技術総合研究所 メソポーラス金属酸化物複合光導波路センサー、その製造方法及びそれを用いたガスセンサー
US7563549B2 (en) 2005-05-20 2009-07-21 Xerox Corporation Imaging member
CA2610461A1 (en) 2005-06-03 2006-12-07 Kuraray Co., Ltd. Gas barrier laminate, method for producing same and package body using same
KR100666477B1 (ko) 2005-06-16 2007-01-11 한국과학기술연구원 산화티타늄 나노로드 및 그의 제조방법
US7326442B2 (en) 2005-07-14 2008-02-05 International Business Machines Corporation Antireflective composition and process of making a lithographic structure
JP4437226B2 (ja) 2005-08-30 2010-03-24 国立大学法人 新潟大学 光触媒膜の製造方法
KR101038377B1 (ko) 2005-09-13 2011-06-01 신닛테츠가가쿠 가부시키가이샤 열경화성 수지 조성물
JP4553835B2 (ja) 2005-12-14 2010-09-29 信越化学工業株式会社 反射防止膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法、基板
WO2008026401A1 (fr) 2006-08-29 2008-03-06 Jsr Corporation Composition de résine isolante photosensible et produit durci à base de cette résine
JP4204611B2 (ja) 2006-09-25 2009-01-07 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法
US8168372B2 (en) 2006-09-25 2012-05-01 Brewer Science Inc. Method of creating photolithographic structures with developer-trimmed hard mask
US7902066B2 (en) * 2006-09-26 2011-03-08 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Damascene contact structure for integrated circuits
US7416834B2 (en) 2006-09-27 2008-08-26 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
FR2916199B1 (fr) 2007-05-14 2012-10-19 Inst Francais Du Petrole Procede d'oligomerisation des olefines utilisant une composition catalytique comprenant un complexe organometallique contenant un ligand phenoxy fonctionnalise par un hetero-atome
WO2009035874A1 (en) 2007-09-07 2009-03-19 3M Innovative Properties Company Self-assembling antireflective coating comprising surface modified high refractive index nanoparticles
US8039201B2 (en) 2007-11-21 2011-10-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
JP5625210B2 (ja) 2007-12-27 2014-11-19 ナガセケムテックス株式会社 硬化性組成物
JP5101541B2 (ja) 2008-05-15 2012-12-19 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5503916B2 (ja) 2008-08-04 2014-05-28 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
WO2010021030A1 (ja) 2008-08-20 2010-02-25 富士通株式会社 レジスト増感膜形成用材料、半導体装置の製造方法、半導体装置、及び磁気ヘッド
JP5336306B2 (ja) 2008-10-20 2013-11-06 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成方法、これを用いたパターン形成方法、及びレジスト下層膜材料
JP5555956B2 (ja) 2008-10-23 2014-07-23 国立大学法人三重大学 ポリオルガノシロキサン組成物およびその硬化体
KR101752517B1 (ko) 2009-09-15 2017-06-29 바스프 에스이 광-잠재성 티타늄-킬레이트 촉매
KR101749601B1 (ko) 2009-09-16 2017-06-21 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 설폰아미드기를 가지는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물
JP5721992B2 (ja) 2009-10-14 2015-05-20 富士フイルム株式会社 着色硬化性組成物、レジスト液、インクジェット用インク、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、液晶ディスプレイ、有機ｅｌディスプレイ、画像表示デバイス、及び色素化合物
EP2536871A4 (en) 2010-02-15 2013-12-18 Univ Cornell ELECTROFILING APPARATUS AND NANOFIBRES PRODUCED THEREWITH
EP2363428B1 (en) 2010-02-23 2014-03-05 Dow Global Technologies LLC Rheology modifier for cement slurries
EP2400304A1 (en) 2010-06-22 2011-12-28 Centro de Investigación Cooperativa En Biomateriales ( CIC biomaGUNE) Method for the characterization of intermolecular interactions
JP5266294B2 (ja) 2010-11-01 2013-08-21 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法
KR102138449B1 (ko) 2011-01-18 2020-07-27 히타치가세이가부시끼가이샤 수지 조성물, 이것을 이용한 프리프레그, 적층판 및 인쇄 배선판
WO2012118847A2 (en) 2011-02-28 2012-09-07 Inpria Corportion Solution processible hardmarks for high resolusion lithography
JP2012237823A (ja) 2011-05-10 2012-12-06 Konica Minolta Business Technologies Inc 電子写真感光体、それを含むプロセスカートリッジおよび画像形成装置
JP2014518944A (ja) 2011-05-13 2014-08-07 グリーンセンター カナダ １１族モノ金属前駆化合物およびその金属堆積における使用
US8568958B2 (en) 2011-06-21 2013-10-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Underlayer composition and process thereof
JP5889568B2 (ja) 2011-08-11 2016-03-22 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 酸化タングステン膜形成用組成物およびそれを用いた酸化タングステン膜の製造法
US8795774B2 (en) 2012-09-23 2014-08-05 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Hardmask
JP5830048B2 (ja) 2013-03-15 2015-12-09 信越化学工業株式会社 チタン含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
US20150024522A1 (en) 2013-07-22 2015-01-22 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Organometal materials and process
US9296922B2 (en) * 2013-08-30 2016-03-29 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Stable metal compounds as hardmasks and filling materials, their compositions and methods of use
WO2016088655A1 (ja) * 2014-12-02 2016-06-09 Jsr株式会社 フォトレジスト組成物及びその製造方法並びにレジストパターン形成方法
US9499698B2 (en) 2015-02-11 2016-11-22 Az Electronic Materials (Luxembourg)S.A.R.L. Metal hardmask composition and processes for forming fine patterns on semiconductor substrates
WO2016159187A1 (ja) * 2015-04-01 2016-10-06 Jsr株式会社 感放射線性組成物及びパターン形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016508963A (ja) * 2012-12-07 2016-03-24 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 安定な金属化合物、その組成物、およびその使用方法
JP2016532739A (ja) * 2013-06-28 2016-10-20 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 可溶性金属酸化物カルボキシレートのスピンオン組成物及びそれらの使用方法

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