JP2020529124A5 - - Google Patents
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添付図面を参照して本発明のいくつかの実現形態を本明細書で詳細に説明してきたが、本発明はこれらの厳密な実現形態に限定されないこと、ならびに様々な変更および修正が、特許請求の範囲にて規定されるような本発明の趣旨の範囲から逸脱しない範囲で当業者によって本明細書にて実現してよいことを理解されたい。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例1:
半導体基板を処理できる化学堆積装置内で使用するためのモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記ガス分配プレートは、
上面、下面、および前記上面と前記下面との間を延びる外側円筒面を有するモノリシックセラミック体と、
前記下面において均一に間隔を空けた第1の位置にある第1のガス出口であって、前記上面の第1のガス入口に、前記第1のガス入口を前記第1のガス出口へと接続する垂直に延びる貫通穴の第1のセットによって流体連通している、第1のガス出口と、
前記下面において前記第1の位置に隣接する均一に間隔を置いた第2の位置にある第2のガス出口であって、前記第2のガス出口は、前記モノリシックセラミック体の内側プレナムに、前記第2のガス出口を前記内側プレナムに接続する垂直に延びる貫通穴の第2のセットによって流体連通しており、前記内側プレナムは、前記上面の中央部分に位置する第2のガス入口と流体連通している、第2のガス出口と、
内側上部壁、内側下部壁、内側外部壁、および前記内側上部壁と前記内側下部壁との間に延びる一組のピラーによって画定される前記内側プレナムと、
前記ピラーのうちの対応する1つを貫通し、垂直に延びる貫通穴の前記第1のセットの貫通穴の各々と、
を備えるモノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例2:
適用例1のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記上面にあり、前記第2のガス入口を取り囲む環状溝を更に備える、モノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例3:
適用例1のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記ピラーは同じ直径を有する円筒形ピラーであり、垂直に延びる前記貫通穴の第1のセットの各々が、前記ピラーの前記直径の約3分の1から約5分の1、または前記ピラーの前記直径の約6分の1から約10分の1の直径を有する、モノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例4:
適用例1のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記モノリシックセラミック体内に埋め込まれた平面電極を更に備え、垂直に延びる前記貫通穴の第1のセットおよび前記貫通穴の第2のセットを通過するガスに前記平面電極が暴露されないように、垂直に延びる前記貫通穴の第1のセットの位置において、および垂直に延びる前記貫通穴の第2のセットの位置において、前記平面電極は内部に間隙を有する、モノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例5:
適用例1のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記ピラーは、同じ直径を有する円筒形ピラーであり、前記ピラーは、垂直方向に延びる前記貫通穴の第2のセットの同心列によって隔てられた同心列の形態で配置されている、モノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例6:
適用例1のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記上面および前記下面は平面であり、前記ピラーは同じ直径を有する円筒形ピラーであり、前記内側プレナムは前記ピラーの前記直径にほぼ等しい高さを有する、モノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例7:
適用例1のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記内側プレナムの下方にある埋込み電極と、前記モノリシックセラミック体の外周と前記第1のガス出口の最外列との間で円周方向に間隔を空けた位置において前記埋込み電極から上向きに延びる導電性ビアと、を更に備える、モノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例8:
適用例1のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記下面を取り囲む環状凹部を更に備え、前記環状凹部は、前記モノリシックセラミック体の厚さよりも小さい距離を、前記モノリシックセラミック体の外周から内向きに延びる、モノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例9:
適用例1のガス分配プレートと、ガス供給アセンブリとを備えるシャワーヘッドモジュールであって、前記シャワーヘッドモジュールは、前記ガス供給アセンブリのステムが前記シャワーヘッドモジュールの下側プレートの中央ボアを通って延びるように、前記ガス供給アセンブリを支持する上部プレートを含み、前記ガス供給アセンブリは、前記内側プレナムと流体連通する中央に位置する内側ガス導管と、前記下側プレートの下面と前記モノリシックセラミック体の前記上面との間の上側プレナムと流体連通する少なくとも1つの外側ガス導管とを含む、シャワーヘッドモジュール。
適用例10:
適用例9のシャワーヘッドモジュールであって、前記ガス供給アセンブリの前記ステムの下端は、前記下側プレートの前記下面の下方に延びる管状延長部を含み、前記管状延長部の端部と前記モノリシックセラミック体の前記上面との間に環状シールが位置して、少なくとも1つの前記外側ガス導管を介して供給されるガスから、中央に位置する前記内側ガス導管を介して供給されるガスを分離する、シャワーヘッドモジュール。
適用例11:
適用例10のシャワーヘッドモジュールであって、前記下側プレートは、前記上側プレナムと流体連通する環状間隙によって前記管状延長部から外側に間隔を空けた中央ボアを含み、前記下側プレートの上面の環状溝内の環状シールが、前記ステムの前記下端に対して封止する、シャワーヘッドモジュール。
適用例12:
適用例9のシャワーヘッドモジュールであって、前記ガス供給アセンブリは、前記シャワーヘッドモジュールの前記上部プレートに取り付けられた外向きに延びる装着フランジと、前記ステムの上端にある上側ガス接続フランジとを含み、前記ガス接続フランジは、前記ガス接続フランジの上面内に環状凹部を含み、少なくとも1つの前記外側ガス導管は、前記環状凹部内に入口を有する円周方向に間隔を空けた6つの外側ガス導管を備える、シャワーヘッドモジュール。
適用例13:
適用例1のガス分配プレート、を製造する方法であって、第1のセラミックグリーンシート内の垂直に延びる前記貫通穴の第2のセットを機械加工することと、前記第1のセラミックグリーンシートの上面に埋込み電極を印刷することと、前記第1のセラミックグリーンシートに第2のセラミックグリーンシートを重ねることと、前記第2のセラミックグリーンシート内に前記内側プレナムおよびピラーを機械加工することと、前記第2のセラミックグリーンシートに第3のセラミックグリーンシートを重ねることと、垂直に延びる前記貫通穴の第1のセットの各々が、前記ピラーの対応する1つを通過するように、前記第1、前記第2および前記第3のグリーンセラミックシート内に前記貫通穴の第1のセットを機械加工することと、前記グリーンセラミックシートを焼結して、前記モノリシックセラミックガス分配プレートを形成することと、を含む方法。
適用例14:
適用例13の方法であって、前記埋込み電極は、前記モノリシックセラミック体の熱膨張係数と一致する熱膨張係数を有する材料で作られている、方法。
適用例15:
適用例13の方法であって、前記埋込み電極はモリブデンおよび/またはタングステンで作られている、方法。
適用例16:
適用例13の方法であって、前記セラミックグリーンシートは、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al 2 O 3 )、窒化ケイ素(Si 3 N 4 )、酸化イットリウム(Y 2 O 3 )、酸化ジルコニウム(ZrO 2 )、およびそれらの複合材料からなる群から選択される材料で作られる、方法。
適用例17:
適用例13の方法であって、前記第3のセラミックグリーンシートの上面にガス入口および環状溝を機械加工することを更に含む、方法。
適用例18:
適用例13の方法であって、前記第3のセラミックグリーンシートに、前記第3のセラミックグリーンシートの外周と前記第1のガス出口の最外列との間で円周方向に間隔を空けた位置においてビアを機械加工することと、前記ビアの各々を、前記埋込み電極への電気的接続を提供する導電性材料で少なくとも部分的に充填することと、を更に含む方法。
適用例19:
適用例18の方法であって、凹部が前記モノリシックセラミック体の前記上面の中に延びるように前記ビアが部分的に充填される、方法。
適用例20:
適用例13の方法であって、前記下面を取り囲む環状凹部を形成することであって、前記環状凹部は、前記モノリシックセラミック体の外周から内向きに、前記モノリシックセラミック体の厚さよりも小さい距離だけ延びる、環状凹部の形成と、前記第3のセラミックグリーンシートの中央部分にガス入口を機械加工して、前記ガス入口が前記内側プレナムと流体連通するようにすることと、を更に含む方法。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例1:
半導体基板を処理できる化学堆積装置内で使用するためのモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記ガス分配プレートは、
上面、下面、および前記上面と前記下面との間を延びる外側円筒面を有するモノリシックセラミック体と、
前記下面において均一に間隔を空けた第1の位置にある第1のガス出口であって、前記上面の第1のガス入口に、前記第1のガス入口を前記第1のガス出口へと接続する垂直に延びる貫通穴の第1のセットによって流体連通している、第1のガス出口と、
前記下面において前記第1の位置に隣接する均一に間隔を置いた第2の位置にある第2のガス出口であって、前記第2のガス出口は、前記モノリシックセラミック体の内側プレナムに、前記第2のガス出口を前記内側プレナムに接続する垂直に延びる貫通穴の第2のセットによって流体連通しており、前記内側プレナムは、前記上面の中央部分に位置する第2のガス入口と流体連通している、第2のガス出口と、
内側上部壁、内側下部壁、内側外部壁、および前記内側上部壁と前記内側下部壁との間に延びる一組のピラーによって画定される前記内側プレナムと、
前記ピラーのうちの対応する1つを貫通し、垂直に延びる貫通穴の前記第1のセットの貫通穴の各々と、
を備えるモノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例2:
適用例1のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記上面にあり、前記第2のガス入口を取り囲む環状溝を更に備える、モノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例3:
適用例1のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記ピラーは同じ直径を有する円筒形ピラーであり、垂直に延びる前記貫通穴の第1のセットの各々が、前記ピラーの前記直径の約3分の1から約5分の1、または前記ピラーの前記直径の約6分の1から約10分の1の直径を有する、モノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例4:
適用例1のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記モノリシックセラミック体内に埋め込まれた平面電極を更に備え、垂直に延びる前記貫通穴の第1のセットおよび前記貫通穴の第2のセットを通過するガスに前記平面電極が暴露されないように、垂直に延びる前記貫通穴の第1のセットの位置において、および垂直に延びる前記貫通穴の第2のセットの位置において、前記平面電極は内部に間隙を有する、モノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例5:
適用例1のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記ピラーは、同じ直径を有する円筒形ピラーであり、前記ピラーは、垂直方向に延びる前記貫通穴の第2のセットの同心列によって隔てられた同心列の形態で配置されている、モノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例6:
適用例1のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記上面および前記下面は平面であり、前記ピラーは同じ直径を有する円筒形ピラーであり、前記内側プレナムは前記ピラーの前記直径にほぼ等しい高さを有する、モノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例7:
適用例1のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記内側プレナムの下方にある埋込み電極と、前記モノリシックセラミック体の外周と前記第1のガス出口の最外列との間で円周方向に間隔を空けた位置において前記埋込み電極から上向きに延びる導電性ビアと、を更に備える、モノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例8:
適用例1のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記下面を取り囲む環状凹部を更に備え、前記環状凹部は、前記モノリシックセラミック体の厚さよりも小さい距離を、前記モノリシックセラミック体の外周から内向きに延びる、モノリシックセラミックガス分配プレート。
適用例9:
適用例1のガス分配プレートと、ガス供給アセンブリとを備えるシャワーヘッドモジュールであって、前記シャワーヘッドモジュールは、前記ガス供給アセンブリのステムが前記シャワーヘッドモジュールの下側プレートの中央ボアを通って延びるように、前記ガス供給アセンブリを支持する上部プレートを含み、前記ガス供給アセンブリは、前記内側プレナムと流体連通する中央に位置する内側ガス導管と、前記下側プレートの下面と前記モノリシックセラミック体の前記上面との間の上側プレナムと流体連通する少なくとも1つの外側ガス導管とを含む、シャワーヘッドモジュール。
適用例10:
適用例9のシャワーヘッドモジュールであって、前記ガス供給アセンブリの前記ステムの下端は、前記下側プレートの前記下面の下方に延びる管状延長部を含み、前記管状延長部の端部と前記モノリシックセラミック体の前記上面との間に環状シールが位置して、少なくとも1つの前記外側ガス導管を介して供給されるガスから、中央に位置する前記内側ガス導管を介して供給されるガスを分離する、シャワーヘッドモジュール。
適用例11:
適用例10のシャワーヘッドモジュールであって、前記下側プレートは、前記上側プレナムと流体連通する環状間隙によって前記管状延長部から外側に間隔を空けた中央ボアを含み、前記下側プレートの上面の環状溝内の環状シールが、前記ステムの前記下端に対して封止する、シャワーヘッドモジュール。
適用例12:
適用例9のシャワーヘッドモジュールであって、前記ガス供給アセンブリは、前記シャワーヘッドモジュールの前記上部プレートに取り付けられた外向きに延びる装着フランジと、前記ステムの上端にある上側ガス接続フランジとを含み、前記ガス接続フランジは、前記ガス接続フランジの上面内に環状凹部を含み、少なくとも1つの前記外側ガス導管は、前記環状凹部内に入口を有する円周方向に間隔を空けた6つの外側ガス導管を備える、シャワーヘッドモジュール。
適用例13:
適用例1のガス分配プレート、を製造する方法であって、第1のセラミックグリーンシート内の垂直に延びる前記貫通穴の第2のセットを機械加工することと、前記第1のセラミックグリーンシートの上面に埋込み電極を印刷することと、前記第1のセラミックグリーンシートに第2のセラミックグリーンシートを重ねることと、前記第2のセラミックグリーンシート内に前記内側プレナムおよびピラーを機械加工することと、前記第2のセラミックグリーンシートに第3のセラミックグリーンシートを重ねることと、垂直に延びる前記貫通穴の第1のセットの各々が、前記ピラーの対応する1つを通過するように、前記第1、前記第2および前記第3のグリーンセラミックシート内に前記貫通穴の第1のセットを機械加工することと、前記グリーンセラミックシートを焼結して、前記モノリシックセラミックガス分配プレートを形成することと、を含む方法。
適用例14:
適用例13の方法であって、前記埋込み電極は、前記モノリシックセラミック体の熱膨張係数と一致する熱膨張係数を有する材料で作られている、方法。
適用例15:
適用例13の方法であって、前記埋込み電極はモリブデンおよび/またはタングステンで作られている、方法。
適用例16:
適用例13の方法であって、前記セラミックグリーンシートは、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al 2 O 3 )、窒化ケイ素(Si 3 N 4 )、酸化イットリウム(Y 2 O 3 )、酸化ジルコニウム(ZrO 2 )、およびそれらの複合材料からなる群から選択される材料で作られる、方法。
適用例17:
適用例13の方法であって、前記第3のセラミックグリーンシートの上面にガス入口および環状溝を機械加工することを更に含む、方法。
適用例18:
適用例13の方法であって、前記第3のセラミックグリーンシートに、前記第3のセラミックグリーンシートの外周と前記第1のガス出口の最外列との間で円周方向に間隔を空けた位置においてビアを機械加工することと、前記ビアの各々を、前記埋込み電極への電気的接続を提供する導電性材料で少なくとも部分的に充填することと、を更に含む方法。
適用例19:
適用例18の方法であって、凹部が前記モノリシックセラミック体の前記上面の中に延びるように前記ビアが部分的に充填される、方法。
適用例20:
適用例13の方法であって、前記下面を取り囲む環状凹部を形成することであって、前記環状凹部は、前記モノリシックセラミック体の外周から内向きに、前記モノリシックセラミック体の厚さよりも小さい距離だけ延びる、環状凹部の形成と、前記第3のセラミックグリーンシートの中央部分にガス入口を機械加工して、前記ガス入口が前記内側プレナムと流体連通するようにすることと、を更に含む方法。
Claims (20)
- 半導体基板を処理できる化学堆積装置内で使用するためのモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記ガス分配プレートは、
上面、下面、および前記上面と前記下面との間を延びる外側円筒面を有するモノリシックセラミック体と、
前記下面において均一に間隔を空けた第1の位置にある第1のガス出口であって、前記上面の第1のガス入口に、前記第1のガス入口を前記第1のガス出口へと接続する垂直に延びる貫通穴の第1のセットによって流体連通している、第1のガス出口と、
前記下面において前記第1の位置に隣接する均一に間隔を置いた第2の位置にある第2のガス出口であって、前記第2のガス出口は、前記モノリシックセラミック体の内側プレナムに、前記第2のガス出口を前記内側プレナムに接続する垂直に延びる貫通穴の第2のセットによって流体連通しており、前記内側プレナムは、前記上面の中央部分に位置する第2のガス入口と流体連通している、第2のガス出口と、
内側上部壁、内側下部壁、内側外部壁、および前記内側上部壁と前記内側下部壁との間に延びる一組のピラーによって画定される前記内側プレナムと、
前記ピラーのうちの対応する1つを貫通し、垂直に延びる貫通穴の前記第1のセットの貫通穴の各々と、
を備えるモノリシックセラミックガス分配プレート。 - 請求項1に記載のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記上面にあり、前記第2のガス入口を取り囲む環状溝を更に備える、モノリシックセラミックガス分配プレート。
- 請求項1に記載のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記ピラーは同じ直径を有する円筒形ピラーであり、垂直に延びる前記貫通穴の第1のセットの各々が、前記ピラーの前記直径の約3分の1から約5分の1、または前記ピラーの前記直径の約6分の1から約10分の1の直径を有する、モノリシックセラミックガス分配プレート。
- 請求項1に記載のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記モノリシックセラミック体内に埋め込まれた平面電極を更に備え、垂直に延びる前記貫通穴の第1のセットおよび前記貫通穴の第2のセットを通過するガスに前記平面電極が暴露されないように、垂直に延びる前記貫通穴の第1のセットの位置において、および垂直に延びる前記貫通穴の第2のセットの位置において、前記平面電極は内部に間隙を有する、モノリシックセラミックガス分配プレート。
- 請求項1に記載のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記ピラーは、同じ直径を有する円筒形ピラーであり、前記ピラーは、垂直方向に延びる前記貫通穴の第2のセットの同心列によって隔てられた同心列の形態で配置されている、モノリシックセラミックガス分配プレート。
- 請求項1に記載のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記上面および前記下面は平面であり、前記ピラーは同じ直径を有する円筒形ピラーであり、前記内側プレナムは前記ピラーの前記直径にほぼ等しい高さを有する、モノリシックセラミックガス分配プレート。
- 請求項1に記載のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記内側プレナムの下方にある埋込み電極と、前記モノリシックセラミック体の外周と前記第1のガス出口の最外列との間で円周方向に間隔を空けた位置において前記埋込み電極から上向きに延びる導電性ビアと、を更に備える、モノリシックセラミックガス分配プレート。
- 請求項1に記載のモノリシックセラミックガス分配プレートであって、前記下面を取り囲む環状凹部を更に備え、前記環状凹部は、前記モノリシックセラミック体の厚さよりも小さい距離を、前記モノリシックセラミック体の外周から内向きに延びる、モノリシックセラミックガス分配プレート。
- 請求項1に記載のガス分配プレートと、ガス供給アセンブリとを備えるシャワーヘッドモジュールであって、前記シャワーヘッドモジュールは、前記ガス供給アセンブリのステムが前記シャワーヘッドモジュールの下側プレートの中央ボアを通って延びるように、前記ガス供給アセンブリを支持する上部プレートを含み、前記ガス供給アセンブリは、前記内側プレナムと流体連通する中央に位置する内側ガス導管と、前記下側プレートの下面と前記モノリシックセラミック体の前記上面との間の上側プレナムと流体連通する少なくとも1つの外側ガス導管とを含む、シャワーヘッドモジュール。
- 請求項9に記載のシャワーヘッドモジュールであって、前記ガス供給アセンブリの前記ステムの下端は、前記下側プレートの前記下面の下方に延びる管状延長部を含み、前記管状延長部の端部と前記モノリシックセラミック体の前記上面との間に環状シールが位置して、少なくとも1つの前記外側ガス導管を介して供給されるガスから、中央に位置する前記内側ガス導管を介して供給されるガスを分離する、シャワーヘッドモジュール。
- 請求項10に記載のシャワーヘッドモジュールであって、前記下側プレートは、前記上側プレナムと流体連通する環状間隙によって前記管状延長部から外側に間隔を空けた中央ボアを含み、前記下側プレートの上面の環状溝内の環状シールが、前記ステムの前記下端に対して封止する、シャワーヘッドモジュール。
- 請求項9に記載のシャワーヘッドモジュールであって、前記ガス供給アセンブリは、前記シャワーヘッドモジュールの前記上部プレートに取り付けられた外向きに延びる装着フランジと、前記ステムの上端にある上側ガス接続フランジとを含み、前記ガス接続フランジは、前記ガス接続フランジの上面内に環状凹部を含み、少なくとも1つの前記外側ガス導管は、前記環状凹部内に入口を有する円周方向に間隔を空けた6つの外側ガス導管を備える、シャワーヘッドモジュール。
- 請求項1に記載のガス分配プレート、を製造する方法であって、第1のセラミックグリーンシート内の垂直に延びる前記貫通穴の第2のセットを機械加工することと、前記第1のセラミックグリーンシートの上面に埋込み電極を印刷することと、前記第1のセラミックグリーンシートに第2のセラミックグリーンシートを重ねることと、前記第2のセラミックグリーンシート内に前記内側プレナムおよびピラーを機械加工することと、前記第2のセラミックグリーンシートに第3のセラミックグリーンシートを重ねることと、垂直に延びる前記貫通穴の第1のセットの各々が、前記ピラーの対応する1つを通過するように、前記第1、前記第2および前記第3のセラミックグリーンシート内に前記貫通穴の第1のセットを機械加工することと、前記第1、前記第2および前記第3のセラミックグリーンシートを焼結して、前記モノリシックセラミックガス分配プレートを形成することと、を含む方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記埋込み電極は、前記モノリシックセラミック体の熱膨張係数と一致する熱膨張係数を有する材料で作られている、方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記埋込み電極はモリブデンおよび/またはタングステンで作られている、方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記第1、前記第2および前記第3のセラミックグリーンシートは、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化ケイ素(Si3N4)、酸化イットリウム(Y2O3)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、およびそれらの複合材料からなる群から選択される材料で作られる、方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記第3のセラミックグリーンシートの上面にガス入口および環状溝を機械加工することを更に含む、方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記第3のセラミックグリーンシートに、前記第3のセラミックグリーンシートの外周と前記第1のガス出口の最外列との間で円周方向に間隔を空けた位置においてビアを機械加工することと、前記ビアの各々を、前記埋込み電極への電気的接続を提供する導電性材料で少なくとも部分的に充填することと、を更に含む方法。
- 請求項18に記載の方法であって、凹部が前記モノリシックセラミック体の前記上面の中に延びるように前記ビアが部分的に充填される、方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記下面を取り囲む環状凹部を形成することであって、前記環状凹部は、前記モノリシックセラミック体の外周から内向きに、前記モノリシックセラミック体の厚さよりも小さい距離だけ延びる、環状凹部の形成と、前記第3のセラミックグリーンシートの中央部分にガス入口を機械加工して、前記ガス入口が前記内側プレナムと流体連通するようにすることと、を更に含む方法。
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