JP2020517088A5 - - Google Patents
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Claims (15)
- コンタクトパッド(B)上のはんだ付け可能なはんだ堆積物の形成方法であって、以下の段階:
(i) 第1の非導電性レジスト層(C)の開口部(F)の下に前記コンタクトパッドが露出している有機の非導電性基板(A)を準備または製造する段階、
(ii) 前記開口部の内側(G’’)および外側(G’)に導電性層(G)を堆積して、活性化された表面をもたらすことにより、活性化された開口部(F’)を形成する段階、
を含む前記方法であって、さらに以下の段階:
(iii) ニッケル(D)またはニッケル合金(D)を前記活性化された開口部内に電解堆積して、ニッケル/ニッケル合金を前記活性化された表面上に堆積する段階、
(iv) 段階(iii)において堆積された前記ニッケル/ニッケル合金上にスズ(E)またはスズ合金(E)を電解堆積する段階を含み、
ただし、段階(iii)または(iv)の電解堆積は、完全に充填された活性化された開口部をもたらし、
前記完全に充填された活性化された開口部は、前記ニッケル/ニッケル合金で全て充填されているか、または前記完全に充填された活性化された開口部内で、前記完全に充填された活性化された開口部の総容積に対して、ニッケル/ニッケル合金の総容積はスズおよびスズ合金の総容積よりも大きいことを特徴とする、前記方法。 - 前記有機の非導電性基板が、回路板、好ましくはプリント回路板である、請求項1に記載の方法。
- 開口部を呈する前記第1の非導電性レジスト層が、層厚200μm以下、好ましくは100μm以下、より好ましくは50μm以下、さらにより好ましくは35μm以下、最も好ましくは20μm以下、さらに最も好ましくは15μm以下を有する、請求項1または2に記載の方法。
- 段階(i)における開口部の最大幅が1000μm以下、好ましくは500μm以下、より好ましくは200μm以下、最も好ましくは50μm以下、さらに最も好ましくは30μm以下である、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記導電性層が、200nm〜2500nmの範囲、好ましくは300nm〜2000nmの範囲、より好ましくは350nm〜1500nmの範囲、さらにより好ましくは400nm〜1200nmの範囲、最も好ましくは500nm〜1000nmの範囲の層厚を有する、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- 段階(iii)において、ニッケル/ニッケル合金を前記活性化された開口部内にコンフォーマルではなく堆積して、コンフォーマルではないニッケル/ニッケル合金を前記活性化された表面上に堆積する、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。
- 段階(iii)におけるニッケル/ニッケル合金が、ニッケルめっき浴の総容積に対して1g/L〜160g/L、好ましくは1g/L〜70g/L、より好ましくは20g/L〜70g/L、最も好ましくは30g/L〜60g/Lの総量のニッケルイオンを含むニッケルめっき浴を通じて堆積される、請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記ニッケルめっき浴が、1つ以上のレベラー化合物、
好ましくはピリジンおよび置換ピリジンからなる群から選択される、
より好ましくは式(I)および(II)の化合物
R1は独立して水素、置換または非置換のアルキル、または置換または非置換のアルケニルであり、
R2は独立して
−(CH2)n−SO3 -(ここでnは1、2、3、4、5または6である)、または
−(CH2)n−SO3 -(ここでnは1、2、3、4、5または6であり、且つ−(CH2)n−SO3 -内の1つ以上の水素原子が置換基によって置換されている)である]
からなるレベラー化合物の群から選択される、
さらにより好ましくは、式(Ia)および(IIa)の化合物
R1は独立して
・ 式(Ia)においてはメチル、エチル、直鎖または分枝鎖のプロピルまたは直鎖または分枝鎖のブチルであり、
・ 式(IIa)においては−(CH2)m−CH=CH2(ここでmは0、1、2、3または4である)であり、且つ
R2は独立して(CH2)n−SO3 -(ここでnは1、2、3または4である)である]
からなるレベラー化合物の群から選択される、
最も好ましくは、式(Ib)および(IIb)の化合物
- 段階(iv)が段階(iii)の直後に行われる、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。
- 段階(iv)においてスズおよびスズ合金がそれぞれ、段階(iii)において堆積されたニッケル/ニッケル合金上にコンフォーマルに堆積される、請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。
- スズおよびスズ合金が、レベリング化合物を含有しない堆積浴を通じて電解堆積される、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。
- コンタクトパッド上にはんだ付け可能なはんだ堆積物を形成する、請求項1から11までのいずれか1項に記載の方法であって、以下の段階:
(i) 第1の非導電性永久レジスト層の開口部の下に前記コンタクトパッドが露出している有機の非導電性基板を準備または製造する段階、
(ii) 前記開口部の内側および外側に導電性層を堆積して、活性化された表面をもたらすことにより、活性化された開口部を形成する段階、
(iia) 前記活性化された開口部の外側で、活性化された表面上に第2の非導電性レジスト層を形成し、それをパターニングして、拡張された活性化された開口部をもたらす段階、
(iii) 前記拡張された活性化された開口部内にニッケルまたはニッケル合金をコンフォーマルではなく電解堆積して、前記活性化された表面上にコンフォーマルではないニッケル/ニッケル合金を堆積する段階、
(iv) 段階(iii)において堆積されたコンフォーマルではないニッケル/ニッケル合金上にスズまたはスズ合金をコンフォーマルに電解堆積する段階、
を含み、
ただし、段階(iii)の電解堆積が、前記ニッケル/ニッケル合金で全て充填された、完全に充填された活性化された開口部をもたらし、且つ、
前記活性化された開口部の外側で、前記ニッケル/ニッケル合金を、活性化された表面上にさらに堆積する、前記方法。 - 段階(iv)の後に、スズまたはスズ合金上に金が堆積されない、好ましくはスズまたはスズ合金上に金およびパラジウムが堆積されない、請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法。
- 活性化されたコンタクトパッド(B、G)上にはんだ付け可能なはんだ堆積物が露出しているプリント回路板であって、前記堆積物が永久はんだマスク内に部分的に埋め込まれており、且つ前記堆積物が、前記活性化されたコンタクトパッド(B、G)から出発して
(a)ニッケル(D)またはニッケル合金(D)層、
(b)前記ニッケル/ニッケル合金層上のスズ(E)またはスズ合金(E)層
の連続する層(D、E)を有し、その際、永久はんだマスク内に埋め込まれているはんだ堆積物の部分において、ニッケル/ニッケル合金の総容積がスズおよびスズ合金の総容積よりも大きいことを特徴とする、前記プリント回路板。 - 前記ニッケル/ニッケル合金層中のニッケル/ニッケル合金がコンフォーマルではないニッケル/ニッケル合金である、請求項14のプリント回路板。
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