JP2020517088A - コンタクトパッド上へのはんだ付け可能なはんだ堆積物の形成方法 - Google Patents
コンタクトパッド上へのはんだ付け可能なはんだ堆積物の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020517088A JP2020517088A JP2019534079A JP2019534079A JP2020517088A JP 2020517088 A JP2020517088 A JP 2020517088A JP 2019534079 A JP2019534079 A JP 2019534079A JP 2019534079 A JP2019534079 A JP 2019534079A JP 2020517088 A JP2020517088 A JP 2020517088A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- tin
- alloy
- activated
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 140
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 130
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 384
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 193
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 113
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 86
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 76
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 83
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 75
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 46
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 5
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 4
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 211
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 75
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 49
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 43
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 42
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 15
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- -1 bis-maleimides Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 9
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 8
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 2
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- BRRSNXCXLSVPFC-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-Trihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O BRRSNXCXLSVPFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOPRXXXSABQWAV-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trimethylpyridine Chemical compound CC1=CC=NC(C)=C1C HOPRXXXSABQWAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSJXLSHOMFDGPV-UHFFFAOYSA-N 2,3-diamino-1h-pyridin-4-one Chemical compound NC1=NC=CC(O)=C1N KSJXLSHOMFDGPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKIOYEVZQQJMTN-UHFFFAOYSA-N 2,3-diamino-5,6-dimethyl-1h-pyridin-4-one Chemical compound CC=1NC(N)=C(N)C(=O)C=1C RKIOYEVZQQJMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDWQJQNSDKVRAJ-UHFFFAOYSA-N 2,5,6-trimethylpyridine-3,4-diamine Chemical compound CC1=NC(C)=C(N)C(N)=C1C NDWQJQNSDKVRAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXTMDXOMEHJXQO-UHFFFAOYSA-N 2,5-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=CC=C1O WXTMDXOMEHJXQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBQOZUHYUSYXLX-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4,5,6-trimethylpyridin-3-ol Chemical compound CC1=NC(N)=C(O)C(C)=C1C RBQOZUHYUSYXLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMTSZVZQNMNPCT-UHFFFAOYSA-N 2-aminopyridin-3-ol Chemical compound NC1=NC=CC=C1O BMTSZVZQNMNPCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIXJYMGPNIBZOD-UHFFFAOYSA-N 3,4,6-trimethylpyridine-2,5-diamine Chemical compound CC1=NC(N)=C(C)C(C)=C1N PIXJYMGPNIBZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHTKBUHNIZPKSG-UHFFFAOYSA-N 3,4-diamino-1h-pyridin-2-one Chemical compound NC=1C=CNC(=O)C=1N BHTKBUHNIZPKSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDVRFDQZQCDIMS-UHFFFAOYSA-N 3,4-diamino-5,6-dimethyl-1h-pyridin-2-one Chemical compound CC=1NC(=O)C(N)=C(N)C=1C RDVRFDQZQCDIMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEGFZKKQEBALIJ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydroxy-1h-pyridin-2-one Chemical compound OC=1C=CNC(=O)C=1O KEGFZKKQEBALIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCHOZJBVCUPOMV-UHFFFAOYSA-N 3,5-dihydroxy-1h-pyridin-4-one Chemical compound OC1=CN=CC(O)=C1O WCHOZJBVCUPOMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMHLQJXMGVLIOE-UHFFFAOYSA-N 3,5-dihydroxy-2,6-dimethyl-1h-pyridin-4-one Chemical compound CC=1NC(C)=C(O)C(=O)C=1O NMHLQJXMGVLIOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTSFNCCQCOEPKF-UHFFFAOYSA-N 3-amino-1h-pyridin-2-one Chemical compound NC1=CC=CN=C1O VTSFNCCQCOEPKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXRZDPPXGDMNDV-UHFFFAOYSA-N 3-amino-4,5,6-trimethyl-1h-pyridin-2-one Chemical compound CC=1NC(=O)C(N)=C(C)C=1C RXRZDPPXGDMNDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSLCDFAQVSKZRH-UHFFFAOYSA-N 3-amino-5-hydroxy-1h-pyridin-4-one Chemical compound NC1=CNC=C(O)C1=O LSLCDFAQVSKZRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFZRMSXBMQHISU-UHFFFAOYSA-N 3-amino-5-hydroxy-2,6-dimethyl-1h-pyridin-4-one Chemical compound CC=1NC(C)=C(O)C(=O)C=1N WFZRMSXBMQHISU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWDWVFCYCCTEHB-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2,5,6-trimethyl-1h-pyridin-4-one Chemical compound CC=1NC(C)=C(O)C(=O)C=1C DWDWVFCYCCTEHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUUVWCJGRQCMZ-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypyridin-4(1H)-one Chemical compound OC1=CC=NC=C1O ZCUUVWCJGRQCMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOVZGAUKICYHPI-UHFFFAOYSA-N 4,5,6-trimethylpyridine-2,3-diamine Chemical compound CC1=NC(N)=C(N)C(C)=C1C BOVZGAUKICYHPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWIZXOFKALVNGK-UHFFFAOYSA-N 4,5-diamino-2,6-dimethylpyridin-3-ol Chemical compound CC1=NC(C)=C(O)C(N)=C1N BWIZXOFKALVNGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOXZEGQWKXRESD-UHFFFAOYSA-N 4,5-diaminopyridin-3-ol Chemical compound NC1=CN=CC(O)=C1N HOXZEGQWKXRESD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDFNMOWBHFAFEE-UHFFFAOYSA-N 4-amino-3-hydroxy-1h-pyridin-2-one Chemical compound NC=1C=CNC(=O)C=1O IDFNMOWBHFAFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGILUUGCNXUCBF-UHFFFAOYSA-N 4-amino-3-hydroxy-5,6-dimethyl-1h-pyridin-2-one Chemical compound CC=1NC(=O)C(O)=C(N)C=1C PGILUUGCNXUCBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXSPEXBCDKGBNG-UHFFFAOYSA-N 4-amino-5-hydroxy-1h-pyridin-2-one Chemical compound NC1=CC(=O)NC=C1O JXSPEXBCDKGBNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTPNTRKKYPZUNJ-UHFFFAOYSA-N 4-aminopyridine-3,5-diol Chemical compound NC1=C(O)C=NC=C1O WTPNTRKKYPZUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFBGHPAUAGPIOF-UHFFFAOYSA-N 5,6-diaminopyridin-3-ol Chemical compound NC1=CC(O)=CN=C1N KFBGHPAUAGPIOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZXPRZWZSLXTDY-UHFFFAOYSA-N 5-hydroxy-3,4,6-trimethyl-1h-pyridin-2-one Chemical compound CC=1NC(=O)C(C)=C(C)C=1O KZXPRZWZSLXTDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JKGSWRBBIRVWLY-INBWHNMNSA-M C/C(/C=C)=C\C=C/C=N/CCCS([O-])(=O)=O Chemical compound C/C(/C=C)=C\C=C/C=N/CCCS([O-])(=O)=O JKGSWRBBIRVWLY-INBWHNMNSA-M 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N Cc1ncccc1 Chemical compound Cc1ncccc1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004716 Ethylene/acrylic acid copolymer Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N Sulfobutanedioic acid Chemical class OC(=O)CC(C(O)=O)S(O)(=O)=O ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000008055 alkyl aryl sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 125000005600 alkyl phosphonate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYTKINVCDFNREN-UHFFFAOYSA-N amifampridine Chemical compound NC1=CC=NC=C1N OYTKINVCDFNREN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004012 amifampridine Drugs 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000003934 aromatic aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 125000005228 aryl sulfonate group Chemical group 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical class C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 1
- 150000001913 cyanates Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-M methanesulfonate group Chemical class CS(=O)(=O)[O-] AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AICMYQIGFPHNCY-UHFFFAOYSA-J methanesulfonate;tin(4+) Chemical group [Sn+4].CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O AICMYQIGFPHNCY-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- ZZYXNRREDYWPLN-UHFFFAOYSA-N pyridine-2,3-diamine Chemical compound NC1=CC=CN=C1N ZZYXNRREDYWPLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGOZGYRTNQBSSA-UHFFFAOYSA-N pyridine-2,3-diol Chemical compound OC1=CC=CN=C1O GGOZGYRTNQBSSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIROPXUFDXCYLG-UHFFFAOYSA-N pyridine-2,5-diamine Chemical compound NC1=CC=C(N)N=C1 MIROPXUFDXCYLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHGPEDOMXOLANF-UHFFFAOYSA-N pyridine-2,5-diol Chemical compound OC1=CC=C(O)N=C1 CHGPEDOMXOLANF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000005017 substituted alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3473—Plating of solder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
- C25D5/56—Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0347—Overplating, e.g. for reinforcing conductors or bumps; Plating over filled vias
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/07—Electric details
- H05K2201/0753—Insulation
- H05K2201/0769—Anti metal-migration, e.g. avoiding tin whisker growth
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09372—Pads and lands
- H05K2201/09436—Pads or lands on permanent coating which covers the other conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0562—Details of resist
- H05K2203/0571—Dual purpose resist, e.g. etch resist used as solder resist, solder resist used as plating resist
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0562—Details of resist
- H05K2203/0597—Resist applied over the edges or sides of conductors, e.g. for protection during etching or plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0703—Plating
- H05K2203/0723—Electroplating, e.g. finish plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/243—Reinforcing the conductive pattern characterised by selective plating, e.g. for finish plating of pads
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
Description
・ 小さいサイズのはんだ堆積物を形成するために、特に直径50μm以下、特に30μm以下を呈するはんだ堆積物を形成するために使用でき、且つ
・ 銅含有導電性層からはんだ堆積物中への銅イオンのマイグレーションを顕著に防ぐことにより、比較的厚い層厚を有する銅含有導電性層をまだ使用でき、
・ 同時に、熱および/または圧力に際し、増加された寸法安定性、および増加された内部スティフネスをもたらし、且つ、
・ 場合により仕上げとしてニッケルまたはニッケル合金直上のスズ合金の電解堆積を、ニッケル/ニッケル合金とスズ合金との間の純粋なスズ堆積物を必要とせずに可能にし、且つ、
・ パッドとはんだ堆積物との間の十分な結合強度をもたらす、
前記方法を提供することであった。
(i) 第1の非導電性レジスト層Cの開口部Fの下に前記コンタクトパッドが露出している有機の非導電性基板Aを準備または製造する段階、
(ii) 前記開口部の内側G’’および外側G’に導電性層Gを堆積して、活性化された表面をもたらすことにより、活性化された開口部F’を形成する段階、
(iii) ニッケルDまたはニッケル合金Dを前記活性化された開口部内に電解堆積して、ニッケル/ニッケル合金を前記活性化された表面上に堆積する段階、
(iv) 段階(iii)において堆積された前記ニッケル/ニッケル合金上にスズEまたはスズ合金Eを電解堆積する段階を含み、
ただし、段階(iii)または(iv)の電解堆積は、完全に充填された活性化された開口部をもたらし、
前記完全に充填された活性化された開口部は、前記ニッケル/ニッケル合金で全て充填されているか、または前記完全に充填された活性化された開口部内で、前記完全に充填された活性化された開口部の総容積に対して、ニッケル/ニッケル合金の総容積はスズおよびスズ合金の総容積よりも大きい、前記方法によって解決される。
A 有機の非導電性基板
B 回路の一部としてのコンタクトパッド
C 第1の非導電性レジスト層
D ニッケルまたはニッケル合金
E スズまたはスズ合金
F 第1の非導電性レジスト層の開口部
F’ 活性化された開口部(導電性層G’’を含む、下記参照)
G 活性化された表面を形成する導電性層(活性化された開口部の外側(G’)および活性化された開口部の内側(G’’)の導電性層を含む)
H 第2の非導電性レジスト層
L 拡張された活性化された開口部(活性化された開口部F’を含む)
M 銀
x 活性化された開口部の最大幅
y 活性化された開口部の最大深さ
x’ 第2の非導電性レジスト層内の開口部の最大幅
y’ 第2の非導電性レジスト層内の開口部の最大深さ。
(iia) 活性化された開口部の外側で、活性化された表面上に第2の非導電性レジスト層を形成し、それをパターニングして、拡張された活性化された開口部をもたらす段階
を含む。
(v) 第2の非導電性レジスト層と下にある導電性層の部分を剥離する段階
を含む。
・ 1つ以上の導電性有機ポリマー、
および/または
・ 好ましくは炭素、銅、パラジウム、スズ、コバルト、タングステン、クロム、ニッケル、銀およびチタンからなる群から選択される1つ以上の導電性元素を含む、より好ましくは導電性層が銅を含むか、または銅層である、
本発明の(上記で記載された、好ましくは、好ましいとして記載された)方法が好ましい。
欧州特許EP0616053号明細書(EP0616053 A1)は、非導電性基板に金属被覆を施与するための方法であって、
a. 前記基板を、貴金属/IVA族金属のゾルを含む活性化剤と接触させて、処理された基板を得ること、
b. 前記処理された基板を、11より大きく13までのpHを有し、
(i) Cu(ll)、Ag、AuまたはNiの可溶性金属塩またはそれらの混合物、
(ii) IA族金属の水酸化物、
(iii) 前記金属塩の金属イオンについて、累積形成定数log K 0.73〜21.95を有する有機材料を含む錯化剤
の溶液を含む、自己加速且つ補給型の浸漬金属組成物と接触させること
を含む、前記方法を記載している。
好ましくはピリジンおよび置換ピリジンからなる群から選択される、
より好ましくは式(I)および(II)の化合物
R1は独立して水素、置換または非置換のアルキル、または置換または非置換のアルケニルであり、
R2は独立して
−(CH2)n−SO3 -(ここでnは1、2、3、4、5または6である)、または
−(CH2)n−SO3 -(ここでnは1、2、3、4、5または6であり、且つ−(CH2)n−SO3 -内の1つ以上の水素原子が置換基によって置換されている)である]
からなるレベラー化合物の群から選択される、
さらにより好ましくは、式(Ia)および(IIa)の化合物
R1は独立して
・ 式(Ia)においてはメチル、エチル、直鎖または分枝鎖のプロピルまたは直鎖または分枝鎖のブチルであり、
・ 式(IIa)においては−(CH2)m−CH=CH2(ここでmは0、1、2、3または4である)であり、且つ
R2は独立して(CH2)n−SO3 -(ここでnは1、2、3または4である)である]
からなるレベラー化合物の群から選択され、
最も好ましくは、式(Ib)および(IIb)の化合物
・ 式(I)においてはメチル、エチル、直鎖または分枝鎖のプロピル、または直鎖または分枝鎖のブチル、
・ 式(II)においては−(CH2)m−CH=CH2(ここで、mは0、1、2、3または4であり、好ましくはmは0、1または2であり、より好ましくはmは0である)
である。
(i) 第1の非導電性永久レジスト層の開口部の下に前記コンタクトパッドが露出している有機の非導電性基板を準備または製造する段階、
(ii) 前記開口部の内側および外側に導電性層を堆積して、活性化された表面がもたらされ、それによって活性化された開口部が形成される段階、
(iia) 前記活性化された開口部の外側で、活性化された表面上に第2の非導電性レジスト層を形成し、それをパターニングして、拡張された活性化された開口部をもたらす段階、
(iii) 前記拡張された活性化された開口部内にニッケルまたはニッケル合金をコンフォーマルではなく電解堆積して、前記活性化された表面上にコンフォーマルではないニッケル/ニッケル合金を堆積する段階、
(iv) 段階(iii)において堆積されたコンフォーマルではないニッケル/ニッケル合金上にスズまたはスズ合金(好ましくはスズ合金)をコンフォーマルに電解堆積する段階、
を含み、
ただし、段階(iii)の電解堆積が、前記ニッケル/ニッケル合金で全て充填された、完全に充填された活性化された開口部をもたらし、且つ、
前記活性化された開口部の外側で、前記ニッケル/ニッケル合金が、活性化された表面上にさらに堆積される、前記方法が非常に好ましい。
(a)ニッケルまたはニッケル合金層、
(b)前記ニッケル/ニッケル合金層上のスズまたはスズ合金層
の連続する層を有し、その際、永久はんだマスク内に埋め込まれているはんだ堆積物の部分において、ニッケル/ニッケル合金の総容積がスズおよびスズ合金の総容積よりも大きい、前記プリント回路板に関する。
Claims (15)
- コンタクトパッド(B)上のはんだ付け可能なはんだ堆積物の形成方法であって、以下の段階:
(i) 第1の非導電性レジスト層(C)の開口部(F)の下に前記コンタクトパッドが露出している有機の非導電性基板(A)を準備または製造する段階、
(ii) 前記開口部の内側(G’’)および外側(G’)に導電性層(G)を堆積して、活性化された表面をもたらすことにより、活性化された開口部(F’)を形成する段階、
(iii) ニッケル(D)またはニッケル合金(D)を前記活性化された開口部内に電解堆積して、ニッケル/ニッケル合金を前記活性化された表面上に堆積する段階、
(iv) 段階(iii)において堆積された前記ニッケル/ニッケル合金上にスズ(E)またはスズ合金(E)を電解堆積する段階を含み、
ただし、段階(iii)または(iv)の電解堆積は、完全に充填された活性化された開口部をもたらし、
前記完全に充填された活性化された開口部は、前記ニッケル/ニッケル合金で全て充填されているか、または前記完全に充填された活性化された開口部内で、前記完全に充填された活性化された開口部の総容積に対して、ニッケル/ニッケル合金の総容積はスズおよびスズ合金の総容積よりも大きい、前記方法。 - 前記有機の非導電性基板が、回路板、好ましくはプリント回路板である、請求項1に記載の方法。
- 開口部を呈する前記第1の非導電性レジスト層が、層厚200μm以下、好ましくは100μm以下、より好ましくは50μm以下、さらにより好ましくは35μm以下、最も好ましくは20μm以下、さらに最も好ましくは15μm以下を有する、請求項1または2に記載の方法。
- 段階(i)における開口部の最大幅が1000μm以下、好ましくは500μm以下、より好ましくは200μm以下、最も好ましくは50μm以下、さらに最も好ましくは30μm以下である、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記導電性層が、200nm〜2500nmの範囲、好ましくは300nm〜2000nmの範囲、より好ましくは350nm〜1500nmの範囲、さらにより好ましくは400nm〜1200nmの範囲、最も好ましくは500nm〜1000nmの範囲の層厚を有する、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- 段階(iii)において、ニッケル/ニッケル合金を前記活性化された開口部内にコンフォーマルではなく堆積して、コンフォーマルではないニッケル/ニッケル合金を前記活性化された表面上に堆積する、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。
- 段階(iii)におけるニッケル/ニッケル合金が、ニッケルめっき浴の総容積に対して1g/L〜160g/L、好ましくは1g/L〜70g/L、より好ましくは20g/L〜70g/L、最も好ましくは30g/L〜60g/Lの総量のニッケルイオンを含むニッケルめっき浴を通じて堆積される、請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記ニッケルめっき浴が、1つ以上のレベラー化合物、
好ましくはピリジンおよび置換ピリジンからなる群から選択される、
より好ましくは式(I)および(II)の化合物
R1は独立して水素、置換または非置換のアルキル、または置換または非置換のアルケニルであり、
R2は独立して
−(CH2)n−SO3 -(ここでnは1、2、3、4、5または6である)、または
−(CH2)n−SO3 -(ここでnは1、2、3、4、5または6であり、且つ−(CH2)n−SO3 -内の1つ以上の水素原子が置換基によって置換されている)である]
からなるレベラー化合物の群から選択される、
さらにより好ましくは、式(Ia)および(IIa)の化合物
R1は独立して
・ 式(Ia)においてはメチル、エチル、直鎖または分枝鎖のプロピルまたは直鎖または分枝鎖のブチルであり、
・ 式(IIa)においては−(CH2)m−CH=CH2(ここでmは0、1、2、3または4である)であり、且つ
R2は独立して(CH2)n−SO3 -(ここでnは1、2、3または4である)である]
からなるレベラー化合物の群から選択される、
最も好ましくは、式(Ib)および(IIb)の化合物
- 段階(iv)が段階(iii)の直後に行われる、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。
- 段階(iv)においてスズおよびスズ合金がそれぞれ、段階(iii)において堆積されたニッケル/ニッケル合金上にコンフォーマルに堆積される、請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。
- スズおよびスズ合金が、レベリング化合物を含有しない堆積浴を通じて電解堆積される、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。
- コンタクトパッド上にはんだ付け可能なはんだ堆積物を形成する、請求項1から11までのいずれか1項に記載の方法であって、以下の段階:
(i) 第1の非導電性永久レジスト層の開口部の下に前記コンタクトパッドが露出している有機の非導電性基板を準備または製造する段階、
(ii) 前記開口部の内側および外側に導電性層を堆積して、活性化された表面をもたらすことにより、活性化された開口部を形成する段階、
(iia) 前記活性化された開口部の外側で、活性化された表面上に第2の非導電性レジスト層を形成し、それをパターニングして、拡張された活性化された開口部をもたらす段階、
(iii) 前記拡張された活性化された開口部内にニッケルまたはニッケル合金をコンフォーマルではなく電解堆積して、前記活性化された表面上にコンフォーマルではないニッケル/ニッケル合金を堆積する段階、
(iv) 段階(iii)において堆積されたコンフォーマルではないニッケル/ニッケル合金上にスズまたはスズ合金をコンフォーマルに電解堆積する段階、
を含み、
ただし、段階(iii)の電解堆積が、前記ニッケル/ニッケル合金で全て充填された、完全に充填された活性化された開口部をもたらし、且つ、
前記活性化された開口部の外側で、前記ニッケル/ニッケル合金を、活性化された表面上にさらに堆積する、前記方法。 - 段階(iv)の後に、スズまたはスズ合金上に金が堆積されない、好ましくはスズまたはスズ合金上に金およびパラジウムが堆積されない、請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法。
- 活性化されたコンタクトパッド上にはんだ付け可能なはんだ堆積物が露出しているプリント回路板であって、前記堆積物が永久はんだマスク内に部分的に埋め込まれており、且つ活性化された銅パッドから出発して
(a)ニッケルまたはニッケル合金層、
(b)前記ニッケル/ニッケル合金層上のスズまたはスズ合金層
の連続する層を有し、その際、永久はんだマスク内に埋め込まれているはんだ堆積物の部分において、ニッケル/ニッケル合金の総容積がスズおよびスズ合金の総容積よりも大きい、前記プリント回路板。 - 前記ニッケル/ニッケル合金層中のニッケル/ニッケル合金がコンフォーマルではないニッケル/ニッケル合金である、請求項14のプリント回路板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP16206665 | 2016-12-23 | ||
EP16206665.8 | 2016-12-23 | ||
PCT/EP2017/084320 WO2018115408A1 (en) | 2016-12-23 | 2017-12-22 | Method of forming a solderable solder deposit on a contact pad |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020517088A true JP2020517088A (ja) | 2020-06-11 |
JP2020517088A5 JP2020517088A5 (ja) | 2021-02-04 |
JP7143303B2 JP7143303B2 (ja) | 2022-09-28 |
Family
ID=57714447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019534079A Active JP7143303B2 (ja) | 2016-12-23 | 2017-12-22 | コンタクトパッド上へのはんだ付け可能なはんだ堆積物の形成方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11032914B2 (ja) |
EP (1) | EP3560304B1 (ja) |
JP (1) | JP7143303B2 (ja) |
KR (1) | KR102346987B1 (ja) |
CN (1) | CN110115116B (ja) |
TW (1) | TWI683604B (ja) |
WO (1) | WO2018115408A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109156080B (zh) * | 2016-05-16 | 2021-10-08 | 株式会社村田制作所 | 陶瓷电子部件 |
US11276659B2 (en) * | 2020-02-28 | 2022-03-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming elements for microelectronic components, related conductive elements, and microelectronic components, assemblies and electronic systems incorporating such conductive elements |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4270987A (en) * | 1978-08-21 | 1981-06-02 | Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien | Acid galvanic nickel baths containing N-(2,3-dihydroxypropyl)-pyridinium sulfates |
US5723622A (en) * | 1995-07-06 | 1998-03-03 | Faranda; Giuseppe | Synthetic method for making pyridin-propyl-sulphobetaine without any risks for the human beings and the environment |
JP2003258014A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Megic Corp | 半導体表面上に金属バンプを形成する方法 |
US20060043158A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-02 | Phoenix Precision Technology Corporation | Method for fabricating electrical connections of circuit board |
JP2010129996A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | メタルポストを備えた基板及びその製造方法 |
JP2012506628A (ja) * | 2008-10-21 | 2012-03-15 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 基板上にはんだ堆積物を形成する方法 |
JP2013531895A (ja) * | 2010-07-05 | 2013-08-08 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | はんだ合金堆積物を基板上に形成する方法 |
JP2013534367A (ja) * | 2010-08-02 | 2013-09-02 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 基板上にはんだ堆積物および非溶融バンプを形成する方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5693209A (en) | 1989-09-14 | 1997-12-02 | Atotech Deutschland Gmbh | Process for metallization of a nonconductor surface |
US5503877A (en) | 1989-11-17 | 1996-04-02 | Atotech Deutschalnd Gmbh | Complex oligomeric or polymeric compounds for the generation of metal seeds on a substrate |
ES2257987T3 (es) | 1993-03-18 | 2006-08-16 | Atotech Deutschland Gmbh | Composicion y procedimiento para tratar una superficie revestida con un revestimiento de inmersion autoacelerante y autorenovador, sin formaldehido. |
US5650595A (en) * | 1995-05-25 | 1997-07-22 | International Business Machines Corporation | Electronic module with multiple solder dams in soldermask window |
JP2000286542A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Harima Chem Inc | 半田付け方法及び半田付け基材 |
US6355153B1 (en) * | 1999-09-17 | 2002-03-12 | Nutool, Inc. | Chip interconnect and packaging deposition methods and structures |
JP2002271026A (ja) | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Sony Corp | 多層型プリント配線基板及び多層型プリント配線基板の製造方法 |
EP1322146A1 (en) | 2001-12-18 | 2003-06-25 | Phoenix Precision Technology Corporation | Method of electroplating solder bumps on an organic circuit board |
TWI270329B (en) | 2005-04-04 | 2007-01-01 | Phoenix Prec Technology Corp | Method for fabricating conducting bump structures of circuit board |
US7659193B2 (en) | 2005-12-23 | 2010-02-09 | Phoenix Precision Technology Corporation | Conductive structures for electrically conductive pads of circuit board and fabrication method thereof |
TWI319297B (en) | 2006-06-06 | 2010-01-01 | Phoenix Prec Technology Corp | Repair structure of circuit board having pre-soldering bumps and method thereof |
CN101005733A (zh) * | 2006-12-29 | 2007-07-25 | 上海芯光科技有限公司 | 薄型半导体照明平面集成光源模块的制造方法 |
US20090188805A1 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Government Of The United States Of America, As Represented By The | Superconformal electrodeposition of nickel iron and cobalt magnetic alloys |
KR101154626B1 (ko) * | 2010-08-31 | 2012-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄회로기판 및 그의 제조 방법 |
JP5588419B2 (ja) | 2011-10-26 | 2014-09-10 | 株式会社東芝 | パッケージ |
JP5364838B1 (ja) | 2012-11-30 | 2013-12-11 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付銅箔 |
JP6032254B2 (ja) | 2013-10-11 | 2016-11-24 | 大日本印刷株式会社 | パワーモジュール用金属配線付基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板、並びにパワーモジュール用金属配線付基板の製造方法 |
WO2016180944A1 (en) | 2015-05-13 | 2016-11-17 | Atotech Deutschland Gmbh | Method for manufacturing of fine line circuitry |
-
2017
- 2017-12-22 KR KR1020197018899A patent/KR102346987B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-22 JP JP2019534079A patent/JP7143303B2/ja active Active
- 2017-12-22 CN CN201780078958.4A patent/CN110115116B/zh active Active
- 2017-12-22 TW TW106145331A patent/TWI683604B/zh active
- 2017-12-22 US US16/466,817 patent/US11032914B2/en active Active
- 2017-12-22 EP EP17818584.9A patent/EP3560304B1/en active Active
- 2017-12-22 WO PCT/EP2017/084320 patent/WO2018115408A1/en unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4270987A (en) * | 1978-08-21 | 1981-06-02 | Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien | Acid galvanic nickel baths containing N-(2,3-dihydroxypropyl)-pyridinium sulfates |
US5723622A (en) * | 1995-07-06 | 1998-03-03 | Faranda; Giuseppe | Synthetic method for making pyridin-propyl-sulphobetaine without any risks for the human beings and the environment |
JP2003258014A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Megic Corp | 半導体表面上に金属バンプを形成する方法 |
US20060043158A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-02 | Phoenix Precision Technology Corporation | Method for fabricating electrical connections of circuit board |
JP2012506628A (ja) * | 2008-10-21 | 2012-03-15 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 基板上にはんだ堆積物を形成する方法 |
JP2010129996A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | メタルポストを備えた基板及びその製造方法 |
JP2013531895A (ja) * | 2010-07-05 | 2013-08-08 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | はんだ合金堆積物を基板上に形成する方法 |
JP2013534367A (ja) * | 2010-08-02 | 2013-09-02 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 基板上にはんだ堆積物および非溶融バンプを形成する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018115408A1 (en) | 2018-06-28 |
EP3560304A1 (en) | 2019-10-30 |
KR20190098165A (ko) | 2019-08-21 |
CN110115116B (zh) | 2022-05-27 |
US11032914B2 (en) | 2021-06-08 |
TW201831064A (zh) | 2018-08-16 |
EP3560304B1 (en) | 2021-02-03 |
JP7143303B2 (ja) | 2022-09-28 |
TWI683604B (zh) | 2020-01-21 |
KR102346987B1 (ko) | 2022-01-03 |
CN110115116A (zh) | 2019-08-09 |
US20190350088A1 (en) | 2019-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5808402B2 (ja) | はんだ合金堆積物を基板上に形成する方法 | |
JP6133056B2 (ja) | スズまたはスズ合金めっき液 | |
US8507376B2 (en) | Method to form solder deposits on substrates | |
JP5808403B2 (ja) | はんだ堆積物を基板上に形成する方法 | |
US20040161626A1 (en) | Tape substrate and method for fabricating the same | |
JP7143303B2 (ja) | コンタクトパッド上へのはんだ付け可能なはんだ堆積物の形成方法 | |
EP2180770A1 (en) | Method to form solder deposits on substrates | |
EP2244285A1 (en) | Method to form solder deposits on substrates | |
EP2416634A1 (en) | Method to form solder deposits on substrates | |
EP2506690A1 (en) | Method to form solder deposits and non-melting bump structures on substrates |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201218 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211222 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220823 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220914 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7143303 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |