JP2020513475A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 回路リード及びビアを含むがこれらに限定されない金属構造を製造する方法であって、
   幅に対する高さのアスペクト比Ａ／Ｂにより特徴づけられる金属のベースを有する基板（例えば、金属又はポリマー）を提供するステップと、
   前記ベースの前記アスペクト比Ａ／Ｂよりも大きい、幅に対する高さのアスペクト比Ａ／Ｓを有する前記金属構造を形成するために、前記ベースに金属クラウンを電気めっきするステップとを含む、方法。
2. 前記金属クラウンを電気めっきすることは、前記ベースの上部及び側部に金属を成膜することを含み、前記ベースの上部における成膜の速度は前記ベースの側部における成膜の速度よりも大きい、請求項１に記載の方法。
3. 前記金属クラウンを電気めっきすることは、実質的に前記ベースの上部のみに金属を成膜することを含む、請求項１に記載の方法。
4. 電気めっきすることは、前記比Ａ／Ｓが約１．２以上であり、所定の実施形態においては約２．０以上である前記金属構造を形成するように電気めっきすることを含む、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
5. 電気めっきすることは、前記金属構造の高さが前記ベースの高さの２倍より大きく、所定の実施形態においては前記ベースの高さの２．４倍以上である前記金属構造を形成するように電気めっきすることを含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
6. 電気めっきすることは、前記金属構造の幅が前記ベースの幅の２倍以下であり、所定の実施形態においては前記ベースの幅の約１．７倍以下である前記金属構造を形成するように電気めっきすることを含む、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
7. ２つ以上の隣接する構造を形成するための方法であって、前記電気めっきするステップの前の前記構造の前記ベース同士の間の間隔は、前記ベースの幅の１．５倍以下であり、所定の実施形態においては前記ベースの幅の約１．０倍以下である、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
8. 金属の前記ベースを有する前記基板を提供することは、前記基板に金属の前記ベースを電気めっきすることを含む、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
9. 金属の前記ベースを有する前記基板を提供することは、
   基板と金属層と（任意的に絶縁層によって分離される）を含む積層体を提供することと、
   前記金属層をエッチングして前記ベースを形成することとを含む、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
10. 前記金属クラウンを電気めっきすることは、
    第１の電流密度を使用するコンフォーマル電気めっきフェーズと、
    前記コンフォーマル電気めっきフェーズ後の、前記第１の電流密度より高い第２の電流密度を使用する異方性電気めっきフェーズとを含む、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
11. 基板と、
    少なくとも１つのトレースとを含み、前記トレースは、前記トレースの少なくとも一部上に形成された金属クラウン部分を含む、回路。
12. 前記金属クラウン部分は、前記基板上ではない前記トレースの部分上に形成される、請求項１１に記載の回路。
13. 前記金属クラウン部分は、前記トレースのインピーダンスを調整するために前記トレースの部分に形成される、請求項１１に記載の回路。
14. 前記トレースの少なくとも一部上に形成された前記金属クラウン部分を含む前記少なくとも１つのトレースは、前記少なくとも１つのトレースを機械的に補強するよう構成される、請求項１１に記載の回路。
15. 前記少なくとも１つのトレースを機械的に補強するために前記トレースの少なくとも一部上に形成された前記金属クラウン部分を含む前記少なくとも１つのトレースは、結合又は接合操作のために補強される、請求項１４に記載の回路。