JP2017098422A5 - - Google Patents
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Description
本発明の一観点によれば、絶縁層と配線層とが交互に積層された配線部を有し、前記絶縁層には、下面側の配線層の上面の一部を露出するビアホールが形成され、前記配線層は、前記絶縁層の上面側に形成された配線パターンと、前記ビアホール内に配置されて前記配線パターンと下面側の前記配線層とを電気的に接続するビアとを含み、前記ビアは、前記ビアホールの内側面に形成されたビアシード層と、前記ビアシード層の内側に充填された金属からなる充填部とを有し、前記配線パターンは、前記絶縁層の上面に形成された配線シード層と、前記配線シード層と前記ビアとの上面を覆うように形成されたパターン層とを有し、前記ビアシード層は、電解めっき液による前記充填部及び前記パターン層の形成を促進するめっき促進剤における吸着作用を有する金属材料からなり、前記配線シード層は、前記めっき促進剤における吸着作用を有していない金属材料からなる。
また、本発明の別の一観点によれば、絶縁層に形成したビアホール内にめっき金属を充填するとともに、前記絶縁層の上に配線層を形成する配線基板の製造方法であって、前記ビアホールの内周面に、前記めっき金属の形成を促進するめっき促進剤における吸着作用を有するビアシード層を形成する工程と、前記絶縁層の上面に、前記めっき促進剤における吸着作用を有していない配線シード層を形成する工程と、前記ビアシード層の表面に前記めっき促進剤を吸着させる工程と、前記めっき促進剤を含まない電解めっき液を用いて、前記ビアシード層の内側にめっき金属よりなる充填部と、前記充填部の上面と前記配線シード層の上面とにめっき金属よりなるパターン層とを形成する工程と、を有する。
Claims (9)
- 絶縁層と配線層とが交互に積層された配線部を有し、
前記絶縁層には、下面側の配線層の上面の一部を露出するビアホールが形成され、
前記配線層は、前記絶縁層の上面側に形成された配線パターンと、前記ビアホール内に配置されて前記配線パターンと下面側の前記配線層とを電気的に接続するビアとを含み、
前記ビアは、前記ビアホールの内側面に形成されたビアシード層と、前記ビアシード層の内側に充填された金属からなる充填部とを有し、
前記配線パターンは、前記絶縁層の上面に形成された配線シード層と、前記配線シード層と前記ビアとの上面を覆うように形成されたパターン層とを有し、
前記ビアシード層は、電解めっき液による前記充填部及び前記パターン層の形成を促進するめっき促進剤における吸着作用を有する金属材料からなり、
前記配線シード層は、前記めっき促進剤における吸着作用を有していない金属材料からなること、を特徴とする配線基板。 - 前記ビアシード層は、前記ビアホール内にのみ形成されていることを特徴とする請求項に記載の配線基板。
- 前記ビアシード層は銅または銅合金からなり、
前記配線シード層はニッケルまたはニッケル合金からなること、
を特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。 - 絶縁層に形成したビアホール内にめっき金属を充填するとともに、前記絶縁層の上に配線層を形成する配線基板の製造方法であって、
前記ビアホールの内側面に、前記めっき金属の形成を促進するめっき促進剤における吸着作用を有するビアシード層を形成する工程と、
前記絶縁層の上面に、前記めっき促進剤における吸着作用を有していない配線シード層を形成する工程と、
前記ビアシード層の表面に前記めっき促進剤を吸着させる工程と、
前記めっき促進剤を含まない電解めっき液を用いて、前記ビアシード層の内側にめっき金属よりなる充填部と、前記充填部の上面と前記配線シード層の上面とにめっき金属よりなるパターン層とを形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。 - 前記ビアシード層を形成する工程は、
前記ビアホールを形成した前記絶縁層の表面に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を形成した前記絶縁層を有する基板をエアブローして乾燥させる工程と、
ソフトエッチングにより前記絶縁層の上面の前記金属膜を除去して前記ビアシード層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。 - 前記配線シード層を形成する工程は、
前記ビアシード層を形成した前記ビアホールの内部の表面と前記絶縁層の上面に触媒を吸着する工程と、
銅エッチング液を用いて前記ビアシード層をソフトエッチングする工程と、
無電解めっき液を用いて前記触媒によって前記絶縁層の上面に前記配線シード層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項４または５に記載の配線基板の製造方法。 - 前記充填部と前記パターン層とを形成する工程は、
前記配線シード層の上に、開口を有するレジスト層を形成する工程と、
前記電解めっき液を用いて、前記レジスト層をめっきマスクとして前記充填部と前記パターン層を形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
前記パターン層をエッチングマスクとして前記配線シード層をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 前記充填部と前記パターン層とを形成する工程は、
前記電解めっき液を用いて、前記充填部と、前記配線シード層の上にめっき金属層を形成する工程と、
前記めっき金属層の上に、開口を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をエッチングマスクとして前記めっき金属層をエッチングする工程と、
前記レジスト層をエッチングマスクとして前記配線シード層をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 前記めっき促進剤はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドであり、
前記ビアシード層は銅または銅合金からなり、
前記配線シード層はニッケルまたはニッケル合金からなること、
を特徴とする請求項４〜８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
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