JP2019125709A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019125709A5 JP2019125709A5 JP2018005651A JP2018005651A JP2019125709A5 JP 2019125709 A5 JP2019125709 A5 JP 2019125709A5 JP 2018005651 A JP2018005651 A JP 2018005651A JP 2018005651 A JP2018005651 A JP 2018005651A JP 2019125709 A5 JP2019125709 A5 JP 2019125709A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal
- plating layer
- metal plating
- diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 47
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 31
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L Copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Description
また、その開示の他の観点によれば、パッドを備えた配線部材を用意する工程と、前記配線部材の上に、前記パッド上に第１開口部が配置された絶縁層を形成する工程と、前記第１開口部の内面及び前記絶縁層の上面にシード層を形成する工程と、前記第１開口部の上に該第１開口部より拡径の第２開口部が配置されたレジスト層を前記絶縁層の上に形成する工程と、前記第１開口部及び前記第２開口部の中の前記シード層の上に、電解めっきにより、金属めっき層と接続用金属層とを順に形成する工程と、前記レジスト層を除去する工程と、第１のウェットエッチングで、前記金属めっき層の側面と前記シード層とをエッチングすることにより、前記金属めっき層の側面を前記接続用金属層の下端から内側に後退する凹状面にする工程と、第２のウェットエッチングにより、前記シード層の側面に前記金属めっき層の下端から内側に後退する食込部を形成する工程とを有する配線基板の製造方法が提供される。
図９（ａ）に示すように、パッドＰ１の上にソルダレジスト層３３の開口部３３ａが配置されている。開口部３３ａの内面からソルダレジスト層３３の上面にシード層２４ａがブランケット状に形成されている。
Claims (10)
- パッドと、
前記パッドの上に開口部が配置された絶縁層と、
前記パッド上から前記絶縁層の上面に配置されたシード層と、前記シード層の上に配置された金属めっき層とから形成される金属ポストと、
前記金属めっき層の上に形成された接続用金属層と
を有し、
前記金属めっき層の側面は前記接続用金属層の下端から内側に後退する凹状面となっており、
前記シード層の側面に前記金属めっき層の下端から内側に後退する食込部が形成されていることを特徴とする配線基板。 - 前記金属めっき層の上端の直径は、前記接続用金属層の直径よりも小さく、
前記金属めっき層の下端の直径は、前記金属めっき層の上端の直径よりも大きく、かつ、前記シード層の下端の直径は、前記シード層の上端の直径よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。 - 前記金属めっき層の下端と前記シード層の上端は、同じ高さ位置に配置され、かつ、前記接続用金属層から内側に後退した位置に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
- 前記シード層は、前記パッドの上面と前記絶縁層の開口部の側壁に沿って形成され、前記絶縁層の開口部に前記金属めっき層が埋め込まれていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記接続用金属層は、下から順に、ニッケル層／パラジウム層／金属が積層されて形成され、
前記シード層は無電解銅めっき層であり、
前記金属めっき層は電解銅めっき層であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板。 - パッドと、
前記パッドの上に開口部が配置された絶縁層と、
前記パッド上から前記絶縁層の上面に配置されたシード層と、前記シード層の上に配置された金属めっき層とから形成される金属ポストと、
前記金属めっき層の上に形成された接続用金属層と
を有し、
前記金属めっき層の側面は前記接続用金属層の下端から内側に後退する凹状面となっており、
前記シード層の側面に前記金属めっき層の下端から内側に後退する食込部が形成されている配線基板と、
前記配線基板の金属ポスト上の接続用金属層に接続された電子部品と、
前記電子部品と前記配線基板との間に充填されたアンダーフィル樹脂と
を有することを特徴とする電子部品装置。 - パッドを備えた配線部材を用意する工程と、
前記配線部材の上に、前記パッド上に第１開口部が配置された絶縁層を形成する工程と、
前記第１開口部の内面及び前記絶縁層の上面にシード層を形成する工程と、
前記第１開口部の上に該第１開口部より拡径の第２開口部が配置されたレジスト層を前記絶縁層の上に形成する工程と、
前記第１開口部及び前記第２開口部の中の前記シード層の上に、電解めっきにより、金属めっき層と接続用金属層とを順に形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
第１のウェットエッチングで、前記金属めっき層の側面と前記シード層とをエッチングすることにより、前記金属めっき層の側面を前記接続用金属層の下端から内側に後退する凹状面にする工程と、
第２のウェットエッチングにより、前記シード層の側面に前記金属めっき層の下端から内側に後退する食込部を形成する工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記第１のウェットエッチングは、塩化第二銅水溶液、又はアルカリ水溶液を使用するスプレー式ウェットエッチング装置により行われ、
前記第２のウェットエッチングは、硫酸・過酸化水素水混合液を使用するスプレー式ウェットエッチング装置により行われることを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。 - 前記第１のウェットエッチングの工程において、
前記金属めっき層の上端の直径は、前記接続用金属層の直径よりも小さく設定され、
前記金属めっき層の下端の直径は、前記金属めっき層の上端の直径よりも大きく設定され、
前記第２のウェットエッチングの工程において、
前記シード層の下端の直径は、前記シード層の上端の直径よりも小さく設定されることを特徴とする請求項７又は８に記載の配線基板の製造方法。 - 前記シード層を形成する工程において、
前記シード層は無電解銅めっき層から形成され、
前記金属めっき層と接続用金属層とを形成する工程において、
前記金属めっき層は電解銅めっき層から形成され、
前記接続用金属層は、下から順に、ニッケル層／パラジウム層／金属が積層されて形成されることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018005651A JP7032148B2 (ja) | 2018-01-17 | 2018-01-17 | 配線基板及びその製造方法と電子部品装置 |
| US16/243,199 US10643934B2 (en) | 2018-01-17 | 2019-01-09 | Wiring substrate and electronic component device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018005651A JP7032148B2 (ja) | 2018-01-17 | 2018-01-17 | 配線基板及びその製造方法と電子部品装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019125709A JP2019125709A (ja) | 2019-07-25 |
| JP2019125709A5 true JP2019125709A5 (ja) | 2020-12-24 |
| JP7032148B2 JP7032148B2 (ja) | 2022-03-08 |
Family
ID=67213032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018005651A Active JP7032148B2 (ja) | 2018-01-17 | 2018-01-17 | 配線基板及びその製造方法と電子部品装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10643934B2 (ja) |
| JP (1) | JP7032148B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7279624B2 (ja) | 2019-11-27 | 2023-05-23 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
| JP2022108637A (ja) | 2021-01-13 | 2022-07-26 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
| JPWO2023026984A1 (ja) * | 2021-08-26 | 2023-03-02 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153889A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-27 | 日立プラント建設株式会社 | プリント基板のパタ−ン形成方法 |
| JP2005175128A (ja) | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4769056B2 (ja) | 2005-10-07 | 2011-09-07 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板及びその製法方法 |
| JP2008135445A (ja) | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線構造及び配線層の形成方法 |
| EP2165362B1 (en) * | 2007-07-05 | 2012-02-08 | ÅAC Microtec AB | Low resistance through-wafer via |
| JP2013077726A (ja) | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
| JP2014154800A (ja) | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
| JP2014179362A (ja) | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Ps4 Luxco S A R L | 半導体装置 |
| JP2015076465A (ja) * | 2013-10-08 | 2015-04-20 | イビデン株式会社 | プリント配線板、プリント配線板の製造方法、パッケージ−オン−パッケージ |
| JP2015162660A (ja) | 2014-02-28 | 2015-09-07 | イビデン株式会社 | プリント配線板、プリント配線板の製造方法、パッケージ−オン−パッケージ |
| JP6375159B2 (ja) * | 2014-07-07 | 2018-08-15 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、半導体パッケージ |
| US9564359B2 (en) * | 2014-07-17 | 2017-02-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Conductive structure and method of forming the same |
| JP6510897B2 (ja) * | 2015-06-09 | 2019-05-08 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法と電子部品装置 |
| JP6619294B2 (ja) | 2016-05-24 | 2019-12-11 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法と電子部品装置 |
-
2018
- 2018-01-17 JP JP2018005651A patent/JP7032148B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-09 US US16/243,199 patent/US10643934B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9024207B2 (en) | Method of manufacturing a wiring board having pads highly resistant to peeling | |
| US9236334B2 (en) | Wiring substrate and method for manufacturing wiring substrates | |
| US9693458B2 (en) | Printed wiring board, method for manufacturing printed wiring board and package-on-package | |
| US20160057863A1 (en) | Electronic component device and method for manufacturing the same | |
| TWI680701B (zh) | 配線基板及其製造方法 | |
| JP6210777B2 (ja) | バンプ構造、配線基板及び半導体装置並びにバンプ構造の製造方法 | |
| JP2019125709A5 (ja) | ||
| US20150092357A1 (en) | Printed wiring board, method for manufacturing printed wiring board and package-on-package | |
| JP2009200389A5 (ja) | ||
| CN105990157B (zh) | 封装结构及其制作方法 | |
| JP2014241447A5 (ja) | ||
| JP2019186243A5 (ja) | ||
| JP2017112318A5 (ja) | ||
| JP2017050310A5 (ja) | ||
| JP2009277905A5 (ja) | ||
| JP2017005074A5 (ja) | ||
| JP6510884B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法と電子部品装置 | |
| JP2017163027A (ja) | 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 | |
| JP2010192696A5 (ja) | ||
| JP2010232590A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP2014067941A5 (ja) | ||
| JP2016076533A (ja) | バンプ付きプリント配線板およびその製造方法 | |
| JP2010219513A5 (ja) | ||
| JP2010103435A5 (ja) | ||
| KR20130057314A (ko) | 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판 제조 방법 |