JP2020187050A - 電池システム及び車両、並びに電池システムの制御方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】セル内の電流分布を精度良く算出する。【解決手段】電池システム2は、複数のセル110を含む組電池100と、ECU300とを備える。ECU300は、複数の抵抗要素及び複数の蓄電要素によってセル110の内部を幾何学的にモデル化したラダー回路網モデルを用いて、各セル110内の電流分布を算出する。ここで、ECU300は、セル110内の塩濃度分布に基づいて算出されるセル110内の抵抗分布をラダー回路網モデルに適用することによってセル110内の電流分布を算出する。【選択図】図1

Description

本開示は、二次電池を備える電池システム及びそれを搭載した車両、並びに二次電池を備える電池システムの制御方法に関する。
二次電池の充放電により二次電池内に塩濃度分布の偏り(以下「塩濃度ムラ」と称する場合がある。)が生じ、その結果、二次電池の入出力性能が低下すること知られている。この塩濃度ムラによる二次電池の入出力性能の低下は、経年劣化と区別して「ハイレート劣化」等と称される。
特開2018−81807号公報(特許文献1)は、二次電池のハイレート劣化の進行を抑制可能な電池システムを開示する。この電池システムでは、所定の充放電処理(第1から第3の処理)を実行することによりハイレート劣化を緩和させてから外部充電が実行される。その結果、外部充電の実行によりハイレート劣化が進行するのを抑制することができる(特許文献1参照)。
特開2018−81807号公報 国際公開第2013/121466号 特開2010−60406号公報 特開2015−207473号公報
近年、二次電池(以下、単に「セル」と称する場合がある。)の大容量化に伴なって、セルが大型化してきている。そのため、塩濃度ムラ(ハイレート劣化)が生じていない場合においても、セルの幾何学的構造に起因した電流分布の偏り(以下「電流ムラ」と称する場合がある。)がセル内に生じている。このような電流ムラについては、特許文献1では特に考慮しておらず、セル内の電流分布の推定につき精度向上の余地がある。
本開示は、かかる課題を達成するためになされたものであり、本開示の目的は、二次電池(セル)内の電流分布を精度良く算出可能な電池システム及びそれを搭載した車両、並びに電池システムの制御方法を提供することである。
本開示の電池システム及び車両は、二次電池(セル)と、複数の抵抗要素及び複数の蓄電要素によってセルの内部を幾何学的にモデル化した回路網モデルを用いてセル内の電流分布を算出するように構成された制御装置とを備える。制御装置は、セル内の塩濃度分布に基づいて算出されるセル内の抵抗分布を上記回路網モデルに適用することによってセル内の電流分布を算出するように構成される。
また、本開示の電池システムの制御方法は、二次電池(セル)を備える電池システムの制御方法であって、セル内の塩濃度分布を算出するステップと、算出された塩濃度分布に基づいてセル内の抵抗分布を算出するステップと、複数の抵抗要素及び複数の蓄電要素によってセルの内部を幾何学的にモデル化した回路網モデルを用いてセル内の電流分布を算出するステップとを含む。そして、電流分布を算出するステップにおいて、抵抗分布を算出するステップで算出された抵抗分布を適用した回路網モデルを用いて、セル内の電流分布が算出される。
上記の電池システム及び車両並びに制御方法では、上記の回路網モデルを用いてセル内の電流分布を算出することにより、セルの幾何学的構造に起因した電流分布を算出することができる。さらに、セル内の塩濃度分布に基づいて算出されるセル内の抵抗分布が上記回路網モデルに適用される。したがって、この電池システム及び車両並びに制御方法によれば、セルの幾何学的な構造及びセル内の塩濃度分布を考慮してセル内の電流分布を精度良く算出することができる。
制御装置は、算出された電流分布に基づくセル内の電流の大きさがしきい値を超える場合に、セルの充放電を抑制する制御を実行するように構成されてもよい。
また、電池システムの制御方法は、算出された電流分布に基づくセル内の電流の大きさがしきい値を超える場合に、セルの充放電を抑制する制御を実行するステップをさらに含んでもよい。
上記の構成によれば、算出された電流分布に基づいてセル内の最大電流値を精度良く推定することができるので、過不足のない充放電の抑制を実現することができる。
本開示の電池システム及び車両並びに制御方法によれば、セル内の電流分布を精度良く算出することができる。
本実施の形態に従う電池システムを搭載した車両の全体構成図である。 セルの電極体の構成例を示す側面図である。 図2中のIII−III線に沿った断面図である。 ラダー回路網モデルの一例を説明するための図である。 セル内における電流の流れの一例を模式的に示した図である。 セル内における電流分布の一例を示す図である。 セル内における塩濃度分布の一例を示す図である。 塩濃度ムラによりセル内に生じる抵抗分布の一例を示す図である。 塩濃度の高低と内部抵抗の上昇量との関係を示した図である。 塩濃度分布を考慮した場合の電流分布の一例を示す図である。 ECUにより実行される処理の手順の一例を示すフローチャートである。 図11のステップS10において実行される塩濃度分布算出処理の手順の一例を示すフローチャートである。 図11のステップS30において実行される電流分布算出処理の手順の一例を示すフローチャートである。 セル内の各部分構造体における温度とSOCと各抵抗要素の抵抗値との関係の一例を示す図である。 セル内の各部分構造体における温度とSOCと劣化係数との関係の一例を示す図である。 ラダー回路網モデルの一部の8接点で形成される立方格子を示す図である。 立方格子の8接点の一般化した座標を示す図である。 接点に接続される各抵抗要素と蓄電要素とを示す図である。 ループする電流について説明するための図である。
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
<電池システムの構成>
図1は、本実施の形態に従う電池システムを搭載した車両の全体構成図である。なお、以下では、動力源としてMG10を備える電気自動車(Electric Vehicle)について代表的に説明されるが、本開示に従う車両は、必ずしもこのような電気自動車に限定されるものではなく、動力源としてエンジンをさらに搭載したハイブリッド車両であってもよいし、燃料電池(Fuel Cell)をさらに搭載した燃料電池車であってもよい。
図1を参照して、車両1は、電池システム2と、モータジェネレータ(以下「MG(Motor Generator)」と称する。)10と、動力伝達ギヤ20と、駆動輪30と、電力制御ユニット(以下「PCU(Power Control Unit)」と称する。)40と、システムメインリレー(以下「SMR(System Main Relay)」と称する。)50とを備える。電池システム2は、組電池100と、電圧センサ210と、電流センサ220と、温度センサ230と、電子制御ユニット(以下「ECU(Electronic Control Unit)」と称する。)300とを含む。
MG10は、PCU40によって駆動されるモータジェネレータであり、たとえば、永久磁石がロータに埋設された三相交流同期モータである。MG10は、組電池100から電力の供給を受けて駆動軸を回転させる。MG10は、車両1の制動時に回生発電することも可能である。MG10により発電された電力は、PCU40により整流されて組電池100に蓄えられる。
PCU40は、ECU300からの制御信号に従って、組電池100に蓄えられた電力を交流電力に変換してMG10に供給する。また、PCU40は、車両1の制動時にMG10が発電した交流電力を整流して組電池100に供給する。PCU40は、たとえば、MG10を駆動するインバータと、組電池100とインバータとの間で電圧変換を行なうコンバータとを含んで構成される。
組電池100は、再充電可能に構成された電力貯蔵要素である。組電池100は、複数(n個)の二次電池(セル)110が直列に接続されることによって構成され、各セル110は、たとえば、リチウムイオン二次電池やニッケル水素二次電池等である。なお、リチウムイオン二次電池は、リチウムを電荷担体とする二次電池であり、電解質が液体の一般的なリチウムイオン二次電池の他、固体の電解質を用いた所謂全固体電池も含み得る。
組電池100は、蓄えられた電力を、PCU40を通じてMG10へ供給することができる。また、組電池100は、車両1の減速時にMG10が発電した電力を、PCU40を通じて受けて蓄えることができる。なお、特に図示していないが、組電池100は、車両外部の電源により組電池100を充電するための充電装置を用いて、上記電源により充電可能である。
SMR50は、PCU40と組電池100との間に設けられる。SMR50は、ECU300からの制御信号に従って、PCU40と組電池100との間での電力の供給と遮断とを切替える。
電圧センサ210は、セル110毎に設けられ、各セル110の端子間の電圧Vbを検出する。電流センサ220は、組電池100に入出力される電流Ibを検出する。温度センサ230は、セル110毎に設けられ、各セル110の温度Tbを検出する。各センサの検出値は、ECU300へ出力される。
ECU300は、CPU(Central Processing Unit)301と、メモリ(ROM(Read Only Memory)及びRAM(Random Access Memory))302と、入出力バッファ(図示せず)とを含んで構成される。CPU301は、ROMに格納されているプログラムをRAM等に展開して実行する。ROMに格納されているプログラムには、ECU300の処理が記されている。
<セル内の電流分布の説明>
セルの大容量化に伴ない、セルが大型化してきている。そのため、セルの幾何学的構造に起因した電流ムラがセル内に生じており、セル内において、相対的に大きい電流が流れる箇所と小さい電流が流れる箇所とが生じている。したがって、セル110或いは組電池100の入出力をみるだけでは、セルを過電流から適切に保護できない可能性がある。
そこで、本実施の形態に従う電池システムでは、複数の抵抗要素及び複数の蓄電要素によってセル110内の回路をモデル化した回路網モデルを用いて、セル110内の電流分布が算出される。これにより、セル110の幾何学的構造に起因したセル110内の電流分布を算出することができる。
ここで、セル110内においては、充放電に伴なって塩濃度ムラが生じている(ハイレート劣化)。塩濃度が低い部分には、塩濃度が高い部分よりも電流が多く流れるため、セル110内の電流分布は、セル110の幾何学的構造だけでなく、セル110内に生じた塩濃度分布の影響も受ける。そこで、本実施の形態に従う電池システムでは、セル110内の塩濃度分布が算出され、塩濃度分布に基づき算出される抵抗分布が上記の回路網モデルに適用される。これにより、セル110の幾何学的な構造及びセル110内の塩濃度分布を考慮してセル110内の電流分布を精度良く算出することができる。
以下では、まず、セル110の回路網モデルについて説明し、その後、セル110内の電流分布について説明する。
図2は、セル110の電極体の構成例を示す側面図である。図2を参照して、本実施の形態では、電極体112が複数の部分114に区分され、各部分114を抵抗要素及び蓄電要素の少なくとも一方でモデル化した回路網モデル(以下「ラダー回路網モデル」と称する。)が設定される。この例では、電極体112が4×5の20個の部分114に区分されている。
図3は、図2中のIII−III線に沿った断面図である。図3を参照して、電極体112は、集電箔122,126と、正極活物質層123と、負極活物質層125と、セパレータ124とを含む。
正極活物質層123は、正極活物質、導電材及びバインダを含む層であり、集電箔122の表面に形成される。集電箔122において、正極活物質層123が形成されていない部分は、正極タブ120を形成する。同様に、負極活物質層125は、負極活物質、導電材及びバインダを含む層であり、集電箔126の表面に形成される。集電箔126において、負極活物質層125が形成されていない部分は、負極タブ121を形成する。
セパレータ124は、正極活物質層123及び負極活物質層125の両方に接するように設けられる。正極活物質層123、負極活物質層125、及びセパレータ124は、電解液により含浸されている。
図4は、ラダー回路網モデルの一例を説明するための図である。なお、図4の紙面に向かって横方向がx方向であり、紙面に向かって縦方向がz方向であり、紙面に向かって奥行方向がy方向であるものとする。
図4を参照して、各部分114は、部分構造体116を含む。20個の部分構造体116は、x−y平面において4×5の行列状に配置される。部分構造体116は、抵抗要素Rzと蓄電要素Vzとを少なくとも含む。抵抗要素Rzの一方端と、蓄電要素Vzの一方端とは、z方向に沿って直列に接続されている。この部分構造体116は、電極体112のうちの正極活物質層123とセパレータ124とによって構成される部分をモデル化したものである。
部分構造体116は、その位置によって抵抗要素Rx,Ryを含む。抵抗要素Rzの他方端の上側接点、及び蓄電要素Vzの他方端の下側接点の各々には、抵抗要素Rxの一方端及び抵抗要素Ryの一方端のうち少なくとも一方が接続される。隣接する部分構造体116とは、抵抗要素Rx,Ryによって接続される。この抵抗要素Rx,Ryは、電極体112の集電箔の部分をモデル化したものである。
図5は、セル110内における電流の流れの一例を模式的に示した図である。この図5は、セル110の幾何学的構造に基づく電流の流れの一例を示しており、セル110内において塩濃度ムラ(ハイレート劣化)は生じていないものとする。
図5を参照して、この例では、正極タブ120及び負極タブ121は、矩形の電極体において同一の辺に沿って形成されている。正極タブ120からセル内の電極体を通って負極タブ121へ電流が流れる場合に、タブ間の距離が短い電流ルートには効率的に電流が流れるため、タブ間の距離が短い電流ルートには相対的に大きい電流が流れ、タブ間の距離が長い電流ルートには相対的に小さい電流が流れる(線の太さは電流の大きさを示している)。
図6は、セル110内における電流分布の一例を示す図である。この図6は、電極体112の20個の各部分114における電流の大きさを正規化して示したものであり(たとえば平均値に対する比)、数値が大きいほど大きい電流が流れることを示す。なお、この図6も、セル110の幾何学的構造に基づく電流分布の一例を示しており、セル110内において塩濃度ムラは生じていないものとする。
図6を参照して、この例では、電流が最大となる部分は、セル110の中央部ではなく、タブ間の距離が相対的に短い電流ルートを有する領域130の部分である。そして、タブ間の距離が相対的に長い電流ルートを有する部分ほど、電流は相対的に小さくなる。
このように、セル内には電流ムラが生じており、特に大型のセルでは電流ムラが大きくなるので、セル内の電流分布を考慮して充放電等の制御を行なう必要がある。一方、セル内の電流分布は、このようなセル110の幾何学的な構造に基づくものだけでなく、セル内の塩濃度分布の影響も受ける。
図7は、セル110内における塩濃度分布の一例を示す図である。この図7では、放電過多状態における塩濃度ムラ(ハイレートでの放電により生じる塩濃度ムラ)が生じているときの塩濃度分布が例示されている。点線群は、等塩濃度線を示し、中央から遠ざかるほど塩濃度が高い。
図7を参照して、放電過多状態では、セル110の中央から端部へ向かうにつれて塩濃度が上昇する。塩濃度が上昇した部分は、内部抵抗が相対的に高くなり、電流が相対的に流れにくくなる。
なお、特に図示しないが、充電過多状態(ハイレートでの充電により塩濃度ムラが生じた状態)では、セル110の中央に近いほど塩濃度が上昇する。
図8は、塩濃度ムラによりセル110内に生じる抵抗分布の一例を示す図である。この図8は、電極体112の20個の各部分114において、塩濃度ムラによる内部抵抗の増減を正規化(たとえば平均値に対する比)して示したものであり、数値が大きいほど抵抗が高いことを示す。なお、この図8でも、放電過多状態における塩濃度ムラが生じているときの抵抗分布が例示されている。
図8を参照して、図7に示した塩濃度分布が生じている場合には、セル110の中央部から端部へ向かうにつれて内部抵抗が上昇する。すなわち、セル110の中央付近の領域132において内部抵抗が最も低くなる。したがって、図7に示した塩濃度分布が生じている場合には、セル110の端部へ向かうほど電流が流れにくく、セル110の中央付近は、セル110の端部よりも電流が流れやすい。
そこで、本実施の形態では、セル110内の塩濃度ムラによる電流ムラを考慮するため、セル110内の塩濃度分布が算出され、その塩濃度分布に基づいてセル110内の抵抗分布(各部分における内部抵抗の増減)が算出される。具体的には、算出された塩濃度分布に基づいて、図8に示されるような抵抗分布が算出される。
図9は、塩濃度の高低と内部抵抗の上昇量との関係を示した図である。図9を参照して、塩濃度が高くなると、抵抗上昇量は大きくなる。また、塩濃度が低下した場合も、抵抗上昇量は大きくなる。
算出された塩濃度分布についても規格化し(たとえば、塩濃度の平均値に対する各部分114の塩濃度の比)、塩濃度の増減量と内部抵抗の上昇量との関係を実験やシミュレーション等により事前評価してマップ又は関係式を生成しておくことにより、塩濃度分布に基づいてセル110内の抵抗分布(図8)を算出することができる。
そして、本実施の形態では、塩濃度分布に基づいて算出された抵抗分布をラダー回路網モデルに適用する。具体的には、算出された抵抗分布(正規化された内部抵抗の増減量)を、ラダー回路網モデルを構成する抵抗要素に乗算することによって、塩濃度分布に基づいて算出された抵抗分布がラダー回路網モデルに組み込まれる。これにより、セル110の幾何学的な構造及びセル110内の塩濃度分布を考慮してセル110内の電流分布を精度良く算出することができる。
図10は、塩濃度分布を考慮した場合の電流分布の一例を示す図である。この図10は、塩濃度ムラを考慮していない場合の電流分布が示される図6に対応するものである。
図10を参照して、この例では、電流が最大となる部分は、タブ間の距離が相対的に短い電流ルートを有する領域(図6の領域130)ではなく、塩濃度分布の影響により、図示される領域134の部分となる。そこで、領域134の部分に流れる電流が制限値を超える場合に、組電池100の入出力を抑制することによってセル110の入出力を抑制することにより、セル110を過電流から保護することができる。
図11は、ECU300により実行される処理の手順の一例を示すフローチャートである。このフローチャートに示される処理は、組電池100のセル110毎に実行され、車両1のシステムが起動されている間、所定周期毎に繰り返し実行される。
図11を参照して、ECU300は、演算対象のセル110(以下「対象セル」と称する。)内の塩濃度分布を算出する塩濃度分布算出処理を実行する(ステップS10)。塩濃度分布算出処理の詳細については、後ほど説明する。
次いで、ECU300は、ステップS10において算出された塩濃度分布に基づいて、対象セル内の抵抗分布を算出する(ステップS20)。具体的には、ECU300は、図9に示される塩濃度と抵抗上昇量との関係を示す予め準備されたマップ又は関係式をメモリ302から読み出し、対象セルの各部分114について、上記マップを用いて抵抗上昇量を算出する。ここで算出された塩濃度分布に基づく抵抗分布は、後述の電流分布算出処理において用いられるラダー回路網モデルに反映される。
そして、ECU300は、塩濃度分布に基づく抵抗分布を反映したラダー回路網モデルを用いて、対象セル内の電流分布を算出する電流分布算出処理を実行する(ステップS30)。電流分布算出処理の詳細については、後ほど説明する。
ステップS30において対象セル内の電流分布が算出されると、ECU300は、算出された電流分布から得られる最大電流値がしきい値を超えているか否かを判定する(ステップS40)。このしきい値は、セル110内に過電流が生じないように、セル110の仕様や事前の評価試験等から適宜決定される。
そして、ステップS40において対象セル内の最大電流値がしきい値を超えていると判定されると(ステップS40においてYES)、ECU300は、組電池100の充放電を抑制する充放電抑制制御を実行する(ステップS50)。たとえば、ECU300は、組電池100の放電電力の上限を規定する放電電力上限値Wout、及び組電池100の充電電力の上限を規定する充電電力上限値Winを絞ることによって、組電池100の充放電を抑制する。
なお、ステップS40において最大電流値がしきい値以下であると判定されると(ステップS40においてNO)、ECU300は、ステップS50を実行することなくリターンへと処理を移行する。
図12は、図11のステップS10において実行される塩濃度分布算出処理の手順の一例を示すフローチャートである。図12を参照して、ECU300は、対象セルの温度Tbの検出値を温度センサ230から取得する(ステップS110)。
次いで、ECU300は、取得された温度Tbを用いて、対象セルにおける電解液の流速を算出する(ステップS120)。電解液の流速については、公知の手法を用いて算出することができる。たとえば、上記の特開2015−207473号公報(特許文献4)には、Brinkman-Navier-Stokes方程式として知られている以下の液流れ方程式を用いて電解液の流速を算出する手法が記載されている。
Figure 2020187050
ここで、ujは電解液の流速、ρは電解液の密度、εe,jは電解液の体積分率、tは時刻、μは電解液の粘度、Kjは透過係数、pは電解液の圧力を示す。添字jは、負極板、正極板及びセパレータを区別するために用いられ、添字jには「n」、「p」及び「s」が含まれる。添字jが「n」のときは、負極(負極活物質層125)に関する値を示し、添字jが「p」のときは、正極(正極活物質層123)に関する値を示し、添字jが「s」のときは、セパレータに関する値を示す。
粘度μには、予め定められた固定値を用いたり、電解液の温度に応じて粘度μを変更したりすることができる。電解液の温度としては、温度センサ230により検出される温度Tbが用いられる。粘度μと温度Tbとの対応関係を示す情報(マップ又は演算式)を実験等により予め準備しておくことで、温度Tbの検出値から粘度μを特定することができる。
密度ρは、電解液の膨張及び収縮を規定するパラメータであり、電解液の膨張及び収縮に応じた値を示す。電解液の膨張及び収縮は、電解液の温度(温度Tb)に依存し、密度ρも、電解液の温度に依存する。したがって、密度ρと温度Tbとの対応関係を示す情報(マップ又は演算式)を実験等により予め準備しておくことで、温度Tbの検出値から密度ρを特定することができる。密度ρを特定することにより、電解液の膨張及び収縮を把握することができる。体積分率εe,j及び透過係数Kjには、予め定められた固定値を用いることができる。
上記の式(1)では、流速uj及び圧力pが未知数となるため、式(2)に示す連続式を規定して式(1),(2)の連立方程式を解くことにより、流速uj及び圧力pを算出することができる。式(1),(2)には、電解液の膨張及び収縮を規定する密度ρが含まれているため、式(1),(2)の連立方程式を解くことにより、電解液の膨張及び収縮に応じた流速ujを算出することができる。流速ujを算出する場合には、たとえば、式(1),(2)を用いて収束計算を行なうことができる。式(1),(2)を用いた演算は、所定周期で行なわれ、前回の演算で算出された値を今回の演算で用いることにより、流速ujを算出することができる。
負極では、負極活物質層125の内部において電解液が移動する。このため、流速uj(すなわち流速un)は、負極活物質層125の内部における位置毎に算出される。同様に、正極では、正極活物質層123の内部において電解液が移動する。このため、流速uj(すなわち流速up)は、正極活物質層123の内部における位置毎に算出される。セパレータ124では、この内部において電解液が移動する。このため、流速uj(すなわち流速us)は、セパレータ124の内部における位置毎に算出される。
ステップS120において電解液の流速が算出されると、ECU300は、算出された電解液の流速ujに基づいて、対象セルの塩濃度分布を算出する。塩濃度分布についても、公知の手法を用いて算出することができる。上記の特開2015−207473号公報(特許文献4)には、流速ujを用いて、次式に基づいて塩濃度分布を算出する手法が記載されている。
Figure 2020187050
ここで、De,j effは電解液の実効拡散係数であり、t+ 0は電解液中の塩の輸率である。Fはファラデー定数であり、jjは、単位体積及び単位時間において、電解液中の塩の生成量である。
式(3)の左辺第1項は、所定時間Δtにおける塩濃度の変化を規定している。左辺第2項は、電解液の流れ(流速uj)に依存する塩濃度の変化を規定している。また、右辺第1項は、電解液中の塩の拡散状態を規定している。右辺第2項は、塩の生成量を規定している。ここで、セル110の放電時には、負極活物質層125において塩が生成され、セル110の充電時には、正極活物質層123において塩が生成される。上記の式(3)を解くことにより、セル110内の塩濃度分布を算出することができる。
図13は、図11のステップS30において実行される電流分布算出処理の手順の一例を示すフローチャートである。図13を参照して、ECU300は、まず、対象セル内のSOC(State Of Charge)分布を推定する(ステップS210)。具体的には、ECU300は、対象セルの各部分(各部分構造体116)に含まれる蓄電要素VzのSOCを算出することによって対象セル内のSOC分布を算出する。ECU300は、たとえば、次式を用いて部分構造体116に含まれる蓄電要素VzのSOCを算出する。
Figure 2020187050
ここで、SOCn(t)は、部分構造体116の蓄電要素VzのSOC(今回値)を示し、SOCn(t−1)は、当該蓄電要素VzのSOC(前回値)を示す。In(t−1)は、当該蓄電要素Vzに流れる電流(前回値)を示し、capnは、当該蓄電要素Vzの満充電容量(初期値)を示す。ΔCdegn(t−1)は、当該蓄電要素Vzの容量劣化率(前回値)を示す。容量劣化率は、蓄電要素Vzの満充電容量の初期値からの低下割合を示し、1よりも低くなるほど劣化している状態を示し、1に近くなるほど劣化していない状態を示す。Δtは、演算周期を示す。なお、各種初期値は、各センサの検出結果を用いて設定されてもよい。
たとえば、図4に示したラダー回路網モデルにおいては、ECU300は、20個の部分構造体116の蓄電要素Vzの各々のSOC(たとえばSOC1〜SOC20)を、式(4)を用いて算出する。
次いで、ECU300は、対象セル内の抵抗分布及び電圧分布を算出する(ステップS220)。ECU300は、たとえば、ラダー回路網モデル(図4)に含まれる抵抗要素Rx,Ry,Rzの各抵抗値を算出することによって対象セル内の抵抗分布を算出する。ラダー回路網モデルに含まれる複数の抵抗要素の抵抗値は、基準温度かつ基準SOCでの基準値が実験等によって適合される等して予め設定されている。ラダー回路網モデルに含まれる複数の抵抗要素Rx,Ry,Rzの抵抗値は、基準温度からのズレ量或いは基準SOCからのズレ量に応じて変化する。そのため、ECU300は、各部分構造体116のSOC(今回値)と各部分構造体116の温度(前回値)とを用いて各抵抗要素Rx,Ry,Rzの抵抗値を算出する。ECU300は、たとえば、所定のマップを用いて各抵抗要素Rx,Ry,Rzの抵抗値を算出する。
図14は、セル110内の各部分構造体116における温度とSOCと各抵抗要素Rx,Ry,Rzの抵抗値との関係の一例を示す図である。図14を参照して、温度及びSOCを複数の領域に区分して、区分された領域毎に温度及びSOCに対応した各抵抗要素Rx,Ry,Rzの抵抗値が設定される。ECU300は、各部分構造体116のSOC(今回値)と各部分構造体116の温度(前回値)と、図14に示すマップとから、各部分構造体116に含まれる各抵抗要素Rx,Ry,Rzの抵抗値を算出する。
ECU300は、算出された各抵抗要素Rx,Ry,Rzの抵抗値に各部分構造体116に対応した抵抗劣化率(前回値)を乗算することによって、各抵抗要素Rx,Ry,Rzの抵抗値(今回値)を算出する。抵抗劣化率は、抵抗要素の抵抗値の初期値からの増加割合を示し、1よりも高くなるほど劣化している状態を示し、1に近くなるほど劣化していない状態を示す。
さらに、ECU300は、対象セル内の各部分構造体116の蓄電要素Vzの電圧を算出することによって電圧分布を算出する。ラダー回路網モデルに含まれる複数の蓄電要素Vzの電圧は、基準温度かつ基準SOCでの基準値が実験等によって適合される等して予め設定されている。ラダー回路網モデルに含まれる複数の蓄電要素Vzの電圧は、基準温度からのズレ量或いは基準SOCからのズレ量に応じて変化する。そのため、ECU300は、各部分構造体116のSOC(今回値)と各部分構造体116の温度(前回値)とを用いて各蓄電要素Vzの電圧を算出する。ECU300は、たとえば、所定のマップを用いて各蓄電要素Vzの電圧を算出する。なお、所定のマップは、図14で示した温度とSOCと抵抗値との関係と同様に温度とSOCと電圧との関係を示すものであり、その詳細な説明は繰り返さない。
次いで、ECU300は、図11のステップS20において塩濃度分布に基づいて算出された対象セル内の抵抗分布を、ステップS220において算出された抵抗分布に反映させる(ステップS230)。具体的には、ラダー回路網モデルにおける各部分構造体116の抵抗要素に、塩濃度分布に基づき算出された対応の抵抗上昇量を乗算することによって、ラダー回路網モデルにおける抵抗要素の値を補正する。
続いて、ECU300は、対象セル内の劣化分布を算出する(ステップS240)。具体的には、ECU300は、劣化係数分布を推定し、推定された劣化係数分布を用いて劣化量分布を推定する。劣化係数は、容量劣化量を算出するための容量劣化係数と抵抗劣化量とを算出するための抵抗劣化係数とを含む。ECU300は、各部分構造体116に対応する容量劣化係数と抵抗劣化係数とを算出することによって劣化係数分布を算出する。
容量劣化係数と抵抗劣化係数とは、いずれもセル110内の各部分構造体116におけるSOCと温度とに依存する値である。そのため、ECU300は、各部分構造体116のSOC(今回値)と各部分構造体116の温度(前回値)とを用いて各部分構造体116に対応する容量劣化係数と抵抗劣化係数とを算出する。ECU300は、たとえば、所定のマップを用いて各部分構造体116に対応する容量劣化係数と抵抗劣化係数とを算出する。
図15は、セル110内の各部分構造体116における温度とSOCと劣化係数との関係の一例を示す図である。図15を参照して、温度及びSOCを複数の領域に区分して区分された領域毎に温度及びSOCに対応した容量劣化係数と抵抗劣化係数とが設定される。ECU300は、各部分構造体116のSOC(今回値)と各部分構造体116の温度(前回値)と、図15に示すマップとから、容量劣化係数と抵抗劣化係数とを算出する。
そして、ECU300は、推定された劣化係数分布を用いて劣化量分布を推定する。劣化量は、初期値からの満充電容量の低下量を示す容量劣化量と初期値からの抵抗値の増加量を示す抵抗劣化量とを含む。ECU300は、算出された各部分構造体116に対応する容量劣化係数(今回値)と、容量劣化量(前回値)とを用いて、各部分構造体116に対応する容量劣化量(今回値)を算出する。ECU300は、たとえば、次式を用いて各部分構造体116に対応する容量劣化量(今回値)を算出する。
Figure 2020187050
ここで、ΔCdegn(t)は容量劣化量(今回値)を示し、ΔCdegn(t−1)は容量劣化量(前回値)を示す。Ccdn(t)は容量劣化係数(今回値)を示す。ECU300は、たとえば、満充電容量から算出された容量劣化量(今回値)を減算した値を満充電容量の初期値で除算することによって容量劣化率を算出する。
同様に、ECU300は、算出された各部分構造体116に対応する抵抗劣化係数(今回値)と、抵抗劣化量(前回値)とを用いて、各部分構造体116に対応する抵抗劣化量(今回値)を算出する。ECU300は、たとえば、次式を用いて各部分構造体116に対応する抵抗劣化量(今回値)を算出する。
Figure 2020187050
ここで、ΔRdegn(t)は抵抗劣化量(今回値)を示し、ΔRdegn(t−1)は抵抗劣化量(前回値)を示す。Crdn(t)は抵抗劣化係数(今回値)を示す。ECU300は、たとえば、抵抗要素の抵抗値の基準値に抵抗劣化量(今回値)を加算した値を抵抗要素の抵抗値の基準値で除算することによって抵抗劣化率を算出する。
再び図13を参照して、ECU300は、対象セル内の電流分布を算出する(ステップS250)。ECU300は、ステップS230において塩濃度分布が反映された抵抗分布と、ステップS220において算出された電圧分布とを用いて、各抵抗要素Rx,Ry,Rz及び各蓄電要素Vzに流れる電流を算出することにより、対象セル内の電流分布を算出する。
以下、図16〜図19を用いて、電流分布の算出方法の一例について、ラダー回路網モデルの一部を抽出して説明する。図16は、ラダー回路網モデルの一部の8接点で形成される立方格子を示す図である。図17は、立方格子の8接点の一般化した座標を示す図である。図18は、接点(i,j,k)に接続される抵抗要素Rx(i,j,k),Ry(i,j,k),Rz(i,j,k)と蓄電要素Vz(i,j,k)とを示す図である。図19は、ループする電流について説明するための図である。
図16に示す立方格子における各接点に対して、図17に示すように座標をとる場合を想定する。このとき、図18に示すように、接点(i,j,k)を基準としてx軸の正方向に沿って配置される抵抗要素をRx(i,j,k)とし、y軸の正方向に沿って配置される抵抗要素をRy(i,j,k)とし、z軸の正方向に沿って配置される抵抗要素をRz(i,j,k)とし、蓄電要素をVz(i,j,k)とする。
図19に示すように、電流のループは、直交する座標にて表現するものとする。すなわち、x軸に直交するyz平面においてループする電流をIxとし、y軸に直交するxz平面においてループする電流をIyとし、z軸に直交するxy平面においてループする電流をIzとする。
抵抗要素Rx(i,j,k)には、z軸の正方向側からループする電流と、z軸の負方向側からループする電流と、y軸の正方向側からループする電流と、y軸の負方向側からループする電流とが重なり合う。そのため、抵抗要素Rx(i,j,k)に係る電圧RxI(i,j,k)は、次式のように表現される。
Figure 2020187050
同様に、抵抗要素Ry(i,j,k)には、x軸の正方向側からループする電流と、x軸の負方向側からループする電流と、z軸の正方向側からループする電流と、z軸の負方向側からループする電流とが重なり合う。そのため、抵抗要素Ry(i,j,k)に係る電圧RyI(i,j,k)は、次式のように表現される。
Figure 2020187050
同様に、抵抗要素Rz(i,j,k)には、x軸の正方向側からループする電流と、x軸の負方向側からループする電流と、y軸の正方向側からループする電流と、y軸の負方向側からループする電流とが重なり合う。そのため、抵抗要素Rz(i,j,k)に係る電圧RzI(i,j,k)は、次式のように表現される。
Figure 2020187050
次に、ループ電流Izについて、電流ループの向きと電流の正方向とが一致しているものと逆になるものとを考慮すると、キルヒホッフの第2法則から次式が導き出される。
Figure 2020187050
さらに、ループ電流Ixについて、電流ループの向きと電流の正方向とが一致しているものと逆になるものとを考慮すると、キルヒホッフの第2法則から次式が導き出される。
Figure 2020187050
さらに、ループ電流Iyについて、電流ループの向きと電流の正方向とが一致しているものと逆になるものとを考慮すると、キルヒホッフの第2法則から次式が導き出される。
Figure 2020187050
導出された上記の式(10)〜式(12)と、接点に流れ込む電流の総和と接点から流れ出る電流の総和とが等しいとのキルヒホッフの第1法則を用いた電流に関する関係式とによって、各抵抗要素Rx,Ry,Rz及び各蓄電要素Vzに流れる電流を解とする方程式を設定することができる。このような方程式を接点毎に設定し、上記の抵抗分布及び電圧分布を用いて、それらの方程式の解を得るためのECU300により演算可能な演算式を設定することによって、各抵抗要素Rx,Ry,Rz及び各蓄電要素Vzに流れる電流を算出し、セル110内の電流分布を算出することができる。なお、方程式の具体的な解法については、周知な解法を用いればよく、たとえば、逆行列を利用した解を得る方法を用いてもよい。
再び図13を参照して、ECU300は、対象セル内の抵抗分布と電流分布とを用いて対象セル内の発熱量分布を算出する(ステップS260)。具体的には、ECU300は、各部分構造体116において、電流分布から得られる電流の2乗値に抵抗分布から得られる抵抗値を乗算して各部分構造体116の発熱量を算出することにより、対象セル内の発熱量分布を算出する。なお、部分構造体116が複数の抵抗要素を含む場合には、各抵抗要素の発熱量の総量を部分構造体116の発熱量として算出してもよい。
次いで、ECU300は、対象セル内の温度分布を算出する(ステップS270)。具体的には、ECU300は、次式を用いて各部分構造体116の温度変化量ΔTを算出する。
Figure 2020187050
ここで、「Q」は各部分の発熱量を示し、「m」は各部分の質量を示す。「c」は比熱を示し、「α」は熱伝達係数を示す。「T」は、各部分の温度(前回値)を示し、「T_0」は空気の温度を示す。「S」は各部分の断面積を示す。これらの数値は、たとえば、実験等によって適合されたり、各種センサの検出結果を用いて検出或いは推定したりすることによって取得される。なお、式(13)において、「m×c×Δt」が発熱項であって、「α×(T−T_0)×S」が放熱項である。
そして、ECU300は、各部分構造体116において、式(13)を用いて算出された各部分構造体116の温度変化量ΔTを、前回の各部分構造体116の温度を示す温度分布に加算して各部分構造体116の今回の温度を算出することにより、対象セル内の温度分布を算出する。
なお、ステップS270において算出された温度分布は、ステップS220における抵抗分布及び電圧分布の算出において、温度(前回値)として用いられる。
以上のように、この実施の形態においては、ラダー回路網モデルを用いてセル110内の電流分布を算出することにより、セル110の幾何学的構造に起因した電流分布を算出することができる。さらに、セル110内の塩濃度分布に基づいて算出されるセル110内の抵抗分布がラダー回路網モデルに適用される。したがって、この実施の形態によれば、セル110の幾何学的な構造及びセル110内の塩濃度分布を考慮してセル110内の電流分布を精度良く算出することができる。
また、この実施の形態によれば、算出された電流分布に基づいてセル110内の最大電流値を精度良く推定することができるので、過不足のない充放電の抑制を実現することができる。
今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
1 車両、2 電池システム、10 MG、20 動力伝達ギヤ、30 駆動輪、40 PCU、50 SMR、100 組電池、110 セル、112 電極体、114 部分、116 部分構造体、120 正極タブ、121 負極タブ、122,126 集電箔、123 正極活物質層、124 セパレータ、125 負極活物質層、210 電圧センサ、220 電流センサ、230 温度センサ、300 ECU、301 CPU、302 メモリ。

Claims (5)

  1. 二次電池と、
    複数の抵抗要素及び複数の蓄電要素によって前記二次電池の内部を幾何学的にモデル化した回路網モデルを用いて前記二次電池内の電流分布を算出するように構成された制御装置とを備え、
    前記制御装置は、前記二次電池内の塩濃度分布に基づいて算出される前記二次電池内の抵抗分布を前記回路網モデルに適用することによって前記電流分布を算出するように構成される、電池システム。
  2. 前記制御装置は、前記電流分布に基づく前記二次電池内の電流の大きさがしきい値を超える場合に、前記二次電池の充放電を抑制する制御を実行するように構成される、請求項1に記載の電池システム。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の電池システムを搭載した車両。
  4. 二次電池を備える電池システムの制御方法であって、
    前記二次電池内の塩濃度分布を算出するステップと、
    算出された塩濃度分布に基づいて前記二次電池内の抵抗分布を算出するステップと、
    複数の抵抗要素及び複数の蓄電要素によって前記二次電池の内部を幾何学的にモデル化した回路網モデルを用いて前記二次電池内の電流分布を算出するステップとを含み、
    前記電流分布を算出するステップにおいて、前記抵抗分布を算出するステップで算出された抵抗分布を適用した前記回路網モデルを用いて、前記二次電池内の電流分布が算出される、電池システムの制御方法。
  5. 前記電流分布に基づく前記二次電池内の電流の大きさがしきい値を超える場合に、前記二次電池の充放電を抑制する制御を実行するステップをさらに含む、請求項4に記載の電池システムの制御方法。
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