JP2020184393A - 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気記録媒体および磁気記録再生装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020184393A JP2020184393A JP2019089202A JP2019089202A JP2020184393A JP 2020184393 A JP2020184393 A JP 2020184393A JP 2019089202 A JP2019089202 A JP 2019089202A JP 2019089202 A JP2019089202 A JP 2019089202A JP 2020184393 A JP2020184393 A JP 2020184393A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base layer
- magnetic
- magnetic recording
- recording medium
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 164
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- -1 Ta 2 O 5 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 158
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015799 MoRu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000917012 Quercus floribunda Species 0.000 description 1
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73917—Metallic substrates, i.e. elemental metal or metal alloy substrates
- G11B5/73919—Aluminium or titanium elemental or alloy substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/736—Non-magnetic layer under a soft magnetic layer, e.g. between a substrate and a soft magnetic underlayer [SUL] or a keeper layer
- G11B5/7364—Non-magnetic single underlayer comprising chromium
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/657—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing inorganic, non-oxide compound of Si, N, P, B, H or C, e.g. in metal alloy or compound
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/727—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7373—Non-magnetic single underlayer comprising chromium
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
【課題】表面平滑性が高く、うねりが小さい磁気記録媒体を提供する。【解決手段】磁気記録媒体５０１は、基板１０１と、基板１０１の上に形成されている下地層と、下地層の上に形成されている磁性層１０７を有する。磁性層１０７は、Ｌ１０構造を有する合金を含む。下地層は、ＭｏとＲｕを含み、Ｒｕの含有量が５ａｔ％〜３０ａｔ％の範囲内である第１の下地層１０４と、ＢＣＣ構造を有する材料を含む第２の下地層１０３を含む。第２の下地層１０３は、第１の下地層１０４と、基板１０１との間に形成されている。【選択図】図１
Description
本発明は、磁気記録媒体および磁気記録再生装置に関する。
近年、磁気記録媒体に近接場光等を照射して表面を局所的に加熱することにより、磁気記録媒体の保磁力を低下させて、情報を記録する熱アシスト記録方式やマイクロ波アシスト記録方式が、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２クラスの面記録密度を実現することができる次世代記録方式として注目されている。
熱アシスト記録方式やマイクロ波アシスト記録方式を用いる場合、室温における保磁力が数十ｋＯｅの磁気記録媒体であっても、磁気ヘッドの記録磁界により容易に情報を記録することができる。このため、磁気記録媒体では、磁性層に１０６Ｊ／ｍ３台の高い結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）を有する材料（高Ｋｕ材料）を使用することができ、その結果、熱安定性を維持したまま、磁性粒子の粒径を６ｎｍ以下にまで微細化することができる。
高Ｋｕ材料としては、ＦｅＰｔ合金（Ｋｕ〜７×１０６Ｊ／ｍ３）、ＣｏＰｔ合金（Ｋｕ〜５×１０６Ｊ／ｍ３）等のＬ１０構造を有する合金が知られている。
Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層を有する磁気記録媒体では、下地層を構成する材料として、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ等のＢＣＣ構造を有する材料や、ＭｇＯ等のＮａＣｌ型構造を有する材料が用いられる場合が多い。
例えば、特許文献１では、基板の側から、第１の下地層、第２の下地層、第３の下地層、第４の下地層を構成する材料として、それぞれＣｒ合金、Ｃｒ合金、ＭｏＲｕ合金、ＭｇＯが用いられている。
前述したように、Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層を有する磁気記録媒体では、下地層を構成する材料として、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ等のＢＣＣ構造を有する材料や、ＭｇＯ等のＮａＣｌ型構造を有する材料が用いられる場合が多い。これは、（１００）配向している、ＢＣＣ構造またはＮａＣｌ型構造を有する材料は、（００１）配向しているＬ１０構造を有する合金との格子整合性が高いためである。
ところで、Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層を成膜するためには、磁性層を成膜する前に基板を高温に加熱する必要がある。また、下地層を構成する材料として、前述したように、ＢＣＣ構造またはＮａＣｌ型構造を有する材料が用いられる場合が多いが、これらの材料は、一般的に、融点が高く、下地層を成膜する際に、加熱する場合が多い。
しかしながら、発明者の検討によると、下地層を成膜する際の加熱や、磁性層を成膜する前の加熱により、磁気記録媒体の表面平滑性が低下し、うねりが大きくなることが明らかになった。
この理由について、発明者は、次のように考えている。
Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層を有する磁気記録媒体では、Ｌ１０構造を有する合金のｃ軸配向性（（００１）配向性）を向上させる必要がある。このため、下地層を構成する材料には、Ｌ１０構造を有する合金との格子整合性が高いことが求められる。しかしながら、このような下地層を単層構造で形成することは難しく、通常は、下地層を積層構造で形成する。具体的には、基板と磁性層の間に形成される複数の下地層を構成する材料の間の格子整合性を向上させ、かつ格子歪を緩和しながら、最上層の下地層を構成する材料と、磁性層に含まれるＬ１０構造を有する合金の間の格子整合性を向上させる。
しかしながら、下地層の積層構造は完全ではなく、特に、下地層を成膜する際の加熱や、磁性層を成膜する前の加熱により、下地層を構成する材料の結晶化が進行して、複数の下地層を構成する材料の間に格子歪が発生し、その結果、磁気記録媒体の表面平滑性が低下し、うねりが大きくなると考えられる。
本発明の一態様は、表面平滑性が高く、うねりが小さい磁気記録媒体を提供することを目的とする。
（１）基板と、前記基板の上に形成されている下地層と、前記下地層の上に形成されている磁性層を有し、前記磁性層は、Ｌ１０構造を有する合金を含み、前記下地層は、ＭｏとＲｕを含み、Ｒｕの含有量が５ａｔ％〜３０ａｔ％の範囲内である第１の下地層と、ＢＣＣ構造を有する材料を含む第２の下地層を含み、前記第２の下地層は、前記第１の下地層と、前記基板との間に形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
（２）前記第１の下地層は、Ｖ、Ｗ、ＴａおよびＮｂからなる群より選択される１種以上の元素をさらに含むことを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）前記ＢＣＣ構造を有する材料は、ＣｒまたはＣｒ合金であることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）前記第２の下地層は、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、ＲｕおよびＭｎからなる群より選択される１種以上の元素をさらに含むことを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（５）前記Ｌ１０構造を有する合金は、ＦｅＰｔ合金またはＣｏＰｔ合金であることを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（６）前記磁性層は、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃ、ＢＮおよびＨｆＯ２からなる群より選択される１種以上の材料をさらに含むことを特徴とする（１）〜（５）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（７）前記第１の下地層と、前記磁性層との間に、ＭｇＯを含む第３の下地層がさらに形成されていることを特徴とする（１）〜（６）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（８）前記第３の下地層は、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃ、ＳｉＣ、ＶＣ、Ｂ４Ｃ、Ｓｉ３Ｎ４、ＶＮ、ＢＮ、ＴｉＮおよびＡｌＮからなる群より選択される１種以上の材料をさらに含むことを特徴とする（７）に記載の磁気記録媒体。
（９）前記第１の下地層と、前記第３の下地層の間に、ＢＣＣ構造を有する合金を含む第４の下地層がさらに形成されており、前記ＢＣＣ構造を有する合金は、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、ＴａおよびＮｂからなる群より選択される１種以上の元素を含むことを特徴とする（７）または（８）に記載の磁気記録媒体。
（１０）（１）〜（９）の何れか一項に記載の磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記録再生装置。
（２）前記第１の下地層は、Ｖ、Ｗ、ＴａおよびＮｂからなる群より選択される１種以上の元素をさらに含むことを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）前記ＢＣＣ構造を有する材料は、ＣｒまたはＣｒ合金であることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）前記第２の下地層は、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、ＲｕおよびＭｎからなる群より選択される１種以上の元素をさらに含むことを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（５）前記Ｌ１０構造を有する合金は、ＦｅＰｔ合金またはＣｏＰｔ合金であることを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（６）前記磁性層は、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃ、ＢＮおよびＨｆＯ２からなる群より選択される１種以上の材料をさらに含むことを特徴とする（１）〜（５）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（７）前記第１の下地層と、前記磁性層との間に、ＭｇＯを含む第３の下地層がさらに形成されていることを特徴とする（１）〜（６）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（８）前記第３の下地層は、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃ、ＳｉＣ、ＶＣ、Ｂ４Ｃ、Ｓｉ３Ｎ４、ＶＮ、ＢＮ、ＴｉＮおよびＡｌＮからなる群より選択される１種以上の材料をさらに含むことを特徴とする（７）に記載の磁気記録媒体。
（９）前記第１の下地層と、前記第３の下地層の間に、ＢＣＣ構造を有する合金を含む第４の下地層がさらに形成されており、前記ＢＣＣ構造を有する合金は、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、ＴａおよびＮｂからなる群より選択される１種以上の元素を含むことを特徴とする（７）または（８）に記載の磁気記録媒体。
（１０）（１）〜（９）の何れか一項に記載の磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記録再生装置。
本発明の一態様によれば、表面平滑性が高く、うねりが小さい磁気記録媒体を提供することができる。
以下、本実施形態の磁気記録媒体および磁気記録再生装置について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上、特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
［磁気記録媒体］
図１に、本実施形態の磁気記録媒体の層構成の一例を示す。
図１に、本実施形態の磁気記録媒体の層構成の一例を示す。
磁気記録媒体５０１は、基板１０１と、基板１０１の上に形成されている下地層１０８と、下地層１０８の上に形成されている磁性層１０７を有する。磁性層１０７は、Ｌ１０構造を有する合金を含む。下地層１０８は、ＭｏとＲｕを含み、Ｒｕの含有量が５ａｔ％〜３０ａｔ％の範囲内である第１の下地層１０４と、ＢＣＣ構造を有する材料を含む第２の下地層１０３を含む。第２の下地層１０３は、第１の下地層１０４と、基板１０１との間に形成されている。このため、磁気記録媒体５０１は、表面平滑性が高く、うねりが小さい。すなわち、磁気記録媒体５０１は、基板１０１の上に、ＢＣＣ構造を有する材料を含む第２の下地層１０３、ＭｏとＲｕを含み、Ｒｕの含有量が５ａｔ％〜３０ａｔ％の範囲内である第１の下地層１０４、Ｌ１０構造を有する合金を含む磁性層１０７が、この順で積層されているため、各層を構成する材料の間の格子整合性が高くなる。このため、成膜時に加熱プロセスを伴っても、各層を構成する材料の間で格子歪が発生しにくくなり、その結果、磁気記録媒体の表面平滑性が高くなり、うねりが小さくなる。これにより、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの間のスペーシングロスが低減されるため、ＳＮＲが高くなり、磁気記録再生装置の面記録密度が高くなる。
第１の下地層１０４中のＲｕの含有量は、５ａｔ％〜３０ａｔ％の範囲内であるが、６ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内であることが好ましく、８ａｔ％〜１５ａｔ％の範囲内であることがさらに好ましい。第１の下地層１０４中のＲｕの含有量が５ａｔ％〜３０ａｔ％の範囲内であると、磁気記録媒体５０１の表面平滑性が高くなり、うねりが小さくなる。
第１の下地層１０４の厚さは、１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、３ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。第１の下地層１０４の厚さが１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であると、磁気記録媒体５０１の表面平滑性がさらに高くなり、うねりがさらに小さくなる。
第１の下地層１０４は、Ｖ、Ｗ、ＴａおよびＮｂからなる群より選択される１種以上の元素をさらに含むことが好ましい。これにより、各層を構成する材料の間の格子整合性がさらに高くなる。
第１の下地層１０４中の上記元素の総含有量は、１ａｔ％〜１５ａｔ％の範囲内であることが好ましく、３ａｔ％〜９ａｔ％の範囲内であることがさらに好ましい。第１の下地層１０４中の上記元素の総含有量が１ａｔ％〜１５ａｔ％の範囲内であると、Ｍｏ−Ｒｕ合金の結晶性を損なわずに、格子間距離を調整することができる。
第２の下地層１０３に含まれるＢＣＣ構造を有する材料は、ＣｒまたはＣｒ合金であることが好ましい。ここで、ＣｒまたはＣｒ合金は、ＢＣＣ構造を有し、（１００）面配向しやすい。また、第１の下地層１０４を構成する材料もＢＣＣ構造を有し、（１００）面配向しやす。このため、第２の下地層１０３に含まれるＣｒまたはＣｒ合金と、第１の下地層１０４を構成する材料の間の格子整合性がさらに高くなり、各層を構成する材料の間の格子整合性がさらに高くなる。
第２の下地層１０３の厚さは、４ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることが好ましく、８ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。第２の下地層１０３の厚さが４ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であると、第２の下地層１０３を構成する材料と、第１の下地層１０４を構成する材料の間の格子整合性がさらに高くなり、各層を構成する材料の間の格子整合性がさらに高くなる。
第２の下地層１０３は、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、ＲｕおよびＭｎからなる群より選択される１種以上の元素をさらに含むことが好ましい。これにより、各層を構成する材料の間の格子整合性がさらに高くなる。
第２の下地層１０３中の上記元素の総含有量は、１ａｔ％〜１５ａｔ％の範囲内であることが好ましく、３ａｔ％〜９ａｔ％の範囲内であることがさらに好ましい。第２の下地層１０３中の上記元素の総含有量が１ａｔ％〜１５ａｔ％の範囲内であると。Ｃｒ合金の結晶性を損なわずに、格子間距離を調整することができる。
磁性層１０７に含まれるＬ１０構造を有する合金は、ＦｅＰｔ合金またはＣｏＰｔ合金であることが好ましい。これらの合金は、基板１０１の表面に対してｃ軸配向、すなわち、（００１）面配向させやすいことに加え、下地層１０８を構成する材料との間の格子整合性がさらに高くなる。
磁性層１０７の厚さは、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内であることが好ましく、３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。磁性層１０７の厚さが１ｎｍ以上であると、再生出力を高くすることができ、２０ｎｍ以下であると、結晶粒子の肥大化を抑制することができる。
なお、磁性層１０７が多層構造を有する場合、磁性層１０７の厚さは、磁性層１０７を構成する複数の層の厚さの総和を意味する。
磁性層１０７は、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃ、ＢＮおよびＨｆＯ２からなる群より選択される１種以上の材料をさらに含むことが好ましい。これにより、Ｌ１０構造を有する合金で構成される磁性粒子が、粒界偏析材料で囲まれているグラニュラー構造をとることができ、磁性層１０７を構成する磁性粒子の結晶磁気異方性および保磁力がさらに高くなる。
磁性層１０７中の上記材料の含有量は、２５ｖｏｌ％〜５０ｖｏｌ％の範囲内であることが好ましく、３５ｖｏｌ％〜４５ｖｏｌ％の範囲内であることがさらに好ましい。磁性層１０７中の上記材料の含有量が２５ｖｏｌ％〜５０ｖｏｌ％の範囲内であると、磁性層１０７を構成する磁性粒子の結晶磁気異方性および保磁力がさらに高くなる。
磁気記録媒体５０１は、第１の下地層１０４と、磁性層１０７との間に、ＭｇＯを含む第３の下地層１０６がさらに形成されている。ここで、ＭｇＯは、ＮａＣｌ型構造を有し、（１００）面配向しやすい。このため、（１００）面配向しているＢＣＣ構造を有する材料との間の格子整合性が高い。また、磁性層１０７に含まれるＬ１０構造を有する合金を（００１）面配向させることができる。
第３の下地層１０６の厚さは、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましく、２ｎｍ〜８ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。第３の下地層１０６の厚さが１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であると、磁性層１０７に含まれるＬ１０構造を有する合金の（００１）面配向性がさらに高くなる。
第３の下地層１０６は、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃ、ＳｉＣ、ＶＣ、Ｂ４Ｃ、Ｓｉ３Ｎ４、ＶＮ、ＢＮ、ＴｉＮおよびＡｌＮからなる群より選択される１種以上の材料をさらに含むことが好ましい。これにより、磁性層１０７を構成する磁性粒子の結晶磁気異方性がさらに高くなり、磁性層１０７に含まれるＬ１０構造を有する合金との間の格子整合性がさらに高くなる。
第３の下地層１０６中の上記材料の総含有量は、１ｖｏｌ％〜１５ｖｏｌ％の範囲内であることが好ましく、３ｖｏｌ％〜９ｖｏｌ％の範囲内であることがさらに好ましい。第３の下地層１０６中の上記材料の総含有量が１ｖｏｌ％〜１５ｖｏｌ％の範囲内であると、磁性層１０７を構成する磁性粒子の結晶磁気異方性がさらに高くなり、磁性層１０７に含まれるＬ１０構造を有する合金との間の格子整合性がさらに高くなる。
磁気記録媒体５０１は、第１の下地層１０４と、第３の下地層１０６の間に、ＢＣＣ構造を有する合金を含む第４の下地層１０５がさらに形成されており、ＢＣＣ構造を有する合金は、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、ＴａおよびＮｂからなる群より選択される１種以上の元素を含むことが好ましい。これにより、第１の下地層１０４を構成する材料と、第３の下地層１０６を構成する材料との間の格子整合性が高くなる。
第４の下地層１０５の厚さは、１０ｎｍ〜９０ｎｍの範囲内であることが好ましく、３０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。第４の下地層１０５の厚さが１０ｎｍ〜９０ｎｍの範囲内であると、第１の下地層１０４を構成する材料と、第３の下地層１０６を構成する材料との間の格子整合性がさらに高くなる。
磁気記録媒体５０１は、書き込み特性を改善するために、基板１０１と、第２の下地層１０３の間に、ＣｏまたはＦｅを含み、非晶質または微結晶構造を有する材料を含む軟磁性下地層１０２がさらに形成されている。
軟磁性下地層１０２に含まれる非晶質または微結晶構造を有する材料は、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉ、Ｚｒ、ＡｌおよびＣからなる群より選択される１種以上の元素をさらに含む軟磁性合金であることが好ましい。
軟磁性合金としては、例えば、ＣｏＴａＺｒ合金、ＣｏＮｂＺｒ合金、ＣｏＦｅＴａＺｒ合金、ＣｏＦｅＴａＢ合金、ＣｏＦｅＴａＳｉ合金、ＣｏＦｅＺｒＳｉ合金、ＣｏＦｅＺｒＢ合金、ＦｅＡｌＳｉ合金、ＦｅＴａＣ合金等が挙げられる。
軟磁性下地層１０２は、単層構造であってもよいし、Ｒｕ層を挟んで反強磁性結合している積層構造であってもよい。
軟磁性下地層１０２は、下地層１０８を（１００）配向させることができるため、第１〜第４の下地層の間に形成されていてもよい。
軟磁性下地層１０２の厚さは、２０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、４０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。
なお、磁気記録媒体５０１は、必要に応じて、第３の下地層１０６、第４の下地層１０５、軟磁性下地層１０２は、必要に応じて、省略することができる。
磁気記録媒体５０１は、磁性層１０７の上に、保護層がさらに形成されていてもよい。
保護層としては、例えば、硬質炭素膜等が挙げられる。
保護層の形成方法としては、例えば、炭化水素からなる原料ガスを高周波プラズマで分解して成膜するＲＦ−ＣＶＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、フィラメントから放出された電子で原料ガスをイオン化して成膜するＩＢＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原料ガスを用いずに、固体炭素ターゲットを用いて成膜するＦＣＶＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ｖａｃｕｕｍ Ａｒｃ）法等が挙げられる。
保護層の厚さは、１ｎｍ〜６ｎｍの範囲内であることが好ましい。保護層の厚さが１ｎｍ以上であると、磁気ヘッドの浮上特性が良好となり、６ｎｍ以下であると、磁気スペーシングが小さくなり、ＳＮＲが高くなる。
磁気記録媒体５０１は、潤滑剤層が表面に形成されていてもよい。
潤滑剤としては、例えば、パーフルオルポリエーテル系の潤滑剤等が挙げられる。
潤滑剤層の形成方法としては、例えば、潤滑剤を塗布する方法等が挙げられる。
本実施形態の磁気記録媒体は、ハードディスク装置（ＨＤＤ）等の磁気記録再生装置に適用することができ、熱アシスト記録方式やマイクロ波アシスト記録方式の磁気記録再生装置に適用することが好ましい。
［磁気記録再生装置］
図２に、本実施形態の磁気記録再生装置の構成の一例を示す。
図２に、本実施形態の磁気記録再生装置の構成の一例を示す。
磁気記録再生装置５００は、磁気記録媒体５０１と、磁気記録媒体５０１を回転させるための媒体駆動部５０２と、磁気記録媒体５０１に対して記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッド５０３と、磁気ヘッド５０３を磁気記録媒体５０１に対して相対移動させるためのヘッド駆動部５０４と、磁気ヘッド５０３に入力する記録信号と磁気ヘッド５０３から出力される再生信号とを処理するための記録再生信号処理系５０５とから概略構成される。
図３に、磁気ヘッド５０３の構造を示す。
磁気ヘッド５０３は、記録ヘッド６０１と再生ヘッド６０２とを備える。
記録ヘッド６０１は、主磁極６０３と、補助磁極６０４と、主磁極６０３と補助磁極６０４の間に挟まれているＰＳＩＭ（Ｐｌａｎａｒ Ｓｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｍｉｒｒｏｒ）６０５から構成される。記録ヘッド６０１は、ＰＳＩＭ６０５のグレーティング部６０６に、レーザー光源６０７（例えば、レーザーダイオード等）が発する波長６５０ｎｍのレーザー光Ｌを照射し、ＰＳＩＭ６０５の先端部（近接場光発生部）から発生した近接場光Ｎにより、磁気記録媒体５０１を加熱しながら、情報を記録する。
一方、再生ヘッド６０２は、上部シールド６０８と、下部シールド６０９と、上部シールド６０８と下部シールド６０９の間に挟まれているＴＭＲ素子６１０から構成される。
以下の実施例および比較例により、本発明をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
［実施例１］
ガラス基板上に、厚さ１００ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉ合金層と、厚さ３０ｎｍのＣｏ−２７ａｔ％Ｆｅ−５ａｔ％Ｚｒ−５ａｔ％Ｂ合金層（軟磁性下地層）とを順次形成した。次に、ガラス基板を２５０℃まで加熱した後、厚さ１０ｎｍのＣｒ層（第２の下地層）と、厚さ１０ｎｍのＭｏ−１０ａｔ％Ｒｕ層（第１の下地層）と、厚さ５０ｎｍのＷ層（第４の下地層）と、厚さ２ｎｍのＭｇＯ層（第３の下地層）とを順次形成した。次に、ガラス基板を４５０℃まで加熱した後、厚さ０．２ｎｍのＦｅ−５５ａｔ％Ｐｔ合金層（磁性層）と、厚さ３ｎｍのカーボン層（保護層）を順次形成し、磁気記録媒体を作製した。
ガラス基板上に、厚さ１００ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉ合金層と、厚さ３０ｎｍのＣｏ−２７ａｔ％Ｆｅ−５ａｔ％Ｚｒ−５ａｔ％Ｂ合金層（軟磁性下地層）とを順次形成した。次に、ガラス基板を２５０℃まで加熱した後、厚さ１０ｎｍのＣｒ層（第２の下地層）と、厚さ１０ｎｍのＭｏ−１０ａｔ％Ｒｕ層（第１の下地層）と、厚さ５０ｎｍのＷ層（第４の下地層）と、厚さ２ｎｍのＭｇＯ層（第３の下地層）とを順次形成した。次に、ガラス基板を４５０℃まで加熱した後、厚さ０．２ｎｍのＦｅ−５５ａｔ％Ｐｔ合金層（磁性層）と、厚さ３ｎｍのカーボン層（保護層）を順次形成し、磁気記録媒体を作製した。
［実施例２〜１６、比較例１〜３］
第１の下地層の組成および厚さを、表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
第１の下地層の組成および厚さを、表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
次に、磁気記録媒体の表面平滑性、うねり、ＳＮＲを評価した。
［磁気記録媒体の表面平滑性］
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、磁気記録媒体の算術平均粗さＲａを測定し、磁気記録媒体の表面平滑性を評価した。
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、磁気記録媒体の算術平均粗さＲａを測定し、磁気記録媒体の表面平滑性を評価した。
［磁気記録媒体のうねり］
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、磁気記録媒体の二乗平方根高さＲｑを測定し、磁気記録媒体のうねりを評価した。
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、磁気記録媒体の二乗平方根高さＲｑを測定し、磁気記録媒体のうねりを評価した。
［ＳＮＲ］
図３の磁気ヘッドを用いて、線記録密度１５００ｋＦＣＩのオールワンパターン信号を磁気記録媒体に記録し、ＳＮＲを測定した。ここで、レーザーダイオードに投入するパワーは、トラックプロファイルの半値幅と定義したトラック幅ＭＷＷが６０ｎｍとなるように調整した。
図３の磁気ヘッドを用いて、線記録密度１５００ｋＦＣＩのオールワンパターン信号を磁気記録媒体に記録し、ＳＮＲを測定した。ここで、レーザーダイオードに投入するパワーは、トラックプロファイルの半値幅と定義したトラック幅ＭＷＷが６０ｎｍとなるように調整した。
表１に、磁気記録媒体の表面平滑性、うねり、ＳＮＲの評価結果を示す。
これに対して、比較例１、２の磁気記録媒体は、第１の下地層中のＲｕの含有量が０〜２ａｔ％であるため、Ｒｑが大きい。
また、比較例３の磁気記録媒体は、第１の下地層中のＲｕの含有量が４０ａｔ％であるため、Ｒｑが大きい。
１０１ 基板
１０２ 軟磁性下地層
１０３ 第２の下地層
１０４ 第１の下地層
１０５ 第４の下地層
１０６ 第３の下地層
１０７ 磁性層
５００ 磁気記録再生装置
５０１ 磁気記録媒体
５０２ 媒体駆動部
５０３ 磁気ヘッド
５０４ ヘッド駆動部
５０５ 記録再生信号処理系
６０１ 記録ヘッド
６０２ 再生ヘッド
６０３ 主磁極
６０４ 補助磁極
６０５ ＰＳＩＭ（Ｐｌａｎａｒ Ｓｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｍｉｒｒｏｒ）
６０６ グレーティング部
６０７ レーザー光源
６０８ 上部シールド
６０９ 下部シールド
６１０ ＴＭＲ素子
Ｌ レーザー光
Ｎ 近接場光
１０２ 軟磁性下地層
１０３ 第２の下地層
１０４ 第１の下地層
１０５ 第４の下地層
１０６ 第３の下地層
１０７ 磁性層
５００ 磁気記録再生装置
５０１ 磁気記録媒体
５０２ 媒体駆動部
５０３ 磁気ヘッド
５０４ ヘッド駆動部
５０５ 記録再生信号処理系
６０１ 記録ヘッド
６０２ 再生ヘッド
６０３ 主磁極
６０４ 補助磁極
６０５ ＰＳＩＭ（Ｐｌａｎａｒ Ｓｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｍｉｒｒｏｒ）
６０６ グレーティング部
６０７ レーザー光源
６０８ 上部シールド
６０９ 下部シールド
６１０ ＴＭＲ素子
Ｌ レーザー光
Ｎ 近接場光
Claims (10)
- 基板と、
前記基板の上に形成されている下地層と、
前記下地層の上に形成されている磁性層を有し、
前記磁性層は、Ｌ１０構造を有する合金を含み、
前記下地層は、ＭｏとＲｕを含み、Ｒｕの含有量が５ａｔ％〜３０ａｔ％の範囲内である第１の下地層と、ＢＣＣ構造を有する材料を含む第２の下地層を含み、
前記第２の下地層は、前記第１の下地層と、前記基板との間に形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記第１の下地層は、Ｖ、Ｗ、ＴａおよびＮｂからなる群より選択される１種以上の元素をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
- 前記ＢＣＣ構造を有する材料は、ＣｒまたはＣｒ合金であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
- 前記第２の下地層は、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、ＲｕおよびＭｎからなる群より選択される１種以上の元素をさらに含むことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 前記Ｌ１０構造を有する合金は、ＦｅＰｔ合金またはＣｏＰｔ合金であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層は、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃ、ＢＮおよびＨｆＯ２からなる群より選択される１種以上の材料をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 前記第１の下地層と、前記磁性層との間に、ＭｇＯを含む第３の下地層がさらに形成されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 前記第３の下地層は、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃ、ＳｉＣ、ＶＣ、Ｂ４Ｃ、Ｓｉ３Ｎ４、ＶＮ、ＢＮ、ＴｉＮおよびＡｌＮからなる群より選択される１種以上の材料をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体。
- 前記第１の下地層と、前記第３の下地層の間に、ＢＣＣ構造を有する合金を含む第４の下地層がさらに形成されており、
前記ＢＣＣ構造を有する合金は、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、ＴａおよびＮｂからなる群より選択される１種以上の元素を含むことを特徴とする請求項７または８に記載の磁気記録媒体。 - 請求項１〜９の何れか一項に記載の磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記録再生装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019089202A JP7258275B2 (ja) | 2019-05-09 | 2019-05-09 | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
| US16/862,809 US20200357436A1 (en) | 2019-05-09 | 2020-04-30 | Magnetic recording medium and magnetic read/write apparatus |
| CN202010376998.0A CN111916114B (zh) | 2019-05-09 | 2020-05-07 | 磁记录介质和磁记录再现装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019089202A JP7258275B2 (ja) | 2019-05-09 | 2019-05-09 | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020184393A true JP2020184393A (ja) | 2020-11-12 |
| JP7258275B2 JP7258275B2 (ja) | 2023-04-17 |
Family
ID=73045219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019089202A Active JP7258275B2 (ja) | 2019-05-09 | 2019-05-09 | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20200357436A1 (ja) |
| JP (1) | JP7258275B2 (ja) |
| CN (1) | CN111916114B (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004152424A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
| JP2013157071A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Showa Denko Kk | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP2014049146A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP2016522957A (ja) * | 2013-09-30 | 2016-08-04 | シーゲイト テクノロジー エルエルシーＳｅａｇａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＬＬＣ | ＭｇＯ−Ｔｉ（ＯＮ）中間層を含む磁気スタック |
| WO2018163658A1 (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-13 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003083841A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| JP2006185489A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| CN101124627A (zh) * | 2005-02-25 | 2008-02-13 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质、其制造方法、以及磁记录和再现装置 |
| WO2007018131A1 (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US20070099032A1 (en) * | 2005-11-02 | 2007-05-03 | Heraeus, Inc., A Corporation Of The State Of Arizona | Deposition of enhanced seed layer using tantalum alloy based sputter target |
| US20070190364A1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-16 | Heraeus, Inc. | Ruthenium alloy magnetic media and sputter targets |
| JP5616893B2 (ja) * | 2009-08-20 | 2014-10-29 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| JP5961439B2 (ja) * | 2012-05-01 | 2016-08-02 | 昭和電工株式会社 | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP6073194B2 (ja) * | 2013-07-03 | 2017-02-01 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体、磁気記憶装置 |
| JP6317896B2 (ja) * | 2013-07-26 | 2018-04-25 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| JP6887814B2 (ja) * | 2017-01-24 | 2021-06-16 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
-
2019
- 2019-05-09 JP JP2019089202A patent/JP7258275B2/ja active Active
-
2020
- 2020-04-30 US US16/862,809 patent/US20200357436A1/en active Pending
- 2020-05-07 CN CN202010376998.0A patent/CN111916114B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004152424A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
| JP2013157071A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Showa Denko Kk | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP2014049146A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP2016522957A (ja) * | 2013-09-30 | 2016-08-04 | シーゲイト テクノロジー エルエルシーＳｅａｇａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＬＬＣ | ＭｇＯ−Ｔｉ（ＯＮ）中間層を含む磁気スタック |
| WO2018163658A1 (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-13 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111916114A (zh) | 2020-11-10 |
| JP7258275B2 (ja) | 2023-04-17 |
| US20200357436A1 (en) | 2020-11-12 |
| CN111916114B (zh) | 2022-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6145332B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記憶装置 | |
| JP5670638B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP5961490B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP5923324B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP6145350B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記憶装置 | |
| JP6073194B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記憶装置 | |
| JP5561773B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| WO2013172260A1 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP6009055B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP5938224B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP6887814B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JP2017224371A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP7011477B2 (ja) | アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| CN110660414B (zh) | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 | |
| JP5797308B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JP5961439B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP2018106774A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JP5923152B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
| JP7371494B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JP7279563B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JP5858634B2 (ja) | 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP6887810B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JP7258275B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 | |
| JP2022150658A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP2013149328A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220216 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230113 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230117 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230124 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20230131 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20230201 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230228 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20230307 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230313 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7258275 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |